JP2001085294A - Developing device - Google Patents
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は現像処理方法及び現
像処理装置に関し、例えば半導体ウエハ等の被処理基板
の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理方法
及び現像処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing method and a developing apparatus, and more particularly to a developing method and a developing apparatus in which a developing solution is supplied to a surface of a substrate such as a semiconductor wafer to perform a developing process. is there.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板としての半導体ウエハにフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィー技術を用いることで回路パタ
ーンをフォトレジストに転写し、これを現像処理するこ
とにより回路を形成する。2. Description of the Related Art In the manufacture of a semiconductor device, a photoresist is applied to a semiconductor wafer as a substrate to be processed, a circuit pattern is transferred to the photoresist by using photolithography technology, and the circuit pattern is developed and processed. To form
【０００３】ここで、現像処理工程においては、現像液
をノズルから半導体ウエハ上に連続的に供給し、パター
ン形成面に現像液を所定時間だけ液盛りして接触させる
ことにより塗布レジスト膜の潜像パターンを現像するい
わゆるパドル方式が一般的に採用されている。In the developing process, a developing solution is continuously supplied from a nozzle onto a semiconductor wafer, and the developing solution is brought into contact with a pattern forming surface for a predetermined period of time so as to contact the pattern forming surface. A so-called paddle system for developing an image pattern is generally employed.
【０００４】パドル方式としては、多数の液吐出孔を一
直線上に所定の間隔で配列してなるいわゆるリニアノズ
ルを用いるものが現在の主流である。このようなリニア
ノズルを用いる現像方式としては、（１）リニアノズル
から現像液を吐出しつつウエハを１８０度回転させるこ
とでウエハ上に液盛りを行う「回転方式」と、（２）ウ
エハを回転させず、リニアノズルをウエハに対して一方
向に平行に移動させることで液盛りを行う「スキャン方
式」とに大きく分けられる。At present, the mainstream of the paddle system uses a so-called linear nozzle in which a large number of liquid ejection holes are arranged at predetermined intervals on a straight line. Development methods using such a linear nozzle include (1) a “rotation method” in which a liquid is filled on a wafer by rotating the wafer by 180 degrees while discharging a developing solution from the linear nozzle, and (2) The method is broadly divided into a "scan method" in which the liquid is filled by moving the linear nozzle in one direction in parallel with the wafer without rotating.
【０００５】前者の回転方式は、近時の現像液の消費量
を節減しかつ短時間でかつ均一に液盛りするという要求
から考案されたものである。しかしながら、この回転方
式であると、レジストの種類によっては、回転中心であ
るウエハの中央部付近のチップが不良品になってしまう
ということがある。[0005] The former rotation method has been devised in view of the recent demand for reducing the consumption of the developing solution and for uniformly and quickly filling the developing solution. However, with this rotation method, chips near the center of the wafer, which is the center of rotation, may become defective depending on the type of resist.
【０００６】すなわち、回転方式においては、ノズルを
固定した状態でウエハを１８０°回転させることでウエ
ハ全体に亘って現像液の液盛りを行うが、このような方
法であるとウエハの中央部付近にのみ常に新鮮な現像液
が供給されることになるため、周辺部分と比較してこの
部位のみ過度に現像が進んでしまうことが考えられる。
最近の回路パターンの微細化及び高密度化に伴い、レジ
ストがより高性能つまり高解像度化され、従来では無視
されていたような問題がクローズアップされており、例
えば、化学増幅型レジスト（ＫＡＲ）を用いた場合に
は、この現象が顕著に現われ、所望の解像度を得ること
ができないということがある。[0006] That is, in the rotation method, the developer is filled over the entire wafer by rotating the wafer by 180 ° with the nozzle fixed, but in such a method, the vicinity of the center of the wafer is increased. Since a fresh developing solution is always supplied only to this portion, it is conceivable that the development proceeds excessively only in this portion as compared with the peripheral portion.
With the recent miniaturization and higher density of circuit patterns, resists have been improved in performance and resolution, and problems that have been neglected in the past have been highlighted. For example, chemically amplified resists (KAR) When this is used, this phenomenon appears remarkably, and a desired resolution may not be obtained.
【０００７】一方、スキャン方式によれば、上記回転方
式に比べ液盛りに若干時間がかかるものの、前述のよう
な問題が生じないため、近年有望視されている。On the other hand, according to the scanning method, although it takes a little time for liquid replenishment as compared with the above-mentioned rotating method, since the above-mentioned problem does not occur, it is considered to be promising in recent years.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、スキャン現
像方式においては、前述したリニアノズルを用い、この
リニアノズルの吐出孔とウエハの表面とを近接させ多数
の吐出孔から同時に現像液を吐出する。そして、リニア
ノズルを水平方向に平行に移動（スキャン移動）させる
ことでウエハ上に現像液膜を形成するようにしている。
また、この方式では、リニアノズルの下端面をウエハ上
に供給された現像液に接触させながら移動させること
で、現像液の液面を均すようにしている。By the way, in the scan developing system, the above-described linear nozzle is used, and the developing solution is discharged from a number of discharging holes at the same time by bringing the discharge holes of the linear nozzle close to the surface of the wafer. Then, the developer film is formed on the wafer by moving the linear nozzle in parallel with the horizontal direction (scanning movement).
In this method, the lower surface of the linear nozzle is moved while being in contact with the developer supplied on the wafer, so that the liquid level of the developer is leveled.
【０００９】しかしながら、このような方法で現像液膜
を形成する場合、現像液を各吐出孔からレジスト膜に対
し近接した位置から高圧力で吹き付けることになるの
で、吐出孔に対応する部分と対向しない部分とでレジス
ト液に与える衝撃度（インパクト）が異なることにな
る。このため、現像量、解像度にむらが生じてしまう恐
れがある。However, when a developing solution film is formed by such a method, the developing solution is sprayed from each discharge hole at a high pressure from a position close to the resist film. The impact (impact) given to the resist solution is different between the portions not to be affected. For this reason, there is a possibility that unevenness occurs in the development amount and the resolution.
【００１０】また、前述したように、スキャン現像方式
においては、リニアノズルは吐出孔の設けられた下端面
をウエハ上に供給された現像液面に接触させ、液面を均
すようにしている。このため、一定のインターバルでリ
ニアノズルの下端面の洗浄を行う必要が生じる。この
際、従来の構成では洗浄する部位に現像液の吐出孔が設
けれているため、リニアノズルの吐出孔内に洗浄液が侵
入してしまうということがある。この場合、供給される
現像液の濃度にむらが生じるのを防止するため、吐出孔
内の洗浄液を除去してからでないと良好な現像を行うこ
とができないという問題がある。Further, as described above, in the scan developing method, the linear nozzle makes the lower end face provided with the discharge hole contact the developing liquid supplied on the wafer so as to level the liquid. . For this reason, it is necessary to clean the lower end surface of the linear nozzle at regular intervals. At this time, in the conventional configuration, since the discharge hole for the developer is provided at the portion to be cleaned, the cleaning liquid may enter the discharge hole of the linear nozzle. In this case, in order to prevent unevenness in the concentration of the supplied developer, there is a problem that good development can be performed only after the cleaning liquid in the ejection holes is removed.
【００１１】この発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、その目的は、スキャン現像方式において、被
処理基板上に、均一にかつ供給時の衝撃が小さい状態で
処理液を供給することができ、かつ、洗浄の際に現像液
の処理液を供給するための吐出孔に洗浄液が侵入するこ
とを有効に防止できる処理液供給装置を提供することに
ある。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to supply a processing liquid onto a substrate to be processed uniformly and with a small impact upon supply in a scan development system. It is another object of the present invention to provide a processing liquid supply device capable of effectively preventing a cleaning liquid from entering a discharge port for supplying a processing liquid of a developing solution during cleaning.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の主要な観点によれば、パターンが露光さ
れたフォトレジスト膜を有する被処理基板に現像液を供
給してフォトレジスト膜を現像処理する現像処理装置で
あって、前記被処理基板（１）を水平に保持する基板保
持機構（２）と、この基板保持機構（２）に保持された
被処理基板（１）の上方に保持され、所定の水平方向に
移動しながら前記被処理基板（１）上に現像液を供給す
る現像液供給機構（２）とを有し、この現像液供給機構
（２）は、一側部を前記基板（１）と所定の隙間を存し
て対向させた状態で保持され、その一面をこの現像液供
給機構（２、１３）の駆動方向に対向させて保持された
現像液案内板（１５）と、この現像液案内板（１５）の
一面の上部に現像液を供給することで、この現像液案内
板（１５）を伝わせてこの現像液案内板（１５）の一側
部から前記被処理基板（１）上に現像液を供給する現像
液供給系統（１６、２６、２７、２８、２９、３０）と
を有することを特徴とする現像処理装置が提供される。In order to achieve the above object, according to a main aspect of the present invention, a developing solution is supplied to a substrate to be processed having a photoresist film with a pattern exposed to form a photoresist film. A development processing apparatus for performing development processing, comprising: a substrate holding mechanism (2) for horizontally holding said substrate (1); and a substrate holding mechanism (2) held above said substrate holding mechanism (2). A developing solution supply mechanism (2) for supplying a developing solution onto the substrate (1) while being held and moving in a predetermined horizontal direction; Is held in a state where it faces the substrate (1) with a predetermined gap therebetween, and the developer guide plate () is held with one surface thereof facing the driving direction of the developer supply mechanism (2, 13). 15) and a developing solution guide plate (15) The developing solution supply system (16) supplies the developing solution from one side of the developing solution guide plate (15) onto the substrate (1) by transmitting the developing solution guide plate (15). , 26, 27, 28, 29, 30).
【００１３】このような構成によれば、現像液供給系統
によって供給された現像液を現像液案内板の一面上で拡
散させかつ下方向に伝わせて被処理基板上に供給するこ
とができる。このことで、現像液を被処理基板に対して
均一に供給でき、かつ供給時のレジスト膜に与える衝撃
を効果的に抑制した状態で液盛りすることができる。し
たがって、良好なパドル現像が行える。According to such a configuration, the developer supplied by the developer supply system can be diffused on one surface of the developer guide plate and transmitted downward to be supplied onto the substrate to be processed. Thus, the developer can be uniformly supplied to the substrate to be processed, and the developer can be supplied in a state where the impact on the resist film during the supply is effectively suppressed. Therefore, good paddle development can be performed.
【００１４】また、現像液は現像液案内板の上部に供給
されるようになっているから、この現像液供給板を洗浄
する際に、洗浄液が、現像液供給系統に進入することが
有効に防止できる。Further, since the developing solution is supplied to the upper portion of the developing solution guide plate, when the developing solution supply plate is cleaned, it is effective that the cleaning solution enters the developing solution supply system. Can be prevented.
【００１５】１の実施形態によれば、前記現像液供給機
構（２、１３）は、前記現像液案内板（１５）を、前記
一面を進行方向に向かって後傾させた状態で保持してい
る。According to one embodiment, the developer supply mechanism (2, 13) holds the developer guide plate (15) in a state where the one surface is inclined backward in the direction of travel. I have.
【００１６】このような構成によれば、被処理基板に到
達する際の現像液の供給速度をより効果的に減速するこ
とが可能になるから、現像液供給時にレジスト膜に与え
る影響を低減できる。According to such a configuration, the supply speed of the developer when reaching the substrate to be processed can be more effectively reduced, so that the influence on the resist film when the developer is supplied can be reduced. .
【００１７】１の実施形態によれば、前記現像液供給系
統（１６、２６、２７、２８、２９、３０）は、前記現
像液案内板（１５）に対向して配置されこの現像液案内
板（１５）の表面に現像液を供給する現像液供給ノズル
（１６）を有するものである。According to one embodiment, the developer supply system (16, 26, 27, 28, 29, 30) is disposed opposite to the developer guide plate (15). A developer supply nozzle (16) for supplying a developer to the surface of (15).
【００１８】このような構成によれば、現像液供給ノズ
ルから現像液案内板の一面に噴射された現像液は、噴射
時の圧力により現像液案内板の一面で拡散し、均一に広
がった状態で被処理基板上に供給されることになる。According to such a configuration, the developing solution jetted from the developing solution supply nozzle to one surface of the developing solution guide plate is diffused on the one surface of the developing solution guide plate by the pressure at the time of jetting, and is uniformly spread. Is supplied onto the substrate to be processed.
【００１９】１の実施形態によれば、前記現像液供給系
統（１６、２６、２７、２８、２９、３０）は、前記現
像液案内板（１５）の一面に開口する現像液供給路（８
１）を有するものである。According to one embodiment, the developer supply system (16, 26, 27, 28, 29, 30) includes a developer supply passage (8) opening on one surface of the developer guide plate (15).
1).
【００２０】このような構成によれば、現像液案内板の
上部からすだれ状に供給された現像液がこの現像液案内
板を伝って下降するにしたがって広がり、均一な状態で
被処理基板上に供給されることになる。According to such a configuration, the developer supplied in an interdigital manner from the upper portion of the developer guide plate spreads as it descends along the developer guide plate and spreads uniformly on the substrate to be processed. Will be supplied.
【００２１】１の実施形態によれば、前記処理液案内板
（１５）の一面には凹凸部（１９、９１）が設けられて
いる。また、１の実施形態によれば、前記処理液案内板
（１５）の下端部の進行方向前側部分（２２）は一面よ
り凸に形成されている。According to one embodiment, an uneven portion (19, 91) is provided on one surface of the processing liquid guide plate (15). Further, according to one embodiment, a front portion (22) of the lower end of the processing liquid guide plate (15) in the traveling direction is formed to be more convex than one surface.
【００２２】このような構成によれば、現像液案内板の
凹凸部によってウエハ上に供給される現像液の流速が効
果的に減速されるから、レジスト膜に与える衝撃を緩和
することができる。According to such a configuration, the flow rate of the developing solution supplied onto the wafer is effectively reduced by the concave and convex portions of the developing solution guide plate, so that the impact on the resist film can be reduced.
【００２３】１の実施形態によれば、前記現像液案内板
（１５）は、駆動方向に沿って所定の間隔で複数枚設け
られている。この場合、前記複数枚の各現像液案内板
（１５）に現像液を供給する複数の現像液供給系統（１
６）を有し、各現像液供給系統による現像液供給量を個
別に制御できる制御部（６）を有することが好ましい。
また、この制御部は、前記現像液案内板の位置に応じて
供給量を制御し、前記被処理基板の前面に渡って均一な
量の現像液を供給するものであることが望ましい。According to one embodiment, a plurality of the developer guide plates (15) are provided at predetermined intervals along the driving direction. In this case, a plurality of developer supply systems (1) for supplying a developer to the plurality of developer guide plates (15).
It is preferable that the control section (6) has a control section (6) that can individually control the amount of developer supplied by each developer supply system.
Further, it is preferable that the control unit controls a supply amount according to a position of the developer guide plate, and supplies a uniform amount of the developer over the front surface of the substrate to be processed.
【００２４】このような構成によれば、複数の現像液案
内板で現像液を供給することができるから、より短時間
で現像液の液盛りを行なうことができる。According to such a configuration, since the developer can be supplied by the plurality of developer guide plates, the developer can be filled in a shorter time.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態を図
面を参照して説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２６】図１は、一実施形態に係る現像処理装置を
示す概略構成図である。この現像処理装置は、被処理基
板としてのウエハ１（レジスト液が塗布され露光処理さ
れたウエハ）を保持するウエハ保持部２と、ウエハ１上
に処理液としての現像液を供給する現像液供給部３と、
ウエハ１上から飛散する現像液を受け止めるカップ４
と、現像後のウエハ１を洗浄処理するための洗浄処理部
５と、これら各機構を制御する制御部６とを有する。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a developing apparatus according to one embodiment. The development processing apparatus includes a wafer holding unit 2 for holding a wafer 1 as a substrate to be processed (a wafer on which a resist solution is applied and subjected to exposure processing), and a developing solution supply for supplying a developing solution as a processing solution onto the wafer 1. Part three,
Cup 4 for receiving the developer scattered from above wafer 1
And a cleaning unit 5 for cleaning the wafer 1 after development, and a control unit 6 for controlling these mechanisms.
【００２７】ウエハ保持部２は、ウエハ１を吸着保持す
るスピンチャック７と、このスピンチャック７を回転駆
動すると共に昇降駆動するスピンチャック駆動機構８と
を備えている。このウエハ保持部２は、現像液供給部３
によって供給された現像液を洗浄除去する際にウエハ１
を高速で回転させ、遠心力により現像液を振り切る機能
を有する。ウエハ１の縁部から振り切られた現像液は、
前記カップ４により受け止められ、このカップ４の下端
部に設けられた排液路１０から外部に排出されるように
なっている。The wafer holding unit 2 includes a spin chuck 7 for holding the wafer 1 by suction, and a spin chuck driving mechanism 8 for rotating the spin chuck 7 and driving the spin chuck 7 up and down. The wafer holding unit 2 includes a developer supply unit 3
Cleaning and removing the developer supplied by the wafer 1
Has a function of rotating at a high speed and shaking off the developer by centrifugal force. The developer shaken off from the edge of the wafer 1 is
It is received by the cup 4 and is discharged to the outside from a drainage passage 10 provided at the lower end of the cup 4.
【００２８】一方、現像液供給部３は、Ｘ方向駆動機構
１１と、このＸ方向駆動機構１１によってＸ方向に往復
駆動可能に保持されたＺ方向駆動機構１２と、このＺ方
向駆動機構１２によってＺ方向駆動可能に保持された現
像液供給ユニット１３とからなる。現像液供給ユニット
１３は、ホルダ１４と、このホルダ１４に進行方向前面
が後傾するように保持された現像液案内プレート１５
と、前記ホルダ１４に保持されこの現像液案内プレート
１５に対向して保持された現像液供給ノズル１６と、こ
の現像液供給ノズル１６の上側に設けられ同じく現像液
案内プレート１５に対向するように保持されたエアブロ
ー用ノズル１７とからなる。On the other hand, the developer supply unit 3 includes an X-direction driving mechanism 11, a Z-direction driving mechanism 12 held by the X-direction driving mechanism 11 so as to be capable of reciprocatingly driving in the X direction, and a Z-direction driving mechanism 12. And a developer supply unit 13 held so as to be driven in the Z direction. The developer supply unit 13 includes a holder 14 and a developer guide plate 15 that is held by the holder 14 such that a front surface in a traveling direction is inclined backward.
A developer supply nozzle 16 held by the holder 14 and held opposite to the developer guide plate 15; and a developer supply nozzle 16 provided above the developer supply nozzle 16 so as to face the developer guide plate 15. And a held air blow nozzle 17.
【００２９】図２及び図３は、この現像液供給ユニット
１３の要部を拡大して示す図である。FIGS. 2 and 3 are enlarged views showing the main part of the developer supply unit 13. FIG.
【００３０】前記現像液案内プレート１５は、図２に示
すように、幅方向が前記ウエハ１の直径と略同じ長さ、
例えばウエハの直径が２００ｍｍであれば２０４ｍｍの
長さに形成された例えば石英製の板部材である。また、
図２及び図３に示すように、このプレート１５の進行方
向（図に矢印αで示す）前面の高さ方向中途部にはバン
プ１９が形成されている。このバンプ１９は、現像液案
内プレート１５の幅方向全長に亘って形成されている。As shown in FIG. 2, the developer guide plate 15 has a width substantially equal to the diameter of the wafer 1 in the width direction.
For example, if the diameter of the wafer is 200 mm, it is a plate member made of, for example, quartz and formed to have a length of 204 mm. Also,
As shown in FIGS. 2 and 3, a bump 19 is formed in the middle of the front surface of the plate 15 in the height direction on the front surface (indicated by an arrow α in the drawing). The bump 19 is formed over the entire length of the developer guide plate 15 in the width direction.
【００３１】そして、前記現像液供給ノズル１６は、前
記プレート１５のこのバンプ１９よりも高い位置に対し
て現像液を噴射するように保持されている。また、図２
に示すように、この現像液供給ノズル１６は、現像液案
内プレート１５の幅方向に所定間隔で複数配置されてい
る。各現像液供給ノズル１６から噴射された現像液２１
は、前記バンプ１９に沿って案内プレート１５の幅方向
全長に亘って拡散されると共に、このバンプ１９を乗り
越える際に現像液の速度が減速され、ウエハ１に達する
際の供給速度は自重落下に近い速度に制御される。した
がって、現像液２１は、より均一にかつソフトインパク
トでウエハ１の表面に供給されることになる。The developing solution supply nozzle 16 is held so as to spray the developing solution to a position higher than the bumps 19 on the plate 15. FIG.
As shown in the figure, a plurality of the developer supply nozzles 16 are arranged at predetermined intervals in the width direction of the developer guide plate 15. Developer 21 sprayed from each developer supply nozzle 16
Is diffused along the entire length of the guide plate 15 in the width direction along the bumps 19, and the speed of the developing solution is reduced when passing over the bumps 19, and the supply speed when reaching the wafer 1 is reduced by its own weight. Controlled at close speed. Therefore, the developer 21 is supplied to the surface of the wafer 1 more uniformly and with a soft impact.
【００３２】また、前記案内プレート１５の下端部は、
その進行方向前端部のエッジ部２２が丸く形成されてお
り、下面２３は波形状に形成されていると共に、進行方
向後端部２４は鋭角に形成されている。また、この案内
プレート１５は、前記下端面２３を、前記ウエハ１の表
面に対して例えば１〜３ｍｍと近接させた状態でＸ方向
に駆動されるようになっている。このような構成によれ
ば、ウエハ１の表面に供給された現像液２１を均しなが
ら後ろに流すことが良好に行えると共に、後端部２４が
鋭角に形成されているから、現像液２１とこのプレート
１５との離れが良好に行える。The lower end of the guide plate 15
An edge portion 22 at the front end in the traveling direction is formed in a round shape, a lower surface 23 is formed in a wavy shape, and a rear end portion 24 in the traveling direction is formed at an acute angle. The guide plate 15 is driven in the X direction with the lower end surface 23 being close to the surface of the wafer 1 by, for example, 1 to 3 mm. According to such a configuration, the developer 21 supplied to the surface of the wafer 1 can be satisfactorily flowed backward while being leveled, and the rear end 24 is formed at an acute angle. The separation from the plate 15 can be performed well.
【００３３】一方、前記エアブロー用ノズル１７は、図
２に示すように例えば一本のみ設けられ、前記現像液案
内プレート１５の前面の前記現像液供給ノズル１６より
も高い位置に対向している。このような構成によれば、
前記ノズル１７から高圧エアを前記現像液案内プレート
１５の前面に対して吹き付けることができるから、この
現像液案内プレート１５の表面に残留している現像液を
有効に除去することができる。On the other hand, as shown in FIG. 2, only one air blow nozzle 17 is provided, for example, and is opposed to a position higher than the developer supply nozzle 16 on the front surface of the developer guide plate 15. According to such a configuration,
Since high-pressure air can be blown from the nozzle 17 against the front surface of the developer guide plate 15, the developer remaining on the surface of the developer guide plate 15 can be effectively removed.
【００３４】ここで前記現像液供給ノズル１６及びエア
ブロー用ノズル１７は、図１に示す供給系２５に接続さ
れている。先ず、現像液供給係について説明すると、現
像液の入った現像液タンク２６に不活性ガス、例えばＮ
２ガスが吹き込まれ、このガス圧により現像液がフィル
タ２７、液量コントローラ２８、開閉弁２９及び供給管
３０を通じて現像液供給ノズル１６に送られるようにな
っている。また、高圧エア供給系について説明すると、
エアポンプ３１により供給された高圧エアが、フィルタ
３２、開閉弁３３及び供給管３４を通じて前記エアブロ
ー用ノズル１７に接続されるようになっている。Here, the developer supply nozzle 16 and the air blow nozzle 17 are connected to a supply system 25 shown in FIG. First, a developer supply section will be described. An inert gas such as N 2 is stored in a developer tank 26 containing a developer.
Two gases are blown, and the gas pressure causes the developer to be sent to the developer supply nozzle 16 through the filter 27, the liquid amount controller 28, the on-off valve 29, and the supply pipe 30. In addition, the high-pressure air supply system will be described.
The high-pressure air supplied by the air pump 31 is connected to the air blow nozzle 17 through a filter 32, an on-off valve 33 and a supply pipe 34.
【００３５】現像液及び高圧エアの供給・停止は、各開
閉弁２９、３３によって行われるようになっており、こ
の開閉弁２９、３３は前記制御部６によって制御される
ようになっている。また、前記液量コントローラ２８
も、前記制御部６に接続されている。The supply and the stop of the developing solution and the high-pressure air are performed by respective on-off valves 29 and 33, and these on-off valves 29 and 33 are controlled by the control unit 6. Further, the liquid amount controller 28
Are also connected to the control unit 6.
【００３６】また、この制御部６には、前記Ｘ方向駆動
機構１１及びＺ方向駆動機構１２も接続されており、こ
れらを制御することで、前記現像液供給ユニット１３を
下降させて前記プレート１５をウエハ１に近接させ、こ
のユニット１３をＸ方向にスキャン駆動することができ
るようになっている。The control section 6 is also connected to the X-direction drive mechanism 11 and the Z-direction drive mechanism 12, and by controlling these, the developer supply unit 13 is lowered to allow the plate 15 Is brought close to the wafer 1, and the unit 13 can be scanned and driven in the X direction.
【００３７】次に、この現像液供給部３の側方に設けら
れた洗浄処理部５について説明する。Next, the cleaning section 5 provided on the side of the developer supply section 3 will be described.
【００３８】この洗浄処理部５は、Ｚθ駆動機構３６
と、このＺθ駆動機構３６に保持され前記スピンチャッ
ク７に保持されたウエハ１の中央部に対向位置決めされ
る洗浄ノズル３７と、前記Ｚθ駆動機構３６を作動させ
るためのＺθ駆動部３８とを有する。このＺθ駆動機構
３６からは、前記洗浄ノズル３７に接続された供給管４
０が導出され、この供給管４０は開閉弁４１を介して洗
浄液供給タンク４２に接続されている。The cleaning section 5 includes a Zθ drive mechanism 36
A cleaning nozzle 37 held by the Zθ drive mechanism 36 and positioned opposite the center of the wafer 1 held by the spin chuck 7, and a Zθ drive section 38 for operating the Zθ drive mechanism 36. . From the Zθ drive mechanism 36, a supply pipe 4 connected to the cleaning nozzle 37 is provided.
The supply pipe 40 is connected to a cleaning liquid supply tank 42 via an on-off valve 41.
【００３９】洗浄液供給タンク４２内の洗浄液は、この
タンク４２に不活性ガス例えばＮ２ガスが吹き込まれる
ことで、このガス圧により開閉弁４１を通じて前記洗浄
ノズル３７に供給されるようになっている。この開閉弁
４１及び前記Ｚθ駆動部３８は、前記制御部６に接続さ
れており、この制御部６の指令によって前記ノズル３７
が前記ウエハ１の中央部に対向位置決めされ洗浄液がウ
エハ１上に噴射されるようになっている。The cleaning liquid in the cleaning liquid supply tank 42 is supplied to the cleaning nozzle 37 through the opening / closing valve 41 by blowing an inert gas such as N 2 gas into the tank 42. . The opening / closing valve 41 and the Zθ driving unit 38 are connected to the control unit 6.
Are positioned opposite the center of the wafer 1 so that the cleaning liquid is sprayed onto the wafer 1.
【００４０】次に、この装置の動作について、図４のフ
ローチャートを参照して説明する。Next, the operation of this apparatus will be described with reference to the flowchart of FIG.
【００４１】まず、前記ウエハ１がこの現像処理装置に
ロードされる（ステップＳ１）。すなわち、スピンチャ
ック７がカップ４の上方まで上昇駆動され、前工程でレ
ジスト液が塗布され露光処理されたウエハ１が図示しな
いアームからこのスピンチャック７上に受け渡され保持
される。その後、スピンチャック７が下降駆動され、ウ
エハ１はカップ４内に収容される。First, the wafer 1 is loaded into the developing device (step S1). That is, the spin chuck 7 is driven to rise above the cup 4, and the wafer 1 on which the resist liquid has been applied and exposed in the previous process is transferred from the arm (not shown) to the spin chuck 7 and held there. Thereafter, the spin chuck 7 is driven to descend, and the wafer 1 is accommodated in the cup 4.
【００４２】次に、前記現像液供給ユニット１３が、図
１の紙面の左側の初期位置（ホームポジション）に位置
決めされた状態で、前記Ｚ方向駆動機構１２によって下
降駆動される（ステップＳ２）。この時、前記供給ユニ
ット１３の案内プレート１５の下端部はウエハ１の外側
に外れており、かつ、その下端面は、ウエハ１の表面よ
りも約１ｍｍ程度高い高さに保持される。Next, while the developer supply unit 13 is positioned at the initial position (home position) on the left side of the paper surface of FIG. 1, it is driven downward by the Z-direction drive mechanism 12 (step S2). At this time, the lower end of the guide plate 15 of the supply unit 13 is outside the wafer 1, and the lower end surface is held at a height about 1 mm higher than the surface of the wafer 1.
【００４３】次に、前記Ｘ方向駆動機構１１が作動し、
この供給ユニット１３をＸ方向にスキャン駆動すると共
に（ステップＳ３）、所定の現像液供給開始タイミング
で前記開閉弁２９が開かれて供給ノズル１６から現像液
が供給開始される（ステップＳ４）。現像液の供給開始
位置は、前記現像液案内プレート１５の前記エッジ部２
２がウエハ１に達する直前であることが好ましい。な
お、前記開閉弁２９の実際の開タイミングは、前記開閉
弁２９が開かれてから現像液が実際にウエハ１上に達す
るまでのタイムラグを考慮して決定される。Next, the X-direction drive mechanism 11 operates,
The supply unit 13 is driven to scan in the X direction (step S3), and at the predetermined developer supply start timing, the opening / closing valve 29 is opened to start supplying the developer from the supply nozzle 16 (step S4). The supply start position of the developer is determined by the edge portion 2 of the developer guide plate 15.
It is preferable that 2 is just before reaching the wafer 1. Note that the actual opening timing of the on-off valve 29 is determined in consideration of the time lag from when the on-off valve 29 is opened until the developer actually reaches the wafer 1.
【００４４】以上の工程により現像液の供給開始される
ことで、前記供給ユニット１３は、矢印αで示す状態で
Ｘ方向に一定速度例えば５〜２０ｃｍ／ｓｅｃのスキャ
ンスピードで移動しながらウエハ１上に現像液を供給す
る（ステップＳ５）。ウエハ１上に供給された現像液
は、図３に示すように、前記曲面で構成されたエッジ部
２２によってスムーズにこのプレート１５の下端面２３
側に案内されると共に、この下端面２３によって均一に
均され、その結果プレート１５の通過後には約１ｍｍの
均一な現像液膜が形成されていく。When the supply of the developing solution is started by the above steps, the supply unit 13 moves on the wafer 1 while moving in the X direction at a constant speed, for example, a scan speed of 5 to 20 cm / sec in the state shown by the arrow α. Is supplied (step S5). As shown in FIG. 3, the developing solution supplied onto the wafer 1 is smoothly transferred to the lower end surface 23 of the plate 15 by the edge portion 22 having the curved surface.
Side, and is evenly leveled by the lower end surface 23. As a result, after passing through the plate 15, a uniform developer film of about 1 mm is formed.
【００４５】なお、この実施形態では、前記現像液供給
ノズル１６からの現像液の供給流量は、全行程に亘って
一定である。ただし、現像液の供給面積はウエハ１の中
央部に向かって次第に大きくなり、中央部から離れるに
したがって次第に小さくなるので、これに応じて現像液
の量を変化させても良い。現像液の供給量を小さくする
場合には、前記現像液供給ノズル１６を現像液案内プレ
ート１５の中央部に対向するように１本だけ設け、前記
流量コントローラ２９によって制御することが好まし
い。この場合、流量が少ないと、現像液の広がりを小さ
くでき現像液の供給範囲を狭くすることができ、流量を
多くすると供給範囲を広くすることができるから、現像
液を節約することができる。In this embodiment, the supply flow rate of the developer from the developer supply nozzle 16 is constant over the entire process. However, since the supply area of the developing solution gradually increases toward the center of the wafer 1 and gradually decreases as the distance from the center increases, the amount of the developing solution may be changed accordingly. When the supply amount of the developer is reduced, it is preferable to provide only one developer supply nozzle 16 so as to face the center of the developer guide plate 15 and control the flow by the flow controller 29. In this case, if the flow rate is small, the spread of the developer can be reduced and the supply range of the developer can be narrowed, and if the flow rate is increased, the supply range can be widened, so that the developer can be saved.
【００４６】ついで、前記現像液案内プレート１５がウ
エハ１の他端側にオーバースキャンする直前で現像液の
供給が停止され（ステップＳ６）、オーバースキャンし
た後供給ユニット１３のＸ方向のスキャンも停止される
（ステップＳ７）。以上の現像液供給工程の間、ウエハ
１の周縁部から垂れ落ちた余剰の現像液は前記カップ４
に受け止められ、前記排出路１０から外部に排出される
ようになっている。Then, just before the developer guide plate 15 overscans the other end of the wafer 1, the supply of the developer is stopped (step S6), and after the overscan, the scanning of the supply unit 13 in the X direction is also stopped. Is performed (step S7). During the above-described developer supply step, excess developer dripping from the peripheral portion of the wafer 1
And is discharged from the discharge passage 10 to the outside.
【００４７】現像液の供給が停止されたならば、前記現
像液案内プレート１５の洗浄が行われる（ステップＳ
８）。すなわち、前記現像液供給ノズル１６の上方に取
り付けられたエアブロー用ノズル１７から前記現像液案
内プレート１５に向けて洗浄液が噴射されることで、現
像液案内プレート１５の現像液で汚れた前面が洗浄され
る。If the supply of the developer is stopped, the developer guide plate 15 is washed (step S).
8). That is, the cleaning liquid is sprayed from the air blow nozzle 17 attached above the developer supply nozzle 16 toward the developer guide plate 15, so that the front surface of the developer guide plate 15 that is soiled with the developer is cleaned. Is done.
【００４８】現像液案内プレート１５が洗浄されたなら
ば、現像液供給ユニット１３は上昇駆動され、カップ４
内から退出されると共に、前記Ｘ駆動機構が作動するこ
とで紙面左側端部の初期位置に戻される（ステップＳ
９）。When the developer guide plate 15 has been washed, the developer supply unit 13 is driven up and the cup 4
And the X drive mechanism is operated to return to the initial position at the left end of the drawing (step S).
9).
【００４９】現像液供給ユニット１３が初期位置に戻さ
れかつ所定の現像時間が経過したならば、ウエハの洗浄
（現像液の除去）が行われる（ステップＳ１０）。すな
わち、まず、前記Ｚθ駆動機構３８が作動し、前記洗浄
ノズル３７をウエハ１の中央部に対向させる。ついで、
前記開閉弁４１が作動することでウエハの中央部に洗浄
液としての純水が供給されると共に、前記スピンチャッ
ク駆動機構８が作動することでウエハ１は高速で回転さ
れ、ウエハ上の現像液が洗浄液と共に洗い流される。つ
ぎに、純水の供給が停止されることで、ウエハ１は振り
切り乾燥される（ステップＳ１１）。When the developing solution supply unit 13 is returned to the initial position and a predetermined developing time has elapsed, the wafer is washed (developer is removed) (step S10). That is, first, the Zθ drive mechanism 38 operates to cause the cleaning nozzle 37 to face the central portion of the wafer 1. Then
By operating the open / close valve 41, pure water as a cleaning liquid is supplied to the center of the wafer, and the wafer 1 is rotated at a high speed by operating the spin chuck driving mechanism 8, so that the developing solution on the wafer is removed. Washed off with cleaning solution. Next, when the supply of pure water is stopped, the wafer 1 is shaken off and dried (step S11).
【００５０】ウエハ１の乾燥が終了したならば、ウエハ
１はこの現像処理装置からアンロードされる（ステップ
Ｓ１２）。すなわち、前記ウエハ１がスピンチャック７
によって上昇駆動され、図示しないアームによって取り
出され、この現像処理装置から排出される。When the drying of the wafer 1 is completed, the wafer 1 is unloaded from the developing device (step S12). That is, the wafer 1 is rotated by the spin chuck 7
And is taken out by an arm (not shown) and discharged from the developing device.
【００５１】以上のような構成によれば、以下の効果を
得ることができる。According to the above configuration, the following effects can be obtained.
【００５２】第１に、スキャン方式の現像処理におい
て、レジスト膜の形成されたウエハ１上に均一にかつ供
給時にレジスト膜に与える衝撃が小さい状態で現像液を
供給することができる。First, in the developing process of the scanning method, the developing solution can be supplied uniformly on the wafer 1 on which the resist film is formed and with a small impact on the resist film at the time of supply.
【００５３】すなわち、従来のリニアノズルによるスキ
ャン現像方式では、一直線上に所定間隔で並んだ各吐出
孔からレジスト膜に対して高圧力で現像液が吹き付けら
れることになるので、吐出孔に対応する部分と対向しな
い部分とでレジスト液に与える衝撃度（インパクト）が
異なることになる。このため、現像量、解像度にむらが
生じてしまうおそれがある。That is, in the conventional scan developing method using a linear nozzle, the developing solution is sprayed at a high pressure from each of the discharge holes arranged in a straight line at a predetermined interval to the resist film. The impact (impact) applied to the resist solution differs between the portion and the portion that does not face. Therefore, there is a possibility that the development amount and the resolution may be uneven.
【００５４】しかしながら、この発明の一実施形態で
は、現像液を、先ず、現像液案内プレート１５の上部に
供給し、この現像液案内プレート１５上で均一に拡散さ
せた状態でこの現像液案内プレート１５を伝わせてウエ
ハ１上に到達させることができる。このことで、現像液
を均一にかつレジスト膜に与える衝撃を極小にした状態
でウエハ１上に供給することが可能になる。However, in one embodiment of the present invention, the developing solution is first supplied to the upper portion of the developing solution guide plate 15, and the developing solution is uniformly diffused on the developing solution guiding plate 15. 15 can be transmitted to reach the wafer 1. As a result, it is possible to supply the developing solution onto the wafer 1 uniformly and with a minimal impact on the resist film.
【００５５】また、この実施形態では、前記案内プレー
ト１５の前面を後傾させると共に、高さ方向中途部にバ
ンプ１９を設けるようにした。このことによって、現像
液の流速が効果的に減速され、より自重落下に近い状態
となるから、レジスト液膜に及ぼす衝撃をさらに効果的
に低減できる効果がある。Further, in this embodiment, the front surface of the guide plate 15 is inclined backward, and the bump 19 is provided at an intermediate portion in the height direction. As a result, the flow rate of the developing solution is effectively reduced, and a state closer to falling under its own weight is obtained. Therefore, the effect on the resist liquid film can be more effectively reduced.
【００５６】第２に、前記現像液案内プレート１５を洗
浄する際に、洗浄液が現像液供給ノズル１６内に侵入し
てしまうことを有効に防止できる効果がある。Secondly, when the developer guide plate 15 is washed, the cleaning solution can be effectively prevented from entering the developer supply nozzle 16.
【００５７】すなわち、従来のスキャン方式において
は、リニアノズルの吐出孔の設けられた下端面を現像液
面に接触させ、現像液を吐出すると共にその液面を均す
ようにしている。このため、一定のインターバルでノズ
ル下端面の洗浄を行う必要があるが、この際、吐出孔内
に洗浄水が侵入してしまうということがあるため、この
洗浄水を除去してからでないと良好な現像を行うことが
できないという問題がある。That is, in the conventional scanning method, the lower end surface of the linear nozzle provided with the discharge hole is brought into contact with the developer surface to discharge the developer and level the surface. For this reason, it is necessary to clean the lower end surface of the nozzle at regular intervals. At this time, since the cleaning water may enter the discharge holes, it is preferable to remove the cleaning water. There is a problem that it is not possible to perform the development.
【００５８】しかしながら、この実施形態の構成によれ
ば、現像液供給ノズル１６は現像液案内プレート１５の
上部に対向配置されているため、現像液案内プレート１
５を洗浄する際に洗浄液が現像液供給ノズル１６内に侵
入してしまうことがない。したがって、従来のように洗
浄水を除去しなくても、すぐに現像液の供給が行える効
果がある。However, according to the structure of this embodiment, since the developer supply nozzle 16 is disposed opposite to the upper portion of the developer guide plate 15, the developer guide plate 1
The cleaning liquid does not enter the developer supply nozzle 16 when cleaning the nozzle 5. Therefore, there is an effect that the developer can be supplied immediately without removing the washing water as in the related art.
【００５９】なお、この現像処理装置は、図５〜図７に
示す塗布現像処理システムに適用されることが好まし
い。The developing apparatus is preferably applied to a coating and developing system shown in FIGS.
【００６０】図５に示すように、この塗布現像処理シス
テムは、ウエハ１が収容されたカセットＣＲからウエハ
１を順次取り出すカセット部５０と、カセット部５０に
よって取り出されたウエハ１に対しレジスト液塗布及び
現像のプロセス処理を行なうプロセス処理部５１と、レ
ジスト液が塗布されたウエハ１を図示しない露光装置に
受け渡すインタフェース部５２とを備えている。As shown in FIG. 5, this coating and developing system includes a cassette section 50 for sequentially taking out wafers 1 from a cassette CR in which the wafers 1 are stored, and a resist solution coating process for the wafer 1 taken out by the cassette section 50. And a process unit 51 for performing a process process of development and development, and an interface unit 52 for transferring the wafer 1 coated with the resist liquid to an exposure apparatus (not shown).
【００６１】前記カセット部５０には、カセットＣＲを
位置決め保持するための４つの突起部６０ａと、この突
起部６０ａによって保持されたカセット内からウエハ１
を取り出す第１のサブアーム機構６１とが設けられてい
る。このサブアーム機構６１は、ウエハ１を取り出した
ならば、θ方向に回転して向きを変え、このウエハ１を
前記プロセス処理部５１に設けられたメインアーム機構
６２に受け渡すことができるようになっている。The cassette section 50 has four projections 60a for positioning and holding the cassette CR, and wafers 1 from the cassette held by the projections 60a.
And a first sub arm mechanism 61 for taking out the first sub arm mechanism 61 are provided. When the sub-arm mechanism 61 takes out the wafer 1, the sub-arm mechanism 61 rotates in the θ direction to change the direction, and can transfer the wafer 1 to the main arm mechanism 62 provided in the process section 51. ing.
【００６２】カセット部５０とプロセス処理部５１間で
のウエハ１の受け渡しは第３の処理ユニット群Ｇ３を介
して行われる。この第３の処理ユニット群Ｇ３は、図７
に示すように複数のプロセス処理ユニットを縦形に積み
上げて構成したものである。すなわち、この処理ユニッ
ト群Ｇ３は、ウエハ１を冷却処理するクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、ウエハ１に対するレジスト液の定着性を
高める疎水化処理を行なうアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）、ウエハ１の位置合わせをするアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、ウエハ１を待機させておくためのエク
ステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処
理を行なう２つプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）、及び露光処理後の加熱処理を行なう２つポストベ
ーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を順次下から上へと
積み上げて構成されている。The transfer of the wafer 1 between the cassette section 50 and the processing section 51 is performed via the third processing unit group G3. This third processing unit group G3 corresponds to FIG.
As shown in Fig. 7, a plurality of process processing units are vertically stacked. That is, the processing unit group G3 includes a cooling unit (COL) for cooling the wafer 1 and an adhesion unit (A) for performing a hydrophobic treatment for improving the fixability of the resist solution to the wafer 1.
D), an alignment unit (ALIM) for positioning the wafer 1, an extension unit (EXT) for holding the wafer 1 on standby, and two pre-baking units (PREBAK) for performing a heating process before the exposure process.
E) and two post-baking units (POBAKE) for performing a heating process after the exposure process are sequentially stacked from bottom to top.
【００６３】前記ウエハ１のメインアーム機構６２への
受け渡しは、前記エクステンションユニット（ＥＸＴ）
及びアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介して行われ
る。The transfer of the wafer 1 to the main arm mechanism 62 is performed by the extension unit (EXT).
And an alignment unit (ALIM).
【００６４】また、図５に示すように、このメインアー
ム機構６２の周囲には、前記第３の処理ユニット群Ｇ３
を含む第１〜第５の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５がこのメ
インアーム機構６２を囲むように設けられている。前述
した第３の処理ユニット群Ｇ３と同様に、他の処理ユニ
ット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ４，Ｇ５も各種の処理ユニットを
上下方向に積み上げ的に構成されている。As shown in FIG. 5, around the main arm mechanism 62, the third processing unit group G3
The first to fifth processing unit groups G1 to G5 are provided so as to surround the main arm mechanism 62. Similarly to the third processing unit group G3 described above, the other processing unit groups G1, G2, G4, and G5 are configured by stacking various processing units in the vertical direction.
【００６５】この実施形態の現像処理装置（ＤＥＶ）
は、図６に示すように、前記第１、第２の処理ユニット
群Ｇ１、Ｇ２に設けられている。この第１、第２の処理
ユニット群Ｇ１，Ｇ２は、レジスト塗布装置（ＣＯＴ）
と現像処理装置（ＤＥＶ）とを上下方向に積み上げ構成
したものである。The developing device (DEV) of this embodiment
Are provided in the first and second processing unit groups G1 and G2, as shown in FIG. The first and second processing unit groups G1 and G2 are provided with a resist coating device (COT)
And a developing device (DEV) are vertically stacked.
【００６６】一方、前記メインアーム機構６２は、図７
に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド６９
と、ガイド６９に沿って上下駆動されるメインアーム６
８を備えている。また、このメインアーム６８は平面方
向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されてい
る。したがって、このメインアーム６８を、上下方向に
駆動することで、ウエハ１を前記各処理ユニット群Ｇ１
〜Ｇ５の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせる
ことができるようになっている。On the other hand, the main arm mechanism 62
As shown in the figure, a cylindrical guide 69 extended vertically.
And a main arm 6 driven up and down along a guide 69
8 is provided. The main arm 68 is configured to rotate in the plane direction and to be driven forward and backward. Therefore, by driving the main arm 68 in the up-down direction, the wafer 1 can be moved to each of the processing unit groups G1.
To G5 can be arbitrarily accessed.
【００６７】前記カセット部５０から第３の処理ユニッ
ト群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てウエハ１を受け取ったメインアーム機構６２は、先
ず、このウエハ１を第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）に搬入し、疎水化処理を行な
う。ついで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）からウエ
ハ１を搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却処
理する。The main arm mechanism 62, which has received the wafer 1 from the cassette section 50 via the extension unit (EXT) of the third processing unit group G3, first transfers the wafer 1 to the third processing unit group G3. It is carried into a fusion unit (AD) and subjected to a hydrophobic treatment. Next, the wafer 1 is unloaded from the adhesion unit (AD) and cooled by the cooling unit (COL).
【００６８】冷却処理されたウエハ１は、前記メインア
ーム機構６２によって前記第１の処理ユニット群Ｇ１
（若しくは第２の処理ユニット群Ｇ２）のレジスト液塗
布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される。こ
のレジスト液塗布装置によりレジスト液が塗布されたウ
エハ１は、メインアーム機構によってアンロードされ、
第４の処理ユニット群Ｇ４を介してインタフェース部５
２に受け渡される。The wafer 1 having been subjected to the cooling process is transferred to the first processing unit group G1 by the main arm mechanism 62.
(Or the second processing unit group G2) is positioned so as to face the resist liquid coating apparatus (COT), and is carried in. The wafer 1 coated with the resist liquid by the resist liquid coating device is unloaded by the main arm mechanism,
The interface unit 5 via the fourth processing unit group G4
Handed over to 2.
【００６９】この第４の処理ユニット群Ｇ４は、図７に
示すように、クーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステ
ンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）、イ
クステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、ポストエクスポージャベーキングユニッ
ト（ＰＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）を下から上へと順次積み上げて構成したも
のである。As shown in FIG. 7, the fourth processing unit group G4 includes a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXT · COL), an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), Post exposure baking unit (PEBAKE) and post baking unit (P
OBAKE) are sequentially stacked from bottom to top.
【００７０】前記レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から取
り出されたウエハ１は、先ず、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）に挿入され、レジスト液から溶剤
（シンナー）を飛ばして乾燥される。The wafer 1 taken out of the resist liquid coating apparatus (COT) is first inserted into a prebaking unit (PREBAKE), and dried by removing a solvent (thinner) from the resist liquid.
【００７１】次に、このウエハ１はクーリングユニット
（ＣＯＬ）で冷却された後、エクステンションユニット
（ＥＸＴ）を介して前記インタフェース部５２に設けら
れた第２のサブアーム機構５４に受け渡される。Next, the wafer 1 is cooled by a cooling unit (COL) and transferred to a second sub-arm mechanism 54 provided in the interface section 52 via an extension unit (EXT).
【００７２】ウエハ１を受け取った第２のサブアーム機
構５４は、受け取ったウエハ１を順次カセットＣＲ内に
収納する。このインターフェース部は、前記ウエハ１を
カセットＣＲに収納した状態で図示しない露光装置に受
け渡し、露光処理後のウエハ１が収納されたカセットＣ
Ｒを受け取る。The second sub-arm mechanism 54 that has received the wafers 1 sequentially stores the received wafers 1 in the cassette CR. The interface unit transfers the wafer 1 stored in the cassette CR to an exposure apparatus (not shown) in a state where the wafer 1 is stored in the cassette CR.
Receive R.
【００７３】露光処理された後のウエハ１は、前記とは
逆に第４の処理ユニット群Ｇ４を介してメインアーム機
構６２に受け渡され、このメインアーム機構６２は、こ
の露光後のウエハ１を必要であればポストエキスポージ
ャベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に挿入した後、
この実施形態の現像装置（ＤＥＶ）に挿入しスキャン方
式による現像処理を行なわせる。現像処理後のウエハ１
は、いずれかのポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）に搬送され、加熱乾燥した後、この第３の処理ユニ
ット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介
してカセット部５０に排出される。The wafer 1 after the exposure processing is transferred to the main arm mechanism 62 via the fourth processing unit group G4, and the main arm mechanism 62 conveys the wafer 1 after the exposure. Is inserted into the post-exposure baking unit (PEBAKE) if necessary.
It is inserted into the developing device (DEV) of this embodiment and is subjected to a developing process by a scanning method. Wafer 1 after development processing
Is one of the post baking units (POBAK)
After being transported to E) and dried by heating, it is discharged to the cassette unit 50 via the extension unit (EXT) of the third processing unit group G3.
【００７４】なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、
選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理
ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第
５の処理ユニット群Ｇ５はレール５５によって移動可能
に保持され、前記メインアーム機構６２及び前記第１〜
第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス
処理を容易に行ない得るようになっている。Note that the fifth processing unit group G5 includes:
This is selectively provided, and in this example, is configured similarly to the fourth processing unit group G4. Further, the fifth processing unit group G5 is movably held by a rail 55, and is provided with the main arm mechanism 62 and the first to the first.
Maintenance processing can be easily performed on the fourth processing unit groups G1 to G4.
【００７５】この発明の現像処理装置を、図５〜図７に
示した塗布現像ユニットに適用した場合、複数のウエハ
の並行処理が容易に行なえるから、ウエハ１の塗布現像
処理工程を非常に効率的に行なうことができる。また、
各処理ユニットが上下に積上げ式に構成されているから
装置の設置面積を著しく減少させることができる。When the developing apparatus of the present invention is applied to the coating and developing unit shown in FIGS. 5 to 7, parallel processing of a plurality of wafers can be easily performed. It can be performed efficiently. Also,
Since the processing units are vertically stacked, the installation area of the apparatus can be significantly reduced.
【００７６】なお、この実施形態は、このような塗布現
像ユニット以外の装置にも適用可能であることはもちろ
んである。また、その他発明の要旨を変更しない範囲で
種々変形可能である。It is needless to say that this embodiment can be applied to an apparatus other than such a coating and developing unit. Various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.
【００７７】第１に、前記一実施形態では、前記現像液
供給ノズル１６を前記現像液案内プレート１５の前面に
対向させ、現像液を現像液案内プレート１５に向けて噴
射するようにしていたが、これに限定されるものではな
い。First, in the above-described embodiment, the developer supply nozzle 16 is opposed to the front surface of the developer guide plate 15, and the developer is sprayed toward the developer guide plate 15. However, the present invention is not limited to this.
【００７８】たとえば、図８に示すように、前記現像液
案内プレート１５の内部から現像液を吐出するようにし
ても良い。すなわち、この構成では、前記現像液案内プ
レート１５の上部にこの現像液案内プレート１５の前面
に開口する複数の現像液供給通路８１を所定の等間隔で
設け、前記現像液供給管３０をこのプレート１５の裏面
側から前記供給通路８１に接続するようにしている。そ
して、このプレート１５の前面には、前記各現像液供給
通路８１から吐出された現像液を下方向に案内する案内
カバー８２を取り付けている。For example, as shown in FIG. 8, the developing solution may be discharged from the inside of the developing solution guide plate 15. That is, in this configuration, a plurality of developer supply passages 81 opened at the front of the developer guide plate 15 are provided at predetermined intervals above the developer guide plate 15, and the developer supply pipe 30 is connected to the plate. 15 is connected to the supply passage 81 from the back side. A guide cover 82 for guiding the developer discharged from each of the developer supply passages 81 downward is attached to the front surface of the plate 15.
【００７９】このような構成によれば、現像液は、前記
案内プレート１５の上部からすだれ状に吐出され、この
案内プレート１５を伝って下方向に向かって流れるうち
にこのプレート１５の全面に亘って拡散し、均一な膜状
となってウエハ１の表面に達する。したがって、このよ
うな構成によっても前記一実施形態と同様の効果を得る
ことができる。なお、前記一実施形態では、エアブロー
用ノズル１７は１本であったが、前記現像液案内プレー
ト１５の前面に亘ってより均一に高圧エアを吹き付ける
ために、４本のエアブロー用ノズル１７を前記プレート
１５の前面に対向配置している。なお、この場合、、こ
のエアブロー用ノズル１７を上から下方向に向かって揺
動させるようにすれば、現像液案内プレート１５の表面
の現像液をより効果的に除去することができる。According to such a configuration, the developing solution is discharged in an interdigital shape from the upper portion of the guide plate 15, and flows downward along the guide plate 15, over the entire surface of the plate 15. And diffuses to form a uniform film and reaches the surface of the wafer 1. Therefore, even with such a configuration, the same effect as in the first embodiment can be obtained. In the embodiment, the number of the air blow nozzles 17 is one. However, in order to blow the high-pressure air more uniformly over the front surface of the developer guide plate 15, the four air blow nozzles 17 are used. It is disposed opposite the front surface of the plate 15. In this case, the developer on the surface of the developer guide plate 15 can be more effectively removed by swinging the air blow nozzle 17 downward from above.
【００８０】また、この図に示すノズル１７の代りに、
このプレート１５の全幅の長さを有するスリット状の吐
出孔を有するノズルを用いて高圧エアを吹き付けるよう
にしても良い。また、この実施形態では、エアブロー用
ノズル１７を用い、空気を吹き付けるようにしている
が、他の気体であっても良く、例えばＮ２ガスを吹き付
ける（Ｎ２ブロー）ようにしても良い。Also, instead of the nozzle 17 shown in this figure,
High-pressure air may be blown using a nozzle having a slit-shaped discharge hole having the entire width of the plate 15. Further, in this embodiment, using the air blow nozzle 17, but so as to blow air, may be other gases such blowing N 2 gas (N 2 blow) as may be.
【００８１】第２に、前記一実施形態では、前記現像液
案内プレート１５の高さ方向中途部にバンプ１９を設け
ていたが、バンプ１９の代りに図９に示すような凹部９
１であっても良い。このような構成によっても、前記現
像液がこの凹部９１を通過する際に現像液の流速が減速
されるから、現像液がレジスト膜に及ぼすインパクトを
低減することができる。Second, in the above-described embodiment, the bumps 19 are provided in the middle of the developer guide plate 15 in the height direction, but instead of the bumps 19, the recesses 9 as shown in FIG.
It may be 1. Even with such a configuration, the flow rate of the developing solution when the developing solution passes through the concave portion 91 is reduced, so that the impact of the developing solution on the resist film can be reduced.
【００８２】第３に、前記一実施形態では、前記現像液
案内プレート１５の高さ方向中途部にバンプ１９を１つ
のみ設けていたが、必要に応じて図１０に示すように例
えば３つ（１９ａ〜１９ｃ）設けても良い。このような
構成によれば、前記現像液の流速の制御をより確実に行
える効果がある。Third, in the above-described embodiment, only one bump 19 is provided in the middle of the developer guide plate 15 in the height direction. However, as shown in FIG. (19a to 19c) may be provided. According to such a configuration, there is an effect that the flow rate of the developer can be more reliably controlled.
【００８３】また、この図の例では、プレート１５の下
端部の進行方向側のエッジ部もバンプ１９ｃとして形成
されている。このように、バンプをプレートの最下端部
に設けることで、レジスト膜（ウエハ１の上面）に接触
する際の現像液の流速を非常に効果的に減速することが
できる。In the example of this figure, the edge of the lower end of the plate 15 on the traveling direction side is also formed as a bump 19c. By providing the bumps at the lowermost end of the plate as described above, the flow rate of the developing solution when contacting the resist film (the upper surface of the wafer 1) can be reduced very effectively.
【００８４】第４に、前記一実施形態では、前記現像液
供給ユニット１３は１つのみであったが、複数の現像液
供給ユニットを設けるようにしても良い。例えば、図１
１に示すように、２つの現像液供給ユニット１３ａ，１
３ｂを、このユニット１３ａ，１３ｂの進行方向にウエ
ハ１の半径寸法だけ離して設けるようにしても良い。Fourth, in the above-described embodiment, only one developer supply unit 13 is provided, but a plurality of developer supply units may be provided. For example, FIG.
As shown in FIG. 1, two developer supply units 13a, 1
3b may be provided at a distance of the radius of the wafer 1 in the traveling direction of the units 13a and 13b.
【００８５】この場合には、第１の供給ユニット１３ａ
による現像液の供給はウエハ１の一端から始め、第２の
供給ユニット１３ｂによる現像液の供給はウエハ１の中
央部から開始することになる。また、第１の供給ユニッ
ト１３ａによる供給はウエハ１の中央部で終了し、第２
の供給ユニット１３ｂによる供給はウエハ１の他端で終
了することになる。In this case, the first supply unit 13a
Is supplied from one end of the wafer 1, and the supply of the developer by the second supply unit 13b is started from the center of the wafer 1. The supply by the first supply unit 13a ends at the center of the wafer 1 and the second
The supply by the supply unit 13b ends at the other end of the wafer 1.
【００８６】ただし、この場合、現像液の未供給部位が
生じることがないように、第１の供給ユニット１３ａに
よる供給範囲と第２の供給ユニット１３ｂによる供給範
囲に一部重なりが生じることが望ましい。この場合、重
複供給範囲はウエハ１の中央部付近となる。In this case, however, it is desirable that the supply range of the first supply unit 13a and the supply range of the second supply unit 13b partially overlap so that the unsupplied portion of the developer does not occur. . In this case, the overlapping supply range is near the center of the wafer 1.
【００８７】図１１（ｂ）は、横軸に各ユニット１３
ａ、１３ｂの移動位置をとり、縦軸方向に各ユニット１
３ａ、１３ｂの現像液の供給流量をとって示したチャー
トである。この図に示すように、各ユニット１３ａ、１
３ｂによる供給量は、ウエハ１の中央部付近の重複供給
範囲でそれぞれ他の範囲の約半量に減少させている。な
お、この図において、第１のユニットについての線図に
おけるＴstart点、Ｔend点と、第２のユニットについて
の線図におけるＴstart点、Ｔend点とは同じタイミング
である。このような制御の結果、この重複供給範囲にお
ける供給量は他の部位と等しくなる。FIG. 11B shows each unit 13 on the horizontal axis.
a, 13b, and each unit 1
5 is a chart showing the supply flow rates of the developing solutions 3a and 13b. As shown in this figure, each unit 13a, 1
The supply amount by 3b is reduced to about half the other range in the overlapping supply range near the center of the wafer 1. In this figure, the Tstart point and Tend point in the diagram for the first unit and the Tstart point and Tend point in the diagram for the second unit have the same timing. As a result of such control, the supply amount in this overlapping supply range becomes equal to the other parts.
【００８８】なお、この供給量の制御は、図１１（ａ）
に示す各ユニット１３ａ、１３ｂ用の液量コントローラ
２８を制御部６が各ユニット１３ａ、１３ｂの駆動位置
に応じて個別に制御することにより行われる。The control of the supply amount is carried out according to FIG.
Is performed by the control unit 6 individually controlling the liquid amount controllers 28 for the units 13a and 13b according to the drive positions of the units 13a and 13b.
【００８９】このような構成によれば、２つの供給ユニ
ット１３ａ、１３ｂにより液盛りが行えるから、より短
時間で現像液の液盛りが完了できる効果がある。また、
ウエハ中央部における供給量を制御することによってよ
り均一な現像液の液盛りが行えるから、良好な現像が期
待できる。According to such a configuration, since the liquid supply can be performed by the two supply units 13a and 13b, the liquid supply of the developer can be completed in a shorter time. Also,
By controlling the supply amount at the central portion of the wafer, the developer can be more uniformly filled, so that good development can be expected.
【００９０】[0090]
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
従来のスキャン現像方式において現像液をウエハ等の被
処理基板上に液盛りする際に発生していた種々の問題を
解決することができ、良好な現像処理を行なうことがで
きる。As described above, according to the present invention,
It is possible to solve various problems that have occurred when a developing solution is loaded on a substrate to be processed such as a wafer in a conventional scan developing method, and it is possible to perform a good developing process.
【図１】この発明の一実施形態を示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】同じく、要部である現像液処理ユニットを拡大
して示す斜視図。FIG. 2 is an enlarged perspective view showing a developing solution processing unit, which is also a main part.
【図３】同じく、現像液案内プレートと現像液供給ノズ
ルの位置関係を示す概略構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a positional relationship between a developer guide plate and a developer supply nozzle.
【図４】現像処理工程を示すフローチャート。FIG. 4 is a flowchart showing a developing process.
【図５】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す平面配置図。FIG. 5 is a plan view showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
【図６】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す正面配置図。FIG. 6 is a front layout view showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
【図７】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す背面配置図。FIG. 7 is a rear view showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
【図８】この発明の他の実施形態を示す斜視図。FIG. 8 is a perspective view showing another embodiment of the present invention.
【図９】この発明の他の実施形態を示す概略構成図。FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
【図１０】この発明の他の実施形態を示す概略構成図。FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
【図１１】この発明の他の実施形態を示す概略構成図及
びタイミングチャート。FIG. 11 is a schematic configuration diagram and a timing chart showing another embodiment of the present invention.
Ｇ１〜Ｇ５…第１〜第５の処理ユニット群 １…ウエハ ２…ウエハ保持部 ３…現像液供給部 ４…カップ ５…洗浄処理部 ６…制御部 ７…スピンチャック ８…スピンチャック駆動機構 ９…処理液供給細管 １０…排液路 １１…Ｘ方向駆動機構 １２…Ｚ方向駆動機構 １３…現像液供給ユニット １３ａ…第１の供給ユニット １３ｂ…第２の供給ユニット １４…ホルダ １５…現像液案内プレート １６…現像液供給ノズル １７…エアブロー用ノズル １９…バンプ ２１…現像液 ２２…エッジ部 ２３…下端面 ２４…後端部 ２５…供給系 ２６…現像液タンク ２７…フィルタ ２８…液量コントローラ ２９…開閉弁 ３０…現像液供給管 ３２…洗浄液供給タンク ３３…開閉弁 ３４…供給管 ３６…Ｚθ駆動機構 ３７…洗浄ノズル ３８…Ｚθ駆動部 ４０…供給管 ４１…開閉弁 ４２…洗浄液供給タンク ５０…カセット部 ５１…プロセス処理部 ５２…インタフェース部 ５４…第２のサブアーム機構 ５５…レール ６０ａ…突起部 ６１…第１のサブアーム機構 ６２…メインアーム機構 ６８…メインアーム ６９…ガイド ８１…現像液供給通路 ８２…案内カバー ９１…凹部 G1 to G5 first to fifth processing unit groups 1 wafer 2 wafer holding unit 3 developer supply unit 4 cup 5 cleaning unit 6 control unit 7 spin chuck 8 spin chuck driving mechanism 9 ... Treatment liquid supply thin tube 10 Drainage path 11 X-direction drive mechanism 12 Z-direction drive mechanism 13 Developer supply unit 13 a First supply unit 13 b Second supply unit 14 Holder 15 Developer guide Plate 16 ... Developer supply nozzle 17 ... Air blow nozzle 19 ... Bump 21 ... Developer 22 ... Edge 23 ... Lower end 24 ... Rear end 25 ... Supply system 26 ... Developer tank 27 ... Filter 28 ... Liquid amount controller 29 ... On-off valve 30 ... Development solution supply pipe 32 ... Cleaning liquid supply tank 33 ... On-off valve 34 ... Supply pipe 36 ... Zθ drive mechanism 37 ... Cleaning nozzle 38 ... Zθ drive unit 4 ... Supply pipe 41 ... On-off valve 42 ... Cleaning liquid supply tank 50 ... Cassette unit 51 ... Processing unit 52 ... Interface unit 54 ... Second sub arm mechanism 55 ... Rail 60a ... Protrusion 61 ... First sub arm mechanism 62 ... Main arm Mechanism 68: Main arm 69: Guide 81: Developer supply path 82: Guide cover 91: Recess
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 GA30 GA32 5F046 LA03 LA04 LA14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H096 AA25 GA30 GA32 5F046 LA03 LA04 LA14
Claims (9)
を有する被処理基板に現像液を供給してフォトレジスト
膜を現像処理する現像処理装置であって、 前記被処理基板を水平に保持する基板保持機構と、 この基板保持機構に保持された被処理基板の上方に保持
され、所定の水平方向に移動しながら前記被処理基板上
に現像液を供給する現像液供給機構とを有し、この現像
液供給機構は、 下端部を前記基板と所定の隙間を存して対向させた状態
で保持され、その一面をこの現像液供給機構の駆動方向
に対向させて保持された現像液案内板と、 この現像液案内板の一面の上部に現像液を供給すること
で、この現像液案内板を伝わせてこの現像液案内板の下
端部から前記被処理基板上に現像液を供給する現像液供
給系統とを有することを特徴とする現像処理装置。1. A developing apparatus for developing a photoresist film by supplying a developing solution to a substrate having a photoresist film on which a pattern is exposed, wherein the substrate holding the substrate horizontally. A developing solution supply mechanism that is held above the substrate to be processed held by the substrate holding mechanism and supplies a developing solution onto the substrate to be processed while moving in a predetermined horizontal direction. The liquid supply mechanism is held in a state where the lower end thereof is opposed to the substrate with a predetermined gap therebetween, and a developer guide plate held with one surface thereof opposed to the driving direction of the developer supply mechanism, By supplying the developing solution to the upper portion of one surface of the developing solution guide plate, the developing solution is supplied from the lower end portion of the developing solution guide plate to the developing solution onto the substrate to be processed. And having a system That developing processing apparatus.
傾させた状態で保持していることを特徴とする現像処理
装置。2. The developing device according to claim 1, wherein the developer supply mechanism holds the developer guide plate in a state where the one surface is inclined backward in the traveling direction. Development processing device.
の表面に現像液を供給する現像液供給ノズルを有するも
のであることを特徴とする現像処理装置。3. The developing device according to claim 1, wherein the developing solution supply system is arranged to face the developing solution guide plate and supplies a developing solution to a surface of the developing solution guide plate. Developing apparatus characterized by having.
記現像液供給系統は、 前記現像液案内板の表面に開口する現像液供給路を有す
るものであることを特徴とする現像処理装置。4. The developing apparatus according to claim 1, wherein said developing solution supply system has a developing solution supply path opened on a surface of said developing solution guide plate.
とを特徴とする現像処理装置。5. The developing apparatus according to claim 1, wherein an uneven portion is provided on one surface of the processing liquid guide plate.
り凸に形成されていることを特徴とする現像処理装置。6. The developing apparatus according to claim 1, wherein a front portion in a traveling direction of a lower end of the processing liquid guide plate is formed to be more convex than one surface.
数枚設けられていることを特徴とする現像処理装置。7. The developing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of developer guide plates are provided at predetermined intervals along a driving direction.
現像液供給系統を有し、 各現像液供給系統による現像液供給量を個別に制御でき
る制御部を有することを特徴とする現像処理装置。8. The developing apparatus according to claim 7, further comprising a plurality of developer supply systems for supplying a developer to each of said plurality of developer guide plates, wherein a developer supply amount by each developer supply system is provided. Characterized by having a control unit capable of individually controlling the development processing.
することを特徴とする現像処理装置。9. The development processing apparatus according to claim 8, wherein the control unit controls a supply amount according to a position of the developer guide plate, and develops a uniform amount over the front surface of the substrate to be processed. A development processing device for supplying a liquid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25587099A JP3583959B2 (en) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | Development processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25587099A JP3583959B2 (en) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | Development processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085294A true JP2001085294A (en) | 2001-03-30 |
| JP3583959B2 JP3583959B2 (en) | 2004-11-04 |
Family
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7503614B2 (en) | 2021-12-31 | 2024-06-20 | サムス カンパニー リミテッド | Liquid trap tank and liquid supply unit for liquid trap tank |
-
1999
- 1999-09-09 JP JP25587099A patent/JP3583959B2/en not_active Expired - Fee Related
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