JP2001052600A - 電子放出源、その製造方法、及びディスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低電圧駆動を可能にし、長寿命で高精細化が
容易であり、かつ、大画面の極薄型ディスプレイ装置を
容易に構成できる電子放出源を提供する。 【解決手段】 電子放出源１０は、下部基板１上にカソ
ード電極ライン２が形成され、カソード電極ライン２上
に絶縁層３が成膜され、さらに各カソード電極ライン２
と交差してゲート電極ライン４が形成されている。各電
極ライン２、４の交差領域には、ゲート電極ライン４と
絶縁層３とを貫通してカソード電極ライン２に達する微
細孔５が形成され、この微細孔５の底部となるカソード
電極ライン２の表面に冷陰極薄膜７を有する。薄膜７
は、カソード電極ライン２に所定の電位を印加しなが
ら、炭素を主体とするターゲット基板にレーザ光を照射
して成膜を行うことにより形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば極薄型のデ
ィスプレイ装置に使用して好適な電子放出源、その製造
方法、及びディスプレイ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、例えば極薄型のディスプレイ装
置としては、スクリーン内部に電子放出源を設け、その
各画素領域内に電子放出材料からなる多数のマイクロチ
ップを形成し、所定の電気信号に応じて、対応する画素
領域のマイクロチップを励起することで、スクリーンの
蛍光面を光らせるものが案出されている。この電子放出
源は、帯状に形成された複数本のカソード電極ライン
と、このカソード電極ラインの上部においてカソード電
極ラインと交差して帯状に形成された複数本のゲート電
極ラインとが設けられ、上記カソード電極ラインと上記
ゲート電極ラインとの各交差領域がそれぞれ１画素を形
成している。

【０００３】次に、図５及び図６を参照して上述した電
子放出源とディスプレイ装置について説明する。図５
は、従来の電子放出源の一例を示す断面図である。図示
のように、この電子放出源１２は、例えばガラス材より
なる下部基板２１の表面上に帯状の複数本のカソード電
極ライン２２が形成されている。これらのカソード電極
ライン２２の上に絶縁層２３が成膜され、さらにその上
に各カソード電極ライン２２と交差して帯状に形成され
た複数本のゲート電極ライン２４が形成されて、各カソ
ード電極ライン２２とともにマトリクス構造を構成して
いる。各カソード電極ライン２２及び各ゲート電極ライ
ン２４は、制御手段２５にそれぞれ接続されて駆動制御
される。

【０００４】カソード電極ライン２２とゲート電極ライ
ン２４との各交差領域においては、ゲート電極ライン２
４と絶縁層２２とを貫通してカソード電極ライン２２に
達する多数の孔２６が形成され、これらの孔２６の底部
となるカソード電極ライン２２の表面にマイクロチップ
２７が設けられている。このマイクロチップ２７が冷陰
極を構成する。これらのマイクロチップ２７は、電子放
出材料、例えばモリブデンよりなり、略円錐体状に形成
されている。そして、各マイクロチップ２７の円錐体の
先端部は、ゲート電極ライン２４に形成されている電子
通過用のゲート部２４Ａの高さに略一致している。

【０００５】このように、カソード電極ライン２２とゲ
ート電極ライン２４との交差領域には、多数のマイクロ
チップ２７が設けられて画素領域が形成され、個々の画
素領域が１つの画素（ピクセル）に対応している。上述
した電子放出源においては、制御手段２５により所定の
カソード電極ライン２２のゲート電極ライン２４を選択
し、これらの間に所定の電圧をかけることで、カソード
電極２２とゲート電極ライン２４との交差領域、すなわ
ち、画素領域内の全てのマイクロチップ２７とゲート部
２４Ａとの間に所定の電界が生じ、マイクロチップ２７
の先端からトンネル効果によって電子が放出される。な
お、この時の印加電圧は、マイクロチップ２７の材料が
モリブデンである場合、マイクロチップ２７の円錐体の
先端部付近の電界の強さが１０⁸〜１０¹⁰Ｖ／ｍ程度と
なる電圧値に設定する。

【０００６】図６は、以上のような電子放出源を用いた
ディスプレイ装置の一例を示す斜視図である。ディスプ
レイ装置２０は、上述した電子放出源１２を画面を構成
するように多数配置した電子放出体２０Ａと、この電子
放出体２０Ａの電子放出方向に所定の間隔をもって配置
された上部基板２８とを有している。この上部基板２８
の電子放出源１２と対向する位置には、カソード電極ラ
イン２４と平行な帯状の蛍光体が塗布された蛍光面２９
が形成され、また、電子放出源１２と蛍光面２９との間
は真空に保たれた構成となっている。

【０００７】次に、ディスプレイ装置２０の動作につい
て説明する。ディスプレイ装置２０では、画像を構成す
る所定の画素領域の電子放出源１２を、その電子放出源
１２と一致する交差領域を有するカソード電極ライン２
２とゲート電極ライン２４を制御手段２５によって選択
し、所定の電圧をかける。これにより、この電子放出源
１２は励起し、その電子放出源１２のマイクロチップ２
７からは電子が放出され、さらにカソード電極ライン２
２とアノードである上部基板２８との間に印加された電
圧によって電子は加速され、蛍光面２９の蛍光体と衝突
して可視光を放出し、画像を構成するものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなマイクロチップ２７を設ける構成においては、マ
イクロチップ２７の先端部が微細孔６のゲート電極ライ
ン２４の近傍位置まで達しているため、マイクロチップ
２７の作製工程において、マイクロチップ２７を形成す
るために設けた剥離層を除去する際に、剥離した金属膜
の小片等により、マイクロチップ２７とゲート電極ライ
ン２４とが接続し、この結果、カソード電極ライン２２
とゲート電極ライン２４とが短絡してしまい、マイクロ
チップ２７が高熱等によって破壊されるという問題点が
ある。また、上述のような電子放出源を用いたディスプ
レイ装置では、ゲート電極ライン２４と蛍光面２９との
間の高真空領域に存在するイオンが冷陰極薄膜をスパッ
タし、ディスプレイ装置としての寿命を縮めてしまう問
題点がある。

【０００９】そこで本発明の目的は、低電圧駆動を可能
にし、長寿命で高精細化が容易であり、かつ、大画面の
極薄型ディスプレイ装置を容易に構成することができる
電子放出源、その製造方法、及びディスプレイ装置を提
供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、基板の上面に第１の電極ラインが形成され、
前記基板及び第１の電極ラインの上面に絶縁層が形成さ
れ、さらに前記絶縁層の上面に前記第１の電極ラインに
交差する第２の電極ラインが形成され、前記第２の電極
ラインと第１の電極ラインとが交差する領域に、第２の
電極ラインと絶縁層を貫通して前記第１の電極ラインの
上面に達する微細孔が設けられ、前記微細孔の中に前記
第１の電極ラインよりも仕事関数が小さい電子放出物質
からなる薄膜が形成された電子放出源であって、前記薄
膜は、第１の電極ラインに所定の電位を印加させなが
ら、炭素を主体とするターゲット基板にレーザ光を照射
して成膜されたものであることを特徴とする。

【００１１】また本発明は、基板の上面に第１の電極ラ
インを形成する工程と、前記基板及び第１の電極ライン
の上面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上面に
前記第１の電極ラインに交差する第２の電極ラインを形
成する工程と、前記第２の電極ラインと第１の電極ライ
ンとが交差する領域に、第２の電極ラインと絶縁層を貫
通して前記第１の電極ラインの上面に達する微細孔を形
成する工程と、前記微細孔の中に、前記第１の電極ライ
ンに所定の電位を印加させながら、炭素を主体とするタ
ーゲット基板にレーザ光を照射して前記第１の電極ライ
ンよりも仕事関数が小さい電子放出物質からなる薄膜を
成膜する工程とを有することを特徴とする。

【００１２】また本発明は、基板の上面に第１の電極ラ
インが形成され、前記基板及び第１の電極ラインの上面
に絶縁層が形成され、さらに前記絶縁層の上面に前記第
１の電極ラインに交差する第２の電極ラインが形成さ
れ、前記第２の電極ラインと第１の電極ラインとが交差
する領域に、第２の電極ラインと絶縁層を貫通して前記
第１の電極ラインの上面に達する微細孔が設けられ、前
記微細孔の中に前記第１の電極ラインよりも仕事関数が
小さい電子放出物質からなる薄膜が形成された電子放出
源と、前記電子放出源に対向する位置に配された蛍光面
とを有し、前記薄膜から放出される電子によって前記蛍
光面を発光させるディスプレイ装置であって、前記薄膜
は、第１の電極ラインに所定の電位を印加させながら、
炭素を主体とするターゲット基板にレーザ光を照射して
成膜されたものであることを特徴とする。

【００１３】本発明の電子放出源において、第２の電極
ラインと絶縁層を貫通して、第１の電極ラインの表面に
達する複数の微細孔の中に、第１の電極ラインよりも仕
事関数が小さい電子放出物質からなる薄膜が形成されて
おり、電子放出物質からなる薄膜の仕事関数が十分小さ
ければ、第１の電極ラインと第２の電極ラインとの間の
印加電圧が数１０Ｖで、ディスプレイ装置として必要な
電流量を得ることができ、低電圧駆動を可能にし、長寿
命化を容易に達成できる。また、薄膜から放出される電
子の拡がりが小さいため、高精細化が容易であり、か
つ、電子放出部の構造が従来より簡単になり、大画面型
の極薄型ディスプレイ装置を構成することができる。さ
らに、電子放出物質からなる薄膜が、炭素を主体とする
ターゲット基板にレーザを照射して成膜されたものであ
るため、この薄膜はダイヤモンド状炭素となり、化学的
に不活性で、スパッタリングされにくいため、安定なエ
ミッションを長期間維持することができ、良好な特性を
長寿命で得ることが可能となる。

【００１４】また、本発明の電子放出源の製造方法にお
いて、第２の電極ラインと絶縁層を貫通して、第１の電
極ラインの表面に達するように形成された微細孔の中
に、第１の電極ラインよりも仕事関数が小さい電子放出
物質からなる薄膜を成膜する場合に、第１の電極ライン
に所定の電位を印加させながら、炭素を主体とするター
ゲット基板にレーザ光を照射して成膜するようにした。
このため、従来のように微細孔の中に円錐形のマイクロ
チップを形成する場合に比較して、製造工程が簡易化さ
れる。そして、微細孔内にマイクロチップを形成するた
め、剥離層の成膜、除去というリフトオフ処理が不要と
なるため、この剥離した金属膜の小片等による不正な短
絡等を生じることがなくなり、安定した特性を容易に得
ることが可能となる。さらに、電子放出物質からなる薄
膜を、炭素を主体とするターゲット基板にレーザを照射
して成膜することから、この薄膜をダイヤモンド状炭素
とし、化学的に不活性で、スパッタリングされにくい薄
膜を得ることができるので、安定なエミッションを長期
間維持することができ、良好な特性を長寿命で得ること
が可能な電子放出源を製造することができる。

【００１５】また、本発明のディスプレイ装置におい
て、蛍光面の発光を得るための電子放出源に、上述のよ
うな仕事関数が小さい電子放出物質からなる薄膜を用い
たものを採用することにより、低電圧駆動を可能にし、
長寿命化を容易に達成でき、かつ、高精細化や大画面化
が容易な極薄型ディスプレイ装置を構成することができ
る。さらに、電子放出物質からなる薄膜が、炭素を主体
とするターゲット基板にレーザを照射して成膜されたも
のであるため、この薄膜はダイヤモンド状炭素となり、
化学的に不活性で、スパッタリングされにくいため、安
定なエミッションを長期間維持することができ、良好な
特性を長寿命で得ることが可能なディスプレイ装置を提
供することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明による電子放出源、
その製造方法、及びディスプレイ装置の実施の形態につ
いて説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態によ
る電子放出源の構造を示す断面図であり、図２は、図１
に示す電子放出源の構造を示す平面図である。図示のよ
うに、この電子放出源１０は、例えばガラス材よりなる
下部基板１の表面上に帯状の複数本のカソード電極ライ
ン２が形成されている。これらのカソード電極ライン２
の上に絶縁層３が成膜され、さらにその上に各カソード
電極ライン２と交差して帯状に形成された複数本のゲー
ト電極ライン４が形成されて、各カソード電極ライン２
とともにマトリクス構造を構成している。各カソード電
極ライン２及び各ゲート電極ライン４は、制御手段１５
にそれぞれ接続されて駆動制御される。

【００１７】カソード電極ライン２とゲート電極ライン
４との各交差領域においては、ゲート電極ライン４と絶
縁層３とを貫通してカソード電極ライン２に達する多数
の略円形の微細孔５が形成され、これらの微細孔５の底
部となるカソード電極ライン２の表面に冷陰極を構成す
る薄膜７が設けられている。この薄膜７は、カソード電
極ライン２に所定の電位を印加しながら、炭素を主体と
するターゲット基板（図示せず）にレーザ光を照射して
成膜を行うことにより形成したものである。

【００１８】次に、以上のような電子放出源１０の製造
方法について説明する。まず、ガラス等からなる下部基
板１上にニオブ、モリブデン、またはクロム等の導体膜
を成膜し、その後、写真製版法または反応性イオンエッ
チング法により、この導体膜をライン形状に加工し、カ
ソード電極ライン２を形成する。次に、例えば２酸化珪
素（ＳｉＯ₂）をスパッタリングまたは化学蒸着法（Ｃ
ＶＤ）により下部基板１とカソード電極ライン２の露出
部の上に成膜することにより絶縁層３を形成し、さらに
絶縁層３上に例えばニオブ、モリブデンの導体膜を成膜
する。

【００１９】次に、写真製版法または反応性イオンエッ
チング法により、この導体膜をカソード電極ライン２と
交差するライン形状に加工し、ゲート電極ライン４を形
成する。次に、ゲート電極ライン４と絶縁層３を貫通し
てカソード電極ライン２の表面に達する円形の微細孔５
を、写真製版法または反応性イオンエッチング法により
形成する。次に、カソード電極ライン２に所定の電位を
印加しながら、炭素を主体とするターゲット基板にレー
ザ光を照射して、レーザアプレーション法で成膜し、冷
陰極薄膜７を円形の微細孔５の中に形成する。

【００２０】なお、このような工程によって微細孔５内
に冷陰極薄膜７を形成した場合、図１では省略している
が、ゲート電極ライン４の表面にも炭素の膜が積層され
ることになる。しかしながら、このような膜は微細孔５
に形成した冷陰極薄膜７とは分離・絶縁されており、冷
陰極薄膜７の電子放出効果にほとんど影響しないもので
あり、そのまま残しておいても支障はない。ただし、ゲ
ート電極ライン４の表面の炭素膜を除去したい場合に
は、予め微細孔５の斜め方向から剥離材の蒸着作業を行
うことにより、微細孔５内には剥離材の電子が進入しな
い状態で、ゲート電極ライン４の表面だけに剥離膜を設
け、この剥離膜を冷陰極薄膜７の形成後に、除去するよ
うにすればよい。以上のようにして、微細孔５の中に冷
陰極薄膜７を設けることができ、図１に示す電子放出源
１０を形成する。

【００２１】以上のような電子放出源１０では、冷陰極
薄膜７の仕事関数が十分に小さければ、カソード電極ラ
イン２とゲート電極ライン４との間の印加電圧が数１０
Ｖ程度でディスプレイとしての必要な電流量を得ること
ができる。また、冷陰極薄膜７がカソード電極ラインに
所定の電位を印加させながらグラファイトを主体とする
ターゲット基板にレーザ光を照射して成膜を行った薄膜
である場合には、５×１０⁷Ｖ／ｍ以下の電界の強さ
で、ディスプレイとして必要な電流量を得ることができ
るので、低電圧駆動が可能となる。

【００２２】また、図７は、カソード電極ラインのアー
スに対して負の電位を印加させながらグラファイトを主
体とするターゲット基板にレーザ光を照射して成膜を行
った薄膜と、カソード電極ラインに電位を印加しないで
成膜を行った薄膜の電界強度Ｅ（Ｖ／μｍ）と電流密度
Ｊ（μＡ／ｃｍ²）との関係を示す説明図である。測定
結果Ａに示すように、電圧を印加させながら成膜を行う
場合は、測定結果Ｂに示すように、電圧を印加させずに
成膜を行う場合に比べて、薄膜からの電界放出に効果が
あることが分かる。さらに、薄膜が炭素を主体とするタ
ーゲット基板にレーザを照射して成膜を行った場合、薄
膜はダイヤモンド状炭素となり、ダイヤモンド状炭素は
化学的に不活性で、スパッタリングされにくく、安定な
エミッションが長い時間維持できる。

【００２３】また、このような第１の実施の形態による
電子放出源を用いたディスプレイ装置の構成と、その表
示動作は、図６を参照して説明した従来例に対し、電子
放出源の冷陰極の構造においてのみ異なるものであり、
その他の構成と動作は、上述した従来例と同様である。
すなわち、制御手段１５により所定のカソード電極ライ
ン２とゲート電極ライン４を選択し、これらの間に所定
の電圧をかけることにより、カソード電極ライン２とゲ
ート電極ライン４との交差領域、すなわち、画素領域内
の薄膜７とゲート部４Ａとの間に所定の電界が生じ、微
細孔５内の薄膜７からトンネル効果によって電子が放出
される。ディスプレイ装置においては、画像を構成する
所定の画素領域の電子放出源１０を、その電子放出源１
０と一致する交差領域を有するカソード電極ライン２と
ゲート電極ライン４を制御手段５によって選択し、所定
の電圧をかける。

【００２４】これにより、この電子放出源１０は励起
し、その電子放出源１０の微細孔５内の薄膜７からは電
子が放出され、さらにカソード電極ライン２とアノード
である上部基板２８との間に印加された電圧によって電
子は加速され、蛍光面２９の蛍光体と衝突して可視光を
放出し、画像を構成するものである。そして、上述した
電子放出源１０の構成によるゲート電極ライン４と絶縁
層３を貫通してカソード電極ライン２の表面に達する多
数の孔５の中にカソード電極ライン２に所定の電位を印
加しながら、炭素を主体とするターゲット基板にレーザ
光を照射して成膜を行った薄膜の冷陰極が形成されてい
るので、低電圧駆動が可能となる。また、ダイヤモンド
状炭素は、スパッタリングされにくいため、安定なエミ
ッションが長期にわたって維持できる。

【００２５】図３は、本発明の第２の実施の形態による
電子放出源の構造を示す断面図であり、図４は、図３に
示す電子放出源の構造を示す平面図である。この第２の
実施の形態による電子放出源１１は、上述した第１の実
施の形態における円形の微細孔５をスリット（長孔）状
の微細孔７に変形したものであり、その他の構成は、上
述した第１の実施の形態とほぼ同様である。また、この
ような電子放出源１１の製造方法、及びこの電子放出源
１１を用いたディスプレイ装置の構成についても、上述
した第１の実施の形態で説明したものと同様である。

【００２６】この第２の実施の形態による電子放出源１
１は、スリット（長孔）状の微細孔７を設けたことか
ら、次のような作用効果を得ることができる。すなわ
ち、本例の場合、冷陰極薄膜７の表面での電界強度は、
円形の孔５の場合とほとんど等しく、したがって、冷陰
極は同一の電圧で駆動できる。また、円形の孔５に比較
してエミッション領域が大きいので、同一の電圧で駆動
しても、より大きい電流密度を得ることができる。この
結果、スリット状の微細孔６を有する冷陰極は、低い電
圧の印加で、より大きい放出電流を獲得することが可能
となるものである。なお、その他の電子放出源の構成や
製造方法、さらにディスプレイ装置の構成については、
上述した第１の実施の形態と同様であるので説明は省略
する。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の電子放出源
では、第２の電極ラインと絶縁層を貫通して、第１の電
極ラインの表面に達する複数の微細孔の中に、第１の電
極ラインよりも仕事関数が小さい薄膜を形成して電子放
出源を構成する場合に、第１の電極ラインに所定の電位
を印加しながら、炭素を主体とするターゲット基板にレ
ーザ光を照射して薄膜を形成するようにした。このた
め、上述のように形成した薄膜が低電界でエミッション
を得ることができ、低電圧駆動が可能である。また、上
述のように形成した薄膜は、ダイヤモンド状炭素とな
り、スパッタリングされにくいため、安定なエミッショ
ンを長い時間維持できる。

【００２８】また、本発明による電子放出源の製造方法
では、上述した従来例のような剥離層が不要であるの
で、第１の電極ラインと第２の電極ラインのショート不
良率を下げることができ、かつ、作製工程を削減するこ
とができる。また、本発明によるディスプレイ装置で
は、電子放出源の構成が単純であるため、大型の極薄型
ディスプレイ装置を構成することができる。さらに、電
子放出源から放出される電子の拡がりが小さいので、高
精細なディスプレイ装置を構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による電子放出源の
構造を示す断面図である。

【図２】図１に示す電子放出源の構造を示す平面図であ
る。

【図３】本発明の第２の実施の形態による電子放出源の
構造を示す断面図である。

【図４】図３に示す電子放出源の構造を示す平面図であ
る。

【図５】従来の電子放出源の構造を示す断面図である。

【図６】従来の電子放出源を設けたディスプレイ装置の
構造を示す斜視図である。

【図７】図１に示す電子放出源の冷陰極薄膜における電
界強度と電流密度との関係を示す説明図である。

【符号の説明】

１……下部基板、２……カソード電極ライン、３……絶
縁層、４……ゲート電極ライン、５、６……微細孔、７
……冷陰極薄膜、１０、１１……電子放出源、１５……
制御手段。

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の上面に第１の電極ラインが形成さ
   れ、前記基板及び第１の電極ラインの上面に絶縁層が形
   成され、さらに前記絶縁層の上面に前記第１の電極ライ
   ンに交差する第２の電極ラインが形成され、前記第２の
   電極ラインと第１の電極ラインとが交差する領域に、第
   ２の電極ラインと絶縁層を貫通して前記第１の電極ライ
   ンの上面に達する微細孔が設けられ、前記微細孔の中に
   前記第１の電極ラインよりも仕事関数が小さい電子放出
   物質からなる薄膜が形成された電子放出源であって、 前記薄膜は、第１の電極ラインに所定の電位を印加させ
   ながら、炭素を主体とするターゲット基板にレーザ光を
   照射して成膜されたものである、ことを特徴とする電子
   放出源。
2. 【請求項２】 第１の電極ラインはカソード電極ライン
   であり、前記第２の電極ラインはゲート電極ラインであ
   り、前記薄膜は冷陰極薄膜であることを特徴とする請求
   項１記載の電子放出源。
3. 【請求項３】 前記微細孔が略円形状の孔であることを
   特徴とする請求項１記載の電子放出源。
4. 【請求項４】 前記微細孔がスリット状の孔であること
   を特徴とする請求項１記載の電子放出源。
5. 【請求項５】 前記ターゲット基板は、グラファイトを
   主体とするものであることを特徴とする請求項１記載の
   電子放出源。
6. 【請求項６】 前記冷陰極薄膜は、カソード電極ライン
   のアースに対して負の電位を印加させながら成膜された
   ものであることを特徴とする請求項２記載の電子放出
   源。
7. 【請求項７】 基板の上面に第１の電極ラインを形成す
   る工程と、 前記基板及び第１の電極ラインの上面に絶縁層を形成す
   る工程と、 前記絶縁層の上面に前記第１の電極ラインに交差する第
   ２の電極ラインを形成する工程と、 前記第２の電極ラインと第１の電極ラインとが交差する
   領域に、第２の電極ラインと絶縁層を貫通して前記第１
   の電極ラインの上面に達する微細孔を形成する工程と、 前記微細孔の中に、前記第１の電極ラインに所定の電位
   を印加させながら、炭素を主体とするターゲット基板に
   レーザ光を照射して前記第１の電極ラインよりも仕事関
   数が小さい電子放出物質からなる薄膜を成膜する工程
   と、 を有することを特徴とする電子放出源の製造方法。
8. 【請求項８】 第１の電極ラインはカソード電極ライン
   であり、前記第２の電極ラインはゲート電極ラインであ
   り、前記薄膜は冷陰極薄膜であることを特徴とする請求
   項７記載の電子放出源の製造方法。
9. 【請求項９】 前記微細孔を略円形状に形成することを
   特徴とする請求項７記載の電子放出源の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記微細孔をスリット状に形成するこ
    とを特徴とする請求項７記載の電子放出源の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記ターゲット基板は、グラファイト
    を主体とするものであることを特徴とする請求項７記載
    の電子放出源の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記冷陰極薄膜を、カソード電極ライ
    ンのアースに対して負の電位を印加させながら成膜する
    ことを特徴とする請求項７記載の電子放出源の製造方
    法。
13. 【請求項１３】 基板の上面に第１の電極ラインが形成
    され、前記基板及び第１の電極ラインの上面に絶縁層が
    形成され、さらに前記絶縁層の上面に前記第１の電極ラ
    インに交差する第２の電極ラインが形成され、前記第２
    の電極ラインと第１の電極ラインとが交差する領域に、
    第２の電極ラインと絶縁層を貫通して前記第１の電極ラ
    インの上面に達する微細孔が設けられ、前記微細孔の中
    に前記第１の電極ラインよりも仕事関数が小さい電子放
    出物質からなる薄膜が形成された電子放出源と、 前記電子放出源に対向する位置に配された蛍光面とを有
    し、 前記薄膜から放出される電子によって前記蛍光面を発光
    させるディスプレイ装置であって、 前記薄膜は、第１の電極ラインに所定の電位を印加させ
    ながら、炭素を主体とするターゲット基板にレーザ光を
    照射して成膜されたものである、 ことを特徴とするディスプレイ装置。
14. 【請求項１４】 第１の電極ラインはカソード電極ライ
    ンであり、前記第２の電極ラインはゲート電極ラインで
    あり、前記薄膜は冷陰極薄膜であることを特徴とする請
    求項１３記載のディスプレイ装置。
15. 【請求項１５】 前記微細孔が略円形状の孔であること
    を特徴とする請求項１３記載のディスプレイ装置。
16. 【請求項１６】 前記微細孔がスリット状の孔であるこ
    とを特徴とする請求項１３記載のディスプレイ装置。
17. 【請求項１７】 前記ターゲット基板は、グラファイト
    を主体とするものであることを特徴とする請求項１３記
    載のディスプレイ装置。
18. 【請求項１８】 前記冷陰極薄膜は、カソード電極ライ
    ンのアースに対して負の電位を印加させながら成膜され
    たものであることを特徴とする請求項１４記載のディス
    プレイ装置。