JP2001068708A - 半導体素子、太陽電池素子及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子、太陽電池素子及び半導体素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化学的手法を用いることなく簡便な方法
で凹凸面を備える半導体素子を提供することを目的とす
る 【構成】 第１の結晶方位を有する第１の結晶系半導体
４を備え、該第１の結晶系半導体４上に、前記第１の結
晶方位とは異なる結晶方位に結晶が成長することにより
表面が凹凸化された第２の結晶系半導体６を有すること
を特徴とする。
で凹凸面を備える半導体素子を提供することを目的とす
る 【構成】 第１の結晶方位を有する第１の結晶系半導体
４を備え、該第１の結晶系半導体４上に、前記第１の結
晶方位とは異なる結晶方位に結晶が成長することにより
表面が凹凸化された第２の結晶系半導体６を有すること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶或いは多結
晶等の結晶系半導体層を備える太陽電池素子等の半導体
素子及びその製造方法に関する。
晶等の結晶系半導体層を備える太陽電池素子等の半導体
素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶或いは多結晶等の結晶系半導体層
を備える太陽電池素子にあっては、その太陽電池特性向
上のために、光入射面にテクスチャ構造と呼ばれる凹凸
面が形成されている。斯かる凹凸面は、従来エッチング
溶液を用いた化学的エッチングにより形成されている。
例えば単結晶Ｓｉの場合、ＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカ
リ性溶液を用いた化学的エッチングにより、その表面に
凹凸面が形成されている。
を備える太陽電池素子にあっては、その太陽電池特性向
上のために、光入射面にテクスチャ構造と呼ばれる凹凸
面が形成されている。斯かる凹凸面は、従来エッチング
溶液を用いた化学的エッチングにより形成されている。
例えば単結晶Ｓｉの場合、ＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカ
リ性溶液を用いた化学的エッチングにより、その表面に
凹凸面が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、上記のよう
に化学的エッチングにより凹凸面を形成する場合には、
エッチング溶液の管理や使用済のエッチング溶液の廃液
処理設備等が必要となり、製造コストの増大を招いてい
た。
に化学的エッチングにより凹凸面を形成する場合には、
エッチング溶液の管理や使用済のエッチング溶液の廃液
処理設備等が必要となり、製造コストの増大を招いてい
た。
【０００４】そこで、本発明は、斯かる化学的手法を用
いることなく簡便な方法で凹凸面を備える太陽電池素子
等の半導体素子及びその製造方法を提供することを目的
とする。
いることなく簡便な方法で凹凸面を備える太陽電池素子
等の半導体素子及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明半導体素子は、第
１の結晶方位を有する第１の結晶系半導体層と、該第１
の結晶系半導体層上に形成された、前記第１の結晶方位
とは異なる結晶方位に結晶が成長することにより表面が
凹凸化された第２の結晶系半導体層とを有することを特
徴とする。
１の結晶方位を有する第１の結晶系半導体層と、該第１
の結晶系半導体層上に形成された、前記第１の結晶方位
とは異なる結晶方位に結晶が成長することにより表面が
凹凸化された第２の結晶系半導体層とを有することを特
徴とする。
【０００６】また、本発明太陽電池素子は、第１の結晶
方位を有する第１の結晶系半導体層と、該第１の結晶系
半導体層上に形成された、前記第１の結晶方位とは異な
る結晶方位に結晶が成長することにより光入射面が凹凸
化された第２の結晶系半導体層とを有することを特徴と
する。
方位を有する第１の結晶系半導体層と、該第１の結晶系
半導体層上に形成された、前記第１の結晶方位とは異な
る結晶方位に結晶が成長することにより光入射面が凹凸
化された第２の結晶系半導体層とを有することを特徴と
する。
【０００７】さらに、本発明半導体素子の製造方法は、
第１の結晶方位を有する第１の結晶系半導体層上に、前
記第１の結晶方位とは異なる第２の結晶方位を有する第
２の結晶系半導体層を成長させることにより、該第２の
結晶系半導体層の表面を凹凸化する工程を備えることを
特徴とする。
第１の結晶方位を有する第１の結晶系半導体層上に、前
記第１の結晶方位とは異なる第２の結晶方位を有する第
２の結晶系半導体層を成長させることにより、該第２の
結晶系半導体層の表面を凹凸化する工程を備えることを
特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態に係
る半導体素子の一例となる太陽電池素子の素子構造断面
図である。同図において、１は基板であり例えばガラス
からなる。２は該基板１上に形成された高反射性を有す
る導電膜からなる第１電極であり、例えばスパッタ法に
より形成された厚さ２μｍ程度のＡｇ膜から構成するこ
とができる。３はｎ型の微結晶またはアモルファスシリ
コンからなる厚さ約３００Åのｎ層であり、４は該ｎ層
上に形成された真性の多結晶シリコンからなる第１ｉ層
である。該第１ｉ層４は例えばプラズマＣＶＤ法により
形成され、形成条件を調整することによりその結晶方位
が（１１１）方向とされている。
る半導体素子の一例となる太陽電池素子の素子構造断面
図である。同図において、１は基板であり例えばガラス
からなる。２は該基板１上に形成された高反射性を有す
る導電膜からなる第１電極であり、例えばスパッタ法に
より形成された厚さ２μｍ程度のＡｇ膜から構成するこ
とができる。３はｎ型の微結晶またはアモルファスシリ
コンからなる厚さ約３００Åのｎ層であり、４は該ｎ層
上に形成された真性の多結晶シリコンからなる第１ｉ層
である。該第１ｉ層４は例えばプラズマＣＶＤ法により
形成され、形成条件を調整することによりその結晶方位
が（１１１）方向とされている。
【０００９】ここで、図２は、プラズマＣＶＤ法を用い
て形成したシリコン膜の結晶性をＸ線回折により解析し
た結果を示す特性図である。尚、シリコン膜はガラス基
板上に表１の形成条件を用いて２μｍ程度の厚さに形成
した。
て形成したシリコン膜の結晶性をＸ線回折により解析し
た結果を示す特性図である。尚、シリコン膜はガラス基
板上に表１の形成条件を用いて２μｍ程度の厚さに形成
した。
【００１０】
【表１】
【００１１】同図において、縦軸は反応圧力であり横軸
はＲＦ電力である。図中、Ｘ線回折による解析の結果ア
モルファス構造を有するシリコン膜が得られた条件は黒
丸で示している。また、結晶性を有するシリコン膜が得
られた条件は、白抜き丸で示すと共に結晶方位をあわせ
て示している。
はＲＦ電力である。図中、Ｘ線回折による解析の結果ア
モルファス構造を有するシリコン膜が得られた条件は黒
丸で示している。また、結晶性を有するシリコン膜が得
られた条件は、白抜き丸で示すと共に結晶方位をあわせ
て示している。
【００１２】図２から、基板温度２１０℃、ＳｉＨ4流
量１０ｓｃｃｍ、Ｈ2流量２００ｓｃｃｍ、圧力０．３
Ｔｏｒｒの条件においては、ＲＦ電力を２０Ｗ未満とす
るとすることにより結晶方位が（１１０）方向の多結晶
シリコン膜が得られ、またＲＦ電力を６００Ｗ以上とす
ることにより結晶方位が（１１１）方向の多結晶シリコ
ンを得られることがわかる。また、他の条件が同一であ
れば、基板温度を高くすることにより結晶方位を（１１
１）方向から（１１０）方向に変化させることができる
ことがわかっている。さらに、反応圧力を高くする、或
いはＳｉＨ4に対するＨ2の希釈率を低くすることによ
り、結晶方位を（１１１）方向から（１１０）方向に変
化させることができる。このように、プラズマＣＶＤ法
を用いて多結晶シリコン膜を形成する場合にあっては、
その形成条件を調整することにより、結晶方位の異なる
多結晶シリコンを得ることができるのである。
量１０ｓｃｃｍ、Ｈ2流量２００ｓｃｃｍ、圧力０．３
Ｔｏｒｒの条件においては、ＲＦ電力を２０Ｗ未満とす
るとすることにより結晶方位が（１１０）方向の多結晶
シリコン膜が得られ、またＲＦ電力を６００Ｗ以上とす
ることにより結晶方位が（１１１）方向の多結晶シリコ
ンを得られることがわかる。また、他の条件が同一であ
れば、基板温度を高くすることにより結晶方位を（１１
１）方向から（１１０）方向に変化させることができる
ことがわかっている。さらに、反応圧力を高くする、或
いはＳｉＨ4に対するＨ2の希釈率を低くすることによ
り、結晶方位を（１１１）方向から（１１０）方向に変
化させることができる。このように、プラズマＣＶＤ法
を用いて多結晶シリコン膜を形成する場合にあっては、
その形成条件を調整することにより、結晶方位の異なる
多結晶シリコンを得ることができるのである。
【００１３】図１を参照して、第１ｉ層４は前述の通り
結晶方位が（１１１）方向の多結晶シリコンから構成さ
れている。このため、その表面には、図３の要部拡大断
面図に示す如く、結晶粒界に起因する微小な凹凸４０が
形成されている。この微小な凹凸４０の斜面Ａは、多結
晶シリコンの結晶方位が（１１１）方向であることから
（１１０）面となるものが存在する。
結晶方位が（１１１）方向の多結晶シリコンから構成さ
れている。このため、その表面には、図３の要部拡大断
面図に示す如く、結晶粒界に起因する微小な凹凸４０が
形成されている。この微小な凹凸４０の斜面Ａは、多結
晶シリコンの結晶方位が（１１１）方向であることから
（１１０）面となるものが存在する。
【００１４】そこで、本発明にあっては第１ｉ層４上
に、結晶方位が（１１０）方向の多結晶シリコンからな
る第２ｉ層５を形成している。前述の様に、結晶方位が
（１１０）方向の多結晶シリコンは、プラズマＣＶＤ法
を用いてその形成条件を調整することにより形成するこ
とができる。
に、結晶方位が（１１０）方向の多結晶シリコンからな
る第２ｉ層５を形成している。前述の様に、結晶方位が
（１１０）方向の多結晶シリコンは、プラズマＣＶＤ法
を用いてその形成条件を調整することにより形成するこ
とができる。
【００１５】このように結晶方位が（１１１）方向の多
結晶シリコンからなる第１ｉ層４上に結晶方位が（１１
０）方向の多結晶シリコンからなる第２ｉ層５を形成す
ると、第２ｉ層５の成長は、第１ｉ層４表面に存在する
凹凸４０を成長核として該凹凸４０の斜面Ａ上から選択
的に成長する。そして、このように斜面Ａ上から第２ｉ
層５の成長が始まると、図３に示す如く、第２ｉ層５は
凹凸４０の形状を反映して成長初期においては凹凸状に
成長することとなる。そして、この凹凸状に成長する結
晶粒５'、５'同士が互いに接すると横方向への成長が止
まり、縦方向への成長が支配的となって次第に凹凸の大
きさが小さくなる。従って、成長時間を適宜制御するこ
とにより、第２ｉ層５の表面に所望の大きさの凹凸面を
形成することが可能となる。例えば、本実施形態におけ
るような太陽電池素子においては、凹凸面の大きさを高
さ数千Å、凹凸間の幅を数千Åとすることが好ましいの
で、第２ｉ層５の表面に形成される凹凸面の大きさがこ
の大きさとなったときに成長を停止させると良い。
結晶シリコンからなる第１ｉ層４上に結晶方位が（１１
０）方向の多結晶シリコンからなる第２ｉ層５を形成す
ると、第２ｉ層５の成長は、第１ｉ層４表面に存在する
凹凸４０を成長核として該凹凸４０の斜面Ａ上から選択
的に成長する。そして、このように斜面Ａ上から第２ｉ
層５の成長が始まると、図３に示す如く、第２ｉ層５は
凹凸４０の形状を反映して成長初期においては凹凸状に
成長することとなる。そして、この凹凸状に成長する結
晶粒５'、５'同士が互いに接すると横方向への成長が止
まり、縦方向への成長が支配的となって次第に凹凸の大
きさが小さくなる。従って、成長時間を適宜制御するこ
とにより、第２ｉ層５の表面に所望の大きさの凹凸面を
形成することが可能となる。例えば、本実施形態におけ
るような太陽電池素子においては、凹凸面の大きさを高
さ数千Å、凹凸間の幅を数千Åとすることが好ましいの
で、第２ｉ層５の表面に形成される凹凸面の大きさがこ
の大きさとなったときに成長を停止させると良い。
【００１６】そして、この第２ｉ層５上にｐ型の微結晶
または非晶質シリコンからなる厚さ約２００Åのｐ層
６、ＳｎＯ2，ＩＴＯ，ＺｎＯ等の透明導電膜からなる
第２電極７及びＡｇ，Ａｌ等の導電材料からなる櫛形状
の集電極８を設けることにより、本発明に係る半導体素
子としての太陽電池素子が得られる。
または非晶質シリコンからなる厚さ約２００Åのｐ層
６、ＳｎＯ2，ＩＴＯ，ＺｎＯ等の透明導電膜からなる
第２電極７及びＡｇ，Ａｌ等の導電材料からなる櫛形状
の集電極８を設けることにより、本発明に係る半導体素
子としての太陽電池素子が得られる。
【００１７】以上の様に、本発明によれば、結晶方位が
（１１１）方向の多結晶シリコンからなる第１ｉ層４上
に、結晶方位が（１１０）方向の多結晶シリコンを成長
させることにより、従来の様に化学的エッチングを用い
ることなく表面が凹凸化された第２ｉ層５を得ることが
できる。従って、従来のようにエッチング溶液の保守管
理やエッチング廃液処理のための装置を不要とすること
ができるので、製造コストの低減を図ることができる。
（１１１）方向の多結晶シリコンからなる第１ｉ層４上
に、結晶方位が（１１０）方向の多結晶シリコンを成長
させることにより、従来の様に化学的エッチングを用い
ることなく表面が凹凸化された第２ｉ層５を得ることが
できる。従って、従来のようにエッチング溶液の保守管
理やエッチング廃液処理のための装置を不要とすること
ができるので、製造コストの低減を図ることができる。
【００１８】尚、本実施形態にあっては結晶方位が（１
１１）方向の多結晶シリコンからなる第１ｉ層上に、結
晶方位が（１１０）方向の多結晶シリコンからなる第２
ｉ層を形成したが、これとは逆に、結晶方位が（１１
０）方向の多結晶シリコンからなる第１ｉ層上に、結晶
方位が（１１１）方向の多結晶シリコンからなる第２ｉ
層を形成しても良い。斯かる形態によれば、第１ｉ層表
面に存在する凹凸の斜面では結晶方向が（１１１）方向
となるので、この凹凸を核として第２ｉ層が成長し、そ
の表面に凹凸面が形成されることとなる。
１１）方向の多結晶シリコンからなる第１ｉ層上に、結
晶方位が（１１０）方向の多結晶シリコンからなる第２
ｉ層を形成したが、これとは逆に、結晶方位が（１１
０）方向の多結晶シリコンからなる第１ｉ層上に、結晶
方位が（１１１）方向の多結晶シリコンからなる第２ｉ
層を形成しても良い。斯かる形態によれば、第１ｉ層表
面に存在する凹凸の斜面では結晶方向が（１１１）方向
となるので、この凹凸を核として第２ｉ層が成長し、そ
の表面に凹凸面が形成されることとなる。
【００１９】（実施例）本発明の実施例として、以下の
様にして図１に示す太陽電池素子を製造した。
様にして図１に示す太陽電池素子を製造した。
【００２０】まず、基板１としてガラスを用い、この基
板１上にスパッタ法を用いて厚さ約２μｍのＡｇ膜から
なる第１電極２を形成した。そして、この第１電極２上
にプラズマＣＶＤ法を用いてｎ型の微結晶シリコンから
なる厚さ約３００Åのｎ層３を形成した。
板１上にスパッタ法を用いて厚さ約２μｍのＡｇ膜から
なる第１電極２を形成した。そして、この第１電極２上
にプラズマＣＶＤ法を用いてｎ型の微結晶シリコンから
なる厚さ約３００Åのｎ層３を形成した。
【００２１】次に、プラズマＣＶＤ法を用い、基板温度
１５０℃、ＳｉＨ4流量２０ｓｃｃｍ、Ｈ2流量６００ｓ
ｃｃｍ、圧力０．３Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力１００ｍＷ／ｃ
ｍ2の条件で、前記ｎ層３上に結晶方位が（１１１）方
向の多結晶シリコンからなる厚さ約３μｍの第１ｉ層４
を形成した。
１５０℃、ＳｉＨ4流量２０ｓｃｃｍ、Ｈ2流量６００ｓ
ｃｃｍ、圧力０．３Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力１００ｍＷ／ｃ
ｍ2の条件で、前記ｎ層３上に結晶方位が（１１１）方
向の多結晶シリコンからなる厚さ約３μｍの第１ｉ層４
を形成した。
【００２２】次いで、該第１ｉ層４上に、プラズマＣＶ
Ｄ法を用い、基板温度３００℃、ＳｉＨ4流量２０ｓｃ
ｃｍ、Ｈ2流量３００ｓｃｃｍ、ＲＦ電力１００ｍＷ／
ｃｍ2の条件で、結晶方位が（１１０）方向の多結晶シ
リコンからなる第２ｉ層５を成長させた。そして、表面
に形成される凹凸面の大きさが６０００Å程度となった
時点で第２ｉ層５の成長を停止した。
Ｄ法を用い、基板温度３００℃、ＳｉＨ4流量２０ｓｃ
ｃｍ、Ｈ2流量３００ｓｃｃｍ、ＲＦ電力１００ｍＷ／
ｃｍ2の条件で、結晶方位が（１１０）方向の多結晶シ
リコンからなる第２ｉ層５を成長させた。そして、表面
に形成される凹凸面の大きさが６０００Å程度となった
時点で第２ｉ層５の成長を停止した。
【００２３】さらに、該第２ｉ層５上にプラズマＣＶＤ
法を用いてｐ型のアモルファスシリコンからなる厚さ約
２００Åのｐ層６、スパッタ法を用いてＩＴＯからなる
厚さ約７００Åの第２電極７、及びスクリーン印刷法に
よりＡｇからなる櫛形状の集電極８を順次形成すること
により図１に示す構造の太陽電池素子を製造した。
法を用いてｐ型のアモルファスシリコンからなる厚さ約
２００Åのｐ層６、スパッタ法を用いてＩＴＯからなる
厚さ約７００Åの第２電極７、及びスクリーン印刷法に
よりＡｇからなる櫛形状の集電極８を順次形成すること
により図１に示す構造の太陽電池素子を製造した。
【００２４】以上の様にして製造した太陽電池素子の太
陽電池特性を測定したところ、約２８ｍＡ／ｃｍ2の短
絡電流が得られた。一方、第２ｉ層５を備えない以外は
実施例と同一の方法で製造した太陽電池素子の特性を測
定したところ、２２ｍＡ／ｃｍ2の短絡電流しか得られ
なかった。従って、本発明により太陽電池特性の向上に
有効な凹凸面を備える太陽電池素子を提供することがで
きた。
陽電池特性を測定したところ、約２８ｍＡ／ｃｍ2の短
絡電流が得られた。一方、第２ｉ層５を備えない以外は
実施例と同一の方法で製造した太陽電池素子の特性を測
定したところ、２２ｍＡ／ｃｍ2の短絡電流しか得られ
なかった。従って、本発明により太陽電池特性の向上に
有効な凹凸面を備える太陽電池素子を提供することがで
きた。
【００２５】以上、本発明について説明したが、本発明
は上記の実施の形態に記載した構造の太陽電池素子に限
定されるものではない。例えば本発明を太陽電池素子に
適用するにあたっては、以下のような構造の太陽電池素
子に適用することもできる。
は上記の実施の形態に記載した構造の太陽電池素子に限
定されるものではない。例えば本発明を太陽電池素子に
適用するにあたっては、以下のような構造の太陽電池素
子に適用することもできる。
【００２６】図４は本発明に係る別の実施の形態に係る
半導体素子としての太陽電池素子の素子構造断面図であ
り、同図において１１は結晶方位が（１１１）のｎ型の
単結晶シリコンからなる基板であり、該基板１の一主面
上にはプラズマＣＶＤ法により結晶方位が（１１０）方
向のｎ型の多結晶シリコンからなるｎ層１２が形成され
ている。本実施形態によれば基板１１が単結晶シリコン
からなるために結晶粒界が存在しないが、斯かる場合に
は基板１１表面をＡｒ，Ｘｒ，Ｘｅ等の希ガスのプラズ
マに晒すことにより該基板１１表面に微小な凹凸を形成
することができる。そして、この凹凸の斜面は前述の実
施形態と同様（１１０）方向の結晶方位を有するので、
上記ｎ層１２はこの凹凸を核として成長し、ピラミッド
状の凹凸面が形成される。そして、この凹凸面上にｐ型
の非晶質シリコンからなるｐ層１３、ＩＴＯからなる厚
さ約７００Åの第２電極１４及びＡｇからなる櫛形状の
集電極１５が形成される。また、基板１１の他主面上に
はＡｌからなる第１電極１６が形成されている。斯かる
構成においても、ｎ層１２の表面に凹凸面が形成されて
いるので、太陽電池特性を向上することができる。ま
た、上記ｎ層１２とｐ層１３との間に、さらに厚さ約１
００Åの真性非晶質シリコンからなるｉ層を設けること
で、太陽電池特性の一層の向上を図ることができる。加
えて、基板１１と第１電極１６との接触界面にｎ+層を
設けることによってもＢＳＦ効果によりさらに太陽電池
特性の向上を図ることができる。
半導体素子としての太陽電池素子の素子構造断面図であ
り、同図において１１は結晶方位が（１１１）のｎ型の
単結晶シリコンからなる基板であり、該基板１の一主面
上にはプラズマＣＶＤ法により結晶方位が（１１０）方
向のｎ型の多結晶シリコンからなるｎ層１２が形成され
ている。本実施形態によれば基板１１が単結晶シリコン
からなるために結晶粒界が存在しないが、斯かる場合に
は基板１１表面をＡｒ，Ｘｒ，Ｘｅ等の希ガスのプラズ
マに晒すことにより該基板１１表面に微小な凹凸を形成
することができる。そして、この凹凸の斜面は前述の実
施形態と同様（１１０）方向の結晶方位を有するので、
上記ｎ層１２はこの凹凸を核として成長し、ピラミッド
状の凹凸面が形成される。そして、この凹凸面上にｐ型
の非晶質シリコンからなるｐ層１３、ＩＴＯからなる厚
さ約７００Åの第２電極１４及びＡｇからなる櫛形状の
集電極１５が形成される。また、基板１１の他主面上に
はＡｌからなる第１電極１６が形成されている。斯かる
構成においても、ｎ層１２の表面に凹凸面が形成されて
いるので、太陽電池特性を向上することができる。ま
た、上記ｎ層１２とｐ層１３との間に、さらに厚さ約１
００Åの真性非晶質シリコンからなるｉ層を設けること
で、太陽電池特性の一層の向上を図ることができる。加
えて、基板１１と第１電極１６との接触界面にｎ+層を
設けることによってもＢＳＦ効果によりさらに太陽電池
特性の向上を図ることができる。
【００２７】また、本発明は太陽電池に限らず、凹凸構
造を備える他の半導体素子にも適用できることはいうま
でもない。
造を備える他の半導体素子にも適用できることはいうま
でもない。
【００２８】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、化
学的エッチングを用いることなく凹凸面を有する半導体
素子を提供することができる。従って、溶液の保守管理
やエッチング廃液処理のための装置を不要とすることが
できるので、製造コストの低減を図ることができる。
学的エッチングを用いることなく凹凸面を有する半導体
素子を提供することができる。従って、溶液の保守管理
やエッチング廃液処理のための装置を不要とすることが
できるので、製造コストの低減を図ることができる。
【図１】本発明半導体素子の一例となる太陽電池素子の
素子構造断面図である。
素子構造断面図である。
【図２】プラズマＣＶＤ法により形成したシリコン膜の
結晶性を示す特性図である。
結晶性を示す特性図である。
【図３】図１の太陽電池素子の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態に係る太陽電池素子の
素子構造断面図である。
素子構造断面図である。
１…基板、２…第１電極、３…ｎ層、４…第１ｉ層、５
…凹凸、６…第２ｉ層、７…ｐ層、８…第２電極、９…
集電極
…凹凸、６…第２ｉ層、７…ｐ層、８…第２電極、９…
集電極
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の結晶方位を有する第１の結晶系半
導体層と、該第１の結晶系半導体層上に形成された、前
記第１の結晶方位とは異なる結晶方位に結晶が成長する
ことにより表面が凹凸化された第２の結晶系半導体層と
を有することを特徴とする半導体素子。 - 【請求項２】 第１の結晶方位を有する第１の結晶系半
導体層と、該第１の結晶系半導体層上に形成された、前
記第１の結晶方位とは異なる結晶方位に結晶が成長する
ことにより光入射面が凹凸化された第２の結晶系半導体
層とを有することを特徴とする太陽電池素子。 - 【請求項３】 第１の結晶方位を有する第１の結晶系半
導体層上に、前記第１の結晶方位とは異なる第２の結晶
方位を有する第２の結晶系半導体層を成長させることに
より、該第２の結晶系半導体層の表面を凹凸化する工程
を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24335999A JP2001068708A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 半導体素子、太陽電池素子及び半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24335999A JP2001068708A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 半導体素子、太陽電池素子及び半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068708A true JP2001068708A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17102675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24335999A Pending JP2001068708A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 半導体素子、太陽電池素子及び半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001068708A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023055B2 (en) * | 2003-10-29 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | CMOS on hybrid substrate with different crystal orientations using silicon-to-silicon direct wafer bonding |
| JP2012023350A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
-
1999
- 1999-08-30 JP JP24335999A patent/JP2001068708A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023055B2 (en) * | 2003-10-29 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | CMOS on hybrid substrate with different crystal orientations using silicon-to-silicon direct wafer bonding |
| US7364958B2 (en) | 2003-10-29 | 2008-04-29 | International Business Machines Corporation | CMOS on hybrid substrate with different crystal orientations using silicon-to-silicon direct wafer bonding |
| JP2012023350A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
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