JP2001101991A - Ion implanter and method for regulating ion implantation dosage - Google Patents
Ion implanter and method for regulating ion implantation dosageInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置お
よびイオン注入量管理方法に関し、例えば、半導体製造
工程において、シリコンウエハ等の試料に各種のイオン
を注入するためのイオン注入装置およびイオン注入量管
理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus and an ion implantation amount management method, for example, an ion implantation apparatus and an ion implantation amount for implanting various ions into a sample such as a silicon wafer in a semiconductor manufacturing process. Regarding management methods.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、イオン注入装置は一般に、半導体
製造装置へ適用され、シリコンウエハ等にＡｓ+ 、Ｐ
+ 、Ｂ+ 等のイオンを注入するために使用される。これ
らの正電荷を帯びたイオンを静電的に加速してプラテン
上のウエハに注入するイオン注入装置においては、ウエ
ハに注入されたイオンの量に応じて電流が流れる。この
イオンビーム電流をプラテンを介してイオンビーム電流
計測部により計測し、イオン注入量制御部でその電荷値
を積算することによりイオンの総量を計測、制御する。2. Description of the Related Art Conventionally, an ion implantation apparatus is generally applied to a semiconductor manufacturing apparatus, and As + , P
+ , B + etc. are used to implant ions. In an ion implantation apparatus that electrostatically accelerates these positively charged ions and implants them into a wafer on a platen, current flows according to the amount of ions implanted into the wafer. This ion beam current is measured by an ion beam current measurement unit via a platen, and the charge amount is integrated by an ion implantation amount control unit to measure and control the total amount of ions.
【０００３】本願発明と技術分野の類似する従来例１
の、特開平７−７３８４４号公報で開示された「イオン
注入装置」の構成内容を以下に示す。なお、図２は試料
室チャンバー内におけるビーム電流測定系の概略構成
図、図３は誤差電流の測定を説明するためのビーム走査
状態の概略図である。Conventional example 1 similar to the present invention in the technical field
The configuration of an "ion implantation apparatus" disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-73844 is shown below. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a beam current measurement system in the sample chamber, and FIG. 3 is a schematic diagram of a beam scanning state for explaining measurement of an error current.
【０００４】図２において、イオンビーム１２は走査電
極２７及び２８により静電的に走査され、プラテン１１
上に保持されたウエハ１０の全面にイオンが一様に注入
される。ウエハ１０の前方はファラデー電極１５に囲ま
れており、このファラデー電極１５の開口部の前方には
ファラデー電極１５に対し−６００Ｖの電位を持つサプ
レッサー電極１６が配置され、ファラデー電極１５の開
口部から二次電子が漏れるのを防いでいる。また、ファ
ラデー電極１５の前方にグラファイト製のマスク１７が
配置され、イオンビーム１２がファラデー電極１５内の
ウエハ１０のみに照射されるように構成されている。In FIG. 2, an ion beam 12 is electrostatically scanned by scanning electrodes 27 and 28, and a platen 11
Ions are uniformly implanted over the entire surface of the wafer 10 held thereon. The front of the wafer 10 is surrounded by the Faraday electrode 15, and a suppressor electrode 16 having a potential of −600 V with respect to the Faraday electrode 15 is disposed in front of the opening of the Faraday electrode 15. It prevents leakage of secondary electrons. A mask 17 made of graphite is arranged in front of the Faraday electrode 15 so that the ion beam 12 is irradiated only on the wafer 10 in the Faraday electrode 15.
【０００５】イオン注入時には、ウエハ１０を保待して
いるプラテン１１に流れる電流と、二次電子の影響を防
止するためのファラデー電極１５に流れる電流とが、合
わせてビーム電流としてビーム電流測定部１３によって
測定される。このビーム電流測定部１３は、走査電極２
７及び２８のビーム走査制御部２１の指示に基づいて、
イオンビーム１２がマスク１７に照射されている時に
も、特に、ファラデー電極１５からビーム電流測定部１
３に流れ込む電流を計測するように構成されている。そ
して、この計測された電流を打ち消す量の電流が、電流
制御部２２の指示に基づいて外部電流源２３からプラテ
ン１１ヘ流されるように構成されている。At the time of ion implantation, the current flowing through the platen 11 holding the wafer 10 and the current flowing through the Faraday electrode 15 for preventing the influence of secondary electrons are combined into a beam current measuring unit. 13 is measured. The beam current measuring unit 13 is provided with the scanning electrode 2
Based on the instructions of the beam scanning control unit 21 of 7 and 28,
Even when the mask 17 is irradiated with the ion beam 12, in particular, the beam current measurement unit 1 is connected to the Faraday electrode 15.
3 is configured to measure a current flowing into the device 3. An amount of current that cancels out the measured current flows from the external current source 23 to the platen 11 based on an instruction from the current control unit 22.
【０００６】上記に構成されたイオン注入装置におい
て、図３に示すように、イオンビーム１２がマスク１７
に当たっている時は、通常、ビーム電流測定部１３に流
れるビーム電流は“０Ａ”である。しかし、ファラデー
電極１５が導電性の劣化により帯電すると、帯電した電
荷はその伝搬に大きな時定数を持つので時間的に遅れて
ビーム電流測定部１３に流れ込む。このため、イオンビ
ーム１２がマスク１７に当たっていても、この時にビー
ム電流測定部１３により測定されるビーム電流は“０
Ａ”にはならない。また、イオンビーム１２がマスク１
７に当たっていても、ファラデー電極１５とサプレッサ
ー電極１６との間に放電が生じ、ファラデー電極１５に
放電電流が流れていると、この時もビーム電流測定部１
３により測定されるビーム電流は“０Ａ”にはならな
い。[0006] In the ion implantation apparatus constructed as described above, as shown in FIG.
, The beam current flowing to the beam current measuring unit 13 is normally “0 A”. However, when the Faraday electrode 15 is charged due to deterioration in conductivity, the charged charge flows into the beam current measuring unit 13 with a time delay because the charged charge has a large time constant in its propagation. Therefore, even if the ion beam 12 hits the mask 17, the beam current measured by the beam current measuring unit 13 at this time is "0".
A ″ does not occur. Further, the ion beam 12 is
7, a discharge occurs between the Faraday electrode 15 and the suppressor electrode 16, and a discharge current flows through the Faraday electrode 15.
The beam current measured by 3 will not be "0A".
【０００７】従って、イオンビーム１２がマスク１７に
当たっている時の電流を計測すれば、ファラデー電極１
５の帯電やファラデー電極１５とサプレッサー電極１６
との間の放電等に起因するビーム電流測定系の誤差電流
を把握することができる。即ち、イオンビーム１２がマ
スク１７に当たっている時に、ビーム走査制御部２１の
指示により、ファラデー電極１５に流れる誤差電流がビ
ーム電流測定部１３によって測定される。そして、電流
制御部２２の指示により誤差電流を打ち消す量の補正電
流が外部電流源２３を用いて流される。Therefore, if the current when the ion beam 12 hits the mask 17 is measured, the Faraday electrode 1
5 and the Faraday electrode 15 and the suppressor electrode 16
And the error current of the beam current measurement system caused by the discharge between them. That is, when the ion beam 12 hits the mask 17, an error current flowing through the Faraday electrode 15 is measured by the beam current measuring unit 13 according to an instruction of the beam scanning control unit 21. Then, a correction current of an amount for canceling the error current is supplied by using the external current source 23 according to an instruction of the current control unit 22.
【０００８】これによって、ビーム電流測定部１３にビ
ーム電流以外の誤差電流が流れ込んだ場合でも、その誤
差電流に応じてビーム電流が補正される。このため、装
置の使用状況によらずビーム電流の測定誤差を無くすこ
とが可能になり、ビーム電流測定部１３によってビーム
電流を極めて正確に測定することができ、高精度なイオ
ン注入を行うことができる、としている。Accordingly, even when an error current other than the beam current flows into the beam current measuring unit 13, the beam current is corrected according to the error current. For this reason, it is possible to eliminate the measurement error of the beam current irrespective of the use condition of the apparatus, and the beam current can be measured very accurately by the beam current measurement unit 13, and highly accurate ion implantation can be performed. I can do it.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術においては、イオンビーム電流計測部４自身の
測定誤差を補正する機能を有していない。従って、イオ
ンビーム電流計測部４で計測された電流値自体が実際の
イオンビーム電流値と異なった場合には、本来欲する所
定のイオン量を注入することができないという問題を伴
う。However, the above-mentioned prior art does not have a function of correcting a measurement error of the ion beam current measuring section 4 itself. Therefore, when the current value itself measured by the ion beam current measurement unit 4 is different from the actual ion beam current value, there is a problem that a predetermined desired amount of ions cannot be implanted.
【００１０】本発明は、イオンビーム電流計測部自体の
測定誤差を補正することで、イオン注入量を正確に制御
することが可能なイオン注入装置およびイオン注入量管
理方法を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide an ion implantation apparatus and an ion implantation amount management method capable of accurately controlling an ion implantation amount by correcting a measurement error of an ion beam current measuring unit itself. I do.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、請求項１記載の発明のイオン注入装置は、イオンビ
ーム電流をイオンビーム電流計測部で測定し、この測定
結果に基づいて予め設定されている設定イオン注入量に
なるようにイオン注入量の制御が行われるイオン注入装
置であり、設定イオン注入量に対応する基準値となる直
流電流を発生する直流電流発生器と、直流電流発生器で
発生した直流電流値をイオンビーム電流計測部が測定
し、この測定した直流電流値に基づきイオン注入量の実
行の制御を行うイオン注入量制御部とを有して構成され
たことを特徴としている。In order to achieve the above object, an ion implantation apparatus according to the first aspect of the present invention measures an ion beam current by an ion beam current measurement unit and sets the ion beam current in advance based on the measurement result. A DC current generator that generates a DC current serving as a reference value corresponding to the set ion implantation amount, and a DC current generator. The ion beam current measurement unit measures the DC current value generated in the, the ion implantation amount control unit that controls the execution of the ion implantation amount based on the measured DC current value, characterized by comprising I have.
【００１２】また、上記の直流電流発生器で発生した直
流電流値をイオンビーム電流計測部で測定するための接
続ａ、または測定値に基づきプラテン上に搭載されたウ
エハへのイオン注入量をイオンビーム電流計測部の測定
に基づき実行するための接続ｂの、何れか一方の接続ラ
インへ切り替えるための切り替えユニットをさらに有し
て構成されるとよい。A connection a for measuring a DC current value generated by the DC current generator by an ion beam current measuring unit, or an ion implantation amount to a wafer mounted on a platen based on the measured value. It is preferable to further include a switching unit for switching to any one of the connection lines of the connection b to be executed based on the measurement of the beam current measurement unit.
【００１３】さらに、接続ａまたは接続ｂへ接続ライン
を切り替えての測定および実行は、イオン注入量の制御
を行うウエハの１枚数毎に行うとよい。Further, the measurement and execution by switching the connection line to the connection a or the connection b may be performed for each wafer for controlling the ion implantation amount.
【００１４】請求項４記載のイオン注入量管理方法は、
イオンビーム電流をイオンビーム電流計測部で測定し、
この測定結果に基づいて予め設定されている設定イオン
注入量になるようにイオン注入量の制御が行われるイオ
ン注入管理方法であり、設定イオン注入量に対応する基
準値となる直流電流を発生する直流電流発生工程と、直
流電流発生工程で発生した直流電流値をイオンビーム電
流計測部が測定し、この測定した直流電流値に基づきイ
オン注入量の実行の制御を行うイオン注入量制御工程と
を有して構成されたことを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of controlling an ion implantation amount.
Measure the ion beam current with the ion beam current measurement unit,
This is an ion implantation management method in which the ion implantation amount is controlled so as to be a preset ion implantation amount based on the measurement result, and a DC current serving as a reference value corresponding to the preset ion implantation amount is generated. A DC current generation step, and an ion implantation amount control step of measuring the DC current value generated in the DC current generation step by the ion beam current measurement unit and controlling the execution of the ion implantation amount based on the measured DC current value. It is characterized by having and having.
【００１５】また、上記の直流電流発生工程で発生した
直流電流値をイオンビーム電流計測部で測定するための
接続ａ、または測定値に基づきプラテン上に搭載された
ウエハへのイオン注入量をイオンビーム電流計測部の測
定に基づき実行するための接続ｂの、何れか一の接続ラ
インへ切り替えるための切り替え工程をさらに有して構
成するとよい。Further, the connection a for measuring the DC current value generated in the above-described DC current generation step by the ion beam current measurement unit, or the ion implantation amount to the wafer mounted on the platen based on the measured value It may be configured to further include a switching step for switching to one of the connection lines of the connection b to be executed based on the measurement of the beam current measurement unit.
【００１６】さらに、接続ａまたは接続ｂへ接続ライン
を切り替えての測定および実行は、イオン注入量の制御
を行うウエハの１枚数毎に行うとよい。Further, the measurement and execution by switching the connection line to the connection a or the connection b may be performed for each wafer for controlling the ion implantation amount.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
によるイオン注入装置およびイオン注入量管理方法の実
施の形態を詳細に説明する。図１を参照すると、本発明
のイオン注入装置およびイオン注入量管理方法の一実施
形態が示されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of an ion implantation apparatus and an ion implantation dose management method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Referring to FIG. 1, there is shown an embodiment of an ion implantation apparatus and an ion implantation dose management method according to the present invention.
【００１８】図１に示す本実施形態のイオン注入装置お
よびイオン注入量管理方法は、プラテン２、ウエハ３、
イオンビーム電流計測部４、イオン注入量制御部５、直
流電流発生器６、切り替えユニット７、を有して構成さ
れ、この構成のイオン注入装置およびイオン注入量管理
方法により欲する量のイオンビーム１がウエハ３へ注入
処理される。The ion implantation apparatus and the ion implantation amount management method of the present embodiment shown in FIG.
The ion beam current measuring unit 4, the ion implantation amount control unit 5, the DC current generator 6, and the switching unit 7 are configured. Is injected into the wafer 3.
【００１９】イオンビーム電流計測部４に直流電流発生
器６を切り替えユニット７の接点により接続し、イオン
ビーム電流計測部４自体の計測値のズレ量（誤差）をイ
オン注入量制御部５で確認する。イオン注入量制御部５
は、このズレ量を補正したイオン注入量の制御を行う。
なお、本実施例であるイオンビーム電流計測部４のズレ
量を補正する制御方式以外における装置全体の構成は、
従来例と同等でよい。A DC current generator 6 is connected to the ion beam current measuring unit 4 by a contact of a switching unit 7, and a deviation amount (error) of a measured value of the ion beam current measuring unit 4 itself is confirmed by an ion implantation amount control unit 5. I do. Ion implantation amount control unit 5
Performs the control of the ion implantation amount in which the deviation amount is corrected.
The configuration of the entire apparatus other than the control method for correcting the deviation amount of the ion beam current measurement unit 4 according to the present embodiment is as follows.
It may be equivalent to the conventional example.
【００２０】図１に示すように、プラテン２上のウエハ
３に注入されたイオンをビーム電流として計測するイオ
ンビーム電流計測部４と、そのイオンビーム電流計測値
を基にウエハ３へのイオン注入量を制御するイオン注入
量制御部５、イオンビーム電流計測部４とイオン注入量
制御部５とに接続された直流電流発生器６、及び電流計
測ラインに接続された切り替えユニット７により構成さ
れる。As shown in FIG. 1, an ion beam current measuring section 4 for measuring ions implanted into the wafer 3 on the platen 2 as a beam current, and ion implantation into the wafer 3 based on the measured ion beam current. It comprises an ion implantation amount control unit 5 for controlling the amount, a DC current generator 6 connected to the ion beam current measurement unit 4 and the ion implantation amount control unit 5, and a switching unit 7 connected to the current measurement line. .
【００２１】イオン注入処理開始前、すなわちイオンビ
ーム１がプラテン２上のウエハ３に照射される前に、イ
オン注入量制御部５よりこの時の条件に最適な理論値の
条件イオンビーム電流値の発生指令を直流電流発生器６
へ出力する。Before the ion implantation process is started, that is, before the ion beam 1 irradiates the wafer 3 on the platen 2, the ion implantation amount controller 5 sets the condition of the optimum theoretical value for the condition at this time. Generates a DC current generator 6
Output to
【００２２】また同時に、イオン注入量制御部５からの
イオン注入開始待ち状態への指令により、切り替えユニ
ット７が動作し、イオンビーム電流計測部４は、プラテ
ン２と電気的に遮断され、直流電流発生器６と接続され
る。この状態で直流電流発生器６により発生した電流値
（積算値）のみをイオンビーム電流計測部４で計測す
る。なお、このイオンビーム電流計測部４で計測された
上記の電流値（積算値）には、イオンビーム電流計測部
４自体の誤差を含んでいる。イオンビーム電流計測部４
自体の誤差として、例えば、いわゆるスケール誤差、経
時誤差、温度誤差、電磁波等の外乱要因による誤差等が
あり、その他に電流伝達経路における伝搬誤差、熱等へ
変換された損失誤差等をも含むものとする。At the same time, the switching unit 7 operates in response to a command to the ion implantation start waiting state from the ion implantation amount control unit 5, and the ion beam current measurement unit 4 is electrically disconnected from the platen 2 and the DC current Connected to generator 6. In this state, only the current value (integrated value) generated by the DC current generator 6 is measured by the ion beam current measuring unit 4. The current value (integrated value) measured by the ion beam current measurement unit 4 includes an error of the ion beam current measurement unit 4 itself. Ion beam current measurement unit 4
As its own errors, for example, there are so-called scale errors, aging errors, temperature errors, errors due to disturbance factors such as electromagnetic waves, and the like, and also include propagation errors in current transmission paths, loss errors converted into heat, and the like. .
【００２３】イオン注入量制御部５は、このイオンビー
ム電流計測部４を通して計測された電流値と上記の条件
イオンビーム電流値とを比較し、これらの差分により上
記の各種要因による誤差分を補償する補正係数を算出す
る。The ion implantation amount control section 5 compares the current value measured through the ion beam current measurement section 4 with the above-mentioned condition ion beam current value, and compensates for the error due to the above-mentioned various factors based on the difference therebetween. The correction coefficient to be calculated is calculated.
【００２４】イオン注入処理開始時に、再度切り替えユ
ニット７が動作し、イオンビーム電流計測部４は直流電
流発生器６と接続を遮断し、プラテン２と接続され、イ
オン注入処理が開始される。この時、イオン注入量制御
部５は、補正係数を基にイオン注入量の補正を行いイオ
ン注入量の実行を制御する。At the start of the ion implantation process, the switching unit 7 operates again, the connection of the ion beam current measuring unit 4 to the DC current generator 6 is cut off, the connection to the platen 2 is started, and the ion implantation process is started. At this time, the ion implantation amount control unit 5 corrects the ion implantation amount based on the correction coefficient and controls the execution of the ion implantation amount.
【００２５】以上の動作は、イオン注入開始毎、すなわ
ち枚葉式イオン注入処理の場合は、ウエハ１枚毎に行う
とよい。The above operation is preferably performed each time the ion implantation is started, that is, in the case of single-wafer ion implantation, for each wafer.
【００２６】上記のように構成された本実施例によれ
ば、イオン注入処理時にイオンビーム電流値を計測する
際、イオンビーム電流計測部自体の変動、測定誤差によ
る影響を、イオン注入量の制御により的確に補正するこ
とが可能となり、極めて正確にイオン注入を行うことが
可能となる。According to the present embodiment configured as described above, when measuring the ion beam current value during the ion implantation processing, the influence of the fluctuation of the ion beam current measurement unit itself and the measurement error is controlled by controlling the ion implantation amount. Thus, it is possible to correct more accurately, and it is possible to perform ion implantation very accurately.
【００２７】（他の実施例）上記の実施形態では、直流
電流発生器６から発生する基準電流を基に求めたイオン
ビーム電流計測部４の測定誤差において、イオン注入量
制御部５によりイオン注入量を補正するものとした。し
かし、イオンビーム電流計測部４自体に補正機能を有す
ることで、同様に算出した誤差をイオンビーム電流値で
補正する形式のものであってもよい。(Other Embodiments) In the above embodiment, the ion implantation amount control unit 5 controls the ion implantation amount control unit 5 to adjust the ion implantation current control unit 5 based on the measurement error of the ion beam current measurement unit 4 obtained based on the reference current generated from the DC current generator 6. The amount was corrected. However, the ion beam current measurement unit 4 itself may have a correction function so that the error calculated in the same manner is corrected with the ion beam current value.
【００２８】イオンビーム電流を計測することによりウ
エハへのイオン注入量を制御するイオン注入装置および
イオン注入量管理方法において、イオンビーム電流計測
部自体の計測誤差により生じる注入量のズレを自動補正
する機能を有することで、イオン注入量の信頼性を向上
させる。In the ion implantation apparatus and the ion implantation amount management method for controlling the ion implantation amount to the wafer by measuring the ion beam current, the deviation of the implantation amount caused by the measurement error of the ion beam current measuring unit itself is automatically corrected. Having the function improves the reliability of the ion implantation amount.
【００２９】尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。The above embodiment is an example of a preferred embodiment of the present invention. However, it is not limited to this.
Various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
のイオン注入装置およびイオン注入量管理方法は、設定
イオン注入量に対応する基準値となる直流電流を発生
し、発生した直流電流値を測定し、測定した直流電流値
に基づきイオン注入量の実行の制御を行う。よって、イ
オンビーム電流計測部自体の計測誤差により生じる注入
量のズレが自動補正され、イオン注入量の信頼性を向上
させる。As is apparent from the above description, the ion implantation apparatus and the ion implantation amount management method of the present invention generate a DC current as a reference value corresponding to the set ion implantation amount, and generate the DC current value. Is measured, and the execution of the ion implantation amount is controlled based on the measured DC current value. Therefore, the deviation of the implantation amount caused by the measurement error of the ion beam current measurement unit itself is automatically corrected, and the reliability of the ion implantation amount is improved.
【図１】本発明のイオン注入装置の実施形態を示すブロ
ック構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an ion implantation apparatus of the present invention.
【図２】従来の試料室チャンバー内におけるビーム電流
測定系の概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional beam current measurement system in a sample chamber.
【図３】従来の誤差電流の測定を説明するためのビーム
走査状態の概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a beam scanning state for explaining measurement of a conventional error current.
１ イオンビーム ２ プラテン ３ ウエハ ４ イオンビーム電流計測部 ５ イオン注入量制御部 ６ 直流電流発生器 ７ 切り替えユニット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ion beam 2 Platen 3 Wafer 4 Ion beam current measurement part 5 Ion implantation amount control part 6 DC current generator 7 Switching unit
Claims (6)
測部で測定し、該測定結果に基づいて予め設定されてい
る設定イオン注入量になるようにイオン注入量の制御が
行われるイオン注入装置において、 前記設定イオン注入量に対応する基準値となる直流電流
を発生する直流電流発生器と、 前記直流電流発生器で発生した直流電流値を前記イオン
ビーム電流計測部が測定し、該測定した直流電流値に基
づき前記イオン注入量の実行の制御を行うイオン注入量
制御部と、 を有して構成されたことを特徴とするイオン注入装置。1. An ion implantation apparatus in which an ion beam current is measured by an ion beam current measurement unit, and the ion implantation amount is controlled to a preset ion implantation amount based on the measurement result. A DC current generator that generates a DC current serving as a reference value corresponding to the set ion implantation amount, the DC current value generated by the DC current generator is measured by the ion beam current measurement unit, and the measured DC current is measured. An ion implantation amount control unit configured to control the execution of the ion implantation amount based on a value.
値を前記イオンビーム電流計測部で測定するための接続
ａ、 または前記測定値に基づきプラテン上に搭載されたウエ
ハへの前記イオン注入量を前記イオンビーム電流計測部
の測定に基づき実行するための接続ｂの、 何れか一方の接続ラインへ切り替えるための切り替えユ
ニットをさらに有して構成されたことを特徴とする請求
項１に記載のイオン注入装置。2. A connection a for measuring a DC current value generated by the DC current generator by the ion beam current measuring unit, or the ion implantation amount into a wafer mounted on a platen based on the measured value. 2. A switching unit for switching to one of the connection lines of the connection b for executing the operation based on the measurement of the ion beam current measurement unit. Ion implanter.
ンを切り替えての前記測定および実行は、 前記イオン注入量の制御を行うウエハの１枚数毎に行う
ことを特徴とする請求項２に記載のイオン注入装置。3. The method according to claim 2, wherein the measurement and the execution by switching the connection line to the connection a or the connection b are performed for each wafer for controlling the ion implantation amount. Ion implantation equipment.
ム電流計測部で測定し、該測定結果に基づいて予め設定
されている設定イオン注入量になるようにイオン注入量
の制御が行われるイオン注入管理方法において、 前記設定イオン注入量に対応する基準値となる直流電流
を発生する直流電流発生工程と、 前記直流電流発生工程で発生した直流電流値を前記イオ
ンビーム電流計測部が測定し、該測定した直流電流値に
基づき前記イオン注入量の実行の制御を行うイオン注入
量制御工程と、 を有して構成されたことを特徴とするイオン注入管理方
法。4. The ion implantation management wherein the ion beam current is measured by the ion beam current measuring unit, and the ion implantation amount is controlled to a preset ion implantation amount based on the measurement result. In the method, a DC current generating step of generating a DC current serving as a reference value corresponding to the set ion implantation amount, and the DC current value generated in the DC current generating step is measured by the ion beam current measuring unit, and the measurement is performed. An ion implantation amount control step of controlling execution of the ion implantation amount based on the obtained DC current value.
流値を前記イオンビーム電流計測部で測定するための接
続ａ、 または前記測定値に基づきプラテン上に搭載されたウエ
ハへの前記イオン注入量を前記イオンビーム電流計測部
の測定に基づき実行するための接続ｂの、 何れか一方の接続ラインへ切り替えるための切り替え工
程をさらに有して構成されたことを特徴とする請求項４
に記載のイオン注入管理方法。5. The connection a for measuring a DC current value generated in the DC current generating step by the ion beam current measuring unit, or the ion implantation amount into a wafer mounted on a platen based on the measured value. 5. The method according to claim 4, further comprising: a switching step of switching to any one of the connection lines of the connection b for executing the operation b based on the measurement of the ion beam current measurement unit.
3. The ion implantation management method according to 1.
ンを切り替えての前記測定および実行は、 前記イオン注入量の制御を行うウエハの１枚数毎に行う
ことを特徴とする請求項５に記載のイオン注入管理方
法。6. The method according to claim 5, wherein the measurement and the execution by switching the connection line to the connection a or the connection b are performed for each wafer for controlling the ion implantation amount. Ion implantation management method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28156399A JP2001101991A (en) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | Ion implanter and method for regulating ion implantation dosage |
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|---|---|---|---|
| JP28156399A JP2001101991A (en) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | Ion implanter and method for regulating ion implantation dosage |
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|---|---|
| JP2001101991A true JP2001101991A (en) | 2001-04-13 |
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ID=17640940
Family Applications (1)
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| JP28156399A Pending JP2001101991A (en) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | Ion implanter and method for regulating ion implantation dosage |
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|---|---|
| JP (1) | JP2001101991A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111668083A (en) * | 2020-05-13 | 2020-09-15 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | Detection method of dose measuring system of ion implanter |
| TWI811695B (en) * | 2018-12-15 | 2023-08-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | Ion implanter |
-
1999
- 1999-10-01 JP JP28156399A patent/JP2001101991A/en active Pending
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| TWI811695B (en) * | 2018-12-15 | 2023-08-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | Ion implanter |
| CN111668083A (en) * | 2020-05-13 | 2020-09-15 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | Detection method of dose measuring system of ion implanter |
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