JP2001077030A - Manufacture of silicon carbide semiconductor device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To flatten the surface of an SiC substrate by hydrogen etching. SOLUTION: After an SiC substrate 10 is set up in a reaction furnace 1, a hydrogen gas is introduced to the furnace 1. While the hydrogen gas is introduced, the substrate 10 is heated. When the etching of the substrate 10 is performed Since the etching of the surface of the substrate 10 is performed while the atmospheric pressure in the furnace 1 is maintained at <=760 Torr (one atmospheric pressure), the etching rate can be improved and, at the same time, a flat surface can be obtained by removing polishing marks from the surface.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は炭化珪素（ＳｉＣ）
基板を用いた半導体装置の製造方法、特に基板上への膜
成長の前処理に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a silicon carbide (SiC)
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device using a substrate, and more particularly to a pretreatment for growing a film on a substrate.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ＳｉＣ結晶にはいくつかの種類がある
が、シリコン（Ｓｉ）と比較するとバンドギャップが２
〜３倍、絶縁破壊電界が約１０倍、熱伝導率が約３倍、
電子の飽和ドリフト速度が２〜３倍という優れた特性を
有するため、パワー半導体デバイス材料として注目さ
れ、単結晶ＳｉＣ基板の製造、販売も行われている。2. Description of the Related Art There are several types of SiC crystals, but they have a band gap of 2 as compared with silicon (Si).
~ 3 times, breakdown electric field about 10 times, thermal conductivity about 3 times,
Because of its excellent characteristic that the electron saturation drift speed is 2 to 3 times, it has been attracting attention as a power semiconductor device material, and a single crystal SiC substrate has been manufactured and sold.

【０００３】しかしながら、ウェーハスライスや研磨技
術が未だ十分ではないため、ＳｉＣ基板には研磨による
ダメージ層やスクラッチと呼ばれる傷が全面に発生す
る。最終的なデバイス性能の多くはＳｉＣ基板上に成長
させたエピタキシャル膜の膜質に左右され、エピタキシ
ャル膜は下地層の影響を受けるから、高品質のエピタキ
シャル膜を得るためには、エピタキシャル膜の成膜前に
ＳｉＣ基板表面のダメージ層やスクラッチを除去して平
坦かつ清浄な表面を得ることが必要となる。However, since the wafer slicing and polishing techniques are not yet sufficient, a damage layer or scratch called a scratch is generated on the entire surface of the SiC substrate by polishing. Most of the final device performance depends on the quality of the epitaxial film grown on the SiC substrate, and the epitaxial film is affected by the underlying layer. Before that, it is necessary to remove a damaged layer and scratches on the surface of the SiC substrate to obtain a flat and clean surface.

【０００４】そこで、従来より、エピタキシャル成長の
前処理として、ＳｉＣ基板の常圧水素雰囲気によるエッ
チング処理や常圧水素塩化水素混合雰囲気によるエッチ
ング処理などが検討されている。Therefore, conventionally, as a pretreatment for the epitaxial growth, etching treatment of a SiC substrate in a normal pressure hydrogen atmosphere or etching treatment in a normal pressure hydrogen / hydrogen chloride mixed atmosphere has been studied.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、常圧水素雰
囲気でＳｉＣ基板表面をエッチングすると、表面に特有
のピット（凹部）が発生し、必ずしも平坦な表面が得ら
れないことが報告されている（C.Hallin他：J.Cryst.Gr
owth,Vol.181(1997)p241)。また、水素と塩化水素の常
圧混合雰囲気を用いたエッチングでは平坦な表面が得ら
れる（S.Karlson他：Material Science Forum Vol.264-
268(1998)p.363）ものの、塩化水素用に排ガス処理部を
手当する必要があり煩雑な処理となる問題がある。However, it has been reported that when the surface of a SiC substrate is etched in a hydrogen atmosphere at normal pressure, pits (concave portions) peculiar to the surface are generated, and a flat surface cannot always be obtained. C. Hallin and others: J. Cryst. Gr
owth, Vol. 181 (1997) p241). In addition, a flat surface can be obtained by etching using a mixed atmosphere of hydrogen and hydrogen chloride at normal pressure (S. Karlson et al .: Material Science Forum Vol.264-).
268 (1998) p. 363), however, there is a problem that it is necessary to treat the exhaust gas treatment section for hydrogen chloride, which makes the treatment complicated.

【０００６】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑
みなされたものであり、その目的は、比較的簡易に平坦
かつ清浄なＳｉＣ基板表面を得ることができ、もってエ
ピタキシャル膜の膜質を向上させることができる方法を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has as its object to obtain a flat and clean SiC substrate surface relatively easily, thereby improving the quality of an epitaxial film. It is to provide a method that can be.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、水素雰囲気に曝すことにより炭化珪素基
板表面をエッチングする工程を含む炭化珪素半導体装置
の製造方法であって、前記エッチングする工程を１気圧
より小さい減圧雰囲気で行うことを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device including a step of etching a surface of a silicon carbide substrate by exposing to a hydrogen atmosphere. Is performed in a reduced pressure atmosphere smaller than 1 atm.

【０００８】前記減圧雰囲気の圧力は、２Ｔｏｒｒより
大きく１００Ｔｏｒｒ以下（２Ｔｏｒｒ＜雰囲気圧力≦
１００Ｔｏｒｒ）であることが好適である。The pressure of the reduced-pressure atmosphere is greater than 2 Torr and equal to or less than 100 Torr (2 Torr <atmospheric pressure ≦
100 Torr).

【０００９】ここで、水素雰囲気とは、水素ガスを主成
分とする雰囲気の意であり、水素ガス単体の他、水素ガ
スを含む混合ガスとすることができ、混合ガスとして水
素ガスとアルゴンガスを用いることが好適である。Here, the hydrogen atmosphere means an atmosphere containing hydrogen gas as a main component, and may be a mixed gas containing hydrogen gas in addition to a single hydrogen gas. It is preferred to use

【００１０】[0010]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００１１】図１には、本実施形態における反応炉１の
概念構成が示されている。ＳｉＣ基板１０としては、ｎ
型４Ｈ−ＳｉＣウェーハ（（０００１）Ｓｉ面研磨、＜
１１−２０＞方向へ８度オフ）を５ｍｍ角に切断したも
のを用いており、切断後に有機洗浄、５％フッ酸処理を
経て反応炉１に導入する。反応炉１は縦型コールドウォ
ールタイプで、高純度グラファイト（コートなし）サセ
プタ１２を備え、ＳｉＣ基板１０をサセプタ１２上に設
置する。反応管の周囲に巻回されたＲＦコイル１４に交
流電流を誘電し、誘導加熱によりＳｉＣ基板１０を１６
００℃から１８５０℃に加熱する。反応管周囲は冷却水
で冷却する。なお、基板上部にもＲＦ加熱部を設け、基
板下部のみならず基板上部からもＳｉＣ基板１０を加熱
することもできる。基板温度はＳｉの融点で較正したパ
イロメータで測定する。FIG. 1 shows a conceptual configuration of a reaction furnace 1 according to this embodiment. As the SiC substrate 10, n
Type 4H-SiC wafer ((0001) Si surface polishing, <
(8 degrees off in the direction of 11-20>) is cut into 5 mm squares, and after cutting, it is introduced into the reaction furnace 1 through organic washing and 5% hydrofluoric acid treatment. The reaction furnace 1 is a vertical cold wall type and includes a high-purity graphite (without coating) susceptor 12, and the SiC substrate 10 is set on the susceptor 12. An AC current is induced in the RF coil 14 wound around the reaction tube, and the SiC substrate 10 is heated by induction heating.
Heat from 00 ° C to 1850 ° C. The surroundings of the reaction tube are cooled with cooling water. Note that an RF heating unit may be provided above the substrate so that the SiC substrate 10 can be heated not only from below the substrate but also from above the substrate. The substrate temperature is measured with a pyrometer calibrated with the melting point of Si.

【００１２】このような反応炉１にパラジウム膜拡散型
純化器を用いて純化した水素ガスを反応管の一方から８
Ｌ／ｍｉｎの流量で供給し、他方からポンプで排気して
反応管内の雰囲気圧力を制御しつつ、ＳｉＣ基板１０の
表面を水素エッチングする。エッチング時間は３０分で
ある。[0012] Hydrogen gas purified by using a palladium film diffusion type purifier into such a reaction furnace 1 is supplied from one side of the reaction tube to the reaction tube.
The surface of the SiC substrate 10 is hydrogen-etched while controlling the atmospheric pressure inside the reaction tube by supplying the gas at a flow rate of L / min and evacuating the other with a pump. The etching time is 30 minutes.

【００１３】図２〜図９には、反応管の雰囲気圧力を種
々変化させてエッチングした後のＳｉＣ基板１０表面の
ノマルスキー微分干渉顕微鏡画像及びその模式的な説明
図が示されている。図２及び図３はエッチング前の状
態、図４及び図５は２Ｔｏｒｒでエッチングした場合、
図６及び図７は２０Ｔｏｒｒでエッチングした場合、図
８及び図９は７６０Ｔｏｒｒ、すなわち常圧でエッチン
グした場合である。FIGS. 2 to 9 show Nomarski differential interference microscope images of the surface of the SiC substrate 10 after etching by changing the atmospheric pressure of the reaction tube in various manners, and schematic explanatory diagrams thereof. 2 and 3 show the state before the etching, and FIGS. 4 and 5 show the state when the etching was performed at 2 Torr.
6 and 7 show the case where etching is performed at 20 Torr, and FIGS. 8 and 9 show the case where etching is performed at 760 Torr, that is, normal pressure.

【００１４】エッチング前では研磨によるダメージ層の
他、図２の顕微鏡画像及び図３の説明図に示されるよう
にスクラッチ（細長い溝）１００がＳｉＣ基板１０の表
面に存在している。Before the etching, a scratch (elongated groove) 100 exists on the surface of the SiC substrate 10 as shown in the microscope image of FIG. 2 and the explanatory view of FIG.

【００１５】また、上記従来技術のように７６０Ｔｏｒ
ｒ、すなわち常圧でエッチングした場合、図８の顕微鏡
画像及び図９の説明図に示されるように表面に特有の凹
部２００が発生しており、スクラッチはある程度消失し
ているものの平坦な表面は得られていない。Further, as in the above-mentioned prior art, 760 Torr
r, that is, when etched at normal pressure, as shown in the microscope image of FIG. 8 and the explanatory diagram of FIG. 9, a concave portion 200 peculiar to the surface is generated, and although the scratches have disappeared to some extent, the flat surface has Not obtained.

【００１６】そして、図６の顕微鏡画像及び図７の説明
図に示されるように、２０Ｔｏｒｒでエッチングした場
合には、研磨のダメージ層やスクラッチ、あるいは常圧
時における凹部は見られず、平坦な鏡面が得られてい
る。なお、図示していないが１００Ｔｏｒｒでエッチン
グした場合も２０Ｔｏｒｒと同様の結果が得られてい
る。As shown in the microscopic image of FIG. 6 and the explanatory diagram of FIG. 7, when the etching is performed at 20 Torr, the polishing damage layer and the scratch or the concave portion at the time of normal pressure are not seen, and A mirror surface is obtained. Although not shown, a result similar to that of 20 Torr is obtained when etching is performed at 100 Torr.

【００１７】なお、図４の顕微鏡画像及び図５の説明図
に示されるように、２Ｔｏｒｒでエッチングした場合、
ダメージ層やスクラッチ、あるいは凹部の発生は見られ
ず、これらを除去することが可能であるが、代わりに微
小な凸部３００の発生が見られる。凸部３００の発生メ
カニズムについては必ずしも明らかではないが、凹部で
はなく凸部であるため、常圧におけるエッチングとは別
のメカニズムが作用していると推測される。As shown in the microscope image of FIG. 4 and the explanatory diagram of FIG. 5, when etching is performed at 2 Torr,
No damage layer, scratches, or depressions are found, and these can be removed. However, small projections 300 are seen instead. Although the mechanism of formation of the projection 300 is not necessarily clear, it is presumed that a mechanism different from etching at normal pressure is acting because the projection is not a recess but a projection.

【００１８】以上より、７６０Ｔｏｒｒ（１気圧）から
順次１００Ｔｏｒｒ、２０Ｔｏｒｒ、２Ｔｏｒｒと減圧
して水素エッチングすることで、研磨によるダメージ層
やスクラッチ、あるいは凹部を除去して平坦化し、基板
上に成膜されるエピタキシャル膜の膜質を向上させるこ
とができる。なお、減圧の度合いが小さいと、７６０Ｔ
ｏｒｒにおける特有の凹部を除去する効果が小さいと考
えられ、一方減圧の度合いが大きすぎる、具体的には２
Ｔｏｒｒあるいはそれ以下でエッチングを行うと、凹部
ではなく凸部が形成され、表面の平坦性を損なうおそれ
があるため、雰囲気圧力としては好ましくは２Ｔｏｒｒ
より大きく１００Ｔｏｒｒ以下（２Ｔｏｒｒ＜雰囲気圧
力≦１００Ｔｏｒｒ）でエッチングするのがよい。As described above, by performing hydrogen etching at a reduced pressure of 760 Torr (1 atm) to 100 Torr, 20 Torr, and 2 Torr sequentially, a damaged layer, a scratch, or a concave portion due to polishing is removed and flattened, and a film is formed on the substrate. The quality of the epitaxial film can be improved. When the degree of pressure reduction is small, 760T
It is considered that the effect of removing the specific concave portion at orr is small, while the degree of decompression is too large, specifically 2
When etching is performed at Torr or lower, a convex portion is formed instead of a concave portion, which may impair the flatness of the surface. Therefore, the atmosphere pressure is preferably 2 Torr.
It is preferable that the etching be performed at a pressure larger than 100 Torr (2 Torr <atmospheric pressure ≦ 100 Torr).

【００１９】図１０には、雰囲気圧力をパラメータとし
た、エッチングレートの基板温度依存性が示されてい
る。図において、横軸は基板温度、縦軸は対数エッチン
グレート（μｇ／ｃｍ２／ｓｅｃ）であり、２Ｔｏｒ
ｒ、２０Ｔｏｒｒ、１００Ｔｏｒｒ、７６０Ｔｏｒｒの
各エッチングレートが示されている。この図より、エッ
チングレートは基板温度の逆数に比例し、温度が高いほ
どエッチングレートが増大することが分かる。その傾き
から活性化エネルギを求めると約９４±６ｋｃａｌ／ｍ
ｏｌｅとなり、活性化エネルギの値は雰囲気圧力に依存
していない。一方、エッチングレートは雰囲気圧力に依
存し、雰囲気圧力が低いほどエッチングレートは増大す
ることが分かる。FIG. 10 shows the dependence of the etching rate on the substrate temperature using the atmospheric pressure as a parameter. In the figure, the horizontal axis represents the substrate temperature, the vertical axis represents the logarithmic etching rate (μg / cm2 / sec), and 2 Torr.
The respective etching rates of r, 20 Torr, 100 Torr, and 760 Torr are shown. From this figure, it can be seen that the etching rate is proportional to the reciprocal of the substrate temperature, and the higher the temperature, the higher the etching rate. When the activation energy is obtained from the slope, it is approximately 94 ± 6 kcal / m
ole, and the activation energy value does not depend on the atmospheric pressure. On the other hand, it can be seen that the etching rate depends on the atmospheric pressure, and the lower the atmospheric pressure, the higher the etching rate.

【００２０】したがって、減圧雰囲気下で水素エッチン
グを行うと、研磨によるダメージ層やスクラッチ、凹部
を除去して平坦な表面を得ることができるのみならず、
エッチングレートも向上させて製造工程の効率化を図る
ことも可能となる。表面の平坦性及びエッチングレート
を考慮すると、雰囲気圧力は２０Ｔｏｒｒ近傍が特に好
適となる。Therefore, when hydrogen etching is performed under a reduced-pressure atmosphere, not only can a damaged layer, scratches and recesses due to polishing be removed to obtain a flat surface, but also a flat surface can be obtained.
It is also possible to improve the etching rate and increase the efficiency of the manufacturing process. Considering the surface flatness and the etching rate, the ambient pressure is particularly preferably around 20 Torr.

【００２１】なお、本実施形態においては、水素ガスを
用いてエッチングを行っているが、水素ガスとその他の
ガスの混合ガスを用い、混合ガスの全圧を１気圧より小
さくして減圧エッチングを行うこともできる。混合ガス
の比率は任意に設定できるが水素ガスの分圧を一定値以
上に維持することが好適である。また、水素ガスと混合
するガスは、ＳｉＣと反応してＳｉＣの特性（絶縁破壊
電界や熱伝導率など）を変化させることのないガスであ
ることが好適であり、例えばアルゴンを用いることがで
きる。アルゴンを用いた場合、塩化水素のように排ガス
処理部を設置する必要もなくエッチング後の処理も容易
化される利点がある。In this embodiment, etching is performed using hydrogen gas. However, a mixed gas of hydrogen gas and another gas is used, and the total pressure of the mixed gas is made lower than 1 atm. You can do it too. Although the ratio of the mixed gas can be set arbitrarily, it is preferable to maintain the partial pressure of the hydrogen gas at a certain value or more. Further, the gas mixed with the hydrogen gas is preferably a gas which does not change the characteristics of SiC (such as a dielectric breakdown electric field and thermal conductivity) by reacting with SiC, and for example, argon can be used. . When argon is used, there is an advantage that it is not necessary to provide an exhaust gas treatment unit unlike hydrogen chloride, and processing after etching is facilitated.

【００２２】また、本実施形態では４Ｈ−ＳｉＣを用い
ているが、ＳｉＣのその他のポリタイプ、例えば３Ｃや
６Ｈなどにも適用することが可能である。Although 4H-SiC is used in the present embodiment, the present invention can be applied to other polytypes of SiC, such as 3C and 6H.

【００２３】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＳｉＣ基板の表面モフォロジーを改善することでＳｉＣ
基板上に成膜される膜質を向上させ、半導体装置の特性
を向上させることができる。また、本発明によれば、従
来以上のエッチングレートで表面モフォロジーを改善す
ることができるので、半導体装置の製造工程を効率化す
ることができる。As described above, according to the present invention,
By improving the surface morphology of the SiC substrate,
The quality of a film formed over a substrate can be improved, and characteristics of a semiconductor device can be improved. Further, according to the present invention, since the surface morphology can be improved at an etching rate higher than the conventional one, the manufacturing process of the semiconductor device can be made more efficient.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の実施形態の概念構成図である。FIG. 1 is a conceptual configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図２】 エッチング前の顕微鏡画像図である。FIG. 2 is a microscope image diagram before etching.

【図３】 図２の模式的説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory view of FIG. 2;

【図４】 雰囲気圧力２Ｔｏｒｒでエッチングした場合
の顕微鏡画像図である。FIG. 4 is a microscope image when etching is performed at an atmospheric pressure of 2 Torr.

【図５】 図４の模式的説明図である。FIG. 5 is a schematic explanatory view of FIG. 4;

【図６】 雰囲気圧力２０Ｔｏｒｒでエッチングした場
合の顕微鏡画像図である。FIG. 6 is a microscope image when etching is performed at an atmospheric pressure of 20 Torr.

【図７】 図６の模式的説明図である。FIG. 7 is a schematic explanatory view of FIG. 6;

【図８】 雰囲気圧力７６０Ｔｏｒｒでエッチングした
場合の顕微鏡画像図である。FIG. 8 is a microscope image when etching is performed at an atmospheric pressure of 760 Torr.

【図９】 図８の模式的説明図である。FIG. 9 is a schematic explanatory view of FIG.

【図１０】 エッチングレートと雰囲気圧力及び基板温
度との関係を示すグラフ図である。FIG. 10 is a graph showing a relationship between an etching rate, an atmospheric pressure, and a substrate temperature.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 反応炉、１０ ＳｉＣ基板、１２ サセプタ、１４
コイル。1 reactor, 10 SiC substrate, 12 susceptor, 14
coil.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (74)上記１名の代理人 100075258 弁理士 吉田 研二 （外２名） (71)出願人 000003078 株式会社東芝 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 (74)上記１名の代理人 100075258 弁理士 吉田 研二 （外２名） (72)発明者 昌原 鎬 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 大野 俊之 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 櫛部 光弘 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 石田 夕起 茨城県つくば市梅園１丁目１番４ 工業技 術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 高橋 徹夫 茨城県つくば市梅園１丁目１番４ 工業技 術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 鈴木 誉也 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 5F004 AA01 AA11 BA20 BB26 CA04 DA24 DB00 EB08 5F045 AB06 AC16 AD18 AE21 AE23 AE25 AF02 AF12 BB08 BB16 DP03 EK03 HA03 HA06  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (74) One of the above agents 100075258 Attorney Kenji Yoshida (two outsiders) (71) Applicant 000003078 Toshiba Corporation 72 Horikawa-cho, Sai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken (74) Name agent 100075258 Patent Attorney Kenji Yoshida (two outsiders) (72) Inventor Ho Masaharu 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Toshiyuki Ohno Ibaraki 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Mitsuhiro Kushibe 1 Tokoba Toshiba-cho, Komukai, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture, Japan Toshiba R & D Center (72) Inventor Yuuki Ishida 1-1-4 Umezono, Tsukuba, Ibaraki Pref. In-house Research Institute of Electronics and Technology (72) Inventor Tetsuo Takahashi 1-4-1, Umezono, Tsukuba, Ibaraki Kogyo (72) Inventor Takaya Suzuki 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture F-term in Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. F-term (reference) 5F004 AA01 AA11 BA20 BB26 CA04 DA24 DB00 EB08 5F045 AB06 AC16 AD18 AE21 AE23 AE25 AF02 AF12 BB08 BB16 DP03 EK03 HA03 HA06

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 水素雰囲気に曝すことにより炭化珪素基
板表面をエッチングする工程を含む炭化珪素半導体装置
の製造方法であって、 前記エッチングする工程を１気圧より小さい減圧雰囲気
で行うことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方
法。1. A method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including a step of etching a surface of a silicon carbide substrate by exposing to a hydrogen atmosphere, wherein the step of etching is performed in a reduced pressure atmosphere smaller than 1 atm. A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device. 【請求項２】 請求項１記載の方法において、 前記減圧雰囲気の圧力は、２Ｔｏｒｒより大きく１００
Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装
置の製造方法。2. The method of claim 1, wherein the pressure of the reduced pressure atmosphere is greater than 2 Torr and 100
A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device, wherein the pressure is equal to or less than Torr. 【請求項３】 請求項１記載の方法において、 前記水素雰囲気は、水素ガスを含む混合ガスからなるこ
とを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein said hydrogen atmosphere comprises a mixed gas containing hydrogen gas. 【請求項４】 請求項３記載の方法において、 前記混合ガスは前記水素ガスとアルゴンガスからなるこ
とを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。4. The method according to claim 3, wherein the mixed gas comprises the hydrogen gas and the argon gas.