JP2001074552A - 光電変換装置及びその駆動方法 - Google Patents
光電変換装置及びその駆動方法Info
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- JP2001074552A JP2001074552A JP24882399A JP24882399A JP2001074552A JP 2001074552 A JP2001074552 A JP 2001074552A JP 24882399 A JP24882399 A JP 24882399A JP 24882399 A JP24882399 A JP 24882399A JP 2001074552 A JP2001074552 A JP 2001074552A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号線もしくはセンサバイアス線の電位が一
瞬さがる時の電位変化量をより小さくする。 【解決手段】 センサとスイッチ素子とが接続された光
電変換素子を二次元的に配置した光電変換素子群と、光
電変換素子群の一方向に配列された複数のスイッチ素子
とそれぞれ接続される複数の駆動線と、光電変換素子群
の他方向に配列された複数のスイッチ素子の出力側とそ
れぞれ接続される複数の信号線と、複数の駆動線を駆動
し、各駆動線に接続されるスイッチ素子をオンさせて、
信号線とセンサとを接続する制御手段と、を有し、光電
変換素子のリフレッシュモードにおいて、信号線をリセ
ット電位とし、制御手段により駆動線(g1〜g3)を
一方向に順次駆動し、且つ各駆動線(g1〜g3)を駆
動するタイミングが重ならないようにした。
瞬さがる時の電位変化量をより小さくする。 【解決手段】 センサとスイッチ素子とが接続された光
電変換素子を二次元的に配置した光電変換素子群と、光
電変換素子群の一方向に配列された複数のスイッチ素子
とそれぞれ接続される複数の駆動線と、光電変換素子群
の他方向に配列された複数のスイッチ素子の出力側とそ
れぞれ接続される複数の信号線と、複数の駆動線を駆動
し、各駆動線に接続されるスイッチ素子をオンさせて、
信号線とセンサとを接続する制御手段と、を有し、光電
変換素子のリフレッシュモードにおいて、信号線をリセ
ット電位とし、制御手段により駆動線(g1〜g3)を
一方向に順次駆動し、且つ各駆動線(g1〜g3)を駆
動するタイミングが重ならないようにした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光電変換装置および
その駆動方法に係わり、特に大面積プロセスを用いて形
成する光電変換装置、例えばファクシミリ、デジタル複
写機あるいはX線撮像装置等の等倍読み取りを行う二次
元の光電変換装置に好適に用いられる光電変換装置及び
その駆動方法に関するものである。
その駆動方法に係わり、特に大面積プロセスを用いて形
成する光電変換装置、例えばファクシミリ、デジタル複
写機あるいはX線撮像装置等の等倍読み取りを行う二次
元の光電変換装置に好適に用いられる光電変換装置及び
その駆動方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ファクシミリ、デジタル複写機あ
るいはX線撮像装置等の読み取り系としては縮小光学系
とCCD型センサを用いた読み取り系が用いられていた
が、近年、水素化アモルファスシリコン(以下、a−S
iと記す)に代表される光電変換半導体材料の開発によ
り、光電変換素子及び信号処理部を大面積の基板に形成
し、情報源と等倍の光学系で読み取る、いわゆる密着型
センサの開発がめざましい。特にa−Siは光電変換材
料としてだけでなく、薄膜電界効果型トランジスタ(以
下、TFTと記す)としても用いることができるので光
電変換半導体層とTFTの半導体層とを同時に形成する
ことができる利点を有している。
るいはX線撮像装置等の読み取り系としては縮小光学系
とCCD型センサを用いた読み取り系が用いられていた
が、近年、水素化アモルファスシリコン(以下、a−S
iと記す)に代表される光電変換半導体材料の開発によ
り、光電変換素子及び信号処理部を大面積の基板に形成
し、情報源と等倍の光学系で読み取る、いわゆる密着型
センサの開発がめざましい。特にa−Siは光電変換材
料としてだけでなく、薄膜電界効果型トランジスタ(以
下、TFTと記す)としても用いることができるので光
電変換半導体層とTFTの半導体層とを同時に形成する
ことができる利点を有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、大面積
の光電変換装置に対する特性的なスペックは年々厳しく
なっており、特にX線撮像装置等の等倍読み取りを行う
二次元の光電変換装置においては、人体に影響のあるX
線を少しでも減らして、より精度の高いデータを二次元
エリア内で一様に且つ短時間で得ることが要求されてお
り、このような要求を受けて、光電変換素子の信号出力
のバラツキを充分に小さくするために、センサのリフレ
ッシュ方法において駆動線の動作に工夫をすることが考
えられる。
の光電変換装置に対する特性的なスペックは年々厳しく
なっており、特にX線撮像装置等の等倍読み取りを行う
二次元の光電変換装置においては、人体に影響のあるX
線を少しでも減らして、より精度の高いデータを二次元
エリア内で一様に且つ短時間で得ることが要求されてお
り、このような要求を受けて、光電変換素子の信号出力
のバラツキを充分に小さくするために、センサのリフレ
ッシュ方法において駆動線の動作に工夫をすることが考
えられる。
【0004】
【課題を解決するための手段および作用】本発明の光電
変換装置は、センサとスイッチ素子とが接続された光電
変換素子を二次元的に複数個配置した光電変換素子群
と、前記光電変換素子群の一方向に配列された複数の前
記スイッチ素子とそれぞれ接続される複数の駆動線と、
前記光電変換素子群の他方向に配列された複数の前記ス
イッチ素子の出力側とそれぞれ接続される複数の信号線
と、前記複数の駆動線を駆動し、各駆動線に接続される
前記スイッチ素子をオンさせて、前記信号線と前記セン
サとを接続する制御手段と、を有し、前記光電変換素子
は、光電変換モード及び信号電荷転送モード及びリフレ
ッシュモードで駆動される光電変換装置において、前記
リフレッシュモードにおいて、前記信号線をリセット電
位とし、前記制御手段により前記駆動線を前記一方向に
順次駆動し、且つ各駆動線を駆動するタイミングが重な
らないようにしたことを特徴とする。
変換装置は、センサとスイッチ素子とが接続された光電
変換素子を二次元的に複数個配置した光電変換素子群
と、前記光電変換素子群の一方向に配列された複数の前
記スイッチ素子とそれぞれ接続される複数の駆動線と、
前記光電変換素子群の他方向に配列された複数の前記ス
イッチ素子の出力側とそれぞれ接続される複数の信号線
と、前記複数の駆動線を駆動し、各駆動線に接続される
前記スイッチ素子をオンさせて、前記信号線と前記セン
サとを接続する制御手段と、を有し、前記光電変換素子
は、光電変換モード及び信号電荷転送モード及びリフレ
ッシュモードで駆動される光電変換装置において、前記
リフレッシュモードにおいて、前記信号線をリセット電
位とし、前記制御手段により前記駆動線を前記一方向に
順次駆動し、且つ各駆動線を駆動するタイミングが重な
らないようにしたことを特徴とする。
【0005】本発明の光電変換装置の駆動方法は、セン
サとスイッチ素子とが接続された光電変換素子を二次元
的に複数個配置し、前記スイッチ素子を1ライン毎に駆
動線に接続し、前記駆動線を一方向に順次駆動し、該一
方向と異なる方向に配された信号線に信号電荷を転送
し、順次信号読み出しを行い、前記光電変換素子は、光
電変換モード及び信号電荷転送モード及びリフレッシュ
モードで駆動される光電変換装置の駆動方法において、
前記リフレッシュモードにおいて、前記信号線をリセッ
ト電位とし、前記駆動線を前記一方向に順次駆動し、且
つ各駆動線がオンするタイミングが重ならないようにす
ること、を特徴とする。
サとスイッチ素子とが接続された光電変換素子を二次元
的に複数個配置し、前記スイッチ素子を1ライン毎に駆
動線に接続し、前記駆動線を一方向に順次駆動し、該一
方向と異なる方向に配された信号線に信号電荷を転送
し、順次信号読み出しを行い、前記光電変換素子は、光
電変換モード及び信号電荷転送モード及びリフレッシュ
モードで駆動される光電変換装置の駆動方法において、
前記リフレッシュモードにおいて、前記信号線をリセッ
ト電位とし、前記駆動線を前記一方向に順次駆動し、且
つ各駆動線がオンするタイミングが重ならないようにす
ること、を特徴とする。
【0006】本発明は、二次元エリア内での複数の信号
出力をほぼ充分に一様にすることが可能となるように作
用する。
出力をほぼ充分に一様にすることが可能となるように作
用する。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【0008】図2(a),(b)は本発明に係わる光電
変換素子の構成を示す概略図である。図2(b)は図2
(a)を図中A−Bで切り取った場合の断面図である。
図2に示すように、光電変換素子はガラス基板7上のセ
ンサ8とTFT9で構成されている。図2において、セ
ンサ8及びTFT9はアモルファスシリコン薄膜プロセ
スで同時に形成される。センサ8はMIS型センサであ
る。センサ8及びTFT9はガラス基板7上に下メタル
層10、絶縁層11、半導体層12、n+ 層13、上メ
タル層14及び図示しない保護層(アモルファスシリコ
ン窒化膜又はポリイミドなど)を順次成膜、パターニン
グすることにより形成される。
変換素子の構成を示す概略図である。図2(b)は図2
(a)を図中A−Bで切り取った場合の断面図である。
図2に示すように、光電変換素子はガラス基板7上のセ
ンサ8とTFT9で構成されている。図2において、セ
ンサ8及びTFT9はアモルファスシリコン薄膜プロセ
スで同時に形成される。センサ8はMIS型センサであ
る。センサ8及びTFT9はガラス基板7上に下メタル
層10、絶縁層11、半導体層12、n+ 層13、上メ
タル層14及び図示しない保護層(アモルファスシリコ
ン窒化膜又はポリイミドなど)を順次成膜、パターニン
グすることにより形成される。
【0009】図3は、図2の光電変換素子の働きを示す
等価回路である。センサ8に入射した光量に応じて電荷
が発生し、その電荷をTFT9で図示しない読みとり装
置に転送することによって、読みとり動作を行うもので
ある。
等価回路である。センサ8に入射した光量に応じて電荷
が発生し、その電荷をTFT9で図示しない読みとり装
置に転送することによって、読みとり動作を行うもので
ある。
【0010】次に図3に示した光電変換素子を3×3個
配置した光電変換装置の全体回路図を図4に示す。
配置した光電変換装置の全体回路図を図4に示す。
【0011】図4において、S11〜S33は光電変換
素子で下部電極側をG、上部電極側をDで示している。
C11〜C33は蓄積用コンデンサであり、光電変換素
子S11〜S33がコンデンサの働きをするため等価回
路上このように示している。T11〜T33は転送用T
FTである。Vsは読み出し用電源、Vgはリフレッシ
ュ用電源であり、それぞれスイッチSWs,SWgを介
して全光電変換素子S11〜S33のD電極に接続され
ている。スイッチSWsはインバータを介して、スイッ
チSWgは直接にリフレッシュ制御回路RFに接続され
ており、リフレッシュ期間はスイッチSWgがオンする
よう制御されている。
素子で下部電極側をG、上部電極側をDで示している。
C11〜C33は蓄積用コンデンサであり、光電変換素
子S11〜S33がコンデンサの働きをするため等価回
路上このように示している。T11〜T33は転送用T
FTである。Vsは読み出し用電源、Vgはリフレッシ
ュ用電源であり、それぞれスイッチSWs,SWgを介
して全光電変換素子S11〜S33のD電極に接続され
ている。スイッチSWsはインバータを介して、スイッ
チSWgは直接にリフレッシュ制御回路RFに接続され
ており、リフレッシュ期間はスイッチSWgがオンする
よう制御されている。
【0012】上記光電変換装置は計9個の画素を3つの
ブロックに分け1ブロックあたり3画素の出力を同時に
転送し、この信号配線SIGを通して検出用集積回路I
Cによって順次出力に変換され出力される(Vout)。
また1ブロック内の3画素を横方向に配置し、3ブロッ
クを順に縦に配置することにより各画素を二次元的に配
置している。
ブロックに分け1ブロックあたり3画素の出力を同時に
転送し、この信号配線SIGを通して検出用集積回路I
Cによって順次出力に変換され出力される(Vout)。
また1ブロック内の3画素を横方向に配置し、3ブロッ
クを順に縦に配置することにより各画素を二次元的に配
置している。
【0013】また、画素上部には、ヨウ化セシウム(C
sI)等の蛍光体が形成される場合がある。上方よりX
線(X−ray)が入射すると蛍光体により光に変換さ
れ、この光が光電変換素子に入射される。
sI)等の蛍光体が形成される場合がある。上方よりX
線(X−ray)が入射すると蛍光体により光に変換さ
れ、この光が光電変換素子に入射される。
【0014】次に上記光電変換装置の動作について説明
する。まず、本発明の先行技術となる光電変換装置の動
作について図4及び図5のタイミングチャートを用いて
説明する。
する。まず、本発明の先行技術となる光電変換装置の動
作について図4及び図5のタイミングチャートを用いて
説明する。
【0015】はじめにシフトレジスタSR1およびSR
2により制御配線g1〜g3、s1〜s3にHiレベル
が印加される。すると転送用TFT・T11〜T33と
スイッチM1〜M3がオンして導通し、全光電変換素子
S11〜S33のG電極はGND電位になる(積分検出
器Ampの入力端子はGND電位に設計されているた
め)。同時にリフレッシュ制御回路RFがHiレベルを
出力しスイッチSWgがオンし全光電変換素子S11〜
S33のD電極はリフレッシュ用電源Vgにより正電位
になる。すると全光電変換素子S11〜S33はリフレ
ッシュモードになりリフレッシュされる。つぎにリフレ
ッシュ制御回路RFがLoレベルを出力しスイッチSW
sがオンし全光電変換素子S11〜S33のD電極は読
み取り用電源Vsにより更に高い正電位になる。すると
全光電変換素子S11〜S33は光電変換モードになり
同時にコンデンサC11〜C33は初期化される。この
状態でシフトレジスタSR1およびSR2により制御配
線g1〜g3、s1〜s3にLoレベルが印加される。
すると転送用TFT・T11〜T33のスイッチM1〜
M3がオフし、全光電変換素子S11〜S33のG電極
はDC的にはオープンになるがコンデンサC11〜C3
3によって電位は保持される。しかしこの時点ではX線
は入射されていないため全光電変換素子S11〜S33
には光は入射されず光電流は流れない。この状態でX線
がパルス的に出射され人体等を通過し蛍光体に入射する
と光に変換され、その光がそれぞれの光電変換素子S1
1〜S33に入射する。この光は人体等の内部構造の情
報が含まれている。この光により流れた光電流は電荷と
してそれぞれのコンデンサC11〜C33に蓄積されX
線の入射終了後も保持される。
2により制御配線g1〜g3、s1〜s3にHiレベル
が印加される。すると転送用TFT・T11〜T33と
スイッチM1〜M3がオンして導通し、全光電変換素子
S11〜S33のG電極はGND電位になる(積分検出
器Ampの入力端子はGND電位に設計されているた
め)。同時にリフレッシュ制御回路RFがHiレベルを
出力しスイッチSWgがオンし全光電変換素子S11〜
S33のD電極はリフレッシュ用電源Vgにより正電位
になる。すると全光電変換素子S11〜S33はリフレ
ッシュモードになりリフレッシュされる。つぎにリフレ
ッシュ制御回路RFがLoレベルを出力しスイッチSW
sがオンし全光電変換素子S11〜S33のD電極は読
み取り用電源Vsにより更に高い正電位になる。すると
全光電変換素子S11〜S33は光電変換モードになり
同時にコンデンサC11〜C33は初期化される。この
状態でシフトレジスタSR1およびSR2により制御配
線g1〜g3、s1〜s3にLoレベルが印加される。
すると転送用TFT・T11〜T33のスイッチM1〜
M3がオフし、全光電変換素子S11〜S33のG電極
はDC的にはオープンになるがコンデンサC11〜C3
3によって電位は保持される。しかしこの時点ではX線
は入射されていないため全光電変換素子S11〜S33
には光は入射されず光電流は流れない。この状態でX線
がパルス的に出射され人体等を通過し蛍光体に入射する
と光に変換され、その光がそれぞれの光電変換素子S1
1〜S33に入射する。この光は人体等の内部構造の情
報が含まれている。この光により流れた光電流は電荷と
してそれぞれのコンデンサC11〜C33に蓄積されX
線の入射終了後も保持される。
【0016】つぎにシフトレジスタSR1により制御配
線g1にHiレベルの制御パルスが印加され、シフトレ
ジスタSR2の制御配線s1〜s3への制御パルス印加
によって転送用TFT・T11〜T33のスイッチM1
〜M3を通してv1〜v3が順次出力される。同様にシ
フトレジスタSR1,SR2の制御により他の光信号も
順次出力される。これにより人体等の内部構造の二次元
情報がv1〜v9として得られる。静止画像を得る場合
はここまでの動作であるが動画像を得る場合はここまで
の動作を繰り返す。
線g1にHiレベルの制御パルスが印加され、シフトレ
ジスタSR2の制御配線s1〜s3への制御パルス印加
によって転送用TFT・T11〜T33のスイッチM1
〜M3を通してv1〜v3が順次出力される。同様にシ
フトレジスタSR1,SR2の制御により他の光信号も
順次出力される。これにより人体等の内部構造の二次元
情報がv1〜v9として得られる。静止画像を得る場合
はここまでの動作であるが動画像を得る場合はここまで
の動作を繰り返す。
【0017】上記光電変換装置では光電変換素子のD電
極が共通に接続され、この共通の配線をスイッチSWg
とスイッチSWsを介してリフレッシュ用電源Vgと読
み取り用電源Vsの電位に制御している為、全光電変換
素子を同時にリフレッシュモードと光電変換モードとに
切り換えることができる。このため複雑な制御なくして
1画素あたり1個のTFTで光出力を得ることができ
る。
極が共通に接続され、この共通の配線をスイッチSWg
とスイッチSWsを介してリフレッシュ用電源Vgと読
み取り用電源Vsの電位に制御している為、全光電変換
素子を同時にリフレッシュモードと光電変換モードとに
切り換えることができる。このため複雑な制御なくして
1画素あたり1個のTFTで光出力を得ることができ
る。
【0018】図5の動作においては、リフレッシュ動作
が全Vg駆動線同時に行うため、g1〜g3のオンパル
スは同時に立ち下がる。
が全Vg駆動線同時に行うため、g1〜g3のオンパル
スは同時に立ち下がる。
【0019】各駆動線g1〜g3は、図4における駆動
線と信号線のクロス部容量CCR1及び駆動線とセンサバ
イアス線のクロス部容量CCR2により、g1〜g3のオ
ンパルスが同時に立ち下がる瞬間に信号線とセンサバイ
アス線の電位が一瞬さがる。
線と信号線のクロス部容量CCR1及び駆動線とセンサバ
イアス線のクロス部容量CCR2により、g1〜g3のオ
ンパルスが同時に立ち下がる瞬間に信号線とセンサバイ
アス線の電位が一瞬さがる。
【0020】信号線とセンサバイアス線のそれぞれの電
位は一瞬さがった後、それぞれの時定数により元の電位
に回復する。
位は一瞬さがった後、それぞれの時定数により元の電位
に回復する。
【0021】しかし、それぞれの電位は一瞬さがった
後、元の電位に回復するまでの時間が充分にとれない場
合、即ち図5においてX−rayをオンし、センサによ
り光電変換を行った後、g1をオンし、TFTにより信
号電荷を転送するまでの間の時間が充分にとれない場合
は、信号線もしくはセンサバイアス線の電位が元の電位
に回復する前に信号電荷を転送するため、理想的な出力
が充分に得られない場合が考えられる。
後、元の電位に回復するまでの時間が充分にとれない場
合、即ち図5においてX−rayをオンし、センサによ
り光電変換を行った後、g1をオンし、TFTにより信
号電荷を転送するまでの間の時間が充分にとれない場合
は、信号線もしくはセンサバイアス線の電位が元の電位
に回復する前に信号電荷を転送するため、理想的な出力
が充分に得られない場合が考えられる。
【0022】また、信号線とセンサバイアス線のそれぞ
れの時定数が小さくできない場合、即ち信号線もしく
は、センサバイアス線の配線抵抗が大きい場合、もしく
は浮遊容量が大きい場合も、信号線もしくはセンサバイ
アス線の電位が元の電位に回復する前に信号電荷を転送
するため、理想的な出力が充分得られない場合が考えら
れる。
れの時定数が小さくできない場合、即ち信号線もしく
は、センサバイアス線の配線抵抗が大きい場合、もしく
は浮遊容量が大きい場合も、信号線もしくはセンサバイ
アス線の電位が元の電位に回復する前に信号電荷を転送
するため、理想的な出力が充分得られない場合が考えら
れる。
【0023】これは、信号出力Voutが信号線もしくは
センサバイアス線の電位に依存することによる。
センサバイアス線の電位に依存することによる。
【0024】このような場合、信号電荷を読み出す場合
の読み出しの初めの信号出力、即ち図5においてVout
のv1の出力が若干理想でないことが起きる場合が考え
られる。
の読み出しの初めの信号出力、即ち図5においてVout
のv1の出力が若干理想でないことが起きる場合が考え
られる。
【0025】本発明は二次元エリア内での複数の信号出
力を更に一様にし、パネルの品質を更に向上させるため
に、上述したようなg1〜g3のオンパルスの立ち下が
りのタイミングをずらす。こうすることで、信号線もし
くはセンサバイアス線の電位が一瞬さがる時の電位変化
量を小さくすることができる。
力を更に一様にし、パネルの品質を更に向上させるため
に、上述したようなg1〜g3のオンパルスの立ち下が
りのタイミングをずらす。こうすることで、信号線もし
くはセンサバイアス線の電位が一瞬さがる時の電位変化
量を小さくすることができる。
【0026】図1は、本発明に係る一実施例を説明する
ための動作を示すタイミングチャートである。なお、図
5と同一動作の部分には同一符号を付してあり、説明を
省略する。
ための動作を示すタイミングチャートである。なお、図
5と同一動作の部分には同一符号を付してあり、説明を
省略する。
【0027】図1に示すタイミングチャートにおいて特
徴的な点は、上述したように、g1〜g3のオンパルス
のタイミングをずらしている点である。これにより信号
線もしくはセンサバイアス線の電位が一瞬さがる時の電
位変化量を小さくすることが可能となり、結果的に信号
線もしくはセンサバイアス線の電位が元の電位に回復す
る時間が短縮される。
徴的な点は、上述したように、g1〜g3のオンパルス
のタイミングをずらしている点である。これにより信号
線もしくはセンサバイアス線の電位が一瞬さがる時の電
位変化量を小さくすることが可能となり、結果的に信号
線もしくはセンサバイアス線の電位が元の電位に回復す
る時間が短縮される。
【0028】更に特徴的な点は、g1〜g3のオンパル
スのタイミングのずらし方において、各駆動線(g1と
g2とg3)がオンするタイミングが重なっていない点
である。このように各駆動線がオンするタイミングが重
ならないように駆動することにより、各駆動線g1〜g
3が、駆動線と信号線のクロス部容量CCR1及び駆動線
とセンサバイアス線のクロス部容量CCR2により、立ち
下がる瞬間に信号線とセンサバイアス線の電位をさげる
電位変化量をより小さくすることが可能になる。
スのタイミングのずらし方において、各駆動線(g1と
g2とg3)がオンするタイミングが重なっていない点
である。このように各駆動線がオンするタイミングが重
ならないように駆動することにより、各駆動線g1〜g
3が、駆動線と信号線のクロス部容量CCR1及び駆動線
とセンサバイアス線のクロス部容量CCR2により、立ち
下がる瞬間に信号線とセンサバイアス線の電位をさげる
電位変化量をより小さくすることが可能になる。
【0029】以上説明したように、リフレッシュ時の駆
動線のオンパルスのタイミングを各駆動線がオンするタ
イミングが重ならないようにずらして駆動することによ
り、信号線もしくはセンサバイアス線の電位が一瞬さが
る時の電位変化量をより小さくすることが可能となり、
結果的に二次元エリア内での複数の信号出力をほぼ充分
に更に一様にし、パネルの品質を更に向上させることが
可能となる。
動線のオンパルスのタイミングを各駆動線がオンするタ
イミングが重ならないようにずらして駆動することによ
り、信号線もしくはセンサバイアス線の電位が一瞬さが
る時の電位変化量をより小さくすることが可能となり、
結果的に二次元エリア内での複数の信号出力をほぼ充分
に更に一様にし、パネルの品質を更に向上させることが
可能となる。
【0030】上記光電変換装置では9個の画素を3×3
に二次元配置し3画素ずつ同時に、3回に分割して転送
・出力したがこれに限らず、例えば縦横1mmあたり5
×5個の画素を2000×2000個の画素として二次
元的に配置すれば40cm×40cmのX線検出器が得
られる。これをX線フィルムの代わりにX線発生器と組
み合わせX線レントゲン装置を構成すれば胸部レントゲ
ン検診や乳ガン検診に使用できる。するとフィルムと異
なり瞬時にその出力をCRT等の表示装置で映し出すこ
とが可能で、さらに出力をディジタルに変換しコンピュ
ータで画像処理して目的に合わせた出力に変換すること
も可能である。また光磁気ディスク等の情報記録媒体に
保管もでき、過去の画像を瞬時に検索することもでき
る。また感度もフィルムより良く人体に影響の少ない微
弱なX線で鮮明な画像を得ることもできる。
に二次元配置し3画素ずつ同時に、3回に分割して転送
・出力したがこれに限らず、例えば縦横1mmあたり5
×5個の画素を2000×2000個の画素として二次
元的に配置すれば40cm×40cmのX線検出器が得
られる。これをX線フィルムの代わりにX線発生器と組
み合わせX線レントゲン装置を構成すれば胸部レントゲ
ン検診や乳ガン検診に使用できる。するとフィルムと異
なり瞬時にその出力をCRT等の表示装置で映し出すこ
とが可能で、さらに出力をディジタルに変換しコンピュ
ータで画像処理して目的に合わせた出力に変換すること
も可能である。また光磁気ディスク等の情報記録媒体に
保管もでき、過去の画像を瞬時に検索することもでき
る。また感度もフィルムより良く人体に影響の少ない微
弱なX線で鮮明な画像を得ることもできる。
【0031】図6にその例を示す。ここで101が患
者、102がX線源、103が蛍光体、104が光電変
換装置、105が撮影スイッチ、106がディスプレ
イ、107が制御回路、108が駆動回路である。図6
において、X線を光に変換する蛍光体と2次元センサパ
ネル及びX線源、X線源の駆動回路、X線源の制御回路
から成り立つX線撮像装置を構成している。
者、102がX線源、103が蛍光体、104が光電変
換装置、105が撮影スイッチ、106がディスプレ
イ、107が制御回路、108が駆動回路である。図6
において、X線を光に変換する蛍光体と2次元センサパ
ネル及びX線源、X線源の駆動回路、X線源の制御回路
から成り立つX線撮像装置を構成している。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、リフレッシュ時の
駆動線のオンパルスのタイミングを各駆動線がオンする
タイミングが重ならないようにずらして駆動することに
より、信号線もしくはセンサバイアス線の電位が一瞬さ
がる時の電位変化量をより小さくすることが可能とな
り、結果的に二次元エリア内での複数の信号出力をほぼ
充分に更に一様にし、パネルの品質を更に向上させるこ
とが可能となる。
駆動線のオンパルスのタイミングを各駆動線がオンする
タイミングが重ならないようにずらして駆動することに
より、信号線もしくはセンサバイアス線の電位が一瞬さ
がる時の電位変化量をより小さくすることが可能とな
り、結果的に二次元エリア内での複数の信号出力をほぼ
充分に更に一様にし、パネルの品質を更に向上させるこ
とが可能となる。
【図1】本発明に係る第一実施例を説明するための動作
を示すタイミングチャートである。
を示すタイミングチャートである。
【図2】(a)は本発明に係わる光電変換装置における
各構成素子の平面図、(b)はその断面図である。
各構成素子の平面図、(b)はその断面図である。
【図3】本発明に係わる光電変換装置における1素子の
等価回路である。
等価回路である。
【図4】本発明に係わる光電変換装置における全体回路
図である。
図である。
【図5】先行技術に係わる光電変換装置の動作を示すタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図6】X線撮像システムを示す概略的構成図である。
S11〜S33 センサ T11〜T33 TFT C11〜C33 コンデンサ SR1,SR2 シフトレジスタ IC 検出用集積回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // H01L 31/10 H01L 31/10 G (72)発明者 海部 紀之 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 田村 敏和 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】 センサとスイッチ素子とが接続された光
電変換素子を二次元的に複数個配置した光電変換素子群
と、 前記光電変換素子群の一方向に配列された複数の前記ス
イッチ素子とそれぞれ接続される複数の駆動線と、 前記光電変換素子群の他方向に配列された複数の前記ス
イッチ素子の出力側とそれぞれ接続される複数の信号線
と、 前記複数の駆動線を駆動し、各駆動線に接続される前記
スイッチ素子をオンさせて、前記信号線と前記センサと
を接続する制御手段と、を有し、 前記光電変換素子は、光電変換モード及び信号電荷転送
モード及びリフレッシュモードで駆動される光電変換装
置において、 前記リフレッシュモードにおいて、前記信号線をリセッ
ト電位とし、前記制御手段により前記駆動線を前記一方
向に順次駆動し、且つ各駆動線を駆動するタイミングが
重ならないようにしたことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項2】 全センサの前記スイッチ素子の接続側と
反対側の端子は、少なくとも光電変換モードとリフレッ
シュモードとで電位が切り換えられる配線に接続されて
いることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 【請求項3】 前記センサと前記スイッチ素子とは同一
基板上に設けられていることを特徴とする請求項1又は
請求項2に記載の光電変換装置。 - 【請求項4】 前記センサと前記スイッチ素子とは、そ
れぞれ第一の電極層、絶縁層、半導体層、高濃度不純物
半導体層、及び第二の電極層から構成されることを特徴
とする請求項3に記載の光電変換装置。 - 【請求項5】 第一の電極層、絶縁層、光電変換半導体
層、第1導電型のキャリアの注入を阻止する半導体層、
及び第二の電極層を同一基板上に積層して構成される光
電変換素子と、前記光電変換半導体層に入射した信号光
により発生した第1導電型のキャリアを前記光電変換半
導体層に留まらせ、前記第1導電型と異なる第2導電型
のキャリアを前記第二の電極層に導く方向に前記光電変
換素子に電界を与える光電変換手段と、前記光電変換素
子に電界を与えて、前記第1導電型のキャリアを前記光
電変換半導体層から前記第二の電極層に導く方向に前記
光電変換素子に電界を与えるリフレッシュ手段と、前記
光電変換手段による光電変換動作中に前記光電変換半導
体層に蓄積された前記第1導電型のキャリアもしくは前
記第二の電極層に導かれた前記第2導電型のキャリアを
検出する為の信号検出部と、を有する請求項1に記載の
光電変換装置。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかの請求項に記載
の光電変換装置の画像情報読み取り部側に波長変換体を
有する光電変換装置。 - 【請求項7】 前記波長変換体が蛍光体であることを特
徴とする請求項6に記載の光電変換装置。 - 【請求項8】 センサとスイッチ素子とが接続された光
電変換素子を二次元的に複数個配置し、前記スイッチ素
子を1ライン毎に駆動線に接続し、前記駆動線を一方向
に順次駆動し、該一方向と異なる方向に配された信号線
に信号電荷を転送し、順次信号読み出しを行い、前記光
電変換素子は、光電変換モード及び信号電荷転送モード
及びリフレッシュモードで駆動される光電変換装置の駆
動方法において、 前記リフレッシュモードにおいて、前記信号線をリセッ
ト電位とし、前記駆動線を前記一方向に順次駆動し、且
つ各駆動線がオンするタイミングが重ならないようにす
ること、を特徴とする光電変換装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24882399A JP2001074552A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24882399A JP2001074552A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001074552A true JP2001074552A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17183960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24882399A Pending JP2001074552A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001074552A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003163343A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-06-06 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
JP2009005374A (ja) * | 2008-07-18 | 2009-01-08 | Canon Inc | 光電変換装置の駆動方法 |
JP2009219153A (ja) * | 2001-07-30 | 2009-09-24 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
WO2011148609A1 (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | 株式会社 東芝 | 放射線平面検出器のリフレッシュ動作方法 |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24882399A patent/JP2001074552A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003163343A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-06-06 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
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US7705911B2 (en) | 2001-07-30 | 2010-04-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pick-up apparatus and image pick-up system |
JP4565044B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
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