JP2001085287A - Developing apparatus and developing method - Google Patents
Developing apparatus and developing methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を
行う現像処理装置及び現像処理方法に関するものであ
る。The present invention relates to a developing apparatus and a developing method for performing a developing process by supplying a developing solution to a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板としての半導体ウエハにフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィー技術を用いることで所定のパ
ターンをフォトレジストに転写し、これを現像処理する
ことにより回路パターンを形成する。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a photoresist is applied to a semiconductor wafer as a substrate to be processed, a predetermined pattern is transferred to the photoresist by using photolithography technology, and the photoresist is developed. Form a circuit pattern.
【０００３】ここで、現像処理工程においては、現像液
をノズルから半導体ウエハ上に連続的に供給し、パター
ン形成面に現像液を所定時間だけ液盛りして接触させる
ことにより塗布レジスト膜の潜像パターンを現像するい
わゆるパドル方式が一般的に採用されている。In the developing process, a developing solution is continuously supplied from a nozzle onto a semiconductor wafer, and the developing solution is brought into contact with a pattern forming surface for a predetermined period of time so as to contact the pattern forming surface. A so-called paddle system for developing an image pattern is generally employed.
【０００４】パドル方式としては、多数の液吐出孔を一
直線上に所定の間隔で配列してなるいわゆるリニアノズ
ルを用いるものが現在の主流である。このようなリニア
ノズルを用いる現像方式としては、（１）リニアノズル
から現像液を吐出しつつ、ウエハを１８０度回転させる
ことでウエハ上に液盛りを行う「回転方式」と、（２）
ウエハを回転させず、リニアノズルをウエハに対して一
方向に平行に移動させることで液盛りを行う「スキャン
方式」とがある。At present, the mainstream of the paddle system uses a so-called linear nozzle in which a large number of liquid ejection holes are arranged at predetermined intervals on a straight line. The development method using such a linear nozzle includes (1) a “rotation method” in which a liquid is deposited on a wafer by rotating the wafer by 180 degrees while discharging a developer from the linear nozzle, and (2)
There is a “scan method” in which a liquid is filled by moving a linear nozzle in one direction parallel to a wafer without rotating the wafer.
【０００５】前者の回転方式は、近時の、現像液の消費
量を節減しかつ短時間でかつ均一に液盛りするという要
求から考案されたものである。しかしながら、この回転
方式であると、レジストの種類によっては、回転中心で
あるウエハの中央部付近のチップが不良品になってしま
うということがある。[0005] The former rotation method has been devised in recent years in order to reduce the consumption of the developing solution and to uniformly fill the solution in a short time. However, with this rotation method, chips near the center of the wafer, which is the center of rotation, may become defective depending on the type of resist.
【０００６】すなわち、回転方式においては、ノズルを
固定した状態でウエハを１８０°回転させることでウエ
ハ全体に亘って現像液の液盛りを行うが、このような方
法であるとウエハの中央部付近にのみ常に新鮮な現像液
が供給されることになるため、周辺部分と比較してこの
部位のみ過度に現像が進んでしまうことが考えられる。
最近の回路パターンの微細化及び高密度化に伴い、レジ
ストがより高性能つまり高解像度化され、従来では無視
されていたような問題がクローズアップされており、例
えば、化学増幅型レジスト（ＫＡＲ）を用いた場合に
は、この現象が顕著に現われ、所望の解像度を得ること
ができないということがある。[0006] That is, in the rotation method, the developer is filled over the entire wafer by rotating the wafer by 180 ° with the nozzle fixed, but in such a method, the vicinity of the center of the wafer is increased. Since a fresh developing solution is always supplied only to this portion, it is conceivable that the development proceeds excessively only in this portion as compared with the peripheral portion.
With the recent miniaturization and higher density of circuit patterns, resists have been improved in performance and resolution, and problems that have been neglected in the past have been highlighted. For example, chemically amplified resists (KAR) When this is used, this phenomenon appears remarkably, and a desired resolution may not be obtained.
【０００７】一方、スキャン方式によれば、上記回転方
式に比べ液盛りに若干時間がかかるものの、前述のよう
な問題が生じないため、近年有望視されている。On the other hand, according to the scanning method, although it takes a little time for liquid replenishment as compared with the above-mentioned rotating method, since the above-mentioned problem does not occur, it is considered to be promising in recent years.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、スキャン現
像方式においては、前述したリニアノズルを用い、この
リニアノズルの吐出孔とウエハの表面とを近接させ多数
の吐出孔から同時に現像液を吐出する。そして、リニア
ノズルを水平方向に平行に移動（スキャン移動）させる
ことでウエハ上に現像液膜を形成するようにしている。
また、この方式では、リニアノズルの下端面をウエハ上
に供給された現像液に接触させながら移動させること
で、現像液の液面を均すようにしている。By the way, in the scan developing system, the above-described linear nozzle is used, and the developing solution is discharged from a number of discharging holes at the same time by bringing the discharge holes of the linear nozzle close to the surface of the wafer. Then, the developer film is formed on the wafer by moving the linear nozzle in parallel with the horizontal direction (scanning movement).
In this method, the lower surface of the linear nozzle is moved while being in contact with the developer supplied on the wafer, so that the liquid level of the developer is leveled.
【０００９】しかしながら、このような従来のスキャン
方式であると、ノズル下面の吐出孔の間の部位にも現像
液が接触してしまうため、この部分に付着した現像液が
後で液だれの原因になる恐れがある。また、この部分に
付着した現像液が空気に晒されると現像液中の水分が蒸
発して劣化する。このように劣化した現像液が次回の現
像の際にウエハに付着すると現像欠陥を生じさせること
がある。However, according to such a conventional scanning method, the developing solution comes into contact with a portion between the ejection holes on the lower surface of the nozzle, and the developing solution attached to this portion may cause a dripping later. Might be. Further, when the developer adhering to this portion is exposed to air, moisture in the developer evaporates and deteriorates. If the deteriorated developer adheres to the wafer during the next development, a development defect may occur.
【００１０】この発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、その主な目的は、スキャン現像方式におい
て、現像液供給部の下端部に付着した液滴を有効に除去
できる現像処理装置を提供することにある。The present invention has been made in view of such circumstances, and a main object of the present invention is to provide a developing apparatus capable of effectively removing droplets attached to the lower end of a developing solution supply section in a scan developing system. To provide.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の主要な観点によれば、パターンが露光さ
れたフォトレジスト膜を有する被処理基板に現像液を供
給してフォトレジスト膜を現像処理する現像処理装置で
あって、前記被処理基板を水平に保持する基板保持機構
と、この基板保持機構に保持された被処理基板の上方に
下端部を対向させた状態で保持され、所定の水平方向に
移動しながら前記下端部から前記被処理基板上に現像液
を供給する現像液供給部と、前記現像液供給部の下端部
に付着した液滴を除去する液滴除去機構とを有すること
を特徴とする現像処理装置が提供される。ここで、この
現像処理装置は、前記液滴除去機構を制御し、前記現像
液供給部による被処理基板に対する現像液の供給終了の
直後に、前記現像液供給部の下端部に付着した液滴を除
去させる制御手段を有することが好ましい。In order to achieve the above object, according to a main aspect of the present invention, a developing solution is supplied to a substrate to be processed having a photoresist film with a pattern exposed to form a photoresist film. A development processing apparatus for performing a development process, comprising: a substrate holding mechanism for horizontally holding the substrate to be processed; and a substrate holding mechanism having a lower end faced above the substrate to be processed held by the substrate holding mechanism, and A developer supply unit that supplies a developer from the lower end onto the substrate to be processed while moving in the horizontal direction; and a droplet removing mechanism that removes droplets attached to the lower end of the developer supply unit. A development processing apparatus is provided. Here, the developing apparatus controls the droplet removing mechanism, and immediately after the supply of the developing solution to the substrate to be processed by the developing solution supply unit, the droplet attached to the lower end of the developing solution supply unit. It is preferable to have a control means for removing the.
【００１２】このような構成によれば、スキャン方式の
現像処理装置において、現像液供給部から液だれが生じ
これが被処理基板に付着するといった事態が生じること
を有効に防止できる。According to this configuration, it is possible to effectively prevent a situation in which a dripping from the developing solution supply unit and the liquid dripping from the developing solution supply unit adheres to the substrate to be processed in the scanning type developing processing apparatus.
【００１３】また、現像液供給部に付着した現像液の液
滴を有効に除去できるから、この液滴が劣化して次に処
理する被処理基板に供給されてしまうことを防止でき
る。Further, since the developer droplets attached to the developer supply section can be effectively removed, it is possible to prevent the droplets from deteriorating and being supplied to the substrate to be processed next.
【００１４】１の実施形態では、前記液滴除去機構は、
前記現像液供給部に設けられ、この現像液供給部の少な
くとも前記下端部を振動させることでこの下端部に付着
した液滴を除去する振動機構を有するものである。この
場合、前記振動機構は、前記現像液供給部の少なくとも
前記下端部を揺動させることでこの下端部に付着した液
滴を除去する揺動駆動機構であることが好ましい。In one embodiment, the droplet removing mechanism comprises:
The image forming apparatus further includes a vibration mechanism provided in the developer supply unit and configured to vibrate at least the lower end of the developer supply unit to remove droplets attached to the lower end. In this case, it is preferable that the vibration mechanism is a swing drive mechanism that swings at least the lower end of the developer supply unit to remove liquid droplets attached to the lower end.
【００１５】このような構成によれば、簡単な構成で現
像液供給部に付着した液滴を除去することが可能にな
る。According to such a configuration, it is possible to remove the liquid droplets adhered to the developer supply section with a simple configuration.
【００１６】また、この場合、前記揺動駆動機構の揺動
方向は、前記現像液供給部の現像液供給時の進行方向と
同方向であることが好ましい。In this case, it is preferable that a swing direction of the swing drive mechanism is the same as a traveling direction of the developer supply section when the developer is supplied.
【００１７】このような構成によれば、現像液供給部の
下端部から除去された液滴が誤って被処理基板に付着し
てしまうことを防止できる。According to such a configuration, it is possible to prevent the liquid droplets removed from the lower end of the developing solution supply unit from erroneously adhering to the substrate to be processed.
【００１８】また、この発明の第２の観点によれば、前
記現像液供給部は、下端部を前記基板と所定の隙間を存
して対向させた状態で保持され、その一面をこの現像液
供給部の駆動方向に対向させて保持された現像液案内板
と、この現像液案内板の一面の上部に現像液を供給する
ことで、この現像液案内板を伝わせてこの現像液案内板
の下端部から前記被処理基板上に現像液を供給する現像
液供給系統とを有するものである現像処理装置が提供さ
れる。この場合、前記液滴除去機構は、前記現像液案内
板を揺動させることでこの現像液案内板の下端部に付着
した液滴を除去する揺動駆動機構であることが望まし
い。According to a second aspect of the present invention, the developing solution supply section is held in a state in which a lower end portion thereof is opposed to the substrate with a predetermined gap, and one surface of the developing solution supply section is provided with the developing solution. A developer guide plate held opposite to the driving direction of the supply unit, and a developer supplied to an upper portion of one surface of the developer guide plate, so that the developer guide plate is transmitted along the developer guide plate. And a developing solution supply system for supplying a developing solution onto the substrate from the lower end of the developing device. In this case, it is preferable that the droplet removing mechanism is a swing driving mechanism that swings the developer guide plate to remove a droplet attached to a lower end portion of the developer guide plate.
【００１９】このような構成によれば、現像液案内板を
用いて現像液を供給する現像処理装置において、この現
像液案内板の下端に付着した現像液を効果的に除去でき
る効果がある。According to such a configuration, in the developing apparatus for supplying the developing solution using the developing solution guide plate, the developing solution attached to the lower end of the developing solution guide plate can be effectively removed.
【００２０】また、このような現像液案内板を用いた現
像処理装置によれば、現像液供給系統によって供給され
た現像液を現像液案内板の一面上で拡散させかつ下方向
に伝わせて被処理基板上に供給することができる。この
ことで、現像液を被処理基板に対して均一に供給でき、
かつ供給時のレジスト膜に与える衝撃を効果的に抑制し
た状態で液盛りすることができる。したがって、良好な
パドル現像が行える。According to the developing apparatus using such a developing solution guide plate, the developing solution supplied by the developing solution supply system is diffused on one surface of the developing solution guide plate and transmitted downward. It can be supplied on the substrate to be processed. This makes it possible to uniformly supply the developing solution to the substrate to be processed,
In addition, the liquid can be loaded in a state where the impact on the resist film at the time of supply is effectively suppressed. Therefore, good paddle development can be performed.
【００２１】また、現像液は現像液案内板の上部に供給
されるようになっているから、この現像液供給板を洗浄
する際に、洗浄液が、現像液供給系統に進入することが
有効に防止できる。Further, since the developing solution is supplied to the upper portion of the developing solution guide plate, when the developing solution supply plate is washed, it is effective that the cleaning solution enters the developing solution supply system. Can be prevented.
【００２２】なお、このような現像処理装置において、
前記現像液案内板の表面から現像液を除去するために、
この現像液案内板の下端部に対して高圧気体を吹きつけ
ることで、高圧気体供給機構を具備することが好まし
い。この高圧気体供給機構は、前記液滴除去機構の作動
前に作動することが好ましい。In such a developing apparatus,
In order to remove the developer from the surface of the developer guide plate,
It is preferable to provide a high-pressure gas supply mechanism by blowing high-pressure gas to the lower end of the developer guide plate. It is preferable that the high-pressure gas supply mechanism operates before the operation of the droplet removing mechanism.
【００２３】このような構成によれば、現像液案内板の
表面に付着した現像液を吹き飛ばすか或いは現像液案内
板の下端部に集めることができ、この後、前記液滴除去
機構を作動させ現像液案内板の下端に付着した液滴を除
去することで、この現像液案内板から現像液を略完全に
除去することが可能になる。According to such a configuration, the developer adhering to the surface of the developer guide plate can be blown off or collected at the lower end of the developer guide plate. Thereafter, the droplet removing mechanism is operated. By removing the liquid droplets attached to the lower end of the developer guide plate, the developer can be almost completely removed from the developer guide plate.
【００２４】この発明の第３の観点によれば、前記現像
液供給部として、吐出孔の設けられた下端面を前記被処
理基板と所定の隙間を存して対向させた状態で保持さ
れ、その一面をこの現像液供給部の駆動方向に対向させ
て保持された現像液供給ノズルを有するものが提供され
る。According to a third aspect of the present invention, the developer supply section is held in a state where a lower end surface provided with a discharge hole faces the substrate to be processed with a predetermined gap therebetween, There is provided one having a developer supply nozzle which is held with one surface thereof facing the driving direction of the developer supply section.
【００２５】このような構成によれば、吐出孔の周辺に
付着した現像液の液滴を有効に除去することが可能にな
る。According to such a configuration, it becomes possible to effectively remove the droplets of the developer adhering around the ejection holes.
【００２６】また、この発明の第４の観点によれば、前
記液滴除去機構として、前記現像液供給部の下端部に対
して高圧気体を吹きつけることで、この下端部に付着し
た液滴を除去する高圧気体吹き付け機構を有する現像処
理装置が提供される。According to a fourth aspect of the present invention, as the droplet removing mechanism, a high-pressure gas is blown against a lower end of the developing solution supply unit, so that the droplet adhering to the lower end is blown. And a developing apparatus having a high-pressure gas blowing mechanism for removing the gas.
【００２７】このような構成によっても、前記現像液供
給部に付着した現像液の液滴を吹き飛ばし、除去するこ
とができる。[0027] With such a configuration, the droplets of the developer adhering to the developer supply section can be blown off and removed.
【００２８】この発明の第５の観点によれば、パターン
が露光されたフォトレジスト膜を有する被処理基板に現
像液を供給してフォトレジスト膜を現像処理する現像処
理方法であって、前記被処理基板を水平に保持する工程
と、現像液供給部を前記被処理基板の上方に下端部を対
向させた状態で保持し、所定の水平方向に移動しながら
前記下端部から前記被処理基板上に現像液を供給する工
程と、現像液供給終了後、前記現像液供給部の下端部に
付着した液滴を除去する工程と、現像液供給部を初期位
置に戻す工程とを有することを特徴とする現像処理方法
が提供される。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a developing method for developing a photoresist film by supplying a developing solution to a substrate having a photoresist film on which a pattern has been exposed. Holding the processing substrate horizontally, and holding the developing solution supply unit with the lower end portion facing above the processing target substrate, and moving the developing solution supply unit in the predetermined horizontal direction from the lower end portion onto the processing target substrate. Supplying the developing solution to the liquid developer, removing the liquid droplets attached to the lower end of the developing solution supply unit after the supply of the developing solution, and returning the developing solution supply unit to the initial position. Is provided.
【００２９】このような構成によれば、スキャン方式の
現像処理装置において、現像液供給部から液だれが生じ
これが被処理基板に付着するといった事態が生じること
を有効に防止できる。According to this configuration, it is possible to effectively prevent a situation in which a dripping from the developing solution supply unit and the liquid dripping from the developing solution supply unit adheres to the substrate to be processed in the scanning type developing processing apparatus.
【００３０】また、現像液供給部に付着した現像液の液
滴を有効に除去できるから、この液滴が劣化して次に処
理する被処理基板に供給されてしまうことを防止でき
る。Further, since the droplets of the developer adhering to the developer supply section can be effectively removed, it is possible to prevent the droplets from deteriorating and being supplied to the substrate to be processed next.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態を図
面を参照して説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３２】図１は、この発明が適用された現像処理装
置の一実施形態を示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of a developing apparatus to which the present invention is applied.
【００３３】この現像処理装置は、被処理基板としての
ウエハ１（レジスト液が塗布され露光処理されたウエ
ハ）を保持するウエハ保持部２と、ウエハ１上に現像液
を供給する現像液供給部３と、ウエハ１上から飛散する
現像液を受け止めるカップ４と、現像後のウエハ１を洗
浄処理するための洗浄処理部５と、これら各機構を制御
する制御部６とを有する。The developing apparatus includes a wafer holding unit 2 for holding a wafer 1 (a wafer coated with a resist solution and subjected to an exposure process) as a substrate to be processed, and a developing solution supply unit for supplying a developing solution onto the wafer 1. 3, a cup 4 for receiving the developer scattered from above the wafer 1, a cleaning unit 5 for cleaning the wafer 1 after development, and a control unit 6 for controlling these mechanisms.
【００３４】ウエハ保持部２は、ウエハ１を吸着保持す
るスピンチャック７と、このスピンチャック７を回転駆
動すると共に昇降駆動するスピンチャック駆動機構８と
を備えている。このウエハ保持部２は、現像液供給部３
によって供給された現像液を洗浄除去する際にウエハ１
を高速で回転させ、遠心力により現像液を振り切る機能
を有する。ウエハ１の縁部から振り切られた現像液は、
前記カップ４により受け止められ、このカップ４の下端
部に設けられた排液路１０から外部に排出されるように
なっている。The wafer holding unit 2 includes a spin chuck 7 for holding the wafer 1 by suction, and a spin chuck driving mechanism 8 for rotating the spin chuck 7 and driving the spin chuck 7 up and down. The wafer holding unit 2 includes a developer supply unit 3
Cleaning and removing the developer supplied by the wafer 1
Has a function of rotating at a high speed and shaking off the developer by centrifugal force. The developer shaken off from the edge of the wafer 1 is
It is received by the cup 4 and is discharged to the outside from a drainage passage 10 provided at the lower end of the cup 4.
【００３５】一方、現像液供給部３は、Ｘ方向駆動機構
１１と、このＸ方向駆動機構１１によってＸ方向に往復
駆動可能に保持されたＺ方向駆動機構１２と、このＺ方
向駆動機構１２によってＺ方向駆動可能に保持された現
像液供給ユニット１３とからなる。現像液供給ユニット
１３は、ホルダ１４と、このホルダ１４に進行方向前面
が後傾するように保持された現像液案内プレート１５
と、前記ホルダ１４に保持されこの現像液案内プレート
１５に対向して保持された現像液供給ノズル１６と、こ
の現像液供給ノズル１６の上側に設けられ同じく現像液
案内プレート１５に対向するように保持されたエアブロ
ー用ノズル１７とからなる。また、前記現像液案内プレ
ート１５は、前記ホルダ１４内に設けられた揺動駆動機
構１８によって図に点線βで示す方向に揺動可能に保持
されている。On the other hand, the developer supply unit 3 includes an X-direction drive mechanism 11, a Z-direction drive mechanism 12 held by the X-direction drive mechanism 11 so as to be able to reciprocate in the X direction, and a Z-direction drive mechanism 12. And a developer supply unit 13 held so as to be driven in the Z direction. The developer supply unit 13 includes a holder 14 and a developer guide plate 15 that is held by the holder 14 such that a front surface in a traveling direction is inclined backward.
A developer supply nozzle 16 held by the holder 14 and held opposite to the developer guide plate 15; and a developer supply nozzle 16 provided above the developer supply nozzle 16 so as to face the developer guide plate 15. And a held air blow nozzle 17. The developer guide plate 15 is held by a swing drive mechanism 18 provided in the holder 14 so as to be swingable in a direction indicated by a dotted line β in FIG.
【００３６】図２及び図３は、この現像液供給ユニット
１３の要部を拡大して示す図である。FIGS. 2 and 3 are enlarged views showing the main parts of the developing solution supply unit 13. FIG.
【００３７】まず、前記現像液案内プレート１５の形状
及び現像液の供給系統について詳しく説明した後、前記
揺動駆動機構について説明する。First, the shape of the developer guide plate 15 and the supply system of the developer will be described in detail, and then the swing drive mechanism will be described.
【００３８】前記現像液案内プレート１５は、図２に示
すように、幅方向が前記ウエハ１の直径と略同じ長さ、
例えばウエハの直径が２００ｍｍであれば２０４ｍｍの
長さに形成された例えば石英製の板部材である。また、
図２及び図３に示すように、このプレート１５の進行方
向（図に矢印αで示す）前面の高さ方向中途部にはバン
プ１９が形成されている。このバンプ１９は、現像液案
内プレート１５の幅方向全長に亘って形成されている。As shown in FIG. 2, the developer guide plate 15 has a width in the width direction substantially equal to the diameter of the wafer 1.
For example, if the diameter of the wafer is 200 mm, it is a plate member made of, for example, quartz and formed to have a length of 204 mm. Also,
As shown in FIGS. 2 and 3, a bump 19 is formed in the middle of the front surface of the plate 15 in the height direction on the front surface (indicated by an arrow α in the drawing). The bump 19 is formed over the entire length of the developer guide plate 15 in the width direction.
【００３９】そして、前記現像液供給ノズル１６は、前
記プレート１５の前記バンプ１９よりも高い位置に対し
て現像液を噴射するように保持されている。また、図２
に示すように、この現像液供給ノズル１６は、現像液案
内プレート１５の幅方向に所定間隔で複数配置されてい
る。各現像液供給ノズル１６から噴射された現像液２１
は、前記バンプ１９に沿って案内プレート１５の幅方向
全長に亘って拡散されると共に、このバンプ１９を乗り
越える際に現像液の速度が減速され、ウエハ１に達する
際の供給速度は自重落下に近い速度に制御される。した
がって、現像液２１は、より均一にかつソフトインパク
トでウエハ１の表面に供給されることになる。The developing solution supply nozzle 16 is held so as to spray the developing solution to a position higher than the bumps 19 on the plate 15. FIG.
As shown in the figure, a plurality of the developer supply nozzles 16 are arranged at predetermined intervals in the width direction of the developer guide plate 15. Developer 21 sprayed from each developer supply nozzle 16
Is diffused along the entire length of the guide plate 15 in the width direction along the bumps 19, and the speed of the developing solution is reduced when passing over the bumps 19, and the supply speed when reaching the wafer 1 is reduced by its own weight. Controlled at close speed. Therefore, the developer 21 is supplied to the surface of the wafer 1 more uniformly and with a soft impact.
【００４０】また、前記案内プレート１５の下端部は、
その進行方向前端部のエッジ部２２が丸く形成されてお
り、下面２３は波形状に形成されていると共に、進行方
向後端部２４は鋭角に形成されている。また、この案内
プレート１５は、前記下端面２３を、前記ウエハ１の表
面に対して例えば１〜３ｍｍと近接させた状態でＸ方向
に駆動されるようになっている。このような構成によれ
ば、ウエハ１の表面に供給された現像液２１を均しなが
ら後ろに流すことが良好に行えると共に、後端部２４が
鋭角に形成されているから、現像液２１とこのプレート
１５との離れが良好に行える。The lower end of the guide plate 15
An edge portion 22 at the front end in the traveling direction is formed in a round shape, a lower surface 23 is formed in a wavy shape, and a rear end portion 24 in the traveling direction is formed at an acute angle. The guide plate 15 is driven in the X direction with the lower end surface 23 being close to the surface of the wafer 1 by, for example, 1 to 3 mm. According to such a configuration, the developer 21 supplied to the surface of the wafer 1 can be satisfactorily flowed backward while being leveled, and the rear end 24 is formed at an acute angle. The separation from the plate 15 can be performed well.
【００４１】一方、前記エアブロー用ノズル１７は、図
２に示すように例えば一本のみ設けられ、前記現像液案
内プレート１５の前面の前記現像液供給ノズル１６より
も高い位置に対向している。このような構成によれば、
前記ノズル１７から高圧エアを前記現像液案内プレート
１５の前面に対して吹き付けることができるから、この
現像液案内プレート１５の表面に残留している現像液を
有効に除去することができる。On the other hand, as shown in FIG. 2, only one air blow nozzle 17 is provided, for example, and is opposed to a position higher than the developer supply nozzle 16 on the front surface of the developer guide plate 15. According to such a configuration,
Since high-pressure air can be blown from the nozzle 17 against the front surface of the developer guide plate 15, the developer remaining on the surface of the developer guide plate 15 can be effectively removed.
【００４２】ここで前記現像液供給ノズル１６及びエア
ブロー用ノズル１７は、図１に示す供給系２５に接続さ
れている。先ず、現像液供給係について説明すると、現
像液の入った現像液タンク２６に不活性ガス、例えばＮ
２ガスが吹き込まれ、このガス圧により現像液がフィル
タ２７、液量コントローラ２８、開閉弁２９及び供給管
３０を通じて現像液供給ノズル１６に送られるようにな
っている。また、高圧エア供給系について説明すると、
エアポンプ３１により供給された高圧エアが、フィルタ
３２、開閉弁３３及び供給管３４を通じて前記エアブロ
ー用ノズル１７に接続されるようになっている。Here, the developer supply nozzle 16 and the air blow nozzle 17 are connected to a supply system 25 shown in FIG. First, a developer supply section will be described. An inert gas such as N 2 is stored in a developer tank 26 containing a developer.
Two gases are blown, and the gas pressure causes the developer to be sent to the developer supply nozzle 16 through the filter 27, the liquid amount controller 28, the on-off valve 29, and the supply pipe 30. In addition, the high-pressure air supply system will be described.
The high-pressure air supplied by the air pump 31 is connected to the air blow nozzle 17 through a filter 32, an on-off valve 33 and a supply pipe 34.
【００４３】現像液及び高圧エアの供給・停止は、各開
閉弁２９、３３によって行われるようになっており、こ
の開閉弁２９、３３は前記制御部６によって制御される
ようになっている。また、前記液量コントローラ２８
も、前記制御部６に接続されている。The supply and the stop of the developing solution and the high-pressure air are performed by respective on-off valves 29 and 33, and these on-off valves 29 and 33 are controlled by the control unit 6. Further, the liquid amount controller 28
Are also connected to the control unit 6.
【００４４】次に、現像液案内プレート１５を揺動駆動
するための前記揺動駆動機構１８について説明する。Next, the swing drive mechanism 18 for swinging the developer guide plate 15 will be described.
【００４５】図４は、この揺動駆動機構１８の一実施形
態を示す概略構成図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing one embodiment of the swing drive mechanism 18. As shown in FIG.
【００４６】この揺動駆動機構１８は、例えば電磁石３
６等の駆動手段により、前記現像液案内プレート１５を
瞬時に上方向（矢印β方向）へ跳ね上げるように駆動す
るように構成されている。すなわち、前記現像液案内プ
レート１５は、上端を前記ホルダ１４に設けられた支軸
３７によって揺動自在に支持されている。また、この現
像液案内プレート１５の上端部には、現像液供給ユニッ
ト１３の進行方向αに突出する駆動レバー３９が設けら
れている。この駆動レバー３９は、前記ホルダ１４に突
設されたストッパ４０により、下方向の揺動が規制され
ているとともに、スプリング４１によってこのストッパ
４０に押し付けられる方向（βとは逆方向）に付勢され
ている。The oscillating drive mechanism 18 includes, for example, the electromagnet 3
The driving means such as 6 drives the developer guide plate 15 so as to instantly jump upward (in the direction of the arrow β). That is, the developer guide plate 15 has its upper end swingably supported by a support shaft 37 provided on the holder 14. A drive lever 39 is provided at the upper end of the developer guide plate 15 so as to project in the traveling direction α of the developer supply unit 13. The downward movement of the drive lever 39 is restricted by a stopper 40 protruding from the holder 14, and the drive lever 39 is urged by a spring 41 in a direction pressed against the stopper 40 (a direction opposite to β). Have been.
【００４７】前記駆動レバー３９の上面には例えば鉄な
どの磁性体４２が例えば接着材等により貼着されてい
る。そして、この接着材４２と対向する位置には、前記
電磁石３６が前記ホルダ１４に強固に固定された状態で
保持されている。したがって、この電磁石３６を作動さ
せることで、前記現像液案内プレート１５を、前記スプ
リング４１の復元力に抗して瞬時に上方向（β方向）へ
跳ね上げるように揺動駆動することができる。そして、
この現像液案内プレートの揺動量は、駆動レバー３９と
電磁石３６との隙間量によって規定される。なお、電磁
石３６とは別に、上記駆動レバー３９の上方向への揺動
量を規制するためのストッパを設けておいても良い。On the upper surface of the drive lever 39, a magnetic body 42 such as iron is adhered by an adhesive or the like. The electromagnet 36 is held at a position facing the adhesive 42 while being firmly fixed to the holder 14. Therefore, by operating the electromagnet 36, the developer guide plate 15 can be swingably driven to instantly jump upward (β direction) against the restoring force of the spring 41. And
The swing amount of the developer guide plate is defined by the gap between the drive lever 39 and the electromagnet 36. Note that, apart from the electromagnet 36, a stopper for regulating the upward swing amount of the drive lever 39 may be provided.
【００４８】また、この電磁石３６は、前記制御部６に
接続され、この制御部６の指令により作動するようにな
っている。The electromagnet 36 is connected to the control unit 6 and operates according to a command from the control unit 6.
【００４９】なお、この制御部６には、前記Ｘ方向駆動
機構１１及びＺ方向駆動機構１２も接続されており、こ
れらを制御することで、前記現像液供給ユニット１３を
下降させて前記プレート１５をウエハ１に近接させ、こ
のユニット１３をＸ方向にスキャン駆動することができ
るようになっている。そして、前記電磁石３６を作動さ
せるタイミングは、スキャン現像が終了して前記エアブ
ロー用ノズル１７によって現像液案内プレート表面の現
像液が除去された直後である。これによって、前記現像
液案内プレート１５の下端部に付着した液滴が振り切り
除去される。The control unit 6 is also connected to the X-direction drive mechanism 11 and the Z-direction drive mechanism 12, and by controlling these, the developer supply unit 13 is lowered and the plate 15 Is brought close to the wafer 1, and the unit 13 can be scanned and driven in the X direction. The timing for operating the electromagnet 36 is immediately after the scan development is completed and the developer on the surface of the developer guide plate is removed by the air blow nozzle 17. As a result, the liquid droplets attached to the lower end of the developer guide plate 15 are shaken off and removed.
【００５０】次に、この現像液供給部３の側方に設けら
れた洗浄処理部５について説明する。Next, the cleaning section 5 provided on the side of the developer supply section 3 will be described.
【００５１】この洗浄処理部５は、Ｚθ駆動機構４６
と、このＺθ駆動機構４６に保持され前記スピンチャッ
ク７に保持されたウエハ１の中央部に対向位置決めされ
る洗浄ノズル４７と、前記Ｚθ駆動機構４６を作動させ
るためのＺθ駆動部４８とを有する。このＺθ駆動機構
４６からは、前記洗浄ノズル４７に接続された供給管５
０が導出され、この供給管５０は開閉弁５１を介して洗
浄液供給タンク５２に接続されている。The cleaning unit 5 includes a Zθ drive mechanism 46
A cleaning nozzle 47 held by the Zθ drive mechanism 46 and positioned opposite to the center of the wafer 1 held by the spin chuck 7; and a Zθ drive unit 48 for operating the Zθ drive mechanism 46. . From the Zθ driving mechanism 46, the supply pipe 5 connected to the cleaning nozzle 47 is connected.
The supply pipe 50 is connected to a cleaning liquid supply tank 52 via an on-off valve 51.
【００５２】洗浄液供給タンク５２内の洗浄液は、この
タンク５２に不活性ガス例えばＮ２ガスが吹き込まれる
ことで、このガス圧により開閉弁５１を通じて前記洗浄
ノズル４７に供給されるようになっている。この開閉弁
５１及び前記Ｚθ駆動部４８は、前記制御部６に接続さ
れており、この制御部６の指令によって前記ノズル４７
が前記ウエハ１の中央部に対向位置決めされ洗浄液がウ
エハ１上に噴射されるようになっている。The cleaning liquid in the cleaning liquid supply tank 52 is supplied to the cleaning nozzle 47 through the on-off valve 51 by blowing an inert gas such as N 2 gas into the tank 52 by this gas pressure. . The on-off valve 51 and the Zθ driving unit 48 are connected to the control unit 6.
Are positioned opposite the center of the wafer 1 so that the cleaning liquid is sprayed onto the wafer 1.
【００５３】次に、この現像処理装置の動作について、
図５のフローチャートを参照して説明する。Next, the operation of the developing apparatus will be described.
This will be described with reference to the flowchart of FIG.
【００５４】まず、前記ウエハ１がこの現像処理装置に
ロードされる（ステップＳ１）。すなわち、スピンチャ
ック７がカップ４の上方まで上昇駆動され、前工程でレ
ジスト液が塗布され露光処理されたウエハ１が図示しな
いアームからこのスピンチャック７上に受け渡され保持
される。その後、スピンチャック７が下降駆動され、ウ
エハ１はカップ４内に収容される。First, the wafer 1 is loaded into the developing device (step S1). That is, the spin chuck 7 is driven to rise above the cup 4, and the wafer 1 on which the resist liquid has been applied and exposed in the previous process is transferred from the arm (not shown) to the spin chuck 7 and held there. Thereafter, the spin chuck 7 is driven to descend, and the wafer 1 is accommodated in the cup 4.
【００５５】次に、前記現像液供給ユニット１３が、図
１の紙面の左側の初期位置（ホームポジション）に位置
決めされた状態で、前記Ｚ方向駆動機構１２によって下
降駆動される（ステップＳ２）。この時、前記供給ユニ
ット１３の案内プレート１５の下端部はウエハ１の外側
に外れており、かつ、その下端面は、ウエハ１の表面よ
りも約１ｍｍ程度高い高さに保持される。Next, the developer supply unit 13 is driven downward by the Z-direction drive mechanism 12 with the developer supply unit 13 positioned at an initial position (home position) on the left side of FIG. 1 (step S2). At this time, the lower end of the guide plate 15 of the supply unit 13 is outside the wafer 1, and the lower end surface is held at a height about 1 mm higher than the surface of the wafer 1.
【００５６】次に、前記Ｘ方向駆動機構１１が作動し、
この供給ユニット１３をＸ方向（α方向）にスキャン駆
動すると共に（ステップＳ３）、所定の現像液供給開始
タイミングで前記開閉弁２９が開かれて供給ノズル１６
から現像液が供給開始される（ステップＳ４）。現像液
の供給開始位置は、前記現像液案内プレート１５の前記
エッジ部２２がウエハ１に達する直前であることが好ま
しい。なお、前記開閉弁２９の実際の開タイミングは、
前記開閉弁２９が開かれてから現像液が実際にウエハ１
上に達するまでのタイムラグを考慮して決定される。Next, the X-direction drive mechanism 11 operates,
The supply unit 13 is driven to scan in the X direction (α direction) (step S3), and at the predetermined developer supply start timing, the opening / closing valve 29 is opened and the supply nozzle 16 is opened.
Then, the supply of the developer is started (step S4). The developer supply start position is preferably immediately before the edge portion 22 of the developer guide plate 15 reaches the wafer 1. The actual opening timing of the on-off valve 29 is
After the opening / closing valve 29 is opened, the developing solution is actually
It is determined in consideration of the time lag until reaching the top.
【００５７】以上の工程により現像液の供給開始される
ことで、前記供給ユニット１３は、矢印αで示す状態で
Ｘ方向に一定速度例えば５〜２０ｃｍ／ｓｅｃのスキャ
ンスピードで移動しながらウエハ１上に現像液を供給す
る（ステップＳ５）。ウエハ１上に供給された現像液
は、図３に示すように、前記曲面で構成されたエッジ部
２２によってスムーズにこのプレート１５の下端面２３
側に案内されると共に、この下端面２３によって均一に
均され、その結果プレート１５の通過後には約１ｍｍの
均一な現像液膜が形成されていく。When the supply of the developing solution is started by the above steps, the supply unit 13 moves on the wafer 1 while moving at a constant speed, for example, a scan speed of 5 to 20 cm / sec in the X direction in a state indicated by an arrow α. Is supplied (step S5). As shown in FIG. 3, the developing solution supplied onto the wafer 1 is smoothly transferred to the lower end surface 23 of the plate 15 by the edge portion 22 having the curved surface.
Side, and is evenly leveled by the lower end surface 23. As a result, after passing through the plate 15, a uniform developer film of about 1 mm is formed.
【００５８】なお、この実施形態では、前記現像液供給
ノズル１６からの現像液の供給流量は、全行程に亘って
一定である。ただし、現像液の供給面積はウエハ１の中
央部に向かって次第に大きくなり、中央部から離れるに
したがって次第に小さくなるので、これに応じて現像液
の量を変化させても良い。現像液の供給量を小さくする
場合には、前記現像液供給ノズル１６を現像液案内プレ
ート１５の中央部に対向するように１本だけ設け、前記
流量コントローラ２９によって制御することが好まし
い。この場合、流量が少ないと、現像液の広がりを小さ
くできるから現像液の供給範囲を狭くすることができ、
流量を多くすると逆に供給範囲を広くすることができ
る。したがって、全体的に見て現像液を節約することが
できる。In this embodiment, the flow rate of the developer supplied from the developer supply nozzle 16 is constant over the entire process. However, since the supply area of the developing solution gradually increases toward the center of the wafer 1 and gradually decreases as the distance from the center increases, the amount of the developing solution may be changed accordingly. When the supply amount of the developer is reduced, it is preferable to provide only one developer supply nozzle 16 so as to face the center of the developer guide plate 15 and control the flow by the flow controller 29. In this case, if the flow rate is small, the spread of the developer can be reduced, so that the supply range of the developer can be narrowed,
Conversely, increasing the flow rate can increase the supply range. Therefore, the developer can be saved as a whole.
【００５９】ついで、前記現像液案内プレート１５がウ
エハ１の他端側にオーバースキャンする直前で現像液の
供給が停止され（ステップＳ６）、オーバースキャンし
た後供給ユニット１３のＸ方向のスキャンも停止される
（ステップＳ７）。以上の現像液供給工程の間、ウエハ
１の周縁部から垂れ落ちた余剰の現像液は前記カップ４
に受け止められ、前記排出路１０から外部に排出される
ようになっている。Then, immediately before the developer guide plate 15 overscans the other end of the wafer 1, the supply of the developer is stopped (step S6), and after the overscan, the scanning of the supply unit 13 in the X direction is also stopped. Is performed (step S7). During the above-described developer supply step, excess developer dripping from the peripheral portion of the wafer 1
And is discharged from the discharge passage 10 to the outside.
【００６０】現像液の供給が停止されたならば、前記現
像液案内プレート１５の表面に付着した現状液の除去が
行われる（ステップＳ８）。すなわち、前記現像液供給
ノズル１６の上方に取り付けられたエアブロー用ノズル
１７から前記現像液案内プレート１５に向けて高圧エア
が噴射される。このことで、粘性の低い現像液は現像液
案内プレート１５の下端部方向に駆動されるか、エアの
圧力によって吹き飛ばされる。When the supply of the developer is stopped, the current solution adhering to the surface of the developer guide plate 15 is removed (step S8). That is, high-pressure air is sprayed toward the developer guide plate 15 from an air blow nozzle 17 attached above the developer supply nozzle 16. As a result, the developer having a low viscosity is driven toward the lower end of the developer guide plate 15 or blown off by the pressure of air.
【００６１】ただし、この場合でも、前記現像液案内プ
レート１５の下端面には現像液が液滴として付着してい
る可能性が高いため、前記揺動駆動機構１８を作動させ
下端部の液滴を跳ね上げ除去する（ステップＳ９）。す
なわち、前記電磁石３６に給電がなされ、前記現像液案
内プレート１５が瞬時に跳ね上げられるように（矢印β
方向に）駆動され、このことによって現像液案内プレー
ト１５の下端に付着した液滴が振り切られ、除去され
る。However, even in this case, since there is a high possibility that the developing solution adheres to the lower end surface of the developing solution guide plate 15 as liquid droplets, the swing driving mechanism 18 is operated to operate the liquid drop at the lower end portion. Is jumped up and removed (step S9). That is, power is supplied to the electromagnet 36 so that the developer guide plate 15 is instantly jumped up (arrow β).
Direction), whereby the liquid drops adhering to the lower end of the developer guide plate 15 are shaken off and removed.
【００６２】上記の一連の工程が終了したならば、現像
液供給ユニット１３は上昇駆動され、カップ４内から退
出されると共に、前記Ｘ駆動機構１１が作動することで
紙面左側端部の初期位置に戻される（ステップＳ１
０）。When the above-described series of steps is completed, the developer supply unit 13 is driven to move up and out of the cup 4, and the X drive mechanism 11 is operated to set the initial position of the left end of the paper. (Step S1
0).
【００６３】現像液供給ユニット１３が初期位置に戻さ
れかつ所定の現像時間が経過したならば、ウエハ１の洗
浄（現像液の除去）が行われる（ステップＳ１１）。す
なわち、まず、前記Ｚθ駆動機構４８が作動し、前記洗
浄ノズル４７をウエハ１の中央部に対向させる。つい
で、前記開閉弁５１が作動することでウエハの中央部に
洗浄液としての純水が供給されると共に、前記スピンチ
ャック駆動機構８が作動することでウエハ１は高速で回
転され、ウエハ１上の現像液が洗浄液と共に洗い流され
る。つぎに、純水の供給が停止されることで、ウエハ１
は振り切り乾燥される（ステップＳ１２）。When the developer supply unit 13 is returned to the initial position and a predetermined development time has elapsed, the wafer 1 is washed (removal of the developer) (step S11). That is, first, the Zθ drive mechanism 48 is operated to cause the cleaning nozzle 47 to face the center of the wafer 1. Then, the opening / closing valve 51 is operated to supply pure water as a cleaning liquid to the center of the wafer, and the spin chuck driving mechanism 8 is operated to rotate the wafer 1 at a high speed. The developer is washed away with the washing liquid. Next, when the supply of pure water is stopped, the wafer 1
Is shaken off and dried (step S12).
【００６４】ウエハ１の乾燥が終了したならば、ウエハ
１はこの現像処理装置からアンロードされる（ステップ
Ｓ１３）。すなわち、前記ウエハ１がスピンチャック７
によって上昇駆動され、図示しないアームによって取り
出され、この現像処理装置から排出される。When the drying of the wafer 1 is completed, the wafer 1 is unloaded from the developing device (step S13). That is, the wafer 1 is rotated by the spin chuck 7
And is taken out by an arm (not shown) and discharged from the developing device.
【００６５】以上のような構成によれば、以下の効果を
得ることができる。According to the above configuration, the following effects can be obtained.
【００６６】第１に、スキャン方式の現像処理におい
て、スキャン終了時に現像液案内プレート１５（現像液
供給部）の下端に付着した液滴を効果的に除去すること
ができる。このことで、この現像液案内プレート１５を
ホームポジションに戻す際に、液だれが生じることが防
止される。また、現像液案内プレート１５の下端に付着
した現像液が劣化し、この劣化した現像液が次のウエハ
１上に供給されることが防止される。First, in the scanning type developing process, the liquid droplets attached to the lower end of the developer guide plate 15 (developer supply unit) at the end of scanning can be effectively removed. This prevents dripping when the developer guide plate 15 is returned to the home position. Further, the developer attached to the lower end of the developer guide plate 15 is deteriorated, and the deteriorated developer is prevented from being supplied onto the next wafer 1.
【００６７】また、このような構成によれば、現像液案
内プレート１５の下端部の液滴が現像液供給直後に除去
されるから、現像液供給直前のプリディスペンス工程を
なくすことができる。このような現像液案内プレート１
５を用いた構成においてプリディスペンスを行うと、プ
リディスペンスを行ってから実際の現像液を供給するま
での間に現像液案内プレート１５の表面に付着した現像
液が劣化してしまう恐れがあるが、このような現象が生
じることを防止することが可能になる。Further, according to such a configuration, since the liquid droplets at the lower end of the developer guide plate 15 are removed immediately after the supply of the developer, the pre-dispensing step immediately before the supply of the developer can be eliminated. Such a developer guide plate 1
When the pre-dispensing is performed in the configuration using No. 5, the developer adhering to the surface of the developer guide plate 15 may be deteriorated between the time when the pre-dispensing is performed and the time when the actual developer is supplied. It is possible to prevent such a phenomenon from occurring.
【００６８】第２に、上記の実施形態の構成によれば、
レジスト膜の形成されたウエハ１上に均一にかつ供給時
にレジスト膜に与える衝撃が小さい状態で現像液を供給
することができる。Second, according to the configuration of the above embodiment,
The developing solution can be supplied uniformly on the wafer 1 on which the resist film is formed and in a state where the impact applied to the resist film during supply is small.
【００６９】すなわち、従来のリニアノズルによるスキ
ャン現像方式では、一直線上に所定間隔で並んだ各吐出
孔からレジスト膜に対して高圧力で現像液が吹き付けら
れることになるので、吐出孔に対応する部分と対向しな
い部分とでレジスト液に与える衝撃度（インパクト）が
異なることになる。このため、現像量、解像度にむらが
生じてしまうおそれがある。That is, in the conventional scan developing method using linear nozzles, the developing solution is sprayed at a high pressure from each of the discharge holes arranged at a predetermined interval on a straight line, so that the developing solution is applied to the resist film. The impact (impact) applied to the resist solution differs between the portion and the portion that does not face. Therefore, there is a possibility that the development amount and the resolution may be uneven.
【００７０】しかしながら、この発明の一実施形態で
は、現像液を、先ず、現像液案内プレート１５の上部に
供給し、この現像液案内プレート１５上で均一に拡散さ
せた状態でこの現像液案内プレート１５を伝わせてウエ
ハ１上に到達させることができる。このことで、現像液
を均一にかつレジスト膜に与える衝撃を極小にした状態
でウエハ１上に供給することが可能になる。However, in one embodiment of the present invention, the developing solution is first supplied to the upper portion of the developing solution guide plate 15, and the developing solution is distributed uniformly on the developing solution guiding plate 15. 15 can be transmitted to reach the wafer 1. As a result, it is possible to supply the developing solution onto the wafer 1 uniformly and with a minimal impact on the resist film.
【００７１】また、この実施形態では、前記案内プレー
ト１５の前面を後傾させると共に、高さ方向中途部にバ
ンプ１９を設けるようにした。このことによって、現像
液の流速が効果的に減速され、より自重落下に近い状態
となるから、レジスト液膜に及ぼす衝撃をさらに効果的
に低減できる効果がある。Further, in this embodiment, the front surface of the guide plate 15 is inclined backward, and the bump 19 is provided at an intermediate portion in the height direction. As a result, the flow rate of the developing solution is effectively reduced, and a state closer to falling under its own weight is obtained. Therefore, the effect on the resist liquid film can be more effectively reduced.
【００７２】第３に、前記現像液案内プレート１５を洗
浄する際に、洗浄液が現像液供給ノズル１６内に侵入し
てしまうことを有効に防止できる効果がある。Third, when the developer guide plate 15 is washed, there is an effect that the washing liquid can be effectively prevented from entering the developer supply nozzle 16.
【００７３】すなわち、従来のスキャン方式において
は、リニアノズルの吐出孔の設けられた下端面を現像液
面に接触させ、現像液を吐出すると共にその液面を均す
ようにしている。このため、一定のインターバルでノズ
ル下端面の洗浄を行う必要があるが、この際、吐出孔内
に洗浄水が侵入してしまうということがあるため、この
洗浄水を除去してからでないと良好な現像を行うことが
できないという問題がある。That is, in the conventional scanning method, the lower end surface of the linear nozzle provided with the discharge holes is brought into contact with the developer surface to discharge the developer and level the surface. For this reason, it is necessary to clean the lower end surface of the nozzle at regular intervals. At this time, since the cleaning water may enter the discharge holes, it is preferable to remove the cleaning water. There is a problem that it is not possible to perform the development.
【００７４】しかしながら、この実施形態の構成によれ
ば、現像液供給ノズル１６は現像液案内プレート１５の
上部に対向配置されているため、現像液案内プレート１
５を洗浄する際に洗浄液が現像液供給ノズル１６内に侵
入してしまうことがない。However, according to the structure of this embodiment, since the developer supply nozzle 16 is disposed opposite to the upper part of the developer guide plate 15, the developer guide plate 1
The cleaning liquid does not enter the developer supply nozzle 16 when cleaning the nozzle 5.
【００７５】したがって、従来のように洗浄水を除去し
なくても、すぐに現像液の供給が行える。Therefore, the developer can be supplied immediately without removing the washing water as in the prior art.
【００７６】なお、この現像処理装置は、図６〜図８に
示す塗布現像処理システムに適用されることが好まし
い。This developing apparatus is preferably applied to the coating and developing system shown in FIGS.
【００７７】図６に示すように、この塗布現像処理シス
テムは、ウエハ１が収容されたカセットＣＲからウエハ
１を順次取り出すカセット部６０と、カセット部６０に
よって取り出されたウエハ１に対しレジスト液塗布及び
現像のプロセス処理を行なうプロセス処理部６１と、レ
ジスト液が塗布されたウエハ１を図示しない露光装置に
受け渡すインタフェース部６２とを備えている。As shown in FIG. 6, the coating and developing system includes a cassette section 60 for sequentially taking out the wafers 1 from the cassette CR in which the wafers 1 are stored, and a resist solution coating for the wafer 1 taken out by the cassette section 60. And a processing unit 61 for performing a development process, and an interface unit 62 for transferring the wafer 1 coated with the resist liquid to an exposure apparatus (not shown).
【００７８】前記カセット部６０には、カセットＣＲを
位置決め保持するための４つの突起部７０ａと、この突
起部７０ａによって保持されたカセット内からウエハ１
を取り出す第１のサブアーム機構７１とが設けられてい
る。このサブアーム機構７１は、ウエハ１を取り出した
ならば、θ方向に回転して向きを変え、このウエハ１を
前記プロセス処理部６１に設けられたメインアーム機構
７２に受け渡すことができるようになっている。The cassette section 60 has four projections 70a for positioning and holding the cassette CR, and the wafer 1 from within the cassette held by the projections 70a.
And a first sub arm mechanism 71 for taking out the first arm. When the sub-arm mechanism 71 takes out the wafer 1, the sub-arm mechanism 71 rotates in the θ direction to change the direction, and can transfer the wafer 1 to the main arm mechanism 72 provided in the process unit 61. ing.
【００７９】カセット部６０とプロセス処理部６１間で
のウエハ１の受け渡しは第３の処理ユニット群Ｇ３を介
して行われる。この第３の処理ユニット群Ｇ３は、図８
に示すように複数のプロセス処理ユニットを縦形に積み
上げて構成したものである。すなわち、この処理ユニッ
ト群Ｇ３は、ウエハ１を冷却処理するクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、ウエハ１に対するレジスト液の定着性を
高める疎水化処理を行なうアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）、ウエハ１の位置合わせをするアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、ウエハ１を待機させておくためのエク
ステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処
理を行なう２つプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）、及び露光処理後の加熱処理を行なう２つポストベ
ーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を順次下から上へと
積み上げて構成されている。The transfer of the wafer 1 between the cassette section 60 and the processing section 61 is performed via the third processing unit group G3. This third processing unit group G3 corresponds to FIG.
As shown in Fig. 7, a plurality of process processing units are vertically stacked. That is, the processing unit group G3 includes a cooling unit (COL) for cooling the wafer 1 and an adhesion unit (A) for performing a hydrophobic treatment for improving the fixability of the resist solution to the wafer 1.
D), an alignment unit (ALIM) for positioning the wafer 1, an extension unit (EXT) for holding the wafer 1 on standby, and two pre-baking units (PREBAK) for performing a heating process before the exposure process.
E) and two post-baking units (POBAKE) for performing a heating process after the exposure process are sequentially stacked from bottom to top.
【００８０】前記ウエハ１のメインアーム機構７２への
受け渡しは、前記エクステンションユニット（ＥＸＴ）
及びアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介して行われ
る。The transfer of the wafer 1 to the main arm mechanism 72 is performed by the extension unit (EXT).
And an alignment unit (ALIM).
【００８１】また、図６に示すように、このメインアー
ム機構７２の周囲には、前記第３の処理ユニット群Ｇ３
を含む第１〜第５の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５がこのメ
インアーム機構７２を囲むように設けられている。前述
した第３の処理ユニット群Ｇ３と同様に、他の処理ユニ
ット群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ４，Ｇ５も各種の処理ユニットを
上下方向に積み上げ的に構成されている。As shown in FIG. 6, around the main arm mechanism 72, the third processing unit group G3
The first to fifth processing unit groups G1 to G5 are provided so as to surround the main arm mechanism 72. Similarly to the third processing unit group G3 described above, the other processing unit groups G1, G2, G4, and G5 are configured by stacking various processing units in the vertical direction.
【００８２】この実施形態の現像処理装置（ＤＥＶ）
は、図７に示すように、前記第１、第２の処理ユニット
群Ｇ１、Ｇ２に設けられている。この第１、第２の処理
ユニット群Ｇ１，Ｇ２は、レジスト塗布装置（ＣＯＴ）
と現像処理装置（ＤＥＶ）とを上下方向に積み上げ構成
したものである。The developing device (DEV) of this embodiment
Are provided in the first and second processing unit groups G1 and G2, as shown in FIG. The first and second processing unit groups G1 and G2 are provided with a resist coating device (COT)
And a developing device (DEV) are vertically stacked.
【００８３】一方、前記メインアーム機構７２は、図８
に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド７９
と、ガイド７９に沿って上下駆動されるメインアーム７
８を備えている。また、このメインアーム７８は平面方
向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されてい
る。したがって、このメインアーム７８を、上下方向に
駆動することで、ウエハ１を前記各処理ユニット群Ｇ１
〜Ｇ５の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせる
ことができるようになっている。On the other hand, the main arm mechanism 72 is
As shown in the figure, a cylindrical guide 79 extending vertically
And a main arm 7 driven up and down along a guide 79
8 is provided. The main arm 78 is configured to rotate in a plane direction and to be driven forward and backward. Therefore, by driving the main arm 78 in the up-down direction, the wafer 1 can be moved to the processing unit groups G1.
To G5 can be arbitrarily accessed.
【００８４】前記カセット部６０から第３の処理ユニッ
ト群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てウエハ１を受け取ったメインアーム機構７２は、先
ず、このウエハ１を第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）に搬入し、疎水化処理を行な
う。ついで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）からウエ
ハ１を搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却処
理する。The main arm mechanism 72, which has received the wafer 1 from the cassette unit 60 via the extension unit (EXT) of the third processing unit group G3, first transfers the wafer 1 to the third processing unit group G3. It is carried into a fusion unit (AD) and subjected to a hydrophobic treatment. Next, the wafer 1 is unloaded from the adhesion unit (AD) and cooled by the cooling unit (COL).
【００８５】冷却処理されたウエハ１は、前記メインア
ーム機構７２によって前記第１の処理ユニット群Ｇ１
（若しくは第２の処理ユニット群Ｇ２）のレジスト液塗
布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される。こ
のレジスト液塗布装置によりレジスト液が塗布されたウ
エハ１は、メインアーム機構によってアンロードされ、
第４の処理ユニット群Ｇ４を介してインタフェース部６
２に受け渡される。The wafer 1 having been subjected to the cooling process is transferred to the first processing unit group G1 by the main arm mechanism 72.
(Or the second processing unit group G2) is positioned so as to face the resist liquid coating apparatus (COT), and is carried in. The wafer 1 coated with the resist liquid by the resist liquid coating device is unloaded by the main arm mechanism,
The interface unit 6 via the fourth processing unit group G4
Handed over to 2.
【００８６】この第４の処理ユニット群Ｇ４は、図８に
示すように、クーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステ
ンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）、イ
クステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、２つのポストエキスポージャーベーキン
グユニット（ＰＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニッ
ト（ＰＯＢＡＫＥ）を下から上へと順次積み上げて構成
したものである。As shown in FIG. 8, the fourth processing unit group G4 includes a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXT · COL), an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), Two post-exposure baking units (PEBAKE) and post-baking units (POBAKE) are sequentially stacked from bottom to top.
【００８７】前記レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から取
り出されたウエハ１は、先ず、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）に挿入され、レジスト液から溶剤
（シンナー）を飛ばして乾燥される。The wafer 1 taken out from the resist liquid coating device (COT) is first inserted into a prebaking unit (PREBAKE), and dried by removing a solvent (thinner) from the resist liquid.
【００８８】次に、このウエハ１はクーリングユニット
（ＣＯＬ）で冷却された後、エクステンションユニット
（ＥＸＴ）を介して前記インタフェース部６２に設けら
れた第２のサブアーム機構６４に受け渡される。Next, the wafer 1 is cooled by a cooling unit (COL), and then transferred to a second sub-arm mechanism 64 provided in the interface section 62 via an extension unit (EXT).
【００８９】ウエハ１を受け取った第２のサブアーム機
構６４は、受け取ったウエハ１を順次カセットＣＲ内に
収納する。このインターフェース部は、前記ウエハ１を
カセットＣＲに収納した状態で図示しない露光装置に受
け渡し、露光処理後のウエハ１が収納されたカセットＣ
Ｒを受け取る。The second sub-arm mechanism 64 having received the wafers 1 sequentially stores the received wafers 1 in the cassette CR. The interface unit transfers the wafer 1 stored in the cassette CR to an exposure apparatus (not shown) in a state where the wafer 1 is stored in the cassette CR.
Receive R.
【００９０】露光処理された後のウエハ１は、前記とは
逆に第４の処理ユニット群Ｇ４を介してメインアーム機
構７２に受け渡され、このメインアーム機構７２は、こ
の露光後のウエハ１を必要であればポストエキスポージ
ャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に挿入した
後、この実施形態の現像装置（ＤＥＶ）に挿入しスキャ
ン方式による現像処理を行なわせる。現像処理後のウエ
ハ１は、いずれかのポストベーキングユニット（ＰＯＢ
ＡＫＥ）に搬送され、加熱乾燥した後、この第３の処理
ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）
を介してカセット部６０に排出される。The wafer 1 after the exposure processing is transferred to the main arm mechanism 72 via the fourth processing unit group G4, and the main arm mechanism 72 conveys the wafer 1 after the exposure. Is inserted into a post-exposure baking unit (PEBAKE) if necessary, and then inserted into the developing device (DEV) of this embodiment to perform a developing process by a scan method. The wafer 1 after the development processing is placed in one of the post-baking units (POB
AKE), and after drying by heating, the extension unit (EXT) of the third processing unit group G3.
Is discharged to the cassette section 60 via the.
【００９１】なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、
選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理
ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第
５の処理ユニット群Ｇ５はレール６５によって移動可能
に保持され、前記メインアーム機構７２及び前記第１〜
第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス
処理を容易に行ない得るようになっている。The fifth processing unit group G5 includes:
This is selectively provided, and in this example, is configured similarly to the fourth processing unit group G4. Further, the fifth processing unit group G5 is movably held by rails 65, and the main arm mechanism 72 and the first to
Maintenance processing can be easily performed on the fourth processing unit groups G1 to G4.
【００９２】この発明の現像処理装置を、図６〜図８に
示した塗布現像ユニットに適用した場合、複数のウエハ
の並行処理が容易に行なえるから、ウエハ１の塗布現像
処理工程を非常に効率的に行なうことができる。また、
各処理ユニットが上下に積上げ式に構成されているから
装置の設置面積を著しく減少させることができる。When the developing apparatus of the present invention is applied to the coating and developing unit shown in FIGS. 6 to 8, parallel processing of a plurality of wafers can be easily performed. It can be performed efficiently. Also,
Since the processing units are vertically stacked, the installation area of the apparatus can be significantly reduced.
【００９３】なお、この実施形態は、このような塗布現
像ユニット以外の装置にも適用可能であることはもちろ
んである。また、上記一実施形態は、その他発明の要旨
を変更しない範囲で種々変形可能である。It is needless to say that this embodiment can be applied to an apparatus other than such a coating and developing unit. The above embodiment can be variously modified without changing the gist of the invention.
【００９４】第１に、前記現像液案内プレート１５を駆
動するための揺動駆動機構１８は、上記一実施形態のも
のに限定されるものではない。上記一実施形態のものは
電磁石３６及びスプリング４１を使用したものであった
が、例えば、図１９（ａ）に示すようにアクチュエータ
９１（この例では直流モータ）を用いて直接駆動するよ
うにしても良い。この場合、前記現像液案内プレート１
５の揺動量を規制するために前記ホルダ１４に一対のス
トッパ９２ａ、９２ｂを設けるようにすればよい。First, the swing drive mechanism 18 for driving the developer guide plate 15 is not limited to the one in the above embodiment. In the above-described embodiment, the electromagnet 36 and the spring 41 are used. However, for example, as shown in FIG. 19A, the actuator is directly driven using an actuator 91 (a DC motor in this example). Is also good. In this case, the developer guide plate 1
The pair of stoppers 92a and 92b may be provided on the holder 14 in order to regulate the swing amount of the fifth.
【００９５】また、前記一実施形態のものでは、現像液
案内プレート１５全体が駆動されたが、これに限定され
るものではなく、少なくとも現像液案内プレート１５の
下端部のみが揺動するような構成であっても良い。In the above-described embodiment, the entire developer guide plate 15 is driven. However, the present invention is not limited to this, and at least only the lower end of the developer guide plate 15 swings. It may be a configuration.
【００９６】第２に、この発明の液滴除去機構は前記揺
動駆動機構１８に限定されるものではない。Second, the droplet removing mechanism of the present invention is not limited to the swing drive mechanism 18.
【００９７】たとえば、図９（ｂ）に示すように、前記
現像液案内プレート１５の裏面に振動素子９３を取り付
け、この振動素子９３を作動させることで前記現像液案
内プレート１５を振動させて下端に付着した液滴を除去
するようにしても良い。また、図９（ｃ）に示すよう
に、前記現像液案内プレート１５の下方からノズル９４
を通して高圧エアを吹き付けることで液滴を除去するよ
うにしても良い。For example, as shown in FIG. 9B, a vibrating element 93 is attached to the back surface of the developer guide plate 15, and the developer guide plate 15 is vibrated by actuating the vibrator 93 to thereby lower the lower end. The droplets attached to the surface may be removed. Further, as shown in FIG. 9C, a nozzle 94 is provided from below the developer guide plate 15.
The droplets may be removed by blowing high-pressure air through the nozzle.
【００９８】第３に、前記一実施形態では、前記現像液
供給ノズル１６を前記現像液案内プレート１５の前面に
対向させ、現像液を現像液案内プレート１５に向けて噴
射するようにしていたが、これに限定されるものではな
い。Third, in the one embodiment, the developer supply nozzle 16 is opposed to the front surface of the developer guide plate 15, and the developer is sprayed toward the developer guide plate 15. However, the present invention is not limited to this.
【００９９】たとえば、図１０、図１１に示すように、
前記現像液案内プレート１５の内部から現像液を吐出す
るようにしても良い。すなわち、この構成では、前記現
像液案内プレート１５の上部にこの現像液案内プレート
１５の前面に開口する複数の現像液供給通路１０１を所
定の等間隔で設け、前記現像液供給管３０をこのプレー
ト１５の裏面側から前記供給通路１０１に接続するよう
にしている。そして、このプレート１５の前面には、前
記各現像液供給通路１０１から吐出された現像液を下方
向に案内する案内カバー１０２を取り付けている。For example, as shown in FIGS. 10 and 11,
The developer may be discharged from the inside of the developer guide plate 15. That is, in this configuration, a plurality of developer supply passages 101 opening at the front of the developer guide plate 15 are provided at predetermined intervals above the developer guide plate 15, and the developer supply pipe 30 is connected to the plate. 15 is connected to the supply passage 101 from the back side. A guide cover 102 for guiding the developer discharged from each developer supply passage 101 downward is attached to the front surface of the plate 15.
【０１００】このような構成によれば、現像液は、前記
案内プレート１５の上部からすだれ状に吐出され、この
案内プレート１５を伝って下方向に向かって流れるうち
にこのプレート１５の全面に亘って拡散し、均一な膜状
となってウエハ１の表面に達する。したがって、このよ
うな構成によっても前記一実施形態と同様の効果を得る
ことができる。なお、前記一実施形態では、エアブロー
用ノズル１７は１本であったが、前記現像液案内プレー
ト１５の前面に亘ってより均一に高圧エアを吹き付ける
ために、４本のエアブロー用ノズル１７を前記プレート
１５の前面に対向配置している。なお、この場合、図１
１に示すように、このエアブロー用ノズル１７を上から
下方向に向かって揺動させるようにすれば、現像液案内
プレート１５の表面の現像液をより効果的に除去するこ
とができる。According to such a configuration, the developing solution is discharged in an interdigital shape from the upper portion of the guide plate 15, and flows downward along the guide plate 15, over the entire surface of the plate 15. And diffuses to form a uniform film and reaches the surface of the wafer 1. Therefore, even with such a configuration, the same effect as in the first embodiment can be obtained. In the embodiment, the number of the air blow nozzles 17 is one. However, in order to blow the high-pressure air more uniformly over the front surface of the developer guide plate 15, the four air blow nozzles 17 are used. It is disposed opposite the front surface of the plate 15. In this case, FIG.
As shown in FIG. 1, if the air blow nozzle 17 is swung downward from above, the developer on the surface of the developer guide plate 15 can be more effectively removed.
【０１０１】また、この図に示すノズル１７の代りに、
このプレート１５の全幅の長さを有するスリット状の吐
出孔を有するノズルを用いて高圧エアを吹き付けるよう
にしても良い。Also, instead of the nozzle 17 shown in this figure,
High-pressure air may be blown using a nozzle having a slit-shaped discharge hole having the entire width of the plate 15.
【０１０２】第４に、前記一実施形態では、前記現像液
案内プレート１５の高さ方向中途部にバンプ１９を設け
ていたが、バンプ１９の代りに図１２に示すような凹部
１２１であっても良い。このような構成によっても、前
記現像液がこの凹部１２１を通過する際に現像液の流速
が減速されるから、現像液がレジスト膜に及ぼすインパ
クトを低減することができる。Fourth, in the above-described embodiment, the bumps 19 are provided at an intermediate portion in the height direction of the developer guide plate 15, but instead of the bumps 19, there are concave portions 121 as shown in FIG. Is also good. Even with such a configuration, the flow rate of the developer when the developer passes through the concave portion 121 is reduced, so that the impact of the developer on the resist film can be reduced.
【０１０３】第５に、前記一実施形態では、前記現像液
案内プレート１５の高さ方向中途部にバンプ１９を１つ
のみ設けていたが、必要に応じて図１３に示すように例
えば３つ（１９ａ〜１９ｃ）設けても良い。このような
構成によれば、前記現像液の流速の制御をより確実に行
える効果がある。Fifth, in the above-described embodiment, only one bump 19 is provided in the middle of the developer guide plate 15 in the height direction. However, as shown in FIG. (19a to 19c) may be provided. According to such a configuration, there is an effect that the flow rate of the developer can be more reliably controlled.
【０１０４】また、この図の例では、プレート１５の下
端部の進行方向側のエッジ部もバンプ１９ｃとして形成
されている。このように、バンプ１９ｃをプレート１５
の最下端部に設けることで、レジスト膜（ウエハ１の上
面）に接触する際の現像液の流速を非常に効果的に減速
することができる。In the example of this figure, the edge of the lower end of the plate 15 on the traveling direction side is also formed as a bump 19c. In this way, the bump 19c is
The flow rate of the developing solution at the time of contacting the resist film (the upper surface of the wafer 1) can be reduced very effectively.
【０１０５】第６に、前記一実施形態では、前記現像液
供給ユニット１３は１つのみであったが、複数の現像液
供給ユニットを設けるようにしても良い。例えば、図１
４に示すように、２つの現像液供給ユニット１３ａ，１
３ｂを、このユニット１３ａ，１３ｂの進行方向にウエ
ハ１の半径寸法だけ離して設けるようにしても良い。Sixth, in the above embodiment, only one developer supply unit 13 is provided, but a plurality of developer supply units may be provided. For example, FIG.
As shown in FIG. 4, two developer supply units 13a, 1
3b may be provided at a distance of the radius of the wafer 1 in the traveling direction of the units 13a and 13b.
【０１０６】この場合には、第１の供給ユニット１３ａ
による現像液の供給はウエハ１の一端から始め、第２の
供給ユニット１３ｂによる現像液の供給はウエハ１の中
央部から開始することになる。また、第１の供給ユニッ
ト１３ａによる供給はウエハ１の中央部で終了し、第２
の供給ユニット１３ｂによる供給はウエハ１の他端で終
了することになる。In this case, the first supply unit 13a
Is supplied from one end of the wafer 1, and the supply of the developer by the second supply unit 13b is started from the center of the wafer 1. The supply by the first supply unit 13a ends at the center of the wafer 1 and the second
The supply by the supply unit 13b ends at the other end of the wafer 1.
【０１０７】ただし、この場合、現像液の未供給部位が
生じることがないように、第１の供給ユニット１３ａに
よる供給範囲と第２の供給ユニット１３ｂによる供給範
囲に一部重なりが生じることが望ましい。この場合、重
複供給範囲はウエハ１の中央部付近となる。However, in this case, it is desirable that the supply range of the first supply unit 13a and the supply range of the second supply unit 13b partially overlap so that the unsupplied portion of the developer does not occur. . In this case, the overlapping supply range is near the center of the wafer 1.
【０１０８】図１４（ｂ）は、横軸に各ユニット１３
ａ、１３ｂの移動位置をとり、縦軸方向に各ユニット１
３ａ、１３ｂの現像液の供給流量をとって示したチャー
トである。この図に示すように、各ユニット１３ａ、１
３ｂによる供給量は、ウエハ１の中央部付近の重複供給
範囲でそれぞれ他の範囲の約半量に減少させている。な
お、この図において、第１のユニットについての線図に
おけるＴstart点、Ｔend点と、第２のユニットについて
の線図におけるＴstart点、Ｔend点とは同じタイミング
である。このような制御の結果、この重複供給範囲にお
ける供給量は他の部位と等しくなる。FIG. 14B shows each unit 13 on the horizontal axis.
a, 13b, and each unit 1
5 is a chart showing the supply flow rates of the developing solutions 3a and 13b. As shown in this figure, each unit 13a, 1
The supply amount by 3b is reduced to about half the other range in the overlapping supply range near the center of the wafer 1. In this figure, the Tstart point and Tend point in the diagram for the first unit and the Tstart point and Tend point in the diagram for the second unit have the same timing. As a result of such control, the supply amount in this overlapping supply range becomes equal to the other parts.
【０１０９】なお、この供給量の制御は、図１４（ａ）
に示す各ユニット１３ａ、１３ｂ用の液量コントローラ
２８を制御部６が各ユニット１３ａ、１３ｂの駆動位置
に応じて個別に制御することにより行われる。The control of the supply amount is carried out according to FIG.
Is performed by the control unit 6 individually controlling the liquid amount controllers 28 for the units 13a and 13b according to the drive positions of the units 13a and 13b.
【０１１０】このような構成によれば、２つの供給ユニ
ット１３ａ、１３ｂにより液盛りが行えるから、より短
時間で現像液の液盛りが完了できる効果がある。また、
ウエハ中央部における供給量を制御することによってよ
り均一な現像液の液盛りが行えるから、良好な現像が期
待できる。According to such a configuration, since the liquid supply can be performed by the two supply units 13a and 13b, the liquid supply of the developer can be completed in a shorter time. Also,
By controlling the supply amount at the central portion of the wafer, the developer can be more uniformly filled, so that good development can be expected.
【０１１１】第８に、上記一実施形態は、この発明の液
滴除去機構を、現像液案内板１５を使用した現像液供給
ユニット１３に適用するものであったが、これに限定さ
れるものではなく、図１５（ａ）に示すようなリニアタ
イプの現像液供給ノズル１５１に適用されるものであっ
ても良い。Eighth, in the above embodiment, the droplet removing mechanism of the present invention is applied to the developer supply unit 13 using the developer guide plate 15, but the invention is not limited to this. Instead, the present invention may be applied to a linear type developer supply nozzle 151 as shown in FIG.
【０１１２】この現像液供給ノズル１５１は、前記ウエ
ハ１の直径よりも若干長い幅を有し、その下面には複数
の現像液吐出孔１５２が例えば２ｍｍピッチで穿設され
ている。このノズル１５１内には図示しない液溜めが設
けられており、現像液はこの液溜めに一旦貯留された
後、前記吐出孔１５２から略均一な圧力で吐出されるこ
とになる。各吐出孔１５２から吐出された現像液流は、
隣り合う現像液流が互いに接触しあってカーテン状にな
り前記ウエハ１上に供給されることになる。The developing solution supply nozzle 151 has a width slightly longer than the diameter of the wafer 1, and a plurality of developing solution discharge holes 152 are formed in the lower surface thereof at a pitch of, for example, 2 mm. A liquid reservoir (not shown) is provided in the nozzle 151, and the developer is temporarily stored in the liquid reservoir and then discharged from the discharge hole 152 at a substantially uniform pressure. The developer flow discharged from each discharge hole 152 is
Adjacent developer flows come into contact with each other to form a curtain and are supplied onto the wafer 1.
【０１１３】このような現像液供給ノズル１５１をこの
発明に適用する場合には、図１５（ｂ）に示すように、
このノズル１５１の側面に駆動レバー１５３を突設する
と共に、このノズル１５１を前記現像液供給ユニット１
３に設けられたブラケット１５４に揺動自在に支持する
ようにする。前記駆動レバー１５３には、前記一実施形
態と同様に磁性体１５５が貼着されていると共に、前記
ブラケット１５４の前記磁性体１５５に対向する位置に
は電磁石１５６が固定されている。したがって、この電
磁石１５６を前記制御部６で制御して作動させることで
前記磁性体１５５を吸引して前記ノズル１５１をβ方向
へ跳ね上げることができる。When such a developer supply nozzle 151 is applied to the present invention, as shown in FIG.
A drive lever 153 protrudes from a side surface of the nozzle 151 and the nozzle 151 is connected to the developer supply unit 1.
3 so as to be swingably supported by a bracket 154 provided on the bracket 3. A magnetic body 155 is attached to the drive lever 153 as in the first embodiment, and an electromagnet 156 is fixed to a position of the bracket 154 facing the magnetic body 155. Therefore, by controlling and operating the electromagnet 156 by the control unit 6, the magnetic body 155 can be sucked and the nozzle 151 can jump up in the β direction.
【０１１４】なお、前記駆動レバー１５３とブラケット
１５４の間にはスプリング１５８が圧縮された状態で挿
入され、このノズル１５１を前記β方向と反対の方向に
付勢している。また、前記ブラケット１５４には、この
ノズル１５１のβ方向への回動を規制するためのストッ
パ１５９が一体的に形成されている。A spring 158 is inserted between the drive lever 153 and the bracket 154 in a compressed state, and urges the nozzle 151 in a direction opposite to the β direction. The bracket 154 is integrally formed with a stopper 159 for restricting the rotation of the nozzle 151 in the β direction.
【０１１５】このような構成によってもこの現像液供給
ノズル１５１を跳ね上げ駆動することができるから、前
記一実施形態と同様の効果を得ることができる。特に、
このような形状の現像液供給ノズル１５１においては、
このノズル１５１下面の前記吐出孔１５２間の部位に現
像液が付着して残留することがあるが、これを有効に除
去することができる。With such a configuration, the developer supply nozzle 151 can be driven to jump up, so that the same effect as in the above-described embodiment can be obtained. In particular,
In the developer supply nozzle 151 having such a shape,
The developer may adhere to and remain on the portion between the discharge holes 152 on the lower surface of the nozzle 151, but this can be effectively removed.
【０１１６】なお、吐出孔形状としては、全ての吐出孔
が連続しスリット状となっているいわゆるスリットノズ
ルにも適用可能である。The shape of the discharge hole can be applied to a so-called slit nozzle in which all the discharge holes are continuous and have a slit shape.
【０１１７】[0117]
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
従来のスキャン現像方式において、現像液供給部に付着
した現像液の液滴を効果的に除去することができる。As described above, according to the present invention,
In the conventional scan developing method, it is possible to effectively remove droplets of the developer adhering to the developer supply unit.
【図１】この発明の一実施形態を示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】同じく、要部である現像液供給ユニットを拡大
して示す斜視図。FIG. 2 is an enlarged perspective view showing a developer supply unit, which is a main part of the embodiment.
【図３】同じく、現像液案内プレートと現像液供給ノズ
ルの位置関係を示す概略構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a positional relationship between a developer guide plate and a developer supply nozzle.
【図４】同じく、現像液供給ユニットに設けられた揺動
駆動機構を示す構成図。FIG. 4 is a configuration diagram showing a swing drive mechanism provided in the developer supply unit.
【図５】現像処理工程を示すフローチャート。FIG. 5 is a flowchart illustrating a developing process.
【図６】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す平面配置図。FIG. 6 is a plan view showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
【図７】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す正面配置図。FIG. 7 is a front layout diagram showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
【図８】この発明の一実施形態が適用される塗布現像シ
ステムの全体構成を示す背面配置図。FIG. 8 is a rear view showing the overall configuration of a coating and developing system to which an embodiment of the present invention is applied.
【図９】この発明の他の実施形態を示す概略構成図。FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
【図１０】この発明の他の実施形態を示す斜視図。FIG. 10 is a perspective view showing another embodiment of the present invention.
【図１１】この発明の他の実施形態を示す概略構成図。FIG. 11 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
【図１２】この発明の他の実施形態を示す概略構成図。FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
【図１３】この発明の他の実施形態を示す概略構成図。FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
【図１４】この発明の他の実施形態を示す概略構成図及
びタイミングチャート。FIG. 14 is a schematic configuration diagram and a timing chart showing another embodiment of the present invention.
【図１５】この発明の他の実施形態を示す概略構成図。FIG. 15 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention.
β…点線 α…矢印 β…矢印 α…進行方向 ＣＲ…カセット Ｇ１〜Ｇ５…第１〜第５の処理ユニット群 １…半導体ウエハ ２…ウエハ保持部 ３…現像液供給部 ４…カップ ５…洗浄処理部 ６…制御部 ７…スピンチャック ８…スピンチャック駆動機構 １０…排液路 １１…Ｘ方向駆動機構 １２…Ｚ方向駆動機構 １３…現像液供給ユニット １４…ホルダ １５…現像液案内プレート １６…現像液供給ノズル １６…供給ノズル １７…エアブロー用ノズル １８…揺動駆動機構 １９…バンプ ２１…現像液 ２２…エッジ部 ２４…後端部 ２５…供給系 ２６…現像液タンク ２７…フィルタ ２８…液量コントローラ ２９…開閉弁 ３０…現像液供給管 ３１…エアポンプ ３２…フィルタ ３３…開閉弁 ３４…供給管 ３６…電磁石 ３７…支軸 ３９…駆動レバー ４０…ストッパ ４１…スプリング ４２…磁性体 ４６…Ｚθ駆動機構 ４７…洗浄ノズル ４８…Ｚθ駆動部 ５０…供給管 ５１…開閉弁 ５２…洗浄液供給タンク ６０…カセット部 ６１…プロセス処理部 ６２…インタフェース部 ６４…第２のサブアーム機構 ６５…レール ７０ａ…突起部 ７１…サブアーム機構 ７２…メインアーム機構 ７８…メインアーム ７９…ガイド ９１…アクチュエータ ９２ａ．９２ｂ…一対のストッパ ９３…振動素子 ９４…ノズル １０１…現像液供給通路 １０２…案内カバー １２１…凹部 １５１…現像液供給ノズル １５２…現像液吐出孔 １５３…駆動レバー １５４…ブラケット １５５…磁性体 １５６…電磁石 １５８…スプリング １５９…ストッパ β: dotted line α: arrow β: arrow α: traveling direction CR: cassettes G1 to G5: first to fifth processing unit groups 1: semiconductor wafer 2: wafer holding unit 3: developer supply unit 4: cup 5: cleaning Processing unit 6 ... Control unit 7 ... Spin chuck 8 ... Spin chuck drive mechanism 10 ... Drainage path 11 ... X direction drive mechanism 12 ... Z direction drive mechanism 13 ... Development solution supply unit 14 ... Holder 15 ... Development solution guide plate 16 ... Developer supply nozzle 16 supply nozzle 17 air blow nozzle 18 swing drive mechanism 19 bump 21 developer 22 edge 24 rear end 25 supply system 26 developer tank 27 filter 28 liquid Quantity controller 29 ... On-off valve 30 ... Developer supply pipe 31 ... Air pump 32 ... Filter 33 ... On-off valve 34 ... Supply pipe 36 ... Electromagnet 37 ... Support shaft 39 ... Drive lever 40 ... Stopper 41 ... Spring 42 ... Magnetic material 46 ... Zθ drive mechanism 47 ... Cleaning nozzle 48 ... Zθ drive unit 50 ... Supply pipe 51 ... On / off valve 52 ... Cleaning liquid supply tank 60 ... Cassette unit 61 ... Process processing unit 62 ... Interface unit 64 second sub-arm mechanism 65 rail 70a projecting portion 71 sub-arm mechanism 72 main arm mechanism 78 main arm 79 guide 91 actuator 92a. 92b: A pair of stoppers 93: Vibrating element 94: Nozzle 101: Developing solution supply passage 102: Guide cover 121: Depressed portion 151: Developing solution supply nozzle 152: Developing solution discharge hole 153: Driving lever 154: Bracket 155: Magnetic body 156 Electromagnet 158 ... Spring 159 ... Stopper
Claims (13)
を有する被処理基板に現像液を供給してフォトレジスト
膜を現像処理する現像処理装置であって、 前記被処理基板を水平に保持する基板保持機構と、 この基板保持機構に保持された被処理基板の上方に下端
部を対向させた状態で保持され、所定の水平方向に移動
しながら前記下端部から前記被処理基板上に現像液を供
給する現像液供給部と、 前記現像液供給部の下端部に付着した液滴を除去する液
滴除去機構とを有することを特徴とする現像処理装置。1. A developing apparatus for developing a photoresist film by supplying a developing solution to a substrate having a photoresist film on which a pattern is exposed, wherein the substrate holding the substrate horizontally. And a mechanism for supplying a developer onto the substrate from the lower end while moving in a predetermined horizontal direction while being held in a state where the lower end thereof is opposed to the substrate to be processed held by the substrate holding mechanism. And a droplet removing mechanism for removing droplets attached to a lower end of the developer supplying unit.
処理基板に対する現像液の供給終了の直後に、前記現像
液供給部の下端部に付着した液滴を除去させる制御手段
を有することを特徴とする現像処理装置。2. The developing apparatus according to claim 1, wherein the liquid drop removing mechanism is controlled, and a lower end of the developing solution supply section is provided immediately after the supply of the developing solution to the substrate to be processed by the developing solution supply section. A developing unit having a control unit for removing droplets attached to the unit.
くとも前記下端部を振動させることでこの下端部に付着
した液滴を除去する振動機構を有するものであることを
特徴とする現像処理装置。3. The development processing apparatus according to claim 1, wherein the droplet removing mechanism is provided in the developer supply unit, and at least the lower end of the developer supply unit is vibrated so that the lower end of the developer supply unit is moved to the lower end. A development processing device having a vibration mechanism for removing attached droplets.
ことでこの下端部に付着した液滴を除去する揺動駆動機
構であることを特徴とする現像処理装置。4. The development processing apparatus according to claim 3, wherein the vibration mechanism is configured to oscillate at least the lower end of the developer supply unit to remove liquid droplets attached to the lower end. A development processing device, which is a mechanism.
供給時の進行方向と同方向であることを特徴とする現像
処理装置。5. The developing apparatus according to claim 4, wherein a swing direction of the swing drive mechanism is the same as a traveling direction of the developer supply unit when the developer is supplied. apparatus.
で保持され、その一面をこの現像液供給部の駆動方向に
対向させて保持された現像液案内板と、 この現像液案内板の一面の上部に現像液を供給すること
で、この現像液案内板を伝わせてこの現像液案内板の下
端部から前記被処理基板上に現像液を供給する現像液供
給系統とを有するものであることを特徴とする現像処理
装置。6. The developing device according to claim 1, wherein the developing solution supply section is held in a state where a lower end portion thereof is opposed to the substrate with a predetermined gap, and one surface thereof is supplied with the developing solution supply portion. A developer guide plate held opposite to the driving direction of the unit, and supplying a developer to an upper portion of one surface of the developer guide plate, thereby transmitting the developer guide plate and A developing solution supply system for supplying a developing solution from the lower end onto the substrate to be processed.
像液除去機構を有することを特徴とする現像処理装置。7. The developing apparatus according to claim 6, further comprising a developing solution removing mechanism for removing a developing solution attached to one surface of said developing solution guide plate.
段を有し、 この制御手段は、 前記現像液供給部による被処理基板に対する現像液の供
給終了の直後に、前記現像液除去機構を作動させ前記現
像液案内板の一面に付着した現像液を除去させ、その後
前記液滴除去機構を作動させて前記現像液案内板の下端
部に付着した液滴を除去させるものであることを特徴と
する現像処理装置。8. The developing apparatus according to claim 7, further comprising control means for controlling the developing solution removing mechanism and the droplet removing mechanism, wherein the controlling means performs development on the substrate to be processed by the developing solution supply unit. Immediately after the end of the supply of the liquid, the developer removing mechanism is operated to remove the developer adhered to one surface of the developer guide plate, and then the droplet removing mechanism is operated to operate the lower end of the developer guide plate. A developing device for removing droplets adhered to the developing device.
間を存して対向させた状態で保持され、その一面をこの
現像液供給部の駆動方向に対向させて保持された現像液
供給ノズルを有するものであることを特徴とする現像処
理装置。9. The developing device according to claim 1, wherein the developing solution supply unit is held in a state where a lower end surface provided with a discharge hole faces the substrate to be processed with a predetermined gap. A developing solution supply nozzle which is held so that one surface thereof is opposed to the driving direction of the developing solution supply section.
て、 前記液滴除去機構は、 前記現像液供給部の下端部に対して高圧の気体を吹きつ
けることで、この下端部に付着した液滴を除去する高圧
気体吹き付け機構を有するものであることを特徴とする
現像処理装置。10. The developing device according to claim 1, wherein the droplet removing mechanism blows a high-pressure gas against a lower end of the developer supply unit, thereby causing the droplet attached to the lower end of the developer supply unit. A developing device having a high-pressure gas blowing mechanism for removing the gas.
膜を有する被処理基板に現像液を供給してフォトレジス
ト膜を現像処理する現像処理方法であって、 前記被処理基板を水平に保持する工程と、 現像液供給部を前記被処理基板の上方に下端部を対向さ
せた状態で保持し、所定の水平方向に移動しながら前記
下端部から前記被処理基板上に現像液を供給する工程
と、 現像液供給終了後、前記現像液供給部の下端部に付着し
た液滴を除去する工程と、 現像液供給部を初期位置に戻す工程とを有することを特
徴とする現像処理方法。11. A developing method for developing a photoresist film by supplying a developing solution to a substrate having a photoresist film on which a pattern is exposed, the method comprising: holding the substrate horizontally. Holding a developer supply unit above the substrate to be processed with the lower end thereof facing, and supplying a developer from the lower end onto the substrate to be processed while moving in a predetermined horizontal direction; A developing method comprising: a step of removing a liquid droplet attached to a lower end of the developer supply section after the supply of the developer is completed; and a step of returning the developer supply section to an initial position.
て、 前記液滴を除去する工程は、 前記現像液供給部の少なくとも前記下端部を揺動させる
ことでこの下端部に付着した液滴を除去する工程である
ことを特徴とする現像処理方法。12. The developing method according to claim 11, wherein the step of removing the droplet removes the droplet attached to the lower end by swinging at least the lower end of the developer supply unit. A developing process.
て、 前記現像液供給部は、 下端部を前記基板と所定の隙間を存して対向させた状態
で保持され、その一面をこの現像液供給部の駆動方向に
対向させて保持された現像液案内板と、 この現像液案内板の一面の上部に現像液を供給すること
で、この現像液案内板を伝わせてこの現像液案内板の下
端部から前記被処理基板上に現像液を供給する現像液供
給系統とを有するものであり、 前記現像処理方法は、 前記現像液案内板の下端部に付着した液滴を除去する前
に、前記現像液案内板の一面に付着した現像液を除去す
る工程を有することを特徴とする現像処理方法。13. The developing method according to claim 12, wherein the developing solution supply section is held in a state where a lower end portion thereof is opposed to the substrate with a predetermined gap therebetween, and one surface thereof is supplied with the developing solution supply section. A developer guide plate held opposite to the driving direction of the unit, and supplying a developer to an upper portion of one surface of the developer guide plate, thereby transmitting the developer guide plate and A developing solution supply system for supplying a developing solution onto the substrate to be processed from a lower end portion, wherein the developing method comprises: removing liquid droplets attached to a lower end portion of the developing solution guide plate; A developing method comprising a step of removing a developing solution attached to one surface of the developing solution guide plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25587299A JP3535053B2 (en) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | Development processing apparatus and development processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25587299A JP3535053B2 (en) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | Development processing apparatus and development processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085287A true JP2001085287A (en) | 2001-03-30 |
| JP3535053B2 JP3535053B2 (en) | 2004-06-07 |
Family
ID=17284755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25587299A Expired - Lifetime JP3535053B2 (en) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | Development processing apparatus and development processing method |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3535053B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088456A (en) * | 2005-09-19 | 2007-04-05 | Asml Netherlands Bv | Lithography equipment and mechanism |
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-
1999
- 1999-09-09 JP JP25587299A patent/JP3535053B2/en not_active Expired - Lifetime
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| KR102268613B1 (en) * | 2019-05-08 | 2021-06-23 | 세메스 주식회사 | Developer injection unit and developer injection apparatus having the same |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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