JP2001044183A - Board processor - Google Patents
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- JP2001044183A JP2001044183A JP2000130403A JP2000130403A JP2001044183A JP 2001044183 A JP2001044183 A JP 2001044183A JP 2000130403 A JP2000130403 A JP 2000130403A JP 2000130403 A JP2000130403 A JP 2000130403A JP 2001044183 A JP2001044183 A JP 2001044183A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造工程等に用いられる基板処理装置の技術分野に属
し、例えば基板上に絶縁膜材料として塗布された、粒子
またはコロイドを有機溶媒に分散させたゾル状の塗布膜
をゲル化する際にゲル化処理を施すための基板処理装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention belongs to the technical field of a substrate processing apparatus used in a semiconductor device manufacturing process and the like. For example, particles or colloids applied as an insulating film material on a substrate are dispersed in an organic solvent. The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a gelling process when gelling a sol-like coating film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
例えば、ＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ）システムにより層間絶縁膜を形成している。このＳ
ＯＤシステムでは、例えばウエハ上に塗布膜をスピンコ
ートし、化学的処理または加熱処理等を施して層間絶縁
膜を形成している。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process,
For example, SOD (Spin on Dielectric)
c) An interlayer insulating film is formed by the system. This S
In the OD system, for example, a coating film is spin-coated on a wafer and subjected to a chemical treatment or a heat treatment to form an interlayer insulating film.
【０００３】例えばこのような層間絶縁膜を形成する場
合には、まず半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と呼
ぶ。）上に絶縁膜材料、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキ
シシラン）のコロイドを有機溶媒に分散させた溶液を供
給する。次に、溶液が供給されたウエハをゲル化処理
し、次いで溶媒の置換を行う。そして、溶媒の置換され
たウエハを加熱処理している。For example, when forming such an interlayer insulating film, first, an insulating film material, for example, a colloid of TEOS (tetraethoxysilane) is dispersed in an organic solvent on a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”). Supply the solution. Next, the wafer supplied with the solution is subjected to a gelling process, and then the solvent is replaced. Then, the wafer in which the solvent has been replaced is heated.
【０００４】これら一連の工程のうちウエハをゲル化処
理（エージング処理）する工程では、例えば蒸気化され
たアンモニアを含む処理気体を供給しつつ排気するよう
に構成された処理室内でウエハを例えば１００℃前後で
加熱処理している。これにより、絶縁膜材料として塗布
された塗布膜に含まれるＴＥＯＳのコロイドがゲル化し
て網目状に連鎖される。In the step of gelling (aging) the wafer in the series of steps, for example, a wafer is processed in a processing chamber configured to exhaust while supplying a processing gas containing, for example, vaporized ammonia. Heat treatment at around ℃. As a result, the colloid of TEOS contained in the coating film applied as the insulating film material is gelled and linked in a network.
【０００５】そして、処理室内に処理気体を供給するた
めの構成としては、例えばウエハ表面の外周の外側に沿
って加熱された処理気体を吹き出す供給孔を多数設け、
これらの供給孔からウエハの表面に向けて処理気体を供
給することが考えられる。As a configuration for supplying a processing gas into the processing chamber, for example, a large number of supply holes for blowing a heated processing gas along the outer periphery of the wafer surface are provided.
It is conceivable to supply a processing gas from these supply holes toward the surface of the wafer.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したウ
エハをゲル化処理する工程においては、均一なゲル化処
理を行うために、処理の際に処理温度を一定に保つこと
及びアンモニアを含む処理気体をウエハ上に均一に供給
することが重要である。By the way, in the above-mentioned step of gelling a wafer, in order to perform uniform gelling, the processing temperature must be kept constant during the processing and the processing gas containing ammonia must be maintained. It is important to supply the wafer uniformly over the wafer.
【０００７】しかしながら、上述した構成において、供
給する処理気体を一定温度に保つためには、例えば温度
検出手段を設けて該温度検出結果に基づき処理気体の温
度をフィードバック制御するような構成が必要とされる
が、その場合に構成が複雑になるという課題に加え、特
に過熱状態となった場合に適正な温度に戻す場合に多大
な時間を要するために処理温度を一定に保つことが困難
である、という課題がある。However, in the above-described configuration, in order to keep the supplied processing gas at a constant temperature, it is necessary to provide a configuration in which, for example, a temperature detecting means is provided and the temperature of the processing gas is feedback-controlled based on the temperature detection result. However, in that case, in addition to the problem that the configuration becomes complicated, it takes a lot of time to return the temperature to an appropriate temperature particularly in the case of overheating, so that it is difficult to keep the processing temperature constant. , There is a problem.
【０００８】また処理気体を供給するための装置に接続
された供給孔のうち、該装置の近くに接続された供給孔
の方がより多量に処理気体を供給する傾向が強いため、
処理気体をウエハ上に均一に供給することが困難であ
る、という課題がある。[0008] Of the supply holes connected to the device for supplying the processing gas, the supply hole connected near the device tends to supply a larger amount of the processing gas.
There is a problem that it is difficult to uniformly supply the processing gas onto the wafer.
【０００９】そこで、本発明は、簡単な構成で処理温度
を一定に保つことができ、更に処理気体を基板上に均一
に供給することができる基板処理装置を提供することを
目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of maintaining a constant processing temperature with a simple configuration and capable of uniformly supplying a processing gas onto a substrate.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の主要な観点は、基板処理装置において、基
板を処理するための処理室と、前記処理室内に配置さ
れ、第１の及び第２の面を有し、前記第１の面に基板を
保持して加熱処理する熱板と、前記処理室内に処理気体
を供給する供給手段と、前記処理室内を排気する排気手
段と、前記熱板の第２の面の外周の内側に沿って設けら
れ、前記供給手段から供給された処理気体を一旦蓄えて
前記熱板の外縁から該熱板の表面に向けて案内する案内
室とを具備する。In order to achieve the above object, a main aspect of the present invention is a substrate processing apparatus, comprising: a processing chamber for processing a substrate; and a first and a second processing chamber disposed in the processing chamber. A heating plate having a second surface for performing heat treatment while holding the substrate on the first surface, supply means for supplying a processing gas into the processing chamber, exhaust means for exhausting the processing chamber, A guide chamber provided along the inner periphery of the second surface of the hot plate, for temporarily storing the processing gas supplied from the supply means, and guiding the processing gas from the outer edge of the hot plate toward the surface of the hot plate. Have.
【００１１】本発明では、供給室から供給された処理気
体が熱板裏面に設けられて基板の加熱処理温度とほぼ同
じ温度とされた案内室内に一旦蓄積され、基板の加熱処
理温度とほぼ同じ温度とされるので、簡単な構成で処理
温度を一定に保つことができる。また本発明では、案内
室が熱板裏面の外周の内側に沿って設けられ、供給手段
から供給された処理気体を熱板の外縁から該熱板の表面
に向けて案内するように構成されているので、供給手段
から供給された処理気体が案内室の熱板裏面の外周の内
側に回り込んでから基板上に供給される。従って、処理
気体を基板上に均一な濃度及び温度で供給することがで
きる。In the present invention, the processing gas supplied from the supply chamber is temporarily stored in the guide chamber provided on the back surface of the hot plate and having a temperature substantially equal to the temperature of the substrate, and substantially equal to the temperature of the substrate. Since the temperature is set, the processing temperature can be kept constant with a simple configuration. In the present invention, the guide chamber is provided along the inside of the outer periphery of the back surface of the hot plate, and is configured to guide the processing gas supplied from the supply means from the outer edge of the hot plate toward the surface of the hot plate. Therefore, the processing gas supplied from the supply unit flows around the inside of the outer periphery of the back surface of the hot plate of the guide chamber and is supplied onto the substrate. Therefore, the processing gas can be supplied onto the substrate at a uniform concentration and temperature.
【００１２】本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と
利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認
することができる。These and other objects and advantages of the present invention can be easily ascertained from the following description and the accompanying drawings.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。先ず、本発明の基板処理装置とし
てのＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）
システムを説明する。図１〜図３はこのＳＯＤシステム
の全体構成を示す図であって、図１は平面図、図２は正
面図および図３は背面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, SOD (Spin on Dielectric) as a substrate processing apparatus of the present invention.
The system will be described. 1 to 3 show the overall configuration of the SOD system. FIG. 1 is a plan view, FIG. 2 is a front view, and FIG. 3 is a rear view.
【００１４】このＳＯＤシステム１は、基板としての半
導体ウエハ（以下、ウエハと呼ぶ。）Ｗをウエハカセッ
トＣＲで複数枚たとえば２５枚単位で外部からシステム
に搬入しまたはシステムから搬出したり、ウエハカセッ
トＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするための
カセットブロック１０と、ＳＯＤ塗布工程の中で１枚ず
つウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ステー
ションを所定位置に多段配置してなる処理ブロック１１
と、エージング工程にて必要とされるアンモニア水のボ
トル、バブラー、ドレインボトル等が設置されたキャビ
ネット１２とを一体に接続した構成を有している。In the SOD system 1, a plurality of semiconductor wafers (hereinafter, referred to as "wafers") W as substrates are carried into or out of the system by a wafer cassette CR in units of, for example, 25 wafers. A cassette block 10 for loading / unloading wafers W from / to the CR and various single-wafer processing stations for performing predetermined processing on the wafers W one by one in the SOD coating process are arranged at predetermined positions in multiple stages. Processing block 11
And a cabinet 12 in which an ammonia water bottle, a bubbler, a drain bottle, and the like required in the aging step are installed.
【００１５】カセットブロック１０では、図１に示すよ
うに、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に複数
個例えば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれのウ
エハ出入口を処理ブロック１１側に向けてＸ方向一列に
載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセ
ットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ垂
直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセ
ットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。更
に、このウエハ搬送体２１は、θ方向に回転可能に構成
されており、後述するように処理ブロック１１側の第３
の組Ｇ3 の多段ステーション部に属する受け渡し・冷却
プレート（ＴＣＰ）にもアクセスできるようになってい
る。In the cassette block 10, as shown in FIG. 1, a plurality of wafer cassettes CR, for example, up to four wafer cassettes are arranged at the positions of the projections 20 a on the cassette mounting table 20 with their respective wafer entrances facing the processing block 11. A wafer carrier 21 which is placed in a row in the direction and is movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z vertical direction) of the wafers stored in the wafer cassette CR is selectively placed in each wafer cassette CR. Is to be accessed. Further, the wafer transfer body 21 is configured to be rotatable in the θ direction.
The transfer / cooling plate (TCP) belonging to the multistage station section of the set G3 can be accessed.
【００１６】処理ブロック１１では、図１に示すよう
に、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設け
られ、その周りに全ての処理ステーションが１組または
複数の組に亙って多段に配置されている。この例では、
４組Ｇ1,Ｇ2,Ｇ3,Ｇ4 の多段配置構成であり、第１およ
び第２の組Ｇ1,Ｇ2 の多段ステーションはシステム正面
（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ3 の多
段ステーションはカセットブロック１０に隣接して配置
され、第４の組Ｇ4 の多段ステーションはキャビネット
１２に隣接して配置されている。In the processing block 11, as shown in FIG. 1, a main transfer mechanism 22 of a vertical transfer type is provided at the center, and all the processing stations are multi-staged around one or a plurality of sets around the main transfer mechanism. Are located in In this example,
This is a multistage arrangement of four sets G1, G2, G3, G4. The multistage stations of the first and second sets G1, G2 are juxtaposed on the front side of the system (in FIG. 1), and the multistage of the third set G3. The stations are arranged adjacent to the cassette block 10, and the multistage stations of the fourth set G4 are arranged adjacent to the cabinet 12.
【００１７】図２に示すように、第１の組Ｇ1 では、カ
ップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて絶縁膜
材料を供給し、ウエハを回転させることによりウエハ上
に均一な絶縁膜材料を塗布するＳＯＤ塗布処理ステーシ
ョン（ＳＣＴ）と、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチ
ャックに載せてＨＭＤＳ及びヘプタン等のエクスチェン
ジ用薬液を供給し、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶
媒を乾燥工程前に他の溶媒に置き換える処理を行うソル
ベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）とが
下から順に２段に重ねられている。As shown in FIG. 2, in the first set G1, the insulating film material is supplied by placing the wafer W on a spin chuck in the cup CP, and rotating the wafer to form a uniform insulating film material on the wafer. And a SOD coating processing station (SCT) for coating the wafer, a wafer W is placed on a spin chuck in the cup CP to supply an exchange chemical such as HMDS and heptane, and a solvent in the insulating film applied on the wafer is dried. A solvent exchange processing station (DSE) for performing a process of replacing the solvent with another solvent is previously stacked in two stages from the bottom.
【００１８】第２の組Ｇ2 では、ＳＯＤ塗布処理ステー
ション（ＳＣＴ）が上段に配置されている。なお、必要
に応じて第２の組Ｇ2 の下段にＳＯＤ塗布処理ステーシ
ョン（ＳＣＴ）やソルベントエクスチェンジ処理ステー
ション（ＤＳＥ）等を配置することも可能である。In the second set G2, an SOD coating processing station (SCT) is arranged in the upper stage. Incidentally, if necessary, an SOD coating processing station (SCT), a solvent exchange processing station (DSE), and the like can be arranged in the lower stage of the second set G2.
【００１９】図３に示すように、第３の組Ｇ3 では、２
個の低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）と、低
温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）と、２個の冷却処理
ステーション（ＣＰＬ）と、受け渡し・冷却プレート
（ＴＣＰ）と、冷却処理ステーション（ＣＰＬ）とが上
から順に多段に配置されている。ここで、低酸素高温加
熱処理ステーション（ＯＨＰ）は密閉化可能な処理室内
にウエハＷが載置される熱板を有し、熱板の外周の穴か
ら均一にＮ2 を吐出しつつ処理室上部中央より排気し、
低酸素化雰囲気中でウエハＷを高温加熱処理する。低温
加熱処理ステーション（ＬＨＰ）はウエハＷが載置され
る熱板を有し、ウエハＷを低温加熱処理する。冷却処理
ステーション（ＣＰＬ）はウエハＷが載置される冷却板
を有し、ウエハＷを冷却処理する。受け渡し・冷却プレ
ート（ＴＣＰ）は下段にウエハＷを冷却する冷却板、上
段に受け渡し台を有する２段構造とされ、カセットブロ
ック１０と処理ブロック１１との間でウエハＷの受け渡
しを行う。As shown in FIG. 3, in the third set G3, 2
The low oxygen high temperature heating processing station (OHP), the low temperature heating processing station (LHP), the two cooling processing stations (CPL), the transfer / cooling plate (TCP), and the cooling processing station (CPL) They are arranged in multiple stages from the top. Here, the low-oxygen high-temperature heating processing station (OHP) has a hot plate on which the wafer W is placed in a process chamber that can be sealed, and discharges N2 uniformly from a hole on the outer periphery of the hot plate while upper portion of the processing chamber. Exhaust from the center,
The wafer W is heated at a high temperature in a low oxygen atmosphere. The low-temperature heat processing station (LHP) has a hot plate on which the wafer W is placed, and heat-processes the wafer W at a low temperature. The cooling processing station (CPL) has a cooling plate on which the wafer W is placed, and cools the wafer W. The transfer / cooling plate (TCP) has a two-stage structure having a cooling plate for cooling the wafer W in a lower stage and a transfer table in an upper stage, and transfers the wafer W between the cassette block 10 and the processing block 11.
【００２０】第４の組Ｇ4 では、低温加熱処理ステーシ
ョン（ＬＨＰ）、２個の低酸素キュア・冷却処理ステー
ション（ＤＣＣ）と、エージング処理ステーション（Ｄ
ＡＣ）とが上から順に多段に配置されている。ここで、
低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）は密閉
化可能な処理室内に熱板と冷却板とを隣接するように有
し、Ｎ2 置換された低酸素雰囲気中で高温加熱処理する
と共に加熱処理されたウエハＷを冷却処理する。エージ
ング処理ステーション（ＤＡＣ）は密閉化可能な処理室
内にＮＨ3 ＋Ｈ2Ｏを導入してウエハＷをエージング処
理し、ウエハＷ上の絶縁膜材料膜をウエットゲル化す
る。In the fourth set G4, a low-temperature heating processing station (LHP), two low-oxygen curing / cooling processing stations (DCC), and an aging processing station (D
AC) are arranged in multiple stages from the top. here,
The low oxygen curing / cooling treatment station (DCC) has a hot plate and a cooling plate adjacent to each other in a process chamber that can be sealed, and is subjected to high temperature heat treatment and heat treatment in a N 2 -substituted low oxygen atmosphere. The wafer W is cooled. An aging processing station (DAC) introduces NH3 + H2O into a process chamber that can be sealed, performs aging processing on the wafer W, and wet-gels the insulating film material film on the wafer W.
【００２１】図４は主ウエハ搬送機構２２の外観を示し
た斜視図であり、この主ウエハ搬送機構２２は上端及び
下端で相互に接続され対向する一対の壁部２５、２６か
らなる筒状支持体２７の内側に、上下方向（Ｚ方向）に
昇降自在なウェハ搬送装置３０を装備している。筒状支
持体２７はモータ３１の回転軸に接続されており、この
モータ３１の回転駆動力によって、前記回転軸を中心と
してウェハ搬送装置３０と一体に回転する。従って、ウ
ェハ搬送装置３０はθ方向に回転自在となっている。こ
のウェハ搬送装置３０の搬送基台４０上にはピンセット
が例えば３本備えられている。これらのピンセット４
１、４２、４３は、いずれも筒状支持体２７の両壁部２
５、２６間の側面開口部４４を通過自在な形態及び大き
さを有しており、Ｘ方向に沿って前後移動が自在となる
ように構成されている。そして、主ウエハ搬送機構２２
はピンセット４１、４２、４３をその周囲に配置された
処理ステーションにアクセスしてこれら処理ステーショ
ンとの間でウエハＷの受け渡しを行う。FIG. 4 is a perspective view showing the appearance of the main wafer transfer mechanism 22. The main wafer transfer mechanism 22 has a cylindrical support consisting of a pair of opposed walls 25 and 26 connected to each other at an upper end and a lower end. A wafer transfer device 30 is provided inside the body 27 so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction). The cylindrical support 27 is connected to a rotation shaft of a motor 31, and is rotated integrally with the wafer transfer device 30 about the rotation shaft by the rotation driving force of the motor 31. Therefore, the wafer transfer device 30 is rotatable in the θ direction. For example, three tweezers are provided on the transfer base 40 of the wafer transfer device 30. These tweezers 4
1, 42 and 43 are both wall portions 2 of the cylindrical support 27.
It has a form and size that allow it to pass through the side opening 44 between 5 and 26, and is configured to be able to move back and forth along the X direction. Then, the main wafer transfer mechanism 22
The tweezers 41, 42, and 43 access processing stations disposed therearound and transfer wafers W to and from these processing stations.
【００２２】図５は上述したエージング処理ステーショ
ン（ＤＡＣ）の断面図、図６はその平面図である。図７
はエージング処理ステーション（ＤＡＣ）における処理
室の構成を示す断面図、図８は図７におけるＡ矢視図、
図９は図７におけるＢ矢視図、図１０は図７におけるＣ
矢視図である。FIG. 5 is a sectional view of the above-mentioned aging processing station (DAC), and FIG. 6 is a plan view thereof. FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a configuration of a processing chamber in an aging processing station (DAC), FIG.
9 is a view taken in the direction of arrow B in FIG. 7, and FIG.
It is an arrow view.
【００２３】図５及び図６に示すように、エージング処
理ステーション（ＤＡＣ）の中央には、処理室５１が配
置されている。処理室５１は処理室本体５２とこの処理
室体５２に対して昇降可能に配置された蓋体５３とを有
する。また、処理室５１に隣接するように２つの昇降シ
リンダー５４，５５が配置されている。昇降シリンダー
５４は支持部材５６を介して蓋体５３に接続されてお
り、蓋体５３を昇降駆動する。また昇降シリンダー５５
は支持部材５７を介して後述する３本の支持ピンに接続
され、支持ピンを昇降駆動する。As shown in FIGS. 5 and 6, a processing chamber 51 is disposed at the center of the aging processing station (DAC). The processing chamber 51 has a processing chamber main body 52 and a lid 53 that can be moved up and down with respect to the processing chamber body 52. Two elevating cylinders 54 and 55 are arranged adjacent to the processing chamber 51. The elevating cylinder 54 is connected to the lid 53 via a support member 56 and drives the lid 53 up and down. The lifting cylinder 55
Is connected to three support pins to be described later via a support member 57, and drives the support pins up and down.
【００２４】図７に示すように、処理室本体５２のほぼ
中央には熱板６０が配置されている。この熱板６０内に
はヒータ８１が内蔵されている。熱板６０はヒータ８１
によってエージング処理を行うための温度、例えば１０
０℃前後に加熱されるようになっている。また熱板６０
表面から裏面には、複数個、例えば３個の孔６１が同心
円上に設けられている。各孔６１には上述した支持ピン
５８が熱板６０表面から出没可能に位置されている。そ
して支持ピン５８は、熱板６０の表面から突き出た状態
で、主ウエハ搬送機構２２との間でウェハＷの受け渡し
を行う。主ウエハ搬送機構２２からウエハＷを受け取っ
た支持ピン５８は、下降して熱板６０内に没し、これに
よりウエハＷが熱板６０上に載置され、ウエハＷの加熱
が行われるようになっている。更にウエハＷを熱板６０
上に密着することなく熱板６０上で浮かせて保持するた
めのプロキシミティシート６２が熱板６０表面のウエハ
Ｗ載置位置の外周部の複数カ所、例えば６カ所に配置さ
れている。またプロキシミティシート６２は、それぞれ
ウエハＷ載置位置の外側に延在しており、各プロキシミ
ティシート６２の延在した位置には、それぞれウエハＷ
の案内用の案内ガイド６３が配置されている。As shown in FIG. 7, a heating plate 60 is disposed substantially at the center of the processing chamber main body 52. A heater 81 is built in the hot plate 60. The heating plate 60 is a heater 81
Temperature for performing the aging process, for example, 10
It is designed to be heated to around 0 ° C. Hot plate 60
A plurality of holes, for example, three holes 61 are provided concentrically from the front surface to the back surface. In each hole 61, the above-described support pin 58 is positioned so as to be able to protrude and retract from the surface of the hot plate 60. The support pins 58 transfer the wafer W to and from the main wafer transfer mechanism 22 while protruding from the surface of the hot plate 60. The support pins 58 that have received the wafer W from the main wafer transfer mechanism 22 descend and sink into the hot plate 60, whereby the wafer W is placed on the hot plate 60 and the wafer W is heated. Has become. Further, the wafer W is
Proximity sheets 62 for floating and holding on the hot plate 60 without being closely adhered thereto are arranged at a plurality of, for example, six, positions on the outer surface of the hot plate 60 at the wafer W mounting position. Further, the proximity sheets 62 extend outside the wafer W mounting position, and the wafers W
The guide 63 for the guide is arranged.
【００２５】また上述したように処理室本体５２の上方
には蓋体５３が昇降可能に配置されている。処理室本体
５２外周の蓋体５３の密着面には、シール部材６２が配
置されており、またこの密着面には図示を省略した真空
引き装置に接続された吸引孔６４が複数設けされてい
る。そして、蓋体５３が下降した状態で、吸引孔６４が
真空引きされて蓋体５３外周の密着面と処理室本体５２
の密着面とが密着して処理室５１内に密閉空間Ｓを形成
するように構成されている。更に蓋体５３のほぼ中央、
つまり熱板６０の上方中央には、排気装置８２に接続さ
れた排気口６５が設けられている。また更に、この蓋体
５３内にはヒータ８３が内蔵されている。上述した熱板
６０と同様に蓋体５３についてもこのヒータ８３によっ
てエージング処理を行うための温度と同程度の温度に加
熱されるようになっている。これにより、処理気体が蓋
体５３に結露するのを防止することができる。As described above, the lid 53 is disposed above the processing chamber main body 52 so as to be able to move up and down. A sealing member 62 is disposed on the contact surface of the lid 53 on the outer periphery of the processing chamber main body 52, and a plurality of suction holes 64 connected to a vacuuming device (not shown) are provided on the contact surface. . Then, in a state where the lid 53 is lowered, the suction hole 64 is evacuated to vacuum, and the contact surface on the outer periphery of the lid 53 and the processing chamber main body 52 are removed.
And a closed space S is formed in the processing chamber 51 in close contact with the contact surface. Furthermore, almost at the center of the lid 53,
That is, the exhaust port 65 connected to the exhaust device 82 is provided at the upper center of the hot plate 60. Further, a heater 83 is built in the lid 53. Like the hot plate 60 described above, the lid 53 is also heated by the heater 83 to a temperature substantially equal to the temperature for performing the aging process. This can prevent the processing gas from condensing on the lid 53.
【００２６】処理室本体５２の裏面外周寄りには、処理
室５１内に蒸気化されたアンモニア（ＮＨ3 ）が含ま
れた処理気体及びパージ用の窒素（Ｎ2 ）ガスを供給す
るガス供給部８４に接続されたただ1つの供給路６６が
設けられている。熱板６０裏面の外周の内側に沿って、
供給路６６を介してガス供給部８４から供給された処理
気体を一旦蓄えて熱板６０の外縁から該熱板６０の表面
に向けて案内する案内室６７が設けられている。ガス供
給部８４は、例えばタンクに蓄積された蒸気化されたア
ンモニア（ＮＨ3 ）が含まれた処理気体（ＮＨ3＋Ｈ2
Ｏ）及びパージ用の窒素（Ｎ2 ）ガスのうちいずれかを
選択的に供給する。また、ガス供給部８４はこれらのガ
スを予熱する機能も有する。例えばこの予熱は実際の処
理温度と同程度としてもよいが、処理温度よりも少し低
い温度としてもよい。実際の処理温度と同程度とする
と、過熱状態となった場合に正常な処理温度に低下させ
ることができなくなるからである。Near the outer periphery of the back surface of the processing chamber main body 52, a processing gas containing ammonia (NH 3) vaporized in the processing chamber 51 and a gas supply unit 84 for supplying nitrogen (N 2) gas for purging are provided. There is only one supply path 66 connected. Along the inside of the outer periphery of the hot plate 60 back,
A guide chamber 67 for temporarily storing the processing gas supplied from the gas supply unit 84 via the supply path 66 and guiding the processing gas from the outer edge of the hot plate 60 toward the surface of the hot plate 60 is provided. The gas supply unit 84 is a processing gas (NH3 + H2) containing, for example, vaporized ammonia (NH3) stored in a tank.
O) or nitrogen (N2) gas for purging is selectively supplied. The gas supply unit 84 also has a function of preheating these gases. For example, the preheating may be about the same as the actual processing temperature, but may be slightly lower than the processing temperature. This is because if the temperature is substantially the same as the actual processing temperature, it becomes impossible to lower the processing temperature to the normal processing temperature in the case of overheating.
【００２７】制御部８５は上述したヒーター８１，８３
や排気装置８２のオン・オフの制御や、ガス供給部８４
の切り替えを制御する。排気口６５と排気装置８２との
間には、処理気体の濃度を検出するためのモニター８６
が設けられており、このモニター８６により検出された
結果は制御部８５に伝えられるようになっている。The control unit 85 includes the heaters 81 and 83 described above.
On / off control of the gas exhaust unit 82 and the gas supply unit 84
Control switching. A monitor 86 for detecting the concentration of the processing gas is provided between the exhaust port 65 and the exhaust device 82.
The result detected by the monitor 86 is transmitted to the control unit 85.
【００２８】上述した３本の支持ピン５８は、その下部
において連結部材８６に連結されており、この連結がな
された空間は下部蓋８７で覆われている。連結部材８６
は、昇降駆動用の棒状部材８８に接続され、棒状部材８
８は下部蓋８７に設けられた孔８９を介して外部に出
て、外部の支持部材５７に連結されている。連結部材８
６と下部蓋８７との間にはシール用のＯリング９０が配
置されており、支持ピン５８が下降して熱板６０上にウ
エハＷが載置されたとき、連結部材８６と下部蓋８７と
の間でＯリング９０が挟まるようになっている。これに
より、下部蓋８７の密閉性が確保され、この結果密閉空
間Ｓ内の密閉性が確保される。The above-mentioned three support pins 58 are connected to a connecting member 86 at a lower portion thereof, and the space where the connection is made is covered by a lower lid 87. Connecting member 86
Is connected to a rod member 88 for driving up and down, and the rod member 8
Reference numeral 8 denotes an outside through a hole 89 provided in the lower lid 87, and is connected to an external support member 57. Connecting member 8
An O-ring 90 for sealing is arranged between the lower cover 6 and the lower cover 87, and when the support pin 58 is lowered and the wafer W is placed on the hot plate 60, the connecting member 86 and the lower cover 87 are disposed. The O-ring 90 is sandwiched between the two. Thereby, the tightness of the lower lid 87 is ensured, and as a result, the tightness in the sealed space S is ensured.
【００２９】案内室６７内には、案内室６７内を上下に
仕切るための仕切板６８が設けられている。そして仕切
板６８によって仕切られた下方室６９の底面外側には上
記のただ１つの供給路６６が設けられ、下方室６９の内
側において下方室６９は仕切板６８によって仕切られた
上方室７０との間で連通している。このように上下室構
造とすることで処理気体が案内室６７内を通過する実質
的な距離を長くすることができ、案内室６７内における
処理気体の蓄熱による温度制御の効果をより高めること
ができ、また案内室６７内における処理気体の回り込み
の効果をより高めることができ、処理気体をウエハＷ上
により均一に供給することができる。In the guide chamber 67, a partition plate 68 for vertically partitioning the inside of the guide chamber 67 is provided. The above-described single supply path 66 is provided outside the bottom surface of the lower chamber 69 partitioned by the partition plate 68, and the lower chamber 69 is connected to the upper chamber 70 partitioned by the partition plate 68 inside the lower chamber 69. Are in communication between With such an upper and lower chamber structure, the substantial distance that the processing gas passes through the guide chamber 67 can be increased, and the effect of temperature control by the heat storage of the processing gas in the guide chamber 67 can be further enhanced. In addition, the effect of the processing gas flowing around in the guide chamber 67 can be further enhanced, and the processing gas can be more uniformly supplied onto the wafer W.
【００３０】また下方室６９の底面には、ガス供給部８
４から供給された処理気体を熱板６０裏面の外周に沿っ
て案内する案内溝７１が例えば４本設けられている。案
内溝７１は図１０に示すように内側に行くたびに２方向
に２回分岐して最内周側で円を描いている。更に上方室
７０には、図８及び図９に示すように、ガス供給部８４
から供給された処理気体を熱板６０裏面の外周に沿って
案内する環状の案内板７２〜７５が例えば４枚設けられ
ている。最内周に配置された案内板７２は仕切板６８上
に配置され、熱板６０裏面との間で隙間を有し、次の案
内板７３は熱板６０裏面に配置され、仕切板６８との間
で隙間を有し、次の案内板７４は仕切板６８上に配置さ
れ、熱板６０裏面との間で隙間を有し、最外周の案内板
７５は熱板６０裏面に配置され、仕切板６８との間で隙
間を有する。そして、処理室本体５２の内周と熱板６０
の外縁との間に隙間７６が設けられ、この隙間７６を介
して案内室６７から熱板６０の表面に処理気体及びパー
ジ用の窒素（Ｎ2 ）ガスが供給されるようになってい
る。The gas supply section 8 is provided on the bottom of the lower chamber 69.
For example, four guide grooves 71 for guiding the processing gas supplied from 4 along the outer periphery of the back surface of the hot plate 60 are provided. As shown in FIG. 10, each time the guide groove 71 goes inward, the guide groove 71 branches in two directions twice and draws a circle on the innermost peripheral side. Further, as shown in FIGS. 8 and 9, a gas supply section 84 is provided in the upper chamber 70.
For example, there are provided four annular guide plates 72 to 75 for guiding the processing gas supplied from the heating plate 60 along the outer periphery of the back surface of the hot plate 60. The guide plate 72 disposed at the innermost periphery is disposed on the partition plate 68 and has a gap with the back surface of the hot plate 60, and the next guide plate 73 is disposed on the back surface of the hot plate 60. The next guide plate 74 is disposed on the partition plate 68, has a gap between the back surface of the hot plate 60, and the outermost guide plate 75 is disposed on the back surface of the hot plate 60, There is a gap with the partition plate 68. The inner periphery of the processing chamber main body 52 and the hot plate 60
A gap 76 is provided between the outer periphery of the hot plate 60 and a processing gas and a nitrogen (N2) gas for purging from the guide chamber 67 to the surface of the hot plate 60 through the gap 76.
【００３１】次にこのように構成されたＳＯＤシステム
１における動作について説明する。図１１はこのＳＯＤ
システム１における処理フローを示している。Next, the operation of the SOD system 1 configured as described above will be described. FIG. 11 shows this SOD
2 shows a processing flow in the system 1.
【００３２】まずカセットブロック１０において、処理
前のウエハＷはウエハカセットＣＲからウエハ搬送体２
１を介して処理ブロック１１側の第３の組Ｇ3に属する
受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における受け渡し台
へ搬送される。First, in the cassette block 10, the wafer W before processing is transferred from the wafer cassette CR to the wafer carrier 2.
1 and transferred to a transfer table in a transfer / cooling plate (TCP) belonging to the third set G3 on the processing block 11 side.
【００３３】受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）におけ
る受け渡し台に搬送されたウエハＷは主ウエハ搬送機構
２２を介して冷却処理ステーション（ＣＰＬ）へ搬送さ
れる。そして冷却処理ステーション（ＣＰＬ）におい
て、ウエハＷはＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）
における処理に適合する温度まで冷却される（ステップ
９０１）。The wafer W transferred to the transfer table in the transfer / cooling plate (TCP) is transferred to the cooling processing station (CPL) via the main wafer transfer mechanism 22. Then, at the cooling processing station (CPL), the wafer W is transferred to the SOD coating processing station (SCT).
(Step 901).
【００３４】冷却処理ステーション（ＣＰＬ）で冷却処
理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介してＳＯ
Ｄ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）へ搬送される。そし
てＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）において、ウ
エハＷはＳＯＤ塗布処理が行われる（ステップ９０
２）。The wafer W which has been cooled at the cooling processing station (CPL) is transferred to the SO through the main wafer transfer mechanism 22.
It is transported to the D coating processing station (SCT). Then, in the SOD coating processing station (SCT), the wafer W is subjected to the SOD coating processing (step 90).
2).
【００３５】ＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）で
ＳＯＤ塗布処理が行われたウエハＷは主ウエハ搬送機構
２２を介してエージング処理ステーション（ＤＡＣ）へ
搬送される。エージング処理ステーション（ＤＡＣ）の
処理室５１では、支持ピン５８が熱板６０の表面から突
き出た状態で、主ウエハ搬送機構２２からウエハＷを受
け取る。次に、支持ピン５８が下降して熱板６０上に載
置されると共に、蓋体５３が下降して蓋体５３外周の密
着面と処理室本体５２の密着面とが密着して処理室５１
内に密閉空間Ｓが形成される。そして、供給路６６を介
して処理室５１内の密閉空間Ｓに蒸気化されたアンモニ
ア（ＮＨ3 ）が含まれた処理気体を供給する。これに
より、ウエハＷをエージング処理し、ウエハＷ上の絶縁
膜材料をゲル化する処理が行われる（ステップ９０
３）。本実施形態では、供給路６６を介して供給された
処理気体が案内室６７内において特に案内溝７１及び案
内板７２〜７５を介して案内室６７の熱板６０裏面の外
周の内側に回り込んでから処理室本体５２の内周と熱板
６０の外縁との間に隙間７６を介して案内室６７から熱
板６０の表面に処理気体が供給されるようになっている
ので、簡単な構成で処理室５１内の処理温度を一定に保
つことができ、また処理気体をウエハＷ上に均一に供給
することができる。そして、その後アンモニアの拡散を
防止するために供給路６６を介して処理室５１内に窒素
ガスを供給して処理室５１内をパージする。次に、蓋体
５３を上昇すると共に、支持ピン５８を上昇してウエハ
Ｗを主ウエハ搬送機構２２に受け渡す。なお、処理室５
１で処理が行われないときには、通常、蓋５３は閉じら
れている。これにより、処理気体の漏れをより少なくし
ている。また、本実施形態では、特に、制御部８５がモ
ニター８６の検出結果に基づき処理時における処理気体
の濃度が濃い場合には処理時間を短くし、逆に処理時に
おける処理気体の濃度が薄い場合には処理時間を長くす
る制御を行っている。これにより、均一な処理を行うこ
とが可能となる。The wafer W that has been subjected to the SOD coating processing at the SOD coating processing station (SCT) is transferred to the aging processing station (DAC) via the main wafer transfer mechanism 22. In the processing chamber 51 of the aging processing station (DAC), the wafer W is received from the main wafer transfer mechanism 22 with the support pins 58 protruding from the surface of the hot plate 60. Next, the support pin 58 is lowered to be placed on the hot plate 60, and the lid 53 is lowered to bring the contact surface of the outer periphery of the lid 53 into close contact with the contact surface of the processing chamber main body 52 so that the processing chamber is closed. 51
A closed space S is formed therein. Then, the processing gas containing the vaporized ammonia (NH3) is supplied to the closed space S in the processing chamber 51 through the supply path 66. Thus, an aging process is performed on the wafer W, and a process for gelling the insulating film material on the wafer W is performed (step 90).
3). In the present embodiment, the processing gas supplied through the supply path 66 flows around the inside of the outer periphery of the back surface of the hot plate 60 of the guide chamber 67 through the guide groove 71 and the guide plates 72 to 75 in the guide chamber 67. Since the processing gas is supplied from the guide chamber 67 to the surface of the hot plate 60 via the gap 76 between the inner periphery of the processing chamber main body 52 and the outer edge of the hot plate 60, a simple configuration is provided. Thus, the processing temperature in the processing chamber 51 can be kept constant, and the processing gas can be uniformly supplied onto the wafer W. Then, a nitrogen gas is supplied into the processing chamber 51 through the supply path 66 to prevent the diffusion of ammonia, and the inside of the processing chamber 51 is purged. Next, the lid 53 is raised and the support pins 58 are raised to transfer the wafer W to the main wafer transfer mechanism 22. The processing chamber 5
When the processing is not performed in step 1, the lid 53 is normally closed. Thereby, the leakage of the processing gas is further reduced. Further, in the present embodiment, the processing time is shortened when the concentration of the processing gas during processing is high based on the detection result of the monitor 86, and conversely, when the concentration of the processing gas during processing is low. Is controlled to extend the processing time. Thereby, uniform processing can be performed.
【００３６】エージング処理ステーション（ＤＡＣ）で
エージング処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２
を介してソルベントエクスチェンジ処理ステーション
（ＤＳＥ）へ搬送される。そしてソルベントエクスチェ
ンジ処理ステーション（ＤＳＥ）において、ウエハＷは
エクスチェンジ用薬液が供給され、ウエハ上に塗布され
た絶縁膜中の溶媒を他の溶媒に置き換える処理が行われ
る（ステップ９０４）。The wafer W that has been aged at the aging processing station (DAC) is transferred to the main wafer transfer mechanism 22.
Through a solvent exchange processing station (DSE). Then, at the solvent exchange processing station (DSE), a chemical solution for exchange is supplied to the wafer W, and a process of replacing the solvent in the insulating film applied on the wafer with another solvent is performed (step 904).
【００３７】ソルベントエクスチェンジ処理ステーショ
ン（ＤＳＥ）で置換処理が行われたウエハＷは主ウエハ
搬送機構２２を介して低温加熱処理ステーション（ＬＨ
Ｐ）へ搬送される。そして低温加熱処理ステーション
（ＬＨＰ）において、ウエハＷは低温加熱処理される
（ステップ９０５）。The wafer W which has been subjected to the replacement processing at the solvent exchange processing station (DSE) passes through the main wafer transfer mechanism 22 to the low temperature heating processing station (LH).
P). Then, the wafer W is subjected to a low-temperature heat treatment at a low-temperature heat treatment station (LHP) (step 905).
【００３８】低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）で低
温加熱処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介
して低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）へ搬送
される。そして低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨ
Ｐ）において、ウエハＷは低酸素化雰囲気中での高温加
熱処理が行われる（ステップ９０６）。The wafer W subjected to the low-temperature heat treatment at the low-temperature heat treatment station (LHP) is transferred to the low-oxygen high-temperature heat treatment station (OHP) via the main wafer transfer mechanism 22. And the low oxygen high temperature heat treatment station (OH
In P), the wafer W is subjected to a high-temperature heat treatment in a low oxygen atmosphere (step 906).
【００３９】低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨ
Ｐ）で高温加熱処理が行われたウエハＷは主ウエハ搬送
機構２２を介して低酸素キュア・冷却処理ステーション
（ＤＣＣ）へ搬送される。そして低酸素キュア・冷却処
理ステーション（ＤＣＣ）において、ウエハＷは低酸素
雰囲気中で高温加熱処理され、冷却処理される（ステッ
プ９０７）。Low oxygen high temperature heat treatment station (OH
The wafer W subjected to the high-temperature heat treatment in P) is transferred to the low-oxygen cure / cooling processing station (DCC) via the main wafer transfer mechanism 22. Then, in the low oxygen curing / cooling processing station (DCC), the wafer W is subjected to a high-temperature heat treatment in a low oxygen atmosphere and is cooled (step 907).
【００４０】低酸素キュア・冷却処理ステーション（Ｄ
ＣＣ）で処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を
介して受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における冷却
板へ搬送される。そして受け渡し・冷却プレート（ＴＣ
Ｐ）における冷却板において、ウエハＷは冷却処理され
る（ステップ９０８）。Low oxygen cure / cooling station (D
The wafer W processed in CC) is transferred to a cooling plate in a transfer / cooling plate (TCP) via the main wafer transfer mechanism 22. And the delivery / cooling plate (TC
In the cooling plate in P), the wafer W is subjected to a cooling process (step 908).
【００４１】受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）におけ
る冷却板で冷却処理されたウエハＷはカセットブロック
１０においてウエハ搬送体２１を介してウエハカセット
ＣＲへ搬送される。The wafer W cooled by the cooling plate of the transfer / cooling plate (TCP) is transferred to the wafer cassette CR via the wafer transfer body 21 in the cassette block 10.
【００４２】次に、本発明の他の実施形態を説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described.
【００４３】図１２は本発明の他の実施形態に係る処理
室における蓋体の構成を説明するための図である。FIG. 12 is a view for explaining the configuration of a lid in a processing chamber according to another embodiment of the present invention.
【００４４】この実施形態では、図１２に示すように、
排気口９５を上述した実施形態における排気口６５と比
して大径化するとともに、この排気口９５を塞ぐよう
に、多数の透孔９６が設けられた部材９７を配置したも
のである。In this embodiment, as shown in FIG.
The exhaust port 95 has a larger diameter than the exhaust port 65 in the above-described embodiment, and a member 97 provided with a large number of through holes 96 is arranged so as to close the exhaust port 95.
【００４５】このような構成により、処理中にウエハＷ
の上方に乱流が生じることはなくなり、処理を均一に行
うことが可能となる。本発明者らの実験によるとこのよ
うな構成で処理を行うことでウエハＷの表面に縞模様が
発生する不具合は皆無になった。With such a configuration, the wafer W
No turbulence is generated above the surface, and the processing can be performed uniformly. According to the experiments of the present inventors, there was no problem that a stripe pattern was generated on the surface of the wafer W by performing the processing with such a configuration.
【００４６】図１３は本発明の他の実施形態に係る処理
室の構成を説明するための図である。FIG. 13 is a view for explaining a configuration of a processing chamber according to another embodiment of the present invention.
【００４７】この実施形態では、図１３に示すように、
本体５２の外周下部に排気口９８及びこの排気口９８を
開閉するバルブ９９を設け、処理気体をパージする際に
排気口６５と共にこの排気口９８を使って排気するよう
にしている。これにより、処理気体を効率よくパージす
ることができるようになる。In this embodiment, as shown in FIG.
An exhaust port 98 and a valve 99 for opening and closing the exhaust port 98 are provided at a lower part of the outer periphery of the main body 52, and the exhaust gas is exhausted together with the exhaust port 65 when purging the processing gas. As a result, the processing gas can be efficiently purged.
【００４８】なお、本発明は、上述した実施の形態に限
定されず、種々変形可能である。例えば、処理する基板
は半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板等の他のものであ
ってもよい。また、膜の種類は層間絶縁膜に限らない。
また、供給路６６がただ１つであると説明したが、供給
路６６を複数設けてもよいのはいうまでもない。更に、
遅い流速で所定の量の処理気体及び窒素ガスを供給可能
であり、さらに処理気体及び窒素ガスの温調能力が向上
できる。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified. For example, the substrate to be processed is not limited to a semiconductor wafer, but may be another substrate such as an LCD substrate. Further, the type of the film is not limited to the interlayer insulating film.
In addition, although it has been described that there is only one supply path 66, it goes without saying that a plurality of supply paths 66 may be provided. Furthermore,
A predetermined amount of the processing gas and the nitrogen gas can be supplied at a low flow rate, and the temperature control capability of the processing gas and the nitrogen gas can be further improved.
【００４９】[0049]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フィードバック系の温度制御等は不要であり、簡単な構
成で処理温度を一定に保つことができ、また供給手段か
ら供給された処理気体が案内室の熱板裏面の外周の内側
に回り込んでから基板上に供給され、処理気体を基板上
に均一に供給することができる。As described above, according to the present invention,
The temperature control of the feedback system is unnecessary, the processing temperature can be kept constant with a simple configuration, and the processing gas supplied from the supply means goes around the inside of the outer periphery of the back surface of the hot plate of the guide chamber. The processing gas supplied on the substrate can be supplied uniformly on the substrate.
【図１】本発明の実施の形態に係るＳＯＤシステムの平
面図である。FIG. 1 is a plan view of an SOD system according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示したＳＯＤシステムの正面図である。FIG. 2 is a front view of the SOD system shown in FIG.
【図３】図１に示したＳＯＤシステムの背面図である。FIG. 3 is a rear view of the SOD system shown in FIG. 1;
【図４】図１に示したＳＯＤシステムにおける主ウエハ
搬送機構の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a main wafer transfer mechanism in the SOD system shown in FIG.
【図５】本発明の実施の形態に係るエージング処理ステ
ーションの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of the aging processing station according to the embodiment of the present invention.
【図６】図５に示したエージング処理ステーションの平
面図である。6 is a plan view of the aging processing station shown in FIG.
【図７】図５及び図６に示した処理室の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of the processing chamber shown in FIGS. 5 and 6;
【図８】図７におけるＡ矢視図である。8 is a view as viewed in the direction of the arrow A in FIG. 7;
【図９】図７におけるＢ矢視図である。9 is a view as viewed in the direction of arrow B in FIG. 7;
【図１０】図７におけるＣ矢視図である。FIG. 10 is a view taken in the direction of the arrow C in FIG. 7;
【図１１】図１に示したＳＯＤシステムの処理フロー図
である。FIG. 11 is a processing flowchart of the SOD system shown in FIG. 1;
【図１２】本発明の他の実施形態に係る処理室における
蓋体の構成を説明するための図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of a lid in a processing chamber according to another embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の他の実施形態に係る処理室の構成を
説明するための図である。FIG. 13 is a view for explaining a configuration of a processing chamber according to another embodiment of the present invention.
５１ 処理室 ６０ 熱板 ６５ 排気孔 ６６ 供給路 ６７ 案内室 ７１ 案内溝 ７２〜７５ 案内板 Ｗ ウエハ 51 processing chamber 60 hot plate 65 exhaust hole 66 supply path 67 guide chamber 71 guide groove 72-75 guide plate W wafer
Claims (20)
記第１の面に基板を保持して加熱処理する熱板と、 前記処理室内に処理気体を供給する供給手段と、 前記処理室内を排気する排気手段と、 前記熱板の第２の面の外周の内側に沿って設けられ、前
記供給手段から供給された処理気体を一旦蓄えて前記熱
板の外縁から該熱板の表面に向けて案内する案内室とを
具備することを特徴とする基板処理装置。A processing chamber for processing a substrate, a heating plate disposed in the processing chamber, having a first surface and a second surface, and performing a heat treatment while holding the substrate on the first surface. A supply unit that supplies a processing gas into the processing chamber; an exhaust unit that exhausts the processing chamber; and a processing unit that is provided along an inner periphery of an outer periphery of a second surface of the hot plate and is supplied from the supply unit. A substrate processing apparatus, comprising: a guide chamber for temporarily storing gas and guiding the gas from the outer edge of the hot plate toward the surface of the hot plate.
前記熱板裏面の外周に沿って案内する案内板を具備する
ことを特徴とする基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the guide chamber includes a guide plate for guiding a processing gas supplied from the supply unit along an outer periphery of a back surface of the hot plate. Substrate processing equipment.
する基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the guide plate is connected to the hot plate.
前記熱板裏面の外周に沿って案内する案内溝を有する案
内路を具備することを特徴とする基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the guide chamber includes a guide path having a guide groove for guiding a processing gas supplied from the supply unit along an outer periphery of a back surface of the hot plate. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
することを特徴とする基板処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the supply unit includes a temperature control unit that controls the temperature of the processing gas.
供給するための手段を更に具備することを特徴とする基
板処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising means for supplying a gas for purging the guide chamber to the guide chamber.
体を供給することを特徴とする基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the supply unit supplies a processing gas to the guide chamber from one location.
の受け渡しを行うための少なくとも３本の支持ピンと、 前記熱板の第２の面側に配置され、前記支持ピンを昇降
駆動する昇降駆動機構とを具備することを特徴とする基
板処理装置。8. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein at least three support pins are provided so as to be able to protrude and retract from the first surface of the heating plate, and transfer the substrate. 2. A substrate processing apparatus, comprising: a lifting drive mechanism disposed on the surface side of No. 2 to drive the support pin up and down.
布液が塗布されており、 前記処理気体には蒸気化されたアンモニアが含まれてい
る9. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is coated with a coating liquid in which particles or colloids are dispersed in a solvent, and the processing gas contains vaporized ammonia. Is
面に基板を保持して加熱処理する熱板と、 前記第１の面が露出面となるように前記熱板が配置され
た本体と、 前記本体に対して接離可能に配置され、前記本体に対し
て接触しているときに前記本体との間で基板を処理する
ための密閉空間を形成する蓋体と、 前記密閉空間内に処理気体を供給する供給手段と、 前記密閉空間内を排気する排気手段と、 前記熱板の第２の面の外周の内側に沿って設けられ、前
記供給手段から供給された処理気体を一旦蓄えて前記熱
板の外縁から該熱板の表面に向けて案内する案内室とを
具備することを特徴とする基板処理装置。10. A heating plate having first and second surfaces, wherein a heating plate for holding and heating a substrate on the first surface is provided, and wherein the heating plate is provided so that the first surface becomes an exposed surface. A disposed main body, a lid that is disposed so as to be able to approach and separate from the main body, and forms a sealed space for processing a substrate between the main body when the main body is in contact with the main body; Supply means for supplying the processing gas into the closed space; exhaust means for exhausting the inside of the closed space; provided along the inside of the outer periphery of the second surface of the hot plate, and supplied from the supply means. A substrate processing apparatus, comprising: a guide chamber for temporarily storing a processing gas and guiding the processing gas from an outer edge of the hot plate toward a surface of the hot plate.
て、 前記蓋体には、前記熱板により保持された基板のほぼ中
央に対応する位置に排気用の排気口が設けられ、 前記排気手段は、前記排気口を介して前記密閉空間内を
排気することを特徴とする基板処理装置。11. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the lid is provided with an exhaust port for exhaust at a position substantially corresponding to a center of the substrate held by the hot plate. A substrate processing apparatus, wherein the inside of the closed space is exhausted through the exhaust port.
て、 前記排気口は、ただ１つであることを特徴とする基板処
理装置。12. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein only one exhaust port is provided.
て、 前記排気口を塞ぐように配置され、複数の透孔が設けら
れた部材を更に具備することを特徴とする基板処理装
置。13. The substrate processing apparatus according to claim 12, further comprising a member disposed to close the exhaust port and provided with a plurality of through holes.
て、 前記蓋体を温調する蓋体温調機構をさらに具備すること
を特徴とする基板処理装置。14. The substrate processing apparatus according to claim 10, further comprising a lid temperature control mechanism for controlling the temperature of the lid.
て、 前記本体には、前記案内室に接続される供給路が設けら
れ、 前記供給手段は、前記供給路を介して前記案内室に処理
気体を供給することを特徴とする基板処理装置。15. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the main body is provided with a supply path connected to the guide chamber, and the supply means supplies processing gas to the guide chamber via the supply path. A substrate processing apparatus characterized by supplying:
て、 前記供給路は、ただ１つであることを特徴とする基板処
理装置。16. The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein there is only one supply path.
記第１の面に基板を保持して加熱処理する熱板と、 前記処理室内に処理気体を供給する供給手段と、 前記処理室内を排気する排気手段と、 前記処理室内の処理気体の濃度を検出する手段と、 前記検出された濃度に基づき、前記処理室内で基板を処
理するための処理時間を制御する手段とを具備すること
を特徴とする基板処理装置。17. A processing chamber for processing a substrate, a heating plate disposed in the processing chamber, having a first surface and a second surface, and performing a heat treatment while holding the substrate on the first surface. Supply means for supplying a processing gas into the processing chamber; exhaust means for exhausting the processing chamber; means for detecting the concentration of the processing gas in the processing chamber; and Means for controlling a processing time for processing the substrate.
て、 前記熱板の第２の面の外周の内側に沿って設けられ、前
記供給手段から供給された処理気体を一旦蓄えて前記熱
板の外縁から該熱板の表面に向けて案内する案内室を更
に具備することを特徴とする基板処理装置。18. The substrate processing apparatus according to claim 17, wherein the processing gas is provided along an inner periphery of a second surface of the hot plate, and temporarily stores processing gas supplied from the supply means. A substrate processing apparatus further comprising a guide chamber for guiding the outer edge toward the surface of the hot plate.
て、 前記処理気体は、アンモニアと水の混合ガスであること
を特徴とする基板処理装置。19. The substrate processing apparatus according to claim 17, wherein the processing gas is a mixed gas of ammonia and water.
て、 前記処理室内を不活性ガスでパージする手段を更に具備
することを特徴とする基板処理装置。20. The substrate processing apparatus according to claim 17, further comprising means for purging the processing chamber with an inert gas.
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