JP2001055435A - 光記録媒体用成形材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成形性および低複屈折性に優れた光記録媒体
用成形材料を提供する。 【解決手段】 一般式（Ａ）のビスフェノール化合
物、４，４’−［１，３−フェニレン（１−メチルエ
チリデン）］ビスフェノール及び３官能以上のフェノ
ール性水酸基を有する化合物と、炭酸エステル形成化合
物とを反応させてなる極限粘度が０．３〜０．５ｄｌ／
ｇであるポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材
料。 【化１】 （式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は、各々独立して、水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、
炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキ
シ基又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク、レーザーディスク（登録商標）、光カード及びＭＯ
ディスクなどの光記録媒体を製造するのに好適な成形性
とともに複屈折の低減されたポリカーボネート樹脂光記
録媒体用成形材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビスフェノールＡ型ポリカーボネート
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性及び寸法安定性
などの特徴を生かして、最近は光ディスク用基盤材料と
して広く用いられるようになった。しかしながら、光デ
ィスク用にポリカーボネートを用いる場合いくつかの問
題点があった。

【０００３】光ディスク基盤としての性能のうち、情報
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。

【０００４】これらの複屈折低減を目的とした様々なポ
リカーボネート樹脂材料が開発されている。（特開昭６
０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１５）しかし
ながら、近年、高密度化が進む光ディスク分野におい
て、これらの材料では複屈折対策は十分とは言えなかっ
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた成形
性と低複屈折性を両立した光記録媒体用成形材料を提供
する事を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定のビスフェ
ノール類より誘導された分岐化ポリカーボネート樹脂
は、低複屈折性と良好な成形性を兼ね備えた良質の光記
録媒体成形材料となることを見いだし、本発明を完成す
るに至った。

【０００７】

【発明の実施の形態】即ち、本発明は、一般式（Ａ）
のビスフェノール化合物、４，４’−［１，３−フェ
ニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノー
ル、及び３官能以上のフェノール性水酸基を有する化
合物と、炭酸エステル形成化合物とを反応させてなる極
限粘度が０．３〜０．５ｄｌ／ｇであるポリカーボネー
トからなる光記録媒体用成形材料である。

【化２】 （式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は、各々独立して、水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、
炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキ
シ基又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。）

【０００８】本発明の一般式（Ａ）のビスフェノール化
合物としては、具体的には、９，９−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロ
キシ−２−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス
（４−ヒドロキシ−３メチルフェニル）フルオレン、
３，６−ジメチル−９，９−ビス（４−ヒロドキシフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（３−メトキシ−４−
ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−
エトキシ−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，
９−ビス（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）フル
オレン、４，５−ジメチル−９，９−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−フェニ
ル−４ヒドロキシフェニル）フルオレン、３，６−ジメ
チル−９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン及び３，６−ジフェニル−９，９−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン等を挙げるこ
とができる。特に、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−２
−メチルフェニル）フルオレン及び９，９−ビス（４−
ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレンが好まし
い。

【０００９】また、本発明では前記一般式（Ａ）のビ
スフェノール化合物と、４，４’−［１，３−フェニ
レンビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノールの
使用モル割合が１：９〜９：１の割合が好ましい。前記
一般式（Ａ）のビスフェノール化合物が１割未満になる
と流動性が上がりすぎて成形性に問題が生じる場合があ
ると同時に複屈折改善効果が不十分となる。また、前記
一般式（Ａ）のビスフェノール化合物が９割を超えると
流動性が悪くなり成形が困難になる。

【００１０】本発明中の分岐化剤として作用する３官能
以上のフェノール性水酸基を有する化合物としては、
１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］
ビスフェノール、及び２，４，６−トリス（４−ヒドロ
キシフェニル）２，６−ジメチル−３−ヘプテンが反応
性や取り扱いの容易さから最も好ましい。

【００１１】さらに、分岐化剤となる３官能以上のフェ
ノール性水酸基を有する化合物は、前記一般式（Ａ）
のビスフェノール化合物と、４，４’−［１，３−フ
ェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノー
ルからなるビスフェノール類の合計１００モル部に対し
て、３官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物
を０．２〜３．０モル部添加することが好ましい。０．
２モル部未満では流動性改善効果が低く、３．０モル部
を越えると耐衝撃性が劣ってくる。

【００１２】本発明のポリカーボネートは、ビスフェノ
ールＡ［２，２−ビス（４ヒドロキシフェニル）プロパ
ン］からポリカーボネートを製造する際に用いられてい
る公知の方法、例えばビスフェノール類とホスゲンとの
直接反応（ホスゲン法）、あるいはビスフェノール類と
ジアリールカーボネートとのエステル交換反応（エステ
ル交換法）などの方法を採用することができる。

【００１３】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、一般式（Ａ）のビス
フェノール化合物、４，４’−［１，３−フェニレン
ビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノール及び
３官能以上のフェノール性水酸基を有する化合物と、ホ
スゲンとを反応させる。酸結合剤としては、例えばピリ
ジンや、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアル
カリ金属の水酸化物などが用いられる。また、溶媒とし
ては、例えば塩化メチレン、クロロホルム、クロロベン
ゼン、キシレンなどが用いられる。さらに、縮重合反応
を促進するために、トリエチルアミンのような三級アミ
ン触媒および第四級アンモニウム塩などの触媒が使用さ
れる。また重合度調節には、フェノール、ｐ−ｔ−ブチ
ルフェノール、p-クミルフェノール等で表されるフェノ
ール類の一官能基化合物を分子量調節剤として加える。
さらに、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルフ
ァイトなどの酸化防止剤を小量添加してもよい。反応は
通常０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲とする
のが適当である。反応時間は反応温度によって左右され
るが、通常５分〜１０時間、好ましくは１０分〜２時間
である。また、反応中は、反応系のpHを１０以上に保持
することが望ましい。

【００１４】一方、後者のエステル交換法においては、
前記一般式（Ａ）のビスフェノール化合物、４，
４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）］ビスフェノール及び３官能以上のフェノール性
水酸基を有する化合物と、ジアリールカーボネートとを
混合し、減圧下で高温において反応させる。この時、ｐ
−ｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール類等の
フェノール類の一官能基化合物を分子量調節剤として加
えてもよい。反応は通常１５０〜３５０℃、好ましくは
２００〜３００℃の範囲の温度において行われ、また減
圧度は最終的には１ｍｍＨｇ以下にする事が好ましく、
エステル交換反応により生成した該ジアリールカーボネ
ートから由来するフェノール類を系外へ留去させる。反
応時間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、
通常１〜６時間程度である。反応は窒素やアルゴンなど
の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく。また、所
望に応じ、酸化防止剤を添加して反応を行ってもよい。

【００１５】ホスゲン法とエステル交換法では、前記
一般式（Ａ）のビスフェノール化合物及び４，４’−
［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］
ビスフェノールの反応性を考慮した場合、ホスゲン法の
方が好ましい。

【００１６】更に、本発明の分子量調節剤としては、一
価のフェノールが好ましく、具体的には、ブチルフェノ
ール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、デカニ
ルフェノール、テトラデカニルフェノール、ヘプタデカ
ニルフェノール、オクタデカニルフェノール等の長鎖ア
ルキル置換フェノール；ヒドロキシ安息香酸ブチル、ヒ
ドロキシ安息香酸オクチル、ヒドロキシ安息香酸ノニ
ル、ヒドロキシ安息香酸デカニル、ヒドロキシ安息香酸
ヘプタデカニル等のヒドロキシ安息香酸長鎖アルキルエ
ステル；ブトキシフェノール、オクチルオキシフェノー
ル、ノニルオキシフェノール、デカニルオキシフェノー
ル、テトラデカニルオキシフェノール、ヘプタデカニル
オキシフェノール、オクタデカニルオキシフェノール等
の長鎖アルキルオキシフェノール類が例示される。

【００１７】本発明において、ホスゲン法を採用する場
合は、ホスゲン吹き込み終了後に反応を効率よく行うた
め、第四級アンモニウム塩を少量添加することが好まし
い。具体的には、テトラメチルアンモニウムクロライ
ド、トリメチルベンジルアンモニウムクロライド、トリ
エチルベンジルアンモニウムクロライド、テトラエチル
アンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムアイオダイドなどが例示され、これらのうち、トリ
メチルベンジルアンモニウムクロライド及びトリエチル
ベンジルアンモニウムクロライドが好ましい。この第四
級アンモニウム塩は、使用される全ビスフェノール類に
対して、一般に０．０００５〜５ｍｏｌ％使用されるこ
とが好ましい。第四級アンモニウム塩の添加後、３〜１
０分後に、トリエチルアミンなどの三級アミン及び分子
量調節剤を添加して重合させる事が好ましい。三級アミ
ンの添加量は、全ビスフェノール類に対して、０．０１
〜１．０ｍｏｌ％である。また、分子量調節剤の添加量
は、全ビスフェノール類に対して、３〜１０ｍｏｌ％で
ある。

【００１８】これらの反応で合成されたポリカーボネー
ト重合体は、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成
形、湿式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光
記録媒体用成形材料としては、容易に押出、射出成形が
できることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形で
は極限粘度が０．３〜０．５ｄｌ／ｇの範囲であること
が好ましい。

【００１９】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、射出成形で成形することが好ましく、その際
の流動性は大きすぎても小さすぎても成形性に問題が生
じる。例えば高化式フローテスター（280 ℃、160kgf/c
m²、ノズル径1mm ×10mm）測定で、15〜90×10^-2cc/sec
の範囲が好ましい。15×10^-2cc/sec未満では、流動性が
悪く金型への充填不良やフローマークが生じる場合があ
り、90×10^-2cc/secを越えると金型剥離不良やソリを生
じやすい。

【００２０】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０⁴ 以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。

【００２１】光記録媒体用ポリカーボネート成形材料は
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、蜜ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から一般の光記録媒体用ポリカーボネートと性
能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可能
である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形温
度は、流動性の観点から２８０〜３８０℃が好ましい。

【００２２】

【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。

【００２３】実施例１ ８．８％（ｗ／ｖ）の水酸化ナトリウム水溶液５８リッ
トルに、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フル
オレン４．２ｋｇ（以下ＢＰＦＬと略称、１２ｍｏｌ）
と４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエ
チリデン）］ビスフェノール９．６９Ｋｇ（以下ＢＰＭ
と略称、２８ｍｏｌ）と１，１，１−トリス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン１２２ｇ（以下ＴＨＰＥと略
称、０．４ｍｏｌ）及びハイドロサルファイト１０ｇを
加え溶解した。これにメチレンクロライド３６リットル
を加え、１５℃に保ちながら撹拌しつつ、ホスゲン５ｋ
ｇを５０分かけて吹き込んだ。吹き込み終了後、トリエ
チルベンジルアンモニウムクロライド５ｇ（０．０２２
ｍｏｌ）を加え５分間激しく撹拌して反応液を乳化さ
せ、次にｐ−ターシャルブチルフェノール５０４ｇ（以
下ＰＴＢＰと略称、３．３６ｍｏｌ）を加え、さらに２
０ｍｌのトリエチルアミン（０．１４ｍｏｌ）を加え、
約１時間撹拌し重合させた。重合液を水相と有機相に分
離し、有機相をリン酸で中和し、洗液の導電率が１０μ
Ｓ以下になるまで水洗を繰り返した後、精製樹脂液を得
た。得られた精製樹脂液を、強攪拌されている４５℃の
温水にゆっくり滴下し、溶媒を除去しつつ重合物を固形
化した。固形物を濾過後、乾燥して白色粉末状重合体を
得た。この重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃度
０．５ｇ／ｄｌの溶液の温度２０℃における極限粘度
［η］は０．４１ｄｌ／ｇであった。得られた上記重合
体を赤外線吸収スペクトルより分析した結果、１７７０
ｃｍ ^-1付近の位置にカルボニル基による吸収が認めら
れ、カーボネート結合を有することが確認された。ま
た、３６５０〜３２００ｃｍ^-1の位置に水酸基由来の吸
収はほとんど認められなかった。このポリカーボネート
中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場合、いずれのモ
ノマーも２０ｐｐｍ以下であった。

【００２４】得られたポリカーボネート粉末にステアリ
ン酸モノグリセリド３００ｐｐｍを添加し、５０μｍポ
リマーフィルターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機に
て３００℃で押出し、溶融ペレット化を行った。得られ
たペレットを樹脂温度３５０℃で、金型温度１００℃、
及び射出圧２９．４ＭＰａの条件で、外径１２０ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍの円盤を射出成形し、２日間室内放置後
３０度斜め入射時の複屈折を測定した。押出ペレットに
ついては、流れ値（Ｑ値）を測定し、成形流動性の目安
とした。またポリカーボネート粉末について、５０μｍ
厚のキャストフィルムを作成し、３００〜１１００ｇの
荷重をかけ、光弾性感度を測定した。結果を表１に示し
た。

【００２５】実施例２ ＢＰＦＬを７．０ｋｇ（２０ｍｏｌ）、ＢＰＭを６．９
２ｋｇ（２０ｍｏｌ）に変更し、ＴＨＰＥを１２２ｇ
（０．４ｍｏｌ）、ＰＴＢＰを５２２ｇ（３．４８ｍｏ
ｌ）に変更した以外は、実施例１と同様に行った。得ら
れた重合体の極限粘度［η］は０．３８ｄｌ／ｇで、赤
外吸収スペクトル分析等よりこの重合体は重合比以外は
実施例１と同等のポリカーボネート重合体構造を有する
と認められた。結果を表１に示した。

【００２６】実施例３ ＢＰＦＬを９．８ｋｇ（２８ｍｏｌ）、ＢＰＭを４．１
５ｋｇ（１２ｍｏｌ）に変更し、ＴＨＰＥを６１．２ｇ
（０．２ｍｏｌ）、ＰＴＢＰを５０４ｇ（３．３６ｍｏ
ｌ）に変更した以外は実施例１と同様に行った。得られ
た重合体の極限粘度［η］は０．３９ｄｌ／ｇで、赤外
吸収スペクトル分析等よりこの重合体は重合比及び分岐
化度以外は実施例１と同等のポリカーボネート重合体構
造を有すると認められた。結果を表１に示した。

【００２７】実施例４ ＢＰＦＬのかわりに９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３
−メチルフェニル）フルオレンを７．５６ｋｇ（以下Ｂ
ＣＦＬと略称、２０ｍｏｌ）に変更した以外は、実施例
２と同様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は
０．３７ｄｌ／ｇで、赤外線吸収スペクトルにより分析
した結果、１７７０ｃｍ^-1付近の位置にカルボニル基に
よる吸収が認められ、カーボネート結合を有することが
確認された。また、３６５０〜３２００ｃｍ^-1の位置に
水酸基由来の吸収はほとんど認められなかった。このポ
リカーボネート中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場
合、いずれのモノマーも２０ｐｐｍ以下であった。結果
を表１に示した。

【００２８】比較例１ 実施例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
（以下ＢＰＡと略称）型ポリカーボネート（三菱瓦斯化
学（株）製Ｈ−４０００、［η］＝０．３５ｄｌ／ｇ）
を用いて実施例１と同様の試験を行った。結果を表１に
示した。

【００２９】比較例２ ＢＰＦＬ、ＢＣＦＬを用いず、ＢＰＭのみ１３．８４Ｋ
ｇ（４０ｍｏｌ）用い、ＰＴＢＰを２８８ｇ（１．９２
ｍｏｌ）に変更した以外は、実施例１と同様に行った。
得られた重合体の極限粘度［η］は０．３５ｄｌ／ｇ
で、赤外吸収スペクトル等よりこの重合体はポリカーボ
ネート重合体と認められた。結果を表１に示した。

【００３０】比較例３ ＢＰＭを用いず、ＢＰＦＬのみ１４ｋｇ（４０ｍｏｌ）
用い、ＰＴＢＰを３６６ｇ（２．４４ｍｏｌ）に変更し
たた以外は実施例１と同様に行った。ＢＰＦＬの反応性
が悪く、未反応モノマーが大量に発生し、強度不足によ
り成形できなかった。結果を表１に示した。

【００３１】

【表１】

【００３２】〔表１の説明〕 複屈折：（株）溝尻光学工業製、自動エリフ゜ソメータ-使用。
測定波長 632.8nm。 光弾性感度：50μｍ厚のキャストフィルムに300 〜1100
g の荷重をかけ、エリプソメーター波長632.8nmにて光
弾性感度を測定した。 流れ値（Ｑ値）：島津製作所（株）製高化式フローテス
ター使用。280 ℃、160kgf/cm²、ノズル径1mm ×10mm条
件での単位時間あたりの流量。（単位×10^-2ml/sec） BPFL：9,9-ビス（4-ヒドロキシフェニル）フルオレン BCFL：9,9-ビス（4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル）フ
ルオレン BPM ：4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデ
ン)]ビスフェノール THPE：1,1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニル）エタン ＢＰ成分（ａ）：全ビスフェノール使用量に対する一般
式（Ａ）の割合(mol%) ＢＰ成分（ｂ）：全ビスフェノール使用量に対するＢＰ
Ｍの割合(mol%) 極限粘度：0.5g／100cc ジクロロメタン樹脂溶液を20
℃、ハギンズ定数0.45で極限粘度［η］(dl/g)を求め
た。

【００３３】

【発明の効果】本発明より、優れた成形性、低複屈折性
を両立した光記録媒体用成形材料を提供できる。特に、
高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスク
および光磁気ディスクに好適である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 典昭 大阪府豊中市神州町２丁目12番地 三菱瓦 斯化学株式会社大阪工場内 Ｆターム(参考） 4J029 AB01 AB04 AC02 AE05 BB11A BB12A FC32 GA05 HC01 JB191 JC021 JC091 KB17 KB25 5D029 KA07 KC07

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ａ）のビスフェノール化合
   物、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチ
   ルエチリデン）］ビスフェノール、及び３官能以上の
   フェノール性水酸基を有する化合物と、炭酸エステル形
   成化合物とを反応させてなる極限粘度が０．３〜０．５
   ｄｌ／ｇであることを特徴とするポリカーボネートから
   なる光記録媒体用成形材料。 【化１】 （式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₄ は、各々独立して、水素原子、炭素
   数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、
   炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキ
   シ基又は炭素数７〜１７のアラルキル基を表す。）
2. 【請求項２】 前記一般式（Ａ）のビスフェノール化
   合物と、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−
   メチルエチリデン）］ビスフェノールとの使用モル割合
   が１：９〜９：１の割合である請求項１記載の光記録媒
   体用成形材料。
3. 【請求項３】 前記一般式（Ａ）のビスフェノール化
   合物と、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−
   メチルエチリデン）］ビスフェノールからなるビスフェ
   ノール類の合計１００モル部に対して、３官能以上の
   フェノール性水酸基を有する化合物を０．２〜３．０モ
   ル部添加してなる請求項１記載の光記録媒体用成形材
   料。
4. 【請求項４】 前記一般式（Ａ）で示されるビスフェノ
   ール化合物が、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニ
   ル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−
   メチルフェニル）フルオレン及び９，９−ビス（４−ヒ
   ドロキシ−２−メチルフェニル）フルオレンからなる群
   より選択された少なくとも１種である請求項１記載の光
   記録媒体用成形材料。
5. 【請求項５】 ３官能以上のフェノール性水酸基を有す
   る化合物が、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェ
   ニル）エタン、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒ
   ドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エ
   チリデン］ビスフェノール、及び２，４，６−トリス
   （４−ヒドロキシフェニル）２，６−ジメチル−３−ヘ
   プテンからなる群より選択された少なくとも１種類であ
   る請求項１記載の光記録媒体用成形材料。
6. 【請求項６】 アルカリ水溶液と有機溶媒存在下で、
   一般式（Ａ）のビスフェノール化合物、４，４’−
   ［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］
   ビスフェノール、及び３官能以上のフェノール性水酸
   基を有する化合物に、ホスゲンを吹き込んだ後、第四級
   アンモニウム塩を添加し重縮合反応を開始させ、次に分
   子量調節剤となる一価フェノールを添加し、更に三級ア
   ミン重合触媒を添加し、重縮合を促進せしめることを特
   徴とする請求項１記載の光記録媒体用成形材料の製造方
   法。
7. 【請求項７】 分子量調節剤と三級アミンを同時に添加
   する請求項６記載の光記録媒体用成形材料の製造方法。
8. 【請求項８】 第四級アンモニウム塩がトリエチルベン
   ジルアンモニウムクロライド又はトリメチルベンジルア
   ンモニウムクロライドである請求項６記載の光記録媒体
   用成形材料の製造方法。