JP2001085967A - Surface acoustic wave filter element and its manufacture - Google Patents
Surface acoustic wave filter element and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば、携帯
電話機に代表される移動通信装置の高周波回路に適用さ
れる弾性表面波フィルタ素子およびその製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave filter element applied to a high-frequency circuit of a mobile communication device represented by, for example, a portable telephone, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、地上携帯電話システムおよび
衛星携帯電話システムに代表される移動通信システム
は、予め定められた周波数帯を使用している。たとえば
日本の地上携帯電話システムであるＰＤＣ(Personal Di
gital Cellular)は、受信周波数帯として810〜830(MHz)
を使用し、送信周波数帯として940〜960(MHz)を使用し
ている。したがって、移動通信システムに適用される移
動通信装置は、通常、高周波信号を処理する高周波回路
内に、必要な周波数帯の高周波信号を抽出するフィルタ
を備えている。このフィルタとしては、一般に、弾性表
面波フィルタ（以下「ＳＡＷフィルタ」という）が用い
られる。2. Description of the Related Art Conventionally, a mobile communication system represented by a terrestrial portable telephone system and a satellite portable telephone system uses a predetermined frequency band. For example, PDC (Personal Di
gital Cellular) is 810 to 830 (MHz) as the reception frequency band.
And 940 to 960 (MHz) as a transmission frequency band. Therefore, a mobile communication device applied to a mobile communication system usually includes a filter for extracting a high-frequency signal in a required frequency band in a high-frequency circuit that processes a high-frequency signal. Generally, a surface acoustic wave filter (hereinafter, referred to as a “SAW filter”) is used as this filter.
【０００３】ＳＡＷフィルタの構成は、たとえば、特開
平１０−１４５１７２号公報に開示されている。この公
開公報に開示されているＳＡＷフィルタは、１つの周波
数帯の高周波信号を抽出するものである。より具体的に
は、このＳＡＷフィルタは、１つの圧電基板上に形成さ
れ、互いに電気的に接続された２つのフィルタ部を備え
ている。各フィルタ部は、導電膜からなる電極を有して
おり、これら各電極の膜厚は互いに異なっている。電極
の膜厚が異なれば、共振特性も異なる。このＳＡＷフィ
ルタはこの共振特性の違いを利用し、各共振特性を合成
することにより、１つの周波数帯の高周波信号を抽出す
るようにしている。[0003] The configuration of a SAW filter is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-145172. The SAW filter disclosed in this publication extracts a high-frequency signal in one frequency band. More specifically, this SAW filter includes two filter units formed on one piezoelectric substrate and electrically connected to each other. Each filter unit has electrodes made of a conductive film, and the thicknesses of these electrodes are different from each other. Different electrode thicknesses result in different resonance characteristics. The SAW filter utilizes the difference in the resonance characteristics and combines the resonance characteristics to extract a high-frequency signal in one frequency band.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近、移動
通信システムの加入者容量の増大が顕著であり、このま
までは、予め割り当てられている周波数帯ではすべての
加入者を収容することができなくなるおそれがある。そ
こで、加入者容量を増大するために、同一の移動通信シ
ステム内において既存の周波数帯とは異なる周波数帯を
新たに追加使用することが考えられている。By the way, recently, the subscriber capacity of the mobile communication system has been remarkably increased, and if it is left as it is, there is a possibility that all the subscribers cannot be accommodated in the frequency band allocated in advance. There is. In order to increase the subscriber capacity, it has been considered that a frequency band different from the existing frequency band is additionally used in the same mobile communication system.
【０００５】また、より高度なサービスをユーザに提供
するために、既存の移動通信システムとは異なる新たな
移動通信システムの研究開発も活発化している。この新
たな移動通信システムは、既存装置の有効利用の観点か
ら既存の移動通信システムとの併存を考慮し、既存の使
用している周波数帯とは異なる周波数帯を使用する場合
がある。[0005] In order to provide more advanced services to users, research and development of a new mobile communication system different from the existing mobile communication system has been activated. The new mobile communication system may use a frequency band different from the existing frequency band in consideration of coexistence with the existing mobile communication system from the viewpoint of effective use of the existing device.
【０００６】つまり、加入者容量の増大を図るためにし
ろより高度なサービスなどをユーザに提供するためにし
ろ、１つの移動通信装置において少なくとも２つの周波
数帯の高周波信号を受信できるようにする必要がある。
すなわち、移動通信装置には、異なる周波数帯の高周波
信号を抽出できるフィルタが必要となる。In other words, it is necessary to enable one mobile communication device to receive high-frequency signals in at least two frequency bands, in order to increase subscriber capacity or to provide more advanced services to users. There is.
That is, the mobile communication device requires a filter that can extract high-frequency signals in different frequency bands.
【０００７】これに対処するためには、２つの独立した
電子部品として２つの異なる周波数帯の高周波信号を抽
出するＳＡＷフィルタを用いることが考えられる。しか
しながら、この場合には、２つの電子部品をパッケージ
内に実装する必要があるから、小型化を図ることが困難
であるとの不具合がある。また、２つの電子部品を電極
に接続する必要があるから、作業工程が煩雑であるとの
不具合もある。To cope with this, it is conceivable to use a SAW filter for extracting high-frequency signals in two different frequency bands as two independent electronic components. However, in this case, since it is necessary to mount two electronic components in the package, there is a problem that it is difficult to reduce the size. In addition, since it is necessary to connect two electronic components to the electrodes, there is a problem that the working process is complicated.
【０００８】また、小型化を図るとの観点から、１つの
圧電基板上に異なる周波数に対応する２つのフィルタ部
を同一膜厚で形成することが考えられる。しかしなが
ら、この場合には、設計の自由度が制限されるとの不具
合がある。より具体的には、フィルタ特性は、使用環境
などに応じて異なるものが要求される場合がある。たと
えば、第１の通過帯域の挿入損失を第２の通過帯域の挿
入損失よりも小さくするというような要求があったり、
第１の遮断帯域の減衰量よりも第２の遮断帯域の減衰量
を大きくするというような要求があったりする。このよ
うな場合、膜厚が同一では、これらの要求を容易に満足
することが困難となる。From the viewpoint of miniaturization, it is conceivable to form two filter portions corresponding to different frequencies on one piezoelectric substrate with the same film thickness. However, in this case, there is a problem that the degree of freedom of design is limited. More specifically, different filter characteristics may be required depending on the use environment and the like. For example, there is a demand that the insertion loss of the first pass band be smaller than the insertion loss of the second pass band,
There is a demand for making the attenuation of the second stop band larger than the attenuation of the first stop band. In such a case, if the film thickness is the same, it is difficult to easily satisfy these requirements.
【０００９】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、小型化および作業工程の簡素化を図るこ
とができ、かつ、設計を相対的に容易に行うことができ
る弾性表面波フィルタ素子およびその製造方法を提供す
ることである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems, to reduce the size and simplify the working process, and to design a surface acoustic wave that can be designed relatively easily. An object of the present invention is to provide a filter element and a method for manufacturing the same.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
のこの発明は、第１表面部およびこの第１表面部とは異
なる表面領域である第２表面部を有する圧電基板と、上
記第１表面部に形成された第１膜厚の第１入力電極膜お
よび第１出力電極膜を有し、上記第１入力電極膜に入力
された高周波信号を上記第１表面部を伝播する弾性表面
波に変換し、この弾性表面波を上記第１出力電極膜によ
り高周波信号に変換することにより、第１周波数帯の高
周波信号を外部に出力する第１フィルタ部と、上記第２
表面部に形成された上記第１膜厚よりも厚い第２膜厚の
第２入力電極膜および第２出力電極膜を有し、上記第２
入力電極膜に入力された高周波信号を上記第２表面部を
伝播する弾性表面波に変換し、この弾性表面波を上記第
２出力電極膜により高周波信号に変換することにより、
上記第１周波数帯とは異なる第２周波数帯の高周波信号
を上記第１フィルタ部の出力とは別個に外部に出力する
第２フィルタ部とを含むものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a piezoelectric substrate having a first surface portion and a second surface portion which is a surface region different from the first surface portion; A surface acoustic wave having a first input electrode film and a first output electrode film having a first thickness formed on a surface portion, and transmitting a high-frequency signal input to the first input electrode film through the first surface portion; And a first filter unit that outputs a high-frequency signal in a first frequency band to the outside by converting the surface acoustic wave into a high-frequency signal by the first output electrode film.
A second input electrode film and a second output electrode film having a second thickness greater than the first thickness formed on the surface portion;
By converting a high-frequency signal input to the input electrode film into a surface acoustic wave propagating through the second surface portion, and converting the surface acoustic wave into a high-frequency signal by the second output electrode film,
A second filter unit that outputs a high-frequency signal of a second frequency band different from the first frequency band to the outside separately from the output of the first filter unit.
【００１１】また、この発明は、圧電基板の表面上に第
１膜厚の第１導電膜を形成する工程と、この第１導電膜
のうち所定範囲をエッチングすることにより、第１膜厚
の電極膜を有する第１フィルタ部を作成する工程と、上
記所定範囲以外の第１導電膜上に導電膜をさらに形成す
ることにより、上記第１膜厚とは異なる第２膜厚の第２
導電膜を形成する工程と、この第２導電膜をエッチング
することにより、第２膜厚の電極膜を有する第２フィル
タ部を作成する工程とを含むものである。Further, the present invention provides a step of forming a first conductive film having a first thickness on a surface of a piezoelectric substrate, and etching a predetermined range of the first conductive film to thereby form the first conductive film. Forming a first filter portion having an electrode film, and further forming a conductive film on the first conductive film outside the predetermined range, thereby forming a second film having a second film thickness different from the first film thickness.
The method includes a step of forming a conductive film, and a step of forming a second filter portion having an electrode film having a second thickness by etching the second conductive film.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【００１３】実施の形態１ 図１は、この発明の実施の形態１に係るＳＡＷフィルタ
の構成を示す断面図である。このＳＡＷフィルタ１は、
たとえば、第１移動通信システムおよび第２移動通信シ
ステムからなる２つの異なる移動通信システムの両方で
使用可能な携帯電話機などの移動通信端末に設けられて
いる高周波回路に適用される。したがって、ＳＡＷフィ
ルタ１は、第１および第２移動通信システムに対応すべ
く、第１通過周波数帯Δｆ１およびこの第１通過周波数
帯Δｆ１とは異なる第２通過周波数帯Δｆ２を備えたフ
ィルタ特性を有している。Embodiment 1 FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a SAW filter according to Embodiment 1 of the present invention. This SAW filter 1
For example, the present invention is applied to a high-frequency circuit provided in a mobile communication terminal such as a mobile phone that can be used in two different mobile communication systems including a first mobile communication system and a second mobile communication system. Therefore, the SAW filter 1 has a filter characteristic including a first pass frequency band Δf1 and a second pass frequency band Δf2 different from the first pass frequency band Δf1 in order to support the first and second mobile communication systems. are doing.
【００１４】第１および第２移動通信システムは、互い
に異なる周波数帯を使用するものである。たとえば、第
１移動通信システムはＧＳＭ(Global System for Mobil
e communication)であり、第２移動通信システムはＰＣ
Ｎ(Personal CommunicationNetwork)である。ＧＳＭお
よびＰＣＮは、それぞれ、送信周波数として890〜915(M
Hz)および1710〜1785(MHz)を使用する。また、ＧＳＭお
よびＰＣＮは、それぞれ、受信周波数として935〜960(M
Hz)および1805〜1880(MHz)を使用する。The first and second mobile communication systems use different frequency bands. For example, the first mobile communication system is GSM (Global System for Mobile).
e communication), and the second mobile communication system is a PC
N (Personal Communication Network). GSM and PCN have transmission frequencies of 890 to 915 (M
Hz) and 1710-1785 (MHz). In addition, GSM and PCN respectively use 935 to 960 (M
Hz) and 1805-1880 (MHz).
【００１５】ＳＡＷフィルタ１を受信用フィルタとして
使用する場合、たとえば、第１通過周波数帯Δｆ１は18
05〜1880(MHz)であり、第２通過周波数帯Δｆ２は935〜
960(MHz)である。また、ＳＡＷフィルタ１を送信用フィ
ルタとして使用する場合には、たとえば、第１通過周波
数帯Δｆ１は1710〜1785(MHz)であり、第２通過周波数
帯Δｆ２は890〜915(MHz)である。When the SAW filter 1 is used as a receiving filter, for example, the first pass frequency band Δf1 is 18
05 to 1880 (MHz), and the second pass frequency band Δf2 is 935 to
960 (MHz). When the SAW filter 1 is used as a transmission filter, for example, the first pass frequency band Δf1 is 1710 to 1785 (MHz), and the second pass frequency band Δf2 is 890 to 915 (MHz).
【００１６】ＳＡＷフィルタ１は、パッケージ２および
パッケージ２に封止されたＳＡＷフィルタ素子１０を含
む。パッケージ２は、樹脂などで構成され、内部空間３
を有する。ＳＡＷフィルタ素子１０は、同一の圧電基板
１１上に２つのフィルタ部２０、３０を形成した構成と
なっており、パッケージ２の内部空間３に実装される。The SAW filter 1 includes a package 2 and a SAW filter element 10 sealed in the package 2. The package 2 is made of resin or the like, and has an internal space 3.
Having. The SAW filter element 10 has a configuration in which two filter units 20 and 30 are formed on the same piezoelectric substrate 11, and is mounted in the internal space 3 of the package 2.
【００１７】より具体的には、パッケージ２は、内部空
間３を有する基部４と、内部空間３を封止する蓋部５と
を有する。内部空間３の底面であって基部４の内底面４
ａには、電極６が設けられている。電極６は、基部４の
外底面４ｂに設けられている電極７に導通されている。
電極６、７は、入力用電極、出力用電極およびアース電
極を含む。More specifically, the package 2 has a base 4 having an internal space 3 and a lid 5 for sealing the internal space 3. The bottom surface of the inner space 3 and the inner bottom surface 4 of the base 4
a is provided with an electrode 6. The electrode 6 is electrically connected to the electrode 7 provided on the outer bottom surface 4b of the base 4.
The electrodes 6, 7 include an input electrode, an output electrode, and a ground electrode.
【００１８】ＳＡＷフィルタ素子１０は、パッケージ２
に設けられている電極６に導通された状態で内部空間３
のほぼ中央に実装される。より具体的には、ＳＡＷフィ
ルタ素子１０は、いわゆるフリップチップ方式によりパ
ッケージ２に実装される。さらに具体的には、ＳＡＷフ
ィルタ素子１０は、圧電基板１１の表面１１ａを有す
る。表面１１ａの所定位置には、電極パッド１２が設け
られている。電極パッド１２には、金属バンプ１３が取
り付けられている。ＳＡＷフィルタ素子１０は、表面１
１ａを下向きにした状態で金属バンプ１３を電極７に接
着させることによりパッケージ２に実装される。The SAW filter element 10 includes a package 2
The internal space 3 is electrically connected to the electrode 6 provided in the internal space 3.
It is implemented almost in the center. More specifically, the SAW filter element 10 is mounted on the package 2 by a so-called flip-chip method. More specifically, SAW filter element 10 has surface 11 a of piezoelectric substrate 11. An electrode pad 12 is provided at a predetermined position on the front surface 11a. Metal bumps 13 are attached to the electrode pads 12. The SAW filter element 10 has a surface 1
The package is mounted on the package 2 by bonding the metal bumps 13 to the electrodes 7 with 1a facing downward.
【００１９】このように、ＳＡＷフィルタ素子１０をフ
リップチップ方式によりパッケージ２に実装することに
より、ワイヤを使ってＳＡＷフィルタ素子をパッケージ
に実装する場合に比べて、ＳＡＷフィルタ素子１０を実
装するのに必要な実装スペースを小さくできる。したが
って、パッケージ２のサイズを小型化できる。そのた
め、高周波回路のサイズを小さくできるから、移動通信
端末の小型化に寄与することができる。As described above, by mounting the SAW filter element 10 on the package 2 by the flip chip method, it is possible to mount the SAW filter element 10 in comparison with the case where the SAW filter element is mounted on the package using wires. The required mounting space can be reduced. Therefore, the size of the package 2 can be reduced. Therefore, the size of the high-frequency circuit can be reduced, which can contribute to downsizing of the mobile communication terminal.
【００２０】図２は、ＳＡＷフィルタ素子１０の構成を
示す平面図である。ＳＡＷフィルタ素子１０は、第１フ
ィルタ部２０および第２フィルタ部３０を有する。第１
および第２フィルタ部２０、３０は、いずれも２ポート
型共振子である。第１フィルタ部２０は、第１通過周波
数帯Δｆ１を通過帯域とするものであり、第２フィルタ
部３０は、第２通過周波数帯Δｆ２を通過帯域とするも
のである。FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the SAW filter element 10. The SAW filter element 10 has a first filter section 20 and a second filter section 30. First
Each of the second filter sections 20 and 30 is a two-port resonator. The first filter section 20 has a first pass frequency band Δf1 as a pass band, and the second filter section 30 has a second pass frequency band Δf2 as a pass band.
【００２１】すなわち、第１フィルタ部２０は、入力端
子２１から入力された高周波信号のうち第１通過周波数
帯Δｆ１の高周波信号を抽出し、この抽出された高周波
信号を出力端子２２に出力する。また、第２フィルタ部
３０は、入力端子３１から入力された高周波信号のうち
第２通過周波数帯Δｆ２の高周波信号を抽出し、この抽
出された高周波信号を出力端子３２に出力する。すなわ
ち、第１および第２フィルタ部２０、３０は、抽出され
た高周波信号をＳＡＷフィルタ素子１０の出力信号とし
てそれぞれ別個に出力端子２２、３２に出力する。言い
換えれば、このＳＡＷフィルタ素子１０は、第１および
第２フィルタ部２０、３０により抽出された各高周波信
号を合成することなく別々に出力する。That is, the first filter section 20 extracts a high-frequency signal of the first pass frequency band Δf1 from the high-frequency signal input from the input terminal 21, and outputs the extracted high-frequency signal to the output terminal 22. In addition, the second filter unit 30 extracts a high-frequency signal in the second pass frequency band Δf2 from the high-frequency signal input from the input terminal 31, and outputs the extracted high-frequency signal to the output terminal 32. That is, the first and second filter units 20 and 30 separately output the extracted high-frequency signals to the output terminals 22 and 32 as output signals of the SAW filter element 10, respectively. In other words, the SAW filter element 10 separately outputs the high-frequency signals extracted by the first and second filter units 20 and 30 without combining them.
【００２２】さらに具体的には、第１フィルタ部２０
は、圧電基板１１の表面１１ａの一部である第１表面部
２３、第１表面部２３に形成された３つの第１ＩＤＴ
（interdigital transducer : すだれ状電極パターン）
２４および第１表面部２３に形成された第１反射器対２
５を含む構成となっている。第２フィルタ部３０は、圧
電基板１１の表面１１ａの一部であって上記第１表面部
２３とは異なる領域である第２表面部３３、第２表面部
３３に形成された３つの第２ＩＤＴ３４および第２表面
部３３に形成された第２反射器対３５を含む構成となっ
ている。More specifically, the first filter unit 20
Are a first surface portion 23 that is a part of the surface 11a of the piezoelectric substrate 11, and three first IDTs formed on the first surface portion 23.
(Interdigital transducer: interdigital transducer pattern)
24 and first reflector pair 2 formed on first surface portion 23
5 is included. The second filter unit 30 is a part of the surface 11 a of the piezoelectric substrate 11 and is a region different from the first surface unit 23, and three second IDTs 34 formed on the second surface unit 33. And a second reflector pair 35 formed on the second surface portion 33.
【００２３】圧電基板１１は、弾性表面波を伝播させる
ためのものである。第１ＩＤＴ２４は、１つの第１入力
ＩＤＴ２４ａおよび２つの第１出力ＩＤＴ２４ｂからな
る。第１入力ＩＤＴ２４ａは、入力端子２１に接続され
ており、入力端子２１から入力された入力高周波信号を
第１表面部２３を伝播する弾性表面波に変換する。第１
出力ＩＤＴ２４ｂは、出力端子２２に接続されており、
第１表面部２３を伝播する弾性表面波を出力高周波信号
に変換し、この出力高周波信号を出力端子２２に出力す
る。The piezoelectric substrate 11 is for transmitting a surface acoustic wave. The first IDT 24 includes one first input IDT 24a and two first output IDTs 24b. The first input IDT 24 a is connected to the input terminal 21 and converts an input high-frequency signal input from the input terminal 21 into a surface acoustic wave propagating through the first surface portion 23. First
The output IDT 24b is connected to the output terminal 22,
The surface acoustic wave propagating through the first surface portion 23 is converted into an output high-frequency signal, and the output high-frequency signal is output to the output terminal 22.
【００２４】第２ＩＤＴ３４は、１つの第２入力ＩＤＴ
３４ａおよび２つの第２出力ＩＤＴ３４ｂからなる。第
２入力ＩＤＴ３４ａは、入力端子３１に接続されてお
り、入力端子３１から入力された入力高周波信号を第２
表面部３３を伝播する弾性表面波に変換する。第２出力
ＩＤＴ３４ｂは、出力端子３２に接続されており、第２
表面部３３を伝播する弾性表面波を出力高周波信号に変
換し、この出力高周波信号を出力端子３２に出力する。
第１および第２反射器対２５、３５は、不要弾性表面波
の外部漏洩を防ぐために、発生された弾性表面波をフィ
ルタ部２０、３０内に向かって反射するものである。The second IDT 34 has one second input IDT.
34a and two second output IDTs 34b. The second input IDT 34a is connected to the input terminal 31, and converts the input high-frequency signal input from the input terminal 31 to the second input IDT 34a.
It is converted into a surface acoustic wave propagating on the surface portion 33. The second output IDT 34b is connected to the output terminal 32,
The surface acoustic wave propagating on the surface portion 33 is converted into an output high-frequency signal, and the output high-frequency signal is output to the output terminal 32.
The first and second reflector pairs 25 and 35 reflect generated surface acoustic waves toward the inside of the filter units 20 and 30 in order to prevent external leakage of unnecessary surface acoustic waves.
【００２５】各ＩＤＴ２４、３４および反射器対２５、
３５は、いずれも同一組成の導電膜で構成されている。
たとえば各ＩＤＴ２４、３４および反射器対２５、３５
は、アルミニウムから構成されている。Each IDT 24, 34 and reflector pair 25,
Each of the reference numerals 35 is formed of a conductive film having the same composition.
For example, each IDT 24, 34 and reflector pair 25, 35
Is made of aluminum.
【００２６】なお、この実施の形態１では、第１入力Ｉ
ＤＴ２４ａおよび第１出力ＩＤＴ２４ｂがそれぞれ第１
入力電極膜および第１出力電極膜に相当し、第２入力Ｉ
ＤＴ３４ａおよび第２出力ＩＤＴ３４ｂがそれぞれ第２
入力電極膜および第２出力電極膜に相当する。In the first embodiment, the first input I
DT 24a and first output IDT 24b are the first
The second input I corresponds to the input electrode film and the first output electrode film.
DT34a and the second output IDT34b are the second
It corresponds to the input electrode film and the second output electrode film.
【００２７】第１および第２ＩＤＴ２４、３４は、いず
れも複数の電極指を有する。第１および第２ＩＤＴ２
４、３４は、配列方向Ａに沿って所定間隔離れた圧電基
板１１上の位置に形成されている。上述のように、第１
および第２ＩＤＴ２４、３４は、それぞれ、第１通過周
波数帯Δｆ１および第２通過周波数帯Δｆ２に対応す
る。Each of the first and second IDTs 24 and 34 has a plurality of electrode fingers. First and second IDT2
The reference numerals 4 and 34 are formed at positions on the piezoelectric substrate 11 separated by a predetermined distance in the arrangement direction A. As mentioned above, the first
And the second IDTs 24 and 34 correspond to the first pass frequency band Δf1 and the second pass frequency band Δf2, respectively.
【００２８】第１および第２反射器対２５、３５は、そ
れぞれ、第１および第２ＩＤＴ２４、３４の両側に配置
されている。より具体的には、第１反射器対２５は、圧
電基板１１上の第１ＩＤＴ２４の配列方向Ａに沿った両
側に形成されている。第２反射器対３５は、圧電基板１
１上の第２ＩＤＴ３４の配列方向Ａに沿った両側に形成
されている。The first and second reflector pairs 25 and 35 are disposed on both sides of the first and second IDTs 24 and 34, respectively. More specifically, the first reflector pair 25 is formed on both sides of the first IDT 24 on the piezoelectric substrate 11 along the arrangement direction A. The second reflector pair 35 includes the piezoelectric substrate 1
It is formed on both sides along the arrangement direction A of the second IDT 34 above the first IDT 34.
【００２９】図３は、図２のIII-III断面図である。上
述のように、ＳＡＷフィルタ素子１０は、第１フィルタ
部２０および第２フィルタ部３０を有している。第１フ
ィルタ部２０を構成する第１ＩＤＴ２４および第１反射
器対２５は、所定の第１膜厚ｈ１（たとえばｈ１＝0.2
μｍ）を有する。また、第２フィルタ部３０を構成する
第２ＩＤＴ３４および第２反射器対３５は、所定の第２
膜厚ｈ２（たとえばｈ２＝0.4μｍ）を有する。以下で
は、便宜上、第１ＩＤＴ２４および第１反射器対２５の
第１膜厚ｈ１を第１フィルタ部２０の第１膜厚ｈ１と呼
び、第２ＩＤＴ３４および第２反射器対３５の第２膜厚
ｈ２を第２フィルタ部３０の第２膜厚ｈ２と呼ぶ。FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III of FIG. As described above, the SAW filter element 10 has the first filter unit 20 and the second filter unit 30. The first IDT 24 and the first reflector pair 25 that constitute the first filter unit 20 have a predetermined first film thickness h1 (for example, h1 = 0.2
μm). In addition, the second IDT 34 and the second reflector pair 35 constituting the second filter unit 30
It has a thickness h2 (for example, h2 = 0.4 μm). Hereinafter, for convenience, the first thickness h1 of the first IDT 24 and the first reflector pair 25 is referred to as the first thickness h1 of the first filter unit 20, and the second thickness h2 of the second IDT 34 and the second reflector pair 35. Is referred to as a second film thickness h2 of the second filter section 30.
【００３０】第１フィルタ部２０の第１膜厚ｈ１と第２
フィルタ部３０の第２膜厚ｈ２とは、互いに異なる値に
設定されている（ｈ１≠ｈ２）。より具体的には、第１
フィルタ部２０の第１膜厚ｈ１よりも第２フィルタ部３
０の第２膜厚ｈ２の方が厚くなるように（ｈ１＜ｈ
２）、各フィルタ部２０、３０の膜厚が設定されてい
る。すなわち、高周波帯に対応する第１フィルタ部２０
の第１膜厚ｈ１を低周波帯に対応する第２フィルタ部３
０の第２膜厚ｈ２よりも薄くしている。The first film thickness h1 of the first filter section 20 and the second
The second film thickness h2 of the filter section 30 is set to a value different from each other (h1 ≠ h2). More specifically, the first
The second filter portion 3 is larger than the first thickness h1 of the filter portion 20.
0 so that the second film thickness h2 is larger (h1 <h
2) The film thickness of each of the filter sections 20 and 30 is set. That is, the first filter unit 20 corresponding to the high frequency band
The first filter thickness 3 corresponding to the low frequency band
0 is smaller than the second film thickness h2.
【００３１】このように、２つのフィルタ部２０、３０
の第１膜厚ｈ１、ｈ２を異ならせることで、フィルタ設
計の自由度を格段に向上できる。すなわち、２つのフィ
ルタ部２０、３０の第１膜厚ｈ１、ｈ２を異ならせるこ
とにより、２つのフィルタ部２０、３０を同一の膜厚で
形成する場合に比べて、高周波信号の減衰量の設定を容
易に行えるからである。As described above, the two filter units 20, 30
By making the first film thicknesses h1 and h2 different from each other, the degree of freedom in filter design can be remarkably improved. That is, by setting the first film thicknesses h1 and h2 of the two filter portions 20 and 30 to be different from each other, it is possible to set the attenuation amount of the high-frequency signal as compared with the case where the two filter portions 20 and 30 are formed with the same film thickness. Can be easily performed.
【００３２】さらに具体的には、フィルタ部における減
衰量は、フィルタ部の膜厚、圧電基板の材料など複数の
要素にわたる。しかし、どれか一つの要素でも自由がき
かないということになると、設計の自由度の幅が狭くな
る。これに対して、すべての要素を自由に変更できれ
ば、設計の自由度の幅も広くなる。減衰量の調整に関す
る要求は、従来の技術の項でも説明したように、ユーザ
により多岐にわたる。そのため、フィルタ部２０、３０
の膜厚を異ならせれば、ユーザの要求に応じたフィルタ
設計を自由に行うことができる。More specifically, the amount of attenuation in the filter section covers a plurality of factors such as the thickness of the filter section and the material of the piezoelectric substrate. However, if there is no freedom in any one element, the degree of freedom in design is reduced. On the other hand, if all the elements can be freely changed, the degree of freedom in design will be widened. As described in the section of the related art, the requirements for adjusting the amount of attenuation vary depending on the user. Therefore, the filter units 20 and 30
If the film thicknesses are different, the filter can be freely designed according to the user's requirements.
【００３３】また、上述の例でも示したように、異なる
移動通信システムが使用する周波数帯は大きく離れた範
囲に設定されている場合がある。たとえば、一方の周波
数帯よりも倍以上高い周波数帯を通過帯域とする場合も
ある。高周波帯域の高周波信号を抽出するためには、Ｉ
ＤＴの各電極指のピッチを狭くする必要がある。Further, as shown in the above example, the frequency bands used by different mobile communication systems may be set in widely separated ranges. For example, a frequency band that is at least twice as high as one frequency band may be used as the pass band. In order to extract a high frequency signal in a high frequency band, I
It is necessary to narrow the pitch of each electrode finger of the DT.
【００３４】この場合、電極指そのものの幅も狭くな
る。したがって、狭い幅の電極指の膜厚としては、厚く
するよりも薄くした方が電極指の形成が容易である。す
なわち、フィルタ部としての生産性を考慮すれば、相対
的に高周波帯域に対応するフィルタ部の膜厚を相対的に
低周波帯域に対応するフィルタ部の膜厚よりも薄くする
必要がある。In this case, the width of the electrode finger itself also becomes narrow. Therefore, it is easier to form an electrode finger with a thinner electrode finger than with a thick electrode finger. That is, in consideration of the productivity of the filter unit, the film thickness of the filter unit corresponding to a relatively high frequency band needs to be smaller than the film thickness of the filter unit corresponding to a relatively low frequency band.
【００３５】しかも、異なる移動通信システムにそれぞ
れ対応する第１および第２フィルタ部２０、３０が形成
された１つのＳＡＷフィルタ素子１０を１つのパッケー
ジ２に実装しているから、異なる移動通信システムにそ
れぞれ対応する別個のＳＡＷフィルタ素子を１つのパッ
ケージ２に実装する場合に比べて、小型化を図ることが
できる。そのうえ、フリップチップ方式でＳＡＷフィル
タ素子１０をパッケージ２に実装しているから、ワイヤ
など面倒な作業を行う場合に比べて、実装工程の簡略化
を図ることができる。Moreover, since one SAW filter element 10 having the first and second filter sections 20 and 30 respectively corresponding to different mobile communication systems is mounted in one package 2, different mobile communication systems can be used. The size can be reduced as compared with the case where the corresponding separate SAW filter elements are mounted on one package 2. In addition, since the SAW filter element 10 is mounted on the package 2 by the flip chip method, the mounting process can be simplified as compared with a case where a complicated operation such as a wire is performed.
【００３６】実施の形態２ 図４は、この発明の実施の形態２に係るＳＡＷフィルタ
素子１０の製造方法を説明するための工程図である。こ
の実施の形態２では、上記実施の形態１に係るＳＡＷフ
ィルタ素子１０を製造する方法を説明する。このＳＡＷ
フィルタ素子の製造は、フィルタ製造装置により自動的
に行われる。Second Embodiment FIG. 4 is a process chart for explaining a method of manufacturing a SAW filter element 10 according to a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, a method for manufacturing the SAW filter element 10 according to the first embodiment will be described. This SAW
The manufacture of the filter element is performed automatically by a filter manufacturing apparatus.
【００３７】フィルタ製造装置は、第１フィルタ部２０
の第１膜厚ｈ１に等しい厚さの導電膜である第１金属膜
（たとえばアルミニウム膜）４０を圧電基板１１の表面
１１ａ全体に生成する（図４(a)）。次いで、フィルタ
製造装置は、第１フィルタ部２０を作成する（図４
(b)）。より具体的には、フィルタ製造装置は、成膜さ
れた第１金属膜４０のうち所定範囲をエッチングするこ
とにより第１フィルタ部２０を作成する。所定範囲は、
第１金属膜４０の表面のうち第１フィルタ部２０が形成
される側の半分に相当する。この場合、第１ＩＤＴ２４
および第１反射器対２５の形状に応じた部分が残るよう
にエッチングする。また、第２フィルタ部３０を形成す
べき範囲、すなわち上記所定範囲以外の範囲に関しては
第１金属膜４０がそのまま残る。こうすることにより、
第１膜厚ｈ１の第１フィルタ部２０を作成することがで
きる。The filter manufacturing apparatus includes a first filter unit 20
A first metal film (for example, an aluminum film) 40, which is a conductive film having a thickness equal to the first film thickness h1, is formed on the entire surface 11a of the piezoelectric substrate 11 (FIG. 4A). Next, the filter manufacturing apparatus creates the first filter unit 20 (FIG. 4).
(b)). More specifically, the filter manufacturing apparatus creates the first filter unit 20 by etching a predetermined range of the formed first metal film 40. The predetermined range is
This corresponds to half of the surface of the first metal film 40 on the side where the first filter unit 20 is formed. In this case, the first IDT 24
Etching is performed so that a portion corresponding to the shape of the first reflector pair 25 remains. Further, the first metal film 40 remains as it is in a range where the second filter section 30 is to be formed, that is, in a range other than the above-described predetermined range. By doing this,
The first filter section 20 having the first thickness h1 can be formed.
【００３８】次に、フィルタ製造装置は、上記所定範囲
以外の第１金属膜４０上に金属膜４１を追加生成するこ
とにより、第２金属膜４２を形成する（図４(c)）。こ
の場合、新たに成膜される金属膜４１の膜厚は、第２フ
ィルタ部３０の第２膜厚ｈ２から第１フィルタ部２０の
第１膜厚ｈ１を差し引いた値（ｈ２−ｈ１）に等しい厚
さとする。その結果、第２金属膜４２の膜厚は、図４
(b)においてエッチング対象とならなかった第１金属膜
４０の第１膜厚ｈ１と合わせると、第２フィルタ部３０
の第２膜厚ｈ２に等しい値となる。Next, the filter manufacturing apparatus forms the second metal film 42 by additionally generating the metal film 41 on the first metal film 40 outside the above-mentioned predetermined range (FIG. 4C). In this case, the thickness of the newly formed metal film 41 is a value (h2-h1) obtained by subtracting the first thickness h1 of the first filter unit 20 from the second thickness h2 of the second filter unit 30. Equal thickness. As a result, the thickness of the second metal film 42 becomes
When combined with the first film thickness h1 of the first metal film 40 which was not to be etched in FIG.
Of the second film thickness h2.
【００３９】その後、フィルタ製造装置は、第２フィル
タ部３０を形成する（図４(d)）。より具体的には、フ
ィルタ製造装置は、第２金属膜４２のうち第２ＩＤＴ３
４および第２反射器対３５の形状に応じた部分が残るよ
うに他の部分をエッチングにより除去する。こうするこ
とにより、第２膜厚ｈ２の第２フィルタ部３０を作成す
ることができる。Thereafter, the filter manufacturing apparatus forms the second filter section 30 (FIG. 4D). More specifically, the filter manufacturing apparatus includes a second IDT 3 of the second metal film 42.
Other portions are removed by etching so that portions corresponding to the shapes of the fourth and second reflector pairs 35 remain. In this manner, the second filter section 30 having the second thickness h2 can be formed.
【００４０】以上のようにこの実施の形態２によれば、
薄い金属膜を２回に分けて成膜することにより第２フィ
ルタ部３０を作成している。したがって、第２フィルタ
部３０を作成するのに元々厚い金属膜を１回成膜する場
合に比べて、金属膜の成膜時間を短縮できる。通常、薄
い金属膜を２回成膜する方が厚い金属膜を１回成膜する
よりも時間が短くて済む。そのため、ＳＡＷフィルタ素
子１０の製造時間を全体として短縮することができる。As described above, according to the second embodiment,
The second filter unit 30 is formed by forming a thin metal film in two steps. Therefore, the time for forming the metal film can be reduced as compared with the case where the originally thick metal film is formed once to form the second filter unit 30. In general, forming a thin metal film twice requires less time than forming a thick metal film once. Therefore, the manufacturing time of the SAW filter element 10 can be shortened as a whole.
【００４１】また、たとえばエッチングとしていわゆる
ドライエッチングを適用する場合、第２フィルタ部３０
を作成する際にエッチングを１回しか行わないので、オ
ーバーエッチングによる圧電基板１１へのダメージを軽
減することができる。すなわち、第１膜厚ｈ１の第１金
属膜４０を成膜した際に（図４(b)）第１フィルタ部２
０とともに第２フィルタ部３０もエッチングして作成す
ることとすれば、２回目の追加金属膜４１を成膜した後
にもう１回エッチングすることとなるために、オーバー
エッチングにより圧電基板１１に対して相対的に大きな
ダメージを与えるからである。For example, when so-called dry etching is applied as the etching, the second filter 30
Since the etching is performed only once when forming the substrate, damage to the piezoelectric substrate 11 due to over-etching can be reduced. That is, when the first metal film 40 having the first thickness h1 is formed (FIG. 4B), the first filter unit 2
If the second filter unit 30 is also formed by etching together with 0, the second additional metal film 41 is formed and then another etching is performed. This is because it causes relatively large damage.
【００４２】実施の形態３ 図５は、この発明の実施の形態３に係るＳＡＷフィルタ
素子１０の構成を示す平面図である。図５において図２
と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。Third Embodiment FIG. 5 is a plan view showing a configuration of a SAW filter element 10 according to a third embodiment of the present invention. In FIG. 5, FIG.
The same reference numerals are used for the same functional parts as described above.
【００４３】上記実施の形態１では、第１フィルタ部２
０および第２フィルタ部３０をいずれも２ポート型共振
子で構成する場合を例にとって説明している。これに対
して、この実施の形態２では、第１フィルタ部２０を１
ポート型共振子と２ポート型共振子との組み合わせで構
成し、第２フィルタ部３０を２つの２ポート型共振子で
構成する場合を例にとっている。In the first embodiment, the first filter unit 2
The case where both the 0 and the second filter unit 30 are formed of a two-port resonator is described as an example. On the other hand, in the second embodiment, the first filter unit 20 is set to 1
An example is given in which the second filter unit 30 is configured by a combination of a port-type resonator and a two-port type resonator, and the second filter unit 30 is configured by two two-port-type resonators.
【００４４】より詳述すれば、この実施の形態３に係る
第１フィルタ部２０は、圧電基板１１の表面１１ａの一
部である第１表面部５０と１ポート型共振子５１と２ポ
ート型共振子５２とを備え、１ポート型共振子５１と２
ポート型共振子５２とを直列接続した構成となってい
る。第２フィルタ部３０は、圧電基板１１の表面１１ａ
の一部であって第１表面部５０とは異なる領域である第
２表面部６０と２つの２ポート型共振子６１、６２とを
備え、２つの２ポート型共振子６１、６２は縦続接続さ
れている。More specifically, the first filter portion 20 according to the third embodiment includes a first surface portion 50 that is a part of the surface 11a of the piezoelectric substrate 11, a one-port resonator 51, and a two-port resonator 51. A one-port resonator 51 and 2
The configuration is such that the port-type resonator 52 is connected in series. The second filter unit 30 includes a surface 11 a of the piezoelectric substrate 11.
And a two-port type resonator 61, 62 that is a part of the first surface portion 50 and is different from the first surface portion 50. The two two-port type resonators 61, 62 are cascaded. Have been.
【００４５】第１フィルタ部２０についてさらに詳述す
れば、１ポート型共振子５１は、第１表面部５０の一部
である第３表面部５０ａと、第３表面部５０ａに形成さ
れた１つのＩＤＴ５３と、このＩＤＴ５３を両側から挟
むように配置された反射器対５４とを含む構成となって
いる。The first filter section 20 will be described in more detail. The one-port resonator 51 includes a third surface section 50a which is a part of the first surface section 50, and a first surface section 50a formed on the third surface section 50a. The configuration includes one IDT 53 and a pair of reflectors 54 arranged to sandwich the IDT 53 from both sides.
【００４６】ＩＤＴ５３は、入力ＩＤＴ５３ａと出力Ｉ
ＤＴ５３ｂとを有している。入力ＩＤＴ５３ａは、この
ＳＡＷフィルタ素子１０の入力端子５５に接続されてい
る。出力ＩＤＴ５３ｂは、２ポート型共振子５２の入力
ＩＤＴ５６に接続されている。入力端子５５から入力さ
れた高周波信号は、入力ＩＤＴ５３ａにおいて弾性表面
波に変換される。弾性表面波は、第３表面部５０ａを伝
播し、出力ＩＤＴ５３ｂにおいて高周波信号に変換され
る。出力ＩＤＴ５３ｂは、高周波信号を２ポート型共振
子５２に出力する。The IDT 53 has an input IDT 53a and an output I
DT53b. The input IDT 53a is connected to the input terminal 55 of the SAW filter element 10. The output IDT 53b is connected to the input IDT 56 of the two-port resonator 52. The high-frequency signal input from the input terminal 55 is converted into a surface acoustic wave in the input IDT 53a. The surface acoustic wave propagates through the third surface portion 50a and is converted into a high-frequency signal at the output IDT 53b. The output IDT 53b outputs a high-frequency signal to the two-port resonator 52.
【００４７】２ポート型共振子５２は、第１表面部５０
の一部であって第３表面部５０ａとは異なる領域である
第４表面部５０ｂと、第４表面部５０ｂに配列方向Ａに
沿って配列された２つの入力ＩＤＴ５６および１つの出
力ＩＤＴ５７と、３つのＩＤＴ５６、５７を両側から挟
むように配置された反射器対５８とを含む構成となって
いる。The two-port resonator 52 includes a first surface 50
A fourth surface portion 50b which is a region different from the third surface portion 50a, and two input IDTs 56 and one output IDT 57 arranged along the arrangement direction A on the fourth surface portion 50b; A reflector pair 58 is arranged so as to sandwich the three IDTs 56 and 57 from both sides.
【００４８】入力ＩＤＴ５６は、１ポート型共振子５１
の出力ＩＤＴ５３ｂに接続されており、１ポート型共振
子５１から出力された高周波信号が入力される。入力Ｉ
ＤＴ５６は、この入力された高周波信号を弾性表面波に
変換する。この弾性表面波は、第４表面部５０ｂを伝播
し、出力ＩＤＴ５７において高周波信号に変換される。
この場合、出力ＩＤＴ５７において変換された高周波信
号は、第１周波数帯域Δｆ１の高周波信号である。出力
ＩＤＴ５７は、このＳＡＷフィルタ素子１０の出力端子
５９に接続されている。出力ＩＤＴ５７は、第１周波数
帯域Δｆ１の高周波信号を出力端子５９に出力する。The input IDT 56 is a one-port resonator 51
And the high-frequency signal output from the one-port resonator 51 is input. Input I
The DT 56 converts the input high-frequency signal into a surface acoustic wave. This surface acoustic wave propagates through the fourth surface portion 50b and is converted into a high-frequency signal at the output IDT 57.
In this case, the high-frequency signal converted by the output IDT 57 is a high-frequency signal of the first frequency band Δf1. The output IDT 57 is connected to the output terminal 59 of the SAW filter element 10. The output IDT 57 outputs a high-frequency signal of the first frequency band Δf1 to the output terminal 59.
【００４９】なお、この実施の形態３では、ＩＤＴ５３
が第１入力電極膜に相当し、出力ＩＤＴ５７が第１出力
電極膜に相当する。In the third embodiment, the IDT 53
Corresponds to the first input electrode film, and the output IDT 57 corresponds to the first output electrode film.
【００５０】次に、第２フィルタ部３０についてさらに
詳述する。２ポート型共振子６１は、第２表面部６０の
一部である第５表面部６０ａと、第５表面部６０ａに配
列方向Ａに沿って配列された１つの入力ＩＤＴ６３およ
び２つの出力ＩＤＴ６４と、３つのＩＤＴ６３、６４を
両側から挟むように配置された反射器対６５とを含む構
成となっている。Next, the second filter section 30 will be described in more detail. The two-port resonator 61 includes a fifth surface portion 60a which is a part of the second surface portion 60, one input IDT 63 and two output IDTs 64 arranged along the arrangement direction A on the fifth surface portion 60a. And a reflector pair 65 arranged so as to sandwich the three IDTs 63 and 64 from both sides.
【００５１】入力ＩＤＴ６３は、このＳＡＷフィルタ素
子１０の入力端子６６に接続されている。入力端子６６
から入力された高周波信号は、入力ＩＤＴ６３において
弾性表面波に変換される。弾性表面波は、第５表面部６
０ａを伝播し、出力ＩＤＴ６４において高周波信号に変
換される。出力ＩＤＴ６４は、この高周波信号を２ポー
ト型共振子６２の入力ＩＤＴ６８に出力する。The input IDT 63 is connected to the input terminal 66 of the SAW filter element 10. Input terminal 66
Is converted into a surface acoustic wave in the input IDT 63. The surface acoustic wave is applied to the fifth surface portion 6.
0a, and is converted into a high-frequency signal at the output IDT64. The output IDT 64 outputs this high-frequency signal to the input IDT 68 of the two-port resonator 62.
【００５２】２ポート型共振子６２は、第２表面部６０
の一部であって第５表面部６０ａとは異なる領域である
第６表面部６０ｂと、第６表面部６０ｂに配列方向Ａに
沿って配列された２つの入力ＩＤＴ６７および１つの出
力ＩＤＴ６８と、３つのＩＤＴ６７、６８を両側から挟
むように配置された反射器対６９とを含む構成となって
いる。The two-port resonator 62 includes a second surface 60
A sixth surface portion 60b that is a part of the second surface portion 60a and a region different from the fifth surface portion 60a, two input IDTs 67 and one output IDT 68 arranged along the arrangement direction A on the sixth surface portion 60b, A reflector pair 69 is arranged so as to sandwich the three IDTs 67 and 68 from both sides.
【００５３】入力ＩＤＴ６７は、２ポート型共振子６１
の出力ＩＤＴ６４から高周波信号が与えられるようにな
っている。入力ＩＤＴ６７は、この高周波信号を弾性表
面波に変換する。この弾性表面波は、第６表面部６０ｂ
を伝播し、出力ＩＤＴ６８において高周波信号に変換さ
れる。出力ＩＤＴ６８は、このＳＡＷフィルタ素子１０
の出力端子７０に接続されている。出力ＩＤＴ６８は、
上記高周波信号を出力端子７０に出力する。The input IDT 67 is a two-port resonator 61
The output IDT 64 supplies a high frequency signal. The input IDT 67 converts this high-frequency signal into a surface acoustic wave. This surface acoustic wave is applied to the sixth surface portion 60b.
And converted into a high-frequency signal at the output IDT 68. The output IDT 68 is connected to the SAW filter element 10.
Are connected to the output terminal 70. The output IDT 68 is
The high frequency signal is output to the output terminal 70.
【００５４】なお、この実施の形態３においては、入力
ＩＤＴ６３が第２入力電極膜に相当し、出力ＩＤＴ６８
が第２出力電極膜に相当する。In the third embodiment, the input IDT 63 corresponds to the second input electrode film, and the output IDT 68
Corresponds to the second output electrode film.
【００５５】このような構成のＳＡＷフィルタ素子１０
においても、第１フィルタ部２０および第２フィルタ部
３０の第１膜厚ｈ１、ｈ２は、互いに異なるように設定
されている。したがって、上記実施の形態１と同様に、
設計の自由度が広がるともに、異なる移動通信システム
に対しても良好に対応することができる。The SAW filter element 10 having such a configuration
Also, the first film thicknesses h1 and h2 of the first filter unit 20 and the second filter unit 30 are set to be different from each other. Therefore, as in the first embodiment,
The degree of freedom in design is expanded, and it is possible to cope well with different mobile communication systems.
【００５６】他の実施の形態 この発明の実施の形態の説明は以上のとおりであるが、
この発明は上述の実施の形態に限定されるものではな
い。たとえば、上記実施の形態では、この発明を２つの
異なる移動通信システムに適用する場合を例にとってい
る。しかし、この発明は、たとえば同一の移動通信シス
テムにおいて２つの周波数帯の高周波信号を抽出する場
合に対しても容易に適用することができる。Other Embodiments Embodiments of the present invention have been described above.
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, a case where the present invention is applied to two different mobile communication systems is taken as an example. However, the present invention can be easily applied to, for example, a case where high-frequency signals of two frequency bands are extracted in the same mobile communication system.
【００５７】また、上記実施の形態では、２つの異なる
周波数帯の高周波信号を抽出するために２つのフィルタ
部を有する場合を例にとっている。しかし、この発明
は、たとえば３以上の異なる周波数帯の高周波信号を抽
出する場合にも容易に適用可能である。この場合、３以
上の周波数帯に対応する各フィルタ部の膜厚をすべて異
ならせたり、膜厚の異なる複数のグループに分けたりす
ることが考えられる。In the above-described embodiment, an example is shown in which two filter units are provided to extract high-frequency signals in two different frequency bands. However, the present invention is easily applicable to, for example, extracting high-frequency signals in three or more different frequency bands. In this case, it is conceivable that the thicknesses of the filter portions corresponding to three or more frequency bands are all different from each other, or divided into a plurality of groups having different thicknesses.
【００５８】さらに、上記実施の形態のようなフィルタ
部の構成の他に、ＩＤＴを４以上配列したり、１ポート
型共振子の直列接続を並列接続にしたりするなど、種々
の構成を考えることができる。この場合であっても、複
数種類の周波数帯を各々通過帯域とする複数のフィルタ
部の膜厚を異ならせさえすれば、上述と同様に、設計自
由度を広げることができるとの効果を得ることができ
る。Further, in addition to the configuration of the filter section as in the above-described embodiment, various configurations such as arranging four or more IDTs and connecting the serial connection of the one-port resonators in parallel are considered. Can be. Even in this case, as long as the film thicknesses of the plurality of filter sections each having a plurality of types of frequency bands as pass bands are made different, an effect is obtained that the degree of freedom in design can be increased in the same manner as described above. be able to.
【００５９】さらにまた、上記実施の形態２では、実施
の形態１に係るＳＡＷフィルタ素子１０の製造方法につ
いて説明している。しかし、上記実施の形態２に係る製
造方法は、たとえば、特開平１０−１４５１７２号公報
に開示されたＳＡＷフィルタ素子に対しても容易に適用
可能である。要は、１つの圧電基板１１の表面１１ａ上
に膜厚の異なる２つのフィルタ部を形成するＳＡＷフィ
ルタ素子であれば、実施の形態２に係る製造方法を容易
に適用できる。Further, in the second embodiment, the method of manufacturing the SAW filter element 10 according to the first embodiment has been described. However, the manufacturing method according to the second embodiment can be easily applied to, for example, a SAW filter element disclosed in JP-A-10-145172. In short, the manufacturing method according to the second embodiment can be easily applied to a SAW filter element in which two filter portions having different film thicknesses are formed on the surface 11a of one piezoelectric substrate 11.
【００６０】さらに、上記実施の形態１では、第１およ
び第２フィルタ部２０、３０の入力端子２１、３１をそ
れぞれ別個のものとしている。しかし、たとえば第１お
よび第２フィルタ部２０、３０の入力端子２１、３１を
共通のものとしてもよい。また、上記実施の形態３にお
いても同様に、入力端子５５、６６を共通のものとして
もよい。この場合、入力端子の数が減るから、金属バン
プ１３の取付作業などを含む実装作業の簡略化を図るこ
とができる。Further, in the first embodiment, the input terminals 21 and 31 of the first and second filter sections 20 and 30 are separate from each other. However, for example, the input terminals 21 and 31 of the first and second filter units 20 and 30 may be common. Similarly, in the third embodiment, the input terminals 55 and 66 may be common. In this case, since the number of input terminals is reduced, the mounting operation including the mounting operation of the metal bumps 13 can be simplified.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、第１お
よび第２の異なる周波数帯の高周波信号をそれぞれ別個
の出力信号として外部に出力する第１および第２フィル
タ部の各電極膜の膜厚を異ならせているから、フィルタ
を設計する際の自由度を格段に広げることができる。し
たがって、要求を満足する弾性表面波フィルタ素子を提
供することができる。しかも、同一の圧電基板上に複数
のフィルタ部を形成しているから、複数の弾性表面波フ
ィルタ素子で異なる周波数帯の高周波信号を抽出する場
合に比べて、小型化を図ることができる。As described above, according to the present invention, each of the electrode films of the first and second filter portions for outputting the high-frequency signals of the first and second different frequency bands to the outside as separate output signals, respectively. Since the film thicknesses are made different, the degree of freedom in designing a filter can be greatly expanded. Therefore, a surface acoustic wave filter element that satisfies the requirements can be provided. In addition, since a plurality of filter portions are formed on the same piezoelectric substrate, the size can be reduced as compared with a case where a plurality of surface acoustic wave filter elements extract high frequency signals in different frequency bands.
【００６２】また、第１および第２フィルタ部を互いに
異なる移動通信システムで使用される周波数帯の高周波
信号を抽出するものとする場合には、弾性表面波フィル
タ素子の製品としての安定性を向上できる。そのため、
信頼性の向上された弾性表面波フィルタ素子を提供する
ことができる。そのうえ、異なる移動通信システムにそ
れぞれ対応する２つのフィルタ部を１つのパッケージに
実装する場合には、ワイヤを使って弾性表面波フィルタ
素子をパッケージに実装する場合に比べて、小型化を図
ることができるともに作業を簡単化することができる。In the case where the first and second filter units extract high frequency signals in a frequency band used in different mobile communication systems, the stability of the surface acoustic wave filter element as a product is improved. it can. for that reason,
A surface acoustic wave filter element with improved reliability can be provided. In addition, when two filter sections respectively corresponding to different mobile communication systems are mounted in one package, the size can be reduced as compared with the case where the surface acoustic wave filter element is mounted on the package using wires. Work can be simplified as well as possible.
【００６３】さらに、第１膜厚の第１導電膜を形成した
後第１フィルタ部のみを作成し、第１導電膜の上に導電
膜をさらに形成して第２膜厚の第２導電膜を形成した後
第２フィルタ部を作成する場合には、製造時間の短縮を
図ることができるとともに、ドライエッチングを用いる
場合に圧電基板へのダメージを軽減することができる。Further, after forming the first conductive film having the first thickness, only the first filter portion is formed, and the conductive film is further formed on the first conductive film to form the second conductive film having the second thickness. In the case where the second filter portion is formed after the formation, the manufacturing time can be shortened, and when dry etching is used, damage to the piezoelectric substrate can be reduced.
【図１】 この発明の実施の形態１に係るＳＡＷフィル
タの構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a SAW filter according to Embodiment 1 of the present invention.
【図２】 ＳＡＷフィルタ素子の構成を示す平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view illustrating a configuration of a SAW filter element.
【図３】 図２のIII-III断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III in FIG. 2;
【図４】 この発明の実施の形態２に係るＳＡＷフィル
タ素子の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 4 is a process chart illustrating a method for manufacturing a SAW filter element according to Embodiment 2 of the present invention.
【図５】 この発明の実施の形態３に係るＳＡＷフィル
タ素子の構成を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a configuration of a SAW filter element according to Embodiment 3 of the present invention.
１ ＳＡＷフィルタ、２ パッケージ、１０ ＳＡＷフ
ィルタ素子、１１ 圧電基板、２０ 第１フィルタ部、
２３ 第１表面部、２４第１ＩＤＴ、２５ 第１反射器
対、３０ 第２フィルタ部、３３ 第２表面部、３４
第２ＩＤＴ、３５ 第２反射器対、４０ 第１金属膜、
４１ 金属膜、４２ 第２金属膜、５０ 第１表面部、
５３ ＩＤＴ、５７ 出力ＩＤＴ、６０第２表面部、６
３ 入力ＩＤＴ、６８ 出力ＩＤＴ、ｈ１ 第１膜厚、
ｈ２ 第２膜厚。1 SAW filter, 2 package, 10 SAW filter element, 11 piezoelectric substrate, 20 first filter section,
23 first surface part, 24 first IDT, 25 first reflector pair, 30 second filter part, 33 second surface part, 34
Second IDT, 35 second reflector pair, 40 first metal film,
41 metal film, 42 second metal film, 50 first surface portion,
53 IDT, 57 output IDT, 60 second surface part, 6
3 input IDT, 68 output IDT, h1 first film thickness,
h2 Second film thickness.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 7/26 Ｈ０４Ｂ 7/26 Ｍ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H04B 7/26 H04B 7/26 M
Claims (3)
なる表面領域である第２表面部を有する圧電基板と、 上記第１表面部に形成された第１膜厚の第１入力電極膜
および第１出力電極膜を有し、上記第１入力電極膜に入
力された高周波信号を上記第１表面部を伝播する弾性表
面波に変換し、この弾性表面波を上記第１出力電極膜に
より高周波信号に変換することにより、第１周波数帯の
高周波信号を外部に出力する第１フィルタ部と、 上記第２表面部に形成された上記第１膜厚よりも厚い第
２膜厚の第２入力電極膜および第２出力電極膜を有し、
上記第２入力電極膜に入力された高周波信号を上記第２
表面部を伝播する弾性表面波に変換し、この弾性表面波
を上記第２出力電極膜により高周波信号に変換すること
により、上記第１周波数帯とは異なる第２周波数帯の高
周波信号を上記第１フィルタ部の出力とは別個に外部に
出力する第２フィルタ部とを含むことを特徴とする弾性
表面波フィルタ素子。A piezoelectric substrate having a first surface portion and a second surface portion which is a surface region different from the first surface portion; and a first input electrode having a first thickness and formed on the first surface portion. A high-frequency signal input to the first input electrode film into a surface acoustic wave propagating through the first surface portion, and converting the surface acoustic wave to the first output electrode film A first filter unit that outputs a high-frequency signal in a first frequency band to the outside by converting the high-frequency signal into a high-frequency signal, and a second filter having a second film thickness greater than the first film thickness formed on the second surface unit. A two-input electrode film and a second output electrode film,
The high-frequency signal input to the second input electrode film is converted to the second input electrode film.
By converting the surface acoustic wave into a high-frequency signal by the second output electrode film, a high-frequency signal in a second frequency band different from the first frequency band is converted into the high-frequency signal by the second output electrode film. A surface acoustic wave filter element comprising: a second filter unit that outputs the output to the outside separately from the output of the one filter unit.
は、第１移動通信システムにおいて使用される第１周波
数帯の高周波信号を抽出するものであり、 上記第２フィルタ部は、上記第１移動通信システムとは
異なる第２移動通信システムにおいて使用される第２周
波数帯の高周波信号を抽出するものであり、 上記第１フィルタ部および第２フィルタ部は、同一のパ
ッケージに実装されていることを特徴とする弾性表面波
フィルタ素子。2. The device according to claim 1, wherein the first filter unit extracts a high-frequency signal of a first frequency band used in a first mobile communication system, and wherein the second filter unit includes the first filter. It extracts a high-frequency signal in a second frequency band used in a second mobile communication system different from the mobile communication system, and the first filter unit and the second filter unit are mounted in the same package. A surface acoustic wave filter element.
膜を形成する工程と、 この第１導電膜のうち所定範囲をエッチングすることに
より、第１膜厚の電極膜を有する第１フィルタ部を作成
する工程と、 上記所定範囲以外の第１導電膜上に導電膜をさらに形成
することにより、上記第１膜厚よりも厚い第２膜厚の第
２導電膜を形成する工程と、 この第２導電膜をエッチングすることにより、第２膜厚
の電極膜を有する第２フィルタ部を作成する工程とを含
むことを特徴とする弾性表面波フィルタ素子の製造方
法。3. A step of forming a first conductive film having a first thickness on a surface of a piezoelectric substrate, and etching a predetermined range of the first conductive film to form an electrode film having a first thickness. Forming a first filter portion, and further forming a second conductive film on the first conductive film outside the predetermined range to form a second conductive film having a second thickness greater than the first thickness. A method for manufacturing a surface acoustic wave filter element, comprising: a step of forming a second filter portion having an electrode film having a second thickness by etching the second conductive film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26028599A JP2001085967A (en) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | Surface acoustic wave filter element and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26028599A JP2001085967A (en) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | Surface acoustic wave filter element and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085967A true JP2001085967A (en) | 2001-03-30 |
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ID=17345930
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP26028599A Pending JP2001085967A (en) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | Surface acoustic wave filter element and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085967A (en) |
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-
1999
- 1999-09-14 JP JP26028599A patent/JP2001085967A/en active Pending
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