JP2001111235A

JP2001111235A - フリップチップ搭載用高密度多層プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2001111235A
Application number: JP29043499A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Ikeguchi; 信之池口; Kenichi Shimizu; 賢一清水
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 1999-10-13
Filing date: 1999-10-13
Publication date: 2001-04-20

Abstract

(57)【要約】【課題】放熱性、孔接続信頼性に優れた高
密度の多層プリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】フリップチップを搭載する多層プ
リント配線板において、フリップチップのバンプを接続
するパッドを表層に形成し、そのパッドを孔径２５〜３
００μｍのスルーホール導体で各層の回路と接続し、該
内層の回路はプリント配線板の中央から周囲に広がる回
路となっており、該内層回路はスルーホール導体によ
り、少なくとも裏面でハンダボールパッドに接続してい
る形態の高密度プリント配線板の製造方法。【効果】放熱性、孔接続信頼性に優れ、高密
度のスルーホールを有するプリント配線板の製造方法を
提供することができた。加えて、熱硬化性樹脂として多
官能性シアン酸エステル樹脂組成物を用いることによ
り、耐熱性、プレッシャークッカー後の電気絶縁性、耐
マイグレーション性等に優れたプリント配線板を作成で
きた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも３層の
銅箔層を有し、各層の接続を、少なくとも１孔以上レー
ザーで孔あけされた孔径２５〜３００μmのスルーホー
ル導体で接続する高密度多層プリント配線板の製造方法
に関する。得られたプリント配線板は、高密度の小型プ
リント配線板として、フリップチップを搭載し、小型、
軽量の新規な半導体プラスチックパッケージ用等に主に
使用される。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体プラスチックパッケージ等
に用いられる高密度のプリント配線板は、スルーホール
用の貫通孔をドリルであけていた。近年、ますますドリ
ルの径は小径となり、孔径が180μm以下となってきてお
り、このような小径の孔をあける場合、ドリル径が細い
ため、孔あけ時にドリルが曲がる、折れる、加工速度が
遅い等の欠点があり、生産性、信頼性等に問題のあるも
のであった。また、上下の銅箔にあらかじめネガフィル
ムを使用して所定の方法で同じ大きさの孔をあけてお
き、炭酸ガスレーザーで上下を貫通するスルーホールを
形成しようとすると、内層銅箔の位置ズレ、上下の孔の
位置のズレを生じ、接続不良、及び表裏のランドが形成
できない等の欠点があった。更には、内層として銅箔が
ある場合、表層の銅箔をエッチング除去して低エネルギ
ーで孔あけを行なっても、内層銅箔の孔あけができず
に、貫通孔が形成できなかった。メカニカルドリルでも
180μm以下の貫通孔を形成できるが、ドリルが曲がる、
孔あけ時のガラス繊維の割れによる銅メッキしみ込みな
どが見られ、孔壁間の信頼性は今一歩であった。また、
孔径180μm以下を有する高密度のプリント配線板は、フ
ォトビア方式等で形成可能であるが、本発明で得られる
ような、導通をすべて貫通孔で形成したプリント配線板
は作成できなかった。またメカニカルドリルで作成する
場合、孔壁間距離が100〜200μmの高密度になると、ド
リルによるガラス繊維のクラックが生じ、銅メッキの際
のメッキしみ込みが起こり、耐マイグレーション性等に
問題があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を解決した、孔径３００μm以下、特に１８０μm以下
の貫通孔で全層を接続したフリップチップ搭載用高密度
多層プリント配線板の製造方法に関する。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明はフリップチップ
を搭載する多層プリント配線板において、フリップチッ
プのバンプを接続するパッドを表層に形成し、そのパッ
ドを孔径２５〜３００μｍのスルーホール導体で各層の
回路と接続し、該内層の回路はプリント配線板の中央か
ら周囲に広がる回路となっており、該内層回路はスルー
ホール導体により、少なくとも裏面でハンダボールパッ
ドに接続している形態の高密度プリント配線板の製造方
法を提供する。本発明により提供される高密度プリント
配線板の製造方法は、次の工程からなる少なくとも３層
以上の銅箔層を有するフリップチップ搭載用ガラス布基
材高密度多層プリント配線板の製造方法である。 a. 両面銅張板（a）に孔径８０μｍ以上１８０μｍ以
下の貫通孔は銅箔表面に孔あけ用補助材料を配置し、銅
箔を加工するに十分なエネルギーの炭酸ガスレーザーを
直接照射して孔あけ(Ｂ)を行い、その後必要に応じ銅箔
の一部をエッチング除去すると同時に孔周辺に発生した
銅箔バリをも溶解除去しする工程、Ｂ. 必要に応じ、孔径２５μｍ以上８０μｍ未満の貫
通孔はエキシマレーザー、YAGレーザーで、及び／又は
孔径１８０μｍ超え３００μｍ以下の貫通孔はメカニカ
ルドリルで孔あけを行い、ついで表面および孔内部を銅
メッキ(d₁)する工程、 c. 両面銅張板の内層となる下面側銅箔に回路を形成し
た後、この回路面側にプリプレグ及び銅箔をこの順に配
置して積層成形し、 d. 上記a, Ｂ及びcの工程を必要回数繰り返して多層
板を得、該多層板の表裏を貫通する孔の導体(s)を各内
層の回路(t)と電気的に導通させておく工程、 e. 多層板の裏面のハンダボールパッド(l)及び表面の
フリップチップパッド（u）を設ける位置に貫通孔をあ
け、必要に応じ銅箔の一部をエッチング除去すると同時
に孔周辺の銅箔バリを溶解除去し、回路を形成してフリ
ップチップパッドとハンダボールパッドとを多層板の表
裏を貫通する孔に銅メッキして導体を介して電気的に導
通させる工程、 f. 少なくともフリップチップ搭載用パッド部（u）、
ハンダボールパッド部（l）以外に貴金属メッキを施す
工程。

【０００５】孔径25μｍ以上180μm以下の貫通孔は、レ
ーザーで形成する。孔径25μｍ以上８０μm未満は、エ
キシマレーザー、YAGレーザーが好ましい。80μｍ以上1
80μm以下の孔径の貫通孔は、銅箔表面に酸化金属処理
層又は薬液処理層を設けるか、或いは融点900℃以上
で、且つ結合エネルギーが300kJ/mol 以上の金属化合物
粉、カーボン粉、又は金属粉の１種或いは２種以上を3
〜97vol%を含む塗膜、或いはこれをシート状としたもの
を、好適には、総厚み30〜200μmの厚みで銅箔表面上に
配置し、炭酸ガスレーザーの出力が、好ましくは20〜60
mJ/パルスから選ばれるエネルギーの炭酸ガスレーザー
を直接照射してスルーホール用貫通孔を形成する。貫通
孔形成後、銅箔の表面は機械的研磨でバリをとることも
できるが、完全にバリを取るためには、好適には銅箔の
両表面を平面的にエッチングし、もとの金属箔を厚さ方
向に一部エッチング除去することにより、孔部に張り出
した銅箔バリもエッチング除去することが好ましい。こ
の方法によると、銅箔が薄くなるために、その後の金属
メッキでメッキアップして得られた表裏銅箔の細線の回
路形成において、ショートやパターン切れ等の不良の発
生もなく、高密度のプリント配線板を作成することがで
きる。この表裏銅箔のエッチングによる薄銅化の時に、
孔内部に露出した内層銅箔表面に付着する樹脂層を、好
適には少なくとも気相処理してから、エッチング除去す
る。孔内部は、銅メッキで50容積％以上好ましくは９０
容積％以上充填して、積層成形による際の樹脂充填を容
易にする。また、最後の貫通孔の場合、表層の銅箔と孔
内部の銅箔の接続を行うことにより、接続の極めて優れ
た孔が得られるものである。加えて、加工速度はドリル
であける場合に比べて格段に速く、生産性も良好で、経
済性にも優れている。また、表裏、内層銅箔を接続する
フリップチップ周囲の貫通孔は孔径200μmの貫通孔を使
用するのが好ましい。この孔はメカニカルドリルであけ
るのが好適である。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明は、少なくとも３層以上の
銅層を有するフリップチップ搭載用高密度プリント配線
板の製造方法に関する。フリップチップのバンプ接続用
パッドは、各内層と孔径25μｍ以上３００μm以下のス
ルーホール導体で接続されており、各内層から周囲に広
がる回路は、最後に表裏貫通スルーホールで裏面のハン
ダボールパッド用回路に接続される形態となっている。
高密度にするためには、フリップチップ接続用パッドに
形成される貫通孔の径は小径の方が好ましく、一般には
２５〜１８０μｍである。孔径25μｍ以上８０μm未満
の貫通孔は、好ましくはエキシマレーザー、YAGレーザ
ーで孔あけする。孔径80μｍ以上180μm以下の貫通孔
は、銅箔表面に酸化金属処理層又は薬液処理層を設ける
か、補助材料を配置し、好適には20〜60mJ/パルスから
選ばれた炭酸ガスレーザーエネルギーを用いて貫通孔を
形成する。

【０００７】本発明は、まず、両面銅張積層板を用い、
この表面に、フリップチップを搭載するパッドを形成す
る。このパッドはフリップチップ真下の貫通孔の上に形
成するか、貫通孔を避けて貫通孔と接続するようにして
パッドを形成する。貫通孔の上にパッドを形成するため
には、貫通孔内部を銅メッキで充填するか、通常のスル
ーホールメッキ後に孔内部を、金属フィラーを入れた穴
埋め樹脂で充填し、金属フィラー面を露出後にその上に
無電解メッキ、貴金属メッキを施してパッドを形成す
る。この貫通孔は銅メッキで内層の２層目の銅箔と接続
し、その接続した箇所からプリント配線板の周囲に広が
るように回路が形成された形態となっている。この２層
目の回路の銅箔を、必要により化学処理し、その回路の
外側にＢステージシートを配置し、その外側に銅箔を置
き、加熱、加圧、好ましくは真空下に積層成形して多層
化する。この後、同じように貫通孔あけ、銅メッキ、下
側の回路を周囲に伸ばすようにして形成し、Ｂステージ
シート、銅箔を配置して積層成形することを繰り返して
多層板とする。この多層板作成において、スルーホール
メッキを行っており、上外層の銅箔厚みが１２μｍ以上
になった場合、銅箔を薬液でエッチングして好適には１
２μｍ以下にする。１２μｍ以下とすることにより、細
密回路が形成可能、炭酸ガスレーザーの孔あけが容易に
なる等の利点がある。

【０００８】炭酸ガスレーザーによる孔あけにおいて、
レーザーを照射する面に、酸化金属処理層又は薬液処理
層を設けるか、融点900℃で、且つ結合エネルギー300kJ
/mol以上の酸化金属粉、カーボン、又は金属粉と水溶性
樹脂とを混合した塗料を、塗布して塗膜とするか、熱可
塑性フィルムの片面に、総厚み30〜200μm付着させて得
られる孔あけ用補助シートを配置し、好適には銅箔面に
接着させて、その上から炭酸ガスレーザーを直接銅箔表
面に照射し、銅箔を加工除去することによる、スルーホ
ール用貫通孔形成方法を使用するのが好ましい。

【０００９】本発明のレーザー孔あけ用補助シートは、
そのままでも使用可能である。しかし、孔あけ時に銅張
板の上に置いて、できるだけ密着させることが、孔の形
状を良好にするために好ましい。一般には、シートを銅
張板の上にテープ等で貼り付ける等の方法で固定、密着
して使用するが、より完全に密着するためには、得られ
たシートを、銅張板の表面に、樹脂付着した面を向け、
加熱、加圧下にラミネートするか、或いは樹脂表層面3
μm以下を水分で事前に湿らした後、室温にて加圧下に
ラミネートすることにより、銅箔表面との密着性が良好
となり、孔形状の良好なものが得られる。

【００１０】樹脂組成物として、水溶性でない、有機溶
剤に溶解可能な樹脂組成物も使用可能である。しかしな
がら、炭酸ガスレーザー照射で、孔周辺に樹脂が付着す
ることがあり、この樹脂の除去が、水ではなく有機溶剤
を必要とするため、加工上煩雑であり、又、後工程の汚
染等の問題点も生じるため、好ましくない。

【００１１】本発明で使用する両面銅張板は、公知の有
機、無機基材補強の2層の銅箔層が両面に存在する両面
銅張板、またフィルム基材のもの等が使用可能である。
基材としては、一般に公知の、有機、無機の織布、不織
布が使用できる。具体的には、無機の繊維としては、
Ｅ、Ｓ、Ｄ、Ｍガラス等の繊維等が挙げらる。又、有機
繊維としては、全芳香族ポリアミド、液晶ポリエステ
ル、ポリベンザゾールの繊維等を用いた布が挙げられ
る。これらは、混抄でも良い。

【００１２】本発明で使用される両面銅張積層板、プリ
プレグに使用される熱硬化性樹脂組成物の樹脂として
は、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用される。具体的に
は、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エステル樹脂、
多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹脂、多官能性
マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニレンエーテル
樹脂等が挙げられ、1種或いは2種類以上が組み合わせて
使用される。出力の高い炭酸ガスレーザー照射による加
工でのスルーホール形状の点からは、ガラス転移温度が
150℃以上の熱硬化性樹脂組成物が好ましく、耐湿性、
耐マイグレーション性、吸湿後の電気的特性等の点から
多官能性シアン酸エステル樹脂組成物が好適である。

【００１３】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、及びノ
ボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られるシ
アネート類などである。

【００１４】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いら得る。また、これら多官能性シ
アン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって形
成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000 のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。

【００１５】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或い
は2種類以上が組み合わせて使用され得る。ポリイミド
樹脂としては、一般に公知のものが使用され得る。具体
的には、多官能性マレイミド類とポリアミン類との反応
物、特公昭57-005406 に記載の末端三重結合のポリイミ
ド類が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独でも
使用されるが、特性のバランスを考え、適宜組み合わせ
て使用するのが良い。

【００１６】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチレン、AS
樹脂、AＢS樹脂、MＢS樹脂、スチレン-イソプレンゴ
ム、ポリエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチ
レン-6-フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、
ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステ
ル、ポリフェニレンサルファイド等の高分子量プレポリ
マー若しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、
適宜使用される。また、その他、公知の無機、有機の充
填剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レ
ベリング剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、
チキソ性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組
み合わせて用いられる。必要により、反応基を有する化
合物は硬化剤、触媒が適宜配合される。特に、レーザー
加工のため、樹脂組成物に無機充填剤を添加し、さらに
黒色の染料或いは顔料を加えるのが好ましい。

【００１７】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。

【００１８】本発明で使用する補助材料の中の、融点90
0℃以上で、且つ、結合エネルギー300kJ/mol 以上の金
属化合物としては、一般に公知のものが使用できる。具
体的には、酸化物としては、酸化チタン等のチタニア
類、酸化マグネシウム等のマグネシア類、酸化鉄等の鉄
酸化物、酸化ニッケル等のニッケル酸化物、二酸化マン
ガン、酸化亜鉛等の亜鉛酸化物、二酸化珪素、酸化アル
ミニウム、希土類酸化物、酸化コバルト等のコバルト酸
化物、酸化錫等のスズ酸化物、酸化タングステン等のタ
ングステン酸化物、等が挙げられる。非酸化物として
は、炭化珪素、炭化タングステン、窒化硼素、窒化珪
素、窒化チタン、窒化アルミニウム、硫酸バリウム、希
土類酸硫化物等、一般に公知のものが挙げられる。その
他、カーボンも使用できる。更に、その酸化金属粉の混
合物である各種ガラス類が挙げられる。又、カーボン粉
が挙げられ、更に銀、アルミニウム、ビスマス、コバル
ト、銅、鉄、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ニ
ッケル、パラジウム、アンチモン、ケイ素、錫、チタ
ン、バナジウム、タングステン、亜鉛等の単体、或いは
それらの合金の金属粉が使用される。これらは一種或い
は二種以上が組み合わせて使用される。平均粒子径は、
特に限定しないが、1μm以下が好ましい。

【００１９】炭酸ガスレーザーの照射で分子が解離する
か、溶融して飛散するために、金属が孔壁等に付着し
て、半導体チップ、孔壁密着性等に悪影響を及ぼさない
ようなものが好ましい。Ｎａ，Ｋ，Ｃｌイオン等は、特
に半導体の信頼性に悪影響を及ぼすため、これらの成分
を含むものは好適でない。配合量は、3〜97容積％、好
適には5〜95容積％が使用され、好適には水溶性樹脂に
配合され、均一に分散される。

【００２０】補助材料の水溶性樹脂としては、特に制限
はしないが、混練して銅箔表面に塗布、乾燥した場合、
或いはシート状とした場合、剥離欠落しないものを選択
する。例えばポリビニルアルコール、ポリエステル、ポ
リエーテル、澱粉等、一般に公知のものが使用される。

【００２１】金属化合物粉、カーボン粉、又は金属粉と
樹脂からなる組成物を作成する方法は、特に限定しない
が、ニーダー等で無溶剤にて高温で練り、熱可塑性フィ
ルム上にシート状に押し出して付着する方法、水に水溶
性樹脂を溶解させ、これに上記粉体を加え、均一に攪拌
混合して、これを用い、塗料として熱可塑性フィルム上
に塗布、乾燥して膜を形成する方法等、一般に公知の方
法が使用できる。厚みは、特に限定はしないが、一般に
は総厚み30〜200μmで使用する。それ以外に銅箔表面に
酸化金属処理層を設けてから同様に孔あけすることが可
能であるが、孔形状等の点からも上記補助材料を使用す
る方が好ましい。裏面は、貫通孔を形成した時に、炭酸
ガスレーザーのテーブルの損傷を避けるために裏面には
金属板の上に水溶性樹脂を付着させたバックアップシー
トを使用するのが好ましい。

【００２２】銅箔面に加熱、加圧下にラミネートする場
合、補助材料、バックアップシートともに塗布樹脂層を
銅箔面に向け、ロールにて、温度は一般に40〜150℃、
好ましくは60〜120℃で、線圧は一般に0.5〜２０kg、好
ましくは1〜１０kgの圧力でラミネートし、樹脂層を溶
融させて銅箔面と密着させる。温度の選択は使用する水
溶性樹脂の融点で異なり、又、線圧、ラミネート速度に
よっても異なるが、一般には、水溶性樹脂の融点より5
〜20℃高い温度でラミネートする。又、室温で密着させ
る場合、塗布樹脂層表面3μm以下を、ラミネート前に水
分で湿らせて、水溶性樹脂を少し溶解させ、同様の圧力
でラミネートする。水分で湿らせる方法は特に限定しな
いが、例えばロールで水分を塗膜樹脂面に連続的に塗布
するようにし、その後、連続して銅張積層板の表面にラ
ミネートする方法、水分をスプレー式に連続して塗膜表
面に吹き付け、その後、連続して銅張積層板の表面にラ
ミネートする方法等が使用し得る。

【００２３】基材補強銅張板は、まず上記補強基材に熱
硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥させてＢステージとし、
プリプレグを作成する。次に、このプリプレグを所定枚
数重ね、両面に銅箔を配置して、加熱、加圧下に積層成
形し、銅張板とする。銅箔の厚みは、両面銅張積層板に
おいては、3〜１２μm、多層板の内層銅箔としては5〜
１８μｍである。両面処理箔も使用できる。

【００２４】多層板は、好適にはガラス布基材補強した
両面銅張積層板に、レーザーで貫通孔あけし、必要によ
りデスミア処理を行い、銅メッキを施して、孔内部に銅
メッキを50容積％以上好ましくは９０容積％以上充填さ
せ、この内層となる下（裏）面に回路を形成し、必要に
より銅箔表面処理後、その上に、Ｂステージのガラス基
材補強プリプレグを配置し、その外側に銅箔を置き、加
熱、加圧、好ましくは真空下に積層成形して銅張多層板
とする。これを繰り返して所定の層を有する多層板を作
成する。

【００２５】孔径80〜180μmの貫通孔を形成する場合、
両面銅張積層板の表面の銅箔上に酸化金属処理層を設け
るか、前記した補助材料を配置し、この上から、目的と
する径まで絞った、好ましくは20〜60mJ/パルスから選
ばれた高出力のエネルギーの炭酸ガスレーザー光を直接
照射することにより、銅箔を加工して孔あけを行う。炭
酸ガスレーザーを、出力20〜60mJ/パルス照射して孔を
形成した場合、孔周辺はバリが発生する。これは、両面
銅張積層板では、特に問題でなく、そのまま銅メッキを
行なって孔内部の50容積％以上、好ましくは９０容積％
以上を銅メッキし、同時に表層もメッキして銅箔厚みを
18μm以下、好ましくは１２μｍ以下とする。この内層
となる下面の銅箔に回路を形成し、必要により銅箔表面
処理を施し、この上に、好ましくはガラス布基材プリプ
レグを配置し、その外側に銅箔を置き、積層成形して多
層板とする。本発明においては、上下層の導通は全て貫
通孔で行っているため、さらにその孔を順次銅メッキし
て多層化していくため表層の銅箔が厚くなる。炭酸ガス
レーザーで孔あけを実施していくためには、この表層の
銅箔をエッチングして１２μｍ以下とすることが好まし
い。これを繰り返して目的の層を有する多層板を作成す
る。内層の銅箔は、フリップチップ搭載部下部から周囲
に回路を伸ばし、ランドを形成しておく。このランドの
中心に貫通孔をあけて各層を接続させるとともに、裏面
のハンダボールパッドに接続する回路部にも接続する形
態とする。こうすることにより、フリップチップから発
生した熱は上面に放熱するとともに、下面からはフリッ
プチップの放熱用バンプを通し、周囲に広がる内層回路
を通って下面のハンダボールを通ってマザーボードプリ
ント配線板に拡散するようにして放熱を行う。もちろん
この回路は信号伝播用にも用いる。

【００２６】また、非常に高密度の回路を形成するため
には、内層となる銅箔も含めて、表層の銅箔を薄くする
必要があり、好適には、炭酸ガスレーザー照射後、銅箔
の両表面を平面的に機械的、或いは薬液でエッチング
し、もとの金属箔の一部の厚さを除去することにより、
同時にバリも除去し、且つ、得られた銅箔は細密パター
ン形成に適しており、高密度のプリント配線板に適した
孔周囲の銅箔が残存したスルーホールメッキ用貫通孔を
形成する。この場合、機械研磨よりはエッチングの方
が、孔部のバリ除去、研磨による寸法変化等の点から好
適である。

【００２７】本発明の孔部に発生した銅のバリをエッチ
ング除去する方法としては、特に限定しないが、例え
ば、特開平02-22887、同02-22896、同02-25089、同02-2
5090、同02-59337、同02-60189、同02-166789、同03-25
995、同03-60183、同03-94491、同04-199592、同04-263
488号公報で開示された、薬品で金属表面を溶解除去す
る方法(ＳＵＥＰ法と呼ぶ）による。エッチング速度
は、一般には0.02〜1.0μm/秒で行う。

【００２８】炭酸ガスレーザーは、赤外線波長域にある
9.3〜10.6μmの波長が一般に使用される。出力は好ま
しくは、20〜60mJ/パルスにて銅箔を加工し、孔をあけ
る。エキシマレーザーは波長 248〜308μm、YAGレーザ
ーは波長 351〜355μmが一般に使用される。この波長は
これに限定されるものではない。加工速度は炭酸ガスレ
ーザーが格段に速く、経済的である。

【００２９】炭酸ガスレーザーで貫通孔をあける場合、
最初から最後まで20〜60mJ/パルスから選ばれるエネル
ギーを照射するのが良い。もちろんこのエネルギー内で
孔あけ時にエネルギーを変えることは可能である。表層
の銅箔を除去する場合、より高いエネルギーを選ぶこと
により、照射ショット数が少なくてすみ、効率が良い。
中間の樹脂層を加工する場合、必ずしも高出力が必要で
はなく、基材及び樹脂により適宜選択できる。例えば出
力１０〜35mJ/パルスから選ぶことも可能である。もち
ろん、最後まで高出力で加工することもできる。孔内部
に内層銅箔がある場合、ない場合で加工条件を変化させ
ることが可能である。

【００３０】炭酸ガスレーザーで加工された孔内部の内
層銅箔には1μm程度の樹脂層が残存する場合が殆どであ
る。また、メカニカルドリルで孔あけした場合、スミア
が残る可能性があり、この樹脂層を除去することによ
り、さらなる銅メッキと内外層の銅との接続信頼性が良
くなる。樹脂層を除去するためには、デスミア処理等の
一般に公知の処理が可能であるが、液が小径の孔内部に
到達しない場合、内層の銅箔表面に残存する樹脂層の除
去残が発生し、銅メッキとの接続不良になる場合があ
る。従って、より好適には、まず気相で孔内部を処理し
て樹脂の残存層を完全に除去し、次いで孔内部を、好ま
しくは超音波を併用して湿潤処理する。

【００３１】気相処理としては一般に公知の処理が使用
可能であるが、例えばプラズマ処理、低圧紫外線処理等
が挙げられる。プラズマは、高周波電源により分子を部
分的に励起し、電離させた低温プラズマを用いる。これ
は、イオンの衝撃を利用した高速の処理、ラジカル種に
よる穏やかな処理が一般には使用され、処理ガスとし
て、反応性ガス、不活性ガスが使用される。反応性ガス
としては、主に酸素が使用され、科学的に用面処理をす
る。不活性ガスとしては、主にアルゴンガスを使用す
る。このアルゴンガス等を使用し、物理的な表面処理を
行う。物理的な処理は、イオンの衝撃を利用して表面を
クリーニングする。低紫外線は、波長が短い領域の紫外
線であり、波長として、184.9nm、253.7nm がピークの
短波長域の波長を照射し、樹脂層を分解除去する。その
後、樹脂表面が疎水かされる場合が多いため、特に小径
孔の場合、超音波を併用して湿潤処理を行い、その後銅
メッキを行うことが好ましい。湿潤処理としては、特に
限定しないが、例えば過マンガン酸カリ水溶液、ソフト
エッチング用水溶液等によるものが挙げられる。

【００３２】孔内部は、必ずしも銅メッキで50容積％以
上充填しなくても電気的導通はとれる。銅メッキとして
は、一般に公知の銅メッキを採用できる。孔上部にパッ
ドを作成するためには、金属フィラーの入った穴埋め樹
脂を用い、穴埋め後に金属フィラー面を露出させ、この
上に銅メッキ、ニッケルメッキ、金メッキを行う。ある
いは、この孔の上を避けて、孔と接続するようにしてパ
ッドを形成する。

【００３３】

【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。

【００３４】実施例１ 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃に溶融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ＜株＞
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業＜株＞製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、これに無機充填剤(商品名:焼成
タルク、日本タルク＜株＞製)500部、及び黒色顔料8部
を加え、均一撹拌混合してワニスAを得た。このワニス
を厚さ100μmのガラス織布に含浸し150℃で乾燥して、
ゲル化時間(at170℃)120秒、ガラス布の含有量が56重量
%のプリプレグ(プリプレグＢ)を作成した。また、ガラ
ス含有量44重量%のプリプレグＣを作成した。

【００３５】厚さ35μmの銅キャリア付き3μmの電解銅
箔を、上記プリプレグＢ 1枚の上下に配置し、200℃、2
0kgf/cm²、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形し、絶
縁層厚み100μmの両面銅張積層板Ｄを得た。その後、キ
ャリアの35μmの銅シートを剥離した。

【００３６】一方、酸化金属粉として黒色酸化銅粉（平
均粒子径：0.8μm）800部に、ポリビニルアルコール粉
体を水に溶解したワニスに加え、均一に攪拌混合した。
これを厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィル
ム片面上に、厚さ30μｍとなるように塗布し、110℃で3
0分間乾燥して、金属化合物粉含有量45容積％の補助材
料Eを作成した。又、ポリビニルアルコール水溶液を厚
さ５０μｍのアルミニウム箔上に塗布乾燥して樹脂層厚
さ２５μｍ付着したバックアップシートFを作成した。
上記両面板の片面に、補助材料E及びバックアップシー
トFの樹脂面が銅箔側を向くように配置し、100℃でラミ
ネートしてから、孔径100μmの孔を20mm角内の中央6mm
角内に44個直接炭酸ガスレーザーで、出力25mJ/パルス
でまず1ショット、次に出力を20mJ/パルスにして3ショ
ット照射して、70ブロックのスルーホール用貫通孔をあ
け、銅メッキを全体に10μm付着させ、孔内部を銅メッ
キで95容積％充填した。補助材料、バックアップシート
除去後、裏面に回路を形成し、黒色酸化銅処理層を設
け、その回路の上に上記プリプレグＣを置き、その外側
に厚さ12μmの電解銅箔を配置し、前記と同様にして、
積層成形し３層板とした。

【００３７】この３層板に、前記と同様に、孔径100μm
の貫通孔を５２個あけた。この両面の銅箔層を、ＳＵＥ
Ｐ処理にて孔周辺の銅箔のバリを除去するとともに、表
裏面の銅箔も4μmまで溶解した。銅メッキを全体に9μm
付着させ、この裏面に同様に回路形成、黒色酸化銅処理
を行い、プリプレグＣを置き、12μm電解銅箔を配置
し、同様に積層成形して４層板とした。フリップチップ
搭載箇所下に同様に径１００μｍの貫通孔を４８個あ
け、この４層板のフリップチップ搭載部の周囲に、内層
の銅箔と接続するようにして孔径150μmの貫通孔を炭酸
ガスレーザーであけた。これをプラズママシーンに入れ
て処理後、SUEP法にて表裏層銅箔を3μmまで溶解除去す
ると同時に内層銅箔に発生した銅箔バリをも溶解除去
し、銅メッキを10μm施してから、表裏を既存の方法に
て回路(ライン/スペース＝50/50μm)、ソルダーボール
用ランド等を形成し、少なくともフリップチップ搭載用
パッド部、ハンダボールパッド部を除いてメッキレジス
トで被覆し、ニッケル、金メッキを施し、プリント配線
板を作成した。この上に大きさ6mm角のフリップチップ
を搭載した。評価結果を表１及び表２に示す。

【００３８】実施例２融点58℃の水溶性ポリエステル樹脂を水に溶解した樹脂
水溶液の中に、金属化合物粉（ＳｉＯ₂57重量％、Ｍｇ
Ｏ 43重量％、平均粒子径：0.4μm)を加え、均一に攪拌
混合した後、これを50μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルムに、厚さ20μmとなるように塗布し、110℃で
25分間乾燥し、金属化合物含有量70容積％のフィルム状
補助材料Gとした。一方、実施例１のプリプレグＢを１
枚使用し、上下に12μmの電解銅箔を置き、同様に積層
成形し、両面銅張積層板を得た（図１（１））。この上
に上記孔あけ補助材料G,バックアップシートFを配置し
て、100℃のロールにて、線圧2kgfでラミネートし、密
着性の良好な塗膜を形成した。補助材料Gの上から、炭
酸ガスレーザーの出力35mJ/パルスにて3ショット照射し
て貫通孔60ホールをあけた（図１（２））。

【００３９】表層の補助材料、バックアップシートを剥
離し、ＳＵＥＰ処理を行ない、プラズマ装置の中に入
れ、酸素気流中で10分、更にアルゴン気流中で5分処理
を行い、その後過マンガン酸カリ水溶液にて超音波併用
で湿潤処理を行なって、実施例1と同様にパルス銅メッ
キを行い、貫通孔内部を95容積%銅メッキで充填し、表
裏面には厚さ10μmの銅メッキを付着させた。

【００４０】この下面（裏）に回路を形成し、黒色酸化
銅処理層を設け、その外側に上記プリプレグCを１枚配
置し、その外側に12μmの電解銅箔を置き（図１
（３））、同様に積層成形した。この銅箔表面に上記補
助材料G,バックアップシートFを同様にラミネートして
から40mJ/パルスにて4ショット照射し、貫通孔を40ホー
ルあけた（図１（５））。この両側の銅箔をSUEPにて厚
さ3μｍまで溶解し、銅メッキを施し、孔内部は87容積
％充填し、表裏層には銅メッキを厚さ10μm付着させ
た。下面に回路を形成した。これを繰り返して５層の多
層板を作成した（図１（６））。このフリップチップを
搭載する周囲に孔径200μの貫通孔を、フリップチップ
搭載部にあけられた貫通孔から周囲に広がる各層の回路
と接続するようにメカニカルドリルであけ、この孔内部
に孔埋め樹脂（商品名；ＢT-S730Ｂ、三菱ガス化学<株>
製）を充填し、120℃で1時間、更に160℃で2時間熱硬化
した（図２（７））。表裏を機械的に研磨した後、SUEP
法で表裏層の銅箔を3μmまで溶解し、デスミア処理後、
銅メッキを10μm付着させた。。これを用い、実施例1と
同様にプリント配線板とし、フリップチップを搭載し、
裏面にはハンダボールをパッドに接合し、プラスチック
パッケージを作成した（図２（８））。評価結果を表１
及び表２に示す。

【００４１】比較例１実施例１の両面銅張板を用い、表面処理を行なわずに炭
酸ガスレーザーで同様に孔あけを行なったが、孔はあか
なかった。

【００４２】比較例２実施例１の両面銅張板を用い、表裏面の銅箔をエッチン
グにより孔径100μmの孔をあけ、炭酸ガスレーザーのエ
ネルギー15mJ/パルスにて実施例１と同じショット数で
孔あけを行なったが、ガラス繊維のケバが孔壁に見ら
れ、且つ表裏の孔位置に最大15μmのずれを生じ、その
後の多層化が実施できなかった。

【００４３】比較例３エポキシ樹脂（商品名：エピコート5045)2,000部、ジシ
アンジアミド70部、2ーエチルイミダゾール2部をメチル
エチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解
し、攪拌混合して均一分散してワニスHを得た。これを
厚さ100μmのガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間
140秒（at170℃），ガラス含有量55重量%のプリプレグI
を作成した。また、厚さ50μmのガラ織布を使用し、ゲ
ル化間180秒、ガラス含有量33重量%のプリプレグJを得
た。このプリプレグIを1枚使用し、両面に12μmの電解
銅箔を置き、170℃、20kgf/cm²、30mmHg以下の真空下で
2時間積層成形して両面銅張積層板Kを得た。この銅張積
層板Kの上に回路を形成し、黒色酸化銅処理層を設け、
この上下にプリプレグJを各1枚置き、その外側に12μm
銅箔を置き、同様に積層成形して４層板を作成した。メ
カニカルドリルで孔径２００μｍの貫通孔を周囲にあ
け、デスミア処理後に、銅メッキを10μm付着させた。
これを用いて、プリント配線板を作成し、フリップチッ
プを搭載した。評価結果を表１及び表２に示す。

【００４４】比較例４実施例１の４層板（図３（１））において、内層のスル
ーホールとなる箇所の内層の銅箔をあらかじめエッチン
グにより孔径100μmの孔となるように銅箔を除去し、回
路を形成しておき、また最後に表裏の同位置も径100μm
で銅箔をエッチング除去しておき（図３（２））、炭酸
ガスレーザーのエネルギー10mJ/パルスにて貫通孔あけ
を行なった（図３（３））。その後は、SUEP処理を行わ
ずに、デスミア処理を１回施し、銅メッキを10μｍ施し
（図３（４））、表裏に回路を形成し、同様にプリント
配線板を作成し、フリップチップを搭載した。評価結果
を表１及び表２に示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】＜測定方法＞ 1)表裏、内層孔位置のズレワークサイズ250mm角内に、孔径100μmの孔を900孔/ブ
ロックとして70ブロック（孔計63,000孔）作成した。
炭酸ガスレーザー及びメカニカルドリルで孔あけを行な
い、１枚の銅張板に63,000孔をあけた場合の表裏と内層
銅箔のズレの最大値を示した。 2)回路パターン切れ、及びショート実施例、比較例で、孔のあいていない板を同様に作成
し、ライン/スペース＝50/50μmの櫛形パターンを作成
した後、拡大鏡でエッチング後の200パターンを目視に
て観察し、パターン切れ、及びショートしているパター
ンの合計を分子に示した。 3)ガラス転移温度ＤＭＡ法にて測定した。 4)スルーホール・ヒートサイクル試験各スルーホール孔に径250μmのランドを作成し、900孔
を表裏交互につなぎ、1サイクルが、260℃・ハンダ・浸
せき30秒→室温・5分で、200サイクルまで実施し、抵
抗値の変化率の最大値を示した。 5)ランド周辺銅箔切れ表裏の孔周辺に径250μmのランドを形成した時の、ラン
ド部分の銅箔欠けを観察した。 6)プレッシャークッカー処理後の絶縁抵抗値端子間（ライン／スペース＝50/50μm）の櫛形パターン
を作成し、この上に、それぞれ使用したプリプレグを配
置し、積層成形したものを、121℃・203kPa にて所定時
間処理した後、25℃・60%RH で2時間後処理を行い、500
VDCを印加して端子間の絶縁抵抗値を測定した。 7)耐マイグレーション性上記6)の試験片を85℃・85%RH、50VDC印加して端子間の
絶縁抵抗値を測定した。 8)放熱性パッケージを同一マザーボードプリント配線板にハンダ
ボールで接着させ、1000時間連続使用してから、パッケ
ージの温度を測定した。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、少なくとも３層の銅箔
層を有するフリップチップ搭載用プリント配線板の製造
方法において、少なくともフリップチップ搭載部のパッ
ドを、各内層の銅箔回路と、孔径25〜300μｍのスルー
ホールの導体で全て接続し、該内層回路を周囲に広がる
回路とし、この周囲に広がる回路を表裏貫通するスルー
ホール導体と接続し、このスルーホール導体を裏面の放
熱用及び信号伝播用等のハンダボールパッドに接続する
ランドに接続している形態の高密度多層プリント配線板
の製造方法が提供される。本発明によれば、孔径80μｍ
以上180μm以下の貫通孔を、銅箔表面に酸化金属処理層
又は薬液処理層を設けるか、融点900℃以上で、且つ結
合エネルギーが300kJ/mol 以上の金属化合物粉、カーボ
ン粉、又は金属粉の１種或いは２種以上を3〜97vol%を
含む孔あけ補助材料を配置し、この上から、好ましくは
20〜60mJ/パルスから選ばれたエネルギーの炭酸ガスレ
ーザーを直接照射して貫通孔あけを行ない、その後孔内
部の50容積％以上を銅メッキで充填し、この下面に回路
を形成し、さらにガラス布基材プリプレグ及び銅箔を配
置し、積層成形後にさらにスルーホール用貫通孔をあ
け、その後表層の銅箔の厚さ方向の一部の厚さを薬液で
エッチングで溶解し、同時に孔周辺に発生した銅箔バリ
をも溶解除去し、銅メッキし、上記積層成形、貫通孔あ
け、銅メッキの操作を必要回数繰り返す多層プリント配
線板の製造方法が提供される。本発明の製造方法によれ
ば、放熱性、孔接続信頼性に優れ、高密度であるプリン
ト配線板が提供される。本発明によれば、表層銅箔同士
の接続信頼性に優れた高密度多層プリント配線板の製造
方法が提供される。本発明によれば、さらに熱硬化性樹
脂として、多官能性シアン酸エステル樹脂組成物を用い
ることにより、耐熱性に優れ、且つ耐マイグレーション
性、プレッシャー後の電気絶縁性等の信頼性にも優れた
フリップチップ用プリント配線板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例２の多層板の炭酸ガスレーザーによる
スルーホール用貫通孔あけ及びパルス銅メッキ（３）、
３層板作成、貫通孔あけ（５）及びパルス銅メッキ
（６）の工程図である。

【図２】実施例２の５層板に成形後のガスレーザーに
よる貫通孔あけ、外周部のメカニカルドリルによる貫通
孔あけと樹脂による穴埋め及びパルス銅メッキ（７）、
及び半導体プラスチックパッケージ（８）作成の工程図
である。

【図３】比較例４の多層板の炭酸ガスレーザーに
よる孔あけ及び銅メッキの工程図である（ＳＵＥＰ無
し）。

【符号の説明】

ａガラス布基材両面銅張積層板Ｂ炭酸ガスレーザーで孔あけされた貫通孔ｃ貫通孔部に発生した銅箔バリ d₁,d₂,d₃,d₄ 貫通孔に銅メッキを充填したスルーホ
ールｅプリプレグC ｆ銅箔ｇ３層板に炭酸ガスレーザーで形成された貫通孔ｈ発生したバリｉ穴埋め樹脂ｊフリッチップｋフリップチップバンプｌハンダボールパッドｍハンダボールｎメッキレジストｏ４層板ｐ炭酸ガスレーザーで孔あけされた貫通孔部ｑズレを生じた内層銅箔 r ズレを生じた貫通孔銅メッキ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０５Ｋ 1/18 ＬＨ０５Ｋ 1/18 Ｂ２３Ｋ 101:42 // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｈ０１Ｌ 23/12 ＮＦターム(参考） 4E068 AF01 AF02 CF01 CF03 DA11 5E336 BB03 BC02 BC12 BC14 CC58 EE01 GG03 GG12 5E346 AA42 CC04 CC08 CC32 DD22 EE09 EE13 FF07 FF13 FF24 FF45 GG15 HH07 HH08 HH17 HH18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】次の工程からなる少なくとも３層以上の
銅箔層を有するフリップチップ搭載用ガラス布基材高密
度多層プリント配線板の製造方法、 a. 両面銅張板（a）に孔径８０μｍ以上１８０μｍ以
下の貫通孔は銅箔表面に孔あけ用補助材料を配置し、銅
箔を加工するに十分なエネルギーの炭酸ガスレーザーを
直接照射して孔あけ(Ｂ)を行い、その後必要に応じ銅箔
の一部をエッチング除去すると同時に孔周辺に発生した
銅箔バリをも溶解除去しする工程、Ｂ. 必要に応じ、孔径２５μｍ以上８０μｍ未満の貫
通孔はエキシマレーザー、YAGレーザーで、及び／又は
孔径１８０μｍ超え３００μｍ以下の貫通孔はメカニカ
ルドリルで孔あけを行い、ついで表面および孔内部を銅
メッキ(d₁)する工程、 c. 両面銅張板の内層となる下面側銅箔に回路を形成し
た後、この回路面側にプリプレグ及び銅箔をこの順に配
置して積層成形し、 d. 上記a, Ｂ及びcの工程を必要回数繰り返して多層
板を得、該多層板の表裏を貫通する孔の導体(s)を各内
層の回路(t)と電気的に導通させておく工程、 e. 多層板の裏面のハンダボールパッド(l)及び表面の
フリップチップパッド（u）を設ける位置に貫通孔をあ
け、必要に応じ銅箔の一部をエッチング除去すると同時
に孔周辺の銅箔バリを溶解除去し、回路を形成してフリ
ップチップパッドとハンダボールパッドとを多層板の表
裏を貫通する孔に銅メッキして導体を介して電気的に導
通させる工程、 f. 少なくともフリップチップ搭載用パッド部（u）、
ハンダボールパッド部（l）以外に貴金属メッキを施す
工程。
【請求項２】表裏を貫通する孔の導体(s)が、フリッ
プチップパッド(u)と電気的に導通していることを特徴
とする請求項１記載の高密度多層プリント配線板の製造
方法。
【請求項３】各内層に至る孔（d₁,d₂,d₃）が、フリッ
プチップパッド(u)と電気的に導通していることを特徴
とする請求項１記載の高密度多層プリント配線板の製造
方法。
【請求項４】炭酸ガスレーザーの照射前に、銅箔の表
面に酸化金属処理層又は薬液処理層を設けるか、或いは
融点900℃以上で、且つ結合エネルギーが300kJ/mol 以
上の金属化合物粉、カーボン粉、又は金属粉の１種或い
は２種以上を3〜97容積％を含む樹脂組成物を配置する
工程を設けることを特徴とする請求項１記載の高密度多
層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】各貫通孔を銅メッキで50容積％以上充填
することを特徴とする請求項１記載の高密度プリント配
線板の製造方法。