JP2001107001A - Adhesive material in form of film, wiring tape and semiconductor device - Google Patents

Adhesive material in form of film, wiring tape and semiconductor device

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JP2001107001A
JP2001107001A JP28497699A JP28497699A JP2001107001A JP 2001107001 A JP2001107001 A JP 2001107001A JP 28497699 A JP28497699 A JP 28497699A JP 28497699 A JP28497699 A JP 28497699A JP 2001107001 A JP2001107001 A JP 2001107001A
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film
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epoxy resin
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Mamoru Onda
護 御田
Ryoichi Ito
亮一 伊東
Toshiya Sato
俊也 佐藤
Enjiyou Tsuyuno
円丈 露野
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Hitachi Ltd
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Hitachi Cable Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive material in the form of a film and a wiring tape which have high bonding strength and are tack-free and excel in workability, and a semiconductor device having excellent reflow resistance which is prepared by using the same. SOLUTION: An adhesive material in the form of a film is composed of an adhesive composition comprising an epoxy resin composition which is solid at 25 deg.C and 100-200 pts.wt., based on 100 pts.wt. said epoxy resin composition, fine particles of a crosslinkable acrylonitrile/butadiene based rubber containing carboxyl groups in the molecular structure, and a wiring tape and a semiconductor device can be obtained by using this adhesive material in the form of a film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ボールグリッドア
レイ（ＢＧＡ）型半導体装置等の半導体装置を製造する
際に用いられる、フィルム状接着材、配線テープ及びそ
れらの部材を用いて製造される半導体装置に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film-shaped adhesive, a wiring tape, and a semiconductor manufactured using such members, which are used in manufacturing a semiconductor device such as a ball grid array (BGA) type semiconductor device. It concerns the device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造には、金属製のリード
フレームを用いた方式がもっとも多く用いられている
が、近年の小型化、多ピン化対応の半導体装置として
は、多層キャリア基板を用いて実装面全体に接続用の外
部端子を配し、且つ外部端子の長さを短縮した構造のボ
ールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型半導体装置が実用化さ
れている。この多層キャリア基板に比較的誘電率の低い
有機材料を用いることにより、処理速度の高速化が可能
であるが、有機材料と半導体素子間の熱膨張率差から生
じる熱応力のために、接続信頼性等に問題がある。そこ
で、半導体素子と実装基板の間に生じる熱応力を緩和す
るために、低弾性率エラストマー材料を用いることによ
り接続信頼性を向上させた新しい構造の半導体装置が検
討されている（ＵＳＰ５１４８２６５）。この半導体装
置は、多層キャリア基板の代わりにポリイミドテープ等
の基材の表面に配線層を形成した配線テープを用いてお
り、半導体素子と配線テープが低弾性率エラストマー材
料からなる接着材により接着されている。また、半導体
素子と配線テープは、配線テープの配線層の一部をボン
ディング用リードとして使用したリードボンディング或
いはワイヤボンディングにより電気的に接続されてお
り、更に、配線テープと実装基板とは、外部端子として
の半田ボール端子により電気的に接続されるようになっ
ている。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a method using a metal lead frame is most often used. However, a recent semiconductor device compatible with miniaturization and multi-pin configuration uses a multilayer carrier substrate. A ball grid array (BGA) type semiconductor device having a structure in which external terminals for connection are arranged on the entire mounting surface and the length of the external terminals is shortened has been put to practical use. The processing speed can be increased by using an organic material having a relatively low dielectric constant for the multilayer carrier substrate. However, due to the thermal stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the organic material and the semiconductor element, the connection reliability is reduced. There is a problem in sex etc. Therefore, in order to reduce thermal stress generated between the semiconductor element and the mounting substrate, a semiconductor device having a new structure in which connection reliability is improved by using a low elastic modulus elastomer material has been studied (US Pat. No. 5,148,265). This semiconductor device uses a wiring tape in which a wiring layer is formed on the surface of a base material such as a polyimide tape instead of a multilayer carrier substrate, and the semiconductor element and the wiring tape are adhered with an adhesive made of a low elastic modulus elastomer material. ing. The semiconductor element and the wiring tape are electrically connected by lead bonding or wire bonding using a part of the wiring layer of the wiring tape as a bonding lead, and furthermore, the wiring tape and the mounting board are connected to external terminals. And electrically connected by solder ball terminals.

【０００３】従来、半導体素子と配線テープを接着する
ための低弾性率エラストマー材料からなる接着材として
は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂と
ポリアミド樹脂の混合組成物（特開平２−１４３４４７
号公報、特開平３−２１７０３５号公報等）、更には、
エポキシ／アクリル複合体、ゴム変成エポキシ樹脂、或
いはポリイミドやポリアミドイミド等の耐熱性ホットメ
ルト接着材が使用されている。Conventionally, as an adhesive made of a low elastic modulus elastomer material for adhering a semiconductor element and a wiring tape, a silicone resin, an epoxy resin, a mixed composition of a phenol resin and a polyamide resin (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-143447).
JP, JP-A-3-217035, etc.)
Epoxy / acrylic composites, rubber-modified epoxy resins, or heat-resistant hot-melt adhesives such as polyimide and polyamideimide are used.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、シリコーン樹
脂は、接着の際の加熱硬化時に低分子シロキサン成分が
アウトガスとしてにじみ出し、配線表面を汚染する。更
に、エポキシ／アクリル複合体からなるフィルム状接着
材は、粘着性いわゆるタック性が大きく、フィルム状接
着材を打ち抜き型等により打ち抜いて配線テープに貼り
付ける際に打ち抜き型に密着してしまう等の作業上の問
題が発生してしまう。特に、アクリルゴムにその傾向が
強い。耐熱性ホットメルト接着材は、十分な接着強度を
得るための接着温度が高く、熱応力による半導体素子の
損傷や熱劣化等の問題がある。また、半導体素子の大型
化に伴い接合時の温度変化によるリードフレームや半導
体素子の反り、その反りによる半導体素子の損傷の問題
も発生している。これらの問題は、半導体装置の高密度
化と半導体素子の大型化に伴って深刻となっている。However, in a silicone resin, a low-molecular siloxane component oozes as an outgas at the time of heat curing at the time of bonding to contaminate the wiring surface. Furthermore, the film-like adhesive made of the epoxy / acrylic composite has a large adhesiveness, so-called tackiness, and is likely to adhere to the punching die when the film-like adhesive is punched by a punching die or the like and attached to a wiring tape. Work problems arise. In particular, acrylic rubber has a strong tendency. The heat-resistant hot-melt adhesive has a high bonding temperature for obtaining sufficient bonding strength, and has problems such as damage to the semiconductor element and thermal deterioration due to thermal stress. Further, with the increase in the size of the semiconductor element, warpage of the lead frame and the semiconductor element due to a temperature change at the time of bonding, and a problem of damage to the semiconductor element due to the warp also occur. These problems have become serious with the increase in the density of semiconductor devices and the size of semiconductor elements.

【０００５】また、近年、半導体装置の高密度化と薄型
化に伴い、接着材が吸収した水分が半田リフロー工程時
に気化することに起因すると思われるパッケージクラッ
ク（リフロークラック）が多発しており、これも大きな
問題となっている。この半田リフロー工程の温度は一般
に２００〜２５０℃であり、吸湿した半導体装置は水分
が蒸発し、その蒸気圧でフィルム状接着材が膨潤してあ
るしきい値を超えると発泡現象を生じ、ボイド、剥離等
の欠陥を生じる。そのため、用いるフィルム状接着材と
してはできるだけ吸湿率が低いことと同時に接着強度が
高いことが要求される。[0005] In recent years, with the increase in density and thinning of semiconductor devices, package cracks (reflow cracks), which are thought to be caused by vaporization of moisture absorbed by an adhesive during a solder reflow process, have occurred frequently. This is also a major problem. The temperature of the solder reflow process is generally 200 to 250 ° C., and the moisture absorbed in the semiconductor device evaporates, and when the film pressure exceeds a certain threshold value due to the swelling of the film-like adhesive due to the vapor pressure, a foaming phenomenon occurs and a void is generated. This causes defects such as peeling. Therefore, the film-like adhesive used is required to have as low a moisture absorption rate as possible and at the same time high adhesive strength.

【０００６】従って本発明の目的は、タックフリーで作
業性に優れ、接着強度が高いフィルム状接着材と、その
フィルム状接着剤を貼り付けてなる配線テープ及びそれ
らを用いて製造される耐リフロー性に優れた半導体装置
を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a film-like adhesive material which is tack-free and excellent in workability and has a high adhesive strength, a wiring tape obtained by sticking the film-like adhesive agent, and a reflow-resistant material produced using the same. An object of the present invention is to provide a semiconductor device having excellent performance.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明においては、種々
検討の結果、特定の樹脂組成物を用いると共に、その中
に特定のゴムの微粒子を存在させることにより、タック
フリーで作業性に優れ、接着強度が高く、耐リフロー性
に優れた接着剤組成物からなるフィルム状接着材が得ら
れることを見出し、本発明を完成するに至ったものであ
る。According to the present invention, as a result of various studies, a specific resin composition is used, and specific rubber fine particles are present in the resin composition. The present inventors have found that a film-like adhesive made of an adhesive composition having high adhesive strength and excellent reflow resistance can be obtained, and have completed the present invention.

【０００８】すなわち、本願の請求項１に記載された発
明は、２５℃で固体であるエポキシ樹脂組成物に分子構
造中にカルボキシル基を含有する架橋型アクリロニトリ
ルブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹脂組成物
１００重量部に対して１００〜２００重量部含有した接
着剤組成物からなることを特徴とするフィルム状接着材
である。That is, the invention described in claim 1 of the present application relates to an epoxy resin composition which is a solid at 25 ° C., and comprising the fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in a molecular structure. An adhesive composition comprising 100 to 200 parts by weight of an adhesive composition per 100 parts by weight of a product.

【０００９】本願の請求項２に記載された発明は、フィ
ルム状基材の両面に、２５℃で固体であるエポキシ樹脂
組成物に分子構造中にカルボキシル基を含有する架橋型
アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポ
キシ樹脂組成物１００重量部に対して１００〜２００重
量部含有した接着剤組成物を配してなることを特徴とす
るフィルム状接着材である。The invention described in claim 2 of the present application is directed to a method of forming a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in a molecular structure on an epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. on both surfaces of a film-like base material. An adhesive composition containing 100 to 200 parts by weight of the fine particles with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin composition.

【００１０】本願の請求項３に記載された発明は、配線
層を有し、且つ半導体素子を接着する面に、２５℃で固
体であるエポキシ樹脂組成物に分子構造中にカルボキシ
ル基を含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴ
ムの微粒子を前記エポキシ樹脂組成物１００重量部に対
して１００〜２００重量部含有した接着剤組成物からな
るフィルム状接着材（請求項１のフィルム状接着材）を
貼り付けてなることを特徴とする配線テープである。The third aspect of the present invention provides an epoxy resin composition which has a wiring layer and is solid at 25 ° C. on a surface to which a semiconductor element is adhered, which contains a carboxyl group in a molecular structure. A film adhesive (film adhesive according to claim 1) comprising an adhesive composition containing 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber based on 100 parts by weight of the epoxy resin composition is adhered. It is a wiring tape characterized by the following.

【００１１】本願の請求項４に記載された発明は、配線
層を有し、且つ半導体素子を接着する面に、フィルム状
基材の両面に、２５℃で固体であるエポキシ樹脂組成物
に分子構造中にカルボキシル基を含有する架橋型アクリ
ロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹
脂組成物１００重量部に対して１００〜２００重量部含
有した接着剤組成物を配してなるフィルム状接着材（請
求項２のフィルム状接着材）を貼り付けてなることを特
徴とする配線テープである。[0011] The invention described in claim 4 of the present application is to provide an epoxy resin composition which has a wiring layer and is solid at 25 ° C on a surface to which a semiconductor element is adhered, on both surfaces of a film-like base material. A film-like adhesive obtained by disposing an adhesive composition containing 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in the structure with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin composition (claim A wiring tape characterized by adhering the film-like adhesive of item 2).

【００１２】本願の請求項５に記載された発明は、半導
体素子を支持する支持基板を一体に備えた配線テープで
あって、配線層を有し、且つ前記配線層と前記支持基板
との間に、２５℃で固体であるエポキシ樹脂組成物に分
子構造中にカルボキシル基を含有する架橋型アクリロニ
トリルブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹脂組
成物１００重量部に対して１００〜２００重量部含有し
た接着剤組成物からなるフィルム状接着材（請求項１の
フィルム状接着材）を設けてなることを特徴とする配線
テープである。[0012] The invention described in claim 5 of the present application is a wiring tape integrally provided with a support substrate for supporting a semiconductor element, the wiring tape having a wiring layer, and being provided between the wiring layer and the support substrate. And an epoxy resin composition which is solid at 25 ° C., containing 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber having a carboxyl group in the molecular structure based on 100 parts by weight of the epoxy resin composition. A wiring tape comprising a film-like adhesive (film-like adhesive according to claim 1) made of an agent composition.

【００１３】本願の請求項６に記載された発明は、半導
体素子を支持する支持基板を一体に備えた配線テープで
あって、配線層を有し、且つ前記配線層と前記支持基板
との間に、フィルム状基材の両面に、２５℃で固体であ
るエポキシ樹脂組成物に分子構造中にカルボキシル基を
含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微
粒子を前記エポキシ樹脂組成物１００重量部に対して１
００〜２００重量部含有した接着剤組成物を配してなる
フィルム状接着材（請求項１のフィルム状接着材）を設
けてなることを特徴とする配線テープである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a wiring tape integrally provided with a supporting substrate for supporting a semiconductor element, wherein the wiring tape has a wiring layer, and is provided between the wiring layer and the supporting substrate. On both sides of a film-like substrate, fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure of an epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. are added to 100 parts by weight of the epoxy resin composition. 1
A wiring tape provided with a film-like adhesive (film-like adhesive of claim 1) provided with an adhesive composition containing from 00 to 200 parts by weight.

【００１４】本願の請求項７に記載された発明は、表面
に電極端子を有する半導体素子と、前記電極端子を外部
端子に接続するための配線層を有する配線テープと、前
記半導体素子と前記配線テープとの間に設けられたフィ
ルム状接着材と、前記配線層に接続された外部端子とを
備えた半導体装置において、前記フィルム状接着材とし
て、２５℃で固体であるエポキシ樹脂組成物に分子構造
中にカルボキシル基を含有する架橋型アクリロニトリル
ブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹脂組成物１
００重量部に対して１００〜２００重量部含有した接着
剤組成物からなるフィルム状接着材（請求項１のフィル
ム状接着材）を用いたことを特徴とする半導体装置であ
る。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a semiconductor element having an electrode terminal on a surface, a wiring tape having a wiring layer for connecting the electrode terminal to an external terminal, the semiconductor element and the wiring In a semiconductor device provided with a film adhesive provided between the tape and a tape and an external terminal connected to the wiring layer, the film adhesive may be a molecule of an epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. The fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in the structure are mixed with the epoxy resin composition 1
A semiconductor device using a film-like adhesive (film-like adhesive of claim 1) comprising an adhesive composition contained in an amount of 100 to 200 parts by weight with respect to 00 parts by weight.

【００１５】本願の請求項８に記載された発明は、表面
に電極端子を有する半導体素子と、前記電極端子を外部
端子に接続するための配線層を有する配線テープと、前
記半導体素子と前記配線テープとの間に設けられたフィ
ルム状接着材と、前記配線層に接続された外部端子とを
備えた半導体装置において、前記フィルム状接着材とし
て、フィルム状基材の両面に、２５℃で固体であるエポ
キシ樹脂組成物に分子構造中にカルボキシル基を含有す
る架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子を
前記エポキシ樹脂組成物１００重量部に対して１００〜
２００重量部含有した接着剤組成物を配してなるフィル
ム状接着材（請求項２のフィルム状接着材）を用いたこ
とを特徴とする半導体装置である。According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor element having an electrode terminal on a surface, a wiring tape having a wiring layer for connecting the electrode terminal to an external terminal, the semiconductor element and the wiring In a semiconductor device having a film adhesive provided between the tape and a tape and an external terminal connected to the wiring layer, the film adhesive may be solid on both surfaces of a film substrate at 25 ° C. Fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure of the epoxy resin composition are 100 to 100 parts by weight of the epoxy resin composition.
A semiconductor device characterized by using a film-like adhesive (film-like adhesive of claim 2) in which an adhesive composition containing 200 parts by weight is arranged.

【００１６】本願の請求項９に記載された発明は、表面
に電極端子を有する半導体素子と、前記半導体素子の裏
面及び側面を支持する支持基板と、前記電極端子を外部
端子に接続するための配線層を有する配線テープと、前
記支持基板と前記配線テープとの間に設けられたフィル
ム状接着材と、前記配線層に接続された外部端子とを備
えた半導体装置において、前記フィルム状接着材とし
て、２５℃で固体であるエポキシ樹脂組成物に分子構造
中にカルボキシル基を含有する架橋型アクリロニトリル
ブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹脂組成物１
００重量部に対して１００〜２００重量部含有した接着
剤組成物からなるフィルム状接着材（請求項１のフィル
ム状接着材）を用いたことを特徴とする半導体装置であ
る。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having an electrode terminal on a front surface, a support substrate for supporting a back surface and a side surface of the semiconductor device, and a semiconductor device for connecting the electrode terminal to an external terminal. A semiconductor device comprising: a wiring tape having a wiring layer; a film adhesive provided between the support substrate and the wiring tape; and an external terminal connected to the wiring layer. The epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. is prepared by adding fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure to the epoxy resin composition 1
A semiconductor device using a film-like adhesive (film-like adhesive of claim 1) comprising an adhesive composition contained in an amount of 100 to 200 parts by weight with respect to 00 parts by weight.

【００１７】本願の請求項１０に記載された発明は、表
面に電極端子を有する半導体素子と、前記半導体素子の
裏面及び側面を支持する支持基板と、前記電極端子を外
部端子に接続するための配線層を有する配線テープと、
前記支持基板と前記配線テープとの間に設けられたフィ
ルム状接着材と、前記配線層に接続された外部端子とを
備えた半導体装置において、前記フィルム状接着材とし
て、フィルム状基材の両面に、２５℃で固体であるエポ
キシ樹脂組成物に分子構造中にカルボキシル基を含有す
る架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子を
前記エポキシ樹脂組成物１００重量部に対して１００〜
２００重量部含有した接着剤組成物を配してなるフィル
ム状接着材（請求項２のフィルム状接着材）を用いたこ
とを特徴とする半導体装置である。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having an electrode terminal on a front surface, a support substrate for supporting a back surface and a side surface of the semiconductor device, and a semiconductor device for connecting the electrode terminal to an external terminal. A wiring tape having a wiring layer,
In a semiconductor device provided with a film adhesive provided between the support substrate and the wiring tape, and an external terminal connected to the wiring layer, the film adhesive may be formed on both sides of a film substrate. In addition, the epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. is prepared by adding fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure to 100 to 100 parts by weight of the epoxy resin composition
A semiconductor device characterized by using a film-like adhesive (film-like adhesive of claim 2) in which an adhesive composition containing 200 parts by weight is arranged.

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】本発明において用いられるエポキ
シ樹脂組成物としては、２５℃で固体であるエポキシ樹
脂であれば特に制限されないが、例えば、ビスフェノー
ルＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ジヒドロ
キシナフタレン、ダイマー酸、レゾルシノール、ジシク
ロペンタジエンジフェノール、ジシクロペンタジエンジ
キシレノール、テルペンジフェノール、ビフェニル等の
ジグリシジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラッ
ク、エポキシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリ
スフェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロール
エタン、エポキシ化メタキシレンジアミン等の公知のエ
ポキシ樹脂のうちの一つ或いは複数の組み合わせを用い
ることができる。これらの配合量は、エポキシ等量から
計算できる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The epoxy resin composition used in the present invention is not particularly limited as long as it is an epoxy resin which is solid at 25 ° C., for example, bisphenol F, bisphenol A, bisphenol S, dihydroxynaphthalene, dimer Diglycidyl ethers such as acid, resorcinol, dicyclopentadiene diphenol, dicyclopentadiene dixylenol, terpene diphenol, biphenyl, epoxidized phenol novolak, epoxidized cresol novolac, epoxidized trisphenylolmethane, epoxidized tetraphenylolethane One or a combination of a plurality of known epoxy resins such as epoxidized meta-xylene diamine can be used. These amounts can be calculated from the epoxy equivalents.

【００１９】また、上記エポキシ系樹脂組成物には、エ
ポキシ樹脂の硬化剤を特性を損なわない範囲で添加する
ことは何等制限されない。例えば、硬化剤としてフェノ
ールノボラックやクレゾールノボラック等の水酸基を有
するノボラック樹脂、無水ピロメリット酸、無水ベンゾ
フェノン等の酸無水物及びアミン化合物等の公知のもの
のうちの一つ或いは複数の組み合わせを用いることがで
きる。The addition of a curing agent for the epoxy resin to the epoxy resin composition as long as the properties are not impaired is not limited at all. For example, as a curing agent, a novolak resin having a hydroxyl group such as phenol novolak or cresol novolak, pyromellitic anhydride, acid anhydrides such as benzophenone anhydride, and one or more combinations of known ones such as amine compounds may be used. it can.

【００２０】更には、必要に応じて硬化促進剤を特性を
損なわない範囲で添加することは何等制限されない。例
えば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルア
ミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキ
ル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−アル
キルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル
酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミ
ド、トリフェニルフォスフィン、ジアザビシクロウンデ
セン等の公知のものが使用できる。Further, if necessary, addition of a curing accelerator within a range that does not impair the properties is not limited at all. For example, aromatic polyamines, boron trifluoride amine complexes such as boron trifluoride triethylamine complex, imidazole derivatives such as 2-alkyl-4-methylimidazole and 2-phenyl-4-alkylimidazole, phthalic anhydride, triethyl anhydride Organic acids such as melitic acid, dicyandiamide, triphenylphosphine, and known compounds such as diazabicycloundecene can be used.

【００２１】本発明において用いられる、分子構造中に
カルボキシル基を含有する架橋型アクリロニトリルブタ
ジエン系ゴムの微粒子は、前記エポキシ樹脂組成物との
接着性、相溶性を向上する点から表面処理を施してもよ
い。前記ゴムの微粒子は、前記エポキシ樹脂組成物１０
０重量部に対して１００〜２００重量部含有する。これ
は、２００重量部を越えると、フィルム状接着材の表面
状態が悪くなり良好な接着状態が得られない。更には、
配線テープの配線層間に接着材組成物が良好に埋め込ま
れずボイドが発生したりする。１００重量部未満だと、
加熱圧着過程で接着材組成物の流れだしが起こり、半導
体素子或いは配線テープ外へのはみ出しが発生する。The fine particles of the crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure used in the present invention are subjected to a surface treatment from the viewpoint of improving the adhesion and the compatibility with the epoxy resin composition. Is also good. The rubber fine particles may be used in the epoxy resin composition 10
100 to 200 parts by weight based on 0 parts by weight. If the amount exceeds 200 parts by weight, the surface state of the film-like adhesive becomes poor, and a good adhesive state cannot be obtained. Furthermore,
The adhesive composition is not satisfactorily embedded between the wiring layers of the wiring tape, and voids are generated. If less than 100 parts by weight,
During the thermocompression bonding process, the adhesive composition starts to flow, and the adhesive composition protrudes outside the semiconductor element or the wiring tape.

【００２２】フィルム状接着材の製造は、まず接着材組
成物のワニスを製造することから始める。まず、前記エ
ポキシ樹脂を有機溶剤で溶解する。用いる有機溶剤とし
ては、エポキシ樹脂組成物を均一に溶解できるものであ
れば特に制限はない。例えば、ジメチルスルホキシド、
Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ、セロソルブアセテー
ト、ブチルセロソルブアセテート、シクロヘキサノン、
ブチルラクトン、１−アセトキシ−２−メトキシエタン
等の溶剤が使用される。これらは、２種類以上の混合溶
剤であってもよい。これに、好ましくはカップリング剤
を、接着材樹脂１００重量部に対して０〜１０重量部加
え混合する。カップリング剤の添加量が１０重量部を越
えると、得られるフィルム状接着材のぬれ性が悪く、接
着力も低下する。The production of the film adhesive begins with the production of a varnish of the adhesive composition. First, the epoxy resin is dissolved with an organic solvent. The organic solvent used is not particularly limited as long as it can uniformly dissolve the epoxy resin composition. For example, dimethyl sulfoxide,
N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, tetrahydrofuran, dioxane, monoglyme, diglyme, benzene, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, cyclohexanone,
Solvents such as butyl lactone and 1-acetoxy-2-methoxyethane are used. These may be a mixed solvent of two or more types. To this, preferably, a coupling agent is added and mixed in an amount of 0 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the adhesive resin. If the amount of the coupling agent exceeds 10 parts by weight, the wettability of the resulting film-like adhesive will be poor, and the adhesive strength will decrease.

【００２３】カップリング剤としては、シランカップリ
ング剤、すなわち、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキ
シシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エ
チルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、ビニルト
リエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メ
タクリロキシメトキシシラン等のビニルシラン、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプ
トプロピルトリメトキシシラン等のメルカプトシラン等
の他に、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネ
ート等のカップリング剤があり、これらの中でシランカ
ップリング剤が好ましく、エポキシシラン系カップリン
グ剤が特に好ましい。As the coupling agent, silane coupling agents, that is, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxy Epoxy silanes such as silane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinylsilane such as γ-methacryloxymethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyl In addition to aminosilanes such as trimethoxysilane, mercaptosilanes such as γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, titanates, aluminum chelates, and coupling agents such as zircoaluminate, among these, silane coupling agents are preferred. And an epoxysilane coupling agent are particularly preferred.

【００２４】その後、分子構造中にカルボキシル基を含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子をエポキシ樹脂組成物１００重量部に対して１００〜
２００重量部混合攪拌し、接着材組成物のワニスができ
る。分子構造中にカルボキシル基を含有する架橋型アク
リロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子の混合攪拌に
は、一般の微粒子の混合に用いられている方法を用いる
ことができる。例えば、３本ロール、ヘンシェルミキサ
ー等である。Thereafter, the fine particles of the crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure are added in an amount of 100 to 100 parts by weight of the epoxy resin composition.
By mixing and stirring 200 parts by weight, a varnish of the adhesive composition is formed. For mixing and stirring the fine particles of the crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure, a method used for mixing general fine particles can be used. For example, a three-roll, Henschel mixer or the like.

【００２５】以上の成分以外に、接着材の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤等の有機、無機成
分を添加することは何ら制限されるものではない。In addition to the above components, addition of organic and inorganic components such as an antioxidant and an ion scavenger is not limited as long as the properties of the adhesive are not impaired.

【００２６】更に、必要に応じて樹脂粒子、セラミック
粉、ガラス粉、銀粉、銅粉等のフィラー、その他の添加
剤を加えることもできる。Further, if necessary, fillers such as resin particles, ceramic powder, glass powder, silver powder, and copper powder, and other additives can be added.

【００２７】更には、無機化合物の微粒子を加えること
もできる。例えば、コロイダルシリカ、煙霧質シリカ、
結晶シリカ、溶融シリカ、酸化アルミニウム、酸化チタ
ン、酸化ジルコニウム等の無機物、更に、これらの末端
に水酸基、メチル基、メトキシ基、エチル基、エトキシ
基等の官能基を有するものが用いられる。ここで、コロ
イダルシリカとは、高分子量無水珪酸のコロイド溶液で
ある。これはシリカゾルとして市販されているもので、
通常水が分散媒であるが、有機溶媒を分散媒として用い
たオルガノシリカゾルも市販されている。本発明では樹
脂の溶解性の点から有機溶媒に分散したオルガノシリカ
ゾルが望ましい。また、煙霧質シリカとは、アエロジル
として市販されている乾式超微細シリカであり、樹脂や
溶媒への分散性の点から有機基で修飾されたアエロジル
が望ましい。その含有量は、樹脂分に対して樹脂組成物
１００重量部に対して、０〜４０重量部の範囲内である
ことが望ましい。４０重量部を超えると、フィルム状接
着材の弾性率が上昇し、応力を低減する効果が低下する
とともに接着強度が低下してしまう。Further, fine particles of an inorganic compound can be added. For example, colloidal silica, fumed silica,
Inorganic substances such as crystalline silica, fused silica, aluminum oxide, titanium oxide, and zirconium oxide, and those having a functional group such as a hydroxyl group, a methyl group, a methoxy group, an ethyl group, or an ethoxy group at their terminals are used. Here, the colloidal silica is a colloidal solution of high molecular weight silicic anhydride. This is commercially available as silica sol,
Usually, water is the dispersion medium, but organosilica sols using an organic solvent as the dispersion medium are also commercially available. In the present invention, an organosilica sol dispersed in an organic solvent is desirable from the viewpoint of the solubility of the resin. The fumed silica is dry ultrafine silica commercially available as Aerosil, and Aerosil modified with an organic group is desirable from the viewpoint of dispersibility in resins and solvents. The content is desirably in the range of 0 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin composition based on the resin component. If the amount exceeds 40 parts by weight, the elastic modulus of the film-like adhesive increases, the effect of reducing the stress decreases, and the adhesive strength decreases.

【００２８】本発明の単層のフィルム状接着材の製造
は、以下のようにして行う。まず、前記接着材組成物の
ワニスをガラス板、ステンレス板等の平板上、或いはポ
リエステル製フィルム（又はシート）等のベースフィル
ム上に均一に塗布する。この際の塗布方法は、特に制限
するものではない。例えば、ドクターブレードやナイフ
コーター、ダイコーター等の方法で塗布することができ
る。塗布後、加熱・乾燥し、その後室温に冷やした後、
これを平板又はベースフィルムから剥がすと、単層のフ
ィルム状接着材が得られる。The production of the single-layer film-like adhesive of the present invention is carried out as follows. First, the varnish of the adhesive composition is uniformly applied on a flat plate such as a glass plate or a stainless steel plate, or on a base film such as a polyester film (or sheet). The application method at this time is not particularly limited. For example, it can be applied by a method using a doctor blade, a knife coater, a die coater or the like. After application, heat and dry, then cool to room temperature,
When this is peeled off from a flat plate or a base film, a single-layer film-like adhesive is obtained.

【００２９】別の製造方法として、ガラス布、炭素繊維
布、ポリアラミド布等のフィルム状（又はシート状）の
通気性クロスに、前記混合液（又は混合物）を含浸さ
せ、これを加熱・乾燥させる方法もある。As another manufacturing method, a film-like (or sheet-like) gas-permeable cloth such as glass cloth, carbon fiber cloth, or polyaramid cloth is impregnated with the mixture (or mixture), and the mixture is heated and dried. There are ways.

【００３０】フィルム状接着材は、フィルム状基材の両
面に、前記フィルム状接着材を配してなる複層（基材も
一層として数える。）のフィルム状接着材でもよい。こ
こで用いられるフィルム状基材としては、ポリイミド、
ポリアミド、ポリサルフォン、ポリフェニレンサルファ
イド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート等
のエンジニアリングプラスチックの耐熱性フィルム、銅
箔、アルミ箔、ステンレス箔等の金属箔等がある。更に
は、ポリイミド、エポキシ、ポリエチレンテレフタレー
ト、セルロース、アセテート、ポリテトラフルオルエチ
レ等のフィルム或いは多孔質フィルムを用いることがで
きる。The film-like adhesive may be a multilayered film-like adhesive in which the above-mentioned film-like adhesive is disposed on both sides of a film-like substrate (the substrate is also counted as one layer). As the film-like substrate used here, polyimide,
There are heat-resistant films of engineering plastics such as polyamide, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyetheretherketone, and polyarylate, and metal foils such as copper foil, aluminum foil, and stainless steel foil. Further, a film or a porous film of polyimide, epoxy, polyethylene terephthalate, cellulose, acetate, polytetrafluoroethylene, or the like can be used.

【００３１】前記耐熱性フィルムは、接着材樹脂のＴｇ
より高いＴｇをもつフィルムが使用される。使用する接
着材樹脂のＴｇに応じ適宜選択すればよいが、通常は２
００℃以上、好ましくは２５０℃以上のものを使用す
る。また、この耐熱性フィルムは、吸水率が２重量％以
下のもの、熱膨張係数が３×１０-5／℃以下のものが更
に好ましい。このような特性を満たす耐熱性フィルムの
一つはポリイミドフィルムである。The heat-resistant film is made of an adhesive resin having a Tg of
Films with higher Tg are used. It may be appropriately selected according to the Tg of the adhesive resin to be used.
Those having a temperature of 00 ° C or higher, preferably 250 ° C or higher are used. Further, it is more preferable that the heat-resistant film has a water absorption of 2% by weight or less and a coefficient of thermal expansion of 3 × 10 −5 / ° C. or less. One of the heat-resistant films satisfying such characteristics is a polyimide film.

【００３２】また、前記耐熱性フィルムは、接着材樹脂
との接着性を増すために表面処理を施すことが好まし
い。表面処理の方法としては、アルカリ処理、シランカ
ップリング処理等の化学処理、サンドブラスト等の物理
的処理、プラズマ処理、コロナ処理等のいずれの処理も
使用可能である。接着材樹脂の種類に応じて最も適した
処理を用いればよいが、化学処理またはプラズマ処理が
特に適している。It is preferable that the heat-resistant film is subjected to a surface treatment in order to increase the adhesiveness with an adhesive resin. As the surface treatment method, any treatment such as chemical treatment such as alkali treatment and silane coupling treatment, physical treatment such as sandblasting, plasma treatment, corona treatment and the like can be used. The most suitable treatment may be used depending on the type of the adhesive resin, but a chemical treatment or a plasma treatment is particularly suitable.

【００３３】本発明における複層のフィルム状接着材の
製造は、次のようにして行う。まず、前記接着材組成物
のワニスを前記耐熱性フィルムのフィルム基材上に均一
に塗布する。塗布方法は、前記したように、例えば、ド
クターブレードやナイフコーター、ダイコーター等の方
法で塗布することができる。また、フィルム基材（耐熱
性フィルム又は金属箔）をワニス液中に通すことによっ
ても行うことができる。塗布後、加熱・乾燥し、その後
室温に冷やすと複層のフィルム状接着材が得られる。加
熱・乾燥の条件は前記単層のフィルム状接着材の場合の
条件と同様である。なお、フィルム基材の両面に耐熱性
接着材ワニスを塗布する場合、両側に塗布される耐熱性
接着材は同一でも異なっていてもよい。The production of the multi-layer film adhesive in the present invention is carried out as follows. First, a varnish of the adhesive composition is uniformly applied on a film substrate of the heat-resistant film. As described above, for example, the coating can be performed by a doctor blade, a knife coater, a die coater, or the like. Alternatively, it can be performed by passing a film substrate (heat-resistant film or metal foil) through a varnish liquid. After application, heating and drying, and then cooling to room temperature, a multi-layer film adhesive is obtained. The heating and drying conditions are the same as the conditions for the single-layer film adhesive. When the heat-resistant adhesive varnish is applied to both sides of the film substrate, the heat-resistant adhesive applied to both sides may be the same or different.

【００３４】更に、本発明の複層のフィルム状接着材を
製造する別の方法としては、次に記す方法もある。ま
ず、単層のフィルム状接着材を製造する方法と同様に前
記接着材組成物のワニスをポリエステル製フィルム（又
はシート）等のベースフィルム上に均一に塗布する。こ
の際の塗布方法は特に制限するものではない。例えば、
ドクターブレードやナイフコーター、ダイコーター等の
方法で塗布することができる。塗布後、加熱・乾燥した
後、前記耐熱性基材フィルムに該接着材面が接するよう
に貼り合せる。貼り合せる方法は、接着材面とフィルム
基材面がボイド等の発生がなく密着していれば何でもよ
く、例えばラミネータ等を用いてもよい。貼り合せる温
度、圧力、速度等の条件は接着材組成物のガラス転移温
度、軟化点等の熱物性に応じて決めればよい。更に、フ
ィルム基材の両面にフィルム状接着材を貼り合せてもよ
い。また、両面に異なる組成のフィルム状接着材を貼り
合せてもよい。Further, as another method for producing the multilayer film-like adhesive of the present invention, there is the following method. First, the varnish of the adhesive composition is uniformly applied on a base film such as a polyester film (or sheet) in the same manner as in the method for producing a single-layer film-like adhesive. The application method at this time is not particularly limited. For example,
It can be applied by a method using a doctor blade, knife coater, die coater or the like. After the application, heating and drying, the adhesive is bonded to the heat-resistant base film so that the surface of the adhesive is in contact with the film. Any method may be used as long as the adhesive surface and the film substrate surface are in close contact with each other without generation of voids or the like. For example, a laminator may be used. Conditions such as the temperature, pressure, and speed for bonding may be determined according to the thermophysical properties such as the glass transition temperature and the softening point of the adhesive composition. Further, a film adhesive may be attached to both sides of the film substrate. Further, film adhesives having different compositions may be attached to both surfaces.

【００３５】本発明の半導体装置の製造方法としては、
少なくとも、１．単層或いは複層のフィルム状接着材を
何らかの適当な手法により配線層を有する配線テープ上
に貼り付け、フィルム状接着材付き配線テープを製造す
る工程、２．該フィルム状接着材付き配線テープにフィ
ルム状接着材を介して半導体素子を接着する工程、３．
配線テープ上の配線層と半導体素子を電気的に接続する
工程、４．実装基板と接続するための外部端子を配線テ
ープ上に形成する工程、からなる。As a method of manufacturing a semiconductor device of the present invention,
At least 1. 1. a step of attaching a single-layer or multi-layer film-like adhesive to a wiring tape having a wiring layer by any suitable method to produce a wiring tape with a film-like adhesive; 2. bonding a semiconductor element to the wiring tape with a film-like adhesive via the film-like adhesive;
3. a step of electrically connecting a wiring layer on the wiring tape to the semiconductor element; Forming external terminals for connecting to the mounting board on the wiring tape.

【００３６】[0036]

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。The present invention will be described below in more detail with reference to examples.

【００３７】（実施例１〜７）エポキシ樹脂、硬化剤、
硬化促進剤、ゴム及び溶媒を表１の実施例１〜７に示す
割合で用い、フィルム状接着材組成物を作製した。表
中、エピコート１００２、エピコート１００３、エピコ
ート１００４（いずれも油化シェル製）は、２５℃で固
形のエポキシ樹脂であり、ＸＥＲ−９１（ＪＳＲ製）は
カルボキシル基をその分子構造中に含有する架橋型アク
リロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子である。更に、
作製したフィルム状接着材組成物を厚さ２０μｍのポリ
エチレンテレフタレートフィルムにナイフコーターを用
いて２００μｍの厚さに均一に塗布し、１５０℃で１０
分間乾燥し、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム
上に６０μｍの厚さのフィルム状接着材を得た。(Examples 1 to 7) Epoxy resin, curing agent,
A film-shaped adhesive composition was prepared using a curing accelerator, a rubber and a solvent in the proportions shown in Examples 1 to 7 in Table 1. In the table, Epicoat 1002, Epicoat 1003, and Epicoat 1004 (all manufactured by Yuka Shell) are epoxy resins that are solid at 25 ° C., and XER-91 (manufactured by JSR) is a crosslink containing a carboxyl group in its molecular structure. Of acrylonitrile-butadiene rubber. Furthermore,
The prepared film-like adhesive composition was uniformly applied to a 20 μm-thick polyethylene terephthalate film with a knife coater to a thickness of 200 μm,
After drying for a minute, a film adhesive having a thickness of 60 μm was obtained on the polyethylene terephthalate film.

【００３８】更に、作製したフィルム状接着材の裏面の
ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離除去した
後、打ち抜き型で１２mm×１２mmの大きさに型抜きし、
同時に配線テープの半導体素子を接着する面に貼り付け
た。Further, after the polyethylene terephthalate film on the back surface of the produced film adhesive was peeled off and removed, it was punched out into a size of 12 mm × 12 mm by a punching die.
At the same time, it was attached to the surface of the wiring tape to which the semiconductor element was bonded.

【００３９】この際打ち抜き型へのタック性を評価し
た。評価法はサンプル総数１００個のうち、打ち抜き型
に貼り付いた個数とし、その結果を打ち抜き型へのタッ
ク性として表１に示した。At this time, the tackiness to the punching die was evaluated. The evaluation method was the number of samples adhered to the punching die out of a total of 100 samples, and the results are shown in Table 1 as tackiness to the punching die.

【００４０】更に、フィルム状接着材を貼り付けた配線
テープのフィルム状接着材側に１２mm×１２mmの大きさ
の半導体素子をフィルム状接着材に位置合わせをして設
置し、２００℃、５秒、５kgで圧着し、１８０℃９０分
恒温層中で硬化を行った。Further, a semiconductor element having a size of 12 mm × 12 mm was placed on the film adhesive side of the wiring tape to which the film adhesive was adhered, aligned with the film adhesive, and placed at 200 ° C. for 5 seconds. 5 kg, and cured in a thermostat at 180 ° C. for 90 minutes.

【００４１】その後、配線テープ側から顕微鏡を用い
て、配線テープ表面の配線間のボイド発生の有無及び半
導体素子外周部からのフィルム状接着材のはみ出しの発
生状況を顕微鏡で観察した。サンプル数は各３０個と
し、ボイド、はみ出しが発生したサンプル数をボイド発
生及びはみ出し発生として表１に示す。Thereafter, using a microscope from the wiring tape side, the presence or absence of voids between wirings on the surface of the wiring tape and the state of occurrence of protrusion of the film adhesive from the outer peripheral portion of the semiconductor element were observed with a microscope. The number of samples was 30 each, and the number of samples in which voids and protrusions occurred are shown in Table 1 as voids and protrusions.

【００４２】更に、配線テープとフィルム状接着材との
接着強度を、配線テープをフィルム状接着材面から垂直
に引き剥がすピール強度で評価した。なお、接着強度は
サンプル作製直後と耐湿試験ＰＣＴ（プレッシャクッカ
テスト：１２１℃、１００％ＲＨ、２atm ）４００時間
後のサンプルについて測定した。サンプル数は各１０個
とし、その平均値を配線テープ接着強度として表１に示
す。Further, the adhesive strength between the wiring tape and the film adhesive was evaluated by the peel strength of peeling the wiring tape vertically from the film adhesive surface. The adhesive strength was measured for the sample immediately after preparation of the sample and for 400 hours after the moisture resistance test PCT (pressure cooker test: 121 ° C., 100% RH, 2 atm). The number of samples was 10 each, and the average value is shown in Table 1 as the adhesive strength of the wiring tape.

【００４３】（比較例１〜６）エポキシ樹脂、硬化剤、
硬化促進剤、ゴム、及び溶媒を表２の比較例１〜６に示
す割合で用い、フィルム状接着材組成物を作製した。表
中でエピコート８２８、エピコート８３４（いずれも油
化シェル製）はそれぞれ２５℃で液状、半固形のエポキ
シ樹脂であり、＃５００１（帝国化学製）は溶媒に可溶
の高分子アクリルゴム、Ｅ−５００（東レダウコーニン
グ製）はシリコーン微粒子である。更に、作製したフィ
ルム状接着材組成物を用いて実施例１〜７の場合と同様
の方法でフィルム状接着材を作製し、打ち抜き型へのタ
ック性、半導体素子貼り付け後のボイド発生、はみ出し
発生の評価、配線テープ接着強度の評価を行った。その
結果を表２に示す。(Comparative Examples 1 to 6) Epoxy resin, curing agent,
Using a curing accelerator, a rubber, and a solvent at the ratios shown in Comparative Examples 1 to 6 in Table 2, a film-shaped adhesive composition was produced. In the table, Epicoat 828 and Epicoat 834 (both made of Yuka Shell) are liquid and semi-solid epoxy resins at 25 ° C., respectively, and # 5001 (made by Teikoku Chemical) is a polymer acrylic rubber soluble in a solvent, E -500 (manufactured by Toray Dow Corning) is silicone fine particles. Further, using the prepared film-like adhesive composition, a film-like adhesive was prepared in the same manner as in Examples 1 to 7, and tackiness to a punching die, generation of voids after attaching a semiconductor element, and protrusion. Evaluation of occurrence and evaluation of wiring tape adhesive strength were performed. Table 2 shows the results.

【００４４】[0044]

【表１】 [Table 1]

【００４５】[0045]

【表２】 [Table 2]

【００４６】表１，２の実施例１〜３及び比較例１〜２
からわかるように、２５℃で固形のエポキシ樹脂を用い
て作製したフィルム状接着材（実施例１〜３）は、２５
℃で液状或いは半固形のエポキシ樹脂を用いて作製した
フィルム状接着材（比較例１〜２）と比較して、打ち抜
き型へのタック性もなく、半導体素子を貼り付けた際の
ボイドの発生やはみ出しの発生も全く観察されず、配線
テープとの接着強度もより高いフィルム状接着材となっ
ている。Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 in Tables 1 and 2
As can be seen from FIG. 2, the film-like adhesive (Examples 1 to 3) produced using a solid epoxy resin at 25 ° C.
As compared with a film adhesive (comparative examples 1 and 2) prepared using a liquid or semi-solid epoxy resin at a temperature of ℃, there is no tackiness to a punching die and generation of voids when a semiconductor element is attached. No protrusion is observed at all, and the adhesive strength to the wiring tape is higher.

【００４７】更に、表１，２の実施例１及び比較例３か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子を用いて作製したフィルム状接着材（実施例１）は、
高分子アクリルゴムを用いて作製したフィルム状接着材
（比較例３）と比較して、打ち抜き型へのタック性もな
く、半導体素子を貼り付けた際のボイドの発生やはみ出
しの発生も全く観察されず、耐湿試験後の配線テープと
の接着性もより高いフィルム状接着材となっている。Further, as can be seen from Examples 1 and Comparative Example 3 in Tables 1 and 2, a film-like adhesive material prepared using fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure ( Example 1)
Compared with a film-like adhesive made using a high-molecular acrylic rubber (Comparative Example 3), there is no tackiness to the punching die, and no generation of voids or protrusions when attaching a semiconductor element is observed. However, it is a film adhesive having higher adhesiveness with the wiring tape after the moisture resistance test.

【００４８】更に、表１，２の実施例１及び比較例４か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子を用いて作製したフィルム状接着材（実施例１）は、
シリコーンゴム微粒子を用いて作製したフィルム状接着
材（比較例４）と比較して、初期ならびに耐湿試験後の
配線テープとの接着性がより高いフィルム状接着材とな
っている。Further, as can be seen from Examples 1 and Comparative Example 4 in Tables 1 and 2, a film-like adhesive material prepared by using fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure ( Example 1)
Compared to the film adhesive prepared using the silicone rubber fine particles (Comparative Example 4), the film adhesive has higher adhesiveness to the wiring tape at the initial stage and after the moisture resistance test.

【００４９】更に、表１，２の実施例１及び実施例４〜
７及び比較例５〜６からわかるように、エポキシ樹脂１
００重量部とカルボキシル基をその分子構造中に含有す
る架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子を
１００〜２００重量部とを用いて作製されたフィルム状
接着材は、１００重量部より少ない場合（比較例５）に
発生する半導体素子を貼り付ける際のはみ出しが発生せ
ず、２００重量部より多い場合（比較例６）に発生する
ボイドの発生を防ぐことができる。Furthermore, Examples 1 and 4 to 4 of Tables 1 and 2
7 and Comparative Examples 5 to 6, epoxy resin 1
When the amount of the film-shaped adhesive prepared using 100 to 200 parts by weight of the crosslinked acrylonitrile-butadiene-based rubber fine particles containing 00 parts by weight and a carboxyl group in its molecular structure is less than 100 parts by weight (Comparative Example) No protrusion occurs when attaching the semiconductor element generated in 5), and the generation of voids generated when the semiconductor element is more than 200 parts by weight (Comparative Example 6) can be prevented.

【００５０】このように、本発明のように２５℃で固体
であるエポキシ系樹脂組成物及びカルボキシル基をその
分子構造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエ
ン系ゴムの微粒子をエポキシ樹脂１００重量部に対して
１００〜２００重量部含むことを特徴とするフィルム状
接着材は、打ち抜き型へのタック性や、半導体素子の貼
り付け時に発生するボイドやはみ出しもなく、配線テー
プとの接着性が高く、半導体装置の製造に適したフィル
ム状接着材であることがわかる。As described above, the fine particles of the epoxy resin composition and the crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber having a carboxyl group in its molecular structure, which are solid at 25 ° C. as in the present invention, are added to 100 parts by weight of the epoxy resin. The film-like adhesive characterized in that it contains 100 to 200 parts by weight, has no tackiness to a punching die, no voids or protrusions generated when attaching a semiconductor element, has high adhesiveness to a wiring tape, It can be seen that the film-like adhesive is suitable for manufacturing the device.

【００５１】（実施例８〜１４）エポキシ樹脂、硬化
剤、硬化促進剤、ゴム及び溶媒を表３の実施例８〜１４
に示す割合で用い、フィルム状接着材組成物を作製し
た。作製したフィルム状接着材組成物を厚さ２０μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルムに２００μｍの厚
さに均一に塗布し、１５０℃で１０分間乾燥し、前記し
たポリエチレンテレフタレートフィルム上に６０μｍの
厚さのフィルム状接着材を得た。その後、厚さ５０μｍ
のポリイミドフィルム基材（宇部興産、ユーピレックス
５０ＳＧＡ）の両面に前記したポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに塗付・乾燥された接着材面をラミネータ
ーにて１５０℃、４kg／cm、１．０ｍ/minの条件で貼り
付け、複層のフィルム状接着材を得た。その後、実施例
１〜７の場合と同様に打ち抜き型へのタック性、半導体
素子貼り付け後のボイド発生、はみ出し発生の評価、配
線テープ接着強度の評価を行った。その結果を表３に示
す。(Examples 8 to 14) Epoxy resins, curing agents, curing accelerators, rubbers and solvents were used in Examples 8 to 14 of Table 3.
The film-shaped adhesive composition was prepared using the ratios shown in Table 1. The prepared film-like adhesive composition is uniformly applied to a 20 μm-thick polyethylene terephthalate film to a thickness of 200 μm, dried at 150 ° C. for 10 minutes, and adhered to the above-mentioned polyethylene terephthalate film at a thickness of 60 μm. Wood was obtained. After that, thickness of 50μm
Adhesive coated and dried on the above polyethylene terephthalate film on both sides of polyimide film base material (Ube Industries, Upilex 50SGA) by a laminator at 150 ° C, 4 kg / cm, 1.0 m / min. To obtain a multilayer adhesive film. Then, similarly to Examples 1 to 7, tackiness to a punching die, generation of voids after sticking a semiconductor element, evaluation of protrusion, and evaluation of wiring tape adhesive strength were performed. Table 3 shows the results.

【００５２】（比較例７〜１２）エポキシ樹脂、硬化
剤、硬化促進剤、ゴム及び溶媒を表４の比較例７〜１２
に示す割合で用い、フィルム状接着材組成物を作製し
た。更に、実施例８〜１４と同様の方法で複層のフィル
ム状接着材を得た。その後、実施例８〜１４の場合と同
様に打ち抜き型へのタック性、半導体素子貼り付け後の
ボイド発生、はみ出し発生の評価、配線テープ接着強度
の評価を行った。その結果を表４に示す。Comparative Examples 7 to 12 Epoxy resins, curing agents, curing accelerators, rubbers and solvents were used in Comparative Examples 7 to 12 in Table 4.
The film-shaped adhesive composition was prepared using the ratios shown in Table 1. Further, a multilayer film-like adhesive was obtained in the same manner as in Examples 8 to 14. Then, similarly to the case of Examples 8 to 14, tackiness to a punching die, generation of voids and sticking out after attaching a semiconductor element, and evaluation of wiring tape adhesive strength were performed. Table 4 shows the results.

【００５３】[0053]

【表３】 [Table 3]

【００５４】[0054]

【表４】 [Table 4]

【００５５】表３，４の実施例８〜１０及び比較例７〜
８からわかるように、２５℃で固形のエポキシ樹脂を用
いて作製した複層のフィルム状接着材（実施例８〜１
０）は、２５℃で液状或いは半固形のエポキシ樹脂を用
いて作製した複層のフィルム状接着材（比較例７〜８）
と比較して、打ち抜き型へのタック性もなく、半導体素
子を貼り付けた際のボイドの発生やはみ出しの発生も全
く観察されず、配線テープとの接着強度もより高いフィ
ルム状接着材となっている。Examples 8 to 10 in Tables 3 and 4 and Comparative Examples 7 to
As can be seen from FIG. 8, a multi-layered film-like adhesive prepared using a solid epoxy resin at 25 ° C. (Examples 8 to 1)
0) is a multi-layered film-like adhesive prepared using a liquid or semi-solid epoxy resin at 25 ° C. (Comparative Examples 7 to 8)
Compared with, there is no tackiness to the punching die, no generation of voids or protrusion when attaching the semiconductor element is observed at all, and the adhesive strength to the wiring tape becomes a film adhesive material with higher adhesive strength ing.

【００５６】更に、表３，４の実施例８及び比較例９か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子を用いて作製した複層のフィルム状接着材（実施例
８）は、高分子アクリルゴムを用いて作製した複層のフ
ィルム状接着材（比較例９）と比較して、打ち抜き型へ
のタック性もなく、半導体素子を貼り付けた際のボイド
の発生やはみ出しの発生も全く観察されず、耐湿試験後
の配線テープとの接着性もより高いフィルム状接着材と
なっている。Further, as can be seen from Examples 8 and Comparative Example 9 in Tables 3 and 4, a multi-layer film formed using fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure. The adhesive (Example 8) was affixed with a semiconductor element without tackiness to a punching die as compared with a multilayer film-like adhesive (Comparative Example 9) produced using a high-molecular acrylic rubber. At this time, no voids or protrusions were observed at all, and a film-like adhesive having higher adhesion to the wiring tape after the moisture resistance test was obtained.

【００５７】更に、表３，４の実施例８及び比較例１０
からわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に
含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微
粒子を用いて作製した複層のフィルム状接着材（実施例
８）は、シリコーンゴムの微粒子を用いて作製した複層
のフィルム状接着材（比較例１０）と比較して、初期な
らびに耐湿試験後の配線テープとの接着性がより高いフ
ィルム状接着材となっている。Further, Examples 8 and Comparative Example 10 in Tables 3 and 4
As can be seen from the figure, the multilayered film adhesive prepared using fine particles of crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure (Example 8) was prepared using fine particles of silicone rubber. Compared with the multilayered film adhesive (Comparative Example 10), the adhesiveness to the wiring tape at the initial stage and after the moisture resistance test is higher.

【００５８】更に、表３，４の実施例８及び実施例１１
〜１４及び比較例１１〜１２からわかるように、エポキ
シ樹脂１００重量部に対してカルボキシル基をその分子
構造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系
ゴムの微粒子を１００〜２００重量部用いて作製された
複層のフィルム状接着材は、１００重量部より少ない場
合（比較例１１）に発生する半導体素子を貼り付ける際
のはみ出しが発生せず、２００重量部より多い場合（比
較例１２）に発生するボイドの発生を防ぐことができ
る。Further, Examples 8 and 11 shown in Tables 3 and 4 were used.
As can be seen from Comparative Examples 11 to 12, and 100 to 200 parts by weight of epoxy resin, 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure was used. The multilayer film adhesive does not protrude when the semiconductor element is attached when the amount is less than 100 parts by weight (Comparative Example 11) and occurs when the amount is more than 200 parts by weight (Comparative Example 12). The generation of voids can be prevented.

【００５９】このように、本発明のように２５℃で固体
であるエポキシ系樹脂組成物及びカルボキシル基をその
分子構造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエ
ン系ゴムの微粒子をエポキシ樹脂１００重量部に対して
１００〜２００重量部含むことを特徴とするフィルム状
接着材がフィルム状基材の両面に接してなる複層のフィ
ルム状接着材は、打ち抜き型へのタック性や、半導体素
子の貼り付け時に発生するボイドやはみ出しもなく、配
線テープとの接着性が高く、半導体装置の製造に適した
フィルム状接着材であることがわかる。As described above, the fine particles of the epoxy resin composition and the crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber having a carboxyl group in its molecular structure, which are solid at 25 ° C. as in the present invention, are added to 100 parts by weight of the epoxy resin. The film-like adhesive characterized in that it contains 100 to 200 parts by weight, the multilayer film-like adhesive in which the film-like adhesive is in contact with both surfaces of the film-like base material has a tackiness to a punching die, No voids or protrusions occur, and the adhesiveness to the wiring tape is high, indicating that the film-like adhesive is suitable for manufacturing semiconductor devices.

【００６０】（実施例１５〜２１）実施例１５〜２１と
しては、表５に示したように、実施例１〜７で作製した
フィルム状接着材を用いて、実施例１〜７の場合と同様
に配線テープに打ち抜き貼り付け、この配線テープにフ
ィルム状接着剤を介して半導体素子を貼り付けた後、配
線テープ上の配線層を接続用リードとして用いて半導体
素子の電極端子とシングルポイントボンディングにより
電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日
立化成、ＲＣ０２１Ｃ）で封止した。最後に、配線テー
プ上に実装基板との接続端子である半田ボールを取り付
けて図１に示す半導体装置を得た。(Examples 15 to 21) As shown in Table 5, the examples 15 to 21 used the film adhesives prepared in Examples 1 to 7, Similarly, after punching and affixing to a wiring tape, a semiconductor element is affixed to the wiring tape via a film adhesive, and single-point bonding is performed with the electrode terminal of the semiconductor element using the wiring layer on the wiring tape as a connection lead. For electrical connection. The connection portion was sealed with an epoxy-based sealing material (Hitachi Chemical, RC021C). Finally, a solder ball as a connection terminal with the mounting board was attached on the wiring tape to obtain the semiconductor device shown in FIG.

【００６１】図１において、１は半導体素子、２はフィ
ルム状接着材、３は配線テープ、４は配線テープ３の基
材であるポリイミドフィルム、５は配線テープ３の配線
層を構成する金めっき銅配線、６はエポキシ系封止材、
７は半導体素子１の電極端子であるアルミニウムパッ
ド、８は配線テープ３の配線層の一部からなる接続リー
ド、９は外部端子としての半田ボールを夫々示す。In FIG. 1, 1 is a semiconductor element, 2 is a film adhesive, 3 is a wiring tape, 4 is a polyimide film which is a base material of the wiring tape 3, and 5 is gold plating constituting a wiring layer of the wiring tape 3 Copper wiring, 6 is an epoxy sealing material,
Reference numeral 7 denotes an aluminum pad serving as an electrode terminal of the semiconductor element 1, reference numeral 8 denotes a connection lead formed from a part of a wiring layer of the wiring tape 3, and reference numeral 9 denotes a solder ball as an external terminal.

【００６２】得られた半導体装置をＪＥＤＥＣの耐リフ
ロー性評価法レベル１及びレベル２に基づき、耐リフロ
ー性を評価した。具体的には、レベル２は８５℃／６０
％ＲＨの恒温恒湿層で１６８時間吸湿後、最高温度２４
５℃の赤外線リフロー炉にてリフロー処理を３回行い、
半導体装置内の発泡現象による剥離、ボイド等の欠陥の
発生を顕微鏡で観察した。また、レベル１は８５℃／８
５％ＲＨの恒温恒湿層で１６８時間吸湿後、レベル２同
様最高温度２４５℃の赤外線リフロー炉にてリフロー処
理を３回行い、半導体装置内の発泡現象による剥離、ボ
イド等の欠陥の発生を顕微鏡で観察した。リフロー試験
にかけた半導体装置の個数は各３０個とした。剥離、ボ
イドの発生した半導体装置の個数を耐リフロー性不良と
して表５に示す。The obtained semiconductor device was evaluated for reflow resistance according to JEDEC's reflow resistance evaluation method level 1 and level 2. Specifically, level 2 is 85 ° C / 60
% RH after absorbing moisture for 168 hours in a constant-temperature and constant-humidity layer.
Perform the reflow process three times in a 5 ° C infrared reflow furnace,
The occurrence of defects such as peeling and voids due to the foaming phenomenon in the semiconductor device was observed with a microscope. Level 1 is 85 ° C / 8
After absorbing moisture for 168 hours in a constant-temperature and constant-humidity layer of 5% RH, reflow treatment is performed three times in an infrared reflow furnace at a maximum temperature of 245 ° C. as in level 2, and defects such as peeling and voids due to a foaming phenomenon in the semiconductor device are generated. Observed under a microscope. The number of semiconductor devices subjected to the reflow test was 30 each. Table 5 shows the number of semiconductor devices in which peeling and voids occurred as poor reflow resistance.

【００６３】更に、得られた半導体装置をプレッシャク
ッカテストＰＣＴ（１２１℃／１００％ＲＨ、２atm ）
を４００時間行い、配線テープや半田ボールの電気的導
通を測定した。プレッシャクッカテストにかけた半導体
装置の個数は各３０個とした。測定の結果、導通してい
ないサンプルの数を耐湿性不良として表５に示す。Further, the obtained semiconductor device was subjected to a pressure cooker test PCT (121 ° C./100% RH, 2 atm).
Was performed for 400 hours, and the electrical continuity of the wiring tape and the solder balls was measured. The number of semiconductor devices subjected to the pressure cooker test was 30 each. As a result of the measurement, Table 5 shows the number of non-conductive samples as poor moisture resistance.

【００６４】更に、得られた半導体装置を実装基板に半
田ボールを介して接続実装し、温度サイクル試験にかけ
た。試験条件は−５５℃／１０分、１５０℃／１０分、
−５５℃／１０分の繰り返しを１０００回行い、配線テ
ープや半田ボールの電気的導通を測定した。温度サイク
ル試験にかけた半導体装置の個数は各３０個とした。測
定の結果、導通していないサンプルの数を温度サイクル
性不良として表５に示す。Further, the obtained semiconductor device was connected and mounted on a mounting substrate via solder balls, and subjected to a temperature cycle test. The test conditions were −55 ° C./10 minutes, 150 ° C./10 minutes,
The repetition at −55 ° C./10 minutes was performed 1,000 times, and the electrical continuity of the wiring tape and the solder balls was measured. The number of semiconductor devices subjected to the temperature cycle test was 30 each. As a result of the measurement, the number of non-conductive samples is shown in Table 5 as poor temperature cycle property.

【００６５】（比較例１３〜１８）比較例１３〜１８と
しては、表３に示したように、比較例１〜６で作製した
フィルム状接着材を用いて、実施例１５〜２１の場合と
同様にして図１に示す半導体装置を得た。(Comparative Examples 13 to 18) As Comparative Examples 13 to 18, as shown in Table 3, the film-like adhesives produced in Comparative Examples 1 to 6 were used, Similarly, the semiconductor device shown in FIG. 1 was obtained.

【００６６】得られた半導体装置は、実施例１５〜２１
の場合と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度サイク
ル性を評価した。得られた結果を表５に示す。The obtained semiconductor devices are shown in Examples 15 to 21.
The reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle property were evaluated in the same manner as in the case of. Table 5 shows the obtained results.

【００６７】[0067]

【表５】 [Table 5]

【００６８】表５の実施例１５〜１７及び比較例１３〜
１４からわかるように、２５℃で固形のエポキシ樹脂を
用いて作製したフィルム状接着材を配線テープと半導体
素子の間に配置し、両者の接着材として用いた半導体装
置（実施例１５〜１７）は、２５℃で液状或いは半固形
のエポキシ樹脂を用いて作製したフィルム状接着材を配
線テープと半導体素子の間に配置し、両者の接着材とし
て用いた半導体装置（比較例１３〜１４）と比較して、
耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性ともに優れた半
導体装置となっている。Examples 15 to 17 of Table 5 and Comparative Examples 13 to
As can be seen from FIG. 14, a semiconductor device in which a film-like adhesive prepared using a solid epoxy resin at 25 ° C. was disposed between a wiring tape and a semiconductor element and used as an adhesive for both (Examples 15 to 17) Is a semiconductor device (Comparative Examples 13 to 14) in which a film adhesive prepared using a liquid or semi-solid epoxy resin at 25 ° C. is disposed between a wiring tape and a semiconductor element, and both are used as an adhesive. Compared to,
The semiconductor device has excellent reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle properties.

【００６９】更に、表５の実施例１５及び比較例１５か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子
を用いて作製したフィルム状接着材を配線テープと半導
体素子の間に配置し、両者の接着材として用いた半導体
装置（実施例１５）は、高分子アクリルゴムを用いて作
製したフィルム状接着材を配線テープと半導体素子の間
に配置し、両者の接着材として用いた半導体装置（比較
例１５）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、温度サイ
クル性ともに優れた半導体装置となっている。Further, as can be seen from Example 15 and Comparative Example 15 in Table 5, a film-like adhesive prepared using crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber fine particles containing a carboxyl group in its molecular structure was used as a wiring tape. In the semiconductor device (Example 15) which was arranged between the semiconductor elements and used as an adhesive between them, a film-like adhesive produced using a polymer acrylic rubber was arranged between the wiring tape and the semiconductor element. As compared with the semiconductor device (Comparative Example 15) used as the adhesive material of Example 1, the semiconductor device is excellent in reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle property.

【００７０】更に、表５の実施例１５及び比較例１６か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子を用いて作製したフィルム状接着材を配線テープと半
導体素子の間に配置し、両者の接着材として用いた半導
体装置（実施例１５）は、シリコーンゴムの微粒子を用
いて作製したフィルム状接着材を配線テープと半導体素
子の間に配置し、両者の接着材として用いた半導体装置
（比較例１６）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、温
度サイクル性ともに優れた半導体装置となっている。Further, as can be seen from Example 15 and Comparative Example 16 in Table 5, a film adhesive prepared using fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure was used as a wiring tape. In the semiconductor device (Example 15) which was disposed between the semiconductor element and the semiconductor element and used as an adhesive between them, a film-like adhesive prepared using fine particles of silicone rubber was disposed between the wiring tape and the semiconductor element, As compared with the semiconductor device (Comparative Example 16) used as an adhesive for both, the semiconductor device is excellent in reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle property.

【００７１】更に、表５の実施例１５及び実施例１８〜
２１及び比較例１７〜１８からわかるように、エポキシ
樹脂１００重量部に対してカルボキシル基をその分子構
造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴ
ムの微粒子を１００〜２００重量部用いて作製されたフ
ィルム状接着材を配線テープと半導体素子の間に配置し
両者の接着材として用いた半導体装置は、１００重量部
より少ない場合（比較例１７）と比較して耐リフロー性
及び温度サイクル性に優れ、２００重量部より多い場合
（比較例１８）と比較して耐リフロー性に優れている。Further, Examples 15 and 18 to 18 of Table 5
21 and Comparative Examples 17 to 18, a film produced using 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure with respect to 100 parts by weight of an epoxy resin. The semiconductor device in which the adhesive in the form of a wire is disposed between the wiring tape and the semiconductor element and used as an adhesive for the two is superior in reflow resistance and temperature cycle property as compared with the case where the amount is less than 100 parts by weight (Comparative Example 17). The reflow resistance is superior to the case where the amount is more than 200 parts by weight (Comparative Example 18).

【００７２】このように、本発明のように２５℃で固体
であるエポキシ系樹脂組成物及びカルボキシル基をその
分子構造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエ
ン系ゴムの微粒子をエポキシ樹脂１００重量部に対して
１００〜２００重量部含むことを特徴とするフィルム状
接着材を配線テープと半導体素子の間に配置し両者の接
着材として用いることにより、耐リフロー性、耐湿性、
温度サイクル性に優れた半導体装置を得ることができ
る。Thus, the epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. and the fine particles of the crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber having a carboxyl group in its molecular structure, as in the present invention, are added to 100 parts by weight of the epoxy resin. By using a film adhesive characterized by containing 100 to 200 parts by weight between the wiring tape and the semiconductor element and using it as an adhesive for both, reflow resistance, moisture resistance,
A semiconductor device having excellent temperature cycling properties can be obtained.

【００７３】（実施例２２〜２８）実施例２２〜２８と
しては、表６に示したように、実施例８〜１４で作製し
たフィルム状接着材を用いて、実施例８〜１４の場合と
同様に配線テープに打ち抜き貼り付け、この配線テープ
にフィルム状接着剤を介して半導体素子を貼り付けた
後、配線テープ上の配線層を接続用リードとして用いて
半導体素子の電極端子とシングルポイントボンディング
により電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材
料（日立化成、ＲＣ０２１Ｃ）で封止した。最後に、配
線テープ上に実装基板との接続端子である半田ボールを
取り付けて図１に示す半導体装置を得た。(Examples 22 to 28) As shown in Table 6, the examples 22 to 28 used the film-like adhesives produced in Examples 8 to 14 and used Examples 8 to 14 as examples. Similarly, after punching and affixing to a wiring tape, a semiconductor element is affixed to the wiring tape via a film adhesive, and single-point bonding is performed with the electrode terminal of the semiconductor element using the wiring layer on the wiring tape as a connection lead. For electrical connection. The connection portion was sealed with an epoxy-based sealing material (Hitachi Chemical, RC021C). Finally, a solder ball as a connection terminal with the mounting board was attached on the wiring tape to obtain the semiconductor device shown in FIG.

【００７４】得られた半導体装置は実施例１５〜２１の
場合と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル
性を評価した。得られた結果を表６に示す。The obtained semiconductor devices were evaluated for reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle properties in the same manner as in Examples 15 to 21. Table 6 shows the obtained results.

【００７５】（比較例１９〜２４）比較例１９〜２４と
しては、表６に示したように、比較例７〜１２で作製し
たフィルム状接着材を用いて、実施例２２〜２８の場合
と同様にして図１に示す半導体装置を得た。(Comparative Examples 19 to 24) As Comparative Examples 19 to 24, as shown in Table 6, the film adhesives prepared in Comparative Examples 7 to 12 were used, Similarly, the semiconductor device shown in FIG. 1 was obtained.

【００７６】得られた半導体装置は実施例１５〜２１の
場合と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル
性を評価した。得られた結果を表６に示す。The obtained semiconductor devices were evaluated for reflow resistance, moisture resistance and temperature cycle properties in the same manner as in Examples 15 to 21. Table 6 shows the obtained results.

【００７７】[0077]

【表６】 [Table 6]

【００７８】表６の実施例２２〜２４及び比較例１９〜
２０からわかるように、２５℃で固形のエポキシ樹脂を
用いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テープと
半導体素子との間に配置し、両者の接着材として用いた
半導体装置（実施例２２〜２４）は、２５℃で液状或い
は半固形のエポキシ樹脂を用いて作製したフィルム状接
着材を配線テープと半導体素子の間に配置し、両者の接
着材として用いた半導体装置（比較例１９〜２０）と比
較して、耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性ともに
優れた半導体装置となっている。Examples 22 to 24 in Table 6 and Comparative Examples 19 to
As can be seen from FIG. 20, a semiconductor device in which a multi-layered film-like adhesive prepared using a solid epoxy resin at 25 ° C. was disposed between a wiring tape and a semiconductor element, and used as an adhesive for both (Example) 22 to 24) are semiconductor devices (Comparative Example 19) in which a film-like adhesive prepared using a liquid or semi-solid epoxy resin at 25 ° C. is disposed between a wiring tape and a semiconductor element and both are used as an adhesive. 20), the semiconductor device is more excellent in reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle property.

【００７９】更に、表６の実施例２２及び比較例２１か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子を用いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テー
プと半導体素子の間に配置し、両者の接着材として用い
た半導体装置（実施例２２）は、高分子アクリルゴムを
用いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テープと
半導体素子の間に配置し、両者の接着材として用いた半
導体装置（比較例２１）と比較して、耐リフロー性、耐
湿性、温度サイクル性ともに優れた半導体装置となって
いる。Further, as can be seen from Example 22 and Comparative Example 21 in Table 6, a multi-layered film-like adhesive prepared using fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure. The semiconductor device (Example 22) in which the adhesive was disposed between the wiring tape and the semiconductor element, and a multilayer film-like adhesive made using a polymer acrylic rubber was used for the semiconductor device (Example 22). In comparison with the semiconductor device (Comparative Example 21) which was disposed between them and used as an adhesive between them, the semiconductor device was excellent in reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle property.

【００８０】更に、表６の実施例２２及び比較例２２か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子
を用いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テープ
と半導体素子の間に配置し、両者の接着材として用いた
半導体装置（実施例２２）は、シリコーンゴムの微粒子
を用いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テープ
と半導体素子の間に配置し、両者の接着材として用いた
半導体装置（比較例２２）と比較して、耐リフロー性、
耐湿性、温度サイクル性ともに優れた半導体装置となっ
ている。Further, as can be seen from Example 22 and Comparative Example 22 in Table 6, a multilayer film-like adhesive prepared using crosslinked acrylonitrile-butadiene-based rubber fine particles containing a carboxyl group in its molecular structure was used. A semiconductor device (Example 22) which was disposed between a wiring tape and a semiconductor element and used as an adhesive between them was a multi-layered film-like adhesive prepared using fine particles of silicone rubber. Compared with the semiconductor device (Comparative Example 22) which was disposed between the two and used as an adhesive between them, reflow resistance and
The semiconductor device has excellent moisture resistance and temperature cycling.

【００８１】更に、表６の実施例２２及び実施例２５〜
２８及び比較例２３〜２４からわかるように、エポキシ
樹脂１００重量部に対してカルボキシル基をその分子構
造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴ
ムの微粒子を１００〜２００重量部用いて作製された複
層のフィルム状接着材を配線テープと半導体素子の間に
配置し両者の接着材として用いた半導体装置は、１００
重量部より少ない場合（比較例２３）と比較して、耐リ
フロー性及び温度サイクル性に優れ、２００重量部より
多い場合（比較例２４）と比較して、耐リフロー性に優
れている。Further, Examples 22 and 25 to 25 of Table 6
28 and Comparative Examples 23 to 24, a cross-linked acrylonitrile-butadiene rubber fine particle containing a carboxyl group in its molecular structure was used in an amount of 100 to 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin. A semiconductor device in which a film adhesive of a layer is disposed between a wiring tape and a semiconductor element and used as an adhesive for both of them is 100
The reflow resistance and the temperature cycle property are superior to the case where the amount is less than the weight part (Comparative Example 23), and the reflow resistance is superior to the case where the amount is more than 200 parts by weight (Comparative Example 24).

【００８２】このように、本発明のように２５℃で固体
であるエポキシ系樹脂組成物及びカルボキシル基をその
分子構造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエ
ン系ゴムの微粒子をエポキシ樹脂１００重量部に対して
１００〜２００重量部含むことを特徴とするフィルム状
接着材をフィルム状基材の両面に配してなる複層のフィ
ルム状接着材を、配線テープと半導体素子の間に配置し
両者の接着材として用いることにより、耐リフロー性、
耐湿性、温度サイクル性に優れた半導体装置を得ること
ができる。Thus, the epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. and the fine particles of the crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber having a carboxyl group in its molecular structure as in the present invention are added to 100 parts by weight of the epoxy resin. A multilayer adhesive comprising a film adhesive material on both sides of a film substrate, wherein the adhesive film is disposed between the wiring tape and the semiconductor element. By using as a material, reflow resistance,
A semiconductor device having excellent moisture resistance and temperature cycle properties can be obtained.

【００８３】（実施例２９〜３５）実施例２９〜３５と
しては、表７に示したように、実施例１〜７で作製した
フィルム状接着材を用いて、実施例１〜７の場合と同様
に配線テープに打ち抜き貼り付け、この配線テープにフ
ィルム状接着材を介して半導体素子を貼り付けた後、支
持基板を半導体素子及びフィルム状接着材に圧着し、配
線テープ上の配線層を接続用リードとして用いて半導体
素子の電極端子とシングルポイントボンディングにより
電気的に接続した。接続部分をエポキシ系封止材料（日
立化成、ＲＣ０２１Ｃ）で封止した。最後に、配線テー
プ上に実装基板との接続端子である半田ボールを取り付
けて図２に示す半導体装置を得た。(Examples 29 to 35) As shown in Table 7, the examples 29 to 35 used the film-like adhesives prepared in Examples 1 to 7, Similarly, after punching and attaching to a wiring tape, a semiconductor element is attached to the wiring tape via a film adhesive, and then the supporting substrate is pressed against the semiconductor element and the film adhesive to connect the wiring layers on the wiring tape. And electrically connected to the electrode terminals of the semiconductor element by single point bonding. The connection portion was sealed with an epoxy-based sealing material (Hitachi Chemical, RC021C). Finally, solder balls, which are connection terminals with the mounting substrate, were mounted on the wiring tape to obtain the semiconductor device shown in FIG.

【００８４】図２において、１０は半導体素子、１１は
フィルム状接着材、１２は配線テープ、１３は配線テー
プ１２の基材であるポリイミドフィルム、１４は配線テ
ープ１２の配線層を構成する金めっき銅配線、１５はエ
ポキシ系封止材、１６は半導体素子１０の電極端子であ
るアルミニウムパッド、１７は配線テープ１２の配線層
の一部からなる接続リード、１８は外部端子としての半
田ボール、１９支持基板を夫々示す。In FIG. 2, reference numeral 10 denotes a semiconductor element, 11 denotes a film adhesive, 12 denotes a wiring tape, 13 denotes a polyimide film serving as a base material of the wiring tape 12, and 14 denotes gold plating constituting a wiring layer of the wiring tape 12. Copper wiring, 15: an epoxy-based sealing material, 16: an aluminum pad as an electrode terminal of the semiconductor element 10, 17: a connection lead formed from a part of the wiring layer of the wiring tape 12, 18: a solder ball as an external terminal, 19: Each of the supporting substrates is shown.

【００８５】得られた半導体装置は実施例１５〜２１の
場合と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル
性を評価した。得られた結果を表７に示す。The obtained semiconductor devices were evaluated for reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle properties in the same manner as in Examples 15 to 21. Table 7 shows the obtained results.

【００８６】（比較例２５〜３０）表５に示したように
比較例１〜６で作製したフィルム状接着材を用いて、実
施例２９〜３５の場合と同様にして図２に示す半導体装
置を得た。(Comparative Examples 25 to 30) As shown in Table 5, using the film adhesives produced in Comparative Examples 1 to 6, the semiconductor device shown in FIG. I got

【００８７】得られた半導体装置は実施例２９〜３５の
場合と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル
性を評価した。得られた結果を表７に示す。The obtained semiconductor devices were evaluated for reflow resistance, moisture resistance and temperature cycle properties in the same manner as in Examples 29 to 35. Table 7 shows the obtained results.

【００８８】[0088]

【表７】 [Table 7]

【００８９】表７の実施例２９〜３１及び比較例２５〜
２６からわかるように、２５℃で固形のエポキシ樹脂を
用いて作製したフィルム状接着材を配線テープと支持基
板及び半導体素子の夫々接着材として用いた半導体装置
（実施例２９〜３１）は、２５℃で液状或いは半固形の
エポキシ樹脂を用いて作製したフィルム状接着材を配線
テープと支持基板及び半導体素子の夫々接着材として用
いた半導体装置（比較例２５〜２６）と比較して、耐リ
フロー性、耐湿性、温度サイクル性ともに優れた半導体
装置となっている。In Table 7, Examples 29 to 31 and Comparative Examples 25 to
As can be seen from FIG. 26, the semiconductor devices (Examples 29 to 31) using the film-like adhesive prepared using a solid epoxy resin at 25 ° C. as the adhesive for the wiring tape, the supporting substrate, and the semiconductor element, respectively, Compared with a semiconductor device (Comparative Examples 25 and 26) using a film-like adhesive prepared by using a liquid or semi-solid epoxy resin at a temperature as a wiring tape, a supporting substrate, and a semiconductor element, respectively (Comparative Examples 25 to 26). It has become a semiconductor device excellent in all properties, moisture resistance and temperature cycle properties.

【００９０】更に、表７の実施例２９及び比較例２７か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子を用いて作製したフィルム状接着材を配線テープと支
持基板及び半導体素子の夫々接着材として用いた半導体
装置（実施例２９）は、高分子アクリルゴムを用いて作
製したフィルム状接着材を配線テープと支持基板及び半
導体素子の夫々接着材として用いた半導体装置（比較例
２７）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、温度サイク
ル性ともに優れた半導体装置となっている。Further, as can be seen from Example 29 and Comparative Example 27 in Table 7, a film-like adhesive prepared using fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure was used as a wiring tape. The semiconductor device (Example 29) used as an adhesive for the support substrate and the semiconductor element respectively uses a film-like adhesive prepared using a high-polymer acrylic rubber as an adhesive for the wiring tape, the support substrate, and the semiconductor element. As compared with the conventional semiconductor device (Comparative Example 27), the semiconductor device has excellent reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle properties.

【００９１】更に、表７の実施例２９及び比較例２８か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子を用いて作製したフィルム状接着材を配線テープと支
持基板及び半導体素子の夫々接着材として用いた半導体
装置（実施例２９）は、シリコーンゴムの微粒子を用い
て作製したフィルム状接着材を配線テープと支持基板及
び半導体素子の夫々接着材として用いた半導体装置（比
較例２８）と比較して、耐リフロー性、耐湿性、温度サ
イクル性ともに優れた半導体装置となっている。Furthermore, as can be seen from Example 29 and Comparative Example 28 in Table 7, a film-like adhesive produced using fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure was used as a wiring tape. The semiconductor device (Example 29) used as an adhesive for the support substrate and the semiconductor element respectively uses a film-like adhesive produced using fine particles of silicone rubber as an adhesive for the wiring tape, the support substrate and the semiconductor element. As compared with the conventional semiconductor device (Comparative Example 28), the semiconductor device is more excellent in reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle property.

【００９２】更に、表７の実施例２９及び実施例３２〜
３５及び比較例２９〜３０からわかるように、エポキシ
樹脂１００重量部に対してカルボキシル基をその分子構
造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴ
ムの微粒子を１００〜２００重量部用いて作製されたフ
ィルム状接着材を配線テープと支持基板及び半導体素子
の夫々接着材として用いた半導体装置は、１００重量部
より少ない場合（比較例２９）と比較して、耐リフロー
性及び温度サイクル性に優れ、２００重量部より多い場
合（比較例３０）と比較して耐リフロー性に優れてい
る。Further, Examples 29 and 32 to 30 of Table 7
35 and Comparative Examples 29 to 30, a film produced using 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure with respect to 100 parts by weight of an epoxy resin. The semiconductor device using the adhesive in the form of a wiring tape, a supporting substrate, and a semiconductor element respectively has an excellent reflow resistance and temperature cycle property as compared with the case of less than 100 parts by weight (Comparative Example 29). The reflow resistance is superior to the case where the amount is more than the weight part (Comparative Example 30).

【００９３】このように、本発明のように２５℃で固体
であるエポキシ系樹脂組成物及びカルボキシル基をその
分子構造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエ
ン系ゴムの微粒子をエポキシ樹脂１００重量部に対して
１００〜２００重量部含むことを特徴とするフィルム状
接着材を、配線テープと支持基板及び半導体素子の夫々
接着材として用いることにより、耐リフロー性、耐湿
性、温度サイクル性に優れた半導体装置を得ることがで
きる。Thus, the epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. and the fine particles of the crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber having a carboxyl group in its molecular structure as in the present invention are added to 100 parts by weight of the epoxy resin. Semiconductor device having excellent reflow resistance, moisture resistance, and temperature cyclability by using a film-shaped adhesive characterized by containing 100 to 200 parts by weight as an adhesive for a wiring tape, a supporting substrate, and a semiconductor element. Can be obtained.

【００９４】（実施例３６〜４２）実施例３６〜４２と
しては、表８に示したように、実施例８〜１４で作製し
たフィルム状接着材を用いて、実施例８〜１４の場合と
同様に配線テープに打ち抜き貼り付け、実施例２９〜３
５の場合と同様にして図２に示す半導体装置を得た。(Examples 36 to 42) As shown in Table 8, as Examples 36 to 42, the film adhesives prepared in Examples 8 to 14 were used, and Examples 29 to 3
In the same manner as in the case of No. 5, the semiconductor device shown in FIG. 2 was obtained.

【００９５】得られた半導体装置は実施例１５〜２１の
場合と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル
性を評価した。得られた結果を表８に示す。The obtained semiconductor devices were evaluated for reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle properties in the same manner as in Examples 15 to 21. Table 8 shows the obtained results.

【００９６】（比較例３１〜３６）比較例３１〜３６と
しては、表８に示したように、比較例７〜１２で作製し
たフィルム状接着材を用いて、実施例３６〜４２の場合
と同様にして図２に示す半導体装置を得た。(Comparative Examples 31 to 36) As shown in Table 8, the comparative examples 31 to 36 used the film-like adhesives produced in Comparative Examples 7 to 12 and used Examples 36 to 42. Similarly, the semiconductor device shown in FIG. 2 was obtained.

【００９７】得られた半導体装置は実施例３６〜４２の
場合と同様にして耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル
性を評価した。得られた結果を表８に示す。The obtained semiconductor devices were evaluated for reflow resistance, moisture resistance and temperature cycle property in the same manner as in Examples 36 to 42. Table 8 shows the obtained results.

【００９８】[0098]

【表８】 [Table 8]

【００９９】表８の実施例３６〜３８及び比較例３１〜
３２からわかるように、２５℃で固形のエポキシ樹脂を
用いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テープと
支持基板及び半導体素子の夫々接着材として用いた半導
体装置（実施例３６〜３８）は、２５℃で液状或いは半
固形のエポキシ樹脂を用いて作製したフィルム状接着材
を配線テープと支持基板及び半導体素子の夫々接着材と
して用いた半導体装置（比較例３１〜３２）と比較し
て、耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性ともに優れ
た半導体装置となっている。In Table 8, Examples 36 to 38 and Comparative Examples 31 to
As can be seen from No. 32, a semiconductor device using a multilayered film-like adhesive prepared using a solid epoxy resin at 25 ° C. as an adhesive for a wiring tape, a supporting substrate, and a semiconductor element (Examples 36 to 38) Is compared with a semiconductor device (Comparative Examples 31 to 32) in which a film-like adhesive prepared using a liquid or semi-solid epoxy resin at 25 ° C. is used as an adhesive for a wiring tape, a support substrate, and a semiconductor element, respectively. Thus, the semiconductor device has excellent reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle properties.

【０１００】更に、表８の実施例３６及び比較例３３か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子を用いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テー
プと支持基板及び半導体素子の夫々接着材として用いた
半導体装置（実施例３６）は、高分子アクリルゴムを用
いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テープと支
持基板及び半導体素子の夫々接着材として用いた半導体
装置（比較例３３）と比較して、耐リフロー性、耐湿
性、温度サイクル性ともに優れた半導体装置となってい
る。Further, as can be seen from Example 36 and Comparative Example 33 in Table 8, a multi-layer film-like adhesive prepared using fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure. (Example 36) is a multi-layered film-like adhesive made by using a polymer acrylic rubber, which is used as an adhesive for a wiring tape, a support substrate, and a semiconductor element. In comparison with the semiconductor device used as an adhesive (Comparative Example 33), the semiconductor device has excellent reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle properties.

【０１０１】更に、表８の実施例３６及び比較例３４か
らわかるように、カルボキシル基をその分子構造中に含
有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒
子を用いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テー
プと支持基板及び半導体素子の夫々接着材として用いた
半導体装置（実施例３６）は、シリコーンゴムの微粒子
を用いて作製した複層のフィルム状接着材を配線テープ
と支持基板及び半導体素子の夫々接着材として用いた半
導体装置（比較例３４）と比較して、耐リフロー性、耐
湿性、温度サイクル性ともに優れた半導体装置となって
いる。Further, as can be seen from Example 36 and Comparative Example 34 in Table 8, a multi-layer film-like adhesive prepared using fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in its molecular structure. (Example 36) is a multi-layer film-like adhesive prepared using fine particles of silicone rubber, which is used as an adhesive for a wiring tape, a support substrate, and a semiconductor element. In comparison with the semiconductor device (Comparative Example 34) used as an adhesive, each of the semiconductor devices has excellent reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle properties.

【０１０２】更に、表８の実施例３６及び実施例３８〜
４２及び比較例３５〜３６からわかるように、エポキシ
樹脂１００重量部に対してカルボキシル基をその分子構
造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴ
ムの微粒子を１００〜２００重量部用いて作製された複
層のフィルム状接着材を配線テープと支持基板及び半導
体素子の夫々接着材として用いた半導体装置は、１００
重量部より少ない場合（比較例３５）と比較して、耐リ
フロー性及び温度サイクル性に優れ、２００重量部より
多い場合（比較例３６）と比較して耐リフロー性に優れ
ている。Further, Examples 36 and 38 to 38 in Table 8 were used.
42 and Comparative Examples 35 to 36, a cross-linked acrylonitrile-butadiene-based rubber fine particle containing a carboxyl group in its molecular structure was used in an amount of 100 to 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin. A semiconductor device using a film-like adhesive of a layer as an adhesive for a wiring tape, a supporting substrate, and a semiconductor element, respectively, is 100
The reflow resistance and the temperature cycle property are superior to the case where the amount is less than the weight part (Comparative Example 35), and the reflow resistance is superior to the case where the amount is more than 200 parts by weight (Comparative Example 36).

【０１０３】このように、本発明のように２５℃で固体
であるエポキシ系樹脂組成物、及びカルボキシル基をそ
の分子構造中に含有する架橋型アクリロニトリルブタジ
エン系ゴムの微粒子をエポキシ樹脂１００重量部に対し
て１００〜２００重量部含むことを特徴とするフィルム
状接着材をフィルム状基材の両面に配してなる複層のフ
ィルム状接着材を、配線テープと支持基板及び半導体素
子の夫々接着材として用いることにより、耐リフロー
性、耐湿性、温度サイクル性に優れた半導体装置を得る
ことができる。As described above, the epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. and the fine particles of the crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber having a carboxyl group in its molecular structure as in the present invention are added to 100 parts by weight of the epoxy resin. A multilayer adhesive comprising a film adhesive, which is provided on both sides of a film substrate, wherein the adhesive comprises a wiring tape, a support substrate and a semiconductor element. As a result, a semiconductor device having excellent reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle property can be obtained.

【０１０４】[0104]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、特定の
樹脂組成物を用いると共に、その中に特定のゴムの微粒
子を存在させることにより、接着強度が強く、タックフ
リーで作業性に優れ、耐リフロー性に優れたフィルム状
接着材と、このフィルム状接着材を備えた配線テープを
容易に得ることができる。また、このフィルム状接着材
或いは配線テープを用いることにより、接着強度が高
く、耐リフロー性、耐湿性、温度サイクル性等の信頼性
に優れた半導体装置を容易に得ることができる。As described above, according to the present invention, the specific resin composition is used, and the specific rubber fine particles are present therein, whereby the adhesive strength is high, the tack-free property and the workability are improved. A film adhesive excellent in reflow resistance and a wiring tape provided with the film adhesive can be easily obtained. In addition, by using this film adhesive or wiring tape, a semiconductor device having high adhesive strength and excellent reliability such as reflow resistance, moisture resistance, and temperature cycle property can be easily obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明による半導体装置の一例を示し、（ａ）
は底面図、（ｂ）は（ａ）のａ−ａ模式断面図、（ｃ）
は（ａ）のｂ−ｂ模式断面図を示す。FIG. 1 shows an example of a semiconductor device according to the present invention, in which (a)
Is a bottom view, (b) is a schematic sectional view taken along line aa of (a), (c)
Shows a bb schematic sectional view of (a).

【図２】本発明による半導体装置の一例を示し、（ａ）
は底面図、（ｂ）は（ａ）のａ−ａ模式断面図を示す。FIG. 2 shows an example of a semiconductor device according to the present invention, wherein (a)
Shows a bottom view, and (b) shows an aa schematic sectional view of (a).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 半導体素子 ２ フィルム状接着材 ３ 配線テープ ４ ポリイミドフィルム ５ 金めっき銅配線 ６ 封止材 ７ アルミニウムパッド ８ 接続リード ９ 半田ボール １０ 半導体素子 １１ フィルム状接着材 １２ 配線テープ １３ ポリイミドフィルム １４ 金めっき銅配線 １５ 封止材 １６ アルミニウムパッド １７ 接続リード １８ 半田ボール １９ 支持基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor element 2 Film adhesive 3 Wiring tape 4 Polyimide film 5 Gold-plated copper wiring 6 Sealing material 7 Aluminum pad 8 Connection lead 9 Solder ball 10 Semiconductor element 11 Film adhesive 12 Wiring tape 13 Polyimide film 14 Gold-plated copper Wiring 15 Sealant 16 Aluminum pad 17 Connection lead 18 Solder ball 19 Support substrate

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ (72)発明者 伊東 亮一 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社パワーシステム研究所内 (72)発明者 佐藤 俊也 茨城県日立市大みか町七目１番１号 株式 会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 露野 円丈 茨城県日立市大みか町七目１番１号 株式 会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 4J004 AA02 AA05 AA13 AB05 CA06 CA08 CB03 CC02 FA05 FA08 4J036 AB01 AB07 AC05 AD07 AD08 AD21 AF06 AF08 AF15 AH10 DB15 DB22 DC10 DC19 DC31 DC41 DC46 DD07 FB05 FB07 GA06 JA07 4J040 CA072 EB032 EC021 EC061 EC071 EC151 EC161 GA07 HB22 HC01 KA23 MA02 MA04 MB03 NA20 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H01L 23/12 H01L 23/12 L (72) Inventor Ryoichi Ito 5-1-1 Hidakacho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi (72) Inventor Toshiya Sato 1-1-1, Omikacho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Enjo Takenori Omikamachi, Hitachi City, Ibaraki Prefecture No. 1-1 F term in Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (Reference) 4J004 AA02 AA05 AA13 AB05 CA06 CA08 CB03 CC02 FA05 FA08 4J036 AB01 AB07 AC05 AD07 AD08 AD21 AF06 AF08 AF15 AH10 DB15 DB22 DC10 DC19 DC31 DC41 DC46 DD07 FB05 FB07 GA06 4J040 CA072 EB032 EC021 EC061 EC071 EC151 EC161 GA07 HB22 HC01 KA23 MA02 MA04 MB03 NA20

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】２５℃で固体であるエポキシ樹脂組成物に
分子構造中にカルボキシル基を含有する架橋型アクリロ
ニトリルブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹脂
組成物１００重量部に対して１００〜２００重量部含有
した接着剤組成物からなることを特徴とするフィルム状
接着材。1. An epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. and 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber having a carboxyl group in its molecular structure based on 100 parts by weight of the epoxy resin composition. A film-like adhesive comprising an adhesive composition containing the same. 【請求項２】フィルム状基材の両面に、２５℃で固体で
あるエポキシ樹脂組成物に分子構造中にカルボキシル基
を含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの
微粒子を前記エポキシ樹脂組成物１００重量部に対して
１００〜２００重量部含有した接着剤組成物を配してな
ることを特徴とするフィルム状接着材。2. An epoxy resin composition which is solid at 25.degree. C. on both sides of a film-like base material, and 100 parts by weight of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber fine particle containing a carboxyl group in a molecular structure. An adhesive composition comprising 100 to 200 parts by weight of an adhesive composition based on the weight of the adhesive composition. 【請求項３】配線層を有し、且つ半導体素子を接着する
面に、２５℃で固体であるエポキシ樹脂組成物に分子構
造中にカルボキシル基を含有する架橋型アクリロニトリ
ルブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹脂組成物
１００重量部に対して１００〜２００重量部含有した接
着剤組成物からなるフィルム状接着材を貼り付けてなる
ことを特徴とする配線テープ。3. A cross-linked acrylonitrile-butadiene rubber fine particle containing a carboxyl group in the molecular structure of an epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. and has a wiring layer and a surface to which a semiconductor element is adhered. A wiring tape, wherein a film-like adhesive made of an adhesive composition containing 100 to 200 parts by weight per 100 parts by weight of an epoxy resin composition is attached. 【請求項４】配線層を有し、且つ半導体素子を接着する
面に、フィルム状基材の両面に、２５℃で固体であるエ
ポキシ樹脂組成物に分子構造中にカルボキシル基を含有
する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子
を前記エポキシ樹脂組成物１００重量部に対して１００
〜２００重量部含有した接着剤組成物を配してなるフィ
ルム状接着材を貼り付けてなることを特徴とする配線テ
ープ。4. A cross-linking type having a carboxyl group in a molecular structure in an epoxy resin composition which is solid at 25 ° C., on a surface having a wiring layer and adhering a semiconductor element, on both surfaces of a film-like base material. Fine particles of acrylonitrile butadiene rubber are added in an amount of 100 parts by weight per 100 parts by weight of the epoxy resin composition.
A wiring tape, wherein a film adhesive obtained by disposing an adhesive composition containing 200 to 200 parts by weight is attached. 【請求項５】半導体素子を支持する支持基板を一体に備
えた配線テープであって、配線層を有し、且つ前記配線
層と前記支持基板との間に、２５℃で固体であるエポキ
シ樹脂組成物に分子構造中にカルボキシル基を含有する
架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子を前
記エポキシ樹脂組成物１００重量部に対して１００〜２
００重量部含有した接着剤組成物からなるフィルム状接
着材を設けてなることを特徴とする配線テープ。5. A wiring tape integrally provided with a support substrate for supporting a semiconductor element, wherein said epoxy resin has a wiring layer and is solid at 25 ° C. between said wiring layer and said support substrate. Fine particles of a crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure of the composition are used in an amount of 100 to 2 parts by weight per 100 parts by weight of the epoxy resin composition.
A wiring tape provided with a film adhesive comprising an adhesive composition containing 00 parts by weight. 【請求項６】半導体素子を支持する支持基板を一体に備
えた配線テープであって、配線層を有し、且つ前記配線
層と前記支持基板との間に、フィルム状基材の両面に、
２５℃で固体であるエポキシ樹脂組成物に分子構造中に
カルボキシル基を含有する架橋型アクリロニトリルブタ
ジエン系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹脂組成物１００
重量部に対して１００〜２００重量部含有した接着剤組
成物を配してなるフィルム状接着材を設けてなることを
特徴とする配線テープ。6. A wiring tape integrally provided with a support substrate for supporting a semiconductor element, the wiring tape having a wiring layer, and between the wiring layer and the support substrate, on both surfaces of a film-like base material.
The epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. is obtained by adding fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure to the epoxy resin composition 100
A wiring tape, comprising a film-like adhesive provided with an adhesive composition containing 100 to 200 parts by weight based on parts by weight. 【請求項７】表面に電極端子を有する半導体素子と、前
記電極端子を外部端子に接続するための配線層を有する
配線テープと、前記半導体素子と前記配線テープとの間
に設けられたフィルム状接着材と、前記配線層に接続さ
れた外部端子とを備えた半導体装置において、前記フィ
ルム状接着材として、２５℃で固体であるエポキシ樹脂
組成物に分子構造中にカルボキシル基を含有する架橋型
アクリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポ
キシ樹脂組成物１００重量部に対して１００〜２００重
量部含有した接着剤組成物からなるフィルム状接着材を
用いたことを特徴とする半導体装置。7. A semiconductor element having an electrode terminal on a surface, a wiring tape having a wiring layer for connecting the electrode terminal to an external terminal, and a film formed between the semiconductor element and the wiring tape. In a semiconductor device having an adhesive and an external terminal connected to the wiring layer, a cross-linking type containing a carboxyl group in a molecular structure in an epoxy resin composition which is solid at 25 ° C. as the film-like adhesive. A semiconductor device using a film-like adhesive made of an adhesive composition containing 100 to 200 parts by weight of acrylonitrile-butadiene rubber fine particles with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin composition. 【請求項８】表面に電極端子を有する半導体素子と、前
記電極端子を外部端子に接続するための配線層を有する
配線テープと、前記半導体素子と前記配線テープとの間
に設けられたフィルム状接着材と、前記配線層に接続さ
れた外部端子とを備えた半導体装置において、前記フィ
ルム状接着材として、フィルム状基材の両面に、２５℃
で固体であるエポキシ樹脂組成物に分子構造中にカルボ
キシル基を含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン
系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹脂組成物１００重量部
に対して１００〜２００重量部含有した接着剤組成物を
配してなるフィルム状接着材を用いたことを特徴とする
半導体装置。8. A semiconductor element having electrode terminals on its surface, a wiring tape having a wiring layer for connecting said electrode terminals to external terminals, and a film formed between said semiconductor element and said wiring tape. In a semiconductor device provided with an adhesive and an external terminal connected to the wiring layer, the film-shaped adhesive may be applied to both surfaces of a film-like substrate at 25 ° C.
An adhesive composition containing 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure in an epoxy resin composition which is a solid with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin composition. A semiconductor device using a film-shaped adhesive material arranged. 【請求項９】表面に電極端子を有する半導体素子と、前
記半導体素子の裏面及び側面を支持する支持基板と、前
記電極端子を外部端子に接続するための配線層を有する
配線テープと、前記支持基板と前記配線テープとの間に
設けられたフィルム状接着材と、前記配線層に接続され
た外部端子とを備えた半導体装置において、前記フィル
ム状接着材として、２５℃で固体であるエポキシ樹脂組
成物に分子構造中にカルボキシル基を含有する架橋型ア
クリロニトリルブタジエン系ゴムの微粒子を前記エポキ
シ樹脂組成物１００重量部に対して１００〜２００重量
部含有した接着剤組成物からなるフィルム状接着材を用
いたことを特徴とする半導体装置。9. A semiconductor device having electrode terminals on a front surface, a support substrate for supporting the back and side surfaces of the semiconductor device, a wiring tape having a wiring layer for connecting the electrode terminals to external terminals, In a semiconductor device having a film adhesive provided between a substrate and the wiring tape, and an external terminal connected to the wiring layer, the film adhesive may be an epoxy resin which is solid at 25 ° C. A film-like adhesive made of an adhesive composition containing 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure in 100% by weight of the epoxy resin composition. A semiconductor device characterized by using: 【請求項１０】表面に電極端子を有する半導体素子と、
前記半導体素子の裏面及び側面を支持する支持基板と、
前記電極端子を外部端子に接続するための配線層を有す
る配線テープと、前記支持基板と前記配線テープとの間
に設けられたフィルム状接着材と、前記配線層に接続さ
れた外部端子とを備えた半導体装置において、前記フィ
ルム状接着材として、フィルム状基材の両面に、２５℃
で固体であるエポキシ樹脂組成物に分子構造中にカルボ
キシル基を含有する架橋型アクリロニトリルブタジエン
系ゴムの微粒子を前記エポキシ樹脂組成物１００重量部
に対して１００〜２００重量部含有した接着剤組成物を
配してなるフィルム状接着材を用いたことを特徴とする
半導体装置。10. A semiconductor device having an electrode terminal on a surface,
A support substrate that supports the back and side surfaces of the semiconductor element,
A wiring tape having a wiring layer for connecting the electrode terminal to an external terminal, a film adhesive provided between the support substrate and the wiring tape, and an external terminal connected to the wiring layer. In the semiconductor device provided, the film-shaped adhesive material is formed on both surfaces of the film-shaped base material at 25 ° C.
An adhesive composition containing 100 to 200 parts by weight of fine particles of a crosslinked acrylonitrile butadiene rubber containing a carboxyl group in the molecular structure in an epoxy resin composition which is a solid with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin composition. A semiconductor device using a film-shaped adhesive material arranged.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6621154B1 (en) * 2000-02-18 2003-09-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor apparatus having stress cushioning layer
WO2006058827A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-08 Tesa Ag Adhesive strip that can be activated by heat and is based on carboxylated nitrile rubber for sticking together components and strip conductors
CN1771311B (en) * 2003-04-10 2012-06-06 3M创新有限公司 Heat-activatable adhesive
JPWO2012102076A1 (en) * 2011-01-27 2014-06-30 日立化成株式会社 Conductive adhesive composition, metal conductor with conductive adhesive, connector, and solar cell module

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6621154B1 (en) * 2000-02-18 2003-09-16 Hitachi, Ltd. Semiconductor apparatus having stress cushioning layer
CN1771311B (en) * 2003-04-10 2012-06-06 3M创新有限公司 Heat-activatable adhesive
WO2006058827A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-08 Tesa Ag Adhesive strip that can be activated by heat and is based on carboxylated nitrile rubber for sticking together components and strip conductors
CN101065459B (en) * 2004-11-29 2010-05-05 蒂萨公司 Adhesive strip that can be activated by heat and is based on carboxylated nitrile rubber for sticking together electronic components and strip conductors
KR101222424B1 (en) 2004-11-29 2013-01-15 테사 소시에타스 유로파에아 Adhesive strip that can be activated by heat and is based on carboxylated nitrile rubber for sticking together electronic components and strip conductors
JPWO2012102076A1 (en) * 2011-01-27 2014-06-30 日立化成株式会社 Conductive adhesive composition, metal conductor with conductive adhesive, connector, and solar cell module
JP2018080333A (en) * 2011-01-27 2018-05-24 日立化成株式会社 Conductive adhesive composition

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