JP2001092111A - 電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法 - Google Patents
電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電子線用転写マスクの製作工程に沿った電子線
用転写マスクの検査を提供する。 【解決手段】フォトマスクに形成されたパターンを縮小
投影することにより形成された電子線露光用転写マスク
のパターンを、前記フォトマスクのパターンとの比較照
合により良否を判断することを特徴とする電子線用転写
マスクのパターン形状検査方法。
用転写マスクの検査を提供する。 【解決手段】フォトマスクに形成されたパターンを縮小
投影することにより形成された電子線露光用転写マスク
のパターンを、前記フォトマスクのパターンとの比較照
合により良否を判断することを特徴とする電子線用転写
マスクのパターン形状検査方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ（デ
バイス）の製造等において、ウエハに回路パターン等を
転写するためのマスクのパターンが正常に形成されてい
るかどうか検査する方法及びこの方法により検査された
マスクを使用して半導体チップを製造する方法に関す
る。
バイス）の製造等において、ウエハに回路パターン等を
転写するためのマスクのパターンが正常に形成されてい
るかどうか検査する方法及びこの方法により検査された
マスクを使用して半導体チップを製造する方法に関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体チップを製造するために、光
学式の投影露光装置を利用してフォトマスク（本明細書
においてマスクとは、レチクルを含む概念である。）に
形成された回路パターンをウエハに露光転写することが
行われている。回路パターンの最小サイズが１μｍ以上
であった時代は、等倍の露光転写が主流であったが、回
路パターンの最小サイズが１μｍ以下となる場合は、縮
小露光が行われるようになり、その分だけマスクに形成
される回路パターンの描画精度が緩やかなものとなる。
学式の投影露光装置を利用してフォトマスク（本明細書
においてマスクとは、レチクルを含む概念である。）に
形成された回路パターンをウエハに露光転写することが
行われている。回路パターンの最小サイズが１μｍ以上
であった時代は、等倍の露光転写が主流であったが、回
路パターンの最小サイズが１μｍ以下となる場合は、縮
小露光が行われるようになり、その分だけマスクに形成
される回路パターンの描画精度が緩やかなものとなる。
【０００３】一方、フォトマスク製作は、電子線描画装
置、レーザー描画装置を利用して行われるが、描画に時
間がかかるため、フォトマスクそのものをリソグラフィ
ーを利用して、親となるフォトマスク（以下、単に親マ
スクという）の露光転写により製造する方法が開発され
ている。その際の露光転写に縮小露光転写を使用すれ
ば、親マスクのパターンの描画精度がさらに緩やかにな
り、逆にその分だけ転写されるフォトマスクの回路パタ
ーンの最小サイズを小さくすることができる。このよう
にして製作される露光転写に使用されるフォトマスクの
回路パターンが正常に製作されているかどうかは、光学
顕微鏡でフォトマスクに形成されたパターンを拡大して
撮像し、画像処理により基準パターンとのマッチングを
とることにより行われてきた。
置、レーザー描画装置を利用して行われるが、描画に時
間がかかるため、フォトマスクそのものをリソグラフィ
ーを利用して、親となるフォトマスク（以下、単に親マ
スクという）の露光転写により製造する方法が開発され
ている。その際の露光転写に縮小露光転写を使用すれ
ば、親マスクのパターンの描画精度がさらに緩やかにな
り、逆にその分だけ転写されるフォトマスクの回路パタ
ーンの最小サイズを小さくすることができる。このよう
にして製作される露光転写に使用されるフォトマスクの
回路パターンが正常に製作されているかどうかは、光学
顕微鏡でフォトマスクに形成されたパターンを拡大して
撮像し、画像処理により基準パターンとのマッチングを
とることにより行われてきた。
【０００４】現状での光学顕微鏡を利用した検査装置の
検査能力は、０．１μｍ程度であるので、最小パターン
が１μｍ程度までのフォトマスクの検査を行うことがで
きた。検査に要する時間は、最小パターンサイズ、求め
る測定精度にも依存するが、５インチフォトマスクの場
合は約２時間で検査を行うことができた。
検査能力は、０．１μｍ程度であるので、最小パターン
が１μｍ程度までのフォトマスクの検査を行うことがで
きた。検査に要する時間は、最小パターンサイズ、求め
る測定精度にも依存するが、５インチフォトマスクの場
合は約２時間で検査を行うことができた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
チップの高集積度化に伴って、次世代の回路パターンの
最小サイズは１００ｎｍ程度になると予想されている。
このような小さいサイズの回路パターンをウエハに露光
転写することは、もはや光学式の投影露光装置では不可
能であり、電子線を利用した分割露光転写方式が開発さ
れている。
チップの高集積度化に伴って、次世代の回路パターンの
最小サイズは１００ｎｍ程度になると予想されている。
このような小さいサイズの回路パターンをウエハに露光
転写することは、もはや光学式の投影露光装置では不可
能であり、電子線を利用した分割露光転写方式が開発さ
れている。
【０００６】このような電子線分割露光転写方式の投影
露光装置においては、１／４の縮小露光が一般的であ
る。よって、このような装置に使用される電子線用転写
マスクに形成された回路パターンの最小サイズは、４０
０ｎｍ程度となる。このようなサイズの回路パターンを
検査するためには、４０ｎｍの検査精度を有する検査装
置が必要であり、もはや光学顕微鏡を利用した検査装置
を使用することはできない。光学顕微鏡の代わりにＳＥ
Ｍ（走査型電子顕微鏡）を使用することが考えられる
が、回路設計データと電子線用転写マスクに形成された
パターンの画像を比較解析するのに膨大な時間がかかる
ため実用的でない。結局のところ、現在においては、次
世代の半導体チップの製造用に使用される電子線用転写
マスクの製作工程を踏まえて、電子線用転写マスクに形
成された回路パターンの有効な検査方法が実用化されて
いない。
露光装置においては、１／４の縮小露光が一般的であ
る。よって、このような装置に使用される電子線用転写
マスクに形成された回路パターンの最小サイズは、４０
０ｎｍ程度となる。このようなサイズの回路パターンを
検査するためには、４０ｎｍの検査精度を有する検査装
置が必要であり、もはや光学顕微鏡を利用した検査装置
を使用することはできない。光学顕微鏡の代わりにＳＥ
Ｍ（走査型電子顕微鏡）を使用することが考えられる
が、回路設計データと電子線用転写マスクに形成された
パターンの画像を比較解析するのに膨大な時間がかかる
ため実用的でない。結局のところ、現在においては、次
世代の半導体チップの製造用に使用される電子線用転写
マスクの製作工程を踏まえて、電子線用転写マスクに形
成された回路パターンの有効な検査方法が実用化されて
いない。
【０００７】そこで、本発明はこのような事情に鑑みて
なされたものであり、電子線用転写マスクの製作工程に
沿った電子線用転写マスクの検査を提供することを目的
とする。
なされたものであり、電子線用転写マスクの製作工程に
沿った電子線用転写マスクの検査を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第一の手段は、フォトマスクに形成されたパターンを
縮小投影することにより形成された電子線露光用転写マ
スクのパターンを、前記フォトマスクのパターンとの比
較照合により良否を判断することを特徴とする電子線用
転写マスクのパターン形状検査方法（請求項１）であ
る。
の第一の手段は、フォトマスクに形成されたパターンを
縮小投影することにより形成された電子線露光用転写マ
スクのパターンを、前記フォトマスクのパターンとの比
較照合により良否を判断することを特徴とする電子線用
転写マスクのパターン形状検査方法（請求項１）であ
る。
【０００９】前記課題を解決するための第二の手段は、
前記フォトマスクに形成されたパターンを、回路設計デ
ータとの比較照合により良否を判断することを特徴とす
る請求項１記載の電子線用転写マスクのパターン形状検
査方法（請求項２）である。前記課題を解決するために
第三の手段は、照射電子光学系により形成される電子線
を走査することにより、請求項１又は請求項２記載のう
ちのいずれか１項の電子線用転写マスクのパターン形状
検査方法により検査された電子線用転写マスクに照射
し、該マスクを透過した電子線を投影結像光学系を介し
て感光基板上に前記マスクに形成されたパターン像を形
成するリソグラフィー工程を含むこと、を特徴とする所
定の回路パターンを有する半導体チップを製造する方法
（請求項３）である。
前記フォトマスクに形成されたパターンを、回路設計デ
ータとの比較照合により良否を判断することを特徴とす
る請求項１記載の電子線用転写マスクのパターン形状検
査方法（請求項２）である。前記課題を解決するために
第三の手段は、照射電子光学系により形成される電子線
を走査することにより、請求項１又は請求項２記載のう
ちのいずれか１項の電子線用転写マスクのパターン形状
検査方法により検査された電子線用転写マスクに照射
し、該マスクを透過した電子線を投影結像光学系を介し
て感光基板上に前記マスクに形成されたパターン像を形
成するリソグラフィー工程を含むこと、を特徴とする所
定の回路パターンを有する半導体チップを製造する方法
（請求項３）である。
【００１０】
【発明の実施形態】以下、本発明にかかる実施形態のマ
スクパターン形状の検査方法を図面を参照しながら説明
する。図１は、実施形態の電子線用転写マスクの製作及
びそのパターン形状の検査手順の概略図である。
スクパターン形状の検査方法を図面を参照しながら説明
する。図１は、実施形態の電子線用転写マスクの製作及
びそのパターン形状の検査手順の概略図である。
【００１１】まず、回路設計データを用意する（STEP
1）。次に回路設計データに、必要なデータ変換を施
し、フォトマスク描画データに変換する（STEP2）。こ
の描画データに基づいて電子線描画装置によりフォトマ
スクを製作する（STEP3）。
1）。次に回路設計データに、必要なデータ変換を施
し、フォトマスク描画データに変換する（STEP2）。こ
の描画データに基づいて電子線描画装置によりフォトマ
スクを製作する（STEP3）。
【００１２】次に、製作されたフォトマスクのパターン
と回路設計データとを比較照合し、回路設計データが正
しいパターンに変換されたか評価するとともに、欠陥の
検出を行う（STEP4）。評価及び検出の方法は、次の通
りである。光学顕微鏡で回路パターンを拡大し、その画
像をデータ処理装置に取り込み、パターンマッチングを
行うことにより回路パターンの良否を判定する。
と回路設計データとを比較照合し、回路設計データが正
しいパターンに変換されたか評価するとともに、欠陥の
検出を行う（STEP4）。評価及び検出の方法は、次の通
りである。光学顕微鏡で回路パターンを拡大し、その画
像をデータ処理装置に取り込み、パターンマッチングを
行うことにより回路パターンの良否を判定する。
【００１３】この操作を、ステージを動かして行い、転
写マスクの全面の回路パターンの検査を行う。電子線用
転写マスク上での最小の回路パターンの大きさは３２０
ｎｍであるので、フォトマスク上での最小の回路パター
ンの大きさは１．２８μｍである。このような回路パタ
ーンの検査には、パターンエッジの検査のために０．２
μｍの検査能力が必要であるが、現状での光学顕微鏡を
利用した検査装置の検査能力は０．１μｍ程度であるの
で、問題なく検査が可能である。
写マスクの全面の回路パターンの検査を行う。電子線用
転写マスク上での最小の回路パターンの大きさは３２０
ｎｍであるので、フォトマスク上での最小の回路パター
ンの大きさは１．２８μｍである。このような回路パタ
ーンの検査には、パターンエッジの検査のために０．２
μｍの検査能力が必要であるが、現状での光学顕微鏡を
利用した検査装置の検査能力は０．１μｍ程度であるの
で、問題なく検査が可能である。
【００１４】検査の結果、フォトマスクのパターンに回
路設計データとの不一致が検出された場合は、再びデー
タ変換を施し（STEP2）、フォトマスク描画を行う（STE
P3）。データが一致している場合は、パターンの白欠陥
（メンブレンへのパターン転写時におけるレジストパタ
ーンの描画のエラーに起因し、レジストパターンが欠け
た部分がそのまま欠陥となったもの）、黒欠陥（レジス
トパターン上にゴミ等のエッチングマスクとなりうるも
のが付着した状態でエッチングされた場合に生じたも
の）等のパターン欠陥を検出する（STEP5)。
路設計データとの不一致が検出された場合は、再びデー
タ変換を施し（STEP2）、フォトマスク描画を行う（STE
P3）。データが一致している場合は、パターンの白欠陥
（メンブレンへのパターン転写時におけるレジストパタ
ーンの描画のエラーに起因し、レジストパターンが欠け
た部分がそのまま欠陥となったもの）、黒欠陥（レジス
トパターン上にゴミ等のエッチングマスクとなりうるも
のが付着した状態でエッチングされた場合に生じたも
の）等のパターン欠陥を検出する（STEP5)。
【００１５】検査により欠陥が存在すると判断された場
合は、その欠陥は修正可能か否が判断する（STEP10）。
欠陥の修正ができないと判断された場合は、そのフォト
マスクは廃棄される。欠陥の修正ができると判断された
場合は、そのフォトマスクの欠陥は、収束イオンビーム
等の手法によりフォトマスクをリペアする（STEP11）。
合は、その欠陥は修正可能か否が判断する（STEP10）。
欠陥の修正ができないと判断された場合は、そのフォト
マスクは廃棄される。欠陥の修正ができると判断された
場合は、そのフォトマスクの欠陥は、収束イオンビーム
等の手法によりフォトマスクをリペアする（STEP11）。
【００１６】次に、検査により良品と判断されたフォト
マスクは、光学式投影露光装置に搭載され、電子線用転
写マスクが製作される（STEP6）。図２は、光学式投影
露光装置を用いて、電子線用転写マスクを製造する様子
を示した概略図である。１は光源、２は照明光学系、３
はフォトマスク、４は縮小露光投影光学系、５はステー
ジ、６は電子線用転写マスクブランクスである。
マスクは、光学式投影露光装置に搭載され、電子線用転
写マスクが製作される（STEP6）。図２は、光学式投影
露光装置を用いて、電子線用転写マスクを製造する様子
を示した概略図である。１は光源、２は照明光学系、３
はフォトマスク、４は縮小露光投影光学系、５はステー
ジ、６は電子線用転写マスクブランクスである。
【００１７】光源１からの光は、照明光学系２により一
様な照明光に変えられ、フォトマスク３を照明する。フ
ォトマスク３のパターンの像は、縮小露光投影光学系４
により１／４に縮小されて、電子線用転写マスクブラン
クス６の表面に結像する。電子線用転写マスクブランク
ス６の表面にはレジストが塗布されており、このレジス
トを現像し、電子線用転写マスクブランクス６のメンブ
レンをエッチングすることにより、フォトマスク３の回
路パターンを１／４に縮小した回路パターンが形成さ
れ、電子線用転写マスクが完成する。
様な照明光に変えられ、フォトマスク３を照明する。フ
ォトマスク３のパターンの像は、縮小露光投影光学系４
により１／４に縮小されて、電子線用転写マスクブラン
クス６の表面に結像する。電子線用転写マスクブランク
ス６の表面にはレジストが塗布されており、このレジス
トを現像し、電子線用転写マスクブランクス６のメンブ
レンをエッチングすることにより、フォトマスク３の回
路パターンを１／４に縮小した回路パターンが形成さ
れ、電子線用転写マスクが完成する。
【００１８】製作された電子線用転写マスクは、製作プ
ロセス中に欠陥が混入する可能性がある。電子線用転写
マスクに形成されるパターンの大きさは、最小３２０ｎ
ｍであるので、前述した光学顕微鏡を用いた検査方法で
は、その欠陥は特定できない。従って、次の様な検査方
法によって行う（STEP7）。
ロセス中に欠陥が混入する可能性がある。電子線用転写
マスクに形成されるパターンの大きさは、最小３２０ｎ
ｍであるので、前述した光学顕微鏡を用いた検査方法で
は、その欠陥は特定できない。従って、次の様な検査方
法によって行う（STEP7）。
【００１９】製作された電子線用転写マスクに形成され
たパターン像を、例えば走査型電子顕微鏡で取得し、フ
ォトマスクに形成されたパターン像を、例えばレーザー
走査型電子顕微鏡で取得して、所定のピクセルサイズで
デジタイズする。このように電子化された各々のマスク
パターンデータを所定の電子回路を用いることによって
高速に比較することが可能となる。
たパターン像を、例えば走査型電子顕微鏡で取得し、フ
ォトマスクに形成されたパターン像を、例えばレーザー
走査型電子顕微鏡で取得して、所定のピクセルサイズで
デジタイズする。このように電子化された各々のマスク
パターンデータを所定の電子回路を用いることによって
高速に比較することが可能となる。
【００２０】欠陥が存在しないと判断した場合は、検査
は終了する。フォトマスクのパターン像と電子線用転写
マスクのパターン像との比較によって不一致が検出され
た場合は、電子線用転写マスクのパターンの欠陥として
認定され、その欠陥が修正可能か否か判断する（STEP
8）。なお、各データの比較の際には、投影露光装置の
収差に依存するパターン変形等を考慮して、予めその大
きさや傾向を把握し、補正値として算出した数値により
各データを補正しておく。
は終了する。フォトマスクのパターン像と電子線用転写
マスクのパターン像との比較によって不一致が検出され
た場合は、電子線用転写マスクのパターンの欠陥として
認定され、その欠陥が修正可能か否か判断する（STEP
8）。なお、各データの比較の際には、投影露光装置の
収差に依存するパターン変形等を考慮して、予めその大
きさや傾向を把握し、補正値として算出した数値により
各データを補正しておく。
【００２１】修正が不可能と判断された場合は、電子線
用転写マスクは廃棄される。黒欠陥の修正には、収束イ
オンビーム等を用いた選択的エッチング法が用いられ、
また白欠陥の修正には、欠陥近傍に所定のガスを供給し
ながら、収束イオンビーム、電子線、極微小プラズマ等
を照射することによる選択的成膜法（いわゆるFIB-CVD
法、EB-CVD法、選択的プラズマCVD法）が用いられる（S
TEP9）。
用転写マスクは廃棄される。黒欠陥の修正には、収束イ
オンビーム等を用いた選択的エッチング法が用いられ、
また白欠陥の修正には、欠陥近傍に所定のガスを供給し
ながら、収束イオンビーム、電子線、極微小プラズマ等
を照射することによる選択的成膜法（いわゆるFIB-CVD
法、EB-CVD法、選択的プラズマCVD法）が用いられる（S
TEP9）。
【００２２】次に、本発明にかかる電子線露光用転写マ
スクのパターン形状検査方法により検査された電子線露
光用転写マスクを用いて、分割転写方式の電子線投影露
光装置により半導体チップ（所定の回路パターンを有す
るデバイス）を製造する方法について説明する。図３
は、分割転写方式の電子線投影露光装置の概略構成図で
ある。
スクのパターン形状検査方法により検査された電子線露
光用転写マスクを用いて、分割転写方式の電子線投影露
光装置により半導体チップ（所定の回路パターンを有す
るデバイス）を製造する方法について説明する。図３
は、分割転写方式の電子線投影露光装置の概略構成図で
ある。
【００２３】本実施形態の電子線投影露光装置は、主と
して、電子線の照射光学系（電子銃、該電子銃からの電
子線を転写マスクに照射する照明光学系）１１と、転写
マスク１３のステージ、電子線の投影結像光学系１５、
感光基板（ウエハ）１７のステージにより構成される。
転写マスク１３には、感光基板１７上に形成するパター
ンの拡大パターンが形成されている。
して、電子線の照射光学系（電子銃、該電子銃からの電
子線を転写マスクに照射する照明光学系）１１と、転写
マスク１３のステージ、電子線の投影結像光学系１５、
感光基板（ウエハ）１７のステージにより構成される。
転写マスク１３には、感光基板１７上に形成するパター
ンの拡大パターンが形成されている。
【００２４】電子線の照明光学系１１は、電子線１２を
転写マスク１３上の所望の微小領域に、照射する。転写
マスク１３を通過した電子線１４は、電子線の投影結像
光学系１５により感光基板１７上に照射される。そし
て、この際、転写マスク１３の回路パターンの縮小像が
基板１７上に形成される。
転写マスク１３上の所望の微小領域に、照射する。転写
マスク１３を通過した電子線１４は、電子線の投影結像
光学系１５により感光基板１７上に照射される。そし
て、この際、転写マスク１３の回路パターンの縮小像が
基板１７上に形成される。
【００２５】露光の際には、電子線を走査することによ
り、或いはさらに必要であれば、転写マスク１３及び基
板１７を同期して走査することにより、転写マスク１３
上の所望領域を露光して基板１７上に結像させることが
できる。図４は、半導体チップの製造工程を示す概略工
程図である。まず、シリコンウエハを用意し、シリコン
ウエハ上にシリコン酸化膜を形成する（成膜工程）。
り、或いはさらに必要であれば、転写マスク１３及び基
板１７を同期して走査することにより、転写マスク１３
上の所望領域を露光して基板１７上に結像させることが
できる。図４は、半導体チップの製造工程を示す概略工
程図である。まず、シリコンウエハを用意し、シリコン
ウエハ上にシリコン酸化膜を形成する（成膜工程）。
【００２６】シリコン酸化膜の形成方法としては、直接
シリコンウエハを酸化する熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッ
タ法等の周知技術が用いられる。なお、成膜工程で成膜
する薄膜は後述するそれぞれ基本パターンによって異な
り、アルミニウム等の導電膜、シリコン酸化膜等の絶縁
膜、タングステン等の高融点金属膜等である。
シリコンウエハを酸化する熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッ
タ法等の周知技術が用いられる。なお、成膜工程で成膜
する薄膜は後述するそれぞれ基本パターンによって異な
り、アルミニウム等の導電膜、シリコン酸化膜等の絶縁
膜、タングステン等の高融点金属膜等である。
【００２７】次に、シリコン酸化膜が形成されたシリコ
ンウエハ上にレジストを塗布し（感光基板）、前述した
ような分割露光転写方式の電子線投影露光装置（参照図
３）のウエハステージ（不図示）に設置するとともに、
本発明にかかる電子線露光用転写マスクをマスクステー
ジ（不図示）に設置する。照明電子光学系から射出した
電子線は転写マスクに入射し、転写マスクに形成された
開口パターンを透過した電子線は投影結像光学系を介し
て、感光基板上転写にマスクに形成されたパターンの像
を結像する（リソグラフィー工程）。
ンウエハ上にレジストを塗布し（感光基板）、前述した
ような分割露光転写方式の電子線投影露光装置（参照図
３）のウエハステージ（不図示）に設置するとともに、
本発明にかかる電子線露光用転写マスクをマスクステー
ジ（不図示）に設置する。照明電子光学系から射出した
電子線は転写マスクに入射し、転写マスクに形成された
開口パターンを透過した電子線は投影結像光学系を介し
て、感光基板上転写にマスクに形成されたパターンの像
を結像する（リソグラフィー工程）。
【００２８】次に、所定のパターンが転写されたレジス
トを現像し、エッチング用マスクを形成する。エッチン
グ用マスクに形成された開口に合わせてシリコン酸化膜
をエッチングした後、エッチング用マスクを除去する
（エッチング工程）。また、シリコンウエハ中に不純物
層を形成する場合があり、まず前述したリソグラフィー
工程で不純物を導入する部分を開口したレジストパター
ンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてイオ
ン注入法によって下地に不純物（例えばＢ、Ｐ、Ａｓ）
を導入する（ドーピング工程）。
トを現像し、エッチング用マスクを形成する。エッチン
グ用マスクに形成された開口に合わせてシリコン酸化膜
をエッチングした後、エッチング用マスクを除去する
（エッチング工程）。また、シリコンウエハ中に不純物
層を形成する場合があり、まず前述したリソグラフィー
工程で不純物を導入する部分を開口したレジストパター
ンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてイオ
ン注入法によって下地に不純物（例えばＢ、Ｐ、Ａｓ）
を導入する（ドーピング工程）。
【００２９】このような方法（成膜工程、リソグラフィ
ー工程、エッチング工程、ドーピング工程）を繰り返し
て、各基本パターン（例えば、MOSトランジスタの場
合、素子分離領域（活性領域）を規定するパターン、ゲ
ート電極のパターン、ソース／ドレイン領域を規定する
パターン、素子間の電気的接続を行う配線の接続口（コ
ンタクトホール）を形成するためのパターン、素子間の
電気的接続のための配線パターン等）をウエハ上に順次
積み重ねて半導体素子、集積回路を製造する。
ー工程、エッチング工程、ドーピング工程）を繰り返し
て、各基本パターン（例えば、MOSトランジスタの場
合、素子分離領域（活性領域）を規定するパターン、ゲ
ート電極のパターン、ソース／ドレイン領域を規定する
パターン、素子間の電気的接続を行う配線の接続口（コ
ンタクトホール）を形成するためのパターン、素子間の
電気的接続のための配線パターン等）をウエハ上に順次
積み重ねて半導体素子、集積回路を製造する。
【００３０】シリコンウエハ上の素子を電気的に接続す
る配線を形成する（メタライズ工程）。シリコンウエハ
を個々のチップ（ダイス）に分割することを目的として
ダイシングライン（チップとチップの間の隙間）に切り
込みをいれる（ダイシング工程）。
る配線を形成する（メタライズ工程）。シリコンウエハ
を個々のチップ（ダイス）に分割することを目的として
ダイシングライン（チップとチップの間の隙間）に切り
込みをいれる（ダイシング工程）。
【００３１】最後に、半導体チップをパッケージに封入
する（アセンブリ工程）。
する（アセンブリ工程）。
【００３２】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかる転写
マスクのパターン形状の検査方法によれば、電子線用転
写マスクの製作工程に沿って、フォトマスク、電子線転
写マスクの検査しているので、短時間に比較的精度良く
検査を行うことができる。本発明にかかる検査方法によ
って精度良いパターンが形成された電子線用転写マスク
を用いて半導体チップを製造することができるので、製
造される半導体チップの歩留まりを向上することができ
る。
マスクのパターン形状の検査方法によれば、電子線用転
写マスクの製作工程に沿って、フォトマスク、電子線転
写マスクの検査しているので、短時間に比較的精度良く
検査を行うことができる。本発明にかかる検査方法によ
って精度良いパターンが形成された電子線用転写マスク
を用いて半導体チップを製造することができるので、製
造される半導体チップの歩留まりを向上することができ
る。
【図１】本発明にかかる電子線転写用マスクの検査工程
を示す図である。
を示す図である。
【図２】光学式投影露光装置を用いて、電子線用転写マ
スクを製造する様子を示した概略図である。
スクを製造する様子を示した概略図である。
【図３】分割転写方式の電子線投影露光装置の概略構成
図である。
図である。
【図４】半導体チップの製造工程を示す概略工程図であ
る。
る。
１・・・光源 ２・・・照明光学系 ３・・・フォトマスク ４・・・縮小投影露光光学系 ５・・・ステージ ６・・・電子線用転写マスク １１・・・照射光学系（電子銃、該電子銃からの電子線
を転写マスクに照射する照明光学系） １３・・・転写マスク １５・・・投影結像光学系 １７・・・感光基板（ウエハ） １２、１４、１６・・・電子線
を転写マスクに照射する照明光学系） １３・・・転写マスク １５・・・投影結像光学系 １７・・・感光基板（ウエハ） １２、１４、１６・・・電子線
Claims (3)
- 【請求項１】フォトマスクに形成されたパターンを縮小
投影することにより形成された電子線露光用転写マスク
のパターンを、前記フォトマスクのパターンとの比較照
合により良否を判断することを特徴とする電子線用転写
マスクのパターン形状検査方法。 - 【請求項２】前記フォトマスクに形成されたパターン
を、回路設計データとの比較照合により良否を判断する
ことを特徴とする請求項１記載の電子線用転写マスクの
パターン形状検査方法。 - 【請求項３】照射電子光学系により形成される電子線を
走査することにより、請求項１又は請求項２記載のうち
のいずれか１項の電子線用転写マスクのパターン形状検
査方法により検査された電子線用転写マスクに照射し、
該マスクを透過した電子線を投影結像光学系を介して感
光基板上に前記マスクに形成されたパターン像を形成す
るリソグラフィー工程を含むこと、を特徴とする所定の
回路パターンを有する半導体チップを製造する方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26731199A JP2001092111A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法 |
| US09/666,730 US6485870B1 (en) | 1999-09-21 | 2000-09-20 | Charged-particle-beam microlithography masks and methods for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26731199A JP2001092111A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001092111A true JP2001092111A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17443070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26731199A Pending JP2001092111A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6485870B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001092111A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007225688A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Canon Inc | ３次元フォトニック結晶の形成方法 |
| JP2009092954A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Toshiba Corp | パターン評価方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002122978A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Sony Corp | マスクデータの検証方法および検証プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| US7344955B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-03-18 | International Business Machines Corporation | Cut-and-paste imprint lithographic mold and method therefor |
| CN104317159A (zh) * | 2010-03-03 | 2015-01-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜图形缺陷的检测方法及*** |
| CN102193302A (zh) * | 2010-03-03 | 2011-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜图形缺陷的检测方法及*** |
| CN102566291B (zh) * | 2010-12-29 | 2015-04-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 投影掩膜版的测试*** |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756234A (en) * | 1996-06-14 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | High accuracy fabrication of X-ray masks with optical and E-beam lithography |
| US5795688A (en) * | 1996-08-14 | 1998-08-18 | Micron Technology, Inc. | Process for detecting defects in photomasks through aerial image comparisons |
-
1999
- 1999-09-21 JP JP26731199A patent/JP2001092111A/ja active Pending
-
2000
- 2000-09-20 US US09/666,730 patent/US6485870B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7727410B2 (en) | 2006-02-21 | 2010-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for formation of three-dimensional photonic crystal |
| JP4564929B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | ３次元フォトニック結晶の形成方法 |
| JP2009092954A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Toshiba Corp | パターン評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6485870B1 (en) | 2002-11-26 |
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