JP2001100228A - 液晶表示装置およびこれを用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 鮮やかな表示色が得られ、より見栄えの良い
カラー液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ＴＦＤアレイ基板１上に複数のデータ線
２と、これら複数のデータ線２の各々に接続された複数
のＴＦＤ８と、これら複数のＴＦＤ８の各々に接続され
た複数の画素電極１４とが設けられ、対向基板上にはカ
ラーフィルターが設けられている。そして、データ線２
に沿った方向に互いに隣接する２つの画素電極１４の間
に、これら画素電極１４に接続されていない側のデータ
線２から分岐した容量付加用配線２１が設けられ、この
容量付加用配線２１と画素電極１４とで容量結合が生じ
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
びこれを用いた電子機器に関し、特に発色性の向上を狙
ったカラー液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置は、特に低消費電力
で軽量なディスプレイデバイスとしてテレビジョン、電
子手帳、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機
器に広く利用されている。そして、非線形の電流−電圧
特性を有する２端子型非線形素子である薄膜ダイオード
（Thin Film Diode, 以下、ＴＦＤと略記する、Metal I
nsulator Metal, ＭＩＭということもある）、ダイオー
ド・リング素子、バリスタ素子等をスイッチング素子と
して用いた２端子型アクティブマトリクス液晶表示装
置、あるいは薄膜トランジスタをスイッチング素子とし
て用いた３端子型アクティブマトリクス液晶表示装置
が、その高い性能（高コントラスト、高速応答など）に
より脚光を浴びている。特に２端子型アクティブマトリ
クス液晶表示装置は、スイッチング素子の構造が簡単で
あるために、液晶表示装置を安い製造コストで提供する
ことを可能にしている。

【０００３】図１１はアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置の等価回路の一例を示しており、特にＴＦＤを
スイッチング素子として用いた例を示している。この液
晶表示装置１００は、走査信号駆動回路１０１とデータ
信号駆動回路１０２とを含むものである。液晶表示装置
１００には、複数の走査線１０３および複数のデータ線
１０４が設けられ、走査線１０３は走査信号駆動回路１
０１により駆動され、データ線１０４はデータ信号駆動
回路１０２により駆動される。そして、各画素領域にお
いて、走査線１０３とデータ線１０４との間にＴＦＤ１
０５と液晶１０６とが直列に接続されている。

【０００４】また、図１０は、上記液晶表示装置を構成
する、液晶層を挟んで対峙する２枚の基板のうち、ＴＦ
Ｄアレイ基板の構成の一例を示す図である。本例のＴＦ
Ｄアレイ基板１０７においては、紙面縦方向に延びる配
線がデータ線１０８であり、データ線１０８は、表面に
陽極酸化膜が形成されたタンタル膜からなる第１導電層
と、クロム膜からなる第２導電層と、後述する画素電極
の構成材料であるインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxi
de,以下、ＩＴＯと略記する）からなる第３導電層が下
から順次積層された積層構造を採っている。

【０００５】各データ線１０８に沿ってＴＦＤ１０９が
各画素毎に設けられている。ここに例示したＴＦＤ１０
９は、いわゆるバック・トゥー・バック（Back to Bac
k）型と呼ばれ、２つのダイオードを背中合わせに接続
したような構造を採っており、印加電圧の極性による電
流−電圧特性の変化がないという良好な特性を有してい
る。各ＴＦＤ１０９においては、データ線１０８を構成
する３層のうち、第２導電層（クロム層）のみがデータ
線の途中から分岐して延び、その分岐部１１０が、表面
に陽極酸化膜が形成されたタンタル層のパターン１１１
上を横断し、第１のダイオード１１２を構成している。
さらに、同じタンタル層のパターン１１１上の第１のダ
イオード１１２の側方に、上記第２導電層と同じレイヤ
ーのクロム層のパターン１１３が横断し、第２のダイオ
ード１１４を構成している。

【０００６】さらに、第２のダイオード１１４を構成す
るクロム層のパターン１１３に、ＩＴＯからなる画素電
極１１５が接続されている。

【０００７】本例のＴＦＤアレイ基板１０７では、以上
の構成により、各画素電極１１５がバック・トゥー・バ
ック型のＴＦＤ１０９を介してデータ線１０８に接続さ
れている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
ＴＦＤアレイ基板を用いてカラー液晶表示装置を実現す
る場合、図１０に示すように、対向基板側もしくはＴＦ
Ｄアレイ基板側のいずれかにカラーフィルターを設け、
各画素電極と対向基板側の走査線とで規定される画素領
域に、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の色
素層をそれぞれ割り当てる。図１０の例では、色の配列
はストライプ型としている。そして、各画素毎に輝度
（階調）を制御することにより、様々な色を表示するこ
とができる。単純に言えば、例えば緑を表示しようとす
る場合、ＲとＢの画素を暗表示、Ｇの画素を明表示とす
れば、緑を表示することができる。

【０００９】しかしながら、この種のカラー液晶表示装
置において、表示する色によって輝度が低くなる場合が
あり、色の発色性が悪く、くすんだ色となることが問題
となっていた。したがって、鮮やかな表示色が得られ、
より見栄えの良いカラー液晶表示装置の提供が求められ
ていた。

【００１０】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、従来に比べて発色性に優れたカラ
ー液晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層
が挟持されてなり、前記一対の基板の少なくとも一方の
基板上に設けられた複数のデータ線あるいは走査線とな
る配線と、これら複数の配線の各々に接続された複数の
異なる色を表示する画素電極とを有する液晶表示装置で
あって、各画素電極と、該画素電極を挟む２本の配線の
うち該画素電極に接続されていない側の配線との間で容
量結合を生じてなる容量増大部が付加されたことを特徴
とするものである。

【００１２】また、上記の容量増大部を具体的に実現す
る手段としては、配線に沿った方向に互いに隣接する２
つの画素電極の間に、これら画素電極に接続されていな
い側の配線に電気的に接続された導電層からなる容量付
加部を設け、この容量付加部と画素電極とで容量増大部
を構成することができる。

【００１３】任意の１つの画素の輝度を向上させようと
した場合、本発明者は、当該画素の輝度が信号線を挟ん
で隣接する画素の表示状態に影響を受けることに着目
し、この現象を利用することを考えた。以下、本発明の
原理を説明する。

【００１４】図４は、本発明の対象である２端子型アク
ティブマトリクス液晶表示装置の構成を模式的に示した
ものである。各画素電極５０ｒ−１、５０ｇ、５０ｂ
は、当該画素電極（例えば５０ｇ）が２端子型非線形素
子５１（ここではＴＦＤを例とする）を介して接続され
た信号線（画素電極５０ｇに対しては５２ｇ）と接続さ
れていない信号線（画素電極５０ｇに対しては５２ｒ）
との間に挟まれており、各画素電極５０ｇとこれら２本
の信号線５２ｇ、５２ｒの各々との間には容量結合５３
ａ、５３ｂ（カップリング）がそれぞれ生じている。一
方、２点鎖線で示した配線５４は対向基板側に設けられ
た走査線であり、信号線５２ｒ、５２ｇ、５２ｂと直交
する方向に延在している。走査線５４の駆動方式として
は、フリッカや液晶の劣化を防止するために反転駆動が
よく用いられるが、ここでは走査線１ライン毎に正、
負、正、…と反転駆動し、さらにそれをフィールド単位
で反転させるものとする。また、各画素にＲ、Ｇ、Ｂの
３色のカラーフィルターが割り当てられている。

【００１５】配線５２ｒ、５２ｇ、５２ｂと５４は、各
々信号線、走査線としたが、５２ｒ、５２ｇ、５２ｂが
走査線、５４が信号線であってもよい。

【００１６】今仮にＲ、Ｇ、Ｂの３色で緑を表示しよう
とする場合を考えると、ＲとＢの画素を暗表示、Ｇの画
素を明表示にすればよいことになる。ここで、最上段の
３個の画素５５ｒ−１、５５ｇ、５５ｂに注目すると、
これら画素に対する走査線５４の電位が現在のフィール
ドで正の時、液晶層にかかる実効電圧印加に伴って透過
率が減少するノーマリーホワイトの表示モードを用いた
として、Ｒの画素５５ｒ−１（左の画素）とＢの画素５
５ｂ（右の画素）とが暗表示、Ｇの画素５５ｇ（中央の
画素）が明表示となるためには、Ｒの画素５５ｒ−１に
接続された信号線５２ｒとＢの画素５５ｂに接続された
信号線５２ｂに”Ｌ（Low）”、Ｇの画素５５ｇに接続
された信号線５２ｇに”Ｈ（High）”のレベルの信号を
供給すればよいことになる。

【００１７】図６はノーマリーホワイト方式の液晶セル
の電圧−透過率特性を示す図である。この図に示す通
り、ノーマリーホワイト方式では、液晶層にかかる実効
電圧が印加されないと透過率が高く、電圧印加に伴って
透過率が減少するため、右下がりの曲線になる。前述の
信号線５２ｒ、５２ｇ、５２ｂに供給する信号レベルは
例えば、”Ｌ”で０Ｖ、”Ｈ”で５Ｖとしたとしても、
実効的に液晶に印加される電圧としては、暗表示の時は
３．４Ｖ程度、明表示の時は１．５Ｖ程度のレベルとな
っている。

【００１８】そこで、図４の最上段の３個の画素５５ｒ
−１、５５ｇ、５５ｂのうち、中央のＧの画素５５ｇに
着目すると、画素５５ｇの選択期間に、走査線５４が正
のフィールドで、かつ、この画素自身に接続された信号
線５２ｇに”Ｈ”の信号が供給されることにより、この
画素５５ｇの液晶には明表示の状態、すなわち１．５Ｖ
程度の電圧が印加され、選択期間後の非選択期間中、保
持されることになる。画素５５ｇの選択期間が終わり、
次の行の選択期間に入る（すなわち、画素５５ｇが保持
期間に入る）と、画素５５ｇの下の走査線は負のフィー
ルドとなる。ここで、画素５５ｒ−２を暗表示とするた
めには、液晶層にかかる実効電圧が大きくなるようにす
るために、信号線５２ｒには”Ｈ”の信号が供給され
る。つまり、信号線５２ｒは、最上行を選択していた時
の”Ｌ”の状態から、”Ｈ”の状態に切り替わる。この
とき、画素電極５０ｇとこの画素電極とは接続されてい
ない隣接する信号線５２ｒとの間に容量結合５３ｂが生
じているため、隣接する信号線５２ｒの”Ｈ”（０Ｖ）
の信号に引っ張られるようにして、画素電極５０ｇに対
応する液晶層にかかる実効電圧である１．５Ｖの電圧は
所定のシフト量ΔＶ_１だけ、液晶層にかかる実効電圧が
小さくなる方向にシフトする。そうすると、図６から判
るように、実際の液晶セルの透過率は、１．５Ｖの電圧
に対応する透過率よりも大きくなる。

【００１９】この時、当該画素電極と隣接信号線との間
の容量結合が大きくなればなる程、当該画素の液晶の実
効電位が隣接信号線の電位レベルに引っ張られる度合が
大きくなる。そこで、図５に示すように、当該画素電極
と隣接信号線との容量結合を大きくする手段の一つとし
て、信号線５２ｒ、５２ｇ、５２ｂに沿う方向に並ぶ２
つの画素電極５０ｒ、５０ｇ、５０ｂ間に隣接信号線と
電気的に接続された容量付加部５６を設けると、最上段
中央のＧの画素５５ｇの箇所にキャパシタの符号５３ｃ
で示したように、これら容量付加部５６と画素電極５０
ｇとの間にも容量結合が生じることによって、当該画素
電極５０ｇと隣接信号線５２ｒとの間の容量結合５３
ｂ、５３ｃが、容量付加部５６を設けない図４の場合と
比べて増大する。よって、図５の最上段中央のＧの画素
５５ｇの液晶の実効電位が、隣接信号線の”Ｈ”レベル
の影響によりシフトされるシフト量ΔＶ_２は、ΔＶ_１よ
りも大きくなり、液晶セルの透過率は図４の場合に比べ
てさらに大きくなる。このような原理により、当該画素
電極と隣接信号線との間の容量結合を大きくすることに
よって、もともと明表示である最上段中央のＧの画素を
より明るくすることができ、輝度が高く、より鮮やかな
色を得ることができる。

【００２０】以上、緑表示の場合を例に挙げて説明した
が、Ｒ、Ｂの単色表示の場合も、信号線を挟んで隣接す
る画素のうちの一方が明表示、他方が暗表示という関係
になるので、Ｇ表示の場合と同じ効果を得ることができ
る。このようにして、本発明によれば、鮮やかな色のカ
ラー表示が可能な液晶表示装置を実現することができ
る。

【００２１】なお、当該画素電極と隣接信号線との容量
結合を大きくする手段としては、上記のような容量付加
部を設けるばかりではなく、他の手段を採ることもでき
る。容量付加部を設けることは、結局、当該画素電極と
隣接信号線とが対向する面積を大きくすることと等価で
あるが、その他に、当該画素電極と隣接信号線とを従来
よりも接近させ、画素電極−隣接信号線間の間隔を狭め
てもよい。あるいは、画素電極と対向する部分で隣接信
号線の幅を広げてもよい。

【００２２】この容量付加部を設ける構成を採る場合、
信号線が複数の導電層からなるものであれば、その複数
の導電層のうちの少なくとも１層を用いて容量付加部を
構成することが好ましい。具体的には、代表的な２端子
型非線形素子であるＴＦＤにおいてはタンタル、タンタ
ル酸化膜、クロムが一般的な材料として用いられ、画素
電極材料にはＩＴＯが一般的に用いられる。したがっ
て、信号線にもタンタル膜、タンタル酸化膜、クロム膜
の積層構造を採用し、さらには断線に対する冗長構造と
してその上にＩＴＯ膜を積層することもある。そこで、
前記容量付加部の導電層材料も、タンタル、クロム、Ｉ
ＴＯのうちの１層、あるいはこれらの膜の組み合わせか
らなる積層膜を用い、信号線から分岐させて一体的に形
成するとよい。

【００２３】このようにすると、導電層のマスクパター
ンを従来のものと変更するのみで済み、製造プロセス上
は何ら変更がないため、合理的である。しかしながら、
製造プロセスが複雑化することを許容するならば、上記
の材料以外の他の材料を用いて容量付加部を形成しても
差し支えない。

【００２４】本発明の電子機器は、上記本発明の液晶表
示装置を備えたことを特徴とするものである。

【００２５】本発明の電子機器は上記本発明の液晶表示
装置を備えたものであるため、鮮やかな色のカラー表示
が可能な電子機器を実現することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】［液晶表示装置の例］以下、本発
明の一実施の形態を図１ないし図３を参照して説明す
る。

【００２７】図１は本実施の形態の液晶表示装置の一例
を示す図であって、特に２端子型非線形素子としてＴＦ
Ｄを用いたＴＦＤアレイ基板のパターン構成を示す平面
図である。また、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿う断面
図、図３は図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。液晶
表示装置全体では非常に多数の画素がマトリクス状に配
置されているが、図１では縦横２×３の画素のみを図示
する。なお、図２および図３においては、図面を見やす
くするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

【００２８】本実施の形態のＴＦＤアレイ基板１におい
ては、図１の縦方向に延びる配線がデータ線２（信号
線）であり、データ線２は、図３に示すように、表面に
陽極酸化膜４が形成されたタンタル膜３からなる第１導
電層５と、クロム膜からなる第２導電層６と、ＩＴＯ膜
からなる第３導電層７が下から順次積層された積層構造
を採っている。ただし、クロムとタンタルとの導電率差
によりデータ信号はほぼクロム膜中を流れることにな
り、クロム膜からなる第２導電層６がメインの配線層と
して機能する。

【００２９】図１に示すように、各データ線２に沿って
バック・トゥー・バック型のＴＦＤ８が各画素毎に設け
られており、各ＴＦＤ８においては、データ線２を構成
する３層のうち、第２導電層６（クロム膜）のみがデー
タ線２の途中から分岐して延び、その分岐部９が、図２
に示すように、表面に陽極酸化膜４が形成されたタンタ
ル層３のパターン１０上を横断し、第１のダイオード１
１を構成している。さらに、同じタンタル層パターン１
０上の第１のダイオード１１の側方に、上記第２導電層
と同じレイヤーのクロム層パターン１２が横断し、第２
のダイオード１３を構成している。

【００３０】さらに図１に示すように、第２のダイオー
ド１３を構成するクロム層パターン１２の端部に、ＩＴ
Ｏからなる画素電極１４が接続されている。

【００３１】また、図３に示すように、液晶層１５を挟
んでＴＦＤアレイ基板１と対峙する対向基板１６上に
は、各画素間において光を遮断する遮光層１７（ブラッ
クマトリクス）が格子状に形成され、遮光層１７間にカ
ラーフィルターを構成する色素層１８（ここではＧ
（緑）として示す）が形成されている。ここでの色の配
列は、図１に示すようにストライプ型としている。そし
て、色素層１８を覆うようにオーバーコート膜１９が形
成され、オーバーコート膜１９上にはＩＴＯ膜からなる
走査線２０がデータ線２と交差する方向に延びて短冊状
に形成されている。なお、図２および図３においては、
配向膜等の図示は省略している。

【００３２】本実施の形態のＴＦＤアレイ基板１では、
以上の構成により、各画素電極１４がバック・トゥー・
バック型のＴＦＤ８を介してデータ線２に接続されてお
り、走査線２０とデータ線２のそれぞれに印加された信
号に基づいて、液晶層１５を表示状態、非表示状態また
はその中間状態に切り替えて表示動作を制御する。

【００３３】そして、本実施の形態のＴＦＤアレイ基板
１においては、図１に示すように、各データ線２に沿う
方向に隣接する２つの画素電極１４の間に、これら画素
電極１４に接続されていない隣接データ線２から分岐し
てＴＦＤ８の方向に向かって延びる容量付加用配線２１
（容量付加部、容量増大部）が設けられている。本実施
の形態の場合、容量付加用配線２１は、図２に示すよう
に、表面に陽極酸化膜４が形成されたタンタル膜３から
なる第１導電層５のみで構成されている。

【００３４】また、平面的な寸法の一例としては、デー
タ線２の幅が３〜８μｍ、データ線２と画素電極１４と
の間の間隔が４μｍ、容量付加用配線２１の幅が３μ
ｍ、容量付加用配線２１と画素電極１４との間の間隔が
２．５μｍ程度である。

【００３５】本実施の形態の場合、画素電極１４とその
画素電極１４を挟む２本の容量付加用配線２１との間に
容量結合が生じることによって、画素電極１４とこの画
素電極１４に接続されない隣接データ線２との間の容量
結合が増大する。よって、データ線２を挟んで隣接する
画素の一方が明表示、他方が暗表示となるような特定の
色を表示する場合に、隣接データ線２の信号レベルの影
響による液晶実効電圧のシフト量が大きくなり、明表示
の画素をより明るく、暗表示の画素をより暗くすること
ができる。このようにして、本実施の形態の液晶表示装
置においては、輝度が高く、鮮やかな色のカラー表示が
可能となる。

【００３６】本発明者は、本実施の形態の液晶表示装置
を実際に試作し、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれを単独に明表示と
して単色表示を行った際の３回の輝度の測定値の合計
と、Ｒ、Ｇ、Ｂを一斉に明表示として白表示を行った際
の輝度測定値とを比較した。その結果、白表示時の輝度
よりも単色表示時の３回の輝度の合計の方が大きくなっ
ていることを確認した。このことにより、データ線を挟
んで隣接する画素の一方が明表示、他方が暗表示となる
場合に輝度が高くなる、という効果が得られることが実
証された。

【００３７】さらに本実施の形態の場合、データ線２の
構成要素であるタンタル膜３からなる第１導電層５で容
量付加用配線２１を形成し、この容量付加用配線２１を
データ線２から分岐させて一体的に形成しているため、
従来のタンタル層のマスクパターン１枚を設計変更する
のみで済み、製造プロセスを変更することなく、上記の
効果を得ることができる。

【００３８】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態では容量付加用配線を設けることに
よって画素電極と隣接データ線との容量結合を従来より
大きくしたが、他の手段として、画素電極と隣接データ
線との間隔（一例として４μｍ）をこれらが短絡しない
程度に狭めてもよい。あるいは、画素電極と対向する部
分でデータ線の幅（一例として３〜８μｍ）を広げても
よい。また、タンタル膜からなる第１導電層のみで容量
付加用配線を形成したが、第１導電層、第２導電層（ク
ロム膜）、第３導電層（ＩＴＯ膜）のいずれか１層、も
しくは２層以上の組み合わせからなる積層膜を用いても
よい。さらに、これら以外の導電性材料を用いてもよ
い。また２端子型非線形素子の例としてバック・トゥー
・バック型のＴＦＤを挙げたが、単純なクロス型のＴＦ
Ｄ、ダイオード・リング素子、バリスタ素子等を用いて
もよい。

【００３９】また、アクティブマトリクスのスイッチン
グ素子として２端子型非線形素子を挙げたが、ＴＦＴ素
子を用いてもよい。

【００４０】［電子機器の例］次に、本発明の液晶表示
装置を備えた電子機器の具体例について説明する。

【００４１】図７は、携帯電話の一例を示した斜視図で
ある。

【００４２】図７において、符号１０００は携帯電話本
体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた
液晶表示部を示している。

【００４３】図８は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。

【００４４】図８において、符号１１００は時計本体を
示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液晶
表示部を示している。

【００４５】図９は、ワープロ、パソコンなどの携帯型
情報処理装置の一例を示した斜視図である。

【００４６】図９において、符号１２００は情報処理装
置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２
０４は情報処理装置本体、符号１００１は上記の液晶表
示装置を用いた液晶表示部を示している。

【００４７】図７から図９に示す電子機器は、上記の液
晶表示装置を用いた液晶表示部を備えたものであるの
で、鮮やかな色のカラー表示が可能な見栄えの良い表示
画面を備えた電子機器となる。

【００４８】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、画素電極と当該画素電極が接続されていない信
号線との間の容量結合が増大するので、信号線を挟んで
隣接する画素の一方が明表示、他方が暗表示となるよう
な特定の色を表示する場合に、隣接信号線の信号レベル
の影響による液晶実効電圧のシフト量が大きくなり、明
表示の画素をより明るく、暗表示の画素をより暗くする
ことができる。その結果、輝度が高く、鮮やかな色のカ
ラー表示が可能な液晶表示装置を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施の形態の液晶表示装置を示す
図であって、特に２端子型非線形素子としてＴＦＤを用
いたＴＦＤアレイ基板のパターン構成を示す平面図であ
る。

【図２】 図１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。

【図３】 図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。

【図４】 本発明の原理を説明するための図である。

【図５】 本発明の原理を説明するための図である。

【図６】 ノーマリーホワイト方式の液晶セルの電圧−
透過率特性を示す図である。

【図７】 上記液晶表示装置を備えた電子機器の一例を
示す斜視図である。

【図８】 同電子機器の他の例を示す斜視図である。

【図９】 同電子機器のさらに他の例を示す斜視図であ
る。

【図１０】 従来のＴＦＤアレイ基板のパターン構成を
示す平面図である。

【図１１】 ＴＦＤを用いたアクティブマトリクス方式
の液晶表示装置の等価回路の一例を示す図である。

【符号の説明】

１ ＴＦＤアレイ基板 ２，５２ｒ，５２ｇ，５２ｂ データ線（信号線） ５ 第１導電層 ６ 第２導電層 ７ 第３導電層 ８，５１ ＴＦＤ（２端子型非線形素子） １４，５０ｒ，５０ｇ，５０ｂ 画素電極 １５ 液晶層 １６ 対向基板 １８ 色素層（カラーフィルター） ２０，５４ 走査線 ２１，５６ 容量付加用配線（容量付加部、容量増大
部） ５３ａ，５３ｂ，５３ｃ 容量結合 ５５ｒ，５５ｇ，５５ｂ 画素

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 露木 正 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 山口 善夫 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 JA05 JB52 JB69 KA07 MA24 NA01 PA08 PA09 5C094 AA03 AA10 BA04 BA43 CA24 EA03 EA06 EA07 EA10 ED03 FB02 FB12 FB19

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板間に液晶層が挟持されてな
   り、前記一対の基板の少なくとも一方の基板上に設けら
   れた複数の配線と、これら複数の配線の各々に接続され
   た複数の異なる色を表示する画素電極とを有する液晶表
   示装置であって、各画素電極と、該画素電極を挟む２本
   の配線のうち該画素電極に接続されていない側の配線と
   の間で容量結合を生じてなる容量増大部が付加されたこ
   とを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記配線に沿った方向に互いに隣接する
   ２つの画素電極の間に、これら画素電極に接続されてい
   ない側の配線に電気的に接続された導電層からなる容量
   付加部が設けられ、前記容量増大部が該容量付加部と前
   記画素電極とから構成されることを特徴とする請求項１
   に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記配線が複数の導電層からなり、前記
   容量付加部が、前記配線を構成する複数の導電層のうち
   の少なくとも１層の導電層により構成されたことを特徴
   とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記配線は、それに接続される画素電極
   に対し、非線形素子を介して接続されていることを特徴
   とする請求項１ないし３のいずれかに記載の液晶表示装
   置。
5. 【請求項５】 前記複数の導電層の材料がそれぞれ、タ
   ンタル、クロム、およびインジウム錫酸化物からなるこ
   とを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか一項に記載
   の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。