JP2001083522A - 液晶表示装置及び薄膜トランジスタ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】液晶表示装置に関し、応答特性を改善し、製造
歩留まりを向上する。 【解決手段】電極を有する一対の基板１，１２の少なく
とも一方に、複数の構成単位からなる線状の構造物又は
線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御す
る垂直配向型の液晶表示装置において、画素電極３０上
の構造物又は前記電極内のスリット３０ａと一方の基板
１上の画素電極３０のエッジとが交差する部分に、液晶
分子がｓ＝−１の配向特異点を形成するための配向制御
手段を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）及び薄膜トランジスタ基板に関し、より詳しく
は、ＶＡ型方式の液晶表示装置と薄膜トランジスタ基板
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＴＮ型ＴＦＴ−ＬＣＤの製造技術は、近
年において各段の進歩を遂げ、正面でのコントラスト・
色再現性などはＣＲＴを凌駕するまでに至っている。し
かし、ＴＮ(twisted nematic) −ＬＣＤには視野角が狭
いという大きな欠点があり、そのために用途が限定され
るという問題があった。

【０００３】図１(a) 〜図１(c) は、この問題を説明す
る図である。図１(a) は２つの電極１０１、１０２間に
電圧を印加しない白を表示する状態であり、図１(b)
は、中間の電位Ｖ₁ を２つの電極１０１，１０２間に印
加した中間調を表示する状態であり、図１(c) は、所定
の電圧Ｖ₂ を２つの電極１０１，１０２間に印加して黒
を表示する状態である。

【０００４】図１(a) 〜図１(c) では、２つの電極１０
１，１０２の対向面にはそれぞれ配向方向を９０度異な
らせて配向膜１０３，１０４が形成されている。また、
２つの電極１０１，１０２のそれぞれの外側には、特に
図示しないが、直線偏光方向が互いに９０度捩じれた状
態で偏光板が配置されている。なお、図１(a) 〜図１
(c) に示した液晶分子Ｌは、配向膜１０３，１０４の配
向方向に従って捩じれているが、ここでは便宜的に捩じ
れを考慮しないで図示している。

【０００５】ところで、図１(a) に示したような電圧を
印加しない状態では液晶分子Ｌは同じ方向に、ごく僅か
の傾斜角（１゜〜５゜程度）をもって配向している。こ
の状態ではどの方位でもほぼ白に見える。また、図１
(c) に示したような電圧Ｖ₂ を印加した状態では、配向
膜１０３，１０４表面の近傍を除いた中間の液晶分子Ｌ
は垂直方向に配向され、入射した直線偏光は偏光板によ
り遮られるので、外側から黒く見える。この時、一方の
電極１０１に斜めに入射する光は、垂直方向に配向され
た液晶分子の向きに対して斜めに通過するため偏向方向
がある程度捩じれるために、外側からは完全な黒ではな
く、中間調（グレイ）に見える。

【０００６】さらに、図１(b) に示すように、図１(c)
の状態より低い中間の電圧Ｖ₁ を印加した状態では、配
向膜１０３，１０４の近傍の液晶分子はやはり水平方向
に配向されるが、セルの中間部では液晶分子Ｌが斜めに
立ち上がる。そのため、液晶の複屈折性がいくぶん失わ
れ、透過率が低下して中間調（グレイ）表示になる。し
かし、これは液晶パネルに対して垂直に入射した光につ
いてのみいえることで、一方の電極１０１の面に斜めに
入射した光、すなわち図の左と右の方向から見た場合で
様子が異なる。

【０００７】即ち、図１(b) において、右下から左上に
向かう光に対して液晶分子Ｌの向きは平行になる。従っ
て、液晶は殆ど複屈折効果を発揮しないため、左側から
見ると黒く見えることなる。これに対して、左下から右
上に向かう光に対しては液晶分子Ｌの向きは垂直になる
ので、液晶分子Ｌは入射した光に対して大きな複屈折効
果を発揮し、入射した光は捩じれるので、白に近い色で
見えることになる。即ち、図１(b) では、視野角によっ
て表示強度が変わることになり、この点がＴＮ−ＬＣＤ
の最大の欠点となる。

【０００８】そこで、応答速度を低下させずに視野角特
性を改善する方式として垂直配向膜を使用するＶＡ（Ve
rtically aligned）方式が提案されている。図２(a) 〜
図２(c) は、ＶＡ方式を説明する図である。ＶＡ方式
は、ネガ型液晶材料と垂直配向膜を組み合わせた方式で
ある。まず、図２(a) に示すように、電圧無印加時には
液晶分子は垂直方向に配向して黒表示になる。なお、Ｖ
Ａ方式では、配向膜１０３，１０４は垂直配向処理が施
されている。

【０００９】また、図２(c) に示すように所定の電圧を
２つの電極１０１，１０２間に印加すると、液晶分子Ｌ
は水平方向に配向し、白表示になる。ＶＡ方式は、ＴＮ
方式に比べて表示のコントラストが高く、応答速度も速
く、白表示と黒表示における視覚特性も良好である。さ
らに、図２(b) に示すように、白表示の時より小さな電
圧を２つの電極１０１，１０２間に印加すると、液晶分
子Ｌは斜めの方向に配向することになる。この場合、電
極１０１の面に対して垂直方向の光は、表示パネルでは
中間調として表示される。しかし、図２(b) において、
右下から左上に向かう光に対しては液晶分子Ｌは平行に
なる。従って、液晶分子Ｌは殆ど複屈折効果を発揮しな
いために、左側から見ると黒く見えることになる。これ
に対して、左下から右上に向かう光に対しては液晶分子
Ｌは垂直になるので、液晶分子Ｌは入射した光に対して
大きな複屈折効果を発揮し、入射した光は捩じれるので
白に近い表示になる。

【００１０】このようにＶＡ方式では、電圧無印加時も
配向膜近傍の液晶分子がほぼ垂直なため、ＴＮ方式より
各段にコントラストが高く、視野角特性にも優れてい
る。しかし、ＶＡ方式で中間調表示を行う場合に、視野
角を変えると表示強度が変わるというＴＮ方式と同様の
問題があり、視野角特性という面ではまだ不十分であっ
た。

【００１１】本出願人は、従来の垂直配向を使用し、液
晶材料として誘電率異方性が負のいわゆるネガ型液晶を
電極間に封入して、電圧印加時の液晶分子の傾斜方向が
１画素内の複数の領域で異なるように規制するドメイン
規制手段を設ける構成を、特願平10-185836 号で開示し
ている。図３(a) 〜図３(c) は、そのドメイン規制手段
として第１の基板側の１画素の電極１１１にスリットＳ
を設け、第２の基板側の電極１１２の上には１画素内で
突起Ｐを設けた構造を採用した場合の配向分割による視
覚特性の改善の原理を説明する図である。

【００１２】図３(a) に示すように、電圧を印加しない
状態では液晶分子Ｌは基板表面に対して垂直に配向す
る。また、図３(c) に示すように、相対向する電極１１
１，１１２の間に所定の電圧を印加すると、液晶分子Ｌ
は基板面に対してほぼ水平になって白表示が得られる。
さらに、図３(b) に示すように、中間の電圧を電極１１
１，１１２間に印加すると、スリットＳ（電極エッジ
部）Ｓで基板表面に対して斜めの電界が発生する。ま
た、突起Ｐ表面近傍の液晶分子Ｌは、電圧無印加の状態
から僅かに傾斜する。この突起Ｐの傾斜面と斜め電界の
影響により液晶分子Ｌの傾斜方向が決定され、突起Ｐの
真ん中とスリット部１１１ｓの真ん中でそれぞれ液晶分
子１１３の配向方向が分割される。

【００１３】この時、例えば基板の真下から真上に透過
する光は、液晶分子Ｌが多少傾斜しているため、若干の
複屈折の影響を受けて透過が抑えられ、グレイの中間調
表示が得られる。右下から左上に透過する光は、液晶分
子Ｌが左方向に傾斜した領域では透過しにくい一方、液
晶分子Ｌが右方向に傾斜した領域では非常に透過しやす
く、これらを平均するとグレイの中間調表示が得られ
る。また、左下から右上に透過する光も同様の原理でグ
レイ表示となる。これにより、１画素の全方位で均一な
中間調表示が得られる。

【００１４】従って、図３(b) では、黒、中間調、白の
表示状態の全てにおいて、視野角依存性の少ない良好な
表示が得られる。図３(a) 〜図３(c) では、ドメイン規
制手段として、第１の基板側の電極１１１の１画素にス
リットを設け、第２の基板側の電極１１２の上には１画
素内で突起２０を設けているが、他の手段でも実現でき
る。その新たなＶＡ方式を、以下にＭＶＡ(multi-domai
n vertical alignment)方式という。

【００１５】図４(a) 〜図４(c) は、ドメイン規制手段
を実現する例を示す図である。図４(a) は電極形状のみ
で実現する例を示し、図４(b) は基板表面の形状を工夫
する例を示し、図４(c) は、電極形状と基板表面の形状
を工夫する例を示す。これらの例のいずれも図３(a) 〜
図３(c) に示す配向が得られるが、それぞれの構造は多
少異なる。

【００１６】次に、図４(b) に示した２つの基板の対向
面上に突起を設けた場合を例にして説明する。図４(b)
において、２つの基板の対向面側の電極１１１，１１２
の上には、互い違いに配向方向を分割するための突起Ｐ
₁ 、Ｐ₂ が形成されており、それらの内側の面の上に垂
直配向膜１１３，１１４が設けられている。垂直配向膜
には垂直配向処理が施されている。２つの基板間に注入
している液晶はネガ型である。電圧無印加時には、垂直
配向膜上では液晶分子Ｌは基板面に対して垂直に配向す
る。突起Ｐ₁ 、Ｐ₂ での液晶分子Ｌもその斜面に垂直に
配向しようとするので、突起Ｐ₁ 、Ｐ₂ 上の液晶分子Ｌ
は傾斜する。しかし、電圧無印加時には、突起Ｐ ₁ 、Ｐ
₂ を除く領域の殆どの部分では、液晶分子Ｌは基板面に
対してほぼ垂直に配向するため、図３(a) に示したよう
に良好な黒表示が得られる。

【００１７】電圧印加時には、液晶分子Ｌは突起Ｐ₁ 、
Ｐ₂ のない部分では基板に平行（電界は基板に垂直）で
あるが、突起Ｐ₁ 、Ｐ₂ の近傍では傾斜する。即ち、電
圧印加時には、液晶分子Ｌは電界の強度の応じて傾斜す
るが、電界は基板に垂直な向きであってラビングによっ
て傾斜方向を規定していない場合には、電界に対して傾
斜する方位は３６０゜の全ての方向があり得る。突起Ｐ
₁ 、Ｐ₂ では、電界は突起Ｐ₁ 、Ｐ₂ の斜面に平行にな
る方向に傾いており、電圧が印加されると液晶分子Ｌは
電界に垂直な方向に傾くが、この方向は突起Ｐ₁ 、Ｐ₂
によりもともと傾斜している方向と一致しており、より
安定的に配向することになる。このように、突起Ｐ₁ 、
Ｐ₂ は、その傾斜と斜面の電界の両方の効果によって安
定した配向を得ている。更に、強い電圧が印加される
と、液晶分子Ｌは基板にほぼ平行になる。

【００１８】以上のように、突起Ｐ₁ 、Ｐ₂ は電圧を印
加した時の液晶分子Ｌの配向する方位を決定するトリガ
の役割を果たしている。図４(a) では、両方は或いは片
方の電極１１１，１１２にスリットＳ₁ 、Ｓ₂を設けて
いる。配向膜１１３，１１４には垂直配向処理を施し、
基板間にネガ型液晶を封入する。電圧を印加しない状態
では、液晶分子は基板表面に対して垂直に配向するが、
電圧を印加するとスリット（電極エッジ部）Ｓ₁ 、Ｓ₂
で基板表面に対して斜めの方向の電界が発生する。この
斜めの電界の影響で液晶分子Ｌの傾斜方向が決定され、
図示のように左右方向に液晶の配向方向が分割される。

【００１９】図４(c) は、図４(a) と図４(b) の方式を
組み合わせた例であり、一方の電極１１１にはスリット
Ｓが形成され、他方の電極１１２の上には突起Ｐが設け
られている。以上、３つのドメイン規制手段を実現する
例を示したが、いろいろな変形が可能である。

【００２０】図５は、４方向に配向分割する液晶表示パ
ネルにおけるバスライン、突起、画素、電極との配置関
係を示す平面図であり、図６は、図５のＩーＩ線断面図
である。図５、図６において、ＴＦＴ基板１２１上に
は、Ｘ方向（図中横方向）に延在する複数のゲートバス
ライン１２２がＹ方向（図中縦方向）に間隔をおいて形
成されている。また、各ゲートバスライン１２２の間に
はＸ方向に延在する容量バスライン１２３が形成されて
いる。その容量バスライン１２３からは後述するドレイ
ンバスラインの一部に対向するように補助容量支線１２
３ａがゲートバスライン１２２に接触しない程度の長さ
でＹ方向に形成されている。

【００２１】それらのゲートバスライン１２２と容量バ
スライン１２３は、第１絶縁膜１２４によって覆われて
いる。さらに、第１絶縁膜１２４上には、Ｙ方向に延在
する複数のドレインバスライン１２５がＸ方向に間隔を
おいて形成されている。ゲートバスライン１２２とドレ
インバスライン１２５の交差箇所に対応してＴＦＴ（薄
膜トランジスタ）１２６が形成されている。ＴＦＴ１２
６は、第１絶縁膜１２４を介してゲートバスライン１２
５上に形成された半導体層１２６ａと、半導体層１２６
ａの上に形成されたドレイン電極１２６ｄと、半導体層
１２６ａの上に形成されたソース電極１２６ｓを有して
おり、ドレイン電極１２６ｄは近くのドレインバスライ
ン１２５に接続されている。ドレインバスライン１２５
とＴＦＴ１２６は第２絶縁膜１２７によって覆われてい
る。

【００２２】また、２本のドレインバスライン１２５と
２本のゲートバスライン１２２によって囲まれる領域で
あって第２絶縁膜１２７の上にはＩＴＯよりなる画素電
極１２８が形成されている。その画素電極１２８は第２
絶縁膜１２７のホール（不図示）を通してソース電極１
２６ｓに接続されている。容量バスライン１２３の電位
は任意の大きさに固定されている。ドレインバスライン
１２５の電位が変動すると、浮遊容量に起因する容量結
合により画素電極１２８の電位が変動する。図６の構成
では、画素電極１２８が補助容量を介して容量電極１２
３に接続されているため、画素電極１２８の電位変動を
低減することができる。

【００２３】図６において、ＴＦＴ基板１２１に対向す
る対向基板１３１にはカラーフィルタ１３２、ブラック
マトリクス１３３、共通電極１３４、配向膜１３５が順
に形成されている。また、対向基板１３１とＴＦＴ基板
１２１の互いの対向面上には、それぞれ、Ｙ方向に延在
するジグザク屈曲パターンを有する突起物１３０、１３
６が形成されている。屈曲パターンの折れ曲がり角は概
ね９０度である。

【００２４】ＴＦＴ基板１２１側の突起物１３０はＸ方
向に等間隔で配列され、その折れ曲がり点はゲートバス
ライン１２２のほぼ中央に配置されている。対向基板１
３１側の突起物１３６は、ＴＦＴ基板１２１側の突起物
１３０とほぼ同じ形状のパターンを有し、しかも、ＴＦ
Ｔ基板１２１の複数の突起物１３０の間のほぼ中央に位
置するように共通電極１３４の上に形成されている。

【００２５】ＴＦＴ基板１２１側の突起物１３０と画素
電極１２８は配向膜１２９に覆われ、対向基板１３１側
の突起物１３６もまた別な配向膜１３５に覆われてい
る。ＴＦＴ基板１２１側の突起物１３０と対向基板１３
１側の突起物１３６は、それぞれ画素電極１２８の縁と
４５度の角度で交わる。また、ＴＦＴ基板１２１と対向
基板１３１のうち液晶材料１３９を挟んでいない面に
は、それぞれ偏光板（不図示）が配置される。それらの
偏光板は、それらの偏向軸が突起物１３０．１３６の角
直線部分で４５度で交わり、且つ、クロスニコルとなる
ように配置される。即ち、一方の偏光板の偏向軸は、図
のＸ方向に平行であり、他方の偏向軸は図のＹ方向に平
行である。

【００２６】ＴＦＴ基板１２１と対向基板１３１は、互
いにある間隔を隔てて平行に配置され、それらの間隙に
は液晶材料１３９が充填されている。液晶材料１３９
は、上記したように負の誘電率異方性を有するものが採
用されている。突起物１３０、１３６は、液晶材料１３
９の誘電率と同等或いはそれ以下の誘電率を有する材料
から形成されている。

【００２７】次に、画素電極にスリットを設けた場合を
例に挙げて中間電圧を画素電極に印加した場合の液晶分
子Ｌの配向について説明する。図７は、図５に示した突
起物１３０の代わりに画素電極にスリットＳを設けたＴ
ＦＴ基板上のゲートバスライン、ドレインバスライン、
容量バスライン及び画素電極１２８の配置関係を示す平
面図である。

【００２８】図７において、画素電極１２８ａは、上側
の突起物１３６ａの間を通る複数のスリットＳによって
複数の領域に分割されている。それらの領域は、各スリ
ットＳを横切るつなぎ部１２８ｂによって互いに導通し
ている。画素電極１２８ａの中央近傍の２つのスリット
Ｓは、画素電極１２８ａのエッジ部で互いに交わってい
る。

【００２９】そして、画素電極１２８ａに中間電圧を印
加すると。画素電極１２８ａ上の液晶分子Ｌは、画素電
極１２８ａの面に対して傾斜する。図７において液晶分
子Ｌは、円錐で示され、その先鋭部はＴＦＴ基板側の液
晶分子の一端の位置を示し、その円錐のうち円面は対向
基板側の他端の位置を示している。その液晶分子Ｌの傾
斜方向は図４で示した原理によって４種類となる。

【００３０】以上説明したように、ＭＶＡ方式は、誘電
率異方性が負の液晶を基板面に対してほぼ垂直に配向さ
せる方式であり、コントラストが高い上に、スイッチン
グ速度を低下させること無しに視覚特性が改善できるの
で、表示品質が良好である。しかも、ドメイン規制手段
を使用することにより、視野角特性を一層改善できる。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】ＭＶＡ方式の液晶表示
装置は、高画質で高信頼性、高生産性を実現できる。し
かし、もともとＶＡ方式は、ＴＮ方式のような水平配向
型に比べて弱アンカリングであるため、電界の影響を受
けやすいという性質があり、ＭＶＡ方式もそのような性
質を受け継いでいる。

【００３２】従って、図８(a),(b) に示すように、ゲー
トバスラインの電位Ｅgc、ドレインバスラインの電位
（データ電圧）Ｅgsの変動によって画素電極１２８周囲
の液晶分子Ｌの配向状態が変化する場合がある。そのよ
うな現象は、ＴＮ方式の場合にも同様に発生するが、Ｔ
Ｎ方式よりもＶＡ方式の方が発生し易いと考えられる。
また、ＭＶＡ方式特有の現象として、駆動その他の諸々
の条件によって突起物が帯電することがある。このと
き、ドレインバスライン、ゲートバスラインと交差する
部分の液晶配向が突起物の帯電の影響によっても変化す
る。

【００３３】画素周囲の配向が変化すると、それに応じ
て浮遊容量、例えばゲート・共通電極間容量Ｃgc、ゲー
ト・ソース間容量Ｃgs、ドレイン・共通電極間容量Ｃdc
等の値も変化する。その結果、容量結合により画素電極
１２６ｓの電位も変動する。通常は、補助容量によって
画素電極の電位変動を低減しているが、完全には補いき
れない場合がある。特に、高開口率化のために補助容量
を小さくした場合に発生しやすい。画素電極電位が変動
すると、フリッカとよばれるちらつきが画面に発生す
る。

【００３４】画素電極電位の変動が完全に無くなる程度
に補助容量を大きくする手段もあるが、その分だけ開口
率が小さくなる。次に、ＭＶＡ方式の液晶表示装置にお
ける残像の発生について説明する。液晶表示装置におけ
る残像の発生は、応答速度の異常が原因とされるが、こ
れは、上記した電極上の突起物やスリットの上でドメイ
ン制御方向が定まっていないために生じる。

【００３５】そのドメイン制御方向の不安定さはセル厚
のばらつきなどによって生じ、これにより残像が生じる
ような液晶表示装置は、不良品として出荷されない。長
時間残る残像の発生原因を調査した結果、次のことが明
らかになった。即ち、複数の突起又はスリットを電極に
形成した構造を採用した液晶表示装置において、図９
(a),(b) に示すように、表示を黒から白に変化させた時
のドメイン状態と、表示を中間調から白に変化させた時
のドメイン状態とに違いが見られる場合に、長時間残る
残像が発生することが分かった。

【００３６】図９(a) において、表示を黒から白に変化
させた後のスリットＳ上のドメイン数は、画素電極１２
８ａの全てのつなぎ部１２８ｂとつなぎ部１２８ｂの中
間を境界にして分割されて６個存在する。これにより、
スリットＳ近傍の液晶分子Ｌは、スリットＳの直線部分
に対して垂直方向に配向する。一方、図９(b) におい
て、黒、中間調、白の順に表示を変えた後のスリットＳ
上のドメイン数は、一部のつなぎ部１２８ｂを境にして
分割された２個又は４個である。これにより、つなぎ部
１２８ｂとその中間を境にしてドメインが変化しない領
域が存在し、その領域では、スリットＳ近傍の液晶分子
ＬはスリットＳの直線部分に対して斜めに配向してい
る。

【００３７】その原因の一つは、中間調表示では突起物
１３０若しくはスリットＳ上の液晶分子Ｌには十分に電
圧がかからないために、液晶分子Ｌは図１０に示すよう
に基板面に対してほぼ垂直状態となっており、画素電極
１２８ａのエッジの電界やこれに影響を受けた表示ドメ
インの配向の影響が、つなぎ部による配向制御手段の分
割箇所にまで及び、配向制御手段を分割したことによる
配向制御効果が十分機能しないためと考えられる。即
ち、中間表示の時に、スリットＳ若しくは突起物１３０
の上の液晶分子Ｌが垂直状態になると、それらの近傍の
液晶分子Ｌは画素電極１２８ａのエッジの電界の影響を
受けてスリットＳ又は突起物１３０の直線部分に対して
傾斜配向してしまう。

【００３８】これにより、中間調表示から白表示に移っ
た時に、図９(a) に示したのドメインが消えてと
のドメインがつながり、ついで、のドメインが消えて
とのドメインがつながり、この結果、図９(b) に示
すように、右上方向を向くドメイン同士がつながって左
下を向くドメインが消えてしまい、白表示の後のスリッ
トＳ上のドメインがとの２つに減少することにな
る。

【００３９】残像発生の別な原因の１つとして、配向制
御手段の突起物１３０又はスリットＳのパターンの屈曲
部が画素電極１２８ａのエッジに配置されることが考え
られる。その屈曲部での液晶分子Ｌが取りうる配向状態
は、図１１(a) 〜(c) に示す３種類のいずれかである。
ところが、画素電極１２８ａのエッジによる配向の影響
を受けることによって、屈曲部での配向は図１１(c) に
示す状態になり、その結果、図１２の一点鎖線で囲んで
示すように、画素電極１２８ａのエッジによる配向制御
方向が画素内方に広がる。これが、特に中間調表示の場
合のスリットＳ上のドメインの配向に影響を与えること
により、配向制御手段を分割したことによる配向制御効
果が十分機能しないものと考えられる。

【００４０】また、ＴＦＴ基板においては、複数の電極
が積層される領域、特に画素電極１２８ａと容量電極
（容量バスライン）１２３は、図１３(a),(b) に示すよ
うに、それらの間の絶縁膜を突き抜けて短絡が発生する
ことがある。このとき、配向制御手段としてスリットＳ
を用いて画素電極１２８ａを複数の領域に分割し、且つ
それらの領域をつなぎ部１２８ｂによって電気的に接続
している構造の液晶表示装置では、図１３(a),(b) のＸ
で示すように、画素電極１２８ａの中で容量バスライン
２１８と短絡している領域のＴＦＴ１２６寄りのつなぎ
部１２８ｂを切断することにより、その短絡領域を他の
領域から切り離して画素内の液晶分子を部分的に駆動さ
せることができる。

【００４１】しかし、画素電極１２８ａのうち容量バス
ライン１２３に短絡している領域が画素の中央に存在し
ているために、図１３(a) の一点鎖線で示すように、画
素電極１２８ａの半分以下の面積しか駆動できないこと
になり、この画素領域は点欠陥不良となって装置の歩留
まりを低下させる。本発明の目的は、補助容量の大きさ
を変えることなく画素電極の電位変動を低減し、フリッ
カを小さくすることができる液晶表示装置を提供するこ
とにある。

【００４２】また、本発明の他の目的は、応答特性を改
善し、製造歩留まりを向上することができる液晶表示装
置と薄膜トランジスタ基板を提供することにある。

【００４３】

【課題を解決するための手段】（１）上記した課題は、
図２４に例示するように、電極を有する一対の基板の少
なくとも一方に、複数の構成単位からなる線状の構造物
又は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制
御する垂直配向型の液晶表示装置において、前記構造物
又は前記電極内のスリットと一方の前記基板上の画素電
極のエッジとが交差する部分に、液晶分子がｓ＝−１の
配向特異点を形成するための配向制御手段を設けたこと
を特徴とする液晶表示装置によって解決される。

【００４４】また、上記した課題は、図２６に例示する
ように、電極を有する一対の基板の少なくとも一方に、
複数の構成単位からなる線状の構造物又は線状のスリッ
トを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型
の液晶表示装置において、前記基板の一方に形成された
前記構造物又は前記スリットと、前記基板の他方に形成
された画素電極のエッジとが交差する部分に、液晶分子
がｓ＝＋１の配向特異点を形成するための配向制御手段
を配置することを特徴とする液晶表示装置によって解決
される。

【００４５】また、上記した課題は、図２８に例示する
ように、電極を有する一対の基板の少なくとも一方に、
屈曲部を備えた複数の構成単位からなる線状の構造物又
は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御
する垂直配向型の液晶表示装置において、画素電極を有
する一方の前記基板上の前記構造物又は前記スリットの
前記屈曲部は、前記画素電極のエッジの上から外れてい
ることを特徴とする液晶表示装置によって解決される。

【００４６】また、上記した課題は、図２９に例示する
ように、電極を有する一対の基板の少なくとも一方に、
屈曲部を備えた複数の構成単位からなる線状の構造物又
は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御
する垂直配向型の液晶表示装置において、一方の前記基
板上の前記画素電極に対向して、他方の前記基板に配置
される前記構造物又は前記スリットの屈曲部は、前記画
素電極のエッジの上には配置されないことを特徴とする
液晶表示装置により解決される。

【００４７】また、上記した課題は、図３０に例示する
ように、第１の基板上に形成された蓄積容量形成用電極
と、前記第１の基板上に形成された能動素子と、前記能
動素子に接続されて前記第１の基板上に形成され、且つ
スリットによって少なくとも３つの領域に分割された画
素電極とを備え、前記画素電極の３つの前記領域のうち
の一つの領域から別の領域への電気的接続が、経由する
前記領域の異なる複数の経路を持つことを特徴とする薄
膜トランジスタ基板により解決される。

【００４８】上記した課題は、前記薄膜トランジスタ基
板を有する液晶表示装置によって解決される。上記した
課題は、前記薄膜トランジスタ基板を有する前記いずれ
かの液晶表示装置によって解決される。次に、本発明の
作用について説明する。

【００４９】本発明は、ドメイン規制手段として用いら
れる電極上の構造物と電極内のスリットの少なくとも一
方を有する液晶表示装置において、それらの構造物又は
スリットの延長線が画素電極のエッジに交差する部分の
近傍で、液層分子がｓ＝−１又はｓ＝＋１となるような
配向特異点を形成している。液晶分子が本発明を適用し
た場合のスリット上のドメインの変化は、例えば図３１
(a) に示すように、黒表示から白表示に変化させた時に
は、つなぎ部により分断されたスリット上のドメインの
数は〜の８個である。また、図３１(a)によれば、
従来技術を示す図９(a) に比べてとのドメイン数が
増える。これは、画素電極のエッジにｓ＝−１の配向ベ
クトルの特異点が形成されるためである。また、黒表示
から中間調表示を経て白表示に変化した時には、図３１
(b) に示すように、とのドメインがつながりのド
メインが消える。即ち、図９(a) に比べてスリット上の
ドメイン変化は画素電極のエッジ近傍でのごく僅かなレ
ベルに抑えられている。

【００５０】これにより、黒表示から白表示に応答させ
時の白と、中間調表示から白に応答させた時の白とのド
メイン状態の違いを目立たないレベルに小さくすること
ができ、ドメインの変化を残像として認識できないレベ
ルに低減することができた。本発明は、配向制御手段が
複数の構成単位から形成されているパネルに組み合わせ
て適用することによって、はじめて高い効果が得られ
る。単に画素電極のエッジのみに構造物若しくはスリッ
ト上のドメイン制御手段を設けただけでは、画素電極の
中央付近のドメインが制御できないために残像が発生し
てしまう。さらに、中間調表示から白応答時において
は、画素電極のエッジの制御手段が効かなくなるため、
画素電極内で構造物又はスリット上のドメインの制御が
全くできなくなって残像が発生する。

【００５１】また、本発明では、画素電極のエッジによ
る電界が屈曲部に与える影響を排除するようにしたの
で、画素電極エッジ近傍において、構造物又はスリット
本来の配向制御とは異なる配向状態の発生を低減できる
ことで、残像を無くすことができる。さらに、本発明で
は、画素電極の電気的接続経路として、蓄積容量形成用
電極と容量を形成している領域を介する経路と、介さな
い経路の２系統設けている。これにより、蓄積容量形成
用電極と画素電極との電気的短絡が生じた場合、容量を
形成している領域を電気的に他の領域から切断すること
によって、その他の領域を液晶分子が駆動可能な領域と
して用いることができる。この画素は、その短絡が生じ
ていない正常な場合に比べて表示特性が若干異なるが、
個数や場所によっては表示不良の規格をクリアすること
もある程度の特性の違いであるため、ＴＦＴ基板の歩留
まりの改善が図れる。 （２）上記した課題は、図１４〜図２２に例示するよう
に、基板表面に垂直配向処理を施した第１及び第２の二
枚の基板の間に誘電率異方性が負の液晶を挟持し、前記
液晶の配向が、電圧無印加時にはほぼ垂直に、所定の電
圧を印加した時にはほぼ水平となり、前記所定の電圧よ
り小さい電圧を印加した時には斜めになる配向の液晶表
示装置において、前記第１の基板に設けられ、前記所定
の電圧より小さい電圧を印加した時に前記液晶が斜めに
なる配向方向を規制する第１のドメイン規制手段と、前
記第２の基板に設けられ、前記所定の電圧より小さい電
圧を印加した時に前記液晶が斜めになる配向方向を規制
する第２のドメイン規制手段と、前記第１のドメイン規
制手段は、少なくとも、前記第１の基板の電極上に設け
られ、前記第１の基板の前記液晶との接触面の一部を斜
面にする前記液晶の層の方へ突き出る誘電体の突起と、
前記第１の基板又は前記第２の基板のうちの前記液晶を
挟持する側の面の上に間隔を置いて形成された複数の第
１のバスラインと、前記第１のバスラインに交差し、且
つ前記第１のバスラインの上方で間隔をおいて形成され
た複数の第２のバスラインと、前記第１のバスラインと
前記第２のバスラインによって区画される領域に形成さ
れた画素電極と、前記画素電極と前記第１のバスライン
の間の領域の少なくとも一部に対応する部分であって、
前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方に形
成された前記突起と異なる誘電体構造物とを有すること
を特徴とする液晶表示装置によって解決される。

【００５２】次に、本発明の作用について説明する。本
発明によれば、互いに交差するゲートバスライン（第１
のバスライン）と画素電極の間の領域、又はドレインバ
スライン（第２のバスライン）と画素電極の間の領域に
誘電体構造物を配置した。これにより、画素電極とバス
ラインの間の誘電率は誘電体構造物によって固定される
ので、それらの間の浮遊容量変動は抑制される。

【００５３】また、誘電体構造物がバスラインの上にも
形成されることにより、誘電体構造物の上の液晶層が薄
くなってその液晶層の液晶分子が垂直の配向から動きに
くくなり、印加電圧が変化しても液晶分子が傾斜しにく
くなって浮遊容量変動が非常に小さくなる。しかも、バ
スラインの上方の浮遊容量は誘電体構造により固定され
る成分が大きくなるので、その浮遊容量の変動は少なく
なる。

【００５４】以上のように、浮遊容量の変動が抑制され
ると、画素電位が一定となってフリッカの発生が防止さ
れる。しかも、容量の変動を抑えるための容量バスライ
ンの幅を狭くして開口率を上げることが可能になる。

【００５５】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。 （第１の実施の形態）図１４は、本発明の第１実施形態
に係るＭＶＡ方式の液晶表示装置の１画素の絶縁膜、誘
電体突起を除いたＴＦＴ基板の平面状態を示している。
図１５は、図１４に示したＴＦＴ基板上に誘電体突起を
形成した状態を示す平面図である。図１６は、図１５の
II−II線断面図、図１７は図１５のIII-III 線断面図、
図１８は、図１５のIV-IV 線断面図である。

【００５６】図１４において、ＴＦＴが形成される第１
のガラス基板（ＴＦＴ基板）１の上には、Ｘ方向（図中
横方向）に延在する複数のゲートバスライン２がＹ方向
（図中縦方向）に間隔をおいて形成されている。また、
各ゲートバスライン２の間にはＸ方向に延在する容量バ
スライン（蓄積容量形成用電極）３が形成されている。
その容量バスライン３からは後述するドレインバスライ
ンの一部に対向する補助容量支線３ａがゲートバスライ
ン２に接触しない程度の長さでＹ方向に延在されてい
る。

【００５７】ゲートバスライン２と容量バスライン３と
補助容量支線３ａは、同時に形成される。即ち、第１の
ガラス基板１の上に、厚さ１００ｎｍのアルミニウム膜
と厚さ５０ｎｍのチタン膜をスパッタリングにより形成
した後に、それらの膜をフォトリソグラフィー法により
パターニングすることによってゲートバスライン２、容
量バスライン３及び補助容量支線３ａが形成される。そ
のパターニングには、BCl₃とCl₂ の混合ガスを用いた反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が用いられる。

【００５８】ゲートバスライン２と容量バスライン３
は、図１６に示すように、プラズマ励起型化学気相成長
（ＰＥ−ＣＶＤ）法によって形成された厚さ４００ｎｍ
の窒化シリコンよりなるゲート絶縁膜４によって覆わ
れ、このゲート絶縁膜４上には、Ｙ方向に延在する複数
のドレインバスライン５がＸ方向に間隔をおいて形成さ
れている。

【００５９】ゲートバスライン２とドレインバスライン
５の交差部分の近傍には、能動素子としてＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）６が形成されている。そのＴＦＴ６は、
図１７に示すように、ゲートバスライン５の一部を跨ぐ
領域にゲート絶縁膜４を介して形成された活性層６ａ
と、ゲートバスライン５の一側方の活性層６ａの上に形
成されたドレイン電極６ｄと、ゲートバスライン５の他
側方の活性層６ａの上に形成されたソース電極６ｓを有
しており、ドレイン電極６ｄは近くのドレインバスライ
ン５に接続されている。

【００６０】ドレイン電極６ｄとソース電極６ｓは、活
性層６ａのチャネル領域の上に形成されたチャネル保護
膜６ｂの上で分離されている。そのチャネル保護膜６ｂ
は、次のような方法によって形成される。即ち、活性層
６ａとゲート絶縁膜４の上に、窒化シリコン膜をＰＥ−
ＣＶＤ法により１４０ｎｍの厚さに窒化シリコン膜の形
成した後に、その窒化シリコン膜の上にフォトレジスト
（感光性樹脂）を塗布する。そして、フォトレジストを
露光、現像してレジストパターンが形成される。その露
光処理は、ゲートバスライン２を露光マスクに用いてガ
ラス基板１の下面からフォトレジストに露光光を照射す
る第１の露光工程と、通常の露光マスクを用いてガラス
基板１の上面からフォトレジストに露光光を照射する第
２の露光工程とを有している。これにより、ゲートバス
ライン５の縁によってレジストパターンの縁が画定され
る。そして、そのようなレジストパターンに覆われない
領域の窒化シリコン膜を緩衝フッ酸を用いたウェット法
又はフッ酸系ガスを用いたＲＩＥ法によりエッチングす
ると、窒化シリコン膜よりなるチャネル保護膜６ｂが形
成されることになる。

【００６１】なお、活性層６ａは、ゲート絶縁膜４上に
ＰＥ−ＣＶＤ法により形成された厚さ３０ｎｍのノンド
ープアモルファスシリコン膜をパターニングすることに
より形成される。また、ソース電極６ｓとドレイン電極
６ｄとドレインバスライン５は、ともに厚さ３０ｎｍの
ｎ⁺ 型アモルファスシリコン膜、厚さ２０ｎｍのチタン
膜、厚さ７５ｎｍのアルミニウム膜及び厚さ８０ｎｍの
チタン膜をゲート絶縁膜４及びチャネル保護膜６ｂの上
に順に形成した後に、これらの膜を１枚のマスクを用い
てパターニングすることにより形成される。そのエッチ
ングは、BCl₃とCl₂ の混合ガスを用いたＲＩＥ法によっ
ている。そのエッチングの際にチャネル保護膜６ｂは、
エッチング停止膜として機能する。

【００６２】ＴＦＴ６とドレインバスライン５は、酸化
シリコン又は窒化シリコンよりなる保護絶縁膜７によっ
て覆われている。また、保護絶縁膜７の上であって２本
のドレインバスライン５と２本のゲートバスライン２に
よって囲まれる領域には、厚さ７０ｎｍのＩＴＯよりな
る透明な画素電極８が形成されている。ＩＴＯ膜のパタ
ーニングは、シュウ酸系のエッチャントを用いたウェッ
トエッチング法を用いて行われる。

【００６３】その画素電極８は、保護絶縁膜７のホール
７ａを通してソース電極６ｓに接続されている。保護絶
縁膜７と画素電極８の上には、図１４に示す二点鎖線で
示す位置に、Ｙ方向に延在するジグザクな屈曲パターン
を有する絶縁性の突起物１０がＸ方向に等間隔で形成さ
れている。その屈曲パターンの折れ曲がり角は概ね９０
度であり、その折れ曲がり点はゲートバスライン２のほ
ぼ中央に配置されている。その突起物１０の側面は基板
面に対して傾斜している。

【００６４】また、保護絶縁膜７の上には、図１５〜図
１８に示すように、ゲートバスライン２とドレインバス
ライン５と画素電極８のそれぞれの間に介在される誘電
体構造物１１が形成されている。そのような誘電体構造
物１１と突起物１０は、例えば次のような方法によって
形成される。

【００６５】即ち、保護絶縁膜７と画素電極８の上に、
高感度のネガ型レジストと低感度ネガ型レジストを順に
塗布する。そして、第１の露光によって屈曲パターンの
潜像を高感度ネガ型レジストに形成する。第１の露光で
は、低感度ネガ型レジストを露光しないような露光量に
設定される。続いて、低感度ネガ型レジストのうちゲー
トバスライン２とドレインバスライン５とその周辺の領
域に露光光を照射して潜像を形成する。例えば、１つの
画素領域において少なくともゲートバスライン２の上か
ら画素電極８の縁に至る領域とドレインバスライン５と
画素電極８の縁に至る領域に露光光を照射する。この低
感度ネガ型レジストの露光によって高感度のネガ型レジ
ストも同時に同じパターンで露光される。なお、感度の
異なるレジストであっても実質的には同じ誘電体材料と
いえる。

【００６６】この後に、低感度ネガ型レジストと高感度
ネガ型レジストを同時に現像してパターンを形成する
と、図１５に示すようなＬ字の誘電体構造物１１と屈曲
パターンの突起物１０が一体となって形成される。この
場合、突起物１０は高感度ネガ型レジストから構成さ
れ、誘電体構造物は低感度レジストと高感度ネガ型レジ
ストの双方から構成されることになるので、誘電体構造
物１１は突起物１０よりも厚くなる。

【００６７】なお、上記した例では誘電体構造物１１と
突起物１０の高さを異ならせているが、同じ高さにすれ
ば上記した感光性レジストは１層でたりるので、従来と
全く同じ工数で上記した構造を実現できることになる。
例えば、誘電体構造物１１と突起物１０のの膜厚を１μ
ｍ以上とする。そのような突起物１０と誘電体構造物１
１は、画素電極８と保護絶縁膜７とともに樹脂よりなる
配向膜９によって覆われる。その配向膜９は、垂直配向
となっている。

【００６８】次に、第１のガラス基板１に対向する対向
基板について説明する。対向基板は図１６に示すような
第２のガラス基板１２からなり、その上には赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ膜１３が形成され
ている。また、カラーフィルタ膜１３の上には、ゲート
バスライン２とドレインバスライン５と容量バスライン
３に対向するパターンを有するブラックマトリクス１４
が形成されている。さらに、カラーフィルタ膜１３の上
には、ブラックマトリクス１４を覆うＩＴＯよりなる透
明な共通電極１５が形成されている。

【００６９】その共通電極１５の上には、ジグザグな屈
曲パターンを有する突起物１６が形成されている。その
突起物１６は、図１４の二点鎖線で示すように、第１の
ガラス基板１の上の複数本の突起物１０のほぼ中央を通
る位置に配置されている。なお、第１のガラス基板１側
の突起物１０と第２のガラス基板１２側の突起物１６
は、それぞれ画素電極８の縁と４５度の角度で交わる。

【００７０】さらに、対向電極１５の上には、突起物１
６を覆う配向膜１７が形成されている。その配向膜１７
は、垂直配向となっている。以上のような第１のガラス
基板１と第２のガラス基板１２は、配向膜９，１７を内
側にして互いに所定の距離をおいて張り合わされ、それ
らの配向膜９，１７の間には負の誘電率異方性を有する
液晶材料１８が充填されている。その液晶材料１８内の
液晶分子は、共通電極１５と画素電極８の間に電圧を印
加していない状態では、基板面に対して垂直に配向して
いる。また、画素電極８と共通電極１５の間に中間電圧
を印加した状態では、液晶分子が突起物１０，１６のパ
ターンの直線部分とほぼ直角な方向を向いて傾斜する。

【００７１】なお、突起物１０、１６は、液晶材料１８
の比誘電率と同等或いはそれ以下の誘電率を有する材料
から形成されていることが望ましい。第１のガラス基板
１の外側の面には第１の偏光板２１が配置され、また、
第２のガラス基板１２の外側の面には第２の偏光板２２
が配置されており、第１の偏光板２１と第２の偏光板２
２の配置はクロスニコルであり、基板を垂直から見た状
態で第１及び第２の偏光板２１，２２の偏向軸と突起物
１０，１６のパターンの直線部とが４５度の角度で交わ
っている。

【００７２】上記した実施形態において、画素電極８と
ゲートバスライン２、ドレインバスライン５の間をそれ
ぞれ誘電体構造物１１で覆った構造になっている。これ
により、ゲートバスライン２の上の配向膜９と共通電極
１５上の配向膜１７とのギャップが狭くなり、液晶分子
に対する配向膜の規制力が強くなる。しかも、ゲートバ
スライン２と共通電極１５の間において、誘電体構造物
１１によって電圧降下が発生し、液晶層に加わる電圧も
低下する。

【００７３】これらの結果、ゲートバスライン２の上方
で液晶分子Ｌは、図１９(a),(b) に示すように、配向膜
９，１７による垂直配向規制が強くなり、傾斜し難くな
る。これにより、液晶分子Ｌの配向方向が周囲の電界の
変動を受けにくくなり、浮遊容量の変動を小さくする。
また、誘電体構造物１１の比誘電率は、２〜５程度で変
動せずに一定であり、液晶の比誘電率より小さい場合が
多く、例えば３．２のものを用いる。ＭＶＡ用の液晶
は、ε ＝３．６、ε//＝８．４である。

【００７４】これにより、図１９(a),(b) に示すよう
に、画素電極８とゲートバスライン２の間の容量Ｃgsと
画素電極８とドレインバスライン５の間の容量Ｃdsが殆
ど変化しない。さらに、誘電体構造物１１で電圧降下が
発生するためにゲートバスライン２上の液晶層に加わる
電圧も低下する。この結果、バスライン同士、バスライ
ン・画素電極間の浮遊容量が小さくなる。

【００７５】以上のことから、浮遊容量変動が非常に小
さくなり、常に一定した画素電位が得られるので、容量
バスライン３の幅を狭くして開口率を上げることができ
る。しかも、画素電位が一定になるとフリッカの発生が
防止される。例えば、上記した構造を採用して試作した
パネルのコモン電圧変動は１０ｍＶ以下となり、フリッ
カ率も３％以下に改善され、従来のフリッカ率（５〜７
％）の半分以下となった。これにより、液晶表示パネル
の歩留まり向上が図れる。

【００７６】上記した実施形態では、誘電体構造物１１
の形成と突起物１０の形成を同じ工程で行っているの
で、従来に比べて殆どプロセスを増やさずに上記した液
晶表示装置を形成できる。なお、上記した誘電体構造物
１１は、画素電極８に僅かに重なる程度にはみ出しても
よい。 （第２の実施の形態）第１の実施の形態では、１つの画
素領域において、その画素電極を駆動するためのゲート
バスライン２とドレインバスライン５と画素電極８の間
のみを誘電体構造物１１で覆うような構造となってい
る。

【００７７】誘電体構造物の配置領域としては、それに
限るものではなく、例えば図２０に示すように、隣り合
う画素電極８同士の間にも誘電体構造物１１ａを設ける
ようにしても良い。その構造は、画素電極８の周囲とゲ
ートバスライン２及びドレインバスライン５の上を誘電
体構造物１１ａで覆うような構造となっている。そのよ
うな構造を採用することにより、フリッカ率は第１実施
形態のものよりも更に改善された。

【００７８】また、ゲートバスライン２と画素電極８の
間だけを誘電体構造物で覆ったり、又はドレインバスラ
イン５と画素電極８の間だけを誘電体構造物で覆うよう
にしてもよい。これらによれば、図１５又は図２０に示
した誘電体構造物１１，１１ａほどの効果は無かった
が、コモン電圧変動、フリッカ率ともに良好だった。さ
らに、図１４において、ゲートバスライン２と突起物１
１が交差する領域とその近傍の領域にのみ誘電体構造物
を形成しても良く、または、ドレインバスライン５と突
起物１１が交差する領域とその近傍の領域にのみ誘電体
構造物を形成しても良い。これらによれば、第１実施形
態に比べて突起物１０の帯電による影響が軽減され、し
かも、突起物１０近傍のゲートバスライン２と画素電極
８の間の配向変化を抑制できるという効果が確認され
た。この場合のフリッカ率は、図１５又は図２０に示し
た誘電体構造物ほどの効果は得られなかったものの、コ
モン電圧変動、フリッカ率ともに良好だった。

【００７９】以上は、全て第１のガラス基板１側に誘電
体構造物を形成する実施形態であるが、第２のガラス基
板（対向基板）１２側にそれを形成してもよい。例え
ば、図２１に示すように、図１５又は図２０に示した誘
電体構造物１１、１１ａが対向する位置の共通電極１５
上に誘電体構造物１１ｂを形成し、その上に配向膜１７
を形成するような構造を採用してもよい。この場合、ゲ
ート・画素電極間の浮遊容量Ｃgs、ドレイン・画素電極
間の浮遊容量Ｃdsを完全に固定する効果はないが、狭セ
ルギャップ化の効果によって配向変化を最小限に留める
効果が期待できる。そのような狭セルギャップ化による
効果は、誘電体構造物１１ｂの厚さを１μｍ以上とする
ことにより第１実施形態と同様に顕著に現れる。

【００８０】また、上記した例では誘電体構造物を例え
ばレジストのみで形成したが、その他に、図２２に示す
ように、赤、緑、青の各カラーフィルタ１３Ｒ，１３
Ｇ，１３Ｂをそれぞれ画素同士の境界部分で重ね合わせ
ることにより、その重ね合わせ部分を対向基板側の誘電
体構造物の一部として適用してもよい。これにより、画
素電極８以外の領域で配向変化を抑制した部分から液晶
を除くことができ、配向変化に伴う容量変化が発生しな
いので第１実施形態と同等の効果が得られる。

【００８１】なお、色違いのカラーフィルタ１３Ｒ，１
３Ｇ，１３Ｂを重ねる部分としては、ゲートバスライン
２と画素電極８の間のみ、または、ドレインバスライン
５と画素電極８の間のみ、としてもよい。この場合、色
違いのカラーフィルタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂが重ねら
れる部分に対向させて第１のガラス基板１上に誘電体構
造物を形成してもよい。

【００８２】赤、緑、青の各カラーフィルタ１３Ｒ，１
３Ｇ，１３Ｂの重ね合わせ部分の上には、図２２に示し
たように、誘電体構造物１１ｃを形成してもよいし、こ
れを省略してもよい。しかし、図２２に示すような構成
を採用すると、カラーフィルタ１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ
の重ね合わせ部分とその上の誘電体構造物１１ｃを、セ
ルギャップを維持するため支柱として利用すれば、基板
間に介在されるスペーサが不要になる。

【００８３】なお、第２のガラス基板１２側と第１のガ
ラス基板１側の双方に、上記したような誘電体構造物を
形成してもよく、これにより上下で合わされる誘電体構
造物によってセルギャップを維持するようにしてもよ
い。そして、最適な構造を採用することにより、コモン
電圧変動を１０ｍＶ以下とし、フリッカ率も２％以下に
することができる。

【００８４】上記した第１のガラス基板１側の突起物１
０、第１のガラス基板１側の突起物１６の少なくとも一
方を、ゲートバスライン２と交差する領域の周辺には設
けない構造や、ドレインバスライン５と交差する領域の
周辺には設けない構造や、又は、画素電極８の上以外に
は設けない構造を採用してもよい。上記した第１実施形
態と第２実施形態では、液晶の配向方向を規制する手段
として突起物を用いたが、突起の代わりに画素電極、共
通電極の少なくとも一方にスリットを形成してもよい。

【００８５】なお、第１実施形態と第２実施形態で示し
た誘電体構造物はＭＶＡ方式の液晶表示装置にのみ適用
されるものではなく、その他の液晶表示装置に適用して
もよい。その場合、第１のガラス基板１側又は第２のガ
ラス基板１２側のいずれかの突起１０，１６の代わりに
画素電極８又は共通電極１５に抜かれたスリットを使用
してもよい。

【００８６】なお、第１及び第２の実施形態は、以下の
発明に基づくものである。 (1)基板表面に垂直配向処理を施した第１及び第２の二
枚の基板の間に誘電率異方性が負の液晶を挟持し、前記
液晶の配向が、電圧無印加時にはほぼ垂直に、所定の電
圧を印加した時にはほぼ水平となり、前記所定の電圧よ
り小さい電圧を印加した時には斜めになる配向の液晶表
示装置において、前記第１の基板に設けられ、前記所定
の電圧より小さい電圧を印加した時に前記液晶が斜めに
なる配向方向を規制する第１のドメイン規制手段と、前
記第２の基板に設けられ、前記所定の電圧より小さい電
圧を印加した時に前記液晶が斜めになる配向方向を規制
する第２のドメイン規制手段と、前記第１のドメイン規
制手段は、少なくとも、前記第１の基板の電極上に設け
られ、前記第１の基板の前記液晶との接触面の一部を斜
面にする前記液晶の層の方へ突き出る誘電体の突起と、
前記第１の基板又は前記第２の基板のうちの前記液晶を
挟持する側の面の上に間隔を置いて形成された複数の第
１のバスラインと、前記第１のバスラインに交差し、且
つ前記第１のバスラインの上方で間隔をおいて形成され
た複数の第２のバスラインと、前記第１のバスラインと
前記第２のバスラインによって区画される領域に形成さ
れた画素電極と、前記画素電極と前記第１のバスライン
の間の領域の少なくとも一部に対応する部分であって、
前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方に形
成された前記突起と異なる誘電体構造物とを有する液晶
表示装置。

【００８７】(2)前記突起と前記誘電体構造物は、同じ
材料から同じ工程で形成されていることを特徴とする
(1) に記載の液晶表示装置。 (3)前記誘電体構造物は、前記第１のバスライン、第２
のバスラインの少なくとも一方の上にも形成されている
ことを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。 (4)前記第２のドメイン規制手段は、前記液晶の層に突
き出る突起物か、又は、前記第２の基板側の電極を部分
的に抜いたスリットであることを特徴とする(1)に記載
の液晶表示装置。

【００８８】(5)前記画素電極に対向して赤、緑又は青
のカラーフィルタが形成され、前記画素電極と対向しな
い領域で重ねられた前記カラーフィルタによって前記誘
電体構造物を構成することを特徴とする(1) に記載の液
晶表示装置。 (6)前記画素電極と対向しない領域は、前記第１のバス
ラインと前記画素電極の間、前記第２のバスラインと前
記画素電極の間の少なくともいずれかであることを特徴
とする(5) に記載の液晶表示装置。

【００８９】(7)前記カラーフィルタが重ねられた前記
領域の上にさらに別の誘電体構造物が重ねられているこ
とを特徴とする(5) に記載の液晶表示装置。 (8)前記カラーフィルタが重ねられた前記領域に対向し
て別の誘電体構造物が形成されることを特徴とする(5)
に記載の液晶表示装置。 (9)前記誘電体構造物は、前記画素電極の一部にはみ出
す領域まで形成されることを特徴とする(1) に記載の液
晶表示装置。 (10)前記第１のドメイン規制手段、第２のドメイン規制
手段の少なくとも一方を、前記画素電極外には設けない
か、または、前記第１のバスラインと前記第２のバスラ
インの少なくとも一方と交差する領域周辺には設けない
ことを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。 (11)前記誘電体構造物の厚さは、１μｍ以上であること
を特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。 （第３の実施の形態）図２３は、本発明の第３実施形態
を示す断面図で、画素電極、突起物及び誘電体構造物を
除いては第１実施形態と同様な構造となっている。図２
３において、図１０と同じ符号は同じ要素を示してい
る。

【００９０】図２３において、第１のガラス基板（ＴＦ
Ｔ基板）１の上にはゲートバスライン２、容量バスライ
ン３が形成されている。また、それらのバスライン２，
３を覆うゲート絶縁膜４の上には第１実施形態と同様に
ドレインバスライン５、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６
が形成されている。ドレインバスライン５、薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）６は、保護絶縁膜７に覆われ、その保
護絶縁膜７の上には画素電極３０が形成されている。画
素電極３０は、図２４に示すように、ゲートバス電極２
とドレインバスライン５に囲まれた領域に配置されてい
る。

【００９１】その画素電極３０には、容量バスライン３
上に存在する画素電極３０のエッジ領域からＶ字状に広
がってスリット３０ａ、３０ｂが抜かれ、さらに、画素
電極３０にはそれらのスリット３０ａ、３０ｂに平行な
別なスリット３０ｃ、３０ｄが形成されている。そのス
リット幅は例えば１０μｍとする。それらのスリット
（ドメイン規制手段）３０ａ〜３０ｄは、画素電極３０
を５つの領域に分割する。それらの領域は、スリット３
０ａ〜３０ｄを複数に分断するつなぎ部３０ｎを通して
互いに電気的に接続されている。

【００９２】さらに、画素電極３０のエッジから内側へ
の所定の幅ｗ₁ 、例えば４μｍの範囲には、スリット３
０ａ〜３０ｄによって分割される５つの領域を電気的に
接続するための接続部３０ｅが確保され、その接続部３
０ｅによってスリット３０ａ〜３０ｄの端部は分断され
ている。その接続部３０ｅは、ｓ＝−１の配向特異点を
形成する配向制御手段となっている。なお、ｓ＝−１の
配向特異点を有する配向制御手段によれば、図２５(a)
に示すように、点Ｏを中心にして直交する２つの方向に
おいて一方向の液晶分子Ｌは点Ｏを向き、他方向の液層
分子Ｌは点Ｏとは逆を向いて配向される。また、それら
の方向に対して４５度傾斜した方向の液晶分子Ｌは、そ
れぞれ異なる方向を向いている。

【００９３】なお、以下の実施形態で説明するようなｓ
＝＋１の配向特異点を形成する配向制御手段によれば、
図２５(b) に示すように、点Ｏの周囲の液晶分子Ｌは全
て点Ｏに向いて配向する。以上のような画素電極３０
は、図２３に示すように、ＴＦＴ２６に接続され、さら
に、配向膜９によって覆われている。

【００９４】そのような画素電極３０に対向して配置さ
れる第２のガラス基板（対向基板）の面の上には、図２
３に示すように、第１実施形態と同様に、カラーフィル
タ１３，ブラックマトリクス１４，共通電極１５、誘電
体の突起物（ドメイン規制手段）３１、配向膜１７が順
に形成されている。なお、第１及び２のガラス基板１，
１２の上の配向膜９，１７として、例えばＪＳＲ社製の
商品名ＪＡＬＳ−６８４を用いる。

【００９５】誘電体の突起物３１は、図２４の二点差線
で示すように、第１実施形態と同じように、画素電極３
０のスリット３０ａ〜３０ｄの間を通る位置に対向して
ジグザグに形成されている。その突起物３１は、例えば
感光性アクリル樹脂ＰＣー３３５（ＪＳＲ製の商品名）
から形成されている。突起物３１のパターンの形成は、
基板上にその樹脂をスピンコートした後に９０℃、２０
分間でベークし、フォトマスクを用いて選択的に紫外線
を照射し、有機アルカリ系現像液（ＴＭＡＨＯ、２ｗｔ
％）で現像し、２００℃で６０分間ベークして形成され
る。突起物３１の幅は１０μｍ、高さは１．５μｍとし
た。

【００９６】以上のような構成を有する第１のガラス基
板１と第２のガラス基板１２を貼り合わせ、それらの間
に液晶を注入して液晶パネルを作成した。なお、液晶材
料にはメルク社製の商品名ＭＪ９６１２１３を用いた。
以上のような構成の液晶表示装置において、ドメイン規
制手段である画素電極３０のスリット３０ａ〜３０ｄ
を、画素電極３０のエッジとその周辺には存在させず
に、そこに配向制御の特異点を形成した。これにより、
画素の表示を黒から白に応答させたときの白と、画素の
表示を中間調から白に応答させた時の白のそれぞれのド
メイン状態の違いを目立たないレベルまで小さくでき、
ドメイン変化を残像として認識できないレベルまで低減
できた。

【００９７】なお、液晶分子のドメイン規制手段として
は、画素電極内の線状のスリットに限られるものではな
い。例えば、スリットの代わりに、第１実施形態のよう
な線状の誘電体の突起物を画素電極上に設ける構造を採
用してもよい。この場合、画素電極のエッジと交差しな
い分断部分をその突起物に形成すると、その突起物の延
長線上にある画素電極のエッジ部にはｓ＝−１の配向特
異点が形成される。

【００９８】また、対向基板１２側に形成する共通電極
１５の上に突起物３１を形成する代わりに、その共通電
極１５内にスリットを形成してもよい。 （第４の実施の形態）第３実施形態では、画素電極上に
形成された構造物又はスリットと画素電極のエッジが交
差する部分に、ｓ＝−１の配向特異点を形成している
が、本実施形態では、画素電極を有する基板に対向する
基板に形成された構造物又はスリットと画素電極のエッ
ジが交差する部分にｓ＝＋１の配向特異点を形成する構
造について説明する。

【００９９】図２６は、本発明の第４実施形態を示す液
晶表示装置の画素電極を示す平面図であり、図２７は、
そのＶII−ＶII断面図である。図２６において、容量バ
スライン３上に存在する画素電極３３のエッジ領域から
Ｖ字状に広がってスリット３３ａ、３３ｂが抜かれ、ま
た、画素電極３０のうちゲートバスライン２寄りの領域
にはそれらのスリット３３ａ、３３ｂに平行な別なスリ
ット３３ｃ、３３ｄがさらに形成されている。そのスリ
ット幅は例えば１０μｍとする。そのスリット３３ａ〜
３３ｄは、画素電極３３のエッジにも形成されている。
スリット３３ａ〜３３ｄは、つなぎ部３３ｅによって分
断されている。

【０１００】また、対向基板１２側に形成される誘電体
の突起物（構造物）３４では、図２６、図２７に示すよ
うに、画素電極３３のエッジに対向する部分３４ａを他
の領域よりも高くすることにより画素電極３３のエッジ
近傍の配向特異点をｓ＝＋１に形成した。突起物３４の
うち画素電極３３のエッジに対向する部分の高さを２．
５μｍとし、その他の部分の高さを１．５μｍとした。

【０１０１】その突起物３４は、第３実施形態の突起物
３１と同じ構成材料を用いて構成さて、まず、共通電極
１５の上に突起物３４のパターンを高さ１．５μｍで形
成し、さらに画素電極３３のエッジに対向する領域に高
さ１．０μｍの突起物３４ａを選択的に上積みする。そ
のように、対向基板１２側の突起物３４のうち画素電極
３３のエッジに対向する部分を他の部分よりも高くした
ので、画素電極３３のエッジには図２６、図２７に示す
ようなｓ＝＋１の配向特異点が形成されることになる。
この結果、画素電極３３のエッジの液晶分子Ｌの配向に
よる画素電極３３の内方の液晶分子への影響が、その配
向特異点によって阻止されることになり、中間調表示か
ら白表示に変化させた時の残像の発生が防止される。

【０１０２】なお、対向基板１２の共通電極１５に突起
物３４の代わりにスリットを形成する場合には、画素電
極３３に対向する部分でそのスリットを分断させても同
様な作用効果が得られる。ところで、第３の実施形態の
ＴＦＴ基板と第４実施形態の対向基板の組み合わせがベ
ストな構造となる。即ち、ＴＦＴ基板側に形成された線
状のスリット又は突起物を画素電極のエッジに交差しな
いように分断し、さらに、対向電極側の共通電極内の線
状のスリットを画素電極に交差しないように分断し又は
対向電極側の線状の突起物のうち画素電極のエッジに対
向する部分を他よりも厚くすることが好ましい構造であ
る。 （第５の実施形態）第３実施形態では、画素電極の上に
形成されるスリットの屈曲部、即ち２方向のスリットの
延長線の交差部を画素電極のエッジに合わせているが、
その交点を画素電極のエッジから内側にずらしてもよ
い。

【０１０３】図２８は、本発明の第５実施形態の液晶表
示装置の画素電極とその周辺を示す平面図である。図２
８において、画素電極３５に抜かれたスリット３５ａの
屈曲部３５ｂを画素電極３５のエッジからその内側に後
退させて形成されている。その屈曲部３５ｂから画素電
極３５のエッジまでの距離を例えば４μｍとし、また、
スリット３５ａの幅を１０μｍとした。

【０１０４】また、対向基板１２側には、第１実施形態
と同様に、スリット３５の間を通る位置に突起物３６が
形成されている。これによれば、画素電極３５のエッジ
による電界が、スリット３５ａの屈曲部３５ｂに与える
影響を小さくでき、残像の発生が抑制される。図２８で
は、画素電極３５にスリットを設ける構造としている
が、第１実施形態のように、画素電極３５上にスリット
の代わりに誘電体の突起物を形成する場合には、その突
起物の屈曲部を画素電極のエッジから内側に後退させる
ことによっても、画素電極３５のエッジによる電界が突
起物の屈曲部に与える影響を小さくでき、残像の発生を
抑制する効果がある。

【０１０５】また、対向基板１２上に配向制御手段とし
て形成される誘電体の突起３７の形状として、例えば図
２９に示すように、画素電極に対向する領域内で屈曲さ
せ、その屈曲部を画素電極３８のエッジから内側にずら
して配置しても、画素電極３８のエッジによる電界がそ
の屈曲部に与える影響を小さくでき、残像抑制効果を奏
する。この場合、突起物３７の幅を例えば１０μｍと
し、その屈曲部と画素電極３８のエッジとの距離を例え
ば４μｍとする。

【０１０６】なお、対向基板１２上の配向制御手段とし
て誘電体の突起物３７の代わりに、図２３に示した共通
電極１５にスリットを形成することが考えられる。しか
し、通常、共通電極１５の下にはカラーフィルタ１３が
形成されるために、その共通電極１５にスリットを形成
することは、精度面や信頼性の点から好ましくない。図
２９においては、画素電極３８に形成された２方向に延
びるスリット３８ａ、３８ｂの屈曲部（交差部）が画素
電極３８の外側に存在することになるため、画素電極３
８のエッジによる電界の影響が屈曲部に及ぶ影響が排除
されることになり、突起物若しくはスリットによる本来
の配向制御とは異なる配向状態の発生を低減でき、中間
調表示から白表示に変化した場合の残像を無くすことが
できる。 （第６の実施の形態）図３０(a) は、本発明の第６実施
形態の液晶表示装置の画素電極とその周辺を示す平面図
である。

【０１０７】図３０(a) においては、画素電極４０の中
央寄りにＶ字状に形成される第１及び第２のスリット４
０ａ，４０ｂの交差部を、画素電極４０のエッジに平行
なスリット４０ｅによってエッジより内側で接続するよ
うな構造を採用している。そのスリット４０ｅと画素電
極４０のエッジの間の間隙４０ｇの距離は例えば４μｍ
である。

【０１０８】また、画素電極４０には、その他にゲート
バスライン２寄りに第３、第４のスリット４０ｃ、４０
ｄが形成されている。それらの第１〜第４のスリット４
０ａ〜４０ｄは、つなぎ部４０ｆによって複数箇所で分
断されている。従って、画素電極４０は、第１〜第４の
スリット４０ａ〜４０ｄによって５つの領域Ａ〜Ｅに分
割され、それらの領域Ａ〜Ｅはつなぎ部４０ｆによって
電気的に接続されている それらの第１及び第２のスリット４０ａ，４０ｂにより
分割された領域Ｃは、蓄積容量形成電極（容量バスライ
ン）３に電気的及び構造的に対向している。また、少な
くとも２つの電気的接続の経路が、蓄積容量形成電極３
と電気的に対向している。

【０１０９】これにより、画素電極４０の領域Ｂと領域
Ｄの接続は、図３０(b) に示すように、経路Ｂ−Ｃ−Ｄ
と経路Ｂ−Ｄの２系統となっている。そして、画素電極
４０の領域Ｃと蓄積容量形成電極３とが短絡している場
合には、Ｂ−Ｃ間、Ｃ−Ｄ間の電気的接続をつなぎ部４
０ｆへのレーザ照射によって切り離すことにより、存続
しているつなぎ部４０ｆと間隙４０ｇを介して画素電極
４０の４つの領域Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅが電気的に導通するの
で、領域Ｃ以外の大部分の領域の液晶分子の駆動が可能
になる。

【０１１０】そのように領域Ｃを除いて駆動可能になっ
た画素は、蓄積容量形成電極３と画素電極４０の領域Ｃ
とが短絡していない正常な状態に比べて表示特性が若干
異なるが、そのような状態の画素の個数や発生場所によ
っては表示不良の規格をクリアするレベルとなるため
に、ＴＦＴ基板の歩留まりの改善が図られる。これは、
スリットによって分割された画素電極の複数の領域が、
画素電極のエッジの部分によって接続された構造によっ
て達成され、その点が従来の構造とは異なる。

【０１１１】なお、画素電極４０は、例えば第１及び第
２のスリット４０ａ，４０ｂによって少なくとも３つの
領域に分割されるようにすれば、そのような歩留まりの
改善効果が得られる。次に、本発明を適用した場合のス
リット上のドメインの変化を図３１に基づいて説明す
る。

【０１１２】まず、図３１(a) に示すように、黒表示か
ら白表示に変化させた時には、つなぎ部により分断され
たスリット４０ａ上のドメインの数は〜の８個であ
る。また、図３１(a) によれば、従来技術を示す図９
(a) に比べてとのドメイン数が増える。これは、画
素電極のエッジにｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形
成されるためである。

【０１１３】また、黒表示から中間調表示を経て白表示
に変化した時には、図３１(b) に示すように、との
ドメインがつながりのドメインが消える。即ち、図９
(a)に比べてスリット上のドメイン変化は画素電極のエ
ッジ近傍でのごく僅かなレベルに抑えられている。な
お、上記した第３〜第６実施形態は、以下の発明に基づ
くものである。 (1) 電極を有する一対の基板の少なくとも一方に、複数
の構成単位からなる線状の構造物又は線状のスリットを
設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液
晶表示装置において、前記電極上の構造物又は前記電極
内のスリットと一方の前記基板上の画素電極のエッジと
が交差する部分に、液晶分子がｓ＝−１の配向特異点を
形成するための配向制御手段を設けたことを特徴とする
液晶表示装置。

【０１１４】(2)前記電極は、画素電極、共通電極であ
ることを (3)前記線状の構造物は、画素電極又は共通電極上に形
成されることを特徴とする(1) に記載の液晶表示装置。 (4)前記スリットの延長上の前記画素電極の前記エッジ
には、前記スリットが形成されていないことを特徴とす
る(1) に記載の液晶表示装置。

【０１１５】(5)前記画素電極の前記エッジの上又は上
方では前記構造物が分断されていることを特徴とする
(1) に記載の液晶表示装置。 (6)電極を有する一対の基板の少なくとも一方に、複数
の構成単位からなる線状の構造物又は線状のスリットを
設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配向型の液
晶表示装置において、前記基板の一方に形成された前記
構造物又は前記スリットと、前記基板の他方に形成され
た画素電極のエッジとが交差する部分に、液晶分子がｓ
＝＋１の配向特異点を形成するための配向制御手段を配
置することを特徴とする液晶表示装置。

【０１１６】(7)電極を有する一対の基板の少なくとも
一方に、屈曲部を備えた複数の構成単位からなる線状の
構造物又は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配
向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、画素
電極を有する一方の前記基板上の前記構造物又は前記ス
リットの前記屈曲部は、前記画素電極のエッジの上から
外れていることを特徴とする液晶表示装置。

【０１１７】(8)電極を有する一対の基板の少なくとも
一方に、屈曲部を備えた複数の構成単位からなる線状の
構造物又は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配
向を制御する垂直配向型の液晶表示装置において、一方
の前記基板上の前記画素電極に対向して、他方の前記基
板に配置される前記構造物又は前記スリットの屈曲部
は、前記画素電極のエッジの上には配置されないことを
特徴とする液晶表示装置。

【０１１８】(9)第１の基板上に形成された蓄積容量形
成用電極と、前記第１の基板上に形成された能動素子
と、前記能動素子に接続されて前記第１の基板上に形成
され、且つスリットによって少なくとも３つの領域に分
割された画素電極とを備え、前記画素電極の３つの前記
領域のうちの一つの領域から別の領域への電気的接続
が、経由する前記領域の異なる複数の経路を持つことを
特徴とする薄膜トランジスタ基板。 (10)前記電気的接続の前記経路のうち少なくとも２つ
が、前記蓄積容量形成電極と電気的に対向していること
を特徴とする(9) に記載の薄膜トランジスタ基板。 (11)前記蓄積容量形成電極と対向する前記経路毎に、前
記蓄積容量電極と対向する面積が異なることを特徴とす
る(10)に記載の薄膜トランジスタ基板。 (12)前記蓄積容量形成電極と対向する経路毎に、前記蓄
積容量形成電極と対向する前記領域の誘電体層の厚みが
異なることを特徴とする(12)に記載の薄膜トランジスタ
基板。 (13)前記蓄積容量形成電極と対向する経路毎に、蓄積容
量の大きさが異なることを特徴とする(10)〜(12)のいず
れかに記載の薄膜トランジスタ基板。 (14) (9)〜(13)のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基
板を有している液晶表示装置。 (15) (9)〜(13)のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基
板を有している(1) 〜（８）のいずれかに記載の液晶表
示装置。

【０１１９】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、互い
に交差するゲートバスライン（第１のバスライン）と画
素電極の間の領域、又はドレインバスライン（第２のバ
スライン）と画素電極の間の領域に誘電体構造物を配置
したので、画素電極とバスラインの間の誘電率を誘電体
構造物によって固定して、それらの間の浮遊容量変動を
抑制できる。また、誘電体構造物がバスラインの上にも
形成されるようにしたので、誘電体構造物の上の液晶層
が薄くなってその液晶層の液晶分子を垂直の配向から動
きにくくし、浮遊容量変動を非常に小さくすることがで
きる。しかも、バスラインの上方の浮遊容量は誘電体構
造により固定される成分が大きくなるので、その浮遊容
量の変動を少なくできる。

【０１２０】以上のように、浮遊容量の変動を抑制する
と、画素電位が一定となってフリッカの発生を防止する
ことができる。しかも、容量の変動を抑えるための容量
バスラインの幅を狭くして開口率を上げることが可能に
なる。また、本発明によれば、基板上に設けた構造物や
スリットによって液晶配向を制御する表示方式におい
て、それらの構造物又はスリットの延長線上で画素電極
に交差する部分に、液層分子がｓ＝−１又はｓ＝＋１と
なるような配向特異点を形成する等によって応答特性の
改善が図られる。

【０１２１】さらに、本発明では、画素電極の電気的接
続経路として、蓄積容量形成用電極と容量を形成してい
る領域を介する経路と、介さない経路の２系統設けるよ
うにしたので、蓄積容量形成用電極と画素電極との電気
的短絡が生じた場合、容量を形成している領域を電気的
に他の領域から切断することによって、その他の領域を
液晶分子が駆動可能な領域として用いることができ、Ｔ
ＦＴ基板の製造歩留まりの向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＴＮ型ＬＣＤの視野角による画像の変化
を示す図である。

【図２】従来のＶＡ方式の液晶表示の駆動状態を示す図
である。

【図３】従来のＶＡ方式における配向分割の効果を示す
図である。

【図４】従来の配向分割の各種方式を示す図である。

【図５】従来のＭＶＡ方式の画素部の平面図である。

【図６】従来のＭＶＡ方式の画素部であって図５のＩ−
Ｉ線断面図である。

【図７】従来のＭＶＡ方式の画素部の平面図である。

【図８】従来のＭＶＡ方式の液晶パネルのオフ状態とオ
ン状態を示す図である。

【図９】従来のＭＶＡ方式の液晶パネルの液晶分子の配
向方向の変化を示す図である。

【図１０】従来のＭＶＡ方式の中間調表示の液晶分子の
配向方向を示す図である。

【図１１】従来のＭＶＡ方式の画素電極上のスリット上
での液晶分子の配向方向の組み合わせを示す図である。

【図１２】従来のＶＡ方式の液晶表示の中間調表示から
白表示に変化した後の画素電極のエッジの近傍の液晶分
子の配向方向を示す図である。

【図１３】従来のＶＡ方式における画素電極の切断状態
を示す平面図とその等価回路図である。

【図１４】本発明の第１実施形態のドメイン規制手段の
配置を示す画素領域の平面図である。

【図１５】本発明の第１実施形態の誘電体構造物と突起
物が形成された画素領域の平面図である。

【図１６】本発明の第１実施形態の画素領域における図
１５のII−II線断面図である。

【図１７】本発明の第１実施形態の画素領域における図
１５のIII-III 線断面図である。

【図１８】本発明の第１実施形態の画素領域における図
１５のVI-VI 線断面図である。

【図１９】本発明の第１実施形態の画素領域における動
作を示す断面図である。

【図２０】本発明の第２実施形態の液晶表示装置の画素
領域を示す平面図である。

【図２１】本発明の第２実施形態の液晶表示装置の画素
領域を示す図２０のＶ−Ｖ線断面図ある。

【図２２】本発明の第２実施形態のＴＦＴ及びその周辺
を示す図２０のVI-VI 線断面図である。

【図２３】本発明の第３実施形態の液晶表示装置の画素
領域を示す断面図である。

【図２４】本発明の第３実施形態の液晶表示装置の画素
領域を示す平面図である。

【図２５】本発明の実施形態の配向特異点における液晶
分子の配向方向を示す図である。

【図２６】本発明の第４実施形態の液晶表示装置の画素
領域を示す平面図である。

【図２７】本発明の第４実施形態の液晶表示装置におけ
る画素領域において、図２６のVII-VII 線断面図であ
る。

【図２８】本発明の第５実施形態の液晶表示装置の画素
領域の平面図である。

【図２９】本発明の第５実施形態の液晶表示装置の他の
画素領域の例を示す平面図である。

【図３０】本発明の第６実施形態の液晶表示装置の画素
領域における平面図である。

【図３１】本発明の効果の一例を示す図である。

【符号の説明】

１…第１のガラス基板（ＴＦＴ基板）、２…ゲートバス
ライン、３…蓄積容量形成電極（容量バスライン）、４
…ゲート絶縁膜、５…ドレインバスライン、６…ＴＦ
Ｔ、７…保護絶縁膜、８…画素電極、９…配向膜、１０
…突起物、１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…誘電体構造
物、１２…第２のガラス基板（対向基板）、１３，１３
Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ…カラーフィルタ、１４…ブラック
マトリクス、１５…対向電極、１６…突起物、１７…配
向膜、１８…液晶、３０、３３，３５，３８…画素電
極、３１，３４，３６、３７…構造物。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚大 浩司 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 (72)発明者 小池 善郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HA05 HA07 HA08 HB13X JA03 JC03 KA18 LA02 LA04 LA15 MA01 MA07 MA15 2H092 JA26 JA36 JA40 JA44 JB04 JB05 JB57 JB64 JB66 KA05 KA07 KB14 KB24 MA08 NA07 NA21 PA02 PA03 PA08 QA18 5C094 AA13 AA42 BA03 BA43 CA19 EA04 ED20 FA04

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電極を有する一対の基板の少なくとも一方
   に、複数の構成単位からなる線状の構造物又は線状のス
   リットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配
   向型の液晶表示装置において、 前記電極上の構造物又は前記電極内のスリットと一方の
   前記基板上の画素電極のエッジとが交差する部分に、液
   晶分子がｓ＝−１の配向特異点を形成するための配向制
   御手段を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】電極を有する一対の基板の少なくとも一方
   に、複数の構成単位からなる線状の構造物又は線状のス
   リットを設けて電圧印加時の液晶配向を制御する垂直配
   向型の液晶表示装置において、 前記基板の一方に形成された前記構造物又は前記スリッ
   トと、前記基板の他方に形成された画素電極のエッジと
   が交差する部分に、液晶分子がｓ＝＋１の配向特異点を
   形成するための配向制御手段を配置することを特徴とす
   る液晶表示装置。
3. 【請求項３】電極を有する一対の基板の少なくとも一方
   に、屈曲部を備えた複数の構成単位からなる線状の構造
   物又は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を
   制御する垂直配向型の液晶表示装置において、 画素電極を有する一方の前記基板上の前記構造物又は前
   記スリットの前記屈曲部は、前記画素電極のエッジの上
   から外れていることを特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】電極を有する一対の基板の少なくとも一方
   に、屈曲部を備えた複数の構成単位からなる線状の構造
   物又は線状のスリットを設けて電圧印加時の液晶配向を
   制御する垂直配向型の液晶表示装置において、 一方の前記基板上の前記画素電極に対向して、他方の前
   記基板に配置される前記構造物又は前記スリットの屈曲
   部は、前記画素電極のエッジの上には配置されないこと
   を特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】第１の基板上に形成された蓄積容量形成用
   電極と、 前記第１の基板上に形成された能動素子と、 前記能動素子に接続されて前記第１の基板上に形成さ
   れ、且つスリットによって少なくとも３つの領域に分割
   された画素電極とを備え、 前記画素電極の３つの前記領域のうちの一つの領域から
   別の領域への電気的接続が、経由する前記領域の異なる
   複数の経路を持つことを特徴とする薄膜トランジスタ基
   板。
6. 【請求項６】請求項５に記載の薄膜トランジスタ基板を
   有する液晶表示装置。
7. 【請求項７】請求項５に記載の薄膜トランジスタ基板を
   有する請求項１〜請求項４のいずれかに記載の液晶表示
   装置。
8. 【請求項８】基板表面に垂直配向処理を施した第１及び
   第２の二枚の基板の間に誘電率異方性が負の液晶を挟持
   し、前記液晶の配向が、電圧無印加時にはほぼ垂直に、
   所定の電圧を印加した時にはほぼ水平となり、前記所定
   の電圧より小さい電圧を印加した時には斜めになる配向
   の液晶表示装置において、 前記第１の基板に設けられ、前記所定の電圧より小さい
   電圧を印加した時に前記液晶が斜めになる配向方向を規
   制する第１のドメイン規制手段と、 前記第２の基板に設けられ、前記所定の電圧より小さい
   電圧を印加した時に前記液晶が斜めになる配向方向を規
   制する第２のドメイン規制手段と、 前記第１のドメイン規制手段は、少なくとも、前記第１
   の基板の電極上に設けられ、前記第１の基板の前記液晶
   との接触面の一部を斜面にする前記液晶の層の方へ突き
   出る誘電体の突起と、 前記第１の基板又は前記第２の基板のうちの前記液晶を
   挟持する側の面の上に間隔を置いて形成された複数の第
   １のバスラインと、 前記第１のバスラインに交差し、且つ前記第１のバスラ
   インの上方で間隔をおいて形成された複数の第２のバス
   ラインと、 前記第１のバスラインと前記第２のバスラインによって
   区画される領域に形成された画素電極と、 前記画素電極と前記第１のバスラインの間の領域の少な
   くとも一部に対応する部分であって、前記第１の基板と
   前記第２の基板の少なくとも一方に形成された前記突起
   と異なる誘電体構造物とを有することを特徴とする液晶
   表示装置。