JP2001093699A - Plasma treatment device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-cost plasma treatment device with a structure capable of sealing plasma in a prescribed region evenly, without preventing gas emission. SOLUTION: In this plasma treatment device, a substrate 8 is held on a suscepter 6 inside a vacuum case 1, a treatment gas is fed to the treatment surface of the substrate 8 from a gas inlet part 2, high-frequency waves are applied to the treatment gas by way of an electrode 3 to generate a plasma, a prescribed plasma treatment is applied to the treatment surface of the substrate 8, and the gas after the plasma treatment is emitted from the periphery of the suscepter 6 to the outside of the vacuum case 1 through a gas emitting part 7. The plasma treatment device has magnets 11 and 12 around the suscepter 6 for sealing the plasma 9 in the space for the plasma treatment with a gas passage secured.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
て、真空容器内においてシリコン基板やガラス基板など
の被処理物に対して薄膜を形成したり、薄膜のエッチン
グを行ったりするプラズマ処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus for forming a thin film or etching a thin film on an object to be processed such as a silicon substrate or a glass substrate in a vacuum vessel by using plasma. About.

【０００２】[0002]

【従来の技術】たとえば、半導体製造工程の一つに、ウ
ェーハ（基板）上にプラズマを利用して所定の成膜を施
すプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition）成膜工
程がある。これは、真空保持された反応室内にウェーハ
を配置し、反応室内に処理ガスを供給しながら、高周波
電力を放電用コイルや放電用電極に印加して、反応室内
にプラズマを発生させ、該プラズマにより処理ガスを分
解して化学反応を起こさせ、それによりウェーハの表面
上に薄膜を形成するというものであり、このＣＶＤ成膜
工程にはプラズマ処理装置が使用されている。2. Description of the Related Art For example, as one of semiconductor manufacturing processes, there is a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) film forming process for forming a predetermined film on a wafer (substrate) using plasma. This involves placing a wafer in a reaction chamber held in a vacuum, applying a high-frequency power to a discharge coil or discharge electrode while supplying a processing gas into the reaction chamber, and generating plasma in the reaction chamber. Decomposes the processing gas to cause a chemical reaction, thereby forming a thin film on the surface of the wafer. A plasma processing apparatus is used in the CVD film forming process.

【０００３】図５は、プラズマ処理装置のなかで、磁石
の磁場を利用したマグネトロン放電型プラズマ処理装置
の従来例を示している。マグネトロン放電型プラズマ処
理装置（一般的にＭＭＴ装置と呼ばれる）は、陰極から
放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を
続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を
高めるので、多く使用されている容量結合型プラズマ処
理装置よりも高密度のプラズマが得られる。FIG. 5 shows a conventional example of a magnetron discharge type plasma processing apparatus utilizing a magnetic field of a magnet among the plasma processing apparatuses. A magnetron discharge type plasma processing apparatus (generally referred to as an MMT apparatus) is often used because electrons emitted from a cathode continue to make cycloid motion while drifting and have a long life, thereby increasing the ionization generation rate. A higher density plasma can be obtained than the capacitively coupled plasma processing apparatus described above.

【０００４】図において、真空容器１の上部にはガス導
入部２が設けられ、真空容器１の周壁には絶縁材４を介
して放電用の円筒電極３が設けられている。また、真空
容器１の外周には、円筒電極３の内周側空間に対して磁
場を生成する永久磁石５が配置され、真空容器１内の底
部には、基板８を載置するサセプタ（基板保持台）６が
配置されている。そして、サセプタ６の周囲から真空容
器１の底部方向へ処理後のガスが流れるように真空容器
１の底部にガス排気部７が設けられている。なお、いず
れも図示を省略してあるが、真空容器１は接地され、放
電用の円筒電極３には高周波電力印加手段が接続され、
ガス導入部２にはガス供給手段が接続され、ガス排気部
７には排気手段が接続されている。[0004] In the figure, a gas inlet 2 is provided above a vacuum vessel 1, and a cylindrical electrode 3 for discharge is provided on the peripheral wall of the vacuum vessel 1 via an insulating material 4. Further, a permanent magnet 5 for generating a magnetic field with respect to an inner peripheral space of the cylindrical electrode 3 is arranged on the outer periphery of the vacuum vessel 1, and a susceptor (substrate) Holding table) 6 is disposed. A gas exhaust unit 7 is provided at the bottom of the vacuum vessel 1 so that the processed gas flows from the periphery of the susceptor 6 toward the bottom of the vacuum vessel 1. Although not shown, the vacuum vessel 1 is grounded, and the high-frequency power applying means is connected to the cylindrical electrode 3 for discharging.
The gas supply unit 2 is connected to a gas supply unit, and the gas exhaust unit 7 is connected to an exhaust unit.

【０００５】次に基板処理の流れについて説明する。ま
ず、真空容器１内のサセプタ６上に基板８を搬送し、真
空容器１内を真空にする。次に基板８を加熱し、加熱し
たらガス導入部２から処理ガスを真空容器１内の基板８
の上面（処理面）に向けて供給し、同時に放電用の円筒
電極３に高周波電力を印加する。そうすると、永久磁石
５の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、基
板８の上方空間にプラズマ９が生成される。そして、生
成されたプラズマ９により、サセプタ６上の基板８の表
面にプラズマ処理が施される。なお、真空容器１内の圧
力は、ガス導入部２より導入される処理ガスの流量と、
ガス排気部７に接続されているポンプ（図示略）の能力
と、ポンプまでの排気コンダクタンスにより決まる。Next, the flow of substrate processing will be described. First, the substrate 8 is transported onto the susceptor 6 in the vacuum vessel 1, and the inside of the vacuum vessel 1 is evacuated. Next, the substrate 8 is heated, and when heated, the processing gas is supplied from the gas introduction unit 2 to the substrate 8 in the vacuum vessel 1.
, And at the same time, high-frequency power is applied to the discharge cylindrical electrode 3. Then, a magnetron discharge is generated under the influence of the magnetic field of the permanent magnet 5, and a plasma 9 is generated in a space above the substrate 8. Then, the surface of the substrate 8 on the susceptor 6 is subjected to plasma processing by the generated plasma 9. The pressure in the vacuum vessel 1 depends on the flow rate of the processing gas introduced from the gas introduction unit 2 and
It is determined by the capacity of a pump (not shown) connected to the gas exhaust unit 7 and the exhaust conductance to the pump.

【０００６】このプラズマ処理装置の場合、プラズマ９
は基板８の上部のみならず排気側（真空容器１の底部
側）にも拡散し、プラズマ処理する上で必要な領域のプ
ラズマ密度が低下すると共に、プラズマ密度分布の不均
一が生じる。また、特にＣＶＤ装置においては、真空容
器１の内壁に副生成物が付着するが、図示したようにサ
セプタ６の上面よりも排気側（真空容器１の底部側）に
プラズマ９が拡散していると、その近辺の内壁まで副生
成物が付着する。この部分への副生成物の付着はパーテ
ィクルの発生による歩留まりの低下、あるいは反応室の
クリーニング時間の増加による装置スループットの低下
を引き起こす。In this plasma processing apparatus, the plasma 9
Is diffused not only on the upper part of the substrate 8 but also on the exhaust side (the bottom side of the vacuum vessel 1), so that the plasma density in a region required for plasma processing is reduced and the plasma density distribution is uneven. In particular, in a CVD apparatus, by-products adhere to the inner wall of the vacuum vessel 1, but the plasma 9 is diffused to the exhaust side (the bottom side of the vacuum vessel 1) from the upper surface of the susceptor 6 as illustrated. Then, by-products adhere to the inner wall in the vicinity. The adhesion of by-products to this portion causes a decrease in yield due to generation of particles, or a decrease in apparatus throughput due to an increase in cleaning time of the reaction chamber.

【０００７】そこで、図６のプラズマ処理装置が開発さ
れている。このプラズマ処理装置では、サセプタ６と真
空容器１の内壁との間の空間（隙間）にプラズマ遮蔽板
１０を設け、排気側へのプラズマ流出を防止するように
している。ここで、プラズマ遮蔽板１０は、導電性の材
料（例えばアルミ）あるいは絶縁材料（例えばセラミッ
ク、テフロン（登録商標）等）からできており、真空容
器１とサセプタ６間の空間（隙間）を埋めるように板状
に形成され、ガスを流通させることができるよう多数の
孔が開いている。Therefore, a plasma processing apparatus shown in FIG. 6 has been developed. In this plasma processing apparatus, a plasma shielding plate 10 is provided in a space (gap) between the susceptor 6 and the inner wall of the vacuum vessel 1 to prevent plasma from flowing out to the exhaust side. Here, the plasma shielding plate 10 is made of a conductive material (for example, aluminum) or an insulating material (for example, ceramic, Teflon (registered trademark), or the like), and fills a space (gap) between the vacuum vessel 1 and the susceptor 6. And a large number of holes are formed to allow gas to flow therethrough.

【０００８】このプラズマ処理装置では、プラズマ遮蔽
板１０を付加したことにより、必要な領域のプラズマ密
度を向上させることができ、且つ、均一なプラズマ分布
を実現することができるようになる。また、基板８より
も排気側の真空容器１の内壁への副生成物の付着を防止
することもできるようになる。In this plasma processing apparatus, by adding the plasma shielding plate 10, the plasma density in a necessary region can be improved and a uniform plasma distribution can be realized. Also, it is possible to prevent by-products from adhering to the inner wall of the vacuum vessel 1 on the exhaust side of the substrate 8.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のプラズ
マ遮蔽板１０を付加した処理装置では、プラズマ遮蔽板
１０が、プラズマ９を閉じ込めるのと同時に、ガス自体
の流れを抑制する（排気コンダクタンスを低下する）た
め、低圧力のプラズマ９を生成し難くなるという問題が
あった。そこで、圧力を下げるためにポンプの排気能力
を上げようと高性能のポンプを使用したり、ポンプの個
数を増やしたりすることも考えられるが、そうすると装
置のコストが高くなってしまうという問題があった。However, in a processing apparatus to which the conventional plasma shielding plate 10 is added, the plasma shielding plate 10 confines the plasma 9 and simultaneously suppresses the flow of gas itself (reducing the exhaust conductance). Therefore, there is a problem that it is difficult to generate the low-pressure plasma 9. Therefore, it is conceivable to use a high-performance pump or increase the number of pumps in order to increase the pumping capacity of the pump in order to lower the pressure. However, doing so increases the cost of the apparatus. Was.

【００１０】本発明は、上記事情を考慮し、プラズマを
所望の領域に均一に閉じ込めることができ、かつ、ガス
の排気を妨げない構造を持つ低コストのプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has as its object to provide a low-cost plasma processing apparatus having a structure capable of uniformly confining plasma in a desired region and having a structure that does not hinder gas exhaust. I do.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、真空
容器内の基板保持台に基板を保持し、基板の処理面に向
けて処理ガスを供給し、該処理ガスに高周波を印加して
プラズマを発生させ、前記基板の処理面に所定のプラズ
マ処理を施し、プラズマ処理後のガスを前記基板保持台
の周辺から真空容器外に排気するプラズマ処理装置にお
いて、前記基板保持台の周囲に、ガス流路を確保した状
態で、プラズマ処理を行う空間にプラズマを閉じ込める
磁石を設けたことを特徴とする。According to the first aspect of the present invention, a substrate is held on a substrate holder in a vacuum vessel, a processing gas is supplied toward a processing surface of the substrate, and a high frequency is applied to the processing gas. In the plasma processing apparatus for generating a plasma, performing a predetermined plasma processing on the processing surface of the substrate, and exhausting the gas after the plasma processing from the periphery of the substrate holder to the outside of the vacuum vessel, And a magnet for confining plasma in a space where plasma processing is performed with the gas flow path secured.

【００１２】このプラズマ処理装置では、磁石による磁
界の作用でプラズマを閉じこめるようにしているので、
ガス流路を確保しながら、プラズマ閉じ込め効果を上げ
ることができる。In this plasma processing apparatus, the plasma is confined by the action of the magnetic field of the magnet.
The plasma confinement effect can be improved while securing the gas flow path.

【００１３】請求項２の発明は、前記磁石として、前記
基板保持台と真空容器の対向部に、前記ガス流路を隔て
て対向し且つ対向面が異極となった永久磁石を配置した
ことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, as the magnet, a permanent magnet facing the substrate holding table and the vacuum vessel via the gas flow path and facing the opposite side with a different polarity is disposed. It is characterized by.

【００１４】このプラズマ処理装置では、基板保持台と
真空容器の対向部を横断するように磁界が形成され、プ
ラズマ中の荷電粒子は磁界を横切って拡散し難しいた
め、プラズマは処理空間側に閉じ込められるIn this plasma processing apparatus, a magnetic field is formed so as to traverse the opposing portion of the substrate holding table and the vacuum vessel. Since charged particles in the plasma are difficult to diffuse across the magnetic field, the plasma is confined in the processing space. Be

【００１５】請求項３の発明は、前記基板の処理面にお
ける磁界強度を低減させるため、前記基板保持台側の永
久磁石を非磁性材料を介して磁性材料で覆ったことを特
徴とする。According to a third aspect of the present invention, in order to reduce the magnetic field intensity on the processing surface of the substrate, the permanent magnet on the substrate holder is covered with a magnetic material via a non-magnetic material.

【００１６】このプラズマ処理装置では、プラズマ閉じ
込め用に設けた永久磁石の磁界の影響が基板上に極力及
ばないようにすることができる。従って、基板上に生じ
る不均一な磁界によって基板へプラズマダメージが及ぶ
おそれがある場合に、それをなくすことができる。In this plasma processing apparatus, the influence of the magnetic field of the permanent magnet provided for confining the plasma can be minimized on the substrate. Therefore, when there is a possibility that a non-uniform magnetic field generated on the substrate may cause plasma damage to the substrate, it can be eliminated.

【００１７】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。なお、図５に示した従来のプラズマ
処理装置と同一構成要素には同一符号を付してその説明
を省略し、異なる構成についてのみ以下説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same components as those of the conventional plasma processing apparatus shown in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Only different configurations will be described below.

【００１８】この実施形態のプラズマ処理装置では、図
１に示すように、真空容器１とサセプタ６の間に、互い
に対向するように永久磁石１１、１２を配置し、磁石１
１、１２間に十分なガス流路を確保した状態で、両磁石
１１、１２間に、処理空間内へのプラズマ閉じ込め効果
を発揮する磁界を発生させるようにしている。In the plasma processing apparatus of this embodiment, as shown in FIG. 1, permanent magnets 11 and 12 are arranged between the vacuum vessel 1 and the susceptor 6 so as to face each other.
In a state where a sufficient gas flow path is secured between the magnets 1 and 12, a magnetic field that exerts a plasma confinement effect in the processing space is generated between the magnets 11 and 12.

【００１９】この永久磁石１１、１２の特性は、真空容
器１側に設置する永久磁石１１の内周側をＳ極とした場
合は、サセプタ６側に設置する永久磁石１２の外周側を
Ｎ極とする。あるいは、真空容器１側に設置する永久磁
石１１の内周側をＮ極とした場合は、サセプタ６側に設
置する永久磁石１２の外周側をＳ極とする。つまり、永
久磁石１１、１２の異極が対峙するように設置してあ
る。The characteristics of the permanent magnets 11 and 12 are such that when the inner peripheral side of the permanent magnet 11 installed on the vacuum vessel 1 side is an S pole, the outer peripheral side of the permanent magnet 12 installed on the susceptor 6 side is an N pole. And Alternatively, when the inner peripheral side of the permanent magnet 11 installed on the vacuum vessel 1 side is the N pole, the outer peripheral side of the permanent magnet 12 installed on the susceptor 6 side is the S pole. That is, the permanent magnets 11 and 12 are installed so that different poles of the permanent magnets face each other.

【００２０】プラズマ中の荷電粒子（電子、イオン）は
磁界を横切って拡散し難しいため、図示するように、プ
ラズマ９は、永久磁石１１、１２よりもガス供給側へ閉
じ込められる。この場合、プラズマ９の拡散方向に対す
る垂直方向の磁界強度を調節することにより、プラズマ
９を閉じ込める度合いを異ならせることができる。な
お、電子を閉じ込めるためには前記の磁界強度が１００
Ｇ（ガウス）以上、イオンを閉じ込めるためには前記の
磁界強度が２０００Ｇ以上となるように、永久磁石１
１、１２を選定して設置する必要がある。Since the charged particles (electrons and ions) in the plasma are difficult to diffuse across the magnetic field, the plasma 9 is confined to the gas supply side rather than the permanent magnets 11 and 12, as shown in the figure. In this case, the degree of confining the plasma 9 can be varied by adjusting the magnetic field strength in the direction perpendicular to the diffusion direction of the plasma 9. In order to confine electrons, the above-mentioned magnetic field intensity is 100
G (gauss) or more, and in order to confine ions, the permanent magnet 1 is set so that the magnetic field intensity becomes 2000 G or more.
It is necessary to select and install 1,12.

【００２１】永久磁石１１、１２の形状は、サセプタ６
の形状や真空容器１の内壁形状に応じて、図２（ａ）に
示すように、円形リング状の永久磁石１１Ａ、１２Ａに
したり、図２（ｂ）に示すように、矩形枠状の永久磁石
１１Ｂ、１２Ｂにしたりすることができる。また、一体
型にしてもよいし、２分割以上に分割してもよい。The shape of the permanent magnets 11 and 12 is
Depending on the shape of the vacuum vessel 1 and the inner wall shape of the vacuum vessel 1, the permanent magnets 11A and 12A may be circular ring-shaped as shown in FIG. 2A, or may be rectangular frame-shaped permanent magnets as shown in FIG. The magnets 11B and 12B can be used. Further, it may be integrated, or may be divided into two or more.

【００２２】また、図３（ａ）、（ｂ）に示すような円
柱状の小磁石１１Ｃ、１２Ｃや角柱状の小磁石１１Ｄ、
１２Ｄを、図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、円形リン
グ状や矩形枠状に複数配列して構成してもよい。Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, cylindrical small magnets 11C and 12C and prismatic small magnets 11D,
As shown in FIGS. 3C and 3D, a plurality of 12Ds may be arranged in a circular ring shape or a rectangular frame shape.

【００２３】また、サセプタ６側の永久磁石１２は、図
４（ａ）に示すように、サセプタ６外周に設置してもよ
いし、図４（ｂ）に示すように、サセプタ６の内部に埋
め込むように配置してもよい。後者の場合は、サセプタ
６の外周に出っ張りがなくなるので、排気コンダクタン
スを小さくでき、より低圧制御が可能となる。また、真
空容器１側の永久磁石１１は、図４（ａ）に示すよう
に、非磁性材料製の真空容器１の内周側に設置してもよ
いし、図４（ｂ）に示すように真空容器１の外周側に設
置してもよい。The permanent magnet 12 on the susceptor 6 side may be installed on the outer periphery of the susceptor 6 as shown in FIG. 4A, or may be installed inside the susceptor 6 as shown in FIG. You may arrange so that it may be embedded. In the latter case, there is no protrusion on the outer periphery of the susceptor 6, so that the exhaust conductance can be reduced and lower pressure control can be performed. Further, the permanent magnet 11 on the vacuum vessel 1 side may be installed on the inner peripheral side of the vacuum vessel 1 made of a non-magnetic material as shown in FIG. 4A, or as shown in FIG. May be installed on the outer peripheral side of the vacuum vessel 1.

【００２４】また、基板８上の不均一な磁界により、基
板８へのプラズマダメージが問題となる場合には、図４
（ｂ）に示すように、永久磁石１２の少なくとも１つ以
上の面（基板８側の面）を中間層１４（例えばアルミ、
セラミック、テフロン等の非磁気性材料層）を介して磁
気遮蔽部１３（例えば鉄等の磁性材料）で覆う構造とす
る。こうすることで、基板８への磁界の影響を減らすこ
とができるので、基板８へのプラズマダメージを減らす
ことができる。なお、図４（ａ）に示すようにサセプタ
６の外周部に永久磁石１２を配置した場合にも、同様
に、中間層１４を介して磁気遮蔽部１３を設けることが
できる。In the case where the non-uniform magnetic field on the substrate 8 causes a problem of plasma damage to the substrate 8, FIG.
As shown in (b), at least one surface (the surface on the substrate 8 side) of the permanent magnet 12 is formed on the intermediate layer 14 (for example, aluminum,
The structure is covered with the magnetic shielding portion 13 (for example, a magnetic material such as iron) via a nonmagnetic material layer such as ceramic or Teflon. By doing so, the influence of the magnetic field on the substrate 8 can be reduced, so that plasma damage to the substrate 8 can be reduced. In addition, even when the permanent magnet 12 is arranged on the outer peripheral portion of the susceptor 6 as shown in FIG. 4A, the magnetic shielding portion 13 can be similarly provided via the intermediate layer 14.

【００２５】以上においては、変形マグネトロンプラズ
マ処理装置を例に説明したが、例えばＣＣＰ（Capaciti
vely Coupled Plasma）、ＥＣＲ（Electron Cyclotr
onResonance）、ＩＣＰ（Inductivity Coupled Piasm
a）、ヘリコン波方式等のプラズマ処理装置のように、
基板よりもガス排気側にプラズマが拡散してしまう装置
に本発明は全て適用することができる。In the above description, the modified magnetron plasma processing apparatus has been described as an example.
vely Coupled Plasma), ECR (Electron Cyclotr)
onResonance), ICP (Inductivity Coupled Piasm)
a), like plasma processing equipment of helicon wave type,
The present invention can be applied to any apparatus in which plasma is diffused to the gas exhaust side of the substrate.

【００２６】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
排気コンダクタンスを低下させることなく、プラズマを
所望の領域に閉じこめることができ、該領域のプラズマ
密度や均一度を向上させることができる。従って、排気
系の能力を増強するなどの対策を講じる必要がなく、コ
ストダウンを図ることができる。As described above, according to the present invention,
The plasma can be confined in a desired region without reducing the exhaust conductance, and the plasma density and uniformity in the region can be improved. Therefore, it is not necessary to take measures such as enhancing the capacity of the exhaust system, and the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施形態のプラズマ処理装置の断面図
である。FIG. 1 is a sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】同プラズマ処理装置におけるプラズマ閉じ込め
用の永久磁石の例を示す図で、（ａ）は円形リング状の
永久磁石、（ｂ）は矩形枠状の永久磁石を示す斜視図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing an example of a permanent magnet for confining plasma in the plasma processing apparatus, wherein FIG. 2 (a) is a perspective view showing a circular ring-shaped permanent magnet, and FIG. 2 (b) is a perspective view showing a rectangular frame-shaped permanent magnet.

【図３】同プラズマ処理装置におけるプラズマ閉じ込め
用の永久磁石の例を示す図で、（ａ）は多数配列して使
用するための円柱状の小磁石、（ｂ）は同角柱状の小磁
石、（ｃ）は小磁石を円形リング状に配置した例を示す
図、（ｄ）は小磁石を矩形枠状に配置した例を示す図で
ある。3A and 3B are diagrams showing examples of a permanent magnet for confining plasma in the plasma processing apparatus, in which FIG. 3A is a columnar small magnet for use by arranging many, and FIG. 3B is a prismatic small magnet. (C) is a diagram showing an example in which small magnets are arranged in a circular ring shape, and (d) is a diagram showing an example in which small magnets are arranged in a rectangular frame shape.

【図４】同プラズマ処理装置におけるプラズマ閉じ込め
用の永久磁石の配置例を示す断面図であり、（ａ）は突
出形、（ｂ）は埋め込み形の各例を示す図である。FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating an example of the arrangement of a permanent magnet for confining plasma in the plasma processing apparatus, wherein FIG. 4A illustrates an example of a protruding type, and FIG.

【図５】従来のプラズマ処理装置の例を示す断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view showing an example of a conventional plasma processing apparatus.

【図６】従来のプラズマ処理装置の他の例を断面図であ
る。FIG. 6 is a sectional view of another example of the conventional plasma processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 真空容器 ２ ガス導入部 ３ 放電用の円筒電極 ４ 絶縁材 ５ 永久磁石 ６ サセプタ（基板保持台） ７ ガス排気部 ８ 基板 １１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１２，１２
Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ プラズマ閉じ込め用の磁
石 １３ 磁気遮蔽部（磁性材料） １４ 中間層（非磁性材料）DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum container 2 Gas introduction part 3 Cylindrical electrode for discharge 4 Insulation material 5 Permanent magnet 6 Susceptor (substrate holding stand) 7 Gas exhaust part 8 Substrate 11, 11A, 11B, 11C, 11D, 12, 12
A, 12B, 12C, 12D Magnet for confining plasma 13 Magnetic shield (magnetic material) 14 Intermediate layer (non-magnetic material)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 真空容器内の基板保持台に基板を保持
し、基板の処理面に向けて処理ガスを供給し、該処理ガ
スに高周波を印加してプラズマを発生させ、前記基板の
処理面に所定のプラズマ処理を施し、プラズマ処理後の
ガスを前記基板保持台の周辺から真空容器外に排気する
プラズマ処理装置において、 前記基板保持台の周囲に、ガス流路を確保した状態で、
プラズマ処理を行う空間にプラズマを閉じ込める磁石を
設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。A substrate is held on a substrate holder in a vacuum vessel, a processing gas is supplied toward a processing surface of the substrate, and a high frequency is applied to the processing gas to generate plasma, and the processing surface of the substrate is generated. In a plasma processing apparatus that performs a predetermined plasma processing on the substrate processing table and exhausts the gas after the plasma processing from the periphery of the substrate holding table to the outside of the vacuum vessel, around the substrate holding table, with a gas flow path secured,
A plasma processing apparatus, wherein a magnet for confining plasma is provided in a space where plasma processing is performed. 【請求項２】 前記磁石として、前記基板保持台と真空
容器の対向部に、前記ガス流路を隔てて対向し且つ対向
面が異極となった永久磁石を配置したことを特徴とする
請求項１記載のプラズマ処理装置。2. A permanent magnet which is opposed to the substrate holding table and a vacuum vessel as opposed to the vacuum vessel as the magnet with the opposite side facing the opposite side of the gas flow path and having a different polarity. Item 2. A plasma processing apparatus according to item 1. 【請求項３】 前記基板の処理面における磁界強度を低
減させるため、前記基板保持台側の永久磁石を非磁性材
料を介して磁性材料で覆ったことを特徴とする請求項２
記載のプラズマ処理装置。3. The permanent magnet on the side of the substrate holder is covered with a magnetic material via a non-magnetic material in order to reduce the magnetic field intensity on the processing surface of the substrate.
The plasma processing apparatus as described in the above.