JP2001127142A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents
Semiconductor manufacturing deviceInfo
- Publication number
- JP2001127142A JP2001127142A JP30480499A JP30480499A JP2001127142A JP 2001127142 A JP2001127142 A JP 2001127142A JP 30480499 A JP30480499 A JP 30480499A JP 30480499 A JP30480499 A JP 30480499A JP 2001127142 A JP2001127142 A JP 2001127142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- susceptor
- semiconductor manufacturing
- heater unit
- mounting surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ処理装置等
の半導体製造装置に係り、特にウェーハとヒータとの間
に介在されるサセプタを改善した半導体製造装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus such as a CVD processing apparatus, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus with an improved susceptor interposed between a wafer and a heater.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えばＣＶＤ処理装置は、反応室内にウ
ェーハを加熱するためのヒータユニットを備えており、
ヒータユニットの上にサセプタを載せ、サセプタの載置
面にウェーハを載置し、その状態で、反応室内に反応ガ
スを流して、ヒータユニットでサセプタ上のウェーハを
加熱することにより、ウェーハに成膜を施すようになっ
ている。2. Description of the Related Art For example, a CVD processing apparatus has a heater unit for heating a wafer in a reaction chamber.
The susceptor is placed on the heater unit, and the wafer is placed on the mounting surface of the susceptor. In this state, a reaction gas is flowed into the reaction chamber, and the wafer on the susceptor is heated by the heater unit to form a wafer. A film is applied.
【０００３】図６は従来のヒータユニット及びサセプタ
の構造を示している。図において、１はサセプタ、２は
ヒータユニット、３は外周リングである。サセプタ１
は、ＳｉＣまたは石英等の材質でできた単一構造のもの
であり、ヒータユニット２の上面に載っている。サセプ
タ１の上面にはフラットな載置面１Ａ上が形成され、そ
の載置面１ＡにウェーハＷが全面接触状態で載置されて
いる。FIG. 6 shows the structure of a conventional heater unit and susceptor. In the figure, 1 is a susceptor, 2 is a heater unit, and 3 is an outer peripheral ring. Susceptor 1
Has a single structure made of a material such as SiC or quartz, and is mounted on the upper surface of the heater unit 2. A flat mounting surface 1A is formed on the upper surface of the susceptor 1, and the wafer W is mounted on the mounting surface 1A in a state of being in full contact therewith.
【０００４】ヒータユニット２は、インナゾーンとアウ
トゾーンにゾーン分けされた発熱体６、７を備えると共
に、発熱体６、７に対応してインナゾーンとアウトゾー
ンにゾーン分けされた熱板８、９を備えており、それぞ
れインナゾーンとアウトゾーンで温度制御できるように
なっている。なお、熱板８、９は、ウェーハＷの均熱目
的のため設けられている。[0004] The heater unit 2 includes heating elements 6 and 7 divided into an inner zone and an out zone, and a heating plate 8 divided into an inner zone and an out zone corresponding to the heating elements 6 and 7. 9 so that the temperature can be controlled in the inner zone and the outer zone, respectively. The hot plates 8 and 9 are provided for the purpose of equalizing the temperature of the wafer W.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の構成においては、ヒータユニット２のアウトゾーン
の熱が、サセプタ１を介してウェーハＷの中心側に伝わ
るため、ウェーハＷの中心部の温度が周辺部より高くな
ってしまい、ウェーハの均熱性が悪化するという問題が
あった。By the way, in the above-mentioned conventional structure, since the heat in the out zone of the heater unit 2 is transmitted to the center of the wafer W via the susceptor 1, the temperature of the center of the wafer W is reduced. However, there is a problem that the temperature of the wafer is higher than that of the peripheral portion, and the uniformity of the wafer is deteriorated.
【０００６】それを改善するためには、ヒータユニット
２の各ゾーンを微妙に温度制御したり、発熱ゾーンをよ
り細かく分ける等の対策をとることが考えられるが、そ
うすると、装置の構成や制御の仕方が一層複雑になり、
コストアップするおそれがあった。In order to improve this, it is conceivable to take measures such as delicate temperature control of each zone of the heater unit 2 or finer division of the heat generating zone. The way is more complicated,
There was a risk that the cost would increase.
【０００７】本発明は、上記事情を考慮し、ヒータユニ
ット側の構造や制御の仕方を特に変えずに、ウェーハの
均熱性の向上を図ることのできる半導体製造装置を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of improving the uniformity of a wafer without particularly changing the structure and control method of a heater unit. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、反応
室内に配され、上面にウェーハの載置面が形成されると
共に、下面側にウェーハ加熱用のヒータが配設された半
導体製造装置において、前記載置面を、周辺から中央に
行くほど深さが増す凹状に形成すると共に、ウェーハよ
りも小さい径の位置で、内周側部分と外周側部分とに同
心状に分割したことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing method wherein a wafer mounting surface is formed on an upper surface and a heater for heating a wafer is provided on a lower surface side. In the apparatus, the mounting surface is formed into a concave shape whose depth increases from the periphery toward the center, and is concentrically divided into an inner peripheral portion and an outer peripheral portion at a position having a smaller diameter than the wafer. It is characterized by.
【０００９】この発明では、サセプタの載置面を周辺か
ら中央に行くほど深さが増す凹状に形成していること、
及び、サセプタを、ウェーハよりも小さい径の位置で内
周側部分と外周側部分とに同心状に分割していることに
より、ウェーハの均熱性を向上させることができる。According to the present invention, the mounting surface of the susceptor is formed in a concave shape whose depth increases from the periphery toward the center.
In addition, since the susceptor is concentrically divided into an inner peripheral portion and an outer peripheral portion at a position having a diameter smaller than that of the wafer, the uniformity of the wafer can be improved.
【００１０】即ち、サセプタのウェーハ載置面が周辺か
ら中央に行くほど深さが増す凹状になっていることによ
り、フラットな底面を有するウェーハとサセプタとが、
従来のように面と面で接触するのではなくなり、ウェー
ハの周辺部のみが、サセプタの載置面に直接接触し、中
央部は微小な空隙を介して対面するようになる。しか
も、その空隙は、ウェーハの周辺から中央に行くほど大
きくなる。従って、サセプタからウェーハに伝わる熱量
が、その空隙の大きさにより微妙に制限されることにな
る。また、更にサセプタが、ウェーハよりも小さい径の
位置で内周側部分と外周側部分とに同心状に分割されて
いるので、その分割部分により、サセプタの外周側部分
から内周側部分へ伝わる熱量が制限されることになる。
これにより、ヒータユニットのアウトゾーンの熱が、サ
セプタを介してウェーハの中心側に伝わることで、ウェ
ーハの中心部の温度が周辺部より高くなってしまう現象
を抑制することができ、ウェーハの均熱性の向上を図る
ことができる。That is, since the wafer mounting surface of the susceptor has a concave shape whose depth increases from the periphery to the center, the wafer having a flat bottom surface and the susceptor
Rather than contacting each other as in the prior art, only the peripheral portion of the wafer directly contacts the mounting surface of the susceptor, and the central portion faces through a minute gap. In addition, the gap increases from the periphery to the center of the wafer. Therefore, the amount of heat transmitted from the susceptor to the wafer is delicately limited by the size of the gap. Further, since the susceptor is further concentrically divided into an inner peripheral portion and an outer peripheral portion at a position having a diameter smaller than that of the wafer, the susceptor transmits from the outer peripheral portion to the inner peripheral portion of the susceptor. The amount of heat will be limited.
Thereby, the phenomenon that the temperature in the center of the wafer becomes higher than that in the peripheral portion due to the heat in the out zone of the heater unit being transmitted to the center of the wafer via the susceptor can be suppressed, and the uniformity of the wafer can be suppressed. Thermal property can be improved.
【００１１】請求項２の発明は、前記載置面を、凹球面
で構成したことを特徴とする。The invention according to a second aspect is characterized in that the placing surface is constituted by a concave spherical surface.
【００１２】請求項３の発明は、前記載置面を、中央部
の平坦な底面と、その外周側に連続するテーパ面とで凹
状に構成したことを特徴とする。The invention according to claim 3 is characterized in that the mounting surface is formed in a concave shape with a flat bottom surface at the center and a tapered surface continuous to the outer peripheral side.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。実施形態の半導体製造装置は、反応
室内にウェーハ加熱用のヒータユニットと、このヒータ
ユニットの上面にウェーハの載置面が形成されたサセプ
タとを有する。図１は前記ヒータユニットとサセプタに
関する第１実施形態の構成を示す断面図である。ヒータ
ユニット２の構成は図６の従来例と変わらず、サセプタ
１１の構造のみが異なる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The semiconductor manufacturing apparatus of the embodiment includes a heater unit for heating a wafer in a reaction chamber, and a susceptor having a wafer mounting surface formed on an upper surface of the heater unit. FIG. 1 is a sectional view showing the configuration of the first embodiment relating to the heater unit and the susceptor. The configuration of the heater unit 2 is the same as the conventional example of FIG. 6, and only the structure of the susceptor 11 is different.
【００１４】このサセプタ１１は、ウェーハＷの直径よ
りも大きな外径を有する円盤状に形成されており、上面
にウェーハＷの載置面１１Ａを有している。この場合の
ウェーハＷの載置面１１Ａは、周辺から中央に行くほど
深さが増す凹球面状に形成されており、中央の最大深さ
が１ｍｍ程度に設定されている。The susceptor 11 is formed in a disk shape having an outer diameter larger than the diameter of the wafer W, and has a mounting surface 11A for the wafer W on the upper surface. In this case, the mounting surface 11A of the wafer W is formed in a concave spherical shape whose depth increases from the periphery to the center, and the maximum depth at the center is set to about 1 mm.
【００１５】また、このサセプタ１１は、ウェーハＷよ
りも小さい径の位置（ウェーハＷの直径の半分程度の直
径位置）で、外周側サセプタ（外周側部分）１２と内周
側サセプタ（内周側部分）１３とに同心状に二分割され
ており、分割部分に形成した段部１４、１５を重合する
ことにより、外周側サセプタ１２によって内周側サセプ
タ１３が支持されている。そして、外周側サセプタ１２
と内周側サセプタ１３とが組み合わさることで、外周側
サセプタ１２と内周側サセプタ１３の各上面１２Ａ、１
３Ａにより、ほぼ連続した形の凹球面状の載置面１１Ａ
が形成されている。また、外周側サセプタ１２の下面に
は下方に突出した足１９が設けられており、この足１９
でサセプタ１１がヒータユニット２の上面に載ってい
る。The susceptor 11 has an outer peripheral side susceptor (outer peripheral side portion) 12 and an inner peripheral susceptor (inner peripheral side) at a position smaller in diameter than the wafer W (diameter position of about half the diameter of the wafer W). 13), and the inner peripheral susceptor 13 is supported by the outer peripheral susceptor 12 by superimposing the step portions 14 and 15 formed in the divided portion. And the outer peripheral side susceptor 12
And the inner peripheral susceptor 13 are combined to form the upper surfaces 12A,
3A, a substantially continuous concave spherical mounting surface 11A
Are formed. Further, a foot 19 projecting downward is provided on the lower surface of the outer peripheral side susceptor 12.
And the susceptor 11 rests on the upper surface of the heater unit 2.
【００１６】次に作用を説明する。まず、分割したこと
による作用と、載置面を凹状に形成したことによる作用
を別々に解析した結果について述べる。図２は、サセプ
タを内周側部分と外周側部分に分割した場合のウェーハ
面内温度分布と、サセプタの載置面を凹球面状に形成し
た場合のウェーハ面内温度分布と比較して示している。
ここでは、ウェーハの外周端を基準にして中心部の温度
がどの程度下がるかを解析している。なお、凹球面状の
載置面のことを、図中では球面ザグリと言っている。球
面ザグリは、最大深さ５００μｍと１０００μｍの場合
を解析した。Next, the operation will be described. First, the results of separately analyzing the operation resulting from the division and the operation resulting from forming the mounting surface in a concave shape will be described. FIG. 2 shows a comparison between a wafer surface temperature distribution when the susceptor is divided into an inner peripheral portion and an outer peripheral portion, and a wafer surface temperature distribution when the susceptor mounting surface is formed in a concave spherical shape. ing.
Here, it is analyzed how much the temperature at the center decreases with reference to the outer peripheral edge of the wafer. The mounting surface having a concave spherical shape is referred to as a spherical counterbore in the drawing. The spherical counterbore was analyzed for the maximum depths of 500 μm and 1000 μm.
【００１７】この解析結果から分かるように、「分割＋
球面ザグリ」により、ウェーハの面内温度分布に影響を
与えることができる。これは、ウェーハＷの載置面１１
Ａが周辺から中央に行くほど深さが増す凹状になってい
ることにより、フラットな底面を有するウェーハＷとサ
セプタ１１とが、従来のように面と面で接触しなくな
り、ウェーハＷの周辺部のみがサセプタ１１の載置面１
１Ａに直接接触し、中央部が微小な空隙を介して対面す
るようになり、しかもその空隙がウェーハＷの周辺から
中央に行くほど大きくなって、サセプタ１１からウェー
ハＷに伝わる熱量がその空隙の大きさにより微妙に制限
されることになるからである、と考えることができる。
また、サセプタ１１が分割されている場合、その分割部
分により、外周側サセプタ１２から内周側サセプタ１３
へ伝わる熱量が制限されることになり、これによりヒー
タユニット２のアウトゾーンの熱が、サセプタ１１を介
してウェーハＷの中心側に伝わりにくくなるからであ
る、と考えることができる。As can be seen from this analysis result, “division +
The "spherical counterbore" can affect the in-plane temperature distribution of the wafer. This corresponds to the mounting surface 11 of the wafer W.
A is a concave shape whose depth increases as going from the periphery to the center, so that the wafer W having a flat bottom surface and the susceptor 11 do not contact with each other as in the related art, and the peripheral portion of the wafer W Only the mounting surface 1 of the susceptor 11
1A, and the central portion faces through a minute gap, and the gap increases from the periphery to the center of the wafer W, and the amount of heat transmitted from the susceptor 11 to the wafer W becomes smaller. It can be considered that this is because the size is delicately limited.
When the susceptor 11 is divided, the divided portion allows the outer susceptor 12 to move from the inner susceptor 13 to the inner susceptor 13.
It can be considered that the amount of heat transmitted to the heater unit 2 is limited, so that the heat in the out zone of the heater unit 2 is less likely to be transmitted to the center side of the wafer W via the susceptor 11.
【００１８】なお、上記第１実施形態のサセプタ１１で
は、ウェーハ載置面１１Ａを凹球面状に形成したが、図
３あるいは図４の第２、第３実施形態のサセプタ２１、
３１ように、載置面２１Ａ、３１Ａを、内周側サセプタ
２３、３３の平坦な上面（凹状の載置面の底面に相当）
２３Ａ、３３Ａと、外周側サセプタ２２、３２のテーパ
面２２Ａ、３２Ａとで凹状に構成してもよい。In the susceptor 11 of the first embodiment, the wafer mounting surface 11A is formed in a concave spherical shape. However, the susceptor 21 of the second and third embodiments shown in FIG.
As shown in FIG. 31, the mounting surfaces 21A and 31A are connected to the flat upper surfaces of the inner peripheral susceptors 23 and 33 (corresponding to the bottom surface of the concave mounting surface).
23A, 33A and the tapered surfaces 22A, 32A of the outer peripheral side susceptors 22, 32 may be formed in a concave shape.
【００１９】この場合もサセプタ２１、３１は、ウェー
ハＷよりも小さい径の位置（ウェーハＷの直径の半分程
度の直径位置）で、外周側サセプタ（外周側部分）２
２、３２と内周側サセプタ（内周側部分）２３、３３と
に同心状に二分割され、分割部分に形成した段部２４、
２５、３４、３５を重合することにより、外周側サセプ
タ２２、３２によって内周側サセプタ２３、３３が支持
されている。また、外周側サセプタ２２、３２の下面に
突設した足２９、３９で、各サセプタ２１、３１がヒー
タユニット（図示略）の上面に載っている。In this case as well, the susceptors 21 and 31 are positioned at a position smaller than the wafer W (a position approximately half the diameter of the wafer W) at the outer peripheral susceptor (outer peripheral portion) 2.
2, 32 and an inner peripheral side susceptor (inner peripheral side) 23, 33 are concentrically divided into two, and a step portion 24 formed in the divided portion is provided.
The inner susceptors 23 and 33 are supported by the outer susceptors 22 and 32 by superimposing 25, 34 and 35. The susceptors 21 and 31 are mounted on the upper surface of the heater unit (not shown) by the feet 29 and 39 projecting from the lower surfaces of the outer peripheral side susceptors 22 and 32.
【００２０】図３のサセプタ２１と図４のサセプタ３１
の違いは、図３のサセプタ２１の場合、凹状の載置面２
１Ａの最大深さＨ１を深くしているが、図４のサセプタ
３１の場合、凹状の載置面３１Ａの最大深さＨ２を浅く
し、温度が高くなるウェーハ中央部のサセプタ部分（内
周側サセプタ３３）の厚さを小さくしていることであ
る。The susceptor 21 shown in FIG. 3 and the susceptor 31 shown in FIG.
The difference is that the susceptor 21 shown in FIG.
Although the maximum depth H1 of 1A is increased, in the case of the susceptor 31 of FIG. 4, the maximum depth H2 of the concave mounting surface 31A is reduced, and the susceptor portion at the center of the wafer (the inner peripheral side) where the temperature is increased. That is, the thickness of the susceptor 33) is reduced.
【００２１】図４のサセプタ３１の場合は、内周側サセ
プタ３３の上面３３ＡとウェーハＷ間の距離が接近する
ため、図３のサセプタ２１に比べて、内周側サセプタ３
３からウェーハＷへ伝わる熱量が多くなるが、反面、内
周側サセプタ３３の厚さの減少により、内周側サセプタ
３３をヒータユニットの上面から遠ざけることができる
（間隔Ｈ３があく）ので、ヒータユニットから内周側サ
セプタ３３への伝熱量を減らすことができ、結果的に、
図３のものと同様の伝熱特性を発揮できる。In the case of the susceptor 31 shown in FIG. 4, since the distance between the upper surface 33A of the inner peripheral susceptor 33 and the wafer W is short, the inner peripheral susceptor 3 is smaller than the susceptor 21 shown in FIG.
Although the amount of heat transmitted from the wafer 3 to the wafer W increases, the thickness of the inner peripheral susceptor 33 can be reduced to move the inner peripheral susceptor 33 away from the upper surface of the heater unit (the interval H3 is increased). The amount of heat transfer from the unit to the inner peripheral side susceptor 33 can be reduced, and as a result,
Heat transfer characteristics similar to those of FIG. 3 can be exhibited.
【００２２】以上の各実施形態のように、サセプタ１
１、２１、３１を径方向に分割した上で、ウェーハ載置
面１１Ａ、２１Ａ、３１Ａを凹状（凹球面状、あるい
は、平坦な底面とテーパ面との組み合わせによる凹状）
に形成したことにより、ウェーハＷの温度分布を許容範
囲内に収めることができる。As in each of the above embodiments, the susceptor 1
The wafer mounting surfaces 11A, 21A, 31A are concave (a concave spherical surface or a concave surface formed by a combination of a flat bottom surface and a tapered surface) after dividing 1, 21, 31 in the radial direction.
Thus, the temperature distribution of the wafer W can be kept within an allowable range.
【００２３】図５は、本発明品と従来品の各サセプタを
用いて加熱した場合のウェーハ温度分布の違いを示して
いる。図中の特性線Ａは、ウェーハの温度をある直径方
向に沿って測定したデータ、特性線Ｂは、Ａの場合とほ
ぼ直交する直径方向に沿って測定したデータを示してい
る。この実験結果から分かるように、従来品ではウェー
ハ温度の最大最小間の差がΔ１０．９℃（±５℃以上）
あったが、本発明品ではウェーハ温度の最大最小間の差
がΔ３．０℃（±２℃以内）に収まった。つまり、本発
明によれば、ウェーハ温度分布を、従来の±５℃程度か
ら±２℃以内にすることができる。従って、その結果、
品質や歩留まりの向上が図れるようになる。FIG. 5 shows a difference in wafer temperature distribution when heating is performed using the susceptors of the present invention and the conventional product. A characteristic line A in the figure shows data obtained by measuring the temperature of the wafer along a certain diameter direction, and a characteristic line B shows data obtained by measuring the temperature of the wafer along a diameter direction substantially orthogonal to the case of A. As can be seen from the experimental results, the difference between the maximum and the minimum of the wafer temperature in the conventional product is Δ10.9 ° C. (± 5 ° C. or more)
However, in the product of the present invention, the difference between the maximum and the minimum of the wafer temperature was within Δ3.0 ° C. (within ± 2 ° C.). That is, according to the present invention, the wafer temperature distribution can be made within ± 2 ° C. from the conventional ± 5 ° C. or so. Therefore, as a result,
Quality and yield can be improved.
【００２４】なお、その他の点について触れると、サセ
プタ１１、２１、３１の分割部分に段部１４、１５、２
４、２５、３４、３５を設けて重合しているが、これ
は、サセプタ１１、２１、３１全体を足１９、２９、３
９によりヒータユニット２の上面から浮かせているの
で、浮いた状態に内周側サセプタ１３、２３、３３を支
持するために採用した構成である。また、例えば、これ
ら段部１４、１５、２４、２５、３４、３５を設けずに
垂直面で分割した場合、分割面間に隙間ができてしま
い、面内均熱化に大きな影響を及ぼすと考えられる。そ
のため、段部１４、１５、２４、２５、３４、３５を設
けて重合させることにより、その隙間を無くしているの
である。It should be noted that the other points will be described. Steps 14, 15, 2
4, 25, 34 and 35 are provided and polymerized, and the susceptors 11, 21, and 31 are entirely covered with the feet 19, 29, 3
9 is used to support the inner susceptors 13, 23, 33 in a floating state since the heater unit 2 is lifted from the upper surface of the heater unit 2. In addition, for example, when dividing on a vertical surface without providing these steps 14, 15, 24, 25, 34, 35, a gap is formed between the divided surfaces, which greatly affects in-plane soaking. Conceivable. Therefore, the gaps are eliminated by providing the steps 14, 15, 24, 25, 34, and 35 and superimposing them.
【００２５】また、サセプタ１１、２１、３１を支持す
るための足１９、２９、３９は、サセプタ１１、２１、
３１の加工精度、ヒータユニット２の加工精度、熱板
８、９の膨張の影響等を少なくする効果がある。例え
ば、足がない場合（サセプタの裏面全面がヒータユニッ
トの上面に接触する場合）、熱板８、９が膨張して歪ん
だとき、サセプタに接する個所と接しない個所ができて
しまい、均一加熱ができなくなるおそれがある。そこ
で、それを防ぐために、足１９、２９、３９を設けてい
るのである。The feet 19, 29, 39 for supporting the susceptors 11, 21, 31 are
There is an effect of reducing the processing accuracy of the heater unit 2, the processing accuracy of the heater unit 2, the influence of the expansion of the hot plates 8, 9, and the like. For example, when there is no foot (when the entire back surface of the susceptor comes into contact with the upper surface of the heater unit), when the hot plates 8 and 9 are expanded and distorted, there are portions that are in contact with the susceptor and portions that are not. May not be possible. Therefore, feet 19, 29, and 39 are provided to prevent this.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ヒータのインナゾーンとアウトゾーンの熱干渉による相
互の影響を軽減することができる。即ち、従来ではヒー
タユニットのアウトゾーンの熱が、サセプタを介してウ
ェーハの中心側に伝わるため、ウェーハＷの中心部の温
度が周辺部より高くなっていたが、本発明のサセプタに
よれば、ウェーハ上の温度分布を±２℃以内にすること
ができ、品質や歩留まりの向上が図れる。また、サセプ
タの載置面を凹状に形成し、サセプタを半径方向に分割
するだけの構成を付加するだけでよいため、ヒータユニ
ットの微妙な温度制御や発熱ゾーンを細かく設ける等の
必要がなくなり、装置構成の簡素化や原価低減が可能と
なる。As described above, according to the present invention,
The mutual influence of thermal interference between the inner zone and the outer zone of the heater can be reduced. That is, conventionally, since the heat in the out zone of the heater unit is transmitted to the center side of the wafer via the susceptor, the temperature of the central portion of the wafer W is higher than the peripheral portion, but according to the susceptor of the present invention, The temperature distribution on the wafer can be kept within ± 2 ° C., and the quality and yield can be improved. In addition, since the mounting surface of the susceptor is formed in a concave shape and only a configuration that divides the susceptor in the radial direction may be added, there is no need to finely control the temperature of the heater unit or finely provide the heating zone. The apparatus configuration can be simplified and the cost can be reduced.
【図１】本発明の第１実施形態による半導体製造装置の
サセプタとその周辺の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a susceptor of a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention and a configuration around the susceptor;
【図２】本発明の第１実施形態による半導体製造装置の
サセプタの作用を調べるために実施した温度解析結果を
示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram illustrating a result of a temperature analysis performed to investigate an operation of a susceptor of the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２実施形態による半導体製造装置の
サセプタの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a susceptor of a semiconductor manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第３実施形態による半導体製造装置の
サセプタの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a susceptor of a semiconductor manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明品と従来品のウェーハ温度分布の違いを
示す特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing a difference in wafer temperature distribution between a product of the present invention and a conventional product.
【図６】従来の半導体製造装置のサセプタとその周辺の
構成を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration of a susceptor of a conventional semiconductor manufacturing apparatus and its surroundings.
２ ヒータユニット １１，２１，３１ サセプタ １１Ａ，２１Ａ，３１Ａ 載置面 １２，２２，３２ 外周側サセプタ（外周側部分） １３，２２，３３ 内周側サセプタ（内周側部分） Ｗ ウェーハ 2 Heater unit 11, 21, 31 Susceptor 11A, 21A, 31A Mounting surface 12, 22, 32 Outer side susceptor (outer side) 13, 22, 33 Inner side susceptor (inner side) W Wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田辺 光朗 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 高寺 浩之 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 笠次 克尚 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 CA12 GA02 5F031 CA02 DA13 HA37 MA28 5F045 BB08 EK07 EK22 EM02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Mitsuo Tanabe 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Inside Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hiroyuki Kodera 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Inside (72) Inventor Katsuhisa Kasagi 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo International Electric Co., Ltd.F-term (reference) 4K030 CA12 GA02 5F031 CA02 DA13 HA37 MA28 5F045 BB08 EK07 EK22 EM02
Claims (3)
ットと、該ヒータユニットの上面にウェーハの載置面が
形成されたサセプタとを有した半導体製造装置におい
て、 前記載置面を、周辺から中央に行くほど深さが増す凹状
に形成すると共に、ウェーハよりも小さい径の位置で、
内周側部分と外周側部分とに同心状に分割したことを特
徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus having a heater unit for heating a wafer in a reaction chamber, and a susceptor having a wafer mounting surface formed on an upper surface of the heater unit, wherein the mounting surface is arranged from the periphery to the center. As it goes into a concave shape that increases in depth as it goes, at a position with a smaller diameter than the wafer,
A semiconductor manufacturing apparatus wherein an inner peripheral side portion and an outer peripheral side portion are concentrically divided.
特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said mounting surface is constituted by a concave spherical surface.
その外周側に連続するテーパ面とで凹状に構成したこと
を特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。3. The placing surface according to claim 1, wherein the placing surface is a flat bottom surface at a central portion,
2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said semiconductor manufacturing apparatus is formed in a concave shape with a tapered surface continuing on an outer peripheral side thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30480499A JP2001127142A (en) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | Semiconductor manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30480499A JP2001127142A (en) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | Semiconductor manufacturing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127142A true JP2001127142A (en) | 2001-05-11 |
Family
ID=17937454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30480499A Pending JP2001127142A (en) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | Semiconductor manufacturing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001127142A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740367B2 (en) | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD film-forming device |
| US6761771B2 (en) * | 2000-10-19 | 2004-07-13 | Asm Japan K.K. | Semiconductor substrate-supporting apparatus |
| WO2005111266A1 (en) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Sumco Corporation | Susceptor for vapor deposition apparatus |
| JP2007501329A (en) * | 2003-05-22 | 2007-01-25 | アイクストロン、アーゲー | CVD coating equipment |
| US7459098B2 (en) | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| JP2012015285A (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Tokyo Electron Ltd | Substrate mounting stage, substrate treatment device, and substrate treatment system |
| KR101436059B1 (en) | 2013-08-30 | 2014-09-01 | 주식회사 엘지실트론 | Apparatus and method for manufacturing semiconductor |
| KR20220087728A (en) * | 2020-12-18 | 2022-06-27 | 피에스케이 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate and chuck |
-
1999
- 1999-10-27 JP JP30480499A patent/JP2001127142A/en active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740367B2 (en) | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD film-forming device |
| US6761771B2 (en) * | 2000-10-19 | 2004-07-13 | Asm Japan K.K. | Semiconductor substrate-supporting apparatus |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7459098B2 (en) | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| JP2007501329A (en) * | 2003-05-22 | 2007-01-25 | アイクストロン、アーゲー | CVD coating equipment |
| KR100889437B1 (en) * | 2004-05-18 | 2009-03-24 | 가부시키가이샤 섬코 | Susceptor for vapor deposition apparatus |
| JPWO2005111266A1 (en) * | 2004-05-18 | 2008-03-27 | 株式会社Sumco | Susceptor for vapor phase growth equipment |
| WO2005111266A1 (en) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Sumco Corporation | Susceptor for vapor deposition apparatus |
| JP2012015285A (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Tokyo Electron Ltd | Substrate mounting stage, substrate treatment device, and substrate treatment system |
| KR101436059B1 (en) | 2013-08-30 | 2014-09-01 | 주식회사 엘지실트론 | Apparatus and method for manufacturing semiconductor |
| KR20220087728A (en) * | 2020-12-18 | 2022-06-27 | 피에스케이 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate and chuck |
| KR102437146B1 (en) * | 2020-12-18 | 2022-08-29 | 피에스케이 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate and chuck |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6188044B1 (en) | High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications | |
| US20040187790A1 (en) | Substrate holder | |
| JP2009087989A (en) | Method of forming epitaxial growth film | |
| JP2012033574A (en) | Susceptor and semiconductor manufacturing apparatus | |
| KR101516164B1 (en) | Susceptor for epitaxial growth | |
| TW201624605A (en) | Wafer tray | |
| KR102370949B1 (en) | Method for depositing an epitaxial layer on the front surface of a semiconductor wafer and apparatus for performing the method | |
| JP2001127142A (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| JP2000058471A (en) | Light irradiation system heating equipment | |
| TW201535476A (en) | Epitaxial growth apparatus | |
| JP2004327761A (en) | Susceptor for epitaxial growth | |
| JP3004846B2 (en) | Susceptor for vapor phase growth equipment | |
| JP2002146540A (en) | Substrate heater | |
| JPS61215289A (en) | Vapor-phase growth apparatus | |
| CN107660238A (en) | Processing chamber housing with reflector | |
| JP2019204912A (en) | Evaluation method | |
| JP2005340488A (en) | Device for manufacturing electronic device | |
| JP6702485B1 (en) | Wafer peripheral strain evaluation method | |
| TWI751564B (en) | Method for depositing an epitaxial layer on a front side of a wafer and device for carrying out the method | |
| JP2000164588A (en) | Substrate-heating method and device | |
| JP2901546B2 (en) | Semiconductor device manufacturing equipment | |
| JPS5932123A (en) | Vapor growth method | |
| JPS6242416A (en) | Susceptor for heating semiconductor substrate | |
| JP3868933B2 (en) | Atmospheric pressure CVD equipment | |
| KR20200029936A (en) | Substrate Support Member and Substrate Processing Apparatus Including The Same |