JP2001096919A - 相変化型記録媒体、該相変化型記録媒体を用いた記録再生方法および相変化型記録装置 - Google Patents
相変化型記録媒体、該相変化型記録媒体を用いた記録再生方法および相変化型記録装置Info
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- JP2001096919A JP2001096919A JP2000133029A JP2000133029A JP2001096919A JP 2001096919 A JP2001096919 A JP 2001096919A JP 2000133029 A JP2000133029 A JP 2000133029A JP 2000133029 A JP2000133029 A JP 2000133029A JP 2001096919 A JP2001096919 A JP 2001096919A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速、高密度で大容量画像データを記録でき
かつ書き換えできる記録媒体が要求されているが、本発
明は、Ag、In、Sb、Teを主要元素とする相変化
記録材料を用い、より高密度な記録条件で初期記録特性
及び繰り返しオーバーライト特性の優れた記録媒体の提
供。 【解決手段】 非晶質相、結晶相の可逆的相変化を用い
た相変化型記録媒体のAg、In、Sb、Teを主要元
素とする記録層の未記録状態、あるいは初期化後の相状
態が、Ag、In、Sb、Teからなる立方晶系結晶相
で構成されることを特徴とする相変化型記録媒体。
かつ書き換えできる記録媒体が要求されているが、本発
明は、Ag、In、Sb、Teを主要元素とする相変化
記録材料を用い、より高密度な記録条件で初期記録特性
及び繰り返しオーバーライト特性の優れた記録媒体の提
供。 【解決手段】 非晶質相、結晶相の可逆的相変化を用い
た相変化型記録媒体のAg、In、Sb、Teを主要元
素とする記録層の未記録状態、あるいは初期化後の相状
態が、Ag、In、Sb、Teからなる立方晶系結晶相
で構成されることを特徴とする相変化型記録媒体。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、相変化型記録媒体
および、該相変化型記録媒体を用いた記録再生方法と再
生装置に関するものである。
および、該相変化型記録媒体を用いた記録再生方法と再
生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】非晶質と結晶相の相転移を利用した書き
換え型相変化記録媒体の記録層に用いられる材料とし
て、Ge−Sb−Te、Ag−In−Sb−Teがあり
この2つに大別される。Ge−Sb−Te系材料は、D
VD−RAM(片面容量2.6GB)に応用されてい
る。一方、Ag−In−Sb−Te系は既にCD−RW
に応用され、現在はより大容量な記録媒体の可能性が検
討されている。主要元素がAg、In、Sb、Teから
なる相変化記録材料は、消去特性が良く、消し残りがほ
とんどない。従って、オーバーライトした場合も記録マ
ーク周辺部において、非晶質相と結晶相の境界がシャー
プであり特性が良い。この非晶質相と結晶相間の相変化
が高速に行われ、より小さいマークを繰り返し記録消去
することができるかどうかは、初期化後の未記録状態の
結晶相及びその物性で決まる。
換え型相変化記録媒体の記録層に用いられる材料とし
て、Ge−Sb−Te、Ag−In−Sb−Teがあり
この2つに大別される。Ge−Sb−Te系材料は、D
VD−RAM(片面容量2.6GB)に応用されてい
る。一方、Ag−In−Sb−Te系は既にCD−RW
に応用され、現在はより大容量な記録媒体の可能性が検
討されている。主要元素がAg、In、Sb、Teから
なる相変化記録材料は、消去特性が良く、消し残りがほ
とんどない。従って、オーバーライトした場合も記録マ
ーク周辺部において、非晶質相と結晶相の境界がシャー
プであり特性が良い。この非晶質相と結晶相間の相変化
が高速に行われ、より小さいマークを繰り返し記録消去
することができるかどうかは、初期化後の未記録状態の
結晶相及びその物性で決まる。
【0003】これまで記録層がAg、In、Sb、Te
系の場合、未記録部がIn、Sbからなる非晶質相とA
gSbTe2結晶相の混相状態であり、しかもAgSb
Te 2結晶相が100nm以下の微結晶となっているこ
とが知られている(特開平5−151619、特開平6
−166268)。このような構造の記録層を有する記
録メディアでは高密度条件での記録特性が十分とは言え
なかった。
系の場合、未記録部がIn、Sbからなる非晶質相とA
gSbTe2結晶相の混相状態であり、しかもAgSb
Te 2結晶相が100nm以下の微結晶となっているこ
とが知られている(特開平5−151619、特開平6
−166268)。このような構造の記録層を有する記
録メディアでは高密度条件での記録特性が十分とは言え
なかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】高速、高密度で大容量
画像データを記録できかつ書き換えできる記録媒体が要
求されているが、本発明は、Ag、In、Sb、Teを
主要元素とする相変化記録材料を用い、より高密度な記
録条件で初期記録特性及び繰り返しオーバーライト特性
の優れた記録媒体を提供することを目的とする。
画像データを記録できかつ書き換えできる記録媒体が要
求されているが、本発明は、Ag、In、Sb、Teを
主要元素とする相変化記録材料を用い、より高密度な記
録条件で初期記録特性及び繰り返しオーバーライト特性
の優れた記録媒体を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の第1は、非晶質
相、結晶相の可逆的相変化を用いた相変化型記録媒体の
Ag、In、Sb、Teを主要元素とする記録層の未記
録状態あるいは、初期化後の相状態が、Ag、In、S
b、Teからなる立方晶系結晶相で構成されることを特
徴とする相変化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に
関する。本発明の第2は、立方晶系結晶相がAgSbT
e2結晶相とIn−Sb−Teからなる面心立方格子の
多結晶相で構成されたことを特徴とする前記第1の相変
化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。本発
明の第3は、Ag、In、Sb、Teを主要元素とする
記録層の未記録部がAgSbTe2結晶相とIn−Te
からなる面心立方格子の多結晶相で構成されたことを特
徴とする非晶質相と結晶相の可逆的相変化を用いた前記
第1の相変化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関
する。
相、結晶相の可逆的相変化を用いた相変化型記録媒体の
Ag、In、Sb、Teを主要元素とする記録層の未記
録状態あるいは、初期化後の相状態が、Ag、In、S
b、Teからなる立方晶系結晶相で構成されることを特
徴とする相変化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に
関する。本発明の第2は、立方晶系結晶相がAgSbT
e2結晶相とIn−Sb−Teからなる面心立方格子の
多結晶相で構成されたことを特徴とする前記第1の相変
化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。本発
明の第3は、Ag、In、Sb、Teを主要元素とする
記録層の未記録部がAgSbTe2結晶相とIn−Te
からなる面心立方格子の多結晶相で構成されたことを特
徴とする非晶質相と結晶相の可逆的相変化を用いた前記
第1の相変化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関
する。
【0006】本発明の第4は、未記録部が前記第1〜3
の結晶相とこれら結晶相と晶系が同じであるSb、Te
からなる結晶相で構成されたことを特徴とする相変化型
記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。本発明の
第5は、Sb、Teからなる結晶相が非平衡相であり、
化学式SbxTe100−x(65<x<85)の組成
で表されるものであることを特徴とする前記第4の相変
化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。本発
明の第6は、未記録状態あるいは、初期化後の相状態に
非晶質相が混在しないことを特徴とする前記第1〜5の
相変化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。
本発明の第7は、未記録状態あるいは、初期化後の相状
態が、各結晶相が方位を揃えて存在して一つの結晶粒を
形成し、かつ該個々の結晶粒の方位が異なる多結晶構造
であることを特徴する前記第1〜6の相変化型記録媒
体、特に相変化型光記録媒体に関する。
の結晶相とこれら結晶相と晶系が同じであるSb、Te
からなる結晶相で構成されたことを特徴とする相変化型
記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。本発明の
第5は、Sb、Teからなる結晶相が非平衡相であり、
化学式SbxTe100−x(65<x<85)の組成
で表されるものであることを特徴とする前記第4の相変
化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。本発
明の第6は、未記録状態あるいは、初期化後の相状態に
非晶質相が混在しないことを特徴とする前記第1〜5の
相変化型記録媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。
本発明の第7は、未記録状態あるいは、初期化後の相状
態が、各結晶相が方位を揃えて存在して一つの結晶粒を
形成し、かつ該個々の結晶粒の方位が異なる多結晶構造
であることを特徴する前記第1〜6の相変化型記録媒
体、特に相変化型光記録媒体に関する。
【0007】本発明の第8は、記録層の構成元素がA
g、In、Sb、Teからなり、かつ、Ag、In、S
b、Teの各組成比が下記式(1)の要件を満足するも
のであることを特徴とする前記第1〜7の相変化型記録
媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。
g、In、Sb、Teからなり、かつ、Ag、In、S
b、Teの各組成比が下記式(1)の要件を満足するも
のであることを特徴とする前記第1〜7の相変化型記録
媒体、特に相変化型光記録媒体に関する。
【化2】 AgαInβSbγTeδ (1) 前式中、α、β、γおよびδは、以下のものである。 1≦α<10 1<β≦20 35≦γ≦70 20≦δ≦35 α+β+γ+δ=100 本発明の第9は、前記第1〜8の相変化型記録媒体を用
い、記録再生線速が3.0m/s〜9.0m/sである
ことを特徴とする記録再生方法、特に光記録再生方法に
関する。
い、記録再生線速が3.0m/s〜9.0m/sである
ことを特徴とする記録再生方法、特に光記録再生方法に
関する。
【0008】本発明の第10は、透明基板上に、下部保
護層、前記第1〜8の相変化型記録媒体の少なくとも1
種、上部保護層および反射層の各層を少なくとも順次積
層して構成され、かつ記録再生線速が3.0m/s〜
9.0m/sであることを特徴とする相変化型記録装
置、特に相変化型光記録装置に関する。
護層、前記第1〜8の相変化型記録媒体の少なくとも1
種、上部保護層および反射層の各層を少なくとも順次積
層して構成され、かつ記録再生線速が3.0m/s〜
9.0m/sであることを特徴とする相変化型記録装
置、特に相変化型光記録装置に関する。
【0009】未記録状態を結晶相、記録状態を非晶質相
とする相変化記録方式を用いた場合、初期化により結晶
化させるが、以下、未記録状態の相状態について述べ
る。Ag、In、Sb、Teを主要構成元素とする相変
化記録材料が形成する相状態にはいくつかの相が考えら
れる。そのグループとして、(i)Ag、In、Sb、
Te単相の結晶相からなる、(ii)Ag、In、Sb、
Teの各元素の組み合わせからなる複数の結晶相からな
る、(iii)(i)あいるは(ii)と非晶質相からなる
ものに分類される。(i)おいては、Ag、In、S
b、Teが立方晶系の格子をつくり各サイトに不規則に
位置している不規則配列構造をもつ結晶相が考えられ
る。(ii)においては、NaCl型構造に代表される面
心立方晶系で、規則配列構造をもつAgSbTe2相、
In−Sb−Te相(InSbTe2、In4Sb
1.2Te2.8、In3SbTe2)、In−Te相
(InTe、In2Te3)とさらにSb−Te相ある
いはSb相などが考えられる。本発明のAg、In、S
b、Teの有効な組成範囲において、Sb、Teの全体
に占める割合が多いことから、Sb−Te相の可能性は
ある。また(i)、(ii)以外に非晶質相を含む(ii
i)の場合もある。特に(iii)の場合は、初期化が不十
分な場合に現れやすい。本発明において、高密度で記録
した場合、(iii)の場合は十分な特性が得られていな
い。特に非晶質相が大きな面積を占める状態では特性が
良くないことが分かっている。従って、本発明の記録媒
体の未記録状態としては、前記(i)、(ii)の場合の
ものが好ましい。
とする相変化記録方式を用いた場合、初期化により結晶
化させるが、以下、未記録状態の相状態について述べ
る。Ag、In、Sb、Teを主要構成元素とする相変
化記録材料が形成する相状態にはいくつかの相が考えら
れる。そのグループとして、(i)Ag、In、Sb、
Te単相の結晶相からなる、(ii)Ag、In、Sb、
Teの各元素の組み合わせからなる複数の結晶相からな
る、(iii)(i)あいるは(ii)と非晶質相からなる
ものに分類される。(i)おいては、Ag、In、S
b、Teが立方晶系の格子をつくり各サイトに不規則に
位置している不規則配列構造をもつ結晶相が考えられ
る。(ii)においては、NaCl型構造に代表される面
心立方晶系で、規則配列構造をもつAgSbTe2相、
In−Sb−Te相(InSbTe2、In4Sb
1.2Te2.8、In3SbTe2)、In−Te相
(InTe、In2Te3)とさらにSb−Te相ある
いはSb相などが考えられる。本発明のAg、In、S
b、Teの有効な組成範囲において、Sb、Teの全体
に占める割合が多いことから、Sb−Te相の可能性は
ある。また(i)、(ii)以外に非晶質相を含む(ii
i)の場合もある。特に(iii)の場合は、初期化が不十
分な場合に現れやすい。本発明において、高密度で記録
した場合、(iii)の場合は十分な特性が得られていな
い。特に非晶質相が大きな面積を占める状態では特性が
良くないことが分かっている。従って、本発明の記録媒
体の未記録状態としては、前記(i)、(ii)の場合の
ものが好ましい。
【0010】このモデルにおいて、これまで安定な立方
晶系結晶を考えてきたが、特に(ii)のSb−Te相に
おいて、立方晶系に属する相がない。JCPDSカード
によるデータにおいて、立方晶系に属する相として、考
えられるモデルはβ−Sb−Teである。Teの原子比
が約30at%(Sb:Te=70:30)において非
平衡相で、面心立方晶系の可能性がある。ここでいう非
平衡相とは準安定な状態を意味し、こられの相の存在の
可能性として、SbxTe100−Xにおいて、Xが6
5<X<85、好ましくは69<X<76のものが挙げ
られる。
晶系結晶を考えてきたが、特に(ii)のSb−Te相に
おいて、立方晶系に属する相がない。JCPDSカード
によるデータにおいて、立方晶系に属する相として、考
えられるモデルはβ−Sb−Teである。Teの原子比
が約30at%(Sb:Te=70:30)において非
平衡相で、面心立方晶系の可能性がある。ここでいう非
平衡相とは準安定な状態を意味し、こられの相の存在の
可能性として、SbxTe100−Xにおいて、Xが6
5<X<85、好ましくは69<X<76のものが挙げ
られる。
【0011】本発明において、これら多相状態におい
て、多結晶状態となっていると考えられるが、粒径が大
きい場合は個々の相が方位を揃えており、その場合結晶
系が同じであり、格子定数も同じであり連続的に存在し
て複数の相がひとつの粒径を形成していることになる。
結晶と非結晶相の可逆的変化を高速に起こさせる場合、
結晶系は立方晶系が有利である。
て、多結晶状態となっていると考えられるが、粒径が大
きい場合は個々の相が方位を揃えており、その場合結晶
系が同じであり、格子定数も同じであり連続的に存在し
て複数の相がひとつの粒径を形成していることになる。
結晶と非結晶相の可逆的変化を高速に起こさせる場合、
結晶系は立方晶系が有利である。
【0012】
【発明の実施の態様】以下、本発明を実施の態様に基づ
き説明する。
き説明する。
【0013】実施の態様1 本発明の光記録媒体の構成として、基板例えばポリカー
ボネート基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、
反射層の順に各層を所定の厚さに積層し媒体とした場合
の態様について説明する。厚さ0.6mmのポリカーボ
ネート基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層の順に各層を所定の厚さに積層する。その後、反射
層側に基板のみをUV硬化樹脂で貼り合わせて媒体とす
る。下部、上部保護層はZnSSiO2、反射層はAl
合金を用いる。各層の厚さは、下部保護層が25nm〜
250nm、記録層が15nm〜25nm、上部保護層
が15nm〜40nm、反射層が100nm〜200n
mである。初期化はLDにより所定のパワー、密度、線
速、送り速度で行なう。この初期化を施した後の未記録
部の状態について以下に述べる。
ボネート基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、
反射層の順に各層を所定の厚さに積層し媒体とした場合
の態様について説明する。厚さ0.6mmのポリカーボ
ネート基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層の順に各層を所定の厚さに積層する。その後、反射
層側に基板のみをUV硬化樹脂で貼り合わせて媒体とす
る。下部、上部保護層はZnSSiO2、反射層はAl
合金を用いる。各層の厚さは、下部保護層が25nm〜
250nm、記録層が15nm〜25nm、上部保護層
が15nm〜40nm、反射層が100nm〜200n
mである。初期化はLDにより所定のパワー、密度、線
速、送り速度で行なう。この初期化を施した後の未記録
部の状態について以下に述べる。
【0014】電子顕微鏡による回折パターン、構造観察
の結果から、未記録部はAg、In、Sb、Te元素の
組み合わせからなる複数の結晶相が存在していると判断
できる。これら結晶相は、立方晶系に属する面心立方格
子をもつAgSbTe2相とIn−Sb−Te相であ
る。In−Sb−Te相は、格子面間隔、回折パターン
強度分布からIn3SbTe2と同定できた。
の結果から、未記録部はAg、In、Sb、Te元素の
組み合わせからなる複数の結晶相が存在していると判断
できる。これら結晶相は、立方晶系に属する面心立方格
子をもつAgSbTe2相とIn−Sb−Te相であ
る。In−Sb−Te相は、格子面間隔、回折パターン
強度分布からIn3SbTe2と同定できた。
【0015】未記録部に非晶質相が見られないことと、
Ag、In、Sb、Teの組成比からこれら結晶相以外
に、Sb、Teからなる結晶相が存在することがわか
る。この結晶相も立方晶系に属する面心立方格子をなし
ている。この相は現在、JCPDSカードによるデータ
からSbxTe1−x(x=65〜85)なる非平衡相
(準安定な相)として考えられる。ここでいう非平衡相
とは準安定な状態を意味し、これらの相の存在の可能性
として、SbxTe100−Xにおいて、Xが65<X
<85のものが挙げられる。
Ag、In、Sb、Teの組成比からこれら結晶相以外
に、Sb、Teからなる結晶相が存在することがわか
る。この結晶相も立方晶系に属する面心立方格子をなし
ている。この相は現在、JCPDSカードによるデータ
からSbxTe1−x(x=65〜85)なる非平衡相
(準安定な相)として考えられる。ここでいう非平衡相
とは準安定な状態を意味し、これらの相の存在の可能性
として、SbxTe100−Xにおいて、Xが65<X
<85のものが挙げられる。
【0016】実施の態様2 記録層の各元素の原子比が、Ag:In:Sb:Te=
4:7:61:28の場合において、電子顕微鏡により
未記録部の構造を観察した。電子線回折パターンから、
記録層は格子定数、面間隔、対称性がほぼ同じAgSb
Te2、In3SbTe2相及び残りのSbxTe
100−x(x=78)の結晶相で形成されていると判
断された。繰り返しオーバーライト後の記録マーク間に
おいても同じ構造である。未記録部はこのような結晶相
が方位を揃え、100nmより大きな結晶粒を形成し、
個々の結晶粒はさらに方位を変えて存在しており、全体
として多結晶となっている。記録マーク部は非晶質相で
あり、未記録部に非晶質相は存在しない。
4:7:61:28の場合において、電子顕微鏡により
未記録部の構造を観察した。電子線回折パターンから、
記録層は格子定数、面間隔、対称性がほぼ同じAgSb
Te2、In3SbTe2相及び残りのSbxTe
100−x(x=78)の結晶相で形成されていると判
断された。繰り返しオーバーライト後の記録マーク間に
おいても同じ構造である。未記録部はこのような結晶相
が方位を揃え、100nmより大きな結晶粒を形成し、
個々の結晶粒はさらに方位を変えて存在しており、全体
として多結晶となっている。記録マーク部は非晶質相で
あり、未記録部に非晶質相は存在しない。
【0017】さらに、記録、未記録部が上に述べた状態
でしかもAg、In、Sb、Teの組成比を、化学式A
gαInβSbγTeδにおいて、 1≦α<10 1<β≦20 35≦γ≦70 20≦δ≦35 α+β+γ+δ=100 好ましくは、 1≦α<5 1<β<8 55<γ<70 25<δ<35 である。これら組成範囲において、高密度記録が可能な
最適線速、特に一定線速度記録の場合、3.0m/se
c〜9.0m/secの範囲が適している。
でしかもAg、In、Sb、Teの組成比を、化学式A
gαInβSbγTeδにおいて、 1≦α<10 1<β≦20 35≦γ≦70 20≦δ≦35 α+β+γ+δ=100 好ましくは、 1≦α<5 1<β<8 55<γ<70 25<δ<35 である。これら組成範囲において、高密度記録が可能な
最適線速、特に一定線速度記録の場合、3.0m/se
c〜9.0m/secの範囲が適している。
【0018】以下、本発明を実施例により、さらに具体
的に説明する。
的に説明する。
【0019】実施例1〜12、比較例1〜3 厚さ0.6mm、溝深さ45nmのポリカーボネート基
板上に、スパッタ法によりZnSSiO2下部保護層を
195nm、成膜中に窒素ガスを0.5sccm流しな
がら、表1に示す所定の組成比の相変化記録層を17n
mの厚さで作製した。さらに、前記の記録材料上にZn
SSiO2上部保護層を20nm、Al合金反射層を1
20nm積層し、さらに紫外線硬化型樹脂により耐環境
保護膜を2μm厚でつけた。もう一枚のポリカーボネー
ト基板を紫外線硬化型樹脂で接着し1.2mm厚にし媒
体とした。
板上に、スパッタ法によりZnSSiO2下部保護層を
195nm、成膜中に窒素ガスを0.5sccm流しな
がら、表1に示す所定の組成比の相変化記録層を17n
mの厚さで作製した。さらに、前記の記録材料上にZn
SSiO2上部保護層を20nm、Al合金反射層を1
20nm積層し、さらに紫外線硬化型樹脂により耐環境
保護膜を2μm厚でつけた。もう一枚のポリカーボネー
ト基板を紫外線硬化型樹脂で接着し1.2mm厚にし媒
体とした。
【0020】その後、所定の条件で初期化を施し記録層
を結晶化させた。この記録層を、微小ビーム径(〜30
nm)の電子線を照射し、電子線回折図形を撮影し解析
した。未記録部の任意の場所で10数カ所解析した結
果、図1の(a)、(b)に示す(100)、(11
0)面の面心立方格子特有の回折図形が得られた。実施
例1〜12の組成物において、未記録部はAgSbTe
2、In3SbTe2、SbxTe100−x(65<
x<85)からなると判断された。いずれの電子線回折
図形及び格子像から非晶質相は存在しないことがわかっ
た。これら結晶相をさらにEDXによる微小領域組成分
析の結果、Ag、In、Sb、Te各元素が場所によら
ず、均一な組成分布をもち、ターゲット組成にほぼ等し
い値を示した。
を結晶化させた。この記録層を、微小ビーム径(〜30
nm)の電子線を照射し、電子線回折図形を撮影し解析
した。未記録部の任意の場所で10数カ所解析した結
果、図1の(a)、(b)に示す(100)、(11
0)面の面心立方格子特有の回折図形が得られた。実施
例1〜12の組成物において、未記録部はAgSbTe
2、In3SbTe2、SbxTe100−x(65<
x<85)からなると判断された。いずれの電子線回折
図形及び格子像から非晶質相は存在しないことがわかっ
た。これら結晶相をさらにEDXによる微小領域組成分
析の結果、Ag、In、Sb、Te各元素が場所によら
ず、均一な組成分布をもち、ターゲット組成にほぼ等し
い値を示した。
【0021】前記の記録媒体を、波長635nm、NA
0.60のピックアッフにより、所定の線速で(8−1
6)変調方式、最短マーク長が0.4μm相当になる記
録周波数で記録した結果、一回記録で良好な特性が得ら
れた。また、同条件において繰り返しオーバーライト記
録した結果、1,000回以上の回数においても良好な
結果を示した。
0.60のピックアッフにより、所定の線速で(8−1
6)変調方式、最短マーク長が0.4μm相当になる記
録周波数で記録した結果、一回記録で良好な特性が得ら
れた。また、同条件において繰り返しオーバーライト記
録した結果、1,000回以上の回数においても良好な
結果を示した。
【0022】実施例1〜12の組成比で媒体を作製し測
定した結果を表1にまとめて示す。保存特性は表中、
(△)において室温寿命10〜20年はあり、(〇)は
すべて20年以上の寿命であり、(×)は保存性が10
年未満である。比較例1〜3として、Ag、In、S
b、Teのいずれかが最適範囲にない場合でかつSb−
Te相の組成比が最適範囲にない場合を表1に示した。
繰り返しオーバーライト特性と保存特性をともに満たさ
ない。
定した結果を表1にまとめて示す。保存特性は表中、
(△)において室温寿命10〜20年はあり、(〇)は
すべて20年以上の寿命であり、(×)は保存性が10
年未満である。比較例1〜3として、Ag、In、S
b、Teのいずれかが最適範囲にない場合でかつSb−
Te相の組成比が最適範囲にない場合を表1に示した。
繰り返しオーバーライト特性と保存特性をともに満たさ
ない。
【0023】
【表1】
【0024】実施例13 次に厚さ0.6mmのポリカーボネート基板上に、スパ
ッタ法によりZnSSiO2下部保護層75nmを作製
した。基板の溝深さを30nmとした。さらに、記録
層、上部保護層、反射層を順に各々20nm、20n
m、140nmの厚さとし成膜し、同様のプロセスによ
り媒体とした。所定の条件で初期化を施し、最適条件で
記録した。初期化後の結晶状態、記録マークの相状態は
いずれも実施例1〜12と同様であった。記録層は実施
例1〜12と同様とし、結果は表1に示す結果とほぼ同
じであった。従って、優れた媒体特性をもちなおかつ下
部保護層厚をより薄くできることにより、タクト時間の
短縮が可能となった。
ッタ法によりZnSSiO2下部保護層75nmを作製
した。基板の溝深さを30nmとした。さらに、記録
層、上部保護層、反射層を順に各々20nm、20n
m、140nmの厚さとし成膜し、同様のプロセスによ
り媒体とした。所定の条件で初期化を施し、最適条件で
記録した。初期化後の結晶状態、記録マークの相状態は
いずれも実施例1〜12と同様であった。記録層は実施
例1〜12と同様とし、結果は表1に示す結果とほぼ同
じであった。従って、優れた媒体特性をもちなおかつ下
部保護層厚をより薄くできることにより、タクト時間の
短縮が可能となった。
【0025】
【効果】1.請求項1〜7 記録媒体の記録再生特性が良好でしかも高速記録消去、
高密度記録が可能となり、繰り返しオーバーライト特性
も良好な相変化型記録媒体が提供された。 2.請求項8 記録層組成の最適化と各組成に適した線速範囲で記録再
生することで、より高線速で高密度記録が可能となり、
しかも保存特性の優れた高信頼性相変化型記録媒体が提
供された。 3.請求項9 高線速で高密度記録が可能な記録再生方法が提供され
た。 4.請求項10 高線速で高密度記録が可能な相変化型光記録装置が提供
された。
高密度記録が可能となり、繰り返しオーバーライト特性
も良好な相変化型記録媒体が提供された。 2.請求項8 記録層組成の最適化と各組成に適した線速範囲で記録再
生することで、より高線速で高密度記録が可能となり、
しかも保存特性の優れた高信頼性相変化型記録媒体が提
供された。 3.請求項9 高線速で高密度記録が可能な記録再生方法が提供され
た。 4.請求項10 高線速で高密度記録が可能な相変化型光記録装置が提供
された。
【図1】本発明の実施例の電子線回折図形を示す図であ
る。 (a)(100)、(110)面の面心立方格子特有の
回折図形を示す図である。 (b)(100)、(110)面の面心立方格子特有の
回折図形を示す図である。
る。 (a)(100)、(110)面の面心立方格子特有の
回折図形を示す図である。 (b)(100)、(110)面の面心立方格子特有の
回折図形を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H111 EA04 EA23 EA31 EA32 FA01 FA12 FA14 FB09 FB12 FB17 FB21 FB30 5D029 HA05 HA07 JA01 JB18 JC09 JC20 LB01 LB02 LB03 5D090 AA01 BB05 CC02 DD03 EE05 FF11
Claims (10)
- 【請求項1】 非晶質相、結晶相の可逆的相変化を用い
た相変化型記録媒体のAg、In、Sb、Teを主要元
素とする記録層の未記録状態、あるいは初期化後の相状
態が、Ag、In、Sb、Teからなる立方晶系結晶相
で構成されることを特徴とする相変化型記録媒体。 - 【請求項2】 立方晶系結晶相がAgSbTe2結晶相
とIn−Sb−Teからなる面心立方格子の多結晶相で
構成されたことを特徴とする請求項1記載の相変化型記
録媒体。 - 【請求項3】 Ag、In、Sb、Teを主要元素とす
る記録層の未記録部がAgSbTe2結晶相とIn−T
eからなる面心立方格子の多結晶相で構成されたことを
特徴とする非晶質相と結晶相の可逆的相変化を用いた請
求項1記載の相変化型記録媒体。 - 【請求項4】 未記録状態あるいは、初期化後の相状態
が請求項1〜3のいずれかに記載の結晶相とこれら結晶
相と晶系が同じであるSb、Teからなる結晶相で構成
されたことを特徴とする相変化型記録媒体。 - 【請求項5】 Sb、Teからなる結晶相が非平衡相で
あり、化学式SbxTe100−x(65<x<85)
の組成で表されるものであることを特徴とする請求項4
記載の相変化型記録媒体。 - 【請求項6】 未記録状態あるいは、初期化後の相状態
に非晶質相が混在しないことを特徴とする請求項1〜5
のいずれかに記載の相変化型記録媒体。 - 【請求項7】 未記録状態あるいは、初期化後の相状態
が、各結晶相が方位を揃えて存在して一つの結晶粒を形
成し、かつ該個々の結晶粒の方位が異なる多結晶構造で
あることを特徴する請求項1〜6のいずれかに記載の相
変化型記録媒体。 - 【請求項8】 記録層の構成元素がAg、In、Sb、
Teからなり、かつ、Ag、In、Sb、Teの各組成
比が下記式(1)の要件を満足するものであることを特
徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の相変化型記録
媒体。 【化1】 AgαInβSbγTeδ (1) 前式中、α、β、γおよびδは、以下のものである。 1≦α<10 1<β≦20 35≦γ≦70 20≦δ≦35 α+β+γ+δ=100 - 【請求項9】 請求項1〜8のいずれかに記載の相変化
型記録媒体を用い、記録再生線速が3.0m/s〜9.
0m/sであることを特徴とする記録再生方法。 - 【請求項10】 透明基板上に、下部保護層、請求項1
〜8のいずれかに記載の相変化型記録媒体の少なくとも
1種、上部保護層および反射層の各層を少なくとも順次
積層して構成され、かつ記録再生線速が3.0m/s〜
9.0m/sであることを特徴とする相変化型記録装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000133029A JP2001096919A (ja) | 1999-04-30 | 2000-05-01 | 相変化型記録媒体、該相変化型記録媒体を用いた記録再生方法および相変化型記録装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12537799 | 1999-04-30 | ||
JP21584699 | 1999-07-29 | ||
JP11-125377 | 1999-07-29 | ||
JP11-215846 | 1999-07-29 | ||
JP2000133029A JP2001096919A (ja) | 1999-04-30 | 2000-05-01 | 相変化型記録媒体、該相変化型記録媒体を用いた記録再生方法および相変化型記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001096919A true JP2001096919A (ja) | 2001-04-10 |
Family
ID=27315114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000133029A Pending JP2001096919A (ja) | 1999-04-30 | 2000-05-01 | 相変化型記録媒体、該相変化型記録媒体を用いた記録再生方法および相変化型記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001096919A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8396335B2 (en) | 2009-01-22 | 2013-03-12 | Elpida Memory, Inc. | Solid-state memory and semiconductor device |
US9153315B2 (en) | 2007-08-31 | 2015-10-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Solid memory |
US9224460B2 (en) | 2007-08-31 | 2015-12-29 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Solid memory |
-
2000
- 2000-05-01 JP JP2000133029A patent/JP2001096919A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9153315B2 (en) | 2007-08-31 | 2015-10-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Solid memory |
US9224460B2 (en) | 2007-08-31 | 2015-12-29 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Solid memory |
US8396335B2 (en) | 2009-01-22 | 2013-03-12 | Elpida Memory, Inc. | Solid-state memory and semiconductor device |
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