JP2001074414A - Method for aligning pattern - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To align while absorbing the local distortion of an inspecting workpiece, even when a pattern which serves as a positioning mark is not present. SOLUTION: A division region is set in a mask pattern, and a virtual line perpendicular to the pattern is set as a second positioning mark in each division region. The division region of a measuring pattern is extracted in correspondence with the division region of the mark pattern, and a correlation value with the mask pattern in a predetermined range about a position is calculated in correspondence with the second positioning mark. The position with the highest correlative value is deemed the second positioning mark of the measuring pattern, and the mutual second position marks of the measuring pattern and the mask patterns are aligned, so that the mask pattern and the measuring pattern are aligned by each division region (step 109).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、テープキャリア等
に形成されたパターンを検査するパターン検査方法に係
り、特にマスタパターンと被測定パターンの位置合わせ
を行う位置合わせ方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern inspection method for inspecting a pattern formed on a tape carrier or the like, and more particularly to an alignment method for aligning a master pattern and a pattern to be measured.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、ＩＣ、ＬＳＩの多ピン化要求
に適した実装技術として、ＴＡＢ（Tape Automated Bon
ding）法が知られている。ＴＡＢ法は、ポリイミド製の
テープキャリア（ＴＡＢテープ）上に形成された銅箔パ
ターンをＩＣチップの電極に接合して外部リードとする
ものである。銅箔パターンは、テープキャリアに銅箔を
接着剤で貼り付け、これをエッチングすることによって
形成される。2. Description of the Related Art Conventionally, a TAB (Tape Automated Bonus) has been used as a mounting technique suitable for a demand for a higher pin count of ICs and LSIs.
ding) method is known. In the TAB method, a copper foil pattern formed on a polyimide tape carrier (TAB tape) is bonded to electrodes of an IC chip to form external leads. The copper foil pattern is formed by attaching a copper foil to a tape carrier with an adhesive and etching this.

【０００３】このようなテープキャリアでは、パターン
形成後に顕微鏡を用いて人間により目視でパターンの検
査が行われる。しかしながら、微細なパターンを目視で
検査するには、熟練を要すると共に、目を酷使するとい
う問題点があった。そこで、目視検査に代わるものとし
て、テープキャリア等に形成されたパターンをＴＶカメ
ラで撮像して自動的に検査する技術が提案されている
（例えば、特開平６−２７３１３２号公報、特開平７−
１１０８６３号公報）。In such a tape carrier, a pattern is visually inspected by a human using a microscope after the pattern is formed. However, visually inspecting a fine pattern requires skill and has a problem of overworking the eyes. Therefore, as an alternative to the visual inspection, a technique has been proposed in which a pattern formed on a tape carrier or the like is imaged by a TV camera and automatically inspected (for example, JP-A-6-273132 and JP-A-7-273132).
No. 110863).

【０００４】図１６、図１７は特開平６−２７３１３２
号公報に記載された断線を検出する従来の検査方法を説
明するための図である。良品と判定された被測定パター
ンを撮像することによって作成されたマスタパターン
は、パターンエッジを示す直線の集合として登録され
る。また、被測定パターンは、パターンを撮像した濃淡
画像から抽出したパターンエッジを示すエッジデータ
（エッジ座標）の集合として入力される。そして、抽出
した被測定パターンのエッジデータｎ１、ｎ２、ｎ３・
・・とマスタパターンの直線との対応付けを行う。この
対応付けを行うために、図１６に示すように、マスタパ
ターンの連続する直線Ａ１とＡ２、Ａ２とＡ３・・・・
がつくる角をそれぞれ２等分する２等分線Ａ２’、Ａ
３’・・・・を求める。FIGS. 16 and 17 show Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-273132.
FIG. 1 is a diagram for explaining a conventional inspection method for detecting a disconnection described in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. HEI 10-125, 1988. A master pattern created by imaging the pattern to be measured determined as a non-defective product is registered as a set of straight lines indicating pattern edges. The pattern to be measured is input as a set of edge data (edge coordinates) indicating a pattern edge extracted from a grayscale image obtained by capturing the pattern. Then, the extracted edge data n1, n2, n3.
.. and the line of the master pattern are associated. In order to perform this association, as shown in FIG. 16, continuous straight lines A1 and A2, A2 and A3,.
Bisecting lines A2 'and A that bisect each of the corners
Ask for 3 '.

【０００５】この２等分線Ａ２’、Ａ３’・・・・によ
ってマスタパターンの直線Ａ１、Ａ２、Ａ３・・・・の
周囲は、各直線にそれぞれ所属する領域に分割される。
これにより、各領域内に存在する被測定パターンのエッ
ジデータｎ１、ｎ２、ｎ３・・・・は、その領域が属す
るマスタパターンの直線Ａ１、Ａ２、Ａ３・・・・とそ
れぞれ対応付けられたことになる。例えば図１６におい
て、エッジデータｎ１〜ｎ３は、直線Ａ１と対応付けら
れ、データｎ４〜ｎ６は、直線Ａ２と対応付けられる。
次に、被測定パターンのエッジデータとマスタパターン
とを比較し、被測定パターンが断線しているかどうかを
検査する。この検査は、図１７に示すように、被測定パ
ターンの連結したエッジデータｎ１〜ｎ９を追跡するこ
とによりパターンエッジを追跡するラベリング処理によ
って実現される。このとき、被測定パターンの先端に生
じた断線により、この断線部でエッジデータが連結しな
いため、マスタパターンの直線Ａ３〜Ａ５に対応するエ
ッジデータが存在しない。こうして、被測定パターンの
断線を検出することができる。The bisectors A2 ', A3',... Divide the master pattern straight lines A1, A2, A3,.
Thus, the edge data n1, n2, n3,... Of the pattern to be measured present in each area are respectively associated with the straight lines A1, A2, A3,. become. For example, in FIG. 16, the edge data n1 to n3 are associated with the straight line A1, and the data n4 to n6 are associated with the straight line A2.
Next, the edge data of the pattern to be measured is compared with the master pattern to check whether the pattern to be measured is disconnected. This inspection is realized by a labeling process of tracing the pattern edge by tracing the connected edge data n1 to n9 of the pattern to be measured, as shown in FIG. At this time, since the edge data is not connected at the disconnected portion due to the disconnection generated at the leading end of the pattern to be measured, there is no edge data corresponding to the straight lines A3 to A5 of the master pattern. Thus, the disconnection of the pattern to be measured can be detected.

【０００６】図１８は特開平６−２７３１３２号公報に
記載された短絡を検出する従来の検査方法を説明するた
めの図である。この検査方法では、まずマスタパターン
と被測定パターンを所定の大きさに切り出した検査領域
２０において、被測定パターンの連結したエッジデータ
を追跡する。これにより、被測定パターンの各エッジデ
ータは、ｎ１〜ｎ１８と順次ラベリングされる。しか
し、パターンエッジを示す対向する２直線からなるマス
タパターンＭａと同じく対向する２直線からなるマスタ
パターンＭｂには、エッジデータｎ８、ｎ１７は登録さ
れていない。こうして、被測定パターンの短絡を検出す
ることができる。FIG. 18 is a view for explaining a conventional inspection method for detecting a short circuit described in JP-A-6-273132. In this inspection method, first, in an inspection area 20 in which a master pattern and a pattern to be measured are cut out to a predetermined size, edge data connected to the pattern to be measured is tracked. Thereby, each edge data of the pattern to be measured is sequentially labeled as n1 to n18. However, the edge data n8 and n17 are not registered in the master pattern Mb composed of two opposing straight lines similarly to the master pattern Ma composed of two opposing straight lines indicating a pattern edge. Thus, a short circuit of the pattern to be measured can be detected.

【０００７】図１９は特開平７−１１０８６３号公報に
記載された欠損あるいは突起を検出する従来の検査方法
を説明するための図である。この検査方法では、まず中
心線Ｌに垂直な垂線を引いて、この垂線がマスタパター
ンのエッジを示す直線Ａ１、Ａ２と交わる交点間の長さ
をマスタパターンの幅Ｗ０として予め求めておく。次
に、実際の検査では、被測定パターンのエッジデータｎ
からマスタパターンの中心線Ｌに対して垂線を下ろすこ
とにより、対向するエッジデータ間の距離を求める。こ
の距離が被測定パターンの幅Ｗであり、これをマスタパ
ターンの幅Ｗ０と比較することにより、被測定パターン
の欠損あるいは突起を検出することができる。FIG. 19 is a view for explaining a conventional inspection method for detecting a defect or a protrusion described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-10863. In this inspection method, first, a perpendicular line perpendicular to the center line L is drawn, and the length between intersections at which the perpendicular line intersects the straight lines A1 and A2 indicating the edges of the master pattern is obtained in advance as the width W0 of the master pattern. Next, in the actual inspection, the edge data n of the pattern to be measured
Then, the distance between the facing edge data is obtained by lowering the perpendicular to the center line L of the master pattern. This distance is the width W of the pattern to be measured, and by comparing this with the width W0 of the master pattern, a defect or a protrusion in the pattern to be measured can be detected.

【０００８】しかし、このような検査方法を用いるパタ
ーン検査装置では、被測定パターンの全体にわたってマ
スタパターンとの比較による詳細な検査をソフトウェア
で行うため、パターン検査に時間がかかるという問題点
があった。そこで、短時間で検査が可能なパターン検査
装置が提案されている（例えば、特開平１０−１４１９
３０号公報）。特開平１０−１４１９３０号公報に記載
されたパターン検査装置では、ハードウェアによって被
測定パターンの欠陥候補を検出し、検出した欠陥候補を
含む所定の小領域だけソフトウェアによって検査するの
で、被測定パターンの欠陥を従来よりも高速に検査する
ことができる。However, in the pattern inspection apparatus using such an inspection method, there is a problem that the pattern inspection takes a long time because the detailed inspection by comparison with the master pattern is performed by software over the entire pattern to be measured. . Therefore, a pattern inspection apparatus capable of performing inspection in a short time has been proposed (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-1419).
No. 30). In the pattern inspection apparatus described in JP-A-10-141930, a defect candidate of a pattern to be measured is detected by hardware, and only a predetermined small area including the detected defect candidate is inspected by software. Defects can be inspected faster than before.

【０００９】以上のような検査方法を用いるパターン検
査装置では、カメラで取り込んだ被測定パターンとマス
タパターンを比較するために、マスタパターンと被測定
パターンの位置合わせが必要である。そして、この位置
合わせは、マスタパターンに予め設けられた位置決めマ
ークと、これに対応する被測定パターンの位置決めマー
クの位置を一致させることで行っていた。In the pattern inspection apparatus using the above inspection method, it is necessary to align the master pattern and the measured pattern in order to compare the measured pattern captured by the camera with the master pattern. This alignment has been performed by matching the position of a positioning mark provided in advance on the master pattern with the position of the corresponding positioning mark of the pattern to be measured.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような位置合わせ方法では、銅箔パターンが形成された
テープキャリア等を検査ワークとする場合に、正常な検
査ができないことがあるという問題点があった。このよ
うな問題点が発生する理由を図２０を用いて説明する。
テープキャリアは、ポリイミド製の薄いフィルムであ
り、可撓性を有している。このため、カメラで撮像する
テープキャリアには、局所的な歪みが存在し、この歪み
は、被測定パターンのマスタパターンとの位置ずれの原
因となる。図２０に示すように、テープキャリア上に形
成されたパターンの中央付近には、位置決めマークとな
り得るような独立したパターンが存在しない。したがっ
て、従来の位置合わせ方法では、テープキャリアの周辺
部に配設された独立したパターンを位置決めマークとし
ている。しかし、このような位置合わせ方法では、周辺
部以外で発生している、テープキャリアの局所的な歪み
に起因する位置ずれを補正することができない。このた
め、この被測定パターンのマスタパターンとの位置ずれ
は、前述の検査において欠陥として検出されることにな
る。本発明は、上記課題を解決するためになされたもの
で、局所的な歪みが発生しやすく、かつ位置決めマーク
となり得るような独立したパターンが存在しないテープ
キャリア等の検査ワークであっても、局所的な位置合わ
せをして、検査ワークの局所的な歪みを吸収することが
できる位置合わせ方法を提供することを目的とする。However, the above-described alignment method has a problem that when a tape carrier or the like on which a copper foil pattern is formed is used as an inspection work, a normal inspection may not be performed. there were. The reason why such a problem occurs will be described with reference to FIG.
The tape carrier is a thin film made of polyimide and has flexibility. For this reason, a local distortion exists in the tape carrier imaged by the camera, and this distortion causes a displacement of the measured pattern from the master pattern. As shown in FIG. 20, there is no independent pattern that can be a positioning mark near the center of the pattern formed on the tape carrier. Therefore, in the conventional alignment method, an independent pattern provided around the tape carrier is used as the positioning mark. However, such a positioning method cannot correct a position shift occurring in a portion other than the peripheral portion due to local distortion of the tape carrier. Therefore, the positional deviation of the measured pattern from the master pattern is detected as a defect in the above-described inspection. The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and it is easy to cause local distortion, and even if it is an inspection work such as a tape carrier that does not have an independent pattern that can be a positioning mark, it can be used locally. It is an object of the present invention to provide an alignment method capable of absorbing a local distortion of an inspection work by performing an accurate alignment.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明のパターンの位置
合わせ方法は、被測定パターンとマスタパターンの全領
域について互いの第１の位置決めマークの位置を合わせ
ることによりマスタパターンと被測定パターンの全体の
位置合わせを行った後に、マスタパターン中に複数の分
割領域を設定し、パターンと直交する少なくとも４本の
仮想のラインを第２の位置決めマークとして設定するこ
とを分割領域毎に行い、マスタパターンの分割領域に対
応する被測定パターンの分割領域を抽出して、前記第２
の位置決めマークに対応する位置を中心とする所定の範
囲についてマスタパターンとの相関値を算出し、最も相
関値が高いピーク位置を被測定パターンの第２の位置決
めマークと見なし、被測定パターンとマスタパターンの
互いの第２の位置決めマークの位置を合わせることによ
り、マスタパターンと被測定パターンの位置合わせを分
割領域毎に行うようにしたものである。従来の位置合わ
せ方法では、検査ワークに局所的な歪みが存在する場
合、全体としてはマスタパターンとの位置合わせができ
ていたとしても、局所的にはマスタパターンとのずれが
発生しているため、このずれが欠陥候補として検出され
ることがある。この場合、検査ワークの局所的な歪みが
許容範囲内であったとしても、二次検査が行われるた
め、検査時間がかかってしまうという問題がある。これ
に対し、本発明では、検査ワークの局所的な歪みが許容
範囲内であれば、分割領域ごとの位置合わせによって検
査ワークの局所的な歪みを吸収し、マスタパターンの分
割領域と被測定パターンの分割領域の微妙な位置ずれを
補正することができる。According to the pattern alignment method of the present invention, the entirety of the master pattern and the pattern to be measured is aligned by aligning the positions of the first positioning marks with respect to the entire area of the pattern to be measured and the master pattern. After performing the alignment of the master pattern, setting a plurality of divided areas in the master pattern, and setting at least four virtual lines orthogonal to the pattern as the second positioning marks are performed for each divided area. The divided region of the pattern to be measured corresponding to the divided region of
The correlation value with the master pattern is calculated for a predetermined range centered on the position corresponding to the positioning mark, and the peak position having the highest correlation value is regarded as the second positioning mark of the pattern to be measured. By aligning the positions of the second positioning marks of the patterns, the alignment of the master pattern and the pattern to be measured is performed for each divided area. In the conventional alignment method, if there is a local distortion in the inspection work, even if the alignment with the master pattern has been completed as a whole, a deviation from the master pattern has occurred locally. This deviation may be detected as a defect candidate. In this case, even if the local distortion of the inspection work is within the allowable range, the secondary inspection is performed, so that there is a problem that an inspection time is required. On the other hand, in the present invention, if the local distortion of the inspection work is within the allowable range, the local distortion of the inspection work is absorbed by the alignment of each divided region, and the divided region of the master pattern and the pattern to be measured are absorbed. Delicate displacement of the divided areas can be corrected.

【００１２】また、本発明のパターンの位置合わせ方法
の１構成例は、前記所定の範囲内においてマスタパター
ンの第２の位置決めマークと平行な各ライン毎に前記ピ
ーク位置を求めた後、このピーク位置とマスタパターン
の第２の位置決めマークとのずれ量を求め、このずれ量
が最大のラインと最小のラインを除いた残りのラインよ
り前記ピーク位置の平均値を求め、この平均位置を被測
定パターンの第２の位置決めマークと見なすようにした
ものである。また、本発明のパターンの位置合わせ方法
の１構成例は、マスタパターンの分割領域とこれに対応
する被測定パターンの分割領域において各々の第２の位
置決めマークの座標より被測定パターンとマスタパター
ンの間の座標変換式を決定し、マスタパターンの分割領
域を座標変換式によって変換することにより、マスタパ
ターンと被測定パターンの位置合わせを分割領域毎に行
うようにしたものである。そして、本発明のパターンの
位置合わせ方法の１構成例は、前記座標変換式に被測定
パターンの第２の位置決めマークの座標を入力した結果
とマスタパターンの対応位置決めマークの座標との偏差
をマークごとに求め、この偏差が所定のしきい値より大
きい第２の位置決めマークを被測定パターンとマスタパ
ターンの双方から除外して座標変換式を再び求めること
を全ての偏差が所定のしきい値以下となるまで繰り返す
ことにより、前記座標変換式を決定するようにしたもの
である。In one embodiment of the pattern alignment method according to the present invention, the peak position is determined for each line parallel to the second positioning mark of the master pattern within the predetermined range, and then the peak position is determined. The amount of deviation between the position and the second positioning mark of the master pattern is obtained, and the average value of the peak positions is obtained from the remaining lines excluding the lines with the maximum and minimum deviations, and this average position is measured. This is regarded as a second positioning mark of the pattern. Further, one configuration example of the pattern alignment method of the present invention is such that, in the divided region of the master pattern and the corresponding divided region of the pattern to be measured, the coordinates of the second positioning mark and the measured pattern and the master pattern are determined. By determining the coordinate conversion formula between them and converting the divided region of the master pattern by the coordinate conversion formula, the positioning of the master pattern and the pattern to be measured is performed for each divided region. In one configuration example of the pattern alignment method according to the present invention, the deviation between the result of inputting the coordinates of the second positioning mark of the measured pattern into the coordinate conversion formula and the coordinates of the corresponding positioning mark of the master pattern is marked. It is necessary to exclude the second positioning mark whose deviation is larger than a predetermined threshold from both the pattern to be measured and the master pattern and to obtain the coordinate conversion formula again. The coordinate conversion formula is determined by iterating until.

【００１３】[0013]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施の形態を示す位置合わせ方法を用いるパターン検
査方法のフローチャート図、図２はこの検査方法で用い
るパターン検査装置のブロック図である。図２におい
て、パターン検査装置は、銅箔パターンが形成されたテ
ープキャリア１を送り出す供給側のスプロケット２と、
テープキャリア１を巻き取る巻き取り側のスプロケット
３と、テープキャリア１を撮像するラインセンサカメラ
４と、被測定パターンの欠陥候補を検出する一次検査を
行い、欠陥候補の位置を示すアドレス情報を出力する第
１の画像処理装置５と、このアドレス情報により欠陥候
補を含む所定の領域について、被測定パターンとマスタ
パターンの誤差を求め、被測定パターンの二次検査を行
う第２の画像処理装置６と、装置全体を制御するホスト
コンピュータ７と、検査結果を表示するための表示装置
８とを備えている。Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of the invention.
And FIG. 2 is a block diagram of a pattern inspection apparatus used in this inspection method. In FIG. 2, a pattern inspection apparatus includes a sprocket 2 on a supply side that sends out a tape carrier 1 on which a copper foil pattern is formed,
A sprocket 3 on the winding side for winding the tape carrier 1, a line sensor camera 4 for imaging the tape carrier 1, a primary inspection for detecting a defect candidate of the pattern to be measured, and output of address information indicating a position of the defect candidate And a second image processing apparatus 6 that obtains an error between a measured pattern and a master pattern in a predetermined area including a defect candidate based on the address information and performs a secondary inspection of the measured pattern. And a host computer 7 for controlling the entire apparatus, and a display device 8 for displaying inspection results.

【００１４】最初に、検査の前に予め作成しておくマス
タパターンについて説明する。ホストコンピュータ７
は、ＣＡＤ（Computer Aided Design ）システムによっ
て作成され例えば磁気ディスクに書き込まれたテープキ
ャリアの設計値データ（以下、ＣＡＤデータとする）を
図示しない磁気ディスク装置によって読み出し（図１ス
テップ１０１）、読み出したＣＡＤデータからパターン
のエッジデータを抽出する。エッジデータは、パターン
エッジを示す画素「１」の集合である。そして、ホスト
コンピュータ７は、パターンエッジを示す画素「１」で
囲まれた領域を「１」で塗りつぶし、この画素「１」で
塗りつぶされたパターン（パターン以外の背景は
「０」）を検査の基準となる第１のマスタパターンとす
る（ステップ１０２）。First, a master pattern created in advance before inspection will be described. Host computer 7
Are read by a magnetic disk drive (not shown) (step 101 in FIG. 1) and read out, for example, design value data (hereinafter referred to as CAD data) of a tape carrier created by a CAD (Computer Aided Design) system and written on a magnetic disk. The pattern edge data is extracted from the CAD data. The edge data is a set of pixels “1” indicating a pattern edge. Then, the host computer 7 paints the area surrounded by the pixel “1” indicating the pattern edge with “1”, and examines the pattern painted with the pixel “1” (the background other than the pattern is “0”). The first master pattern is used as a reference (step 102).

【００１５】このように本実施の形態では、正確なマス
タパターンを作成するために、テープキャリア１の製造
上のマスタとなったＣＡＤデータを用いる。次に、パタ
ーン検査装置のオペレータは、ＩＣ１個分の全体の位置
合わせを行うための第１の位置決めマークを第１のマス
タパターンＭにおいて３箇所以上指定する（ステップ１
０３）。As described above, in the present embodiment, in order to create an accurate master pattern, CAD data used as a master in manufacturing the tape carrier 1 is used. Next, the operator of the pattern inspection apparatus specifies three or more first positioning marks in the first master pattern M for performing the overall alignment for one IC (step 1).
03).

【００１６】図３はＩＣ１個分の第１のマスタパターン
Ｍを示す図であり、Ｔｍは第１の位置決めマークを示
す。オペレータは、表示装置８の画面に表示された図３
のような映像上において、他のパターンから独立したパ
ターンを第１の位置決めマークＴｍとして指定する。ホ
ストコンピュータ７は、指定された第１の位置決めマー
クＴｍの位置を記憶する。FIG. 3 is a view showing a first master pattern M for one IC, and Tm represents a first positioning mark. The operator displays the screen shown in FIG.
Is specified as a first positioning mark Tm on a video such as that described above. The host computer 7 stores the position of the designated first positioning mark Tm.

【００１７】次に、オペレータは、図４（ａ）のように
ＩＣ１個分の第１のマスタパターンＭ中に複数の分割領
域Ｅｍを設定し、図４（ｂ）のように分割領域Ｅｍ毎に
第２の位置決めマークＦｍ（Ｆｍ１〜Ｆｍ４）を４箇所
以上指定する（ステップ１０４）。すなわち、オペレー
タは、表示装置８の画面に表示された図４（ｂ）のよう
な映像上において、パターンと直交する仮想のラインを
位置決めマークＦｍとして設定する。したがって、図４
（ｂ）の例では、垂直方向（Ｙ方向）のパターンに対し
て水平方向（Ｘ方向）に位置決めマークＦｍが設定され
る。Next, the operator sets a plurality of divided areas Em in the first master pattern M for one IC as shown in FIG. 4A, and sets each divided area Em as shown in FIG. , Four or more second positioning marks Fm (Fm1 to Fm4) are designated (step 104). That is, the operator sets a virtual line orthogonal to the pattern as the positioning mark Fm on the image as shown in FIG. 4B displayed on the screen of the display device 8. Therefore, FIG.
In the example of (b), the positioning mark Fm is set in the horizontal direction (X direction) with respect to the pattern in the vertical direction (Y direction).

【００１８】ホストコンピュータ７は、設定された各分
割領域Ｅｍの位置と大きさを記憶すると共に、第２の位
置決めマークＦｍに関する情報として、位置決めマーク
Ｆｍの方向、長さ及び中心座標と、位置決めマークＦｍ
上のマスタパターンＭの濃淡データ（「０」又は「１」
のデータ列）とを記憶する。なお、各分割領域Ｅｍの大
きさは一定でなくてもよい。The host computer 7 stores the set position and size of each of the divided areas Em, and also stores information on the second positioning mark Fm, such as the direction, length and center coordinates of the positioning mark Fm, and the positioning mark Fm. Fm
The grayscale data ("0" or "1") of the upper master pattern M
) Is stored. Note that the size of each divided region Em may not be constant.

【００１９】次に、ホストコンピュータ７は、第１のマ
スタパターンから欠損、ピンホール又は断線検出用の第
２のマスタパターンと、突起、飛び散り又は短絡検出用
の第３のマスタパターンとを以下のように作成する（ス
テップ１０５）。図５は第２、第３のマスタパターンの
作成方法を説明するための図であり、第１のマスタパタ
ーンの一部を示している。なお、図５では、説明を簡単
にするために、パターンエッジを意味する直線のみで第
１のマスタパターンを表し、パターンエッジを意味する
直線とその内側を意味する斜線で第２、第３のマスタパ
ターンを表しているが、実際の第１〜第３のマスタパタ
ーンは、パターンエッジとその内側が画素「１」で塗り
つぶされたものである。Next, the host computer 7 converts the first master pattern into a second master pattern for detecting a defect, a pinhole or a disconnection, and a third master pattern for detecting a protrusion, scattering or short circuit as follows. (Step 105). FIG. 5 is a diagram for explaining a method of creating the second and third master patterns, and shows a part of the first master pattern. In FIG. 5, for the sake of simplicity, the first master pattern is represented only by a straight line representing a pattern edge, and the second and third lines are represented by a straight line representing a pattern edge and an oblique line representing the inside thereof. Although the master pattern is shown, the actual first to third master patterns are pattern edges and the inside thereof are filled with a pixel “1”.

【００２０】まず、図５（ａ）に示すように、第１のマ
スタパターンをその中心線と直角の方向に収縮させて、
第２のマスタパターンＭ１を作成する。これは、第１の
マスタパターンの両エッジを示す対向する直線Ａ１とＡ
４（中心線はＬ１）の間隔、及びＡ２とＡ３（中心線は
Ｌ２）の間隔を狭くして第１のマスタパターンを細らせ
ることにより作成することができる。First, as shown in FIG. 5A, the first master pattern is contracted in a direction perpendicular to its center line,
A second master pattern M1 is created. This is because opposing straight lines A1 and A1 indicating both edges of the first master pattern
4 (center line is L1) and the distance between A2 and A3 (center line is L2) are narrowed to narrow the first master pattern.

【００２１】この第２のマスタパターンＭ１による欠陥
検出の精度は、第１のマスタパターンをどれだけ収縮さ
せるかによって決まる。例えば、第１のマスタパターン
の幅の１／５を超える欠損が存在するときに欠陥と認識
したい場合は、第２のマスタパターンＭ１の幅を第１の
マスタパターンの幅の３／５となるように縮小すればよ
い。検出精度は、画素単位や実際の寸法で決めてもよい
ことは言うまでもない。こうして、欠損、ピンホール又
は断線検出用の第２のマスタパターンＭ１が作成され
る。The accuracy of defect detection by the second master pattern M1 is determined by how much the first master pattern is contracted. For example, when it is desired to recognize a defect when there is a defect exceeding 1/5 of the width of the first master pattern, the width of the second master pattern M1 is set to 3/5 of the width of the first master pattern. What is necessary is just to reduce it. It goes without saying that the detection accuracy may be determined in pixel units or actual dimensions. Thus, the second master pattern M1 for detecting a defect, a pinhole, or a disconnection is created.

【００２２】続いて、図５（ｂ）に示すように、第１の
マスタパターンをその中心線と直角の方向に膨張させ
て、第３のマスタパターンＭ２を作成する。これは、第
１のマスタパターンの両エッジを示す対向する直線Ａ５
とＡ８（中心線はＬ３）、Ａ６とＡ７（中心線はＬ
４）、Ａ９とＡ１２（中心線はＬ５）及びＡ１０とＡ１
１（中心線はＬ６）の間隔をそれぞれ広くして第１のマ
スタパターンを太らせることにより作成することができ
る。ただし、実際に第３のマスタパターンＭ２になるの
は、膨張処理した結果を論理反転した領域、すなわち直
線Ａ５〜Ａ８からなる第１のマスタパターンＭａと、直
線Ａ９〜Ａ１２からなる第１のマスタパターンＭｂとを
それぞれ膨張処理して生じた２つのパターンに挟まれた
領域である。Subsequently, as shown in FIG. 5 (b), the first master pattern is expanded in a direction perpendicular to the center line to create a third master pattern M2. This corresponds to the opposite straight line A5 indicating both edges of the first master pattern.
And A8 (center line is L3), A6 and A7 (center line is L
4), A9 and A12 (center line is L5) and A10 and A1
1 (the center line is L6), and the first master pattern can be made thicker by widening the respective intervals. However, what actually becomes the third master pattern M2 is an area obtained by logically inverting the result of the expansion processing, that is, a first master pattern Ma composed of straight lines A5 to A8 and a first master pattern composed of straight lines A9 to A12. This is an area sandwiched between two patterns generated by expanding the pattern Mb.

【００２３】この第３のマスタパターンＭ２による欠陥
検出の精度は、第１のマスタパターンをどれだけ膨張さ
せるかによって決まる。例えば、第１のマスタパターン
の幅の１／５を超える欠損が存在するときに欠陥と認識
したい場合は、第３のマスタパターンＭ２の幅を第１の
マスタパターンの幅の７／５となるように拡大すればよ
い。また、画素単位や実際の寸法で検出精度を決めても
よいことは第２のマスタパターンと同様である。こうし
て、突起、飛び散り又は短絡検出用の第３のマスタパタ
ーンＭ２が作成される。The accuracy of defect detection by the third master pattern M2 is determined by how much the first master pattern is expanded. For example, when it is desired to recognize a defect when there is a defect exceeding 1/5 of the width of the first master pattern, the width of the third master pattern M2 is set to 7/5 of the width of the first master pattern. It should just be expanded as follows. The fact that the detection accuracy may be determined in pixel units or actual dimensions is the same as in the second master pattern. Thus, the third master pattern M2 for detecting protrusions, scattering, or short circuits is created.

【００２４】次に、被測定パターンの検査について説明
する。供給側のリール（不図示）に巻かれているテープ
キャリア１は、供給側のスプロケット２と巻き取り側の
スプロケット３により巻き取り側に向かって搬送され、
巻き取りリール（不図示）へ巻き取られる。ラインセン
サカメラ４は、搬送途中のテープキャリア１を撮像す
る。第１の画像処理装置５は、カメラ４から出力された
濃淡画像をディジタル化して、図示しない内部の画像メ
モリにいったん記憶する（ステップ１０６）。カメラ４
は、Ｘ方向に画素が配列されたラインセンサなので、図
示しない搬送機構によりカメラ４をＹ方向に移動させる
ことにより、２次元の画像データが画像メモリに記憶さ
れる。Next, the inspection of the pattern to be measured will be described. A tape carrier 1 wound on a supply-side reel (not shown) is conveyed toward a take-up side by a supply-side sprocket 2 and a take-up-side sprocket 3.
It is taken up on a take-up reel (not shown). The line sensor camera 4 captures an image of the tape carrier 1 being transported. The first image processing device 5 digitizes the grayscale image output from the camera 4 and temporarily stores it in an internal image memory (not shown) (step 106). Camera 4
Is a line sensor in which pixels are arranged in the X direction. Therefore, by moving the camera 4 in the Y direction by a transport mechanism (not shown), two-dimensional image data is stored in the image memory.

【００２５】続いて、画像処理装置５は、画像メモリに
記憶された被測定パターンの濃淡画像を２値化する（ス
テップ１０７）。被測定パターンの濃淡画像データに
は、銅箔パターンとそれ以外の背景（ベースフィルム等
の基材）とが含まれているが、銅箔パターンと背景には
濃度差があるので、銅箔パターンの濃度値と背景の濃度
値の間の値をしきい値として設定すれば、銅箔パターン
は「１」に変換され、背景は「０」に変換される。こう
して、パターンエッジとその内側が画素「１」で塗りつ
ぶされた被測定パターンを得ることができる。Subsequently, the image processing device 5 binarizes the grayscale image of the pattern to be measured stored in the image memory (step 107). The density image data of the pattern to be measured includes the copper foil pattern and the other background (base material such as a base film), but since there is a density difference between the copper foil pattern and the background, the copper foil pattern Is set as a threshold value, the copper foil pattern is converted to “1” and the background is converted to “0”. In this way, it is possible to obtain a pattern to be measured in which the pattern edge and the inside thereof are filled with the pixel “1”.

【００２６】次いで、画像処理装置５は、２値化処理し
たＩＣ１個分の被測定パターンとＩＣ１個分のマスタパ
ターンの全体の位置合わせを行う（ステップ１０８）。
図６はこの位置合わせ方法を説明するための図である。
画像処理装置５には、前述のように第１の位置決めマー
クＴｍが設定されたＩＣ１個分の第１のマスタパターン
Ｍ（図６（ａ））と位置決めマークＴｍの位置情報とが
ホストコンピュータ７より送られる。画像処理装置５
は、画像メモリに記憶したＩＣ１個分の被測定パターン
Ｐにおいて、第１の位置決めマークＴｍに対応する領域
を探索することで、図６（ｂ）のように位置決めマーク
Ｔｍに対応する第１の位置決めマークＴｐを検出する。Next, the image processing apparatus 5 aligns the entire measured pattern of one IC subjected to the binarization processing and the master pattern of one IC (step 108).
FIG. 6 is a diagram for explaining this positioning method.
The image processing apparatus 5 stores the first master pattern M (FIG. 6A) for one IC in which the first positioning mark Tm is set as described above and the position information of the positioning mark Tm in the host computer 7. Sent by Image processing device 5
Is a search for an area corresponding to the first positioning mark Tm in the pattern to be measured P for one IC stored in the image memory, thereby obtaining the first pattern corresponding to the positioning mark Tm as shown in FIG. The positioning mark Tp is detected.

【００２７】そして、画像処理装置５は、被測定パター
ンＰとマスタパターンＭの各々について、Ｘ方向に並ん
だ２つの位置決めマーク間の距離ＤＸｐ、ＤＸｍを求め
る。なお、マーク間距離は、２つの位置決めマークの重
心間の距離である。続いて、画像処理装置５は、求めた
マーク間距離から拡大／縮小率（ＤＸｐ／ＤＸｍ）を算
出し、この拡大／縮小率によりマスタパターンのマーク
間距離が被測定パターンのマーク間距離と一致するよう
に、マスタパターンＭを全方向に拡大又は縮小する。Then, the image processing apparatus 5 obtains the distances DXp and DXm between the two positioning marks arranged in the X direction for each of the measured pattern P and the master pattern M. The distance between marks is the distance between the centers of gravity of two positioning marks. Subsequently, the image processing apparatus 5 calculates an enlargement / reduction rate (DXp / DXm) from the obtained distance between marks, and the distance between marks of the master pattern matches the distance between marks of the pattern to be measured based on the enlargement / reduction rate. The master pattern M is enlarged or reduced in all directions as described above.

【００２８】次いで、画像処理装置５は、拡大／縮小補
正したマスタパターンＭ’と被測定パターンＰのそれぞ
れについて、Ｙ方向に並んだ２つの位置決めマーク間の
距離ＤＹｍ、ＤＹｐを図６（ｃ）、図６（ｄ）のように
求める。そして、被測定パターンのマーク間距離がマス
タパターンのマーク間距離と一致するように、ラインセ
ンサカメラ４とテープキャリア１の相対速度を調整し
て、テープキャリア１を再度撮像する。Ｙ方向の画像分
解能は、ラインセンサカメラ４の画素の大きさと上記相
対速度によって決定される。したがって、ラインセンサ
カメラ４の移動速度を変えることにより、Ｙ方向の画像
分解能を調整し、マーク間距離を一致させることができ
る。Next, the image processing apparatus 5 determines the distances DYm and DYp between the two positioning marks arranged in the Y direction for each of the master pattern M 'subjected to the enlargement / reduction correction and the pattern P to be measured, as shown in FIG. , As shown in FIG. Then, the relative speed between the line sensor camera 4 and the tape carrier 1 is adjusted so that the distance between marks of the pattern to be measured matches the distance between marks of the master pattern, and the tape carrier 1 is imaged again. The image resolution in the Y direction is determined by the pixel size of the line sensor camera 4 and the relative speed. Therefore, by changing the moving speed of the line sensor camera 4, the image resolution in the Y direction can be adjusted, and the distance between marks can be matched.

【００２９】次に、画像処理装置５は、こうして撮像し
て得られた被測定パターンＰ’の位置決めマーク位置と
拡大／縮小補正したマスタパターンＭ’の位置決めマー
ク位置により、図６（ｅ）のようにパターンＰ’、Ｍ’
の角度ずれθを求め、この角度ずれがなくなるようにマ
スタパターンＭ’を回転させる。最後に、画像処理装置
５は、互いのマーク位置が一致するように、マスタパタ
ーンＭ’と被測定パターンＰ’の位置を合わせる。Next, the image processing device 5 uses the positioning mark positions of the measured pattern P 'obtained by imaging in this manner and the positioning mark positions of the enlarged / reduced corrected master pattern M' as shown in FIG. Pattern P ', M'
Is obtained, and the master pattern M ′ is rotated so as to eliminate the angle shift. Finally, the image processing apparatus 5 aligns the positions of the master pattern M ′ and the pattern to be measured P ′ so that the mark positions match each other.

【００３０】このように本実施の形態では、ラインセン
サカメラ４の画素数によって決定されるＸ方向の画像分
解能に対して、カメラ４の取り込み速度を変えてＹ方向
の画像分解能を調整することにより、縦（Ｙ）、横
（Ｘ）の比率を１：１にすることができる。したがっ
て、良品ではあっても規格に対して許容できる範囲内の
伸びが存在する被測定パターンをマスタパターンに一致
させることができ、形成時のパターン位置のばらつきに
対して自動的にパターンの位置補正を行うことができ
る。As described above, in the present embodiment, the image resolution in the Y direction is adjusted by changing the capture speed of the camera 4 with respect to the image resolution in the X direction determined by the number of pixels of the line sensor camera 4. , Vertical (Y) and horizontal (X) can be set to 1: 1. Therefore, the pattern to be measured, which is a good product but has an elongation within the allowable range with respect to the standard, can be matched with the master pattern, and the position of the pattern is automatically corrected for variations in the pattern position during formation. It can be performed.

【００３１】次に、画像処理装置５は、被測定パターン
とマスタパターンの分割領域ごとの位置合わせを行う
（ステップ１０９）。図７はこの分割領域ごとの位置合
わせ方法を示すフローチャート図、図８はこの位置合わ
せ方法を説明するための図である。ステップ１０９の位
置合わせ処理において、画像処理装置５は、図８（ａ）
に示すＩＣ１個分の第１のマスタパターンＭから１つの
分割領域Ｅｍを切り出すと共に、この分割領域Ｅｍに対
応する分割領域Ｅｐを図８（ｂ）に示すＩＣ１個分の被
測定パターンＰから切り出す（図７ステップ２０１）。Next, the image processing apparatus 5 performs positioning of the pattern to be measured and the master pattern for each divided region (step 109). FIG. 7 is a flowchart showing a positioning method for each divided area, and FIG. 8 is a diagram for explaining the positioning method. In the alignment processing in step 109, the image processing apparatus 5
8A, one divided region Em is cut out from the first master pattern M for one IC, and a divided region Ep corresponding to the divided region Em is cut out from the pattern to be measured P for one IC shown in FIG. (Step 201 in FIG. 7).

【００３２】続いて、画像処理装置５は、分割領域Ｅｍ
に設定された第２の位置決めマークＦｍ（Ｆｍ１〜Ｆｍ
４）に対応する、分割領域Ｅｐ中の第２の位置決めマー
クを探索する（ステップ２０２）。図９はこの探索方法
を示すフローチャート図、図１０は分割領域Ｅｐにおけ
る第２の位置決めマークの探索範囲を示す図である。被
測定パターンの分割領域Ｅｐにおいて第２の位置決めマ
ークの探索範囲は、図１０に示すように、位置決めマー
クＦｍと平行な方向については、位置決めマークＦｍに
対応する座標位置±８画素の範囲であり、位置決めマー
クＦｍと直角の方向については、位置決めマークＦｍに
対応する座標位置±２ラインの計５ラインの範囲であ
る。Subsequently, the image processing device 5 sets the divided area Em
The second positioning mark Fm (Fm1-Fm
A search is made for a second positioning mark in the divided area Ep corresponding to 4) (step 202). FIG. 9 is a flowchart illustrating this search method, and FIG. 10 is a diagram illustrating a search range of the second positioning mark in the divided area Ep. As shown in FIG. 10, the search range of the second positioning mark in the divided region Ep of the pattern to be measured is a range of coordinate positions ± 8 pixels corresponding to the positioning mark Fm in a direction parallel to the positioning mark Fm. The direction perpendicular to the positioning mark Fm is a range of a total of five lines of ± 2 lines at the coordinate position corresponding to the positioning mark Fm.

【００３３】ステップ２０２の探索処理において、画像
処理装置５は、位置決めマークＦｍと直角の方向につい
て探索位置座標ｙｓの開始値を設定する（図９ステップ
３０１）。このときの開始値は、図１０に示した探索範
囲中の最小値なので、位置決めマークＦｍに対応する座
標位置−２となる。In the search processing in step 202, the image processing apparatus 5 sets the start value of the search position coordinates ys in a direction perpendicular to the positioning mark Fm (step 301 in FIG. 9). Since the start value at this time is the minimum value in the search range shown in FIG. 10, it becomes the coordinate position -2 corresponding to the positioning mark Fm.

【００３４】さらに、画像処理装置５は、位置決めマー
クＦｍと平行な方向について探索位置座標ｘｓの開始値
を設定する（ステップ３０２）。このときの開始値は、
位置決めマークＦｍに対応する座標位置（マークＦｍの
中心座標）−８となる。次に、画像処理装置５は、位置
決めマークＦｍ上のマスタパターンの濃淡データと前記
探索位置における被測定パターンの濃淡データとの正規
化相関値ＣＯＲ（ｘｓ）を次式によって算出する（ステ
ップ３０３）。Further, the image processing device 5 sets a start value of the search position coordinate xs in a direction parallel to the positioning mark Fm (step 302). The starting value at this time is
The coordinate position (center coordinate of the mark Fm) corresponding to the positioning mark Fm is -8. Next, the image processing device 5 calculates a normalized correlation value COR (xs) between the density data of the master pattern on the positioning mark Fm and the density data of the pattern to be measured at the search position by the following equation (step 303). .

【００３５】[0035]

【数１】 (Equation 1)

【００３６】式（１）において、ｍａｓｔｅｒｌｅｎｇ
ｔｈは位置決めマークＦｍの長さ、ｍａｓｔｅｒ（ｉ）
は位置決めマークＦｍ上のマスタパターンの濃淡データ
（ｉは１，２，３，・・・・ｍａｓｔｅｒｌｅｎｇｔ
ｈ）、ｇｒａｙ（ｉ＋ｘｓ）はマークＦｍと直角方向の
座標が探索位置座標ｙｓで、マークＦｍと平行方向の座
標がｉ＋ｘｓの点における被測定パターンの濃淡データ
である。In equation (1), masterlength
th is the length of the positioning mark Fm, master (i)
Is the density data of the master pattern on the positioning mark Fm (i is 1, 2, 3,..., Masterlength)
h) and gray (i + xs) are grayscale data of the pattern to be measured at a point where the coordinates in the direction perpendicular to the mark Fm are the search position coordinates ys and the coordinates in the direction parallel to the mark Fm are i + xs.

【００３７】ステップ３０１，３０２により、現在の探
索位置座標ｘｓ，ｙｓは、共に開始値である。相関値Ｃ
ＯＲ（ｘｓ）を算出した後、画像処理装置５は、位置決
めマークＦｍと平行方向の探索位置座標ｘｓが終了値に
達したか否かを判定する（ステップ３０４）。このとき
の終了値は、図１０に示した探索範囲中の最大値なの
で、位置決めマークＦｍに対応する座標位置（マークＦ
ｍの中心座標）＋８となる。According to steps 301 and 302, the current search position coordinates xs and ys are both start values. Correlation value C
After calculating OR (xs), the image processing device 5 determines whether or not the search position coordinate xs in the direction parallel to the positioning mark Fm has reached the end value (step 304). Since the end value at this time is the maximum value in the search range shown in FIG. 10, the coordinate value (the mark F
(center coordinate of m) +8.

【００３８】画像処理装置５は、探索位置座標ｘｓが終
了値に達していない場合、探索位置座標ｘｓを１増やし
（ステップ３０５）、再び相関値ＣＯＲ（ｘｓ）を算出
する（ステップ３０３）。このような相関値ＣＯＲ（ｘ
ｓ）の算出が探索位置座標ｘｓの終了値に達するまで繰
り返される。探索位置座標ｘｓが終了値に達した後、画
像処理装置５は、算出した相関値ＣＯＲ（ｘｓ）のうち
最大の相関値ＣＯＲ（ｘｓｍ）と、ｘｓｍ±１画素の相
関値ＣＯＲ（ｘｓｍ−１），ＣＯＲ（ｘｓｍ＋１）とか
ら、相関値ＣＯＲ（ｘｓ）が極大値をとる位置（以下、
ピーク位置と呼ぶ）を画素以下の精度で算出する（ステ
ップ３０６）。If the search position coordinate xs has not reached the end value, the image processing apparatus 5 increases the search position coordinate xs by 1 (step 305), and calculates the correlation value COR (xs) again (step 303). Such a correlation value COR (x
The calculation of s) is repeated until the end value of the search position coordinates xs is reached. After the search position coordinate xs reaches the end value, the image processing device 5 calculates the maximum correlation value COR (xsm) of the calculated correlation values COR (xs) and the correlation value COR (xsm−1) of xsm ± 1 pixel. ), COR (xsm + 1), a position where the correlation value COR (xs) takes a local maximum value (hereinafter, referred to as a position).
(Referred to as a peak position) is calculated with an accuracy of a pixel or less (step 306).

【００３９】図１１は相関値ＣＯＲ（ｘｓ）のピーク位
置の算出方法を説明するための図である。本実施の形態
では、相関値ＣＯＲ（ｘｓｍ），ＣＯＲ（ｘｓｍ−
１），ＣＯＲ（ｘｓｍ＋１）が２次式にのっているもの
とする。これにより、次式が成立する。FIG. 11 is a diagram for explaining a method of calculating the peak position of the correlation value COR (xs). In the present embodiment, the correlation values COR (xsm) and COR (xsm−
1), COR (xsm + 1) is assumed to be quadratic. Thereby, the following equation is established.

【００４０】[0040]

【数２】 (Equation 2)

【００４１】[0041]

【数３】 (Equation 3)

【００４２】[0042]

【数４】 (Equation 4)

【００４３】式（２）、式（３）、式（４）より、係数
ａ，ｂ，ｃは次式のように求めることができる。From the equations (2), (3) and (4), the coefficients a, b and c can be obtained as follows.

【００４４】[0044]

【数５】 (Equation 5)

【００４５】[0045]

【数６】 (Equation 6)

【００４６】[0046]

【数７】 (Equation 7)

【００４７】一方、ａｘ² ＋ｂｘ＋ｃをｘで微分した傾
きが０になる点がピーク位置なので、次式が成立する。On the other hand, the point where the slope obtained by differentiating ax ² + bx + c with respect to x becomes 0 is the peak position, so the following equation is established.

【００４８】[0048]

【数８】 (Equation 8)

【００４９】式（５）〜式（８）より、ピーク位置のＸ
座標ｘは次式のように求めることができる。From equations (5) to (8), X at the peak position
The coordinate x can be obtained as in the following equation.

【００５０】[0050]

【数９】 (Equation 9)

【００５１】こうして、式（９）により、ピーク位置の
Ｘ座標ｘを画素以下の精度で求めることができる。次
に、画像処理装置５は、位置決めマークＦｍの中心座標
とピーク位置のＸ座標ｘとのずれ量、すなわちマークＦ
ｍの中心座標からピーク位置のＸ座標ｘを引いた、マー
クＦｍと平行方向のずれ量の絶対値が６画素以上である
か否かを判定する（ステップ３０７）。さらに、画像処
理装置５は、相関値ＣＯＲ（ｘｓ）の極大値（ピーク位
置ｘにおける相関値）が０．５以下であるか否かを判定
する（ステップ３０８）。In this way, the X coordinate x of the peak position can be obtained with the precision of the pixel or less by the equation (9). Next, the image processing apparatus 5 determines the amount of deviation between the center coordinate of the positioning mark Fm and the X coordinate x of the peak position, that is, the mark F
It is determined whether or not the absolute value of the shift amount in the direction parallel to the mark Fm, which is obtained by subtracting the X coordinate x of the peak position from the center coordinate of m, is 6 pixels or more (step 307). Further, the image processing device 5 determines whether or not the maximum value (correlation value at the peak position x) of the correlation value COR (xs) is 0.5 or less (Step 308).

【００５２】画像処理装置５は、位置決めマークＦｍと
平行方向のずれ量の絶対値が６画素以上である場合、若
しくは相関値ＣＯＲ（ｘｓ）の極大値が０．５以下であ
る場合、探索位置座標ｙｓの現在の探索ラインを、第２
の位置決めマークを検出することができなかったライン
とする（ステップ３０９）。検出することができなかっ
たラインとするのは、ずれ量の絶対値が６画素以上の場
合、位置決めマークＦｍに対応していない別の位置を探
索している可能性が高く、相関値ＣＯＲ（ｘｓ）の極大
値が０．５以下の場合、位置決めマークＦｍとの相関性
が不十分なことが理由である。When the absolute value of the shift amount in the direction parallel to the positioning mark Fm is 6 pixels or more, or when the maximum value of the correlation value COR (xs) is 0.5 or less, the image processing device 5 The current search line at coordinates ys is
Is determined as a line for which no positioning mark could be detected (step 309). The line that could not be detected is likely to be searched for another position that does not correspond to the positioning mark Fm when the absolute value of the shift amount is 6 pixels or more, and the correlation value COR ( When the maximum value of xs) is 0.5 or less, it is because the correlation with the positioning mark Fm is insufficient.

【００５３】次に、画像処理装置５は、探索位置座標ｙ
ｓが終了値に達したか否かを判定する（ステップ３１
０）。このときの終了値は、図１０に示した探索範囲中
の最大値なので、位置決めマークＦｍに対応する座標位
置＋２となる。画像処理装置５は、探索位置座標ｙｓが
終了値に達していない場合、探索位置座標ｙｓを１増や
し（ステップ３１１）、ステップ３０２〜３０９の処理
を再び行う。このようなピーク位置の算出が探索位置座
標ｙｓの終了値に達するまで繰り返される。Next, the image processing apparatus 5 sets the search position coordinates y
It is determined whether or not s has reached the end value (step 31).
0). Since the end value at this time is the maximum value in the search range shown in FIG. 10, it is the coordinate position +2 corresponding to the positioning mark Fm. When the search position coordinate ys has not reached the end value, the image processing device 5 increments the search position coordinate ys by 1 (step 311), and performs the processing of steps 302 to 309 again. Such calculation of the peak position is repeated until the search position coordinate ys reaches the end value.

【００５４】探索位置座標ｙｓが終了値に達した後、画
像処理装置５は、第２の位置決めマークＦｍに対応す
る、分割領域Ｅｐ中の第２の位置決めマークＦｐの座標
を算出する（ステップ３１２）。この位置決めマークＦ
ｐのマークＦｍと直角方向の座標については、マークＦ
ｍの中心座標をそのまま用いる。また、画像処理装置５
は、前記探索範囲のうち前記ずれ量が最大のラインと最
小のラインを除いた、マークＦｍと平行方向の３ライン
よりピーク位置のＸ座標ｘの平均値を求め、この平均値
を位置決めマークＦｐのマークＦｍと平行方向の座標と
する。このような座標の算出方法により、後述する座標
変換式による位置補正は、マークＦｍと平行な方向につ
いてのみ行われる。なお、ステップ３０９の処理により
未検出のラインが存在する場合には、３ライン分の平均
値を求めることができないので、位置決めマークＦｐを
検出することができなかったと判断する。After the search position coordinate ys reaches the end value, the image processing device 5 calculates the coordinates of the second positioning mark Fp in the divided area Ep corresponding to the second positioning mark Fm (step 312). ). This positioning mark F
For the coordinates in the direction perpendicular to the mark Fm of p, the mark F
The center coordinates of m are used as they are. Further, the image processing device 5
Calculates the average value of the X-coordinate x of the peak position from three lines parallel to the mark Fm excluding the line with the largest amount of deviation and the line with the smallest amount of deviation in the search range, and calculates this average value as the positioning mark Fp The coordinates in the direction parallel to the mark Fm. With such a coordinate calculation method, position correction based on a coordinate conversion formula described later is performed only in a direction parallel to the mark Fm. If an undetected line exists in the process of step 309, it is determined that the positioning mark Fp could not be detected because the average value of three lines cannot be obtained.

【００５５】以上のようなステップ２０２（３０１〜３
１２）の処理が分割領域Ｅｍに設定された全ての第２の
位置決めマークＦｍ（Ｆｍ１〜Ｆｍ４）に対して行われ
る。なお、本実施の形態では、Ｘ軸と平行な位置決めマ
ークＦｍについてのみ説明しているが、位置決めマーク
ＦｍがＹ軸と平行な場合についても同様である。ただ
し、マークＦｍがＹ軸と平行な場合は、ステップ２０２
に関する前述の説明において、探索位置座標ｘｓとｙｓ
が入れ替わり、ピーク位置の座標ｘがｙとなり、ｘｓｍ
がｙｓｍとなる。Step 202 (301 to 301) as described above
The processing of 12) is performed on all the second positioning marks Fm (Fm1 to Fm4) set in the divided area Em. In the present embodiment, only the positioning mark Fm parallel to the X axis is described, but the same applies to the case where the positioning mark Fm is parallel to the Y axis. However, if the mark Fm is parallel to the Y axis, step 202
In the above description regarding the search position coordinates xs and ys
Are replaced, the coordinate x of the peak position becomes y, and xsm
Becomes ysm.

【００５６】こうして、図８（ｃ）に示すようにマスタ
パターンＭの分割領域Ｅｍにおいて予め設定された位置
決めマークＦｍ（Ｆｍ１〜Ｆｍ４）に対して、これらに
対応する位置決めマークＦｐ（Ｆｐ１〜Ｆｐ４）を被測
定パターンＰの対応分割領域Ｅｐにおいて図８（ｄ）の
ように求めることができる。Thus, as shown in FIG. 8C, the positioning marks Fm (Fm1 to Fm4) set in advance in the divided area Em of the master pattern M correspond to the positioning marks Fp (Fp1 to Fp4) corresponding thereto. In the corresponding divided region Ep of the pattern P to be measured as shown in FIG.

【００５７】次に、画像処理装置５は、位置決めマーク
Ｆｍ１〜Ｆｍ４の座標とこれに対応する位置決めマーク
Ｆｐ１〜Ｆｐ４の座標により、被測定パターンとマスタ
パターンの間の次式のような座標変換式を最小２乗法に
よって求める（図７ステップ２０３）。 Ｘｍ＝αＸｐ＋βＹｐ＋γ Ｙｍ＝δＸｐ＋εＹｐ＋ζ ・・・（１０）Next, the image processing device 5 calculates the coordinate conversion formula between the pattern to be measured and the master pattern by using the coordinates of the positioning marks Fm1 to Fm4 and the coordinates of the corresponding positioning marks Fp1 to Fp4. Is obtained by the least squares method (step 203 in FIG. 7). Xm = αXp + βYp + γ Ym = δXp + εYp + ζ (10)

【００５８】式（１０）において、Ｘｍ，Ｙｍはマスタ
パターンのＸ，Ｙ座標、Ｘｐ，Ｙｐは被測定パターンの
Ｘ，Ｙ座標、α，β，γ，δ，ε，ζは定数である。次
に、画像処理装置５は、位置決めマークＦｐ１〜Ｆｐ４
のうちの任意の位置決めマーク、例えばマークＦｐ１の
座標をＸｐ，Ｙｐとして式（１０）の座標変換式に代入
し、座標Ｘｍ，Ｙｍを算出する。そして、座標変換式に
代入した位置決めマークＦｐ１に対応する位置決めマー
クＦｍ１の座標と算出した座標Ｘｍ，Ｙｍとの偏差を
Ｘ，Ｙ座標ごとに求める。このような偏差の計算を位置
決めマーク毎に行う（ステップ２０４）。In equation (10), Xm and Ym are the X and Y coordinates of the master pattern, Xp and Yp are the X and Y coordinates of the pattern to be measured, and α, β, γ, δ, ε, and ζ are constants. Next, the image processing device 5 performs positioning marks Fp1 to Fp4.
The coordinates of an arbitrary positioning mark, for example, the mark Fp1, are substituted into the coordinate conversion formula of Expression (10) as Xp and Yp, and the coordinates Xm and Ym are calculated. Then, a deviation between the coordinates of the positioning mark Fm1 corresponding to the positioning mark Fp1 substituted into the coordinate conversion formula and the calculated coordinates Xm, Ym is obtained for each X, Y coordinate. The calculation of such a deviation is performed for each positioning mark (step 204).

【００５９】続いて、画像処理装置５は、算出した各偏
差が所定のしきい値より大きいか否かを判定し（ステッ
プ２０５）、全ての偏差が所定のしきい値以下の場合、
被測定パターンの分割領域Ｅｐの歪みが許容範囲内で、
かつ導出した座標変換式が適正であると判断し、この座
標変換式を用いて分割領域Ｅｍ内のマスタパターンの座
標変換を行う（ステップ２０６）。Subsequently, the image processing apparatus 5 determines whether each of the calculated deviations is larger than a predetermined threshold (Step 205).
When the distortion of the divided region Ep of the pattern to be measured is within the allowable range,
In addition, it is determined that the derived coordinate conversion formula is appropriate, and the coordinate conversion of the master pattern in the divided area Em is performed using this coordinate conversion formula (step 206).

【００６０】また、画像処理装置５は、全ての偏差が所
定のしきい値より大きい場合、被測定パターンの分割領
域Ｅｐの歪みが許容範囲外であり、検査対象のテープキ
ャリア１が不良であると判断する（ステップ２０７）。
一方、画像処理装置５は、しきい値以下の偏差としきい
値より大きい偏差が混在する場合、偏差がしきい値より
大となる位置決めマーク、例えばマークＦｐ４とこれに
対応する位置決めマークＦｍ４を除外した上で（ステッ
プ２０８）、残りの位置決めマークＦｍ１〜Ｆｍ３，Ｆ
ｐ１〜Ｆｐ３の座標により、式（１０）の座標変換式を
再び求める（ステップ２０３）。When all the deviations are larger than the predetermined threshold value, the distortion of the divided area Ep of the pattern to be measured is out of the allowable range, and the tape carrier 1 to be inspected is defective. Is determined (step 207).
On the other hand, when the deviation smaller than the threshold value and the deviation larger than the threshold value are mixed, the image processing apparatus 5 excludes the positioning mark having the deviation larger than the threshold value, for example, the mark Fp4 and the corresponding positioning mark Fm4. (Step 208), the remaining positioning marks Fm1 to Fm3, Fm
From the coordinates of p1 to Fp3, the coordinate conversion equation of equation (10) is obtained again (step 203).

【００６１】以上のようなステップ２０３〜２０５，２
０７，２０８の処理を各偏差が所定のしきい値以下とな
るまで繰り返す。こうして、式（１０）の座標変換式を
決定し、ステップ２０６のマスタパターンの変換を行う
ことができる。式（１０）のような座標変換式を用いる
ことは、いわゆるアフィン変換（affine transformatio
n ）を行うことを意味し、これにより分割領域Ｅｍと分
割領域Ｅｐの位置ずれを補正することができる。なお、
第２、第３のマスタパターンは第１のマスタパターンか
ら作成されたものなので、第１〜第３のマスタパターン
と被測定パターンとの位置合わせは第１のマスタパター
ンを用いて１回行えばよい。Steps 203 to 205, 2 as described above
Steps 07 and 208 are repeated until each deviation becomes equal to or less than a predetermined threshold value. In this manner, the coordinate conversion equation of equation (10) is determined, and the master pattern can be converted in step 206. Using a coordinate transformation equation such as equation (10) is a so-called affine transform
n), whereby the positional deviation between the divided region Em and the divided region Ep can be corrected. In addition,
Since the second and third master patterns are created from the first master pattern, the alignment between the first to third master patterns and the pattern to be measured is performed once using the first master pattern. Good.

【００６２】また、式（１０）の座標変換式を求めるに
は、マスタパターン及び被測定パターン共に最低３点ず
つの第２の位置決めマークが必要である。しかし、３点
ずつでは座標変換式の精度が悪くなるため、最低４点ず
つの第２の位置決めマークを指定して、偏差がしきい値
より大となる第２の位置決めマークを座標変換式の導出
から除外するようにしている。したがって、マスタパタ
ーン及び被測定パターン共に第２の位置決めマークが３
点ずつとなっても、各偏差がしきい値以下とならない場
合には、第２の位置決めマークを２点ずつにして座標変
換式を求めることはできないので、この場合も検査対象
のテープキャリア１が不良であると判断する。Further, in order to obtain the coordinate conversion equation of equation (10), at least three second positioning marks are required for each of the master pattern and the pattern to be measured. However, since the accuracy of the coordinate conversion formula deteriorates at every three points, a second positioning mark of at least four points is designated, and the second positioning mark whose deviation is larger than the threshold value is determined by the coordinate conversion formula. It is excluded from derivation. Therefore, the second positioning mark is 3 for both the master pattern and the pattern to be measured.
If the deviation does not fall below the threshold value even if the points are point by point, it is not possible to determine the coordinate conversion equation by setting the second positioning mark to two points at a time. Is determined to be defective.

【００６３】ステップ１０９の位置合わせ処理が終了し
た後、画像処理装置５は、被測定パターンの分割領域と
これに対応する第２、第３のマスタパターン及び後述す
る第４、第５のマスタパターンの各分割領域とを比較し
て、被測定パターンの一次検査を行う（ステップ１１０
〜１１３）。ステップ１１０〜１１３の検査は、画像処
理装置５のハードウェアによって同時に実施される。After the positioning process in step 109 is completed, the image processing apparatus 5 sets the divided area of the pattern to be measured, the second and third master patterns corresponding to the divided area, and the fourth and fifth master patterns described later. (Step 110)
To 113). The inspections in steps 110 to 113 are simultaneously performed by the hardware of the image processing apparatus 5.

【００６４】まず、第２のマスタパターンＭ１との比較
による検査（ステップ１１０）について説明する。図１
２はこの検査方法を説明するための図である。なお、図
１２の例では、梨地で示すパターンＮＰを除いた部分が
被測定パターンＰである。画像処理装置５は、図１２に
示すように、被測定パターンＰの分割領域Ｅｐと第２の
マスタパターンＭ１の上記座標変換式によって位置補正
がなされた対応分割領域Ｅｍとを比較する。ただし、実
際に比較するのは、被測定パターンＰを論理反転したパ
ターンＮＰと第２のマスタパターンＭ１である。First, the inspection (step 110) by comparison with the second master pattern M1 will be described. FIG.
FIG. 2 is a view for explaining this inspection method. In the example of FIG. 12, the portion other than the satin-finished pattern NP is the pattern to be measured P. As shown in FIG. 12, the image processing device 5 compares the divided area Ep of the pattern to be measured P with the corresponding divided area Em of the second master pattern M1 whose position has been corrected by the coordinate conversion formula. However, what is actually compared is the pattern NP obtained by logically inverting the pattern P to be measured and the second master pattern M1.

【００６５】パターンＮＰと第２のマスタパターンＭ１
との論理積をとると、この論理積の結果は、被測定パタ
ーンＰに欠損や断線があるか否かによって異なる。例え
ば、被測定パターンＰがその値として「１」を有し、同
様にマスタパターンＭ１が「１」を有するとき、被測定
パターンＰに欠損や断線がない場合は、パターンＮＰと
マスタパターンＭ１が重なることがないので、この論理
積の結果は「０」となる。Pattern NP and second master pattern M1
The result of this logical product differs depending on whether the pattern P to be measured has a defect or a disconnection. For example, when the pattern to be measured P has “1” as its value and the master pattern M1 has “1”, if the pattern to be measured P has no loss or disconnection, the pattern NP and the master pattern M1 Since there is no overlap, the result of this logical product is “0”.

【００６６】これに対して、図１２のように被測定パタ
ーンＰに欠損Ｃがあると、この部分でパターンＮＰとマ
スタパターンＭ１が重なるので、論理積の結果が「１」
となる。これは、被測定パターンにピンホールＨや断線
がある場合も同様である。こうして、被測定パターンの
欠損、ピンホールあるいは断線を検出することができ
る。そして、画像処理装置５は、論理積の結果が「１」
となって欠陥候補と認識した位置（図１２では、Ｃ，Ｈ
の位置）を記憶する。On the other hand, if there is a defect C in the pattern P to be measured as shown in FIG. 12, the pattern NP and the master pattern M1 overlap in this portion, and the result of the logical product is "1".
Becomes This is the same when the pattern to be measured has a pinhole H or a disconnection. In this way, it is possible to detect a defect, a pinhole or a disconnection in the pattern to be measured. Then, the image processing device 5 determines that the result of the logical product is “1”.
And the position recognized as a defect candidate (C, H in FIG. 12)
Position) is stored.

【００６７】次に、第３のマスタパターンＭ２との比較
による検査（ステップ１１１）について説明する。図１
３はこの検査方法を説明するための図である。画像処理
装置５は、図１３に示すように、被測定パターンＰの分
割領域Ｅｐと第３のマスタパターンＭ２の上記座標変換
式によって位置補正がなされた対応分割領域Ｅｍとを比
較する。上記と同様に、被測定パターンＰａ、Ｐｂと第
３のマスタパターンＭ２の論理積をとると、この論理積
の結果は、被測定パターンＰａ、Ｐｂに突起や短絡があ
るか否かによって異なる。つまり、被測定パターンＰ
ａ、Ｐｂに突起や短絡がない場合は、論理積の結果は
「０」となる。Next, the inspection (step 111) by comparison with the third master pattern M2 will be described. FIG.
FIG. 3 is a diagram for explaining this inspection method. As shown in FIG. 13, the image processing device 5 compares the divided area Ep of the pattern to be measured P with the corresponding divided area Em of the third master pattern M2 whose position has been corrected by the coordinate conversion formula. Similarly to the above, when the logical product of the measured patterns Pa and Pb and the third master pattern M2 is obtained, the result of the logical product differs depending on whether the measured patterns Pa and Pb have a protrusion or a short circuit. That is, the pattern to be measured P
If there is no protrusion or short circuit in a and Pb, the result of the logical product is “0”.

【００６８】これに対し、図１３のように被測定パター
ンＰａに突起Ｋがあると、この部分で被測定パターンＰ
ａとマスタパターンＭ２が重なるので、論理積の結果が
「１」となる。同様に、被測定パターンＰａ、Ｐｂ間に
短絡Ｓが存在すると、論理積の結果が「１」となる。こ
れは、被測定パターンに飛び散りが存在する場合も同様
である。こうして、被測定パターンの突起、飛び散りあ
るいは短絡を検出することができる。そして、画像処理
装置５は、論理積の結果が「１」となって欠陥候補と認
識した位置（図１３では、Ｋ，Ｓの位置）を記憶する。On the other hand, if there is a protrusion K in the pattern Pa to be measured as shown in FIG.
Since “a” and the master pattern M2 overlap, the result of the logical product is “1”. Similarly, if there is a short circuit S between the patterns Pa and Pb to be measured, the result of the logical product becomes “1”. The same applies to the case where a scattering exists in the pattern to be measured. In this way, it is possible to detect a protrusion, a scatter or a short circuit of the pattern to be measured. Then, the image processing device 5 stores the position (the position of K and S in FIG. 13) at which the result of the logical product becomes “1” and is recognized as a defect candidate.

【００６９】次に、第４のマスタパターンとの比較によ
る検査（ステップ１１２）について説明する。図１４は
この検査方法を説明するための図である。図１４（ａ）
に示す被測定パターンＰにおいて、第２のマスタパター
ンＭ１に対応する領域と第３のマスタパターンＭ２に対
応する領域との間に飛び散りＦが存在するとき、上記の
検査では飛び散りＦを検出できない。第４のマスタパタ
ーンは、このような飛び散りＦを検出するためのもので
ある。Next, the inspection (step 112) by comparison with the fourth master pattern will be described. FIG. 14 is a diagram for explaining this inspection method. FIG. 14 (a)
In the pattern to be measured P shown in FIG. 5, when the splash F exists between the area corresponding to the second master pattern M1 and the area corresponding to the third master pattern M2, the splash F cannot be detected by the above inspection. The fourth master pattern is for detecting such scattering F.

【００７０】画像処理装置５は、第２のマスタパターン
Ｍ１をその中心線Ｌと直角の方向に膨張させる（図１４
（ｂ））。このとき、画像処理装置５は、マスタパター
ンＭ１を所定の画素分膨張させる。続いて、画像処理装
置５は、マスタパターンＭ１を膨張させた結果と被測定
パターンＰとの論理積をとる。この場合、膨張処理後の
マスタパターンＭ１と対応する領域（図１４（ｂ）にお
いてパターンＭ１と重なっている領域）の被測定パター
ンＰの画素が全て「１」なので、膨張処理後のマスタパ
ターンＭ１と対応する領域における論理積の結果が全て
「１」となる。したがって、この論理積の結果は、膨張
処理後のマスタパターンＭ１と同一であり、これを第４
のマスタパターンＭ３とする（図１４（ｃ））。The image processing device 5 expands the second master pattern M1 in a direction perpendicular to the center line L (FIG. 14).
(B)). At this time, the image processing device 5 expands the master pattern M1 by a predetermined number of pixels. Subsequently, the image processing apparatus 5 calculates the logical product of the result of expanding the master pattern M1 and the pattern P to be measured. In this case, since all the pixels of the pattern P to be measured in the area corresponding to the master pattern M1 after the expansion processing (the area overlapping the pattern M1 in FIG. 14B) are “1”, the master pattern M1 after the expansion processing is used. Are all "1" in the area corresponding to. Therefore, the result of the logical product is the same as the master pattern M1 after the expansion processing,
(FIG. 14 (c)).

【００７１】続いて、画像処理装置５は、第４のマスタ
パターンＭ３をその中心線Ｌと直角の方向に膨張させる
（図１４（ｄ））。このとき、画像処理装置５は、マス
タパターンＭ３を所定の画素分膨張させる。そして、画
像処理装置５は、マスタパターンＭ３を膨張させた結果
と被測定パターンＰとの論理積をとる。この場合、膨張
処理後のマスタパターンＭ３と対応する領域（図１４
（ｄ）においてマスタパターンＭ３と重なっている領
域）の被測定パターンＰの画素が全て「１」なので、膨
張処理後のマスタパターンＭ３と対応する領域における
論理積の結果が全て「１」となる。したがって、この論
理積の結果は、膨張処理後のマスタパターンＭ３と同一
であり、これを新たな第４のマスタパターンＭ３とする
（図１４（ｅ））。Subsequently, the image processing device 5 expands the fourth master pattern M3 in a direction perpendicular to the center line L (FIG. 14D). At this time, the image processing device 5 expands the master pattern M3 by a predetermined number of pixels. Then, the image processing device 5 takes the logical product of the result of expanding the master pattern M3 and the pattern P to be measured. In this case, the area corresponding to the master pattern M3 after the expansion processing (FIG. 14)
Since all the pixels of the pattern P to be measured in the area overlapping the master pattern M3 in (d) are “1”, the result of the logical product in the area corresponding to the master pattern M3 after the expansion processing is all “1”. . Therefore, the result of the logical product is the same as the master pattern M3 after the expansion processing, and is set as a new fourth master pattern M3 (FIG. 14E).

【００７２】このような膨張処理と論理積処理が繰り返
されると、第４のマスタパターンＭ３の大きさが被測定
パターンＰの大きさに近づき、ついには、図１４
（ｆ）、図１４（ｇ）に示すように被測定パターンＰと
同一となる（ただし、被測定パターンＰに飛び散りＦが
存在する場合は、完全な同一とはならない）。そして、
これ以降に同様の処理が繰り返されても、第４のマスタ
パターンＭ３が被測定パターンＰより大きくなることは
ない。When the dilation process and the logical product process are repeated, the size of the fourth master pattern M3 approaches the size of the pattern P to be measured.
(F), as shown in FIG. 14 (g), it becomes the same as the pattern to be measured P (however, if the scattering F exists in the pattern to be measured P, it is not completely the same). And
Even if the same processing is repeated thereafter, the fourth master pattern M3 does not become larger than the pattern to be measured P.

【００７３】その理由は、被測定パターンＰのエッジよ
り外側の画素が「０」のため、図１４（ｇ）のマスタパ
ターンＭ３を膨張させて被測定パターンＰと論理積をと
っても、被測定パターンＰのエッジより外側の論理積の
結果が「１」になることはないからである。なお、被測
定パターンＰには飛び散りＦが存在するが、飛び散りＦ
は被測定パターンＰとつながっていないので、第４のマ
スタパターンＭ３に飛び散りＦによる画素「１」が現れ
ることはない。The reason is that the pixel outside the edge of the pattern P to be measured is “0”. Therefore, even if the master pattern M3 shown in FIG. This is because the result of the logical product outside the edge of P does not become “1”. The scatter F exists in the pattern P to be measured.
Is not connected to the pattern to be measured P, so that the pixel “1” due to the scattering F does not appear in the fourth master pattern M3.

【００７４】次いで、画像処理装置５は、最終的な第４
のマスタパターンＭ３と被測定パターンＰとの排他的論
理和をとる。この排他的論理和の結果は、被測定パター
ンＰに飛び散りがあるか否かによって異なる。被測定パ
ターンＰに飛び散りがない場合は、被測定パターンＰと
マスタパターンＭ３が同一なので、排他的論理和の結果
が全て「０」となる。Next, the image processing device 5 executes the final fourth
The exclusive OR of the master pattern M3 and the pattern to be measured P is calculated. The result of the exclusive OR differs depending on whether or not the measured pattern P has scattering. When there is no scattering in the pattern to be measured P, since the pattern to be measured P and the master pattern M3 are the same, the exclusive OR results are all “0”.

【００７５】これに対し、被測定パターンＰに飛び散り
が存在する場合は、被測定パターンＰとマスタパターン
Ｍ３に相違があり、排他的論理和の結果が「１」となる
画素が存在することになる。こうして、第２、第３のマ
スタパターンＭ１，Ｍ２と対応しない領域に存在する飛
び散りを検出することができる。そして、画像処理装置
５は排他的論理和の結果が「１」となって欠陥と認識し
た位置（図１４ではＦの位置）を記憶する。On the other hand, if there is a scatter in the pattern P to be measured, there is a difference between the pattern P to be measured and the master pattern M3, and there is a pixel whose exclusive OR result is "1". Become. In this way, it is possible to detect a splatter present in an area that does not correspond to the second and third master patterns M1 and M2. Then, the image processing apparatus 5 stores the position where the result of the exclusive OR is “1” and recognized as a defect (the position of F in FIG. 14).

【００７６】次に、第５のマスタパターンとの比較によ
る検査（ステップ１１３）について説明する。図１５は
この検査方法を説明するための図である。図１５（ａ）
に示す被測定パターンＰにおいて、第２のマスタパター
ンＭ１に対応する領域と第３のマスタパターンＭ２に対
応する領域との間にピンホールＨが存在するとき、上記
の検査ではピンホールＨを検出できない。第５のマスタ
パターンは、このようなピンホールＨを検出するための
ものである。Next, the inspection (step 113) by comparison with the fifth master pattern will be described. FIG. 15 is a diagram for explaining this inspection method. FIG. 15 (a)
When a pinhole H exists between the area corresponding to the second master pattern M1 and the area corresponding to the third master pattern M2 in the pattern to be measured P shown in FIG. Can not. The fifth master pattern is for detecting such a pinhole H.

【００７７】まず、画像処理装置５は、第３のマスタパ
ターンＭ２を論理反転させる。これにより、画素「１」
が「０」となり画素「０」が「１」となるので、マスタ
パターンＭ２を論理反転させた結果は、パターンエッジ
とその内側が画素「１」で塗りつぶされた図１５（ｂ）
のようなパターンＭ４となる。First, the image processing device 5 logically inverts the third master pattern M2. Thereby, the pixel “1”
Becomes “0” and the pixel “0” becomes “1”, the result of logically inverting the master pattern M2 is shown in FIG. 15B in which the pattern edge and the inside thereof are filled with the pixel “1”.
A pattern M4 as shown in FIG.

【００７８】続いて、画像処理装置５は、パターンＭ４
をその中心線Ｌと直角の方向に収縮させる（図１５
（ｃ））。このとき、画像処理装置５は、パターンＭ４
を所定の画素分収縮させる。そして、画像処理装置５
は、パターンＭ４を収縮させた結果と被測定パターンＰ
との論理和をとる。この論理和の結果は、収縮処理後の
パターンＭ４と同一であり、これを第５のマスタパター
ンＭ５とする（図１５（ｄ））。Subsequently, the image processing device 5 sets the pattern M4
In the direction perpendicular to the center line L (FIG. 15)
(C)). At this time, the image processing device 5 sets the pattern M4
Is reduced by a predetermined pixel. Then, the image processing device 5
Is the result of contracting the pattern M4 and the pattern to be measured P
And the logical sum of The result of this OR is the same as the pattern M4 after the contraction processing, and this is set as a fifth master pattern M5 (FIG. 15D).

【００７９】次に、画像処理装置５は、この第５のマス
タパターンＭ５をその中心線Ｌと直角の方向に収縮させ
る（図１５（ｅ））。このとき、画像処理装置５は、マ
スタパターンＭ５を所定の画素分収縮させる。そして、
画像処理装置５は、マスタパターンＭ５を収縮させた結
果と被測定パターンＰとの論理和をとる。この論理和の
結果は、収縮処理後のマスタパターンＭ５と同一であ
り、これを新たな第５のマスタパターンＭ５とする（図
１５（ｆ））。Next, the image processing apparatus 5 contracts the fifth master pattern M5 in a direction perpendicular to the center line L (FIG. 15 (e)). At this time, the image processing device 5 contracts the master pattern M5 by a predetermined pixel. And
The image processing device 5 calculates the logical sum of the result of contracting the master pattern M5 and the pattern P to be measured. The result of the logical sum is the same as the master pattern M5 after the contraction processing, and is set as a new fifth master pattern M5 (FIG. 15 (f)).

【００８０】このような収縮処理及び論理和処理が繰り
返されると、第５のマスタパターンＭ５の大きさが被測
定パターンＰの大きさに近づき、ついには、図１５
（ｇ）に示すように被測定パターンＰと同一となる（た
だし、被測定パターンＰにピンホールＨが存在する場合
は、完全な同一とはならない）。そして、これ以降に同
様の処理が繰り返されても、第５のマスタパターンＭ５
が被測定パターンＰより小さくなることはない。When such a contraction process and a logical sum process are repeated, the size of the fifth master pattern M5 approaches the size of the pattern P to be measured, and finally, the size of the pattern shown in FIG.
As shown in (g), the pattern becomes the same as the pattern to be measured P (however, when the pattern to be measured P has a pinhole H, it is not completely the same). Then, even if the same processing is repeated thereafter, the fifth master pattern M5
Does not become smaller than the pattern to be measured P.

【００８１】その理由は、被測定パターンＰが画素
「１」で塗りつぶされているため、図１５（ｇ）のマス
タパターンＭ５を収縮させて被測定パターンＰと論理和
をとっても、被測定パターンＰのエッジより内側の論理
和の結果が「０」になることはないからである。なお、
被測定パターンＰにはピンホールＨが存在するが、ピン
ホールＨは被測定パターンＰのエッジとつながっていな
いので、第５のマスタパターンＭ５にピンホールＨによ
る画素「０」が現れることはない。The reason is that since the pattern to be measured P is filled with the pixel “1”, even if the master pattern M5 shown in FIG. Is not "0". In addition,
Although the pinhole H exists in the pattern to be measured P, but the pinhole H is not connected to the edge of the pattern to be measured P, the pixel “0” due to the pinhole H does not appear in the fifth master pattern M5. .

【００８２】次いで、画像処理装置５は、最終的な第５
のマスタパターンＭ５と被測定パターンＰの排他的論理
和をとる。この排他的論理和の結果は、被測定パターン
ＰにピンホールＨがあるか否かによって異なる。被測定
パターンＰにピンホールがない場合は、被測定パターン
ＰとマスタパターンＭ５が同一なので、排他的論理和の
結果が全て「０」となる。Next, the image processing apparatus 5 sets the final fifth
The exclusive OR of the master pattern M5 and the pattern to be measured P is calculated. The result of the exclusive OR differs depending on whether the pattern P to be measured has the pinhole H or not. When there is no pinhole in the pattern to be measured P, the pattern to be measured P and the master pattern M5 are the same, and the exclusive OR results are all “0”.

【００８３】これに対し、被測定パターンＰにピンホー
ルＨが存在する場合は、被測定パターンＰとマスタパタ
ーンＭ５に相違があり、排他的論理和の結果が「１」と
なる画素が存在することになる。こうして、第２、第３
のマスタパターンＭ１，Ｍ２と対応しない領域に存在す
るピンホールＨを検出することができる。そして、画像
処理装置５は、排他的論理和の結果が「１」となって欠
陥と認識した位置（図１５ではＨの位置）を記憶する。On the other hand, when the pinhole H exists in the pattern P to be measured, there is a difference between the pattern P to be measured and the master pattern M5, and there is a pixel whose exclusive OR result is "1". Will be. Thus, the second and third
Pinholes H present in areas not corresponding to the master patterns M1 and M2 of FIG. Then, the image processing device 5 stores the position (the position H in FIG. 15) at which the result of the exclusive OR is “1” and the defect is recognized.

【００８４】以上のような一次検査を行った後、画像処
理装置５は、記憶した欠陥候補の位置をアドレス情報と
して出力する。第２の画像処理装置６は、第１の画像処
理装置５によって欠陥候補が検出された場合（ステップ
１１４においてＹＥＳ）、上記アドレス情報が示す位置
の欠陥候補を中心とする、分割領域より小さい所定の大
きさの領域について、被測定パターンと第１のマスタパ
ターンとを比較して誤差を求めることにより、被測定パ
ターンの二次検査を行う（ステップ１１５）。この検査
の方法は、前述した図１６〜図１９の従来の方法と同様
である。After performing the primary inspection as described above, the image processing apparatus 5 outputs the stored position of the defect candidate as address information. When a defect candidate is detected by the first image processing device 5 (YES in step 114), the second image processing device 6 determines a predetermined size smaller than the divided area around the defect candidate at the position indicated by the address information. A second inspection of the pattern to be measured is performed by comparing the pattern to be measured and the first master pattern to determine an error in the region having the size of (1) (step 115). This inspection method is the same as the above-described conventional method shown in FIGS.

【００８５】以上のようなステップ１０９〜１１５の処
理を未検査の分割領域がなくなるまで（ステップ１１
６）、分割領域ごとに行う。なお、第２の位置決めマー
クＦｍは、マスタパターンの全ての分割領域に設定しな
くてもよい。例えば、第１の位置決めマークＴｍに近い
周辺部では、マスタパターンと被測定パターンの位置ず
れが小さいので、分割領域ごとの位置合わせを省略して
もよい。すなわち、画像処理装置５は、第２の位置決め
マークＦｍが設定されていないマスタパターンの分割領
域Ｅｍに対応する、被測定パターンの分割領域Ｅｐにつ
いては分割領域ごとの位置合わせを省略する。The processing of steps 109 to 115 is repeated until there is no unchecked divided area (step 11).
6) Perform for each divided area. Note that the second positioning mark Fm does not have to be set in all divided areas of the master pattern. For example, in the peripheral portion near the first positioning mark Tm, the positional deviation between the master pattern and the pattern to be measured is small, so that the alignment for each divided region may be omitted. That is, the image processing apparatus 5 omits the alignment for each of the divided regions Ep of the measured pattern corresponding to the divided region Em of the master pattern in which the second positioning mark Fm is not set.

【００８６】第２〜第５のマスタパターンの各々と被測
定パターンとの比較検査は、ハードウェアで実現でき、
検出した欠陥候補を含む所定の領域だけ、処理時間のか
かる被測定パターンと第１のマスタパターンの比較によ
って検査するので、被測定パターンを従来よりも高速に
検査することができる。The comparison inspection between each of the second to fifth master patterns and the pattern to be measured can be realized by hardware.
Since only a predetermined area including the detected defect candidate is inspected by comparing the measured pattern requiring a long processing time with the first master pattern, the measured pattern can be inspected at a higher speed than before.

【００８７】また、テープキャリア１に局所的な歪みが
存在する場合、従来のパターン検査方法では、局所的な
マスタパターンとのずれが発生し、このずれが欠陥候補
として検出されるため、テープキャリア１の局所的な歪
みが許容範囲内であったとしても、二次検査を実施する
ことになり、検査時間が低下してしまう。これに対して
本実施の形態では、テープキャリア１の局所的な歪みが
許容範囲内（つまり、前記偏差がしきい値以下）であれ
ば、座標変換式による分割領域ごとの位置合わせによっ
てテープキャリア１の局所的な歪みを吸収するので、こ
の歪みが欠陥候補として検出されることがなくなる。When a local distortion is present in the tape carrier 1, a deviation from the local master pattern occurs in the conventional pattern inspection method, and this deviation is detected as a defect candidate. Even if the one local distortion is within the allowable range, the secondary inspection is performed, and the inspection time is reduced. On the other hand, in the present embodiment, if the local distortion of the tape carrier 1 is within the allowable range (that is, the deviation is equal to or less than the threshold), the tape carrier 1 is aligned by the coordinate conversion formula for each divided area. Since one local distortion is absorbed, this distortion is not detected as a defect candidate.

【００８８】なお、図８（ａ）、図８（ｂ）では各分割
領域の重なりが存在しないが、実際の各分割領域は左右
上下が他の分割領域と重なるように設定される。これに
より、各分割領域の境界の部分の歪みが許容範囲内か否
かを隣り合う複数の分割領域の偏差によって判断するこ
とができ、各分割領域のつながり具合を検査することが
できる。また、本実施の形態では、１つの分割領域の検
査が終了した後に、次の分割領域の検査を行っている
が、複数の分割領域を並行して検査すれば、更に高速な
検査ができることは言うまでもない。In FIGS. 8A and 8B, there is no overlap between the divided areas. However, the actual divided areas are set so that the left, right, top, and bottom overlap with other divided areas. Thus, it is possible to determine whether or not the distortion at the boundary between the divided regions is within the allowable range based on the deviation of the plurality of adjacent divided regions, and it is possible to inspect the connection of the divided regions. Further, in the present embodiment, the inspection of the next divided area is performed after the inspection of one divided area is completed. However, if a plurality of divided areas are inspected in parallel, it is impossible to perform a higher-speed inspection. Needless to say.

【００８９】[0089]

【発明の効果】本発明によれば、マスタパターンと被測
定パターンの全体の位置合わせを行った後に、マスタパ
ターン中に複数の分割領域を設定し、パターンと直交す
る少なくとも４本の仮想のラインを第２の位置決めマー
クとして設定することを分割領域毎に行い、マスタパタ
ーンの分割領域に対応する被測定パターンの分割領域を
抽出して、第２の位置決めマークに対応する位置を中心
とする所定の範囲についてマスタパターンとの相関値を
算出し、最も相関値が高いピーク位置を被測定パターン
の第２の位置決めマークと見なし、被測定パターンとマ
スタパターンの互いの第２の位置決めマークの位置を合
わせることにより、マスタパターンと被測定パターンの
位置合わせを分割領域毎に行うことができる。その結
果、局所的な歪みが発生しやすく、かつ位置決めマーク
となり得るような独立したパターンが存在しないテープ
キャリア等の検査ワークであっても、局所的な位置合わ
せをして、検査ワークの局所的な歪みを吸収し、マスタ
パターンの分割領域と被測定パターンの分割領域の微妙
な位置ずれを補正することができるので、正常な検査を
行うことができる。また、検査ワークの局所的な歪みが
許容範囲内であれば、この歪みが欠陥候補として検出さ
れることがなくなり、歪みに起因する二次検査が実施さ
れることがなくなるので、検査時間を短縮することがで
きる。According to the present invention, after the entire position of the master pattern and the pattern to be measured are aligned, a plurality of divided areas are set in the master pattern, and at least four virtual lines orthogonal to the pattern are set. Is set for each divided area, a divided area of the pattern to be measured corresponding to the divided area of the master pattern is extracted, and a predetermined area centered on the position corresponding to the second positioning mark is set. The peak value having the highest correlation value is regarded as the second positioning mark of the measured pattern, and the positions of the second positioning marks of the measured pattern and the master pattern are determined. By matching, the positioning of the master pattern and the pattern to be measured can be performed for each divided region. As a result, even in the case of an inspection work such as a tape carrier in which local distortion is likely to occur and there is no independent pattern that can serve as a positioning mark, local alignment of the inspection work is performed. Such a distortion can be absorbed, and a fine displacement between the divided region of the master pattern and the divided region of the pattern to be measured can be corrected, so that a normal inspection can be performed. In addition, if the local distortion of the inspection work is within the allowable range, the distortion will not be detected as a defect candidate, and the secondary inspection due to the distortion will not be performed, thereby shortening the inspection time. can do.

【００９０】また、マスタパターンの第２の位置決めマ
ークと平行な各ライン毎にピーク位置を求めた後、ピー
ク位置とマスタパターンの第２の位置決めマークとのず
れ量を求め、ずれ量が最大のラインと最小のラインを除
いた残りのラインよりピーク位置の平均値を求め、この
平均位置を被測定パターンの第２の位置決めマークと見
なすことにより、被測定パターンの第２の位置決めマー
クの位置を高い精度で求めることができる。After the peak position is determined for each line parallel to the second positioning mark of the master pattern, the amount of deviation between the peak position and the second positioning mark of the master pattern is determined. The average value of the peak position is obtained from the remaining lines excluding the line and the minimum line, and the average position is regarded as the second positioning mark of the pattern to be measured, whereby the position of the second positioning mark of the pattern to be measured is determined. It can be determined with high accuracy.

【００９１】また、マスタパターンの分割領域とこれに
対応する被測定パターンの分割領域において各々の第２
の位置決めマークの座標より被測定パターンとマスタパ
ターンの間の座標変換式を決定し、マスタパターンの分
割領域を座標変換式によって変換することにより、マス
タパターンと被測定パターンとの分割領域毎の位置合わ
せを実現することができる。In the divided area of the master pattern and the corresponding divided area of the pattern to be measured,
The coordinate conversion formula between the pattern to be measured and the master pattern is determined from the coordinates of the positioning mark, and the divided area of the master pattern is converted by the coordinate conversion formula to obtain the position of each divided area between the master pattern and the pattern to be measured. Matching can be realized.

【００９２】また、座標変換式に被測定パターンの第２
の位置決めマークの座標を入力した結果とマスタパター
ンの対応位置決めマークの座標との偏差をマークごとに
求め、この偏差が所定のしきい値より大きい第２の位置
決めマークを被測定パターンとマスタパターンの双方か
ら除外して座標変換式を再び求めることを全ての偏差が
所定のしきい値以下となるまで繰り返して、座標変換式
を決定することにより、座標変換式の精度を上げること
ができ、高精度な位置あわせを行うことができる。ま
た、全ての偏差が所定のしきい値より大きい場合は、被
測定パターンの分割領域の歪みが許容範囲外であり、検
査ワークが不良であると判断することができる。Further, the second coordinate of the pattern to be measured is expressed by the coordinate conversion formula.
A deviation between the result of inputting the coordinates of the positioning mark and the coordinates of the corresponding positioning mark of the master pattern is obtained for each mark, and a second positioning mark having a deviation larger than a predetermined threshold value is determined for the pattern to be measured and the master pattern. By excluding from both sides and recalculating the coordinate conversion formula until all the deviations become equal to or less than a predetermined threshold value, and determining the coordinate conversion formula, the accuracy of the coordinate conversion formula can be increased. Accurate positioning can be performed. When all the deviations are larger than the predetermined threshold value, the distortion of the divided area of the pattern to be measured is out of the allowable range, and it can be determined that the inspection work is defective.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の第１の実施の形態を示す位置合わせ
方法を用いるパターン検査方法のフローチャート図であ
る。FIG. 1 is a flowchart of a pattern inspection method using an alignment method according to a first embodiment of the present invention.

【図２】 パターン検査装置のブロック図である。FIG. 2 is a block diagram of a pattern inspection apparatus.

【図３】 ＩＣ１個分の第１のマスタパターン及び第１
の位置決めマークを示す図である。FIG. 3 shows a first master pattern for one IC and a first master pattern.
FIG. 4 is a diagram showing a positioning mark.

【図４】 第１のマスタパターンの分割領域及び分割領
域毎の第２の位置決めマークを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a divided area of a first master pattern and a second positioning mark for each divided area.

【図５】 第２、第３のマスタパターンの作成方法を説
明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a method of creating second and third master patterns.

【図６】 被測定パターンとマスタパターンの全体の位
置合わせ方法を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a method of aligning an entire pattern to be measured and a master pattern.

【図７】 被測定パターンとマスタパターンの分割領域
ごとの位置合わせ方法を示すフローチャート図である。FIG. 7 is a flowchart showing a method of aligning a pattern to be measured and a master pattern for each divided region.

【図８】 被測定パターンとマスタパターンの分割領域
ごとの位置合わせ方法を説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining a method of aligning a pattern to be measured and a master pattern for each divided region.

【図９】 第２の位置決めマークの探索方法を示すフロ
ーチャート図である。FIG. 9 is a flowchart showing a second positioning mark search method.

【図１０】 被測定パターンにおける第２の位置決めマ
ークの探索範囲を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a search range for a second positioning mark in a pattern to be measured.

【図１１】 相関値のピーク位置の算出方法を説明する
ための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining a method of calculating a peak position of a correlation value.

【図１２】 第２のマスタパターンとの比較による検査
方法を説明するための図である。FIG. 12 is a diagram for explaining an inspection method based on comparison with a second master pattern.

【図１３】 第３のマスタパターンとの比較による検査
方法を説明するための図である。FIG. 13 is a diagram for explaining an inspection method based on comparison with a third master pattern.

【図１４】 第４のマスタパターンとの比較による検査
方法を説明するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining an inspection method based on comparison with a fourth master pattern.

【図１５】 第５のマスタパターンとの比較による検査
方法を説明するための図である。FIG. 15 is a diagram for explaining an inspection method based on comparison with a fifth master pattern.

【図１６】 断線を検出する従来の検査方法を説明する
ための図である。FIG. 16 is a diagram for explaining a conventional inspection method for detecting disconnection.

【図１７】 断線を検出する従来の検査方法を説明する
ための図である。FIG. 17 is a view for explaining a conventional inspection method for detecting disconnection.

【図１８】 短絡を検出する従来の検査方法を説明する
ための図である。FIG. 18 is a view for explaining a conventional inspection method for detecting a short circuit.

【図１９】 欠損あるいは突起を検出する従来の検査方
法を説明するための図である。FIG. 19 is a view for explaining a conventional inspection method for detecting a defect or a protrusion.

【図２０】 従来の位置合わせ方法における問題点を説
明するための図である。FIG. 20 is a diagram for explaining a problem in a conventional alignment method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…テープキャリア、２、３…スプロケット、４…ライ
ンセンサカメラ、５…第１の画像処理装置、６…第２の
画像処理装置、７…ホストコンピュータ、８…表示装
置。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Tape carrier, 2 ... 3 sprocket, 4 ... Line sensor camera, 5 ... 1st image processing apparatus, 6 ... 2nd image processing apparatus, 7 ... Host computer, 8 ... Display device.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松野 修三 東京都港区西新橋三丁目20番１号 日本ア ビオニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA56 BB13 BB27 CC01 CC02 DD11 DD19 EE00 FF04 FF61 JJ02 JJ25 MM03 QQ05 QQ24 QQ25 QQ29 QQ31 QQ39 QQ41 QQ42 RR10 SS13 TT02 5B057 AA11 BA30 CC03 DA03 DA07 DA08 DC16 5L096 BA03 CA02 EA17 FA06 FA32 FA69 FA76 GA19 GA51 HA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shuzo Matsuno 3-20-1, Nishi-Shimbashi, Minato-ku, Tokyo F-Term in Nippon Avionics Co., Ltd. (Reference) 2F065 AA03 AA56 BB13 BB27 CC01 CC02 DD11 DD19 EE00 FF04 FF61 JJ02 JJ25 MM03 QQ05 QQ24 QQ25 QQ29 QQ31 QQ39 QQ41 QQ42 RR10 SS13 TT02 5B057 AA11 BA30 CC03 DA03 DA07 DA08 DC16 5L096 BA03 CA02 EA17 FA06 FA32 FA69 FA76 GA19 GA51 HA08

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基準となるマスタパターンの画像とカメ
ラで撮像した被測定パターンの画像とを比較することに
より被測定パターンを検査するパターン検査方法におい
て、マスタパターンと被測定パターンの位置合わせを行
う位置合わせ方法であって、 被測定パターンとマスタパターンの全領域について互い
の第１の位置決めマークの位置を合わせることによりマ
スタパターンと被測定パターンの全体の位置合わせを行
った後に、 マスタパターン中に複数の分割領域を設定し、パターン
と直交する少なくとも４本の仮想のラインを第２の位置
決めマークとして設定することを分割領域毎に行い、 マスタパターンの分割領域に対応する被測定パターンの
分割領域を抽出して、前記第２の位置決めマークに対応
する位置を中心とする所定の範囲についてマスタパター
ンとの相関値を算出し、最も相関値が高いピーク位置を
被測定パターンの第２の位置決めマークと見なし、被測
定パターンとマスタパターンの互いの第２の位置決めマ
ークの位置を合わせることにより、マスタパターンと被
測定パターンの位置合わせを分割領域毎に行うことを特
徴とするパターンの位置合わせ方法。1. A pattern inspection method for inspecting a measured pattern by comparing an image of a measured master pattern serving as a reference with an image of the measured pattern captured by a camera, wherein the position of the master pattern and the measured pattern are aligned. A positioning method comprising: aligning the positions of the first positioning marks with each other over the entire area of the pattern to be measured and the master pattern; A plurality of divided areas are set, and at least four virtual lines orthogonal to the pattern are set as second positioning marks for each divided area. The divided area of the pattern to be measured corresponding to the divided area of the master pattern To a predetermined range centered on the position corresponding to the second positioning mark. Calculating the correlation value between the measured pattern and the master pattern, assuming the peak position having the highest correlation value as the second positioning mark of the measured pattern, and aligning the positions of the second positioning marks of the measured pattern and the master pattern with each other. A position alignment method between the master pattern and the pattern to be measured for each divided area. 【請求項２】 請求項１記載のパターンの位置合わせ方
法において、 前記所定の範囲内においてマスタパターンの第２の位置
決めマークと平行な各ライン毎に前記ピーク位置を求め
た後、このピーク位置とマスタパターンの第２の位置決
めマークとのずれ量を求め、このずれ量が最大のライン
と最小のラインを除いた残りのラインより前記ピーク位
置の平均値を求め、この平均位置を被測定パターンの第
２の位置決めマークと見なすことを特徴とするパターン
の位置合わせ方法。2. The pattern alignment method according to claim 1, wherein said peak position is determined for each line parallel to said second positioning mark of said master pattern within said predetermined range. The amount of deviation of the master pattern from the second positioning mark is obtained, and the average value of the peak positions is obtained from the remaining lines excluding the line with the maximum deviation and the line with the minimum deviation. A method of positioning a pattern, wherein the method is regarded as a second positioning mark. 【請求項３】 請求項１記載のパターンの位置合わせ方
法において、 マスタパターンの分割領域とこれに対応する被測定パタ
ーンの分割領域において各々の第２の位置決めマークの
座標より被測定パターンとマスタパターンの間の座標変
換式を決定し、マスタパターンの分割領域を座標変換式
によって変換することにより、マスタパターンと被測定
パターンの位置合わせを分割領域毎に行うことを特徴と
するパターンの位置合わせ方法。3. The pattern alignment method according to claim 1, wherein the pattern to be measured and the master pattern are divided by the coordinates of each second positioning mark in the divided region of the master pattern and the corresponding divided region of the pattern to be measured. Determining the coordinate conversion formula between the two, and converting the divided region of the master pattern by the coordinate conversion formula, thereby performing alignment of the master pattern and the pattern to be measured for each divided region. . 【請求項４】 請求項３記載のパターンの位置合わせ方
法において、 前記座標変換式に被測定パターンの第２の位置決めマー
クの座標を入力した結果とマスタパターンの対応位置決
めマークの座標との偏差をマークごとに求め、この偏差
が所定のしきい値より大きい第２の位置決めマークを被
測定パターンとマスタパターンの双方から除外して座標
変換式を再び求めることを全ての偏差が所定のしきい値
以下となるまで繰り返すことにより、前記座標変換式を
決定することを特徴とするパターンの位置合わせ方法。4. The pattern alignment method according to claim 3, wherein a deviation between a result of inputting the coordinates of the second positioning mark of the pattern to be measured in the coordinate conversion formula and the coordinates of the corresponding positioning mark of the master pattern is calculated. For each mark, it is necessary to exclude the second positioning mark whose deviation is larger than a predetermined threshold value from both the pattern to be measured and the master pattern and to obtain the coordinate conversion formula again. A pattern alignment method characterized by determining the coordinate conversion formula by repeating the following until: