JP2001110573A - Substrate for electroluminescence display element, and electroluminescence display element - Google Patents
Substrate for electroluminescence display element, and electroluminescence display elementInfo
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、家庭用テレビ及び
高度な情報処理端末表示装置としての発光型ディスプレ
イである交流電界型のエレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬと表記する）表示素子及びエレクトロルミネッ
センス表示素子用基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an AC electric field type electroluminescence (hereinafter, referred to as EL) display element and an electroluminescence display element which are light-emitting displays as home televisions and advanced information processing terminal displays. For substrates.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般にはフルカラー薄膜のＥＬ表示素子
を作製する時に図１（ａ）〜（ｃ）に示す３つの構造が
考えられる。2. Description of the Related Art Generally, three structures shown in FIGS. 1A to 1C can be considered when a full-color thin-film EL display element is manufactured.
【０００３】図１（ａ）に示すのは、第一絶縁層の上に
パターニングされたＲＧＢ発光層が形成されている構造
である。しかし発光層をＲＧＢにパターニングする時に
発光体にダメージを与えるために、この構造を実際に採
用することができない。FIG. 1A shows a structure in which a patterned RGB light emitting layer is formed on a first insulating layer. However, when the light emitting layer is patterned into RGB, the light emitting body is damaged, so that this structure cannot be actually adopted.
【０００４】図１（ｂ）に示すのは、絶縁基板と第一電
極の間にパターニングされたカラーフィルターが形成さ
れている構造である。しかしＥＬ表示素子のプロセス温
度が高く、使用できるカラーフィルターが制限される欠
点があるため、この構造を実際に採用することが難し
い。FIG. 1B shows a structure in which a patterned color filter is formed between an insulating substrate and a first electrode. However, since the process temperature of the EL display element is high and there is a drawback that a usable color filter is limited, it is difficult to actually adopt this structure.
【０００５】図１（ｃ）に示すのは、図１（ｂ）の改良
で、カラーフィルターを第二電極側に置く構造である。
この構造は図１（ａ、ｂ）の構造と比べると最も実用的
とされている。しかしながらこの構造にもいくつかの欠
点が存在している。まず、電界を印加するとＲＧＢ発光
体が同時に発光するが、利用されるのはその中の一成分
にすぎないため、薄膜ＥＬ素子の発光効率を低くしてし
まう。また、その上、パターニングによる第二電極ライ
ンを形成する必要があるので、これによって、薄膜ＥＬ
表示素子の製造工程が複雑になってしまう。さらに、パ
ターニングする時に、素子を未封止のままに外に出さな
ければならないので、これによって、湿気が絶縁層のピ
ンホールやマイクロクラック等の欠陥から発光層に侵入
し、これが原因で薄膜ＥＬ素子の発光特性が低下してし
まう。そして、ＲＧＢ発光体の発光色純度に関わらず、
カラーフィルターを必要とする等の問題がある。FIG. 1C shows a modification of FIG. 1B in which a color filter is placed on the second electrode side.
This structure is considered to be the most practical as compared with the structure shown in FIGS. However, this structure also has some disadvantages. First, when an electric field is applied, the RGB light emitters emit light at the same time, but only one of them is used, so that the light emitting efficiency of the thin film EL element is lowered. In addition, since it is necessary to form a second electrode line by patterning,
The manufacturing process of the display element becomes complicated. Furthermore, when patterning, the device must be left unsealed, so that moisture penetrates into the light emitting layer from defects such as pinholes and micro cracks in the insulating layer, and this causes The light emission characteristics of the device will be reduced. And, regardless of the emission color purity of the RGB light emitter,
There are problems such as the need for a color filter.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
ＥＬ表示素子の構造においては、発光層をＲＧＢにパタ
ーニングすることは難しかった。また、第二電極ライン
を形成するためにパターニングする工程が必要であっ
た。さらに発光体の発光色純度に関わらずカラーフィル
ターを必要とする問題があった。As described above, in the structure of the conventional EL display element, it was difficult to pattern the light emitting layer into RGB. Further, a patterning step was required to form the second electrode line. Further, there is a problem that a color filter is required regardless of the emission color purity of the luminous body.
【０００７】本発明はこれらの問題点を解決するために
なされたものであり、発光層をＲＧＢにパターニングす
ることができ、第二電極ラインが成膜と同時に自然に形
成されるので、パターニングする工程が省かれるだけで
なく、薄膜ＥＬ素子を大気に触れることなく、製造する
ことができ、発光体の発光色純度がよければ、カラーフ
ィルターを必要としないＥＬ表示素子用基板およびＥＬ
表示素子を提供するものである。The present invention has been made to solve these problems. The light emitting layer can be patterned into RGB, and the second electrode line is formed naturally at the same time as the film formation. Not only can the process be omitted, but also the thin film EL element can be manufactured without exposure to the air, and if the luminescent color purity of the luminous body is good, the EL display element substrate and the EL that do not require a color filter
A display element is provided.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するために、請求項１としては、複数の第一電極
ラインを形成した絶縁基板上に、前記第一電極ラインの
端部を露出させて第一絶縁膜を形成し、更に前記第一絶
縁膜の上に前記第一電極ラインと交差する方向に延びる
複数の隔壁を形成することを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンス表示素子用基板である。請求項２としては、
前記隔壁が頂部と頸部と底部とからなることを特徴とす
る請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示素子
用基板である。請求項３としては、前記隔壁の頸部の幅
が前記隔壁の頂部より短いことを特徴とする請求項１か
ら請求項２のいずれか一つに記載のエレクトロルミネッ
センス表示素子用基板である。請求項４としては、前記
隔壁の頂部と頸部と底部とが、同じ材料からなることを
特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一つに記載
のエレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請
求項５としては、前記隔壁が、一層からなることを特徴
とする請求項１から請求項４のいずれか一つに記載のエ
レクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請求項
６としては、前記隔壁が、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2
Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ
2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも含むことを特
徴とする請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請求
項７としては、前記隔壁が、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎ
ａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも分散させた
ネガ型感光性樹脂を塗布・露光・現像工程により形成
後、高温焼成を行うことによって、形成されたことを特
徴とする請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請求
項８としては、請求項１から請求項７のいずれかに記載
のエレクトロルミネッセンス表示素子用基板上に発光層
・第二絶縁層・第二電極ライン・接着剤を介して基板と
接着される封止基板を設けることを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス表示素子である。請求項９としては、
更に、前記封止基板の内側にカラーフィルターが形成さ
れることを特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示素子である。In order to solve the above-mentioned problems in the present invention, a first aspect is to expose an end of the first electrode line on an insulating substrate having a plurality of first electrode lines formed thereon. Forming a first insulating film, and further forming a plurality of partitions extending on the first insulating film in a direction intersecting with the first electrode line. As claim 2,
2. The substrate according to claim 1, wherein the partition comprises a top, a neck, and a bottom. A third aspect of the present invention is the substrate for an electroluminescent display device according to any one of the first to second aspects, wherein the width of the neck of the partition is shorter than the top of the partition. According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate for an electroluminescent display element according to any one of the first to third aspects, wherein a top, a neck, and a bottom of the partition are made of the same material. . A fifth aspect of the present invention is the substrate for an electroluminescent display device according to any one of the first to fourth aspects, wherein the partition wall is formed of one layer. According to a sixth aspect, the partition is made of SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2
O 3 , MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Na
The substrate for an electroluminescent display element according to any one of claims 1 to 5, further comprising at least one of 2 O and K 2 O. According to claim 7, the partition is made of SiO 2 , Al 2 O 3 , B
2 O 3 , MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, N
A negative-type photosensitive resin in which at least one of a 2 O and K 2 O is dispersed is formed by a coating, exposing and developing process, and thereafter, is formed by performing high-temperature baking. A substrate for an electroluminescent display element according to any one of claims 1 to 6. According to an eighth aspect, the substrate is adhered to the substrate for an electroluminescent display element according to any one of the first to seventh aspects via a light emitting layer, a second insulating layer, a second electrode line, and an adhesive. An electroluminescent display element including a sealing substrate. As claim 9,
The electroluminescent display device according to claim 8, wherein a color filter is formed inside the sealing substrate.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図３を使い製造工
程に従って詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to FIG.
【００１０】まず、光を基板側から取り出す場合につい
て説明する。この場合には、本発明のＥＬ表示素子にお
ける透光性絶縁基板１ａとしては、石英基板、ガラス基
板などが使用できる（図３（ａ）参照）。First, the case where light is extracted from the substrate side will be described. In this case, a quartz substrate, a glass substrate, or the like can be used as the translucent insulating substrate 1a in the EL display element of the present invention (see FIG. 3A).
【００１１】次に、透光性絶縁基板１ａ上に第一電極を
製膜し、フォトリソグラフィ等によって複数の第一電極
ライン２ａを形成する（図３（ａ）参照）。Next, a first electrode is formed on the transparent insulating substrate 1a, and a plurality of first electrode lines 2a are formed by photolithography or the like (see FIG. 3A).
【００１２】本発明における第一電極ライン２ａの材料
としてＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウ
ム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の透
明電極材料が使用できる。In the present invention, as the material of the first electrode line 2a, a transparent electrode material such as ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, zinc aluminum composite oxide can be used.
【００１３】なお、抵抗を下げるために透明電極には
銅、クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこ
れらの積層物を補助電極として部分的に併設させること
ができる。In order to reduce the resistance, a metal such as copper, chromium, aluminum, titanium or the like or a laminate thereof can be partially provided as an auxiliary electrode on the transparent electrode.
【００１４】次に、第一電極ライン２ａを形成した透光
性絶縁基板１ａ上に第一電極ラインの端部を露出させた
第一絶縁層３を形成する（図３（ａ）参照）。Next, a first insulating layer 3 exposing an end of the first electrode line is formed on the translucent insulating substrate 1a on which the first electrode line 2a is formed (see FIG. 3A).
【００１５】本発明における第一絶縁層３の材料として
Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴａＯ5 、ＳｉＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用できる。As the material of the first insulating layer 3 in the present invention, Si 3 N 4 , TaO 5 , SiO 2 , Y 2 O 3 , Ti
O 2 and Al 2 O 3 can be used.
【００１６】次に、第一絶縁層３の上に第一電極ライン
２ａと交差するように複数の隔壁９を形成する（図３
（ｂ）参照）。Next, a plurality of partitions 9 are formed on the first insulating layer 3 so as to intersect the first electrode lines 2a.
(B)).
【００１７】本発明の隔壁は頂部と頸部と底部とからな
る。また、第二電極ラインを分離するために、頸部の幅
が頂部より短いことが望ましい。その典型的な断面形状
が図２（ａ）〜（ｄ）に示す。また図２（ｅ）に示すよ
うな形状の隔壁も考えられる。その形状は図２（ａ）中
の１に示す隔壁の逆である。The partition of the present invention comprises a top, a neck and a bottom. Also, in order to separate the second electrode line, it is desirable that the width of the neck is shorter than the top. Typical cross-sectional shapes are shown in FIGS. A partition having a shape as shown in FIG. Its shape is the reverse of the partition shown by 1 in FIG.
【００１８】本発明の隔壁の頂部と頸部と底部とが同じ
材料若しくは違う材料であってもよい。簡単な製造方法
と安いコストで製造できるため、同じ材料からなること
が好ましい。The top, neck and bottom of the partition wall of the present invention may be the same material or different materials. Since they can be manufactured with a simple manufacturing method and at a low cost, they are preferably made of the same material.
【００１９】本発明の隔壁が一層若しくは多層からなっ
てもよい。多層より一層の方が簡単に作製できるため、
一層からなることが好ましい。The partition of the present invention may be composed of one or more layers. Because it is easier to make a layer than a multilayer,
Preferably, it consists of one layer.
【００２０】隔壁の高さは、好ましくは０．２μｍ〜１
００μｍであり、さらに好ましくは１μｍ〜３０μｍで
ある。頂部の幅は好ましくは０．０５μｍ〜１００μｍ
であり、さらに好ましくは０．５μｍ〜２０μｍであ
る。頸部の幅は好ましくは頂部幅の０．１倍〜０．９倍
であり、さらに好ましくは０．３倍〜０．６倍である。
底部の幅は好ましくは頸部幅の０．９倍〜頂部幅の５倍
であり、さらに好ましくは頸部幅の１倍〜頂部幅の２倍
である。The height of the partition is preferably 0.2 μm to 1 μm.
00 μm, more preferably 1 μm to 30 μm. The width of the top is preferably 0.05 μm to 100 μm
And more preferably 0.5 μm to 20 μm. The width of the neck is preferably 0.1 to 0.9 times the width of the top, more preferably 0.3 to 0.6 times.
The width of the bottom is preferably 0.9 times the neck width to 5 times the top width, and more preferably 1 time the neck width to 2 times the top width.
【００２１】本発明の隔壁はガラス粉を混合したネガ型
レジストを基板上に塗布乾燥し、適切なピッチのストラ
イプ状のフォトマスクを用いてＵＶ露光を行ってから現
像・高温焼成することによって作製することができる。
なお、図２に記載のような形状の隔壁はネガ型レジスト
の組成、露光条件、現像条件の制御によって作成するこ
とができる。The partition walls of the present invention are prepared by applying a negative resist mixed with glass powder on a substrate, drying the substrate, performing UV exposure using a stripe-shaped photomask having an appropriate pitch, and then developing and firing at a high temperature. can do.
The partition having the shape shown in FIG. 2 can be formed by controlling the composition of the negative resist, exposure conditions, and development conditions.
【００２２】ガラス粉の成分としては、ＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、
ＺｎＯ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ等がある。従って、カラス粉
の成分とその割合を調整すれば、薄膜ＥＬ素子のプロセ
ス温度に耐えられる隔壁を作製することができる。The components of the glass powder include SiO 2 , Al
2 O 3 , B 2 O 3 , MgO, CaO, SrO, BaO,
There are ZnO, Na 2 O, K 2 O and the like. Therefore, by adjusting the components of the crow powder and the proportion thereof, it is possible to produce a partition wall that can withstand the processing temperature of the thin film EL element.
【００２３】その後、蒸着マスク１０を使って、ＲＧＢ
３色の発光層４ａを順次形成する。更に、第二絶縁層５
と第二電極ライン６ａを形成してから、素子全体を接着
剤１２を介して遮光性封止基板７ａで封止する（図３
（ｃ）〜（ｇ）参照）。Thereafter, using the deposition mask 10, the RGB
Light emitting layers 4a of three colors are sequentially formed. Further, the second insulating layer 5
And the second electrode line 6a are formed, and then the entire device is sealed with a light-shielding sealing substrate 7a via an adhesive 12 (FIG. 3).
(C) to (g)).
【００２４】隔壁を有することによって、第二電極層が
形成されると同時に第二電極ライン６ａにパターニング
されるため、第二電極のパターニング工程を省くことが
できると同時に薄膜ＥＬ素子を大気に触れることなく、
製造することができる。Since the second electrode layer is formed and patterned into the second electrode line 6a at the same time, the patterning step of the second electrode can be omitted, and the thin film EL element is exposed to the atmosphere. Without
Can be manufactured.
【００２５】本発明のＲＧＢ３色の発光材料として、Ｚ
ｎＳ：Ｓｍ（赤色）、Ｚｎ：Ｍｎ＋フィルター（赤
色）、ＺｎＳ：Ｔｂ（緑色）、ＺｎＳ：Ｔｍ（青色）、
ＢａＡｌ 2 Ｓ4 ：Ｅｕ（青色）、ＳｒＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ
（青色）、ＣａＣａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ（青色）等が使用でき
る。As the light emitting material of the three colors of RGB of the present invention, Z
nS: Sm (red), Zn: Mn + filter (red
Color), ZnS: Tb (green), ZnS: Tm (blue),
BaAl TwoSFour: Eu (blue), SrGaTwoSFour: Ce
(Blue), CaCaTwoSFour: Ce (blue) etc. can be used
You.
【００２６】本発明の第二絶縁層５の材料として、第一
絶縁層３の材料と同じである。The material of the second insulating layer 5 of the present invention is the same as the material of the first insulating layer 3.
【００２７】本発明の第二電極に用いる材料として、金
属であることが好ましい。Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｎｉ等が使用できる。The material used for the second electrode of the present invention is preferably a metal. Al, Cu, Cr, Ta, M
o, W, Ni and the like can be used.
【００２８】本発明の接着剤として、ＵＶ硬化型接着剤
やエポキシ樹脂などが使用できる。As the adhesive of the present invention, a UV curable adhesive, an epoxy resin or the like can be used.
【００２９】光を背面から取り出す時には、基本的な製
造方法は同じである。しかし、以下のように幾つかの違
いがある。When light is extracted from the back surface, the basic manufacturing method is the same. However, there are some differences:
【００３０】まず、光が薄膜ＥＬ素子の両側から出るこ
とを防ぐため、基板１ｂは遮光性絶縁基板であることが
好ましい。次に第一電極ライン２ｂの抵抗を下げるた
め、その材料は金属であることが好ましい。それから、
第二電極ライン６ｂの材料は透明電極材料を使用しなけ
ればならない。最後に透光性封止基板７ｂを使用しなけ
ればならない。First, in order to prevent light from exiting from both sides of the thin film EL element, the substrate 1b is preferably a light-shielding insulating substrate. Next, in order to reduce the resistance of the first electrode line 2b, the material is preferably a metal. then,
The material of the second electrode line 6b must use a transparent electrode material. Finally, the translucent sealing substrate 7b must be used.
【００３１】[0031]
【実施例】実施例１と実施例２はＲＧＢ３色の発光体の
発光色純度がよく、カラーフィルターを必要としない場
合の実施例である。実施例３はＲＧＢ３色の発光体の発
光色純度がよくなく、カラーフィルターを必要とする場
合の実施例である。Embodiments 1 and 2 are embodiments in which the luminous bodies of the three colors RGB have good emission color purity and do not require a color filter. Example 3 is an example in the case where the light emitting color purity of the RGB three color light emitters is not good and a color filter is required.
【００３２】［実施例１］まず、ガラス基板１ａ上に第
一電極としてＩＴＯ層を形成した（図３（ａ）参照）。Example 1 First, an ITO layer was formed as a first electrode on a glass substrate 1a (see FIG. 3A).
【００３３】次に、フォトリソグラフィ及びウェットエ
ッチングによってＩＴＯをパターニングし、第一電極ラ
イン２ａを形成した（図３（ａ）参照）。Next, the first electrode line 2a was formed by patterning the ITO by photolithography and wet etching (see FIG. 3A).
【００３４】次に、第一電極ライン２ａを形成したガラ
ス基板１ａ上にＳｉＯ2 を用い、第一絶縁層３を形成し
た（図３（ａ）参照）。Next, the first insulating layer 3 was formed on the glass substrate 1a on which the first electrode lines 2a were formed by using SiO 2 (see FIG. 3A).
【００３５】その上に（Ｂ2 Ｏ3 ＋ＳｉＯ2 ＋ＰｂＯ）
の混合粉体を分散したネガ型感光性樹脂を塗布・プリベ
ーク・露光・現像によって隔壁９を形成してから、５０
０℃３ｈの焼成を行い、本発明に係るのフルカラー薄膜
のＥＬ表示素子用基板が作製した（図３（ｂ）参照）。On top of that, (B 2 O 3 + SiO 2 + PbO)
After forming the partition wall 9 by applying, pre-baking, exposing, and developing a negative photosensitive resin in which the mixed powder of
By firing at 0 ° C. for 3 hours, a substrate for a full-color thin-film EL display element according to the present invention was produced (see FIG. 3B).
【００３６】次に、蒸着マスク１０を用いて、マスク移
動成膜法でＺｎ：Ｓｍ（Ｒ）、Ｚｎ：Ｔｂ（Ｇ）、Ｂａ
Ａｌ2 Ｓ4 （Ｂ）の３色の発光層４ａを順次形成した
（図３（ｃ）〜（ｅ）参照）。Next, using the evaporation mask 10, Zn: Sm (R), Zn: Tb (G), Ba
Light emitting layers 4a of three colors of Al 2 S 4 (B) were sequentially formed (see FIGS. 3C to 3E).
【００３７】次に、ＳｉＯ2 を用い、第二絶縁層５を形
成した（図３（ｆ）参照）。Next, a second insulating layer 5 was formed using SiO 2 (see FIG. 3F).
【００３８】次に、Ａｌを用い、第二電極ライン６ａを
形成した。隔壁が存在するため、第二電極層のパターニ
ング工程が省かれた（図３（ｆ）参照）。Next, a second electrode line 6a was formed using Al. Since the partition walls were present, the patterning step of the second electrode layer was omitted (see FIG. 3F).
【００３９】最後に、窒素雰囲気中で、ガラス基板１ａ
上の第一電極ライン２ａの上にＵＶ硬化型接着剤１２を
ディスペンサー等により塗布し、その上に遮光性封止基
板７ａの周辺部を接触させ、ＵＶ硬化により、素子全体
を封止した（図３（ｇ）参照）。Finally, in a nitrogen atmosphere, the glass substrate 1a
The UV curable adhesive 12 was applied on the upper first electrode line 2a with a dispenser or the like, and the peripheral portion of the light-shielding sealing substrate 7a was brought into contact therewith, and the entire element was sealed by UV curing ( FIG. 3 (g)).
【００４０】［実施例２］遮光性絶縁基板１ｂ上にＡｌ
を用い、第一電極層を形成した。次いで、フォトリソグ
ラフィ及びウェットエッチングによってＡｌ層をパター
ニングし、第一電極ライン２ｂを形成した（図３（ａ）
参照）。[Embodiment 2] Al is placed on the light-shielding insulating substrate 1b.
Was used to form a first electrode layer. Next, the Al layer was patterned by photolithography and wet etching to form a first electrode line 2b (FIG. 3A).
reference).
【００４１】次に、第一電極ライン２ｂを形成した遮光
性絶縁基板上にＳｉＯ2 を用い、第一絶縁層を形成した
（図３（ａ）参照）。Next, a first insulating layer was formed using SiO 2 on the light-shielding insulating substrate on which the first electrode lines 2b were formed (see FIG. 3A).
【００４２】その上に（Ｂ2 Ｏ3 ＋ＳｉＯ2 ＋ＰｂＯ）
の混合粉体を分散したネガ型感光性樹脂を塗布・プリベ
ーク・露光・現像によって隔壁９を形成してから、５０
０℃３ｈの焼成を行い、本発明に係るフルカラー薄膜の
ＥＬ表示素子用基板が完成した（図３（ｂ）参照）。On top of that, (B 2 O 3 + SiO 2 + PbO)
After forming the partition wall 9 by applying, pre-baking, exposing, and developing a negative photosensitive resin in which the mixed powder of
By firing at 0 ° C. for 3 hours, a substrate for a full-color thin-film EL display element according to the present invention was completed (see FIG. 3B).
【００４３】次に、蒸着マスク１０を用いて、マスク移
動成膜法でＺｎ：Ｓｍ（Ｒ）、Ｚｎ：Ｔｂ（Ｇ）、Ｂａ
Ａｌ2 Ｓ4 （Ｂ）の３色の発光層４ａを順次形成した
（図３（ｃ）〜（ｅ）参照）。Next, using the evaporation mask 10, Zn: Sm (R), Zn: Tb (G), Ba:
Light emitting layers 4a of three colors of Al 2 S 4 (B) were sequentially formed (see FIGS. 3C to 3E).
【００４４】次に、ＳｉＯ2 を用い、第二絶縁層５を形
成した（図３（ｆ）参照）。Next, a second insulating layer 5 was formed using SiO 2 (see FIG. 3F).
【００４５】次に、ＩＴＯ膜を用いて、第二電極ライン
６ｂを形成した。隔壁が存在するため、第二電極層のパ
ターニング工程が省かれた（図３（ｆ）参照）。Next, a second electrode line 6b was formed using an ITO film. Since the partition walls were present, the patterning step of the second electrode layer was omitted (see FIG. 3F).
【００４６】最後に、窒素雰囲気中で、遮光性絶縁基板
１ｂ上の第一電極ライン２ｂの上にＵＶ硬化型接着剤１
２をディスペンサー等により塗布し、その上にガラス封
止基板７ｂの周辺部を接触させ、ＵＶ硬化により、素子
全体を封止した（図３（ｇ）参照）。Finally, the UV curable adhesive 1 is applied on the first electrode line 2b on the light-shielding insulating substrate 1b in a nitrogen atmosphere.
2 was applied by a dispenser or the like, and the peripheral portion of the glass sealing substrate 7b was brought into contact therewith, and the whole element was sealed by UV curing (see FIG. 3 (g)).
【００４７】［実施例３］素子の作製工程について、封
止するまでは実施例２と同じである。Example 3 The steps for fabricating the device are the same as in Example 2 up to sealing.
【００４８】カラーフィルターを使用するため、赤色発
光材料としてＺｎ：Ｍｎが使用できる。Since a color filter is used, Zn: Mn can be used as a red light emitting material.
【００４９】最後に、窒素雰囲気中で、遮光性絶縁基板
１ｂ上の第一電極ライン２ｂの上にＵＶ硬化型接着剤１
２をディスペンサー等により塗布し、その上に内側にカ
ラーフィルター８を形成されたガラス封止基板７ｂの周
辺部を接触させ、ＵＶ硬化により、素子全体を封止した
（図４参照）。Finally, in a nitrogen atmosphere, the UV curable adhesive 1 is applied onto the first electrode line 2b on the light-shielding insulating substrate 1b.
2 was applied by a dispenser or the like, and the peripheral portion of a glass sealing substrate 7b on which a color filter 8 was formed was brought into contact therewith, and the entire device was sealed by UV curing (see FIG. 4).
【００５０】尚、上記成膜は蒸着、ＥＢまたはスパッタ
法等で行っている。The film formation is performed by vapor deposition, EB or sputtering.
【００５１】[0051]
【発明の効果】本発明によれば、発光層をＲＧＢにパタ
ーニングすることができ、また、第二電極ラインが成膜
と同時に自然に形成されるので、パターニングする工程
が省かれるだけでなく、ＥＬ素子を大気に触れることな
く、製造することができる。これは、特に、ＢａＡｌ2
Ｓ4 のような水分に弱い発光材料を用いる場合に有効で
ある。さらに、発光体の発光色純度がよければ、カラー
フィルターを必要としないフルカラー薄膜のＥＬ表示素
子用基板およびＥＬ表示素子を提供することができる。According to the present invention, the light-emitting layer can be patterned into RGB, and the second electrode line is formed naturally at the same time as the film formation. The EL element can be manufactured without exposure to the atmosphere. This is especially true for BaAl 2
It is effective when using a weak luminescent material to moisture, such as S 4. Furthermore, if the luminescent color purity of the luminous body is good, it is possible to provide a full-color thin film EL display element substrate and an EL display element which do not require a color filter.
【００５２】[0052]
【図１】従来のＥＬ表示素子の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional EL display element.
【図２】各種隔壁の構造の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a structure of various partition walls.
【図３】本発明のＥＬ表示素子用基板およびＥＬ表示素
子の製造工程を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a manufacturing process of the EL display element substrate and the EL display element of the present invention.
【図４】本発明のＥＬ表示素子の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the EL display element of the present invention.
【符号の説明】 １ａ…透光性絶縁基板 １ｂ…遮光性絶縁基板 ２ａ…透明電極ライン（第一電極ライン） ２ｂ…金属電極ライン（第一電極ライン） ３ …第一絶縁層 ４ａ…ＲＧＢに分離された発光層 ４ｂ…発光層 ５ …第二絶縁層 ６ａ…金属電極ライン（第二電極ライン） ６ｂ…透明電極ライン（第二電極ライン） ７ａ…遮光性封止基板 ７ｂ…透光性封止基板 ８ …カラーフィルター ９ …隔壁 １０…蒸着マスク １１…蒸着ビーム １２…ＵＶ硬化型接着剤[Description of Signs] 1a: Translucent insulating substrate 1b: Light-shielding insulating substrate 2a: Transparent electrode line (first electrode line) 2b: Metal electrode line (first electrode line) 3: First insulating layer 4a: RGB Separated light emitting layer 4b Light emitting layer 5 Second insulating layer 6a Metal electrode line (second electrode line) 6b Transparent electrode line (second electrode line) 7a Light-shielding sealing substrate 7b Translucent sealing Stop substrate 8 ... Color filter 9 ... Partition wall 10 ... Evaporation mask 11 ... Evaporation beam 12 ... UV curable adhesive
Claims (9)
上に、前記第一電極ラインの端部を露出させて第一絶縁
膜を形成し、更に前記第一絶縁膜の上に前記第一電極ラ
インと交差する方向に延びる複数の隔壁を形成すること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス表示素子用基
板。A first insulating film is formed on an insulating substrate having a plurality of first electrode lines formed thereon by exposing ends of the first electrode lines; and the first insulating film is formed on the first insulating film. A substrate for an electroluminescent display element, wherein a plurality of partition walls extending in a direction intersecting with one electrode line are formed.
とを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセ
ンス表示素子用基板。2. The substrate for an electroluminescent display device according to claim 1, wherein said partition comprises a top, a neck and a bottom.
短いことを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか
一つに記載のエレクトロルミネッセンス表示素子用基
板。3. The substrate for an electroluminescent display device according to claim 1, wherein the width of the neck of the partition is shorter than the top of the partition.
料からなることを特徴とする請求項１から請求項３のい
ずれか一つに記載のエレクトロルミネッセンス表示素子
用基板。4. The substrate for an electroluminescent display device according to claim 1, wherein the top, neck, and bottom of the partition are made of the same material.
る請求項１から請求項４のいずれか一つに記載のエレク
トロルミネッセンス表示素子用基板。5. The substrate for an electroluminescent display device according to claim 1, wherein the partition comprises a single layer.
Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ
2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも含むことを特
徴とする請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板。6. The partition wall is made of SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2
O 3 , MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Na
The electroluminescent display element substrate according to any one of claims 1 to 5, further comprising at least one of 2 O and K 2 O.
Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ
2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも分散させたネ
ガ型感光性樹脂を塗布・露光・現像工程により形成後、
高温焼成を行うことによって、形成されたことを特徴と
する請求項１から請求項６のいずれか一つに記載のエレ
クトロルミネッセンス表示素子用基板。7. A method according to claim 7, wherein said partition walls are made of SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2
O 3 , MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Na
After forming a negative photosensitive resin in which at least one of 2 O and K 2 O is dispersed by coating, exposure and development steps,
The electroluminescent display element substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate is formed by performing high-temperature baking.
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板上に発光層・
第二絶縁層・第二電極ライン・接着剤を介して基板と接
着される封止基板を設けることを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス表示素子。8. A light-emitting layer on a substrate for an electroluminescent display element according to claim 1.
An electroluminescent display element comprising a sealing substrate adhered to a substrate via a second insulating layer, a second electrode line, and an adhesive.
ターが形成されることを特徴とする請求項８に記載のエ
レクトロルミネッセンス表示素子。9. The electroluminescent display device according to claim 8, wherein a color filter is further formed inside the sealing substrate.
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|---|---|---|---|
| JP29088699A JP2001110573A (en) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | Substrate for electroluminescence display element, and electroluminescence display element |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29088699A JP2001110573A (en) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | Substrate for electroluminescence display element, and electroluminescence display element |
Publications (1)
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| JP2001110573A true JP2001110573A (en) | 2001-04-20 |
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| JP29088699A Pending JP2001110573A (en) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | Substrate for electroluminescence display element, and electroluminescence display element |
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- 1999-10-13 JP JP29088699A patent/JP2001110573A/en active Pending
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