JP2001106657A - ビス（アミノスチリル）アントラセン化合物及びその合成中間体、並びにこれらの製造方法 - Google Patents

ビス（アミノスチリル）アントラセン化合物及びその合成中間体、並びにこれらの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 強い発光を呈し、黄色〜赤色の発光材料とな
りうるビス（アミノスチリル）アントラセン化合物と、
その一般的かつ高効率な製造方法を提供すること。 【解決手段】 下記一般式〔Ｉ〕等で表されるビス（ア
ミノスチリル）アントラセン化合物。例えば４−（Ｎ，
Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドとジホスホン
酸エステル又はジホスホニウムとの縮合による製造方
法。 【化１６０】 （但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 はメトキシ基な
どの特定の置換基を有するアリール基、Ｒ5 及びＲ6 は
シアノ基などの基である。）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所望の発光色を呈
する有機発光材料として好適なビス（アミノスチリル）
アントラセン化合物及びその合成中間体、並びにこれら
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】自発光であって、応答速度が高速であ
り、視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイの
１候補として、有機電界発光素子（ＥＬ素子）等が近時
注目されており、その構成材料として、有機発光材料へ
の関心が高まっている。有機発光材料の第一の利点は、
分子設計によって材料の光学的な性質をある程度コント
ロールできるところにあり、これによって赤、青、緑の
３原色発光をすべてそれぞれの発光材料で作成したフル
カラー有機発光素子の実現が可能である。
【０００３】下記一般式〔Ａ〕で示されるビス（アミノ
スチリル）ベンゼン化合物は、導入される置換基に依存
して、可視部領域に青〜赤の強い発光を呈することか
ら、有機電界発光素子材料に限らず、さまざまな用途に
利用可能である。さらに、これら材料は昇華性であり、
真空蒸着のプロセスによって、均一なアモルファス膜を
形成しうる利点がある。今日では分子軌道計算等によ
り、材料の光学的な性質がある程度までは予測可能であ
るが、実際には要求される材料を高効率に製造する技術
が産業上もっとも重要であることは、いうまでもない。
【０００４】
【化９８】 （但し、前記一般式〔Ａ〕において、Ａｒは置換基を有
してもよいアリール基であり、Ｒa 及びＲb はそれぞ
れ、水素原子、飽和又は不飽和の炭化水素基、置換基を
有してもよいアリール基、シアノ基、ハロゲン原子、ニ
トロ基、アルコキシル基を示し、これらは同一であって
も異なってもよい。）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これまで、有機発光材
料として前記一般式〔Ａ〕に属する多くの化合物が製造
されてきたが、これらの材料の発光は多くが青色〜緑色
であり、黄色〜赤色の発光を呈するものはわずかに報告
されているのみであり〔電気情報通信学会、技術研究報
告書、有機エレクトロニクス，17,7(1992)、Inorganic
and Organic Electroluminescence 96 Berlin, 101(199
6)等〕、またその高効率な製造法も確立されていなかっ
た。
【０００６】本発明の目的は、上記のような現状に鑑
み、強い発光を呈する特に黄色〜赤色の有機発光材料と
して好適な化合物及びその合成中間体と、これらを高効
率に製造する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意検討した結果、下記一般式〔Ｉ〕、
〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で表されるビス( アミノス
チリル）アントラセン化合物が強い発光を呈し、黄色〜
赤色の発光材料となりうることを見出し、かつその一般
的かつ高効率な製造方法を確立し、本発明に到達したも
のである。
【０００８】即ち、本発明はまず、下記一般式〔Ｉ〕、
〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノス
チリル）アントラセン化合物（以下、本発明の化合物と
称する。）に係るものである。
【化９９】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
（１）で表されるアリール基であり
【化１００】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ7 、Ｒ8 、
Ｒ9 、Ｒ10及びＲ11は互いに同一の又は異なる基であっ
て、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は
不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
る。）、Ｒ5 及びＲ6 は互いに同一の又は異なる基であ
って、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、
ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子
（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等：以下、同様）である。〕
【化１０１】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14
及びＲ15は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
般式（２）で表されるアリール基であり
【化１０２】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ18、Ｒ19、
Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は互いに同一の又は異なる基であっ
て、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は
不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
る。）、Ｒ16及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であ
って、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、
ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であ
る。〕
【化１０３】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ
25及びＲ26は少なくとも１つが下記一般式（３）で表さ
れるアリール基であり、残りが無置換のアリール基であ
り
【化１０４】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ29、Ｒ30、
Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は互いに同一の又は異なる基であっ
て、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は
不飽和の炭化水素アミノ基である。）、Ｒ27及びＲ28は
互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくと
も１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロ
メチル基又はハロゲン原子である。〕
【化１０５】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ35及びＲ36は互
いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
表されるアリール基であり
【化１０６】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ40、Ｒ41、
Ｒ42、Ｒ43及びＲ44は互いに同一の又は異なる基であっ
て、水素原子、又はそれらの少なくとも一つが炭素数１
以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水
素基である。）、Ｒ34及びＲ37は互いに同一の又は異な
る基であって、下記一般式（５）で表されるアリール基
であり
【化１０７】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ45、Ｒ46、
Ｒ47、Ｒ48、Ｒ49、Ｒ50及びＲ51は互いに同一の又は異
なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも一
つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ
基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ
38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であって、それ
らの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、
トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
【０００９】本発明の化合物は、黄色〜赤色の発光を示
す有機発光材料として有効に利用することができ、ま
た、高いガラス転移点及び融点を有する化合物であり、
電気的、熱的或いは化学的な安定性に優れている上、非
晶質でガラス状態を容易に形成し得るので、蒸着等を行
うこともできる。
【００１０】本発明の化合物は、下記一般式で表される
ものが好ましい。
【化１０８】 〔但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、
Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有してもよい互
いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有
する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１
０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）
で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化１０９】 （但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１
０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）
において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又
は不飽和の炭化水素基（特に炭素数が６以下がよい（炭
素数０のときは無置換）：以下、同様）であり、Ｒ55、
Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異
なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基（特に
炭素数が６以下がよい（炭素数０のときは無置換）：以
下、同様）であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜
３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【００１１】この発明の化合物は、より具体的には、下
記一般式（１３）、（１４）、（１５）、（１６）、
（１７）、（１７’）又は（１７”）で表されるものが
よい。
【化１１０】 （但し、前記一般式（１３）において、Ｒ61は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１１１】 （但し、前記一般式（１４）において、Ｒ62は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１１２】 （但し、前記一般式（１５）において、Ｒ63は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ
基である。）
【化１１３】 （但し、前記一般式（１６）において、Ｒ64は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１１４】 （但し、前記一般式（１７）において、Ｒ65は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１１５】 （但し、前記一般式（１７’）において、Ｒ65は炭素数
１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１１６】 （但し、前記一般式（１７”）において、Ｒ65は炭素数
１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００１２】本発明の化合物は、下記構造式（１８）−
１、（１８）−２、（１８）−２’、（１８）−３、
（１８）−４、（１８）−５、（１８）−６、（１８）
−６’、（１８）−７、（１８）−８、（１８）−９、
（１８）−１０、（１８）−１０’、（１８）−１０”
又は（１８）−１１で表されるものが具体的に例示され
る。
【化１１７】
【００１３】本発明の化合物は、下記一般式で表される
ものも好ましい。
【化１１８】 〔但し、前記一般式（１９）において、Ａｒ1 、Ａ
ｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有しても
よい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換
基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、
（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又
は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基であ
る。
【化１１９】 （但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１
０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）
において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又
は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、
Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１
以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６
の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の
整数である。）〕
【００１４】この本発明の化合物は、より具体的には、
下記一般式（２０）、（２１）、（２２）、（２３）、
（２４）、（２４’）又は（２４”）で表されるものが
よい。
【化１２０】 （但し、前記一般式（２０）において、Ｒ61は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１２１】 （但し、前記一般式（２１）において、Ｒ62は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１２２】 （但し、前記一般式（２２）において、Ｒ63は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ
基である。）
【化１２３】 （但し、前記一般式（２３）において、Ｒ64は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１２４】 （但し、前記一般式（２４）において、Ｒ65は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１２５】 （但し、前記一般式（２４’）において、Ｒ65は炭素数
１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１２６】 （但し、前記一般式（２４”）において、Ｒ65は炭素数
１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００１５】この本発明の化合物は、下記構造式（２
５）−１、（２５）−２、（２５）−２’、（２５）−
３、（２５）−４、（２５）−５、（２５）−６、（２
５）−６’、（２５）−７、（２５）−８、（２５）−
９、（２５）−１０、（２５）−１０’、（２５）−１
０”又は（２５）−１１で表されるものが具体的に例示
される。
【化１２７】
【００１６】本発明の化合物は、下記一般式で表される
ものも好ましい。
【化１２８】 〔但し、前記一般式（２６）において、Ａｒ1 、Ａ
ｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有しても
よい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換
基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、
（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又
は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基であ
る。
【化１２９】 （但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１
０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）
において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又
は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、
Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１
以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６
の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の
整数である。）〕
【００１７】この本発明の化合物は、より具体的には、
下記一般式（２７）、（２８）、（２９）、（３０）、
（３１）、（３１’）又は（３１”）で表されるものが
よい。
【化１３０】 （但し、前記一般式（２７）において、Ｒ61は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１３１】 （但し、前記一般式（２８）において、Ｒ62は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１３２】 （但し、前記一般式（２９）において、Ｒ63は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ
基である。）
【化１３３】 （但し、前記一般式（３０）において、Ｒ64は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１３４】 （但し、前記一般式（３１）において、Ｒ65は炭素数１
〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１３５】 （但し、前記一般式（３１’）において、Ｒ65は炭素数
１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１３６】 （但し、前記一般式（３１”）において、Ｒ65は炭素数
１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００１８】この本発明の化合物は、下記構造式（３
２）−１、（３２）−２、（３２）−２’、（３２）−
３、（３２）−４、（３２）−５、（３２）−６、（３
２）−６’、（３２）−７、（３２）−８、（３２）−
９、（３２）−１０、（３２）−１０’又は（３２）−
１０”で表されるものが具体的に例示される。
【化１３７】
【００１９】上記及び上記以外の本発明の化合物とし
て、次の化合物を例示することができる。
【化１３８】
【００２０】本発明はまた、本発明の化合物を高効率に
製造する方法として、下記一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕で表
される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデ
ヒドの少なくとも１種と；下記一般式〔VII 〕で表され
るジホスホン酸エステル又は下記一般式〔VIII〕で表さ
れるジホスホニウムと；を縮合させることによって、前
記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で表され
るビス（アミノスチリル）アントラセン化合物を得る、
本発明の製造方法も提供するものである。
【化１３９】 （但し、前記一般式〔Ｖ〕及び〔VI〕において、Ｒ66及
びＲ67はそれぞれ、前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ12、Ｒ13、
Ｒ23、Ｒ24、Ｒ34又はＲ35に相当するアリール基であ
り、Ｒ68及びＲ69はそれぞれ、前記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ14、
Ｒ15、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ36又はＲ37に相当するアリール基
である。）
【化１４０】 （但し、前記一般式〔VII 〕及び〔VIII〕において、Ｒ
70及びＲ71はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水
素基（特に炭素数が１〜４の飽和炭化水素基がよい：以
下、同様）であり、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、前記
Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ38又はＲ39に
相当する基であり、Ｘはハロゲン原子である。）
【００２１】本発明の化合物の製造方法は、具体的に
は、前記縮合をウィッティヒ−ホーナー（Wittig-Horne
r)反応又はウィッティヒ（Wittig) 反応によって行い、
前記ジホスホン酸エステル及び／又は前記ジホスホニウ
ムを溶媒中で塩基で処理することによってカルボアニオ
ンを生成させ、このカルボアニオンと前記４−（Ｎ，Ｎ
−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドと縮合させるも
のである。
【００２２】例えば、下記一般式（６）で表されるビス
（アミノスチリル）アントラセン化合物を得るに際し
【化１４１】 （但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、
Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、前記したものと同じであ
る。）、下記一般式（３３）又は（３４）で表される４
−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少
なくとも１種と；下記一般式（３５）で表されるジホス
ホン酸エステル又は下記一般式（３６）で表されるジホ
スホニウムと；を縮合させる。
【化１４２】 （但し、前記一般式（３３）、（３４）、（３５）及び
（３６）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、
Ｒ70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
【００２３】この反応をスキームで示すと、例えば次の
反応スキーム１のようになる。
【化１４３】
【００２４】この反応はまず、一般式（３５）又は（３
６）の化合物を適当な溶媒中で塩基と処理することによ
り、カルボアニオンを発生させることから始まり、次に
このカルボアニオンを一般式（３３）のアルデヒドと縮
合することにより完結する。塩基と溶媒の組み合わせと
しては、以下のものが考えられる。
【００２５】水酸化ナトリウム／水、炭酸ナトリウム／
水、炭酸カリウム／水、ナトリウムエトキシド／エタノ
ール又はジメチルホルムアミド、ナトリウムメトキシド
／メタノール−ジエチルエーテル混合溶媒又はジメチル
ホルムアミド、トリエチルアミン／エタノール又はジグ
ライム又はクロロホルム又はニトロメタン、ピリジン／
塩化メチレン又はニトロメタン、１，５−ジアザビシク
ロ[4.3.0] ノン−５−エン／ジメチルスルホキシド、カ
リウムｔ−ブトキシド／ジメチルスルホキシド又はテト
ラヒドロフラン又はベンゼン又はジメチルホルムアミ
ド、フェニルリチウム／ジエチルエーテル又はテトラヒ
ドロフラン、ｔ−ブチルリチウム／ジエチルエーテル又
はテトラヒドロフラン、ナトリウムアミド／アンモニ
ア、水素化ナトリウム／ジメチルホルムアミド又はテト
ラヒドロフラン、トリエチルナトリウム／ジエチルエー
テル又はテトラヒドロフラン等。
【００２６】この反応は比較的低温（−３０℃〜３０
℃）で進行し、選択的であるため、クロマトグラフィー
による目的物の精製が容易であることに加え、一般式
（６）の本発明の化合物は結晶性が高いため、再結晶に
より純度を向上させることができる。再結晶の方法につ
いては、特に問わないが、アセトンに溶解し、ヘキサン
を添加する方法、或いはトルエンに加熱溶解し、濃縮、
冷却する方法が簡便である。この反応は常圧で３〜２４
時間で行ってよい。
【００２７】本発明の化合物の製造方法によって、前記
一般式（１３）、（１３’）、（１４）、（１５）、
（１６）、（１７）、（１７’）、（１７”）、（２
０）、（２１）、（２２）、（２３）、（２４）、（２
４’）、（２４”）、（２７）、（２８）、（２９）、
（３０）又は（３１）で表されるビス（アミノスチリ
ル）アントラセン化合物を得ることができ、具体的に
は、前記構造式（１８）−１、（１８）−２、（１８）
−２’、（１８）−３、（１８）−４、（１８）−５、
（１８）−６、（１８）−７、（１８）−８、（１８）
−９、（１８）−１０、（１８）−１０’、（１８）−
１０”、（１８）−１１、（２５）−１、（２５）−
２、（２５）−２’、（２５）−３、（２５）−４、
（２５）−５、（２５）−６、（２５）−７、（２５）
−８、（２５）−９、（２５）−１０、（２５）−１
０’、（２５）−１０”、（２５）−１１、（３２）−
１、（３２）−２、（３２）−２’、（３２）−３、
（３２）−４、（３２）−５、（３２）−６、（３２）
−７、（３２）−８、（３２）−９、（３２）−１０、
（３２）−１０’又は（３２）−１０”で表されるビス
（アミノスチリル）アントラセン化合物を得ることがで
きる。
【００２８】本発明はまた、本発明の化合物の合成中間
体として好適な種々の化合物も提供するものである。
【００２９】即ち、前記一般式〔Ｉ〕、〔II〕 〔III
〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）アン
トラセン化合物の合成中間体として用いられ、前記一般
式〔VII 〕で表されるジホスホン酸エステル又は前記一
般式〔VIII〕で表されるジホスホニウムである。
【００３０】この合成中間体（以下、本発明の合成中間
体１と称する。）は、具体的には下記一般式（３５）、
（３６）、（３７）、（３８）、（３９）又は（４０）
で表される。
【化１４４】 （但し、前記一般式（３５）、（３６）、（３７）、
（３８）、（３９）及び（４０）において、Ｒ70、Ｒ71
及びＸは前記したものと同じである。）
【００３１】本発明の合成中間体１は、その前駆体とし
ての合成中間体から次のようにして導くことができる。
【００３２】即ち、下記一般式〔IX〕で表されるハロゲ
ン化アリール化合物と、下記一般式〔Ｘ〕で表される亜
リン酸トリアルキル又はトリフェニルホスフィン（ＰＰ
ｈ3）とを反応させることによって、前記一般式〔VII
〕で表されるジホスホン酸エステル、又は前記一般式
〔VIII〕で表されるジホスホニウムを合成中間体として
得る。この反応は、無溶媒又は１２０℃以上の沸点を有
するキシレン等の溶媒中、又は大過剰の亜リン酸トリア
ルキル中で反応温度１２０℃〜１６０℃、常圧で反応時
間３０分〜２４時間としてよい。
【化１４５】 （但し、前記一般式〔IX〕において、Ｒ72及びＲ73はそ
れぞれ、互いに同一の又は異なる基であって、それらの
少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリ
フルオロメチル基又はハロゲン原子であり、Ｘはハロゲ
ン原子である。） 一般式〔Ｘ〕： P(OR74)3 又は P(OR75)3 （但し、前記一般式〔Ｘ〕において、Ｒ74及びＲ75はそ
れぞれ、同一の又は異なる炭化水素基、特に炭素数１〜
４の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【００３３】本発明はまた、合成中間体１を得るための
合成中間体として、前記一般式〔IX〕で表されるハロゲ
ン化アリール化合物（以下、本発明の合成中間体２と称
する。）も提供するものである。
【００３４】本発明の合成中間体２は、下記一般式〔X
I〕で表されるジメチルアントラセン化合物と、下記一
般式〔XII 〕で表されるＮ−ハロゲン化スクシンイミド
とを光照射下に反応させることによって得ることができ
る。例えば、四塩化炭素、クロロホルム、ベンゼン、ク
ロロベンゼン等の溶媒中、高圧水銀灯、低圧水銀灯、キ
セノン灯、ハロゲン灯、日光、蛍光灯等の光源を用いて
２０〜１２０℃の温度、常圧で３０分〜４８時間の反応
時間で反応させる。
【化１４６】 （但し、前記一般式〔XI〕において、Ｒ72及びＲ73はそ
れぞれ、同一の又は異なる基であって、それらの少なく
とも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオ
ロメチル基又はハロゲン原子である。）
【化１４７】 （但し、前記一般式〔XII 〕において、Ｘはハロゲン原
子である。）
【００３５】以上に述べた各合成中間体１、２をそれぞ
れ得る反応は、例えば次の反応スキーム２で示すことが
できる。
【００３７】
【化１４８】
【００３８】図１１〜図１４は、本発明の化合物を有機
発光材料として用いる有機電界発光素子（ＥＬ素子）の
例をそれぞれ示すものである。
【００３９】図１１は、陰極３を発光２０が透過する透
過型有機電界発光素子Ａであって、発光２０は保護層４
の側からも観測できる。図１２は、陰極３での反射光も
発光２０として得る反射型有機電界発光素子Ｂを示す。
【００４０】図中、１は有機電界発光素子を形成するた
めの基板であり、ガラス、プラスチック及び他の適宜の
材料を用いることができる。また、有機電界発光素子を
他の表示素子と組み合わせて用いる場合には、基板を共
用することもできる。２は透明電極（陽極）であり、Ｉ
ＴＯ（Indium tin oxide）、ＳｎＯ2 等を使用できる。
【００４１】また、５は有機発光層であり、本発明の化
合物を発光材料として含有している。この発光層につい
て、有機電界発光２０を得る層構成としては、従来公知
の種々の構成を用いることができる。後述するように、
例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれかを構成する
材料が発光性を有する場合、これらの薄膜を積層した構
造を使用できる。更に、本発明の目的を満たす範囲で電
荷輸送性能を上げるために、正孔輸送層と電子輸送層の
いずれかもしくは両方が、複数種の材料の薄膜を積層し
た構造、又は、複数種の材料を混合した組成からなる薄
膜を使用するのを妨げない。また、発光性能を上げるた
めに、少なくとも１種以上の蛍光性の材料を用いて、こ
の薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に挟持した構造、
更に、少なくとも１種以上の蛍光性の材料を正孔輸送層
若しくは電子輸送層、又はこれらの両方に含ませた構造
を使用してもよい。これらの場合には、発光効率を改善
するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜
をその層構成に含ませることも可能である。
【００４２】本発明の化合物が、電子輸送性能と正孔輸
送性能の両方を持つ場合、素子構成中、電子輸送層を兼
ねた発光層としても、或いは正孔輸送層を兼ねた発光層
としても用いることが可能である。また、本発明の化合
物を発光層として、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込
んだ構成とすることも可能である。
【００４３】なお、図１１及び図１２中、３は陰極であ
り、電極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金
属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、或いはこれら
を積層した構造を使用できる。透過型の有機電界発光素
子においては、陰極の厚さを調節することにより、用途
に合った光透過率を得ることができる。また、図中、４
は封止・保護層であり、有機電界発光素子全体を覆う構
造とすることにより、その効果が上がる。気密性が保た
れれば、適宜の材料を使用することができる。また、８
は電流注入用の駆動電源である。
【００４４】この有機電界発光素子において、有機層
が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構
造（シングルヘテロ構造）を有しており、正孔輸送層又
は電子輸送層の形成材料として、本発明の化合物が用い
られてよい。或いは、有機層が、正孔輸送層と発光層と
電子輸送層とが順次積層された有機積層構造（ダブルヘ
テロ構造）を有しており、発光層の形成材料として、本
発明の化合物が用いられてよい。
【００４５】このような有機積層構造を有する有機電界
発光素子の例を示すと、図１３は、透光性の基板１上
に、透光性の陽極２と、正孔輸送層６と電子輸送層７と
からなる有機層５ａと、陰極３とが順次積層された積層
構造を有し、この積層構造が保護膜４によって封止され
てなる、シングルヘテロ構造の有機電界発光素子Ｃであ
る。
【００４６】図１３に示すように、発光素子を省略した
層構造の場合には、正孔輸送層６と電子輸送層７の界面
から所定波長の発光２０を発生する。これらの発光は基
板１側から観測される。
【００４７】また、図１４は、透光性の基板１上に、透
光性の陽極２と、正孔輸送層１０と発光層１１と電子輸
送層１２とからなる有機層５ｂと、陰極３とが順次積層
された積層構造を有し、この積層構造が保護膜４によっ
て封止されてなる、ダブルヘテロ構造の有機電界発光素
子Ｄである。
【００４８】図１４に示した有機電界発光素子において
は、陽極２と陰極３の間に直流電圧を印加することによ
り、陽極２から注入された正孔が正孔輸送層１０を経
て、また陰極３から注入された電子が電子輸送層１２を
経て、それぞれ発光層１１に達する。この結果、発光層
１１においては電子／正孔の再結合が生じて一重項励起
子が生成し、この一重項励起子から所定波長の発光を発
生する。
【００４９】上述した各有機電界発光素子Ｃ、Ｄにおい
て、基板１は、例えば、ガラス、プラスチック等の光透
過性の材料を適宜用いることができる。また、他の表示
素子と組み合わせて用いる場合や、図１３及び図１４に
示した積層構造をマトリックス状に配置する場合等は、
この基板を共用してよい。また、素子Ｃ、Ｄはいずれ
も、透過型、反射型のいずれの構造も採りうる。
【００５０】また、陽極２は、透明電極であり、ＩＴＯ
（indium tin oxide）やＳｎＯ2 等が使用できる。この
陽極２と正孔輸送層６（又は正孔輸送層１０）との間に
は、電荷の注入効率を改善する目的で、有機物若しくは
有機金属化合物からなる薄膜を設けてもよい。なお、保
護膜４が金属等の導電性材料で形成されている場合は、
陽極２の側面に絶縁層が設けられてもよい。
【００５１】また、有機電界発光素子Ｃにおける有機層
５ａは、正孔輸送層６と電子輸送層７とが積層された有
機層であり、これらのいずれか又は双方に上記した本発
明の化合物が含有され、発光性の正孔輸送層６又は電子
輸送層７としてよい。有機電界発光素子Ｄにおける有機
層５ｂは、正孔輸送層１０と上記した本発明の化合物を
含有する発光層１１と電子輸送層１２とが積層された有
機層であるが、その他、種々の積層構造を取ることがで
きる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層のいずれか若し
くは両方が発光性を有していてもよい。
【００５２】また、特に、正孔輸送層６又は電子輸送層
７や発光層１１が本発明の化合物からなることが望まし
いが、これらの層を本発明の化合物のみで形成してもよ
く、あるいは、本発明の化合物と他の正孔又は電子輸送
材料（例えば、芳香族アミン類やピラゾリン類等）との
共蒸着によって形成してもよい。さらに、正孔輸送層に
おいて、正孔輸送性能を向上させるために、複数種の正
孔輸送材料を積層した正孔輸送層を形成してもよい。
【００５３】また、有機電界発光素子Ｃにおいて、発光
層は電子輸送性発光層７であってよいが、電源８から印
加される電圧によっては、正孔輸送層６やその界面で発
光される場合がある。同様に、有機電界発光素子Ｄにお
いて、発光層は層１１以外に、電子輸送層１２であって
もよく、正孔輸送層１０であってもよい。発光性能を向
上させるために、少なくとも１種の蛍光性材料を用いた
発光層１１を正孔輸送層１０と電子輸送層１２との間に
挟持させた構造であるのがよい。又は、この蛍光性材料
を正孔輸送層又は電子輸送層、或いはこれらの両層に含
有させた構造を構成してよい。このような場合、発光効
率を改善するために、正孔又は電子の輸送を制御するた
めの薄膜（ホールブロッキング層やエキシトン生成層
等）をその層構成に含ませることも可能である。
【００５４】また、陰極３に用いる材料としては、Ｌ
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の
金属との合金を使用でき、これらの金属が積層した構造
であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択す
ることによって、用途に見合った有機電界発光素子を作
製できる。
【００５５】また、保護層４は、封止膜として作用する
ものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とするこ
とにより、電荷注入効率や発光効率を向上できる。な
お、その気密性が保たれれば、アルミニウム、金、クロ
ム等の単金属又は合金等、適宜その材料を選択できる。
【００５６】上記した各有機電界発光素子に印加する電
流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても
よい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれ
ば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿
命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率
良く発光させることが望ましい。
【００５７】次に、図１５は、有機電界発光素子を用い
た平面ディスプレイの構成図である。図示のごとく、例
えばフルカラーディスプレイの場合は、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色を発光可能な有機層５（５
ａ、５ｂ）が、陰極３と陽極２との間に配されている。
陰極３及び陽極２は、互いに交差するストライプ状に設
けることができ、輝度信号回路１４及びシフトレジスタ
内蔵の制御回路１５により選択されて、それぞれに信号
電圧が印加され、これによって、選択された陰極３及び
陽極２が交差する位置（画素）の有機層が発光するよう
に構成される。
【００５８】即ち、図１５は例えば８×３ＲＧＢ単純マ
トリックスであって、正孔輸送層と、発光層および電子
輸送層のいずれか少なくとも一方とからなる積層体５を
陰極３と陽極２の間に配置したものである（図１３又は
図１４参照）。陰極と陽極は、ともにストライプ状にパ
ターニングするとともに、互いにマトリックス状に直交
させ、シフトレジスタ内蔵の制御回路１５及び１４によ
り時系列的に信号電圧を印加し、その交差位置で発光す
るように構成されたものである。かかる構成のＥＬ素子
は、文字・記号等のディスプレイとしてはもちろん、画
像再生装置としても使用できる。また、陰極３と陽極２
のストライプ状パターンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の各色毎に配し、マルチカラー或いはフルカラー
の全固体型フラットパネルディスプレイを構成すること
が可能となる。
【００５９】
【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。
【００６０】実施例１ ＜ビス（アミノスチリル）アントラセン化合物（構造式
（１８）−２）の合成例＞
【００６１】
【化１４９】
【００６２】反応容器に水素化ナトリウム（ミネラルオ
イル入り）１３．１ｍｍｏｌを計り取り、窒素雰囲気下
で無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ｍｌに懸濁さ
せた。室温で攪拌しながら、ジホスホン酸エステル（構
造式（３５）−１）２．１９ｍｍｏｌの無水テトラヒド
ロフランと無水ジメチルホルムアミドの１：１混合溶液
１２０ｍｌを滴下し、続いて４−[ Ｎ−フェニル−Ｎ−
（４−メトキシフェニル）アミノ] ベンズアルデヒド
（構造式（３３）−１）１．３０ｇ（４．２９ｍｍｏ
ｌ）の無水テトラヒドロフラン溶液３０ｍｌを滴下し
て、７時間攪拌した。反応混合液を少量の氷でクエンチ
し、飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。
【００６３】シリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ
−ｇｅｌ Ｃ−３００，テトラヒドロフラン：ヘキサン
＝１：８）により精製し、アセトン−ヘキサンから再結
晶することにより、目的物であるビス（アミノスチリ
ル）アントラセン化合物（構造式（１８）−２）の赤色
結晶０．２５７ｇを得た。
【００６４】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率１４％）。 1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):3.83(6H,s),6.87(4H,
d),6.90(4H,m),7.12(8H,d),7.18-7.39(4H,m),7.45(4H,
d),8.04(2H,d),8.32(4H,s),8.40(2H,d). この1 ＨＮＭＲスペクトルは図１に示す通りであった
（なお、図中のＴＭＳは1ＨＮＭＲスペクトル測定時に
添加する基準物質であるトリメチルシランのピーク：以
下、同様）。ガラス転移点は１５０℃、融点は３２１℃
であった。
【００６５】トルエン溶液の可視吸収極大は５６６ｎ
ｍ、蛍光極大波長は６４５ｎｍであった。
【００６６】実施例２ ＜ビス（アミノスチリル）アントラセン化合物（構造式
（１８）−６’）の合成例＞
【化１５０】
【００６７】反応容器に水素化ナトリウム（ミネラルオ
イル入り）３．７５ｍｍｏｌを計り取り、窒素雰囲気下
で無水テトラヒドロフラン１０ｍｌに懸濁させた。室温
で攪拌しながら、ジホスホン酸エステル（構造式（３
５）−１）０．７３４ｍｍｏｌと４−[ Ｎ，Ｎ−ジナフ
チルアミノ] ベンズアルデヒド（構造式（３３）−２）
０．５７９ｇ（１．５５ｍｍｏｌ）の無水テトラヒドロ
フランと無水ジメチルホルムアミドの３：１混合溶液８
０ｍｌを滴下して、１２時間攪拌した。反応混合液を少
量の氷でクエンチし、飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。
【００６８】シリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ
−ｇｅｌ Ｃ−３００，トルエン）により精製し、トル
エンから再結晶することにより、目的物であるビス（ア
ミノスチリル）アントラセン化合物（構造式（１８）−
６’）の赤色結晶０．４１９ｇを得た。
【００６９】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率５９％）。 1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):6.68(4H,d),7.12(d,2
H),7.26-7.42(22H,m),7.48(4H,t),7.73(4H,d),7.89(4H,
d),7.96(2H,d),8.05(4H,d),8.24(2H,s),8.33(2H,d) この1 ＨＮＭＲスペクトルは図２に示す通りであった。
ガラス転移点は２１４℃、融点は２５５℃であった。
【００７０】トルエン溶液の可視吸収極大は５５６ｎ
ｍ、蛍光極大波長は６１５ｎｍであった。
【００７１】実施例３ ＜ビス（アミノスチリル）アントラセン化合物（構造式
（２５）−２）の合成例＞
【化１５１】
【００７２】反応容器に水素化ナトリウム（ミネラルオ
イル入り）１０．０ｍｍｏｌを計り取り、窒素雰囲気下
で無水テトラヒドロフラン１０ｍｌに懸濁させた。室温
で攪拌しながら、ジホスホン酸エステル（構造式（３
７）−１）１．１０ｍｍｏｌの無水テトラヒドロフラン
溶液２０ｍｌを滴下し、１時間攪拌した。続いて４−
[Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−メトキシフェニル）アミノ]
ベンズアルデヒド（構造式（３３）−１）０．６００
ｇ（２．６４ｍｍｏｌ）の無水テトラヒドロフラン溶液
２０ｍｌを滴下して、２４時間攪拌した。反応混合液を
少量の氷でクエンチし、飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。
【００７３】シリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ
−ｇｅｌ Ｃ−３００，テトラヒドロフラン：ヘキサン
＝２：３）により精製し、アセトン−ヘキサンから再結
晶することにより、目的物であるビス（アミノスチリ
ル）アントラセン化合物（構造式（２５）−２）の赤色
結晶０．２２８ｇを得た。
【００７４】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率２６％）。 1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):3.83(6H,s),6.87(4H,
d),7.03(6H,m),7.14(8H,d),7.18-7.35(2H,d),7.44(4H,
m),7.83(1H,d),7.95-8.01(3H,m),8.28(1H,s),8.33(1H,
d),8.51(1H,s) この1 ＨＮＭＲスペクトルは図３に示す通りであった。
ガラス転移点は１２４℃、融点は２１５℃であった。
【００７５】トルエン溶液の可視吸収極大は４９０ｎ
ｍ、蛍光極大波長は６１０ｎｍであった。
【００７６】実施例４ ＜ビス（アミノスチリル）アントラセン化合物（構造式
（３２）−１）の合成例＞
【化１５２】
【００７７】実施例１の化合物（構造式（１８）−２）
の合成と同様の方法にて合成を行い、目的物であるビス
（アミノスチリル）アントラセン化合物（構造式（３
２）−１）を得た。
【００７８】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した。1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):6.99(2H,d),7.04-7.31
(10H,m),7.45(4H,d),7.73(2H,d),7.91(2H,s),7.94(2H,
d),8.30(2H,s) この1 ＨＮＭＲスペクトルは図４に示す通りであった。
【００７９】ＴＨＦ溶液の可視吸収極大は４４３ｎｍ、
蛍光極大波長は５００ｎｍであった。
【００８０】実施例５ ＜ビス（アミノスチリル）アントラセン化合物（構造式
（１８）−１１）の合成例＞
【００８１】
【化１５３】
【００８２】反応容器に水素化ナトリウム（ミネラルオ
イル入り）８．２４ｍｍｏｌを計り取り、窒素雰囲気下
で無水テトラヒドロフラン２０ｍｌに懸濁させた。室温
で攪拌しながら、ジホスホン酸エステル（構造式〔VII
〕−１）( ０．８２４ｍｍｏｌ）の無水テトラヒドロ
フラン溶液５０ｍｌを滴下し、３０分攪拌した。続いて
４−[ Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−トルイル）アミノ] ベ
ンズアルデヒド（構造式（３３）−４）０．６６８ｇ
（２．３２ｍｍｏｌ）の無水テトラヒドロフラン溶液２
０ｍｌを滴下して５０℃で４０時間攪拌した。反応混合
液を少量の氷でクエンチし、飽和食塩水で洗い、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した。
【００８３】シリカゲルクロマトグラフィー（ＷＡＫＯ
−ｇｅｌ Ｃ−３００，テトラヒドロフラン：ヘキサン
＝１：２）により精製し、アセトン−ヘキサンから再結
晶することにより、目的物であるビス（アミノスチリ
ル）アントラセン化合物（構造式（１８）−１１）の赤
褐色結晶０．１７４ｇを得た。
【００８４】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率２３％）。 1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):2.35(6H,s),7.02-7.15
(16H,m),7.25(2H,d),7.46(4H,d),7.89(2H,d),8.43(2H,
s),8.53(2H,d) この1 ＨＮＭＲスペクトルは図５に示す通りであった。
トルエン溶液の可視吸収極大は４７８ｎｍ、蛍光極大波
長は５７５ｎｍであった。
【００８５】実施例６ ＜ジホスホン酸エステル（構造式（３５）−１）の合成
例＞
【００８６】
【化１５４】
【００８７】２，６−ジ（ブロモメチル）アントラセン
−９，１０−ジカルボニトリル（構造式〔IX〕−１）
０．８５４ｇ（２．０６ｍｍｏｌ）をキシレン１５０ｍ
ｌに懸濁させ、亜リン酸トリエチル（構造式〔Ｘ〕−
１）５．００ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を滴下後、１２５
℃で１５時間攪拌した。
【００８８】反応溶液を室温まで冷却し、ヘキサン１０
０ｍｌを添加して静置し、生じた沈殿をろ別してヘキサ
ンで繰り返し洗い、目的物であるジホスホン酸エステル
（構造式（３５）−１）の黄色結晶１．０３ｇを得た。
【００８９】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率７８％）。 1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):1.29(12H,t),3.45(4H,
d),4.11(8H,q),7.82(2H,d),8.36(2H,s),8.46(2H,d) この1 ＨＮＭＲスペクトルは図６に示す通りであった。
【００９０】実施例７ ＜ジホスホン酸エステル（構造式（３７）−１）の合成
例＞
【００９１】
【化１５５】
【００９２】２，６−ジ（ブロモメチル）アントラセン
−９−カルボニトリル（構造式〔IX〕−２）０．４２８
ｇ（１．１０ｍｍｏｌ）をキシレン１０ｍｌに懸濁さ
せ、亜リン酸トリエチル（構造式〔Ｘ〕−１）０．８７
０ｇ（５．２４ｍｍｏｌ）を滴下後、１２５℃で５時間
攪拌した。
【００９３】反応溶液を室温まで冷却し、ヘキサン１０
ｍｌを添加して静置し、生じた沈殿をろ別してヘキサン
で繰り返し洗い、目的物であるジホスホン酸エステル
（構造式（３７）−１）の黄色結晶を得た。
【００９４】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率９９％）。 1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):1.27(12H,m),3.40(4H,
m),4.07(8H,m),7.61(1H,d),7.68(1H,d),7.99-8.06(2H,
m),8.26(1H,s),8.37(1H,d),8.61(1H,s) この1 ＨＮＭＲスペクトルは図７に示す通りであった。
【００９５】実施例８ ＜ジホスホン酸エステル（構造式〔VII 〕−１）の合成
例＞
【００９６】
【化１５６】
【００９７】２，６−ジ（ブロモメチル）−９，１０−
ジブロモアントラセン（構造式〔IX〕−３）４３０ｍｇ
（０．８２４ｍｍｏｌ）をキシレン２５ｍｌに懸濁さ
せ、亜リン酸トリエチル（構造式〔Ｘ〕−１）１．４５
ｇ（８．７５ｍｍｏｌ）を滴下後、１２５℃で１０時間
攪拌した。
【００９８】反応溶液を室温まで冷却し、ヘキサン１０
ｍｌを添加して静置し、生じた沈殿をろ別してヘキサン
で繰り返し洗い、目的物であるジホスホン酸エステル
（構造式〔VII 〕−１）の黄色結晶を得た。
【００９９】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率９９％）。 1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):1.29(12H,t),3.43(4H,
d),4.08(8H,q),7.61(2H,d),8.45(2H,s),8.53(2H,d) この1 ＨＮＭＲスペクトルは図８に示す通りであった。
【０１００】実施例９ ＜２，６−ジ（ブロモメチル）アントラセン−９，１０
−ジカルボニトリル（構造式〔IX〕−１）の合成例＞
【０１０１】
【化１５７】
【０１０２】２，６−ジメチルアントラセン−９，１０
−ジカルボニトリル（構造式〔XI〕−１）１．５０ｇ
（５．８５ｍｍｏｌ）をクロロホルム４００ｍｌに溶解
し、窒素置換した後、還流しながらＮ−ブロモスクシン
イミド（構造式〔XII 〕−１）１８．０ｇ（１０１ｍｍ
ｏｌ）を１２時間ごとに６回に分けて添加した。
【０１０３】反応溶液を濃縮してアルミナクロマトグラ
フィー（活性アルミナ３００メッシュ、クロロホルム）
により精製し、生じた沈殿をろ別してヘキサンで繰り返
し洗い、目的物である２，６−ジ（ブロモメチル）アン
トラセン−９，１０−ジカルボニトリル（構造式〔IX〕
−１）の黄色結晶１．７６ｇを得た。
【０１０４】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率７３％）。 1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):4.73(4H,s),7.90(2H,
d),8.45-8.53(4H,m) この1 ＨＮＭＲスペクトルは図９に示す通りであった。
【０１０５】実施例１０ ＜２，６−ジ（ブロモメチル）アントラセン−９−カル
ボニトリル（構造式〔IX〕−２）の合成例＞
【０１０６】
【化１５８】
【０１０７】２，６−ジメチルアントラセン−９−カル
ボニトリル（構造式〔XI〕−２）０．６５０ｇ（２．８
１ｍｍｏｌ）をクロロホルム１００ｍｌに溶解し、窒素
置換した後、還流しながらＮ−ブロモスクシンイミド
（構造式〔XII 〕−１）７．５０ｇ（４２．２ｍｍｏ
ｌ）を１２時間ごとに６回に分けて添加した。
【０１０８】反応溶液を濃縮してシリカゲルクロマトグ
ラフィー（ＷＡＫＯ−ｇｅｌ Ｃ−３００，テトラヒド
ロフラン：ヘキサン＝１：４）により精製し、生じた沈
殿をろ別してヘキサンで繰り返し洗い、トルエンから再
結晶して目的物である２，６−ジ（ブロモメチル）アン
トラセン−９−カルボニトリル（構造式〔IX〕−２）の
黄色結晶０．４７０ｇを得た。
【０１０９】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率４３％）。 1 ＨＮＭＲ（ＣＤＣ13) δ(ppm):4.70(2H,s),7.64(1H,
d),7.75(1H,d),8.05-8.10(2H,m),8.38-8.44(2H,m),8.63
(1H,m) この1 ＨＮＭＲスペクトルは図１０に示す通りであっ
た。
【０１１０】実施例１１ ＜２，６−ジ（ブロモメチル）アントラセン（構造式
〔IX〕−３）の合成例＞
【０１１１】
【化１５９】
【０１１２】２，６−ジメチルアントラセン（構造式
〔XI〕−３）０．５００ｇ（２．４２ｍｍｏｌ）をクロ
ロホルム１００ｍｌに溶解し、窒素置換した後、還流し
ながらＮ−ブロモスクシンイミド（構造式〔XII 〕−
１）６．４５ｇ（３６．３ｍｍｏｌ）を２４時間ごとに
２回に分けて添加した。
【０１１３】反応溶液を濃縮して、生じた沈殿をろ別し
てヘキサンで繰り返し洗い、テトラヒドロフランから再
結晶して目的物である２，６−ジ（ブロモメチル）アン
トラセンの黄色結晶０．４３０ｇを得た。
【０１１４】1 ＨＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、
目的物と同定した（収率３４％）。
【０１１５】
【発明の作用効果】本発明の化合物は、導入される置換
基に依存して、黄色〜赤色の強い発光を示す有機発光材
料として有効に利用することができ、高いガラス転移点
及び融点を有する物質であり、耐熱性に優れると共に、
電気的、熱的或いは化学的な安定性に優れ、また非晶質
でガラス状態を容易に形成し得、昇華性もあって真空蒸
着等によって均一なアモルファス膜を形成することもで
きる。また、本発明の化合物は、本発明の合成中間体を
経て一般的かつ高効率な方法で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のビス（アミノスチリル）アントラセン
化合物（構造式（１８）−２）の1 ＨＮＭＲスペクトル
図である。
【図２】本発明のビス（アミノスチリル）アントラセン
化合物（構造式（１８）−６）の1 ＨＮＭＲスペクトル
図である。
【図３】本発明のビス（アミノスチリル）アントラセン
化合物（構造式（２５）−２）の1 ＨＮＭＲスペクトル
図である。
【図４】本発明のビス（アミノスチリル）アントラセン
化合物（構造式（３２）−１）の1 ＨＮＭＲスペクトル
図である。
【図５】本発明のビス（アミノスチリル）アントラセン
化合物（構造式（１８）−１１）の1 ＨＮＭＲスペクト
ル図である。
【図６】本発明の合成中間体としてのジホスホン酸エス
テル（構造式（３５）−１）の 1 ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図７】本発明の合成中間体としてのジホスホン酸エス
テル（構造式（３７）−１）の1 ＨＮＭＲスペクトル図
である。
【図８】本発明の合成中間体としてのジホスホン酸エス
テル（（構造式〔VII 〕−１）の1 ＨＮＭＲスペクトル
図である。
【図９】本発明の合成中間体としての２，６−ジ（ブロ
モメチル）アントラセン−９，１０−ジカルボニトリル
（構造式〔IX〕−１）の1 ＨＮＭＲスペクトル図であ
る。
【図１０】本発明の合成中間体としての２，６−ジ（ブ
ロモメチル）アントラセン−９−カルボニトリル（構造
式〔IX〕−２）の1 ＨＮＭＲスペクトル図である。
【図１１】本発明に基づく有機電界発光素子の要部概略
断面図である。
【図１２】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図
である。
【図１３】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図
である。
【図１４】同、他の有機電界発光素子の要部概略断面図
である。
【図１５】同、有機電界発光素子を用いたマルチ又はフ
ルカラーの平面ディスプレイの構成図である。
【符号の説明】
１…基板、２…透明電極（陽極）、３…陰極、４…保護
膜、５、５ａ、５ｂ…有機層、６…正孔輸送層、７…電
子輸送層、８…電源、１０…正孔輸送層、１１…発光
層、１２…電子輸送層、１４…輝度信号回路、１５…制
御回路、２０…発光光、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…有機電界発光
素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 213/08 Ｃ０７Ｃ 213/08 217/92 217/92 253/30 253/30 255/58 255/58 Ｃ０７Ｆ 9/40 Ｃ０７Ｆ 9/40 Ｅ 9/54 9/54 // Ｃ０９Ｂ 57/00 Ｃ０９Ｂ 57/00 Ｚ Ｃ０９Ｋ 11/06 Ｃ０９Ｋ 11/06 ６２５ ６２５ (72)発明者 田村 眞一郎 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA02 AB92 AC22 AC30 BU46 BU48 FC54 FC76 GP03 4H050 AB84 AB92 4H056 DA01 DB12 DC01

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又
    は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）アントラセ
    ン化合物。 【化１】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
    置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
    （１）で表されるアリール基であり 【化２】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ7 、Ｒ8 、
    Ｒ9 、Ｒ10及びＲ11は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ5 及びＲ6 は互いに同一の又は異なる基であ
    って、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、
    ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であ
    る。〕 【化３】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14
    及びＲ15は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
    般式（２）で表されるアリール基であり 【化４】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ18、Ｒ19、
    Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ16及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であ
    って、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、
    ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であ
    る。〕 【化５】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ
    25及びＲ26は少なくとも１つが下記一般式（３）で表さ
    れるアリール基であり、残りが無置換のアリール基であ
    り 【化６】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ29、Ｒ30、
    Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素アミノ基である。）、Ｒ27及びＲ28は
    互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくと
    も１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロ
    メチル基又はハロゲン原子である。〕 【化７】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ35及びＲ36は互
    いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
    表されるアリール基であり 【化８】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ40、Ｒ41、
    Ｒ42、Ｒ43及びＲ44は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、水素原子、又はそれらの少なくとも一つが炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水
    素基である。）、Ｒ34及びＲ37は互いに同一の又は異な
    る基であって、下記一般式（５）で表されるアリール基
    であり 【化９】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ45、Ｒ46、
    Ｒ47、Ｒ48、Ｒ49、Ｒ50及びＲ51は互いに同一の又は異
    なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも一
    つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ
    基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ
    38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であって、それ
    らの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、
    トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
  2. 【請求項２】 下記一般式（６）で表されるビス（アミ
    ノスチリル）アントラセン化合物。 【化１０】 〔但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、
    Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有してもよい互
    いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有
    する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１
    ０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）
    で表されるアリール基から選ばれた基である。 【化１１】 （但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１
    ０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）
    において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又
    は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、
    Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６
    の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の
    整数である。）〕
  3. 【請求項３】 前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ
    57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数が１〜６である、請求
    項２に記載したビス（アミノスチリル）アントラセン化
    合物。
  4. 【請求項４】 下記一般式（１３）、（１３’）、（１
    ４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１７’）又は
    （１７”）、で表される、請求項１又は２に記載したビ
    ス（アミノスチリル）アントラセン化合物。 【化１２】 （但し、前記一般式（１３）において、Ｒ61は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１３】 （但し、前記一般式（１３’）において、Ｒ61は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１４】 （但し、前記一般式（１４）において、Ｒ62は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１５】 （但し、前記一般式（１５）において、Ｒ63は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１６】 （但し、前記一般式（１６）において、Ｒ64は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１７】 （但し、前記一般式（１７）において、Ｒ65は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化１８】 （但し、前記一般式（１７’）において、Ｒ65は水素原
    子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基であ
    る。） 【化１９】 （但し、前記一般式（１７”）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  5. 【請求項５】 下記構造式（１８）−１、（１８）−
    ２、（１８）−２’、（１８）−３、（１８）−４、
    （１８）−５、（１８）−６、（１８）−６’、（１
    ８）−７、（１８）−８、（１８）−９、（１８）−１
    ０、（１８）−１０’、（１８）−１０”又は（１８）
    −１１で表される、請求項１又は２に記載したビス（ア
    ミノスチリル）アントラセン化合物。 【化２０】
  6. 【請求項６】 下記一般式（１９）で表されるビス（ア
    ミノスチリル）アントラセン化合物。 【化２１】 〔但し、前記一般式（１９）において、Ａｒ1 、Ａ
    ｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有しても
    よい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換
    基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、
    （９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又
    は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基であ
    る。 【化２２】 （但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１
    ０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）
    において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又
    は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、
    Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６
    の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の
    整数である。）〕
  7. 【請求項７】 前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ
    57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数が１〜６である、請求
    項６に記載したビス（アミノスチリル）アントラセン化
    合物。
  8. 【請求項８】 下記一般式（２０）、（２１）、（２
    ２）、（２３）、（２４）、（２４’）又は（２４”）
    で表される、請求項１又は６に記載したビス（アミノス
    チリル）アントラセン化合物。 【化２３】 （但し、前記一般式（２０）において、Ｒ61は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化２４】 （但し、前記一般式（２１）において、Ｒ62は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化２５】 （但し、前記一般式（２２）において、Ｒ63は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ
    基である。） 【化２６】 （但し、前記一般式（２３）において、Ｒ64は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化２７】 （但し、前記一般式（２４）において、Ｒ65は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化２８】 （但し、前記一般式（２４’）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化２９】 （但し、前記一般式（２４”）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  9. 【請求項９】 下記構造式（２５）−１、（２５）−
    ２、（２５）−２’、（２５）−３、（２５）−４、
    （２５）−５、（２５）−６、（２５）−６’、（２
    ５）−７、（２５）−８、（２５）−９、（２５）−１
    ０、（２５）−１０’、（２５）−１０”又は（２５）
    −１１で表される、請求項１又は６に記載したビス（ア
    ミノスチリル）アントラセン化合物。 【化３０】
  10. 【請求項１０】 下記一般式（２６）で表されるビス
    （アミノスチリル）アントラセン化合物。 【化３１】 〔但し、前記一般式（２６）において、Ａｒ1 、Ａ
    ｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有しても
    よい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換
    基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、
    （９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又
    は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基であ
    る。 【化３２】 （但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１
    ０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）
    において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又
    は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、
    Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６
    の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の
    整数である。）〕
  11. 【請求項１１】 前記Ｒ52、Ｒ53，Ｒ54，Ｒ55、Ｒ56、
    Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数が１〜６である、請
    求項１０に記載したビス（アミノスチリル）アントラセ
    ン化合物。
  12. 【請求項１２】 下記一般式（２７）、（２８）、（２
    ９）、（３０）、（３１）、（３１’）又は（３１”）
    で表される、請求項１又は１０に記載したビス（アミノ
    スチリル）アントラセン化合物。 【化３３】 （但し、前記一般式（２７）において、Ｒ61は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化３４】 （但し、前記一般式（２８）において、Ｒ62は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化３５】 （但し、前記一般式（２９）において、Ｒ63は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ
    基である。） 【化３６】 （但し、前記一般式（３０）において、Ｒ64は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化３７】 （但し、前記一般式（３１）において、Ｒ65は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化３８】 （但し、前記一般式（３１’）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化３９】 （但し、前記一般式（３１”）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  13. 【請求項１３】 下記構造式（３２）−１、（３２）−
    ２、（３２）−２’、（３２）−３、（３２）−４、
    （３２）−５、（３２）−６、（３２）−６’、（３
    ２）−７、（３２）−８、（３２）−９、（３２）−１
    ０、（３２）−１０’又は（３２）−１０”で表され
    る、請求項１又は１０に記載したビス（アミノスチリ
    ル）アントラセン化合物。 【化４０】
  14. 【請求項１４】 下記一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕で表され
    る４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒド
    の少なくとも１種と；下記一般式〔VII 〕で表されるジ
    ホスホン酸エステル又は下記一般式〔VIII〕で表される
    ジホスホニウムと；を縮合させることによって、下記一
    般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕又は〔IV〕で表されるビ
    ス（アミノスチリル）アントラセン化合物を得る、ビス
    （アミノスチリル）アントラセン化合物の製造方法。 【化４１】 （但し、前記一般式〔Ｖ〕及び〔VI〕において、Ｒ66及
    びＲ67はそれぞれ、下記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ12、Ｒ13、
    Ｒ23、Ｒ24、Ｒ34又はＲ35に相当するアリール基であ
    り、Ｒ68及びＲ69はそれぞれ、下記Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ14、
    Ｒ15、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ36又はＲ37に相当するアリール基
    である。） 【化４２】 （但し、前記一般式〔VII 〕及び〔VIII〕において、Ｒ
    70及びＲ71はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水
    素基であり、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、下記Ｒ5、
    Ｒ6 、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ38又はＲ39に相当す
    る基であり、Ｘはハロゲン原子である。） 【化４３】 〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2 及びＲ3 は無
    置換のアリール基であり、Ｒ1 及びＲ4 は下記一般式
    （１）で表されるアリール基であり 【化４４】 （但し、前記一般式（１）において、Ｒ7 、Ｒ8 、
    Ｒ9 、Ｒ10及びＲ11は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ5 及びＲ6 は互いに同一の又は異なる基であ
    って、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、
    ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であ
    る。〕 【化４５】 〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14
    及びＲ15は互いに同一の又は異なる基であって、下記一
    般式（２）で表されるアリール基であり 【化４６】 （但し、前記一般式（２）において、Ｒ18、Ｒ19、
    Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水素基であ
    る。）、Ｒ16及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であ
    って、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、
    ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であ
    る。〕 【化４７】 〔但し、前記一般式〔III 〕において、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ
    25及びＲ26は、少なくとも１つが下記一般式（３）で表
    わされるアリール基であり、残りが無置換のアリール基
    であり 【化４８】 （但し、前記一般式（３）において、Ｒ29、Ｒ30、
    Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は
    不飽和の炭化水素アミノ基である。）、Ｒ27及びＲ28は
    互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくと
    も１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロ
    メチル基又はハロゲン原子である。〕 【化４９】 〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ35及びＲ36は互
    いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で
    表されるアリール基であり 【化５０】 （但し、前記一般式（４）において、Ｒ40、Ｒ41、
    Ｒ42、Ｒ43及びＲ44は互いに同一の又は異なる基であっ
    て、水素原子、又はそれらの少なくとも一つが炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、又は炭化水
    素基である。）、Ｒ34及びＲ37は互いに同一の又は異な
    る基であって、下記一般式（５）で表されるアリール基
    であり 【化５１】 （但し、前記一般式（５）において、Ｒ45、Ｒ46、
    Ｒ47、Ｒ48、Ｒ49、Ｒ50及びＲ51は互いに同一の又は異
    なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも一
    つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ
    基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ
    38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であって、それ
    らの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、
    トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である。〕
  15. 【請求項１５】 前記縮合をウイッティヒ−ホーナー
    （Wittig-Horner)反応又はウイッティヒ(Wittig)反応に
    よって行い、前記ジホスホン酸エステル及び／又は前記
    ジホスホニウムを溶媒中で塩基で処理することによって
    カルボアニオンを生成させ、このカルボアニオンと前記
    ４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドと
    を縮合させる、請求項１４に記載した、ビス（アミノス
    チリル）アントラセン化合物の製造方法。
  16. 【請求項１６】 下記一般式（６）で表されるビス（ア
    ミノスチリル）アントラセン化合物を得るに際し 【化５２】 〔但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、
    Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有してもよい互
    いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有
    する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１
    ０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）
    で表されるアリール基から選ばれた基である。 【化５３】 （但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１
    ０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）
    において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又
    は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、
    Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６
    の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の
    整数である。）〕、下記一般式（３３）又は（３４）で
    表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアル
    デヒドの少なくとも１種と；下記一般式（３５）で表さ
    れるジホスホン酸エステル又は下記一般式（３６）で表
    されるジホスホニウムと；を縮合させる、請求項１４に
    記載したビス（アミノスチリル）アントラセン化合物の
    製造方法。 【化５４】 （但し、前記一般式（３３）、（３４）、（３５）及び
    （３６）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、
    Ｒ70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
  17. 【請求項１７】 前記Ｒ70及びＲ71を炭素数１〜４の飽
    和炭化水素基とする、請求項１６に記載したビス（アミ
    ノスチリル）アントラセン化合物の製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、
    Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数を０〜６とする、請
    求項１６に記載したビス（アミノスチリル）アントラセ
    ン化合物の製造方法。
  19. 【請求項１９】 下記一般式（１３）、（１４）、（１
    ５）、（１６）、（１７）、（１７’）又は（１７”）
    で表されるビス（アミノスチリル）アントラセン化合物
    を得る、請求項１４又は１６に記載したビス（アミノス
    チリル）アントラセン化合物の製造方法。 【化５５】 （但し、前記一般式（１３）において、Ｒ61は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化５６】 （但し、前記一般式（１４）において、Ｒ62は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化５７】 （但し、前記一般式（１５）において、Ｒ63は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ
    基である。） 【化５８】 （但し、前記一般式（１６）において、Ｒ64は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化５９】 （但し、前記一般式（１７）において、Ｒ65は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化６０】 （但し、前記一般式（１７’）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化６１】 （但し、前記一般式（１７”）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  20. 【請求項２０】 下記構造式（１８）−１、（１８）−
    ２、（１８）−２’、（１８）−３、（１８）−４、
    （１８）−５、（１８）−６、（１８）−６’、（１
    ８）−７、（１８）−８、（１８）−９、（１８）−１
    ０、（１８）−１０’、（１８）−１０”又は（１８）
    −１１で表されるビス（アミノスチリル）アントラセン
    化合物を得る、請求項１４又は１６に記載したビス（ア
    ミノスチリル）アントラセン化合物の製造方法。 【化６２】
  21. 【請求項２１】 下記一般式（１９）で表されるビス
    （アミノスチリル）アントラセン化合物を得るに際し 【化６３】 〔但し、前記一般式（１９）において、Ａｒ1 、Ａ
    ｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有しても
    よい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換
    基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、
    （９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又
    は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基であ
    る。 【化６４】 （但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１
    ０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）
    において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又
    は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、
    Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６
    の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の
    整数である。）〕、下記一般式（３３）又は（３４）で
    表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアル
    デヒドの少なくとも１種と；下記一般式（３７）で表さ
    れるジホスホン酸エステル又は下記一般式（３８）で表
    されるジホスホニウムと；を縮合させる、請求項１４に
    記載したビス（アミノスチリル）アントラセン化合物の
    製造方法。 【化６５】 （但し、前記一般式（３３）、（３４）、（３７）及び
    （３８）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、
    Ｒ70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
  22. 【請求項２２】 前記Ｒ70及びＲ71を炭素数１〜４の飽
    和炭化水素基とする、請求項２１に記載したビス（アミ
    ノスチリル）アントラセン化合物の製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、
    Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数を０〜６とする、請
    求項２１に記載したビス（アミノスチリル）アントラセ
    ン化合物の製造方法。
  24. 【請求項２４】 下記一般式（２０）、（２１）、（２
    ２）、（２３）、（２４）、（２４’）又は（２４”）
    で表されるビス（アミノスチリル）アントラセン化合物
    を得る、請求項１４又は２１に記載したビス（アミノス
    チリル）アントラセン化合物の製造方法。 【化６６】 （但し、前記一般式（２０）において、Ｒ61は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化６７】 （但し、前記一般式（２１）において、Ｒ62は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化６８】 （但し、前記一般式（２２）において、Ｒ63は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ
    基である。） 【化６９】 （但し、前記一般式（２３）において、Ｒ64は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７０】 （但し、前記一般式（２４）において、Ｒ65は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７１】 （但し、前記一般式（２４’）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７２】 （但し、前記一般式（２４”）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  25. 【請求項２５】 下記構造式（２５）−１、（２５）−
    ２、（２５）−２’、（２５）−３、（２５）−４、
    （２５）−５、（２５）−６、（２５）−６’、（２
    ５）−７、（２５）−８、（２５）−９、（２５）−１
    ０、（２５）−１０’、（２５）−１０”又は（２５）
    −１１で表されるビス（アミノスチリル）アントラセン
    化合物を得る、請求項１４又は２１に記載したビス（ア
    ミノスチリル）アントラセン化合物の製造方法。 【化７３】
  26. 【請求項２６】 下記一般式（２６）で表されるビス
    （アミノスチリル）アントラセン化合物を得るに際し 【化７４】 〔但し、前記一般式（２６）において、Ａｒ1 、Ａ
    ｒ2 、Ａｒ3 及びＡｒ4 はそれぞれ、置換基を有しても
    よい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換
    基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、
    （９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又
    は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基であ
    る。 【化７５】 （但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１
    ０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）
    において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又
    は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、
    Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１
    以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６
    の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の
    整数である。）〕、下記一般式（３３）又は（３４）で
    表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアル
    デヒドの少なくとも１種と；下記一般式（３９）で表さ
    れるジホスホン酸エステル又は下記一般式（４０）で表
    されるジホスホニウムと；を縮合させる、請求項１４に
    記載したビス（アミノスチリル）アントラセン化合物の
    製造方法。 【化７６】 （但し、前記一般式（３３）、（３４）、（３９）及び
    （４０）において、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ａｒ3 、Ａｒ4 、
    Ｒ70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
  27. 【請求項２７】 前記Ｒ70及びＲ71を炭素数１〜４の飽
    和炭化水素基とする、請求項２６に記載したビス（アミ
    ノスチリル）アントラセン化合物の製造方法。
  28. 【請求項２８】 前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、
    Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数を１〜６とする、請
    求項２６に記載したビス（アミノスチリル）アントラセ
    ン化合物の製造方法。
  29. 【請求項２９】 下記一般式（２７）、（２８）、（２
    ９）、（３０）、（３１）、（３１’）又は（３１”）
    で表されるビス（アミノスチリル）アントラセン化合物
    を得る、請求項１４又は２６に記載したビス（アミノス
    チリル）アントラセン化合物の製造方法。 【化７７】 （但し、前記一般式（２７）において、Ｒ61は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７８】 （但し、前記一般式（２８）において、Ｒ62は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化７９】 （但し、前記一般式（２９）において、Ｒ63は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ
    基である。） 【化８０】 （但し、前記一般式（３０）において、Ｒ64は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化８１】 （但し、前記一般式（３１）において、Ｒ65は炭素数１
    〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化８２】 （但し、前記一般式（３１’）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。） 【化８３】 （但し、前記一般式（３１”）において、Ｒ65は炭素数
    １〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
  30. 【請求項３０】 下記構造式（３２）−１、（３２）−
    ２、（３２）−２’、（３２）−３、（３２）−４、
    （３２）−５、（３２）−６、（３２）−６’、（３
    ２）−７、（３２）−８、（３２）−９、（３２）−１
    ０、（３２）−１０’又は（３２）−１０”で表される
    ビス（アミノスチリル）アントラセン化合物を得る、請
    求項１４又は２６に記載したビス（アミノスチリル）ア
    ントラセン化合物の製造方法。 【化８４】
  31. 【請求項３１】 下記一般式〔VII 〕又は〔VIII〕で表
    されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウム。 【化８５】 （但し、前記一般式〔VII 〕及び〔VIII〕において、Ｒ
    70及びＲ71はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水
    素基であり、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、互いに同一の又
    は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原
    子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハ
    ロゲン原子であり、Ｘはハロゲン原子である。）
  32. 【請求項３２】 前記Ｒ70及びＲ71が炭素数１〜４の飽
    和炭化水素基である、請求項３１に記載したジホスホン
    酸エステル又はジホスホニウム。
  33. 【請求項３３】 下記一般式（３５）又は（３６）で表
    される、請求項３１に記載したジホスホン酸エステル又
    はジホスホニウム。 【化８６】 （但し、前記一般式（３５）及び（３６）において、Ｒ
    70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
  34. 【請求項３４】 下記一般式（３７）又は（３８）で表
    される、請求項３１に記載したジホスホン酸エステル又
    はジホスホニウム。 【化８７】 （但し、前記一般式（３７）及び（３８）において、Ｒ
    70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
  35. 【請求項３５】 下記一般式（３９）又は（４０）で表
    わされる、請求項３１に記載したジホスホン酸エステル
    又はジホスホニウム。 【化８８】 （但し、前記一般式（３９）及び（４０）において、Ｒ
    70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
  36. 【請求項３６】 下記一般式〔IX〕で表されるハロゲン
    化アリール化合物と、下記一般式〔Ｘ〕で表される亜リ
    ン酸トリアルキル又はトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ
    3 ）とを反応させることによって、下記一般式〔VII 〕
    又は〔VIII〕で表されるジホスホン酸エステル又はジホ
    スホニウムを得る、ジホスホン酸エステル又はジホスホ
    ニウムの製造方法。 【化８９】 （但し、前記一般式〔IX〕において、Ｒ72及びＲ73はそ
    れぞれ、互いに同一の又は異なる基であって、それらの
    少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリ
    フルオロメチル基又はハロゲン原子であり、Ｘはハロゲ
    ン原子である。） 一般式 〔Ｘ〕 : P ( OR74)3 又は P ( OR75)3 （但し、前記一般式〔Ｘ〕において、Ｒ74及びＲ75はそ
    れぞれ、同一の又は異なる炭化水素基である。） 【化９０】 （但し、前記一般式〔VII 〕及び〔VIII〕において、Ｒ
    70及びＲ71はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水
    素基であり、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じで
    ある。）
  37. 【請求項３７】 前記Ｒ70及びＲ71を炭素数１〜４の飽
    和炭化水素基とする、請求項３６に記載したジホスホン
    酸エステル又はジホスホニウムの製造方法。
  38. 【請求項３８】 下記一般式（３５）又は（３６）で表
    されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウムを得
    る、請求項３６に記載したジホスホン酸エステル又はジ
    ホスホニウムの製造方法。 【化９１】 （但し、前記一般式（３５）及び（３６）において、Ｒ
    70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
  39. 【請求項３９】 下記一般式（３７）又は（３８）で表
    されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウムを得
    る、請求項３６に記載したジホスホン酸エステル又はジ
    ホスホニウムの製造方法。 【化９２】 （但し、前記一般式（３７）及び（３８）において、Ｒ
    70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
  40. 【請求項４０】 下記一般式（３９）又は（４０）で表
    されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウムを得
    る、請求項３６に記載したジホスホン酸エステル又はジ
    ホスホニウムの製造方法。 【化９３】 （但し、前記一般式（３９）及び（４０）において、Ｒ
    70、Ｒ71及びＸは前記したものと同じである。）
  41. 【請求項４１】 下記一般式〔IX〕で表わされるハロゲ
    ン化アリール化合物。 【化９４】 （但し、一般式〔IX〕において、Ｒ72及びＲ73はそれぞ
    れ、同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも
    一つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメ
    チル基又はハロゲン原子であり、Ｘはハロゲン原子であ
    る。）
  42. 【請求項４２】 下記一般式〔XI〕で表されるアントラ
    セン化合物と、下記一般式 〔XII 〕で表されるＮ−ハ
    ロゲン化スクシンイミドとを反応させることによって、
    下記一般式〔IX〕で表されるハロゲン化アリール化合物
    を得る、ハロゲン化アリール化合物の製造方法。 【化９５】 （但し、前記一般式〔XI〕において、Ｒ72及びＲ73はそ
    れぞれ、同一の又は異なる基であって、それらの少なく
    とも一つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオ
    ロメチル基又はハロゲン原子である。） 【化９６】 （但し、前記一般式〔XII 〕において、Ｘはハロゲン原
    子である。） 【化９７】 （但し、前記一般式〔IX〕において、Ｒ72及びＲ73は前
    記したものと同じであり、Ｘはハロゲン原子である。）
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