JP2001111377A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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- JP2001111377A JP2001111377A JP28433299A JP28433299A JP2001111377A JP 2001111377 A JP2001111377 A JP 2001111377A JP 28433299 A JP28433299 A JP 28433299A JP 28433299 A JP28433299 A JP 28433299A JP 2001111377 A JP2001111377 A JP 2001111377A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一方向性が良好であり、挿入損失を低減する
ことができ、かつ製造容易な弾性表面波装置を得る。 【解決手段】 絶縁体、誘電体または圧電体からなる基
板２上に、すだれ状電極３が形成されており、すだれ状
電極３の少なくとも電極指を覆うように圧電薄膜４が形
成されており、圧電薄膜４の表面に、表面波を反射させ
るための複数本の突条４ａ〜４ｃを有する反射器が構成
されており、突条４ａ〜４ｃの中心が、すだれ状電極の
対応する電極指の励振中心に対し、表面波伝搬方向にお
いて素子中心とは反対側に約λ／８ずらされている弾性
表面波装置１。
ことができ、かつ製造容易な弾性表面波装置を得る。 【解決手段】 絶縁体、誘電体または圧電体からなる基
板２上に、すだれ状電極３が形成されており、すだれ状
電極３の少なくとも電極指を覆うように圧電薄膜４が形
成されており、圧電薄膜４の表面に、表面波を反射させ
るための複数本の突条４ａ〜４ｃを有する反射器が構成
されており、突条４ａ〜４ｃの中心が、すだれ状電極の
対応する電極指の励振中心に対し、表面波伝搬方向にお
いて素子中心とは反対側に約λ／８ずらされている弾性
表面波装置１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば帯域フィル
タや共振子として用いられる弾性表面波装置及びその製
造方法に関し、より詳細には、一方向性の弾性表面波装
置及びその製造方法に関する。
タや共振子として用いられる弾性表面波装置及びその製
造方法に関し、より詳細には、一方向性の弾性表面波装
置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波装置では、圧電基板上に少な
くとも１つのすだれ状電極（以下、ＩＤＴ電極）が形成
されている。このＩＤＴ電極に電圧を印加することによ
り表面波が励振され、ＩＤＴ電極の両側に向かって表面
波が伝搬する。すなわち、従来の弾性表面波装置は双方
向性であるため、損失が大きいという問題があった。
くとも１つのすだれ状電極（以下、ＩＤＴ電極）が形成
されている。このＩＤＴ電極に電圧を印加することによ
り表面波が励振され、ＩＤＴ電極の両側に向かって表面
波が伝搬する。すなわち、従来の弾性表面波装置は双方
向性であるため、損失が大きいという問題があった。
【０００３】そこで、損失を低減するために、一方向性
の弾性表面波装置が種々提案されている。例えば、特開
平９−２６０９９３号公報には、図５及び図６に示す一
方向性の弾性表面波装置が開示されている。
の弾性表面波装置が種々提案されている。例えば、特開
平９−２６０９９３号公報には、図５及び図６に示す一
方向性の弾性表面波装置が開示されている。
【０００４】図５（ａ）及び（ｂ）に示す一方向性の弾
性表面波装置５１では、圧電基板５２上に、ＩＤＴ電極
５３が形成されている。なお、ＩＤＴ電極５３は、電気
的に分離されている電極５３ａ，５３ｂを有し、ＩＤＴ
電極５３ａ，５３ｂは、それぞれ、互いに間挿し合う電
極指５３ａ1 ，５３ｂ1 を有する。図５では、電極指５
３ａ1 ，５３ａ2 ，５３ｂ1 が図示されている。
性表面波装置５１では、圧電基板５２上に、ＩＤＴ電極
５３が形成されている。なお、ＩＤＴ電極５３は、電気
的に分離されている電極５３ａ，５３ｂを有し、ＩＤＴ
電極５３ａ，５３ｂは、それぞれ、互いに間挿し合う電
極指５３ａ1 ，５３ｂ1 を有する。図５では、電極指５
３ａ1 ，５３ａ2 ，５３ｂ1 が図示されている。
【０００５】図５（ａ）及び（ｂ）においては、ＩＤＴ
電極５３の一部のみが図示されているが、図５におい
て、右側へ向かう方向が素子中心方向を示し、弾性表面
波装置５１は、素子中心方向に弾性表面波が伝搬し得る
ように構成されている。
電極５３の一部のみが図示されているが、図５におい
て、右側へ向かう方向が素子中心方向を示し、弾性表面
波装置５１は、素子中心方向に弾性表面波が伝搬し得る
ように構成されている。
【０００６】すなわち、図５に示す弾性表面波装置５１
では、誘電体薄膜５４が、電極指５３ａ1 ，５３ａ2 ，
５３ｂ1 を覆うように形成されている。もっとも、誘電
体薄膜５４の上面に、溝５４ａ，５４ｂが形成されてい
る。この溝５４ａ，５４ｂにより反射器が構成されてお
り、表面波が素子中心方向にのみ伝搬するように構成さ
れている。
では、誘電体薄膜５４が、電極指５３ａ1 ，５３ａ2 ，
５３ｂ1 を覆うように形成されている。もっとも、誘電
体薄膜５４の上面に、溝５４ａ，５４ｂが形成されてい
る。この溝５４ａ，５４ｂにより反射器が構成されてお
り、表面波が素子中心方向にのみ伝搬するように構成さ
れている。
【０００７】なお、図５（ｂ）において多点のハッチン
グを付した部分は、溝５４ａ，５４ｂにおける深さが最
も深い部分を示している。この組み合う段差によって反
射中心が決まる。
グを付した部分は、溝５４ａ，５４ｂにおける深さが最
も深い部分を示している。この組み合う段差によって反
射中心が決まる。
【０００８】また、図６に示す弾性表面波装置６１で
は、圧電基板６２上にＩＤＴ電極６３が形成されてい
る。ＩＤＴ電極６３は、電気的に分離されている電極６
３ａ，６３ｂを有し、ＩＤＴ電極６３ａ，６３ｂは、互
いに間挿し合う電極指６３ａ1 ，６３ｂ1 を有する。
は、圧電基板６２上にＩＤＴ電極６３が形成されてい
る。ＩＤＴ電極６３は、電気的に分離されている電極６
３ａ，６３ｂを有し、ＩＤＴ電極６３ａ，６３ｂは、互
いに間挿し合う電極指６３ａ1 ，６３ｂ1 を有する。
【０００９】また、一方向性を実現するために、電極指
６３ａ1 ，６３ｂ1 ，６３ａ2 を部分的に覆うように、
ストライプ状の誘電体薄膜６４ａ〜６４ｃが形成されて
いる。誘電体６４ａ〜６４ｃは、薄膜形成法により形成
されており、電極指６３ａ1，６３ｂ1 ，６３ａ2 の側
方から、該電極指６３ａ1 ，６３ｂ1 ，６３ａ2 の素子
中心方向の端縁を超えて各電極指の上面に至るように形
成されている。
６３ａ1 ，６３ｂ1 ，６３ａ2 を部分的に覆うように、
ストライプ状の誘電体薄膜６４ａ〜６４ｃが形成されて
いる。誘電体６４ａ〜６４ｃは、薄膜形成法により形成
されており、電極指６３ａ1，６３ｂ1 ，６３ａ2 の側
方から、該電極指６３ａ1 ，６３ｂ1 ，６３ａ2 の素子
中心方向の端縁を超えて各電極指の上面に至るように形
成されている。
【００１０】弾性表面波装置５１，６１では、上記のよ
うに、誘電体薄膜５４，６４に、表面波を反射させるた
めの反射面を構成するために、溝５４ａ，５４ｂやスト
ライプ状の誘電体薄膜６４ａ〜６４ｃが形成されてい
る。
うに、誘電体薄膜５４，６４に、表面波を反射させるた
めの反射面を構成するために、溝５４ａ，５４ｂやスト
ライプ状の誘電体薄膜６４ａ〜６４ｃが形成されてい
る。
【００１１】また、上記先行技術に記載の弾性表面波装
置５１，６１では、電極指中心と、上記のようにして形
成された反射器の反射中心との間の距離ｇ1 〜ｇ4 をλ
／８とすることにより、一方向性が実現されるとされて
いる。
置５１，６１では、電極指中心と、上記のようにして形
成された反射器の反射中心との間の距離ｇ1 〜ｇ4 をλ
／８とすることにより、一方向性が実現されるとされて
いる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の弾性表面波装置
５１では、一方向性を実現させるために、誘電体薄膜５
４に上記溝５４ａ，５４ｂを正確に、すなわち溝５４
ａ，５４ｂの中心が、電極指中心に対してλ／８だけ隔
てられるように正確に形成する必要があった。
５１では、一方向性を実現させるために、誘電体薄膜５
４に上記溝５４ａ，５４ｂを正確に、すなわち溝５４
ａ，５４ｂの中心が、電極指中心に対してλ／８だけ隔
てられるように正確に形成する必要があった。
【００１３】ここで、弾性表面波装置５１では、誘電体
薄膜５４が形成され、電極指５３ａ 1 ，５３ｂ1 のパタ
ーンを利用して、フォトリソグラフィーにより、さらに
溝５４ａ，５４ｂが形成されている。この溝５４ａ，５
４ｂの形成に際し、圧電基板５２の裏面側から露光する
必要があった。よって、圧電基板５２及び誘電体薄膜５
４として透光性の材料を用いなければならず、材料の制
約があった。加えて、誘電体薄膜５４の厚みを厚くした
場合には、溝５４ａ，５４ｂの位置制度が低くなるとい
う問題があった。
薄膜５４が形成され、電極指５３ａ 1 ，５３ｂ1 のパタ
ーンを利用して、フォトリソグラフィーにより、さらに
溝５４ａ，５４ｂが形成されている。この溝５４ａ，５
４ｂの形成に際し、圧電基板５２の裏面側から露光する
必要があった。よって、圧電基板５２及び誘電体薄膜５
４として透光性の材料を用いなければならず、材料の制
約があった。加えて、誘電体薄膜５４の厚みを厚くした
場合には、溝５４ａ，５４ｂの位置制度が低くなるとい
う問題があった。
【００１４】さらに、圧電基板５２上に誘電体薄膜５４
を形成した後、エッチングにより溝５４ａ，５４ｂを形
成するため、エッチングむらにより溝５４ａ，５４ｂの
高さ方向にばらつきが生じ、特性が安定しないという問
題もあった。
を形成した後、エッチングにより溝５４ａ，５４ｂを形
成するため、エッチングむらにより溝５４ａ，５４ｂの
高さ方向にばらつきが生じ、特性が安定しないという問
題もあった。
【００１５】さらに、溝５４ａ，５４ｂの形成にあたり
ＩＤＴ電極５３のパターンを用いているため、励振中心
すなわち電極指の中心と、反射中心との間の距離ｇ3 ｇ
4 を正確にλ／８に設定することが困難であるという問
題もあった。
ＩＤＴ電極５３のパターンを用いているため、励振中心
すなわち電極指の中心と、反射中心との間の距離ｇ3 ｇ
4 を正確にλ／８に設定することが困難であるという問
題もあった。
【００１６】他方、図６に示した弾性表面波装置６１で
は、圧電基板６２上にストライプ状の誘電体薄膜６４ａ
〜６４ｃを形成すればよいため、弾性表面波装置５１に
比べて、誘電体薄膜６４ａ〜６４ｃの形成は容易であ
る。しかしながら、誘電体薄膜６４ａ〜６４ｃは、圧電
基板６２の上面から電極指６３ａ1 ，６３ｂ1 ，６３ａ
2 に乗り上げるように構成されている。従って、やは
り、励振中心、すなわち電極指６３ａ1 ，６３ｂ1 ，６
３ａ2 の中心と、反射中心、すなわちストライプ状誘電
体薄膜６４ａ〜６４ｃの中心との間の距離ｇ1 ，ｇ2 ，
ｇ3 を正確にλ／８にすることが困難であった。
は、圧電基板６２上にストライプ状の誘電体薄膜６４ａ
〜６４ｃを形成すればよいため、弾性表面波装置５１に
比べて、誘電体薄膜６４ａ〜６４ｃの形成は容易であ
る。しかしながら、誘電体薄膜６４ａ〜６４ｃは、圧電
基板６２の上面から電極指６３ａ1 ，６３ｂ1 ，６３ａ
2 に乗り上げるように構成されている。従って、やは
り、励振中心、すなわち電極指６３ａ1 ，６３ｂ1 ，６
３ａ2 の中心と、反射中心、すなわちストライプ状誘電
体薄膜６４ａ〜６４ｃの中心との間の距離ｇ1 ，ｇ2 ，
ｇ3 を正確にλ／８にすることが困難であった。
【００１７】加えて、上記先行技術では、電極指を２本
の電極により構成してなる、いわゆるスプリット電極か
らなる電極指の場合については言及されていない。電極
指をスプリット電極とした場合、上記先行技術に記載の
ように溝の形成に際してＩＤＴ電極５３のパターンを用
いると、励振中心すなわち電極指の中心と、反射中心す
なわち溝の中心がずれなくなり、一方向性を実現するこ
とはできない。
の電極により構成してなる、いわゆるスプリット電極か
らなる電極指の場合については言及されていない。電極
指をスプリット電極とした場合、上記先行技術に記載の
ように溝の形成に際してＩＤＴ電極５３のパターンを用
いると、励振中心すなわち電極指の中心と、反射中心す
なわち溝の中心がずれなくなり、一方向性を実現するこ
とはできない。
【００１８】本発明の目的は、すだれ状電極の励振中心
とすだれ状電極の電極指を覆うように反射器を構成する
ために形成された薄膜における反射中心との間の距離を
高精度に制御することができ、確実に一方向性を実現す
ることができ、さらに製造容易な弾性表面波装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
とすだれ状電極の電極指を覆うように反射器を構成する
ために形成された薄膜における反射中心との間の距離を
高精度に制御することができ、確実に一方向性を実現す
ることができ、さらに製造容易な弾性表面波装置及びそ
の製造方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る弾性表面波
装置は、絶縁体、誘電体または圧電体からなる基板と、
前記基板の片面に形成されており、かつ互いに間挿し合
う複数本の電極指を有する少なくとも１つのすだれ状電
極と、前記すだれ状電極の少なくとも電極指を覆うよう
に前記基板上に形成された圧電体薄膜または誘電体薄膜
とを備え、前記圧電体薄膜または誘電体薄膜表面に表面
波を反射させるための複数本の突条が形成されており、
該突条の中心が、前記すだれ状電極の各電極指における
励振中心に対して素子中心とは反対方向に約λ／８ずら
されていることを特徴とする。
装置は、絶縁体、誘電体または圧電体からなる基板と、
前記基板の片面に形成されており、かつ互いに間挿し合
う複数本の電極指を有する少なくとも１つのすだれ状電
極と、前記すだれ状電極の少なくとも電極指を覆うよう
に前記基板上に形成された圧電体薄膜または誘電体薄膜
とを備え、前記圧電体薄膜または誘電体薄膜表面に表面
波を反射させるための複数本の突条が形成されており、
該突条の中心が、前記すだれ状電極の各電極指における
励振中心に対して素子中心とは反対方向に約λ／８ずら
されていることを特徴とする。
【００２０】本発明の特定の局面では、前記すだれ状電
極の電極指がソリッド電極であり、該電極指の幅がλ／
８よりも大きく、前記圧電体薄膜または誘電体薄膜に形
成された突条の幅が大きくともλ／４であり、該突条の
中心が、すだれ状電極の電極指の励振中心から弾性表面
波装置の中心とは反対方向にλ／８ずらされている。
極の電極指がソリッド電極であり、該電極指の幅がλ／
８よりも大きく、前記圧電体薄膜または誘電体薄膜に形
成された突条の幅が大きくともλ／４であり、該突条の
中心が、すだれ状電極の電極指の励振中心から弾性表面
波装置の中心とは反対方向にλ／８ずらされている。
【００２１】本発明の別の特定の局面では、前記すだれ
状電極の各電極指が２本の電極からなるスプリット電極
であり、前記圧電体薄膜または誘電体薄膜上に形成され
た突条の幅が大きくともλ／４であり、前記突条の中心
が、電極指の励振中心に対して、表面波伝搬方向におい
て弾性表面波装置の中心とは反対方向にλ／８だけずら
されている。
状電極の各電極指が２本の電極からなるスプリット電極
であり、前記圧電体薄膜または誘電体薄膜上に形成され
た突条の幅が大きくともλ／４であり、前記突条の中心
が、電極指の励振中心に対して、表面波伝搬方向におい
て弾性表面波装置の中心とは反対方向にλ／８だけずら
されている。
【００２２】本発明に係る弾性表面波装置では、好まし
くは、すだれ状電極の電極指の幅は約３λ／８とされて
いる。本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、絶縁
体、誘電体または圧電体よりなる基板上に、すだれ状電
極を形成する工程と、前記すだれ状電極の形成された基
板表面において、すだれ状電極の電極指間の領域を埋め
るように、かつ前記突条が形成されるすだれ状電極の電
極指の上面において、第１の圧電体薄膜または誘電体薄
膜を形成し、該すだれ状電極の電極指上の圧電体薄膜ま
たは誘電体薄膜により突起を形成する工程と、すだれ状
電極の電極指間の領域を埋めるように、かつ前記突条が
形成されるすだれ状電極の電極指の上面部分を覆うよう
に均一な厚みの第２の圧電体薄膜または誘電体薄膜を形
成し、該第２の圧電体薄膜または誘電体薄膜の前記突起
を被覆している部分によって、前記突条が形成される工
程とを備えることを特徴とする。
くは、すだれ状電極の電極指の幅は約３λ／８とされて
いる。本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、絶縁
体、誘電体または圧電体よりなる基板上に、すだれ状電
極を形成する工程と、前記すだれ状電極の形成された基
板表面において、すだれ状電極の電極指間の領域を埋め
るように、かつ前記突条が形成されるすだれ状電極の電
極指の上面において、第１の圧電体薄膜または誘電体薄
膜を形成し、該すだれ状電極の電極指上の圧電体薄膜ま
たは誘電体薄膜により突起を形成する工程と、すだれ状
電極の電極指間の領域を埋めるように、かつ前記突条が
形成されるすだれ状電極の電極指の上面部分を覆うよう
に均一な厚みの第２の圧電体薄膜または誘電体薄膜を形
成し、該第２の圧電体薄膜または誘電体薄膜の前記突起
を被覆している部分によって、前記突条が形成される工
程とを備えることを特徴とする。
【００２３】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の
特定の局面では、前記すだれ状電極の電極指上の圧電体
薄膜または誘電体薄膜により突起を形成する工程が、薄
膜形成法により均一な厚みの第１の圧電体薄膜または誘
電体薄膜を形成し、すだれ状電極の電極指間の領域及び
すだれ状電極の電極指表面を第１の圧電体薄膜または誘
電体薄膜で被覆する工程と、前記第１の圧電体薄膜また
は誘電体薄膜をフォトリソグラフィー及びエッチングに
より加工し、前記すだれ状電極の電極指表面の第１の圧
電体薄膜または誘電体薄膜を部分的に除去して、前記突
起を形成する工程とを有する。
特定の局面では、前記すだれ状電極の電極指上の圧電体
薄膜または誘電体薄膜により突起を形成する工程が、薄
膜形成法により均一な厚みの第１の圧電体薄膜または誘
電体薄膜を形成し、すだれ状電極の電極指間の領域及び
すだれ状電極の電極指表面を第１の圧電体薄膜または誘
電体薄膜で被覆する工程と、前記第１の圧電体薄膜また
は誘電体薄膜をフォトリソグラフィー及びエッチングに
より加工し、前記すだれ状電極の電極指表面の第１の圧
電体薄膜または誘電体薄膜を部分的に除去して、前記突
起を形成する工程とを有する。
【００２４】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の
他の特定の局面では、前記すだれ状電極の電極指上の圧
電体薄膜または誘電体薄膜により突起を形成する工程
が、前記基板のすだれ状電極が形成されている面側にマ
スクを当接し、薄膜形成法により第１の圧電体薄膜また
は誘電体薄膜を形成することにより、すだれ状電極の電
極指間に圧電体薄膜または誘電体薄膜が形成されてお
り、かつすだれ状電極の電極指の表面に該圧電体薄膜ま
たは誘電体薄膜からなる突起が部分的に形成されること
により行われる。
他の特定の局面では、前記すだれ状電極の電極指上の圧
電体薄膜または誘電体薄膜により突起を形成する工程
が、前記基板のすだれ状電極が形成されている面側にマ
スクを当接し、薄膜形成法により第１の圧電体薄膜また
は誘電体薄膜を形成することにより、すだれ状電極の電
極指間に圧電体薄膜または誘電体薄膜が形成されてお
り、かつすだれ状電極の電極指の表面に該圧電体薄膜ま
たは誘電体薄膜からなる突起が部分的に形成されること
により行われる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の実施例に係る弾性表面波装置及びその製造方法を説明
することにより、本発明を明らかにする。
の実施例に係る弾性表面波装置及びその製造方法を説明
することにより、本発明を明らかにする。
【００２６】図１（ａ）は、本発明の第１の実施例に係
る弾性表面波装置のすだれ状電極を説明するための平面
図であり、図１（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う部分
における弾性表面波装置の断面図である。弾性表面波装
置１は、誘電体または絶縁体からなる基板２の上面にす
だれ状電極３を形成した構造を有する。すだれ状電極３
は、電気的に分離されている電極３ａ，３ｂを有する。
すだれ状電極３ａは、表面波伝搬方向と直交する方向に
延ばされた電極指３ａ1 〜３ａ4 を有し、すだれ状電極
３ｂは、表面波伝搬方向と直交する方向に延ばされた電
極指３ｂ1 〜３ｂ5 を有する。電極指３ａ1 〜３ａ
4 と、電極指３ｂ1 〜３ｂ5 とは、互いに間挿し合うよ
うに配置されている。
る弾性表面波装置のすだれ状電極を説明するための平面
図であり、図１（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う部分
における弾性表面波装置の断面図である。弾性表面波装
置１は、誘電体または絶縁体からなる基板２の上面にす
だれ状電極３を形成した構造を有する。すだれ状電極３
は、電気的に分離されている電極３ａ，３ｂを有する。
すだれ状電極３ａは、表面波伝搬方向と直交する方向に
延ばされた電極指３ａ1 〜３ａ4 を有し、すだれ状電極
３ｂは、表面波伝搬方向と直交する方向に延ばされた電
極指３ｂ1 〜３ｂ5 を有する。電極指３ａ1 〜３ａ
4 と、電極指３ｂ1 〜３ｂ5 とは、互いに間挿し合うよ
うに配置されている。
【００２７】また、図１（ａ）では図示を省略されてい
るが、すだれ状電極３を被覆するように、圧電薄膜４が
形成されている（図１（ｂ）参照）。上記絶縁基板２を
構成する材料については、特に限定されるわけではない
が、例えばアルミナなどの絶縁性セラミックスを用いる
ことができる。また、絶縁基板２に代えて、誘電体基板
を用いてもよい。
るが、すだれ状電極３を被覆するように、圧電薄膜４が
形成されている（図１（ｂ）参照）。上記絶縁基板２を
構成する材料については、特に限定されるわけではない
が、例えばアルミナなどの絶縁性セラミックスを用いる
ことができる。また、絶縁基板２に代えて、誘電体基板
を用いてもよい。
【００２８】また、すだれ状電極３については、Ａｌな
どの適宜の金属材料を用いて形成することができる。圧
電薄膜４は、ＺｎＯ薄膜、Ｔａ2 Ｏ5 薄膜などを用いる
ことができる。
どの適宜の金属材料を用いて形成することができる。圧
電薄膜４は、ＺｎＯ薄膜、Ｔａ2 Ｏ5 薄膜などを用いる
ことができる。
【００２９】また、本実施例の弾性表面波装置１では、
すだれ状電極３のみが図示されているが、絶縁基板２の
上面において、すだれ状電極３の左方に、図示しない他
のすだれ状電極が形成されている。すなわち、弾性表面
波装置１では、素子の中心は、図示されている部分の左
側にある。従って、図１において、矢印Ｄが素子中心方
向である。
すだれ状電極３のみが図示されているが、絶縁基板２の
上面において、すだれ状電極３の左方に、図示しない他
のすだれ状電極が形成されている。すなわち、弾性表面
波装置１では、素子の中心は、図示されている部分の左
側にある。従って、図１において、矢印Ｄが素子中心方
向である。
【００３０】弾性表面波装置１では、すだれ状電極３に
一方向性を付与するために、圧電薄膜４の表面に複数の
突条４ａ〜４ｃからなる反射器が構成されている。これ
を、図１（ｂ）を参照してより具体的に説明する。
一方向性を付与するために、圧電薄膜４の表面に複数の
突条４ａ〜４ｃからなる反射器が構成されている。これ
を、図１（ｂ）を参照してより具体的に説明する。
【００３１】図１（ｂ）に示すように、電極指３ａ3 ，
３ａ4 ，３ｂ4 の幅は、３λ／８とされている。なお、
λは、すだれ状電極３により励振される表面波の波長を
示す。通常、正規型のすだれ状電極を構成する場合、電
極指の幅は、λ／４とされ、かつ隣り合う電極指間の領
域の幅もλ／４とされ、電極指はλ／２ピッチで配置さ
れている。
３ａ4 ，３ｂ4 の幅は、３λ／８とされている。なお、
λは、すだれ状電極３により励振される表面波の波長を
示す。通常、正規型のすだれ状電極を構成する場合、電
極指の幅は、λ／４とされ、かつ隣り合う電極指間の領
域の幅もλ／４とされ、電極指はλ／２ピッチで配置さ
れている。
【００３２】これに対して、本実施例の弾性表面波装置
１では、電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 は、λ／２ピッ
チで配置されているが、各電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ
4 の幅が３λ／８と、λ／４よりも大きくされている。
１では、電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 は、λ／２ピッ
チで配置されているが、各電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ
4 の幅が３λ／８と、λ／４よりも大きくされている。
【００３３】他方、圧電薄膜４の上面には、反射器を構
成するために、表面波伝搬方向と直交する方向に延びる
突条４ａ〜４ｃが形成されている。突条４ａ〜４ｃは、
電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の上方において、電極指
３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 と部分的に重なり合うように配
置されている。また、突条４ａ〜４ｃの長さ方向両端
は、電極指交差領域の両端と等しい位置で終了してい
る。もっとも、突条４ａ〜４ｃは、表面波伝搬方向と直
交する方向において、すだれ状電極３の電極指が交差し
ている領域よりも外側に延ばされていてもよい。
成するために、表面波伝搬方向と直交する方向に延びる
突条４ａ〜４ｃが形成されている。突条４ａ〜４ｃは、
電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の上方において、電極指
３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 と部分的に重なり合うように配
置されている。また、突条４ａ〜４ｃの長さ方向両端
は、電極指交差領域の両端と等しい位置で終了してい
る。もっとも、突条４ａ〜４ｃは、表面波伝搬方向と直
交する方向において、すだれ状電極３の電極指が交差し
ている領域よりも外側に延ばされていてもよい。
【００３４】すなわち、圧電薄膜４の上面に、上記突条
４ａ〜４ｃを形成することによりグレーティング型の反
射器が構成されている。そして、突条４ａ〜４ｃの幅
（表面伝搬方向と直交する方向の寸法）が、電極指３ａ
3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の幅（＝３λ／８）よりも細くされ
ており、それによってすだれ状電極３における励振中心
と上記反射器における反射中心とのずれをほぼλ／８と
することが容易とされている。従って、一方向性が実現
されて、挿入損失が改善される。これを、図２を参照し
て製造方法を説明することにより明らかにする。
４ａ〜４ｃを形成することによりグレーティング型の反
射器が構成されている。そして、突条４ａ〜４ｃの幅
（表面伝搬方向と直交する方向の寸法）が、電極指３ａ
3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の幅（＝３λ／８）よりも細くされ
ており、それによってすだれ状電極３における励振中心
と上記反射器における反射中心とのずれをほぼλ／８と
することが容易とされている。従って、一方向性が実現
されて、挿入損失が改善される。これを、図２を参照し
て製造方法を説明することにより明らかにする。
【００３５】なお、図２を参照して行う以下の説明で
は、弾性表面波装置１におけるすだれ状電極３の要部の
みを説明するが、前述したように、弾性表面波装置１で
は、すだれ状電極３の左側に、他のすだれ状電極が形成
される。
は、弾性表面波装置１におけるすだれ状電極３の要部の
みを説明するが、前述したように、弾性表面波装置１で
は、すだれ状電極３の左側に、他のすだれ状電極が形成
される。
【００３６】弾性表面波装置１の製造に際しては、まず
絶縁基板２を用意する（図２（ａ）参照）。次に、絶縁
基板２の上面に、すだれ状電極３を形成する（図２
（ｂ）参照）。すだれ状電極３の形成は、絶縁基板２の
上面の全面に蒸着、メッキもしくはスパッタリングなど
の薄膜形成法により金属膜を形成し、パターニングする
ことにより行い得る。あるいは、絶縁基板２の上面にマ
スクを当接し、金属材料を堆積させることにより、すだ
れ状電極３を形成してもよい。
絶縁基板２を用意する（図２（ａ）参照）。次に、絶縁
基板２の上面に、すだれ状電極３を形成する（図２
（ｂ）参照）。すだれ状電極３の形成は、絶縁基板２の
上面の全面に蒸着、メッキもしくはスパッタリングなど
の薄膜形成法により金属膜を形成し、パターニングする
ことにより行い得る。あるいは、絶縁基板２の上面にマ
スクを当接し、金属材料を堆積させることにより、すだ
れ状電極３を形成してもよい。
【００３７】次に、すだれ状電極３を形成した後に、蒸
着、メッキもしくはスパッタリングなどの薄膜形成方法
を用い、第１の圧電薄膜４Ａを形成する。第１の圧電薄
膜４Ａは、上記薄膜形成法により均一な膜厚に形成され
る。また、第１の圧電薄膜４Ａの厚みは、すだれ状電極
３の厚みと同等か、該すだれ状電極３の厚みよりも薄く
される。その結果、図２（ｃ）に示すように、すだれ状
電極３の電極指３ａ3，３ｂ4 ，３ａ4 間の領域と、電
極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の上面とに、第１の圧電薄
膜４Ａが形成される。
着、メッキもしくはスパッタリングなどの薄膜形成方法
を用い、第１の圧電薄膜４Ａを形成する。第１の圧電薄
膜４Ａは、上記薄膜形成法により均一な膜厚に形成され
る。また、第１の圧電薄膜４Ａの厚みは、すだれ状電極
３の厚みと同等か、該すだれ状電極３の厚みよりも薄く
される。その結果、図２（ｃ）に示すように、すだれ状
電極３の電極指３ａ3，３ｂ4 ，３ａ4 間の領域と、電
極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の上面とに、第１の圧電薄
膜４Ａが形成される。
【００３８】次に、フォトリソグラフィー−エッチング
技術を用い、第１の圧電薄膜４Ａのうち、電極指３
ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 上の圧電薄膜をエッチングし、突
起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂを形成する。突起４Ｂは、表面伝搬
方向と直交する方向に延び、かつ最終的に形成される突
条４ａ〜４ｃ（図１（ｂ））と同じ幅及び高さを有する
ように形成される。
技術を用い、第１の圧電薄膜４Ａのうち、電極指３
ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 上の圧電薄膜をエッチングし、突
起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂを形成する。突起４Ｂは、表面伝搬
方向と直交する方向に延び、かつ最終的に形成される突
条４ａ〜４ｃ（図１（ｂ））と同じ幅及び高さを有する
ように形成される。
【００３９】上記突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂの形成に際して
は、下地の電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の一方端縁す
なわち右側端縁に合わせてエッチングすればよい。従っ
て、突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂを正確に形成することができ
る。
は、下地の電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の一方端縁す
なわち右側端縁に合わせてエッチングすればよい。従っ
て、突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂを正確に形成することができ
る。
【００４０】次に、絶縁基板２の上面に、第２の圧電薄
膜を、蒸着、メッキもしくはスパッタリングなどの薄膜
形成法により形成し、圧電薄膜４を形成する。上記突起
４Ｂ，４Ｂ，４Ｂが電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 上に
予め形成されているので、第２の圧電薄膜を形成する
と、突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂが形成されている部分の上方
に、突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂと同じ幅及び高さの突条４ａ
〜４ｃが形成される。
膜を、蒸着、メッキもしくはスパッタリングなどの薄膜
形成法により形成し、圧電薄膜４を形成する。上記突起
４Ｂ，４Ｂ，４Ｂが電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 上に
予め形成されているので、第２の圧電薄膜を形成する
と、突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂが形成されている部分の上方
に、突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂと同じ幅及び高さの突条４ａ
〜４ｃが形成される。
【００４１】上記突条４ａ〜４ｃの幅については、前述
した突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂの形成に際し、エッチングの
幅を調整するだけで正確に決定することができる。従っ
て、本実施例の製造方法によれば、電極指３ａ3 ，３ｂ
4 ，３ａ4 の幅を３λ／８と、λ／４よりも大きくし、
上記エッチングの幅を調整することにより、突条４ａ〜
４ｃの幅を容易に調整することができる。よって、図１
（ｂ）に示すように、すだれ状電極３における励振中心
と反射器の反射中心との表面伝搬方向に沿う距離を、容
易にλ／８に設定することができ、それによって一方向
性が実現されて挿入損失が低減される。
した突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂの形成に際し、エッチングの
幅を調整するだけで正確に決定することができる。従っ
て、本実施例の製造方法によれば、電極指３ａ3 ，３ｂ
4 ，３ａ4 の幅を３λ／８と、λ／４よりも大きくし、
上記エッチングの幅を調整することにより、突条４ａ〜
４ｃの幅を容易に調整することができる。よって、図１
（ｂ）に示すように、すだれ状電極３における励振中心
と反射器の反射中心との表面伝搬方向に沿う距離を、容
易にλ／８に設定することができ、それによって一方向
性が実現されて挿入損失が低減される。
【００４２】なお、図１（ｂ）において、一点鎖線Ｘは
励振中心を示し、破線Ｙは反射中心を示す。ここで、励
振中心Ｘは、電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の中心位置
に相当し、反射中心Ｙは、反射器を構成している突条４
ａ〜４ｃの幅方向中心に位置する。すなわち、電極指３
ｂ4 と突条４ｂを例にとると、素子中心方向が図１の左
側にあるため、電極指３ｂ4 の励振中心Ｘに対して、上
方に設けられている突条４ｂの反射中心Ｙは、素子中心
方向とは逆の方向に約λ／８だけ隔てられている。従っ
て、突条４ｂによる反射効果により、表面波を素子中心
方向にのみ伝搬させることができ、挿入損失の低減を図
り得る。
励振中心を示し、破線Ｙは反射中心を示す。ここで、励
振中心Ｘは、電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の中心位置
に相当し、反射中心Ｙは、反射器を構成している突条４
ａ〜４ｃの幅方向中心に位置する。すなわち、電極指３
ｂ4 と突条４ｂを例にとると、素子中心方向が図１の左
側にあるため、電極指３ｂ4 の励振中心Ｘに対して、上
方に設けられている突条４ｂの反射中心Ｙは、素子中心
方向とは逆の方向に約λ／８だけ隔てられている。従っ
て、突条４ｂによる反射効果により、表面波を素子中心
方向にのみ伝搬させることができ、挿入損失の低減を図
り得る。
【００４３】また、電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の幅
を３λ／８とし、エッチングの幅をλ／４とすることに
より、エッチングによる中心Ｚが、対応する電極指の励
振中心に対して素子中心方向にλ／１６ずらされてい
る。従って、結果として、ＩＤＴの励振中心Ｘに対し
て、突条４ａ〜４ｃの反射中心Ｙが、一方向性に適した
λ／８だけ素子中心方向とは反対側にずらされている。
を３λ／８とし、エッチングの幅をλ／４とすることに
より、エッチングによる中心Ｚが、対応する電極指の励
振中心に対して素子中心方向にλ／１６ずらされてい
る。従って、結果として、ＩＤＴの励振中心Ｘに対し
て、突条４ａ〜４ｃの反射中心Ｙが、一方向性に適した
λ／８だけ素子中心方向とは反対側にずらされている。
【００４４】なお、図２を参照して説明した製造方法で
は、すだれ状電極３を形成した後に、第１の圧電薄膜４
Ａを形成し、フォトリソグラフィー−エッチングにより
突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂを形成していたが、すだれ状電極
３を形成した後に、絶縁基板２上にマスクを当接させ、
蒸着、メッキもしくはスパッタリング等により第１の圧
電薄膜を形成し、それによって図２（ｂ）に示す状態か
ら、図２（ｄ）に示す構造を直ちに得てもよい。
は、すだれ状電極３を形成した後に、第１の圧電薄膜４
Ａを形成し、フォトリソグラフィー−エッチングにより
突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂを形成していたが、すだれ状電極
３を形成した後に、絶縁基板２上にマスクを当接させ、
蒸着、メッキもしくはスパッタリング等により第１の圧
電薄膜を形成し、それによって図２（ｂ）に示す状態か
ら、図２（ｄ）に示す構造を直ちに得てもよい。
【００４５】上述したように、本実施例の弾性表面波装
置１では、すだれ状電極３を形成した後、すだれ状電極
３の電極指の一方側縁に突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂの一方側
縁が一致するように形成され、さらに、薄膜形成法によ
り均一な厚みの第２の圧電薄膜が形成されることによ
り、上述した突条４ａ〜４ｃを有する反射器を容易に構
成することができる。また、突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂの形
成に際し、その幅を容易に調整することができるので、
上述したように、すだれ状電極の電極指３ａ3 ，３
ｂ4 ，３ａ4 をλ／４より大きくし、電極指３ａ3 ，３
ｂ4 ，３ａ4 よりも狭くなるように突起４Ｂ，４Ｂ，４
Ｂを形成するだけで、突条４ａ〜４ｃの反射中心を、電
極３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の励振中心よりも素子中心と
反対方向に移動させることができる。従って、突条４ａ
〜４ｃを、一方向性に適した量だけ、対応する電極指に
対して素子中心方向とは反対側に約λ／８だけ確実にず
らすことができる。
置１では、すだれ状電極３を形成した後、すだれ状電極
３の電極指の一方側縁に突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂの一方側
縁が一致するように形成され、さらに、薄膜形成法によ
り均一な厚みの第２の圧電薄膜が形成されることによ
り、上述した突条４ａ〜４ｃを有する反射器を容易に構
成することができる。また、突起４Ｂ，４Ｂ，４Ｂの形
成に際し、その幅を容易に調整することができるので、
上述したように、すだれ状電極の電極指３ａ3 ，３
ｂ4 ，３ａ4 をλ／４より大きくし、電極指３ａ3 ，３
ｂ4 ，３ａ4 よりも狭くなるように突起４Ｂ，４Ｂ，４
Ｂを形成するだけで、突条４ａ〜４ｃの反射中心を、電
極３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の励振中心よりも素子中心と
反対方向に移動させることができる。従って、突条４ａ
〜４ｃを、一方向性に適した量だけ、対応する電極指に
対して素子中心方向とは反対側に約λ／８だけ確実にず
らすことができる。
【００４６】この場合、エッチングの中心は、対応する
電極指の励振中心に対してλ／３２〜λ／８の範囲で移
動させればよい。なお、すだれ状電極３における電極の
厚みと、突条４ａ〜４ｃの高さは、特に限定されない
が、通常、λに対し０．２〜３％の範囲であればよい。
電極指の励振中心に対してλ／３２〜λ／８の範囲で移
動させればよい。なお、すだれ状電極３における電極の
厚みと、突条４ａ〜４ｃの高さは、特に限定されない
が、通常、λに対し０．２〜３％の範囲であればよい。
【００４７】上記のように、突条４ａ〜４ｃが、対応す
る電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の励振中心に対して素
子中心方向とは反対側にλ／８ずらされた場合には、図
３に示すように、挿入損失を効果的に改善することがで
きる。すなわち、図３の実線は、突条４ａ〜４ｃの反射
中心Ｙが、対応する電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の励
振中心Ｘに対して、素子中心方向とは反対側にλ／８ず
らされた実施例の弾性表面波装置の挿入損失−周波数特
性を示し、一点鎖線は突条４ａ〜４ｃが形成されていな
い、すなわち反射器が形成されていないことを除いては
上記と同様にして構成された弾性表面波装置の挿入損失
−周波数特性を示す。実線と一点鎖線の特性を比較すれ
ば明らかなように、本実施例に従って反射器を構成する
ことにより、双方向性の弾性表面波装置に比べて、挿入
損失を３ｄＢ以上改善し得ることがわかる。
る電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の励振中心に対して素
子中心方向とは反対側にλ／８ずらされた場合には、図
３に示すように、挿入損失を効果的に改善することがで
きる。すなわち、図３の実線は、突条４ａ〜４ｃの反射
中心Ｙが、対応する電極指３ａ3 ，３ｂ4 ，３ａ4 の励
振中心Ｘに対して、素子中心方向とは反対側にλ／８ず
らされた実施例の弾性表面波装置の挿入損失−周波数特
性を示し、一点鎖線は突条４ａ〜４ｃが形成されていな
い、すなわち反射器が形成されていないことを除いては
上記と同様にして構成された弾性表面波装置の挿入損失
−周波数特性を示す。実線と一点鎖線の特性を比較すれ
ば明らかなように、本実施例に従って反射器を構成する
ことにより、双方向性の弾性表面波装置に比べて、挿入
損失を３ｄＢ以上改善し得ることがわかる。
【００４８】図４は、本発明の第２の実施例に係る弾性
表面波装置を説明するための断面図であり、第１の実施
例について示した図１（ｂ）に相当する図である。第２
の実施例の弾性表面波装置１１では、すだれ状電極１３
の電極指が２本の電極からなる、いわゆるスプリット電
極により構成されている。すなわち、絶縁基板１２上
に、すだれ状電極１３が形成されている。すだれ状電極
１３は、互いの電極指が間挿し合うように配置された電
気的に分離しているすだれ状電極を有する。そして、各
すだれ状電極の各電極指が、２本の電極からなるスプリ
ット電極の形態とされている。図４に示すように、電極
指２３ａ3 は、電極２３ａ31，２３ａ32を有する。同様
に、電極指２３ｂ4 ，２３ａ4 についても、２本の電極
２３ｂ41，２３ｂ42，２３ａ41，２３ａ42を有する。
表面波装置を説明するための断面図であり、第１の実施
例について示した図１（ｂ）に相当する図である。第２
の実施例の弾性表面波装置１１では、すだれ状電極１３
の電極指が２本の電極からなる、いわゆるスプリット電
極により構成されている。すなわち、絶縁基板１２上
に、すだれ状電極１３が形成されている。すだれ状電極
１３は、互いの電極指が間挿し合うように配置された電
気的に分離しているすだれ状電極を有する。そして、各
すだれ状電極の各電極指が、２本の電極からなるスプリ
ット電極の形態とされている。図４に示すように、電極
指２３ａ3 は、電極２３ａ31，２３ａ32を有する。同様
に、電極指２３ｂ4 ，２３ａ4 についても、２本の電極
２３ｂ41，２３ｂ42，２３ａ41，２３ａ42を有する。
【００４９】なお、２４は圧電薄膜を示し、圧電薄膜２
４の上面に、第１の実施例と同様に突条２４ａ〜２４ｃ
が形成されており、突条２４ａ〜２４ｃが形成されてい
る。このようなスプリット電極からなる電極指を有する
すだれ状電極３の場合に、第１の実施例と同様に一方向
性を実現する場合、各電極２３ａ31〜２３ａ42の幅はλ
／８とされる。また、突条２４ａ〜２４ｃの幅がλ／４
とされる。そして、突条２４ａ〜２４ｃは、それぞれ、
対応する電極指の一方の電極の上方に配置されている。
例えば、電極指２３ａ3 を例にとると、素子中心方向と
は反対側に位置する電極２３ａ32上に突条２４ａが形成
されている。スプリット電極の形態の電極指の場合、電
極指の励振中心は、２本の電極の間の中心位置に位置す
る。すなわち、電極指２３ａ3 を例にとると、励振中心
Ｘは、電極２３ａ31と電極２３ａ32との間に位置する。
４の上面に、第１の実施例と同様に突条２４ａ〜２４ｃ
が形成されており、突条２４ａ〜２４ｃが形成されてい
る。このようなスプリット電極からなる電極指を有する
すだれ状電極３の場合に、第１の実施例と同様に一方向
性を実現する場合、各電極２３ａ31〜２３ａ42の幅はλ
／８とされる。また、突条２４ａ〜２４ｃの幅がλ／４
とされる。そして、突条２４ａ〜２４ｃは、それぞれ、
対応する電極指の一方の電極の上方に配置されている。
例えば、電極指２３ａ3 を例にとると、素子中心方向と
は反対側に位置する電極２３ａ32上に突条２４ａが形成
されている。スプリット電極の形態の電極指の場合、電
極指の励振中心は、２本の電極の間の中心位置に位置す
る。すなわち、電極指２３ａ3 を例にとると、励振中心
Ｘは、電極２３ａ31と電極２３ａ32との間に位置する。
【００５０】従って、突条２４ａ〜２４ｃの反射中心Ｙ
が、対応する電極指２３ａ3 ，２３ｂ4 ，２３ａ4 の励
振中心Ｘに対し、素子中心とは反対側方向にλ／８ずら
されれば、第１の実施例の場合と同様に、一方向性を実
現することができ、挿入損失の低減を図り得る。
が、対応する電極指２３ａ3 ，２３ｂ4 ，２３ａ4 の励
振中心Ｘに対し、素子中心とは反対側方向にλ／８ずら
されれば、第１の実施例の場合と同様に、一方向性を実
現することができ、挿入損失の低減を図り得る。
【００５１】この場合においても、突条２４ａ〜２４ｃ
の形成は、第１の実施例の場合と同様に、すだれ状電極
２３を形成した後に、第１の圧電薄膜を形成し、該第１
の圧電薄膜をパターニングすることにより突起を形成
し、さらに第２の圧電薄膜を積層することにより容易に
形成することができる。
の形成は、第１の実施例の場合と同様に、すだれ状電極
２３を形成した後に、第１の圧電薄膜を形成し、該第１
の圧電薄膜をパターニングすることにより突起を形成
し、さらに第２の圧電薄膜を積層することにより容易に
形成することができる。
【００５２】本実施例では、電極指２３ａ3 ，２３
ｂ4 ，２３ａ4 の各電極２３ａ31〜２３ａ42の幅をλ／
３２〜λ／４の範囲とすれば、エッチングの幅をλ／３
２〜λ／４の範囲で調整することにより、突条２４ａ〜
２４ｃの反射中心Ｙを、対応する電極指２３ａ3 ，２３
ｂ4 ，２３ａ4 の励振中心に対して素子中心と反対方向
にλ／８ずらすことができる。
ｂ4 ，２３ａ4 の各電極２３ａ31〜２３ａ42の幅をλ／
３２〜λ／４の範囲とすれば、エッチングの幅をλ／３
２〜λ／４の範囲で調整することにより、突条２４ａ〜
２４ｃの反射中心Ｙを、対応する電極指２３ａ3 ，２３
ｂ4 ，２３ａ4 の励振中心に対して素子中心と反対方向
にλ／８ずらすことができる。
【００５３】ＩＤＴの電極指が上記のようにスプリット
電極で構成されたことを除いては、第１の実施例と同様
にして構成された第２の実施例の弾性表面波装置の挿入
損失−周波数特性を図３に破線で示す。図３から明らか
なように、第２の実施例の弾性表面波装置においても、
双方向性の弾性表面波装置（一点鎖線で示す特性を有す
る弾性表面波装置）比べて、挿入損失を３ｄＢ以上改善
することでき、良好な一方向性を有することがわかる。
電極で構成されたことを除いては、第１の実施例と同様
にして構成された第２の実施例の弾性表面波装置の挿入
損失−周波数特性を図３に破線で示す。図３から明らか
なように、第２の実施例の弾性表面波装置においても、
双方向性の弾性表面波装置（一点鎖線で示す特性を有す
る弾性表面波装置）比べて、挿入損失を３ｄＢ以上改善
することでき、良好な一方向性を有することがわかる。
【００５４】なお、第１，第２の実施例では、絶縁基板
上にすだれ状電極及び圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜上
に上記突条を形成することにより一方向性を実現してい
たが、本発明においては、圧電基板上にすだれ状電極を
形成し、その上面に圧電体薄膜または誘電体薄膜を形成
し、圧電体薄膜または誘電体薄膜表面に上記のように突
条及び溝を形成してもよい。
上にすだれ状電極及び圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜上
に上記突条を形成することにより一方向性を実現してい
たが、本発明においては、圧電基板上にすだれ状電極を
形成し、その上面に圧電体薄膜または誘電体薄膜を形成
し、圧電体薄膜または誘電体薄膜表面に上記のように突
条及び溝を形成してもよい。
【００５５】
【発明の効果】本発明に係る弾性表面波装置では、基板
上に形成されたすだれ状電極の少なくとも電極指を覆う
ように圧電体薄膜または誘電体薄膜が積層されており、
該圧電体薄膜または誘電体薄膜表面に表面波を反射させ
るための複数本の突条が形成されており、該突条の中心
が対応する電極指の励振中心に対し、素子中心とは反対
側に表面波伝搬方向に約λ／８ずらされているので、励
振された表面波のほとんどが素子中心側にのみ伝搬する
ので、良好な一方向性を実現することができ、それによ
って弾性表面波装置の挿入損失の低減を図ることが可能
となる。
上に形成されたすだれ状電極の少なくとも電極指を覆う
ように圧電体薄膜または誘電体薄膜が積層されており、
該圧電体薄膜または誘電体薄膜表面に表面波を反射させ
るための複数本の突条が形成されており、該突条の中心
が対応する電極指の励振中心に対し、素子中心とは反対
側に表面波伝搬方向に約λ／８ずらされているので、励
振された表面波のほとんどが素子中心側にのみ伝搬する
ので、良好な一方向性を実現することができ、それによ
って弾性表面波装置の挿入損失の低減を図ることが可能
となる。
【００５６】本発明に係る弾性表面波装置において、す
だれ状電極の電極指がソリッド電極であり、該電極指の
幅がλ／８よりも大きく、圧電体薄膜または誘電体薄膜
に形成された突条の幅がλ／８であり、エッチング中心
が、電極指の中心から素子中心方向に最大でλ／８ずら
されている場合には、それによって電極指の励振中心に
対し、該電極指に対応する突条の中心が、表面波伝搬方
向において素子中心とは反対側に確実にλ／８ずらされ
る。従って、本発明に係る、良好な一方向性を実現し得
る弾性表面波装置を容易に構成することができる。
だれ状電極の電極指がソリッド電極であり、該電極指の
幅がλ／８よりも大きく、圧電体薄膜または誘電体薄膜
に形成された突条の幅がλ／８であり、エッチング中心
が、電極指の中心から素子中心方向に最大でλ／８ずら
されている場合には、それによって電極指の励振中心に
対し、該電極指に対応する突条の中心が、表面波伝搬方
向において素子中心とは反対側に確実にλ／８ずらされ
る。従って、本発明に係る、良好な一方向性を実現し得
る弾性表面波装置を容易に構成することができる。
【００５７】本発明に係る弾性表面波装置において、す
だれ状電極の電極指がスプリット電極であり、圧電体薄
膜または誘電体薄膜に形成された突条間の溝の幅が大き
くともλ／４であり、エッチング中心が、電極指の中心
から素子中心方向に最大でλ／８ずらされている場合に
は、それによって電極指の励振中心に対し、該電極指に
対応する突条の中心が、表面波伝搬方向において素子中
心とは反対側に確実にλ／８ずらされる。従って、本発
明に係る、良好な一方向性を実現し得る弾性表面波装置
を容易に構成することができる。
だれ状電極の電極指がスプリット電極であり、圧電体薄
膜または誘電体薄膜に形成された突条間の溝の幅が大き
くともλ／４であり、エッチング中心が、電極指の中心
から素子中心方向に最大でλ／８ずらされている場合に
は、それによって電極指の励振中心に対し、該電極指に
対応する突条の中心が、表面波伝搬方向において素子中
心とは反対側に確実にλ／８ずらされる。従って、本発
明に係る、良好な一方向性を実現し得る弾性表面波装置
を容易に構成することができる。
【００５８】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法で
は、基板上にすだれ状電極を形成し、すだれ状電極の電
極指間の領域を埋めるようにかつ突条が形成されるすだ
れ状電極の電極指の上面に第１の圧電体薄膜または誘電
体薄膜を形成し、該電極指上に圧電体薄膜または誘電体
薄膜からなる突起を形成し、さらに、均一な厚みの第２
の圧電体薄膜または誘電体薄膜を積層形成することによ
り、上記突起の形成されている部分の上方に、突条が確
実にかつ容易に形成される。従って、一方向性が良好で
あり、挿入損失を大幅に低減し得る、本発明に係る弾性
表面波装置を容易に提供することが可能となる。
は、基板上にすだれ状電極を形成し、すだれ状電極の電
極指間の領域を埋めるようにかつ突条が形成されるすだ
れ状電極の電極指の上面に第１の圧電体薄膜または誘電
体薄膜を形成し、該電極指上に圧電体薄膜または誘電体
薄膜からなる突起を形成し、さらに、均一な厚みの第２
の圧電体薄膜または誘電体薄膜を積層形成することによ
り、上記突起の形成されている部分の上方に、突条が確
実にかつ容易に形成される。従って、一方向性が良好で
あり、挿入損失を大幅に低減し得る、本発明に係る弾性
表面波装置を容易に提供することが可能となる。
【００５９】また、本発明に係る弾性表面波装置の製造
方法において、すだれ状電極を形成した後に、均一な厚
みの第１の圧電体薄膜または誘電体薄膜を形成し、しか
る後フォトリソグラフィー及びエッチングにより加工し
て、上記突起を形成する場合には、エッチング幅を調整
するだけで、所望の幅及び位置に突起を形成することが
できる。従って、第２の圧電体薄膜または誘電体薄膜を
積層することにより、所望の位置に突条を容易に形成す
ることができる。
方法において、すだれ状電極を形成した後に、均一な厚
みの第１の圧電体薄膜または誘電体薄膜を形成し、しか
る後フォトリソグラフィー及びエッチングにより加工し
て、上記突起を形成する場合には、エッチング幅を調整
するだけで、所望の幅及び位置に突起を形成することが
できる。従って、第２の圧電体薄膜または誘電体薄膜を
積層することにより、所望の位置に突条を容易に形成す
ることができる。
【００６０】また、すだれ状電極が形成されている面に
マスクを当接し、薄膜形成法により第１の圧電体薄膜ま
たは誘電体薄膜を形成し、上記突起を形成した場合に
は、上記マスクの精度を高めることにより突起の位置を
正確に設定することができる。従って、やはり、第２の
圧電体薄膜または誘電体薄膜を積層することにより、突
起上において、所望の位置に突条を容易に形成すること
ができる。
マスクを当接し、薄膜形成法により第１の圧電体薄膜ま
たは誘電体薄膜を形成し、上記突起を形成した場合に
は、上記マスクの精度を高めることにより突起の位置を
正確に設定することができる。従って、やはり、第２の
圧電体薄膜または誘電体薄膜を積層することにより、突
起上において、所望の位置に突条を容易に形成すること
ができる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施例に
係る弾性表面波装置の電極構造を示す部分切欠平面図及
び要部を示す部分切欠断面図であり、（ａ）のＢ−Ｂ線
に相当する部分の断面図。
係る弾性表面波装置の電極構造を示す部分切欠平面図及
び要部を示す部分切欠断面図であり、（ａ）のＢ−Ｂ線
に相当する部分の断面図。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施例に係る弾性表
面波装置を製造する方法を説明するための各断面図。
面波装置を製造する方法を説明するための各断面図。
【図３】第１の実施例、第２の実施例及び比較のために
用意した弾性表面波装置の挿入損失−周波数特性を示す
図。
用意した弾性表面波装置の挿入損失−周波数特性を示す
図。
【図４】第２の実施例に係る弾性表面波装置の要部を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、従来の弾性表面波装置の
一例を示す部分切欠断面図及び模式的平面図。
一例を示す部分切欠断面図及び模式的平面図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、従来の弾性表面波装置の
他の例を説明するための部分切欠断面図及び模式的平面
図。
他の例を説明するための部分切欠断面図及び模式的平面
図。
１…弾性表面波装置 ２…絶縁基板 ３…すだれ状電極 ３ａ1 〜３ａ4 …電極指 ３ｂ1 〜３ｂ5 …電極指 ４…圧電薄膜 ４ａ〜４ｃ…突条 ４Ａ…第１の圧電薄膜 ４Ｂ…突起 １１…弾性表面波装置 １２…絶縁基板 １３…すだれ状電極 １３ａ3 ，１３ａ4 ，１３ｂ4 …電極指 １３ａ31，１３ａ32，１３ｂ41，１３ｂ42，１３ａ41，
１３ａ42…電極
１３ａ42…電極
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁体、誘電体または圧電体からなる基
板と、 前記基板の片面に形成されており、かつ互いに間挿し合
う複数本の電極指を有する少なくとも１つのすだれ状電
極と、 前記すだれ状電極の少なくとも電極指を覆うように前記
基板上に形成された圧電体薄膜または誘電体薄膜とを備
え、 前記圧電体薄膜または誘電体薄膜表面に表面波を反射さ
せるための複数本の突条が形成されており、該突条の中
心が、前記すだれ状電極の各電極指における励振中心に
対して素子中心とは反対方向に約λ／８ずらされている
ことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記すだれ状電極の電極指がソリッド電
極であり、該電極指の幅がλ／８よりも大きく、前記圧
電体薄膜または誘電体薄膜に形成された突条の幅が大き
くともλ／４であり、該突条の中心が、すだれ状電極の
電極指の励振中心から弾性表面波装置の中心とは反対方
向にλ／８ずらされている、請求項１に記載の弾性表面
波装置。 - 【請求項３】 前記すだれ状電極の各電極指が２本の電
極からなるスプリット電極であり、前記圧電体薄膜また
は誘電体薄膜上に形成された突条の幅が大きくともλ／
４であり、前記突条の中心が、電極指の励振中心に対し
て、表面波伝搬方向において弾性表面波装置の中心とは
反対方向にλ／８だけずらされている、請求項１に記載
の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 誘電体または圧電体よりなる基板上に、
すだれ状電極を形成する工程と、 前記すだれ状電極の形成された基板表面において、すだ
れ状電極の電極指間の領域を埋めるように、かつすだれ
状電極の電極指の上面において、前記突条が形成される
位置に第１の圧電体薄膜または誘電体薄膜を形成し、該
すだれ状電極の電極指上の圧電体薄膜または誘電体薄膜
により突起を形成する工程と、 前記すだれ状電極の電極指間及びすだれ状電極上に前記
突起を形成するように圧電体薄膜または誘電体薄膜を形
成した後、前記すだれ状電極の電極指の露出している部
分を覆うように均一な厚みの第２の圧電体薄膜または誘
電体薄膜を形成し、該第２の圧電体薄膜または誘電体薄
膜の前記突起を被覆している部分によって、前記突条が
形成される工程とを備えることを特徴とする、請求項１
に記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記すだれ状電極の電極指上の圧電体薄
膜または誘電体薄膜により突起を形成する工程が、薄膜
形成法により均一な厚みの第１の圧電体薄膜または誘電
体薄膜を形成し、すだれ状電極の電極指間の領域及びす
だれ状電極の電極指表面を第１の圧電体薄膜または誘電
体薄膜で被覆する工程と、 前記第１の圧電体薄膜または誘電体薄膜をフォトリソグ
ラフィー及びエッチングにより加工し、前記すだれ状電
極の電極指表面の第１の圧電体薄膜または誘電体薄膜を
部分的に除去して、前記突起を形成する工程とを有す
る、請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記すだれ状電極の電極指上の圧電体薄
膜または誘電体薄膜により突起を形成する工程が、前記
基板のすだれ状電極が形成されている面側にマスクを当
接し、薄膜形成法により第１の圧電体薄膜または誘電体
薄膜を形成することにより、すだれ状電極の電極指間に
圧電体薄膜または誘電体薄膜が形成されており、かつす
だれ状電極の電極指の表面に該圧電体薄膜または誘電体
薄膜からなる突起が部分的に形成されることにより行わ
れる、請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28433299A JP2001111377A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28433299A JP2001111377A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001111377A true JP2001111377A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17677205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28433299A Pending JP2001111377A (ja) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001111377A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007099742A1 (ja) * | 2006-03-02 | 2009-07-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| JP2009201168A (ja) * | 2004-06-30 | 2009-09-03 | Panasonic Corp | 電子部品およびその製造方法 |
| US7830067B2 (en) * | 2006-03-07 | 2010-11-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Elastic boundary wave device |
| US7855619B2 (en) | 2002-12-25 | 2010-12-21 | Panasonic Corporation | Electronic part and electronic equipment with electronic part |
| WO2011132443A1 (ja) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP2016184805A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社デンソー | 物理量センサ |
| CN111527698A (zh) * | 2018-01-19 | 2020-08-11 | 华为技术有限公司 | 具有单向转换器的表面声波器件 |
-
1999
- 1999-10-05 JP JP28433299A patent/JP2001111377A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7855619B2 (en) | 2002-12-25 | 2010-12-21 | Panasonic Corporation | Electronic part and electronic equipment with electronic part |
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| US7589606B2 (en) | 2004-06-30 | 2009-09-15 | Panasonic Corporation | Electronic part utilizing a protective film on a comb-shaped electrode |
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| WO2011132443A1 (ja) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
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| CN111527698A (zh) * | 2018-01-19 | 2020-08-11 | 华为技术有限公司 | 具有单向转换器的表面声波器件 |
| CN111527698B (zh) * | 2018-01-19 | 2022-05-10 | 华为技术有限公司 | 具有单向转换器的表面声波器件 |
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