JP2001085793A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高出力・基本モード発振し、信頼性の高い半
導体レーザ装置を得る。 【解決手段】 ＧａＮ基板11上にＧａ1-z1Ａｌz1Ｎ／Ｇ
ａＮ超格子クラッド層12、Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層1
3、Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ／ＧａＮ多重量子井戸活性層14、
Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層15、ｉ−Ｇａ
1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層16、Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超
格子クラッド層17、ＧａＮコンタクト層18、１００μｍ
程度のストライプの領域が除去された絶縁膜19、ｐ側電
極20、ｎ側電極21を形成してなる半導体レーザ24を励起
光源に用い、ＧａＮ基板31上にＧａＮ／ＡｌＮ超格子分
布反射膜32、ＧａＮ光閉じ込め層33、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ
／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ多重量子井戸活性層34、ＧａＮ光閉
じ込め層35、Ａｌz4Ｇａ1-z4Ｎ層36を積層し、ＺｒＯ2
無反射コート膜37を形成してなる面発光型半導体素子38
を励起し、共振器49により紫外〜緑色の波長帯の高出力
で基本横モードのレーザ発振48を得る。
導体レーザ装置を得る。 【解決手段】 ＧａＮ基板11上にＧａ1-z1Ａｌz1Ｎ／Ｇ
ａＮ超格子クラッド層12、Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層1
3、Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ／ＧａＮ多重量子井戸活性層14、
Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎキャリアブロッキング層15、ｉ−Ｇａ
1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層16、Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超
格子クラッド層17、ＧａＮコンタクト層18、１００μｍ
程度のストライプの領域が除去された絶縁膜19、ｐ側電
極20、ｎ側電極21を形成してなる半導体レーザ24を励起
光源に用い、ＧａＮ基板31上にＧａＮ／ＡｌＮ超格子分
布反射膜32、ＧａＮ光閉じ込め層33、Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ
／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ多重量子井戸活性層34、ＧａＮ光閉
じ込め層35、Ａｌz4Ｇａ1-z4Ｎ層36を積層し、ＺｒＯ2
無反射コート膜37を形成してなる面発光型半導体素子38
を励起し、共振器49により紫外〜緑色の波長帯の高出力
で基本横モードのレーザ発振48を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
に関し、特にＧａＮ系の半導体レーザ素子を励起光源に
用いた面発光型の半導体レーザ装置に関するものであ
る。
に関し、特にＧａＮ系の半導体レーザ素子を励起光源に
用いた面発光型の半導体レーザ装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、４１０ｎｍ帯の短波長半導体レー
ザ装置が、1998年発行のJpn.Appl.phys.Lett.,Vol.37.p
p.L1020において報告されている。この半導体レーザ装
置は、サファイヤ基板上にＧａＮを形成した後、ＳｉＯ
2をマスクとして、選択成長を利用してＧａＮを形成
し、サファイヤ基板を剥がした基板上に、ｎ−ＧａＮバ
ッファ層、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層、ＡｌＧａＮ
／ｎ−ＧａＮ変調ドープ超格子クラッド層、ｎ−ＧａＮ
光導波層、アンドープＩｎＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ多重
量子井戸活性層、ｐ−ＡｌＧａＮキャリアブロック層、
ｐ−ＧａＮ光導波層、ＡｌＧａＮ／ｐ−ＧａＮ変調ドー
プ超格子クラッド層、ｐ−ＧａＮコンタクト層を積層し
てなるものである。
ザ装置が、1998年発行のJpn.Appl.phys.Lett.,Vol.37.p
p.L1020において報告されている。この半導体レーザ装
置は、サファイヤ基板上にＧａＮを形成した後、ＳｉＯ
2をマスクとして、選択成長を利用してＧａＮを形成
し、サファイヤ基板を剥がした基板上に、ｎ−ＧａＮバ
ッファ層、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層、ＡｌＧａＮ
／ｎ−ＧａＮ変調ドープ超格子クラッド層、ｎ−ＧａＮ
光導波層、アンドープＩｎＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ多重
量子井戸活性層、ｐ−ＡｌＧａＮキャリアブロック層、
ｐ−ＧａＮ光導波層、ＡｌＧａＮ／ｐ−ＧａＮ変調ドー
プ超格子クラッド層、ｐ−ＧａＮコンタクト層を積層し
てなるものである。
【０００３】しかしながら、この半導体レーザ装置では
３０ｍＷ程度の横基本モード発振しか得られていない。
また、このようなな電流注入型の半導体レーザでは、ド
ーピング材であるＭｇ等の拡散と予想されるショートに
よる経時劣化を生じ長寿命化が困難であった。特に、緑
色より長波長の発振を得ようとして、活性層のＩｎＧａ
ＮのＩｎ量を増やすと、活性層の結晶性がより悪化し、
その結果、短寿命化してしまうという問題があった。従
って、高出力化が困難であった。
３０ｍＷ程度の横基本モード発振しか得られていない。
また、このようなな電流注入型の半導体レーザでは、ド
ーピング材であるＭｇ等の拡散と予想されるショートに
よる経時劣化を生じ長寿命化が困難であった。特に、緑
色より長波長の発振を得ようとして、活性層のＩｎＧａ
ＮのＩｎ量を増やすと、活性層の結晶性がより悪化し、
その結果、短寿命化してしまうという問題があった。従
って、高出力化が困難であった。
【０００４】また、従来の半導体レーザ励起固体レーザ
では、レーザ結晶の希土類元素の蛍光寿命が非常に長い
ことから、励起光源である半導体レーザの直接変調によ
る発振ビームの高速変調ビームを得ることが困難であっ
た。
では、レーザ結晶の希土類元素の蛍光寿命が非常に長い
ことから、励起光源である半導体レーザの直接変調によ
る発振ビームの高速変調ビームを得ることが困難であっ
た。
【０００５】上記のような問題を解決し、高品位かつ高
出力の短波長半導体レーザ装置を得るために、米国特許
第５４６１６３７号および米国特許第５６２７８５３号
において、光励起による面発光型の半導体レーザ装置が
提案されている。しかし、上記公報に記載されている装
置では、半導体の熱レンズ効果、つまり温度が上昇する
と屈折率が上昇する効果を用いているため、基本的に温
度上昇が必要なことと、温度分布に敏感で空間的な発振
モードが不安定になる欠点があった。さらに、高出力に
おいては半導体媒質特有のキャリアの増加によって屈折
率が低下するプラズマ効果が、高出力のレーザ光を発生
するための空間的なキャリアの穴あき効果（空間的ホー
ルバーニング）によって生じるため空間的モードが不安
定になるという欠点がある。
出力の短波長半導体レーザ装置を得るために、米国特許
第５４６１６３７号および米国特許第５６２７８５３号
において、光励起による面発光型の半導体レーザ装置が
提案されている。しかし、上記公報に記載されている装
置では、半導体の熱レンズ効果、つまり温度が上昇する
と屈折率が上昇する効果を用いているため、基本的に温
度上昇が必要なことと、温度分布に敏感で空間的な発振
モードが不安定になる欠点があった。さらに、高出力に
おいては半導体媒質特有のキャリアの増加によって屈折
率が低下するプラズマ効果が、高出力のレーザ光を発生
するための空間的なキャリアの穴あき効果（空間的ホー
ルバーニング）によって生じるため空間的モードが不安
定になるという欠点がある。
【０００６】また、CLEO'99 ポストデッドラインペーパ
ーにおいて、Ｎ2レーザを励起光源とし、ＩｎＧａＮ系
面発光型半導体素子を励起することにより３９９ｎｍの
室温でのレーザ発振を得ている。しかし、このレーザ装
置は、周波数３Ｈｚのパルス駆動であり、ＣＷ動作を得
られていない。また、励起光源にＮ2レーザーを用いて
いるため装置自体も大型化してしまい、コストがかかる
という欠点がある。
ーにおいて、Ｎ2レーザを励起光源とし、ＩｎＧａＮ系
面発光型半導体素子を励起することにより３９９ｎｍの
室温でのレーザ発振を得ている。しかし、このレーザ装
置は、周波数３Ｈｚのパルス駆動であり、ＣＷ動作を得
られていない。また、励起光源にＮ2レーザーを用いて
いるため装置自体も大型化してしまい、コストがかかる
という欠点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、これま
で、発振波長域が紫外〜緑色の半導体レーザ装置におい
て高出力で、かつ基本モード発振を得ることが非常に困
難であった。
で、発振波長域が紫外〜緑色の半導体レーザ装置におい
て高出力で、かつ基本モード発振を得ることが非常に困
難であった。
【０００８】本発明は上記事情に鑑みて、高出力で基本
モード発振する信頼性の高い半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とするものである。
モード発振する信頼性の高い半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、ＧａＮ系半導体を活性層に用いた半導体レーザ素
子からなる励起光源と、該励起光源により励起されてレ
ーザ発振する、基板上にＧａＮ系半導体からなる活性層
を備えた面発光型半導体素子とを備えてなることを特徴
とするものである。
置は、ＧａＮ系半導体を活性層に用いた半導体レーザ素
子からなる励起光源と、該励起光源により励起されてレ
ーザ発振する、基板上にＧａＮ系半導体からなる活性層
を備えた面発光型半導体素子とを備えてなることを特徴
とするものである。
【００１０】本発明の別の半導体レーザ装置は、ＧａＮ
系半導体を活性層に用いた半導体レーザ素子からなる励
起光源と、該励起光源により励起されてレーザ発振す
る、基板上にＧａＮ系半導体からなる活性層を積層して
なる半導体層からなり、該半導体層の積層方向の両端面
にミラーを備えた面発光型半導体素子とを備えてなるこ
とを特徴とするものである。
系半導体を活性層に用いた半導体レーザ素子からなる励
起光源と、該励起光源により励起されてレーザ発振す
る、基板上にＧａＮ系半導体からなる活性層を積層して
なる半導体層からなり、該半導体層の積層方向の両端面
にミラーを備えた面発光型半導体素子とを備えてなるこ
とを特徴とするものである。
【００１１】本発明の別の半導体レーザ装置は、ＧａＮ
系半導体を活性層に用いた半導体レーザ素子からなる励
起光源と、該励起光源により励起されてレーザ発振す
る、基板上にＧａＮ系半導体からなる活性層を備えた面
発光型半導体素子と、該面発光型半導体素子の外部に配
置され、該面発光型半導体素子の活性層の前記基板側あ
るいは前記基板と反対側に形成されたミラーと共振器を
構成する外部ミラーとを備えてなることを特徴とするも
のである。
系半導体を活性層に用いた半導体レーザ素子からなる励
起光源と、該励起光源により励起されてレーザ発振す
る、基板上にＧａＮ系半導体からなる活性層を備えた面
発光型半導体素子と、該面発光型半導体素子の外部に配
置され、該面発光型半導体素子の活性層の前記基板側あ
るいは前記基板と反対側に形成されたミラーと共振器を
構成する外部ミラーとを備えてなることを特徴とするも
のである。
【００１２】半導体レーザ素子の活性層はＩｎＧａＮま
たはＧａＮからなり、面発光型半導体素子の活性層はＩ
ｎＧａＮからなることを特徴とするものであってもよ
い。
たはＧａＮからなり、面発光型半導体素子の活性層はＩ
ｎＧａＮからなることを特徴とするものであってもよ
い。
【００１３】また、半導体レーザ素子の活性層はＩｎＧ
ａＮまたはＧａＮからなり、面発光型半導体素子の活性
層はＧａＮＡｓまたはＩｎＧａＮＡｓからなることを特
徴とするものであってもよい。
ａＮまたはＧａＮからなり、面発光型半導体素子の活性
層はＧａＮＡｓまたはＩｎＧａＮＡｓからなることを特
徴とするものであってもよい。
【００１４】面発光型半導体素子は、複数の半導体レー
ザ素子から発せられるレーザ光により励起されてもよ
い。
ザ素子から発せられるレーザ光により励起されてもよ
い。
【００１５】また、面発光型半導体素子は、複数の半導
体レーザ素子から発せられる各々のレーザ光を偏光合波
されてなるレーザ光により励起されてもよい。
体レーザ素子から発せられる各々のレーザ光を偏光合波
されてなるレーザ光により励起されてもよい。
【００１６】面発光型半導体発光素子の活性層は、複数
の量子井戸からなっていてもよい。また、その場合、量
子井戸の数は２０以上であることが望ましい。
の量子井戸からなっていてもよい。また、その場合、量
子井戸の数は２０以上であることが望ましい。
【００１７】ここで、上記ＧａＮ系半導体とは少なくと
もＧａ元素とＮ元素を含む組成からなる半導体であるこ
とを示す。
もＧａ元素とＮ元素を含む組成からなる半導体であるこ
とを示す。
【００１８】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置によれば、Ｇ
ａＮ系の半導体からなる半導体レーザ素子により励起
し、ＧａＮ系の半導体からなる面発光型半導体素子によ
りレーザ発振を得る構成としているので、励起用の半導
体レーザ素子にブロードエリア型の半導体レーザ素子を
用いることができ、例えば１Ｗ〜１０Ｗの高出力化が可
能である。従って、得られる発振出力も数１００ｍＷ〜
数Ｗの出力が可能となり、高出力でかつ基本横モード発
振を得ることができる。
ａＮ系の半導体からなる半導体レーザ素子により励起
し、ＧａＮ系の半導体からなる面発光型半導体素子によ
りレーザ発振を得る構成としているので、励起用の半導
体レーザ素子にブロードエリア型の半導体レーザ素子を
用いることができ、例えば１Ｗ〜１０Ｗの高出力化が可
能である。従って、得られる発振出力も数１００ｍＷ〜
数Ｗの出力が可能となり、高出力でかつ基本横モード発
振を得ることができる。
【００１９】また、ＧａＮ系半導体素子の熱伝導係数
は、ＧａＡｓ系半導体の熱伝導係数（４５、８Ｗ／ｍ
℃）に比べ、１３０Ｗ／ｍ℃と非常に大きいことから、
前述のような熱レンズ効果を生じることがない。かつ、
外部ミラーを用い、前述のような熱レンズ効果を用いる
ことなくレーザ発振を得ることができるので発振モード
が安定しているという利点がある。
は、ＧａＡｓ系半導体の熱伝導係数（４５、８Ｗ／ｍ
℃）に比べ、１３０Ｗ／ｍ℃と非常に大きいことから、
前述のような熱レンズ効果を生じることがない。かつ、
外部ミラーを用い、前述のような熱レンズ効果を用いる
ことなくレーザ発振を得ることができるので発振モード
が安定しているという利点がある。
【００２０】また、励起光源に半導体レーザ素子を用い
ているので、高効率で低コストかつＣＷ動作が可能なレ
ーザ装置を得ることができる。また、半導体レーザ素子
を直接変調することが可能であるため、紫外色〜緑色の
高速変調光を得ることができる。
ているので、高効率で低コストかつＣＷ動作が可能なレ
ーザ装置を得ることができる。また、半導体レーザ素子
を直接変調することが可能であるため、紫外色〜緑色の
高速変調光を得ることができる。
【００２１】さらに、本発明の面発光型半導体素子は、
光励起であるために通常の電流注入の半導体レーザ素子
とは異なり、ドーピング材であるＭｇ等の拡散がないの
で、ショートによる経時劣化が無く長寿命化を実現でき
る。
光励起であるために通常の電流注入の半導体レーザ素子
とは異なり、ドーピング材であるＭｇ等の拡散がないの
で、ショートによる経時劣化が無く長寿命化を実現でき
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００２３】図１に本発明の第１の実施の形態による半
導体レーザ装置を構成する３６０ｎｍ帯の励起用の半導
体レーザ素子の断面図を示し、その半導体レーザ素子が
発する励起光により単一横モード発振する面発光型半導
体素子を図２に示す。
導体レーザ装置を構成する３６０ｎｍ帯の励起用の半導
体レーザ素子の断面図を示し、その半導体レーザ素子が
発する励起光により単一横モード発振する面発光型半導
体素子を図２に示す。
【００２４】まず、半導体レーザ素子について図１を参
照して説明する。1998年発行のJpn.Appl.phys.Lett.,Vo
l.37.pp.L1020に記載されている方法によりｎ−ＧａＮ
（０００１）基板11を形成する。
照して説明する。1998年発行のJpn.Appl.phys.Lett.,Vo
l.37.pp.L1020に記載されている方法によりｎ−ＧａＮ
（０００１）基板11を形成する。
【００２５】図１に示すように、有機金属気相成長法に
より、ｎ−ＧａＮ（０００１）基板11上にｎ−Ｇａ1-z1
Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層12（0＜z1＜1）、ｎ
あるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層13（z1＞z2＞
0）、Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ（Ｓｉドープ）／ＧａＮ多重量
子井戸活性層14（z1＞z2＞0）、ｐ−Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎ
キャリアブロッキング層（0.5＞z3＞z2）15、ｎあるい
はｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層16（z1＞z2＞0）、ｐ
−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層17（0＜z
1＜1）、ｐ−ＧａＮコンタクト層18を形成する。その上
に絶縁膜19を形成し、通常のリソグラフィにより、１０
０μｍ程度のストライプの領域の絶縁膜19を除去し、そ
の上にｐ側電極20を形成する。次に、基板11の研磨を行
い、ｎ側電極21を形成し、劈開により共振器を形成す
る。その後、高反射コートと低反射コートを行い、チッ
プ化して半導体レーザ24を完成させる。
より、ｎ−ＧａＮ（０００１）基板11上にｎ−Ｇａ1-z1
Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層12（0＜z1＜1）、ｎ
あるいはｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層13（z1＞z2＞
0）、Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ（Ｓｉドープ）／ＧａＮ多重量
子井戸活性層14（z1＞z2＞0）、ｐ−Ｇａ1-z3Ａｌz3Ｎ
キャリアブロッキング層（0.5＞z3＞z2）15、ｎあるい
はｉ−Ｇａ1-z2Ａｌz2Ｎ光導波層16（z1＞z2＞0）、ｐ
−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層17（0＜z
1＜1）、ｐ−ＧａＮコンタクト層18を形成する。その上
に絶縁膜19を形成し、通常のリソグラフィにより、１０
０μｍ程度のストライプの領域の絶縁膜19を除去し、そ
の上にｐ側電極20を形成する。次に、基板11の研磨を行
い、ｎ側電極21を形成し、劈開により共振器を形成す
る。その後、高反射コートと低反射コートを行い、チッ
プ化して半導体レーザ24を完成させる。
【００２６】次に、面発光型半導体素子について図２を
参照して説明する。ここで、後述のλは光励起により発
振する波長であり、ｎAlN、ｎGaN、ｎZrO2はそれぞれＡ
ｌＮ、ＧａＮ、ＺｒＯ2の発振波長での屈折率である。
参照して説明する。ここで、後述のλは光励起により発
振する波長であり、ｎAlN、ｎGaN、ｎZrO2はそれぞれＡ
ｌＮ、ＧａＮ、ＺｒＯ2の発振波長での屈折率である。
【００２７】図２に示すように、有機金属気相成長法に
より、ＧａＮ（０００１）基板31上に、２０ペアのＧａ
Ｎ（厚さがλ／４ｎGaN）／ＡｌＮ（厚さがλ／４
ｎAlN）超格子分布反射膜32、ＧａＮ光閉じ込め層33、
Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ多重量子井戸活性
層（0＜x2＜x3＜0.5）34、ＧａＮ光り閉じ込め層35、Ａ
ｌz4Ｇａ1-z4Ｎ層36（0＜z4＜0.5）を積層する。その
後、電子ビーム蒸着法により、ＺｒＯ2（厚さがλ／４
ｎZrO2）無反射コート膜37を積層する。その後、基板31
の研磨を行い、劈開によりチップ化して面発光型波長変
換素子38を完成させる。
より、ＧａＮ（０００１）基板31上に、２０ペアのＧａ
Ｎ（厚さがλ／４ｎGaN）／ＡｌＮ（厚さがλ／４
ｎAlN）超格子分布反射膜32、ＧａＮ光閉じ込め層33、
Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ｎ／Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ｎ多重量子井戸活性
層（0＜x2＜x3＜0.5）34、ＧａＮ光り閉じ込め層35、Ａ
ｌz4Ｇａ1-z4Ｎ層36（0＜z4＜0.5）を積層する。その
後、電子ビーム蒸着法により、ＺｒＯ2（厚さがλ／４
ｎZrO2）無反射コート膜37を積層する。その後、基板31
の研磨を行い、劈開によりチップ化して面発光型波長変
換素子38を完成させる。
【００２８】上記のようにして作成された面発光型半導
体素子89の発振する波長帯に関しては、Ｉｎx3Ｇａ1-x3
Ｎ量子井戸活性層より、３８０＜λ＜５６０（ｎｍ）の
範囲までの制御が可能である。
体素子89の発振する波長帯に関しては、Ｉｎx3Ｇａ1-x3
Ｎ量子井戸活性層より、３８０＜λ＜５６０（ｎｍ）の
範囲までの制御が可能である。
【００２９】なお、上記多重量子井戸活性層34の井戸数
は、励起光を十分に吸収するため、２０ペア以上、より
好ましくは厚く積みすぎてクラックが生じない程度の２
４ペア程度が望ましい。
は、励起光を十分に吸収するため、２０ペア以上、より
好ましくは厚く積みすぎてクラックが生じない程度の２
４ペア程度が望ましい。
【００３０】次に、上記半導体レーザ素子24と、上記面
発光型半導体素子38を用いた、本発明の第一の実施の形
態である半導体レーザ装置について説明し、その構成図
を図３に示す。
発光型半導体素子38を用いた、本発明の第一の実施の形
態である半導体レーザ装置について説明し、その構成図
を図３に示す。
【００３１】本半導体レーザ装置は、励起光源である半
導体レーザ素子24と、ヒートシンク43にＧａＮ基板31側
を接着された面発光型半導体素子38と、出力ミラーであ
る凹面ミラー46と、凹面ミラー46の凹面と面発光型半導
体素子の超格子分布反射膜32により構成される共振器49
と、共振器49内にブリュースター板45を備えるものであ
る。ブリュースター板45により、偏光が制御されてい
る。
導体レーザ素子24と、ヒートシンク43にＧａＮ基板31側
を接着された面発光型半導体素子38と、出力ミラーであ
る凹面ミラー46と、凹面ミラー46の凹面と面発光型半導
体素子の超格子分布反射膜32により構成される共振器49
と、共振器49内にブリュースター板45を備えるものであ
る。ブリュースター板45により、偏光が制御されてい
る。
【００３２】半導体レーザ素子24から発せられた励起光
47は、レンズ42により面発光型半導体素子38の半導体層
内部に集光され、面発光型半導体素子38から発する光
は、共振器49により共振し、出力ミラー46からレーザ光
48を発振する。
47は、レンズ42により面発光型半導体素子38の半導体層
内部に集光され、面発光型半導体素子38から発する光
は、共振器49により共振し、出力ミラー46からレーザ光
48を発振する。
【００３３】面発光型半導体素子38のＧａＮ基板31は、
励起用の半導体レーザ素子24の励起光47に対し透明でな
いので、面発光型半導体素子38は、図３に示すように、
サイドから励起される。
励起用の半導体レーザ素子24の励起光47に対し透明でな
いので、面発光型半導体素子38は、図３に示すように、
サイドから励起される。
【００３４】また、ＧａＮ基板31は熱伝導係数も大きい
ことから図３に示すようにヒートシンクに保持すれば容
易に放熱が可能である。また、面発光型半導体素子は、
熱レンズ等によるビーム変形が非常に小さいので、本実
施の形態による半導体レーザ装置は従来より高出力化が
可能である。
ことから図３に示すようにヒートシンクに保持すれば容
易に放熱が可能である。また、面発光型半導体素子は、
熱レンズ等によるビーム変形が非常に小さいので、本実
施の形態による半導体レーザ装置は従来より高出力化が
可能である。
【００３５】また、半導体レーザ素子24を直接変調する
ことにより、高速で変調された変調信号を得ることが可
能となる。これは、従来の固体レーザにおいては実現で
きなかった特性である。
ことにより、高速で変調された変調信号を得ることが可
能となる。これは、従来の固体レーザにおいては実現で
きなかった特性である。
【００３６】また、本実施の形態に示すように、励起用
の半導体レーザ素子24はブロードエリア型の半導体レー
ザ素子を用いることができるので、高出力化、例えば１
Ｗ〜１０Ｗが可能である。従って、得られる発振出力も
数１００ｍＷ〜数Ｗの出力が可能となる。
の半導体レーザ素子24はブロードエリア型の半導体レー
ザ素子を用いることができるので、高出力化、例えば１
Ｗ〜１０Ｗが可能である。従って、得られる発振出力も
数１００ｍＷ〜数Ｗの出力が可能となる。
【００３７】また、本発明の面発光型半導体素子は、光
励起であるために通常の電流注入の半導体レーザとは異
なり、ドーピング材であるＭｇ等の拡散がないので、シ
ョートによる経時劣化が無い。その結果、半導体レーザ
装置を長寿命化できる。
励起であるために通常の電流注入の半導体レーザとは異
なり、ドーピング材であるＭｇ等の拡散がないので、シ
ョートによる経時劣化が無い。その結果、半導体レーザ
装置を長寿命化できる。
【００３８】次に、本発明の第２の実施の形態による半
導体レーザ装置について説明する。図４にその半導体レ
ーザ装置を構成する４１０ｎｍ帯の励起用の半導体レー
ザ素子を示し、その半導体レーザ素子から発せられる励
起光により単一モード発振する面発光型半導体素子を図
５に示す。
導体レーザ装置について説明する。図４にその半導体レ
ーザ装置を構成する４１０ｎｍ帯の励起用の半導体レー
ザ素子を示し、その半導体レーザ素子から発せられる励
起光により単一モード発振する面発光型半導体素子を図
５に示す。
【００３９】まず、励起用の半導体レーザ素子について
説明する。図４に示すように、有機金属気相成長法によ
り、ｎ−ＧａＮ（０００１）基板61上にｎ−Ｇａ1-z1Ａ
ｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層62（0＜z1＜1）、ｎあ
るいはｉ−ＧａＮ光導波層63、Ｉｎ1-z2Ｇａz2Ｎ（Ｓｉ
ドープ）／Ｉｎ1-z3Ｇａz3Ｎ多重量子井戸活性層64（0
＜z2＜z3＜0.5）、ｐ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎキャリアブロ
ッキング層65（0＜z5＜0.5）、ｎあるいはｉ−ＧａＮ光
導波層66、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラッ
ド層67（0＜z1＜1）、ｐ−ＧａＮコンタクト層68を形成
する。その上に絶縁膜69を形成し、通常のリソグラフィ
により１００μｍ程度のストライプの領域の絶縁膜69を
除去し、ｐ側電極70を形成する。その後、基板の研磨を
行い、ｎ側電極71を形成し、劈開により共振器を形成
し、高反射コートと低反射コートを行いチップ化して半
導体レーザ素子74を形成する。
説明する。図４に示すように、有機金属気相成長法によ
り、ｎ−ＧａＮ（０００１）基板61上にｎ−Ｇａ1-z1Ａ
ｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラッド層62（0＜z1＜1）、ｎあ
るいはｉ−ＧａＮ光導波層63、Ｉｎ1-z2Ｇａz2Ｎ（Ｓｉ
ドープ）／Ｉｎ1-z3Ｇａz3Ｎ多重量子井戸活性層64（0
＜z2＜z3＜0.5）、ｐ−Ｇａ1-z5Ａｌz5Ｎキャリアブロ
ッキング層65（0＜z5＜0.5）、ｎあるいはｉ−ＧａＮ光
導波層66、ｐ−Ｇａ1-z1Ａｌz1Ｎ／ＧａＮ超格子クラッ
ド層67（0＜z1＜1）、ｐ−ＧａＮコンタクト層68を形成
する。その上に絶縁膜69を形成し、通常のリソグラフィ
により１００μｍ程度のストライプの領域の絶縁膜69を
除去し、ｐ側電極70を形成する。その後、基板の研磨を
行い、ｎ側電極71を形成し、劈開により共振器を形成
し、高反射コートと低反射コートを行いチップ化して半
導体レーザ素子74を形成する。
【００４０】次に面発光型半導体素子について図５を参
照して説明する。ここで、後述のλは光励起により発振
する波長であり、ｎAlN、ｎGaN、ｎSiO2、ｎZrO2はそれ
ぞれＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の発振波長での
屈折率である。
照して説明する。ここで、後述のλは光励起により発振
する波長であり、ｎAlN、ｎGaN、ｎSiO2、ｎZrO2はそれ
ぞれＡｌＮ、ＧａＮ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の発振波長での
屈折率である。
【００４１】図５に示すように、有機金属気相成長法に
より、ＧａＮ（０００１）基板81上にＡｌz4Ｇａ1-z4Ｎ
層82（0＜z4＜0.5）、ＧａＮ光閉じ込め層83、Ｉｎ1-z2
Ｇａz2Ｎ／Ｉｎ1-z3Ｇａz3Ｎ多重量子井戸活性層84（0
＜z2＜z3＜0.5）、ＧａＮ光閉じ込め層85、２ペアのＡ
ｌＮ（厚さがλ／４ｎAlN）／ＧａＮ（厚さがλ／４ｎ
GaN）反射膜86を積層する。その後、電子ビーム蒸着法
により、ＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎSiO2）／ＺｒＯ2（厚
さがλ／４ｎZrO2）分布膜87を積層する。その後、基板
の研磨を行い、ＺｒＯ2（厚さがλ／４ｎZrO2）の無反
射率コート88を行い劈開によりチップ化して面発光型半
導体素子89を完成させる。
より、ＧａＮ（０００１）基板81上にＡｌz4Ｇａ1-z4Ｎ
層82（0＜z4＜0.5）、ＧａＮ光閉じ込め層83、Ｉｎ1-z2
Ｇａz2Ｎ／Ｉｎ1-z3Ｇａz3Ｎ多重量子井戸活性層84（0
＜z2＜z3＜0.5）、ＧａＮ光閉じ込め層85、２ペアのＡ
ｌＮ（厚さがλ／４ｎAlN）／ＧａＮ（厚さがλ／４ｎ
GaN）反射膜86を積層する。その後、電子ビーム蒸着法
により、ＳｉＯ2（厚さがλ／４ｎSiO2）／ＺｒＯ2（厚
さがλ／４ｎZrO2）分布膜87を積層する。その後、基板
の研磨を行い、ＺｒＯ2（厚さがλ／４ｎZrO2）の無反
射率コート88を行い劈開によりチップ化して面発光型半
導体素子89を完成させる。
【００４２】なお、上記多重量子井戸活性層84の井戸数
は、励起光を十分に吸収するため、２０ペア以上、より
好ましくは厚く積みすぎてクラックが生じない程度の２
４ペア程度が望ましい。
は、励起光を十分に吸収するため、２０ペア以上、より
好ましくは厚く積みすぎてクラックが生じない程度の２
４ペア程度が望ましい。
【００４３】上記のようにして作成された面発光型半導
体素子89の発振する波長帯に関しては、Ｉｎz3Ｇａ1-z3
Ｎ量子井戸活性層より、３８０＜λ＜５６０（ｎｍ）の
範囲までの制御が可能である。
体素子89の発振する波長帯に関しては、Ｉｎz3Ｇａ1-z3
Ｎ量子井戸活性層より、３８０＜λ＜５６０（ｎｍ）の
範囲までの制御が可能である。
【００４４】次に、上記半導体レーザ素子74と、上記面
発光型半導体素子89を用いた本発明による第２の実施の
形態による半導体レーザ装置について説明し、その半導
体レーザ装置を図６ａおよび図６ｂに示す。
発光型半導体素子89を用いた本発明による第２の実施の
形態による半導体レーザ装置について説明し、その半導
体レーザ装置を図６ａおよび図６ｂに示す。
【００４５】図６ａに示すように、本実施の形態による
半導体レーザ装置は、励起光源である上記半導体レーザ
素子74とヒートシンク106にＧａＮ基板81とは反対側の
分布反射膜87側を接着された上記面発光型半導体素子89
と出力ミラーである凹面ミラー105と、凹面ミラー105の
凹面と面発光型半導体素子89の反射ミラー86および87に
より構成される共振器109と、共振器109内にブリュース
ター板104を備えるものである。
半導体レーザ装置は、励起光源である上記半導体レーザ
素子74とヒートシンク106にＧａＮ基板81とは反対側の
分布反射膜87側を接着された上記面発光型半導体素子89
と出力ミラーである凹面ミラー105と、凹面ミラー105の
凹面と面発光型半導体素子89の反射ミラー86および87に
より構成される共振器109と、共振器109内にブリュース
ター板104を備えるものである。
【００４６】半導体レーザ素子74から発せられた励起光
107は、レンズ102により面発光型半導体素子89の半導体
層内部に集光され、面発光型半導体素子89から発する光
は、共振器109により共振し、出力ミラー105からレーザ
光108を発振する。
107は、レンズ102により面発光型半導体素子89の半導体
層内部に集光され、面発光型半導体素子89から発する光
は、共振器109により共振し、出力ミラー105からレーザ
光108を発振する。
【００４７】本実施の形態による半導体レーザ装置は、
面発光型半導体素子89の分布反射膜87側をヒートシンク
に接着しているため、すなわち、活性層から近い端面を
ヒートシンクに接着しているため、活性層の発熱を容易
にヒートシンクへ逃がすことができ、安定した発振モー
ドを得ることができる。
面発光型半導体素子89の分布反射膜87側をヒートシンク
に接着しているため、すなわち、活性層から近い端面を
ヒートシンクに接着しているため、活性層の発熱を容易
にヒートシンクへ逃がすことができ、安定した発振モー
ドを得ることができる。
【００４８】また、図６ｂに示すように、半導体レーザ
素子74の励起光107の入射角度は、戻り光抑制のために
面発光型波長変換素子89に対して角度をつけて入射させ
てもよい。
素子74の励起光107の入射角度は、戻り光抑制のために
面発光型波長変換素子89に対して角度をつけて入射させ
てもよい。
【００４９】次に本発明の第３の実施の形態による半導
体レーザ装置について説明し、その半導体レーザ装置を
構成する面発光型半導体素子の断面図を図７に示す。
体レーザ装置について説明し、その半導体レーザ装置を
構成する面発光型半導体素子の断面図を図７に示す。
【００５０】ここで、後述のλは光励起により発振する
波長であり、ｎAlN、ｎGaN、ｎZrO2はそれぞれＡｌＮ、
ＧａＮ、ＺｒＯ2の発振波長での屈折率である。
波長であり、ｎAlN、ｎGaN、ｎZrO2はそれぞれＡｌＮ、
ＧａＮ、ＺｒＯ2の発振波長での屈折率である。
【００５１】図７に示すように、有機金属気相成長法に
より、ＧａＮ（０００１）基板111上に２ペアのＡｌＮ
（厚さがλ／４ｎAlN）／ＧａＮ（厚さがλ／４ｎGaN）
反射膜112、ＧａＮ光閉じ込め層113、Ｉｎ1-z2Ｇａz2Ｎ
／Ｉｎ1-z3Ｇａz3Ｎ多重量子井戸活性層114（0＜z2＜z3
＜0.5）、ＧａＮ光閉じ込め層115、Ａｌz4Ｇａ1-z4Ｎキ
ャリア閉じ込め層116（0＜z4＜0.5）、ＺｒＯ2膜（厚さ
がλ／４ZrO2）117を積層する。その後、基板の研磨を
行い、ＺｒＯ2（厚さがλ／４ZrO2）の無反射率コート1
18を行い劈開によりチップ化して面発光型半導体素子11
9を完成させる。
より、ＧａＮ（０００１）基板111上に２ペアのＡｌＮ
（厚さがλ／４ｎAlN）／ＧａＮ（厚さがλ／４ｎGaN）
反射膜112、ＧａＮ光閉じ込め層113、Ｉｎ1-z2Ｇａz2Ｎ
／Ｉｎ1-z3Ｇａz3Ｎ多重量子井戸活性層114（0＜z2＜z3
＜0.5）、ＧａＮ光閉じ込め層115、Ａｌz4Ｇａ1-z4Ｎキ
ャリア閉じ込め層116（0＜z4＜0.5）、ＺｒＯ2膜（厚さ
がλ／４ZrO2）117を積層する。その後、基板の研磨を
行い、ＺｒＯ2（厚さがλ／４ZrO2）の無反射率コート1
18を行い劈開によりチップ化して面発光型半導体素子11
9を完成させる。
【００５２】なお、上記多重量子井戸活性層114は励起
光を十分に吸収するためには多重量子井戸層の井戸数が
２０ペア以上、より好ましくは厚く積みすぎてクラック
が生じない程度の２４ペア程度が望ましい。
光を十分に吸収するためには多重量子井戸層の井戸数が
２０ペア以上、より好ましくは厚く積みすぎてクラック
が生じない程度の２４ペア程度が望ましい。
【００５３】次に、上記第２実施の形態で用いた半導体
レーザ素子74を励起光源に用い、上記面発光型半導体素
子119を用いた第３の実施の形態による半導体レーザ装
置について説明し、その構成図を図８に示す。
レーザ素子74を励起光源に用い、上記面発光型半導体素
子119を用いた第３の実施の形態による半導体レーザ装
置について説明し、その構成図を図８に示す。
【００５４】本実施の形態による半導体レーザ装置は、
上記面発光型半導体素子119のＧａＮ基板111側がヒート
シンク106に接着されており、構成するその他の要素は
前記第二の実施の形態による半導体レーザ装置と同一で
あり、同符号を付し構成、作用についての説明は省略す
る。
上記面発光型半導体素子119のＧａＮ基板111側がヒート
シンク106に接着されており、構成するその他の要素は
前記第二の実施の形態による半導体レーザ装置と同一で
あり、同符号を付し構成、作用についての説明は省略す
る。
【００５５】ＧａＮ基板111は励起光107に対し、透明で
あることから基板側から励起を行うことができる。Ｇａ
Ｎ基板だけでなく、よく利用されるサファイヤ基板も励
起光107に対し、透明であることから基板側からの励起
光の入射が可能である。
あることから基板側から励起を行うことができる。Ｇａ
Ｎ基板だけでなく、よく利用されるサファイヤ基板も励
起光107に対し、透明であることから基板側からの励起
光の入射が可能である。
【００５６】また、ＧａＮ基板は熱伝導係数も大きいこ
とから図８に示すようにヒートシンクに保持すれば容易
に放熱が可能である。また、熱レンズ等によるビーム変
形も非常に小さいという利点がある。
とから図８に示すようにヒートシンクに保持すれば容易
に放熱が可能である。また、熱レンズ等によるビーム変
形も非常に小さいという利点がある。
【００５７】上記３つの実施の形態において、さらに、
単一縦モードを得るために、共振器内部に波長選択素
子、例えばリオフィルターもしくはエタロンもしくはこ
れら複数を挿入してもよい。
単一縦モードを得るために、共振器内部に波長選択素
子、例えばリオフィルターもしくはエタロンもしくはこ
れら複数を挿入してもよい。
【００５８】また、上記実施の形態においては、面発光
型半導体素子の活性層がＩｎＧａＮからなるものについ
て説明してきたが、より長波長の発振が可能なＧａＮＡ
ｓもしくはＩｎＧａＮＡｓからなる活性層を用いてもよ
い。
型半導体素子の活性層がＩｎＧａＮからなるものについ
て説明してきたが、より長波長の発振が可能なＧａＮＡ
ｓもしくはＩｎＧａＮＡｓからなる活性層を用いてもよ
い。
【００５９】また、励起用の半導体レーザ素子はブロー
ドエリア型だけでなく、通常の半導体レーザ素子やテー
パー構造で高密度の集光が可能なＭＯＰＡやαーＤＦＢ
レーザ構造でもよい。
ドエリア型だけでなく、通常の半導体レーザ素子やテー
パー構造で高密度の集光が可能なＭＯＰＡやαーＤＦＢ
レーザ構造でもよい。
【００６０】また、上本発明による半導体レーザ装置
は、ＣＷ動作のみならず、共振器内にＱスイッチを挿入
することによりＱスイッチ動作も可能である。
は、ＣＷ動作のみならず、共振器内にＱスイッチを挿入
することによりＱスイッチ動作も可能である。
【００６１】さらに、励起光源であるＩｎＧａＮ半導体
レーザ素子は高いピークパワーを得やすいので半導体レ
ーザ素子をパルス駆動して面発光型半導体素子を励起す
ることで容易に高せん頭値のパルス発振光を得ることが
できる。
レーザ素子は高いピークパワーを得やすいので半導体レ
ーザ素子をパルス駆動して面発光型半導体素子を励起す
ることで容易に高せん頭値のパルス発振光を得ることが
できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する半導体レーザ素子を示す断面図
装置を構成する半導体レーザ素子を示す断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
【図３】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
装置の構成を示す図
装置の構成を示す図
【図４】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する半導体レーザ素子を示す断面図
装置を構成する半導体レーザ素子を示す断面図
【図５】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
【図６】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
装置の構成を示す図
装置の構成を示す図
【図７】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
装置を構成する面発光型半導体素子を示す断面図
【図８】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ
装置の構成を示す図
装置の構成を示す図
11,31,61,81 ＧａＮ基板 12,62 ｎ−ＧａＡｌＮ／ＧａＮ超格子クラッド層 13,16 ＧａＡｌＮ光閉じ込め層 14,67 ＧａＡｌＮ／ＧａＮ多重量子井戸活性層 15,65 ＧａＡｌＮキャリアブロッキング層 17 ＧａＡｌＮ／ＧａＮ超格子クラッド層 18,68 ＧａＮコンタクト層 32 ２０ペアＧａＮ／ＡｌＮ反射膜 33,35,63,66,83,85,113,115 ＧａＮ光閉じ込め層 34,64,84,114 ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸
活性層 36,82 ＡｌＧａＮキャリア閉じ込め層 37 ＺｒＯ2反射膜 43,106 ヒートシンク 45 ブリュースター板 46,105 凹面ミラー 49,109 共振器 86,112 ＡｌＮ／ＧａＮ反射膜 87 ＺｒＯ2／ＳｉＯ2分布反射膜
活性層 36,82 ＡｌＧａＮキャリア閉じ込め層 37 ＺｒＯ2反射膜 43,106 ヒートシンク 45 ブリュースター板 46,105 凹面ミラー 49,109 共振器 86,112 ＡｌＮ／ＧａＮ反射膜 87 ＺｒＯ2／ＳｉＯ2分布反射膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１０月７日（１９９９．１０．
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
Claims (9)
- 【請求項１】 ＧａＮ系半導体を活性層に用いた半導体
レーザ素子からなる励起光源と、該励起光源により励起
されてレーザ発振する、基板上にＧａＮ系半導体からな
る活性層を備えた面発光型半導体素子とを備えてなるこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 ＧａＮ系半導体を活性層に用いた半導体
レーザ素子からなる励起光源と、該励起光源により励起
されてレーザ発振する、基板上にＧａＮ系半導体からな
る活性層を積層してなる半導体層からなり、該半導体層
の積層方向の両端面にミラーを備えた面発光型半導体素
子とを備えてなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 ＧａＮ系半導体を活性層に用いた半導体
レーザ素子からなる励起光源と、 該励起光源により励起されてレーザ発振する、基板上に
ＧａＮ系半導体からなる活性層を備えた面発光型半導体
素子と、 該面発光型半導体素子の外部に配置され、該面発光型半
導体素子の活性層の前記基板側あるいは前記基板と反対
側に形成されたミラーと共振器を構成する外部ミラーと
を備えてなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記半導体レーザ素子の活性層がＩｎＧ
ａＮまたはＧａＮからなり、前記面発光型半導体素子の
活性層がＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項
１、２または３記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記半導体レーザ素子の活性層がＩｎＧ
ａＮまたはＧａＮからなり、前記面発光型半導体素子の
活性層がＧａＮＡｓまたはＩｎＧａＮＡｓからなること
を特徴とする請求項１、２または３記載の半導体レーザ
装置。 - 【請求項６】 前記面発光型半導体素子が、複数の前記
半導体レーザ素子から発せられるレーザ光により励起さ
れることを特徴とする請求項１、２、３、４または５記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 前記面発光型半導体素子が、複数の前記
半導体レーザ素子から発せられる各々のレーザ光を偏光
合波されてなるレーザ光により励起されることを特徴と
する請求項１、２、３、４または５記載の半導体レーザ
装置。 - 【請求項８】 前記面発光型半導体発光素子の活性層
が、複数の量子井戸からなることを特徴とする請求項１
から７いずれか１項記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 前記量子井戸の数が２０以上であること
を特徴とする請求項８記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP25752999A JP2001085793A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 半導体レーザ装置 |
| US09/659,456 US6822988B1 (en) | 1999-09-10 | 2000-09-11 | Laser apparatus in which GaN-based compound surface-emitting semiconductor element is excited with GaN-based compound semiconductor laser element |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25752999A JP2001085793A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | 半導体レーザ装置 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| US5903017A (en) * | 1996-02-26 | 1999-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor device formed of nitrogen-containing gallium compound such as GaN, AlGaN or InGaN |
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| KR100413792B1 (ko) * | 1997-07-24 | 2004-02-14 | 삼성전자주식회사 | 질화갈륨 층과 공기층이 반복 적층된 분산브래그 반사기를구비한 단파장 면발광 반도체 레이저장치 및 그 제조 방법 |
| US6574255B1 (en) * | 1999-03-05 | 2003-06-03 | Coherent, Inc. | High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers |
-
1999
- 1999-09-10 JP JP25752999A patent/JP2001085793A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-09-11 US US09/659,456 patent/US6822988B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-17 US US10/942,975 patent/US20050100074A1/en not_active Abandoned
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