JP2001085316A - Aligner, manufacture of device, and stage device - Google Patents
Aligner, manufacture of device, and stage deviceInfo
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置に関
し、特に素子製造用のマスク基板を搭載したステージと
半導体ウエハ等の基板を搭載したステージが同期移動す
ることによって素子を製造する露光装置、および、この
ような露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。ま
た、このような露光装置、工作機器等に用いられるステ
ージ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus, and more particularly to an exposure apparatus for manufacturing an element by synchronously moving a stage on which a mask substrate for manufacturing an element is mounted and a stage on which a substrate such as a semiconductor wafer is mounted. Further, the present invention relates to a device manufacturing method using such an exposure apparatus. The present invention also relates to a stage device used for such an exposure apparatus, a machine tool, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子製造のフォトリソ工程には、
レチクルの微細回路パターンを感光剤の塗布されたウエ
ハ上に転写する半導体露光装置が使用されている。2. Description of the Related Art In a photolithography process for manufacturing a semiconductor device,
2. Description of the Related Art A semiconductor exposure apparatus that transfers a fine circuit pattern of a reticle onto a wafer coated with a photosensitive agent has been used.
【０００３】最近、半導体素子の大型化に伴う露光領域
の大フィールド化への要求が高まっているが、この要求
を満たす露光装置としてステップ・アンド・スキャン方
式の露光装置が提案されている。In recent years, there has been an increasing demand for a larger field of an exposure area with an increase in the size of a semiconductor element, and a step-and-scan type exposure apparatus has been proposed as an exposure apparatus that meets this demand.
【０００４】図５に従来のステップ・アンド・スキャン
方式の投影露光装置の概略構成図を示す。FIG. 5 is a schematic block diagram of a conventional step-and-scan type projection exposure apparatus.
【０００５】回路パターンを有するレチクル１０１は、
レチクルステージ１０２上に保持されている。レチクル
ステージ１０２は、Ｙ方向に走査移動可能であり、Ｘ方
向にも微小移動が可能である。レジストを塗布したウエ
ハ１０５は、ウエハステージ１０６上に保持されてい
る。ウエハステージ１０６は、Ｘ方向およびＹ方向に移
動可能である。A reticle 101 having a circuit pattern is
It is held on a reticle stage 102. The reticle stage 102 is capable of scanning and moving in the Y direction, and is also capable of minute movement in the X direction. The wafer 105 coated with the resist is held on a wafer stage 106. The wafer stage 106 is movable in the X and Y directions.
【０００６】レチクル１０１は、均一な照度のスリット
状又は円弧状の照明光ＩＬによって、所定領域に照明さ
れる。レチクル１０１のパターンは、スリットのＸ方向
（長手方向）は投影レンズの縮小倍率で、Ｙ方向（短手
方向）はレチクルステージ１０２とウエハステージ１０
６を投影レンズ１０４の縮小倍率比の速度で、同期をと
ることによって、半導体デバイス作成用のウエハ１０５
に結像投影される。The reticle 101 is illuminated on a predetermined area by slit-shaped or arc-shaped illumination light IL having uniform illuminance. The pattern of the reticle 101 is such that the X direction (longitudinal direction) of the slit is the reduction magnification of the projection lens, and the Y direction (short direction) is the reticle stage 102 and the wafer stage 10.
6 is synchronized at the speed of the reduction ratio of the projection lens 104, and the wafer 105 for semiconductor device fabrication is synchronized.
Is projected.
【０００７】レチクルステージ用レーザ干渉計１０３
は、レチクルステージ１０２のＹ方向の変位を測定して
おり、この測定値に基づいてレチクルステージ１０２が
制御される。同様にウエハステージ用レーザ干渉計１０
７は、ウエハステージ１０６のＹ方向の変位を測定して
おり、この測定値に基づいてウエハステージが制御され
る。Laser interferometer 103 for reticle stage
Measures the displacement of the reticle stage 102 in the Y direction, and the reticle stage 102 is controlled based on the measured value. Similarly, a wafer stage laser interferometer 10
Numeral 7 measures the displacement of the wafer stage 106 in the Y direction, and the wafer stage is controlled based on the measured value.
【０００８】レーザ干渉計１０３とレーザ干渉計１０７
は、投影レンズ１０４の光軸に対して同一方向に配置さ
れている。なお、レーザ干渉計１０３、レーザ干渉計１
０７、投影レンズ１０４およびレチクルステージ定盤１
０８は、本体構造体１１０に構成されている。このた
め、レチクルステージ１０２とウエハステージ１０６
は、レーザ干渉計１０３とレーザ干渉計１０７により、
本体構造体１１０を基準として位置が計測され、制御さ
れている。[0008] Laser interferometer 103 and laser interferometer 107
Are arranged in the same direction with respect to the optical axis of the projection lens 104. The laser interferometer 103 and the laser interferometer 1
07, projection lens 104 and reticle stage surface plate 1
08 is configured in the main body structure 110. Therefore, the reticle stage 102 and the wafer stage 106
Is calculated by the laser interferometer 103 and the laser interferometer 107.
The position is measured and controlled based on the main body structure 110.
【０００９】レーザ干渉計１０３及びレーザ干渉計１０
７は、それぞれ光路長１１４、１１５の変位によってレ
チクルステージ１０２、ウエハステージ１０６の変位を
計測する。Laser interferometer 103 and laser interferometer 10
7 measures the displacement of the reticle stage 102 and the wafer stage 106 by the displacement of the optical path lengths 114 and 115, respectively.
【００１０】ここで、図５に示す従来のレーザ干渉計１
０３とレーザ干渉計１０７の配置は、投影レンズの光軸
に対して同一側である。Here, the conventional laser interferometer 1 shown in FIG.
03 and the laser interferometer 107 are arranged on the same side with respect to the optical axis of the projection lens.
【００１１】走査露光を行う際、レチクルステージ１０
２とウエハステージ１０６は、投影光学系の対称性によ
り光軸に対して互いに逆方向に駆動する。そのため、レ
チクルステージ１０２がレーザ干渉計１０３から遠ざか
るように駆動したときは、ウエハステージ１０６はレー
ザ干渉計１０７に近づくように駆動することになる。逆
に、レチクルステージ１０２がレーザ干渉計１０３から
近づくように駆動したときは、ウエハステージ１０６は
レーザ干渉計１０７から遠ざかるように駆動することに
なる。つまり、光路長１１４が大きくなるときには光路
長１１５は小さくなり、光路長１１４が小さくなるとき
には光路長１１５は大きくなる。When performing scanning exposure, the reticle stage 10
2 and the wafer stage 106 are driven in directions opposite to each other with respect to the optical axis due to the symmetry of the projection optical system. Therefore, when reticle stage 102 is driven so as to move away from laser interferometer 103, wafer stage 106 is driven so as to approach laser interferometer 107. Conversely, when reticle stage 102 is driven closer to laser interferometer 103, wafer stage 106 is driven away from laser interferometer 107. That is, when the optical path length 114 increases, the optical path length 115 decreases, and when the optical path length 114 decreases, the optical path length 115 increases.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】レーザ干渉計による変
位の測定は、参照レーザの波長を単位として、光路が何
波長分変位したかを算出することで求められる。このと
き、光路中の温度や気圧が何等かの原因で局所的に変化
すると、参照レーザと光路中のレーザの波長との間で差
異を生じるため、算出値と実際の変位とに誤差を生じて
しまう。この計測誤差は、光路が長ければ長いほど大き
くなる。The measurement of the displacement by the laser interferometer can be obtained by calculating how many wavelengths of the optical path have been displaced in units of the wavelength of the reference laser. At this time, if the temperature or atmospheric pressure in the optical path changes locally for some reason, a difference occurs between the reference laser and the wavelength of the laser in the optical path, causing an error between the calculated value and the actual displacement. Would. This measurement error increases as the optical path becomes longer.
【００１３】上記のような従来のレーザ干渉計の配置で
は、それぞれのレーザ干渉計の光路長の増減が、逆にな
っていた。このため、レチクルステージがレチクルステ
ージ用レーザ干渉計から遠ざかりレーザ干渉計の誤差が
大きくなるときは、ウエハステージ側では誤差が小さく
なり、レチクルステージがレチクルステージ用レーザ干
渉計近づきレーザ干渉計の誤差が小さくなるときは、ウ
エハステージ側では誤差が大きくなっていた。In the conventional arrangement of the laser interferometers as described above, the increase and decrease of the optical path length of each laser interferometer are reversed. Therefore, when the reticle stage moves away from the reticle stage laser interferometer and the error of the laser interferometer increases, the error decreases on the wafer stage side, and the error of the reticle stage approaches the reticle stage laser interferometer. When it became smaller, the error was larger on the wafer stage side.
【００１４】その結果、両ステージの同期制御の精度を
悪化させ、コントラストやオーバーレイ精度などの低下
を招いていた。As a result, the accuracy of the synchronization control of both stages is deteriorated, and the contrast and overlay accuracy are reduced.
【００１５】本発明は、このような課題を改良し、両ス
テージの同期制御精度を高めることを目的とし、コント
ラストやオーバーレイ精度を向上を図る。An object of the present invention is to improve such a problem and improve the accuracy of synchronous control of both stages, thereby improving the contrast and overlay accuracy.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の露光装置は、原板上のパターンを基板上に
所定の倍率で投影する投影光学系と、該原板を保持して
移動可能な原板ステージと、該原板ステージの位置を計
測するための原板ステージ計測器と、該基板を保持して
移動可能な基板ステージと、該基板ステージの位置を計
測するための基板ステージ計測器とを備え、該原板ステ
ージ計測器と該基板ステージ計測器は、該原板ステージ
と該基板ステージを同期して移動するときに、原板ステ
ージ計測器の計測距離と基板ステージ計測器の計測距離
が、それぞれ近づくように、またはそれぞれ遠ざかるよ
うに配置されていることを特徴とする。In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to the present invention comprises: a projection optical system for projecting a pattern on an original onto a substrate at a predetermined magnification; Possible original plate stage, original plate stage measuring device for measuring the position of the original plate stage, substrate stage capable of holding and moving the substrate, and substrate stage measuring device for measuring the position of the substrate stage The original stage measurement device and the substrate stage measurement device, when moving the original plate stage and the substrate stage in synchronization, the measurement distance of the original plate stage measurement device and the measurement distance of the substrate stage measurement device, respectively It is characterized in that they are arranged so as to approach each other or away from each other.
【００１７】さらに、上記の目的を達成するための本発
明の別の露光装置は、原板上のパターンを基板上に所定
の倍率で投影する投影光学系と、該原板を保持して移動
可能な原板ステージと、該原板ステージの位置を計測す
るための原板ステージ計測器と、該基板を保持して移動
可能な基板ステージと、該基板ステージの位置を計測す
るための基板ステージ計測器とを備え、該原板ステージ
計測器と該基板ステージ計測器は、該投影光学系の光軸
を挟んで反対側に配置されていることを特徴とする。Further, another exposure apparatus of the present invention for achieving the above object is a projection optical system which projects a pattern on an original onto a substrate at a predetermined magnification, and which is movable while holding the original. An original plate stage, an original plate stage measuring device for measuring the position of the original plate stage, a substrate stage capable of holding and moving the substrate, and a substrate stage measuring device for measuring the position of the substrate stage The original plate stage measuring device and the substrate stage measuring device are arranged on opposite sides of the optical axis of the projection optical system.
【００１８】また、上記の露光装置は、前記原板と前記
基板を前記投影光学系に対して相対的に走査移動しなが
ら原板上のパターンを基板上に露光することが望まし
い。It is preferable that the exposure apparatus exposes a pattern on the original plate onto the substrate while scanning and moving the original plate and the substrate relative to the projection optical system.
【００１９】また、前記計測器は、レーザ干渉計、超音
波センサまたはリニアエンコーダであることが望まし
い。Preferably, the measuring device is a laser interferometer, an ultrasonic sensor or a linear encoder.
【００２０】さらに、上記の目的を達成するための本発
明のステージ装置は、所定方向に移動可能な第１のステ
ージと、該第１のステージの該所定方向の位置を計測す
るための第１のステージ計測器と、該所定方向と平行な
方向に移動可能な第２のステージと、該第２のステージ
の該所定方向と平行な方向の位置を計測するための第２
のステージ計測器とを備え、該第１のステージ計測器と
該第２のステージ計測器は、該第１のステージと該第２
のステージを同期して移動するときに、第１のステージ
計測器の計測距離と第２のステージ計測器の計測距離
が、それぞれ近づくように、またはそれぞれ遠ざかるよ
うに配置されていることを特徴とする。Further, a stage apparatus according to the present invention for achieving the above object has a first stage movable in a predetermined direction and a first stage for measuring a position of the first stage in the predetermined direction. A stage measuring device, a second stage movable in a direction parallel to the predetermined direction, and a second stage for measuring a position of the second stage in a direction parallel to the predetermined direction.
The first stage measuring device and the second stage measuring device are provided with the first stage and the second stage measuring device.
When the stage is moved synchronously, the measurement distance of the first stage measurement device and the measurement distance of the second stage measurement device are arranged so as to approach each other or away from each other. I do.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】＜露光装置の実施例＞図１に本発
明のステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置の
概略構成図を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <Embodiment of Exposure Apparatus> FIG. 1 is a schematic structural view of a step-and-scan type projection exposure apparatus according to the present invention.
【００２２】回路パターンを有するレチクル１は、レチ
クルステージ２上に保持されている。レチクルステージ
２は、レチクルステージ定盤８上で、Ｙ方向に走査移動
可能であり、Ｘ方向にも微小移動が可能である。レジス
トを塗布したウエハ５は、ウエハステージ６上に保持さ
れている。ウエハステージ６は、ウエハステージ定盤９
上で、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能である。A reticle 1 having a circuit pattern is held on a reticle stage 2. The reticle stage 2 can scan and move on the reticle stage base 8 in the Y direction, and can also move slightly in the X direction. The wafer 5 coated with the resist is held on a wafer stage 6. The wafer stage 6 has a wafer stage table 9
Above, it is movable in the X and Y directions.
【００２３】レチクル１は、均一な照度のスリット状又
は円弧状の照明光ＩＬによって、所定領域に照明され
る。レチクル１のパターンは、スリットのＸ方向（長手
方向）は投影レンズの縮小倍率で、Ｙ方向（短手方向）
はレチクルステージ２とウエハステージ６を投影レンズ
４の縮小倍率比の速度で、同期をとることによって、半
導体デバイス作成用のウエハ５に倒立で結像投影され
る。The reticle 1 is illuminated on a predetermined area by slit-shaped or arc-shaped illumination light IL having uniform illuminance. In the pattern of the reticle 1, the X direction (longitudinal direction) of the slit is the reduction magnification of the projection lens, and the Y direction (short direction).
By synchronizing the reticle stage 2 and the wafer stage 6 at the speed of the reduction magnification ratio of the projection lens 4, the reticle stage 2 and the wafer stage 6 are inverted and image-formed on the wafer 5 for producing semiconductor devices.
【００２４】レチクルステージ用レーザ干渉計３は、レ
チクルステージ２のＹ方向の変位を測定しており、この
測定値に基づいてレチクルステージ２が制御される。同
様にウエハステージ用レーザ干渉計７は、ウエハステー
ジ６のＹ方向の変位を測定しており、この測定値に基づ
いてウエハステージが制御される。The reticle stage laser interferometer 3 measures the displacement of the reticle stage 2 in the Y direction, and the reticle stage 2 is controlled based on the measured value. Similarly, the wafer stage laser interferometer 7 measures the displacement of the wafer stage 6 in the Y direction, and the wafer stage is controlled based on the measured value.
【００２５】本発明のレーザ干渉計３とレーザ干渉計７
は、投影レンズ４の光軸を挟んで反対側に配置されてい
る。なお、レーザ干渉計３、レーザ干渉計７、投影レン
ズ４およびレチクルステージ定盤８は、本体構造体１０
に構成されている。このため、レチクルステージ２とウ
エハステージ６は、レーザ干渉計３とレーザ干渉計７に
より、本体構造体１０を基準として位置が計測され、制
御されている。Laser interferometer 3 and laser interferometer 7 of the present invention
Are arranged on the opposite side of the optical axis of the projection lens 4. The laser interferometer 3, the laser interferometer 7, the projection lens 4, and the reticle stage base 8 are
Is configured. For this reason, the positions of the reticle stage 2 and the wafer stage 6 are measured by the laser interferometer 3 and the laser interferometer 7 with reference to the main body structure 10 and controlled.
【００２６】レーザ干渉計３及びレーザ干渉計７は、そ
れぞれ光路長１４、１５の変位によってレチクルステー
ジ２、ウエハステージ６の変位を計測する。レーザ干渉
計による変位の測定は、参照レーザの波長を単位とし
て、光路が何波長分変位したかを算出することで求めら
れる。このとき、光路中の温度や気圧が何等かの原因で
局所的に変化すると、参照レーザと光路中のレーザの波
長との間で差異を生じるため、算出値と実際の変位とに
誤差を生じてしまう。この計測誤差は、光路が長ければ
長いほど大きくなる。The laser interferometer 3 and the laser interferometer 7 measure the displacement of the reticle stage 2 and the wafer stage 6 based on the displacement of the optical path lengths 14 and 15, respectively. The measurement of the displacement by the laser interferometer can be obtained by calculating how many wavelengths the optical path has displaced in units of the wavelength of the reference laser. At this time, if the temperature or atmospheric pressure in the optical path changes locally for some reason, a difference occurs between the reference laser and the wavelength of the laser in the optical path, causing an error between the calculated value and the actual displacement. Would. This measurement error increases as the optical path becomes longer.
【００２７】本発明の露光装置により走査露光を行う際
は、レーザ干渉計３とレーザ干渉計７は投影レンズ４の
光軸を挟んで反対側に配置されているので、両ステージ
はそれぞれレーザ干渉計３、７に近づくように駆動され
るか、若しくは遠ざかるように駆動される。つまり、光
路長１４が小さくなるときには光路長１５も小さくな
り、光路長１４が大きくなるときには光路長１５も大き
くなるように、両ステージは同期して駆動される。When the scanning exposure is performed by the exposure apparatus of the present invention, the laser interferometer 3 and the laser interferometer 7 are arranged on opposite sides of the optical axis of the projection lens 4, so that the two stages are respectively subjected to laser interference. It is driven to approach a total of 3, 7 or to drive away. That is, both stages are driven synchronously so that the optical path length 15 becomes smaller when the optical path length 14 becomes smaller, and the optical path length 15 becomes larger when the optical path length 14 becomes larger.
【００２８】この結果、レチクルステージ２側の光路長
１４とウエハ側の光路長１５の差が小さくなり、レーザ
干渉計の計測誤差の両ステージ間の差が小さくなり、同
期精度を改善することができる。As a result, the difference between the optical path length 14 on the reticle stage 2 side and the optical path length 15 on the wafer side is reduced, and the difference in the measurement error of the laser interferometer between the two stages is reduced, thereby improving the synchronization accuracy. it can.
【００２９】なお、本実施形態では、測長器としてレー
ザ干渉計を使用したが、これに限られるものではなく、
例えば超音波センサやリニアエンコーダを使用すること
もできる。In this embodiment, the laser interferometer is used as the length measuring device. However, the present invention is not limited to this.
For example, an ultrasonic sensor or a linear encoder can be used.
【００３０】また、本実施形態では、投影レンズ４を保
持する本体構造体１０とウエハステージ定盤９は、ダン
パ１２により振動的に独立しているが、これに限る必要
はなく、図２のように本体構造体とウエハステージ定盤
を実質的に一体に構成しても良い。Further, in the present embodiment, the main body structure 10 holding the projection lens 4 and the wafer stage base 9 are vibrationally independent by the damper 12, but the invention is not limited to this. As described above, the main body structure and the wafer stage base may be formed substantially integrally.
【００３１】＜デバイス製造方法＞次に上記説明した露
光装置を利用した半導体デバイスの製造方法の実施例を
説明する。<Device Manufacturing Method> Next, an embodiment of a method of manufacturing a semiconductor device using the above-described exposure apparatus will be described.
【００３２】図３は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造
フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバ
イスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）で
は設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用い
てウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は
前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用い
て、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を
形成する。ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、
ステップ１４によって作製されたウエハを用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ７）され
る。FIG. 3 shows a manufacturing flow of a semiconductor device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, or a liquid crystal panel or a CCD). In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design.
In step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. Step 5 (assembly) is called a post-process,
This is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 14, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step S7).
【００３３】図４は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体
デバイスを製造することができる。FIG. 4 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device, which has been conventionally difficult to manufacture.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明の請求項１または２記載の露光装
置によれば、２つのステージの計測を行う際の計測長の
差が小さくなるため、同期精度を向上させることができ
る。According to the exposure apparatus of the first or second aspect of the present invention, the difference between the measurement lengths when measuring the two stages is reduced, so that the synchronization accuracy can be improved.
【００３５】また、本発明の請求項３記載の露光装置に
よれば、走査露光時のステージの走査移動を高精度にす
ることができる。Further, according to the exposure apparatus of the third aspect of the present invention, the scanning movement of the stage at the time of scanning exposure can be performed with high precision.
【図１】本発明の露光装置の概略図FIG. 1 is a schematic view of an exposure apparatus of the present invention.
【図２】本発明の別の露光装置の概略図FIG. 2 is a schematic view of another exposure apparatus of the present invention.
【図３】半導体デバイス製造フロー図FIG. 3 is a flow chart of manufacturing a semiconductor device.
【図４】ウエハプロセスフロー図FIG. 4 is a wafer process flow diagram.
【図５】従来の露光装置の概略図FIG. 5 is a schematic view of a conventional exposure apparatus.
１ レチクル ２ レチクルステージ ３ レチクルステージ用レーザ干渉計 ４ 投影レンズ ５ ウエハ ６ ウエハステージ ７ ウエハステージ用レーザ干渉計 ８ レチクルステージ定盤 ９ ウエハステージ定盤 １０ 本体構造体 Reference Signs List 1 reticle 2 reticle stage 3 reticle stage laser interferometer 4 projection lens 5 wafer 6 wafer stage 7 wafer stage laser interferometer 8 reticle stage base 9 wafer stage base 10 body structure
Claims (6)
光装置において、原板上のパターンを基板上に所定の倍
率で投影する投影光学系と、該原板を保持して移動可能
な原板ステージと、該原板ステージの位置を計測するた
めの原板ステージ計測器と、該基板を保持して移動可能
な基板ステージと、該基板ステージの位置を計測するた
めの基板ステージ計測器とを備え、 該原板ステージ計測器と該基板ステージ計測器は、該原
板ステージと該基板ステージを同期して移動するとき
に、原板ステージ計測器の計測距離と基板ステージ計測
器の計測距離が、それぞれ近づくように、またはそれぞ
れ遠ざかるように配置されていることを特徴とする露光
装置。1. An exposure apparatus for exposing a pattern on an original onto a substrate, comprising: a projection optical system for projecting the pattern on the original onto the substrate at a predetermined magnification; and an original stage movable while holding the original. An original plate stage measuring device for measuring the position of the original plate stage, a substrate stage capable of holding and moving the substrate, and a substrate stage measuring device for measuring the position of the substrate stage; The stage measurement device and the substrate stage measurement device, when moving the original plate stage and the substrate stage in synchronization, the measurement distance of the original plate stage measurement device and the measurement distance of the substrate stage measurement device, respectively, or, An exposure apparatus, wherein the exposure apparatuses are arranged to be away from each other.
光装置において、原板上のパターンを基板上に所定の倍
率で投影する投影光学系と、該原板を保持して移動可能
な原板ステージと、該原板ステージの位置を計測するた
めの原板ステージ計測器と、該基板を保持して移動可能
な基板ステージと、該基板ステージの位置を計測するた
めの基板ステージ計測器とを備え、 該原板ステージ計測器と該基板ステージ計測器は、該投
影光学系の光軸を挟んで反対側に配置されていることを
特徴とする露光装置。2. An exposure apparatus for exposing a pattern on an original onto a substrate, comprising: a projection optical system for projecting the pattern on the original onto the substrate at a predetermined magnification; and an original stage movable while holding the original. An original plate stage measuring device for measuring the position of the original plate stage, a substrate stage capable of holding and moving the substrate, and a substrate stage measuring device for measuring the position of the substrate stage; An exposure apparatus, wherein a stage measuring device and the substrate stage measuring device are arranged on opposite sides of an optical axis of the projection optical system.
対して相対的に走査移動しながら原板上のパターンを基
板上に露光することを特徴とする請求項１または２記載
の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a pattern on the original plate is exposed on the substrate while the original plate and the substrate are moved relative to the projection optical system by scanning.
ンサまたはリニアエンコーダであることを特徴とする請
求項１〜３いずれか記載の露光装置。4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the measuring device is a laser interferometer, an ultrasonic sensor, or a linear encoder.
パターンを基板上に走査露光する工程と、 露光した基板を現像する工程とを有することを特徴とす
るデバイス製造方法。5. A step of applying a photosensitive agent to a substrate, a step of scanning and exposing a pattern on an original plate onto the substrate using the exposure apparatus according to claim 1, and a step of developing the exposed substrate. A device manufacturing method comprising:
と、該第１のステージの該所定方向の位置を計測するた
めの第１のステージ計測器と、該所定方向と平行な方向
に移動可能な第２のステージと、該第２のステージの該
所定方向と平行な方向の位置を計測するための第２のス
テージ計測器とを備え、 該第１のステージ計測器と該第２のステージ計測器は、
該第１のステージと該第２のステージを同期して移動す
るときに、第１のステージ計測器の計測距離と第２のス
テージ計測器の計測距離が、それぞれ近づくように、ま
たはそれぞれ遠ざかるように配置されていることを特徴
とするステージ装置。6. A first stage movable in a predetermined direction, a first stage measuring device for measuring a position of the first stage in the predetermined direction, and moving in a direction parallel to the predetermined direction. A possible second stage, and a second stage measuring device for measuring a position of the second stage in a direction parallel to the predetermined direction, wherein the first stage measuring device and the second stage measuring device The stage measuring instrument
When the first stage and the second stage are moved in synchronization with each other, the measurement distance of the first stage measurement device and the measurement distance of the second stage measurement device become closer or farther away, respectively. A stage device, wherein the stage device is arranged in a stage.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26391499A JP2001085316A (en) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | Aligner, manufacture of device, and stage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26391499A JP2001085316A (en) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | Aligner, manufacture of device, and stage device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085316A true JP2001085316A (en) | 2001-03-30 |
Family
ID=17396029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26391499A Withdrawn JP2001085316A (en) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | Aligner, manufacture of device, and stage device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085316A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102866586A (en) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 上海微电子装备有限公司 | Lithography device system and measuring method thereof |
| KR20150013836A (en) * | 2006-08-31 | 2015-02-05 | 가부시키가이샤 니콘 | Mobile body drive system and mobile body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision method |
-
1999
- 1999-09-17 JP JP26391499A patent/JP2001085316A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150013836A (en) * | 2006-08-31 | 2015-02-05 | 가부시키가이샤 니콘 | Mobile body drive system and mobile body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision method |
| KR101648289B1 (en) | 2006-08-31 | 2016-08-12 | 가부시키가이샤 니콘 | Mobile body drive system and mobile body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision method |
| CN102866586A (en) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 上海微电子装备有限公司 | Lithography device system and measuring method thereof |
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