JP2001119281A - Selection circuit and logic circuit using it - Google Patents

Selection circuit and logic circuit using it

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JP2001119281A
JP2001119281A JP29749299A JP29749299A JP2001119281A JP 2001119281 A JP2001119281 A JP 2001119281A JP 29749299 A JP29749299 A JP 29749299A JP 29749299 A JP29749299 A JP 29749299A JP 2001119281 A JP2001119281 A JP 2001119281A
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gate
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a selection circuit, which increases the speed of signal transmission from a selection signal of the selection circuit to an output signal to increase the operation speed of a logic circuit using this selection circuit, and the logic circuit using it. SOLUTION: The selection signal of the selection circuit is not inputted to the gate electrode of an MOSET as befor but is inputted to the source electrode or the drain electrode.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、SOI(silicon
on insulator)形式のCMOS回路で構成した選択回路
と、これを用いた論理回路とに関する。
[0001] The present invention relates to SOI (silicon).
and a logic circuit using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のバルク形式のCMOS回路技術に
おいて、MOSFETのゲート電極と、ソースまたはド
レイン電極との負荷容量に有意な差はない。
2. Description of the Related Art In a conventional bulk type CMOS circuit technology, there is no significant difference in load capacitance between a gate electrode of a MOSFET and a source or drain electrode.

【0003】このため、論理ゲートの入力に関して、ゲ
ート電極に入力するものと、ソース電極またはドレイン
電極に入力するものとが併存する場合、これらの入力を
経由する信号伝搬経路の遅延時間が、互いにほぼ同じで
あると考えられ、区別されて扱われることはない。
For this reason, with respect to the inputs of the logic gate, when there are inputs to the gate electrode and inputs to the source electrode or the drain electrode, the delay times of the signal propagation paths passing through these inputs are mutually different. They are considered almost the same and are not treated differently.

【0004】SOI形式において、MOSFETのソー
ス電極、ドレイン電極の負荷容量は、ゲート電極の負荷
容量よりも著しく小さい。このため、上記の論理ゲート
において、駆動すべき負荷が、主にソース電極またはド
レイン電極に接続されている場合における遅延時間は、
駆動すべき負荷が、主にゲート電極に接続されている場
合における遅延時間よりも短い。
In the SOI type, the load capacitance of a source electrode and a drain electrode of a MOSFET is significantly smaller than the load capacitance of a gate electrode. Therefore, in the above logic gate, the delay time when the load to be driven is mainly connected to the source electrode or the drain electrode is:
The load to be driven is shorter than the delay time when the load is mainly connected to the gate electrode.

【0005】図18は、2つの入力信号のうちの一方を
選択して出力する従来の2−1選択回路100を示す図
である。
FIG. 18 shows a conventional 2-1 selection circuit 100 for selecting and outputting one of two input signals.

【0006】図19は、従来の2−1選択回路100を
ブロックで示した図である。
FIG. 19 is a block diagram showing a conventional 2-1 selection circuit 100. As shown in FIG.

【0007】図20は、従来の2−1選択回路100に
おける遅延時間と電源電圧との関係を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing the relationship between the delay time and the power supply voltage in the conventional 2-1 selection circuit 100.

【0008】図18における選択信号CCから出力信号
Yに至る経路は、主にゲート電極からなる負荷を駆動す
る信号経路であり、被選択信号A1から出力信号Yに至
る経路は、主にソース電極またはドレイン電極からなる
負荷を駆動する信号経路である。
The path from the selection signal CC to the output signal Y in FIG. 18 is a signal path for driving a load mainly composed of a gate electrode, and the path from the selected signal A1 to the output signal Y is mainly a source electrode. Alternatively, it is a signal path for driving a load composed of a drain electrode.

【0009】従来のバルク形式のCMOS回路によっ
て、従来の2−1選択回路100を構成した場合、両経
路における遅延時間に差が生じていなかったが、SOI
形式のCMOS回路で上記選択回路を構成した場合、両
経路での遅延時間に差が生じ、図18に示すように、ソ
ース電極またはドレイン電極を駆動する被選択信号A1
から出力信号Yに至る経路の遅延時間が小さい。
When the conventional 2-1 selection circuit 100 is constituted by the conventional bulk CMOS circuit, there is no difference in delay time between the two paths.
When the selection circuit is configured by a CMOS circuit of a type, a difference occurs in the delay time between the two paths, and as shown in FIG. 18, the selected signal A1 for driving the source electrode or the drain electrode is generated.
The delay time of the path from the signal to the output signal Y is small.

【0010】選択回路を含む論理回路では、上記選択回
路がクリティカルパスに含まれることが多く、しかもそ
の経路は、選択信号から出力信号に至る経路であること
が多い。これは、選択信号が、回路の動作を方向づける
信号であり、また、選択回路100に入力する信号の中
で、最も遅く到着する信号となる可能性が高いからであ
る。
In a logic circuit including a selection circuit, the selection circuit is often included in a critical path, and the path is often a path from a selection signal to an output signal. This is because the selection signal is a signal that directs the operation of the circuit, and is likely to be the latest signal among the signals input to the selection circuit 100.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上記のような回路内
で、図18に示すSOI形式の選択回路100を用いた
場合、選択信号から出力信号に至る経路が、選択回路内
で最も遅い信号経路になるので、全体のクリティカルパ
スの遅延時間が長くなるという問題がある。
When the SOI type selection circuit 100 shown in FIG. 18 is used in the above circuit, the path from the selection signal to the output signal is the slowest signal path in the selection circuit. Therefore, there is a problem that the delay time of the entire critical path becomes long.

【0012】また、上記従来例では、ソース電極または
ドレイン電極の負荷容量が小さいというSOIの特徴
を、回路性能の向上に生かしきれないという問題があ
る。
Further, in the above conventional example, there is a problem that the SOI feature that the load capacitance of the source electrode or the drain electrode is small cannot be fully utilized for improving the circuit performance.

【0013】本発明は、選択回路の選択信号から出力信
号に至る信号伝搬を高速化することができ、上記選択回
路を用いた論理回路の動作を高速化することができる選
択回路およびそれを用いた論理回路を提供することを目
的とするものである。
According to the present invention, a selection circuit which can speed up signal propagation from a selection signal of a selection circuit to an output signal, and can speed up the operation of a logic circuit using the selection circuit, and the use thereof. It is an object of the present invention to provide a logic circuit.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、選択回路の選
択信号を、従来のようにMOSFETのゲート電極に入
力するのではなく、ソース電極またはドレイン電極に入
力する選択回路である。
According to the present invention, there is provided a selection circuit for inputting a selection signal of a selection circuit to a source electrode or a drain electrode, instead of inputting the selection signal to a gate electrode of a MOSFET as in the related art.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態および実施例】[第1の実施例]図
1は、本発明の第1の実施例である2−1選択回路10
1を示す図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] FIG. 1 shows a 2-1 selection circuit 10 according to a first embodiment of the present invention.
FIG.

【0016】図1(1)は、SOI形式のCMOS回路
によって実現した2−1選択回路101を示す図であ
り、図1(2)は、図1(1)に示す2−1選択回路1
01をブロックで示した図である。
FIG. 1A is a diagram showing a 2-1 selection circuit 101 realized by an SOI type CMOS circuit, and FIG. 1B is a diagram showing a 2-1 selection circuit 1 shown in FIG.
It is the figure which showed 01 in the block.

【0017】2−1選択回路101は、SOI形式のC
MOS回路によって構成され、2つの入力信号のうちの
一方を選択する選択回路において、上記CMOS回路を
構成するMOSFETのソース電極またはドレイン電極
に、選択信号を入力する選択回路である。
The 2-1 selection circuit 101 is an SOI type C
A selection circuit which is constituted by a MOS circuit and selects one of two input signals, in which a selection signal is input to a source electrode or a drain electrode of a MOSFET constituting the CMOS circuit.

【0018】2−1選択回路101は、論理ゲートX1
〜X7とMOSFET M1〜M8とによって構成され
ている。選択信号CC、その相補信号!(CC)(!
は、その後のカッコ内の信号が反転されているという意
味であり、図面において相補信号をバーによって表示し
ているが、この表示とは異なる表示を明細書では行な
う)の論理値がそれぞれ1、0である場合、被選択信号
A1の値が出力Yに出力され、選択信号CC、相補信号
!(CC)の論理値がそれぞれ0、1である場合、被選
択信号A2の値が出力端子Yに出力される。
The 2-1 selection circuit 101 includes a logic gate X1
To X7 and MOSFETs M1 to M8. Select signal CC and its complement! (CC) (!
Means that the signal in parentheses thereafter is inverted, and the complementary signal is indicated by a bar in the drawing, but a display different from this display is performed in the specification). When it is 0, the value of the selected signal A1 is output to the output Y, and the selection signal CC and the complementary signal! When the logic values of (CC) are 0 and 1, respectively, the value of the selected signal A2 is output to the output terminal Y.

【0019】次に、図1に示す2−1選択回路101の
動作について説明する。
Next, the operation of the 2-1 selection circuit 101 shown in FIG. 1 will be described.

【0020】変数A1とA2とが共に論理値1であると
きに、NANDゲートX1、X2の出力は、共に論理値
1になる。このときに、トランジスタM6のゲートには
論理値1が入力され、トランジスタM4のゲートには論
理値0が入力されるので、トランジスタM6とM4とに
よって構成されているトランスミッションゲートは非導
通になる。上記と同様に、トランジスタM5とM1とに
よって構成されているトランスミッションゲートも非導
通になる。一方、トランジスタM8とM7とM3とM2
とのゲートには、論理値0が入力されるので、トランジ
スタM8とM7が導通状態となり、トランジスタM3と
M2とが非導通になる。この結果、出力端子Yには、論
理値1が出力される。
When both the variables A1 and A2 have the logical value 1, the outputs of the NAND gates X1 and X2 both have the logical value 1. At this time, a logical value of 1 is input to the gate of the transistor M6, and a logical value of 0 is input to the gate of the transistor M4, so that the transmission gate formed by the transistors M6 and M4 is turned off. As described above, the transmission gate formed by the transistors M5 and M1 also becomes non-conductive. On the other hand, transistors M8, M7, M3 and M2
Since the logical value 0 is input to the gate of the transistor, the transistors M8 and M7 are turned on, and the transistors M3 and M2 are turned off. As a result, a logical value 1 is output to the output terminal Y.

【0021】上記とは逆に、変数A1とA2とが共に論
理値0であるときに、NANDゲートX1、X2の出力
は共に論理値1になる。このときに、トランジスタM6
のゲートには論理値1が入力され、トランジスタM4の
ゲートには論理値0が入力されるので、トランジスタM
6とM4とによって構成されているトランスミッション
ゲートは、非導通になる。上記と同様に、トランジスタ
M5とM1とによって構成されているトランスミッショ
ンゲートも非導通になる。一方、トランジスタM8とM
7とM3とM2とのゲートには、論理値1が入力される
ので、トランジスタM8とM7とが非導通になり、トラ
ンジスタM3とM2とが導通状態となる。この結果、出
力端子Yには論理値0が出力される。
Contrary to the above, when the variables A1 and A2 are both logical 0, the outputs of the NAND gates X1 and X2 both become logical 1. At this time, the transistor M6
, The logical value 1 is input to the gate of the transistor M4, and the logical value 0 is input to the gate of the transistor M4.
The transmission gate constituted by 6 and M4 becomes non-conductive. As described above, the transmission gate formed by the transistors M5 and M1 also becomes non-conductive. On the other hand, transistors M8 and M8
Since the logical value 1 is input to the gates of M7, M3, and M2, the transistors M8 and M7 are turned off, and the transistors M3 and M2 are turned on. As a result, a logical value 0 is output to the output terminal Y.

【0022】変数A1が論理値1であり、変数A2が論
理値0であるときに、NANDゲートX1、X2の出力
は、それぞれ論理値1、0になる。このときに、トラン
ジスタM6のゲートには論理値0が入力され、トランジ
スタM4のゲートには論理値1が入力されるので、トラ
ンジスタM6とM4とによって構成されているトランス
ミッションゲートは導通状態になる。一方、トランジス
タM5のゲートには論理値1が入力され、トランジスタ
M1のゲートには論理値0が入力されるので、トランジ
スタM5とM1とによって構成されているトランスミッ
ションゲートは非導通となる。一方、トランジスタM8
とM7とM3とM2とのゲートにはそれぞれ、論理値
1、0、0、1が入力されるので、トランジスタM7と
M2とが導通状態になり、トランジスタM8とM3とが
非導通になる。この結果、出力端子Yには、トランジス
タM6とM4とによって構成されているトランスミッシ
ョンゲートを通じて、CCの論理値が出力される。
When the variable A1 has the logical value 1 and the variable A2 has the logical value 0, the outputs of the NAND gates X1 and X2 have the logical values 1 and 0, respectively. At this time, a logical value of 0 is input to the gate of the transistor M6 and a logical value of 1 is input to the gate of the transistor M4, so that the transmission gate formed by the transistors M6 and M4 is turned on. On the other hand, the logical value 1 is input to the gate of the transistor M5, and the logical value 0 is input to the gate of the transistor M1, so that the transmission gate formed by the transistors M5 and M1 is turned off. On the other hand, transistor M8
, M7, M3, and M2 are input with logic values 1, 0, 0, and 1, respectively, so that the transistors M7 and M2 are turned on, and the transistors M8 and M3 are turned off. As a result, the logic value of CC is output to the output terminal Y through the transmission gate formed by the transistors M6 and M4.

【0023】変数A1が論理値0、A2が論理値1であ
るときに、NANDゲートX1、X2の出力は、それぞ
れ論理値0、1になる。このときに、トランジスタM6
のゲートには論理値1が入力され、トランジスタM4の
ゲートには論理値0が入力されるので、トランジスタM
6とM4とによって構成されているトランスミッション
ゲートは非導通になる。一方、トランジスタM5のゲー
トには論理値0が入力され、トランジスタM1のゲート
には論理値1が入力されるので、トランジスタM5とM
1とによって構成されているトランスミッションゲート
は導通状態になる。また、トランジスタM8とM7とM
3とM2とのゲートには、それぞれ、論理値0、1、
1、0が入力される、トランジスタM8とM3とが導通
状態になり、トランジスタM7とM2とが非導通にな
る。この結果、出力端子Yには、トランジスタM5とM
1とによって構成されているトランスミッションゲート
を通じて、CCの相補信号が出力される。
When the variable A1 has a logical value of 0 and A2 has a logical value of 1, the outputs of the NAND gates X1 and X2 have logical values of 0 and 1, respectively. At this time, the transistor M6
, The logical value 1 is input to the gate of the transistor M4, and the logical value 0 is input to the gate of the transistor M4.
The transmission gate constituted by 6 and M4 becomes non-conductive. On the other hand, the logical value 0 is input to the gate of the transistor M5, and the logical value 1 is input to the gate of the transistor M1, so that the transistors M5 and M5
1 make the transmission gate conductive. Also, transistors M8, M7 and M
The gates of 3 and M2 have logical values 0, 1,
When 1 and 0 are input, the transistors M8 and M3 are turned on, and the transistors M7 and M2 are turned off. As a result, the transistors M5 and M5 are connected to the output terminal Y.
The complementary signal of CC is output through the transmission gate constituted by 1 and CC.

【0024】以上から、出力端子Yに現れる論理関数Y
は、Y=CC*A1+!(CC)*A2となる。これ
は、CCを選択信号とする2−1選択回路を表してい
る。なお、!(CC)は、CCの反転信号である。
From the above, the logical function Y appearing at the output terminal Y
Is Y = CC * A1 +! (CC) * A2. This represents a 2-1 selection circuit that uses CC as a selection signal. In addition,! (CC) is an inverted signal of CC.

【0025】2−1選択回路101は、SOI形式の選
択回路であり、トランジスタM6は、所定の変数Aiが
ソースに入力され、上記変数Aiを論理値1に固定した
ときにおける任意の論理関数Fの値Gの反転信号と、上
記変数Aiを論理値0に固定したときにおける上記論理
関数Fの値Kとの論理和がゲートに入力され、出力信号
Yがドレインに入力されている第1のSOI形式のpM
OSトランジスタの例である。
The 2-1 selection circuit 101 is an SOI type selection circuit. The transistor M6 has an arbitrary logic function F when a predetermined variable Ai is input to the source and the variable Ai is fixed to a logic value 1. Of the value G of the logic function F when the variable Ai is fixed to the logic value 0 and the inverted signal of the value G is input to the gate, and the output signal Y is input to the drain. PI in SOI format
This is an example of an OS transistor.

【0026】トランジスタM5は、上記選択信号Aiが
ソースに入力され、上記論理関数Gと上記論理関数Kの
反転信号との論理積がゲートに入力され、上記出力信号
Yがドレインに接続されている第1のSOI形式のnM
OSトランジスタの例である。
In the transistor M5, the selection signal Ai is input to the source, the logical product of the logical function G and the inverted signal of the logical function K is input to the gate, and the output signal Y is connected to the drain. NM in the first SOI format
This is an example of an OS transistor.

【0027】トランジスタM4は、上記選択信号Aiの
反転信号がソースに入力され、上記論理関数Gと上記論
理関数Kの反転信号との論理和がゲートに入力され、上
記出力信号Yがドレインに入力されている第2のSOI
形式のpMOSトランジスタの例である。
In the transistor M4, the inverted signal of the selection signal Ai is input to the source, the logical sum of the logical function G and the inverted signal of the logical function K is input to the gate, and the output signal Y is input to the drain. Second SOI
1 is an example of a type pMOS transistor.

【0028】トランジスタM1は、上記選択信号Aiの
反転信号がソースに入力され、上記論理関数Gの反転信
号と上記論理関数Kとの論理積がゲートに入力され、上
記出力信号Yがドレインに接続されている第2のSOI
形式のnMOSトランジスタの例である。
In the transistor M1, the inverted signal of the selection signal Ai is input to the source, the logical product of the inverted signal of the logical function G and the logical function K is input to the gate, and the output signal Y is connected to the drain. Second SOI
1 is an example of a type nMOS transistor.

【0029】トランジスタM7は、第4のSOI形式の
pMOSトランジスタM8のドレインがソースに接続さ
れ、上記論理関数Kの反転信号がゲートに接続され、上
記出力信号Yがドレインに接続された第3のSOI形式
のpMOSトランジスタと;トランジスタM3は、第4
のSOI形式のnMOSトランジスタM2のドレインが
ソースに接続され、上記論理関数Kの反転信号がゲート
に接続され、上記出力信号Yがドレインに接続された第
3のSOI形式のnMOSトランジスタの例である。
The transistor M7 has a third SOI type pMOS transistor M8 having a drain connected to the source, an inverted signal of the logic function K connected to the gate, and an output signal Y connected to the drain. A pMOS transistor of SOI type;
Is an example of a third SOI type nMOS transistor in which the drain of the SOI type nMOS transistor M2 is connected to the source, the inverted signal of the logical function K is connected to the gate, and the output signal Y is connected to the drain. .

【0030】トランジスタM8は、電源端子がソースに
接続され、上記論理関数Gの反転信号がゲートに接続さ
れ、上記第3のSOI形式のpMOSトランジスタのソ
ースがドレインに接続されている第4のSOI形式のp
MOSトランジスタの例である。
The transistor M8 has a power supply terminal connected to the source, an inverted signal of the logic function G connected to the gate, and a source connected to the drain of the third SOI type pMOS transistor. Form p
This is an example of a MOS transistor.

【0031】トランジスタM2は、接地端子にソースが
接続され、上記論理関数Gの反転信号がゲートに接続さ
れ、上記第3のSOI形式のnMOSトランジスタのソ
ースがドレインに接続されている第4のSOI形式のn
MOSトランジスタの例である。
The transistor M2 has a source connected to the ground terminal, an inverted signal of the logic function G connected to the gate, and a source connected to the drain of the third SOI type nMOS transistor. N of the form
This is an example of a MOS transistor.

【0032】図2は、2−1選択回路101の遅延時間
を、0.25μmSOI CMOS技術に基づき、回路
シミュレーションで計算した結果を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing the result of calculating the delay time of the 2-1 selection circuit 101 by circuit simulation based on the 0.25 μm SOI CMOS technology.

【0033】選択信号CCから出力信号Yに至る経路の
遅延時間が、優先的に小さくなっていることがわかる。
また、この経路の遅延時間は、電源電圧1Vにおいて、
図17に示す従来型2−1選択回路100における遅延
時間よりも約60%削減されていることがわかる。した
がって、選択信号CCから出力信号Yに至る経路が、回
路全体のクリテイカルパスに含まれる場合、このパスの
伝搬遅延時間を短縮することができる。
It can be seen that the delay time of the path from the selection signal CC to the output signal Y is preferentially reduced.
Also, the delay time of this path is
It can be seen that the delay time is reduced by about 60% from the delay time in the conventional 2-1 selection circuit 100 shown in FIG. Therefore, when the path from the selection signal CC to the output signal Y is included in the critical path of the entire circuit, the propagation delay time of this path can be reduced.

【0034】[第1の実施例の変形例]図21は、本発
明における第1の実施例の変形例である2−1選択回路
101aを示す図である。
[Modification of First Embodiment] FIG. 21 is a diagram showing a 2-1 selection circuit 101a which is a modification of the first embodiment of the present invention.

【0035】この2−1選択回路101aは、任意の論
理関数Fを所定の入力変数Aiに着目してSOI形式の
MOSトランジスタを用いて実現した回路を示す図であ
る。
The 2-1 selection circuit 101a is a diagram showing a circuit in which an arbitrary logic function F is realized by using a SOI type MOS transistor focusing on a predetermined input variable Ai.

【0036】変数Ai=1であるときにおける論理関数
Fの値をGとし、Ai=0であるときにおける論理関数
Fの値をKにする。変数Aiを、できる限りMOSトラ
ンジスタのソース、またはドレインに入力するようにし
ている。
The value of the logic function F when the variable Ai = 1 is set to G, and the value of the logic function F when Ai = 0 is set to K. The variable Ai is input to the source or drain of the MOS transistor as much as possible.

【0037】SOI形式のMOSトランジスタではソー
ス、またはドレインの負荷容量は、ゲートの負荷容量に
比べて小さいので、図21に示す回路構成にすることに
よって、変数Aiの入力負荷容量を削減することがで
き、変数Aiを経由する信号伝播を高速化することがで
きる。
In the SOI type MOS transistor, the load capacitance of the source or the drain is smaller than the load capacitance of the gate. Therefore, by using the circuit configuration shown in FIG. 21, the input load capacitance of the variable Ai can be reduced. Thus, the speed of signal propagation via the variable Ai can be increased.

【0038】[第2の実施例]図3〜図14は、本発明
の第2の実施例である108ビットキャリーセレクト型
加算器102の各回路ブロックを示す図である。
[Second Embodiment] FIGS. 3 to 14 are diagrams showing circuit blocks of a 108-bit carry-select adder 102 according to a second embodiment of the present invention.

【0039】図3は、本発明の第2の実施例である10
8ビットキャリーセレクト型加算器102の全体を示す
ブロック図である。
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram showing the entirety of an 8-bit carry select adder 102.

【0040】108ビットキャリーセレクト型加算器1
02は、下位ビットから順に、16ビットの加算器ブロ
ックX1〜X6と、12ビットの加算器ブロックX7と
によって構成されている。
108-bit carry select adder 1
02 is composed of 16-bit adder blocks X1 to X6 and a 12-bit adder block X7 in order from the lower bit.

【0041】なお、加算器X1〜X7のそれぞれに、2
−1選択回路101が含まれている。
Each of the adders X1 to X7 has 2
-1 selection circuit 101 is included.

【0042】加算器ブロックX1を除く各加算器ブロッ
ク(加算器ブロックX2〜X7)では、加算入力A16
〜A107、B16〜B107が与えられると同時に、
下位ブロックからの桁上げ信号がある場合と無い場合と
の両方の場合について、仮の桁上げ信号と仮の和信号と
を生成する。
In each adder block (adder blocks X2 to X7) except for the adder block X1, the addition input A16
~ A107 and B16 ~ B107 are given,
A provisional carry signal and a provisional sum signal are generated for both cases with and without carry signals from the lower block.

【0043】また、加算器ブロックX1でも、加算入力
A0−15、B0−15に基づいて桁上げ信号、和信号
を生成する。最下位ブロックX1からの桁上げ信号C1
6が確定すると、次の16ビットブロックX2におい
て、予め生成してある仮の桁上げ信号の一方が選択さ
れ、桁上げ信号C32として出力される。順次、上記手
続きを踏み、最終的にオーバーフロー信号OVFに達す
る。
The adder block X1 also generates a carry signal and a sum signal based on the addition inputs A0-15 and B0-15. Carry signal C1 from the lowest block X1
When 6 is determined, in the next 16-bit block X2, one of the provisional carry signals generated in advance is selected and output as the carry signal C32. The above procedure is sequentially performed, and finally reaches the overflow signal OVF.

【0044】一方、和信号は、それぞれのブロックに対
する桁上げ信号が確定すると同時に、仮の和信号のどち
らかが選択され、出力される。桁上げ信号は、16ビッ
ト毎にスキップするので、加算演算のクリティカルパス
である桁上げ信号の伝搬を高速化することができる。
On the other hand, as for the sum signal, one of the provisional sum signals is selected and output at the same time when the carry signal for each block is determined. Since the carry signal is skipped every 16 bits, the propagation of the carry signal, which is a critical path of the addition operation, can be accelerated.

【0045】図4は、108ビットキャリーセレクト型
加算器内の16ビットの加算器ブロックAD16HEA
Dを示すブロック図である。
FIG. 4 shows a 16-bit adder block AD16HEA in a 108-bit carry select type adder.
It is a block diagram which shows D.

【0046】16ビットの加算器ブロックAD16HE
ADは、2−1選択回路X1〜X5と、インバータX6
〜X18と、4ビットの回路ブロックX19〜X22と
によって構成されている。
AD16HE, a 16-bit adder block
AD includes a 2-1 selection circuit X1 to X5 and an inverter X6.
To X18 and 4-bit circuit blocks X19 to X22.

【0047】4ビットブロックX19は、4ビットの桁
上げ伝搬加算器であり、入力A0〜A3、B0〜B3と
桁上げ入力CINとに基づいて、和信号S0〜S3と4
ビット目の桁上げ信号とを生成する。
The 4-bit block X19 is a 4-bit carry propagation adder, and based on the inputs A0 to A3 and B0 to B3 and the carry input CIN, sum signals S0 to S3 and 4
And a carry signal of the bit.

【0048】もう一方の4ビット回路ブロックX20〜
X22は、それぞれの下位ビットからの桁上げがある場
合と無い場合との両方の場合について、仮の桁上げ信号
と仮和信号とを生成する。
The other 4-bit circuit blocks X20 to X20
X22 generates a provisional carry signal and a provisional sum signal both in the case where there is a carry from each lower bit and in the case where there is no carry.

【0049】2−1選択回路X1〜X5とインバータX
6〜X18とによって構成されている論理回路は、これ
ら仮の桁上げ信号と、4ビットの回路ブロックX19か
らの桁上げ信号とに基づいて、16ビット目の桁上げ信
号の相補信号C16Bを生成する。
2-1 Selection circuits X1 to X5 and inverter X
The logic circuit composed of X6 to X18 generates a complementary signal C16B of the carry signal of the 16th bit based on the provisional carry signal and the carry signal from the 4-bit circuit block X19. I do.

【0050】図5は、第2の実施例中の4ビットの単位
ブロックSUMUNIT1(図4に示す4ビット加算器
X19)を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a 4-bit unit block SUMUNIT1 (4-bit adder X19 shown in FIG. 4) in the second embodiment.

【0051】図6は、第2の実施例中の4ビットの単位
ブロックSUMUNIT(図4に示す4ビット回路ブロ
ックX20〜X22)を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a 4-bit unit block SUMUNIT (4-bit circuit blocks X20 to X22 shown in FIG. 4) in the second embodiment.

【0052】単位ブロックSUMUNIT1は、第1の
全加算器GSFLADLLを直列接続したリップルアダ
ーである。
The unit block SUMUNIT1 is a ripple adder in which first full adders GSFLADLL are connected in series.

【0053】単位ブロックSUMUNIT1は、桁上げ
入力がある場合と無い場合との2通りの場合について、
桁上げ信号を発生できる半加算器GSADDILLを1
つと、2通りの桁上げ入力を伝搬できる全加算器GSA
DDLLLを3つ直列接続したリップルアダーとであ
る。
The unit block SUMUNIT1 has two cases, one with and without carry input.
The half adder GSADDILL capable of generating a carry signal is set to 1
And a full adder GSA that can propagate two types of carry inputs
And a ripple adder in which three DDLLLs are connected in series.

【0054】図7は、本発明の第2の実施例における第
1の全加算器GSFLADLLを示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a first full adder GSFLDLL in the second embodiment of the present invention.

【0055】第1の全加算器GSFLADLLは、論理
ゲートX1〜X9と、MOSFETM1〜M4とによっ
て構成されている。加算入力A、Bと、桁上げ入力CI
とに基づいて、和Sと桁上げ信号COとを生成する。M
OSFET M1とM3とは、CMOSトランスミッシ
ョンゲートを構成し、下位ビットからの桁上げ信号CI
を上位へ伝達する役割を果たす。
The first full adder GSFLADLL is constituted by logic gates X1 to X9 and MOSFETs M1 to M4. Addition inputs A and B and carry input CI
, The sum S and the carry signal CO are generated. M
OSFETs M1 and M3 form a CMOS transmission gate and carry signal CI from the lower bit.
The role of transmitting to the higher rank.

【0056】図8は、第2の実施例における第1の半加
算器GSADILLを示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a first half adder GSADILL in the second embodiment.

【0057】第1の半加算器GSADILLは、論理ゲ
ートX1〜X6と、MOSFETM1〜M8とによって
構成されている。
The first half adder GSADILL is composed of logic gates X1 to X6 and MOSFETs M1 to M8.

【0058】加算入力A、Bに基づいて、仮の桁上げ信
号COL、COHを生成し、真の桁上げ入力CCを確定
すると、和Sを出力する。
Based on the addition inputs A and B, temporary carry signals COL and COH are generated, and when the true carry input CC is determined, the sum S is output.

【0059】図9は、第2の全加算器GSADDLLL
を示す回路図である。
FIG. 9 shows a second full adder GSADDDLL.
FIG.

【0060】第2の全加算器GSADDLLLは、論理
ゲートX1〜X8と、MOSFETM1〜M8とによっ
て構成されている。
The second full adder GSADDDLL comprises logic gates X1 to X8 and MOSFETs M1 to M8.

【0061】論理ゲートX4は、2−1選択回路を表
し、図18、19に示す回路構成である。論理ゲートX
4は、2通りの仮の桁上げ入力CIL、CIHとに基づ
いて、2通りの仮の桁上げ出力COL、COHを生成す
る。真の桁上げ入力CCが確定すると、和Sを出力す
る。
The logic gate X4 represents a 2-1 selection circuit and has a circuit configuration shown in FIGS. Logic gate X
4 generates two provisional carry outputs COL and COH based on the two provisional carry inputs CIL and CIH. When the true carry input CC is determined, the sum S is output.

【0062】図10は、図3に示す108ビットキャリ
ーセレクト型加算器102内の16ビットの加算器ブロ
ックAD16MIDを示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing a 16-bit adder block AD16MID in the 108-bit carry-select adder 102 shown in FIG.

【0063】16ビットの加算器ブロックAD16MI
Dは、2−1選択回路X1〜X12と、インバータX1
3〜X38と、4ビットの回路ブロックX39〜X42
とによって構成されている。
A 16-bit adder block AD16MI
D denotes a 2-1 selection circuit X1 to X12 and an inverter X1.
3-X38 and 4-bit circuit blocks X39-X42
And is constituted by.

【0064】4ビットの回路ブロックX39〜X42
は、下位ビットからの桁上げ信号がある場合と無い場合
との両方の場合について、2通りの仮の桁上げ信号を生
成する。
4-bit circuit blocks X39 to X42
Generates two types of temporary carry signals both in the case where there is a carry signal from the lower bit and in the case where there is no carry signal.

【0065】2−1選択回路X1〜X12とインバータ
X13〜X38とによって構成されている論理回路は、
これら仮の桁上げ信号と、下段の16ビットの加算器ブ
ロックAD16MIDからの桁上げ信号の相補信号CI
NBとに基づいて、次段の16ビットブロックへの桁上
げ信号CO15を生成する。
2-1 The logic circuit constituted by the selection circuits X1 to X12 and the inverters X13 to X38 is as follows:
Complementary signal CI of these provisional carry signal and carry signal from lower 16-bit adder block AD16MID
Based on the NB, a carry signal CO15 for the next 16-bit block is generated.

【0066】図10に示す16ビットの加算器ブロック
AD16MIDの中で、2−1選択回路X1〜X4、X
7〜X12は、図18、図19に示す従来の2−1選択
回路100の回路構成を有し、2−1選択回路X5、X
6は、図1(1)、(2)に示す実施例の2−1選択回
路101の回路構成を有する。
In the 16-bit adder block AD16MID shown in FIG. 10, 2-1 selection circuits X1 to X4, X
7 to X12 have the circuit configuration of the conventional 2-1 selection circuit 100 shown in FIGS.
6 has a circuit configuration of the 2-1 selection circuit 101 of the embodiment shown in FIGS. 1 (1) and (2).

【0067】2−1選択回路X5、X6は、選択信号か
ら出力信号に至る経路が、108ビット加算器全体のク
リティカルパス上に含まれるので、このパスの遅延時間
が優先的に短い図1(1)、(2)に示す2−1選択回
路101の回路構成を用いる。
In the 2-1 selection circuits X5 and X6, since the path from the selection signal to the output signal is included in the critical path of the entire 108-bit adder, FIG. The circuit configuration of the 2-1 selection circuit 101 shown in 1) and 2) is used.

【0068】図11は、AD16MID内の4ビット加
算器ブロックSUMUNIT2を示すブロック図であ
る。
FIG. 11 is a block diagram showing a 4-bit adder block SUMUNIT2 in the AD16MID.

【0069】4ビット加算器ブロックSUMUNIT2
は、桁上げ入力がある場合と無い場合との2通りの場合
について、仮の桁上げ信号を発生できる半加算器GSA
DDILLを1つと、2通りの仮の桁上げ入力を伝搬で
きる全加算器GSADDLLL2を3つとが直列接続さ
れているリップルアダーである。
4-bit adder block SUMUNIT2
Is a half adder GSA that can generate a provisional carry signal in two cases, one with and without carry input.
This is a ripple adder in which one DDILL and three full adders GSADDDLL2 that can propagate two types of temporary carry inputs are connected in series.

【0070】図12は、全加算器GSADDLLL2を
示す回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram showing the full adder GSADDDLL2.

【0071】全加算器GSADDLLL2は、論理ゲー
トX1〜X10と、MOSFETM1〜M8とによって
構成されている。
The full adder GSADDDLL2 is composed of logic gates X1 to X10 and MOSFETs M1 to M8.

【0072】全加算器GSADDLLL2が使用される
場所では、仮の桁上げ信号CIL、CIHの確定後に、
真の桁上げ入力CCとその相補信号CCBとが確定す
る。このために、2−1選択回路X4上のクリティカル
パスは、選択信号から出力信号に至る経路となる。そこ
で、2−1選択回路X4として、2−1選択回路101
を用い、回路動作の高速化をはかっている。
At the place where the full adder GSADDDLL2 is used, after the provisional carry signals CIL and CIH are determined,
The true carry input CC and its complementary signal CCB are determined. Therefore, the critical path on the 2-1 selection circuit X4 is a path from the selection signal to the output signal. Therefore, as the 2-1 selection circuit X4, the 2-1 selection circuit 101
To speed up the circuit operation.

【0073】図13は、図3に示す108ビットキャリ
ーセレクト型加算器内の16ビットの加算器ブロックA
D16MID2を示すブロック図である。
FIG. 13 shows a 16-bit adder block A in the 108-bit carry select type adder shown in FIG.
It is a block diagram which shows D16MID2.

【0074】加算器ブロックAD16MID2は、2−
1選択回路X1〜X12と、インバータX13〜X42
と、4ビットの回路ブロックX43〜X46とによって
構成されている。4ビットの回路ブロックX43〜X4
6は、図11に示すSUMUNIT2であり、下位ビッ
トからの桁上げ信号がある場合と無い場合との両方の場
合について、2通りの仮の桁上げ信号を生成する。
The adder block AD16MID2 is composed of
1 selection circuits X1 to X12 and inverters X13 to X42
And 4-bit circuit blocks X43 to X46. 4-bit circuit blocks X43 to X4
Reference numeral 6 denotes a SUMUNIT2 shown in FIG. 11, which generates two types of temporary carry signals in both cases where there is a carry signal from the lower bits and when there is no carry signal.

【0075】2−1選択回路X1〜X12とインバータ
X13〜X42とによて構成されている論理回路は、こ
れら仮の桁上げ信号と、下位の16ビットブロックから
の桁上げ信号CINに基づいて、次段の16ビットブロ
ックへの桁上げ信号CO15を生成する。
The logic circuit composed of the 2-1 selection circuits X1 to X12 and the inverters X13 to X42 is based on these provisional carry signals and the carry signal CIN from the lower 16-bit block. , A carry signal CO15 for the next 16-bit block is generated.

【0076】2−1選択回路X1とX4とX5とX12
とは、108ビットキャリーセレクト型加算器のクリテ
ィカルパス上にあり、しかも、そのパスは、それぞれの
2−1選択回路の選択信号から出力信号に至る経路を含
んでいる。
2-1 Selection circuits X1, X4, X5 and X12
Is on the critical path of the 108-bit carry-select adder, and the path includes a path from the selection signal of each 2-1 selection circuit to the output signal.

【0077】このために、これら2−1選択回路とし
て、図1(1)、(2)に示す実施例の2−1選択回路
101を用い、回路動作の高速化を図っている。
For this purpose, the 2-1 selection circuit 101 of the embodiment shown in FIGS. 1A and 1B is used as the 2-1 selection circuit to speed up the circuit operation.

【0078】AD16MID2は、図10に示すAD1
6MIDとほぼ同じ回路構成であるが、内部の2−1選
択回路のより多くが、図1(1)、(2)に示す実施例
の2−1選択回路101を採用している。これは、AD
16MID2が、108ビット加算器内で、AD16M
IDよりも高ビット側に位置しているためである。
AD16MID2 corresponds to AD1 shown in FIG.
The circuit configuration is almost the same as that of the 6MID, but more of the internal 2-1 selection circuits employ the 2-1 selection circuit 101 of the embodiment shown in FIGS. 1A and 1B. This is AD
16MID2 is AD16M in a 108-bit adder
This is because it is located on the higher bit side than the ID.

【0079】2−1選択回路X1〜X12とインバータ
X13〜X42とによって構成されている桁上げ信号処
理部の2−1選択回路において、選択信号が被選択信号
よりも、さらに遅く到着するからである。
In the 2-1 selection circuit of the carry signal processing section constituted by the 2-1 selection circuits X1 to X12 and the inverters X13 to X42, the selection signal arrives later than the selected signal. is there.

【0080】図14は、図3に示す108ビットキャリ
ーセレクト型加算器(第2の実施例)内の12ビットの
加算器ブロックAD16MID3を示すブロック図であ
る。
FIG. 14 is a block diagram showing a 12-bit adder block AD16MID3 in the 108-bit carry select adder (second embodiment) shown in FIG.

【0081】12ビットの加算器ブロックAD16MI
D3は、2−1選択回路X1〜X7と、インバータX8
〜X29と、4ビットの回路ブロックX30〜X32と
によって構成されている。4ビット回路ブロックX30
〜X32は、図11に示すSUMUNIT2であり、下
位ビットからの桁上げ信号がある場合と無い場合との両
方の場合について、2通りの仮の桁上げ信号を生成す
る。
12-bit adder block AD16MI
D3 is a 2-1 selection circuit X1 to X7 and an inverter X8
To X29 and 4-bit circuit blocks X30 to X32. 4-bit circuit block X30
X32 is a SUMUNIT2 shown in FIG. 11, and generates two types of temporary carry signals both in the case where there is a carry signal from the lower bit and in the case where there is no carry signal.

【0082】2−1選択回路X1〜X7と、インバータ
X8〜X29とによって構成されている論理回路は、こ
れらの仮の桁上げ信号と、12ビットの加算器ブロック
AD16MID3よりも下位の16ビットブロックから
の桁上げ信号CINに基づいて、次段のブロックへの桁
上げ信号CO11を生成する。
The logic circuit constituted by the 2-1 selection circuits X1 to X7 and the inverters X8 to X29 is provided with a temporary carry signal and a 16-bit block lower than the 12-bit adder block AD16MID3. , A carry signal CO11 for the next block is generated based on the carry signal CIN.

【0083】2−1選択回路X1〜X7の中で、その選
択信号から出力信号に至る経路が、108ビット加算器
のクリティカルパスに含まれる2−1選択回路X1とX
2とX7には、図1(1)、(2)に示す実施例の2−
1選択回路101と、この変形である後述の図15、図
16に示す2−1選択回路103を用い、回路動作の高
速化を図っている。
Among the 2-1 selection circuits X1 to X7, the path from the selection signal to the output signal is the 2-1 selection circuits X1 and X included in the critical path of the 108-bit adder.
2 and X7 are the same as those in the embodiment shown in FIGS. 1 (1) and (2).
The circuit operation is speeded up by using the 1-selection circuit 101 and the 2-1 selection circuit 103 shown in FIGS.

【0084】[第3の実施例]図15は、本発明の第3
の実施例である2−1選択回路103を示すの回路図で
ある。
[Third Embodiment] FIG. 15 shows a third embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a 2-1 selection circuit 103 according to the embodiment of FIG.

【0085】図16は、図15に示す2−1選択回路1
03をブロックで示す図である。
FIG. 16 shows the 2-1 selection circuit 1 shown in FIG.
It is a figure which shows 03 by a block.

【0086】2−1選択回路103は、図1に示す2−
1選択回路101の変形である。
The 2-1 selection circuit 103 is provided in the 2-selection circuit shown in FIG.
This is a modification of the one-selection circuit 101.

【0087】2−1選択回路103は、選択した出力の
相補信号を出力し、かつ選択信号としてCCとその相補
信号CCBとを共に入力する回路である。実現される論
理関数はY=CC*!(A1)+CCB*!(A2)で
ある。なお、!(A1)は、変数A1の反転信号であ
り、!(A2)は、変数A2の変転信号である。
The 2-1 selection circuit 103 is a circuit that outputs a complementary signal of the selected output and inputs both the CC and the complementary signal CCB as the selection signal. The realized logic function is Y = CC *! (A1) + CCB *! (A2). In addition,! (A1) is an inverted signal of the variable A1, and! (A2) is a change signal of the variable A2.

【0088】次に、2−1選択回路103の動作につい
て説明する。
Next, the operation of the 2-1 selection circuit 103 will be described.

【0089】まず、変数A1とA2が共に論理値1であ
るときに、NANDゲートX1、X2の出力は共に論理
値1もなる。このときに、トランジスタM6のゲートに
は論理値1が入力され、トランジスタM4のゲートには
論理値0が入力されるので、トランジスタM6とM4と
によって構成されているトランスミッションゲートは非
導通になる。上記と同様に、トランジスタM5とM1と
によって構成されているトランスミッションゲートも非
導通になる。一方、トランジスタM8とM7とM3とM
2とのゲートには論理値1が入力されるので、トランジ
スタM3とM2とが導通状態になり、トランジスタM8
とM7とが非導通になる。この結果、出力端子Yには論
理値0が出力される。
First, when both the variables A1 and A2 have the logical value 1, the outputs of the NAND gates X1 and X2 also have the logical value 1. At this time, a logical value of 1 is input to the gate of the transistor M6, and a logical value of 0 is input to the gate of the transistor M4, so that the transmission gate formed by the transistors M6 and M4 is turned off. As described above, the transmission gate formed by the transistors M5 and M1 also becomes non-conductive. On the other hand, transistors M8, M7, M3 and M
Since the logical value 1 is input to the gate of the transistor M2, the transistors M3 and M2 are turned on, and the transistor M8 is turned on.
And M7 become non-conductive. As a result, a logical value 0 is output to the output terminal Y.

【0090】変数A1とA2とが共に論理値0であると
きに、NANDゲートX1、X2の出力は共に論理値1
になる。このときに、トランジスタM6のゲートには論
理値1が入力され、トランジスタM4のゲートには論理
値0が入力されるので、トランジスタM6とM4とによ
って構成されているトランスミッションゲートは非導通
になる。同様に、トランジスタM5とM1とによって構
成されているトランスミッションゲートも非導通にな
る。一方、トランジスタM8とM7とM3とM2とのゲ
ートには論理値0が入力されるので、トランジスタM3
とM2とが非導通になり、トランジスタM8とM7とが
導通状態になる。この結果、出力端子Yには論理値1が
出力される。
When the variables A1 and A2 are both logical 0, the outputs of the NAND gates X1 and X2 are both logical 1
become. At this time, a logical value of 1 is input to the gate of the transistor M6, and a logical value of 0 is input to the gate of the transistor M4, so that the transmission gate formed by the transistors M6 and M4 is turned off. Similarly, the transmission gate formed by the transistors M5 and M1 also becomes non-conductive. On the other hand, the logic value 0 is input to the gates of the transistors M8, M7, M3, and M2.
And M2 are turned off, and transistors M8 and M7 are turned on. As a result, a logical value 1 is output to the output terminal Y.

【0091】A1が論理値1であり、A2が論理値0で
あるときに、NANDゲートX1、X2の出力は、それ
ぞれ論理値1、0になる。このときに、トランジスタM
6のゲートには論理値0が入力され、トランジスタM4
のゲートには論理値1が入力されるので、トランジスタ
M6とM4とによって構成されているトランスミッショ
ンゲートは導通状態になる。一方、トランジスタM5の
ゲートには論理値1が入力され、トランジスタM1のゲ
ートには論理値0が入力されるので、トランジスタM5
とM1とによって構成されているトランスミッションゲ
ートは非導通になる。一方、トランジスタM8とM7と
M3とM2とのゲートには、それぞれ、論理値0、1、
1、0が入力されるので、トランジスタM8とM3とが
導通状態になり、トランジスタM7とM2とが非導通に
なる。この結果、出力端子Yには、トランジスタM6と
M4とによって構成されているトランスミッションゲー
トを通じて、選択信号CCの相補信号であるCCBが出
力される。
When A1 has a logical value of 1 and A2 has a logical value of 0, the outputs of the NAND gates X1 and X2 have the logical values of 1 and 0, respectively. At this time, the transistor M
The logic value 0 is inputted to the gate of the transistor M6, and the transistor M4
, A logical value 1 is input to the gate of the transmission gate, so that the transmission gate formed by the transistors M6 and M4 is turned on. On the other hand, the logical value 1 is input to the gate of the transistor M5, and the logical value 0 is input to the gate of the transistor M1.
And the transmission gate constituted by M1 becomes non-conductive. On the other hand, the gates of the transistors M8, M7, M3, and M2 have logical values 0, 1,
Since 1 and 0 are input, the transistors M8 and M3 are turned on, and the transistors M7 and M2 are turned off. As a result, CCB, which is a complementary signal of the selection signal CC, is output to the output terminal Y through the transmission gate formed by the transistors M6 and M4.

【0092】変数A1が論理値0であり、変数A2が論
理値1であるときに、NANDゲートX1、X2の出力
は、それぞれ論理値0、1になる。このときに、トラン
ジスタM6のゲートには論理値1が入力され、トランジ
スタM4のゲートには論理値0が入力されるので、トラ
ンジスタM6とM4とによって構成されるトランスミッ
ションゲートは非導通になる。一方、トランジスタM5
のゲートには論理値0が入力され、トランジスタM1の
ゲートには論理値1が入力されるので、トランジスタM
5とM1とによって構成されているトランスミッション
ゲートは導通状態となる。また、トランジスタM8とM
7とM3とM2とのゲートにはそれぞれ、論理値1、
0、0、1が入力されるので、トランジスタM7とM2
とが導通状態になり、トランジスタM8とM3とが非導
通になる。この結果、出力端子Yには、トランジスタM
5とM1とによって構成されているトランスミッション
ゲートを通じて、CCが出力される。
When the variable A1 has the logical value 0 and the variable A2 has the logical value 1, the outputs of the NAND gates X1 and X2 have the logical values 0 and 1, respectively. At this time, a logical value of 1 is input to the gate of the transistor M6, and a logical value of 0 is input to the gate of the transistor M4. Therefore, the transmission gate formed by the transistors M6 and M4 is turned off. On the other hand, the transistor M5
, A logical value 0 is input to the gate of the transistor M1, and a logical value 1 is input to the gate of the transistor M1.
The transmission gate constituted by 5 and M1 becomes conductive. Also, transistors M8 and M
7 and the gates of M3 and M2 have a logical value of 1,
Since 0, 0, and 1 are input, the transistors M7 and M2
Are turned on, and the transistors M8 and M3 are turned off. As a result, the transistor M is connected to the output terminal Y.
CC is output through a transmission gate constituted by 5 and M1.

【0093】以上から、出力端子Yに現れる論理関数
は、Y=CC*!(A1)+CCB*!(A2)とな
る。これは、CCを選択信号とし、CCBを相補信号と
し、入力信号の一方を選択し、その反転信号を出力する
2−1選択回路を表している。なお、!(A1)は変数
A1の反転信号であり、!(A2)は、変数A2の反転
信号である。
From the above, the logical function appearing at the output terminal Y is Y = CC *! (A1) + CCB *! (A2). This shows a 2-1 selection circuit that selects CC as a selection signal, CCB as a complementary signal, selects one of the input signals, and outputs an inverted signal thereof. In addition,! (A1) is an inverted signal of the variable A1, and! (A2) is an inverted signal of the variable A2.

【0094】ところで、桁上げ信号を生成する部分で
は、選択回路の出力が次段の選択回路の選択信号に入力
される。こうした信号経路では、選択信号の極性を調整
するために、適宜インバータが挿入される。この場合、
図15に示す2−1選択回路103のように、予め反転
されている信号を出力する2−1選択回路を用いること
によって、冗長なインバータを削除することができ、よ
り高速に桁上げ信号を生成することができる。
In the part for generating the carry signal, the output of the selection circuit is input to the selection signal of the next selection circuit. In such a signal path, an inverter is appropriately inserted to adjust the polarity of the selection signal. in this case,
By using a 2-1 selection circuit that outputs a signal that has been inverted in advance, such as a 2-1 selection circuit 103 shown in FIG. 15, a redundant inverter can be eliminated, and a carry signal can be output more quickly. Can be generated.

【0095】[第4の実施例]図17は、本発明の第4
の実施例である54×54ビットの乗算器104を示す
図である。
[Fourth Embodiment] FIG. 17 shows a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating a 54 × 54 bit multiplier 104 according to an embodiment of the present invention.

【0096】54×54ビットの乗算器104は、第2
の実施例である108ビットキャリーセレクト型加算器
102を内蔵する乗算器である。
The 54 × 54-bit multiplier 104 outputs the second
Is a multiplier incorporating the 108-bit carry-select adder 102 according to the embodiment.

【0097】部分積の生成には、2次のブースアルゴリ
ズムを用い、部分積の加算には、ウォレスツリーを用い
ている。
A secondary Booth algorithm is used for generating partial products, and a Wallace tree is used for adding partial products.

【0098】ウォレスツリーを経て生成される108ビ
ット長の2変数に対し、第2の実施例である108ビッ
トキャリーセレクト型加算器102を用いて加算演算を
施し、最終的な乗算結果を得る。
An addition operation is performed on two 108-bit variables generated through the Wallace tree using the 108-bit carry-select adder 102 according to the second embodiment to obtain a final multiplication result.

【0099】上記各実施例によれば、選択回路内部の選
択信号から出力信号に至る経路の遅延時間を、優先的に
短縮することができる。これによって、上記信号経路を
クリティカルパス上に含む論理回路の動作を高速化する
ことができる。
According to each of the above embodiments, the delay time of the path from the selection signal in the selection circuit to the output signal can be preferentially reduced. This makes it possible to speed up the operation of the logic circuit including the signal path on the critical path.

【0100】[0100]

【発明の効果】本発明によれば、選択回路の選択信号か
ら出力に至る信号伝搬を高速化することができ、上記選
択回路を用いた論理回路の動作を高速化することができ
るという効果を奏する。
According to the present invention, the signal propagation from the selection signal of the selection circuit to the output can be speeded up, and the operation of the logic circuit using the selection circuit can be speeded up. Play.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例である2−1選択回路1
01を示す図であり、SOI形式のCMOS回路で実現
した2−1選択回路を示す図である。
FIG. 1 shows a 2-1 selection circuit 1 according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 1 is a diagram showing a 2-1 selection circuit realized by an SOI type CMOS circuit.

【図2】2−1選択回路101の遅延時間を、0.25
μmSOI CMOS技術に基づき、回路シミュレーシ
ョンで計算した結果を示す図である。
FIG. 2 shows a delay time of a 2-1 selection circuit 101 of 0.25.
FIG. 14 is a diagram illustrating a result calculated by circuit simulation based on the μm SOI CMOS technology.

【図3】本発明の第2の実施例である108ビットキャ
リーセレクト型加算器102の全体を示すブロック図で
ある。
FIG. 3 is a block diagram showing an entire 108-bit carry-select adder 102 according to a second embodiment of the present invention.

【図4】108ビットキャリーセレクト型加算器内の1
6ビットの加算器ブロックAD16HEADを示すブロ
ック図である。
FIG. 4 shows 1 in a 108-bit carry select adder
It is a block diagram which shows the adder block AD16HEAD of 6 bits.

【図5】第2の実施例中の4ビットの単位ブロックSU
MUNIT1(図4に示す4ビット加算器X19)を示
すブロック図である。
FIG. 5 shows a 4-bit unit block SU in the second embodiment.
FIG. 5 is a block diagram showing MUNIT1 (4-bit adder X19 shown in FIG. 4).

【図6】第2の実施例中の4ビットの単位ブロックSU
MUNIT(図4に示す4ビット回路ブロックX20〜
X22)を示すブロック図である。
FIG. 6 shows a 4-bit unit block SU in the second embodiment.
MUNIT (4-bit circuit blocks X20 to X20 shown in FIG. 4)
X22).

【図7】本発明の第2の実施例における第1の全加算器
GSFLADLLを示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a first full adder GSFLADLL in a second embodiment of the present invention.

【図8】第2の実施例における第1の半加算器GSAD
ILLを示す回路図である。
FIG. 8 shows a first half adder GSAD in the second embodiment.
It is a circuit diagram showing ILL.

【図9】第2の全加算器GSADDLLLを示す回路図
である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a second full adder GSADDDLL.

【図10】図3に示す108ビットキャリーセレクト型
加算器102内の16ビットの加算器ブロックAD16
MIDを示すブロック図である。
10 is a 16-bit adder block AD16 in the 108-bit carry-select adder 102 shown in FIG. 3;
It is a block diagram which shows MID.

【図11】AD16MID内の4ビット加算器ブロック
SUMUNIT2を示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing a 4-bit adder block SUMUNIT2 in the AD16MID.

【図12】全加算器GSADDLLL2を示す回路図で
ある。
FIG. 12 is a circuit diagram showing a full adder GSADDDLL2.

【図13】図3に示す108ビットキャリーセレクト型
加算器内の16ビットの加算器ブロックAD16MID
2を示すブロック図である。
FIG. 13 shows a 16-bit adder block AD16MID in the 108-bit carry-select adder shown in FIG.
FIG. 2 is a block diagram showing a second example.

【図14】図3に示す108ビットキャリーセレクト型
加算器(第2の実施例)内の12ビットの加算器ブロッ
クAD16MID3を示すブロック図である。
FIG. 14 is a block diagram showing a 12-bit adder block AD16MID3 in the 108-bit carry-select adder (the second embodiment) shown in FIG. 3;

【図15】本発明の第3の実施例である2−1選択回路
103を示す回路図である。
FIG. 15 is a circuit diagram showing a 2-1 selection circuit 103 according to a third embodiment of the present invention.

【図16】2−1選択回路103をブロックで示す図で
ある。
FIG. 16 is a diagram illustrating a 2-1 selection circuit 103 by blocks;

【図17】本発明の第4の実施例である54×54ビッ
トの乗算器104を示す図である。
FIG. 17 is a diagram illustrating a 54 × 54 bit multiplier 104 according to a fourth embodiment of the present invention.

【図18】2つの入力信号のうちの一方を選択して出力
する従来の2−1選択回路100を示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing a conventional 2-1 selection circuit 100 for selecting and outputting one of two input signals.

【図19】従来の2−1選択回路18をブロックで示す
図である。
FIG. 19 is a block diagram showing a conventional 2-1 selection circuit 18;

【図20】従来の2−1選択回路100における遅延時
間と電源電圧との関係を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing a relationship between a delay time and a power supply voltage in a conventional 2-1 selection circuit 100.

【図21】本発明における第1の実施例の変形例である
2−1選択回路101aを示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing a 2-1 selection circuit 101a which is a modification of the first embodiment of the present invention.

【符号の説明】 101、103、104…2−1選択回路、 102…108ビットキャリーセレクト型加算器、 X1〜X7…論理ゲート、 M1〜M8…MOSFET、 CC…選択信号、 CCB…選択信号の相補信号、 A1、A2…被選択信号、 Y…出力信号。[Description of Signs] 101, 103, 104... 2-1 selection circuit, 102... 108-bit carry-select adder, X1 to X7... Logic gates, M1 to M8. Complementary signals, A1, A2 ... selected signals, Y ... output signals.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J055 AX02 AX55 AX56 AX62 BX03 CX01 CX05 CX27 DX19 DX22 DX82 DX83 DX85 EX07 EX14 EY21 EZ13 EZ25 EZ37 EZ40 FX18 FX20 GX01 GX02 GX06 5J056 BB02 DD13 DD29 EE03 EE12 EE15 FF07 FF09 GG09 GG14 KK03  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page F term (reference) 5J055 AX02 AX55 AX56 AX62 BX03 CX01 CX05 CX27 DX19 DX22 DX82 DX83 DX85 EX07 EX14 EY21 EZ13 EZ25 EZ37 EZ40 FX18 FX20 GX01 GX02 GX06 5J056 BB02 DD13 EE12 FF03

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 任意の組み合わせ論理関数Fにおいて、 所定の変数Aiがソースに入力され、上記変数Aiを論
理値1に固定したときにおける任意の論理関数Fの値G
の反転信号と、上記変数Aiを論理値0に固定したとき
における上記論理関数Fの値Kとの論理和がゲートに入
力され、出力信号Yがドレインに入力されている第1の
SOI形式のpMOSトランジスタと;上記変数Aiが
ソースに入力され、上記論理関数Gと上記論理関数Kの
反転信号との論理積がゲートに入力され、上記出力信号
Yがドレインに接続されている第1のSOI形式のnM
OSトランジスタと;上記変数Aiの反転信号がソース
に入力され、上記論理関数Gと上記論理関数Kの反転信
号との論理和がゲートに入力され、上記出力信号Yがド
レインに入力されている第2のSOI形式のpMOSト
ランジスタと;上記変数Aiの反転信号がソースに入力
され、上記論理関数Gの反転信号と上記論理関数Kとの
論理積がゲートに入力され、上記出力信号Yがドレイン
に入力されている第2のSOI形式のnMOSトランジ
スタと;第4のSOI形式のpMOSトランジスタのド
レインがソースに接続され、上記論理関数Kの反転信号
がゲートに入力され、上記出力信号Yがドレインに接続
された第3のSOI形式のpMOSトランジスタと;第
4のSOI形式のnMOSトランジスタのドレインがソ
ースに接続され、上記論理関数Kの反転信号がゲートに
入力され、上記出力信号Yがドレインに接続された第3
のSOI形式のnMOSトランジスタと;電源端子にソ
ースが接続され、上記論理関数Gの反転信号がゲートに
入力され、上記第3のSOI形式のpMOSトランジス
タのソースがドレインに接続されている第4のSOI形
式のpMOSトランジスタと;接地端子にソースが接続
され、上記論理関数Gの反転信号がゲートに接続され、
上記第3のSOI形式のnMOSトランジスタのソース
がドレインに接続されている第4のSOI形式のnMO
Sトランジスタと;によって、上記論理関数が実現され
ることを特徴とするSOI形式のCMOS論理回路。
In a combinational logic function F, a value G of a given logic function F when a predetermined variable Ai is input to a source and the variable Ai is fixed to a logic value 1
Of the first SOI format in which the OR of the inverted signal of the above and the value K of the logical function F when the variable Ai is fixed to the logical value 0 is input to the gate, and the output signal Y is input to the drain. a first SOI in which the variable Ai is input to the source, the logical product of the logical function G and the inverted signal of the logical function K is input to the gate, and the output signal Y is connected to the drain; NM of the form
An OS transistor; an inverted signal of the variable Ai is input to a source, a logical sum of the logical function G and an inverted signal of the logical function K is input to a gate, and the output signal Y is input to a drain. 2 a pMOS transistor of SOI format; an inverted signal of the variable Ai is input to the source; a logical product of the inverted signal of the logical function G and the logical function K is input to the gate; and the output signal Y is input to the drain. A second SOI type nMOS transistor being input; a fourth SOI type pMOS transistor having a drain connected to the source, an inverted signal of the logic function K input to the gate, and the output signal Y connected to the drain A third SOI type pMOS transistor connected; a fourth SOI type nMOS transistor having a drain connected to the source; Serial logic inversion signal of the function K is input to a gate, a third of the output signal Y is connected to the drain
A source connected to the power supply terminal, an inverted signal of the logic function G input to the gate, and a source connected to the drain of the third SOI type pMOS transistor. An SOI type pMOS transistor; a source connected to the ground terminal, an inverted signal of the logic function G connected to the gate,
The source of the third SOI type nMOS transistor is connected to the drain of the fourth SOI type nMO transistor.
An SOI type CMOS logic circuit, wherein the logic function is realized by an S transistor.
【請求項2】 SOI形式の選択回路において、 選択信号Aiがソースに入力され、上記選択信号Aiが
論理値1であるときに出力される被選択信号をGとし、
上記選択信号Aiが論理値0であるときに出力される被
選択信号をKとし、上記被選択信号Gの反転信号と、上
記被選択信号Kとの論理和がゲートに入力され、出力信
号Yがドレインに入力されている第1のSOI形式のp
MOSトランジスタと;上記選択信号Aiがソースに入
力され、上記被選択信号Gと上記被選択信号Kの反転信
号との論理積がゲートに入力され、上記出力信号Yがド
レインに接続されている第1のSOI形式のnMOSト
ランジスタと;上記選択信号Aiの反転信号がソースに
入力され、上記被選択信号Gと上記被選択信号Kの反転
信号との論理和がゲートに入力され、上記出力信号Yが
ドレインに入力されている第2のSOI形式のpMOS
トランジスタと;上記選択信号Aiの反転信号がソース
に入力され、上記被選択信号Gの反転信号と上記被選択
信号Kとの論理積がゲートに入力され、上記出力信号Y
がドレインに入力されている第2のSOI形式のnMO
Sトランジスタと;第4のSOI形式のpMOSトラン
ジスタのドレインがソースに接続され、上記被選択信号
Kの反転信号がゲートに入力され、上記出力信号Yがド
レインに接続された第3のSOI形式のpMOSトラン
ジスタと;第4のSOI形式のnMOSトランジスタの
ドレインがソースに接続され、上記被選択信号Kの反転
信号がゲートに入力され、上記出力信号Yがドレインに
接続された第3のSOI形式のnMOSトランジスタ
と;電源端子にソースが接続され、上記被選択信号Gの
反転信号がゲートに入力され、上記第3のSOI形式の
pMOSトランジスタのソースがドレインに接続されて
いる第4のSOI形式のpMOSトランジスタと;接地
端子にソースが接続され、上記被選択信号Gの反転信号
がゲートに接続され、上記第3のSOI形式のnMOS
トランジスタのソースがドレインに接続されている第4
のSOI形式のnMOSトランジスタと;を有すること
を特徴とするSOI形式の選択回路。
2. An SOI format selection circuit, wherein a selection signal Ai is input to a source, and a selection signal output when the selection signal Ai has a logical value 1 is G,
The selected signal output when the selection signal Ai has the logical value 0 is K, and the logical sum of the inverted signal of the selected signal G and the selected signal K is input to the gate, and the output signal Y Of the first SOI type in which is input to the drain
A MOS transistor; the selection signal Ai is input to the source, the logical product of the selected signal G and the inverted signal of the selected signal K is input to the gate, and the output signal Y is connected to the drain. 1; an nMOS transistor of SOI format; an inverted signal of the selection signal Ai is input to a source; a logical sum of the selected signal G and an inverted signal of the selected signal K is input to a gate; Of the second SOI type in which is input to the drain
A transistor; an inverted signal of the selection signal Ai is input to a source; a logical product of the inverted signal of the selected signal G and the selected signal K is input to a gate;
Of the second SOI type with the input to the drain
An S transistor; a third SOI type pMOS transistor in which the drain of the fourth SOI type pMOS transistor is connected to the source, the inverted signal of the selected signal K is input to the gate, and the output signal Y is connected to the drain a pMOS transistor; a third SOI type NMOS transistor having a drain connected to the source of the fourth SOI type nMOS transistor, an inverted signal of the selected signal K input to the gate, and the output signal Y connected to the drain; an nMOS transistor; a source connected to the power supply terminal, an inverted signal of the selected signal G input to the gate, and a source of the third SOI type pMOS transistor connected to the drain of the fourth SOI type. a source connected to the pMOS transistor; a ground terminal, and an inverted signal of the selected signal G connected to the gate. nMOS of the first 3 SOI format
A fourth transistor in which the source of the transistor is connected to the drain
And a SOI type nMOS transistor.
【請求項3】 SOI形式のCMOS論理回路のクリテ
ィカルパスが、上記選択回路の選択信号から出力信号に
至る信号伝搬経路を含む場合に、上記選択回路として、
SOI形式のCMOS回路によって構成され、2つの入
力信号のうちの一方を選択する選択回路において、 選択信号Aiがソースに入力され、上記選択信号Aiが
論理値1であるときに出力される被選択信号をGとし、
上記選択信号Aiが論理値0であるときに出力される被
選択信号をKとし、上記被選択信号Gの反転信号と、上
記被選択信号Kとの論理和がゲートに入力され、出力信
号Yがドレインに入力されている第1のSOI形式のp
MOSトランジスタと;上記選択信号Aiがソースに入
力され、上記被選択信号Gと上記被選択信号Kの反転信
号との論理積がゲートに入力され、上記出力信号Yがド
レインに接続されている第1のSOI形式のnMOSト
ランジスタと;上記選択信号Aiの反転信号がソースに
入力され、上記被選択信号Gと上記被選択信号Kの反転
信号との論理和がゲートに入力され、上記出力信号Yが
ドレインに入力されている第2のSOI形式のpMOS
トランジスタと;上記選択信号Aiの反転信号がソース
に入力され、上記被選択信号Gの反転信号と上記被選択
信号Kとの論理積がゲートに入力され、上記出力信号Y
がドレインに入力されている第2のSOI形式のnMO
Sトランジスタと;第4のSOI形式のpMOSトラン
ジスタのドレインがソースに接続され、上記被選択信号
Kの反転信号がゲートに入力され、上記出力信号Yがド
レインに接続された第3のSOI形式のpMOSトラン
ジスタと;第4のSOI形式のnMOSトランジスタの
ドレインがソースに接続され、上記被選択信号Kの反転
信号がゲートに入力され、上記出力信号Yがドレインに
接続された第3のSOI形式のnMOSトランジスタ
と;電源端子にソースが接続され、上記被選択信号Gの
反転信号がゲートに入力され、上記第3のSOI形式の
pMOSトランジスタのソースがドレインに接続されて
いる第4のSOI形式のpMOSトランジスタと;接地
端子にソースが接続され、上記被選択信号Gの反転信号
がゲートに接続され、上記第3のSOI形式のnMOS
トランジスタのソースがドレインに接続されている第4
のSOI形式のnMOSトランジスタと;を有するSO
I形式の選択回路が使用されていることを特徴とする論
理回路。
3. When the critical path of an SOI type CMOS logic circuit includes a signal propagation path from a selection signal of the selection circuit to an output signal, the selection circuit includes:
In a selection circuit configured by an SOI type CMOS circuit and selecting one of two input signals, a selection signal Ai is input to a source, and a selection signal output when the selection signal Ai is a logical value 1 Let the signal be G,
The selected signal output when the selection signal Ai has the logical value 0 is K, and the logical sum of the inverted signal of the selected signal G and the selected signal K is input to the gate, and the output signal Y Of the first SOI type in which is input to the drain
A MOS transistor; the selection signal Ai is input to the source, the logical product of the selected signal G and the inverted signal of the selected signal K is input to the gate, and the output signal Y is connected to the drain. 1; an nMOS transistor of SOI format; an inverted signal of the selection signal Ai is input to a source; a logical sum of the selected signal G and an inverted signal of the selected signal K is input to a gate; Of the second SOI type in which is input to the drain
A transistor; an inverted signal of the selection signal Ai is input to a source; a logical product of the inverted signal of the selected signal G and the selected signal K is input to a gate;
Of the second SOI type with the input to the drain
An S transistor and a third SOI type pMOS transistor in which the drain of the fourth SOI type pMOS transistor is connected to the source, the inverted signal of the selected signal K is input to the gate, and the output signal Y is connected to the drain a pMOS transistor; a third SOI-type nMOS transistor in which the drain of the fourth SOI-type nMOS transistor is connected to the source, the inverted signal of the selected signal K is input to the gate, and the output signal Y is connected to the drain an nMOS transistor; a source connected to the power supply terminal, an inverted signal of the selected signal G input to the gate, and a source of the third SOI type pMOS transistor connected to the drain of the fourth SOI type. a source connected to the pMOS transistor; a ground terminal, and an inverted signal of the selected signal G connected to the gate. nMOS of the first 3 SOI format
A fourth transistor in which the source of the transistor is connected to the drain
SOI type nMOS transistor;
A logic circuit using an I-type selection circuit.
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