JP2001089853A - Method for depositing film and vacuum film deposition device - Google Patents
Method for depositing film and vacuum film deposition deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス基板やプ
ラスチック等の表面に、真空成膜により被膜を形成する
ための被膜の形成方法及び真空成膜装置を提供すること
を目的とする。BACKGROUND OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a film forming method and a vacuum film forming apparatus for forming a film on a surface of a glass substrate or plastic by vacuum film formation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空蒸着やイオンプレーティング等の真
空成膜によって被膜を形成するにあたり、形成される被
膜が所望の物理的特性を満たすものとするべく、成膜速
度や反応ガスの流量、基板の温度等の成膜条件が制御さ
れる。2. Description of the Related Art In forming a film by vacuum film formation such as vacuum deposition or ion plating, the film formation speed, the flow rate of a reaction gas, The film forming conditions such as the temperature are controlled.
【０００３】ここで、前記被膜の特性に影響する重要な
物理的特性として被膜の比抵抗がある。この比抵抗は、
特に液晶等のディスプレイに用いられる被膜において、
重要な特性とされる。Here, an important physical property affecting the properties of the coating is the resistivity of the coating. This specific resistance is
Especially for coatings used for displays such as liquid crystals,
It is considered an important characteristic.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、被膜
の比抵抗をより小さくすることが要請されるところであ
り、液晶等のディスプレイに用いられる被膜において
は、特に比抵抗を小さくすること、及び高精度で目標の
比抵抗の被膜とすることが求められる。In recent years, however, it has been demanded that the specific resistance of the coating be further reduced. In the case of coatings used for displays such as liquid crystals, in particular, it is necessary to reduce the specific resistance and to increase the specific resistance. It is required that a film having a target specific resistance be formed with high accuracy.
【０００５】しかし、被膜を形成するにあたり、所定の
成膜条件を目標として設定しこれを維持するように制御
したとしても、被膜が形成される状態は、逐次にばらつ
きを生じて安定しない。従って、成膜の過程における各
時点で被膜の物性にばらつきを生ずることになり、高精
度で目標の比抵抗の被膜を形成することはできず、ま
た、比抵抗の小さい被膜を形成することにも限界があっ
た。[0005] However, in forming a film, even if a predetermined film forming condition is set as a target and controlled so as to be maintained, a state in which the film is formed varies one after another and is not stable. Therefore, the physical properties of the film vary at each point in the film formation process, and it is not possible to form a film having the target specific resistance with high accuracy, and to form a film having a small specific resistance. Even had limitations.
【０００６】そこで、本発明は、高精度で目標とする比
抵抗の被膜を形成することができ、比抵抗の小さい被膜
を得ることができる被膜の形成方法、及び該被膜を形成
することができる真空成膜装置を提供することを目的と
する。Accordingly, the present invention is capable of forming a film having a target specific resistance with high accuracy and a method of forming a film capable of obtaining a film having a small specific resistance, and forming the film. It is an object to provide a vacuum film forming apparatus.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、原料物質を真空成膜により順次に堆積す
ることによる被膜の形成を、該被膜を形成する過程にお
いて、堆積された被膜の比抵抗を求め、求められた比抵
抗に基づいて、目標とする比抵抗の被膜となるように成
膜条件を制御して行う（請求項１）。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a method of forming a film by sequentially depositing raw materials by vacuum film formation. Is determined, and the film forming conditions are controlled based on the determined specific resistance so as to form a film having a target specific resistance (claim 1).
【０００８】この発明によると、被膜を形成する過程に
おいて、堆積された被膜の比抵抗自体を直接に求め、求
められた比抵抗に基づいて成膜条件を制御するので、高
精度で目標の比抵抗の被膜を得ることができ、また、比
抵抗の小さい被膜を得ることもできる。According to the present invention, in the process of forming a film, the specific resistance itself of the deposited film is directly obtained, and the film forming conditions are controlled based on the obtained specific resistance. A resistive film can be obtained, and a film having a low specific resistance can be obtained.
【０００９】また、上記被膜の形成方法において、前記
堆積された被膜の抵抗値及び膜厚を、一の時間及び他の
時間において検出し、一の時間における被膜の抵抗値及
び膜厚と、他の時間における被膜の抵抗値及び膜厚とに
基づく演算により、一の時間と他の時間との間に堆積さ
れた被膜の比抵抗を求めることもできる（請求項２）。
これにより、一の時間と他の時間との間の時間ごとに被
膜の比抵抗を求めることができるので、各時間ごとの被
膜の状態に緻密に対応させて、より精密に成膜条件を制
御できる。In the above-mentioned method for forming a film, the resistance value and the film thickness of the deposited film are detected at one time and another time, and the resistance value and the film thickness of the film at one time are determined. By the calculation based on the resistance value and the film thickness of the film at the time, the specific resistance of the film deposited between one time and another time can be obtained (claim 2).
As a result, the specific resistance of the coating can be obtained at each time between one time and another time, so that the film forming conditions can be controlled more precisely in correspondence with the state of the coating at each time. it can.
【００１０】そして、前記一の時間と他の時間との間の
時間間隔を６０秒以下とし、該時間間隔ごとに比抵抗を
求めることができる（請求項３）。これにより、被膜の
比抵抗の目標値からのずれを速やかに検出し、該検出に
基づく成膜条件の速やかな制御により、より高精度に目
標の被膜を得ることができる。The time interval between the one time and the other time is set to 60 seconds or less, and the specific resistance can be obtained for each time interval. As a result, the deviation of the specific resistance of the coating from the target value is quickly detected, and the target coating can be obtained with higher accuracy by promptly controlling the film forming conditions based on the detection.
【００１１】また、前記被膜の形成を、被膜が堆積され
る基板を加熱して行うこともできる（請求項４）。これ
により、比抵抗のより小さい被膜に形成することを可能
にできる。Further, the film can be formed by heating a substrate on which the film is to be deposited. This makes it possible to form a film having a lower specific resistance.
【００１２】そして、前記制御される成膜条件に、成膜
速度、反応ガスの流量の少なくとも一つを含めることが
できる（請求項５）。[0012] The controlled film forming conditions may include at least one of a film forming speed and a flow rate of a reaction gas.
【００１３】また、前記被膜の形成をプラズマを形成し
てするものとし、前記制御される成膜条件に、前記プラ
ズマを形成するためのプラズマ出力を含めることもでき
る（請求項６）。Further, the film may be formed by forming a plasma, and the controlled film forming condition may include a plasma output for forming the plasma.
【００１４】また、原料物質を真空成膜により順次に堆
積することにより被膜を形成する真空成膜装置を、堆積
された被膜の膜厚を検出できる膜厚検出手段と、堆積さ
れた被膜の抵抗値を検出できる抵抗検出手段と、成膜条
件を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、一の
時間において前記膜厚検出手段により検出された被膜の
膜厚及び前記抵抗検出手段により検出された被膜の抵抗
値と、他の時間において前記膜厚検出手段により検出さ
れた被膜の膜厚及び前記抵抗検出手段により検出された
被膜の抵抗値とに基づいて、一の時間と他の時間との間
に堆積された被膜の比抵抗を求める演算手段を有し、前
記演算手段により求められた被膜の比抵抗に基づいて成
膜条件を制御することによって、目標とする比抵抗の被
膜を形成するように構成することができる（請求項
７）。Further, a vacuum film forming apparatus for forming a film by sequentially depositing raw materials by vacuum film forming is provided with a film thickness detecting means capable of detecting the film thickness of the deposited film, and a resistance of the deposited film. A resistance detecting means capable of detecting a value, and a control device for controlling film forming conditions, wherein the control device detects the film thickness of the film detected by the film thickness detecting means in one time and detects the film thickness by the resistance detecting means. One time and another time based on the measured resistance value of the film, the film thickness of the film detected by the film thickness detecting means at another time, and the resistance value of the film detected by the resistance detecting means at another time. And calculating means for calculating the specific resistance of the film deposited between the two, and controlling the film forming conditions based on the specific resistance of the film obtained by the calculating means, the target specific resistance film can be obtained. To form It can be constructed (claim 7).
【００１５】そして、かかる真空成膜装置について、前
記一の時間と他の時間との間の時間間隔を６０秒以下と
し、該時間間隔ごとに比抵抗を求めるように構成するこ
とができる（請求項８）。In this vacuum film forming apparatus, the time interval between the one time and the other time may be set to 60 seconds or less, and the specific resistance may be obtained at each time interval. Item 8).
【００１６】また、前記真空成膜装置において、制御さ
れる成膜条件として、成膜速度、反応ガスの流量の少な
くとも一つを含めることができる（請求項９）。In the vacuum film forming apparatus, at least one of a film forming rate and a flow rate of a reaction gas can be included as controlled film forming conditions.
【００１７】また、前記真空成膜装置を、プラズマを形
成することにより被膜を形成するものとし、前記制御さ
れる成膜条件に前記プラズマを形成するためのプラズマ
出力を含め、前記抵抗検出手段が、前記堆積された被膜
の抵抗値を検出するための抵抗検出体と、該抵抗検出体
を囲う導電性の材質からなるファラデーカップとを備え
るように構成することができる（請求項１０）。The vacuum film forming apparatus forms a film by forming a plasma, and the resistance detecting means includes a plasma output for forming the plasma in the controlled film forming conditions. And a resistance detector for detecting a resistance value of the deposited film, and a Faraday cup made of a conductive material surrounding the resistance detector.
【００１８】また、前記抵抗検出体により検出された抵
抗値が、信号として一対の信号線を介して伝送されるよ
うにし、該一対の信号線の少なくとも一方にフィルタを
設けることができる（請求項１１）。これにより、抵抗
検出体より伝送される抵抗値の信号より不要なノイズを
除去することができ、抵抗値の検出の誤差を防止でき
る。The resistance value detected by the resistance detector may be transmitted as a signal via a pair of signal lines, and a filter may be provided on at least one of the pair of signal lines. 11). Thereby, unnecessary noise can be removed from the signal of the resistance value transmitted from the resistance detector, and an error in the detection of the resistance value can be prevented.
【００１９】また、前記一対の信号線の両方にフィルタ
を設けることもできる（請求項１２）。これにより、前
記抵抗検出体より伝送される抵抗値の信号からのノイズ
の除去を確実とすることができ、抵抗値の検出の誤差を
より確実に防止できる。Further, a filter can be provided on both of the pair of signal lines. Accordingly, it is possible to reliably remove noise from the signal of the resistance value transmitted from the resistance detector, and it is possible to more reliably prevent an error in the detection of the resistance value.
【００２０】また、以上のようにして形成された被膜を
表面に有する被膜形成体にあっては、その被膜の比抵抗
を５．０×１０-4Ω・ｃｍ以下とすることができ（請求
項１３）、さらに、被膜の比抵抗を２．０×１０-4Ω・
ｃｍ以下とすることもできる（請求項１４）。また、こ
のような小さな比抵抗の被膜を、酸化インジュウムを含
んで形成することもできる（請求項１５）。Further, in the film-formed body having the film formed as described above on the surface, the specific resistance of the film can be 5.0 × 10 −4 Ω · cm or less. Item 13), and the specific resistance of the film is set to 2.0 × 10 −4 Ω ·
cm or less (claim 14). Further, such a film having a small specific resistance can be formed containing indium oxide.
【００２１】また、かかる被膜形成体を、画像表示用デ
ィスプレイに用いることができる（請求項１６）。そし
て、画像表示用ディスプレイを、液晶ディスプレイ、プ
ラズマディスプレイ、フィールドエミッタアレイのいず
れかとすることができる（請求項１７）。Further, such a film-formed body can be used for an image display. The image display can be any one of a liquid crystal display, a plasma display, and a field emitter array.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
１乃至図５に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００２３】図１は、本発明の実施の形態である真空成
膜装置の模式図である。図２は、真空成膜装置の真空チ
ャンバ１０の周辺を詳しく示す図である。図１、図２に
示される真空成膜装置は、真空成膜の一つであるイオン
プレーティングに基づき被膜を形成できるように構成さ
れており、特に特公平１−４８３４７号公報に開示され
るイオンプレーティングの方式に基づく装置である。即
ち、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスを用いることな
く、真空チャンバ１０内で原料物質をプラズマ化させる
ことにより被膜を形成することができる、いわゆる無ガ
スイオンプレーティングと呼ばれる方式に基づいてい
る。FIG. 1 is a schematic diagram of a vacuum film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the vicinity of the vacuum chamber 10 of the vacuum film forming apparatus in detail. The vacuum film forming apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is configured to form a film based on ion plating, which is one of the vacuum film forming methods, and is disclosed in Japanese Patent Publication No. 1-48347. This is an apparatus based on the ion plating method. That is, it is based on a so-called gas-less ion plating method in which a film can be formed by turning a raw material into plasma in the vacuum chamber 10 without using an inert gas such as Ar (argon). .
【００２４】図１、図２に示される真空成膜装置につい
て、被膜の形成は、真空チャンバ１０内で、前記プラズ
マ化した原料物質を基板１５上に堆積させることにより
行われる。そして、被膜を形成するための各種の成膜条
件は、制御装置５０によって制御される。In the vacuum film forming apparatus shown in FIGS. 1 and 2, the film is formed by depositing the plasma-converted raw material on the substrate 15 in the vacuum chamber 10. Then, various film forming conditions for forming the film are controlled by the control device 50.
【００２５】真空チャンバ１０は、その内部を所要の真
空度とできるように、図示されない真空ポンプ等によっ
て排気されるようにされている。また、酸素ガスや窒素
ガス等の反応ガスを真空チャンバ１０内に導入すること
ができる。チャンバ１０内に導入される反応ガスの流量
（圧力）は、流量制御器９によって調節できるようにさ
れている。The vacuum chamber 10 is evacuated by a vacuum pump or the like (not shown) so that the inside of the vacuum chamber 10 can have a required degree of vacuum. Further, a reaction gas such as an oxygen gas or a nitrogen gas can be introduced into the vacuum chamber 10. The flow rate (pressure) of the reaction gas introduced into the chamber 10 can be adjusted by the flow rate controller 9.
【００２６】真空チャンバ１０内には、被膜の原料物質
を蒸発させるための蒸発源１１が配置されている。この
蒸発源１１として、原料物質８が収納されるボート１２
が配置されており、ボート１２の周囲にはフィラメント
１３が巻回されている。そして、フィラメント１３は加
熱用電源１４に接続されており、ボート１２に収容され
る原料物質８をチャンバ１０内に蒸発させることができ
る。そして、電源１４の出力を高めることにより単位時
間あたりの原料物質の蒸発量を増大させることができ、
これにより、基板１５に被膜を堆積させる成膜速度を高
めることができる。一方、電源１４の出力を低くするこ
とにより原料物質の蒸発量を減少させ、成膜速度を低く
することができる。In the vacuum chamber 10, an evaporation source 11 for evaporating the raw material of the film is arranged. As the evaporation source 11, a boat 12 in which the raw material 8 is stored
Are arranged, and a filament 13 is wound around the boat 12. The filament 13 is connected to a heating power supply 14 and can evaporate the raw material 8 contained in the boat 12 into the chamber 10. By increasing the output of the power supply 14, the amount of evaporation of the raw material per unit time can be increased,
Thereby, the film forming speed for depositing the film on the substrate 15 can be increased. On the other hand, by lowering the output of the power supply 14, the amount of evaporation of the raw material can be reduced, and the film formation rate can be reduced.
【００２７】この蒸発源１１として、電子ビームにより
原料物質を加熱して蒸発させるようにしたものを用いる
こともできる。かかる場合には、電子ビームの出力を増
大させることで、原料物質の蒸発量を増大させることが
でき、その出力を低くすることにより原料物質の蒸発量
を減少させることができる。As the evaporation source 11, a source in which a raw material is heated and evaporated by an electron beam can be used. In such a case, the amount of evaporation of the source material can be increased by increasing the output of the electron beam, and the amount of evaporation of the source material can be reduced by lowering the output.
【００２８】また、真空チャンバ１０内には、基板１５
が取り付けられる基板ホルダ１６が、板状絶縁部材１７
を介して、支持部材１８により支持されている。そし
て、基板ホルダ１６と支持部材１８とは板状絶縁部材１
７を挟み、実質的にコンデンサが形成されている。In the vacuum chamber 10, a substrate 15
The substrate holder 16 to which the plate-like insulating member 17 is attached is
, And is supported by the support member 18. The substrate holder 16 and the support member 18 are connected to the plate-shaped insulating member 1.
7, a capacitor is substantially formed.
【００２９】また、基板ホルダ１６はモータ１９によっ
て回転されるようになっており、基板１５を回転させな
がら被膜を形成できるようにされている。また、基板ホ
ルダ１６には図示されないヒータが内蔵されており、基
板１５を加熱できるようにもなっている。The substrate holder 16 is rotated by a motor 19 so that a film can be formed while rotating the substrate 15. In addition, a heater (not shown) is built in the substrate holder 16 so that the substrate 15 can be heated.
【００３０】そして、基板ホルダ１６は、接触子２０を
介して、高周波電源（ＲＦ）２１及び直流電源（ＤＣ）
２２からの電圧が印加される。接触子２０と高周波電源
２１とは、直流ブロッキング用コンデンサ２３とマッチ
ングボックス（ＭＮ）２４とを介して接続されている。
このマッチングボックス２４は、可変コンデンサ及びチ
ョークコイルからなる周知のものである。The substrate holder 16 is connected to a high frequency power supply (RF) 21 and a direct current power supply (DC) via a contact 20.
The voltage from 22 is applied. The contact 20 and the high frequency power supply 21 are connected via a DC blocking capacitor 23 and a matching box (MN) 24.
The matching box 24 is a well-known one including a variable capacitor and a choke coil.
【００３１】また、接触子２０と直流電源２２とは、基
板ホルダ１６側が負極となるように、高周波ブロッキン
グ用チョークコイル２５を介して接続されている。ま
た、この例では、コンデンサ２９を、その一方の端子を
直流電源２２と高周波ブロッキング用チョークコイル２
５との間に接続し、他方の端子を接地する接続にして設
けている。そして、高周波電源２１及び直流電源２２の
各々の二つの出力端のうち、基板ホルダ１６側に対する
他端側については接地されている。また、この例では、
真空チャンバ１０は、導体により形成され、また、接地
されている。The contact 20 and the DC power supply 22 are connected via a high-frequency blocking choke coil 25 so that the substrate holder 16 side becomes a negative electrode. In this example, the capacitor 29 has one terminal connected to the DC power supply 22 and the high-frequency blocking choke coil 2.
5 and the other terminal is connected to ground. The other end of the two output terminals of the high frequency power supply 21 and the DC power supply 22 with respect to the substrate holder 16 is grounded. Also, in this example,
The vacuum chamber 10 is formed by a conductor and is grounded.
【００３２】そして、高周波電源２１及び直流電源２２
の電圧は、基板ホルダ１６に取り付けられた基板１５の
表面とチャンバ１０との間に印加され、また、同じ電圧
が基板ホルダ１６と支持部材１８との間に印加される。
このようにして、高周波電源２１及び直流電源２２から
の電力が、プラズマを形成するためのプラズマ出力とし
てチャンバ１０内に供給される。The high frequency power supply 21 and the DC power supply 22
Is applied between the surface of the substrate 15 attached to the substrate holder 16 and the chamber 10, and the same voltage is applied between the substrate holder 16 and the support member 18.
In this way, the power from the high frequency power supply 21 and the DC power supply 22 is supplied into the chamber 10 as a plasma output for forming plasma.
【００３３】そして、マッチングボックス２４の可変コ
ンデンサを適当に調節すると、基板ホルダ１６と板状絶
縁部材１７と支持部材１８により構成されるコンデンサ
と、マッチングボックス２４の回路素子との作用によ
り、チャンバ１０内のインピーダンスと高周波電源２１
のインピーダンスとがマッチングし、チャンバ１０内に
安定した高周波電界が形成される。When the variable capacitor of the matching box 24 is properly adjusted, the action of the capacitor constituted by the substrate holder 16, the plate-like insulating member 17 and the supporting member 18 and the circuit element of the matching box 24 causes the chamber 10 to operate. Impedance and high frequency power supply 21
And a stable high-frequency electric field is formed in the chamber 10.
【００３４】また、真空チャンバ１０内には、水晶振動
子モニタ２６が配設されている。この水晶振動子モニタ
２６は、基板１５に堆積した被膜の膜厚を検出する膜厚
検出手段を構成し、水晶振動子モニタ２６に堆積した膜
厚を介して基板１５上の膜厚を検出するようにしてい
る。水晶振動子モニタ２６に堆積した膜厚は、膜厚モニ
タ部２７で検出される。In the vacuum chamber 10, a crystal oscillator monitor 26 is provided. This crystal oscillator monitor 26 constitutes a film thickness detecting means for detecting the film thickness of the film deposited on the substrate 15, and detects the film thickness on the substrate 15 via the film thickness deposited on the crystal oscillator monitor 26. Like that. The film thickness deposited on the crystal oscillator monitor 26 is detected by a film thickness monitor 27.
【００３５】また、真空チャンバ１０内には、抵抗測定
器３１が設置されている。この抵抗測定器３１は、基板
１５に堆積された被膜の抵抗値を検出するための抵抗検
出手段を構成する。この抵抗測定器３１について、図３
に基づき詳しく説明する。In the vacuum chamber 10, a resistance measuring device 31 is provided. This resistance measuring device 31 constitutes a resistance detecting means for detecting the resistance value of the film deposited on the substrate 15. This resistance measuring device 31 is shown in FIG.
It will be described in detail based on
【００３６】図３（ａ）は抵抗測定器３１の内部構造が
示される図である。また、図３（ｂ）は図３（ａ）にお
けるIII−III線矢視図である。FIG. 3A shows the internal structure of the resistance measuring device 31. FIG. 3B is a view taken along line III-III in FIG. 3A.
【００３７】抵抗測定器３１の内部において、抵抗検出
体としての抵抗測定素子３５が、保持具３４により支持
体３３に取り付けられている。この抵抗測定素子３５
は、図３（ｃ）にも示されるようにガラス基板３７の中
心部分を除く両側部にガラス電極３８、３８を設けた構
成とされている。このガラス電極３８を銅（Ｃｕ）や金
（Ａｕ）により形成することができ、ガラス電極３８の
縦と横の比を１：１とするのが望ましい。Inside the resistance measuring device 31, a resistance measuring element 35 as a resistance detector is attached to a support 33 by a holder 34. This resistance measuring element 35
As shown in FIG. 3 (c), glass electrodes 38, 38 are provided on both sides of the glass substrate 37 except for the central portion. The glass electrode 38 can be formed of copper (Cu) or gold (Au), and it is desirable that the length-to-width ratio of the glass electrode 38 be 1: 1.
【００３８】この抵抗測定素子３５の表面には、抵抗測
定器３１内部において被膜が堆積される。この抵抗測定
素子３５に堆積された被膜の抵抗値の検出を介して、基
板１５上に堆積した被膜の抵抗値を検出するようにして
いる。この抵抗測定素子３５による抵抗値の検出は、面
積抵抗値として検出される。On the surface of the resistance measuring element 35, a film is deposited inside the resistance measuring device 31. Through the detection of the resistance value of the film deposited on the resistance measuring element 35, the resistance value of the film deposited on the substrate 15 is detected. The detection of the resistance value by the resistance measuring element 35 is detected as an area resistance value.
【００３９】ガラス基板３７のガラス電極３８、３８
は、図４にも示されるように、各々がクリップ３９によ
り挟まれており、このクリップ３９は、各々に図３
（ａ）に示される一対のリード線３２、３２と接続され
ている。このリード線３２、３２を介して、抵抗測定素
子３５に堆積した被膜の抵抗値が検出される。そして、
かかる抵抗値は、リード線３２、３２より引き出された
一対の信号線３６、３６を介して、検出信号として抵抗
モニタ部４３に伝送される。Glass electrodes 38 on glass substrate 37
As shown also in FIG. 4, each is sandwiched by clips 39, each of which is shown in FIG.
It is connected to a pair of lead wires 32, 32 shown in FIG. The resistance value of the film deposited on the resistance measuring element 35 is detected via the lead wires 32. And
The resistance value is transmitted as a detection signal to the resistance monitor 43 via a pair of signal lines 36, 36 drawn from the lead wires 32, 32.
【００４０】また、抵抗測定器３１は、外側が導電性の
材質からなるファラデーカップ４０により覆われてい
る。これにより、抵抗測定器３１の内部に対する、チャ
ンバ１０内のプラズマより輻射された電磁波によるノイ
ズの影響を軽減し、抵抗値の検出の誤差を防止できるよ
うにされている。The outside of the resistance measuring device 31 is covered with a Faraday cup 40 made of a conductive material. Thus, the effect of noise due to electromagnetic waves radiated from the plasma in the chamber 10 on the inside of the resistance measuring device 31 is reduced, and an error in the detection of the resistance value can be prevented.
【００４１】また、ファラデーカップ４０の下部は、シ
ールド盤４１によって蓋されている。このシールド盤４
１の中心部分には開口４２が形成されており、開口４２
を通して、原料物質が抵抗測定器３１内部の前記抵抗測
定素子３５の表面に導かれるようになっている。The lower part of the Faraday cup 40 is covered by a shield board 41. This shield board 4
An opening 42 is formed at the center of the opening 1.
Through the passage, the raw material is guided to the surface of the resistance measuring element 35 inside the resistance measuring device 31.
【００４２】なお、シールド盤４１の開口径が１０ｍｍ
φ程度とされる場合に、抵抗測定素子３５をシールド盤
４１の位置より１０ｍｍ程度内側の位置に設けることが
できる。The opening diameter of the shield board 41 is 10 mm.
When the diameter is about φ, the resistance measuring element 35 can be provided at a position about 10 mm inside the position of the shield board 41.
【００４３】抵抗測定器３１と抵抗モニタ部４３間の回
路の構成について、図５に基づいて説明する。図５
（ａ）に示されるように、一対の信号線３６、３６のう
ち、少なくとも一方にフィルタ４７を設けるのが望まし
い。これにより、抵抗値の検出信号に重畳するノイズを
カットし、検出誤差を防止できるからである。The configuration of the circuit between the resistance measuring device 31 and the resistance monitor 43 will be described with reference to FIG. FIG.
As shown in (a), it is desirable to provide a filter 47 on at least one of the pair of signal lines 36, 36. This is because noise superimposed on the detection signal of the resistance value can be cut, and a detection error can be prevented.
【００４４】また、図５（ｂ）に示されるように、一対
の信号線３６、３６の双方にフィルタ４７を設けるよう
にしてもよい。これにより、抵抗値の検出信号に重畳す
るノイズをより確実にカットすることができ、より精度
よく検出できるからである。なお、この場合には、ファ
ラデーカップ４０を一定電位とするべく、例えばファラ
デーカップ４０を接地するようにする。また、図５
（ｂ）に示されるように、信号線３６、３６の双方にフ
ィルタ４７、４７を設けると、抵抗測定器３１側を、回
路構成上独立に取り扱うことができ便利である。Further, as shown in FIG. 5B, a filter 47 may be provided on both of the pair of signal lines 36, 36. Thereby, noise superimposed on the detection signal of the resistance value can be more reliably cut, and the detection can be performed more accurately. In this case, for example, the Faraday cup 40 is grounded so that the Faraday cup 40 has a constant potential. FIG.
As shown in (b), if filters 47, 47 are provided on both the signal lines 36, 36, the resistance measuring instrument 31 side can be handled independently in terms of circuit configuration, which is convenient.
【００４５】前記フィルタ４７は、検出信号の周波数成
分のみを抵抗モニタ部４３へ通過させ、他の周波数域を
カットできるように選択される。即ち、抵抗値の検出信
号が比較的に低周波数の成分で構成される場合であれ
ば、ローパスフィルタを用いることにより、高周波成分
がカットされるようにする。The filter 47 is selected so as to pass only the frequency component of the detection signal to the resistance monitor 43 and cut other frequency ranges. That is, if the detection signal of the resistance value is composed of relatively low-frequency components, a high-frequency component is cut by using a low-pass filter.
【００４６】次に、図１に示される制御装置５０につい
て説明する。制御装置５０は、演算器５１と制御器５２
を備えている。演算器５１において、基板１５上に堆積
された被膜の比抵抗を求める演算が行われる。Next, the control device 50 shown in FIG. 1 will be described. The control device 50 includes an arithmetic unit 51 and a controller 52.
It has. In the arithmetic unit 51, an operation for determining the specific resistance of the film deposited on the substrate 15 is performed.
【００４７】演算器５１には、前記膜厚モニタ部２７に
より検出された被膜の膜厚、及び前記抵抗モニタ部４３
により検出された被膜の抵抗値が、演算器５１に設定さ
れる一定の時間間隔Δｔ（望ましくは６０秒以下）で入
力されるようになっている。そして、演算器５１は、こ
こに格納される、演算手段を構成する比抵抗演算ルーチ
ンの手順によって、前記入力された被膜の膜厚及び被膜
の抵抗値に基づき比抵抗の演算を行う。The arithmetic unit 51 stores the film thickness of the film detected by the film thickness monitor 27 and the resistance monitor 43
Is input at a constant time interval Δt (preferably 60 seconds or less) set in the arithmetic unit 51. Then, the calculator 51 calculates the specific resistance based on the input film thickness and the resistance value of the coating according to the procedure of the specific resistance calculation routine constituting the calculating means stored therein.
【００４８】比抵抗演算ルーチンによる演算処理につい
て以下に説明する。一の時間ｔ１と、Δｔ時間後の他の
時間ｔ２（ｔ２＝ｔ１＋Δｔ）との間に堆積された膜厚
ΔＴが、（１）式により求められる。The calculation processing by the specific resistance calculation routine will be described below. The film thickness ΔT deposited between one time t1 and another time t2 (t2 = t1 + Δt) after the time Δt is obtained by Expression (1).
【００４９】 ΔＴ＝Ｔ（ｔ２）−Ｔ（ｔ１） （１） （１）式において、Ｔ（ｔ１）は一の時間ｔ１に検出さ
れた膜厚であり、Ｔ（ｔ２）は他の時間ｔ２に検出され
た膜厚である。ΔT = T (t2) −T (t1) (1) In equation (1), T (t1) is a film thickness detected at one time t1, and T (t2) is another time t2. Is the film thickness detected.
【００５０】次に、膜厚ΔＴの部分の面積抵抗値Ｒ*
が、（２）により求められる。Next, the sheet resistance R * of the portion of the film thickness ΔT is obtained .
Is determined by (2).
【００５１】 Ｒ* ＝｛Ｒ（ｔ１）｝2／ΔＲ − Ｒ（ｔ１） （２） （２）式において、Ｒ（ｔ１）は一の時間に検出された
面積抵抗値である。また、（２）式において、ΔＲは一
の時間に検出された抵抗値Ｒ（ｔ１）に対する、他の時
間ｔ２に検出された抵抗値Ｒ（ｔ２）の減少を表し、
（３）式により求められる。R * = {R (t1)} 2 / ΔR−R (t1) (2) In the equation (2), R (t1) is a sheet resistance value detected in one time. In the equation (2), ΔR represents a decrease in the resistance value R (t2) detected at another time t2 with respect to the resistance value R (t1) detected at one time,
It is determined by equation (3).
【００５２】 ΔＲ＝Ｒ（ｔ１）−Ｒ（ｔ２） （３） なお、上記（２）式は、ｔ１におけるＲ（ｔ１）とΔｔ
時間後におけるＲ（ｔ２）との間に成立する下記（４）
式、及び前記（３）式により導くことができる。ΔR = R (t1) −R (t2) (3) Note that the above equation (2) is equivalent to R (t1) at t1 and Δt
The following (4) which is established between R (t2) after a lapse of time
Equation (3) can be derived.
【００５３】 Ｒ（ｔ２）＝ Ｒ*・Ｒ（ｔ１）／（Ｒ* ＋ Ｒ（ｔ１）） （４） 次に、前記Δｔ時間の間に堆積された被膜の比抵抗ρ*
が（５）式により求められる。R (t2) = R * · R (t1) / (R * + R (t1)) (4) Next, the specific resistance ρ * of the film deposited during the time Δt .
Is obtained by equation (5).
【００５４】 ρ* ＝ΔＴ・Ｒ* （５） なお、検出された面積抵抗Ｒ及び膜厚Ｔから比抵抗ρを
求める以上の演算を行うにあたり、比抵抗ρと面積抵抗
Ｒと膜厚Ｔとの間に（６）式の関係が成立することを基
礎としている。Ρ * = ΔT · R * (5) Note that in performing the above-described calculation of the specific resistance ρ from the detected sheet resistance R and the detected film thickness T, the specific resistance ρ, the sheet resistance R, and the film thickness T Is based on the fact that the relationship of equation (6) holds.
【００５５】 ρ ＝ Ｔ・Ｒ （６） そして、演算器５１によって求められた前記比抵抗ρ*
は、制御器５２に入力される。そして、制御器５２は、
予め設定された被膜の比抵抗の目標値ρM と、前記ρ*
との比較に基づき、目標値ρM の被膜とできるよう
に、各種の成膜条件の制御を行う。この制御器５２によ
る制御の内容は以下のとおりである。Ρ = TR (6) Then, the specific resistance ρ * obtained by the arithmetic unit 51
Is input to the controller 52. Then, the controller 52
A predetermined target value ρ M of the specific resistance of the coating, and the ρ *
Based on a comparison between, to allow the coating of the target value [rho M, controls various deposition conditions. The contents of the control by the controller 52 are as follows.
【００５６】制御器５２は、加熱用電源１４の出力を制
御して単位時間あたりの原料物質の蒸発量を制御し、成
膜条件の一つである成膜速度を制御する。成膜速度を高
めたい場合には、原料物質の蒸発量を増大させ、成膜速
度を低くしたい場合には、原料物質の蒸発量を減少させ
る。The controller 52 controls the output of the heating power supply 14 to control the evaporation amount of the raw material per unit time, and controls the film forming speed, which is one of the film forming conditions. To increase the film formation rate, the amount of evaporation of the source material is increased, and to decrease the film formation rate, the amount of evaporation of the source material is reduced.
【００５７】また、制御器５２は、前記高周波電源２１
及び直流電源２２の出力を制御することにより、成膜条
件の一つである、プラズマを形成するためのプラズマ出
力を制御する。また、制御器５２は、流量制御器９を制
御することにより、成膜条件の一つである、反応ガスの
ガス流量を制御する。The controller 52 is connected to the high-frequency power source 21.
In addition, by controlling the output of the DC power supply 22, the plasma output for forming plasma, which is one of the film forming conditions, is controlled. The controller 52 controls the flow rate of the reaction gas, which is one of the film forming conditions, by controlling the flow rate controller 9.
【００５８】また、この制御装置５０による成膜条件の
制御は、前記一の時間と他の時間との間の時間間隔Δｔ
（望ましくは６０秒以下）を一つのサンプリング時間と
して、該Δｔ時間ごとに繰り返し行われる。これによ
り、実際に堆積された被膜の比抵抗の目標値からのずれ
を速やかに検出し、成膜条件を適宜に制御することが可
能である。The control of the film formation conditions by the controller 50 is performed by controlling the time interval Δt between the one time and the other time.
(Preferably 60 seconds or less) is set as one sampling time, and is repeatedly performed every Δt time. This makes it possible to quickly detect the deviation of the specific resistance of the actually deposited film from the target value, and to appropriately control the film forming conditions.
【００５９】なお、この制御装置５０は、前記検出され
た膜厚や面積抵抗値等を記憶することができ、また、前
記比抵抗を求める演算処理等が可能である、周知のコン
ピュータシステムによって構成できる。また、制御装置
５０は、内蔵タイマを有しており、膜厚や面積抵抗値等
のデータが入力された前記時間ｔ１、ｔ２を、膜厚や面
積抵抗値等のデータとともに処理できるようにされてい
る。The control device 50 is constituted by a well-known computer system capable of storing the detected film thickness, sheet resistance, and the like, and capable of performing arithmetic processing for obtaining the specific resistance. it can. Further, the control device 50 has a built-in timer so that the times t1 and t2 at which data such as the film thickness and the sheet resistance value are input can be processed together with the data such as the film thickness and the sheet resistance value. ing.
【００６０】また、抵抗モニタ部４３や膜厚モニタ部２
７からの制御装置５０へのデータ入力や、制御装置５０
による制御の必要に応じて、各データがＡ／Ｄ変換さ
れ、またＤ／Ａ変換されるようになっている。The resistance monitor 43 and the film thickness monitor 2
7 to the control device 50 and the control device 50
The data is A / D converted and D / A converted as required by the control by the.
【００６１】以上のように構成される本発明の真空成膜
装置によると、以下のようにして被膜が形成される。真
空成膜装置は、制御装置５０に当初設定される成膜条件
に従って運転され、チャンバ１０内に配置される基板１
５上に順次に被膜が堆積される。According to the vacuum film forming apparatus of the present invention configured as described above, a film is formed as follows. The vacuum film forming apparatus is operated according to the film forming conditions initially set in the control device 50, and the substrate 1 placed in the chamber 10
5 are successively deposited.
【００６２】抵抗測定器３１を介して検出された被膜の
抵抗値や、水晶振動子モニタ２６を介して検出された被
膜の膜厚に基づき、基板１５に堆積された被膜の比抵抗
ρ*が制御装置５０により求められる。そして、制御装
置５０は、求められた比抵抗ρ* と目標値ρM とを比
較し、その結果に基づいて成膜条件が変更調整され、新
たな成膜条件の下で成膜が行われる。そして、この成膜
条件の調整変更はΔｔ時間間隔で繰り返し行われ、最終
的に目標とする膜厚の被膜に形成される。The specific resistance ρ * of the film deposited on the substrate 15 is determined based on the resistance value of the film detected through the resistance measuring device 31 and the thickness of the film detected through the crystal oscillator monitor 26. It is determined by the control device 50. Then, the control device 50 compares the obtained specific resistance ρ * with the target value ρ M , changes and adjusts the film forming conditions based on the result, and performs film formation under new film forming conditions. . The adjustment of the film forming conditions is repeatedly performed at intervals of time Δt to finally form a film having a target film thickness.
【００６３】このように、被膜を形成する過程におい
て、実際に形成された被膜の比抵抗が求められ、その結
果に基づき成膜条件の変更調整が行われるので、基板１
５上に堆積される被膜の比抵抗ρ* は、目標値ρM よ
り大きくずれることがない。これにより、目標の比抵抗
の被膜を高精度で形成することができる。また、比抵抗
の小さい被膜を得ることもできる。As described above, in the process of forming the film, the specific resistance of the actually formed film is obtained, and the film formation conditions are changed and adjusted based on the result.
5 specific resistance [rho * is a coating deposited on, never deviate greater than the target value [rho M. As a result, a film having a target specific resistance can be formed with high accuracy. Further, a film having a small specific resistance can be obtained.
【００６４】そして、本発明によると、従来比抵抗のバ
ラツキが大きかった、酸化錫を不純物として含有する酸
化インジュウムを原料とする場合であっても、高精度で
目標とする比抵抗の被膜に形成できる。According to the present invention, even when indium oxide containing tin oxide as an impurity is used as a raw material, which has conventionally had a large variation in specific resistance, a film having a target specific resistance can be formed with high precision. it can.
【００６５】また、本発明によって得ることができる、
表面に被膜が形成された被膜形成体は、特に、画像表示
用ディスプレイに適している。即ち、液晶ディスプレ
イ、プラズマディスプレイ、フィールドエミッタアレイ
等の画像表示用ディスプレイにおいては、鮮明な表示画
像を得るにあたり、比抵抗の低い材質が要請されるから
である。Further, it can be obtained by the present invention,
A film-formed body having a film formed on its surface is particularly suitable for an image display. That is, in an image display such as a liquid crystal display, a plasma display, and a field emitter array, a material having a low specific resistance is required to obtain a clear display image.
【００６６】なお、以上の説明では、プラズマを用いて
被膜を形成する場合について、いわゆる無ガスイオンプ
レーティングの例により説明したが、本発明の抵抗検出
手段によると、プラズマを用いる全ての方式において、
高い検出精度で抵抗を検出することが可能である。ま
た、本発明にかかる、被膜を形成する過程において被膜
の比抵抗を求め、求められた被抵抗に基づき成膜条件を
制御することは、被膜の形成をプラズマを形成してする
ものに限られず、真空蒸着等の他の真空成膜の方式にも
適用することができる。In the above description, the case where a film is formed using plasma has been described by way of an example of so-called gasless ion plating. However, according to the resistance detecting means of the present invention, in all systems using plasma, ,
It is possible to detect the resistance with high detection accuracy. Further, according to the present invention, in the process of forming a film, determining the specific resistance of the film and controlling the film forming conditions based on the obtained resistance is not limited to forming the film by plasma. And other vacuum film formation methods such as vacuum deposition.
【００６７】[0067]
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００６８】［実施例１］実施例１として、以下の条件
により、液晶用透明導電膜であるＩＴＯ被膜の成膜を行
った。成膜を行うにあたり、以上に説明した無ガスイオ
ンプレーティングを用いた。ただし、原料物質の蒸発に
ついて、蒸発源として電子銃により蒸発させるものを用
いた。また、被膜を形成する基板として、ガラス基板を
用いた。その他の条件については、以下のとおりであ
る。Example 1 As Example 1, an ITO film as a transparent conductive film for liquid crystal was formed under the following conditions. In forming the film, the gasless ion plating described above was used. However, regarding the evaporation of the raw material, an evaporation source that was evaporated by an electron gun was used. Further, a glass substrate was used as a substrate on which a film was formed. Other conditions are as follows.
【００６９】 予備排気真空度 ： １．３３×１０-3 Ｐａ 反応ガスの種類 ： 酸素（Ｏ2） 初期反応ガス圧力 ： ６．６５×１０-2 Ｐａ 基板−蒸発源距離 ： ２０ｃｍ 基板温度 ： ２５℃ 初期高周波電力 ： ３００Ｗ 原料物質 ： ＩＴＯ Ｓｎ５％ 含有 成膜速度 ： ０．７ｎｍ／ｓｅｃ そして、比抵抗値が極小となるように酸素ガスを変化さ
せた。これにより、以下の被膜を得ることができた。 膜厚 ： １５０ｎｍ 透過率 ： ８９％ （基板１．１ｍｍt） 抵抗値 ： ２０Ω／□ 比抵抗 ： ３．０×１０-4Ω・ｃｍPre-evacuation vacuum degree: 1.33 × 10 −3 Pa Type of reaction gas: oxygen (O 2 ) Initial reaction gas pressure: 6.65 × 10 −2 Pa Substrate-evaporation source distance: 20 cm Substrate temperature: 25 ° C. Initial high-frequency power: 300 W Raw material: ITO 5% contained Film formation rate: 0.7 nm / sec Then, the oxygen gas was changed so that the specific resistance value was minimized. As a result, the following films could be obtained. Film thickness: 150 nm Transmittance: 89% (substrate 1.1 mm t ) Resistance value: 20 Ω / □ Specific resistance: 3.0 × 10 −4 Ω · cm
【００７０】［実施例２］実施例２として、反応ガスを
用いず、また、比抵抗値が極小となるように成膜速度を
制御して成膜を行った。その他の条件については、実施
例１と同様である。これにより、以下の被膜を得ること
ができた。 膜厚 ： １５５ｎｍ 透過率 ： ９０％ （基板１．１ｍｍt） 抵抗値 ： ２５Ω／□ 比抵抗 ： ３．８８×１０-4Ω・ｃｍExample 2 As Example 2, a film was formed without using a reactive gas and controlling the film formation rate so that the specific resistance value was minimized. Other conditions are the same as in the first embodiment. As a result, the following films could be obtained. Film thickness: 155 nm Transmittance: 90% (substrate 1.1 mm t ) Resistance value: 25Ω / □ Specific resistance: 3.88 × 10 −4 Ω · cm
【００７１】［実施例３］実施例３として、比抵抗値が
極小となるようにプラズマ出力である高周波電力を制御
して成膜を行った。その他の条件については、実施例１
と同様である。これにより、以下の被膜を得ることがで
きた。 膜厚 ： １５０ｎｍ 透過率 ： ９０％ （基板１．１ｍｍt） 抵抗値 ： １５Ω／□ 比抵抗 ： ２．２５×１０-4Ω・ｃｍExample 3 As Example 3, film formation was performed by controlling high-frequency power, which is a plasma output, such that the specific resistance value was minimized. For other conditions, see Example 1.
Is the same as As a result, the following films could be obtained. Film thickness: 150 nm Transmittance: 90% (substrate 1.1 mm t ) Resistance value: 15 Ω / □ Specific resistance: 2.25 × 10 -4 Ω · cm
【００７２】［実施例４］実施例４として、基板を加熱
してその温度を２５０℃とし、また、比抵抗値が極小と
なるように、酸素ガス圧、成膜速度、及び高周波電力を
制御して成膜を行った。初めに酸素ガス圧を調整して比
抵抗が最小になるようにし、次に、成膜速度、高周波電
力の調整を行いさらにガス圧力に戻って調整を繰り返し
最極小点で成膜した。その他の条件については、実施例
１と同様である。これにより、以下の被膜を得ることが
できた。 膜厚 ： １５０ｎｍ 透過率 ： ８８％ （基板１．１ｍｍt） 抵抗値 ： ７Ω／□ 比抵抗 ： １．０５×１０-4Ω・ｃｍExample 4 As Example 4, the substrate was heated to 250 ° C., and the oxygen gas pressure, the film formation rate, and the high-frequency power were controlled so that the specific resistance was minimized. To form a film. First, the oxygen gas pressure was adjusted so as to minimize the specific resistance, and then the film forming speed and high frequency power were adjusted. Further, the adjustment was repeated by returning to the gas pressure to form a film at the minimum point. Other conditions are the same as in the first embodiment. As a result, the following films could be obtained. Film thickness: 150 nm Transmittance: 88% (substrate 1.1 mm t ) Resistance value: 7Ω / □ Specific resistance: 1.05 × 10 −4 Ω · cm
【００７３】この実施例１乃至４より判るように、従来
に比べて比抵抗の小さい被膜を形成することができた。As can be seen from Examples 1 to 4, it was possible to form a film having a lower specific resistance than the conventional one.
【００７４】[0074]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
被膜の比抵抗を成膜の過程において直接に求め、求めら
れた比抵抗に基づいて成膜条件を制御することができ
る。これにより、目標とする比抵抗の被膜を高精度で得
ることができ、比抵抗の小さい被膜を得ることができる
という効果を奏する。As described above, according to the present invention,
The specific resistance of the film can be directly obtained in the process of film formation, and the film forming conditions can be controlled based on the obtained specific resistance. As a result, it is possible to obtain a film having a target specific resistance with high accuracy and to obtain a film having a small specific resistance.
【図１】真空成膜装置の構成を表す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a vacuum film forming apparatus.
【図２】真空チャンバ周辺を詳しく示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the vicinity of a vacuum chamber in detail.
【図３】抵抗測定器を表す図である。FIG. 3 is a diagram showing a resistance measuring instrument.
【図４】抵抗測定素子が保持される状態を表す図であ
る。FIG. 4 is a diagram illustrating a state where a resistance measuring element is held.
【図５】抵抗値の信号を伝送する回路の構成例である。FIG. 5 is a configuration example of a circuit that transmits a signal of a resistance value.
８・・・原料物質 ９・・・流量制御器 １０・・・真空チャンバ １１・・・蒸発源 １２・・・ボート １３・・・フィラメント １４・・・加熱用電源 １５・・・基板 １６・・・基板ホルダ １７・・・板状絶縁部材 １８・・・支持部材 １９・・・モータ ２０・・・接触子 ２１・・・高周波電源 ２２・・・直流電源 ２３・・・直流ブロッキング用コンデンサ ２５・・・高周波ブロッキング用チョークコイル ２６・・・水晶振動子モニタ ２７・・・膜厚モニタ部 ３１・・・抵抗測定器 ３２・・・リード線 ３３・・・支持体 ３４・・・保持具 ３５・・・抵抗測定素子 ３６・・・信号線 ３７・・・ガラス基板 ３８・・・ガラス電極 ３９・・・クリップ ４０・・・ファラデーカップ ４１・・・シールド盤 ４２・・・開口 ４３・・・抵抗モニタ部 ４７・・・フィルタ ５０・・・制御装置 ５１・・・演算器 ５２・・・制御器 Reference Signs List 8 Raw material 9 Flow controller 10 Vacuum chamber 11 Evaporation source 12 Boat 13 Filament 14 Heating power supply 15 Substrate 16・ Substrate holder 17 ・ ・ ・ Plate insulating member 18 ・ ・ ・ Support member 19 ・ ・ ・ Motor 20 ・ ・ ・ Contact 21 ・ ・ ・ High frequency power supply 22 ・ ・ ・ DC power supply 23 ・ ・ ・ DC blocking capacitor 25 ・··· High frequency blocking choke coil 26 ··· Crystal oscillator monitor 27 ··· Film thickness monitor 31 ··· Resistance measuring device 32 ··· Lead wire 33 ··· Supporter 34 ··· holding tool 35 · ..Resistance measuring element 36 ... Signal line 37 ... Glass substrate 38 ... Glass electrode 39 ... Clip 40 ... Faraday cup 41 ... Shield board 42 ... Opening 43 ... Resistance Mo Unit 47 47 Filter 50 Controller 51 Computing unit 52 Controller
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲高▼尾 敏弘 東京都港区東麻布２丁目33番５号 第四松 坂ビル五階 株式会社プレステージ内 Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA11 BA45 BC07 EA00 EA01 EA02 EA04 EA06 5G435 AA00 AA16 BB01 BB06 BB12 EE33 HH12 KK05 KK10 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor ▲ Taka ▼ Toshihiro 2-5-3 Higashiazabu, Minato-ku, Tokyo No.4 Matsuzaka Saka Building 5th floor Prestige Co., Ltd. F term (reference) 4K029 AA09 AA11 BA45 BC07 EA00 EA01 EA02 EA04 EA06 5G435 AA00 AA16 BB01 BB06 BB12 EE33 HH12 KK05 KK10
Claims (17)
て被膜を形成する被膜の形成方法であって、 前記被膜を形成する過程において、堆積された被膜の比
抵抗を求め、該求められた比抵抗に基づいて、目標とす
る比抵抗の被膜となるように成膜条件を制御することを
特徴とする被膜の形成方法。1. A method for forming a film by sequentially depositing raw materials by vacuum film formation to form a film. In the process of forming the film, a specific resistance of the deposited film is determined. A method for forming a film, comprising controlling film forming conditions so as to form a film having a target specific resistance based on the specific resistance.
を、一の時間及び他の時間において検出し、 一の時間における被膜の抵抗値及び膜厚と、他の時間に
おける被膜の抵抗値及び膜厚とに基づく演算により、一
の時間と他の時間との間に堆積された被膜の比抵抗を求
めることを特徴とする請求項１に記載の被膜の形成方
法。2. The resistance and thickness of the deposited film are detected at one time and another time, the resistance and thickness of the film at one time and the resistance of the film at another time. The method according to claim 1, wherein the specific resistance of the film deposited between one time and another time is obtained by calculation based on the thickness and the film thickness.
隔が６０秒以下とされ、該時間間隔ごとに比抵抗を求め
ることを特徴とする請求項２に記載の被膜の形成方法。3. The method according to claim 2, wherein a time interval between the one time and the other time is set to 60 seconds or less, and a specific resistance is obtained for each time interval. .
板を加熱して行うことを特徴とする、請求項１乃至３の
いずれかに記載の被膜の形成方法。4. The method for forming a film according to claim 1, wherein the film is formed by heating a substrate on which the film is deposited.
反応ガスの流量の少なくとも一つが含まれることを特徴
とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の被膜の形成
方法。5. A method according to claim 1, wherein the controlled film forming conditions include a film forming speed,
5. The method according to claim 1, wherein at least one of the flow rates of the reaction gas is included.
れるものであり、 前記制御される成膜条件に、前記プラズマを形成するた
めのプラズマ出力が含まれることを特徴とする請求項５
に記載の被膜の形成方法。6. The method according to claim 5, wherein the film is formed by forming a plasma, and the controlled film forming conditions include a plasma output for forming the plasma.
5. The method for forming a film according to item 1.
て被膜を形成する真空成膜装置であって、 堆積された被膜の膜厚を検出できる膜厚検出手段と、堆
積された被膜の抵抗値を検出できる抵抗検出手段と、成
膜条件を制御する制御装置とを備え、 前記制御装置は、一の時間において前記膜厚検出手段に
より検出された被膜の膜厚及び前記抵抗検出手段により
検出された被膜の抵抗値と、他の時間において前記膜厚
検出手段により検出された被膜の膜厚及び前記抵抗検出
手段により検出された被膜の抵抗値とに基づいて、一の
時間と他の時間との間に堆積された被膜の比抵抗を求め
る演算手段を有し、 前記演算手段により求められた被膜の比抵抗に基づいて
成膜条件を制御することによって、目標とする比抵抗の
被膜を形成するように構成された真空成膜装置。7. A vacuum film forming apparatus for forming a film by sequentially depositing raw materials by vacuum film forming, comprising: a film thickness detecting means capable of detecting the film thickness of the deposited film; A resistance detecting means capable of detecting a resistance value, and a control device for controlling film forming conditions, wherein the control device detects a film thickness of the film detected by the film thickness detecting means in one time and the resistance detecting means. Based on the detected resistance value of the film and the film thickness of the film detected by the film thickness detection means at another time and the resistance value of the film detected by the resistance detection means at another time, one time and another time Calculating means for calculating the specific resistance of the film deposited during the time, controlling the film formation conditions based on the specific resistance of the film obtained by the calculating means, thereby forming a target specific resistance film Configured to form Vacuum deposition equipment.
隔が６０秒以下とされ、該時間間隔ごとに比抵抗を求め
ることを特徴とする請求項７に記載の真空成膜装置。8. The vacuum film forming apparatus according to claim 7, wherein a time interval between the one time and the other time is set to 60 seconds or less, and a specific resistance is obtained for each time interval. .
反応ガスの流量の少なくとも一つが含まれることを特徴
とする請求項８に記載の真空成膜装置。9. The controlled film forming conditions include a film forming speed,
9. The vacuum film forming apparatus according to claim 8, wherein at least one of the flow rates of the reaction gas is included.
することにより被膜を形成するものであり、 前記制御される成膜条件に前記プラズマを形成するため
のプラズマ出力が含まれており、 前記抵抗検出手段が、前記堆積された被膜の抵抗値を検
出するための抵抗検出体と、該抵抗検出体を囲う導電性
の材質からなるファラデーカップとを備えることを特徴
とする請求項９に記載の真空成膜装置。10. The vacuum film forming apparatus forms a film by forming a plasma, wherein the controlled film forming conditions include a plasma output for forming the plasma, 10. The resistance detecting means according to claim 9, further comprising a resistance detector for detecting a resistance value of the deposited film, and a Faraday cup made of a conductive material surrounding the resistance detector. Vacuum deposition equipment.
値が、信号として一対の信号線を介して伝送されるよう
にされており、 該一対の信号線の少なくとも一方にフィルタが設けられ
ていることを特徴とする、請求項１０に記載の真空成膜
装置。11. A resistance value detected by the resistance detector is transmitted as a signal via a pair of signal lines, and at least one of the pair of signal lines is provided with a filter. The vacuum deposition apparatus according to claim 10, wherein:
設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の真
空成膜装置。12. The vacuum film forming apparatus according to claim 11, wherein filters are provided on both of the pair of signal lines.
た被膜形成体であって、 前記被膜の比抵抗が５．０×１０-4Ω・ｃｍ以下である
ことを特徴とする、被膜形成体。13. A film forming body having a film formed on a surface by vacuum film formation, wherein the film has a specific resistance of 5.0 × 10 −4 Ω · cm or less. body.
が２．０×１０-4Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする
請求項１３に記載の被膜形成体。14. The film forming body according to claim 13, wherein the film forming body has a specific resistance of 2.0 × 10 −4 Ω · cm or less.
ュウムを含んで形成されていることを特徴とする、請求
項１３又は１４に記載の被膜形成体。15. The film-forming body according to claim 13, wherein the film-forming body has a film containing indium oxide.
プレイに用いられることを特徴とする、請求項１３乃至
１５のいずれかに記載の被膜形成体。16. The film forming body according to claim 13, wherein the film forming body is used for an image display.
ディスプレイ、プラズマディスプレイ、フィールドエミ
ッタアレイのいずれかであることを特徴とする、請求項
１６に記載の被膜形成体。17. The film forming body according to claim 16, wherein the image display is one of a liquid crystal display, a plasma display, and a field emitter array.
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