JP2001068709A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 裏電極を露出させるためのプロセスが煩雑で
あり、また耐熱性が悪いという問題があった。 【解決手段】 基板上に金属膜もしくはそのシリサイド
膜から成る裏電極、導電型の異なる複数の半導体層、お
よび表電極を順次積層して設けた薄膜太陽電池におい
て、前記裏電極の表面部にＴｉＮ膜を形成した。
あり、また耐熱性が悪いという問題があった。 【解決手段】 基板上に金属膜もしくはそのシリサイド
膜から成る裏電極、導電型の異なる複数の半導体層、お
よび表電極を順次積層して設けた薄膜太陽電池におい
て、前記裏電極の表面部にＴｉＮ膜を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は薄膜太陽電池に関し、特
に薄膜多結晶Ｓｉなどを用いた薄膜太陽電池に関する。
に薄膜多結晶Ｓｉなどを用いた薄膜太陽電池に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】ガラスなどから成る基板上に、
裏電極、導電型の異なる複数の半導体層、および表電極
を順次積層して形成すると共に、この基板面とは反対の
半導体膜側から光入射させるサブストレート型の薄膜Ｓ
ｉ太陽電池においては、基板上に金属膜から成る裏電極
を形成し、この電極上にＳｉ層を順次積層して素子を形
成する。このとき、取出電極を形成するために、Ｓｉ層
の下にある裏電極の一部を露出させる必要がある。
裏電極、導電型の異なる複数の半導体層、および表電極
を順次積層して形成すると共に、この基板面とは反対の
半導体膜側から光入射させるサブストレート型の薄膜Ｓ
ｉ太陽電池においては、基板上に金属膜から成る裏電極
を形成し、この電極上にＳｉ層を順次積層して素子を形
成する。このとき、取出電極を形成するために、Ｓｉ層
の下にある裏電極の一部を露出させる必要がある。
【０００３】ところが、この素子構造の場合、Ｓｉ層の
一部を混酸などの酸液を用いてエッチング除去して裏電
極を露出させる場合、裏電極である金属膜に耐酸性がな
い場合がほとんどであるため、実行することはできなか
った。例えば、１４ｔｈ−ＥＰＳＥＣ（１９９７）ｐ２
３３３に挙げられている素子構造では、基板上にＡｇ
膜、Ｓｉ膜が順次形成されているが、この構造では、Ａ
ｇ膜を残してＳｉ層のみを酸液でエッチング除去するこ
とはできない。
一部を混酸などの酸液を用いてエッチング除去して裏電
極を露出させる場合、裏電極である金属膜に耐酸性がな
い場合がほとんどであるため、実行することはできなか
った。例えば、１４ｔｈ−ＥＰＳＥＣ（１９９７）ｐ２
３３３に挙げられている素子構造では、基板上にＡｇ
膜、Ｓｉ膜が順次形成されているが、この構造では、Ａ
ｇ膜を残してＳｉ層のみを酸液でエッチング除去するこ
とはできない。
【０００４】このため従来は、裏電極を露出させるため
に、Ｓｉ層を予めマスク成膜して、裏電極の一部にＳｉ
層が形成されないようにする必要などがあり、パターニ
ングの精度、あるいはパターン端部でのリークなどの問
題を抱えた素子プロセスとしなければならないという制
約があった。
に、Ｓｉ層を予めマスク成膜して、裏電極の一部にＳｉ
層が形成されないようにする必要などがあり、パターニ
ングの精度、あるいはパターン端部でのリークなどの問
題を抱えた素子プロセスとしなければならないという制
約があった。
【０００５】また、金属膜から成る裏電極を形成した後
のＳｉ層の成膜を含めた素子プロセス温度についても、
金属膜から成る裏電極とＳｉ層との反応を防止するため
に、極力低温としなければならず、この反応を考えなけ
れば素子特性が向上する高温の素子化プロセス条件が存
在しても、それを実際に実行することはできなかった。
例えば１４ｔｈ−ＥＰＳＥＣ（１９９７）ｐ２３３９に
は、基板上にＡｇ膜、ＺｎＯ膜、Ｓｉ膜を順次形成した
素子が開示されているが、この構造ではＳｉ膜の結晶化
を促進させるなどの目的で、６００℃程度の温度で熱処
理したい場合があっても、ＺｎＯ膜の耐熱性が低いた
め、拡散バリアとして機能させることはできない。
のＳｉ層の成膜を含めた素子プロセス温度についても、
金属膜から成る裏電極とＳｉ層との反応を防止するため
に、極力低温としなければならず、この反応を考えなけ
れば素子特性が向上する高温の素子化プロセス条件が存
在しても、それを実際に実行することはできなかった。
例えば１４ｔｈ−ＥＰＳＥＣ（１９９７）ｐ２３３９に
は、基板上にＡｇ膜、ＺｎＯ膜、Ｓｉ膜を順次形成した
素子が開示されているが、この構造ではＳｉ膜の結晶化
を促進させるなどの目的で、６００℃程度の温度で熱処
理したい場合があっても、ＺｎＯ膜の耐熱性が低いた
め、拡散バリアとして機能させることはできない。
【０００６】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、裏電極を露出させるためのプ
ロセスが煩雑であり、また耐熱性が悪いという従来の問
題点を解消した薄膜太陽電池を提供することを目的とす
る。
みてなされたものであり、裏電極を露出させるためのプ
ロセスが煩雑であり、また耐熱性が悪いという従来の問
題点を解消した薄膜太陽電池を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る薄膜太陽電池では、基板上に金属膜も
しくはそのシリサイド膜から成る裏電極、導電型の異な
る複数の半導体層、および表電極を順次積層して形成し
た薄膜太陽電池において、前記裏電極の表面部にＴｉＮ
膜を形成したことを特徴とする。
に、本発明に係る薄膜太陽電池では、基板上に金属膜も
しくはそのシリサイド膜から成る裏電極、導電型の異な
る複数の半導体層、および表電極を順次積層して形成し
た薄膜太陽電池において、前記裏電極の表面部にＴｉＮ
膜を形成したことを特徴とする。
【０００８】上記薄膜太陽電池では、前記ＴｉＮ膜の膜
厚が２０ｎｍ以下であることが望ましい。
厚が２０ｎｍ以下であることが望ましい。
【０００９】また、上記薄膜太陽電池では、前記金属膜
がＴｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、またはＡｌのう
ちの１種または複数種から成ることが望ましい。
がＴｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、またはＡｌのう
ちの１種または複数種から成ることが望ましい。
【００１０】上記のように構成すると、ＴｉＮ膜をエッ
チングストッパーとして機能させることができるので、
素子化プロセスにおいて裏電極を残してＳｉ層のみを酸
液エッチングすることが可能となる。また、ＴｉＮ膜を
高耐熱性の拡散バリアとして機能させることができるの
で、素子化プロセスにおいて温度条件の自由度を高温方
向に広げることができる。
チングストッパーとして機能させることができるので、
素子化プロセスにおいて裏電極を残してＳｉ層のみを酸
液エッチングすることが可能となる。また、ＴｉＮ膜を
高耐熱性の拡散バリアとして機能させることができるの
で、素子化プロセスにおいて温度条件の自由度を高温方
向に広げることができる。
【００１１】なお、ＴｉＮ自体の光反射特性は良好では
ないが、その膜厚を２０ｎｍ程度以下に抑えれば、Ｔｉ
Ｎ膜の下部にある金属膜固有の反射率をほとんど損なう
ことがない。
ないが、その膜厚を２０ｎｍ程度以下に抑えれば、Ｔｉ
Ｎ膜の下部にある金属膜固有の反射率をほとんど損なう
ことがない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態につい
て、薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池を例に図面に基づいて詳細
に説明する。図１は薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池を示す断面
図であり、１は基板、２ａは裏電極、２ｂはＴｉＮ膜、
３〜５は半導体層、６は反射防止膜である。図１に示す
薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池は、基板１上に裏電極２ａ、Ｔ
ｉＮ膜２ｂ、半導体層３〜５、反射防止膜６を順次積層
して構成されている。
て、薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池を例に図面に基づいて詳細
に説明する。図１は薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池を示す断面
図であり、１は基板、２ａは裏電極、２ｂはＴｉＮ膜、
３〜５は半導体層、６は反射防止膜である。図１に示す
薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池は、基板１上に裏電極２ａ、Ｔ
ｉＮ膜２ｂ、半導体層３〜５、反射防止膜６を順次積層
して構成されている。
【００１３】基板１はガラスなどから成り、裏電極２ａ
はＴｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、またはＡｌのう
ちの１種または複数種からなる金属膜、あるいはそのシ
リサイド膜などから成る。半導体層３〜６は、ｐ+ 〜ｐ
++型の非単結晶Ｓｉ下地層３、ｐ型もしくはｉ型の多結
晶もしくは微結晶Ｓｉ光活性層４、およびｎ型の非単結
晶Ｓｉ層５などで構成される。また、図１中の７は反射
防止膜６の上面に形成された表電極であり、８は裏電極
２ｂ上に形成された裏取出電極である。
はＴｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、またはＡｌのう
ちの１種または複数種からなる金属膜、あるいはそのシ
リサイド膜などから成る。半導体層３〜６は、ｐ+ 〜ｐ
++型の非単結晶Ｓｉ下地層３、ｐ型もしくはｉ型の多結
晶もしくは微結晶Ｓｉ光活性層４、およびｎ型の非単結
晶Ｓｉ層５などで構成される。また、図１中の７は反射
防止膜６の上面に形成された表電極であり、８は裏電極
２ｂ上に形成された裏取出電極である。
【００１４】このような薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池の製造
にあたっては、まず、ガラス基板１上に裏電極２ａを電
子ビーム蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法に
よりシート抵抗が１Ω／□程度以下となるように適当な
膜厚に堆積し、これに連続してスパッタリング法、イオ
ンプレーティング法などの真空成膜法によりＴｉＮ膜２
ｂを２０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。
にあたっては、まず、ガラス基板１上に裏電極２ａを電
子ビーム蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法に
よりシート抵抗が１Ω／□程度以下となるように適当な
膜厚に堆積し、これに連続してスパッタリング法、イオ
ンプレーティング法などの真空成膜法によりＴｉＮ膜２
ｂを２０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。
【００１５】具体的には、Ｔｉ膜を１μｍ成膜した後、
この上に反応性スパッタリング法によりＡｒ／Ｎ2 流量
比を１：９程度にしてＴｉＮ膜を１３ｎｍ成膜するとシ
ート抵抗１Ω／□以下が実現される。なお、前記Ｔｉ膜
は以下の工程で問題ない限り、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、
Ａｇ、またはＡｌのうちの１種または複数種から成る他
の金属に置き換えてもよい。図２に裏電極構造と反射率
特性の関係を示す。
この上に反応性スパッタリング法によりＡｒ／Ｎ2 流量
比を１：９程度にしてＴｉＮ膜を１３ｎｍ成膜するとシ
ート抵抗１Ω／□以下が実現される。なお、前記Ｔｉ膜
は以下の工程で問題ない限り、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、
Ａｇ、またはＡｌのうちの１種または複数種から成る他
の金属に置き換えてもよい。図２に裏電極構造と反射率
特性の関係を示す。
【００１６】次に、前記裏電極２ｂ上に、１×１０19ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度の高濃度にドープされたｐ型の非
単結晶Ｓｉ下地層３を形成する。具体的には、プラズマ
ＣＶＤ法、スパッタリング法などの薄膜形成技術で膜厚
２μｍ以下で形成する。この後、結晶化促進およびドー
パント活性化率向上をはかるために、６００℃程度の熱
処理を行ってもよい。この場合、前記ＴｉＮ膜２ｂが高
耐熱性の拡散バリアとして機能するために、６００℃程
度の比較的高温プロセスであっても、裏電極金属膜２ｂ
とＳｉ下地層３との反応を防止することができる。
ｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度の高濃度にドープされたｐ型の非
単結晶Ｓｉ下地層３を形成する。具体的には、プラズマ
ＣＶＤ法、スパッタリング法などの薄膜形成技術で膜厚
２μｍ以下で形成する。この後、結晶化促進およびドー
パント活性化率向上をはかるために、６００℃程度の熱
処理を行ってもよい。この場合、前記ＴｉＮ膜２ｂが高
耐熱性の拡散バリアとして機能するために、６００℃程
度の比較的高温プロセスであっても、裏電極金属膜２ｂ
とＳｉ下地層３との反応を防止することができる。
【００１７】次に、前記非単結晶Ｓｉ層３上にこれと同
一導電型（すなわちｐ型）もしくはｉ型のＳｉ光活性層
４となる多結晶あるいは微結晶Ｓｉ層を、ＣＶＤ法など
で厚さ１μｍ〜３０μｍ程度に形成する。
一導電型（すなわちｐ型）もしくはｉ型のＳｉ光活性層
４となる多結晶あるいは微結晶Ｓｉ層を、ＣＶＤ法など
で厚さ１μｍ〜３０μｍ程度に形成する。
【００１８】次に、Ｓｉ光活性層４上にＳｉ下地層３と
は反対の導電型（すなわちｎ型）の非晶質、多結晶もし
くは微結晶を含む非単結晶Ｓｉ層５をプラズマＣＶＤ法
やスパッタリング法などの真空成膜法で厚さ１μｍ以下
に形成する。
は反対の導電型（すなわちｎ型）の非晶質、多結晶もし
くは微結晶を含む非単結晶Ｓｉ層５をプラズマＣＶＤ法
やスパッタリング法などの真空成膜法で厚さ１μｍ以下
に形成する。
【００１９】ここで、Ｓｉ光活性層４と非単結晶Ｓｉ層
５とで形成されるｐｎ接合の品質によっては、Ｓｉ光活
性層４と非単結晶Ｓｉ層５の間に、真性型（ｉ型）の非
単結晶Ｓｉ層（不図示）を介在させてもよい。特に同層
を水素化アモルファスＳｉで形成する場合は、その膜厚
を２〜４０ｎｍ程度にするとよい。
５とで形成されるｐｎ接合の品質によっては、Ｓｉ光活
性層４と非単結晶Ｓｉ層５の間に、真性型（ｉ型）の非
単結晶Ｓｉ層（不図示）を介在させてもよい。特に同層
を水素化アモルファスＳｉで形成する場合は、その膜厚
を２〜４０ｎｍ程度にするとよい。
【００２０】なお、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法
で素子表面に結晶Ｓｉの結晶方位に依存しない微細かつ
ランダムな凹凸形状を形成し、光利用効率を高めて素子
変換効率を向上させる場合は、ｐｎ接合を形成する前
に、Ｓｉ光活性層４に対してＲＩＥ法による処理を行
い、その後非単結晶Ｓｉ層５を形成する。このＲＩＥ処
理により、少なくとも発電に寄与する光波長４００ｎｍ
〜１０００ｎｍの範囲で、ベアＳｉ表面の反射率を１０
％以下にすることが可能である。
で素子表面に結晶Ｓｉの結晶方位に依存しない微細かつ
ランダムな凹凸形状を形成し、光利用効率を高めて素子
変換効率を向上させる場合は、ｐｎ接合を形成する前
に、Ｓｉ光活性層４に対してＲＩＥ法による処理を行
い、その後非単結晶Ｓｉ層５を形成する。このＲＩＥ処
理により、少なくとも発電に寄与する光波長４００ｎｍ
〜１０００ｎｍの範囲で、ベアＳｉ表面の反射率を１０
％以下にすることが可能である。
【００２１】次に、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法など
の真空成膜法を用いて、非単結晶Ｓｉ層５上にＩＴＯや
ＳｎＯ2 などの導電性、あるいは窒化Ｓｉ膜や酸化Ｓｉ
膜などの絶縁性の反射防止膜６を６０〜１００ｎｍ程度
の膜厚で成膜する。
の真空成膜法を用いて、非単結晶Ｓｉ層５上にＩＴＯや
ＳｎＯ2 などの導電性、あるいは窒化Ｓｉ膜や酸化Ｓｉ
膜などの絶縁性の反射防止膜６を６０〜１００ｎｍ程度
の膜厚で成膜する。
【００２２】次に、真空成膜技術、プリントおよび焼成
技術、さらにメッキ技術などを用いて反射防止膜６上に
表電極７を形成する。なお、絶縁性の反射防止膜を非単
結晶Ｓｉ層５上に成膜した場合は、バッファードフッ酸
などの適当な薬液によるエッチング技術によって表電極
７を形成する領域について絶縁性反射防止膜を除去して
非単結晶Ｓｉ層５を露出させ、ここに表電極７を接触さ
せるように形成すればよい。
技術、さらにメッキ技術などを用いて反射防止膜６上に
表電極７を形成する。なお、絶縁性の反射防止膜を非単
結晶Ｓｉ層５上に成膜した場合は、バッファードフッ酸
などの適当な薬液によるエッチング技術によって表電極
７を形成する領域について絶縁性反射防止膜を除去して
非単結晶Ｓｉ層５を露出させ、ここに表電極７を接触さ
せるように形成すればよい。
【００２３】また、裏取出電極８についても、裏電極２
ｂ上に真空成膜技術、プリントおよび焼成技術、さらに
メッキ技術などを用いて形成することができる。このと
き、裏電極２ｂを露出させるためには、ＴｉＮ膜２ｂを
エッチングストッパー層として機能させることができ、
Ｓｉ層の不要な部分のみを混酸などの酸液でエッチング
除去すれば裏電極２ｂを容易に露出させることができ
る。
ｂ上に真空成膜技術、プリントおよび焼成技術、さらに
メッキ技術などを用いて形成することができる。このと
き、裏電極２ｂを露出させるためには、ＴｉＮ膜２ｂを
エッチングストッパー層として機能させることができ、
Ｓｉ層の不要な部分のみを混酸などの酸液でエッチング
除去すれば裏電極２ｂを容易に露出させることができ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、導電型
の異なる複数の半導体層が形成される裏電極の表面部に
ＴｉＮ膜を形成したことから、ＴｉＮ膜をエッチングス
トッパーとして機能させることができ、素子化プロセス
において裏電極金属膜を残してＳｉ層のみを酸液エッチ
ングすることが可能となる。これによって、Ｓｉ膜のパ
ターニングをマスク成膜時に比べて高精度かつ簡便に行
うことができるようになり、また、パターン端部でのリ
ーク電流が大幅に抑制できるので、製造コスト低減と製
造歩留まり向上を実現することができる。
の異なる複数の半導体層が形成される裏電極の表面部に
ＴｉＮ膜を形成したことから、ＴｉＮ膜をエッチングス
トッパーとして機能させることができ、素子化プロセス
において裏電極金属膜を残してＳｉ層のみを酸液エッチ
ングすることが可能となる。これによって、Ｓｉ膜のパ
ターニングをマスク成膜時に比べて高精度かつ簡便に行
うことができるようになり、また、パターン端部でのリ
ーク電流が大幅に抑制できるので、製造コスト低減と製
造歩留まり向上を実現することができる。
【００２５】また、ＴｉＮ膜を高耐熱性の拡散バリアと
して機能させることができるので、素子化プロセスにお
いて温度条件の自由度が高温方向に広がり、素子特性の
より一層の向上が可能となる。
して機能させることができるので、素子化プロセスにお
いて温度条件の自由度が高温方向に広がり、素子特性の
より一層の向上が可能となる。
【００２６】なお、ＴｉＮ膜の厚さを２０ｎｍ以下にす
れば、裏電極の反射特性をほとんど低減することなく、
前記プロセス上の利点を利用することができる。
れば、裏電極の反射特性をほとんど低減することなく、
前記プロセス上の利点を利用することができる。
【図１】本発明に係る薄膜太陽電池の一実施形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】金属膜上にＴｉＮ膜を形成した場合の光反射特
性を示す図である。
性を示す図である。
１‥‥‥基板、２ａ‥‥‥裏電極、２ｂ‥‥‥ＴｉＮ
膜、３〜５‥‥‥半導体層、６‥‥‥反射防止膜、７‥
‥‥表電極、８‥‥‥裏取出電極
膜、３〜５‥‥‥半導体層、６‥‥‥反射防止膜、７‥
‥‥表電極、８‥‥‥裏取出電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA10 BB02 BB04 BB05 BB08 BB14 BB16 BB18 BB21 BB25 BB26 BB28 BB30 CC01 DD09 DD15 DD36 DD37 DD42 DD51 DD79 FF18 GG05 GG19 HH20 5F051 AA03 CB12 CB14 CB15 DA04 FA06 FA15 FA18 FA23
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に金属膜もしくはそのシリサイド
膜から成る裏電極、導電型の異なる複数の半導体層、お
よび表電極を順次積層して形成した薄膜太陽電池におい
て、前記裏電極の表面部にＴｉＮ膜を形成したことを特
徴とする薄膜太陽電池。 - 【請求項２】 前記ＴｉＮ膜の膜厚が２０ｎｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項３】 前記金属膜がＴｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、またはＡｌのうちの１種または複数種から成
ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24403599A JP2001068709A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24403599A JP2001068709A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068709A true JP2001068709A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17112751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24403599A Pending JP2001068709A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001068709A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060808A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
| JP2010103510A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置及びその作製方法 |
| JP2010283337A (ja) * | 2009-05-02 | 2010-12-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US8994009B2 (en) | 2011-09-07 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| US9029184B2 (en) | 2008-03-28 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
-
1999
- 1999-08-30 JP JP24403599A patent/JP2001068709A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060808A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
| US8394655B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
| US9029184B2 (en) | 2008-03-28 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
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| JP2010283337A (ja) * | 2009-05-02 | 2010-12-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US9112067B2 (en) | 2009-05-02 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8994009B2 (en) | 2011-09-07 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
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