JP2001051166A

JP2001051166A - 半導体レーザモジュール

Info

Publication number: JP2001051166A
Application number: JP11228321A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Koyanagi; 諭小柳
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1999-08-12
Filing date: 1999-08-12
Publication date: 2001-02-23

Abstract

(57)【要約】【課題】高い光出力での動作が可能な、より高信頼の
半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】半導体レーザ素子１３と、半導体レーザ
素子１３から出射される光を受光するシングルモード光
ファイバ１７と、半導体レーザ素子１３とシングルモー
ド光ファイバ１７の間に介設されレーザ光をシングルモ
ード光ファイバ１７に光学的に結合する光結合手段１５
を有する半導体レーザモジュールであって、シングルモ
ード光ファイバ１７が、コア１７ａと、コア１７ａの周
囲に形成されコアよりも小さい屈折率を有する第一のク
ラッド１７ｂと、第一のクラッド１７ｂの周囲に形成さ
れ第一のクラッド１７ｂよりも小さい屈折率を有する被
覆層１７ｃを有する半導体レーザモジュール。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザモジ
ュールに関し、特に高い光出力での動作が可能な半導体
レーザモジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザは、光通信の分野に
おいて信号用光源や光ファイバ増幅器の励起用光源とし
て大量に用いられるようになってきた。半導体レーザが
光通信の信号用光源や励起用光源として用いられる場
合、半導体レーザからのレーザ光を光ファイバに光学的
に結合させるデバイスである半導体レーザモジュールと
して使用される場合が多い。

【０００３】図５は、このような従来の半導体レーザモ
ジュール４０の構造の一例を示したものである。同図に
おいて、１１はパッケージで、パッケージ１１内にペル
チェモジュール１２が固定されている。ペルチェモジュ
ール４２の上には、半導体レーザ素子１３とサーミスタ
１４、及びレンズ１５を固定した固定基板１６が固定さ
れている。また、パッケージ１１の側壁１１ｂの貫通孔
１１ｃには、フェルール２０が固定されていて、このフ
ェルール２０内の光ファイバ挿通孔にはシングルモード
光ファイバ４７が挿通固定されている。

【０００４】この半導体レーザモジュール４０は、半導
体レーザ素子１３から出射されたレーザ光がレンズ１５
により集光された後、シングルモード光ファイバ７７の
端面に入射され、これがシングルモード光ファイバ４７
内を導波し所望の用途に供される。

【０００５】上記の半導体レーザモジュール４０の半導
体レーザ素子１３を駆動するために電流を流すと、半導
体レーザ素子１３自体の発熱により半導体レーザ素子１
３の温度が上昇するが、この温度上昇は半導体レーザ素
子１３の発振波長と光出力の変化を引き起こす。

【０００６】このため、半導体レーザ素子１３の近傍に
固定されたサーミスタ１４により半導体レーザ素子１３
の温度を測定し、この測定値を用いてペルチェモジュー
ル１２に流す電流を調整することによって半導体レーザ
素子１３の温度を一定に保つことでその特性を安定化し
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、光通
信における信号光波長の多重化が進むにつれ、光ファイ
バ増幅器にも多数の信号光を同時に増幅可能にするた
め、従来に増して、より高出力の動作が求められるよう
になってきた。

【０００８】このため、光ファイバ増幅器の励起光源と
して使用される１４８０ｎｍ帯又は９８０ｎｍ帯の半導
体レーザモジュールには、２００ｍＷ以上の高光出力で
動作可能なものが必要とされ、半導体レーザ素子１３に
おいても端面から放射される光出力が３００ｍＷ以上の
ものが使用されるようになってきた。

【０００９】半導体レーザモジュールは、前述のように
半導体レーザ素子１３から出射されたレーザ光をシング
ルモード光ファイバ４７に光学的に結合するデバイスで
ある。ここでシングルモード光ファイバ４７の半導体レ
ーザ素子１３側と反対側の端から放射されるシングルモ
ード光出力（以下、この光出力を本明細書において「フ
ァイバ端出力」（Ｐｆ）という。）と、半導体レーザ素
子１３の前端面１３ａから放射される光出力（以下、こ
の光出力を本明細書において「素子出力」（Ｐｏ）とい
う。）との比を結合効率と呼ぶが、この結合効率の値
は、通常７０％程度である。

【００１０】上記の素子出力（Ｐｏ）のうち、ファイバ
端出力（Ｐｆ）に寄与する約７０％の光は、シングルモ
ード光ファイバ４７のコア内を伝搬するが、ファイバ端
出力（Ｐｆ）に寄与しない約３０％の光は、反射により
失われるものを除き、シングルモード光ファイバ４７の
半導体レーザ素子１３側のシングルモード光ファイバ４
７の端部４７ｄに入射する際にシングルモード光ファイ
バ４７のクラッド内においてクラッドモードを誘起し、
光ファイバ４７内を伝搬するうちに、その一部は徐々に
外部に放射されることにより失われる。

【００１１】図６は、半導体レーザモジュール４０のシ
ングルモード光ファイバ４７を少しずつ切断し、ファイ
バ端から放射される光出力の大きさがどのように変化す
るかを調べたデータである。同図において、横軸は光フ
ァイバの半導体レーザ素子側の端部４７ｄから測った長
さ、縦軸は光ファイバの半導体レーザ素子１３と反対側
の端面から放射される光出力（ファイバ端出力）であ
る。

【００１２】同図から、ファイバ端面４７ｄからの距離
が大きくなるほど、ファイバ端出力は小さくなることが
わかる。これはファイバ端面４７ｄにおいて光ファイバ
にクラッドモードとして結合した光が、伝搬するにした
がってクラッドの外部に逃げてしまうためであると考え
られる。

【００１３】なお、ここで使用した半導体レーザモジュ
ール４０は、２９８ｍＷの端面光出力を放射する半導体
レーザ素子１３を有し、ファイバ端面４７ｄからの距離
１５０ｃｍにおける光ファイバ出力は２０１ｍＷであ
る。

【００１４】この結果、約９７ｍＷの光がクラッドモー
ド光として結合し、光ファイバ外部に失われていること
になる。

【００１５】また、同図によれば、フェルール２０端面
から約３０ｃｍ以上離れた位置では、ファイバ端出力は
ファイバの長さによらなくなる。このことは、半導体レ
ーザ素子１３から放射された光のうち、ファイバ端面４
７ｄにおいてクラッドモードとして光ファイバ４７に結
合した光は、ファイバ端面１７ｄから約３０ｃｍまでの
間でクラッド外に放出されることを意味している。

【００１６】特に、ファイバ端面４７ｄから５ｃｍ以内
の領域では変化率が大きく、クラッドモード光の多くは
この部分で失われるものであることがわかる。

【００１７】図７は、シングルモード光ファイバ４７の
端部４７ｄが挿通固定されるフェルール２０の断面構造
を示す説明図で、図８（ａ）は光ファイバ４７の構造を
表した説明図、同図（ｂ）は光ファイバ４７の屈折率分
布を表した説明図である。

【００１８】図７において、フェルール２０は両端に互
いに連通する貫通孔２０ａ、および２０ｂを有してい
る。貫通孔２０ａにはジルコニア（ＺｒＯ₂）製のキャ
ピラリ２２が嵌入されている。シングルモード光ファイ
バ４７は、先端部のＵＶ被覆４７ｃが除去されてナイロ
ンチューブ２１に挿入された状態でフェルール２０の貫
通孔２０ｂよりフェルール２０に挿入され、先端部のＵ
Ｖ被覆４７ｃが除去された部分はジルコニア製のキャピ
ラリ２２の貫通孔２２ａに挿入されている。この状態で
シングルモード光ファイバ４７の先端は貫通孔２２ａお
よび貫通孔２０ｂ内部のナイロンチューブ２１とともに
フェルール２０およびキャピラリ２２に接着剤２３で固
定されている。

【００１９】このようなフェルール２０の長さは、種々
の設計がありうるが、半導体レーザモジュール４０に使
用される典型的な数値例としては９ｍｍ乃至２０ｍｍの
ものが使用される。

【００２０】また、図８（ａ）、（ｂ）において、コア
４７ａの屈折率に対して、クラッド層４７ｂの屈折率は
低く設定される。クラッド層４７ｂの周囲には、紫外線
硬化樹脂（以下、単にＵＶ樹脂という。）からなる被覆
層４７ｃがあるが、光通信の分野で使用される光ファイ
バにおけるこの被覆層４７ｃの屈折率は、通常、クラッ
ドモード光をできるだけ外部に逃がすため、同図（ｃ）
のようにクラッド層４７ｂの屈折率よりも高く設計され
る。

【００２１】このようにフェルール２０に端部が挿通固
定されたシングルモード光ファイバ４７に、半導体レー
ザ素子１３から放射されるレーザ光が入射すると、ファ
イバ端面４７ｄにおいてクラッドモードとして結合した
光は、ファイバ端部４７ｄの近傍においてクラッド層４
７ｂの外部に放射されて失われる。このため、このよう
なレーザ光は、光ファイバ増幅器の励起光として有効に
利用できない。

【００２２】一方、フェルール２０の内部においてクラ
ッド層４７ｂの外部に放射される光は、光ファイバ４７
の周囲の接着剤２３やナイロンチューブ２１、フェルー
ル２０によって吸収されて熱に変換される結果、フェル
ール２０の内部において局所的な温度上昇が起こる。

【００２３】このような現象は、半導体レーザモジュー
ル４０に使用される半導体レーザ素子１３が高出力化
し、フェルール２０内部におけるクラッドモード光の放
射光強度も大きくなると、ますます顕著に起こる。

【００２４】このように局所的な温度上昇が起こると、
光ファイバ４７を構成する石英ガラスと、周辺の部材と
の熱膨張率の差によって、光ファイバ４７が破断するこ
とがある。また、温度が上昇することによって接着剤２
３およびナイロンチューブ２１が劣化するため、フェル
ール２０の内部の光ファイバ４７やナイロンチューブ２
１の接着力が低下するという問題が発生する。

【００２５】このように、従来の半導体レーザモジュー
ルでは、半導体レーザ素子の高出力化に伴って、クラッ
ドモード光も高出力化するために、信頼性が確保できな
くなるという問題があった。

【００２６】本発明は、上記した従来の半導体レーザ素
子が高出力化されることにより顕著になる課題を解決す
るためになされたものであり、その目的は、半導体レー
ザモジュールに用いられる光ファイバのクラッドモード
の放射を防ぐことによって、高い光出力での動作が可能
な、より高信頼の半導体レーザモジュールを提供するこ
とにある。

【００２７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決する手
段としている。すなわち、本第１の発明は、半導体レー
ザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射される光を受
光するシングルモード光ファイバと、前記半導体レーザ
素子と前記シングルモード光ファイバの間に介設され前
記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を前記シン
グルモード光ファイバに光学的に結合する光結合手段を
有する半導体レーザモジュールであって、前記シングル
モード光ファイバが、コアと、コアの周囲に形成されコ
アよりも小さい屈折率を有する第一のクラッドと、前記
第一のクラッドの周囲に形成され前記第一のクラッドよ
りも小さい屈折率を有する被覆層を有する構成を持って
課題を解決する手段としている。

【００２８】かかる構成の本第１の発明においては、第
一のクラッド層の周囲にある被覆層の屈折率が第一のク
ラッド層の屈折率よりも小さく形成されているため、シ
ングルモード光ファイバのコア部に伝搬モードとして結
合しなかったクラッドモード光が、第一のクラッド層外
部に逃げることなく、第一のクラッド層内部に閉じこめ
られて伝搬しするため、フェルール内部での局所的な温
度上昇が抑制されるため、より信頼度の高い半導体レー
ザモジュールが得られる。

【００２９】また、本第２の発明は、半導体レーザ素子
と、前記半導体レーザ素子から出射される光を受光する
シングルモード光ファイバと、前記半導体レーザ素子と
前記シングルモード光ファイバの間に介設され前記半導
体レーザ素子から出射されるレーザ光を前記シングルモ
ード光ファイバに光学的に結合する光結合手段を有する
半導体レーザモジュールであって、前記シングルモード
光ファイバが、コアと、コアの周囲に形成されコアより
も小さい屈折率を有する第一のクラッドと、前記第一の
クラッドの周囲に形成され前記第一のクラッドよりも小
さい屈折率を有する第二のクラッドとからなるダブルク
ラッドファイバである構成を持って課題を解決する手段
としている。

【００３０】かかる構成の本第２の発明によれば、第一
のクラッド層の周囲にある第二のクラッド層の屈折率が
第一のクラッド層の屈折率よりも小さく形成されている
ため、シングルモード光ファイバのコア部に伝搬モード
として結合しなかったクラッドモード光が、第一のクラ
ッド層外部に逃げることなく、第一のクラッド層内部に
閉じこめられて伝搬するため、フェルール内部での局所
的な温度上昇が防止されるため、より信頼度の高い半導
体レーザモジュールが得られる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、本実施の形態例の説
明において、従来例と同一名称部分には同一符号を付
し、その重複説明は省略する。

【００３２】（第１の実施形態例）図１には、本発明に
係る半導体レーザモジュールの第１の実施形態例が示さ
れている。図１に示す半導体レーザモジュール１０は、
半導体レーザ素子１３が基板１６に固定され、さらに基
板１６は、パッケージ１１の底板１１ａ上に半田固定さ
れたペルチェモジュール１２上に半田固定されている。

【００３３】パッケージ１１の側壁１１ｂには、シング
ルモード光ファイバ１７を挿入固定したフェルール２０
が固定され、基板１６上に固定されたレンズ１５により
集光された半導体レーザ素子１３からの光が結合される
ように配置されている。

【００３４】本発明の半導体レーザモジュールに使用さ
れる半導体レーザ素子１３は、横シングルモード発振す
る高出力半導体レーザ素子である。このような半導体レ
ーザ素子１３としては、例えば１４８０ｎｍ帯のものと
して、ＩｎＰ基板上に形成されたＧａＩｎＡｓＰ歪み多
重量子井戸構造からなる活性層を含むものが使用され
る。この半導体レーザ素子１３は前端面及び後端面から
なる共振器の長さ及び前端面及び後端面の反射率を最適
化することにより、３００ｍＷを超える高い光出力での
連続動作が可能である。

【００３５】図２は、本発明に係る半導体レーザモジュ
ール１０の第一の実施形態例に使用されるシングルモー
ド光ファイバ１７の構造および屈折率プロファイルを示
したものである。シングルモード光ファイバ１７は同図
（ａ）に示すように、コア１７ａとクラッド層１７ｂ1
およびＵＶ樹脂被覆層１７ｃとからなり、ＵＶ樹脂被覆
層１７ｃの屈折率は、同図（ｂ）に示すようにクラッド
層１７ｂ1の屈折率よりも低く設定されている。

【００３６】このような屈折率差は、公知の方法により
ＵＶ樹脂材料を適宜変更することにより、又はクラッド
層１７ｂ1の屈折率を調整することにより、所望のもの
とすることが可能である。

【００３７】シングルモード光ファイバ１７は、図３に
示すように先端部のＵＶ被覆１７ｃが除去されてナイロ
ンチューブ２１に挿入された状態でフェルール２０の貫
通孔２０ｂよりフェルール２０に挿入され、先端部のＵ
Ｖ被覆１７ｃが除去された部分はジルコニア製のキャピ
ラリ２２の貫通孔２２ａに挿入されている。この状態で
シングルモード光ファイバ１７の先端は貫通孔２２ａお
よび貫通孔２０ｂ内部のナイロンチューブ２１とともに
フェルール２０およびキャピラリ２２に接着剤２３で固
定されている。

【００３８】なお、フェルール２０の長さは、１２ｍｍ
のものが使用される。

【００３９】上記の構成の半導体レーザモジュール１０
では、半導体レーザ素子１３から出射した光は、レンズ
により集光されてシングルモード光ファイバ１７に入射
する。入射した光のうち、コア１７ａに結合した光は、
コア１７ａ内を基本モードとして伝搬する。

【００４０】一方、コア１７ａに結合しなかった光はク
ラッド層１７ｂ1においてクラッドモードを励起する。
ここで励起されるクラッドモード光は複数の伝搬モード
から成るものであって、第一のクラッド層１７ｂ1の屈
折率がＵＶ被覆層１７ｃの屈折率よりも大きく作製され
ているために、第一のクラッド層の１７ｂ1外部に漏れ
ることなく、第一のクラッド層１７ｂ1とＵＶ被覆層１
７ｃとの界面において反射を繰り返しながら、伝搬をす
る。

【００４１】このため、クラッドモードとして結合した
光の強度が非常に大きい半導体レーザモジュールであっ
ても、フェルール内部での局所的な温度上昇が抑制され
るため、より信頼度の高い半導体レーザモジュールが提
供される。

【００４２】図４は、本発明に係る半導体レーザモジュ
ールの第二の実施形態例に使用されるシングルモード光
ファイバ２７の構造および屈折率プロファイルを示した
ものである。

【００４３】すなわち、同図（ａ）に示すように、本第
二の実施形態例に使用されるシングルモード光ファイバ
２７は、コア２７ａと、第一のクラッド層２７ｂ1およ
び第一のクラッド層２７ｂ1の周囲に形成された第二の
クラッド層２７ｂ2を有するダブルクラッドファイバで
ある。同図（ｂ）に示すように、第二のクラッド層２７
ｂ2の屈折率は第一のクラッド層２７ｂ1の屈折率よりも
低く設定される。

【００４４】このような屈折率差は、第一のクラッド層
２７ｂ1および第二のクラッド層２７ｂ2にドープするド
ーパントの種類又は量を適宜調製することにより、所望
の値とすることができる。

【００４５】ダブルクラッドファイバ２７の先端部は、
第一の実施形態例と同様に図３に示すように先端部のＵ
Ｖ被覆２７ｃが除去されてナイロンチューブ２１に挿入
された状態でフェルール２０の貫通孔２０ｂよりフェル
ール２０に挿入され、先端部のＵＶ被覆２７ｃが除去さ
れた部分はジルコニア製のキャピラリ２２の貫通孔２２
ａに挿入され、貫通孔２０ａ、２２ｂ内部で、ナイロン
チューブ２１とともにフェルール２０およびキャピラリ
２２に接着剤２３で固定されている。

【００４６】かかる構成の第二の実施形態の半導体レー
ザモジュールでは、半導体レーザ素子１３からレンズ１
５を介してシングルモード光ファイバ２７に入射した光
のうち、コア２７ａに結合した光は、コア２７ａ内を基
本モードとして伝搬する。

【００４７】一方、コア２７ａに結合しなかった光は第
一のクラッド層２７ｂ1においてクラッドモードを励起
する。ここで励起されるクラッドモード光は複数の伝搬
モードから成るものであって、第一のクラッド層の屈折
率が第二のクラッド層２７ｂ2の屈折率よりも大きく作
製されているために、第一のクラッド層２７ｂ1の外部
に漏れることなく、第一のクラッド層２７ｂ1と第二の
クラッド層２７ｂ2との界面において反射を繰り返しな
がら、伝搬をする。

【００４８】本第二の実施形態例では、シングルモード
光ファイバ２７としてダブルクラッドファイバを使用し
ているため、シングルモード光ファイバ２７のフェルー
ル２０内部に位置するＵＶ被覆２７ｃを除去した部分に
おいてもクラッドモードが外部に放射されることがな
い。

【００４９】したがって、第一の実施形態例と比較して
クラッドモードの放射を更に効率的に防ぐことが可能と
なり、フェルール内部での局所的な温度上昇がほぼ完全
に防止されるため、より信頼度の高い半導体レーザモジ
ュールが提供される。

【００５０】以上、本発明を実施形態に基づいて詳細に
説明したが、本発明は上記実施形態のみに限定されるこ
とはなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能で
あり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。

【００５１】特に上記実施形態においては、半導体レー
ザ素子から出射された光をシングルモード光ファイバに
結合する光結合手段として１枚のレンズからなる結合光
学系を示したが、光結合手段としてはこの他、２枚のレ
ンズからなるもの、シングルモード光ファイバの先端を
レンズ形状に加工したもの等、種々の公知の光結合手段
が適用可能である。

【００５２】また、上記実施形態では、特に高い光ファ
イバ出力を得るために本発明を適用した例を開示してい
るが、本発明はかかる用途に限定されるものではない。
すなわち、半導体レーザ素子として通常の端面光出力を
有するものに対しても、フェルールの温度上昇を抑える
ことによってより高信頼性を有する半導体レーザモジュ
ールが提供される。

【００５３】また、本発明の実施形態においては、ペル
チェモジュールを有する半導体レーザモジュールについ
て説明したが、本発明はペルチェモジュールを有しない
半導体レーザモジュール、とりわけ同軸型の半導体レー
ザモジュールにも適用できることはいうまでもない。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本第一の発明によ
れば、半導体レーザ素子からシングルモード光ファイバ
１７に入射した光のうち、クラッドモード光として伝搬
する光が、シングルモード光ファイバのクラッド層内部
に閉じこめられたまま伝搬し、フェルール内部での局所
的な温度上昇が抑制されるため、信頼度のある高い光出
力での動作が可能な半導体レーザモジュールとなる。

【００５５】また、本第二の発明によれば、シングルモ
ード光ファイバとしてダブルクラッドファイバを使用し
ているため、シングルモード光ファイバのフェルール内
部に位置するＵＶ被覆を除去した部分においてもクラッ
ドモードが外部に放射されることがなく、クラッドモー
ドの放射を更に効率的に防ぐことが可能となり、フェル
ール内部での局所的な温度上昇が防止されるため、より
信頼度のある高い光出力での動作が可能な半導体レーザ
モジュールとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体レーザモジュールの第一の
実施形態を示す説明図である。

【図２】（ａ）は本発明の第一の実施形態に係る半導体
レーザモジュールに用いられるシングルモード光ファイ
バの断面示す説明図、（ｂ）はその屈折率プロファイル
を示す説明図である。

【図３】本発明に係る半導体レーザモジュールのフェル
ールの断面の一例を示す説明図である。

【図４】（ａ）は本発明の第二の実施形態に係る半導体
レーザモジュールに用いられるシングルモード光ファイ
バの断面を示す説明図、（ｂ）はその屈折率プロファイ
ルを示す説明図である。

【図５】従来の半導体レーザモジュールの構造例を示す
説明図である。

【図６】従来の半導体レーザモジュールにおいて、光フ
ァイバの半導体レーザ素子側の端部からの距離と光ファ
イバ端から放射される光出力との大きさとの関係を示す
説明図である。

【図７】従来の半導体レーザモジュールのフェルールの
断面の一例を示す説明図である。

【図８】（ａ）は従来の半導体レーザモジュールに用い
られるシングルモード光ファイバの断面を示す説明図、
（ｂ）はその屈折率プロファイルを示す説明図である。

【符号の説明】

１０半導体レーザモジュール１１パッケージ１２ペルチェモジュール１３半導体レーザ素子１４サーミスタ１５レンズ１６固定基板１７シングルモード光ファイバ１７ａコア１７ｂクラッド層１７ｃＵＶ被覆２０フェルール２７シングルモード光ファイバ２７ａコア２７ｂ1 第一のクラッド層２７ｂ2 第二のクラッド層２７ｃＵＶ被覆

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素
子から出射される光を受光するシングルモード光ファイ
バと、前記半導体レーザ素子と前記シングルモード光フ
ァイバの間に介設され前記半導体レーザ素子から出射さ
れるレーザ光を前記シングルモード光ファイバに光学的
に結合する光結合手段を有する半導体レーザモジュール
であって、前記シングルモード光ファイバが、コアと、
コアの周囲に形成されコアよりも小さい屈折率を有する
第一のクラッドと、前記第一のクラッドの周囲に形成さ
れ前記第一のクラッドよりも小さい屈折率を有する被覆
層を有することを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ
素子から出射される光を受光するシングルモード光ファ
イバと、前記半導体レーザ素子と前記シングルモード光
ファイバの間に介設され前記半導体レーザ素子から出射
されるレーザ光を前記シングルモード光ファイバに光学
的に結合する光結合手段を有する半導体レーザモジュー
ルであって、前記シングルモード光ファイバが、コア
と、コアの周囲に形成されコアよりも小さい屈折率を有
する第一のクラッドと、前記第一のクラッドの周囲に形
成され前記第一のクラッドよりも小さい屈折率を有する
第二のクラッドとからなるダブルクラッドファイバであ
ることを特徴とする半導体レーザモジュール。