JP2001115268A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】均一性、密着性良く無電解ニッケルめっき膜を
析出させたシリコン半導体装置を提供する。 【解決手段】シリコンウェハをふっ化水素酸と酸化剤と
を含む前処理溶液に浸して表面活性化をおこない、水洗
後直ちに無電解ニッケルめっきをする。酸化剤として
は、過酸化水素水、硝酸を用い、第三の溶液として燐
酸、水、あるいは酢酸を加えた三元系溶液とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウェハ
を用いる半導体装置の製造方法において、基板表面に無
電解ニッケル（以下Ｎｉと記す）めっきを施す際の表面
活性化処理法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の表面活性化処理には、物
理的手段と化学的手段とがある。物理的手段としては、
フォーミング処理、すなわち、表面の細かな粗面化によ
り、また化学的手段としては、パラジウム（以下Ｐｄと
記す）塩やシリコーンカップリング剤など、表面に活性
化核になり得る化学種を吸着させて表面活性化がおこな
われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】物理的手段としてのフ
ォーミング処理には、シリコンカーバイド、シリコンな
どの微粒子を加圧圧送吹きつけをするサンドブラスト
や、回転刃を用いる研削機＋砥石仕上げなどによる基板
表面の粗面化がおこなわれている。形成された表面凹凸
によって、アンカー効果がもたらされ、析出が容易で、
密着性の高い無電解Ｎｉめっきが得られている。

【０００４】しかしこの方法では、表面層に加工歪みや
マイクロクラックなどの加工損傷を生じ、均一、均質な
Ｎｉ合金層を形成し難いという問題があった。図８
（ａ）〜（ｅ）は、サンドブラスト法による表面フォー
ミングをおこなった面へのＮｉめっき法の概要説明図で
ある。ダイオードウェハ８０３を回転テーブル８０４に
真空吸着して回転軸８０５により回転させる。ノズル８
０１よりサンド８０２を数kg/cm²で圧送して、ダイオー
ドウェハ８０３表面に吹きつける〔図８（ａ）〕。この
時、ノズル８０１は、直径方向に往復運動をして均一な
処理がおこなえるようにする。

【０００５】図８（ｂ）は、両面を処理したダイオード
ウェハ８０３の断面図である。図８（ｃ）はその拡大図
である。両面共に数μm 程度の凹み８０８をもつ凹凸面
８０６が得られている。図８（ｄ）は、Ｎｉめっきの初
期段階の断面図である。凹み８０８に析出したＮｉクラ
スタ８０９が見られる。これが以後の連続したＮｉ膜形
成の核になる。図８（ｅ）は両面にめっき膜８１０の形
成が完了した状態の断面図である。

【０００６】Ｎｉの酸化還元電位が、シリコン半導体の
バンドギャップのほぼ中間に位置するので、ポテンシャ
ルの高いｎ型側からは電子の放出を受け易く、一方ｐ型
側のそれは（フェルミ凖位）、放出し難い。従って、両
表面を化学的に処理せず、シリコン生地そのものの場合
ｎ側にはめっきが厚く、ｐ側には薄く付き易い。場合に
よっては５０% もｎ側が厚くなり、両面への均等めっき
には、工程上細かな制御と特別なめっき液が必要にな
る。但し、表面の物理的形状により、アンカー効果が生
じ、膜の密着性は非常に高い。

【０００７】シリコーンカップリング剤の場合は、被着
される無電解ニッケル膜中に有機物（またはその構成原
子である炭素、水素、酸素、以下それぞれＣ、Ｈ、Ｏと
記すなど）を巻き込むという問題があった。図９（ａ）
〜（ｄ）は、シリコーンカップリング剤による化学処理
をおこなった面へのＮｉめっき法の概要説明図である。

【０００８】ダイオードウェハ９０３を回転テーブル９
０４に真空吸着させ、回転軸９０５により回転させなが
らノズル９０１より、シリコーンカップリング剤９０２
を適量滴下させる〔図９（ａ）〕。図９（ｂ）は両面に
塗布乾燥後の状態の断面図である。表面に極く薄いカッ
プリング剤層９０６が形成されている。

【０００９】図９（ｃ）は拡大断面図であり、ダイオー
ドウェハ９０３表面にカップリング剤層９０６が見られ
る。図中Ｒは、Ｃ、Ｈよりなる例えばメチル（ＣＨ₃ ）
基、エチル（Ｃ₂ Ｈ₅ ）基などの有機物の感能基を表し
ている。この処理は、表面にＯが弱く負に帯電した活性
サイト（−Ｏσ^- ）を形成させるわけであるが、Ｏの他
にＣ、Ｈ等の有機物構成元素も沢山共存し、特に、Ｓｉ
とＮｉめっき膜界面には、数十nmを越すＮｉクラスタ核
層が存在することになり、以後の熱処理（５５０℃、３
０分間、窒素Ｎ₂ ／水素Ｈ₂ ＝５／９５vol%）による合
金化時に、特にＣとＯとが影響し、均一、均質なシンタ
ー層が得られなくなる。

【００１０】また、もう一つの化学的手段のうち、Ｐｄ
塩を用いる方法は、めっき溶液の管理の難しさ、液寿命
の短さ、コスト高などの問題があった。このような状況
に鑑み本発明の目的は、シリコン表面に連続的に均一、
均質で良質な無電解Ｎｉめっき膜を形成することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明の方法は、ふっ化水素酸（以下ＨＦと記す）を
ベースとし、酸化剤を含む前処理溶液に浸して表面活性
化をおこない、水洗後直ちに無電解ニッケルめっきをお
こなうものとする。酸化剤を含むＨＦ溶液中ではシリコ
ンは、 Ｓｉ＋６ＨＦ₂ ^- →ＳｉＦ₆ ^2- ＋６ＨＦ＋４ｅ^- （１） Ｓｉ＋Ｏ_x →−Ｓｉ−ＯＨ＋ＨＦ₂ ^- → −Ｓｉ−Ｆ＋Ｆ^- ＋Ｈ₂ Ｏ（２） （１）式に示す反応で僅かではあるが、直接溶解する。

【００１２】また（２）式に示すように酸化剤により酸
化される。ここでは、水溶液中なのでＯＨ基として表し
た。更に、ＨＦが解離したＨＦ₂ ^- 活性イオン種によ
り、ＯをＦで置換し、実際には なるＳｉＦ₆ ^2- として溶解すると考えられている。そし
て実際には（２）式の反応が支配的である。各原子の電
気陰性度を考慮して（２）式の反応基を見直すと、−Ｓ
ｉ−ＯＨでは、Ｓｉ：１．８、Ｏ：３．５、Ｈ：２．１
であるから、 すなわち、Ｏ（酸素）が電子を引きつけて部分的に負に
帯電している。−Ｓｉ−Ｆでは、Ｆ：４．０であるか
ら、 Ｆ（ふっ素）が電子を引きつけて、部分的により負に帯
電している。Ｎｉ²⁺の存在する溶液中では、 のＨとの置換は生じ易く、−Ｓｉ−Ｏ−Ｎｉ^* となる。
一方、 のＦ部位にも化学的吸着は生じ易く、−Ｓｉ−Ｆ…Ｎｉ
^* となる。もう少し立体的に考えると、 のような化学構造が考えられる。

【００１３】すなわち、本発明のＨＦと酸化剤とを含む
前処理溶液中では、シリコンを酸化しつつ、溶解反応も
少し生じながら、ＯまたはＦ原子の電気的活性サイトを
形成する。めっき浴中でその活性サイトにＮｉ²⁺が引き
つけられ、先ずＮｉ原子クラスタの核を生成し、更に核
生成後は、活性サイトとして無電解Ｎｉめっき膜を連続
して生じさせる。

【００１４】また、Ｎｉの析出は、（２）式の−Ｓｉ−
ＯＨ形成時、その反応が支配的に進むものと考えられ
る。つまり、本発明のポイントは、シリコン表面に極く
薄い酸化膜（実際にはシリコンリッチのサブオキサイ
ド）を制御形成させ、バックグラウンドとほぼ同じＯ原
子をＮｉ核形成の活性サイトとして活用して、連続的に
均一、均質で良質な無電解Ｎｉめっき膜を形成すること
である。実際にＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for
Chemical Analysis ）では、数〜数十nmの厚さの酸化膜
が確認されている。

【００１５】酸化剤としては、例えば、過酸化水素水
（以下Ｈ₂ Ｏ₂ と記す）、硝酸（以下ＨＮＯ₃ と記す）
が挙げられる。また、酸化速度と、溶解速度とのバラン
スをとるために、燐酸（以下Ｈ₃ ＰＯ₄ と記す）、水、
氷酢酸（以下ＣＨ₃ ＣＯＯＨと記す）等の第三の希釈剤
を加えるものとする。そして綿密な実験の結果、各種三
元系溶液において、基板表面に十分量のＮｉ原子クラス
タ核形成がなされ、均一、均質な無電解Ｎｉめっき膜が
容易に形成される、適当な組成を決定した。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、実施例に基づいて本発明の
実施の形態を述べる。なお、以下では、ＨＦ、Ｈ
₂ Ｏ₂ 、Ｈ₃ ＰＯ₄ 、ＣＨ₃ ＣＯＯＨ、ＨＮＯ₃ は、そ
れぞれ半導体プロセスで最も広く用いられているそれぞ
れ約５０% 、３１% 、８５% 、９９．８% 、６１% （い
ずれもwt% ）の溶液を使用した。それらの混合比は、体
積比（vol%）で示している。

【００１７】［実施例１］先ず、ＨＦをベースとし、Ｈ
₂ Ｏ₂ 、Ｈ₃ ＰＯ₄ の三元系について説明する。ダイオ
ードウェハは、ｎ型、比抵抗３０Ω・cmのシリコンウェ
ハの一面に燐拡散により、表面不純物濃度２×１０¹⁹cm
^-3、拡散深さ３０μm のｎ⁺ 層を形成し、他面にほう素
拡散により、表面不純物濃度１×１０¹⁹cm^-3、拡散深さ
３０μmのｐ⁺ 層を形成したウェハである。

【００１８】図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の活性化処
理をおこなった面へのニッケルめっき法の概要説明図で
ある。ＨＦと酸化剤とを含む所定組成の前処理溶液７０
２をいれた処理槽７０１にダイオードウェハ７０３を１
分間浸漬させる〔図７（ａ）〕。すると、その表面には
シリコンリッチな極く薄い（数〜数十nm程度）のサブオ
キサイド７０７が生じる〔同図（ｂ）〕。

【００１９】作用の項で述べたようにサブオキサイド７
０７の−Ｓｉ−Ｏ−Ｈにおいて、電気陰性度の関係によ
り、Ｏ原子は電子を回りに引きつけており、局部的に負
に帯電した活性サイト（−Ｓｉ−Ｏ^* σ^- ）となってい
る。十分に水洗した後、下記のめっき浴に５分間浸漬、
緩やかに揺動しながらめっきする。無電解Ｎｉめっき浴
は、アルカリ性浴を用いた。めっき浴組成およびめっき
条件は次の通りである。

【００２０】 硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ₄ ） ０．１M 燐酸二水素ナトリウム（ＮａＨ₂ ＰＯ₄ ） ０．３５M ビロリン酸ナトリウム（Ｎａ₂ Ｈ₂ Ｐ₂ Ｏ₇ ）０．２M 水酸化アンモニウム（ＮＨ₄ ＯＨ）のＰＨ ９．０ 温度 ８３℃ 析出物 Ｎｉ／８% Ｐ 図７（ｃ）はＮｉクラスター核形成過程を示す模式図で
ある。

【００２１】めっき浴中では、クーロン力によりサブオ
キサイド７０７の活性サイトにＮｉ ²⁺イオンが引きつけ
られて化学吸着され、Ｎｉクラスター核７０８が均一に
形成される。更にＮｉクラスター核７０８を核にして、
Ｎｉの析出が進行し、ダイオードウェハのｎ、ｐ両面に
ほぼ均一に、均質なＮｉめっき膜７１０を被着させるこ
とができる〔図７（ｄ）〕。

【００２２】なお、サブオキサイド７０７中のＯ原子
は、後工程のシンター時に雰囲気中のＨやめっき膜中の
Ｐと反応するので、めっき膜の特性には悪影響を与えな
い。図１は、本発明第一の実施例で用いたＨＦ、Ｈ₂ Ｏ
₂ 、Ｈ₃ ＰＯ₄ 三元前処理溶液の組成、およびそのめっ
き結果を示す特性図である。丸印はその組成の溶液で前
処理した後、シリコンウェハに無電解Ｎｉめっきしたこ
とを示す。単位はvol%である。

【００２３】白丸印は、つき回り、面状態、密着性、膜
厚分布（±５% ）など良好であったことを示す。上記系
では、ほぼ全ての組成点で良好な結果が得られた。ＨＦ
と酸化剤の共存する系では、シリコンの溶解とシリコン
の酸化とが競合反応として生じ、先述の如く、シリコン
酸化反応が支配的と考えている。

【００２４】このときＨ₃ ＰＯ₄ は水素発生の過電圧を
下げ、還元剤としても働き、われわれが望む極く薄い酸
化膜形成の良い制御剤として作用する。この方法による
Ｎｉメッキでは、容易に均質、均一なメッキ膜が形成で
きるだけでなく、従来のカップリング剤をもちいた時の
不純物混入の問題も無い。なお、実際の半導体デバイス
の電極形成に適用してもなんら問題無いことも確認し
た。

【００２５】［実施例２］実施例１と同様にして、Ｈ
Ｆ、Ｈ₂ Ｏ₂ 、水の三元系溶液で処理した後、直ちに無
電解ニッケルめっきをおこなった。図２は、ＨＦ、Ｈ₂
Ｏ₂ 、水三元溶液の組成、およびそのメッキ結果を示す
特性図である。丸印は各組成点で、シリコンウェハに無
電解めっきしたことを示す。

【００２６】白丸印は、つき回り、面状態、密着性、膜
厚（±５% ）など良好であったことを示す。黒丸はｐ、
ｎ両面全くめっきが付かない、ｐ、ｎの片側だけつい
た、ぼつぼつ小さい穴があいた、剥離したなどの不良部
位を示す。ＨＦと水とを結ぶ軸に沿った領域は概ね良好
であるが、Ｈ₂ Ｏ₂ が７０% 以上の濃い領域では、不良
となつている。これは、酸化膜の溶解速度に比べて、形
成速度が大きいためである。

【００２７】［実施例３］同様にして、ＨＦ、Ｈ
₂ Ｏ₂ 、ＣＨ₃ ＣＯＯＨの三元系溶液で処理した後、直
ちに無電解Ｎｉめっきをおこなった。図３は、ＨＦ、Ｈ
₂ Ｏ₂ 、ＣＨ₃ ＣＯＯＨの三元系溶液の組成、およびそ
のめっき結果を示す特性図である。丸印は各組成点で、
シリコンウェハに無電解めっきしたことを示す。

【００２８】ＨＦが２０% 以上と濃い領域は概ね良好で
あるが、ＨＦが１０% 以下と薄く、Ｈ₂ Ｏ₂ が４０% 以
上と濃い領域では、不良となつている。これも、酸化膜
の溶解速度が遅く、溶解速度と形成速度とのバランスが
悪いためである。ＣＨ₃ ＣＯＯＨが８０% 以上と濃い領
域でも不良となつている。この領域は、酸化も溶解も十
分に進まないためである。

【００２９】［実施例４］酸化剤としてＨＮＯ₃ を用
い、同様にして、ＨＦ、ＨＮＯ₃ 、Ｈ₃ ＰＯ₄ 三元系溶
液で処理した後、直ちに無電解ニッケルめっきをおこな
った。図４は、ＨＦ、ＨＮＯ₃ 、Ｈ₃ ＰＯ₄ の三元系溶
液の組成、およびそのメッキ結果を示す特性図である。
丸印は各組成点で、シリコンウェハに無電解めっきした
ことを示す。

【００３０】ＨＦが３０% 以上の濃い領域は概ね良好で
あるが、２０% 以下の薄い領域では、不良となつてい
る。Ｈ₃ ＰＯ₄ 弱い酸化剤として作用するので、酸化膜
の溶解速度が遅く、溶解速度と形成速度とのバランスが
悪いためである。 ［実施例５］同様に、ＨＦ、ＨＮＯ₃ 、水の三元系溶液
で処理した後、直ちに無電解ニッケルめっきをおこなっ
た。

【００３１】図５は、ＨＦ、ＨＮＯ₃ 、水の三元溶液の
組成、およびそのメッキ結果を示す特性図である。丸印
は各組成点で、シリコンウェハに無電解めっきしたこと
を示す。ＨＦと水とを結ぶ軸に沿った領域がやや良いだ
けで、ＨＮＯ₃ の多い領域( ６０% 以上）、水の多い領
域( ６０% 以上）では、不良となつている。これも溶解
速度と形成速度とのバランスが悪いためである。

【００３２】［実施例６］同様に、ＨＦ、ＨＮＯ₃ 、Ｃ
Ｈ₃ ＣＯＯＨの三元系溶液で処理した後、直ちに無電解
ニッケルめっきをおこなった。図６は、ＨＦ、ＨＮ
Ｏ₃ 、ＣＨ₃ ＣＯＯＨの三元系溶液の組成、およびその
メッキ結果を示す特性図である。丸印は各組成点で、シ
リコンウェハに無電解めっきしたことを示す。

【００３３】ＨＦとＣＨ₃ ＣＯＯＨとを結ぶ軸に沿った
領域がやや良いだけで、ＨＮＯ₃ が多く( ３０% 以
上）、ＨＦの少ない領域( ５０% 以下）では、不良とな
つている。これも溶解速度と形成速度とのバランスが悪
いためである。以上の実施例では、仮に膜厚分布が±５
% 以上のものを不良としたが、実際の半導体装置の絶対
的な基準ではないので、図１〜６の良／不良境界は多少
移動する場合がある。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコンウェハをふっ化水素酸と酸化剤とを含む前処理溶
液に浸して表面活性化をおこない、水洗後直ちに無電解
ニッケルめっきをすることにより、容易に、不純物を含
まず、均一、均質なＮｉめっき膜をもつ半導体装置を製
造することができる。

【００３５】酸化剤としては、過酸化水素水、硝酸を用
い、第三の溶液として燐酸、水、あるいは酢酸を加えた
三元系溶液とすることにより、シリコン表面の酸化層の
生長を制御することが可能となり、プロセスの自由度が
増し、確実に均一なＮｉめっき膜を形成できる。いずれ
も容易に入手可能な薬品であり、工程も簡易であり、コ
ストも高くならないので、各種半導体装置に広く適用可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１のＨＦ−Ｈ₂ Ｏ₂ −Ｈ₃ ＰＯ
₄ 三元系溶液により前処理をおこなった時の各組成点で
のめっき特性図

【図２】実施例２のＨＦ−Ｈ₂ Ｏ₂ −Ｈ₂ Ｏ三元系溶液
により前処理をおこなった時の各組成点でのめっき特性
図

【図３】実施例３のＨＦ−Ｈ₂ Ｏ₂ −ＣＨ₃ ＣＯＯＨ三
元系溶液により前処理をおこなった時の各組成点でのめ
っき特性図

【図４】実施例４のＨＦ−ＨＮＯ₃ −Ｈ₃ ＰＯ₄ 三元系
溶液により前処理をおこなった時の各組成点でのめっき
特性図

【図５】実施例５のＨＦ−ＨＮＯ₃ −Ｈ₂ Ｏ三元系溶液
により前処理をおこなった時の各組成点でのめっき特性
図

【図６】実施例６のＨＦ−ＨＮＯ₃ −ＣＨ₃ ＣＯＯＨ三
元系溶液により前処理をおこなった時の各組成点でのめ
っき特性図

【図７】（ａ）は本発明実施例の処理溶液浸漬状況の説
明図、（ｂ）は前処理後のダイオードウェハ断面図、
（ｃ）はめっき浴浸漬後の表面模式図、（ｄ）はＮｉめ
っき後のダイオードウェハ断面図

【図８】（ａ）は従来法サンドブラスト状況の説明図、
（ｂ）はサンドブラスト後のダイオードウェハ断面図、
（ｃ）は表面拡大断面図、（ｄ）はめっき浴浸漬後の表
面模式図、（ｅ）はＮｉめっき後のダイオードウェハ断
面図

【図９】（ａ）は従来法カップリング剤塗布状況の説明
図、（ｂ）はカップリング剤塗布後のダイオードウェハ
断面図、（ｃ）はめっき浴浸漬後の表面模式図、（ｄ）
はＮｉめっき後のダイオードウェハ断面図

【符号の説明】

７０１ 処理槽 ７０２ 処理溶液 ７０３、８０３、９０３ ダイオードウェハ ７０７ サブオキサイド ７０９、８０９ Ｎｉクラスター核 ７１０、８１０、９１０ Ｎｉめっき膜 ８０１、９０１ ノズル ８０２ サンド ８０４、９０４ 回転テーブル ８０５、９０４ 回転軸 ８０６ 凹凸面 ８０８ 凹み ９０２ カップリング剤 ９０７ カップリング剤層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 一ノ瀬 正樹 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 中山 茂幸 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4K022 AA05 BA14 CA04 CA15 CA23 DA01 DB02 DB08 5F043 AA02 BB27 DD02 GG10

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】シリコンウェハをふっ化水素酸と酸化剤と
   を含む前処理溶液に浸して表面活性化をおこない、水洗
   後直ちに無電解ニッケルめっきをおこなうことを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】ふっ化水素酸（５０wt% ）、過酸化水素水
   （３１wt% ）、燐酸（８５wt% ）の混合液からなる前処
   理溶液を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導
   体装置の製造方法。
3. 【請求項３】ふっ化水素酸（５０wt% ）、過酸化水素水
   （３１wt% ）、水の混合液からなる前処理溶液を用い、
   過酸化水素水を７０vol%未満とすることを特徴とする請
   求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】ふっ化水素酸（５０wt% ）、過酸化水素水
   （３１wt% ）、氷酢酸（９９．８wt% ）の混合液からな
   る前処理溶液を用い、氷酢酸を８０vol%以下とすること
   を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】ふっ化水素酸を１０vol%以上とすることを
   特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】ふっ化水素酸（５０wt% ）、硝酸（６１wt
   % ）、燐酸（８５wt% ）の混合液からなる前処理溶液を
   用い、ふっ化水素酸を３０vol%以上とすることを特徴と
   する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】ふっ化水素酸（５０wt% ）、（濃度６１wt
   % ）、水の混合液からなる前処理溶液を用い、ふっ化水
   素酸を４０vol%以上とすることを特徴とする請求項１に
   記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】水を１０vol%以上とすることを特徴とする
   請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】ふっ化水素酸（５０wt% ）、硝酸（６１wt
   % ）、氷酢酸（９９．８wt% ）の混合液からなる前処理
   溶液を用い、ふっ化水素酸を５０vol%以上とすることを
   特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】ふっ化水素酸（５０wt% ）、硝酸（６１
    wt% ）、氷酢酸（９９．８wt% ）の混合液からなる前処
    理溶液を用い、硝酸を１０vol%以下、ふっ化水素酸を２
    ０vol%以上とすることを特徴とする請求項１に記載の半
    導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】ＰＨ９．０のアルカリ性浴を用いて無電
    解ニッケルめっきすることを特徴とする請求項１ないし
    １０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。