JP2001053434A - リフロー方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度プロファイル設定の自由度が向上でき、
リフロー装置のエネルギー消費量の削減が図れ、機種切
り替え時間の短縮を実現できるリフロー方法および装置
を提供する。 【解決手段】 搬送経路６に沿って配設されている輻射
加熱体１に誘導磁界を作用させて発熱させ、輻射加熱体
１から発生する輻射熱でプリント回路基板８を加熱して
クリーム半田を溶融させてプリント回路基板８に電子部
品を実装する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、クリーム半田を付
与して電子部品が搭載されたプリント回路基板を移動経
路に沿って搬送して、その搬送中に前記クリーム半田を
溶融させてプリント回路基板に前記電子部品を実装する
リフロー方法及び装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高機能化の要
求に伴なって、クリーム半田などによるリフロー半田付
け技術が進歩し、プリント基板への電子部品の高密度実
装化が進められている。例えばクリーム半田を用いたリ
フロー半田付けは、クリーム半田をプリント回路基板に
印刷する工程と、印刷したクリーム半田に電子部品を搭
載する工程と、プリント回路基板を加熱し半田付けを行
うリフロー工程とからなる。

【０００３】図３は、プリント回路基板への電子部品の
実装状態を示し、図４は、従来のリフロー装置を示す。
図３（ａ）に示すように、リフロー前のプリント回路基
板８には、所定の電極１１上にクリーム半田１２が印刷
されており、クリーム半田１２により電子部品１３の部
品電極１４と電極１１とが電気的に接続されるように、
電子部品１３が正確に位置決めされて搭載されている。

【０００４】この電子部品１３が搭載されたプリント回
路基板８は、図４に示すように、搬送装置６の搬送経路
を矢印Ａ方向へ搬送され、炉体３に設けられた５組の加
熱ユニット１９ａ〜１９ｅの内部を通過する。加熱ユニ
ット１９ａ〜１９ｅにはそれぞれヒータ１５が設けられ
ており、矢印ａで示すヒータ１５で加熱された空気がノ
ズル１８を介して矢印ｂで示すように整流されて吹き出
され、その空気の一部は矢印ｃで示すように加熱ユニッ
ト１９ａ〜１９ｅの外部に流出て、矢印ｄで示すように
炉体３の上部に設けられた排気口１６より排出される。
残りの空気は、搬送装置６を介して各加熱ユニット１９
ａ〜１９ｅと対向する位置に設けられたシロッコファン
１７により炉体３の内部で循環する。

【０００５】このようにして各加熱ユニット１９ａ〜１
９ｅ内の空気をヒータ１５にて所定の温度に加熱した熱
風と各ヒータ１５の輻射熱により、プリント回路基板８
が均一に加熱される。そして、クリーム半田１２の溶融
点以上にプリント回路基板８が加熱されると、一旦クリ
ーム半田１２が溶融して電極１１と部品電極１４の両者
に均等に半田が分散する。

【０００６】加熱ユニット１９ａ〜１９ｅを通過したプ
リント回路基板８は、冷却ファン７により冷却され、図
３（ｂ）に示すように、クリーム半田１２が固化して電
極１１と電子部品１３の部品電極１４とが接合される。
クリーム半田１２は、直径３０〜６０μｍ程度の半田粉
末をフラックスと混合し、クリーム状にした物質であ
る。フラックスは、リフロー時における電極１１と部品
電極１４の酸化物の除去と保護を目的として配合される
ものであり、主成分であるロジンを溶剤に溶融して、少
量の添加物を加えて成分調整したものである。

【０００７】詳しくは、プリント回路基板８を半田１２
の溶融点以上に加熱する際に、加熱とともに電極１１や
部品電極１４が激しく酸化し始める。特に電極１１は、
一般的に銅で形成されているため酸化が著しい。酸化に
より電極１１の表面が酸化物で被われると、溶融したク
リーム半田１２が電極１１と金属間化合物を形成するこ
とができず、溶融したクリーム半田１２がはじかれて、
半田付けできなくなる。

【０００８】しかしながら、クリーム半田１２に混入さ
れたフラックスに含有されるロジンは、１４０〜１６０
℃程度に加熱されると軟化すると同時に活性化し、電極
１１の表面に発生した酸化物に対して還元反応を起こし
て酸化物を除去し、純粋な金属表面を露出させる。さら
に、軟化したロジンは電極１１を被っているため、雰囲
気中の酸素と電極１１との接触が阻害され、再酸化が抑
制される。

【０００９】このようなフラックスの効果を有効にする
ために、一般的にリフロー半田付けにおいては、図５に
示すような温度プロファイルの設定が必要となる。図５
に示すプリント回路基板８の温度プロファイルを実現す
るために、各加熱ユニット１９ａ〜１９ｅは、以下のよ
うに温度設定される。この例では、プリント回路基板８
の投入側から３組の加熱ユニット１９ａ〜１９ｃが後述
のプリヒート工程で使用され、残りの２組の加熱ユニッ
ト１９ｄ、１９ｅが本加熱に使用される。

【００１０】加熱ユニット１９ａ〜１９ｃのうち最初の
加熱ユニット１９ａは、プリヒート工程の設定温度に速
やかに到達できるように、プリヒート工程で必要とされ
る温度より１０℃〜３０℃程度高めの温度に設定され、
加熱ユニット１９ｂ、１９ｃは、プリヒート工程で必要
とされる温度に設定される。本加熱工程で使用される加
熱ユニット１９ｄ，１９ｅのうち、加熱ユニット１９ｄ
は、リフロー工程中の最高温度である２３０℃よりも少
し高めに設定され、加熱ユニット１９ｅは２３０℃程度
に設定される。

【００１１】このように構成された加熱ユニット１９ａ
〜１９ｃを通過することで、プリント回路基板８はまず
１６０℃程度まで加熱され、その状態で４０秒程度保持
される。この時、上述した酸化物還元反応が進行して、
電極１１の表面に発生した酸化物が除去される。この工
程は一般的にプリヒート工程と呼ばれる。このプリヒー
ト工程は、上記のようなフラックスの酸化物除去効果を
有効にするだけでなく、プリント回路基板８の上の温度
ばらつきを少なくする効果もある。すなわち、プリント
回路基板８には大小様々な電子部品１３が様々な部品間
隔で搭載されており、大きな電子部品と小さな電子部品
とでは熱容量に差があるため、所定の温度に上昇する時
間が異なってくる。従って、プリヒート工程をある程度
長くとることで、プリント回路基板８の上の温度ばらつ
きを小さくできる。

【００１２】プリヒート工程に次いで、２００℃以上の
本加熱を行う。ここでは、プリント回路基板８を２３０
℃程度まで加熱し、クリーム半田１２を溶融して半田付
けが行われる。一般的に、クリーム半田１２で使用され
る半田は、錫と鉛の共晶半田がクリーム半田の半田成分
として使用されており、その融点は１８３℃である。従
って、プリント回路基板８は１８３℃以上に加熱すれば
よいが、より短時間で半田付けを行うために２３０℃程
度まで加熱することが多い。

【００１３】この時、２００℃以上に保持される時間
は、２０秒以下であることが望ましい。２０秒よりも加
熱すると、電子部品１３が加熱により劣化する可能性が
高くなる。なお、プリント回路基板８の温度プロファイ
ルの調整は、上記のような各加熱ユニット１９ａ〜１９
ｅの設定温度の調節だけでなく、搬送速度により行うこ
ともでき、例えば加熱に要する時間が不足する場合に
は、加熱ユニット１９ａ〜１９ｅのヒータ１５の設定温
度を上げる他に、プリント回路基板８の搬送速度を遅く
してもよい。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように構成されたリフロー装置では、温度プロファイル
の設定に熟練を要し、最適な温度設定値を決定するのに
時間がかかるという問題がある。温度プロファイルの設
定には、上述のように加熱ユニット１９ａ〜１９ｅのヒ
ータ温度の設定と、プリント回路基板８の搬送速度を考
慮する必要がある。

【００１５】特に、プリント回路基板８の搬送速度は、
どの加熱ユニット１９ａ〜１９ｅを通過する速度も全て
同じであるため、加熱ユニット１９ａ〜１９ｅのヒータ
設定温度を調節しながら最適な温度設定値を見つける必
要がある。また、プリント回路基板８の温度上昇は、プ
リント回路基板８の大きさや搭載されている部品の密度
によっても変化することから、例えば、熱容量が大きく
異なる電子部品が搭載されている場合には、温度のばら
つきを小さくするためにプリヒート工程を長く取る必要
がある。

【００１６】プリヒート工程を長くするためには、プリ
ント回路基板８の搬送速度を遅くするが、必然的にプリ
ント回路基板８が本加熱工程を行う加熱ユニット１９
ｄ，１９ｅを通過する時間も長くなり、熱容量の小さい
電子部品には温度補償範囲を超える熱量が加わり損傷す
る場合がある。このようにプリント回路基板８の温度プ
ロファイルの設定には慎重さが求められ、時間のかかる
作業となる。

【００１７】また、上記のようなリフロー装置は、一般
に大きなプリント回路基板８でもリフローができるよう
に大型の装置が用いられることから、装置の持つ熱容量
が大きくなり、稼動中の消費エネルギーが大きくなると
いう問題がある。具体的には、奥行きが８００ｍｍ〜１
２００ｍｍ程度、長さが２５００ｍｍ〜４０００ｍｍ程
度、高さが１５００ｍｍ〜２０００ｍｍ程度と大型のリ
フロー装置では、炉体３の容量が大きくなるため、製造
ラインにおいて常温から装置を稼動させた際に、ヒータ
１５にて炉体３の内部の空気を加熱して一定温度にする
には大きな熱容量が必要となり、一定温度になるまでに
３０分から１時間の立ち上げ時間がかかり、生産性が低
下する。

【００１８】そのため、立ち上げ時間を短縮するため
に、休憩時など製造が行われていない時間でも常時ヒー
タ１５に通電する方法が取られているが、実際の稼働率
と比較して消費される電力が大きくなる。また、上記の
ような大型のリフロー装置では、装置の熱容量が大きい
ため、機種の切り替え時間が長くなるという問題もあ
る。

【００１９】すなわち、機種切り替えによって設定温度
が上がる場合には、加熱方向であるので比較的短時間で
温度を変更できるが、設定温度を下げる場合には、装置
全体が設定温度を一定に保ちやすいよう断熱構造となっ
ていること、また炉体３全体を冷却する機構を持ってい
ないため、一旦温度の上がった炉体３を冷却するには自
然放熱になることなどから、時間がかかることとなる。

【００２０】本発明は、前記問題点を解決し、温度プロ
ファイル設定の自由度が向上でき、リフロー装置のエネ
ルギー消費量の削減が図れ、機種切り替え時間の短縮を
実現できるリフロー方法および装置を提供することを目
的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明のリフロー方法お
よび装置は、プリント回路基板の搬送経路に沿って輻射
加熱体とこれに作用する磁界発生手段を設けたことを特
徴とする。この本発明によると、温度プロファイル設定
の自由度が向上でき、リフロー装置のエネルギー消費量
の削減と、機種切り替え時間の短縮とを実現できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載のリフロー
半田付け方法は、クリーム半田を付与して電子部品が搭
載されたプリント回路基板を移動経路に沿って搬送し
て、その搬送中に前記クリーム半田を溶融させてプリン
ト回路基板に前記電子部品を実装するに際し、前記搬送
経路に沿って配設されている輻射加熱体に誘導磁界を作
用させて発熱させ、輻射加熱体から発生する輻射熱でプ
リント回路基板を加熱して前記クリーム半田を溶融させ
てプリント回路基板に前記電子部品を実装することを特
徴とする。

【００２３】この構成によると、誘導加熱により輻射加
熱体の温度を短時間で変更できるため、温度プロファイ
ルの設定の自由度が上がり、プリント基板への電子部品
の搭載密度にかかわらず、最適な温度設定が実現でき
る。本発明の請求項２記載のリフロー半田付け装置は、
クリーム半田を付与して電子部品が搭載されたプリント
回路基板を移動経路に沿って搬送して、その搬送中に前
記クリーム半田を溶融させてプリント回路基板に前記電
子部品を実装するリフロー半田付け装置であって、誘導
磁界が作用して発熱する複数枚の輻射加熱体を前記搬送
経路に沿って配設し、前記輻射加熱体に作用する誘導磁
界を発生する磁界発生手段を設けたことを特徴とする。

【００２４】この構成によると、磁界発生手段により輻
射加熱体の温度を短時間に切り換えられるため、不要時
の通電を行う必要がなくなり消費電力を削減できるとと
もに、機種の切り換えを短時間で行える。本発明の請求
項３記載のリフロー半田付け装置は、請求項２におい
て、磁界発生手段を、輻射加熱体のプリント回路基板と
対向する面とは反対側の面に設けたことを特徴とする。

【００２５】本発明の請求項４記載のリフロー半田付け
方法は、クリーム半田を付与して電子部品が搭載された
プリント回路基板を移動経路に沿って搬送して、その搬
送中に前記クリーム半田を溶融させてプリント回路基板
に前記電子部品を実装するに際し、前記搬送経路に沿っ
て配設されている輻射加熱体に誘導磁界を作用させて発
熱させ、輻射加熱体の温度をプリント回路基板の搬送状
況に応じて制御しながら、輻射加熱体から発生する輻射
熱でプリント回路基板を加熱して前記クリーム半田を溶
融させてプリント回路基板に前記電子部品を実装するこ
とを特徴とする。

【００２６】この構成によると、搬送されるプリント回
路基板の位置に応じて輻射加熱体の温度を容易に制御で
きるため、温度プロファイルの設定の自由度をさらに向
上できるとともに、リフロー半田付けに要する時間を短
縮して、消費電力を削減できる。以下、本発明の各実施
の形態を図１と図２を用いて説明する。

【００２７】なお、上記従来例を示す図３〜図５と同様
をなすものについては、同一の符号を付けて説明する。 （実施の形態１）図１と図２は、本発明の（実施の形態
１）を示す。図１は、リフロー装置の構成を示し、図２
はこれに使用する輻射加熱体と磁界発生手段の構成を示
し、従来よりも温度プロファイルの設定を容易にするた
めに、プリント回路基板８の加熱手段を上記従来例を示
す図３のリフロー装置とは異なる構成とした。

【００２８】詳しくは、図１に示すように、炉体３の内
部には、クリーム半田を付与して電子部品が搭載された
プリント回路基板８を、移動経路に沿って矢印Ａ方向に
一定速度で搬送する搬送装置６が設けられている。ま
た、炉体３の内部には、搬送装置６が一定速度で通過す
るよう構成された予備加熱部４ａ，４ｂと本加熱部５と
が設けられており、予備加熱部４ａ，４ｂと本加熱部５
との間およびその前後には空間が形成され、炉体３の上
部には排気口１６が配設されている。

【００２９】各予備加熱部４ａ，４ｂと本加熱部５の搬
送装置６の搬送面の上側には、輻射加熱体としての鉄製
プレート１が配置されている。それぞれの鉄製プレート
１には、図２に示すように、磁界発生手段としての複数
の誘導加熱コイル２が設けられている。これらの誘導加
熱コイル２は、鉄製プレート１のプリント回路基板８と
対向する面とは反対側の面に設けることが好ましい。

【００３０】鉄製プレート１に載置されたそれぞれの誘
導加熱コイル２は、導線９にて制御回路ユニット１０と
接続されており、電流が通電されると磁界２０が発生
し、誘導磁界が作用して鉄製プレート１を昇温する。上
記予備加熱室４ａ，４ｂおよび本加熱室５において、鉄
製プレート１と搬送装置６の距離は、誘導加熱コイル２
により発生する磁界２０が搬送装置６まで到達しない距
離に設定している。

【００３１】搬送装置６の搬送方向の下手側には、予備
加熱部４ａ，４ｂと本加熱部５とを通過したプリント回
路基板８を、送風により冷却する冷却ファン７が設けら
れている。以下、具体例に基づき、上記のように構成さ
れたリフロー装置のリフロー方法を説明する。

【００３２】リフロー装置の外形は、奥行き１０００ｍ
ｍ、長さ２４００ｍｍ、高さ１１５０ｍｍであり、これ
に使用される鉄製プレート１は、縦６００ｍｍ、横６０
０ｍｍ、厚み１０ｍｍである。また、鉄製プレート１
は、その下面と搬送装置６との距離が１００ｍｍとなる
ように配置した。クリーム半田を付与して電子部品が搭
載されたプリント回路基板８は、搬送装置６によって一
定の速度で予備加熱部４ａ，４ｂに搬入される。

【００３３】予備加熱部４ａ，４ｂでは、誘導加熱コイ
ル２に一定の周波数で電流が通電されて鉄製プレート１
を貫通する磁界２０が発生し、誘導加熱により鉄製プレ
ート１が加熱される。鉄製プレート１の温度は、誘導加
熱コイル２に供給する電流量と周波数とで制御する。プ
リント回路基板８の表面は、誘導加熱により一定温度に
保持された鉄製プレート１からの輻射加熱により昇温さ
れる。

【００３４】プリント回路基板８の表面を１６０℃に昇
温するためには、鉄製プレート１の表面温度を２５０℃
になるように設定すると良好な結果が得られ、通電開始
より２分程度でプリント回路基板８の表面を１６０℃に
昇温できた。このように、上記（実施の形態１）では、
誘導加熱により鉄製プレート１のみを加熱しその輻射熱
でプリント回路基板８を加熱するため、従来は炉内３全
体の空気を加熱するために大きな熱容量が必要であった
プリント回路基板８の昇温を、少ない熱容量で行えるこ
とから短時間で実現できる。

【００３５】また、上述のようにプリント回路基板８の
加熱に必要な熱容量を小さくできるため、常温から装置
を稼動させてもその立ち上げ時間を短くでき、上記従来
例のように立ち上げ時間を短縮する目的で製造が行なわ
れていない時間に通電する必要がなくなり、消費電力を
削減できる。また、上述のようにこの（実施の形態１）
では、誘導加熱により鉄製プレート１のみを加熱してい
るため炉内３全体を冷却する必要がなく、２５０℃まで
加熱された鉄製プレート１に対して通電をやめると放熱
を始め、１５分で１００℃まで放熱した。

【００３６】従って、例えば機種切替えにより鉄製プレ
ート１の温度設定を２０℃下げる場合でも、要する時間
は５分以内であり、機種切替えの時間を短縮することが
できた。次いで、プリント回路基板８は本加熱部５に搬
送される。この本加熱部５においても上記と同様に、誘
導加熱コイル２に一定の周波数で電流が通電されて鉄製
プレート１を貫通する磁界が発生し、誘導加熱により鉄
製プレート１が加熱され、一定温度に保持された鉄製プ
レート１から輻射加熱されて、プリント回路基板８が加
熱される。

【００３７】ここではプリント回路基板８が２３０℃程
度まで加熱され、クリーム半田が溶融する。このプリン
ト回路基板８は、冷却ファン７の下部で搬送され冷却さ
れて半田付けされ、炉体３の外に排出される。なお、上
記説明では予備加熱部４ａ，４ｂ、本加熱部５にそれぞ
れ一枚の鉄製プレート１を設けたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、各加熱部に複数の鉄製プレート
１を設ける、あるいは複数に分割された形状の鉄製プレ
ート１を設けてもよい。

【００３８】また、上記図２では、鉄製プレート１に３
つの誘導加熱コイル２を設けた例を示したが、本発明は
これに限定されるものではなく、単数あるいは複数の誘
導加熱コイル２を設けてもよい。また、上記説明では輻
射加熱体として鉄製プレート１を用いたが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、鉄以外の金属も使用でき
る。

【００３９】以上のように、この（実施の形態１）によ
ると、誘導加熱によりプリント回路基板８を加熱するこ
とで、短時間での昇温が実現でき、常温から装置を稼動
させてもその立ち上げ時間を短くできる。また、通電開
始からの温度応答性が良いため、４分以上プリント回路
基板８が投入されない時には通電をやめることができ、
不要時の通電をやめることにより消費電力の削減を実現
できる。

【００４０】さらに、加熱された鉄製プレート１の放熱
性も良いため、機種切替えにより鉄製プレートの温度設
定を下げる場合でも、短時間での機種切替えが実現でき
る。 （実施の形態２）リフロー装置の構成は上記（実施の形
態１）と同様であるが、この（実施の形態２）では、輻
射加熱体である鉄製プレート１の温度をプリント回路基
板８の搬送状況に応じて制御した点で異なる。

【００４１】以下、具体例に基づきこの（実施の形態
２）を説明する。プリント回路基板８を搬送するに際
し、まず予備加熱部４ａの鉄製プレート１の表面温度が
３００℃となるように、誘導加熱コイル２に通電する。
そして、搬入されたプリント回路基板８の表面温度を上
昇させる。この予備加熱部４ａでは、プリント回路基板
８の搬送が進行するにつれてプリント回路基板８の表面
温度がプリヒート工程として適当である１６０℃を超え
ないように加熱コイル２への供給電流を減らして、鉄製
プレート１の表面温度を下げる。

【００４２】そして予備加熱部４ｂへと搬送されたプリ
ント回路基板８の表面温度は、予備加熱部４ｂの鉄製プ
レート１によりプリヒート工程での温度が維持される。
次いで、プリント回路基板８は本加熱部５に搬入され
る。本加熱部５においても、プリント回路基板８の投入
直後には鉄製プレート１の表面温度を上げておき、プリ
ント回路基板８の表面温度が一定の温度に上昇した後に
はプレート１の表面温度を下げて過熱を防止する。

【００４３】この動作は、対象となるプリント回路基板
８の面積が大きい場合や搭載されている電子部品の数が
多い場合のように、プリント回路基板８の熱容量が大き
く、一定温度に維持されたプレート１では昇温能力が不
足する場合に有効である。また、誘導加熱コイル２に供
給する電流を切りかえるタイミングについては、プリン
ト回路基板８の位置を検出するセンサーを設けて信号処
理をしても良く、搬送速度を一定にしておけば、タイマ
ーにより一定時間後に切り替えても良い。

【００４４】このように、鉄製プレート１の温度をプリ
ント回路基板８の搬送状況に応じて制御することで、温
度プロファイルの設定における自由度を向上させること
ができ、温度プロファイルを設定しにくいプリント回路
基板８に対しても短時間での設定が実現できる。また、
上記説明では、各鉄製プレート１ごとに温度制御を行っ
た例を示したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、例えば１枚の鉄製プレート１に設けられた誘導加熱
コイル２へ供給する電流をそれぞれ個別に制御して、一
枚の鉄製プレート１において複数の温度分布があるよう
に構成してもよい。

【００４５】

【発明の効果】以上のように本発明のリフロー半田付け
方法によると、基板搬送経路に沿って配設されている輻
射加熱体に誘導磁界を作用させて発熱させ、輻射加熱体
から発生する輻射熱でプリント回路基板を加熱して前記
クリーム半田を溶融させてプリント回路基板に前記電子
部品を実装することで、誘導加熱により輻射加熱体の温
度を短時間で変更できるため、温度プロファイルの設定
の自由度が上がり、プリント基板への電子部品の搭載密
度にかかわらず、最適な温度設定が実現できる。

【００４６】また、本発明のリフロー半田付け装置によ
ると、誘導磁界が作用して発熱する複数枚の輻射加熱体
を前記搬送経路に沿って配設し、輻射加熱体に作用する
誘導磁界を発生する磁界発生手段を設けたことで、磁界
発生手段により輻射加熱体の温度を短時間に切替えられ
るため、不要時の通電を行う必要がなくなり、消費電力
を削減できるとともに、機種の切替えも短時間で行え
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の（実施の形態１）におけるリフロー装
置の構成を示す図

【図２】本発明の（実施の形態１）におけるリフロー装
置の要部拡大図

【図３】リフロー工程前とリフロー工程後のプリント回
路基板の模式図

【図４】従来の熱風加熱方式リフロー装置の構成を示す
図

【図５】リフロー半田付けにおけるプリント回路基板の
温度プロファイルを示す図

【符号の説明】

１ 鉄製プレート ２ 誘導加熱コイル ３ 炉体 ４ａ，４ｂ 予備加熱部 ５ 本加熱部 ６ 搬送装置 ８ プリント回路基板 ９ 導線 １０ 制御回路ユニット １１ 電極 １２ クリーム半田 １３ 電子部品 １４ 部品電極 ２０ 磁界

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】クリーム半田を付与して電子部品が搭載さ
   れたプリント回路基板を移動経路に沿って搬送して、そ
   の搬送中に前記クリーム半田を溶融させてプリント回路
   基板に前記電子部品を実装するに際し、 前記搬送経路に沿って配設されている輻射加熱体に誘導
   磁界を作用させて発熱させ、 輻射加熱体から発生する輻射熱でプリント回路基板を加
   熱して前記クリーム半田を溶融させてプリント回路基板
   に前記電子部品を実装するリフロー半田付け方法。
2. 【請求項２】クリーム半田を付与して電子部品が搭載さ
   れたプリント回路基板を移動経路に沿って搬送して、そ
   の搬送中に前記クリーム半田を溶融させてプリント回路
   基板に前記電子部品を実装するリフロー半田付け装置で
   あって、 誘導磁界が作用して発熱する複数枚の輻射加熱体を前記
   搬送経路に沿って配設し、 前記輻射加熱体に作用する誘導磁界を発生する磁界発生
   手段を設けたリフロー半田付け装置。
3. 【請求項３】磁界発生手段を、輻射加熱体のプリント回
   路基板と対向する面とは反対側の面に設けた請求項２記
   載のリフロー半田付け装置。
4. 【請求項４】クリーム半田を付与して電子部品が搭載さ
   れたプリント回路基板を移動経路に沿って搬送して、そ
   の搬送中に前記クリーム半田を溶融させてプリント回路
   基板に前記電子部品を実装するに際し、 前記搬送経路に沿って配設されている輻射加熱体に誘導
   磁界を作用させて発熱させ、 輻射加熱体の温度をプリント回路基板の搬送状況に応じ
   て制御しながら、輻射加熱体から発生する輻射熱でプリ
   ント回路基板を加熱して前記クリーム半田を溶融させて
   プリント回路基板に前記電子部品を実装するリフロー半
   田付け方法。