JP2001110287A - Switch gear - Google Patents

Switch gear

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JP2001110287A
JP2001110287A JP28254599A JP28254599A JP2001110287A JP 2001110287 A JP2001110287 A JP 2001110287A JP 28254599 A JP28254599 A JP 28254599A JP 28254599 A JP28254599 A JP 28254599A JP 2001110287 A JP2001110287 A JP 2001110287A
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insulating barrier
insulating
fixed
vacuum valve
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純一 佐藤
Satoru Shioiri
哲 塩入
Tetsuo Yoshida
哲雄 吉田
Toshiharu Yamazaki
利春 山崎
Kunio Yokokura
邦夫 横倉
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    • H01H33/60Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
    • H01H33/66Vacuum switches
    • H01H33/662Housings or protective screens
    • H01H33/66207Specific housing details, e.g. sealing, soldering or brazing
    • H01H2033/6623Details relating to the encasing or the outside layers of the vacuum switch housings
    • HELECTRICITY
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    • H01H33/022Details particular to three-phase circuit breakers

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  • Gas-Insulated Switchgears (AREA)
  • High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a switch gear for achieving a smaller configuration as a whole and greatly reducing the fraction defective of molded parts to permit easy manufacture. SOLUTION: Cylindrical insulating barriers 30, 31 are arranged on the fixed side and movable side of a vacuum valve 14, and the insulating barriers 30, 31 on the fixed and movable sides are provided with embedded metals 32 for encircling a sealing bracket for the vacuum valve 14 and providing the same potential as that of each of a fixed shaft and a movable shaft. The outer diameters of portions of the insulating barriers 30, 31 where the embedded metals 32 exist are larger than the outer diameters of other portions of the insulating barriers 30, 31 where the embedded metals exist. In this way, a smaller configuration as a whole is achieved and the fraction defective of molded parts is greatly reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空遮断器、真空
断路器などの真空開閉機器を収納して電源系統を構成す
るスイッチギアの縮小化に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reduction in the size of a switchgear which accommodates vacuum switching devices such as a vacuum circuit breaker and a vacuum disconnector to constitute a power supply system.

【0002】[0002]

【従来の技術】代表的なスイッチギアの構成例を図14
に示す。図14において、外周を軟鋼板で囲まれた容器
51を隔壁52で前後に仕切り、前方の遮断器室51a
には真空バルブ53aが装着された遮断器53を収納
し、また後方の母線室51bには遮断器53側の上下の
主回路に合せてそれぞれ同形の断路器54A、54Bを
上下に設けている。
2. Description of the Related Art FIG.
Shown in In FIG. 14, a container 51 whose outer periphery is surrounded by a mild steel plate is partitioned back and forth by a partition wall 52, and a circuit breaker room 51a in front is provided.
Accommodates a circuit breaker 53 equipped with a vacuum valve 53a, and disconnectors 54A, 54B of the same shape are provided vertically in the rear bus chamber 51b in accordance with the upper and lower main circuits on the circuit breaker 53 side. .

【0003】断路器54A側は、支持碍子56に固定さ
れた母線55に接続され、隣接された盤への接続が行わ
れる。また、断路器54B側は、電力ケーブル57aか
ら受電されたケーブルヘッド57に接続されている。そ
して、これらの機器は、接続導体58で相互が接続され
ている。
The disconnector 54A is connected to a bus 55 fixed to a supporting insulator 56, and is connected to an adjacent board. The disconnector 54B is connected to the cable head 57 that receives power from the power cable 57a. These devices are connected to each other by a connection conductor 58.

【0004】また、遮断器室51aと母線室51bとを
仕切っている隔壁52には、図示していない貫通穴に主
回路導体を絶縁層でモールドした絶縁スペーサ59を設
け、相互の室51a、51bの仕切りと、主回路の接続
が行われている。これらの室51a、51bには、絶縁
媒体として例えばSF6ガスのような絶縁ガスが封入さ
れている。
The partition wall 52 that separates the circuit breaker room 51a and the bus bar room 51b is provided with an insulating spacer 59 in which a main circuit conductor is molded with an insulating layer in a through hole (not shown). The partition 51b is connected to the main circuit. In these chambers 51a and 51b, an insulating gas such as SF 6 gas is sealed as an insulating medium.

【0005】SF6ガスは、無色、無害、不活性などの
特徴があり、大気圧のガス圧力で空気に比べて2〜3倍
の絶縁耐力を有している。このように管理された絶縁ガ
スを封入したスイッチギアにより、電力の安定した供給
が行われている。
[0005] SF 6 gas has features such as colorlessness, harmlessness, and inertness, and has a dielectric strength two to three times higher than that of air at a gas pressure of atmospheric pressure. The stable supply of electric power is performed by the switch gear in which the insulating gas managed as described above is sealed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このような構成におい
て、SF6ガスは、高い絶縁耐力を有しているので、例
えば特開昭60−210107号に開示されているよう
に、スイッチギアの縮小化が達成されている。しかしな
がら、SF6ガスは、地球温暖化防止京都会議(199
7年12月)で温暖化に寄与する効果が炭酸ガスの約2
3000倍とされ、大気に漏らしたり放出をしないよう
にするべきだということになった。
In such a configuration, since SF 6 gas has a high dielectric strength, as described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 60-210107, the size of the switch gear is reduced. Has been achieved. However, SF 6 gas, global warming prevention Kyoto conference (199
The effect of contributing to global warming is about 2% of carbon dioxide.
It was 3,000 times, which means that it should not be released to the atmosphere or released.

【0007】このためには、角形の容器51を接合させ
ている鉄板相互の気密溶接部や、ケーブルヘッド57の
ガス/気中部分に用いられているOリングのガス漏れ検
証などが重要となってくる。また、容器51の内部点検
などのガス開放時には、開放する前に封入されているガ
スをガス回収機で回収する必要がある。これらは、従来
方法の機器においても当然行われていたことであるが、
更に重要性が高まり万全の対応が必要となってくる。
[0007] To this end, it is important to verify the gas-tight welded portions of the iron plates joining the rectangular containers 51 and the gas leak of the O-ring used in the gas / air portion of the cable head 57. Come. Further, when the gas is released, such as when the inside of the container 51 is inspected, it is necessary to collect the enclosed gas with a gas recovery machine before the gas is released. These are, of course, also performed in the conventional method,
Further importance is increasing, and thorough measures are required.

【0008】これらのことから、SF6ガスを使用しな
ければ前述の対応は不必要となるが、SF6ガスに優る
絶縁媒体がないのが現状である。例えば、空気を絶縁媒
体にすれば絶縁耐力が劣るので、劣った割合で絶縁距離
などを広げなければ成らず全体形状が大型化してしま
う。また、一般の気中絶縁では、塵挨や湿潤の影響を受
けるので、これらの汚損特性を考慮して沿面距離などを
大きくしなければならなかった。これは、最近の趨勢で
ある縮小化に逆行するものである。
For these reasons, the above-mentioned measures are not required unless SF 6 gas is used, but at present there is no insulating medium superior to SF 6 gas. For example, if air is used as the insulating medium, the dielectric strength is inferior. Therefore, the insulating distance and the like must be increased at an inferior ratio, and the overall shape becomes large. In addition, general air insulation is affected by dust and moisture, so that the creepage distance and the like must be increased in consideration of these fouling characteristics. This goes against the recent trend of shrinking.

【0009】また、SF6ガスを使用しない方法とし
て、例えば特願平9−013027号に開示されている
ような真空バルブを固体絶縁物で直接一体モールドする
固体絶縁構成があるが、真空バルブはセラミック若しく
はガラスを用いた絶縁円筒とその両端を真空封着する金
属製の蓋板とから構成されており、これらをエポキシな
どの固体絶縁物で直接一体モールドした場合、線膨張率
の違いにより熱応力が発生し、割れが発生しやすく、不
良率が高くなる恐れがある。このような不良が発生する
とモールドされた真空バルブ自体も使用できなくなり、
無駄なコストがかかってしまう。
As a method not using SF 6 gas, for example, there is a solid insulation structure in which a vacuum valve is directly and integrally molded with a solid insulator as disclosed in Japanese Patent Application No. 9-013027. It consists of an insulating cylinder made of ceramic or glass and a metal lid plate that vacuum seals both ends of the cylinder.If these are directly molded integrally with a solid insulator such as epoxy, the difference in the thermal expansion coefficient Stress may occur, cracks may easily occur, and the defect rate may increase. If such a defect occurs, the molded vacuum valve itself cannot be used,
Useless costs are incurred.

【0010】本発明の目的は、空気と固体絶縁の組合わ
せによる複合絶縁を用いてSF6ガス並みの絶縁耐力を
生み出して、全体形状の縮小化を図り、間接モールドを
用いることにより注型部品の不良率を大幅に低減させ、
簡易に製作できるスイッチギアを提供することにある。
It is an object of the present invention to produce a dielectric strength comparable to SF 6 gas by using composite insulation by a combination of air and solid insulation, reduce the overall shape, and use an indirect mold to cast parts. Greatly reduced the defective rate of
An object of the present invention is to provide a switchgear that can be easily manufactured.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の本発明は、真空バルブを有する開
閉機器を収納したスイッチギアにおいて、真空バルブの
固定側及び可動側にそれぞれ円筒状の絶縁バリアを配置
し、固定側及び可動側の絶縁バリアには真空バルブの封
着金具を包囲し且つ固定軸及び可動軸のそれぞれと同電
位となるような埋め込み金属を有しており、埋め込み金
属が存在する部分の絶縁バリア外径が、埋め込み金属が
存在する部分以外の絶縁バリア外径より大きいことを特
徴とする。
To achieve the above object, according to the present invention, there is provided a switchgear accommodating an opening / closing device having a vacuum valve, the switchgear being provided on a fixed side and a movable side of the vacuum valve, respectively. A cylindrical insulating barrier is arranged, and the fixed and movable insulating barriers have embedded metals surrounding the metal fittings of the vacuum valve and having the same potential as each of the fixed shaft and the movable shaft. The outer diameter of the insulating barrier in the portion where the buried metal exists is larger than the outer diameter of the insulating barrier other than the portion where the buried metal exists.

【0012】このような構成によれば、真空バルブの固
定側及び可動側それぞれに配置された円筒状の絶縁バリ
アにより相間、対地間の耐電圧が向上し、この固定側及
び可動側の絶縁バリアに真空バルブの封着金具を包囲し
且つ固定軸及び可動軸のそれぞれと同電位になるような
金属を埋め込むことにより絶縁バリア内面の電界が抑制
され耐電圧が向上する。このため、相間、対地間の絶縁
距離を縮小することができる。さらに、埋め込み金属が
存在する部分の絶縁バリア外径を他の箇所より大きくす
ることにより、絶縁バリア外面の最大電界強度が抑制さ
れるため、耐電圧がより向上し、相間、対地間の距離を
さらに縮小することができる。また、絶縁バリア外径を
大きくする部分を埋め込み金属が存在する部分だけにす
ることにより、絶縁樹脂の使用量を低減することがで
き、経済的な効果もある。
According to such a configuration, the withstand voltage between the phases and the ground is improved by the cylindrical insulating barriers respectively disposed on the fixed side and the movable side of the vacuum valve. By surrounding the sealing metal fitting of the vacuum valve and embedding a metal having the same potential as each of the fixed shaft and the movable shaft, the electric field on the inner surface of the insulating barrier is suppressed and the withstand voltage is improved. For this reason, the insulation distance between phases and the ground can be reduced. Furthermore, by increasing the outer diameter of the insulating barrier in the portion where the buried metal exists, the maximum electric field strength on the outer surface of the insulating barrier is suppressed, so that the withstand voltage is further improved, and the distance between the phases and the ground is reduced. It can be further reduced. Further, by using only the portion where the buried metal is present to increase the outer diameter of the insulating barrier, the amount of the insulating resin used can be reduced, and there is also an economic effect.

【0013】また、この構成によると、真空バルブはモ
ールドしなくてよいことから、万一発生した注型不良品
による無駄なコストを最小限に抑えることができ、絶縁
バリアを可動側と固定側で別々に製作することにより注
型樹脂を極力低減することが出来る。このように、経済
的で且つ小型化したスイッチギアを提供することができ
る。
Further, according to this configuration, since the vacuum valve does not need to be molded, wasteful cost due to a defective cast product can be minimized, and the insulating barrier can be moved between the movable side and the fixed side. By manufacturing separately, the casting resin can be reduced as much as possible. Thus, an economical and downsized switchgear can be provided.

【0014】請求項2に記載の本発明は、請求項1に記
載のスイッチギアにおいて、埋め込み金属と、接地電位
である筐体との距離をG、埋め込み金属が存在する部分
の絶縁バリアの厚さをLとすると、0.3<L/G<
0.7となることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the switchgear according to the first aspect, the distance between the buried metal and the housing at the ground potential is G, and the thickness of the insulating barrier in a portion where the buried metal exists. Assuming that L is 0.3 <L / G <
0.7.

【0015】このように、0.3<L/G<0.7とな
るように構成することにより、絶縁バリア外面の最大電
界を最も低減することができるため、対地間、相間の絶
縁耐力が向上する。
As described above, the maximum electric field on the outer surface of the insulating barrier can be reduced most by configuring so that 0.3 <L / G <0.7, so that the dielectric strength between the ground and the phase can be reduced. improves.

【0016】請求項3に記載の本発明は、埋め込み金属
が存在する部分の絶縁バリア外径で他の部分より突出し
た部分の絶縁物の誘電率が他の部分の誘電率より低いこ
とを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, the dielectric constant of the portion of the insulating barrier protruding from the other portion at the portion where the buried metal exists is lower than the dielectric constant of the other portion. And

【0017】このように、絶縁バリアの埋め込み金属が
存在する部分の外径で突出した部分の絶縁物の誘電率を
他の部分の誘電率より低くすることにより、絶縁バリア
外面の最大電界を低減することができるため、対地間、
相間の絶縁耐力が向上する。
As described above, the maximum electric field on the outer surface of the insulating barrier is reduced by making the dielectric constant of the insulator protruding at the outer diameter of the portion where the buried metal of the insulating barrier is present lower than that of the other portions. To ground,
Interphase dielectric strength is improved.

【0018】請求項4に記載の本発明は、請求項1に記
載のスイッチギアにおいて、絶縁バリアの埋め込み金属
が存在する部分の周りの誘電率が、絶縁バリアの他の部
分の誘電率より高いことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the switchgear according to the first aspect, a dielectric constant around a portion where the buried metal of the insulating barrier exists is higher than a dielectric constant of another portion of the insulating barrier. It is characterized by the following.

【0019】このように、絶縁バリアの埋め込み金属が
存在する部分の周りの誘電率を、他の部分の誘電率より
高くすることにより、絶縁バリア外面の最大電界を低減
することができるため、対地間、相間の絶縁耐力が向上
する。
As described above, by making the dielectric constant around the portion where the buried metal of the insulating barrier exists, higher than the dielectric constant of the other portions, the maximum electric field on the outer surface of the insulating barrier can be reduced. The inter-phase dielectric strength is improved.

【0020】請求項5に記載の本発明は、請求項1に記
載のスイッチギアにおいて、絶縁バリア外面の突出部を
間に挟んでその上側と下側の絶縁バリアにひだを設けた
ことを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the switchgear according to the first aspect, folds are provided on the upper and lower insulating barriers with the protrusion on the outer surface of the insulating barrier interposed therebetween. And

【0021】このように、絶縁バリア外面の突出部を間
に挟んでその上側と下側の絶縁バリアにひだを設けるこ
とにより、バリア沿面の絶縁距離が長くなり、且つ絶縁
バリア外面の突出部から進展する放電をバリア効果によ
り抑制することができるため、対地間、相間の絶縁耐力
が向上する。
As described above, by providing the upper and lower insulating barriers with the pleats sandwiching the protrusion on the outer surface of the insulating barrier, the insulation distance along the barrier surface is increased, and the distance from the protrusion on the outer surface of the insulating barrier is increased. Since the developing discharge can be suppressed by the barrier effect, the dielectric strength between the ground and the phase is improved.

【0022】請求項6に記載の本発明は、真空バルブを
有する開閉機器を収納したスイッチギアにおいて、真空
バルブの固定側及び可動側にそれぞれ各々の相が円筒状
で、且つ三相一括で形成された絶縁バリアを配置し、固
定側及び可動側の絶縁バリアには真空バルブの封着金具
を包囲し且つ固定軸及び可動軸のそれぞれと同電位とな
るような埋め込み金属を有しており、三相一括で形成さ
れた絶縁バリアは埋め込み金属が存在する部分の絶縁層
で各相を結合したことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a switchgear accommodating an opening / closing device having a vacuum valve, wherein each phase is formed in a cylindrical shape and three phases collectively on the fixed side and the movable side of the vacuum valve. Arranged insulation barrier, the fixed side and the movable side insulation barrier surrounds the sealing metal fittings of the vacuum valve and has an embedded metal such that it has the same potential as each of the fixed axis and the movable axis, The insulating barrier formed as a three-phase structure is characterized in that the respective phases are combined at the insulating layer where the buried metal exists.

【0023】このように、真空バルブの固定側及び可動
側のそれぞれの絶縁バリアを三相一括にすることによ
り、組立て時の芯出し、盤への取り付けが容易になる。
さらに、三相一括の絶縁バリアは埋め込み金属が存在す
る部分の絶縁層で各相を結合することにより、絶縁バリ
ア外面の電界強度を低減することができ、相間の絶縁耐
力が向上する。
As described above, by integrating the insulating barriers on the fixed side and the movable side of the vacuum valve into three phases at the same time, the centering at the time of assembly and the attachment to the panel become easy.
Furthermore, in the three-phase collective insulating barrier, the electric field strength on the outer surface of the insulating barrier can be reduced by connecting the respective phases at the insulating layer where the buried metal exists, thereby improving the dielectric strength between the phases.

【0024】請求項7に記載の本発明は、請求項6に記
載のスイッチギアにおいて、三相一括で形成された絶縁
バリアの各相の間の絶縁層が、相間の中心が最も細く両
端が太くなるように湾曲させたことを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the switchgear according to the sixth aspect, the insulating layer between the phases of the insulating barrier formed integrally in three phases has a center between the phases which is the thinnest and both ends are thin. It is characterized by being curved to be thick.

【0025】このように、三相一括で形成された絶縁バ
リアの各相の間の絶縁層が、相間の中心が最も細く両端
が太くなるように湾曲させることにより、この部分の絶
縁層沿面の沿面方向の電界を低減することができ、放電
の進展を抑制することが出来る。このため、相間の絶縁
耐力が向上する。
As described above, the insulating layer between the phases of the insulating barrier formed integrally in three phases is curved so that the center between the phases is the thinnest and both ends are thick, so that the surface of the insulating layer at the surface of this portion is formed. The electric field in the creeping direction can be reduced, and the progress of discharge can be suppressed. For this reason, the dielectric strength between phases is improved.

【0026】請求項8に記載の本発明は、請求項6に記
載のスイッチギアにおいて、絶縁バリアの埋め込み金属
が存在する部分の周りの誘電率が、絶縁バリアの他の部
分の誘電率より高いことを特徴とする。
According to the present invention, in the switchgear according to the sixth aspect, the dielectric constant around the portion where the buried metal of the insulating barrier exists is higher than the dielectric constant of the other portion of the insulating barrier. It is characterized by the following.

【0027】このように、各相の絶縁バリアの埋め込み
金属が存在する部分の周りの誘電率を絶縁バリアの他の
部分の誘電率より高くすることにより、各相を接続する
絶縁層沿面の電界を低減することができ、相間の絶縁耐
力が向上する。
As described above, by making the dielectric constant around the portion where the buried metal of the insulating barrier of each phase exists, higher than the dielectric constant of the other portions of the insulating barrier, the electric field at the surface of the insulating layer connecting each phase is increased. Can be reduced, and the dielectric strength between phases can be improved.

【0028】請求項9に記載の本発明は、請求項6に記
載のスイッチギアにおいて、三相一括で形成された絶縁
バリアの各相間の絶縁層にバリアを設け、固定側からの
バリアと可動側からのバリアが重なるまで高くすること
を特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, in the switchgear according to the sixth aspect, a barrier is provided on an insulating layer between each of the three-phase collectively formed insulating barriers, and the barrier from the fixed side is movable. It is characterized in that it is raised until the barrier from the side overlaps.

【0029】このように、三相一括で形成された絶縁バ
リアの各相間の絶縁層にバリアを設け、固定側からのバ
リアと可動側からのバリアが重なるまで高くすることに
より、相間に多重バリアが形成されるため、さらに相間
の耐電圧が向上する。
As described above, the barrier is provided on the insulating layer between the phases of the insulating barrier formed collectively in three phases, and the barrier from the fixed side is raised until the barrier from the movable side overlaps, so that multiple barriers are formed between the phases. Is formed, so that the withstand voltage between phases is further improved.

【0030】請求項10に記載の本発明は、請求項1ま
たは請求項6に記載のスイッチギアにおいて、固定側の
絶縁バリアと可動側の絶縁バリアとの間に、弾力性のあ
る絶縁物を挿入したことを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the switchgear according to the first or sixth aspect, an elastic insulator is provided between the fixed insulating barrier and the movable insulating barrier. It is characterized by being inserted.

【0031】このように、固定側絶縁バリアと可動側絶
縁バリアの間に弾力性のある絶縁物を挿入することによ
り、固定側絶縁バリアと可動側絶縁バリアの間を進展す
る放電を抑制することができ、相間の耐電圧が向上す
る。
As described above, by inserting an elastic insulator between the fixed insulating barrier and the movable insulating barrier, it is possible to suppress the discharge that develops between the fixed insulating barrier and the movable insulating barrier. And the withstand voltage between phases is improved.

【0032】請求項11に記載の本発明は、請求項1乃
至請求項6のいずれかに記載のスイッチギアにおいて、
絶縁バリアの真空バルブ側のバリア長さが、真空バルブ
のシールドと重ならない長さとしたことを特徴とする。
The present invention according to claim 11 provides the switchgear according to any one of claims 1 to 6,
The barrier length on the vacuum valve side of the insulating barrier is a length that does not overlap the shield of the vacuum valve.

【0033】このように、絶縁バリアの真空バルブ側の
バリア長さが、真空バルブのシールドと重ならない長さ
としたことにより、真空バルブ内のシールドと対地との
浮遊静電容量が小さくなるため、シールドの電位がより
50%電位に近づき、真空バルブ内の極間の絶縁耐力が
向上する。
As described above, by setting the barrier length on the vacuum valve side of the insulating barrier so as not to overlap the shield of the vacuum valve, the floating capacitance between the shield in the vacuum valve and the ground becomes small. The potential of the shield approaches 50% potential, and the dielectric strength between the electrodes in the vacuum valve is improved.

【0034】請求項12に記載の本発明は、真空バルブ
の固定側及び可動側にそれぞれ円筒状の絶縁バリアを配
置し、固定側の前記絶縁バリアには真空バルブの封着金
具を包囲する金属と固定側接続軸がモールドされてお
り、固定側絶縁バリアの固定側接続軸側の形状が円錐状
で構成され、直接T型母線と接続できる構成としたこと
を特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, a cylindrical insulating barrier is disposed on each of the fixed side and the movable side of the vacuum valve, and the insulating barrier on the fixed side surrounds a metal fitting for sealing the vacuum valve. And the fixed-side connection shaft is molded, and the fixed-side insulation barrier has a conical shape on the fixed-side connection shaft side, and is configured to be directly connectable to a T-shaped bus bar.

【0035】このように、固定側絶縁バリアに真空バル
ブの封着金具を包囲する金属と固定側接続軸がモールド
されており、前記固定側絶縁バリアの固定側接続軸側の
形状が円錐状で構成され、直接T型母線と接続できる構
成としたことにより、部品点数を削減でき、さらに、真
空バルブ固定側からT型母線までの距離を大幅に縮小す
ることが出来る。これにより小形で経済的なスイッチギ
アを提供することが出来る。
As described above, the metal surrounding the metal fitting of the vacuum valve and the fixed connection shaft are molded on the fixed insulation barrier, and the shape of the fixed connection shaft side of the fixed insulation barrier is conical. With this configuration, the number of components can be reduced, and the distance from the vacuum valve fixed side to the T-shaped bus can be significantly reduced. This can provide a small and economical switchgear.

【0036】請求項13に記載の本発明は、真空バルブ
を有する開閉機器を収納したスイッチギアにおいて、真
空バルブの固定側及び可動側にそれぞれ円筒状の絶縁バ
リアを配置し、各相の開閉機器の配置が、盤の上方から
みると斜めに配置されていることを特徴とする。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a switchgear accommodating an opening / closing device having a vacuum valve, wherein a cylindrical insulating barrier is disposed on each of the fixed side and the movable side of the vacuum valve, and the switching device for each phase is provided. Are obliquely arranged when viewed from above the board.

【0037】このように、各相の開閉機器の配置が、盤
の上方からみると斜めに配置されて構成していることに
より、真空バルブ固定側からT型母線までの固定側接続
軸は直線導体でよく、三相全てに同じ部品を適用するこ
とが出来る。また、斜めに配置することにより、同じ盤
幅で相間の絶縁距離が長くなり相間耐電圧を向上するこ
とが出来る。
As described above, since the switching devices of each phase are arranged obliquely when viewed from above the panel, the fixed connection shaft from the vacuum valve fixed side to the T-shaped bus is straight. A conductor may be used, and the same component can be applied to all three phases. In addition, by arranging them obliquely, the insulation distance between the phases can be increased with the same board width, and the withstand voltage between the phases can be improved.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。なお、以下の図におい
て、同符号は同一部分または対応部分を示す。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the following drawings, the same symbols indicate the same or corresponding parts.

【0039】(第1の実施形態)図1は、本発明の第1
の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図で
ある。同図において、10は筐体、11はT型母線、1
2は操作機構、13は固定側接続軸、14は真空バル
ブ、15は操作ロッド、20(20a、20b)は蓋
板、21(21a、21b)は封着金具、22は絶縁容
器、23(23a、23b)は電極、24はシールド、
25はベローズ、26は固定軸、27は可動軸、30は
固定側バリア、31は可動側バリア、32(32a、3
2b)は埋め込み金属、33はマルチバンドである。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which looked at the switchgear which concerns on embodiment from the front. In the figure, 10 is a housing, 11 is a T-shaped bus, 1
2 is an operation mechanism, 13 is a fixed connection shaft, 14 is a vacuum valve, 15 is an operation rod, 20 (20a, 20b) is a cover plate, 21 (21a, 21b) is a sealing fitting, 22 is an insulating container, and 23 ( 23a, 23b) are electrodes, 24 is a shield,
25 is a bellows, 26 is a fixed axis, 27 is a movable axis, 30 is a fixed side barrier, 31 is a movable side barrier, 32 (32a, 3a
2b) is an embedded metal, and 33 is a multi-band.

【0040】真空バルブ14の固定側及び可動側には、
それぞれ円筒状に形成された固定側絶縁バリア30及び
可動側絶縁バリア31が配置されている。固定側絶縁バ
リア30には、真空バルブ14の封着金具21aを包囲
するように形成された埋め込み金属32aが埋め込まれ
ており、固定軸26と同電位になっている。また、可動
側絶縁バリア31にも固定側と同様に真空バルブ14の
封着金具21bを包囲するように形成された埋め込み金
属32bが埋め込まれており、この可動側の埋め込み金
属32bは可動側通電導体と一体形成されている。さら
に、固定側絶縁バリア30及び可動側絶縁バリア31は
円筒状であるが、埋め込み金属32a、32bの付近の
外径だけが大きくなっている。
On the fixed side and the movable side of the vacuum valve 14,
A fixed-side insulating barrier 30 and a movable-side insulating barrier 31 each having a cylindrical shape are arranged. An embedded metal 32a formed so as to surround the sealing metal 21a of the vacuum valve 14 is embedded in the fixed-side insulating barrier 30, and has the same potential as the fixed shaft 26. An embedded metal 32b formed to surround the sealing member 21b of the vacuum valve 14 is also embedded in the movable-side insulating barrier 31 similarly to the fixed side, and the movable-side embedded metal 32b is electrically connected to the movable-side insulating barrier 31. It is formed integrally with the conductor. Furthermore, although the fixed-side insulation barrier 30 and the movable-side insulation barrier 31 are cylindrical, only the outer diameter near the embedded metals 32a and 32b is increased.

【0041】真空バルブ14の可動軸27は、操作ロッ
ド15を介して操作機構12と接続され、この操作機構
12により真空バルブ14内の電極23a、23bの開
閉が行われる。また、可動軸27は、マルチバンド33
を介して埋め込み金属32bと一体形成された可動側通
電導体と接続され、このマルチバンド33で摺動する可
動軸27と固定されてある可動側通電導体との間の通電
が行われる。
The movable shaft 27 of the vacuum valve 14 is connected to the operation mechanism 12 via the operation rod 15, and the operation mechanism 12 opens and closes the electrodes 23a and 23b in the vacuum valve 14. In addition, the movable shaft 27 is a multi-band 33
Is connected to the movable current-carrying conductor integrally formed with the buried metal 32b, and current is conducted between the movable shaft 27 that slides in the multi-band 33 and the fixed movable current-carrying conductor.

【0042】可動側通電導体は、図示していない避雷器
及び筐体10の背後に固定されたケーブルヘッドに接続
されており、このケーブルヘッドより受電することが出
来る。固定軸26は、固定側接続軸13を介して筐体1
0の上壁に固定されたT型母線11に接続され、このT
型母線11により隣接された盤への接続が行われる。接
地された筐体10の内部には乾燥空気が充填されてい
る。
The movable current-carrying conductor is connected to a lightning arrester (not shown) and a cable head fixed behind the housing 10, and power can be received from the cable head. The fixed shaft 26 is connected to the housing 1 via the fixed connection shaft 13.
0 is connected to a T-shaped bus bar 11 fixed to the upper wall of the
The connection to the adjacent board is made by the mold bus 11. The inside of the grounded housing 10 is filled with dry air.

【0043】このように構成された実施形態において
は、真空バルブ14の固定側及び可動側それぞれに配置
された円筒状の絶縁バリア30、31により相間、対地
間の耐電圧が向上し、この固定側及び可動側の絶縁バリ
ア30、31に真空バルブ14の封着金具21a、21
bを包囲し且つ固定軸26及び可動軸27のそれぞれと
同電位になるような埋め込み金属32a、32bを埋め
込むことにより、絶縁バリア30、31内面の電界が抑
制され耐電圧が向上する。このため、相間、対地間の絶
縁距離を縮小することができる。
In the embodiment configured as described above, the withstand voltage between phases and the ground is improved by the cylindrical insulating barriers 30 and 31 disposed on the fixed side and the movable side of the vacuum valve 14, respectively. Metal fittings 21a, 21 of the vacuum valve 14 on the side and movable insulating barriers 30, 31
By burying the buried metals 32a and 32b that surround b and have the same potential as the fixed shaft 26 and the movable shaft 27, the electric field on the inner surfaces of the insulating barriers 30 and 31 is suppressed, and the withstand voltage is improved. For this reason, the insulation distance between phases and the ground can be reduced.

【0044】さらに、埋め込み金属32a、32bが存
在する部分の絶縁バリア30、31外径を他の箇所より
大きくすることにより、絶縁バリア30、31外面の最
大電界強度が抑制されるため、耐電圧がより向上し、相
間、対地間の距離をさらに縮小することができる。
Furthermore, by increasing the outer diameter of the insulating barriers 30, 31 in the portion where the buried metals 32a, 32b are present, the maximum electric field strength on the outer surfaces of the insulating barriers 30, 31 is suppressed. And the distance between phases and the ground can be further reduced.

【0045】また、絶縁バリア30、31外径を大きく
する部分を埋め込み金属32a、32bが存在する部分
だけにすることにより、絶縁樹脂の使用量を低減するこ
とができ、経済的な効果もある。
Further, by using only the portions where the buried metals 32a and 32b are present, the portions where the outer diameters of the insulating barriers 30 and 31 are increased are reduced, and the amount of the insulating resin used can be reduced. .

【0046】更に、この構成によると、真空バルブ14
はモールドしなくてよいことから、万一発生した注型不
良品による無駄なコストを最小限に抑えることができ、
絶縁バリア30、31を可動側と固定側で別々に製作す
ることにより注型樹脂を極力低減することが出来る。
Further, according to this configuration, the vacuum valve 14
Since there is no need to mold, it is possible to minimize wasteful cost due to defective casting that occurred,
By separately manufacturing the insulating barriers 30 and 31 on the movable side and the fixed side, it is possible to reduce the amount of casting resin as much as possible.

【0047】このように、経済的で且つ小型化したスイ
ッチギアを提供することができる。
Thus, an economical and downsized switchgear can be provided.

【0048】(第2の実施形態)次に、本発明の第2の
実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Second Embodiment) Next, a switchgear according to a second embodiment of the present invention will be described.

【0049】図2(a)は、第2の実施形態の構成を示
すもので、図1におけるA部拡大図である。また、図2
(b)は、絶縁バリアの絶縁層厚さと最大電界強度の関
係を示す特性図である。
FIG. 2A shows the configuration of the second embodiment, and is an enlarged view of the portion A in FIG. FIG.
(B) is a characteristic diagram showing a relationship between the thickness of the insulating layer of the insulating barrier and the maximum electric field intensity.

【0050】この実施形態においては、埋め込み金属3
2a部の固定側絶縁バリア30の絶縁層厚さをL、埋め
込み金属32aから接地電位である筐体10までの距離
をGとすると、0.3<L/G<0.7となるように埋
め込み金属32a付近の固定側絶縁バリア30の外径を
大きくしている。固定側を用いて説明したが、可動側も
同様に構成されている。
In this embodiment, the buried metal 3
Assuming that the thickness of the insulating layer of the fixed-side insulating barrier 30 at the portion 2a is L and the distance from the buried metal 32a to the housing 10 that is the ground potential is G, 0.3 <L / G <0.7. The outer diameter of the fixed-side insulating barrier 30 near the embedded metal 32a is increased. Although the description has been made using the fixed side, the movable side has the same configuration.

【0051】次に、このように構成された実施形態の作
用・効果について説明する図1で示した様な構成におけ
る絶縁バリア30、31外面の最大電界は、埋め込み金
属32の外側沿面部となり、絶縁破壊時の放電はこの最
大電界部を起点とした放電となる。従って、この部分の
最大電界強度を低減することにより絶縁耐力を向上させ
ることが出来る。
Next, the maximum electric field on the outer surfaces of the insulating barriers 30 and 31 in the configuration as shown in FIG. 1 for explaining the operation and effect of the embodiment having the above-described configuration is the outer surface of the buried metal 32. The discharge at the time of dielectric breakdown is a discharge starting from the maximum electric field portion. Therefore, the dielectric strength can be improved by reducing the maximum electric field strength in this portion.

【0052】図2(b)で示したように、埋め込み金属
32aから固定側絶縁バリア30の外面までの絶縁層厚
さをL、埋め込み金属32aから接地電位である筐体1
0までの距離をGとした時に、0.3<L/G<0.7
となるように埋め込み金属32a付近の固定側絶縁バリ
ア30の外径を大きくすることにより、固定側絶縁バリ
ア30外面の最大電界を最も低減することが出来るた
め、対地間、相間の絶縁耐力をさらに向上させることが
出来る。本説明は、固定側を用いて説明したが、可動側
についても同様である。
As shown in FIG. 2B, the thickness of the insulating layer from the buried metal 32a to the outer surface of the fixed-side insulating barrier 30 is L, and the housing 1 having the ground potential from the buried metal 32a.
When the distance to 0 is G, 0.3 <L / G <0.7
By increasing the outer diameter of the fixed-side insulating barrier 30 near the buried metal 32a so that the maximum electric field on the outer surface of the fixed-side insulating barrier 30 can be reduced most, the dielectric strength between the ground and the phase is further improved. Can be improved. Although the description has been made using the fixed side, the same applies to the movable side.

【0053】(第3の実施形態)次に、本発明の第3の
実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Third Embodiment) Next, a switchgear according to a third embodiment of the present invention will be described.

【0054】図3は、本発明の第3の実施形態に係るス
イッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a switchgear according to a third embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0055】この実施形態は、図3に示すように、絶縁
バリア30、31の埋め込み金属32a、32b部の外
径で突出した部分34a、34bの絶縁物の誘電率を、
絶縁バリア30、31の他の部分の誘電率より低くして
絶縁バリア低誘電率部としたものである。
In this embodiment, as shown in FIG. 3, the dielectric constant of the insulator of the protruding portions 34a, 34b of the buried metals 32a, 32b of the insulating barriers 30, 31 is determined by
The insulating barriers 30 and 31 have a lower dielectric constant than the other parts of the insulating barriers 30 and 31 to form an insulating barrier low dielectric constant portion.

【0056】このように、絶縁バリア30、31の埋め
込み金属32a、32b部の外径で突出した部分34
a、34bの絶縁物の誘電率を、他の部分の誘電率より
低くして絶縁バリア低誘電率部とすることにより、絶縁
バリア30、31外面の最大電界を低減することができ
るため、対地間、相間の絶縁耐力が向上する。
As described above, the portions 34 protruding from the outer diameters of the buried metals 32 a and 32 b of the insulating barriers 30 and 31.
By setting the dielectric constant of the insulators a and 34b to be lower than the dielectric constant of the other parts to form the insulating barrier low dielectric constant portion, the maximum electric field on the outer surfaces of the insulating barriers 30 and 31 can be reduced. The inter-phase dielectric strength is improved.

【0057】(第4の実施形態)次に、本発明の第4の
実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Fourth Embodiment) Next, a switchgear according to a fourth embodiment of the present invention will be described.

【0058】図4は、本発明の第4の実施形態に係るス
イッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 4 is a sectional view of a switchgear according to a fourth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0059】この実施形態は、図4に示すように、絶縁
バリア30、31の埋め込み金属32a、32b部の周
り35a、35bの誘電率を、絶縁バリア30、31の
他の部分の誘電率より高くして絶縁バリア高誘電率部と
したものである。
In this embodiment, as shown in FIG. 4, the dielectric constants of the portions 35a and 35b around the buried metals 32a and 32b of the insulating barriers 30 and 31 are set to be smaller than those of other portions of the insulating barriers 30 and 31. The height is made higher to form an insulating barrier high dielectric constant portion.

【0060】このように、絶縁バリア30、31の埋め
込み金属32a、32b部の周り35a、35bの誘電
率を、絶縁バリア30、31の他の部分の誘電率より高
くして絶縁バリア高誘電率部とすることにより、絶縁バ
リア30、31外面の最大電界を低減することができる
ため、対地間、相間の絶縁耐力が向上する。
As described above, the dielectric constant of the portions 35a and 35b around the buried metals 32a and 32b of the insulating barriers 30 and 31 is made higher than the dielectric constant of the other portions of the insulating barriers 30 and 31 so that the insulating barrier has a high dielectric constant. Since the maximum electric field on the outer surfaces of the insulating barriers 30 and 31 can be reduced by using the portions, the dielectric strength between the ground and the phases is improved.

【0061】なお、第3の実施形態では、絶縁バリア3
0、31の埋め込み金属32a、32b部の外径で突出
した部分34a、34bの絶縁物の誘電率を低くして絶
縁バリア低誘電率部とし、また、この第4の実施形態の
ように、絶縁バリア30、31の埋め込み金属32a、
32b部の周り35a、35bの誘電率を高くして絶縁
バリア高誘電率部としているが、絶縁バリア30、31
の埋め込み金属32a、32b部の周りから、外径で突
出した部分までの間を、誘電率が徐々に変化する傾斜材
料で構成することもできる。
In the third embodiment, the insulating barrier 3
The portions 34a, 34b of the buried metal portions 32a, 32b projecting at the outer diameters of the buried metal portions 0, 31 are made to have a low dielectric constant of the insulator by reducing the dielectric constant of the insulator, and as in the fourth embodiment, Embedded metal 32a of insulating barriers 30, 31;
Although the dielectric constant of the periphery 35a and 35b around the portion 32b is increased to form the insulating barrier high dielectric constant portion, the insulating barriers 30 and 31 are formed.
The portion between the buried metals 32a and 32b and the portion protruding with the outer diameter may be made of a gradient material whose permittivity gradually changes.

【0062】(第5の実施形態)次に、本発明の第5の
実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Fifth Embodiment) Next, a switchgear according to a fifth embodiment of the present invention will be described.

【0063】図5は、本発明の第5の実施形態に係るス
イッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of a switchgear according to a fifth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0064】この実施形態は、図5に示すように、絶縁
バリア30、31外面の突出部を間に挟んでその上側と
下側の絶縁バリア30、31にひだ36を設けたもので
ある。
In this embodiment, as shown in FIG. 5, folds 36 are provided on the upper and lower insulating barriers 30 and 31 with the protrusions on the outer surfaces of the insulating barriers 30 and 31 interposed therebetween.

【0065】このように、絶縁バリア30、31外面の
突出部を間に挟んでその上側と下側の絶縁バリア30、
31にひだ36を設けることにより、バリア沿面の絶縁
距離が長くなり、且つ絶縁バリア30、31外面の突出
部から進展する放電をバリア効果により抑制することが
できるため、対地間、相間の絶縁耐力が向上する。
As described above, the upper and lower insulating barriers 30, 31 with the protrusions on the outer surfaces of the insulating barriers 30, 31 interposed therebetween.
By providing the folds 31 on the base 31, the insulation distance along the barrier surface is increased, and the discharge that develops from the protrusions on the outer surfaces of the insulating barriers 30 and 31 can be suppressed by the barrier effect. Is improved.

【0066】(第6の実施形態)次に、本発明の第6の
実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Sixth Embodiment) Next, a switchgear according to a sixth embodiment of the present invention will be described.

【0067】図6は、本発明の第6の実施形態に係るス
イッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of a switchgear according to a sixth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0068】この実施形態は、図6に示すように、真空
バルブ14の固定側及び可動側に各々の相が円筒状で且
つ三相一括で形成された絶縁バリア40、41を配置し
たもので、この固定側及び可動側の絶縁バリア40、4
1には真空バルブ14の封着金具21を包囲し且つ固定
軸26及び可動軸27のそれぞれと同電位となるような
埋め込み金属32a、32bが埋め込まれている。三相
一括の絶縁バリア40、41は埋め込み金属32a、3
2b部の絶縁層42a、42bで各相を結合して相間接
続部としている。
In this embodiment, as shown in FIG. 6, insulating barriers 40 and 41 each having a cylindrical shape and formed in three phases are arranged on the fixed side and the movable side of the vacuum valve 14. , The fixed and movable insulation barriers 40, 4
Embedded metals 32a and 32b are embedded in 1 so as to surround the sealing member 21 of the vacuum valve 14 and have the same potential as the fixed shaft 26 and the movable shaft 27, respectively. The three-phase insulating barriers 40, 41 are embedded metal 32a, 3
The phases are combined by the insulating layers 42a and 42b in the 2b portion to form an inter-phase connection portion.

【0069】このように、真空バルブ14の固定側及び
可動側のそれぞれの絶縁バリアを三相一括にすることに
より、組立て時の芯出し、盤への取り付けが容易にな
る。
As described above, by integrating the three-phase insulating barriers on the fixed side and the movable side of the vacuum valve 14 together, the centering at the time of assembly and the attachment to the panel become easy.

【0070】更に、三相一括の絶縁バリア40、41は
埋め込み金属32a、32b部の絶縁層42a、42b
で各相を結合することにより、絶縁バリア40、41外
面の電界強度を低減することができ、相間の絶縁耐力を
向上させることが出来る。
Further, the three-phase collective insulating barriers 40 and 41 are used as the insulating layers 42a and 42b of the buried metal portions 32a and 32b.
By combining the phases, the electric field strength on the outer surfaces of the insulating barriers 40 and 41 can be reduced, and the dielectric strength between the phases can be improved.

【0071】(第7の実施形態)次に、本発明の第7の
実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Seventh Embodiment) Next, a switchgear according to a seventh embodiment of the present invention will be described.

【0072】図7は、本発明の第7の実施形態に係るス
イッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of a switchgear according to a seventh embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0073】この実施形態は、図7に示すように、三相
一括で形成された絶縁バリア40、41の各相の間の絶
縁層即ち相間接続部42a、42bを、相間の中心が最
も細く両端が太くなるように湾曲させたものである。
In this embodiment, as shown in FIG. 7, the insulating layers between the phases of the insulating barriers 40, 41 formed in a three-phase package, that is, the inter-phase connection portions 42a, 42b are formed such that the center between the phases is the thinnest. It is curved so that both ends are thick.

【0074】このように、三相一括で形成された絶縁バ
リア40、41の各相の間の絶縁層即ち相間接続部42
a、42bを、相間の中心が最も細く両端が太くなるよ
うに湾曲させることにより、この相間接続部42a、4
2bの絶縁層沿面の沿面方向の電界を低減することがで
き、放電の進展を抑制することが出来る。このため、相
間の絶縁耐力を向上させることができる。
As described above, the insulating layers between the phases of the insulating barriers 40 and 41 formed as a three-phase package, that is, the inter-phase connecting portion 42
a, 42b are curved such that the center between the phases is the thinnest and the ends are thick, so that the inter-phase connecting portions 42a, 4b
The electric field in the surface direction of the insulating layer 2b can be reduced, and the progress of discharge can be suppressed. For this reason, the dielectric strength between phases can be improved.

【0075】(第8の実施形態)次に、本発明の第8の
実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Eighth Embodiment) Next, a switchgear according to an eighth embodiment of the present invention will be described.

【0076】図8は、本発明の第8の実施形態に係るス
イッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 8 is a sectional view of a switchgear according to an eighth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0077】この実施形態は、図8に示すように、三相
一括で形成された絶縁バリア40、41の各相の埋め込
み金属周り35a、35bの誘電率を、絶縁バリア4
0、41の他の部分の誘電率より高くして絶縁バリア高
誘電率部としている。
In this embodiment, as shown in FIG. 8, the dielectric constants of the embedded metal surroundings 35a and 35b of each phase of the insulating barriers 40 and 41 formed as a three-phase package are determined by using the insulating barriers 4 and 4.
The dielectric constant of the insulating barrier is made higher than the dielectric constant of the other parts of 0 and 41.

【0078】このように、各相の埋め込み金属周り35
a、35bの誘電率を絶縁バリア40、41の他の部分
の誘電率より高くして絶縁バリア高誘電率部とすること
により、各相を接続する絶縁層即ち相間接続部42a、
42b沿面の電界を低減することができ、相間の絶縁耐
力を向上させることが出来る。
As described above, the area around the embedded metal of each phase 35
By setting the dielectric constant of the insulating barriers a and 35b higher than the dielectric constant of the other parts of the insulating barriers 40 and 41 to form the insulating barrier high dielectric constant part, the insulating layers connecting the phases, that is, the inter-phase connecting parts 42a,
The electric field along the surface 42b can be reduced, and the dielectric strength between phases can be improved.

【0079】(第9の実施形態)次に、本発明の第9の
実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Ninth Embodiment) Next, a description will be given of a switchgear according to a ninth embodiment of the present invention.

【0080】図9は、本発明の第9の実施形態に係るス
イッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 9 is a sectional view of a switchgear according to a ninth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0081】この実施形態は、図9に示すように、三相
一括で形成された絶縁バリア40、41の各相間の絶縁
層即ち相間接続部42a、42bにバリア即ち相間バリ
ア43a、43bを設け、固定側からの相間バリア43
aと可動側からの相間バリア43bを重なるまで高くし
たものである。
In this embodiment, as shown in FIG. 9, barriers, ie, inter-phase barriers 43a, 43b are provided on insulating layers, ie, inter-phase connection portions 42a, 42b, between respective phases of insulating barriers 40, 41 formed in a three-phase manner. , The interphase barrier 43 from the fixed side
a and the inter-phase barrier 43b from the movable side are raised until they overlap.

【0082】このように、三相一括で形成された絶縁バ
リア40、41の各相間の絶縁層即ち相間接続部42
a、42bに相間バリア43a、43bを設け、固定側
からの相間バリア43aと可動側からの相間バリア43
bを重なるまで高くすることにより、相間に多重バリア
が形成されるため、さらに相間の耐電圧を向上させるこ
とができる。
As described above, the insulating layers between the phases of the insulating barriers 40 and 41 formed as a three-phase package, that is, the inter-phase connecting portion 42
a and 42b are provided with inter-phase barriers 43a and 43b, and an inter-phase barrier 43a from the fixed side and an inter-phase barrier 43 from the movable side are provided.
By increasing the value of "b" until it overlaps, a multiple barrier is formed between the phases, so that the withstand voltage between the phases can be further improved.

【0083】(第10の実施形態)次に、本発明の第1
0の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Tenth Embodiment) Next, the first embodiment of the present invention will be described.
The switchgear according to the zeroth embodiment will be described.

【0084】図10は、本発明の第10の実施形態に係
るスイッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of a switchgear according to a tenth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0085】この実施形態は、図10に示すように、固
定側絶縁バリア30と可動側絶縁バリア31の間に例え
ばエチレンプロピレンゴムのような弾力性のある絶縁物
即ち弾力性絶縁物37を挿入して構成してある。
In this embodiment, as shown in FIG. 10, an elastic insulator such as ethylene propylene rubber, that is, an elastic insulator 37 is inserted between the fixed insulating barrier 30 and the movable insulating barrier 31. It is configured.

【0086】このように、固定側絶縁バリア30と可動
側絶縁バリア31の間に弾力性絶縁物37を挿入するこ
とにより、固定側絶縁バリア30と可動側絶縁バリア3
1の間を進展する放電を抑制することができ、相間の耐
電圧が向上する。
As described above, by inserting the elastic insulator 37 between the fixed insulating barrier 30 and the movable insulating barrier 31, the fixed insulating barrier 30 and the movable insulating barrier 3 are inserted.
1 can be suppressed, and the withstand voltage between phases can be improved.

【0087】なお、本説明は、単相で形成された絶縁バ
リア30、31を用いて説明したが、三相一括で形成さ
れた絶縁バリア40、41で構成しても同様な作用、効
果が得られる。
Although the description has been made using the insulating barriers 30 and 31 formed in a single phase, the same operation and effect can be obtained by using the insulating barriers 40 and 41 formed in a three-phase package. can get.

【0088】(第11の実施形態)次に、本発明の第1
1の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Eleventh Embodiment) Next, the first embodiment of the present invention will be described.
A switchgear according to one embodiment will be described.

【0089】図11は、本発明の第11の実施形態に係
るスイッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 11 is a sectional view of a switchgear according to an eleventh embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0090】この実施形態は、図11に示すように、絶
縁バリア30、31の真空バルブ14側のバリア長さ
を、真空バルブ14のシールド24と重ならない長さに
したものである。
In this embodiment, as shown in FIG. 11, the length of the insulating barriers 30 and 31 on the vacuum valve 14 side is set so as not to overlap the shield 24 of the vacuum valve 14.

【0091】このように、絶縁バリア30、31の真空
バルブ14側のバリア長さが、真空バルブのシールド2
4と重ならない長さとしたことにより、真空バルブ内の
シールド24と対地との浮遊静電容量が小さくなるた
め、シールド24の電位がより50%電位に近づき、真
空バルブ14内の極間の絶縁耐力を向上させることが出
来る。
As described above, the barrier length of the insulating barriers 30 and 31 on the vacuum valve 14 side is equal to the shield length of the vacuum valve.
4, the floating capacitance between the shield 24 in the vacuum valve and the ground is reduced, so that the potential of the shield 24 becomes closer to 50% potential, and the insulation between the poles in the vacuum valve 14 is reduced. Strength can be improved.

【0092】なお、本説明は、単相で形成された絶縁バ
リア30、31を用いて説明したが、三相一括で形成さ
れた絶縁バリア40、41で構成しても同様な作用、効
果が得られる。
Although the description has been made using the insulating barriers 30 and 31 formed in a single phase, the same operation and effect can be obtained by using the insulating barriers 40 and 41 formed in a three-phase package. can get.

【0093】(第12の実施形態)次に、本発明の第1
2の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Twelfth Embodiment) Next, the first embodiment of the present invention will be described.
The switchgear according to the second embodiment will be described.

【0094】図12は、本発明の第12の実施形態に係
るスイッチギアを正面からみた断面図である。
FIG. 12 is a sectional view of a switchgear according to a twelfth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【0095】この実施形態は、図12に示すように、固
定側絶縁バリア38に真空バルブ14の封着金具21を
包囲する埋め込み金属32aと固定側接続軸13が一体
となった固定側接続軸兼埋め込み金属39がモールドさ
れており、固定側絶縁バリア38の固定側接続軸側の形
状が円錐状で構成され、直接T型母線11と接続できる
構成即ち接続部付き絶縁バリアとなっている。なお、図
12において、11aはT型母線11の筐体内接続部、
11bは弾力性絶縁物である。
In this embodiment, as shown in FIG. 12, a fixed-side connecting shaft 13 in which an embedded metal 32a surrounding a sealing metal fitting 21 of a vacuum valve 14 and a fixed-side connecting shaft 13 are integrated into a fixed-side insulating barrier 38. The embedded metal 39 is molded, and the shape of the fixed-side insulating barrier 38 on the fixed connection shaft side is formed in a conical shape, so that the fixed-side insulating barrier 38 can be directly connected to the T-shaped bus 11, that is, an insulating barrier with a connection portion. In FIG. 12, reference numeral 11a denotes a connection portion in the housing of the T-shaped bus 11,
11b is an elastic insulator.

【0096】このように、固定側絶縁バリア38に真空
バルブの封着金具21を包囲する埋め込み金属32aと
固定側接続軸13が一体となった固定側接続軸兼埋め込
み金属39がモールドされており、固定側絶縁バリア3
8の固定側接続軸側の形状が円錐状で構成され、直接T
型母線11と接続できる接続部付き絶縁バリアとして構
成としたことにより、部品点数を削減でき、さらに、真
空バルブ固定側からT型母線11までの距離を大幅に縮
小することが出来る。これにより小形で経済的なスイッ
チギアを提供することが出来る。
As described above, the fixed side insulating shaft 38 and the embedded metal 32a surrounding the metal fitting 21 of the vacuum valve and the fixed side connecting shaft and embedded metal 39 in which the fixed side connecting shaft 13 are integrated are molded. , Fixed side insulation barrier 3
8 on the fixed connection shaft side is formed in a conical shape.
By configuring as an insulating barrier with a connection portion that can be connected to the mold bus 11, the number of components can be reduced, and the distance from the vacuum valve fixed side to the T-shaped bus 11 can be greatly reduced. This can provide a small and economical switchgear.

【0097】(第13の実施形態)次に、本発明の第1
3の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
(Thirteenth Embodiment) Next, a first embodiment of the present invention will be described.
The switchgear according to the third embodiment will be described.

【0098】図13(a)は、本発明の第13の実施形
態に係るスイッチギアの側面図、同図(b)は同図
(a)におけるA−A線に沿った断面を上方からみた断
面図である。
FIG. 13A is a side view of a switchgear according to a thirteenth embodiment of the present invention, and FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. It is sectional drawing.

【0099】この実施形態は、図13に示すように、各
相の開閉機器の配置が、盤の上方からみると斜めに配置
されて構成されている。なお、図13において16はケ
ーブルヘッドである。
In this embodiment, as shown in FIG. 13, the opening and closing devices of each phase are arranged obliquely when viewed from above the panel. In FIG. 13, reference numeral 16 denotes a cable head.

【0100】このように、各相の開閉機器の配置が、盤
の上方からみると斜めに配置されて構成されていること
により、真空バルブ固定側からT型母線までの固定側接
続軸は直線導体でよく、三相全てに同じ部品を適用する
ことが出来る。また、斜めに配置することにより、同じ
盤幅で相間の絶縁距離が長くなり相間耐電圧を向上する
ことが出来る。
As described above, since the switching devices of each phase are arranged obliquely when viewed from above the panel, the fixed connection shaft from the vacuum valve fixed side to the T-shaped bus is straight. A conductor may be used, and the same component can be applied to all three phases. In addition, by arranging them obliquely, the insulation distance between the phases can be increased with the same board width, and the withstand voltage between the phases can be improved.

【0101】[0101]

【発明の効果】本発明によれば、真空バルブの固定側及
び可動側それぞれに円筒状の絶縁バリアを配置し、この
固定側及び可動側の絶縁バリアに真空バルブの封着金具
を包囲し且つ固定軸及び可動軸のそれぞれと同電位にな
るような金属を埋め込み、さらに、埋め込み金属が存在
する部分の絶縁バリア外径を他の箇所より大きくするこ
とにより、絶縁バリア外面の最大電界強度が抑制され、
相間、対地間の絶縁耐力が向上し、全体形状の縮小を図
ることができる。
According to the present invention, a cylindrical insulating barrier is disposed on each of the fixed side and the movable side of the vacuum valve, and the fixed side and the movable side of the insulating barrier surround the sealing metal of the vacuum valve. The maximum electric field strength on the outer surface of the insulating barrier is suppressed by embedding a metal that has the same potential as each of the fixed axis and the movable axis, and further increasing the outer diameter of the insulating barrier in the portion where the embedded metal exists than in other portions. And
The dielectric strength between phases and the ground is improved, and the overall shape can be reduced.

【0102】また、真空バルブはモールドしなくてよい
ことから、万一発生した注型不良品による無駄なコスト
を最小限に抑えることができるとともに、絶縁バリアを
可動側と固定側で別々に製作することにより、樹脂量の
低減を図ることができ、経済的で且つ簡易に製作できる
スイッチギアを提供することができる。
Further, since the vacuum valve does not need to be molded, wasteful cost due to a defective casting that occurs should be minimized, and the insulating barriers are separately manufactured on the movable side and the fixed side. By doing so, the amount of resin can be reduced, and a switchgear that is economical and can be easily manufactured can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態に係るスイッチギア
を正面からみた断面図。
FIG. 1 is a sectional view of a switchgear according to a first embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図2】 (a)は第2の実施形態の構成を示すもの
で、図1におけるA部拡大図、(b)は絶縁バリアの絶
縁層厚さと最大電界強度の関係を示す特性図。
2A is a diagram illustrating a configuration of a second embodiment, and is an enlarged view of a portion A in FIG. 1; and FIG.

【図3】 本発明の第3の実施形態に係るスイッチギア
を正面からみた断面図。
FIG. 3 is a sectional view of a switchgear according to a third embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図4】 本発明の第4の実施形態に係るスイッチギア
を正面からみた断面図。
FIG. 4 is a sectional view of a switchgear according to a fourth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図5】 本発明の第5の実施形態に係るスイッチギア
を正面からみた断面図。
FIG. 5 is a sectional view of a switchgear according to a fifth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図6】 本発明の第6の実施形態に係るスイッチギア
を正面からみた断面図。
FIG. 6 is a sectional view of a switchgear according to a sixth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図7】 本発明の第7の実施形態に係るスイッチギア
を正面からみた断面図。
FIG. 7 is a sectional view of a switchgear according to a seventh embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図8】 本発明の第8の実施形態に係るスイッチギア
を正面からみた断面図。
FIG. 8 is a sectional view of a switchgear according to an eighth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図9】 本発明の第9の実施形態に係るスイッチギア
を正面からみた断面図。
FIG. 9 is a sectional view of a switchgear according to a ninth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図10】本発明の第10の実施形態に係るスイッチギ
アを正面からみた断面図。
FIG. 10 is a sectional view of a switchgear according to a tenth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図11】本発明の第11の実施形態に係るスイッチギ
アを正面からみた断面図。
FIG. 11 is a sectional view of a switchgear according to an eleventh embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図12】本発明の第12の実施形態に係るスイッチギ
アを正面からみた断面図。
FIG. 12 is a sectional view of a switchgear according to a twelfth embodiment of the present invention as viewed from the front.

【図13】(a)は、本発明の第13の実施形態に係る
スイッチギアの側面図、同図(b)は同図(a)におけ
るA−A線に沿った断面を上方からみた断面図。
FIG. 13 (a) is a side view of a switchgear according to a thirteenth embodiment of the present invention, and FIG. 13 (b) is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG.

【図14】スイッチギアの従来例を正面からみた断面
図。
FIG. 14 is a sectional view of a conventional example of a switchgear viewed from the front.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…筐体 11…T型母線 11a…筐体内接続部 11b…弾力性絶縁物 12…操作機構 13…固定側接続軸 14…真空バルブ 15…操作ロッド 16…ケーブルヘッド 20(20a、20b)…蓋板 21(21a、21b)…封着金具 22…絶縁容器 23(23a、23b)…電極 24…シールド 25…ベローズ 26…固定軸 27…可動軸 30…固定側絶縁バリア 31…可動側絶縁バリア 32(32a、32b)…埋め込み金属 33…マルチバンド 34(34a、34b)…絶縁バリア低誘電率部 35(35a、35b)…絶縁バリア高誘電率部 36…ひだ 37…弾力性絶縁物 38…接続部付き絶縁バリア 39…固定側接続軸兼埋め込み金属 40…固定側三相一括絶縁バリア 41…可動側三相一括絶縁バリア 42(42a、42b)…相間接続部 43(43a、43b)…相間バリア 51…容器 51a…遮断器室 51b…母線室 52…隔壁 53…遮断器 53a…真空バルブ 54(54A、54B)…断路器 55…母線 56…支持碍子 57…ケーブルヘッド 57a…電力ケーブル 58…接続導体 59…絶縁スペーサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Housing | casing 11 ... T-shaped bus bar 11a ... Connection part in housing | casing 11b ... Elastic insulator 12 ... Operation mechanism 13 ... Fixed side connection shaft 14 ... Vacuum valve 15 ... Operation rod 16 ... Cable head 20 (20a, 20b) ... Lid plate 21 (21a, 21b) Sealing fitting 22 Insulating container 23 (23a, 23b) Electrode 24 Shield 25 Bellows 26 Fixed shaft 27 Movable shaft 30 Fixed-side insulating barrier 31 Moving-side insulating barrier 32 (32a, 32b) ... embedded metal 33 ... multi-band 34 (34a, 34b) ... insulating barrier low dielectric constant part 35 (35a, 35b) ... insulating barrier high dielectric constant part 36 ... pleat 37 ... elastic insulator 38 ... Insulation barrier with connecting portion 39: fixed-side connection shaft and embedded metal 40: fixed-side three-phase collective insulation barrier 41: movable-side three-phase collective insulation barrier 42 (42a 42b) ... phase connection part 43 (43a, 43b) ... phase barrier 51 ... container 51a ... breaker room 51b ... busbar room 52 ... partition wall 53 ... breaker 53a ... vacuum valve 54 (54A, 54B) ... disconnector 55 ... busbar 56 ... support insulator 57 ... cable head 57a ... power cable 58 ... connecting conductor 59 ... insulating spacer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 哲雄 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 山崎 利春 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 横倉 邦夫 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東芝 府中工場内 Fターム(参考) 5G017 AA21 BB01 GG01 HH04 5G026 RA03 RA04 RB03  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tetsuo Yoshida 1 Toshiba-cho, Fuchu-shi, Tokyo Inside the Toshiba Fuchu Plant (72) Inventor Toshiharu Yamazaki 1-Toshiba-cho, Fuchu-shi Tokyo 72) Inventor Kunio Yokokura 1 Toshiba-cho, Fuchu-shi, Tokyo F-term in the Fuchu factory of Toshiba Corporation (reference) 5G017 AA21 BB01 GG01 HH04 5G026 RA03 RA04 RB03

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】真空バルブを有する開閉機器を収納したス
イッチギアにおいて、真空バルブの固定側及び可動側に
それぞれ円筒状の絶縁バリアを配置し、前記固定側及び
可動側の絶縁バリアには前記真空バルブの封着金具を包
囲し且つ固定軸及び可動軸のそれぞれと同電位となるよ
うな埋め込み金属を有しており、前記埋め込み金属が存
在する部分の絶縁バリア外径が、前記埋め込み金属が存
在する部分以外の絶縁バリア外径より大きいことを特徴
とするスイッチギア。
In a switchgear accommodating an opening / closing device having a vacuum valve, a cylindrical insulating barrier is disposed on each of a fixed side and a movable side of the vacuum valve, and the insulating barrier on the fixed side and the movable side is provided with the vacuum. It has a buried metal surrounding the sealing metal of the valve and having the same potential as each of the fixed shaft and the movable shaft, and the outer diameter of the insulating barrier in the portion where the buried metal is present has the buried metal. A switchgear having a larger outer diameter than an insulating barrier other than a portion where the switchgear is formed.
【請求項2】請求項1に記載のスイッチギアにおいて、
前記埋め込み金属と、接地電位である筐体との距離を
G、前記埋め込み金属が存在する部分の絶縁バリアの厚
さをLとすると、0.3<L/G<0.7となることを
特徴とするスイッチギア。
2. The switchgear according to claim 1, wherein
Assuming that the distance between the buried metal and the housing at the ground potential is G and the thickness of the insulating barrier in the portion where the buried metal is present is L, 0.3 <L / G <0.7. Switchgear featuring.
【請求項3】請求項1に記載のスイッチギアにおいて、
前記埋め込み金属が存在する部分の前記絶縁バリア外径
で他の部分より突出した部分の絶縁物の誘電率が他の部
分の誘電率より低いことを特徴とするスイッチギア。
3. The switchgear according to claim 1, wherein
A switchgear, wherein a part of the insulator where the buried metal exists and a part of the insulator protruding from the other part at the outside diameter of the insulating barrier has a dielectric constant lower than that of the other part.
【請求項4】請求項1に記載のスイッチギアにおいて、
前記絶縁バリアの前記埋め込み金属が存在する部分の周
りの誘電率が、前記絶縁バリアの他の部分の誘電率より
高いことを特徴とするスイッチギア。
4. The switchgear according to claim 1, wherein
A switchgear, wherein a dielectric constant around a portion of the insulating barrier where the embedded metal exists is higher than a dielectric constant of another portion of the insulating barrier.
【請求項5】請求項1に記載のスイッチギアにおいて、
前記絶縁バリア外面の突出部を間に挟んでその上側と下
側の絶縁バリアにひだを設けたことを特徴とするスイッ
チギア。
5. The switchgear according to claim 1, wherein
A switchgear characterized in that folds are provided in upper and lower insulation barriers with a protrusion on the outer surface of the insulation barrier interposed therebetween.
【請求項6】真空バルブを有する開閉機器を収納したス
イッチギアにおいて、真空バルブの固定側及び可動側に
それぞれ各々の相が円筒状で、且つ三相一括で形成され
た絶縁バリアを配置し、前記固定側及び可動側の絶縁バ
リアには真空バルブの封着金具を包囲し且つ固定軸及び
可動軸のそれぞれと同電位となるような埋め込み金属を
有しており、前記三相一括で形成された絶縁バリアは前
記埋め込み金属が存在する部分の絶縁層で各相を結合し
たことを特徴とするスイッチギア。
6. A switchgear accommodating an opening / closing device having a vacuum valve, wherein an insulating barrier in which each phase is cylindrical and three phases are integrally formed is arranged on a fixed side and a movable side of the vacuum valve, respectively. The fixed-side and movable-side insulating barriers surround the metal fittings of the vacuum valve and have an embedded metal that has the same potential as each of the fixed axis and the movable axis, and are formed as a three-phase package. A switchgear, wherein each of the insulating barriers is combined with each other at an insulating layer where the buried metal exists.
【請求項7】請求項6に記載のスイッチギアにおいて、
三相一括で形成された絶縁バリアの各相の間の絶縁層
が、相間の中心が最も細く両端が太くなるように湾曲さ
せたことを特徴とするスイッチギア。
7. The switchgear according to claim 6, wherein
A switchgear characterized in that an insulating layer between each phase of an insulating barrier formed collectively in three phases is curved such that the center between the phases is thinnest and both ends are thick.
【請求項8】請求項6に記載のスイッチギアにおいて、
前記絶縁バリアの前記埋め込み金属が存在する部分の周
りの誘電率が、前記絶縁バリアの他の部分の誘電率より
高いことを特徴とするスイッチギア。
8. The switchgear according to claim 6, wherein
A switchgear, wherein a dielectric constant around a portion of the insulating barrier where the embedded metal exists is higher than a dielectric constant of another portion of the insulating barrier.
【請求項9】特許請求項6に記載のスイッチギアにおい
て、前記三相一括で形成された絶縁バリアの各相間の絶
縁層にバリアを設け、固定側からのバリアと可動側から
のバリアが重なるまで高くすることを特徴とするスイッ
チギア。
9. The switchgear according to claim 6, wherein a barrier is provided on an insulating layer between each of the three-phase collectively formed insulating barriers, and the barrier from the fixed side overlaps the barrier from the movable side. Switchgear characterized by being raised to the highest.
【請求項10】請求項1または請求項6に記載のスイッ
チギアにおいて、固定側の前記絶縁バリアと可動側の前
記絶縁バリアとの間に、弾力性のある絶縁物を挿入した
ことを特徴とするスイッチギア。
10. The switchgear according to claim 1, wherein an elastic insulator is inserted between the fixed insulating barrier and the movable insulating barrier. Switchgear.
【請求項11】請求項1乃至請求項9のいずれかに記載
のスイッチギアにおいて、前記絶縁バリアの真空バルブ
側のバリア長さが、前記真空バルブのシールドと重なら
ない長さとしたことを特徴とするスイッチギア。
11. The switchgear according to claim 1, wherein a length of the insulating barrier on the side of the vacuum valve does not overlap with a shield of the vacuum valve. Switchgear.
【請求項12】真空バルブを有する開閉機器を収納した
スイッチギアにおいて、真空バルブの固定側及び可動側
にそれぞれ円筒状の絶縁バリアを配置し、固定側の前記
絶縁バリアには真空バルブの封着金具を包囲する金属と
固定側接続軸がモールドされており、前記固定側絶縁バ
リアの固定側接続軸側の形状が円錐状で構成され、直接
T型母線と接続できる構成としたことを特徴とするスイ
ッチギア。
12. A switchgear accommodating an opening / closing device having a vacuum valve, wherein a cylindrical insulating barrier is disposed on each of a fixed side and a movable side of the vacuum valve, and the vacuum valve is sealed to the insulating barrier on the fixed side. The metal surrounding the metal fitting and the fixed connection shaft are molded, and the shape of the fixed connection shaft side of the fixed insulation barrier is formed in a conical shape, so that it can be directly connected to the T-shaped bus. Switchgear.
【請求項13】真空バルブを有する開閉機器を収納した
スイッチギアにおいて、真空バルブの固定側及び可動側
にそれぞれ円筒状の絶縁バリアを配置し、各相の開閉機
器の配置が、盤の上方からみると斜めに配置されている
ことを特徴とするスイッチギア。
13. A switchgear accommodating switchgear having a vacuum valve, wherein cylindrical insulating barriers are arranged on the fixed side and the movable side of the vacuum valve, respectively, and the switchgear of each phase is arranged from above the panel. A switchgear characterized by being obliquely arranged.
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