JP2001079757A

JP2001079757A - 研磨装置

Info

Publication number: JP2001079757A
Application number: JP25935899A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Matsuoka; 靖夫松岡
Original assignee: Toshiba Ceramics Co Ltd
Current assignee: Coorstek KK
Priority date: 1999-09-13
Filing date: 1999-09-13
Publication date: 2001-03-27

Abstract

(57)【要約】【課題】同時に研磨される複数枚のワークが個々にその
研磨前の厚さが異なっているにもかかわらず、研磨後に
個々の厚さのばらつきが生じない研磨装置を提供する。【解決手段】研磨布２が設けられた定盤３と、研磨布２
に押圧されて研磨される複数個のワーク４が取付けら
れ、回転軸５により回転される研磨プレート６とを有す
る研磨装置において、複数個のワーク４の各々に対応し
て設けられた研磨量調整機構７を有し、この研磨量調整
機構７の働きで、研磨布２により研磨される個々のワー
ク４の研磨量を制御できるようにした研磨装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は同時に複数枚の半導
体ウェーハなどの表面を研磨する研磨装置に係わり、特
に個々の半導体ウェーハの厚さにばらつきがなく研磨で
きる研磨装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハを製造するには、多結晶
シリコンから例えばチョクラルスキー法により単結晶の
半導体インゴットを作り、このインゴットをマルチワイ
ヤソーなどにより所定の厚さにスライシングし、このス
ライシングされた半導体ウェーハを研削装置により研削
し、さらに研磨装置により研磨して半導体ウェーハを製
造する。

【０００３】従来の研磨装置としては、特公昭６３―６
５４７３号公報に記載されているように、平板形状の押
え板に接着剤、保持パッドおよびガイドにより複数枚の
半導体ウェーハを保持し、この半導体ウェーハを回転す
る研磨用面に押付け、半導体ウェーハの研磨面の平坦度
の向上と保持パッドの寿命の向上を図るものはある。

【０００４】しかし、この研磨装置によれば、同時に研
磨される個々の半導体ウェーハの研削後、研磨前の厚さ
が異なっているにもかかわらず、全て均一に押圧して研
磨するため、研磨後の各々の半導体ウェーハの厚さにば
らつきが生じていた。

【０００５】また、特開昭６３―５２９６７号公報に記
載されているように、キャリア本体の下方に、下方が開
放された収納凹部を形成し、この収納凹部の下部に下端
開口縁を閉塞する弾性膜を設け、収納凹部の弾性膜によ
り仕切られて形成された加圧室に流体を充填すると共
に、扁平円板形状を弾性膜に当接して圧力伝達媒体（マ
ウントプレート）を設けて、この圧力伝達媒体により半
導体ウェーハを均一押圧するようにした研磨装置があ
る。しかし、この研磨装置も上記研磨装置と同様に、同
時に研磨される個々の半導体ウェーハの研削後、研磨前
の厚さが異なっているにもかかわらず、全て均一に押圧
して研磨するため、研磨後の半導体ウェーハ毎の厚さに
ばらつきが生じていた。

【０００６】一方、近年需要が増大しつつあるＳＯＩ
（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｉｏｎ）や拡
散ウェーハには、特に均一な厚さが要求されており、従
来の研磨装置で製造された半導体ウェーハには個々に厚
さのばらつきが生じるため、従来の研磨装置を用いてＳ
ＯＩや拡散ウェーハを製造することが困難であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで、同時に研磨さ
れる複数枚のワークが個々にその研磨前の厚さが異なっ
ているにもかかわらず、研磨後に個々のワーク間に厚さ
のばらつきが生じず、均一な厚さに、また個々の設定し
た厚さに研磨できる研磨装置が要望されていた。

【０００８】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、同時に研磨される複数枚のワークが個々にその
研磨前の厚さが異なっているにもかかわらず、研磨後に
個々のワーク間に厚さのばらつきが生じず、均一な厚さ
に、また個々の設定した厚さに研磨できる研磨装置を提
供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、研磨布が設けられた
定盤と、前記研磨布に押圧されて研磨される複数個のワ
ークが取付けられ、回転軸により回転される研磨プレー
トとを有する研磨装置において、複数個のワークの各々
に対応して設けられた研磨量調整機構を有し、この研磨
量調整機構の働きで、研磨布により研磨される個々のワ
ークの研磨量を制御できるようにしたことを特徴とする
研磨装置であることを要旨としている。

【００１０】本願請求項２の発明では、上記研磨量調整
機構は、各々のワークの外周に位置し研磨プレートに進
退自在に挿設され、かつ進出時研磨布に当接しワークと
研磨布間に間隙を形成するガイド体と、このガイド体を
進退させるガイド体進退機構とを有することを特徴とす
る請求項１に記載の研磨装置であることを要旨としてい
る。

【００１１】本願請求項３の発明では、上記ガイド体
は、リング形状であることを特徴とする請求項２に記載
の研磨装置であることを要旨としている。

【００１２】本願請求項４の発明では、上記ガイド体
は、３本以上のガイドピンよりなることを特徴とする請
求項２に記載の研磨装置であることを要旨としている。

【００１３】本願請求項５の発明では、上記ガイド体進
退機構は、ガイド体に作用するスプリングおよび圧力機
構を有することを特徴とする請求項２ないし４のいずれ
か１項に記載の研磨装置であることを要旨としている。

【００１４】本願請求項６の発明では、上記研磨量調整
機構は、研磨プレートに下方が開放されるように設けら
れた収納凹部と、この収納凹部に圧力室が形成されるよ
うに設けられた弾性膜と、この弾性膜を挟んで圧力室と
反対側に設けられ底面部がワーク押圧のために平面形状
をした圧力伝達媒体と、この圧力伝達媒体の周囲に設け
られワークを保持するリテーナと、前記圧力室内の圧力
を加減圧して、弾性膜および圧力伝達媒体を介してワー
クを進退させる圧力調整機構とを有することを特徴とす
る請求項１に記載の研磨装置であることを要旨としてい
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる研磨装置の
実施形態について添付図面を参照して説明する。

【００１６】図２に示すように、本発明に係わる研磨装
置１は、研磨布２が設けられ回転駆動される定盤３と、
研磨布２に押圧されて研磨される複数個のワーク、例え
ば半導体ウェーハ４が６枚貼付され、回転軸５により回
転される研磨プレート６と、半導体ウェーハ４の各々に
対応して設けられた研磨量調整機構７とを有している。

【００１７】図１および図３に示すように、研磨量調整
機構７は、各々の半導体ウェーハ４の外周に位置し研磨
プレート６に進退自在に挿設されたガイド体、例えば半
導体ウェーハ４の直径とほぼ同じ内径を有するリング形
状のリング部材８と、このリング部材８を進退させるガ
イド体進退機構９とを有している。このガイド体進退機
構９は、リング部材８を吸引するスプリング９ｓとリン
グ部材８に押圧力を与える圧力機構１０を有している。
また、この圧力機構１０はリング部材８と、このリング
部材８が進退自在かつ、ほぼ気密的に挿設されるリング
形状の収納溝１１と、この収納溝１１に連通し、収納溝
１１に作動流体、例えば圧縮空気を送る通気路１２とで
形成されている。

【００１８】図４に示すように、この通気路１２は、各
々カップリング１３、電磁開閉弁１４を介して圧縮機１
５に連通されている。この圧縮機１５、電磁開閉弁１４
および回転軸５を回転および進退させる駆動装置１６
は、プログラムを内蔵するコンピュータ１７により制御
されるようになっている。

【００１９】また、リング部材８は、通常の状態では、
電磁開閉弁１４が閉止され、圧縮機１５からの圧縮空気
が、収納溝１１に送気されないので、スプリング９ｓの
作用で、図１の研磨位置（実線位置）に保持され、コン
ピュータ１７の制御により、電磁開閉弁１４が開放さ
れ、圧縮機１５からの圧縮空気が、各々カップリング１
３、通気路１２を介して収納溝１１に送気されると、リ
ング部材８は押圧されて、不研磨位置（点線位置）まで
進出するようになっている。

【００２０】なお、ガイド体は、リング形状に限らず、
半導体ウェーハの外周を囲繞するように配設された３本
以上のガイドピンより形成されてもよい。

【００２１】次に本発明に係わる研磨装置１を用いた半
導体ウェーハの研磨工程について説明する。

【００２２】図１および図４に示すように、プログラム
に基づくコンピュータ１７の制御により、駆動装置１６
を作動させて回転軸５および研磨プレート６を後退さ
せ、さらに電磁開閉弁１４を閉止状態にして、リング部
材８を通常位置（実線の位置）に保持する。

【００２３】しかる後、前工程において研削された研磨
前の個々の半導体ウェーハ４の厚さおよび必要に応じて
研磨後の個々の半導体ウェーハ４の厚さをコンピュータ
１７に入力して、個々の半導体ウェーハ４の研磨時間を
演算させて、研磨量（研磨取代）を決定する。次に半導
体ウェーハ４を、ワックスを用いてリング部材８内の研
磨プレート６に貼付け研磨工程の準備を完了する。

【００２４】研磨工程の準備完了後、プログラムに基づ
くコンピュータ１７の制御により、図２に示すように、
駆動装置１６を作動させて回転軸５および研磨プレート
６を前進させ、半導体ウェーハ４を研磨定盤３上の研磨
布２に当接させる。

【００２５】さらに、プログラムに基づくコンピュータ
１７の制御により、駆動装置１６を作動させて回転軸５
および研磨プレート６を回転させると共に、スラリ供給
パイプ（図示せず）から研磨用スラリを供給しながら半
導体ウェーハ４を研磨布２により研磨する。

【００２６】研磨が継続され、所定の研磨量だけ研磨さ
れると、プログラムに基づくコンピュータ１７の制御に
より、研磨量調整機構７が作動、すなわち、最もその厚
さが薄くまたは研磨量の小さい半導体ウェーハ４ａに対
応する電磁開閉弁１４ａが開放され圧縮機１５から圧縮
空気がカップリング１３ａ、通気路１２ａを介して収納
溝１１ａに送られ、この収納溝１１ａに挿設されたリン
グ部材８ａを押圧して、不研磨位置（点線位置）まで前
進させ、保持する。リング部材８ａが不研磨位置に保持
されると、リング部材８ａと研磨布２間には間隙が生
じ、研磨は行われず、半導体ウェーハ４ａの研磨量は設
定通りとなる。

【００２７】さらに研磨プレート６の回転を継続させ、
半導体ウェーハ４ａ以外の半導体ウェーハ４を研磨す
る。プログラムに基づくコンピュータ１７の制御によ
り、厚さが２番目に薄いまたは研磨量の少ない半導体ウ
ェーハ４ｂに対応して設けられた電磁開閉弁１４ｂが開
放され圧縮機１５から圧縮空気がカップリング１３ｂ、
通気路１２ｂを介して収納溝１１ｂに送られ、この収納
溝１１ｂに挿設されたリング部材８ｂを押圧して、不研
磨位置（点線位置）まで前進させ、保持する。リング部
材８ｂが不研磨位置に保持されると、リング部材８ｂと
研磨布２間には間隙が生じ、研磨は行われず、半導体ウ
ェーハ４ｂの研磨量は設定通りとなる。

【００２８】以下同様の工程を繰返し、研磨プレート６
に貼付された６枚に半導体ウェーハ４はその研磨前およ
び研磨後の厚さに応じた研磨量だけ研磨され、研磨後に
は６枚とも厚さにばらつきが生じず、均一の厚さにまた
は所望の厚さに研磨される。

【００２９】この研磨工程において、研磨前後の半導体
ウェーハ４の個々の厚さをコンピュータ１７に入力する
ことにより、個々の半導体ウェーハ４の研磨時間（研磨
量）を演算して、個々の半導体ウェーハ４の研磨時間経
過後に研磨量調整機構７を作動させ、リング部材８ｂに
より研磨を停止させ、その研磨前の厚さにばらつきがあ
るにもかかわらず、同一研磨工程で研磨される個々の半
導体ウェーハ４のばらつきをなくし、均一なまたは所望
の厚さに研磨することができる。

【００３０】また、研磨量調整機構７は、研磨プレート
６に進退自在に挿設され、かつ進出時研磨布２に当接す
るリング部材８と、このリング部材８を進退させるガイ
ド体進退機構９とを有し、このガイド体進退機構９はス
プリング９ｓと圧力機構１０を有するので、簡単な構造
でかつ容易に研磨状態、不研磨状態を実現することがで
き、容易に個々の半導体ウェーハ４の研磨量を制御する
ことができる。

【００３１】なお、ガイド体を半導体ウェーハの外周を
囲繞するように配設された３本以上のガイドピンより形
成した場合には、研磨時、各ピン間に形成される間隙よ
り、研磨用スラリを十分に半導体ウェーハと研磨布との
間に供給できると共に、ガイドピンと研磨布間に空隙を
形成することができ、個々の半導体ウェーハの研磨量を
確実に制御し、研磨後の厚さを一定にまたは所定値にす
ることができる。

【００３２】次に本発明に係わる研磨装置の他の実施形
態について説明する。なお、上述した実施形態と同一部
分には同一符号を付して説明する。

【００３３】図５および図６に示すように、他の実施形
態の研磨装置２１は研磨布２が設けられ駆動回転される
定盤３と、研磨布２に押圧し研磨される半導体ウェーハ
４が取付けられ回転軸により回転される研磨プレート２
２とを有している。

【００３４】図５に示すように、研磨プレート２２は扁
平円板形状をなし、研磨量調整機構２３を有しており、
この研磨量調整機構２３は、研磨プレート本体２４に形
成され下方が開放された収納凹部２５と、この収納凹部
２５を閉塞するように設けられた弾性膜２６と、この弾
性膜２６により収納凹部２５に形成される圧力室２７と
を有し、さらに、弾性膜２６に、この弾性膜２６を挟ん
で圧力室２７と反対側に設けられた圧力伝達媒体２８
と、この圧力伝達媒体２８の周囲に設けられ半導体ウェ
ーハ４を保持するリテーナ２９と、圧力伝達媒体２８を
介して半導体ウェーハ４を進退させる圧力調整機構３０
とを有している。

【００３５】また、リテーナ２９を囲繞するように弾性
体からなるリング形状のスキージ３１が設けられ、半導
体ウェーハ４の取付け時、圧力伝達媒体２８と半導体ウ
ェーハ４間に介在する発泡ポリウレタン製のバックフィ
ルム３２が設けられている。

【００３６】なお、３３はスキージ３１に弾性膜２６を
介して対向し圧力室２７に設けられたリング形状の支持
部材である。

【００３７】弾性膜２６は例えば薄板円板形状のステン
レスファイバー強化シリコンゴム製であり、リテーナ２
９はＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈ
ｙｌｅｎｅ）製であり、円弧面を有する短冊形状であ
り、複数本リング形状に配設されている。

【００３８】図６に示すように、上記圧力調整機構３０
は、例えば、通気路３４、カップリング３５、電磁切換
弁３６を介して選択的に連通される圧縮機３７および真
空ポンプ３８を有し、電磁切換弁３６をプログラムが内
蔵されたコンピュータ１７により制御して切換えを行
い、圧力室２７の圧力を変えられるようになっている。

【００３９】次に他の実施形態の研磨装置２１を用いた
半導体ウェーハの研磨工程について説明する。

【００４０】図５（鎖線の状態）および図６に示すよう
に、プログラムに基づくコンピュータ１７の制御によ
り、駆動装置１６を作動させて回転軸５および研磨プレ
ート２２を後退させ、さらに電磁切換弁３６を圧縮機３
７と連通する側にし、カップリング３５、通気路３４を
介して圧力室２７内を加圧状態にする。圧力室２７内を
加圧状態にすることにより、弾性膜２６を膨出させ圧力
伝達媒体２８を前進位置にする。

【００４１】しかる後、前工程において研削された研磨
前の半導体ウェーハ４の個々の厚さをコンピュータ１７
に入力して、個々の半導体ウェーハ４の研磨時間を演算
させて、研磨量（研磨取代）を決定する。

【００４２】次に圧力伝達媒体２８に半導体ウェーハ４
を、バックフィルム３２を介して当接させ、リテーナ２
７で挟持し、半導体ウェーハ４を研磨プレート２２に取
付け、研磨工程の準備を完了する。準備完了後、プログ
ラムに基づくコンピュータ１７の制御により、図５およ
び図６に示すように、駆動装置１６を作動させて回転軸
５および研磨プレート２２を前進させ、半導体ウェーハ
４を研磨定盤３上の研磨布２に当接させる。

【００４３】さらに、プログラムに基づくコンピュータ
１７の制御により、駆動装置１６を作動させて回転軸５
および研磨プレート２２を回転させると共に、スラリ供
給パイプから研磨用スラリを加工しながら半導体ウェー
ハ４を研磨布２により研磨する。

【００４４】研磨が継続し、所定の研磨量だけ研磨され
ると、プログラムに基づくコンピュータ１７の制御によ
り、研磨量調整機構７を作動、すなわち、最もその厚さ
が薄くまたは研磨量の少ない半導体ウェーハ４ａに対応
する圧力調整機構３０の電磁切換弁３６ａを切替え圧力
室２７が通気路３４、カップリング３５を介して真空ポ
ンプ３８に連通するようにして、圧力室２７内を減圧す
る。圧力室２７内が減圧されると、弾性膜２６は収縮し
圧力伝達媒体２８が後退して、この圧力伝達媒体２８に
バックフィルム３２を介して取付けられた半導体ウェー
ハ４ａも後退し、研磨布２とスキージ３１が当接し、半
導体ウェーハ４ａと研磨布２間には間隙が生じ、研磨は
行われず、半導体ウェーハ４ａは所定の研磨量だけ研磨
される。

【００４５】さらに研磨プレート２２の回転を継続さ
せ、半導体ウェーハ４ａ以外の半導体ウェーハ４を研磨
する。また、プログラムに基づくコンピュータ１７の制
御により、次に厚さが２番目に薄いまたは研磨量の少な
い半導体ウェーハ４ｂに対応して設けられた電磁切換弁
３６ｂが切替えられ圧力室２７ｂが通気路３４ｂ、カッ
プリング３５ｂを介して真空ポンプ３８に連通され、圧
力室２７ｂ内が減圧される。圧力室２７ｂ内が減圧され
ると、弾性膜２６ｂが収縮し圧力伝達媒体２８ｂが後退
して、この圧力伝達媒体２８ｂに取付けられた半導体ウ
ェーハ４ｂが後退し、この半導体ウェーハ４ｂと研磨布
２間に間隙が生じ、研磨は行われず、半導体ウェーハ４
ｂは所定の研磨量だけ研磨される。

【００４６】以下同様の工程を繰返し、研磨プレート２
２に取付けられた６枚の半導体ウェーハ４はその研磨前
の厚さに応じた研磨量だけ研磨され、研磨後には６枚と
も厚さにばらつきが生じず均一の厚さにまたは所望の厚
さに研磨される。

【００４７】この研磨工程において、研磨前の半導体ウ
ェーハ４の個々の厚さをコンピュータ１７に入力するこ
とにより、個々の半導体ウェーハ４の研磨時間（研磨
量）を演算して、個々の半導体ウェーハ４の研磨時間経
過後に研磨量調整機構７を作動させ、この半導体ウェー
ハ４ａと研磨布２間には間隙を生じさせ、その研磨前の
厚さがばらばらであるにもかかわらず、同一研磨工程で
個々の半導体ウェーハ４を均一厚さまたは所望の厚さに
研磨することができる。

【００４８】また、研磨量調整機構２３は、研磨プレー
ト２４に設けられた収納凹部２５と、この収納凹部２５
に圧力室２７が形成されるように設けられた弾性膜２６
と、この弾性膜２６に設けられ底面部が平面形状をした
圧力伝達媒体２８と、この圧力伝達媒体２８の周囲に設
けられワーク４を保持するリテーナ２９と、圧力室２７
内の圧力を加減圧して、弾性膜２６および圧力伝達媒体
２８を介して半導体ウェーハ４を進退させる圧力調整機
構３０とを有するので、確実に研磨状態、不研磨状態を
実現することができ、容易に個々の半導体ウェーハ４の
研磨量を制御することができる。

【００４９】

【発明の効果】本発明に係わる研磨装置よれば、同時に
研磨される複数枚のワークが個々にその研磨前の厚さや
平坦度が異なっているにもかかわらず、研磨後に個々の
ワーク間に厚さのばらつきを生じない研磨装置を提供す
ることができる。

【００５０】すなわち、複数個のワークの各々に対応し
て設けられた研磨量調整機構を有し、この研磨量調整機
構の働きで、研磨布により研磨される個々のワークの研
磨量を制御でき、その研磨前の厚さが異なっているにも
かかわらず、研磨後に個々のワーク間に厚さのばらつき
を生じず、均一に研磨できる。

【００５１】また、研磨量調整機構は、各々のワークの
外周に位置し研磨プレートに進退自在に挿設され、かつ
進出時研磨布に当接するガイド体と、このガイド体を進
退させるガイド体進退機構とを有するので、簡単な構造
でかつ容易に研磨状態、不研磨状態を実現することがで
き、容易に個々のワークの研磨量を制御することができ
る。

【００５２】また、ガイド体は、リング形状であるの
で、不研磨時、ワークと研磨布間に確実に間隙を形成す
ることができ、不研磨状態を実現することができる。

【００５３】また、ガイド体は、３本以上のガイドピン
よりなるので、研磨時、研磨用スラリを十分に半導体ウ
ェーハと研磨布と間に供給できると共に、ガイドピンと
研磨布間に空隙を形成することができ、個々のワークの
研磨量を確実に制御し、研磨後の厚さワーク間のばらつ
きを生じさせない。

【００５４】また、ガイド体進退機構は、ガイド体に作
用するスプリングおよび圧力機構を有するので、簡単な
構造にもかかわらず、ガイド体を確実に進退させること
ができる。

【００５５】また、研磨量調整機構は、研磨プレートに
設けられた収納凹部と、この収納凹部に圧力室が形成さ
れるように設けられた弾性膜と、この弾性膜に設けられ
た圧力伝達媒体と、この圧力伝達媒体の周囲に設けられ
ワークを保持するリテーナと、圧力室内の圧力を加減圧
して、弾性膜圧力伝達媒体を介してワークを進退させる
圧力調整機構とを有し、研磨量調整機構の働きで、確実
に研磨状態、不研磨状態を実現することができるので、
容易に個々のワークの研磨量を制御することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる研磨装置に用いられる研磨プレ
ートの断面図。

【図２】本発明に係わる研磨装置の説明図。

【図３】本発明に係わる研磨装置に用いられる研磨プレ
ートの平面図。

【図４】本発明に係わる研磨装置の制御説明図。

【図５】本発明に係わる研磨装置の他の実施形態に用い
られる研磨プレートの断面図。

【図６】本発明に係わる研磨装置の他の実施形態の制御
説明図。

【符号の説明】

１研磨装置２研磨布３定盤４半導体ウェーハ５回転軸６研磨プレート７研磨量調整機構８リング部材９ガイド体進退機構９ｓスプリング１０圧力機構１１収納溝１２通気路１３カップリング１４電磁開閉弁１５圧縮機１６駆動装置１７コンピュータ２１研磨装置２２研磨プレート２３研磨量調整機構２４研磨プレート本体２５収納凹部２６弾性膜２７圧力室２８圧力伝達媒体２９リテーナ３０圧力調整機構３１スキージ３２バックフィルム３３支持部材３４通気路３５カップリング３６電磁切換弁３７圧縮機３８真空ポンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】研磨布が設けられた定盤と、前記研磨布
に押圧されて研磨される複数個のワークが取付けられ、
回転軸により回転される研磨プレートとを有する研磨装
置において、複数個のワークの各々に対応して設けられ
た研磨量調整機構を有し、この研磨量調整機構の働き
で、研磨布により研磨される個々のワークの研磨量を制
御できるようにしたことを特徴とする研磨装置。
【請求項２】上記研磨量調整機構は、各々のワークの
外周に位置し研磨プレートに進退自在に挿設され、かつ
進出時研磨布に当接しワークと研磨布間に間隙を形成す
るガイド体と、このガイド体を進退させるガイド体進退
機構とを有することを特徴とする請求項１に記載の研磨
装置。
【請求項３】上記ガイド体は、リング形状であること
を特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
【請求項４】上記ガイド体は、３本以上のガイドピン
よりなることを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
【請求項５】上記ガイド体進退機構は、ガイド体に作
用するスプリングおよび圧力機構を有することを特徴と
する請求項２ないし４のいずれか１項に記載の研磨装
置。
【請求項６】上記研磨量調整機構は、研磨プレートに
下方が開放されるように設けられた収納凹部と、この収
納凹部に圧力室が形成されるように設けられた弾性膜
と、この弾性膜を挟んで圧力室と反対側に設けられ底面
部がワーク押圧のために平面形状をした圧力伝達媒体
と、この圧力伝達媒体の周囲に設けられワークを保持す
るリテーナと、前記圧力室内の圧力を加減圧して、弾性
膜および圧力伝達媒体を介してワークを進退させる圧力
調整機構とを有することを特徴とする請求項１に記載の
研磨装置。