JP2001091773A - 光回路モジュール - Google Patents
光回路モジュールInfo
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Abstract
光導波路の形成を容易にするとともに、クロストークを
防止する。 【解決手段】 透明絶縁基板1の一方の表面に少なくと
も一対の面型受発光デバイス2,3を受発光面が透明絶
縁基板1に相対するように実装するとともに、少なくと
も一対の面型受発光デバイス2,3間を透明絶縁基板1
の他方の表面に設けた光導波路4を介して光接続する。
Description
関するものであり、特に、情報通信機器等に用いる信号
の授受を光によって行うための発光素子及び受光素子を
搭載した光回路モジュールに関するものである。
や光交換機をはじめとする光システムにおいて、半導体
集積回路装置やマルチチップモジュール等の半導体デバ
イス間を光導波路で結合し、信号伝達を半導体集積回路
装置やマルチチップモジュールに組み込んだ発光デバイ
ス及び受光デバイスによって行うことが提案されてい
る。
て、電子デバイスと光デバイスとを、光導波路及び電気
配線層を積層させた基板の両面に搭載すること(必要な
らば、特開平6−69490号公報参照)、或いは、基
板の両面に設けた光導波路を端面に設けた45度傾斜ミ
ラーによって光結合すること(必要ならば、特開平5−
273419号公報参照)等が提案されている。
ジュールの一例を説明する。図7参照図7は、従来の光
回路モジュールの概念的構成図であり、電気配線用ビア
42を埋設した透明ガラス基板41上に、ボンディング
パッド45を介して発光デバイス46及び受光デバイス
47をマウントするとともに、発光デバイス46及び受
光デバイス47の間を光結合する光導波路43を設けた
ものである。
導体集積回路装置(図示せず)からの出力信号を発光デ
バイス46において光信号に変換し、これを信号光48
として光導波路43に導入し、端面ミラー44によって
反射させて光導波路43内を導波させるとともに、他端
の端面ミラー44によって再び反射させて受光デバイス
47に入射させ、受光デバイスにおいて再び電気信号に
変換して他の半導体集積回路装置(図示せず)に入力す
ることによって信号の授受を行う。
モジュールにおいては、図7に示したように、光導波路
43の端面に形成した45°傾斜の端面ミラー44によ
って光結合を行うのが通常であるが、屈折率の制約から
端面ミラー44を透明ガラス基板41に対して逆テーパ
状に形成する必要があり、加工が極めて難しいという問
題がある。
1の層厚方向に光を導波させる際に、自由導波によって
実現することが多く、その場合には、z軸方向において
クロストークが大きく、高密度実装の妨げになってい
る。
一面内で直交してもクロストークは発生しにくいと言わ
れているが、光導波路断面の大きなマルチモード導波路
ではかなりのクロストークが発生するという問題があ
る。
光導波路の形成を容易にするとともに、クロストークを
防止することを目的とする。
成の説明図であり、この図1を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図1は、
光回路モジュールの概念的要部断面図である。 図1参照 (1)本発明は、光回路モジュールにおいて、透明絶縁
基板1の一方の表面に少なくとも一対の面型受発光デバ
イス2,3を受発光面が透明絶縁基板1に相対するよう
に実装するとともに、少なくとも一対の面型受発光デバ
イス2,3間を透明絶縁基板1の他方の表面に設けた光
導波路4を介して光接続することを特徴とする。
受発光デバイス2,3と面型受発光デバイス2,3間の
光結合を行う光導波路4とを透明絶縁基板1の互いに反
対側の面に設けることによって、光導波路4の形成を容
易にすることができる。特に、光導波路4の端面に45
°傾斜ミラー5を設ける際に、透明絶縁基板1に対し順
テーパ状とすることができるので形成が容易になる。
において、透明絶縁基板1の両方の表面に少なくとも一
対ずつの面型受発光デバイス2,3を受発光面が透明絶
縁基板1に相対するように実装するとともに、一方の表
面に実装した少なくとも一対の面型受発光デバイス2,
3間を透明絶縁基板1の他方の表面に設けた光導波路4
を介して光接続し、また、他方の表面に実装した少なく
とも一対の面型受発光デバイス2,3間を透明絶縁基板
1の一方の表面に設けた光導波路4を介して光接続する
ことを特徴とする。
とも一対ずつの面型受発光デバイス2,3を実装し、互
いに反対側の表面に設けた光導波路4を用いて光結合す
ることによって、多層光配線構造とすることができるの
で、同一面内での光の交差がなくなり、マルチモード片
面実装で懸念されるクロストークを減少することができ
る。
(2)において、透明絶縁基板1の層厚方向に延在する
ように電気配線用金属ビア6を埋設するとともに、光導
波路4の端面に透明絶縁基板1に対し順テーパ形状の4
5°傾斜ミラー5を設けたことを特徴とする。
在するように電気配線用金属ビア6を埋設することによ
って、透明絶縁基板1内を導波する光のクロストークを
電気配線用金属ビア6における反射・吸収によって低減
することができ、それによって、高密度の基板内光配線
が可能になる。また、光導波路4の端面に透明絶縁基板
1に対し順テーパ形状の45°傾斜ミラー5を設けるこ
とによって信号光7を直角方向に偏向することができる
ので、簡単な構成により少なくとも一対ずつの面型受発
光デバイス2,3を光導波路4によって光接続すること
ができる。
て、本発明の第1の実施の形態を説明するが、まず、図
2を参照して本発明の第1の実施の形態の光回路モジュ
ールの概念的構成を説明する。 図2参照 図2は本発明の第1の実施の形態の光回路モジュールの
概念的構成図であり、例えば、直径が0.2mmのW
(タングステン)細線からなる電気配線用ビア12を所
定のピッチ、例えば、1mmで埋設した透明ガラス基板
11の一方の表面上に、スパッタリング法によってT
i,Cu,Ni,Auを順次堆積させたのちパターニン
グすることによって所定のデバイス用の電極配線を形成
する。なお、電極配線と電気配線用ビア12が接続する
部分には、ボンディングパッド15を設けている。
に、屈折率が1.51のフッ素化ポリイミド膜からなる
下部クラッド層、屈折率が1.53のフッ素化ポリイミ
ド膜からなるコア層、及び、屈折率が1.51のフッ素
化ポリイミド膜からなる上部クラッド層からなる光導波
路13を設け、光導波路13の両端面を45°傾斜した
順テーパ状の端面ミラー14とする。
ス16及び受光デバイス17を互いに対をなすように、
且つ、発光面及び受光面が透明絶縁基板に相対するよう
にマウントする。なお、この場合の発光デバイス16と
は、他の位置にマウントした半導体集積回路装置(図示
せず)からの電気出力信号を信号光18に変換する単体
の発光素子でも良いし、或いは、半導体集積回路装置と
一体になった半導体光集積回路装置であっても良く、発
光素子は半導体レーザでも良いし、或いは、発光ダイオ
ード(LED)であっても良い。また、受光デバイス1
7とは、受光した信号光18を電気信号に変換し、他の
位置にマウントした半導体集積回路装置(図示せず)へ
入力する単体の受光素子でも良いし、或いは、半導体集
積回路装置と一体になった半導体光集積回路装置であっ
ても良い。
ー14を有する光導波路13の製造工程を説明する。な
お、図3(a)乃至図4(d)は、信号光の導波方向に
沿った概略的な要部断面図であり、また、図4(e)
は、図4(d)に対応する平面図である。 図3(a)参照 まず、W細線からなる電気配線用ビア12を埋設すると
ともに、一方の表面に所定の電極配線19を形成した透
明ガラス基板11の他方の表面上に、屈折率が1.51
のフッ素化ポリイミド膜を厚さ10μm塗布して下部ク
ラッド層20としたのち、引き続いて、屈折率が1.5
3のフッ素化ポリイミド膜を厚さ40μm塗布してコア
層20とする。
によって、コア層21を幅40μmにして断面形状が4
0μm角になるようにパターニングしたのち、全面に屈
折率が1.51のフッ素化ポリイミド膜を厚さ10μm
塗布して上部クラッド層22とする。
三角形に整形したレーザ光23を正方形パターンの両端
面に照射して定速スキャンニングする。
上部クラッド層22及びコア層20をエッチングして、
45°傾斜した順テーパ状の端面ミラー14を形成す
る。即ち、レーザ光23のビームの断面形状が三角形で
あるので、三角形の頂点に相当する部分の光エネルギー
は小さいのでエッチングレートは最低になり、一方、三
角形の底辺に相当する部分の光エネルギーは大きいので
エッチングレートは最大になる。したがって、光エネル
ギーが照射位置によってリニアーに変化するので、45
°傾斜した順テーパ状の端面ミラー14が形成されるこ
とになる。なお、下部クラッド層20の一部もエッチン
グされてもかまわないものである。
において、発光デバイス16から出力された、例えば、
波長が850nmのレーザ光からなる信号光18は、透
明ガラス基板11の厚さ方向に放出され、透明ガラス基
板11を介して光導波路13へ入射され、端面ミラー1
4で反射されて光導波路13内を導波し、他方の端面ミ
ラー14において再び反射されることによって、透明ガ
ラス基板11を介して受光デバイス15へ入射されるこ
とになる。
測定したところ、透明ガラス基板11で1dB/1回、
端面ミラー14で1dB/1回、光導波路13内で1d
B/5cmの挿入損失となり、電気配線用ビア12を跨
いで1mmピッチで隣接する光導波路13でのクロスト
ークは−40dB以下となり、電気配線用ビア12を設
けなかった場合の−20dBと比較して大幅な改善が見
られた。
で電気配線用ビア12を埋設しているので、透明ガラス
基板11内を厚さ方向に自由導波する信号光18の内、
散乱・拡散する成分は、電気配線用ビア12によって反
射・吸収されてクロストークが低減することになる。
は、光導波路13を透明ガラス基板11の発光デバイス
16等を実装する側と反対側の表面に設けているので、
端面ミラー14を順テーパ状に形成することができ、三
角形に整形したレーザ光23を定速スキャンニングする
だけであるので製造工程が非常に簡単になる。
施の形態の光回路モジュールにおける光導波路の製造工
程を説明する。なお、各図は、信号光の導波方向に沿っ
た概略的な要部断面図である。 図5(a)参照 まず、W細線からなる電気配線用ビア12を埋設すると
ともに、一方の表面に所定の電極配線19を形成した透
明ガラス基板11の他方の表面上に、屈折率が1.51
のフッ素化ポリイミド膜を厚さ10μm塗布して下部ク
ラッド層20としたのち、引き続いて、屈折率が1.5
3のフッ素化ポリイミド膜を厚さ40μm塗布してコア
層20とする。
によって、コア層21及び下部クラッド層20を幅40
μmにパターニングしたのち、全面に屈折率が1.51
のフッ素化ポリイミド膜を厚さ10μm塗布して上部ク
ラッド層22とし、次いで、エキシマレーザを用いて、
ビームの断面形状を三角形に整形したレーザ光23を正
方形パターンの両端面に照射して定速スキャンニングす
る。
上部クラッド層22乃至下部クラッド層20をエッチン
グして、45°傾斜した順テーパ状の端面ミラー14が
形成されることになる。なお、下部クラッド層20は必
ずしもエッチングする必要はない。
ニング工程において下部クラッド層20まで除去してい
るので、パターニング工程の終了点を制御に精度を要す
ることがないので製造工程が簡素化されるが、レーザ光
23を照射して端面ミラー14を形成することにおい
て、透明ガラス基板11の表面がダメージを受ける危険
がある。なお、その他の光学特性等は、上記の第1の実
施の形態と同様である。
本発明の第3の実施の形態の光回路モジュールを説明す
る。 図6参照 図6は、本発明の第3の実施の形態の光回路モジュール
の概念的構成図であり、両面に電極配線を形成するとと
もに、両面に互いの光導波方向が略直交する様に光導波
路を形成し、透明ガラス基板の両面にそれぞれ少なくと
も一対ずつ(図においては、一対ずつ)の発光デバイス
及び受光デバイスを設けたものであり、その製造工程は
上記の第1又は第2の実施の形態と基本的に同様であ
る。
同様に、W細線からなる電気配線用ビア(図示せず)を
埋設するとともに、一方の表面に所定の電極配線(図示
せず)を形成した透明ガラス基板からなる両面実装基板
31の基板表面32に表面光導波路34を設けるととも
に、基板裏面33に表面光導波路34と略直交するよう
に裏面光導波路35を形成する。
の両方の端面ミラー(図示せず)に対向する位置に表面
実装発光デバイス36と表面実装受光デバイス37とが
対になるようにマウントするとともに、基板裏面33の
表面光導波路34の両方の端面ミラー(図示せず)に対
向する位置に裏面実装発光デバイス38と裏面実装受光
デバイス39とが対になるようにマウントしたものであ
る。
は、両面実装基板31の厚さ方向をz軸方向とした場
合、x軸方向光配線とy軸方向光配線とを、両面実装基
板31の互いに反対側の表面に設けているので、x軸方
向光配線とy軸方向光配線との間でクロストークが発生
することが全くなくなる。その他の光学特性は上記の第
1又は第2の実施の形態と同様である。
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、光導波路の形成工程は、上記の第1及び第2の実施
の形態に記載した方法に限られるものではなく、例え
ば、下部クラッド層乃至上部クラッド層を形成したの
ち、下部クラッド層までパターニングし、次いで、三角
形状のレーザ光を照射して端面ミラーを形成しても良い
ものであり、塗布工程が連続した一度の工程になるの
で、製造工程を簡素化することができる。但し、コア層
の側面が上部クラッド層に覆われないことになる。
導波路をフッ素化ポリイミド膜で構成しているが、他の
樹脂膜によって形成しても良いものであり、さらには、
シリカ系等の無機材料を用いた光導波路でも良い。但
し、シリカ系等の無機材料を用いる場合には、レーザ光
による加工が困難であるので、Arイオン等を45°斜
め方向から照射することによって端面ミラーを形成する
ことになり、その際の透明ガラス基板のダメージを防止
するために、光導波路の周囲を所定パターンのレジスト
で覆う必要がある。
装基板として、研磨により平坦な表面が得られる透明ガ
ラス基板を用いているが、必ずしも、ガラス基板である
必要はなく、透明絶縁性樹脂基板を用いても良いもので
ある。
一表面に形成する光導波路を同じ方向に整列させて形成
しているが、必ずしも同じ方向である必要はなく、同一
表面においてクロスオーバーが生じなければ、製造工程
においてもクロストーク特性においても問題はない。
装基板に埋設する電気配線用金属ビアとしてW細線を用
いているが、必ずしもW細線に限られるものではなく、
Cu(銅)細線やPt(プラチナ)細線等の他の良導電
体からなる細線を用いても良いものである。
接続する光導波路を透明実装基板の受発光デバイスを実
装した面と反対の表面に設けているので、光導波路に設
ける端面ミラーを簡単な工程により形成することが可能
になり、また、透明実装基板に光を反射・吸収する電気
配線用金属ビアを所定ピッチで埋設しているので、透明
実装基板内での自由導波に伴うクロストークを大幅に低
減することができ、それによって、光回路モジュールの
実用化、高性能化に寄与するところが大きい。
の概念的構成図である。
における光導波路の途中までの製造工程の説明図であ
る。
における光導波路の図3以降の製造工程の説明図であ
る。
における光導波路の製造工程の説明図である。
の概念的構成図である。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 透明絶縁基板の一方の表面に少なくとも
一対の面型受発光デバイスを受発光面が前記透明絶縁基
板に相対するように実装するとともに、前記少なくとも
一対の面型受発光デバイス間を前記透明絶縁基板の他方
の表面に設けた光導波路を介して光接続することを特徴
とする光回路モジュール。 - 【請求項2】 透明絶縁基板の両方の表面に少なくとも
一対ずつの面型受発光デバイスを受発光面が前記透明絶
縁基板に相対するように実装するとともに、一方の表面
に実装した前記少なくとも一対の面型受発光デバイス間
を前記透明絶縁基板の他方の表面に設けた光導波路を介
して光接続し、また、他方の表面に実装した前記少なく
とも一対の面型受発光デバイス間を前記透明絶縁基板の
一方の表面に設けた光導波路を介して光接続することを
特徴とする光回路モジュール。 - 【請求項3】 上記透明絶縁基板の層厚方向に延在する
ように電気配線用金属ビアを埋設するとともに、上記光
導波路の端面に前記透明絶縁基板に対し順テーパ形状の
45°傾斜ミラーを設けたことを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の光回路モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26994799A JP4211018B2 (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 光回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26994799A JP4211018B2 (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 光回路モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001091773A true JP2001091773A (ja) | 2001-04-06 |
JP4211018B2 JP4211018B2 (ja) | 2009-01-21 |
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ID=17479434
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26994799A Expired - Fee Related JP4211018B2 (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 光回路モジュール |
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---|---|
JP (1) | JP4211018B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006323316A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路構造体 |
JP2006323320A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路構造体 |
JP2006330119A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路構造体 |
-
1999
- 1999-09-24 JP JP26994799A patent/JP4211018B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006323316A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路構造体 |
JP2006323320A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路構造体 |
JP2006330119A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路構造体 |
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