JP2001117651A - Inductive load constant-current drive circuit - Google Patents
Inductive load constant-current drive circuitInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、誘導性負荷を駆
動するため半導体集積回路により構成される誘導性負荷
定電流駆動回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inductive load constant current drive circuit formed by a semiconductor integrated circuit for driving an inductive load.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１０は、従来技術における誘導性負荷
定電流駆動回路を示すものである。この回路は、特許第
２８１５７４４号における誘導性負荷定電流駆動回路の
発明で第１の実施例として記載されたものである。2. Description of the Related Art FIG. 10 shows a conventional inductive load constant current drive circuit. This circuit is described as the first embodiment in the invention of the inductive load constant current drive circuit in Japanese Patent No. 2815744.
【０００３】図において、８は誘導性負荷、１は誘導性
負荷８に電流を流したり，止めたりするためのスイッチ
手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ、２は電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ、５お
よび７はそれぞれ誘導性負荷８の両端に一方向のみ流れ
るように接続されたダイオードおよびツェナーダイオー
ド、６はスイッチ手段である電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ２により誘導性負荷の両端に接続されてい
るダイオード、３は電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタ２をＯＮ／ＯＦＦさせるための導通制御用Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ、９は信号の極性を合わせるための
インバータ、４は抵抗、１００は電源端子、２００，３
００はそれぞれスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１，導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３をＯＮ／
ＯＦＦさせるための信号入力端子、４００は接地端子で
ある。In the figure, reference numeral 8 denotes an inductive load, 1 denotes an Nch-type MOS transistor for switching which constitutes switch means for flowing and stopping a current to the inductive load 8, and 2 denotes an Nch-type MOS transistor for current circulation. , 5 and 7 are diodes and zener diodes respectively connected to both ends of the inductive load 8 so as to flow only in one direction, and 6 is a current circulating Nch type MOS which is a switch means.
A diode connected to both ends of the inductive load by the transistor 2, a conduction control Pch MOS transistor 3 for turning on / off the current circulation Nch MOS transistor 2, and an inverter 9 for matching the polarity of the signal. , 4 is a resistor, 100 is a power supply terminal, 200, 3
00 turns ON / OFF the switching N-channel MOS transistor 1 and the conduction controlling P-channel MOS transistor 3, respectively.
A signal input terminal for turning off, and 400 is a ground terminal.
【０００４】この回路は、Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１のＯＮ／ＯＦＦにより、誘導性負荷８にかかる電圧を
制御し、平均的に一定電流を得ようとするものである。
この回路で得られる負荷電圧と負荷電流の関係を図１１
に示す。In this circuit, the voltage applied to the inductive load 8 is controlled by turning on / off the N-channel MOS transistor 1 so as to obtain a constant current on average.
FIG. 11 shows the relationship between the load voltage and the load current obtained by this circuit.
Shown in
【０００５】動作について、図１１を参照しながら説明
する。図１１は、図１０に示す回路における負荷電流お
よび負荷電圧の変化を示している。図１１（ａ）は、信
号入力端子２００における信号波形の変化を示すもので
ある。図１１（ｂ）は、信号入力端子３００における信
号波形の変化を示すものである。図１１（ｃ）は、誘導
性負荷８における負荷電流の変化を示すものである。図
１１（ｄ）は、誘導性負荷８における負荷電圧の変化を
示すものである。The operation will be described with reference to FIG. FIG. 11 shows changes in load current and load voltage in the circuit shown in FIG. FIG. 11A shows a change in the signal waveform at the signal input terminal 200. FIG. 11B shows a change in the signal waveform at the signal input terminal 300. FIG. 11C shows a change in the load current in the inductive load 8. FIG. 11D shows a change in load voltage in the inductive load 8.
【０００６】まず、信号入力端子２００，３００が「Ｌ
ｏｗ」の場合、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１はそのゲート端子電圧が「Ｌｏｗ」のためＯＦＦ状
態、インバータ９の出力が「Ｈｉ」のため導通制御用Ｐ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３はＯＦＦ状態、従って、電
流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のゲート端子に
電圧が印加されないため、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ２はＯＦＦ状態となる。スイッチ用Ｎｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１がＯＦＦ状態のため、誘導性負荷
８には電圧がかからず、負荷電流は流れない。First, the signal input terminals 200 and 300 are set to "L".
In the case of "low", the switching Nch-type MOS transistor 1 is in the OFF state because its gate terminal voltage is "Low", and the output of the inverter 9 is "Hi".
The channel MOS transistor 3 is in the OFF state. Therefore, no voltage is applied to the gate terminal of the current circulating Nch MOS transistor 2, and the current circulating Nch MOS transistor 2 is in the OFF state. Since the switching N-channel MOS transistor 1 is in the OFF state, no voltage is applied to the inductive load 8 and no load current flows.
【０００７】次に、入力端子２００，３００を「Ｈｉ」
にすると、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１は
そのゲート端子電圧が「Ｈｉ」のためＯＮ状態、インバ
ータ９の出力が「Ｌｏｗ」のため導通制御用Ｐｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタ３はＯＮ状態、従って電流循環用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ２のゲート端子に電圧が印加さ
れるため電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２はＯ
Ｎ状態となる。スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１がＯＮ状態となることにより、誘導性負荷８の両端に
電圧が印加され負荷電流が流れ始める。ただし、負荷電
流は誘導性負荷８のＬ成分の逆起電力により制限を受け
るため、誘導性負荷８のＬ成分とスイッチ用Ｎｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタ１のＯＮ抵抗と誘導性負荷８の抵抗性
成分で決まる傾きを持ちながら増加する。Next, the input terminals 200 and 300 are set to "Hi".
In this case, the switching Nch-type MOS transistor 1 is in the ON state because its gate terminal voltage is “Hi”, and the output of the inverter 9 is “Low”.
The OS transistor 3 is in the ON state, and therefore the current circulating Nc
Since a voltage is applied to the gate terminal of the h-type MOS transistor 2, the current-circulating Nch-type MOS transistor 2
The state becomes the N state. When the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned on, a voltage is applied to both ends of the inductive load 8 and a load current starts to flow. However, since the load current is limited by the back electromotive force of the L component of the inductive load 8, the L component of the inductive load 8 and the Nch-type M
It increases while having a slope determined by the ON resistance of the OS transistor 1 and the resistance component of the inductive load 8.
【０００８】次に、入力端子２００を再び「Ｌｏｗ」に
すると、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１のゲ
ート電圧が「Ｌｏｗ」となるので、スイッチ用Ｎｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１がＯＦＦする。これにより誘導性
負荷８の電流が減少するので、逆起電力が今までの反対
向きに発生し、誘導性負荷８に蓄えられたエネルギを放
電するために、誘導性負荷８の端子Ｔ１からダイオード
６および電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２を通
して誘導性負荷８の端子Ｔ２に電流が流れ、誘導性負荷
８に循環電流が流れる。この電流も、誘導性負荷８のＬ
成分と抵抗成分，電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ２のＯＮ抵抗，ダイオード６の順方向電圧降下によっ
て制限されながら減少していく。Next, when the input terminal 200 is set to "Low" again, the gate voltage of the switching Nch-type MOS transistor 1 becomes "Low", so that the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned off. As a result, the current of the inductive load 8 is reduced, so that the back electromotive force is generated in the opposite direction, and a diode is connected from the terminal T1 of the inductive load 8 to discharge the energy stored in the inductive load 8. A current flows to the terminal T2 of the inductive load 8 through the Nch type MOS transistor 6 and the current circulating Nch type MOS transistor 2, and a circulating current flows to the inductive load 8. This current also depends on the inductive load 8 L
Component and the resistance component, the ON resistance of the current circulating N-channel MOS transistor 2, and the forward voltage drop of the diode 6.
【０００９】このように電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ２がＯＮの状態で、Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ１を適当にＯＮ／ＯＦＦを繰り返すことにより誘導性
負荷８には平均的に一定の電流が流れる。また、Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタ１のＯＮ／ＯＦＦのデューティ比
を適当に変化させることにより、誘導性負荷８の電流を
可変するＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌ
ａｔｉｏｎ）制御が可能となる。As described above, when the Nch-type MOS transistor 2 for current circulation is ON, the Nch-type MOS transistor 1 is repeatedly turned ON / OFF appropriately, so that a constant current flows through the inductive load 8 on average. Also, Nch
PWM (Pulse Width Modul) that varies the current of the inductive load 8 by appropriately changing the ON / OFF duty ratio of the MOS transistor 1
ation) control becomes possible.
【００１０】上記のように、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ１をＯＦＦさせただけでは負荷電流は一定
の傾きでしか減少しないため時間がかかるので、誘導性
負荷８に流れる電流を急速に減少させる必要がある場合
には、入力端子３００を「Ｌｏｗ」にし、導通制御用Ｐ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３をＯＦＦさせる。これによ
り、電源端子１００から電源電圧としての電位ｐ２を導
通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３を介して印加さ
れた電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のゲート
には、誘導性負荷８の端子Ｔ１と端子Ｔ２との間の電圧
をダイオード５の順方向電圧ＶＦおよびツェナーダイオ
ード７のツェナー電圧ＶＺの和電圧と抵抗４の抵抗値に
よる電圧降下とにより分圧された電圧が印加されること
になって、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２の
ゲートの電位は低下し、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ２のソース・ゲート間電圧が増加することによ
り、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のドレイ
ン電流は増加する。したがって、電流循環用Ｎｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタ２を介して流れる誘導性負荷８の循環
電流は急速に減少する。As described above, the Nch type MOS for the switch
If the transistor 1 is simply turned off, the load current decreases only at a constant slope, so it takes time. Therefore, when the current flowing through the inductive load 8 needs to be rapidly reduced, the input terminal 300 is set to “Low”. And P for conduction control
The channel MOS transistor 3 is turned off. As a result, the terminal T1 of the inductive load 8 and the terminal T1 are connected to the gate of the Nch-type MOS transistor 2 for current circulation in which the potential p2 as the power supply voltage is applied from the power supply terminal 100 via the Pch-type MOS transistor 3 for conduction control. A voltage obtained by dividing the voltage between T2 and the sum of the forward voltage VF of the diode 5 and the Zener voltage VZ of the Zener diode 7 and the voltage drop due to the resistance of the resistor 4 is applied. As the potential of the gate of the current circulating Nch-type MOS transistor 2 decreases and the source-gate voltage of the current circulating Nch-type MOS transistor 2 increases, the drain current of the current circulating Nch-type MOS transistor 2 increases. . Therefore, Nch type M for current circulation
The circulating current of the inductive load 8 flowing through the OS transistor 2 decreases rapidly.
【００１１】この場合は、ツェナーダイオード７の電位
差が大きいために、このＮｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２
のソース・ドレイン間で消費されるエネルギが大きくな
り、誘導性負荷８に貯められたエネルギが急速に放電さ
れることになり、電流は急速に減少するのである。In this case, since the potential difference of the Zener diode 7 is large, the Nch type MOS transistor 2
The energy consumed between the source and the drain becomes large, the energy stored in the inductive load 8 is rapidly discharged, and the current decreases rapidly.
【００１２】この回路では、図１１で示されるように、
スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１のＯＦＦ状態
において電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２を介
して流れる誘導性負荷８の電流循環時に、逆流防止用素
子としてのダイオード６において、順方向電圧降下ＶＦ
が起り、電力損失が生じていた。In this circuit, as shown in FIG.
When the inductive load 8 flowing through the current circulating Nch MOS transistor 2 circulates in the OFF state of the switching Nch MOS transistor 1, a forward voltage drop VF occurs in the diode 6 as a backflow preventing element.
And power loss occurred.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】この発明は、誘導性負
荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防
止用素子における電圧降下を確実に低減し、その電力損
失を的確に抑制できる誘導性負荷定電流駆動回路を得よ
うとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an inductive load capable of reliably reducing a voltage drop in a backflow preventing element provided in a current circulation path due to stored energy of an inductive load, and suppressing power loss thereof. The purpose is to obtain a constant current drive circuit.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る誘導性
負荷定電流駆動回路では、誘導性負荷への電流供給を行
うかどうかの切換を行うスイッチ手段を設け、前記スイ
ッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性
負荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通させて誘導性
負荷の定電流駆動を行うものにおいて、誘導性負荷の蓄
積エネルギによる循環電流の流通路に挿入され、前記ス
イッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状
態となって前記循環電流の流通を阻止するとともに、前
記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に
導通状態となって前記循環電流の流通を許容する逆流防
止用ＭＯＳトランジスタを設けたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided an inductive load constant current drive circuit including switch means for switching whether or not to supply a current to an inductive load. A switch for circulating the circulating current of the inductive load when the current supply to the load is stopped to drive the inductive load at a constant current; Means is turned off when current is supplied to the inductive load by the means, thereby preventing the circulation of the circulating current. A MOS transistor for backflow prevention is provided.
【００１５】第２の発明に係る誘導性負荷定電流駆動回
路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切換
を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導性
負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギに
よる循環電流を流通する電流循環用ＭＯＳトランジスタ
と、誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路
に挿入され前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流
供給時に不導通状態となって前記電流循環用ＭＯＳトラ
ンジスタへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイ
ッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状
態となって前記電流循環用ＭＯＳトランジスタへの循環
電流の流通を許容する逆流防止用ＭＯＳトランジスタを
設けたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to a second aspect of the present invention, a switch means for switching whether or not to supply current to the inductive load; A current circulating MOS transistor that circulates a circulating current due to the accumulated energy of the inductive load, and a non-conductive state which is inserted into the flow path of the circulating current due to the accumulated energy of the inductive load and is in a non-conductive state when current is supplied to the inductive load by the switch means. As a result, the flow of current to the current circulating MOS transistor is prevented, and when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, the current is turned on to allow the circulating current to flow to the current circulating MOS transistor. Backflow preventing MOS transistor.
【００１６】第３の発明に係る誘導性負荷定電流駆動回
路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切換
を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導性
負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギに
よる循環電流を流通する電流循環用ＭＯＳトランジスタ
と、誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路
に挿入され前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流
供給時に導通用ゲート信号入力を遮断されて前記電流循
環用ＭＯＳトランジスタへの電流の流通を阻止するとと
もに、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給
停止時に導通用ゲート信号入力を印加されて前記電流循
環用ＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通を許容する
逆流防止用ＭＯＳトランジスタを設けたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to a third aspect of the present invention, there is provided a switch for switching whether or not to supply current to the inductive load, and a switch for stopping current supply to the inductive load by the switch. A current circulating MOS transistor that circulates a circulating current due to the accumulated energy of the inductive load; The input is cut off to prevent the flow of current to the current circulating MOS transistor, and a conduction gate signal input is applied when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, and the current is applied to the current circulating MOS transistor. Backflow preventing MOS transistor which allows the circulation of the circulating current.
【００１７】第４の発明に係る誘導性負荷定電流駆動回
路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切換
を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導性
負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギに
よる循環電流を流通する電流循環用Ｎｃｈ（Ｎチャンネ
ル）型ＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネル
ギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ手段
による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態となって
前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの電流の
流通を阻止するとともに、前記スイッチ手段による誘導
性負荷への電流供給停止時に導通状態となって前記電流
循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通
を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタを設
けたものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an inductive load constant current drive circuit, comprising: switch means for switching whether or not to supply current to the inductive load; and when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. A current circulating Nch (N-channel) MOS transistor for circulating a circulating current due to the stored energy of the inductive load, and a current flowing into the inductive load by the switch means inserted into the flow path of the circulating current due to the stored energy of the inductive load; When the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, it becomes conductive and becomes non-conductive so as to prevent the current from flowing to the Nch-type MOS transistor for current circulation. An Nch-type MOS transistor for backflow prevention which allows circulation of a circulating current to the MOS transistor is provided.
【００１８】第５の発明に係る誘導性負荷定電流駆動回
路では、その第１の端子を第１の電位に接続した誘導性
負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電位との
間に接続したスイッチ手段と、前記誘導性負荷の第２の
端子にそのソース端子を接続した電流循環用Ｎｃｈ（Ｎ
チャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子と前記第１
の電位にそのドレイン端子とソース端子を接続した逆流
防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲート端子
の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタのゲート端子にそのアノード端子を接続し
たツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードのカ
ソード端子へそのカソード端子を接続し、前記第１の電
位へそのアノード端子を接続したダイオードと、前記第
２の電位へそのソース端子を接続し、そのドレイン端子
を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート
端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型Ｍ
ＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタのゲート端子に接続した入力端子とを備えた
ものである。In the inductive load constant current drive circuit according to the fifth invention, an inductive load having a first terminal connected to a first potential, a second terminal of the inductive load and a second potential. And a current circulating Nch (N / N) having its source terminal connected to the second terminal of the inductive load.
Channel) type MOS transistor, a drain terminal of the current circulating Nch type MOS transistor and the first
An Nch-type MOS transistor for preventing backflow, the drain terminal and the source terminal of which are connected to the potential of the Nch-type MOS transistor; a resistor connected between the source terminal and the gate terminal of the Nch-type MOS transistor for current circulation;
A Zener diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the transistor, a diode having its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode and having its anode terminal connected to the first potential, and a diode having the anode terminal connected to the second potential. A Pch (P-channel) type M for conduction control having its source terminal connected and its drain terminal connected to the gate terminal of the current circulating Nch type MOS transistor.
It has an OS transistor and an input terminal connected to the gate terminal of the Pch type MOS transistor for conduction control.
【００１９】第６の発明に係る誘導性負荷定電流駆動回
路では、その第１の端子を第１の電位に接続した誘導性
負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電位との
間に接続したスイッチ手段と、前記誘導性負荷の第２の
端子にそのソースおよびバックゲート端子を接続した電
流循環用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＭＯＳトランジスタ
と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレ
イン端子へそのドレイン端子を接続し、前記第１の電位
へそのソースおよびバックゲート端子を接続した逆流防
止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲート端子の
間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタのゲート端子にそのアノード端子を接続した
ツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードのカソ
ード端子へそのカソード端子を接続し、前記第１の電位
へそのアノード端子を接続したダイオードと、前記第２
の電位へそのソース端子とバックゲート端子を接続し、
そのドレイン端子を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのゲート端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ（Ｐ
チャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用
Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続した入
力端子とを備えたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to a sixth aspect, an inductive load having a first terminal connected to a first potential, a second terminal of the inductive load and a second potential. A current circulating Nch (N-channel) MOS transistor having a source and a back gate connected to a second terminal of the inductive load; and a current circulating Nch MOS transistor. A backflow prevention Nch-type MOS transistor having its drain terminal connected to its drain terminal and its source and back gate terminal connected to the first potential;
a resistor connected between the source terminal and the gate terminal of the ch-type MOS transistor, a Zener diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the current-circulating Nch-type MOS transistor, and a cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode. And a diode having an anode terminal connected to the first potential and the second potential.
Connect its source terminal and back gate terminal to the potential of
A conduction control Pch (P) having its drain terminal connected to the gate terminal of the current circulating Nch MOS transistor.
A channel) type MOS transistor; and an input terminal connected to the gate terminal of the conduction control Pch type MOS transistor.
【００２０】第７の発明に係る誘導性負荷定電流駆動回
路では、その第１の端子を第１の電位に接続した誘導性
負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電位との
間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＭＯ
Ｓトランジスタからなるスイッチ手段と、前記誘導性負
荷の第２の端子にそのソース端子を接続した電流循環用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子と前記第１の電位
にそのドレイン端子とソース端子を接続した逆流防止用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲート端子の間に
接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタのゲート端子にそのアノード端子を接続したツェ
ナーダイオードと、前記ツェナーダイオードのカソード
端子へそのカソード端子を接続し、前記第１の電位へそ
のアノード端子を接続したダイオードと、前記第２の電
位へそのソース端子を接続し、そのドレイン端子を前記
電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へ
接続した導通制御用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳト
ランジスタと、前記導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子に接続した入力端子とを備え、前記ス
イッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタのゲート端子に入力されるゲート信号をインバー
タを介して前記逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
のゲート端子に印加するようにしたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to a seventh aspect, an inductive load having a first terminal connected to a first potential, a second terminal of the inductive load and a second potential. Nch (N channel) type MO for switch connected between
A switching means comprising an S transistor; a current circulating Nch-type MOS transistor having a source terminal connected to a second terminal of the inductive load;
A back-flow preventing Nch-type MOS transistor having a drain terminal connected to the drain terminal and the first terminal connected to the first potential;
A resistor connected between the source terminal and the gate terminal of the N-type MOS transistor, a Zener diode having an anode terminal connected to the gate terminal of the Nch-type MOS transistor for current circulation, and a cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode. A diode having an anode terminal connected to the first potential, a source terminal connected to the second potential, and a drain terminal connected to a gate terminal of the Nch MOS transistor for current circulation. It has a control Pch (P-channel) type MOS transistor and an input terminal connected to the gate terminal of the conduction control Pch type MOS transistor, and is inputted to a gate terminal of a switch Nch type MOS transistor constituting the switch means. Gate signal to the above-mentioned reverse through an inverter It is obtained as applied to the gate terminal of the prevention Nch-type MOS transistor.
【００２１】第８の発明に係る誘導性負荷定電流駆動回
路では、その第１の端子を第１の電位に接続した誘導性
負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電位との
間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＭＯ
Ｓトランジスタからなるスイッチ手段と、前記誘導性負
荷の第２の端子にそのソースおよびバックゲート端子を
接続した電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前
記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端
子へそのドレイン端子を接続し、前記第１の電位へその
ソースおよびバックゲート端子を接続した逆流防止用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用Ｎｃｈ型
ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲート端子の間に接
続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子にそのアノード端子を接続したツェナ
ーダイオードと、前記ツェナーダイオードのカソード端
子へそのカソード端子を接続し、前記第１の電位へその
アノード端子を接続したダイオードと、前記第２の電位
へそのソース端子とバックゲート端子を接続し、そのド
レイン端子を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タのゲート端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ（Ｐチャン
ネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｐｃｈ
型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続した入力端子
とを備え、前記スイッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に入力されるゲー
ト信号をインバータを介して前記逆流防止用Ｎｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタのゲート端子に印加するようにしたも
のである。In an inductive load constant current drive circuit according to an eighth aspect, an inductive load having a first terminal connected to a first potential, a second terminal of the inductive load and a second potential. Nch (N channel) type MO for switch connected between
Switch means comprising an S transistor; a current circulating Nch-type MOS transistor having a source and a back gate terminal connected to a second terminal of the inductive load; and a drain terminal of the current circulating Nch-type MOS transistor A backflow preventing N which has a terminal connected to the first potential and a source and a back gate terminal connected to the first potential.
a channel MOS transistor, a resistor connected between a source terminal and a gate terminal of the current circulating Nch MOS transistor, a Zener diode having an anode terminal connected to a gate terminal of the current circulating Nch MOS transistor, A diode having its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode, its anode terminal connected to the first potential, its source terminal and back gate terminal connected to the second potential, and its drain terminal connected A Pch (P-channel) MOS transistor for conduction control connected to the gate terminal of the Nch-type MOS transistor for current circulation;
A switch Nc comprising an input terminal connected to the gate terminal of the type MOS transistor and constituting the switch means.
The gate signal input to the gate terminal of the h-type MOS transistor is supplied to the Nch-type M
This is applied to the gate terminal of the OS transistor.
【００２２】第９の発明に係る誘導性負荷定電流駆動回
路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切換
を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導性
負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギに
よる循環電流を流通する電流循環用Ｐｃｈ（Ｐチャンネ
ル）型ＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネル
ギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ手段
による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態となって
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの電流の
流通を阻止するとともに、前記スイッチ手段による誘導
性負荷への電流供給停止時に導通状態となって前記電流
循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通
を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタを設
けたものである。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an inductive load constant current drive circuit, comprising: a switch for switching whether or not to supply a current to the inductive load; A current circulating Pch (P-channel) MOS transistor for circulating a circulating current due to the accumulated energy of the inductive load, and a current flowing to the inductive load by the switch means inserted into the flow path of the circulating current due to the accumulated energy of the inductive load When the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, it becomes conductive and becomes in a non-conductive state at the time of supply to prevent the current from flowing to the Pch-type MOS transistor for current circulation. A P-channel MOS transistor for backflow prevention, which allows circulation of a circulating current to the MOS transistor, is provided.
【００２３】第１０の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、その第１の端子を第１の電位に接続した誘導
性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電位と
の間に接続したスイッチ手段と、前記誘導性負荷の第２
の端子にそのドレイン端子を接続した電流循環用Ｐｃｈ
（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循
環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子と前記第
１の電位にそのソース端子とドレイン端子を接続した逆
流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環
用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子と前記第１
の電位の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタのドレイン端子にそのアノード端子
を接続したツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオ
ードのカソード端子へそのカソード端子を接続し、前記
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へ
そのアノード端子を接続した第１のダイオードと、前記
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子
へそのソース端子を接続した導通制御用Ｎｃｈ（Ｎチャ
ンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子へそのカソード
端子を接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子へそのアノード端子を接続した第２の
ダイオードと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子へ接続した入力端子とを備えたもので
ある。In the inductive load constant current drive circuit according to a tenth aspect, an inductive load having a first terminal connected to a first potential, a second terminal of the inductive load and a second potential. Switch means connected between the inductive load and a second switch means.
Pch for current circulation with its drain terminal connected to the terminal
A (P-channel) type MOS transistor, a back-flow preventing Pch type MOS transistor having a source terminal of the current circulating Pch type MOS transistor and a source terminal and a drain terminal connected to the first potential, and the current circulating Pch type The gate terminal of the MOS transistor and the first
Connected between the potentials of the above-mentioned potentials, a Zener diode whose anode terminal is connected to the drain terminal of the current circulating P-channel MOS transistor, and a cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode. A first diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the Pch MOS transistor, and a conduction control Nch (N channel) MOS transistor having its source terminal connected to the drain terminal of the current circulating Pch MOS transistor; , The conduction control Nc
a second diode whose cathode terminal is connected to the drain terminal of the h-type MOS transistor and whose anode terminal is connected to the gate terminal of the current-circulating Pch-type MOS transistor; and a gate terminal of the conduction-controlling Nch-type MOS transistor. And an input terminal connected to the input terminal.
【００２４】第１１の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、その第１の端子を第１の電位に接続した誘導
性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電位と
の間に接続したスイッチ手段と、前記誘導性負荷の第２
の端子にそのドレイン端子を接続した電流循環用Ｐｃｈ
型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用Ｐｃｈ（Ｐチ
ャンネル）型ＭＯＳトランジスタのソース端子とバック
ゲート端子を接続し、その端子へそのソース端子とバッ
クゲート端子を接続し、第１の電位へそのドレイン端子
を接続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端
子と前記第１の電位の間に接続した抵抗と、前記電流循
環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子にその
アノード端子を接続したツェナーダイオードと、前記ツ
ェナーダイオードのカソード端子へそのカソード端子を
接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ゲート端子へそのアノード端子を接続した第１のダイオ
ードと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ドレイン端子へそのソース端子とバックゲート端子を接
続した導通制御用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＭＯＳトラ
ンジスタと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タのドレイン端子へそのカソード端子を接続し、前記電
流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へそ
のアノード端子を接続した第２のダイオードと、前記導
通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へ接
続した入力端子とを備えたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to the eleventh aspect, an inductive load having a first terminal connected to a first potential, a second terminal of the inductive load and a second potential. Switch means connected between the inductive load and a second switch means.
Pch for current circulation with its drain terminal connected to the terminal
Type MOS transistor, the source terminal and the back gate terminal of the Pch (P channel) type MOS transistor for current circulation, the source terminal and the back gate terminal are connected to the terminal, and the drain terminal is connected to the first potential. A Pch-type MOS transistor for backflow prevention,
A resistor connected between the gate terminal of the current circulating Pch MOS transistor and the first potential, a Zener diode having an anode terminal connected to a drain terminal of the current circulating Pch MOS transistor, and A first diode whose cathode terminal is connected to the cathode terminal of the first diode and whose anode terminal is connected to the gate terminal of the current-circulating Pch-type MOS transistor, and whose source terminal is connected to the drain terminal of the current-circulating Pch-type MOS transistor; A conduction control Nch (N-channel) MOS transistor having a gate connected to the back gate terminal and a cathode terminal connected to a drain terminal of the conduction control Nch MOS transistor, and a gate terminal of the current circulation Pch MOS transistor Navel anode terminal And it continued the second diode, in which an input terminal connected to the gate terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor.
【００２５】第１２の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、その第１の端子を第１の電位に接続した誘導
性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電位と
の間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型Ｍ
ＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記誘導性
負荷の第２の端子にそのドレイン端子を接続した電流循
環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用Ｐ
ｃｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジスタのソース端
子と前記第１の電位にそのソース端子とドレイン端子を
接続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前
記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子
と前記第１の電位の間に接続した抵抗と、前記電流循環
用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子にそのア
ノード端子を接続したツェナーダイオードと、前記ツェ
ナーダイオードのカソード端子へそのカソード端子を接
続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲ
ート端子へそのアノード端子を接続した第１のダイオー
ドと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのド
レイン端子へそのソース端子を接続した導通制御用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｎｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタのドレイン端子へそのカソード端子を
接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ゲート端子へそのアノード端子を接続した第２のダイオ
ードと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ゲート端子へ接続した入力端子とを備え、前記スイッチ
手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
のゲート端子に入力されるゲート信号を前記逆流防止用
Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に印加するよ
うにしたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to a twelfth aspect, an inductive load having a first terminal connected to a first potential, a second terminal of the inductive load and a second potential. Nch (N channel) type M for switch connected between
A switching means comprising an OS transistor; a current circulating Pch-type MOS transistor having a drain terminal connected to a second terminal of the inductive load;
a source terminal of a ch (P-channel) type MOS transistor, a Pch type MOS transistor for backflow prevention whose source terminal and drain terminal are connected to the first potential, a gate terminal of the Pch type MOS transistor for current circulation, and A resistor connected between the two potentials, a Zener diode having an anode terminal connected to the drain terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation, and a cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode. A first diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the Pch-type MOS transistor for conduction, and a conduction control Nc having its source terminal connected to the drain terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation.
an h-type MOS transistor and the conduction control Nch-type M
A second diode having its cathode terminal connected to the drain terminal of the OS transistor and its anode terminal connected to the gate terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation, and connected to the gate terminal of the Nch-type MOS transistor for conduction control. And a gate signal input to the gate terminal of the switching Nch-type MOS transistor that constitutes the switch means is applied to the gate terminal of the backflow prevention Pch-type MOS transistor.
【００２６】第１３の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、その第１の端子を第１の電位に接続した誘導
性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電位と
の間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型Ｍ
ＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記誘導性
負荷の第２の端子にそのドレイン端子を接続した電流循
環用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端
子とバックゲート端子を接続し、その端子へそのソース
端子とバックゲート端子を接続し、第１の電位へそのド
レイン端子を接続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
のゲート端子と前記第１の電位の間に接続した抵抗と、
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン
端子にそのアノード端子を接続したツェナーダイオード
と、前記ツェナーダイオードのカソード端子へそのカソ
ード端子を接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのゲート端子へそのアノード端子を接続した第
１のダイオードと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのドレイン端子へそのソース端子とバックゲー
ト端子を接続した導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのド
レイン端子へそのカソード端子を接続し、前記電流循環
用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へそのアノ
ード端子を接続した第２のダイオードと、前記導通制御
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へ接続した
入力端子とを備え、前記スイッチ手段を構成するスイッ
チ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に入力さ
れるゲート信号を前記逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタのゲート端子に印加するようにしたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to a thirteenth aspect, an inductive load having a first terminal connected to a first potential, a second terminal of the inductive load and a second potential. Nch (N channel) type M for switch connected between
A switch means comprising an OS transistor; a Pch (P-channel) MOS transistor for current circulation having a drain terminal connected to a second terminal of the inductive load;
A backflow preventing Pch-type MOS transistor having a source terminal and a back gate terminal connected to the Pch type MOS transistor for current circulation, a source terminal and a back gate terminal connected to the terminal, and a drain terminal connected to a first potential. A transistor, a resistor connected between the gate terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation and the first potential,
A Zener diode having an anode terminal connected to the drain terminal of the Pch MOS transistor for current circulation, and a cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode, and an anode connected to the gate terminal of the Pch MOS transistor for current circulation. A first diode having a terminal connected thereto, a conduction control Nch-type MOS transistor having a source terminal and a back gate terminal connected to a drain terminal of the current circulation Pch-type MOS transistor, and a conduction control Nch-type MOS transistor. A second diode having its cathode terminal connected to the drain terminal and its anode terminal connected to the gate terminal of the current circulating Pch MOS transistor, and an input terminal connected to the gate terminal of the conduction control Nch MOS transistor With It is obtained so as to apply a gate signal inputted to the gate terminal of the switch Nch-type MOS transistor constituting the switch means to the gate terminal of the reverse-flow preventing Pch-type MOS transistor.
【００２７】第１４の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切
換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導
性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギ
による循環電流を流通する電流循環用ＤＭＯＳトランジ
スタと、誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流
通路に挿入され前記スイッチ手段による誘導性負荷への
電流供給時に不導通状態となって前記電流循環用ＤＭＯ
Ｓトランジスタへの電流の流通を阻止するとともに、前
記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に
導通状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳトランジスタ
への循環電流の流通を許容する逆流防止用ＤＭＯＳトラ
ンジスタを設けたものである。According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided an inductive load constant current drive circuit, comprising: switch means for switching whether or not to supply current to the inductive load; A current circulating DMOS transistor for circulating a circulating current due to the stored energy of the inductive load, and a non-conductive state when current is supplied to the inductive load by the switch means inserted into a flow path of the circulating current due to the stored energy of the inductive load; DMO for current circulation
A backflow prevention DMOS transistor that prevents the flow of current to the S transistor and becomes conductive when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means to allow the flow of a circulating current to the current circulating DMOS transistor. Is provided.
【００２８】第１５の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切
換を行うスイッチ用ＤＭＯＳトランジスタからなるスイ
ッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電
流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電
流を流通する電流循環用ＤＭＯＳトランジスタと、誘導
性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入さ
れ前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に
不導通状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳトランジス
タへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手
段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態とな
って前記電流循環用ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流
の流通を許容する逆流防止用ＤＭＯＳトランジスタを設
けたものである。According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided an inductive load constant current drive circuit, comprising: switch means comprising a switching DMOS transistor for switching whether or not to supply a current to the inductive load; A current circulating DMOS transistor that circulates a circulating current due to the accumulated energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped; When the current supply to the current circulating DMOS transistor is stopped, the current is prevented from flowing to the current circulating DMOS transistor. A backflow preventing DMOS transistor that allows circulation of a circulating current is provided.
【００２９】第１６の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切
換を行うスイッチ用ＤＭＯＳトランジスタからなるスイ
ッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電
流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電
流を流通する電流循環用ＤＭＯＳトランジスタと、誘導
性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入さ
れ前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に
不導通状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳトランジス
タへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手
段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態とな
って前記電流循環用ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流
の流通を許容する逆流防止用ＤＭＯＳトランジスタを設
け、かつ、前記電流循環用ＤＭＯＳトランジスタの導通
を制御する導通制御用ＤＭＯＳトランジスタを設けたも
のである。According to a sixteenth aspect of the present invention, there is provided an inductive load constant current drive circuit, comprising: switch means including a switching DMOS transistor for switching whether or not to supply current to the inductive load; A current circulating DMOS transistor that circulates a circulating current due to the accumulated energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped; When the current supply to the current circulating DMOS transistor is stopped, the current is prevented from flowing to the current circulating DMOS transistor. A back-flow preventing DMOS transistor that allows circulation of a circulating current is provided; It is provided with a conduction control DMOS transistor for controlling the conduction of the circulation DMOS transistor.
【００３０】第１７の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切
換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導
性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギ
による循環電流を流通する電流循環用Ｎｃｈ（Ｎチャン
ネル）型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態とな
って前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの
電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手段によ
る誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態となって前
記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環電
流の流通を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトラン
ジスタを設けたものである。According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided an inductive load constant current drive circuit, comprising: switch means for switching whether or not to supply current to the inductive load; A current circulating Nch (N-channel) type DMOS transistor for circulating a circulating current due to the stored energy of the inductive load; When the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, it becomes conductive and becomes nonconductive so that current flow to the Nch type DMOS transistor for current circulation is stopped. An Nch-type DMOS transistor for backflow prevention that allows circulation of a circulating current to the DMOS transistor is provided. It is.
【００３１】第１８の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切
換を行うスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＤＭＯＳ
トランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイッチ用
Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積
エネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｎｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネルギに
よる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ手段によ
る誘導性負荷への電流供給時に不導通状態となって前記
電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの電流の流
通を阻止するとともに、前記スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯ
Ｓトランジスタからなるスイッチ手段による誘導性負荷
への電流供給停止時に導通状態となって前記電流循環用
Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通を許
容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタを設け
たものである。In the inductive load constant current drive circuit according to the eighteenth aspect of the present invention, an Nch (N-channel) type DMOS for a switch for switching whether to supply a current to the inductive load or not.
A switching means comprising a transistor; a current circulating Nch-type DMOS transistor for circulating a circulating current due to energy stored in the inductive load when current supply to the inductive load is stopped by the switching means comprising the switching Nch-type DMOS transistor; Inserted into the flow path of the circulating current due to the stored energy of the inductive load, becomes non-conductive when current is supplied to the inductive load by the switch means, and prevents the current from flowing to the current circulating Nch-type DMOS transistor; Nch type DMO for the switch
A backflow preventing Nch-type DMOS transistor which is turned on when current supply to an inductive load is stopped by a switch means composed of an S transistor and permits the circulation of a circulating current to the current circulating Nch-type DMOS transistor is provided. is there.
【００３２】第１９の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切
換を行うスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＤＭＯＳ
トランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイッチ用
Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積
エネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｎｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネルギに
よる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ用Ｎｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段による誘
導性負荷への電流供給時に不導通状態となって前記電流
循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの電流の流通を
阻止するとともに、前記スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳト
ランジスタからなるスイッチ手段による誘導性負荷への
電流供給停止時に導通状態となって前記電流循環用Ｎｃ
ｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通を許容す
る逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタを設け、か
つ、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタの導
通を制御する導通制御用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型ＤＭ
ＯＳトランジスタを設けたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to the nineteenth aspect, a switch Nch (N-channel) type DMOS for switching whether or not to supply a current to the inductive load.
A switching means comprising a transistor; a current circulating Nch-type DMOS transistor for circulating a circulating current due to energy stored in the inductive load when current supply to the inductive load is stopped by the switching means comprising the switching Nch-type DMOS transistor; Nch for the switch inserted in the flow path of the circulating current by the stored energy of the reactive load
When a current is supplied to the inductive load by the switch means comprising a DMOS transistor, the switch is rendered non-conductive to prevent the current from flowing to the current circulating Nch DMOS transistor, and the switch comprising the switch Nch DMOS transistor The current circulating Nc when the current supply to the inductive load is stopped by the means.
a conduction-control Pch (P-channel) type DM for providing a backflow preventing Nch-type DMOS transistor for allowing circulation of a circulating current to the h-type DMOS transistor and for controlling conduction of the current circulation Nch-type DMOS transistor;
An OS transistor is provided.
【００３３】第２０の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切
換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導
性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギ
による循環電流を流通する電流循環用Ｐｃｈ（Ｐチャン
ネル）型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態とな
って前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの
電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手段によ
る誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態となって前
記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環電
流の流通を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトラン
ジスタを設けたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to the twentieth aspect, a switch means for switching whether to supply a current to the inductive load, and a switch means for stopping the current supply to the inductive load by the switch means A current circulating Pch (P-channel) DMOS transistor for circulating a circulating current due to the stored energy of the inductive load; When the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, it becomes conductive and becomes nonconductive so that current flow to the Pch type DMOS transistor for current circulation is stopped. A Pch-type DMOS transistor for backflow prevention that allows circulation of a circulating current to the DMOS transistor is provided. It is.
【００３４】第２１の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切
換を行うスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＤＭＯＳ
トランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイッチ用
Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積
エネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｐｃｈ
（Ｐチャンネル）型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負
荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前
記スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるス
イッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状
態となって前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジス
タへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ用
Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態となって
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環
電流の流通を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトラ
ンジスタを設けたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to the twenty-first aspect, a switch Nch (N-channel) type DMOS for switching whether or not to supply current to the inductive load.
A current circulating Pch that circulates a circulating current due to energy stored in the inductive load when the supply of current to the inductive load is stopped by the switching means including a transistor and the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor;
When a current is supplied to the inductive load by the switching means including the (P-channel) type DMOS transistor and the circulating current due to the stored energy of the inductive load, the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor is turned off. The current circulating Pch DMOS transistor is prevented from flowing through the current circulating Pch type DMOS transistor, and when the current supply to the inductive load is stopped by the switching means including the switching Nch type DMOS transistor, the current circulating Pch type DMOS transistor becomes conductive. A Pch type DMOS transistor for backflow prevention, which allows circulation of a circulating current to the DMOS transistor, is provided.
【００３５】第２２の発明に係る誘導性負荷定電流駆動
回路では、誘導性負荷への電流供給を行うかどうかの切
換を行うスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＤＭＯＳ
トランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイッチ用
Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積
エネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｐｃｈ
（Ｐチャンネル）型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負
荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前
記スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるス
イッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状
態となって前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジス
タへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ用
Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態となって
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環
電流の流通を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトラ
ンジスタを設け、かつ、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯ
Ｓトランジスタの導通を制御する導通制御用Ｎｃｈ型Ｄ
ＭＯＳトランジスタを設けたものである。In the inductive load constant current drive circuit according to the twenty-second aspect, a switch Nch (N-channel) type DMOS for switching whether or not to supply a current to the inductive load.
A current circulating Pch that circulates a circulating current due to energy stored in the inductive load when the supply of current to the inductive load is stopped by the switching means including a transistor and the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor;
It becomes non-conductive when current is supplied to the inductive load by the switching means including the (P-channel) type DMOS transistor and the circulating current due to the stored energy of the inductive load and the switching Nch type DMOS transistor. The current circulating Pch-type DMOS transistor is prevented from flowing through the current circulating Pch-type DMOS transistor, and when the current supply to the inductive load is stopped by the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor, the current circulating Pch-type DMOS transistor becomes conductive. A backflow preventing Pch-type DMOS transistor that allows circulation of a circulating current to the DMOS transistor;
Nch type D for conduction control for controlling conduction of S transistor
It is provided with a MOS transistor.
【００３６】[0036]
【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明による実
施の形態１を図１ないし図３について説明する。図１
は、この発明による実施の形態１における誘導性負荷定
電流駆動回路の構成を示すものである。図２は逆流防止
用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＭＯＳトランジスタの等価
回路を示すものである。図３は逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタの断面構造を示すものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
5 shows a configuration of an inductive load constant current drive circuit according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 shows an equivalent circuit of an Nch (N-channel) MOS transistor for backflow prevention. Figure 3 shows an Nch-type MO for backflow prevention
3 shows a cross-sectional structure of an S transistor.
【００３７】図において、８は誘導性負荷、１は誘導性
負荷８に電流を流したり，止めたりするための第１のス
イッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ、２は第１のスイッチ手段を構成するスイッチ用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１による誘導性負荷８への
電流供給停止時に誘導性負荷８の蓄積エネルギによる電
流を循環させるための第２のスイッチ手段を構成する電
流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタである。５および
７はそれぞれ誘導性負荷８の両端に一方向のみ流れるよ
うに接続されたダイオードおよびツェナーダイオード、
６ａは第２のスイッチ手段であるＮｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ２により誘導性負荷８の両端Ｔ１，Ｔ２にそのソ
ース端子およびドレイン端子を接続されている逆流防止
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ、３は電流循環用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタ２をＯＮ／ＯＦＦさせるための導
通制御用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジスタ
である。９および１０は信号の極性を合わせるためのイ
ンバータ、４は抵抗、１００は電源端子、２００，３０
０はそれぞれスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１，導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３をＯＮ／
ＯＦＦさせるための信号入力端子、４００は接地端子で
ある。In the figure, reference numeral 8 denotes an inductive load, 1 denotes an Nch type MOS transistor for switching which constitutes first switch means for flowing and stopping a current to and from the inductive load 8, and 2 denotes a first switch. A current circulating Nch-type MOS constituting second switching means for circulating a current due to the energy stored in the inductive load 8 when the current supply to the inductive load 8 is stopped by the switching Nch-type MOS transistor 1 constituting the means. It is a transistor. 5 and 7 are a diode and a Zener diode respectively connected to both ends of the inductive load 8 so as to flow in only one direction;
Reference numeral 6a denotes an Nch-type MOS transistor for backflow prevention whose source terminal and drain terminal are connected to both ends T1 and T2 of the inductive load 8 by an Nch-type MOS transistor 2 as a second switch means.
A conduction control Pch (P-channel) type MOS transistor for turning ON / OFF the type MOS transistor 2. Reference numerals 9 and 10 denote inverters for matching signal polarities, 4 denotes a resistor, 100 denotes a power supply terminal, and 200 and 30.
0 turns on the switching Nch MOS transistor 1 and the conduction control Pch MOS transistor 3 respectively.
A signal input terminal for turning off, and 400 is a ground terminal.
【００３８】逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６
ａおよび電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２は、
スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１がＯＦＦ状態
になることによる誘導性負荷８への電流供給停止時に誘
導性負荷８の蓄積エネルギによる電流を循環させる循環
電流の流通路を構成する。Nch type MOS transistor 6 for backflow prevention
a and the current-circulating Nch-type MOS transistor 2
When the current supply to the inductive load 8 is stopped when the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned off, a circulating current flow path for circulating the current due to the energy stored in the inductive load 8 is formed.
【００３９】逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６
ａは図２に示す等価回路を有し、ソース端子Ｓ（Ｎ）と
ドレイン端子Ｄ（Ｎ）との間においてダイオードと等価
のＰＮ接合を形成するものであって、図１０に示す従来
技術における逆流防止用ダイオード６と同様の逆流防止
機能を奏するものである。Nch type MOS transistor 6 for backflow prevention
a has the equivalent circuit shown in FIG. 2 and forms a PN junction equivalent to a diode between the source terminal S (N) and the drain terminal D (N). It has the same backflow prevention function as the backflow prevention diode 6.
【００４０】逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６
ａの断面構造は図３に示すようなものであり、前記ダイ
オードと等価のＰＮ接合は、バックゲート（基板のＰ型
領域）ＢＧとドレインＤのＮ型領域との間に形成され
る。Nch type MOS transistor 6 for backflow prevention
The sectional structure of “a” is as shown in FIG. 3, and a PN junction equivalent to the diode is formed between the back gate (P-type region of the substrate) BG and the N-type region of the drain D.
【００４１】この回路は、特許２８１５７４４号におけ
る第１の実施例において、出力段の逆流防止用素子とし
てのダイオード６を逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタ６ａに置換え、また、そのゲートに信号入力端子２
００の逆極性の信号を与えることにより、第１のスイッ
チ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ１による誘導性負荷８への電流供給時に電流循環用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２への電流流通を阻止する逆
流防止制御を行わせるものである。This circuit is different from the first embodiment in Japanese Patent No. 2815744 in that the diode 6 serving as a backflow prevention element in the output stage is replaced with a backflow prevention Nch-type MOS transistor 6a, and a signal input terminal 2 is connected to its gate.
By supplying a signal having a reverse polarity of "00" to the inductive load 8 by the switching Nch-type MOS transistor 1 constituting the first switching means, the current N
This is to perform backflow prevention control for preventing current flow to the channel MOS transistor 2.
【００４２】以下で、この回路の動作について説明す
る。まず、信号入力端子２００，３００が「Ｌｏｗ」の
ときは、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１がＯ
ＦＦしているため、誘導性負荷８には電圧がかからず負
荷電流は流れない。The operation of this circuit will be described below. First, when the signal input terminals 200 and 300 are “Low”, the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned off.
Since the FF is performed, no voltage is applied to the inductive load 8 and no load current flows.
【００４３】すなわち、入力端子２００，３００が「Ｌ
ｏｗ」の場合、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１はそのゲート端子電圧が「Ｌｏｗ」のためＯＦＦ状
態、インバータ９の出力が「Ｈｉ」のため導通制御用Ｐ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３はＯＦＦ状態、したがっ
て、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のゲート
端子に電圧が印加されないため、電流循環用Ｎｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタ２はＯＦＦ状態となる。スイッチ用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１がＯＦＦ状態のため、誘導
性負荷８には電圧がかからず、負荷電流は流れないので
ある。That is, when the input terminals 200 and 300
In the case of "low", the switching Nch-type MOS transistor 1 is in the OFF state because its gate terminal voltage is "Low", and the output of the inverter 9 is "Hi".
The channel MOS transistor 3 is in the OFF state, and therefore, no voltage is applied to the gate terminal of the current circulating Nch type MOS transistor 2.
The OS transistor 2 is turned off. N for switch
Since the ch-type MOS transistor 1 is in the OFF state, no voltage is applied to the inductive load 8 and no load current flows.
【００４４】次に、入力端子２００，３００を「Ｈｉ」
にすると、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１お
よび電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２がＯＮ状
態となり、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａ
はＯＦＦ状態となる。スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１がＯＮ状態となることにより、電源端子１００
から誘導性負荷８に負荷電流が流れ始める。Next, the input terminals 200 and 300 are set to "Hi".
Then, the switching Nch-type MOS transistor 1 and the current circulating Nch-type MOS transistor 2 are turned on, and the backflow preventing Nch-type MOS transistor 6a
Is turned off. When the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned on, the power supply terminal 100
, The load current starts flowing to the inductive load 8.
【００４５】すなわち、入力端子２００，３００を「Ｈ
ｉ」にすると、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１はそのゲート端子電圧が「Ｈｉ」のためＯＮ状態、イ
ンバータ９の出力が「Ｌｏｗ」のため導通制御用Ｐｃｈ
型ＭＯＳトランジスタ３はＯＮ状態、したがって、電流
循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のゲート端子に電
圧が印加されるため、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ２はＯＮ状態となるのである。スイッチ用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタ１がＯＮ状態となることにより、
電源端子１００における電源電位である第２の電位ｐ２
と接地端子４００における接地電位である第１の電位ｐ
１との電位差によって誘導性負荷８の両端Ｔ１，Ｔ２に
電圧が印加され負荷電流が流れ始める。ただし、負荷電
流は誘導性負荷８のＬ成分の逆起電力により制限を受け
るため、誘導性負荷８のＬ成分とスイッチ用Ｎｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタ１のＯＮ抵抗と誘導性負荷８の抵抗性
成分で決まる傾きを持ちながら増加する。That is, the input terminals 200 and 300 are set to “H”.
When "i", the switching Nch-type MOS transistor 1 is ON because its gate terminal voltage is "Hi", and the output of the inverter 9 is "Low".
Since the type MOS transistor 3 is in the ON state, that is, a voltage is applied to the gate terminal of the current circulating Nch type MOS transistor 2, the current circulating Nch type MOS transistor 2 is in the ON state. Nch for switch
When the type MOS transistor 1 is turned on,
A second potential p2 which is a power supply potential at the power supply terminal 100
And the first potential p which is the ground potential at the ground terminal 400
A voltage is applied to both ends T1 and T2 of the inductive load 8 due to a potential difference from 1, and a load current starts to flow. However, since the load current is limited by the back electromotive force of the L component of the inductive load 8, the L component of the inductive load 8 and the Nch-type M
It increases while having a slope determined by the ON resistance of the OS transistor 1 and the resistance component of the inductive load 8.
【００４６】スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
がＯＮ状態となっており、誘導性負荷８に負荷電流が供
給されているときには、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ６ａは、そのゲートに信号入力端子２００から
インバータ１０を介して印加される信号が「Ｌｏｗ」で
あって、ＯＦＦ状態にあり、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ２への電流流通は阻止される。Nch MOS transistor 1 for switch
Is in the ON state, and the load current is supplied to the inductive load 8, the Nch-type MOS transistor 6a for backflow prevention uses the signal applied from the signal input terminal 200 through the inverter 10 to the gate thereof. "Low", OFF state, Nch type MOS for current circulation
Current flow to the transistor 2 is blocked.
【００４７】この状態で、入力端子２００を再び「Ｌｏ
ｗ」にすると、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１はＯＦＦし、誘導性負荷８の負荷電流が減少するの
で、逆起電力が今までの反対向きに発生する。このと
き、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａは、信
号入力端子２００からインバータ１０を介して印加され
るゲート信号電圧によって、ＯＮ状態となっているた
め、誘導性負荷８に蓄積されたエネルギによる電流は逆
流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａおよび電流循
環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２を通して循環し、誘
導性負荷８に電流が流れる。In this state, the input terminal 200 is again set to “Lo”.
When “w” is set, the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned off, and the load current of the inductive load 8 decreases, so that the back electromotive force is generated in the opposite direction. At this time, the backflow prevention Nch-type MOS transistor 6a is in the ON state by the gate signal voltage applied from the signal input terminal 200 via the inverter 10, so that the current due to the energy stored in the inductive load 8 Circulates through the backflow prevention Nch-type MOS transistor 6 a and the current circulation Nch-type MOS transistor 2, and a current flows through the inductive load 8.
【００４８】すなわち、入力端子２００を再び「Ｌｏ
ｗ」にすると、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１のゲート電圧が「Ｌｏｗ」となるので、スイッチ用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１がＯＦＦする。これにより
誘導性負荷８の電流が減少するので、逆起電力が今まで
の反対向きに発生し、誘導性負荷８に蓄えられたエネル
ギを放電するために、誘導性負荷８の端子Ｔ１から逆流
防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａおよび電流循環
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２を通して誘導性負荷８
の端子Ｔ２に電流が流れて、誘導性負荷８に電流が循環
するのである。この電流も誘導性負荷８のＬ成分と抵抗
成分ならびに電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２
および逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａのＯ
Ｎ抵抗による電圧降下によって制限されながら減少して
いく。That is, the input terminal 200 is set to “Lo” again.
w ", the gate voltage of the switching Nch-type MOS transistor 1 becomes" Low ".
The channel MOS transistor 1 is turned off. As a result, the current of the inductive load 8 is reduced, so that the back electromotive force is generated in the opposite direction, and the countercurrent flows from the terminal T1 of the inductive load 8 to discharge the energy stored in the inductive load 8. Inductive load 8 through Nch type MOS transistor 6a for prevention and Nch type MOS transistor 2 for current circulation
Current flows through the terminal T2, and the current circulates through the inductive load 8. This current is also the L component and the resistance component of the inductive load 8 and the N-channel MOS transistor 2 for current circulation.
And O of the Nch type MOS transistor 6a for backflow prevention
It decreases while being limited by the voltage drop due to the N resistance.
【００４９】このように、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ６ａは、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタ１がＯＮ状態となることによる誘導性負荷８への負
荷電流供給時にはＯＦＦ状態であり、スイッチ用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタ１がＯＦＦ状態となることによる
誘導性負荷８への負荷電流供給停止時にはＯＮ状態であ
る。As described above, the back-flow preventing Nch-type MOS transistor 6a is in the OFF state when the load current is supplied to the inductive load 8 when the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned on.
When the type MOS transistor 1 is turned off and the load current supply to the inductive load 8 is stopped, the on state is on.
【００５０】ここで、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ６ａは、前述のように、図２に示す等価回路およ
び図３に示す断面構造のような構成を有するものであっ
て、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａのＯＦ
Ｆ状態では、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
のＯＮ動作による誘導性負荷８への電流供給時に逆流防
止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａのバックゲート
（基板のＰ型領域）ＢＧとドレインＤのＮ型領域との間
に形成されるＰＮ接合によって、図１０に示す従来技術
における逆流防止用ダイオード６と同様の逆流防止機能
を奏するものである。Here, as described above, the backflow preventing Nch type MOS transistor 6a has a configuration such as the equivalent circuit shown in FIG. 2 and the sectional structure shown in FIG. OF of MOS transistor 6a
In the F state, the switching Nch-type MOS transistor 1
The PN junction formed between the back gate (P-type region of the substrate) BG of the backflow prevention Nch-type MOS transistor 6a and the N-type region of the drain D at the time of current supply to the inductive load 8 by the ON operation of It has the same backflow prevention function as the backflow prevention diode 6 in the prior art shown in FIG.
【００５１】そして、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ６ａのＯＮ状態では、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ６ａは電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタ２とともに誘導性負荷８への電流循環機能を果たす
ものであるが、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
６ａにおける電圧降下は、そのＯＮ抵抗に相応した極め
て低い値とされるものであり、従来技術の逆流防止用ダ
イオード６の順方向電圧降下と比べて格段に低い値であ
って、その電力消費を極く小さなものとすることができ
る。When the backflow prevention Nch-type MOS transistor 6a is in the ON state, the backflow prevention Nch-type MOS transistor 6a is turned on.
The transistor 6a performs the function of circulating the current to the inductive load 8 together with the Nch-type MOS transistor 2 for current circulation. This is much lower than the forward voltage drop of the backflow prevention diode 6 of the prior art, and the power consumption can be made extremely small.
【００５２】このように、従来技術では逆流防止用ダイ
オード６の順方向電圧ＶＦで電力消費が生じていたが、
逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａに置換える
ことにより、そのＯＮ抵抗分の電力消費に抑えることが
可能になる。As described above, in the prior art, the power consumption is caused by the forward voltage VF of the backflow preventing diode 6.
By substituting the backflow prevention Nch-type MOS transistor 6a, it is possible to suppress power consumption by the ON resistance.
【００５３】したがって、Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
６ａにより構成される逆流防止機能素子における電圧降
下を、そのＯＮ抵抗に相応した極めて低い値とすること
ができるとともに、従来通り、平均的に一定の電流を得
ることができ、その過程で電力損失の低減を図ることが
可能となる。Therefore, the voltage drop in the backflow prevention function element constituted by the Nch type MOS transistor 6a can be set to an extremely low value corresponding to its ON resistance, and a constant current is obtained on average as in the conventional case. And power loss can be reduced in the process.
【００５４】また、誘導性負荷８に流れる電流を急速に
減少させる場合、入力端子３００を「Ｌｏｗ」にし、導
通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３をＯＦＦさせ
る。これにより、電源端子１００から電源電圧としての
電位ｐ２を導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３を
介して印加された電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ２のゲートには、誘導性負荷８の端子Ｔ１と端子Ｔ２
との間の電圧をダイオード５の順方向電圧ＶＦおよびツ
ェナーダイオード７のツェナー電圧ＶＺの和電圧と抵抗
４の抵抗値による電圧降下とにより分圧された電圧が印
加されることになって、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ２のゲートの電位は低下し、電流循環用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタ２のソース・ゲート間電圧が増加
することにより、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ２のドレイン電流は増加する。したがって、電流循環
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２を介して流れる誘導性
負荷８の循環電流は急速に減少する。When the current flowing through the inductive load 8 is to be reduced rapidly, the input terminal 300 is set to "Low" and the conduction control P-channel MOS transistor 3 is turned off. As a result, the terminal T1 of the inductive load 8 and the terminal T1 are connected to the gate of the Nch-type MOS transistor 2 for current circulation in which the potential p2 as the power supply voltage is applied from the power supply terminal 100 via the Pch-type MOS transistor 3 for conduction control. T2
A voltage divided by the sum of the forward voltage VF of the diode 5 and the Zener voltage VZ of the Zener diode 7 and the voltage drop due to the resistance of the resistor 4 is applied. The potential of the gate of the circulating Nch-type MOS transistor 2 decreases, and
As the source-gate voltage of the MOS transistor 2 increases, the drain current of the Nch MOS transistor 2 for current circulation increases. Therefore, the circulating current of the inductive load 8 flowing through the current circulating Nch type MOS transistor 2 rapidly decreases.
【００５５】この場合は、ツェナーダイオード７の電位
差が大きくなることによる電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ２のゲート電圧の変動によって電流循環用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２の導通電流が大きくな
り、、この電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２の
ソース・ドレイン間で消費されるエネルギが大きくなる
とともに、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａ
のＯＮ抵抗におけるエネルギ消費も大きくなって、誘導
性負荷８に貯められたエネルギが急速に放電されること
になり、電流は急速に減少するのである。In this case, a change in the gate voltage of the current-circulating Nch-type MOS transistor 2 due to an increase in the potential difference of the Zener diode 7 causes a current-circulating N-channel MOS transistor 2 to change.
The conduction current of the channel MOS transistor 2 increases, the energy consumed between the source and the drain of the current circulation Nch type MOS transistor 2 increases, and the backflow prevention Nch type MOS transistor 6a
, The energy stored in the inductive load 8 is rapidly discharged, and the current is rapidly reduced.
【００５６】この発明による実施の形態１によれば、誘
導性負荷８への電流供給を行うかどうかの切換を行うス
イッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１からなるスイッ
チ手段と、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１か
らなるスイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止
時に誘導性負荷８の蓄積エネルギによる循環電流を流通
する電流循環用ＭＯＳトランジスタ２と、誘導性負荷８
の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入されスイ
ッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１からなるスイッチ
手段による誘導性負荷８への電流供給時に不導通状態と
なって電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２への電
流の流通を阻止するとともに、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタ１からなるスイッチ手段による誘導性負
荷８への電流供給停止時に導通状態となって電流循環用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２への循環電流の流通を許
容する逆流防止用素子としてＮｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ６ａを設けたので、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１からなるスイッチ手段による誘導性負荷８への
電流供給停止時に電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ２への循環電流の流通を許容する逆流防止用素子をＮ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタによって構成することによ
り、誘導性負荷８の蓄積エネルギによる電流循環路に設
けられる逆流防止用素子における電圧降下を確実に低減
し、その電力損失を抑制することができる効果がある。According to the first embodiment of the present invention, the switching means including the switching Nch-type MOS transistor 1 for switching whether to supply the current to the inductive load 8, and the switching Nch-type MOS transistor 1 A current circulating MOS transistor 2 that circulates a circulating current due to the energy stored in the inductive load 8 when current supply to the inductive load is stopped by the switch means comprising:
When the current is supplied to the inductive load 8 by the switching means including the switching Nch-type MOS transistor 1 and inserted into the flow path of the circulating current due to the accumulated energy of Nch-type MO for switch
The Nch-type MOS transistor 6a is turned on when the current supply to the inductive load 8 is stopped by the switch means composed of the S transistor 1 and allows the circulation of the circulating current to the Nch-type MOS transistor 2 for current circulation. Is provided, a backflow prevention element that allows the circulation of the circulating current to the current circulating Nch-type MOS transistor 2 when the current supply to the inductive load 8 is stopped by the switching means including the switching Nch-type MOS transistor 1 is set to N.
With the configuration using the ch-type MOS transistor, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the energy stored in the inductive load 8 can be reliably reduced, and the power loss can be suppressed.
【００５７】また、この発明による実施の形態１によれ
ば、その第１の端子Ｔ１を第１の電位ｐ１に接続した誘
導性負荷８と、誘導性負荷８の第２の端子Ｔ２と第２の
電位ｐ２との間に接続したＮｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１からなるスイッチ手段と、誘導性負荷８の第２の端子
Ｔ２にそのソースおよびバックゲート端子を接続した電
流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２と、電流循環用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のドレイン端子へそのド
レイン端子を接続し、第１の電位ｐ１へそのソースおよ
びバックゲート端子を接続した逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタ６ａと、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ２のソース端子とゲート端子の間に接続した抵
抗４と、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のゲ
ート端子にそのアノード端子を接続したツェナーダイオ
ード７と、ツェナーダイオード７のカソード端子へその
カソード端子を接続し、第１の電位ｐ１へそのアノード
端子を接続したダイオードと、第２の電位ｐ２へそのソ
ース端子とバックゲート端子を接続し、そのドレイン端
子を電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のゲート
端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
３と、導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３のゲー
ト端子に接続した入力端子３００とを備えたので、スイ
ッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１からなるスイッチ
手段による誘導性負荷８への電流供給停止時に電流循環
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２への循環電流の流通を
許容する逆流防止用素子、および、電流循環用Ｎｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ２の導通を制御する導通制御用ＭＯ
Ｓトランジスタを、Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａお
よびＰｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３によって構成するこ
とにより、誘導性負荷８の蓄積エネルギによる電流循環
路に設けられる逆流防止用素子における電圧降下を確実
に低減し、その電力損失を抑制することができるととも
に、集積回路化を適切に実現できる誘導性負荷定電流駆
動回路を得ることができる効果がある。According to the first embodiment of the present invention, the inductive load 8 having its first terminal T1 connected to the first potential p1, the second terminal T2 of the inductive load 8 and the second A switching means comprising an Nch-type MOS transistor 1 connected to the potential p2 of the inductive load, a current-circulating Nch-type MOS transistor 2 having its source and back gate connected to the second terminal T2 of the inductive load 8, A backflow preventing Nch-type MOS transistor having its drain terminal connected to the drain terminal of a current circulating Nch-type MOS transistor 2 and its source and back gate terminal connected to a first potential p1.
An S transistor 6a, a resistor 4 connected between a source terminal and a gate terminal of the Nch MOS transistor 2 for current circulation, and a Zener diode 7 connected to an anode terminal of the gate terminal of the Nch MOS transistor 2 for current circulation. , The cathode terminal of which is connected to the cathode terminal of the Zener diode 7, the diode whose anode terminal is connected to the first potential p1, the source terminal and the back gate terminal which are connected to the second potential p2, and the drain terminal thereof. Is connected to the gate terminal of the Nch-type MOS transistor 2 for current circulation, and the input terminal 300 connected to the gate terminal of the Pch-type MOS transistor 3 for conduction control. Inducibility by switch means composed of Nch type MOS transistor 1 Reverse current prevention element that allows the flow of the circulating current to a current circulation Nch-type MOS transistor 2 at the time of current supply is stopped to the load 8, and, MO for conducting control for controlling the conduction of current circulating Nch-type MOS transistor 2
By forming the S transistor with the Nch type MOS transistor 6a and the Pch type MOS transistor 3, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the energy stored in the inductive load 8 is reliably reduced, and its power is reduced. It is possible to obtain an inductive load constant current drive circuit capable of suppressing loss and appropriately realizing an integrated circuit.
【００５８】さらに、この発明による実施の形態１によ
れば、その第１の端子Ｔ１を第１の電位ｐ１に接続した
誘導性負荷８と、誘導性負荷８の第２の端子Ｔ２と第２
の電位ｐ２との間に接続したＮｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ１からなるスイッチ手段と、誘導性負荷８の第２の端
子Ｔ２にそのソースおよびバックゲート端子を接続した
電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２と、電流循環
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のドレイン端子へその
ドレイン端子を接続し、第１の電位ｐ１へそのソースお
よびバックゲート端子を接続した逆流防止用Ｎｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタ６ａと、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ２のソース端子とゲート端子の間に接続した
抵抗４と、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２の
ゲート端子にそのアノード端子を接続したツェナーダイ
オード７と、ツェナーダイオード７のカソード端子へそ
のカソード端子を接続し、第１の電位ｐ１へそのアノー
ド端子を接続したダイオードと、第２の電位ｐ２へその
ソース端子とバックゲート端子を接続し、そのドレイン
端子を電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のゲー
ト端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ３と、導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３のゲ
ート端子に接続した入力端子３００とを備え、スイッチ
手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１のゲート端子に入力されるゲート信号を、インバータ
１０を介して逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６
ａのゲート端子に印加するようにしたので、スイッチ用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１からなるスイッチ手段に
よる誘導性負荷８への電流供給停止時に電流循環用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ２への循環電流の流通を許容す
る逆流防止用素子、および、電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ２の導通を制御する導通制御用ＭＯＳトラ
ンジスタを、Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａおよびＰ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ３によって構成し、かつ、ス
イッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１のゲート信号と
同じ信号により逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
６ａの導通を制御することによって、誘導性負荷８の蓄
積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防止用素
子における電圧降下を確実に低減し、その電力損失を抑
制することができるとともに、集積回路化を適切に実現
でき、しかも、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１および逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａの
ゲート駆動回路を共通にして回路構成を簡潔化できる誘
導性負荷定電流駆動回路を得ることができる効果があ
る。Further, according to the first embodiment of the present invention, the inductive load 8 having the first terminal T1 connected to the first potential p1, the second terminal T2 of the inductive load 8 and the second
A switching means comprising an Nch-type MOS transistor 1 connected to the potential p2 of the inductive load, a current-circulating Nch-type MOS transistor 2 having its source and back gate connected to the second terminal T2 of the inductive load 8, A backflow preventing Nch-type MOS transistor having its drain terminal connected to the drain terminal of a current circulating Nch-type MOS transistor 2 and its source and back gate terminal connected to a first potential p1.
An OS transistor 6a, a resistor 4 connected between the source terminal and the gate terminal of the current circulating Nch type MOS transistor 2, and a Zener diode 7 whose anode terminal is connected to the gate terminal of the current circulating Nch type MOS transistor 2. , The cathode terminal of which is connected to the cathode terminal of the Zener diode 7, the diode whose anode terminal is connected to the first potential p1, the source terminal and the back gate terminal which are connected to the second potential p2, and the drain terminal thereof. And an input terminal 300 connected to the gate terminal of the Pch MOS transistor 3 for conduction control, and a switch means. To the gate terminal of the switching Nch-type MOS transistor 1 A gate signal to be force, Nch type for backflow prevention via the inverter 10 MOS transistor 6
Since the voltage is applied to the gate terminal a, the current circulating Nc is stopped when the current supply to the inductive load 8 is stopped by the switching means including the switching Nch type MOS transistor 1.
Backflow prevention element that permits circulation of circulating current to h-type MOS transistor 2 and Nch-type MOS for current circulation
A conduction control MOS transistor for controlling conduction of transistor 2 is composed of Nch-type MOS transistors 6a and P
By controlling the conduction of the backflow prevention Nch-type MOS transistor 6a by the same signal as the gate signal of the switching Nch-type MOS transistor 1, the current caused by the energy stored in the inductive load 8 is constituted by the ch-type MOS transistor 3. The voltage drop in the backflow prevention element provided in the circulation path can be reliably reduced, the power loss thereof can be suppressed, the integrated circuit can be appropriately realized, and the switch Nch type MOS transistor 1 and the backflow prevention There is an effect that an inductive load constant current drive circuit that can simplify the circuit configuration by using a common gate drive circuit for the Nch-type MOS transistor 6a can be obtained.
【００５９】実施の形態２．この発明による実施の形態
２を、図４ないし図６について説明する。図４は、この
発明による実施の形態２における誘導性負荷定電流駆動
回路の構成を示すものである。図５は、逆流防止用Ｐｃ
ｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジスタの等価回路を
示すものである。図６は、逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタの断面構造を示すものである。図４に示す回
路は、特許第２８１５７４４号の第２の実施例におい
て、ダイオード１４をＰｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４
ａに置換え、そのゲートを入力端子２００に接続して、
定電流駆動回路を構成したものである。実施の形態１に
比べ、Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタを用いることによっ
て素子数を減少させることができるのが特徴である。Embodiment 2 Second Embodiment A second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows a configuration of an inductive load constant current drive circuit according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 shows Pc for backflow prevention.
1 shows an equivalent circuit of an h (P-channel) type MOS transistor. FIG. 6 shows a cross-sectional structure of a Pch type MOS transistor for backflow prevention. The circuit shown in FIG. 4 is different from the circuit shown in FIG.
a, the gate of which is connected to the input terminal 200,
This constitutes a constant current drive circuit. Compared to the first embodiment, the feature is that the number of elements can be reduced by using a Pch type MOS transistor.
【００６０】図において、８は誘導性負荷、１は誘導性
負荷８に電流を流したり、止めたりするための第１のス
イッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネ
ル）型ＭＯＳトランジスタ、１３は第１のスイッチ手段
を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１に
よる誘導性負荷８への電流供給停止時に、誘導性負荷８
の蓄積エネルギによる電流を循環させるための、第２の
スイッチ手段を構成する電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタである。５および７はそれぞれ電流循環用Ｐｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のゲート・ドレイン間電圧
をクランプするために接続されたダイオードおよびツェ
ナーダイオード、６ｃはスイッチ手段である導通制御用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１５により電流循環用Ｐｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のゲート・ドレイン間に接
続されているダイオード、１４ａは電流循環用Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１３がＯＦＦ時の逆流防止用のＰｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタである。４は抵抗、１００は電
源端子、２００，３００はそれぞれスイッチ用Ｎｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１，導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ１５をＯＮ／ＯＦＦさせるための信号入力端
子、４００は接地端子である。In the figure, reference numeral 8 denotes an inductive load, 1 denotes an Nch (N-channel) type MOS transistor for a switch which constitutes first switch means for flowing and stopping a current to the inductive load 8, and 13 denotes a MOS transistor. When the current supply to the inductive load 8 by the switching Nch-type MOS transistor 1 constituting the first switch means is stopped, the inductive load 8
A current circulating Pch-type MOS transistor constituting a second switch means for circulating a current due to the stored energy of the Pch type MOS transistor. 5 and 7 are Pc for current circulation, respectively.
A diode and a Zener diode 6c connected to clamp the gate-drain voltage of the h-type MOS transistor 13 are connected to a current-circulating Pc by a conduction controlling Nch-type MOS transistor 15 which is a switch.
A diode 14a is connected between the gate and the drain of the h-type MOS transistor 13. Reference numeral 14a denotes a backflow preventing Pc when the current-circulating Pch-type MOS transistor 13 is OFF.
It is an h-type MOS transistor. Reference numeral 4 denotes a resistor, 100 denotes a power supply terminal, 200 and 300 denote signal input terminals for turning on / off the switching Nch-type MOS transistor 1 and the conduction control Nch-type MOS transistor 15, respectively, and 400 denotes a ground terminal.
【００６１】逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
４ａおよび電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３
は、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１がＯＦＦ
状態になることによる誘導性負荷８への電流供給停止時
に誘導性負荷８の蓄積エネルギによる電流を循環させる
循環電流の流通路を構成する。Pch type MOS transistor 1 for backflow prevention
4a and Pch type MOS transistor 13 for current circulation
Means that the Nch-type MOS transistor for switching 1 is OFF
When a current supply to the inductive load 8 is stopped due to the state, a circulating current flow path for circulating the current by the energy stored in the inductive load 8 is formed.
【００６２】逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
４ａは図５に示す等価回路を有し、ソース端子Ｓ（Ｐ）
とドレイン端子Ｄ（Ｐ）との間においてダイオードと等
価のＰＮ接合を形成するものであって、図４に示す従来
技術における逆流防止用ダイオード６と同様の逆流防止
機能を奏するものである。Pch type MOS transistor 1 for backflow prevention
4a has an equivalent circuit shown in FIG. 5, and has a source terminal S (P).
And a drain terminal D (P) to form a PN junction equivalent to a diode, which has a backflow prevention function similar to that of the backflow prevention diode 6 in the prior art shown in FIG.
【００６３】逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
４ａの断面構造は図６に示すようなものであり、前記ダ
イオードと等価のＰＮ接合は、バックゲート（基板のＮ
型領域）ＢＧとドレインＤのＰ型領域との間に形成され
る。Pch type MOS transistor 1 for backflow prevention
The cross-sectional structure of FIG. 4a is as shown in FIG. 6, and the PN junction equivalent to the diode is a back gate (N of the substrate).
(Type region) formed between the BG and the P-type region of the drain D.
【００６４】以下、動作について説明する。まず、入力
端子２００，３００が「Ｌｏｗ」の場合、スイッチ用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１と導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタ１５はＯＦＦしており、電流循環用Ｐｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のゲート端子は接地端子電
位ｐ１になるので、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタ１３もＯＦＦ状態となっている。スイッチ用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタ１がＯＦＦ状態であることによ
り、誘導性負荷８への負荷電流は流れない。The operation will be described below. First, when the input terminals 200 and 300 are “Low”, the switch N
ch-type MOS transistor 1 and Nch-type MO for conduction control
The S transistor 15 is off and the current circulating Pc
Since the gate terminal of the h-type MOS transistor 13 is at the ground terminal potential p1, the P-type MOS transistor 13 for current circulation is also in the OFF state. Nch for switch
Since the type MOS transistor 1 is in the OFF state, no load current flows to the inductive load 8.
【００６５】次に、入力端子２００，３００を「Ｈｉ」
にすると、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１と
導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１５がＯＮ状態
となり、逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４ａ
はＯＦＦ状態となる。スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１がＯＮするため、負荷電流が誘導性負荷８に流
れ始める。Next, the input terminals 200 and 300 are set to "Hi".
Then, the switching Nch-type MOS transistor 1 and the conduction control Nch-type MOS transistor 15 are turned on, and the backflow preventing Pch-type MOS transistor 14a
Is turned off. Since the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned on, a load current starts flowing to the inductive load 8.
【００６６】すなわち、入力端子２００，３００を「Ｈ
ｉ」にすると、Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１のゲート
端子電圧が「Ｈｉ」のためＯＮ状態、Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ１５のゲート端子電圧が「Ｈｉ」のためＮｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１５はＯＮ状態となるのであ
る。スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１がＯＮ状
態となることにより、電源端子１００における電源電位
である第２の電位ｐ２と接地端子４００における接地電
位である第１の電位ｐ１との電位差によって誘導性負荷
８の両端Ｔ１，Ｔ２に電圧が印加され負荷電流が流れ始
める。ただし，負荷電流は、誘導性負荷８のＬ成分の逆
起電力により制限を受けるため、誘導性負荷８のＬ成分
とスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１のＯＮ抵抗
と誘導性負荷の抵抗成分で決まる傾きを持ちながら増加
する。That is, the input terminals 200 and 300 are set to “H”.
When the gate terminal voltage of the Nch type MOS transistor 1 is “Hi”, the gate terminal voltage of the Nch type MOS transistor 1 is “Hi”.
The h-type MOS transistor 15 is turned on. When the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned on, the inductive load 8 is caused by a potential difference between the second potential p2 which is the power supply potential at the power supply terminal 100 and the first potential p1 which is the ground potential at the ground terminal 400. Voltage is applied to both ends T1 and T2, and the load current starts to flow. However, since the load current is limited by the back electromotive force of the L component of the inductive load 8, it is determined by the L component of the inductive load 8, the ON resistance of the switching Nch type MOS transistor 1, and the resistance component of the inductive load. It increases while having a slope.
【００６７】スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
がＯＮ状態となっており、誘導性負荷８に負荷電流が供
給されているときには、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ１４ａは、そのゲートに信号入力端子２００か
ら印加される信号が「Ｈｉ」であって、ＯＦＦ状態にあ
り、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３への電
流流通は阻止される。Nch MOS transistor 1 for switch
Is in the ON state, and when a load current is supplied to the inductive load 8, the signal applied from the signal input terminal 200 to the gate of the backflow prevention Nch-type MOS transistor 14a is "Hi". Therefore, the current is in the OFF state, and the current flow to the Pch-type MOS transistor 13 for current circulation is blocked.
【００６８】その次に、入力端子２００を再び「Ｌｏ
ｗ」にすると、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１がＯＦＦすることにより、誘導性負荷８の電流が減少
し、逆起電力が今までの反対向きに発生する。このと
き、逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４ａは、
信号入力端子２００から印加されるゲート電圧によっ
て、ＯＮ状態となっているため、誘導性負荷８に蓄積さ
れたエネルギによる電流は逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ１４ａおよび電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ１３を通して循環し、誘導性負荷８に電流が流
れる。Next, the input terminal 200 is again set to “Lo”.
When “w” is set, the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned off, so that the current of the inductive load 8 is reduced, and the back electromotive force is generated in the opposite direction. At this time, the backflow prevention Pch type MOS transistor 14a is
Since the gate voltage applied from the signal input terminal 200 turns ON, the current due to the energy stored in the inductive load 8 flows through the backflow prevention Pch-type MOS transistor 14a and the current circulation Pch-type MOS transistor 13. Circulates and current flows through the inductive load 8.
【００６９】すなわち、入力端子２００を再び「Ｌｏ
ｗ」にすると、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
１がＯＦＦすることにより誘導性負荷８の電流が減少
し、このため逆起電力が今までの反対向きに発生して、
誘導性負荷８に蓄えられたエネルギを放電するために、
誘導性負荷８の端子Ｔ１から逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ１４ａおよび電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ１３を通して誘導性負荷８の端子Ｔ２に電流
が流れて、誘導性負荷８に電流が循環するのである。こ
の電流も誘導性負荷８のＬ成分と抵抗成分と電流循環用
Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３および逆流防止用Ｐｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１４ａのソース・ドレイン間電
圧によって制限されながら減少していく。That is, the input terminal 200 is set to “Lo” again.
w ", the switching Nch-type MOS transistor 1 is turned off, and the current of the inductive load 8 is reduced. Therefore, the back electromotive force is generated in the opposite direction.
To discharge the energy stored in the inductive load 8,
Pch type MOS for preventing backflow from terminal T1 of inductive load 8
A current flows to the terminal T2 of the inductive load 8 through the transistor 14a and the current circulating Pch MOS transistor 13, and the current circulates to the inductive load 8. This current is also the L component and the resistance component of the inductive load 8, the Pch type MOS transistor 13 for current circulation, and the Pc for backflow prevention Pc.
It decreases while being limited by the source-drain voltage of the h-type MOS transistor 14a.
【００７０】このように、逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ１４ａは、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１がＯＮ状態となることによる誘導性負荷８への
負荷電流供給時にはＯＦＦ状態であり、スイッチ用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１がＯＦＦ状態となることによ
る誘導性負荷８への負荷電流供給停止時にはＯＮ状態で
ある。As described above, the backflow preventing Pch-type MOS transistor 14a is in the OFF state when the load current is supplied to the inductive load 8 due to the switching Nch-type MOS transistor 1 being turned ON, and the switch Nc
When the load current supply to the inductive load 8 is stopped due to the h-type MOS transistor 1 being turned off, the transistor is on.
【００７１】ここで、逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１４ａは、前述のように、図５に示す等価回路お
よび図６に示す断面構造のような構成を有するものであ
って、逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４ａの
ＯＦＦ状態では、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ１のＯＮ動作による誘導性負荷８への電流供給時に逆
流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４ａのバックゲ
ート（基板のＮ型領域）ＢＧとドレインＤのＰ型領域と
の間に形成されるＰＮ接合により、図１０に示す従来技
術における逆流防止用ダイオード６と同様の逆流防止機
能を奏するものである。As described above, the backflow preventing Pch type MOS transistor 14a has a structure like the equivalent circuit shown in FIG. 5 and the sectional structure shown in FIG. In the OFF state of the MOS transistor 14a, the back gate (N-type region of the substrate) BG and the drain D of the backflow prevention Pch-type MOS transistor 14a when supplying current to the inductive load 8 by the ON operation of the switching Nch-type MOS transistor 1 A backflow prevention function similar to that of the backflow prevention diode 6 in the prior art shown in FIG.
【００７２】そして、逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１４ａのＯＮ状態では、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタ１４ａは電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ１３とともに誘導性負荷８への電流循環機能を
果たすものであるが、逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１４ａにおける電圧降下は、そのＯＮ抵抗に相応
した極めて低い値とされるものであり、従来技術の逆流
防止用ダイオード６の順方向電圧降下と比べて格段に低
い値であって、その電力消費を極く小さなものとするこ
とができる。When the backflow prevention Pch type MOS transistor 14a is in the ON state, the backflow prevention Nch type MOS transistor 14a is turned on.
The S transistor 14a performs the function of circulating current to the inductive load 8 together with the Pch MOS transistor 13 for current circulation, but the voltage drop in the Pch MOS transistor 14a for preventing backflow is extremely low corresponding to its ON resistance. This is a value that is much lower than the forward voltage drop of the backflow prevention diode 6 of the related art, and the power consumption can be extremely small.
【００７３】このとき、従来の回路では、ダイオード１
４の順方向電圧ＶＦで電力消費が起きていたが、Ｐｃｈ
型ＭＯＳトランジスタ１４ａに置換えることにより、そ
のＯＮ抵抗分の電力消費に低減されることになる。At this time, in the conventional circuit, the diode 1
4, power consumption occurred at the forward voltage VF.
By replacing with the type MOS transistor 14a, power consumption is reduced by the ON resistance.
【００７４】また、電流を急速に減少させる場合には、
入力端子３００を「Ｌｏｗ」にし、導通制御用Ｎｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１５をＯＦＦさせる。これにより、
誘導性負荷８の端子Ｔ１と端子Ｔ２との間の電圧をダイ
オード６ｃの順方向電圧と抵抗４の抵抗値による電圧降
下とにより分圧された電圧が印加されていた電流循環用
Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のゲートには、誘導性
負荷８の端子Ｔ１と端子Ｔ２との間の電圧をダイオード
５の順方向電圧ＶＦおよびツェナーダイオード７のツェ
ナー電圧ＶＺの和電圧と抵抗４の抵抗値による電圧降下
とにより分圧された電圧が印加されることになって、電
流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のゲートの電
位は上昇し、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
３のソース・ゲート間電圧が減少することにより、電流
循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ２のドレイン電流は
増加する。したがって、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタ１３を介して流れる誘導性負荷８の循環電流は
急速に減少する。When the current is rapidly reduced,
The input terminal 300 is set to “Low”, and the conduction control Nch-type MOS transistor 15 is turned off. This allows
A Pch type MOS transistor for current circulation to which a voltage obtained by dividing the voltage between the terminal T1 and the terminal T2 of the inductive load 8 by the forward voltage of the diode 6c and the voltage drop by the resistance value of the resistor 4 is applied. The gate of 13 has a voltage drop between the terminal T1 and the terminal T2 of the inductive load 8 and the sum of the forward voltage VF of the diode 5 and the zener voltage VZ of the zener diode 7 and the resistance of the resistor 4. Is applied, the potential of the gate of the current-circulating Pch-type MOS transistor 13 rises, and the current-circulating Pch-type MOS transistor 1
3, the drain current of the P-channel MOS transistor 2 for current circulation increases. Therefore, the circulating current of the inductive load 8 flowing through the current circulating Pch type MOS transistor 13 rapidly decreases.
【００７５】この場合は、ツェナーダイオード７の電位
差が大きくなることによる電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ１３のゲート電圧の変動によって電流循環用
Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３の導通電流が大きくな
り、、この電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３
のソース・ドレイン間で消費されるエネルギが大きくな
るとともに、逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
４ａのＯＮ抵抗におけるエネルギ消費も大きくなって、
誘導性負荷８に貯められたエネルギが急速に放電される
ことになり、電流は急速に減少するのである。In this case, the conduction current of the current circulating Pch-type MOS transistor 13 increases due to a change in the gate voltage of the current circulating Pch-type MOS transistor 13 due to an increase in the potential difference of the Zener diode 7, and this current circulating occurs. Pch type MOS transistor 13
The energy consumed between the source and the drain of the Pch-type MOS transistor 1 for preventing backflow increases.
The energy consumption at the ON resistance of 4a also increases,
The energy stored in the inductive load 8 will be rapidly discharged, and the current will decrease rapidly.
【００７６】すなわち、Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
をＯＦＦさせただけでは負荷電流は一定の傾きでしか減
少しないため時間がかかるので、誘導性負荷８に流れる
電流を急速に減少させる必要がある場合には、入力端子
３００を「Ｌｏｗ」にし、導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ１５をＯＦＦさせダイオード６ｃを切り離
す。これによって、ＯＮ状態の導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタ１５とダイオード６ｃにより誘導性負荷
８の端子Ｔ１と端子Ｔ２との間の電圧をダイオード６ｃ
の順方向電圧と抵抗４の抵抗値による電圧降下とにより
分圧された電圧が印加されていた電流循環用Ｐｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタ１３のゲートには、ダイオード６ｃの
切り離しにより誘導性負荷８の端子Ｔ１と端子Ｔ２との
間の電圧をダイオード５の順方向電圧ＶＦおよびツェナ
ーダイオード７のツェナー電圧ＶＺの和電圧と抵抗４の
抵抗値による電圧降下とにより分圧された電圧が印加さ
れることになって、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタ１３のゲートの電位は上昇し、電流循環用Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１３のソース・ゲート間電圧が減少
することにより、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ２のドレイン電流は増加する。したがって、電流循環
用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３および逆流防止用Ｐ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４ａを介して流れる誘導性
負荷８の循環電流は急速に減少する。That is, the Nch type MOS transistor 1
Since the load current only decreases at a constant slope simply by turning OFF, it takes time. Therefore, when the current flowing through the inductive load 8 needs to be rapidly reduced, the input terminal 300 is set to “Low”. The conduction control Nch-type MOS transistor 15 is turned off to disconnect the diode 6c. Thereby, the ON-state conduction control Nch-type MO
The voltage between the terminal T1 and the terminal T2 of the inductive load 8 is changed by the S transistor 15 and the diode 6c to the diode 6c.
Pch type M for current circulation to which a voltage divided by the forward voltage of the resistor 4 and the voltage drop due to the resistance value of the resistor 4 is applied.
The voltage between the terminal T1 and the terminal T2 of the inductive load 8 is changed to the sum of the forward voltage VF of the diode 5 and the Zener voltage VZ of the Zener diode 7 and the resistance of the resistor 4 by disconnecting the diode 6c. Of the current circulating Pch-type MOS transistor 13 rises, and the source / gate of the current circulating Pch-type MOS transistor 13 increases. As the inter-voltage decreases, the drain current of the P-channel MOS transistor 2 for current circulation increases. Therefore, the Pch type MOS transistor 13 for current circulation and the P
The circulating current of the inductive load 8 flowing through the channel MOS transistor 14a decreases rapidly.
【００７７】このように本回路でも、従来通りの制御を
行うことができ、消費電力の低減を図ることが可能とな
る。As described above, even with this circuit, control can be performed as before, and power consumption can be reduced.
【００７８】この発明による実施の形態２によれば、そ
の第１の端子Ｔ１を第１の電位ｐ１に接続した誘導性負
荷８と、誘導性負荷８の第２の端子Ｔ２と第２の電位ｐ
２との間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタ１からなるスイッチ手段と、誘導性負荷８の第２の
端子ｐ２にそのドレイン端子を接続した電流循環用Ｐｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１３と、電流循環用Ｐｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタ１３のソース端子とバックゲート端子
を接続し、その端子へそのソース端子とバックゲート端
子を接続し、第１の電位ｐ１へそのドレイン端子を接続
した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４ａと、
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のゲート端
子と第１の電位ｐ１の間に接続した抵抗４と、Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１３のドレイン端子にそのアノード
端子を接続したツェナーダイオード７と、ツェナーダイ
オード７のカソード端子へそのカソード端子を接続し、
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のゲート端
子へそのアノード端子を接続した第１のダイオード５
と、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のドレ
イン端子へそのソース端子とバックゲート端子を接続し
た導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１５と、導通
制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１５のドレイン端子
へそのカソード端子を接続し、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタ１３のゲート端子へそのアノード端子を
接続した第２のダイオード６ｃと、導通制御用Ｎｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１５のゲート端子へ接続した入力端
子３００とを備えたので、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ１からなるスイッチ手段による誘導性負荷８
への電流供給停止時に電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１３への循環電流の流通を許容する逆流防止用素
子、および、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
３の導通を制御する導通制御用ＭＯＳトランジスタを、
Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４ａおよびＮｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタ１５によって構成することにより、誘導
性負荷８の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる
逆流防止用素子における電圧降下を確実に低減し、その
電力損失を抑制することができるとともに、集積回路化
を適切に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路を得るこ
とができる効果がある。According to the second embodiment of the present invention, the inductive load 8 whose first terminal T1 is connected to the first potential p1, the second terminal T2 of the inductive load 8 and the second potential p
And a current circulating Pc having a drain terminal connected to the second terminal p2 of the inductive load 8 and a switching means comprising the switching Nch-type MOS transistor 1 connected between the Pc and the switching terminal.
h-type MOS transistor 13 and Pch-type M for current circulation
A backflow prevention Pch-type MOS transistor 14a having a source terminal connected to a back gate terminal of the OS transistor 13, a source terminal connected to the back gate terminal thereof, and a drain terminal connected to a first potential p1;
A resistor 4 connected between the gate terminal of the current circulating Pch-type MOS transistor 13 and the first potential p1, a Zener diode 7 whose anode terminal is connected to the drain terminal of the Pch-type MOS transistor 13, and a Zener diode 7 Connect the cathode terminal to the cathode terminal,
First diode 5 having its anode terminal connected to the gate terminal of Pch type MOS transistor 13 for current circulation
And a conduction control Nch-type MOS transistor 15 having a source terminal and a back gate terminal connected to the drain terminal of the current circulation Pch-type MOS transistor 13, and a cathode terminal connected to the drain terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor 15. Pch type MO for connection and current circulation
Since it has the second diode 6c whose anode terminal is connected to the gate terminal of the S transistor 13 and the input terminal 300 connected to the gate terminal of the conduction control Nch type MOS transistor 15, the switching Nch type MOS transistor 1 Inductive load 8 by switch means consisting of
Backflow prevention element that allows circulation of a circulating current to current circulating Pch-type MOS transistor 13 when current supply to the Pch-type MOS transistor 13 is stopped, and current circulating Pch-type MOS transistor 1
3, a conduction control MOS transistor for controlling conduction of
Pch type MOS transistor 14a and Nch type MO
By using the S-transistor 15, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the energy stored in the inductive load 8 can be reliably reduced, the power loss can be suppressed, and an integrated circuit can be formed. Has an effect of being able to obtain an inductive load constant current drive circuit that can appropriately realize the above.
【００７９】また、この発明による実施の形態２によれ
ば、その第１の端子Ｔ１を第１の電位ｐ１に接続した誘
導性負荷８と、誘導性負荷８の第２の端子Ｔ２と第２の
電位ｐ２との間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ１からなるスイッチ手段と、誘導性負荷８の
第２の端子ｐ２にそのドレイン端子を接続した電流循環
用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３と、電流循環用Ｐｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のソース端子とバックゲー
ト端子を接続し、その端子へそのソース端子とバックゲ
ート端子を接続し、第１の電位ｐ１へそのドレイン端子
を接続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４
ａと、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のゲ
ート端子と第１の電位ｐ１の間に接続した抵抗４と、Ｐ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のドレイン端子にそのア
ノード端子を接続したツェナーダイオード７と、ツェナ
ーダイオード７のカソード端子へそのカソード端子を接
続し、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３のゲ
ート端子へそのアノード端子を接続した第１のダイオー
ド５と、電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３の
ドレイン端子へそのソース端子とバックゲート端子を接
続した導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１５と、
導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１５のドレイン
端子へそのカソード端子を接続し、電流循環用Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１３のゲート端子へそのアノード端
子を接続した第２のダイオード６ｃと、導通制御用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１５のゲート端子へ接続した入
力端子３００とを備え、スイッチ手段を構成するスイッ
チ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１のゲート端子に入力
されるゲート信号を、逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１４ａのゲート端子に印加するようにしたので、
スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１からなるスイ
ッチ手段による誘導性負荷８への電流供給停止時に電流
循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３への循環電流の
流通を許容する逆流防止用素子、および、電流循環用Ｐ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１３の導通を制御する導通制
御用ＭＯＳトランジスタを、Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ１４ａおよびＮｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１５によっ
て構成し、かつ、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ１のゲート信号と同じ信号により逆流防止用Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１４ａの導通を制御することによっ
て、逆流防止用素子をＰｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４
ａによって構成することにより、誘導性負荷８の蓄積エ
ネルギによる電流循環路に設けられる逆流防止用素子に
おける電圧降下を確実に低減し、その電力損失を抑制す
ることができるとともに、集積回路化を適切に実現で
き、しかも、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１
および逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１４ａの
ゲート駆動回路を共通にして回路構成を簡潔化できる誘
導性負荷定電流駆動回路を得ることができる効果があ
る。According to the second embodiment of the present invention, the inductive load 8 having the first terminal T1 connected to the first potential p1, the second terminal T2 of the inductive load 8 and the second A switching means composed of a switching Nch-type MOS transistor 1 connected to the potential p2, a current circulating Pch-type MOS transistor 13 having its drain terminal connected to the second terminal p2 of the inductive load 8, Pc for circulation
A backflow prevention Pch-type MOS transistor 14 in which the source terminal and the back gate terminal of the h-type MOS transistor 13 are connected, the source terminal and the back gate terminal are connected to the terminal, and the drain terminal is connected to the first potential p1.
a, a resistor 4 connected between the gate terminal of the P-channel MOS transistor 13 for current circulation and the first potential p1,
A Zener diode 7 whose anode terminal is connected to the drain terminal of the channel type MOS transistor 13, and a cathode terminal thereof is connected to the cathode terminal of the Zener diode 7, and the anode terminal thereof is connected to the gate terminal of the current circulating Pch type MOS transistor 13. A first diode 5 connected thereto, a conduction control Nch type MOS transistor 15 having a source terminal and a back gate terminal connected to the drain terminal of the current circulating Pch type MOS transistor 13,
A second diode 6c having its cathode terminal connected to the drain terminal of the Nch-type MOS transistor 15 for conduction control and its anode terminal connected to the gate terminal of the Pch-type MOS transistor 13 for current circulation;
an input terminal 300 connected to the gate terminal of the h-type MOS transistor 15; and a gate signal input to the gate terminal of the switching Nch-type MOS transistor 1 that constitutes the switching means. Since it was applied to the gate terminal,
A backflow prevention element that permits the circulation of a circulating current to the Pch-type MOS transistor 13 for current circulation when the current supply to the inductive load 8 is stopped by the switching means including the Nch-type MOS transistor 1 for switching, and a P for current circulation.
A conduction control MOS transistor for controlling conduction of the channel MOS transistor 13 is constituted by a Pch type MOS transistor 14a and an Nch type MOS transistor 15, and a backflow is prevented by the same signal as the gate signal of the switching Nch type MOS transistor 1. By controlling the conduction of the Pch-type MOS transistor 14a for back-flow,
With the configuration a, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the energy stored in the inductive load 8 can be reliably reduced, the power loss can be suppressed, and the integration of the integrated circuit is appropriately performed. Nch-type MOS transistor 1 for switching
In addition, there is an effect that an inductive load constant current drive circuit which can simplify the circuit configuration by using a common gate drive circuit for the backflow prevention Pch type MOS transistor 14a can be obtained.
【００８０】実施の形態３．この発明による実施の形態
３を、図７および図８について説明する。図７は、この
発明による実施の形態３における誘導性負荷定電流駆動
回路の構成を示すものである。図８は、この発明による
実施の形態３においてスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネ
ル）型ＭＯＳトランジスタ，電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ，導通制御用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型Ｍ
ＯＳトランジスタおよび逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタとして用いられるＤＭＯＳトランジスタの断面
構造を通常のＭＯＳトランジスタと対比して示すもので
ある。Embodiment 3 Third Embodiment A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 shows a configuration of an inductive load constant current drive circuit according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 8 shows an Nch (N-channel) type MOS transistor for switching and an Nch type MOS for current circulation according to the third embodiment of the present invention.
Transistor, Pch (P channel) type M for conduction control
FIG. 3 shows cross-sectional structures of an OS transistor and a DMOS transistor used as a backflow prevention Nch-type MOS transistor in comparison with a normal MOS transistor.
【００８１】図７に示す実施の形態３は、実施の形態１
における図１に示した定電流駆動回路のＮｃｈ型，Ｐｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタをＮｃｈ型，Ｐｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタで構成したものである。The third embodiment shown in FIG.
Of the constant current drive circuit shown in FIG.
N-type and P-channel DMOS h-type MOS transistors
It is composed of transistors.
【００８２】図において、８は誘導性負荷、１ｂは誘導
性負荷８に電流を流したり，止めたりするための第１の
スイッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳト
ランジスタ、２ｂは第１のスイッチ手段を構成するスイ
ッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１ｂによる誘導性
負荷８への電流供給停止時に誘導性負荷８の蓄積エネル
ギによる電流を循環させるための第２のスイッチ手段を
構成する電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタであ
る。５および７はそれぞれ誘導性負荷８の両端Ｔ１，Ｔ
２に一方向のみ流れるように接続されたダイオードおよ
びツェナーダイオード、６ｂは第２のスイッチ手段であ
る電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ２ｂにより
誘導性負荷８の両端Ｔ１，Ｔ２にそのソースおよびドレ
インを接続されている逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトラ
ンジスタ、３ｂは電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジ
スタ２ｂをＯＮ／ＯＦＦさせるための導通制御用Ｐｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタである。９および１０は信号の
極性を合わせるためのインバータ、４は抵抗、１００は
電源端子、２００，３００はそれぞれスイッチ用Ｎｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタ１ｂ，導通制御用Ｐｃｈ型ＤＭ
ＯＳトランジスタ３ｂをＯＮ／ＯＦＦさせるための信号
入力端子、４００は接地端子である。In the figure, 8 is an inductive load, 1b is an Nch-type DMOS transistor for switching which constitutes first switch means for flowing and stopping a current to and from the inductive load 8, and 2b is a first switch. Current circulating Nch-type DMOS constituting second switch means for circulating a current due to energy stored in the inductive load 8 when current supply to the inductive load 8 is stopped by the switching Nch-type DMOS transistor 1b constituting means. It is a transistor. 5 and 7 are both ends T1, T of the inductive load 8, respectively.
A diode and a Zener diode 6b connected so as to flow in only one direction, and a source and a drain connected to both ends T1 and T2 of the inductive load 8 by a current circulating Nch-type DMOS transistor 2b as a second switch means. The backflow prevention Nch-type DMOS transistor 3b is a conduction control Pch for turning on / off the current circulation Nch-type DMOS transistor 2b.
Type DMOS transistor. Reference numerals 9 and 10 denote inverters for matching signal polarities, 4 denotes a resistor, 100 denotes a power supply terminal, and 200 and 300 denote Nch for switches, respectively.
DMOS transistor 1b, Pch type DM for conduction control
A signal input terminal for turning ON / OFF the OS transistor 3b, and 400 is a ground terminal.
【００８３】ここで、ＤＭＯＳトランジスタとは、二重
拡散ＭＯＳと呼ばれているものであって、図８（ａ）に
その縦断面構造を示すように、ソース電極Ｓの拡散領域
が二重拡散層Ｎ- ，Ｎ+ を構成するように二重拡散（Ｄ
ｏｕｂｌｅ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）によって形成され、
ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間にゲート電極Ｇに
印加される電圧に応じて符号ｅ- を付けた矢印で示すよ
うに電子の流れ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃｕｒｒｅｎｔ）
を生成するものである。この電子の流れｅ- は、ソース
電極Ｓから拡散層Ｎ- および拡散層Ｎ+ を通りドレイン
Ｄへ流れるものである。これに対し、図８（ｂ）に示す
通常のＮｃｈ型ＭＯＳトランジスタでは、ソースまたは
ドレインＳ／ＤおよびドレインまたはソースＤ／Ｓの拡
散領域が単一の拡散層Ｐ+ によって構成されている。こ
のような構成により、ＤＭＯＳトランジスタは特性上の
優位性を有している。通常のＭＯＳトランジスタにおけ
る耐圧が５ｖ程度であるのに対して、ＤＭＯＳトランジ
スタは数１０ｖ以上の耐圧を持ち、そのため大電流駆動
が可能となるものである。Here, the DMOS transistor is called a double-diffused MOS, and the diffusion region of the source electrode S is double-diffused as shown in FIG. Double diffusion (D
double Diffusion),
Electron current as shown by the arrow marked with e- in accordance with the voltage applied to the gate electrode G between the source electrode S and the drain electrode D
Is generated. The electron flow e− flows from the source electrode S to the drain D through the diffusion layer N− and the diffusion layer N +. On the other hand, in the normal N-channel MOS transistor shown in FIG. 8B, the source / drain S / D and the diffusion region of the drain / source D / S are constituted by a single diffusion layer P +. With such a configuration, the DMOS transistor has an advantage in characteristics. While the withstand voltage of a normal MOS transistor is about 5 V, the DMOS transistor has a withstand voltage of several tens V or more, so that a large current drive is possible.
【００８４】図７に示す回路の動作は、図１に示す実施
の形態１における動作と同様である。スイッチ用Ｎｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタ１ｂ，電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭ
ＯＳトランジスタ２ｂ，導通制御用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳト
ランジスタ３ｂおよび逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトラ
ンジスタ６ｂが、それぞれ図１におけるスイッチ用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタ１，電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ２，導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ３および逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ６ａ
と同じ動作を行い、全体として図１に示す実施の形態１
における動作と同じ動作を行うものである。The operation of the circuit shown in FIG. 7 is the same as the operation in the first embodiment shown in FIG. Nch for switch
DMOS transistor 1b, Nch DM for current circulation
The OS transistor 2b, the conduction control Pch-type DMOS transistor 3b, and the backflow prevention Nch-type DMOS transistor 6b are respectively connected to the switch Nc in FIG.
h-type MOS transistor 1, Nch-type MOS for current circulation
Transistor 2, conduction control Pch-type MOS transistor 3, and backflow prevention Nch-type MOS transistor 6a
The same operation as in the first embodiment is performed, and the first embodiment shown in FIG.
Performs the same operation as the operation in.
【００８５】この回路構成により、大電流制御が可能
な、誘導性負荷定電流駆動回路を得ることができる。With this circuit configuration, an inductive load constant current drive circuit capable of controlling a large current can be obtained.
【００８６】この発明による実施の形態３によれば、誘
導性負荷８への電流供給を行うかどうかの切換を行うス
イッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１ｂからなるス
イッチ手段と、スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジス
タ１ｂからなるスイッチ手段による誘導性負荷８への電
流供給停止時に誘導性負荷８の蓄積エネルギによる循環
電流を流通する電流循環用ＤＭＯＳトランジスタ２ｂ
と、誘導性負荷８の蓄積エネルギによる循環電流の流通
路に挿入されスイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ
１ｂからなるスイッチ手段による誘導性負荷８への電流
供給時に不導通状態となって電流循環用ＤＭＯＳトラン
ジスタ２ｂへの電流の流通を阻止するとともに、スイッ
チ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１ｂからなるスイッ
チ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態
となって電流循環用ＤＭＯＳトランジスタ２ｂへの循環
電流の流通を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトラ
ンジスタ６ｂを設け、かつ、電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯ
Ｓトランジスタ２ｂの導通を制御する導通制御用Ｐｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタ３ｂを設けたので、電流循環用
ＭＯＳトランジスタ，スイッチ用ＭＯＳトランジスタ，
導通制御用ＭＯＳトランジスタおよび逆流防止用素子を
電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ２ｂ，スイッ
チ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ，導通制御用Ｎｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタ３ｂおよび逆流防止用Ｎｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタ６ｂによって構成することによ
り、誘導性負荷８の蓄積エネルギによる循環電流の流通
路に設けられる逆流防止用素子における電圧降下を確実
に低減して、その電力損失を抑制することができるとと
もに、大電流制御を適切に実現できる誘導性負荷定電流
駆動回路を得ることができる効果がある。According to the third embodiment of the present invention, the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor 1b for switching whether to supply the current to the inductive load 8, and the switching Nch-type DMOS transistor 1b Current circulating DMOS transistor 2b that circulates a circulating current due to the energy stored in inductive load 8 when current supply to inductive load 8 is stopped by switch means comprising
When the current is supplied to the inductive load 8 by the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor 1b inserted into the flow path of the circulating current due to the energy stored in the inductive load 8, the current circulating DMOS transistor is turned off. 2b, the current flowing to the current circulating DMOS transistor 2b becomes conductive when the current supply to the inductive load is stopped by the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor 1b. An Nch-type DMOS transistor 6b for preventing backflow is provided, and an Nch-type DMO for current circulation is provided.
Conduction control Pch for controlling conduction of S transistor 2b
Since the type DMOS transistor 3b is provided, a current circulating MOS transistor, a switching MOS transistor,
An Nch-type DMOS transistor 2b for current circulation, an Nch-type DMOS transistor for switching, and an Nch for conduction control
And the Nch-type DMOS transistor 6b for backflow prevention, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the flow path of the circulating current due to the accumulated energy of the inductive load 8 is reliably reduced. It is possible to obtain an inductive load constant current drive circuit that can suppress power loss and appropriately realize large current control.
【００８７】実施の形態４．この発明による実施の形態
４を図９について説明する。図９はこの発明による実施
の形態４における誘導性負荷定電流駆動回路の構成を示
すものである。Embodiment 4 Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 shows a configuration of an inductive load constant current drive circuit according to Embodiment 4 of the present invention.
【００８８】図において、８は誘導性負荷、１ｂは誘導
性負荷８に電流を流したり、止めたりするための第１の
スイッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネ
ル）型ＤＭＯＳトランジスタ、１３ｂは第１のスイッチ
手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジス
タ１ｂによる誘導性負荷８への電流供給停止時に誘導性
負荷８の蓄積エネルギによる電流を循環させるための第
２のスイッチ手段を構成する電流循環用Ｐｃｈ（Ｐチャ
ンネル）型ＤＭＯＳトランジスタである。５および７は
それぞれ電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１３
ｂのゲート・ドレイン間電圧をクランプするために接続
されたダイオードおよびツェナーダイオード、６ｃは導
通制御用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１５ｂにより電
流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１３ｂのゲート
・ドレイン間に接続されているダイオードである。１４
ｂは電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１３ｂが
ＯＦＦ時の逆流防止用のＰｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ
である。４は抵抗、１００は電源端子、２００，３００
はそれぞれスイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１
ｂ，導通制御用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１５ｂを
ＯＮ／ＯＦＦさせるための信号入力端子、４００は接地
端子である。In the figure, 8 is an inductive load, 1b is an Nch (N-channel) type DMOS transistor for a switch which constitutes first switch means for flowing and stopping a current to and from the inductive load 8, and 13b is Current circulating constituting second switch means for circulating current due to energy stored in inductive load 8 when current supply to inductive load 8 is stopped by switching Nch-type DMOS transistor 1b constituting first switching means. Pch (P-channel) type DMOS transistor. 5 and 7 are Pch type DMOS transistors 13 for current circulation, respectively.
b, a diode and a Zener diode connected to clamp the gate-drain voltage, and 6c a diode connected between the gate and the drain of the current-circulating Pch-type DMOS transistor 13b by the conduction control Nch-type DMOS transistor 15b. It is. 14
b is a Pch-type DMOS transistor for preventing backflow when the current-circulating Pch-type DMOS transistor 13b is OFF. 4 is a resistor, 100 is a power supply terminal, 200, 300
Are Nch-type DMOS transistors for switching 1
b, a signal input terminal for turning on / off the conduction control Pch-type DMOS transistor 15b; and 400, a ground terminal.
【００８９】図９に示す回路の動作は、図４に示す実施
の形態２における動作と同様である。スイッチ用Ｎｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタ１ｂ，電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭ
ＯＳトランジスタ１３ｂ，導通制御用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタ１５ｂおよび逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタ１４ｂが、それぞれ図１におけるスイッチ
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ１，電流循環用Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ１３，導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ１５および逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ１４ａと同じ動作を行い、全体として図４に示す
実施の形態２における動作と同じ動作を行うものであ
る。The operation of the circuit shown in FIG. 9 is the same as the operation in the second embodiment shown in FIG. Nch for switch
Type DMOS transistor 1b, Pch type DM for current circulation
OS transistor 13b, Nch-type DMOS for conduction control
Transistor 15b and Pch-type DMOS for backflow prevention
The transistor 14b performs the same operation as the switching Nch-type MOS transistor 1, the current circulating Pch-type MOS transistor 13, the conduction control Nch-type MOS transistor 15, and the backflow preventing Nch-type MOS transistor 14a in FIG. 1, respectively. The same operation as the operation in the second embodiment shown in FIG. 4 is performed.
【００９０】このように、図４に示す実施の形態２にお
けるＮｃｈ，Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタを、Ｎｃｈ，
Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタで構成することにより、
同じ効果が得られる。As described above, the Nch and Pch type MOS transistors according to the second embodiment shown in FIG.
By using Pch-type DMOS transistors,
The same effect is obtained.
【００９１】この発明による実施の形態４によれば、誘
導性負荷８への電流供給を行うかどうかの切換を行うス
イッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１ｂからなるス
イッチ手段と、前記スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトラン
ジスタ１ｂからなるスイッチ手段による誘導性負荷８へ
の電流供給停止時に誘導性負荷８の蓄積エネルギによる
循環電流を流通する電流循環用ＤＭＯＳトランジスタ１
３ｂと、誘導性負荷８の蓄積エネルギによる循環電流の
流通路に挿入されスイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジ
スタ１ｂからなるスイッチ手段による誘導性負荷８への
電流供給時に不導通状態となって電流循環用Ｐｃｈ型Ｄ
ＭＯＳトランジスタ１３ｂへの電流の流通を阻止すると
ともに、スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１ｂ
からなるスイッチ手段による誘導性負荷８への電流供給
停止時に導通状態となって電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタ１３ｂへの循環電流の流通を許容する逆流
防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１４ｂを設け、か
つ、電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ１３ｂの
導通を制御する導通制御用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジス
タ１５ｂを設けたので、電流循環用ＭＯＳトランジス
タ，スイッチ用ＭＯＳトランジスタ，導通制御用ＭＯＳ
トランジスタおよび逆流防止用素子を電流循環用Ｐｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタ１３ｂ，スイッチ用Ｎｃｈ型Ｄ
ＭＯＳトランジスタ２ｂ，導通制御用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタ１５ｂおよび逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタ１４ｂによって構成することにより、誘導
性負荷８の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に設け
られる逆流防止用素子における電圧降下を確実に低減し
て、その電力損失を抑制することができるとともに、大
電流制御を適切に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路
を得ることができる効果がある。According to the fourth embodiment of the present invention, the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor 1b for switching whether to supply the current to the inductive load 8, and the switching Nch-type DMOS transistor Current circulating DMOS transistor 1 that circulates a circulating current due to the energy stored in inductive load 8 when the supply of current to inductive load 8 is stopped by the switching means 1b
3b and a current circulating Pch which is inserted into the flow path of the circulating current due to the energy stored in the inductive load 8 and is in a non-conductive state when a current is supplied to the inductive load 8 by the switching means including the switching Nch type DMOS transistor 1b. Type D
In addition to blocking the flow of current to the MOS transistor 13b, the switching Nch-type DMOS transistor 1b
P-channel DMOS for current circulation when the current supply to the inductive load 8 is stopped by the switch means
Since the backflow preventing Pch-type DMOS transistor 14b that allows the circulation of the circulating current to the transistor 13b is provided, and the conduction control Nch-type DMOS transistor 15b that controls the conduction of the current circulating Pch-type DMOS transistor 13b is provided. MOS transistor for current circulation, MOS transistor for switch, MOS for conduction control
Pch for current circulation with transistor and backflow prevention element
DMOS transistor 13b, Nch type D for switch
MOS transistor 2b, Nch type DMOS for conduction control
Transistor 15b and Nch-type DMOS for backflow prevention
By using the transistor 14b, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the flow path of the circulating current due to the energy stored in the inductive load 8 can be reliably reduced, and the power loss can be suppressed. There is an effect that an inductive load constant current drive circuit that can appropriately realize current control can be obtained.
【００９２】[0092]
【発明の効果】第１の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ手段を設
け、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停
止時に誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通
させて誘導性負荷の定電流駆動を行うものにおいて、誘
導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入
され、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給
時に不導通状態となって前記循環電流の流通を阻止する
とともに、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流
供給停止時に導通状態となって前記循環電流の流通を許
容する逆流防止用ＭＯＳトランジスタを設けたので、逆
流防止用素子をＭＯＳトランジスタによって構成するこ
とにより、誘導性負荷の蓄積エネルギによる電流循環路
に設けられる逆流防止用素子における電圧降下を確実に
低減して、その電力損失を抑制することができる効果が
ある。According to the first aspect of the present invention, there is provided switch means for switching whether or not to supply current to the inductive load. When the supply of current to the inductive load is stopped by the switch means, the inductive load is switched off. In a system in which the circulating current by the stored energy is circulated to drive the inductive load at a constant current, the circulating current is inserted into the flow path of the circulating current by the stored energy of the inductive load, and the current is not supplied when current is supplied to the inductive load by the switch means. A backflow preventing MOS transistor is provided which is turned on to prevent the circulation current from flowing and allows the circulation current to flow when the switching means stops supplying current to the inductive load. , The backflow preventing element is constituted by a MOS transistor, so that the backflow preventing element provided in the current circulating path by the stored energy of the inductive load is provided. The voltage drop and reliably reduce the use device, there is an effect that it is possible to suppress the power loss.
【００９３】第２の発明によれば、誘導性負荷への電流
供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ手段と、前記
スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘
導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流
循環用ＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネル
ギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ手段
による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態となって
前記電流循環用ＭＯＳトランジスタへの電流の流通を阻
止するとともに、前記スイッチ手段による誘導性負荷へ
の電流供給停止時に導通状態となって前記電流循環用Ｍ
ＯＳトランジスタへの循環電流の流通を許容する逆流防
止用ＭＯＳトランジスタを設けたので、スイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に前記電流循環用Ｍ
ＯＳトランジスタへの循環電流の流通を許容する逆流防
止用素子をＭＯＳトランジスタによって構成することに
より、誘導性負荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設
けられる逆流防止用素子における電圧降下を確実に低減
して、その電力損失を抑制することができる効果があ
る。According to the second aspect of the present invention, the switch means for switching whether to supply the current to the inductive load or not, and the energy stored in the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. A current circulating MOS transistor that circulates a circulating current; and a current circulating MOS transistor that is inserted into a flow path of the circulating current due to stored energy of the inductive load and becomes non-conductive when current is supplied to the inductive load by the switch means. In addition to blocking the flow of current to the transistor, the switch is turned on when current supply to the inductive load is stopped by the switch means, and the current circulating M
Since the MOS transistor for backflow prevention which allows the circulation of the circulating current to the OS transistor is provided, the current circulating M is not supplied when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means.
The MOS transistor constitutes a backflow prevention element that allows circulation of a circulating current to the OS transistor, thereby reliably reducing a voltage drop in a backflow prevention element provided in a current circulation path due to accumulated energy of an inductive load. This has the effect of suppressing the power loss.
【００９４】第３の発明によれば、誘導性負荷への電流
供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ手段と、前記
スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘
導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流
循環用ＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネル
ギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ手段
による誘導性負荷への電流供給時に導通用ゲート信号入
力を遮断されて前記電流循環用ＭＯＳトランジスタへの
電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手段によ
る誘導性負荷への電流供給停止時に導通用ゲート信号入
力を印加されて前記電流循環用ＭＯＳトランジスタへの
循環電流の流通を許容する逆流防止用ＭＯＳトランジス
タを設けたので、前記スイッチ手段による誘導性負荷へ
の電流供給停止時に前記電流循環用ＭＯＳトランジスタ
への循環電流の流通を許容する逆流防止用素子を前記ス
イッチ手段による誘導性負荷への電流供給または停止に
応じてゲート入力を印加されるＭＯＳトランジスタによ
って構成することにより、誘導性負荷の蓄積エネルギに
よる電流循環路に設けられる逆流防止用素子における電
圧降下を確実に低減して、その電力損失を抑制すること
ができる効果がある。According to the third aspect of the present invention, the switch means for switching whether to supply the current to the inductive load or not, and the energy stored in the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. A current circulating MOS transistor that circulates a circulating current, and a conduction gate signal input that is inserted into a flow path of the circulating current due to the stored energy of the inductive load and is interrupted when current is supplied to the inductive load by the switch means; The current flow to the circulating MOS transistor is prevented, and the conduction gate signal input is applied when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means to allow the circulating current to flow to the current circulating MOS transistor. When the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, A backflow prevention element which allows the circulation of a circulating current to the current circulating MOS transistor is constituted by a MOS transistor to which a gate input is applied in response to a current supply or a stop to an inductive load by the switch means. This has the effect of reliably reducing the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load, thereby suppressing the power loss.
【００９５】第４の発明によれば、誘導性負荷への電流
供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ手段と、前記
スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘
導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流
循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄
積エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイ
ッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態
となって前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタへ
の電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態となって
前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの循環電
流の流通を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタを設けたので、前記スイッチ手段による誘導性負荷
への電流供給停止時に前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタへの循環電流の流通を許容する逆流防止用素
子をＮｃｈ型ＭＯＳトランジスタによって構成すること
により、誘導性負荷の蓄積エネルギによる電流循環路に
設けられる逆流防止用素子における電圧降下を確実に低
減して、その電力損失を抑制することができる効果があ
る。According to the fourth aspect of the present invention, the switch means for switching whether to supply the current to the inductive load or not, and using the stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. A current circulating Nch-type MOS transistor that circulates a circulating current; and a current circulating state that is inserted into a flow path of the circulating current due to stored energy of the inductive load and becomes nonconductive when the switch supplies current to the inductive load. In addition to preventing the current from flowing to the Nch-type MOS transistor for use, when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, the conductive state is established to allow the flow of the circulating current to the Nch-type MOS transistor for current circulation. Since the Nch type MOS transistor for preventing backflow is provided, the current supply to the inductive load by the switch means is stopped. A backflow preventing element provided in a current circulating path due to accumulated energy of an inductive load is constituted by an Nch type MOS transistor as a backflow preventing element which allows a circulating current to flow to the current circulating Nch type MOS transistor. This has the effect of reliably reducing the voltage drop at, and suppressing the power loss.
【００９６】第５の発明によれば、その第１の端子を第
１の電位に接続した誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第
２の端子と第２の電位との間に接続したスイッチ手段
と、前記誘導性負荷の第２の端子にそのソース端子を接
続した電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記
電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子
と前記第１の電位にそのドレイン端子とソース端子を接
続した逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記
電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子と
ゲート端子の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子にそのアノード端
子を接続したツェナーダイオードと、前記ツェナーダイ
オードのカソード端子へそのカソード端子を接続し、前
記第１の電位へそのアノード端子を接続したダイオード
と、前記第２の電位へそのソース端子を接続し、そのド
レイン端子を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タのゲート端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタと、前記導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子に接続した入力端子とを備えたので、
電流循環用ＭＯＳトランジスタ，導通制御用ＭＯＳトラ
ンジスタおよび逆流防止用素子をそれぞれソース，ドレ
インおよびゲート端子を適切に接続された電流循環用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタ，導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタおよび逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタによって構成することにより、誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる電流循環路に設けられる逆流防止用素子に
おける電圧降下を確実に低減して、その電力損失を抑制
することができるとともに、集積回路化を適切に実現で
きる効果がある。According to the fifth aspect, an inductive load whose first terminal is connected to the first potential, and a switch connected between the second terminal of the inductive load and the second potential. Means, a current circulating Nch-type MOS transistor having a source terminal connected to a second terminal of the inductive load, a drain terminal of the current circulating Nch-type MOS transistor, and a drain terminal connected to the first potential. A backflow prevention Nch-type MOS transistor having a source terminal connected thereto, a resistor connected between a source terminal and a gate terminal of the current circulation Nch-type MOS transistor,
a Zener diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the h-type MOS transistor, a diode having its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode, and having its anode terminal connected to the first potential; And a drain terminal connected to the gate terminal of the current-circulating Nch-type MOS transistor and a gate terminal of the conduction-controlling Pch-type MOS transistor. With the input terminal
The current circulating MOS transistor, the conduction controlling MOS transistor and the backflow preventing element are each connected to the source, drain and gate terminals of a current circulating N appropriately connected.
ch type MOS transistor, Pch type MOS for conduction control
By comprising the transistor and the Nch-type MOS transistor for backflow prevention, it is possible to surely reduce the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load, and to suppress the power loss. In addition to this, there is an effect that an integrated circuit can be appropriately realized.
【００９７】第６の発明によれば、その第１の端子を第
１の電位に接続した誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第
２の端子と第２の電位との間に接続したスイッチ手段
と、前記誘導性負荷の第２の端子にそのソースおよびバ
ックゲート端子を接続した電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタと、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのドレイン端子へそのドレイン端子を接続し、前記
第１の電位へそのソースおよびバックゲート端子を接続
した逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電
流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲ
ート端子の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタのゲート端子にそのアノード端子
を接続したツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオ
ードのカソード端子へそのカソード端子を接続し、前記
第１の電位へそのアノード端子を接続したダイオード
と、前記第２の電位へそのソース端子とバックゲート端
子を接続し、そのドレイン端子を前記電流循環用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へ接続した導通制御
用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｐｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続した入力端
子とを備えたので、電流循環用ＭＯＳトランジスタ，導
通制御用ＭＯＳトランジスタおよび逆流防止用素子をそ
れぞれソース，ドレイン，ゲートおよびバックゲート端
子を適切に接続された電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタ，導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタおよび
逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタによって構成す
ることにより、誘導性負荷の蓄積エネルギによる電流循
環路に設けられる逆流防止用素子における電圧降下を確
実に低減して、その電力損失を抑制することができると
ともに、集積回路化を適切に実現できる効果がある。According to the sixth aspect, an inductive load having its first terminal connected to the first potential, and a switch connected between the second terminal of the inductive load and the second potential. Means, a current circulating Nch-type MOS transistor having a source and a back gate terminal connected to a second terminal of the inductive load, and a drain terminal connected to a drain terminal of the current circulating Nch-type MOS transistor; A back-flow preventing Nch-type MOS transistor having its source and back gate connected to the first potential, a resistor connected between the source terminal and the gate terminal of the current circulating Nch-type MOS transistor, Nch
A Zener diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the type MOS transistor, a diode having its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode, and having its anode terminal connected to the first potential; The source terminal and the back gate terminal are connected to a potential, and the drain terminal is connected to the current circulating Nch.
Control Pch-type MOS transistor connected to the gate terminal of the gate type MOS transistor;
Since the input terminal connected to the gate terminal of the h-type MOS transistor is provided, the current circulating MOS transistor, the conduction controlling MOS transistor, and the backflow preventing element are appropriately connected to the source, drain, gate and back gate terminals, respectively. The current circulating Nch-type MOS transistor, the conduction controlling Pch-type MOS transistor and the backflow-preventing Nch-type MOS transistor, the voltage drop in the backflow preventing element provided in the current circulating path due to the accumulated energy of the inductive load. , The power loss can be suppressed, and an effect of appropriately realizing an integrated circuit can be obtained.
【００９８】第７の発明によれば、その第１の端子を第
１の電位に接続した誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第
２の端子と第２の電位との間に接続したスイッチ用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記
誘導性負荷の第２の端子にそのソース端子を接続した電
流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子と前記第
１の電位にそのドレイン端子とソース端子を接続した逆
流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲート端
子の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタのゲート端子にそのアノード端子を接続
したツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードの
カソード端子へそのカソード端子を接続し、前記第１の
電位へそのアノード端子を接続したダイオードと、前記
第２の電位へそのソース端子を接続し、そのドレイン端
子を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲー
ト端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タと、前記導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲ
ート端子に接続した入力端子とを備え、前記スイッチ手
段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ゲート端子に入力されるゲート信号をインバータを介し
て前記逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート
端子に印加するようにしたので、電流循環用ＭＯＳトラ
ンジスタおよび逆流防止用素子をそれぞれソース，ドレ
インおよびゲート端子を適切に接続されたＮｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタによって構成することにより、誘導性負
荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防
止用素子における電圧降下を確実に低減して、その電力
損失を抑制することができるとともに、集積回路化を適
切に実現でき、しかもスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタおよび逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ゲート駆動回路を共通にして回路構成を簡潔化できる効
果がある。According to the seventh aspect, an inductive load having its first terminal connected to the first potential, and a switch connected between the second terminal of the inductive load and the second potential. For Nc
switch means comprising an h-type MOS transistor; a current circulating Nch-type MOS transistor having a source terminal connected to a second terminal of the inductive load; a drain terminal of the current circulating Nch-type MOS transistor; A Nch-type MOS transistor for preventing reverse current whose drain terminal and source terminal are connected to the potential of the Nch-type MOS transistor for current circulation, a resistor connected between a source terminal and a gate terminal of the Nch-type MOS transistor for current circulation,
A Zener diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the S transistor, a diode having its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode, and having its anode terminal connected to the first potential; A conduction control Pch-type MOS transistor having a source terminal connected to the drain terminal and a drain terminal connected to the gate terminal of the current circulation Nch-type MOS transistor, and an input connected to the gate terminal of the conduction control Pch-type MOS transistor. And a gate signal input to the gate terminal of the switching Nch-type MOS transistor constituting the switch means is applied to the gate terminal of the backflow preventing Nch-type MOS transistor via an inverter. MOS transistor for current circulation and reverse Source prevention element, respectively, the drain and gate terminals appropriately connected to been Nch type MO
By using the S transistor, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the stored energy of the inductive load can be surely reduced, and the power loss can be suppressed. There is an effect that the circuit configuration can be simplified by using a common gate drive circuit for the Nch-type MOS transistor for switching and the Nch-type MOS transistor for backflow prevention.
【００９９】第８の発明によれば、その第１の端子を第
１の電位に接続した誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第
２の端子と第２の電位との間に接続したスイッチ用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記
誘導性負荷の第２の端子にそのソースおよびバックゲー
ト端子を接続した電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タと、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのド
レイン端子へそのドレイン端子を接続し、前記第１の電
位へそのソースおよびバックゲート端子を接続した逆流
防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲート端子
の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタのゲート端子にそのアノード端子を接続し
たツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードのカ
ソード端子へそのカソード端子を接続し、前記第１の電
位へそのアノード端子を接続したダイオードと、前記第
２の電位へそのソース端子とバックゲート端子を接続
し、そのドレイン端子を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタのゲート端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ
型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタのゲート端子に接続した入力端子とを備
え、前記スイッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタのゲート端子に入力されるゲート信号
をインバータを介して前記逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタのゲート端子に印加するようにしたので、電
流循環用ＭＯＳトランジスタおよび逆流防止用素子をそ
れぞれソース，ドレイン，ゲートおよびバックゲート端
子を適切に接続されたＮｃｈ型ＭＯＳトランジスタによ
って構成することにより、誘導性負荷の蓄積エネルギに
よる電流循環路に設けられる逆流防止用素子における電
圧降下を確実に低減して、その電力損失を抑制すること
ができるとともに、集積回路化を適切に実現でき、しか
も、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタおよび逆流
防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート駆動回路を
共通にして回路構成を簡潔化できる効果がある。According to the eighth aspect, an inductive load having the first terminal connected to the first potential, and a switch connected between the second terminal of the inductive load and the second potential. For Nc
a switching means comprising an h-type MOS transistor; a current circulating Nch-type MOS transistor having a source and a back gate connected to a second terminal of the inductive load; and a drain terminal of the current circulating Nch-type MOS transistor. A backflow prevention Nch-type MOS transistor having its drain terminal connected and its source and back gate terminals connected to the first potential, and a source terminal and a gate terminal of the current circulation Nch-type MOS transistor. Resistance and Nch type MOS for current circulation
A Zener diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the transistor, a diode having its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode and having its anode terminal connected to the first potential, and a diode having the anode terminal connected to the second potential. The source terminal and the back gate terminal are connected, and the drain terminal is connected to the current circulating Nch type MOS.
Pch for conduction control connected to the gate terminal of transistor
MOS transistor and the Pch-type MO for controlling conduction.
An input terminal connected to the gate terminal of the S transistor;
Since the gate signal input to the gate terminal of the OS transistor is applied to the gate terminal of the backflow preventing Nch-type MOS transistor via the inverter, the current circulating MOS transistor and the backflow preventing element are connected to the source and drain, respectively. , The gate and the back gate terminal are constituted by appropriately connected Nch type MOS transistors, whereby the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load can be reliably reduced. Power loss can be suppressed, an integrated circuit can be appropriately realized, and the circuit configuration can be simplified by using a common gate drive circuit for the switching Nch-type MOS transistor and the backflow preventing Nch-type MOS transistor. There is.
【０１００】第９の発明によれば、誘導性負荷への電流
供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ手段と、前記
スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘
導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流
循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄
積エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイ
ッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態
となって前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタへ
の電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態となって
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの循環電
流の流通を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタを設けたので、逆流防止用素子をＰｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタによって構成することにより、誘導性負荷の
蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防止用
素子における電圧降下を確実に低減して、その電力損失
を抑制することができる効果がある。According to the ninth aspect, the switch means for switching whether or not to supply the current to the inductive load, and the switch means uses the stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped. A current circulating Pch-type MOS transistor that circulates a circulating current; and a current circulating state that is inserted into a circulation path of the circulating current due to stored energy of the inductive load and becomes nonconductive when the switch supplies current to the inductive load. In addition to preventing the current from flowing to the current Pch-type MOS transistor, the switch is turned on when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, thereby allowing the circulation of the current to the current-circulating Pch-type MOS transistor. Since a Pch-type MOS transistor for backflow prevention is provided, the Pch-type MOS transistor is used as a backflow prevention element. By construction, the voltage drop reliably reduced in the backflow prevention element provided current circulation path by the stored energy of the inductive load, there is an effect that it is possible to suppress the power loss.
【０１０１】第１０の発明によれば、その第１の端子を
第１の電位に接続した誘導性負荷と、前記誘導性負荷の
第２の端子と第２の電位との間に接続したスイッチ手段
と、前記誘導性負荷の第２の端子にそのドレイン端子を
接続した電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前
記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子
と前記第１の電位にそのソース端子とドレイン端子を接
続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子と
前記第１の電位の間に接続した抵抗と、前記電流循環用
Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子にそのアノ
ード端子を接続したツェナーダイオードと、前記ツェナ
ーダイオードのカソード端子へそのカソード端子を接続
し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲー
ト端子へそのアノード端子を接続した第１のダイオード
と、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレ
イン端子へそのソース端子を接続した導通制御用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタのドレイン端子へそのカソード端子を接
続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲ
ート端子へそのアノード端子を接続した第２のダイオー
ドと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲ
ート端子へ接続した入力端子とを備えたので、電流循環
用ＭＯＳトランジスタ，導通制御用ＭＯＳトランジスタ
および逆流防止用素子をそれぞれソース，ドレインおよ
びゲート端子を適切に接続された電流循環用Ｐｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタ，導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタおよび逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタによ
って構成することにより、誘導性負荷の蓄積エネルギに
よる電流循環路に設けられる逆流防止用素子における電
圧降下を確実に低減して、その電力損失を抑制すること
ができるとともに、集積回路化を適切に実現できる効果
がある。According to the tenth aspect, an inductive load having the first terminal connected to the first potential, and a switch connected between the second terminal of the inductive load and the second potential. Means, a current circulating Pch MOS transistor having a drain terminal connected to a second terminal of the inductive load, a source terminal of the current circulating Pch MOS transistor, and a source terminal connected to the first potential. A backflow prevention Pch-type MOS transistor having a drain terminal connected thereto, a resistor connected between the gate terminal of the current circulating Pch-type MOS transistor and the first potential, and a drain terminal of the current circulating Pch-type MOS transistor; A Zener diode whose anode terminal is connected to the cathode terminal of the Zener diode, and a cathode terminal of the Zener diode connected to the cathode terminal of the Zener diode. Pch-type a first diode connected to the anode terminal to the gate terminal of the MOS transistor, the current circulating Pch-type MOS transistor Nch for conducting control connect the source terminal to the drain terminal of the
MOS transistor and the conduction control Nch type MO
A cathode terminal is connected to the drain terminal of the S transistor, and a second diode whose anode terminal is connected to the gate terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation, and a gate terminal of the Nch-type MOS transistor for controlling conduction. And a current circulating MOS transistor, a conduction controlling MOS transistor, and a backflow prevention element, respectively. A current circulating Pch type M having appropriately connected source, drain and gate terminals.
By comprising the OS transistor, the Nch-type MOS transistor for conduction control, and the Pch-type MOS transistor for backflow prevention, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load can be reliably reduced. This has the effect of suppressing the power loss and appropriately realizing the integration.
【０１０２】第１１の発明によれば、その第１の端子を
第１の電位に接続した誘導性負荷と、前記誘導性負荷の
第２の端子と第２の電位との間に接続したスイッチ手段
と、前記誘導性負荷の第２の端子にそのドレイン端子を
接続した電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前
記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子
とバックゲート端子を接続し、その端子へそのソース端
子とバックゲート端子を接続し、第１の電位へそのドレ
イン端子を接続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ゲート端子と前記第１の電位の間に接続した抵抗と、前
記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端
子にそのアノード端子を接続したツェナーダイオード
と、前記ツェナーダイオードのカソード端子へそのカソ
ード端子を接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのゲート端子へそのアノード端子を接続した第
１のダイオードと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのドレイン端子へそのソース端子とバックゲー
ト端子を接続した導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのド
レイン端子へそのカソード端子を接続し、前記電流循環
用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へそのアノ
ード端子を接続した第２のダイオードと、前記導通制御
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へ接続した
入力端子とを備えたので、電流循環用ＭＯＳトランジス
タ，導通制御用ＭＯＳトランジスタおよび逆流防止用素
子をそれぞれソース，ドレイン，ゲートおよびバックゲ
ート端子を適切に接続された電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ，導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
および逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタによって
構成することにより、誘導性負荷の蓄積エネルギによる
電流循環路に設けられる逆流防止用素子における電圧降
下を確実に低減して、その電力損失を抑制することがで
きるとともに、集積回路化を適切に実現できる効果があ
る。According to the eleventh aspect, an inductive load having the first terminal connected to the first potential, and a switch connected between the second terminal of the inductive load and the second potential. Means, a current circulating Pch-type MOS transistor having a drain terminal connected to a second terminal of the inductive load, and a source terminal and a back gate terminal of the current circulating Pch-type MOS transistor connected to the terminal. A backflow preventing Pch-type MOS transistor having its source terminal connected to its back-gate terminal and its drain terminal connected to a first potential; and between a gate terminal of the current-circulating Pch-type MOS transistor and the first potential. A Zener diode having an anode terminal connected to the drain terminal of the Pch type MOS transistor for current circulation, and a Zener diode connected to the Zener diode. A first diode whose cathode terminal is connected to the cathode terminal of the diode and whose anode terminal is connected to the gate terminal of the P-channel MOS transistor for current circulation; and a source connected to the drain terminal of the P-channel MOS transistor for current circulation. A conduction control Nch-type MOS transistor having a terminal connected to a back gate terminal, a cathode terminal connected to the drain terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor, and an anode connected to the gate terminal of the current circulation Pch-type MOS transistor. A second diode having a terminal connected thereto; and an input terminal connected to a gate terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor, so that the current circulation MOS transistor, the conduction control MOS transistor, and the backflow prevention element are each provided. Source, drain, game And a back gate well-connected current circulation Pch-MOS terminals
By comprising the transistor, the Nch-type MOS transistor for conduction control, and the Pch-type MOS transistor for backflow prevention, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the energy stored in the inductive load can be reliably reduced. There is an effect that the power loss can be suppressed and an integrated circuit can be appropriately realized.
【０１０３】第１２の発明によれば、その第１の端子を
第１の電位に接続した誘導性負荷と、前記誘導性負荷の
第２の端子と第２の電位との間に接続したスイッチ用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前
記誘導性負荷の第２の端子にそのドレイン端子を接続し
た電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流
循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子と前記
第１の電位にそのソース端子とドレイン端子を接続した
逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循
環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子と前記第
１の電位の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｐｃｈ
型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子にそのアノード端
子を接続したツェナーダイオードと、前記ツェナーダイ
オードのカソード端子へそのカソード端子を接続し、前
記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子
へそのアノード端子を接続した第１のダイオードと、前
記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端
子へそのソース端子を接続した導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのドレイン端子へそのカソード端子を接続し、
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端
子へそのアノード端子を接続した第２のダイオードと、
前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端
子へ接続した入力端子とを備え、前記スイッチ手段を構
成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート
端子に入力されるゲート信号を前記逆流防止用Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタのゲート端子に印加するようにした
ので、電流循環用ＭＯＳトランジスタ，導通制御用ＭＯ
Ｓトランジスタおよび逆流防止用素子をそれぞれソー
ス，ドレインおよびゲート端子を適切に接続された電流
循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ，導通制御用Ｎｃｈ
型ＭＯＳトランジスタおよび逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタによって構成することにより、誘導性負荷
の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防止
用素子における電圧降下を確実に低減して、その電力損
失を抑制することができるとともに、集積回路化を適切
に実現でき、しかも、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタおよび逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ゲート駆動回路を共通にして回路構成を簡潔化できる効
果がある。According to the twelfth aspect, an inductive load having the first terminal connected to the first potential, and a switch connected between the second terminal of the inductive load and the second potential. For N
a switching means comprising a ch-type MOS transistor; a current-circulating Pch-type MOS transistor having a drain terminal connected to a second terminal of the inductive load; a source terminal of the current-circulating Pch-type MOS transistor; A Pch-type MOS transistor for preventing backflow, the source terminal and the drain terminal of which are connected to the potential of the Pch-type MOS transistor; a resistor connected between the gate terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation and the first potential; Pch
A Zener diode having its anode terminal connected to the drain terminal of the MOS transistor; a cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode; and an anode terminal connected to the gate terminal of the Pch MOS transistor for current circulation. And a conduction control Nch-type MO having a source terminal connected to a drain terminal of the current-circulating Pch-type MOS transistor.
An S transistor and a cathode terminal connected to a drain terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor;
A second diode having an anode terminal connected to the gate terminal of the Pch type MOS transistor for current circulation;
An input terminal connected to the gate terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor, wherein the gate signal input to the gate terminal of the switching Nch-type MOS transistor constituting the switch means is supplied to the backflow prevention Pch-type MOS transistor. Is applied to the gate terminal of the MOS transistor for current circulation and the MO for conduction control.
An S transistor and a backflow prevention element are a Pch-type MOS transistor for current circulation, and a Nch for conduction control, with source, drain and gate terminals connected appropriately.
MOS transistor and Pch type MOS for backflow prevention
By using transistors, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the energy stored in the inductive load can be reliably reduced, and the power loss can be suppressed. In addition, the circuit configuration can be simplified by using a common gate drive circuit for the switching N-channel MOS transistor and the back-flow preventing P-channel MOS transistor.
【０１０４】第１３の発明によれば、その第１の端子を
第１の電位に接続した誘導性負荷と、前記誘導性負荷の
第２の端子と第２の電位との間に接続したスイッチ用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前
記誘導性負荷の第２の端子にそのドレイン端子を接続し
た電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流
循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とバッ
クゲート端子を接続し、その端子へそのソース端子とバ
ックゲート端子を接続し、第１の電位へそのドレイン端
子を接続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
と、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲー
ト端子と前記第１の電位の間に接続した抵抗と、前記電
流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子に
そのアノード端子を接続したツェナーダイオードと、前
記ツェナーダイオードのカソード端子へそのカソード端
子を接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タのゲート端子へそのアノード端子を接続した第１のダ
イオードと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タのドレイン端子へそのソース端子とバックゲート端子
を接続した導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、
前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン
端子へそのカソード端子を接続し、前記電流循環用Ｐｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へそのアノード端
子を接続した第２のダイオードと、前記導通制御用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へ接続した入力端
子とを備え、前記スイッチ手段を構成するスイッチ用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に入力されるゲ
ート信号を前記逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
のゲート端子に印加するようにしたので、電流循環用Ｍ
ＯＳトランジスタ，導通制御用ＭＯＳトランジスタおよ
び逆流防止用素子をそれぞれソース，ドレイン，ゲート
およびバックゲート端子を適切に接続された電流循環用
Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ，導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタおよび逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタによって構成することにより、誘導性負荷の蓄積
エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防止用素子
における電圧降下を確実に低減して、その電力損失を抑
制することができるとともに、集積回路化を適切に実現
でき、しかも、スイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
および逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート
駆動回路を共通にして回路構成を簡潔化できる効果があ
る。According to the thirteenth aspect, an inductive load having the first terminal connected to the first potential, and a switch connected between the second terminal of the inductive load and the second potential. For N
switch means comprising a channel MOS transistor; a current circulating Pch MOS transistor having a drain terminal connected to a second terminal of the inductive load; a source terminal and a back gate terminal of the current circulating Pch MOS transistor A Pch-type MOS transistor for backflow prevention, having its source terminal and back gate terminal connected to its terminal and its drain terminal connected to the first potential; and a gate terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation. A resistor connected between the first potential, a Zener diode having an anode terminal connected to a drain terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation, and a cathode terminal connected to a cathode terminal of the Zener diode; The navel of the gate terminal of the P-channel MOS transistor for current circulation A first diode connected to an anode terminal, a conduction control Nch-type MOS transistor connected to the source terminal and the back gate terminal to the drain terminal of the current circulating Pch MOS transistor,
The cathode terminal is connected to the drain terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor, and the current circulating Pc
a second diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the h-type MOS transistor;
an input terminal connected to the gate terminal of the h-type MOS transistor, and a switch N
The gate signal input to the gate terminal of the channel MOS transistor is applied to the gate terminal of the Pch MOS transistor for backflow prevention.
An OS transistor, a conduction control MOS transistor, and a backflow prevention element are respectively a source, drain, gate, and a back gate terminal. A Pch type MOS transistor for current circulation and an Nch type MO for conduction control.
By comprising an S transistor and a Pch-type MOS transistor for backflow prevention, it is possible to reliably reduce a voltage drop in a backflow prevention element provided in a current circulation path due to stored energy of an inductive load, thereby suppressing power loss. In addition to this, it is possible to appropriately realize an integrated circuit, and to simplify the circuit configuration by using a common gate drive circuit for the Nch-type MOS transistor for switching and the Pch-type MOS transistor for backflow prevention.
【０１０５】第１４の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ手段と、前
記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に
誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電
流循環用ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態とな
って前記電流循環用ＭＯＳトランジスタへの電流の流通
を阻止するとともに、前記スイッチ手段による誘導性負
荷への電流供給停止時に導通状態となって前記電流循環
用ＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通を許容する逆
流防止用ＤＭＯＳトランジスタを設けたので、電流循環
用ＭＯＳトランジスタおよび逆流防止用素子をそれぞれ
ＤＭＯＳトランジスタによって構成することにより、誘
導性負荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる
逆流防止用素子における電圧降下を確実に低減して、そ
の電力損失を抑制することができるとともに、大電流制
御を適切に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路を得る
ことができる効果がある。According to the fourteenth aspect, the switch means for switching whether or not to supply the current to the inductive load, and the switch means uses the stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped. A current circulating DMOS transistor that circulates a circulating current; and a current circulating MOS transistor that is inserted into a flow path of the circulating current due to stored energy of the inductive load and becomes non-conductive when current is supplied to the inductive load by the switch means. A backflow prevention DMOS transistor that prevents the flow of current to the transistor and becomes conductive when current supply to the inductive load is stopped by the switch means and allows the flow of circulating current to the current circulating MOS transistor. Provided, the current circulating MOS transistor and the backflow prevention element are each connected to a DMOS transistor. With this configuration, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load can be reliably reduced, the power loss can be suppressed, and the large current control can be appropriately performed. Thus, there is an effect that an inductive load constant current driving circuit which can be realized in a short time can be obtained.
【０１０６】第１５の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ用ＤＭＯＳ
トランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイッチ手
段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の
蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用ＤＭ
ＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネルギによる
循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ手段による誘
導性負荷への電流供給時に不導通状態となって前記電流
循環用ＤＭＯＳトランジスタへの電流の流通を阻止する
とともに、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流
供給停止時に導通状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳ
トランジスタへの循環電流の流通を許容する逆流防止用
ＤＭＯＳトランジスタを設けたので、電流循環用ＭＯＳ
トランジスタ，スイッチ用ＭＯＳトランジスタおよび逆
流防止用素子をそれぞれＤＭＯＳトランジスタによって
構成することにより、誘導性負荷の蓄積エネルギによる
電流循環路に設けられる逆流防止用素子における電圧降
下を確実に低減して、その電力損失を抑制することがで
きるとともに、大電流制御を適切に実現できる誘導性負
荷定電流駆動回路を得ることができる効果がある。According to the fifteenth aspect, the switching DMOS for switching whether or not to supply current to the inductive load is provided.
Switch means comprising a transistor, and a current circulating DM for circulating a circulating current due to energy stored in the inductive load when current supply to the inductive load is stopped by the switch means
The switching transistor is inserted into the flow path of the circulating current due to the stored energy of the OS transistor and the inductive load and becomes nonconductive when the current is supplied to the inductive load by the switch means, thereby preventing the current from flowing to the current circulating DMOS transistor. The current circulating DMOS is turned on when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means.
A backflow prevention DMOS transistor that allows circulation of a circulating current to the transistor is provided.
The transistor, the switching MOS transistor, and the backflow prevention element are each constituted by a DMOS transistor, so that the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load is reliably reduced, and the power is reduced. There is an effect that it is possible to obtain an inductive load constant current drive circuit that can suppress the loss and appropriately realize the large current control.
【０１０７】第１６の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ用ＤＭＯＳ
トランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイッチ手
段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の
蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用ＤＭ
ＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネルギによる
循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ手段による誘
導性負荷への電流供給時に不導通状態となって前記電流
循環用ＤＭＯＳトランジスタへの電流の流通を阻止する
とともに、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流
供給停止時に導通状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳ
トランジスタへの循環電流の流通を許容する逆流防止用
ＤＭＯＳトランジスタを設け、かつ、前記電流循環用Ｄ
ＭＯＳトランジスタの導通を制御する導通制御用ＤＭＯ
Ｓトランジスタを設けたので、電流循環用ＭＯＳトラン
ジスタ，逆流防止用素子，スイッチ用ＭＯＳトランジス
タおよび導通制御用ＭＯＳトランジスタをそれぞれＤＭ
ＯＳトランジスタによって構成することにより、誘導性
負荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流
防止用素子における電圧降下を確実に低減して、その電
力損失を抑制することができるとともに、大電流制御を
適切に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路を得ること
ができる効果がある。According to the sixteenth aspect, a switch DMOS for switching whether to supply a current to an inductive load or not is provided.
Switch means comprising a transistor, and a current circulating DM for circulating a circulating current due to energy stored in the inductive load when current supply to the inductive load is stopped by the switch means
The switching transistor is inserted into the flow path of the circulating current due to the stored energy of the OS transistor and the inductive load and becomes nonconductive when the current is supplied to the inductive load by the switch means, thereby preventing the current from flowing to the current circulating DMOS transistor. The current circulating DMOS is turned on when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means.
A backflow preventing DMOS transistor which allows a circulating current to flow through the transistor;
DMO for conduction control for controlling conduction of MOS transistor
Since the S transistor is provided, the current circulating MOS transistor, the backflow preventing element, the switching MOS transistor, and the conduction controlling MOS transistor are each provided with the DM transistor.
By using the OS transistor, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load can be reliably reduced, the power loss can be suppressed, and the large current control can be performed. There is an effect that an inductive load constant current drive circuit that can be appropriately realized can be obtained.
【０１０８】第１７の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ手段と、前
記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に
誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電
流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷
の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記
スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通
状態となって前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジ
スタへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態と
なって前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへ
の循環電流の流通を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯ
Ｓトランジスタを設けたので、電流循環用ＭＯＳトラン
ジスタおよび逆流防止用素子をそれぞれＮｃｈ型ＤＭＯ
Ｓトランジスタによって構成することにより、誘導性負
荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防
止用素子における電圧降下を確実に低減して、その電力
損失を抑制することができるとともに、大電流制御を適
切に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路を得ることが
できる効果がある。According to the seventeenth aspect, the switch means for switching whether or not to supply the current to the inductive load, and the storage means of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. A current circulating Nch-type DMOS transistor that circulates a circulating current; and a current circulating state that is inserted into a circulation path of the circulating current due to accumulated energy of the inductive load and becomes nonconductive when the switch supplies current to the inductive load. In addition to preventing the current from flowing to the Nch-type DMOS transistor for use, the switch means becomes conductive when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means, thereby allowing the flow of the circulating current to the Nch-type DMOS transistor for current circulation. Nch type DMO for backflow prevention
Since the S transistor is provided, the current circulating MOS transistor and the backflow preventing element can be replaced by Nch-type DMOs.
With the configuration using the S transistor, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load can be reliably reduced, the power loss can be suppressed, and the large current control can be performed. There is an effect that an inductive load constant current drive circuit that can be appropriately realized can be obtained.
【０１０９】第１８の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ用Ｎｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記ス
イッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッ
チ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負
荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用
Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態とな
って前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの
電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ用Ｎｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段による誘
導性負荷への電流供給停止時に導通状態となって前記電
流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流の
流通を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジス
タを設けたので、電流循環用ＭＯＳトランジスタ，逆流
防止用素子およびスイッチ用ＭＯＳトランジスタをＮｃ
ｈ型ＤＭＯＳトランジスタによって構成することによ
り、誘導性負荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設け
られる逆流防止用素子における電圧降下を確実に低減し
て、その電力損失を抑制することができるとともに、大
電流制御を適切に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路
を得ることができる効果がある。According to the eighteenth aspect, there is provided a switching means comprising a switching Nch-type DMOS transistor for switching whether to supply a current to an inductive load, and a switching means comprising the switching Nch-type DMOS transistor. A current circulating Nch-type DMOS transistor that circulates a circulating current due to the stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped; When a current is supplied to a non-conductive load, a non-conducting state is established to prevent a current from flowing to the current circulating Nch-type DMOS transistor, and the switch Nch type
A backflow preventing Nch-type DMOS transistor is provided, which is turned on when current supply to an inductive load is stopped by a switch means composed of a type DMOS transistor and permits the circulation of a circulating current to the current circulating Nch-type DMOS transistor. , A current circulating MOS transistor, a backflow preventing element and a switching MOS transistor
With the configuration using the h-type DMOS transistor, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load can be reliably reduced, and the power loss can be suppressed. There is an effect that an inductive load constant current drive circuit that can appropriately realize control can be obtained.
【０１１０】第１９の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ用Ｎｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記ス
イッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッ
チ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負
荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用
Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ
用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段
による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態となって
前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの電流
の流通を阻止するとともに、前記スイッチ用Ｎｃｈ型Ｄ
ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段による誘導性
負荷への電流供給停止時に導通状態となって前記電流循
環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通
を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタを
設け、かつ、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジ
スタの導通を制御する導通制御用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトラ
ンジスタを設けたので、電流循環用ＭＯＳトランジス
タ，逆流防止用素子およびスイッチ用ＭＯＳトランジス
タをＮｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタによって構成し、か
つ、導通制御用ＭＯＳトランジスタをＰｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタによって構成することにより、誘導性負荷
の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防止
用素子における電圧降下を確実に低減して、その電力損
失を抑制することができるとともに、大電流制御を適切
に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路を得ることがで
きる効果がある。According to the nineteenth aspect of the present invention, there are provided switching means comprising a switching Nch type DMOS transistor for switching whether or not to supply a current to an inductive load, and switching means comprising the switching Nch type DMOS transistor. A current circulating Nch-type DMOS transistor for circulating a circulating current due to the stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped; When a current is supplied to the inductive load by the switch means including the DMOS transistor, the switch is turned off so as to prevent the current from flowing to the current circulating Nch-type DMOS transistor and to switch the Nch-type DMOS transistor.
A back-flow preventing Nch-type DMOS transistor which becomes conductive when current supply to the inductive load is stopped by a switch means including a MOS transistor and allows a circulating current to flow to the current circulating Nch-type DMOS transistor; and Since the conduction control Pch-type DMOS transistor for controlling conduction of the current circulation Nch-type DMOS transistor is provided, the current circulation MOS transistor, the backflow prevention element, and the switching MOS transistor are constituted by Nch-type DMOS transistors, and , The conduction control MOS transistor is a Pch type DMOS
By using a transistor, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the stored energy of the inductive load can be reliably reduced, the power loss can be suppressed, and the large current control can be appropriately performed. Thus, there is an effect that an inductive load constant current driving circuit which can be realized in a short time can be obtained.
【０１１１】第２０の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ手段と、前
記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に
誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電
流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷
の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記
スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通
状態となって前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジ
スタへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態と
なって前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへ
の循環電流の流通を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯ
Ｓトランジスタを設けたので、電流循環用ＭＯＳトラン
ジスタおよび逆流防止用素子をそれぞれＰｃｈ型ＤＭＯ
Ｓトランジスタによって構成することにより、誘導性負
荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防
止用素子における電圧降下を確実に低減して、その電力
損失を抑制することができるとともに、大電流制御を適
切に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路を得ることが
できる効果がある。According to the twentieth aspect, the switch means for switching whether or not to supply the current to the inductive load, and the switch means uses the stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped. A current circulating Pch-type DMOS transistor that circulates a circulating current; and a current circulating state that is inserted into a flow path of the circulating current due to accumulated energy of the inductive load and becomes nonconductive when the switch supplies current to the inductive load. In addition to blocking the flow of current to the Pch-type DMOS transistor for use, the switch is turned on when the supply of current to the inductive load is stopped by the switch means to allow the flow of circulating current to the Pch-type DMOS transistor for current circulation. Pch type DMO for backflow prevention
Since the S transistor is provided, the current circulating MOS transistor and the backflow prevention element are each replaced by a Pch type DMO.
With the configuration using the S transistor, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load can be reliably reduced, the power loss can be suppressed, and the large current control can be performed. There is an effect that an inductive load constant current drive circuit that can be appropriately realized can be obtained.
【０１１２】第２１の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ用Ｎｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記ス
イッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッ
チ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負
荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用
Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ
用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段
による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態となって
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの電流
の流通を阻止するとともに、前記スイッチ用Ｎｃｈ型Ｄ
ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段による誘導性
負荷への電流供給停止時に導通状態となって前記電流循
環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通
を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタを
設けたので、電流循環用ＭＯＳトランジスタおよび逆流
防止用素子をＰｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタによって構
成し、かつ、スイッチ用ＭＯＳトランジスタをＮｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタによって構成することにより、誘
導性負荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる
逆流防止用素子における電圧降下を確実に低減して、そ
の電力損失を抑制することができるとともに、大電流制
御を適切に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路を得る
ことができる効果がある。According to the twenty-first aspect, the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor for switching whether to supply the current to the inductive load, and the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor are provided. A current circulating Pch-type DMOS transistor for circulating a circulating current due to the stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped; and an Nch-type switch for the switch inserted into a flow path of the circulating current due to the stored energy of the inductive load. When a current is supplied to the inductive load by the switch means including the DMOS transistor, the switch is turned off to prevent the current from flowing to the current-circulating Pch-type DMOS transistor and to switch the Nch-type DMOS transistor.
A backflow prevention Pch-type DMOS transistor which becomes conductive when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means including a MOS transistor and allows the circulation of the circulating current to the current circulating Pch-type DMOS transistor is provided. The current circulating MOS transistor and the backflow preventing element are configured by Pch-type DMOS transistors, and the switching MOS transistors are configured by Nch-type DMOS transistors, so that the backflow provided in the current circulating path due to the energy stored in the inductive load. The voltage drop in the prevention element can be reliably reduced, the power loss can be suppressed, and an inductive load constant current drive circuit that can appropriately realize large current control can be obtained.
【０１１３】第２２の発明によれば、誘導性負荷への電
流供給を行うかどうかの切換を行うスイッチ用Ｎｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記ス
イッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッ
チ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負
荷の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用
Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ
用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段
による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態となって
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの電流
の流通を阻止するとともに、前記スイッチ用Ｎｃｈ型Ｄ
ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段による誘導性
負荷への電流供給停止時に導通状態となって前記電流循
環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通
を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタを
設け、かつ、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジ
スタの導通を制御する導通制御用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトラ
ンジスタを設けたので、電流循環用ＭＯＳトランジスタ
および逆流防止用素子をＰｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ
によって構成し、かつ、スイッチ用ＭＯＳトランジスタ
および導通制御用ＭＯＳトランジスタをＮｃｈ型ＤＭＯ
Ｓトランジスタによって構成することにより、誘導性負
荷の蓄積エネルギによる電流循環路に設けられる逆流防
止用素子における電圧降下を確実に低減して、その電力
損失を抑制することができるとともに、大電流制御を適
切に実現できる誘導性負荷定電流駆動回路を得ることが
できる効果がある。According to the twenty-second aspect, there are provided switching means comprising a switching Nch-type DMOS transistor for switching whether or not to supply a current to an inductive load, and switching means comprising the switching Nch-type DMOS transistor. A Pch type DMOS transistor for circulating current which circulates a circulating current due to the accumulated energy of the inductive load when the supply of current to the inductive load is stopped; When a current is supplied to the inductive load by the switch means including the DMOS transistor, the switch is turned off to prevent the current from flowing to the current-circulating Pch-type DMOS transistor and to switch the Nch-type DMOS transistor.
A back-flow prevention Pch-type DMOS transistor which is turned on when current supply to the inductive load is stopped by a switch means composed of a MOS transistor to allow a circulating current to flow to the current circulating Pch-type DMOS transistor; and Since the conduction control Nch-type DMOS transistor for controlling conduction of the current circulation Pch-type DMOS transistor is provided, the current circulation MOS transistor and the backflow prevention element are constituted by the Pch-type DMOS transistor, and the switching MOS transistor is provided. And a MOS transistor for conduction control is an Nch type DMO
With the configuration using the S transistor, the voltage drop in the backflow prevention element provided in the current circulation path due to the accumulated energy of the inductive load can be reliably reduced, the power loss can be suppressed, and the large current control can be performed. There is an effect that an inductive load constant current drive circuit that can be appropriately realized can be obtained.
【図１】 この発明による実施の形態１における誘導性
負荷定電流駆動回路を示す接続図である。FIG. 1 is a connection diagram showing an inductive load constant current drive circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 この発明による実施の形態１における逆流防
止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタの等価回路を示す説明
図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of a backflow preventing Nch-type MOS transistor according to the first embodiment of the present invention;
【図３】 この発明による実施の形態１における逆流防
止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタの構造断面を示す説明
図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a structural cross section of a backflow preventing Nch-type MOS transistor according to the first embodiment of the present invention;
【図４】 この発明による実施の形態２における誘導性
負荷定電流駆動回路を示す接続図である。FIG. 4 is a connection diagram showing an inductive load constant current drive circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図５】 この発明による実施の形態２における逆流防
止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの等価回路を示す説明
図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of a backflow preventing Pch-type MOS transistor according to a second embodiment of the present invention;
【図６】 この発明による実施の形態２における逆流防
止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの構造断面を示す説明
図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a cross section of a structure of a Pch-type MOS transistor for backflow prevention according to a second embodiment of the present invention;
【図７】 この発明による実施の形態３における誘導性
負荷定電流駆動回路を示す接続図である。FIG. 7 is a connection diagram showing an inductive load constant current drive circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図８】 この発明による実施の形態３において用いら
れるＤＭＯＳトランジスタの断面構造を通常のＭＯＳト
ランジスタと対比して示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of a DMOS transistor used in a third embodiment of the present invention in comparison with a normal MOS transistor.
【図９】 この発明による実施の形態４における誘導性
負荷定電流駆動回路を示す接続図である。FIG. 9 is a connection diagram showing an inductive load constant current drive circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１０】 従来技術における誘導性負荷定電流駆動回
路を示す接続図である。FIG. 10 is a connection diagram showing an inductive load constant current drive circuit according to the related art.
【図１１】 図１０で示される回路の動作を説明する波
形図である。11 is a waveform chart illustrating the operation of the circuit shown in FIG.
【符号の説明】 １ 第１のスイッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型
ＭＯＳトランジスタ、１ｂ 第１のスイッチ手段を構成
するスイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ、２ 第
２のスイッチ手段を構成する電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタ、２ｂ 第２のスイッチ手段を構成する電
流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ、３ 導通制御
用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ、３ｂ 導通制御用Ｐｃ
ｈ型ＤＭＯＳトランジスタ、４ 抵抗、５，６ ダイオ
ード、７ ツェナーダイオード、８ 誘導性負荷、９，
１０ インバータ、１３ 第２のスイッチ手段を構成す
る電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタ、１３ｂ 第
２のスイッチ手段を構成する電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯ
Ｓトランジスタ、１４ａ 逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタ、１４ｂ 逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトラ
ンジスタ、１５ 導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タ、１５ｂ 導通制御用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジス
タ、１００ 電源端子、２００，３００ 信号入力端
子、４００ 接地端子。DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS 1 Nch MOS transistor for switching forming first switching means, 1b Nch DMOS transistor for switching forming first switching means, 2 Nch for current circulating forming second switching means Type MOS
Transistor, 2b Nch-type DMOS transistor for current circulation constituting the second switch means, 3 Pch-type MOS transistor for conduction control, 3b Pc for conduction control
h-type DMOS transistor, 4 resistor, 5,6 diode, 7 Zener diode, 8 inductive load, 9,
Reference Signs List 10 inverter, 13 Pch type MOS transistor for current circulating constituting second switch means, 13b Pch type DMO for current circulating constituting second switch means
S transistor, 14a Pch-type MOS transistor for backflow prevention, 14b Pch-type DMOS transistor for backflow prevention, 15 Nch-type MOS transistor for conduction control, 15b Nch-type DMOS transistor for conduction control, 100 power supply terminal, 200, 300 signal input terminal, 400 Ground terminal.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 純 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5H420 NA32 NB03 NB22 NB23 NB25 NB35 NC06 5J055 AX12 AX47 AX52 AX53 BX16 CX13 DX13 DX14 DX22 DX44 DX53 DX55 DX72 DX83 EY01 EY12 EY13 EY21 EZ03 EZ07 EZ62 GX00 GX01 GX07 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Jun Tanaka 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsubishi Electric Corporation F-term (reference) 5H420 NA32 NB03 NB22 NB23 NB25 NB35 NC06 5J055 AX12 AX47 AX52 AX53 BX16 CX13 DX13 DX14 DX22 DX44 DX53 DX55 DX72 DX83 EY01 EY12 EY13 EY21 EZ03 EZ07 EZ62 GX00 GX01 GX07
Claims (22)
の切換を行うスイッチ手段を設け、前記スイッチ手段に
よる誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積
エネルギによる循環電流を流通させて誘導性負荷の定電
流駆動を行うものにおいて、誘導性負荷の蓄積エネルギ
による循環電流の流通路に挿入され、前記スイッチ手段
による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態となって
前記循環電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態と
なって前記循環電流の流通を許容する逆流防止用ＭＯＳ
トランジスタを設けたことを特徴とする誘導性負荷定電
流駆動回路。A switch means for switching whether or not to supply current to an inductive load is provided, and when a current supply to the inductive load is stopped by the switch means, a circulating current due to accumulated energy of the inductive load is circulated. The constant current drive of the inductive load, the circulating current is inserted into the flow path of the circulating current due to the accumulated energy of the inductive load, and becomes non-conductive when the current is supplied to the inductive load by the switch means. Backflow prevention MOS that is turned on when current supply to the inductive load is stopped by the switch means and allows the circulation of the circulating current.
An inductive load constant current drive circuit comprising a transistor.
の切換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による
誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネ
ルギによる循環電流を流通する電流循環用ＭＯＳトラン
ジスタと、誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の
流通路に挿入され前記スイッチ手段による誘導性負荷へ
の電流供給時に不導通状態となって前記電流循環用ＭＯ
Ｓトランジスタへの電流の流通を阻止するとともに、前
記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に
導通状態となって前記電流循環用ＭＯＳトランジスタへ
の循環電流の流通を許容する逆流防止用ＭＯＳトランジ
スタを設けたことを特徴とする誘導性負荷定電流駆動回
路。2. A switch means for switching whether or not to supply current to an inductive load, and a current flowing through a circulating current due to stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. The circulating MOS transistor is inserted into the flow path of the circulating current due to the energy stored in the inductive load and becomes non-conductive when current is supplied to the inductive load by the switch means.
A backflow preventing MOS transistor that prevents the flow of current to the S transistor and becomes conductive when current supply to the inductive load is stopped by the switch means and allows the flow of circulating current to the current circulating MOS transistor. An inductive load constant current drive circuit, comprising:
の切換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による
誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネ
ルギによる循環電流を流通する電流循環用ＭＯＳトラン
ジスタと、誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の
流通路に挿入され前記スイッチ手段による誘導性負荷へ
の電流供給時に導通用ゲート信号入力を遮断されて前記
電流循環用ＭＯＳトランジスタへの電流の流通を阻止す
るとともに、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電
流供給停止時に導通用ゲート信号入力を印加されて前記
電流循環用ＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通を許
容する逆流防止用ＭＯＳトランジスタを設けたことを特
徴とする誘導性負荷定電流駆動回路。3. A switch means for switching whether or not to supply a current to an inductive load, and a current flowing through a circulating current due to stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. The circulating MOS transistor is inserted into the flow path of the circulating current due to the accumulated energy of the inductive load, and the input of the conduction gate signal is cut off when the current is supplied to the inductive load by the switch means. A backflow prevention MOS transistor that prevents the flow of current and receives a conduction gate signal input when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means to allow the flow of a circulating current to the current circulating MOS transistor. An inductive load constant current drive circuit characterized by comprising:
の切換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による
誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネ
ルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｎｃｈ（Ｎチ
ャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積
エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッ
チ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態と
なって前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの
電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手段によ
る誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態となって前
記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの循環電流
の流通を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジス
タを設けたことを特徴とする誘導性負荷定電流駆動回
路。4. A switch means for switching whether or not to supply a current to an inductive load, and a current flowing through a circulating current due to stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. A circulating Nch (N-channel) MOS transistor is inserted into a flow path of a circulating current due to stored energy of the inductive load, and becomes non-conductive when current is supplied to the inductive load by the switch means. Backflow preventing current flow to the N-type MOS transistor for preventing current flow to the N-type MOS transistor for current circulation while preventing conduction of current to the N-type MOS transistor while preventing supply of current to the inductive load by the switch means. An inductive load constant current drive circuit provided with an Nch type MOS transistor.
誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電
位との間に接続したスイッチ手段と、前記誘導性負荷の
第２の端子にそのソース端子を接続した電流循環用Ｎｃ
ｈ（Ｎチャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記電流
循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子と前
記第１の電位にそのドレイン端子とソース端子を接続し
た逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流
循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲー
ト端子の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型
ＭＯＳトランジスタのゲート端子にそのアノード端子を
接続したツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオー
ドのカソード端子へそのカソード端子を接続し、前記第
１の電位へそのアノード端子を接続したダイオードと、
前記第２の電位へそのソース端子を接続し、そのドレイ
ン端子を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ゲート端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ（Ｐチャンネ
ル）型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｐｃｈ型
ＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続した入力端子と
を備えたことを特徴とする誘導性負荷定電流駆動回路。5. An inductive load having a first terminal connected to a first potential, a switch connected between a second terminal of the inductive load and a second potential, and Nc for current circulation with its source terminal connected to the second terminal of the load
an h-channel (N-channel) MOS transistor; a backflow preventing Nch-type MOS transistor having a drain terminal of the current-circulating Nch-type MOS transistor and a drain terminal and a source terminal connected to the first potential; A resistor connected between the source terminal and the gate terminal of the Nch-type MOS transistor, a Zener diode whose anode terminal is connected to the gate terminal of the current-circulating Nch-type MOS transistor, and a cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode. And a diode having its anode terminal connected to the first potential;
A conduction control Pch (P-channel) MOS transistor having its source terminal connected to the second potential and its drain terminal connected to the gate terminal of the current circulating Nch MOS transistor; And an input terminal connected to a gate terminal of the MOS transistor.
誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電
位との間に接続したスイッチ手段と、前記誘導性負荷の
第２の端子にそのソースおよびバックゲート端子を接続
した電流循環用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＭＯＳトラン
ジスタと、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
のドレイン端子へそのドレイン端子を接続し、前記第１
の電位へそのソースおよびバックゲート端子を接続した
逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循
環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲート
端子の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタのゲート端子にそのアノード端子を接
続したツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオード
のカソード端子へそのカソード端子を接続し、前記第１
の電位へそのアノード端子を接続したダイオードと、前
記第２の電位へそのソース端子とバックゲート端子を接
続し、そのドレイン端子を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタのゲート端子へ接続した導通制御用Ｐｃ
ｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記導通
制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続
した入力端子とを備えたことを特徴とする誘導性負荷定
電流駆動回路。6. An inductive load having its first terminal connected to a first potential, switch means connected between a second terminal of the inductive load and a second potential, and A current circulating Nch (N-channel) MOS transistor having a source and a back gate terminal connected to a second terminal of the load, and a drain terminal connected to a drain terminal of the current circulating Nch MOS transistor; 1
An Nch-type MOS transistor for preventing backflow, the source and back gate terminals of which are connected to the potential of the Nch-type MOS transistor, a resistor connected between the source terminal and the gate terminal of the Nch-type MOS transistor for current circulation,
A Zener diode having an anode terminal connected to the gate terminal of the OS transistor, and a cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode;
And a source terminal and a back gate terminal connected to the second potential and a drain terminal connected to the current circulating Nch type MO.
Conduction control Pc connected to the gate terminal of S transistor
An inductive load constant current drive circuit comprising: an h (P-channel) type MOS transistor; and an input terminal connected to a gate terminal of the conduction control Pch type MOS transistor.
誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電
位との間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）
型ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記誘
導性負荷の第２の端子にそのソース端子を接続した電流
循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子と前記第１
の電位にそのドレイン端子とソース端子を接続した逆流
防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用
Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲート端子
の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタのゲート端子にそのアノード端子を接続し
たツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードのカ
ソード端子へそのカソード端子を接続し、前記第１の電
位へそのアノード端子を接続したダイオードと、前記第
２の電位へそのソース端子を接続し、そのドレイン端子
を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート
端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型Ｍ
ＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｐｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタのゲート端子に接続した入力端子とを備え、
前記スイッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタのゲート端子に入力されるゲート信号をイ
ンバータを介して前記逆流防止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタのゲート端子に印加するようにしたことを特徴と
する誘導性負荷定電流駆動回路。7. An inductive load having its first terminal connected to a first potential, and a switch Nch (N channel) connected between a second terminal of the inductive load and a second potential.
A switching means comprising a MOS transistor; a current circulating Nch-type MOS transistor having a source terminal connected to a second terminal of the inductive load; a drain terminal of the current circulating Nch-type MOS transistor;
An Nch-type MOS transistor for preventing backflow, the drain terminal and the source terminal of which are connected to the potential of the Nch-type MOS transistor; a resistor connected between the source terminal and the gate terminal of the Nch-type MOS transistor for current circulation;
A Zener diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the transistor, a diode having its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode and having its anode terminal connected to the first potential, and a diode having the anode terminal connected to the second potential. A Pch (P-channel) type M for conduction control having its source terminal connected and its drain terminal connected to the gate terminal of the current circulating Nch type MOS transistor.
An OS transistor; and an input terminal connected to a gate terminal of the conduction control Pch-type MOS transistor;
Nch-type MOS for switch constituting the switch means
An inductive load constant current drive circuit wherein a gate signal input to a gate terminal of a transistor is applied to a gate terminal of the backflow preventing Nch-type MOS transistor via an inverter.
誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の電
位との間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）
型ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記誘
導性負荷の第２の端子にそのソースおよびバックゲート
端子を接続した電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタ
と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレ
イン端子へそのドレイン端子を接続し、前記第１の電位
へそのソースおよびバックゲート端子を接続した逆流防
止用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電流循環用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子とゲート端子の
間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタのゲート端子にそのアノード端子を接続した
ツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードのカソ
ード端子へそのカソード端子を接続し、前記第１の電位
へそのアノード端子を接続したダイオードと、前記第２
の電位へそのソース端子とバックゲート端子を接続し、
そのドレイン端子を前記電流循環用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのゲート端子へ接続した導通制御用Ｐｃｈ（Ｐ
チャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用
Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続した入
力端子とを備え、前記スイッチ手段を構成するスイッチ
用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に入力され
るゲート信号をインバータを介して前記逆流防止用Ｎｃ
ｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に印加するように
したことを特徴とする誘導性負荷定電流駆動回路。8. An inductive load having its first terminal connected to a first potential, and a switch Nch (N channel) connected between a second terminal of the inductive load and a second potential.
A switching means comprising a MOS transistor; a current circulating Nch MOS transistor having a source and a back gate connected to a second terminal of the inductive load; and a drain terminal of the current circulating Nch MOS transistor. A back-flow preventing Nch-type MOS transistor having a drain terminal connected thereto, and a source and a back gate terminal connected to the first potential;
a resistor connected between the source terminal and the gate terminal of the ch-type MOS transistor, a Zener diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the current-circulating Nch-type MOS transistor, and a cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode. And a diode having an anode terminal connected to the first potential and the second potential.
Connect its source terminal and back gate terminal to the potential of
A conduction control Pch (P) having its drain terminal connected to the gate terminal of the current circulating Nch MOS transistor.
A channel) type MOS transistor; and an input terminal connected to the gate terminal of the conduction control Pch type MOS transistor. The gate signal input to the gate terminal of the switching Nch type MOS transistor constituting the switching means is converted by an inverter. Through the backflow preventing Nc
An inductive load constant current drive circuit characterized in that a voltage is applied to a gate terminal of an h-type MOS transistor.
の切換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段による
誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネ
ルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｐｃｈ（Ｐチ
ャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積
エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッ
チ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態と
なって前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの
電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手段によ
る誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態となって前
記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタへの循環電流
の流通を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タを設けたことを特徴とする誘導性負荷定電流駆動回
路。9. A switch means for switching whether or not to supply a current to an inductive load, and a current flowing through a circulating current due to stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. A circulating Pch (P-channel) MOS transistor is inserted into a flow path of a circulating current due to the stored energy of the inductive load and becomes non-conductive when the switching means supplies a current to the inductive load, and the current circulating Pch Backflow preventing current flow to the p-type MOS transistor and preventing conduction of current to the inductive load by the switch means to allow conduction of the circulating current to the Pch-type MOS transistor for current circulation. An inductive load constant current drive circuit provided with a Pch type MOS transistor for use.
た誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の
電位との間に接続したスイッチ手段と、前記誘導性負荷
の第２の端子にそのドレイン端子を接続した電流循環用
Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子と
前記第１の電位にそのソース端子とドレイン端子を接続
した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記電
流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子と前
記第１の電位の間に接続した抵抗と、前記電流循環用Ｐ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子にそのアノー
ド端子を接続したツェナーダイオードと、前記ツェナー
ダイオードのカソード端子へそのカソード端子を接続
し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲー
ト端子へそのアノード端子を接続した第１のダイオード
と、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレ
イン端子へそのソース端子を接続した導通制御用Ｎｃｈ
（Ｎチャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制
御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子へその
カソード端子を接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタのゲート端子へそのアノード端子を接続し
た第２のダイオードと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳ
トランジスタのゲート端子へ接続した入力端子とを備え
たことを特徴とする誘導性負荷定電流駆動回路。10. An inductive load having a first terminal connected to a first potential, a switch connected between a second terminal of the inductive load and a second potential, and A current circulating Pch (P-channel) MOS transistor having a drain terminal connected to a second terminal of the load, a source terminal of the current circulating Pch MOS transistor, and a source terminal and a drain terminal connected to the first potential; A Pch-type MOS transistor for preventing backflow, a resistor connected between the gate terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation and the first potential,
A Zener diode having its anode terminal connected to the drain terminal of the ch-type MOS transistor, its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode, and its anode terminal connected to the gate terminal of the current-circulating Pch-type MOS transistor. A conduction control Nch having a first diode and a source terminal connected to a drain terminal of the Pch type MOS transistor for current circulation;
(N-channel) type MOS transistor and its cathode terminal connected to the drain terminal of the conduction control Nch type MOS transistor,
A second diode in which the anode terminal is connected to the gate terminal of the transistor;
And an input terminal connected to the gate terminal of the transistor.
た誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の
電位との間に接続したスイッチ手段と、前記誘導性負荷
の第２の端子にそのドレイン端子を接続した電流循環用
Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジスタと、前記
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのソース端子と
バックゲート端子を接続し、その端子へそのソース端子
とバックゲート端子を接続し、第１の電位へそのドレイ
ン端子を接続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲ
ート端子と前記第１の電位の間に接続した抵抗と、前記
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子
にそのアノード端子を接続したツェナーダイオードと、
前記ツェナーダイオードのカソード端子へそのカソード
端子を接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子へそのアノード端子を接続した第１の
ダイオードと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのドレイン端子へそのソース端子とバックゲート端
子を接続した導通制御用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型ＭＯ
Ｓトランジスタと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのドレイン端子へそのカソード端子を接続し、
前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端
子へそのアノード端子を接続した第２のダイオードと、
前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端
子へ接続した入力端子とを備えたことを特徴とする誘導
性負荷定電流駆動回路。11. An inductive load having its first terminal connected to a first potential; switch means connected between a second terminal of the inductive load and a second potential; A current circulating Pch (P-channel) MOS transistor having a drain terminal connected to a second terminal of the load, a source terminal and a back gate terminal of the current circulating Pch MOS transistor connected to the terminal, and the source connected to the terminal; A Pch-type MOS transistor for preventing backflow having a terminal connected to a back gate terminal and a drain terminal connected to a first potential; a connection between the gate terminal of the Pch-type MOS transistor for current circulation and the first potential; And a Zener diode having an anode terminal connected to the drain terminal of the current-circulating Pch-type MOS transistor;
A first diode having its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode and its anode terminal connected to the gate terminal of the Pch MOS transistor for current circulation, and to the drain terminal of the Pch MOS transistor for current circulation. An Nch (N-channel) type MO for conduction control in which the source terminal and the back gate terminal are connected.
An S transistor and a cathode terminal connected to a drain terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor;
A second diode having an anode terminal connected to the gate terminal of the Pch type MOS transistor for current circulation;
And an input terminal connected to a gate terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor.
た誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の
電位との間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネ
ル）型ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前
記誘導性負荷の第２の端子にそのドレイン端子を接続し
た電流循環用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジ
スタと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ソース端子と前記第１の電位にそのソース端子とドレイ
ン端子を接続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジス
タと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲ
ート端子と前記第１の電位の間に接続した抵抗と、前記
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子
にそのアノード端子を接続したツェナーダイオードと、
前記ツェナーダイオードのカソード端子へそのカソード
端子を接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのゲート端子へそのアノード端子を接続した第１の
ダイオードと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのドレイン端子へそのソース端子を接続した導通制
御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタと、前記導通制御用Ｎ
ｃｈ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子へそのカソー
ド端子を接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタのゲート端子へそのアノード端子を接続した第２
のダイオードと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラン
ジスタのゲート端子へ接続した入力端子とを備え、前記
スイッチ手段を構成するスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのゲート端子に入力されるゲート信号を前記逆
流防止用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子に印
加するようにしたことを特徴とする誘導性負荷定電流駆
動回路。12. An inductive load having its first terminal connected to a first potential, and a switch Nch (N-channel) connected between a second terminal of the inductive load and a second potential. A switching means comprising a MOS transistor, a Pch (P-channel) MOS transistor for current circulation having a drain terminal connected to a second terminal of the inductive load, and a source terminal of the Pch MOS transistor for current circulation. A backflow preventing Pch-type MOS transistor having a source terminal and a drain terminal connected to the first potential, a resistor connected between a gate terminal of the current-circulating Pch-type MOS transistor and the first potential, A Zener diode having an anode terminal connected to a drain terminal of a Pch type MOS transistor for current circulation;
A first diode having its cathode terminal connected to the cathode terminal of the Zener diode and its anode terminal connected to the gate terminal of the Pch MOS transistor for current circulation, and to the drain terminal of the Pch MOS transistor for current circulation. A conduction control Nch-type MOS transistor having its source terminal connected thereto;
a second terminal in which the cathode terminal is connected to the drain terminal of the ch-type MOS transistor and the anode terminal is connected to the gate terminal of the P-channel MOS transistor for current circulation;
And an input terminal connected to the gate terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor, wherein the gate signal input to the gate terminal of the switching Nch-type MOS transistor constituting the switch means is supplied to the backflow prevention circuit. An inductive load constant current drive circuit characterized in that a voltage is applied to a gate terminal of a Pch type MOS transistor.
た誘導性負荷と、前記誘導性負荷の第２の端子と第２の
電位との間に接続したスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネ
ル）型ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前
記誘導性負荷の第２の端子にそのドレイン端子を接続し
た電流循環用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型ＭＯＳトランジ
スタと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ソース端子とバックゲート端子を接続し、その端子へそ
のソース端子とバックゲート端子を接続し、第１の電位
へそのドレイン端子を接続した逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタと、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトラ
ンジスタのゲート端子と前記第１の電位の間に接続した
抵抗と、前記電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタの
ドレイン端子にそのアノード端子を接続したツェナーダ
イオードと、前記ツェナーダイオードのカソード端子へ
そのカソード端子を接続し、前記電流循環用Ｐｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタのゲート端子へそのアノード端子を接
続した第１のダイオードと、前記電流循環用Ｐｃｈ型Ｍ
ＯＳトランジスタのドレイン端子へそのソース端子とバ
ックゲート端子を接続した導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳト
ランジスタと、前記導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジ
スタのドレイン端子へそのカソード端子を接続し、前記
電流循環用Ｐｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へ
そのアノード端子を接続した第２のダイオードと、前記
導通制御用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子へ
接続した入力端子とを備え、前記スイッチ手段を構成す
るスイッチ用Ｎｃｈ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子
に入力されるゲート信号を前記逆流防止用Ｐｃｈ型ＭＯ
Ｓトランジスタのゲート端子に印加するようにしたこと
を特徴とする誘導性負荷定電流駆動回路。13. An inductive load having its first terminal connected to a first potential, and a switch Nch (N channel) connected between a second terminal of the inductive load and a second potential. A switching means comprising a MOS transistor, a Pch (P-channel) MOS transistor for current circulation having a drain terminal connected to a second terminal of the inductive load, and a source terminal of the Pch MOS transistor for current circulation. A backflow preventing Pch-type MO having a back gate terminal connected thereto, a source terminal thereof connected to the back gate terminal thereof, and a drain terminal thereof connected to a first potential.
An S transistor, a resistor connected between the gate terminal of the current circulating Pch MOS transistor and the first potential, and a Zener diode having an anode terminal connected to the drain terminal of the current circulating Pch MOS transistor. , The cathode terminal of the Zener diode is connected to the Pch type M
A first diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the OS transistor;
A conduction control Nch-type MOS transistor in which the source terminal and the back gate terminal are connected to the drain terminal of the OS transistor, and a cathode terminal connected to the drain terminal of the conduction control Nch-type MOS transistor; A switching Nch-type MOS transistor comprising a second diode having its anode terminal connected to the gate terminal of the MOS transistor and an input terminal connected to the gate terminal of the conduction-controlling Nch-type MOS transistor; The gate signal input to the gate terminal of the Pch type MO for backflow prevention
An inductive load constant current drive circuit characterized in that a voltage is applied to a gate terminal of an S transistor.
かの切換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段によ
る誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流を流通する電流循環用ＤＭＯＳト
ランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電
流の流通路に挿入され前記スイッチ手段による誘導性負
荷への電流供給時に不導通状態となって前記電流循環用
ＤＭＯＳトランジスタへの電流の流通を阻止するととも
に、前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流供給停
止時に導通状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳトラン
ジスタへの循環電流の流通を許容する逆流防止用ＤＭＯ
Ｓトランジスタを設けたことを特徴とする誘導性負荷定
電流駆動回路。14. A switch means for switching whether or not to supply current to an inductive load, and a current flowing through a circulating current due to stored energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. The circulating DMOS transistor is inserted into the flow path of the circulating current due to the energy stored in the inductive load and becomes non-conductive when the current is supplied to the inductive load by the switch means, and the current flows to the current circulating DMOS transistor. And a back-flow preventing DMO that is turned on when the supply of current to the inductive load is stopped by the switch means to allow the circulating current to flow to the current-circulating DMOS transistor.
An inductive load constant current drive circuit comprising an S transistor.
かの切換を行うスイッチ用ＤＭＯＳトランジスタからな
るスイッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導性負荷
への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギによる
循環電流を流通する電流循環用ＤＭＯＳトランジスタ
と、誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路
に挿入され前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流
供給時に不導通状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳト
ランジスタへの電流の流通を阻止するとともに、前記ス
イッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通
状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳトランジスタへの
循環電流の流通を許容する逆流防止用ＤＭＯＳトランジ
スタを設けたことを特徴とする誘導性負荷定電流駆動回
路。15. A switching means comprising a switching DMOS transistor for switching whether or not to supply a current to an inductive load, and using a stored energy of the inductive load when current supply to the inductive load is stopped by the switching means. A current circulating DMOS transistor that circulates a circulating current; and a current circulating DMOS transistor that is inserted into the circulating current flow path due to the stored energy of the inductive load and becomes non-conductive when the switch supplies current to the inductive load. A backflow prevention DMOS transistor that prevents current from flowing to the transistor and that becomes conductive when current supply to the inductive load is stopped by the switch means and allows the flow of circulating current to the current circulating DMOS transistor. An inductive load constant current drive circuit characterized by being provided.
かの切換を行うスイッチ用ＤＭＯＳトランジスタからな
るスイッチ手段と、前記スイッチ手段による誘導性負荷
への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エネルギによる
循環電流を流通する電流循環用ＤＭＯＳトランジスタ
と、誘導性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路
に挿入され前記スイッチ手段による誘導性負荷への電流
供給時に不導通状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳト
ランジスタへの電流の流通を阻止するとともに、前記ス
イッチ手段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通
状態となって前記電流循環用ＤＭＯＳトランジスタへの
循環電流の流通を許容する逆流防止用ＤＭＯＳトランジ
スタを設け、かつ、前記電流循環用ＤＭＯＳトランジス
タの導通を制御する導通制御用ＤＭＯＳトランジスタを
設けたことを特徴とする誘導性負荷定電流駆動回路。16. A switch means comprising a switching DMOS transistor for switching whether or not to supply a current to an inductive load, and the switching means uses a stored energy of the inductive load when current supply to the inductive load is stopped by the switch means. A current circulating DMOS transistor that circulates a circulating current; and a current circulating DMOS transistor that is inserted into the circulating current flow path due to the stored energy of the inductive load and becomes non-conductive when the switch supplies current to the inductive load. A backflow prevention DMOS transistor that prevents current from flowing to the transistor and that becomes conductive when current supply to the inductive load is stopped by the switch means and allows the flow of circulating current to the current circulating DMOS transistor. And a conductor for controlling conduction of the current circulating DMOS transistor. An inductive load constant current drive circuit, comprising: a power control DMOS transistor.
かの切換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段によ
る誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｎｃｈ（Ｎ
チャンネル）型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の
蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記ス
イッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状
態となって前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジス
タへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手
段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態とな
って前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの
循環電流の流通を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタを設けたことを特徴とする誘導性負荷定電
流駆動回路。17. A switch for switching whether or not to supply a current to an inductive load, and a current flowing through a circulating current due to stored energy of the inductive load when the supply of current to the inductive load is stopped by the switch. Nch for circulation (N
A channel) type DMOS transistor and a non-conductive state when a current is supplied to the inductive load by the switch means and inserted into the flow path of the circulating current due to the stored energy of the inductive load, and becomes non-conductive to the Nch type DMOS transistor for current circulation. A backflow prevention Nch-type DMOS that prevents current flow and becomes conductive when current supply to the inductive load is stopped by the switch means and allows circulation of current to the current-circulation Nch-type DMOS transistor.
An inductive load constant current drive circuit comprising a transistor.
かの切換を行うスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型Ｄ
ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイ
ッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷
の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｎ
ｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネ
ルギによる循環電流の流通路に挿入され前記スイッチ手
段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状態となっ
て前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの電
流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ用Ｎｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段による誘導
性負荷への電流供給停止時に導通状態となって前記電流
循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流の流
通を許容する逆流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタ
を設けたことを特徴とする誘導性負荷定電流駆動回路。18. An Nch (N-channel) type switch D for switching whether to supply current to an inductive load or not.
A current circulating N which circulates a circulating current due to energy stored in the inductive load when current supply to the inductive load is stopped by the switching means comprising a MOS transistor and the switching means comprising the switching Nch type DMOS transistor;
The channel type DMOS transistor is inserted into the flow path of the circulating current due to the stored energy of the inductive load and becomes non-conductive when the current is supplied to the inductive load by the switch means, and the current to the current circulating Nch type DMOS transistor is At the same time as the switching means including the switching Nch-type DMOS transistor is turned on when the current supply to the inductive load is stopped by the switching means, thereby permitting the circulation of the circulating current to the current circulating Nch-type DMOS transistor. An inductive load constant current drive circuit comprising an Nch-type DMOS transistor for preventing backflow.
かの切換を行うスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型Ｄ
ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイ
ッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷
の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｎ
ｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の蓄積エネ
ルギによる循環電流の流通路に挿入され前記Ｎｃｈ型Ｄ
ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段による誘導性
負荷への電流供給時に不導通状態となって前記電流循環
用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの電流の流通を阻止
するとともに、前記スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトラン
ジスタからなるスイッチ手段による誘導性負荷への電流
供給停止時に導通状態となって前記電流循環用Ｎｃｈ型
ＤＭＯＳトランジスタへの循環電流の流通を許容する逆
流防止用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタを設け、かつ、
前記電流循環用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタの導通を
制御する導通制御用Ｐｃｈ（Ｐチャンネル）型ＤＭＯＳ
トランジスタを設けたことを特徴とする誘導性負荷定電
流駆動回路。19. An Nch (N-channel) type switch D for switching whether to supply current to an inductive load or not.
A current circulating N which circulates a circulating current due to energy stored in the inductive load when current supply to the inductive load is stopped by the switching means comprising a MOS transistor and the switching means comprising the switching Nch type DMOS transistor;
a channel type DMOS transistor and the Nch type DMOS transistor
When a current is supplied to the inductive load by the switch means composed of a MOS transistor, the current flow to the inductive load is interrupted to prevent the current from flowing to the current circulating Nch type DMOS transistor. A back-flow preventing Nch-type DMOS transistor which becomes conductive when current supply to the inductive load is stopped due to and allows the circulation of the circulating current to the current circulating Nch-type DMOS transistor; and
Pch (P-channel) type DMOS for conduction control for controlling conduction of the Nch type DMOS transistor for current circulation
An inductive load constant current drive circuit comprising a transistor.
かの切換を行うスイッチ手段と、前記スイッチ手段によ
る誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷の蓄積エ
ネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｐｃｈ（Ｐ
チャンネル）型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導性負荷の
蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入され前記ス
イッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導通状
態となって前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジス
タへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッチ手
段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態とな
って前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの
循環電流の流通を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタを設けたことを特徴とする誘導性負荷定電
流駆動回路。20. Switch means for switching whether or not to supply current to an inductive load, and a current flowing through a circulating current due to accumulated energy of the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switch means. Pch for circulation (P
A channel) type DMOS transistor and a non-conductive state when a current is supplied to the inductive load by the switch means when the current is supplied to the inductive load by the switching means. A backflow prevention Pch-type DMOS that prevents current flow and becomes conductive when current supply to the inductive load is stopped by the switch means and allows circulation of the circulating current to the current-circulation Pch-type DMOS transistor.
An inductive load constant current drive circuit comprising a transistor.
かの切換を行うスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型Ｄ
ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイ
ッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷
の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｐ
ｃｈ（Ｐチャンネル）型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導
性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入さ
れ前記スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからな
るスイッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導
通状態となって前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトラン
ジスタへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッ
チ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手
段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態とな
って前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの
循環電流の流通を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタを設けたことを特徴とする誘導性負荷定電
流駆動回路。21. A switch Nch (N-channel) type D for switching whether to supply current to an inductive load or not.
A switching means comprising a MOS transistor; and a current circulating P for circulating a circulating current due to energy accumulated in the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switching means comprising the switching Nch-type DMOS transistor.
A channel (P-channel) type DMOS transistor is inserted into a flow path of a circulating current due to stored energy of the inductive load, and becomes non-conductive when current is supplied to the inductive load by the switching means including the switching Nch type DMOS transistor. Current flow to the current circulating Pch DMOS transistor, and when the current supply to the inductive load is stopped by the switching means including the switching Nch DMOS transistor, the current circulating Pch Pch-type DMOS for backflow prevention allowing circulation of circulating current to type-DMOS transistor
An inductive load constant current drive circuit comprising a transistor.
かの切換を行うスイッチ用Ｎｃｈ（Ｎチャンネル）型Ｄ
ＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手段と、前記スイ
ッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ
手段による誘導性負荷への電流供給停止時に誘導性負荷
の蓄積エネルギによる循環電流を流通する電流循環用Ｐ
ｃｈ（Ｐチャンネル）型ＤＭＯＳトランジスタと、誘導
性負荷の蓄積エネルギによる循環電流の流通路に挿入さ
れ前記スイッチ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからな
るスイッチ手段による誘導性負荷への電流供給時に不導
通状態となって前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトラン
ジスタへの電流の流通を阻止するとともに、前記スイッ
チ用Ｎｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタからなるスイッチ手
段による誘導性負荷への電流供給停止時に導通状態とな
って前記電流循環用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳトランジスタへの
循環電流の流通を許容する逆流防止用Ｐｃｈ型ＤＭＯＳ
トランジスタを設け、かつ、前記電流循環用Ｐｃｈ型Ｄ
ＭＯＳトランジスタの導通を制御する導通制御用Ｎｃｈ
型ＤＭＯＳトランジスタを設けたことを特徴とする誘導
性負荷定電流駆動回路。22. An Nch (N-channel) type switch D for switching whether or not to supply current to an inductive load.
A switching means comprising a MOS transistor; and a current circulating P for circulating a circulating current due to energy accumulated in the inductive load when the current supply to the inductive load is stopped by the switching means comprising the switching Nch-type DMOS transistor.
A channel (P-channel) type DMOS transistor is inserted into a flow path of a circulating current due to stored energy of the inductive load, and becomes non-conductive when current is supplied to the inductive load by the switching means including the switching Nch type DMOS transistor. Current flow to the current circulating Pch DMOS transistor, and when the current supply to the inductive load is stopped by the switching means including the switching Nch DMOS transistor, the current circulating Pch Pch-type DMOS for backflow prevention allowing circulation of circulating current to type-DMOS transistor
A transistor is provided, and the current circulating Pch type D
Conduction control Nch for controlling conduction of MOS transistor
An inductive load constant current drive circuit, comprising a type DMOS transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29323299A JP2001117651A (en) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | Inductive load constant-current drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29323299A JP2001117651A (en) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | Inductive load constant-current drive circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001117651A true JP2001117651A (en) | 2001-04-27 |
Family
ID=17792149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29323299A Pending JP2001117651A (en) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | Inductive load constant-current drive circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001117651A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135242A (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Sanken Electric Co Ltd | Solenoid drive |
| KR101773814B1 (en) | 2015-12-30 | 2017-09-04 | (주)태진기술 | Reverse current protection circuit of switch device |
-
1999
- 1999-10-15 JP JP29323299A patent/JP2001117651A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135242A (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Sanken Electric Co Ltd | Solenoid drive |
| US7471496B2 (en) | 2004-11-09 | 2008-12-30 | Sanken Electric Co., Ltd. | Solenoid driving apparatus |
| JP4561321B2 (en) * | 2004-11-09 | 2010-10-13 | サンケン電気株式会社 | Solenoid drive |
| KR101773814B1 (en) | 2015-12-30 | 2017-09-04 | (주)태진기술 | Reverse current protection circuit of switch device |
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