JP2001127006A - Electrode for semiconductor and manufacturing method thereof - Google Patents
Electrode for semiconductor and manufacturing method thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なドーパント
を有する半導体用電極、及びその製造方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor electrode having a novel dopant and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体に接触する電極には、半導体との
接触抵抗が低く、低価格で、かつ大量生産に適した導電
ペーストを用いて、形成することが望ましい。しかし、
銀を含む導電ペーストを塗付、硬化させた場合、半導体
と導電体との間にバリアが生じて、接触抵抗が高くな
り、その結果として、良好なオーム接触が得られなかっ
た。2. Description of the Related Art It is desirable to form an electrode in contact with a semiconductor using a conductive paste which has low contact resistance with the semiconductor, is inexpensive, and is suitable for mass production. But,
When a conductive paste containing silver was applied and cured, a barrier was formed between the semiconductor and the conductor, and the contact resistance was increased. As a result, good ohmic contact was not obtained.
【０００３】特開昭５９−１６７０５６号公報には、炭
素、フェノール樹脂、銀を含む導電ペーストから形成す
る第一層と、金属のみを含む第二層との積層体であるシ
リコン半導体電極が記載されているが、それを光起電力
素子に用いた変換効率は２％程度である。JP-A-59-167056 discloses a silicon semiconductor electrode which is a laminate of a first layer formed from a conductive paste containing carbon, phenol resin and silver, and a second layer containing only metal. However, the conversion efficiency using the photovoltaic element is about 2%.
【０００４】特開昭５６−３３８７０号公報には、半導
体のアクセプタとして作用する不純物、特に銅を含む炭
素電極を用いる光起電力素子が記載されているが、その
変換効率は１．５〜９．５％と低い。JP-A-56-33870 describes a photovoltaic element using a carbon electrode containing impurities, particularly copper, which acts as an acceptor for a semiconductor, but has a conversion efficiency of 1.5 to 9%. It is as low as 0.5%.
【０００５】炭素電極は、その形成工程において、酸化
物の前駆物質である銅化合物などの熱分解温度である３
５０℃程度に加熱されるため、炭素電極を形成するため
のカーボンペースト中の結着剤樹脂が、加熱によって消
失し、そのために電極自体のまとまりが失われて、電極
が崩れやすくなることがある。樹脂結着剤の代わりにガ
ラスフリットを用いることもできるが、３５０℃程度の
加熱ではガラスフリットが溶解しないため、時間が経過
するにつれて付着性が低下し、ハンドリングの際に剥落
することがある。[0005] In the process of forming the carbon electrode, the temperature at which the carbon compound is thermally decomposed, such as a copper compound which is a precursor of an oxide, is 3
Since it is heated to about 50 ° C., the binder resin in the carbon paste for forming the carbon electrode disappears by heating, and thus the unit of the electrode itself is lost and the electrode may be easily broken. . A glass frit can be used instead of the resin binder, but heating at about 350 ° C. does not dissolve the glass frit, so that the adhesiveness decreases with time and may peel off during handling.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体層への付着性及びオーミックコンタクト度を向上させ
ることにより、接触抵抗を低下させる半導体用電極及び
その製造方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor electrode which reduces contact resistance by improving adhesion to a semiconductor layer and ohmic contact, and a method of manufacturing the same.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体用電極
は、炭素質物；シアノエステル樹脂、ポリサルホン、フ
ェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、アミノ樹脂及びポ
リイミドからなる群より選択される樹脂；銅、銀、チタ
ン、セレン、鉄、コバルト、亜鉛、ニッケル、ニオブ及
びそれらの酸化物からなる群より選択される少なくとも
１種のドーパントＡ；並びに鉛、スズ及びそれらの酸化
物からなる群より選択される少なくとも１種のドーパン
トＢを含むことを特徴とする。According to the present invention, there is provided a semiconductor electrode comprising a carbonaceous material; a resin selected from the group consisting of cyanoester resin, polysulfone, phenolic resin, bismaleimide resin, amino resin and polyimide; copper, silver, At least one dopant A selected from the group consisting of titanium, selenium, iron, cobalt, zinc, nickel, niobium and oxides thereof; and at least one dopant A selected from the group consisting of lead, tin and oxides thereof It is characterized by containing a kind of dopant B.
【０００８】本発明の電極の製造方法は、炭素質物、樹
脂、銅又は銀の有機酸塩、アルコキシド又はキレート化
合物、及び鉛の有機酸塩、アルコキシド又はキレート化
合物を含むカーボンペーストの層を形成し、焼成するこ
とを特徴とする。このような方法を取ることによって、
均一に分散した微粒子の状態で、ドーパントである上記
元素又はそれらの酸化物を炭素電極に存在させ、オーミ
ックコンタクトを向上させる。According to the method of manufacturing an electrode of the present invention, a carbon paste layer containing a carbonaceous material, a resin, an organic acid salt of copper or silver, an alkoxide or a chelate compound, and an organic acid salt of lead, an alkoxide or a chelate compound is formed. And firing. By taking this approach,
In the state of uniformly dispersed fine particles, the above-mentioned element or an oxide thereof as a dopant is present in the carbon electrode to improve ohmic contact.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】更に、酸化インジウムからなる群
より選択される少なくとも１種の添加物を含むことが好
ましい。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention preferably further contains at least one additive selected from the group consisting of indium oxide.
【００１０】前記の樹脂が、シアノエステル樹脂、ポリ
サルホン及びノボラック型フェノール樹脂であることが
好ましい。Preferably, the resin is a cyanoester resin, polysulfone, or a novolak-type phenol resin.
【００１１】ドーパントとして、炭素質物１００重量部
当たり、前記の銅、銀、チタン、セレン、鉄、コバル
ト、亜鉛、ニッケル、ニオブ又はそれらの酸化物を、
０．０１〜０．５重量部、前記の鉛、又はスズ酸化物
を、０．０５〜０．７重量部、前記の酸化インジウム
を、０．５〜１．５重量部含むことが好ましい。As a dopant, the above-mentioned copper, silver, titanium, selenium, iron, cobalt, zinc, nickel, niobium or an oxide thereof is used per 100 parts by weight of the carbonaceous material.
It is preferable to contain 0.01 to 0.5 parts by weight, 0.05 to 0.7 parts by weight of the lead or tin oxide, and 0.5 to 1.5 parts by weight of the indium oxide.
【００１２】ドーパントとして、炭素質物１００重量部
当たり、前記の銀又はその酸化物を、０．０１〜０．５
重量部、前記の鉛又はその酸化物を、０．０５〜０．７
重量部、前記の酸化インジウムを、０．５〜１．５重量
部含むことが好ましい。As the dopant, the silver or its oxide is used in an amount of 0.01 to 0.5 per 100 parts by weight of the carbonaceous material.
Parts by weight, the above lead or its oxide, 0.05 to 0.7
It is preferable to contain 0.5 to 1.5 parts by weight of the indium oxide described above.
【００１３】上記の金属酸化物の前駆物質の例は、それ
ぞれの金属のヘキサン酸塩、オクタン酸塩、２−エチル
ヘキサン酸塩、デカン酸塩、ドデカン酸塩、ナフテン酸
塩、樹脂酸塩、安息香酸塩のような有機酸類；エトキシ
ド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド、イ
ソブトキシド、ペンチルオキシド、ヘキシルオキシド、
２−ブトキシエトキシドのようなアルコキシド類；及び
メチルアセトアセタート、エチルアセトアセタート、ア
セチルアセトアセナートのようなキレート化合物であ
る。Examples of precursors of the above metal oxides are the hexanoate, octanoate, 2-ethylhexanoate, decanoate, dodecanoate, naphthenate, resinate of each metal. Organic acids such as benzoates; ethoxide, propoxide, isopropoxide, butoxide, isobutoxide, pentyl oxide, hexyl oxide,
Alkoxides such as 2-butoxyethoxide; and chelating compounds such as methylacetoacetate, ethylacetoacetate, and acetylacetoacenate.
【００１４】本発明の電極は、ホトダイオード、太陽電
池及びホトトランジスタのような受光素子；発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）ランプ、ＬＥＤディスプレイ及び表示用
ＬＥＤのようなＬＥＤ；並びに半導体レーザ、ホトイン
タラプタ、ホトカプラなどに用いることができる。The electrodes of the present invention can be used as light-receiving elements such as photodiodes, solar cells and phototransistors; LEDs such as light-emitting diode (LED) lamps, LED displays and display LEDs; and semiconductor lasers, photointerrupters, photocouplers and the like. Can be used.
【００１５】炭素質物の例は、アセチレンブラック、フ
ァーネスブラックのようなカーボンブラック及び黒鉛粉
末である。特に、カーボンブラック及び黒鉛粉末が好ま
しい。Examples of carbonaceous materials are carbon black, such as acetylene black, furnace black, and graphite powder. Particularly, carbon black and graphite powder are preferable.
【００１６】本発明に用いられる樹脂として、例えば、
シアノエステル樹脂、ポリサルホン、ノボラック型のよ
うなフェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、アミノ樹
脂、ポリイミドが例示され、シアノエステル樹脂、ポリ
サルホン又はノボラック型フェノール樹脂を１種以上用
いることが好ましい。作業性を調製するため、アクリル
樹脂、ポリビニルブチラール（以下、ＰＶＢ）又はエチ
ルセルロースを１種以上併用してもよい。また、本発明
のペーストに含まれる樹脂分は、４００℃で熱処理した
場合の総残存量が、１０〜３０重量％であることが好ま
しい。As the resin used in the present invention, for example,
Examples thereof include a cyanoester resin, polysulfone, a phenol resin such as a novolak type resin, a bismaleimide resin, an amino resin, and a polyimide, and it is preferable to use at least one cyanoester resin, polysulfone, or a novolak type phenol resin. In order to adjust workability, one or more of acrylic resin, polyvinyl butyral (hereinafter, PVB) or ethyl cellulose may be used in combination. Further, it is preferable that the resin component contained in the paste of the present invention has a total residual amount of 10 to 30% by weight when heat-treated at 400 ° C.
【００１７】本発明の銅、銀、チタン、セレン、鉄、コ
バルト、亜鉛、ニッケル、ニオブ又はそれらの酸化物
は、銅、銀、チタン、セレン、鉄、コバルト、亜鉛、ニ
ッケル、ニオブのカルボン酸塩のような有機酸塩、アル
コキシド、キレート化合物などから出発し、カーボンの
ペーストに配分し、本発明の製造工程を通じて、３００
〜４００℃で熱処理分解させて製造するか、又は単に予
め製造した銅、銀、チタン、セレン、鉄、コバルト、亜
鉛、ニッケル、ニオブ又はそれらの酸化物を添加するこ
とにより、組成物に添加する。銅又はその酸化物は、ド
ーパントとして働き、半導体層に拡散して、炭素質物１
００重量部当たり、０．０１〜０．５重量部、好ましく
は０．０３〜０．２重量部存在している。粒径は、１０
〜２，０００ｎｍが好ましい。銀、チタン、セレン、
鉄、コバルト、亜鉛、ニッケル、ニオブ又はそれらの酸
化物は、同様に、ドーパントとして働き、半導体層に拡
散して、炭素質物１００重量部当たり、０．０１〜０．
５重量部、好ましくは０．０２〜０．１重量部存在して
いる。粒径は、１０〜２，０００nmが好ましい。The copper, silver, titanium, selenium, iron, cobalt, zinc, nickel, niobium or oxides thereof according to the present invention is a carboxylic acid of copper, silver, titanium, selenium, iron, cobalt, zinc, nickel or niobium. Starting from an organic acid salt such as a salt, an alkoxide, a chelate compound, etc., and distributing to a carbon paste, 300
Manufactured by thermal decomposition at ~ 400 ° C or simply added to the composition by adding pre-manufactured copper, silver, titanium, selenium, iron, cobalt, zinc, nickel, niobium or oxides thereof . Copper or its oxide acts as a dopant and diffuses into the semiconductor layer to form a carbonaceous material 1.
It is present in an amount of 0.01 to 0.5 parts by weight, preferably 0.03 to 0.2 parts by weight, per 100 parts by weight. Particle size is 10
~ 2,000 nm is preferred. Silver, titanium, selenium,
Iron, cobalt, zinc, nickel, niobium or oxides thereof similarly function as dopants, diffuse into the semiconductor layer, and form 0.01 to 0.
5 parts by weight, preferably 0.02 to 0.1 parts by weight. The particle size is preferably from 10 to 2,000 nm.
【００１８】該銅酸化物は、ゾル・ゲル法、又は例えば
カルボン酸塩、アルコキシド、キレート化合物などの形
態でペーストに混合し、焼成して、酸化物を形成させ、
粒径１０〜５０nm、好ましくは約３０nmの微粉末を得
て、用いてもよい。The copper oxide is mixed with a paste in the form of a sol-gel method or, for example, a carboxylate, an alkoxide, a chelate compound or the like, and calcined to form an oxide.
A fine powder having a particle size of 10 to 50 nm, preferably about 30 nm may be obtained and used.
【００１９】本発明の鉛若しくはスズ又はそれらの酸化
物は、同様に、鉛又はスズのカルボン酸塩のような有機
酸塩、アルコキシド、キレート化合物などから出発し
て、本発明の製造工程を通じて、３００〜４００℃で熱
処理分解させて製造するか、又は単に予め製造した鉛酸
化物若しくはスズ酸化物を添加することにより、組成物
に添加する。鉛若しくはスズ又はそれらの酸化物は、ド
ーパントとして働き、半導体層に拡散して、炭素質物１
００重量部当たり、０．０５〜０．７重量部、好ましく
は０．１〜０．５重量部存在している。粒径は、１０〜
２，０００nmが好ましい。The lead or tin or oxides thereof of the present invention can also be obtained by starting from an organic acid salt such as a carboxylate of lead or tin, an alkoxide, a chelate compound or the like, and proceeding through the production process of the present invention. It is added to the composition either by heat treatment and decomposition at 300-400 ° C., or simply by adding pre-made lead oxide or tin oxide. Lead or tin or an oxide thereof functions as a dopant and diffuses into the semiconductor layer to form a carbonaceous material 1.
It is present in an amount of 0.05 to 0.7 parts by weight, preferably 0.1 to 0.5 parts by weight, per 100 parts by weight. Particle size is 10 ~
2,000 nm is preferred.
【００２０】該鉛酸化物は、例えばカルボン酸塩、アル
コキシド、キレート化合物などの形態でペーストに混合
し、焼成して、酸化物を形成させ、粒径１０〜５０nm、
好ましくは約３０nmの微粉末を得て、用いてもよい。The lead oxide is mixed with the paste in the form of, for example, a carboxylate, an alkoxide, a chelate compound or the like, and calcined to form an oxide.
A fine powder of preferably about 30 nm may be obtained and used.
【００２１】また、本発明の変法では、銅又はその酸化
物に代えて、銀、チタン、セレン、鉄、コバルト、亜
鉛、ニッケル若しくはニオブ又はそれらの酸化物を用い
てもよい。In the modification of the present invention, silver, titanium, selenium, iron, cobalt, zinc, nickel or niobium or their oxides may be used instead of copper or its oxides.
【００２２】本発明の他の変法では、鉛又はその酸化物
に代えて、スズ又はその酸化物を用いてもよい。In another variant of the invention, tin or its oxide may be used instead of lead or its oxide.
【００２３】本発明のインジウム酸化物（Ｉｎ2Ｏ3)
は、粒径１０〜２００nm、好ましくは１５〜４０nmであ
る。添加量は、炭素質物１００重量部当たり、０．５〜
１．５重量部、好ましくは約０．８〜１．３重量部であ
る。そして、半導体層に拡散して存在している。インジ
ウム酸化物は、ドーパントとして、そして電極の耐光安
定化剤としても働く。The indium oxide (In 2 O 3 ) of the present invention
Has a particle size of 10 to 200 nm, preferably 15 to 40 nm. The addition amount is 0.5 to 100 parts by weight of the carbonaceous material.
It is 1.5 parts by weight, preferably about 0.8 to 1.3 parts by weight. And it exists diffused in the semiconductor layer. Indium oxide acts as a dopant and also as a light stabilizer for the electrodes.
【００２４】本発明の組成物は、また、オーミック導電
粒子、例えばニッケル、鉄、コバルト、銀−インジウム
を含んでいてもよい。The composition of the present invention may also contain ohmic conductive particles, for example, nickel, iron, cobalt, silver-indium.
【００２５】溶媒の例は、エチレングリコールアルキル
エーテルやその酢酸エステルのようなセロソルブ系；ア
ルキレン部分が置換されていてもよいジエチレングリコ
ールモノアルキルエーテルやその酢酸エステルのような
カルビトール系、そのエチレン部分を他のアルキレンで
置換された、例えばジプロピレングリコールモノアルキ
ルエーテル；テルピネオールのようなテルペンアルコー
ル；酢酸ベンジルのようなエステル；及びコハク酸ジメ
チルのような二塩基性酸である。ここで、アルキルとし
ては、メチル、エチル、プロピル、ブチルであり、好ま
しくはブチルである。Examples of the solvent include a cellosolve type such as ethylene glycol alkyl ether and its acetate; a carbitol type such as diethylene glycol monoalkyl ether and its acetate whose alkylene part may be substituted; For example, dipropylene glycol monoalkyl ethers substituted with other alkylenes; terpene alcohols such as terpineol; esters such as benzyl acetate; and dibasic acids such as dimethyl succinate. Here, the alkyl is methyl, ethyl, propyl, butyl, and preferably butyl.
【００２６】本発明の成分の混合方法は、三本ロール、
ライカイ機、ポットミル、ニーダーなどのような慣用の
混合方法を用いることができる。The method of mixing the components of the present invention comprises three rolls,
Conventional mixing methods such as a raikai machine, pot mill, kneader and the like can be used.
【００２７】本発明の炭素電極は、スクリーン印刷法、
ホトリソグラフィー、オフセット印刷、塗付法、スプレ
ー法のような吹付け法などのような慣用の形成方法を用
いることができる。The carbon electrode of the present invention can be obtained by a screen printing method,
Conventional forming methods such as photolithography, offset printing, a coating method, and a spraying method such as a spray method can be used.
【００２８】[0028]
【実施例】下記の実施例により、本発明をより詳細に説
明するが、これらは本発明を限定するものではない。The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, which do not limit the present invention.
【００２９】カーボンペーストの調製方法 カーボンペーストは、例１〜４の組成比になるように原
料を配合し、予め簡易混合した後、三本ロールを用い
て、均一になるまで混合した。１４号スピンドルを用い
たＨＢＴ型粘度計で測定して、見掛け粘度６０〜１００
Pa・sになるよう調製した。ドーパントは、前駆物質、例
えば樹脂酸塩を添加し、その量は金属元素に換算して示
した。表中、炭素質物の総計１００重量部当たりの組成
を重量部で示した。Preparation Method of Carbon Paste The carbon paste was prepared by blending the raw materials so as to have the composition ratios of Examples 1 to 4, mixing them easily in advance, and then mixing them using a three roll until uniform. An apparent viscosity of 60 to 100 was measured by an HBT type viscometer using a No. 14 spindle.
It was adjusted to Pa · s. As the dopant, a precursor, for example, a resinate is added, and the amount is shown in terms of a metal element. In the table, the composition per 100 parts by weight of the total of carbonaceous materials is shown in parts by weight.
【００３０】炭素電極の調製方法 カーボンペーストをスクリーン印刷し、窒素雰囲気中に
３００〜５００℃で３０分間焼成して、炭素電極を形成
して、付着性、直接抵抗、接触抵抗、変換効率について
測定した。焼成する前に予備乾燥、例えば風乾してもよ
い。樹脂の４００℃熱処理残分は、用いた樹脂の残分総
量である。Method for Preparing Carbon Electrode A carbon paste is screen-printed, baked in a nitrogen atmosphere at 300 to 500 ° C. for 30 minutes to form a carbon electrode, and measured for adhesion, direct resistance, contact resistance, and conversion efficiency. did. Before baking, preliminary drying, for example, air drying, may be performed. Residual heat treatment of the resin at 400 ° C. is the total amount of the resin used.
【００３１】付着性は、テープ剥離試験により測定し
た。炭素電極表面に、セロハンテープを貼付け、充分に
擦り付けて密着させた後、セロハンテープを一気に剥が
した。付着性を、剥離度合いに応じて、下記表のように
評価した。The adhesion was measured by a tape peel test. A cellophane tape was adhered to the surface of the carbon electrode, sufficiently rubbed and adhered, and then the cellophane tape was peeled off at a stretch. The adhesion was evaluated according to the degree of peeling as shown in the following table.
【００３２】[0032]
【表１】 [Table 1]
【００３３】直接抵抗（Ｒｓ）は、炭素電極の抵抗値を
測定した。接触抵抗は、シリコンウェハー上に炭素電極
を形成させて測定した。変換効率は、一部の実施例及び
比較例において、図１に示すような太陽電池を特開昭５
６−３３８７０号公報に記載の光起電力素子と同様にし
て作成し、測定した。尚、表中、「−」とあるのは、
「無添加」又は「未測定」を示す。As the direct resistance (Rs), the resistance value of the carbon electrode was measured. The contact resistance was measured by forming a carbon electrode on a silicon wafer. The conversion efficiency was determined in some examples and comparative examples by using a solar cell as shown in FIG.
It was prepared and measured in the same manner as the photovoltaic device described in JP-A-6-33870. In the table, "-" means
Indicates "no addition" or "not measured".
【００３４】例１ 各成分の比率を変化させた結果を表２に示す。このう
ち、実験番号４及び５は、比較例である。Example 1 Table 2 shows the results obtained by changing the ratio of each component. Among them, Experiment Nos. 4 and 5 are comparative examples.
【００３５】[0035]
【表２】 [Table 2]
【００３６】例２ ＰＶＢ、シアノエステル樹脂及びインジウム酸化物の代
わりに、ポリスルホン、ブチルカルビトール及び酢酸ベ
ンジルを用い、ビスマレイミド樹脂及びブチルカルビト
ールを用いた結果を、表３に示す。実験番号１２及び１
３は比較例である。Example 2 The results obtained using polysulfone, butyl carbitol and benzyl acetate instead of PVB, cyanoester resin and indium oxide, and using bismaleimide resin and butyl carbitol are shown in Table 3. Experiment Nos. 12 and 1
3 is a comparative example.
【００３７】[0037]
【表３】 [Table 3]
【００３８】例３ シアノエステル樹脂及びインジウム酸化物の代わりに、
ビスマレイミド樹脂及びＰＶＢを用いた結果を、表４に
示す。実験番号２２は比較例である。Example 3 Instead of a cyanoester resin and indium oxide,
Table 4 shows the results obtained using the bismaleimide resin and PVB. Experiment No. 22 is a comparative example.
【００３９】[0039]
【表４】 [Table 4]
【００４０】例４ シアノエステル樹脂及びインジウム酸化物の代わりに、
ノボラック型フェノール樹脂を用いた結果を、表５に示
す。実験番号３２は比較例である。Example 4 Instead of cyanoester resin and indium oxide,
Table 5 shows the results using the novolak type phenol resin. Experiment No. 32 is a comparative example.
【００４１】[0041]
【表５】 [Table 5]
【００４２】例５ 銅、鉛の代わりに各種金属を添加した結果を表６に示し
た。Example 5 The results of adding various metals instead of copper and lead are shown in Table 6.
【００４３】[0043]
【表６】 [Table 6]
【００４４】実験番号５１の銅を、コバルト、亜鉛、ニ
ッケル又はニオブに置き換えても同様の結果が得られ
た。Similar results were obtained when the copper of Experiment No. 51 was replaced with cobalt, zinc, nickel or niobium.
【００４５】上記の表のように、本発明の組成物は、付
着性に優れ、かつ接触抵抗が低いために、高い変換効率
を有している。As shown in the above table, the composition of the present invention has high conversion efficiency due to excellent adhesion and low contact resistance.
【００４６】[0046]
【発明の効果】半導体への付着性に優れ、接触抵抗が低
く、更に、耐熱性及び耐光性に優れた半導体用電極及び
その製造方法が得られる。According to the present invention, there can be obtained a semiconductor electrode having excellent adhesion to a semiconductor, low contact resistance, and excellent heat resistance and light resistance, and a method for producing the same.
【図１】太陽電池の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a solar cell.
【符号の説明】 １：ガラス基板 ２：ＣｄＳ焼結膜 ３：ＣｄＴｅ焼結膜 ４：炭素電極 ５：オーミック電極 ６：リード線 ７：入射光[Description of Signs] 1: Glass substrate 2: CdS sintered film 3: CdTe sintered film 4: Carbon electrode 5: Ohmic electrode 6: Lead wire 7: Incident light
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 淳一 新潟県新潟市濁川3993番地 ナミックス株 式会社内 (72)発明者 鈴木 憲一 新潟県新潟市濁川3993番地 ナミックス株 式会社内 Ｆターム(参考） 4M104 BB36 BB39 DD51 DD79 GG04 GG05 HH08 HH15 5F033 HH00 LL02 PP26 QQ73 WW04 XX09 XX13 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Junichi Kaneko 3993, Narukawa, Niigata City, Niigata Prefecture Inside Namics Corporation (72) Inventor Kenichi Suzuki 3993, Narukawa, Niigata City, Niigata Prefecture F Term (reference) 4M104 BB36 BB39 DD51 DD79 GG04 GG05 HH08 HH15 5F033 HH00 LL02 PP26 QQ73 WW04 XX09 XX13
Claims (6)
ルホン、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、アミノ
樹脂及びポリイミドからなる群より選択される樹脂；
銅、銀、チタン、セレン、鉄、コバルト、亜鉛、ニッケ
ル、ニオブ及びそれらの酸化物からなる群より選択され
る少なくとも１種のドーパントＡ；並びに鉛、スズ及び
それらの酸化物からなる群より選択される少なくとも１
種のドーパントＢを含むことを特徴とする半導体用電
極。1. A carbonaceous material; a resin selected from the group consisting of cyanoester resin, polysulfone, phenolic resin, bismaleimide resin, amino resin and polyimide;
At least one dopant A selected from the group consisting of copper, silver, titanium, selenium, iron, cobalt, zinc, nickel, niobium and oxides thereof; and selected from the group consisting of lead, tin and oxides thereof At least one
An electrode for a semiconductor, comprising a kind of dopant B.
択される少なくとも１種の添加物を含む、請求項１記載
の電極。2. The electrode according to claim 1, further comprising at least one additive selected from the group consisting of indium oxide.
リサルホン又はノボラック型フェノール樹脂である、請
求項１又は２記載の電極。3. The electrode according to claim 1, wherein the resin is a cyanoester resin, polysulfone, or a novolak-type phenol resin.
部当たり、少なくとも１種の前記のドーパントＡを、
０．０１〜０．５重量部、少なくとも１種の前記のドー
パントＢを、０．０５〜０．７重量部、前記の酸化イン
ジウムを、０．５〜１．５重量部含む、請求項１〜３の
いずれか１項記載の電極。4. As a dopant, at least one kind of said dopant A per 100 parts by weight of carbonaceous material,
2. The composition according to claim 1, comprising 0.01 to 0.5 parts by weight, 0.05 to 0.7 parts by weight of the at least one dopant B, and 0.5 to 1.5 parts by weight of the indium oxide. The electrode according to any one of claims 1 to 3.
部当たり、前記の銀又はその酸化物を、０．０１〜０．
５重量部、前記の鉛又はその酸化物を、０．０５〜０．
７重量部、前記の酸化インジウムを、０．５〜１．５重
量部含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の電極。5. The silver or the oxide thereof per 100 parts by weight of a carbonaceous material as a dopant is used in an amount of 0.01 to 0.1.
5 parts by weight of the above-mentioned lead or its oxide is used in an amount of 0.05 to 0.
The electrode according to any one of claims 1 to 4, wherein the electrode contains 7 parts by weight of the indium oxide and 0.5 to 1.5 parts by weight.
パントＡ及び少なくとも１種のドーパントＢの有機酸
塩、アルコキシド又はキレート化合物を含むカーボンペ
ーストの層を形成し、焼成することを特徴とする、請求
項１〜５のいずれか１項記載の電極の製造方法。6. A carbon paste layer containing a carbonaceous material, a resin, an organic acid salt, an alkoxide or a chelate compound of at least one kind of dopant A and at least one kind of dopant B, and firing. A method for manufacturing an electrode according to claim 1.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP30355999A JP2001127006A (en) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | Electrode for semiconductor and manufacturing method thereof |
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| JP (1) | JP2001127006A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103913A (en) * | 2005-09-08 | 2007-04-19 | Ricoh Co Ltd | Organic transistor active substrate, method of manufacturing the same, and electrophoretic display using the same |
-
1999
- 1999-10-26 JP JP30355999A patent/JP2001127006A/en active Pending
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