JP2001042332A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向不良に起因する液晶表示素子の表示品位
の低下を防止する。 【解決手段】 液晶表示素子３３において、液晶層４３
が第１基板４１と第２基板４２との間に介在され、第１
配向膜４５が第１基板４１と液晶層４３との間に介在さ
れ、開口部５０を有する調整層４９と複数の画素電極４
７とが第１基板４１と第１配向膜４５との間に介在され
る。第１基板４１の法線方向から見て、開口部５０は、
ラビング方向に略平行に並んで隣合う２つの画素電極４
７にまたがるように、形成されている。これによって第
１配向膜４５の壁面がラビング方向５３の反対方向５５
以外の方向に対して対向し、またはラビング方向に略平
行に並んで隣合う２つの画素電極４７が配置された領域
内にある第１配向膜４５表面の第１基板４１表面からの
高さが等しい部分が連続する。これによって第１配向膜
４５の段差に起因する液晶表示素子の表示品位の低下が
防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配向膜の形成時に
ラビング処理を行う液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、薄型でありかつ消費電
力が低いという特徴を生かして、ワードプロセッサやパ
ーソナルコンピュータ等のＯＡ機器、電子手帳等の携帯
情報機器、およびモニタを備えたカメラ一体型ビデオテ
ープレコーダ（ＶＴＲ）等に、広く用いられている。液
晶表示装置は、複数の画素が行列状に配置されて構成さ
れた液晶表示素子を少なくとも備えている。液晶表示装
置は、陰極線管およびＥＬ表示装置に代表される自発光
型の表示装置とは異なり、液晶表示素子外部からの光を
利用して表示を行う。透過型の液晶表示装置では、蛍光
管等で実現される背面光源が液晶表示素子の背面に配置
されており、背面光源から発せられて液晶表示素子に入
射する光が表示に利用される。反射型の液晶表示装置で
は、液晶表示素子の背面に反射板が配置されており、液
晶表示素子の前面から液晶表示素子に入射する外光が表
示に利用される。

【０００３】透過型液晶表示装置は、背面光源を用いて
表示を行うので、装置周囲の明るさに影響されることな
く、明るくコントラストが高い表示を行うことができ
る。背面光源の消費電力は透過型液晶表示装置の全消費
電力の５０％以上を占めるので、透過型液晶表示装置全
体の消費電力は大きくなりやすい。また透過型液晶表示
装置は、極端に明るい環境下におかれた場合、たとえば
晴天下では、視認性が低下しやすい。反射型液晶表示装
置は、背面光源を使用しないので、装置全体の消費電力
を大幅に少なくすることができる。反射型液晶表示装置
は、装置周囲の明るさ等、使用環境に応じて、表示の明
るさおよびコントラストが左右される。

【０００４】本願出願人は、透過型および反射型液晶表
示装置の問題点を解決するために、透過型と反射型との
両方の機能を合わせ持った透過反射両用型液晶表示装置
（以後「両用型ＬＣＤ」と略称する）を、特開平１１−
１０９４１７号公報において提案している。両用型ＬＣ
Ｄは、液晶表示素子の１画素分の領域内に、背面光源か
らの光が透過可能である透過領域と、外光を反射可能で
ある反射領域とが作込まれている。装置周囲が暗い場
合、両用型ＬＣＤは、背面光源から発せられて透過領域
を通過した光を利用して表示を行う透過型液晶表示装置
として用いられる。装置周囲が明るい場合、両用型ＬＣ
Ｄは、光反射率の高い反射領域において外光を反射して
表示を行う反射型液晶表示装置として用いられる。

【０００５】両用型ＬＣＤに備えられる透過反射両用型
（以後「両用型」と略称する）の液晶表示素子におい
て、液晶層は、絶縁性の基板を含む主基板部と透光性を
有する基板を含む対向基板部との間に介在される。図７
は、両用型ＬＣＤ内の液晶表示素子の主基板部の２画素
分の領域の部分拡大平面図である。図８は、図７の主基
板部のＡ−Ａ端面図である。図７の液晶表示素子は、ス
イッチング素子として３端子素子を用いたアクティブマ
トリクス型の構成になっている。

【０００６】主基板部１において、絶縁性の第１基板２
の液晶層側表面の１画素分の領域３には、透過領域４と
反射領域５とが設定されている。透過領域３には、ＩＴ
Ｏ（インジウム−錫酸化物）から形成されて光を透過可
能である画素電極透過部６が配置されている。反射領域
４には、アルミニウムから形成されて光を反射可能であ
る画素電極反射部７が配置されている。画素電極透過部
６と画素電極反射部７とが、１画素分の画素電極８を構
成している。画素電極反射部７と第１基板２との間に
は、絶縁材料の樹脂から成る調整層９が介在されてい
る。第１基板表面の画素領域３の周囲には、画素電極８
の制御に関わる配線１０が配設されている。調整層９
は、反射領域５だけでなく、画素領域３の周囲の領域に
も延在されており、配線１０を覆っている。主基板部１
の液晶層に最近接する位置に、配向膜１１が設けられ
る。なお図７では、配向膜１１の一部分が省略されてい
る。

【０００７】両用型ＬＣＤが少なくとも液晶表示素子の
前面側に偏光板を配置した構成になっているならば、両
用型ＬＣＤが透過型液晶表示装置として動作する場合に
おける表示に用いる光の実効の光路長と、両用型ＬＣＤ
が反射型液晶表示装置として動作する場合における表示
に用いる光の実効の光路長との整合性を図る必要があ
る。調整層９は光路長調整のための部材である。調整層
９の層厚を調整することによって、透過領域４の液晶層
の層厚と反射領域５の液晶層の層厚との差が調整され
て、前述の２通りの光路長が整合される。調整層９の層
厚は、液晶層の透過領域に面する部分の層厚の半分程度
になっており、液晶層の透過領域に面する部分の層厚が
５．０μｍである場合、調整層９の層厚は２．５μｍに
なっている。

【０００８】両用型の液晶表示素子は、場合によって
は、画素毎に、付加容量部を備えている。図９は、付加
容量部を備えた両用型の液晶表示素子の主基板部１３の
２画素分の領域の部分拡大平面図である。図１０は、図
７の主基板部１３のＢ−Ｂ端面図である。図９の液晶表
示素子の主基板部１３以外の構成は、図７の液晶表示素
子の構成と等しい。図９の主基板部１３の部品のうち、
図７の主基板部１の部品と同じ機能を有する部品には、
同じ参照符を付して説明は省略する。なお図９の平面図
では、配向膜１１の一部分の記載が省略されている。

【０００９】図９の液晶表示素子は、スイッチング素子
として３端子素子を用いたアクティブマトリクス型の構
成になっている。図９の主基板部１３において、付加容
量用の共通配線１４は、画素電極反射部７の直下の位置
を通り、かつ制御用配線１０と平行になるように、第１
基板２の液晶層側表面に配置されている。共通配線１４
と画素電極反射部７とが調整層９を介して重畳する部分
が、画素の付加容量部１５として機能する。画素電極透
過部６は反射領域４に延在されており、調整層９を介し
て画素電極反射部７と重なっている。画素電極反射部７
は、調整層９に設けられたコンタクトホール１６を介し
て、画素電極透過部６と、電気的に接続されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図７〜図１０で説明し
た両用型ＬＣＤの液晶表示素子の主基板部１，１３で
は、液晶層厚の調整層９に起因して、透過領域４と反射
領域５との境界近傍の配向膜１１表面に段差が生じる。
調整層９に起因する配向膜１１の段差は、基板表面全体
にわたり、各所に生じている。

【００１１】主基板部１，１３の配向膜１１は、画素電
極８形成後の第１基板２上に配向膜の材料を塗布し、塗
布された材料からなる薄膜に配向処理を施すことによっ
て、形成される。配向処理のために、具体的には、ラビ
ングローラが、塗布材料からなる薄膜表面を、所定の圧
力を加えつつ、所定のラビング方向１８にラビングす
る。主基板部１，１３に調整層９が設けられている場
合、薄膜表面に凹凸があるので、薄膜表面の凹部は凸部
に比べて配向処理の効果が弱くなり、配向膜表面全体が
均一に配向処理されない。

【００１２】図７の主基板部において、配向膜１１表面
内の調整層９に起因した段差がある部分である壁面は、
テーパ形状になっている。配向膜１１の壁面のうち、ラ
ビング方向１８に対向する壁面２１近傍の液晶分子２２
のプレティルト角は、テーパ形状の影響を受けた分だ
け、配向膜１１表面の段差のない平坦な部分２３近傍の
液晶分子２４のプレティルト角と異なるが、両者の液晶
分子２２，２４のティルトする方向は相互に等しい。ラ
ビング方向１８に対向する壁面２１は、表示に影響を殆
ど与えない。配向膜１１表面のラビング方向の反対方向
に対向する壁面２５の近傍の液晶分子２６は該壁面２５
に沿って立上がろうとするため、該壁面２５近傍の液晶
分子２６がティルトする方向は、配向膜１１表面の段差
のない平坦な部分２３近傍の液晶分子２４がティルトす
る方向とは異なっている。ラビング方向１８と反対方向
に対向する壁面２５近傍の液晶分子２６は、所定のティ
ルト方向とは逆方向に傾く状態、いわゆるリバースティ
ルトの状態になっている。この結果、ラビング方向１８
と反対方向に対向する壁面２５がある領域と液晶分子が
正常に配向している領域との間にディスクリネーション
ライン２７が生じ、ラビング方向１８と反対方向に対向
する壁面２５がある領域にリバースティルトドメイン２
８が生じる。これによって図７の主基板部１を有する両
用型ＬＣＤの表示品位が低下する。

【００１３】図９の主基板部１３では、１画素分の領域
内の配向膜表面において、共通配線１４に重なる部分と
配線１０に重なる部分とが、凸状になっている。これら
凸状部分のラビング方向と反対方向に対向する壁面２
９，３０近傍の液晶分子は、リバースティルトの状態に
なっている。この結果、ラビング方向１８の反対方向に
対向する壁面２９，３０がある領域と液晶分子が正常に
配向している領域との間にディスクリネーションライン
２７が生じ、ラビング方向１８と反対方向に対向する壁
面２９，３０がある領域にリバースティルトドメイン２
８が生じるため、図９の主基板部１３を有する両用型Ｌ
ＣＤの表示品位が低下する。

【００１４】本発明の目的は、ラビング処理を用いて形
成された配向膜を有する液晶表示素子において、ラビン
グ方向１８の反対方向に対向する配向膜壁面をできるだ
け減らすことによって、配向不良に起因する表示不良の
発生が防止されている液晶表示素子を提供することであ
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、間隔を空けて
相互に対向する第１基板および第２基板と、第１基板と
第２基板との間に配置される液晶層と、第１基板と液晶
層との間に配置される第１配向膜と、第１基板と第１配
向膜との間に配置される複数の画素電極と、第２基板と
液晶層との間に配置されて各画素電極と対向する対向電
極と、第１基板と第１配向膜との間に配置され、かつ開
口部を有する層間膜とを含み、第１配向膜は、第１基板
の表面に配置された画素電極および層間膜に重ねて薄膜
を成膜する工程と、予め定める１方向であるラビング方
向に薄膜をラビングする工程とによって製造され、層間
膜の開口部の一部分は、画素電極に重なり、前記第１配
向膜の段差が生じている部分の表面である壁面は、ラビ
ング方向の反対方向以外の方向に対して対向しているこ
とを特徴とする液晶表示素子である。

【００１６】本発明に従えば、液晶表示素子において、
第１基板側の第１配向膜に、ラビング方向と反対方向に
対向する壁面が存在しない。これによって液晶表示装置
において、ラビング方向と反対方向に対向する壁面に起
因するリバースティルトドメインおよびディスクリネー
ションが発生しない。したがって液晶表示素子における
ディスクリネーションに起因する表示品位の低下が防止
される。

【００１７】また本発明の液晶表示素子は、前記第１配
向膜の壁面は、前記ラビング方向の反対方向およびラビ
ング方向以外の方向に対して対向していることを特徴と
する。

【００１８】本発明に従えば、液晶表示素子において、
第１基板側の第１配向膜に、層間膜に起因しかつラビン
グ方向およびラビング方向の反対方向に対向する壁面の
両方が存在しない。第１配向膜をこのように形成するに
は、層間膜が、ラビング方向と長手方向が略平行である
ような帯状の形状に形成されていればよい。これによっ
て前記反対方向に対向する壁面の原因になる層間膜の端
を、容易かつ完全に無くすことができる。

【００１９】本発明は、間隔を空けて相互に対向する第
１基板および第２基板と、第１基板と第２基板との間に
配置される液晶層と、第１基板と液晶層との間に配置さ
れる第１配向膜と、第１基板と第１配向膜との間に配置
される複数の画素電極と、第２基板と液晶層との間に配
置されて各画素電極と対向する対向電極と、第１基板と
第１配向膜との間に配置され、かつ開口部を有する層間
膜とを含み、第１配向膜は、第１基板の表面に配置され
た画素電極および層間膜に重ねて薄膜を成膜する工程
と、予め定める１方向であるラビング方向に薄膜をラビ
ングする工程とによって製造され、層間膜の開口部の一
部分は、画素電極に重なり、ラビング方向に略平行に並
んで隣合う２つの画素電極が配置された領域内にある第
１配向膜表面の第１基板表面からの高さが等しい部分
は、連続していることを特徴とする液晶表示素子であ
る。

【００２０】本発明に従えば、液晶表示素子において、
ラビング方向に平行に並んで隣合う２つの各画素電極が
配置された領域内の段差が等しい部分、すなわち前記第
１配向膜内の基板表面から高さが等しい部分が連続する
ように、層間膜の開口部は設けられている。これによっ
て隣合う２つの画素電極の間にありラビング方向と反対
方向と対向する第１配向膜壁面の大きさが、該壁面に起
因するディスクリネーションが表示品位に影響を与えな
い程度に、充分に小さくなる。このように液晶表示装置
は、ラビング方向の反対方向に対向する壁面をできるだ
け減らすように構成されているので、液晶表示素子は、
ディスクリネーションに起因する表示品位の低下を、確
実に防止することができる。

【００２１】本発明は、間隔を空けて相互に対向する第
１基板および第２基板と、第１基板と第２基板との間に
配置される液晶層と、第１基板と液晶層との間に配置さ
れる第１配向膜と、第１基板と第１配向膜との間に配置
される複数の画素電極と、第２基板と液晶層との間に配
置されて各画素電極と対向する対向電極と、第１基板と
第１配向膜との間に配置され、かつ開口部を有する層間
膜とを含み、第１配向膜は、第１基板の表面に配置され
た画素電極および層間膜に重ねて薄膜を成膜する工程
と、予め定める１方向であるラビング方向に薄膜をラビ
ングする工程とによって製造され、前記層間膜の開口部
は、ラビング方向に略平行に並んで隣合う２つの画素電
極にまたがって重なっていることを特徴とする液晶表示
素子である。

【００２２】本発明に従えば、液晶表示素子において、
層間膜の開口部は、ラビング方向に略平行に並んで隣合
う２つの画素電極にまたがるように形成されている。こ
れによって、ラビング方向に略平行に並んで隣合う２つ
の画素電極の間に、層間膜が存在しない領域が形成され
る。前記隣合う２つの画素電極のうちの一方画素電極の
層間膜と重ならない領域は、画素電極間の層間膜のない
領域を介して、前記隣合う２つの画素電極のうちの他方
画素電極の層間膜と重ならない領域と連続する。このよ
うに画素電極の層間膜と重ならない領域が画素毎に独立
しないで連続している場合、連続している領域内に、層
間膜の端に起因する第１配向膜壁面は存在しない。これ
によって本発明の液晶表示装置における層間膜の端に起
因しラビング方向の反対方向に対向する第１配向膜壁面
の数または大きさが、従来技術の液晶表示素子における
層間膜の端に起因しラビング方向の反対方向に対向する
第１配向膜壁面の数または大きさよりも減少する。この
ように液晶表示装置は、ラビング方向の反対方向に対向
する壁面をできるだけ減らすように構成されているの
で、液晶表示素子におけるディスクリネーションに起因
する表示品位の低下が確実に防止される。

【００２３】また本発明の液晶表示素子は、前記層間膜
の開口部は、前記ラビング方向に略平行に並んで隣合う
２つの画素電極のうちのラビング方向側にある一方画素
電極のラビング方向側の端から、該２つの画素電極のう
ちの該反対方向側にある他方画素電極の該反対方向側の
端に至っていることを特徴とする。

【００２４】本発明に従えば、液晶表示素子において、
層間膜の開口部は、前記ラビング方向に略平行に並んで
隣合う２つの画素電極のうちのラビング方向側にある一
方画素電極のラビング方向側の端から、該２つの画素電
極のうちの該反対方向側にある他方画素電極の該反対方
向側の端に至っている。これによって、前記一方画素電
極のラビング方向側の端から他方画素電極の該反対方向
側の端までの領域内に、層間膜の端に起因して前記反対
方向に対向する第１配向膜壁面は存在しない。このよう
な層間膜を有する液晶表示装置では、ラビング方向と反
対方向に対向する壁面に起因するリバースティルトドメ
インおよびディスクリネーションが発生しない。したが
って液晶表示素子は、ディスクリネーションに起因する
表示品位の低下を防止することができる。

【００２５】また本発明の液晶表示素子は、前記層間膜
の開口部のラビング方向に直交する方向側の端は、ラビ
ング方向と略平行であることを特徴とする。

【００２６】本発明に従えば、液晶表示素子において、
層間膜の開口部のラビング方向に直交する方向側の端
は、ラビング方向に略平行になっている。これによっ
て、ラビング方向に平行に並んで隣合う２つの画素電極
の間に、ラビング方向の反対方向と対向する配向膜壁面
が存在しない。したがって液晶表示素子は、ディスクリ
ネーションに起因する表示品位の低下を、さらに確実に
防止することができる。

【００２７】また本発明の液晶表示素子は、前記第１配
向膜の段差が生じている部分の表面である壁面のうち、
前記ラビング方向に対して対向している壁面の段差は、
前記液晶層の前記画素電極に対向する部分の最大層厚の
１割未満であることを特徴とする。

【００２８】本発明に従えば、液晶表示素子において、
第１基板側の配向膜のラビング方向の反対方向に対して
対向している壁面の段差は、０より大きく、かつ液晶層
の画素電極に対向する部分の最大層厚の１割未満の値に
なっている。前記最大層厚の１割未満の段差を有する壁
面は、ラビング処理に影響を与えない。ゆえに、層間膜
の画素電極上の端面に重なる第１配向膜壁面がラビング
方向の反対方向以外の方向、またはラビング方向および
前記反対方向以外の方向に対向しつつ、第１配向膜に残
されているラビング方向の反対方向に対向する第１配向
膜壁面の段差が前記最大層厚の１割未満に抑えられてい
るならば、リバースティルトドメインおよびディスクリ
ネーションの発生を防止することができる。これによっ
て液晶表示素子は、ディスクリネーションに起因する表
示品位の低下を確実に防止することができる。

【００２９】また本発明の液晶表示素子は、前記画素電
極は、光を透過する透過部と、前記液晶層側から到来す
る光を反射する反射部とから構成され、前記層間膜は、
前記画素電極の反射部と前記第１基板との間に配置さ
れ、前記層間膜の開口部は、前記画素電極の透過部と重
なり、前記第１基板と前記画素電極透過部と前記液晶層
と前記対向電極と前記第２基板とを順次通過する第１光
路を通過した光、および前記第２基板と前記対向電極と
前記液晶層とを通過し前記画素電極反射部で反射されて
前記液晶層と前記対向電極と前記第２基板とを再通過す
る第２光路を通過した光のうちの少なくとも一方が、表
示に用いられ、第１光路の通過前後の光の位相差と第２
光路の通過前後の光の位相差とが一致するように、前記
層間膜の膜厚が設定されていることを特徴とする。

【００３０】本発明に従えば、液晶表示素子は透過反射
両用型の構成になっている。液晶表示素子の層間膜は、
第１光路の通過前後の光の位相差と第２光路の通過前後
の光の位相差の整合に用いられている。このような液晶
表示素子において、第１基板側の第１配向膜表面のラビ
ング方向の反対方向に対向する壁面は存在しないかまた
はできるだけ減少されているので、該壁面に起因するリ
バースティルトドメインおよびディスクリネーションの
発生が充分に抑えられる。したがって両用型の液晶表示
素子は、ディスクリネーションに起因する表示品位の低
下を防止することができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態である両用型の液晶表示素子３３が有する主基板部３
３Ａの部分拡大平面図である。図２は、図１の液晶表示
素子３３を備えた透過反射両用型液晶表示装置（以後
「両用型ＬＣＤ」と略称する）３１の部分拡大断面図で
ある。図１と図２とを合わせて説明する。図２の両用型
ＬＣＤ３１の断面は、図１の主基板部３３ＡのＣ−Ｃ断
面を含む。なお図１の平面図において、後述する第１配
向膜４５の一部分の記載が省略されている。

【００３２】両用型ＬＣＤ３１は、両用型の液晶表示素
子３３の他に、第１偏光板３５、第２偏光板３６、第１
光学補償板３７、第２光学補償板３８、および光源３９
を含む。各光学補償板３７，３８は、１／４波長板で実
現されている。液晶表示素子３３は、概略的には、第１
基板４１、第２基板４２、液晶層４３、第１配向膜４
５、第２配向膜４６、複数の画素電極４７、画素電極４
７と同数の対向電極４８、および液晶層厚の調整層４９
を含む。

【００３３】第１基板４１と第２基板４２とは、透光性
を有し、間隔を空けて対向配置される。２枚の基板４
１，４２のうちの少なくとも第１基板４１は、絶縁性を
有する。液晶層４３は、２枚の基板４１，４２の間に配
置される。第１配向膜４５は第１基板４１と液晶層４３
との間に配置される。第２配向膜４６は、第２基板４２
と液晶層４３との間に配置される。２枚の配向膜４５，
４６は、液晶層４３に最近接する。全画素電極４７は、
第１基板４１と第１配向膜４５との間に配置される。各
対向電極４８は、第２基板４２と第２配向膜４６との間
に配置され、かつ各画素電極４７と対向する。調整層４
９は、第１基板４１と第１配向膜４７との間に介在され
る層間膜であり、少なくとも１つの開口部５０を有して
いる。調整層４９の単一の開口部５０は、後述するラビ
ング方向５３に略平行に並んで隣合う２つの画素電極と
重なるように、配置されている。

【００３４】画素電極４７と対向電極４８とによって挟
まれた部分が、画素を構成している。第１基板４１の液
晶層２３側の一方表面５１内の各画素電極４７が配置さ
れた領域を、画素領域５２と称する。液晶表示素子３３
内の第１基板４１および第１基板４１と液晶層４３との
間の部材から成る部分を、「主基板部３３Ａ」と総称す
る。第１配向膜４５は、主基板部３３Ａ内のどの部材よ
りも液晶層６３に最近接する。液晶表示素子３３内の第
２基板４２および第２基板４２と液晶層４３との間の部
材から成る部分を、「対向基板部３３Ｂ」と総称する。

【００３５】第１配向膜４５は、第１基板４１の一方表
面５１に既に配置された画素電極４７および調整層４９
に重ねて薄膜を成膜する工程と、予め定める１方向であ
るラビング方向５３に薄膜をラビングする工程とによっ
て製造される。第２配向膜４５は、第１配向膜４５と同
様に、薄膜の成膜工程とラビング工程とによって製造さ
れても良く、その他の製造手法、たとえば蒸着法を用い
て製造されてもよい。

【００３６】第１配向膜４５の段差のある部分の表面
（以後「壁面」と称する）は、ラビング方向５３と反対
の方向（以後「逆ラビング方向」と称する）５５以外の
方向に対して対向していることが好ましい。逆ラビング
方向５５に対向する壁面が第１配向膜４５に残っている
場合、残っている壁面の段差は、０よりも大きく、かつ
液晶層４３の画素電極４７に対向する部分の最大層厚ｄ
ｔの１割未満の値であることが好ましい。本実施の形態
では、第１配向膜４５の壁面のうち、画素領域５２内に
ある調整層４９の端面を覆う配向膜壁面５４は逆ラビン
グ方向５５およびラビング方向５３以外の残余方向に対
して対向しており、第１配向膜４５と第１基板４１との
間にある全部材のうちの調整層４９以外の残余部材の端
面を覆う配向膜壁面の段差は、前記最大層厚ｄｔの１割
未満になっている。

【００３７】本実施の形態では、液晶表示素子３３が両
用型であるので、画素電極４７は、光を反射可能な導電
性材料からなる反射部４７と、光を透過可能な導電性材
料からなる透過部４８とから構成される。画素電極反射
部５７は、画素領域５２内の光を反射させるべき反射領
域７１に配置される。画素電極透過部５８は、画素領域
５２内の光を透過させるべき透過領域７２に配置され
る。

【００３８】両用型液晶表示素子３３において、調整層
４９は、液晶層４３の画素電極反射部５７に対向する部
分の層厚、すなわち液晶層反射部の層厚ｄｒを調整する
ために用いられる。調整層４９は、反射部４７と第１基
板４１との間に介在される。調整層４９の開口部５０
は、第１基板４１表面の法線方向から見て、透過部５８
と重なっている。両用型の液晶表示素子３３において、
液晶層４３の画素電極４７に対向する部分の最大層厚ｄ
ｔは、液晶層４３の画素電極透過部５８に対向する部分
の層厚、すなわち液晶層透過部の層厚である。

【００３９】２枚の偏光板３５，３６は、液晶表示素子
３３を挟んで対向している。第１光学補償板３７は、第
１偏光板３５と第１基板４１との間に介在される。第２
光学補償板３８は、第２偏光板３６と第２基板４２との
間に介在される。第１偏光板３５は、第１光学補償板３
７と光源３９との間に介在される。両用型ＬＣＤ３１の
第２偏光板３６側が両用型ＬＣＤ３１の前面側であり、
両用型ＬＣＤの光源３９側が両用型ＬＣＤ３１の背面側
である。使用者は、両用型ＬＣＤ３１の前面側から両用
型ＬＣＤ３１に臨む。

【００４０】本実施の形態では、さらに詳しくは、液晶
表示素子３３はカラー表示が可能なアクティブマトリク
ス型の液晶表示素子であるので、液晶表示素子３３は、
複数本の走査線６１、複数本の信号線６２、層間絶縁膜
６３、画素電極４７と同数のスイッチング素子６５、複
数のカラーフィルタ層６９、および遮光層７０をさらに
含む。本実施の形態では、スイッチング素子６５は、３
端子素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で実現され
ている。１画素につき、画素電極反射部５７は２つあ
る。液晶表示素子３３の具体的構成は、以下のとおりで
ある。

【００４１】第１基板４１は、透光性および絶縁性を有
する基板の一方面に、絶縁性を有するベースコート膜が
成膜されている構成になっている。全走査線６１は、相
互に平行にかつ相互に間隔を空けて、第１基板４１の一
方表面５１に配置される。全信号線６２は、相互に平行
にかつ相互に間隔を空けて、第１基板４１の一方表面５
１に配置される。走査線６１の長手方向と信号線６２の
長手方向とは、第１基板４１の一方表面５１の法線方向
から見て、直交している。本実施の形態では、信号線６
２の長手方向が、ラビング方向５３と平行になってい
る。層間絶縁膜６３は、走査線６１と信号線６２との間
に介在され、かつ第１基板４１の一方表面５１全体を覆
っている。画素電極４７および調整層４９は、層間絶縁
膜６３と第１配向膜４５との間に介在される。

【００４２】走査線６１と信号線６２とによって囲まれ
た矩形領域が、画素領域５２に相当する。複数の画素領
域５２は行列状に並んでいる。画素領域の配列の列また
は行の方向は、ラビング方向５２と略平行になってい
る。単一の画素領域５２において、反射領域７１は透過
領域７２によって２つに分断されている。調整層４９の
表面には、連続する波状の凹凸が形成されている。調整
層４９表面に凹凸を形成するために、調整層４９は感光
性の樹脂膜によって形成されることが好ましい。

【００４３】画素電極４７は、各画素領域５２に１つず
つ配置される。第１基板４１の法線方向から見て、単一
画素領域５２では、単一の画素電極透過部５８が２つの
画素電極反射部５７の間に配置される。画素電極反射部
５７は、反射率が比較的高い導電性材料から形成されれ
ばよく、たとえばアルミニウムによって形成される。画
素電極透過部５８は、透過率が比較的高い導電性材料か
ら形成されればよく、たとえばＩＴＯ（錫−インジウム
−酸化物）から形成される。反射部４７および透過部５
８は、アルミニウムおよびＩＴＯ以外の別の材料から形
成されていてもよい。

【００４４】単一画素電極４７を構成する２つの画素電
極反射部５７および画素電極透過部５８は、電気的に接
続されている。接続のために、各画素電極反射部５７の
端部は、調整層４９の端面を覆って延伸され、画素電極
透過部５８と直接接触している。これによって画素電極
反射部５７と画素電極透過部５８とを容易に接続するこ
とができる。画素電極反射部５７と画素電極透過部５８
との接続のための構成は、上記の構成に限らず、他の構
成でもよい。たとえば調整層４９の左右の画素電極反射
部５７の直下の位置にコンタクトホールがそれぞれ形成
され、画素電極透過部５８が該コンタクトホールの直下
の位置まで延伸されていて、左右の画素電極反射部５７
は該コンタクトホールを介して画素電極透過部５８に接
続されていてもよい。

【００４５】各画素領域５２の隅部に、スイッチング素
子であるＴＦＴ６５が１つずつ配置される。ＴＦＴ６５
のゲート電極６６は走査線６１と接続され、ＴＦＴ６５
のソース電極６７は信号線６２と接続される。ＴＦＴ６
５のドレイン電極６８と画素電極反射部５７との間に
は、前述の調整層４９が介在されている。ドレイン電極
６８は、調整層４９に設けられたコンタクトホールを介
して、図面左側の画素電極反射部５７と接続される。画
素電極４７とＴＦＴ６５との接続のための構成は、上記
の構成に限らず、他の構成でもよい。たとえば図面左側
の画素電極反射部５７とドレイン電極とを調整層４９の
コンタクトホールを介して接続する代わりに、ＴＦＴ６
５のドレイン電極６８の一部分が延伸され、ドレイン電
極６８の延在部が図面左側の画素電極反射部５７の直下
の調整層４９と層間絶縁膜６３との間に配置され、該延
在部を介してドレイン電極６８が画素電極透過部５８に
接続されていてもよい。これによって画素電極４７とド
レイン電極６８とを容易に接続することができる。

【００４６】カラーフィルタ層６９および遮光層７０
は、第２基板４１と第２配向膜４６との間に介在され
る。カラーフィルタ層６９は画素電極４７と対向してお
り、遮光層７０はブラックマトリクスとして、画素領域
５２の間の領域、たとえば走査線６１および信号線６２
の配置された領域と対向している。本実施の形態では全
画素の対向電極４８が一体化されて１枚の透明電極を構
成している。

【００４７】液晶層４３は、主基板部３３Ａと対向基板
部３３Ｂとを、配向膜４５，４６同士を向かい合わせて
かつ間隔を空けて配置し、両基板部の間に液晶材料を封
入して形成される。本実施の形態では、液晶層２３は、
誘電異方性が正である液晶材料から形成される。正の誘
電異方性を有する液晶材料は、本実施の形態では、メル
ク社製のＺＬＩ−３９２６（商品名）またはメルク社製
のＺＬＩ−４７９２（商品名）で実現される。両基板部
３３Ａ，３３Ｂの間隔は、液晶層２３の透過部の層厚ｄ
ｔが約５．０μｍになるように調整されている。調整層
４９の層厚は、透過部層厚ｄｔの約半分、本実施の形態
では約２．５μｍに設定されている。

【００４８】２枚の配向膜４５，４６は、画素電極４７
と対向電極４８との間に電圧が生じていない間、液晶層
４３内の液晶分子の長軸方向が、基板４１，４２の液晶
層側表面と略平行になりかつラビング方向５３と平行に
配向するように、液晶分子の配向状態を規制する。第１
配向膜４５がＪＳＲ社製ＡＬ４５５２（商品名）であり
液晶材料がメルク社製のＺＬＩ−３９２６である場合、
電圧無印加時の液晶分子のプレティルト角は、２度以上
３度以下である。電圧無印加時に液晶分子がプレティル
トを有しているので、画素電極４７と対向電極４８との
間に電圧が印加された場合、液晶分子がプレティルトを
成している方向に、液晶分子が一様に立上がり、第１基
板４１表面とほぼ垂直な方向に再配向する。

【００４９】各光学補償板３７，３８が１／４波長板で
あり、液晶層４３が正の誘電異方性を有する正の平行配
向液晶層である場合、第１偏光板３５の偏光軸に平行な
方向と第１光学補償板３７の遅相軸に平行な方向とが４
５度の角度を成すように、第１偏光板３５および第１光
学補償板３７が配置される。かつ第２偏光板３６の偏光
軸に平行な方向と第２光学補償板３８の遅相軸に平行な
方向とが４５度の角度を成すように、第２偏光板３６お
よび第２光学補償板３８が配置される。第１光学補償板
３７の遅相軸と第２光学補償板３８の遅相軸とは相互に
平行になっている。これによって両用型ＬＣＤ３１は、
ノーマリホワイト型になる。

【００５０】図１の液晶表示素子３３の主基板部の製造
工程は、以下のとおりである。最初に、第１基板４１を
形成するために、透光性および絶縁性を有する基板の一
方面に、絶縁性を有するベースコート膜が成膜される。
ベースコート膜は、たとえばＴａ₂Ｏ₅またはＳｉ０₂か
ら形成される。次いで、ベースコート膜の上に、遮光性
および導電性を有する材料から成る薄膜がスパッタリン
グ法を用いて成膜され、該薄膜が所定形状にパターニン
グされる。これによって走査線６１およびＴＦＴ６５の
ゲート電極６６とが形成される。走査線６１およびゲー
ト電極６６の材料は、金属材料、たとえばアルミニウム
（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはタンタル（Ｔ
ａ）で実現される。

【００５１】次いで、第１基板４１上に、走査線６１お
よびゲート電極６６を覆うように、、層間絶縁膜６３が
積層される。層間絶縁膜６３は、たとえば、Ｐ−ＣＶＤ
法を用いて、走査線製造後の第１基板４１上に、ＳｉＮ
ｘが層厚が３０００Åになるまで積層され、この結果形
成されるＳｉＮｘの薄膜が層間絶縁膜６３として用いら
れる。層間絶縁膜６３は、絶縁性を高めるために、２層
構造になっていてもよい。層間絶縁膜６３が２層構造で
ある場合、最初に走査線６１およびゲート電極６６の表
面が陽極酸化され、次いで陽極酸化処理後の第１基板４
１上に、ＣＶＤ法を用いてＳｉＮｘが積層される。この
結果得られる陽極酸化膜とＳｉＮｘ薄膜とが、層間絶縁
膜６３を構成する。

【００５２】層間絶縁膜６３形成後、ＴＦＴ６５のチャ
ネル層の材料から形成される第１の薄膜が、ＣＶＤ法を
用いて層間絶縁膜６３上に成膜される。第１薄膜の成膜
から連続して、次いでＴＦＴ６５の電極コンタクト層の
材料から形成される第２の薄膜が、ＣＶＤ法を用いて第
１薄膜上に成膜される。第１薄膜は、たとえばアモルフ
ァスシリコン膜で実現される。第２薄膜は、たとえば、
リン等の不純物がドーピングされたアモルファスシリコ
ン膜、またはリン等の不純物がドーピングされた微結晶
シリコン膜で実現される。第１薄膜の層厚は１５００Å
であり、第２薄膜の層厚は５００Åである。次いで、Ｈ
ＣｌとＳＦ₆との混合ガスを利用するドライエッチング
法を用いて、第１薄膜および第２薄膜が所定形状にパタ
ーニングされる。これによって、ＴＦＴ６５のチャネル
層およびＴＦＴ６５の電極コンタクト層とが形成され
る。

【００５３】次いで、ＴＦＴ６５のチャネル層および電
極コンタクト層を覆うように、第１基板４１上に、透光
性および導電性を有する材料から成る第３薄膜が、スパ
ッタリング法を用いて成膜される。第３薄膜の材料は、
たとえばＩＴＯで実現される。続いて、第３薄膜上に、
遮光性および導電性を有する材料から成るぢ４薄膜が、
積層して成膜される。第４薄膜の材料は、たとえば金属
材料、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、またはタンタル（Ｔａ）で実現される。次いで、
第３薄膜と第４薄膜とが所定形状にパターニングされ
る。この結果、ＴＦＴ６５のソース電極６７、ＴＦＴ６
５のドレイン電極６８、信号線６２、および画素電極透
過部５８が形成される。ソース電極６７、ドレイン電極
６８、および信号線６２は、第３薄膜の一部分から成る
層と第４薄膜の一部分から成る層ととの２層構造になっ
ている。画素電極透過部５８は、第３薄膜の一部分だけ
から形成されている。次いで、ＴＦＴ６５を覆うよう
に、絶縁性の材料から成り層厚が３０００Åである第５
薄膜が、ＣＶＤ法を用いて成膜され、所定形状にパター
ニングされ、さらに所定位置にコンタクトホールが形成
される。これによってＴＦＴ６５の保護膜が成膜され
る。なお図１には、保護膜は図示されていない。

【００５４】次いで、絶縁性を有する感光性樹脂が、Ｔ
ＦＴ６５、走査線６１、信号線６２および画素電極透過
部５８を覆うように、第１基板４１上に塗布される。感
光性樹脂の薄膜の層厚は、約４μｍである。樹脂塗布
後、感光性樹脂の薄膜に対して、露光処理、現像処理、
および熱処理が加えられる。この結果、感光性樹脂の薄
膜表面に、複数の滑らかな凹凸が形成される。凹凸完成
後、感光性樹脂薄膜から、保護膜のコンタクトホールの
上の部分と透過領域７２上の部分と透過境界領域７６上
の部分とが除去される。これによって、調整層４９が完
成する。本実施の形態では、調整層４９の材料として、
東京応化社製のＯＦＰＲ−８００（商品名）が用いられ
ている。調整層４９の材料は、感光性の樹脂材料であれ
ば、ＯＦＰＲ−８００に限らず、他の材料、たとえば東
京応化社製のＯＭＲ−８３，ＯＭＲ−８５，ＯＮＮＲ−
２０，ＯＦＰＲ−２，ＯＦＰＲ−８３０，またはＯＦＰ
Ｒ−５００（商品名）であってもよい。あるいは、調整
層４９の材料は、Ｓｈｉｐｌｅｙ社製のＴＦ−２０，１
３００−２７，１４００−２７（商品名）等であっても
よく、あるいは東レ社製のフォトニース（商品名）、積
水ファインケミカル社性のＲＷ−１（商品名）、日本化
薬社製のＲ００１，Ｒ６３３（商品名）であってもよ
い。

【００５５】調整層完成後、スパッタリング法を用い
て、光反射性および導電性を有する材料から成る薄膜
が、調整層４９を覆うように成膜され、該薄膜が所定形
状にパターニングされる。この結果画素電極反射部５７
が完成する。反射部５７の材料は、たとえば金属材料、
たとえばアルミニウム（Ａｌ）、またはモリブデン（Ｍ
ｏ）で実現される。反射部５７は２層構造になっていて
もよく、この場合反射部５７は、層厚が１０００Åのア
ルミニウムの膜片と層厚が５００Åのモリブデンの膜片
とが積層されて形成される。表面に凹凸がある調整層４
９の上に薄膜を成膜しパターニングして反射部５７が形
成される場合、反射部５７表面にも凹凸が形成される。
このように、表面に凹凸がある反射部５７は、良好な反
射率および散乱特性を有することができる。

【００５６】画素電極反射部完成後、第１配向膜４５の
材料から成る薄膜が、調整層４９と画素電極反射部５７
と画素電極透過部５８とを覆うように、第１基板４１上
に成膜される。第１配向膜４５の材料は、たとえば、Ｊ
ＳＲ社製のオプトマーＡＬ４５５２ＬＬ（商品名）で実
現される。次いで、ラビング処理として、ラビングロー
ラが、成膜された薄膜の表面を、所定の圧力を加えつ
つ、所定のラビング方向５３にラビングする。この結果
配向膜４５が完成する、以上の工程によって、液晶表示
素子３３の主基板部３３Ａが完成する。なお液晶表示素
子３３の具体的な構成および製造方法において説明した
液晶表示素子３３の構成部品の具体的形状、具体的材
質、および製造方法等は、液晶表示素子３３の最適例の
１つである。液晶表示素子３３の構成は、第１配向膜４
５表面から逆ラビング方向５５に対向する壁面をできる
だけ減少させるための構成であれば、詳細構成は上記の
説明に限らない。

【００５７】図２を参照して、両用型ＬＣＤ３１の表示
モードについて説明する。両用型ＬＣＤ３１が反射型Ｌ
ＣＤとして動作する場合である反射モードでは、画素領
域５２の反射領域７１を通過する光が、表示に用いられ
る。両用型ＬＣＤ３１が透過型ＬＣＤとして動作する場
合である透過モードでは、画素領域５２の透過領域７２
を通過する光が、表示に用いられる。画素から表示に用
いられる光が射出されるか否かは、画素の画素電極４７
および対向電極４８間に所定電界が印加されているか否
かに応じて定まる。

【００５８】任意の単一画素において、反射モード時の
光の振舞いは以下のとおりである。第２偏光板３６の表
面から液晶表示素子３３内に入射した光は、第２偏光板
３６を通過することによって、第２偏光板３６の偏光軸
と平行な方向に振動する直線偏光になる。第２偏光板３
６の偏光軸と第２光学補償板３８の遅相軸とは４５度を
成しているので、第２偏光板３６通過後の直線偏光は、
第２光学補償板３８に入射し通過することによって、円
偏光になる。円偏光は、液晶表示素子３３の対向基板部
３３Ｂを通過して、第２基板４２側から液晶層４３に入
射する。

【００５９】単一画素の画素電極４７および対向電極４
８間に予め定める電圧が印加されている場合、該画素電
極および対向電極間の液晶層４３内に所定の電界が発生
する。液晶層４３が正の誘電異方性を示す液晶材料から
形成されているならば、任意画素の画素電極４７および
対向電極４８間の液晶層４３の液晶分子は、基板４１，
４２の表面に水平な方向に配向していた状態から、基板
４１，４２の表面にほぼ垂直な方向に再配向している。
ゆえに任意画素内の電極４７，４８間の液晶層４３の屈
折率異方性はごく僅かであり、該液晶層４３を光が通過
することによって生じる位相差は、ほぼ０である。ゆえ
に第２光学補償板３８通過後の円偏光が所定電圧が印加
された電極４７，４８間の液晶層４３に入射した場合、
円偏光を崩さないまま、第２基板４２から第１基板４１
に向かう方向に進行して液晶層４３を通過し、第１基板
４１上にある画素電極反射部５７で反射される。

【００６０】反射された円偏光は、液晶層４３に第１基
板４１側から再入射し、円偏光を崩さないまま、第１基
板４１から第２基板４２に向かう方向に進行して液晶層
４３を通過し、対向基板部３３Ｂを通過して、再び第２
光学補償板３８に入射する。再入射した円偏光は、第２
光学補償板３８を通過することによって、第２偏光板３
６の偏光軸とは直交する方向に振動する直線偏光にな
る。第２偏光板３６再通過後の直線偏光は、偏光軸と直
交する方向に振動しているので、第２偏光板３６を通過
することなく、第２偏光板３６に吸収される。このよう
に、画素電極４７および対向電極４８間に所定電界が発
生している場合、画素は黒表示になる。

【００６１】単一画素の画素電極４７および対向電極４
８間に所定電圧が印加されていない場合、該画素電極４
７および対向電極４８間の液晶層４３内に所定電界が発
生しないので、該液晶層４３内の液晶分子は、基板４
１，４２の表面に水平な方向に配向している状態を保
つ。ゆえに画素電極４７および対向電極４８間の液晶層
４３の屈折率異方性は充分に大きい。ゆえに第２光学補
償板３８通過後の円偏光が所定電圧が印加されていない
電極４７，４８間の液晶層４３に入射した場合、円偏光
は、これら両電極４７，４８間の液晶層４３を通過する
と、該液晶層４３の複屈折に起因して楕円偏光になる。

【００６２】液晶層４３通過後の楕円偏光は、第１基板
４１上にある画素電極反射部５７で反射され、液晶層４
３に第１基板４１側から再入射する。再入射した楕円偏
光は、液晶層４３を通過することによってさらに偏光状
態が崩され、再び第２光学補償板３８に入射する。再入
射した楕円光は、第２光学補償板３８を通過しても、第
２偏光板３６の偏光軸と直交する方向に振動する直線偏
光にはならない。したがって第２光学補償板３８通過後
の光の全偏光成分のうち、第２偏光板３６の偏光軸と平
行な方向に振動する成分が、第２偏光板３６を通過す
る。このように、画素電極４７および対向電極４８間に
所定電界が発生していない場合、画素は白表示になる。

【００６３】任意の単一画素において、透過モード時の
光の振舞いは以下のとおりである。第１偏光板３５の表
面から液晶表示素子３３内に入射した光は、第１偏光板
３５を通過することによって、第１偏光板３５の偏光軸
と平行な方向に振動する直線偏光になる。第１偏光板３
５の偏光軸と第１光学補償板３７の遅相軸とは４５度を
成しているので、第１偏光板３５通過後の直線偏光は、
第１光学補償板３７に入射し通過することによって、円
偏光になる。円偏光は、液晶表示素子３３の主基板部３
３Ａの透過領域７２を通過して、第１基板４１側から液
晶層４３に入射する。

【００６４】単一画素の画素電極４７および対向電極４
８間に所定電界が発生している場合、液晶層４３のこれ
ら両電極４７，４８に挟まれた部分を光が通過すること
によって生じる位相差は、ほぼ０である。任意画素の液
晶層４３内に所定電界が生じているならば、液晶層４３
入射後の円偏光は、円偏光を崩さないまま、第１基板４
１から第２基板４２に向かう方向に進行して、液晶層４
３を通過して、第２光学補償板３８に入射する。第１光
学補償板３７の遅相軸と第２光学補償板３８との遅相軸
とは揃っているので、液晶層４３通過後の円偏光は、第
２光学補償板３８を通過することによって、第２偏光板
３６の偏光軸とは直交する方向に振動する直線偏光にな
る。第２偏光板３６再通過後の直線偏光は、第２偏光板
３６に吸収される。このように、画素電極４７および対
向電極４８間に所定電界が発生している場合、画素は黒
表示になる。

【００６５】単一画素の画素電極４７および対向電極４
８間に所定電界が発生していない場合、第１光学補償板
３７通過後の円偏光は、これら両電極４７，４８間の液
晶層４３を通過すると、該液晶層４３の複屈折に起因し
て、楕円偏光になる。楕円偏光は、第２光学補償板３８
に入射する。液晶層４３通過後の楕円偏光は、第２光学
補償板３８を通過しても、第２偏光板３６の偏光軸と直
交する方向に振動する直線偏光にはならない。したがっ
て第２光学補償板３８通過後の光の全偏光成分のうち、
第２偏光板３６の偏光軸と平行な方向に振動する成分
が、第２偏光板３６を通過する。このように、画素電極
４７および対向電極４８間に所定電界が発生していない
場合、画素は白表示になる。

【００６６】以上説明したように、両用型ＬＣＤ３１で
は、反射モードおよび透過モードのどちらでも、画素毎
に、画素電極４７および対向電極４８間の電圧を調整す
ることによって、第２偏光板３８を通過する光の光量を
調整することができる。したがって両用型ＬＣＤ３１に
おいて、階調表示が可能になる。また以上説明したよう
に、両用型ＬＣＤ３１では、液晶が正の誘電異方性を有
しているので、反射モードおよび透過モードのどちらで
も、画素電極４７および対向電極４８間に電圧が印加さ
れていない状態で画素が白表示になり、電圧が印加され
た状態で画素が黒表示になる。すなわち両用型ＬＣＤ３
１は、いわゆるノーマリホワイト型の表示を行う。

【００６７】第１の実施の形態の両用型ＬＣＤ３１で
は、上述した透過モードにおいて第１偏光板３７通過後
から第２偏光板３８に入射するまでの光路Ｌ１の通過前
後の光の位相差と、上述した反射モードにおいて第２偏
光板３８通過後から第２偏光板３８に再入射するまでの
光路Ｌ２の通過前後の光の位相差とは、一致しているこ
とが好ましい。透過モードの光路Ｌ１の位相差と反射モ
ードの光路Ｌ２の位相差とが一致している場合、透過モ
ード時に白表示される画素の輝度と、反射モード時に白
表示される画素の輝度とが一致する。

【００６８】透過モードの光路Ｌ１は、第１光学補償板
３７と液晶表示素子３３の第１光路Ｌ３と第２光学補償
板３８をこの順で通過する光路である。第１光路Ｌ３
は、主基板部３３Ａの透過領域７２内の部分と、液晶層
４３と、対向基板部３３Ｂのカラーフィルタ層６９とを
この順で通過する光路である。反射モードの光路Ｌ２
は、すなわち、第２光学補償板３８を通過して液晶表示
素子３３に第２基板４２側から入射し、液晶表示素子の
第２光路Ｌ４を通過して第２基板４２側から射出し、第
２光学補償板３８を再通過する光路である。第２光路Ｌ
４は、対向基板部３３Ｂと液晶層４３とをこの順で通過
して画素電極反射部５７で反射され、液晶層４３と対向
基板部３３Ｂとをこの順で再通過する光路である。

【００６９】反射モードの光路Ｌ２の位相差および透過
モードの光路Ｌ１の位相差は、どちらも１波長条件、す
なわち２πになっていることが最も好ましい。透過モー
ドの光路Ｌ１の位相差が１波長条件である場合、光路Ｌ
１を通過して第２偏光板３６に再入射する光が第２偏光
板３６の透過軸（＝偏光軸）と平行に振動する直線偏光
になるので、第２偏光板３６を透過する光の光量が最大
になり、白表示される画素の輝度が最大になる。同様
に、反射モードの光路Ｌ２の位相差が１波長条件である
場合、光路Ｌ２を通過して第２偏光板３６に再入射する
光が第２偏光板３６の透過軸（＝偏光軸）と平行に振動
する直線偏光になるので、第２偏光板３６を透過する光
の光量が最大になり、白表示される画素の輝度が最大に
なる。

【００７０】一方および第２光学補償板３７，３８がど
ちらも１／４波長板である場合、透過モードの光路Ｌ１
の位相差を１波長条件にするには、第１光路Ｌ３の通過
前後の光の位相差が１／２波長条件、すなわちπになる
ように、画素電極透過部５８と対向電極４８との間の液
晶層４３である透過領域の液晶層４３の層厚ｄｔを調整
すればよい。第２光学補償板３８が１／４波長板である
場合、反射モードの光路Ｌ２の位相差を１波長条件にす
るには、対向基板部３３Ｂと液晶層とを通過して画素電
極反射部５７に至る光路Ｌ５の通過後の光の位相差が１
／４波長条件、すなわち２分のπ（π／２）になるよう
に、画素電極反射部５７と対向電極４８との間の液晶層
４３である反射領域の液晶層４３の層厚ｄｒを調整す
る。これによって、対向基板部３３Ｂから画素電極反射
部５７までの光路Ｌ５の往復に相当する第２経路Ｌ４の
通過前後の光の位相差が１／２波長条件になるので、反
射モードの光路Ｌ２の位相差は１波長条件になる。

【００７１】主基板部３３Ａと対向基板部３３Ｂとの間
に介在される液晶層４３の層厚を部分的に変更するため
に、画素電極反射部５７と第１基板４１との間に、調整
層４９が介在されている。主基板部３３Ａと対向基板部
３３Ｂとの間隔は透過領域の液晶層４３の層厚ｄｔに応
じて調整され、かつ調整層４９の層厚は透過領域の液晶
層４３の層厚ｄｔと反射領域の液晶層４３の層厚ｄｒと
の差に応じて調整される。このような調整層４９の層厚
は、主基板部３３Ａ内の第１基板上の他の部品、たとえ
ば画素電極４７や走査線６１よりも充分に厚い。ゆえに
第１配向膜４５の調整層４９の端と重なる部分に生じて
いる段差は、第１配向膜４５の主基板部３３Ａの他の部
品の端と重なる部分に生じている段差よりも大きく、リ
バースチルトドメインの原因になりやすい。そこで第１
の実施の形態では、調整層４９の端に起因する第１配向
膜４５の壁面のうち、逆ラビング方向に対向する壁面を
少なくとも除くことによって、リバースチルトドメイン
の発生を防止している。

【００７２】図３は図１の両用型ＬＣＤ３１の液晶表示
素子３３の主基板部３３Ａの２画素分の領域およびその
周囲の拡大平面図である。図３は図１の拡大平面図を簡
略化して示すものである。図４は、図３の主基板部３３
ＡのＤ−Ｄ断面図である。Ｄ−Ｄ断面は、第１配向膜４
５のラビング方向５３と平行であり、かつ画素電極透過
部５８を通っている。図３の２画素分の領域には２つの
画素電極４７が配置されており、該２つの画素電極は、
ラビング方向５３に略平行に並んで隣合っている。図３
および図４を用いて、主基板部３３Ａの第１配向膜４５
から逆ラビング方向５５と対向する壁面を除くための構
成を詳細に説明する。

【００７３】なお図３および図４を用いた説明におい
て、ラビング方向５３に略平行に並んで隣合う２つの画
素電極４７のうちのラビング方向５３側にある一方画素
電極４７および該一方画素電極４７が配置される画素領
域５２を「上側画素電極４７Ａ」「上側画素領域５２」
と記し、該２つの画素電極４７のうちの逆ラビング方向
５５側にある他方画素電極４７および該他方画素電極４
７が配置される画素領域５２を「下側画素電極４７Ｂ」
「下側画素領域５２Ｂ」と記す。なお図３および図４を
用いた説明において、部材または領域のラビング方向５
３側の一端を「上端」と記し、部材または領域の逆ラビ
ング方向５５側の他端を「下端」と記す。なお本明細書
で「左」「右」とは、どちらもラビング方向５３に直交
する方向であり、かつ左方向は右方向の逆方向である。
さらに図３の平面図では、第１配向膜４５の一部分の記
載が省略されている。

【００７４】調整層４９は、基本的には、第１配向膜４
５表面の逆ラビング方向５５に対向する壁面ができるだ
け減少するように、パターン形成されている。このため
に調整層４９の開口部５０は、基本的には、ラビング方
向５３に略平行に並んで隣合う２つの画素電極４７Ａ，
４７Ｂにまたがっている。すなわち、調整層４９の開口
部５０の上端が、上側画素電極４７Ａと第１配向膜４５
との間にあり、調整層４９の開口部の下端が、下側画素
電極４７Ｂと第１配向膜４５との間にある。

【００７５】両用型の液晶表示素子３３では、画素電極
反射部５７と第１基板４１との間に調整層４９が介在さ
れ、調整層４９の開口部５０は第１基板４１の法線方向
から見て画素電極透過部５８と重なる位置に配置され
る。このために調整層４９は、第１基板４１表面の法線
方向から見て、２つの画素領域５２の反射領域７１に挟
まれた領域（以後「反射境界領域」と称する）７５およ
び反射領域７１だけに存在する。調整層４９の開口部５
０は、第１基板４１表面の法線方向から見て、上側画素
電極５２Ａの透過領域７２と下側画素領域５２Ｂの透過
領域７２に挟まれた領域（以後「透過境界領域」と称す
る）７６，ならびに上側画素領域５２Ａおよび下側画素
領域５２Ｂの透過領域７２と一致するように、形成され
ている。なお図３では、反射境界領域７５および透過境
界領域７６に、斜線を付している。

【００７６】第１の実施の形態では、逆ラビング方向５
５に対向する壁面およびラビング方向５３に対向する壁
面の両方が第１配向膜４５に生じないように、調整層４
９はパターン形成されている。このために、単一画素領
域５２において、透過領域７２が、該画素領域５２の上
端７３から下端７４に至る帯状の領域に形成されてい
る。これによって、調整層４９の開口部５０は、第１基
板４１の法線方向から見て、上側画素電極４７Ａの上端
から下側画素電極４７Ｂの下端に至るように形成され
る。すなわち調整層４９の開口部５０の上端が上側画素
電極４７Ａの上端と重なり、該開口部５０の下端が下側
画素電極４７Ｂの下端と重なる。このような構成の開口
部５０が画素単位で繰返し形成されれていれば、ラビン
グ方向に略平行に１列に並ぶ画素電極と重なる開口部が
順次連続して、１本の開口部になる。

【００７７】さらに単一画素領域７２の透過領域７２
は、左右の側端がラビング方向５３と略平行になってい
る。上側画素領域５２Ａの右側端は、下側画素領域５２
Ｂの右側端の延長線上に位置し、上側画素領域５２Ａの
左側端は、下側画素領域５２Ｂの左側端の延長線上に位
置する。このような構成の透過領域７２が画素単位で繰
返されれていれば、ラビング方向に略平行に１列に並ぶ
画素領域５２の透過領域７２と該透過領域７２間の透過
境界領域７６とが順次連続して、左右の側端がラビング
方向５３と略平行である１本の帯状領域になる。調整層
４９を配置する必要のない前記帯状領域と重なるように
開口部５０は形成されればよいので、ラビング方向５３
と長手方向が略平行なストライプ状の膜片に調整層４９
をパターン形成することが可能になる。これによって、
調整層４９の端は逆ラビング方向５５と略平行になり、
逆ラビング方向５５に対向する端は調整層４９に存在し
なくなる。

【００７８】長手方向がラビング方向５３と略平行な帯
状に形成された調整層４９の上に第１配向膜４５が形成
される場合、第１配向膜４５表面に、調整層４９の端に
起因し逆ラビング方向５５に対向する壁面は存在しな
い。以上説明したように、逆ラビング方向５３に対向す
る壁面だけでなく、ラビング方向５３に対向する壁面も
第１配向膜４５表面から除かれるように調整層４９が形
成される場合、調整層４９は帯状に形成されれば良いの
で、調整層４９のパターン形成が容易になる。

【００７９】図１〜図４で説明した第１の実施の形態の
両用型の液晶表示素子３３と、図７および図８で説明し
た第１の従来技術の両用型の液晶表示素子とを比較する
と、以下の構成に違いがある。

【００８０】第１従来技術の両用型液晶表示素子の液晶
層厚の調整層および第１配向膜以外の構成は、第１の実
施の形態の両用型液晶表示素子３３と等しい。すなわち
第１従来技術の液晶表示素子の第１基板の液晶層側の一
方表面には、走査線と信号線とが相互に直交するように
配置されており、層間絶縁膜が走査線と信号線との間に
配置される。走査線および信号線によって区分された矩
形領域である画素領域３内の反射領域５に画素電極反射
部７が配置され、画素領域３内の透過領域４に画素電極
透過部６が配置される。配向膜は、上記構成の画素電極
８形成後の第１基板２上に第１配向膜４５の材料を塗布
し、これによって成膜された薄膜を所定のラビング方向
５３にラビングすることによって、形成される。このよ
うな構成の主基板部１は、誘電異方性が正である平行配
向液晶層を介して、図２で説明した構成と等しい対向基
板部に貼合わされる。第１従来技術においても、両用型
ＬＣＤの透過領域のリタデーション（位相差）と両用型
ＬＣＤの反射領域のリタデーションとを一致させるため
に、調整層９の層厚は透過領域の液晶層の層厚の半分程
度になっている。

【００８１】第１従来技術において、反射領域５は
「口」型であり、透過領域４を取囲んでいる。ゆえに、
第１基板２の法線方向から見て、第１従来技術の第１配
向膜表面の反射領域５と透過領域４との境界に重なる位
置に、逆ラビング方向５５に対向する壁面２５が存在
し、該壁面２５の段差は液晶層の画素電極に対向する部
分の最大層厚の１割よりも大きいので、該壁面２５近傍
にリバースチルトドメイン２６が発生する。この結果、
ラビング方向１８と反対方向に対向する壁面２５がある
領域と液晶分子が正常に配向している領域との間にディ
スクリネーションライン２７が生じるので、両用型ＬＣ
Ｄのコントラストおよび応答速度が低下する。この結
果、両用型ＬＣＤの表示品位が低下する。

【００８２】図１〜図４に示す第１の実施の形態の液晶
表示素子３３の第１配向膜４５の表面には、調整層４９
に起因し逆ラビング方向５５に対向する壁面が存在しな
いので、該壁面に起因するリバースチルトドメインおよ
びディスクリネーションラインが発生しない。これによ
って第１の実施の形態の液晶表示素子３３は、液晶層４
３内の液晶分子を均一に配向させることができる。した
がって第１の実施の形態の両用型ＬＣＤ３１のコントラ
ストおよび応答速度が第１従来技術よりも向上するの
で、第１の実施の形態の両用型ＬＣＤ３１の表示品位
が、従来技術の両用型ＬＣＤの表示品位よりも向上す
る。

【００８３】逆ラビング方向５５に対向する配向膜壁面
の段差が、液晶層２３の画素電極４７に対向する部分の
最大層厚ｄｔの１割の高さよりも大きい場合、該配向膜
壁面はディスクリネーションを引起こす。逆ラビング方
向５５に対向する配向膜壁面は、段差が０より大きく前
記最大層厚ｄｔの１割以下の高さであるならば、第１配
向膜４５表面に残っていても、ＬＣＤの表示品位に影響
を与えない。たとえば図１〜図４の両用型ＬＣＤ３１で
は、走査線６１の端および画素電極透過部５８の端と第
１配向膜４５とが重なる位置に、逆ラビング方向５５に
対向する配向膜壁面やラビング方向５３に対向する配向
膜壁面が残っている。これら残っている壁面の段差は高
々０．１μｍ以上０．３μｍ以下の高さであり、液晶層
２３の透過部の層厚ｄｔが５．０μｍであるので、残っ
ている段差に起因してリバースチルトドメインが発生す
ることはない。

【００８４】このように、逆ラビング方向５５に対向す
る壁面が配向膜表面内に残っている場合、該壁面の段差
が０より大きく液晶層２３の画素部の最大層厚ｄｔの１
割以下に抑ええられているならば、ディスクリネーショ
ンおよびリバースチルトドメインの発生が防止されるの
で、液晶層４３内の液晶分子を良好な表示に充分な程度
に均一に配向させることができる。ゆえに逆ラビング方
向５５に対向する端が存在しないように調整層をパター
ニングする代わりに、配向膜壁面の段差が０より大きく
最大層厚ｄｔの１割以下になるように、第１配向膜４５
と基板４１との間の部品を構成してもよい。

【００８５】第１配向膜４５と第１基板４１との間の部
材のテーパ角が、０度より大きく、第１基板４１に対す
る液晶分子のプレティルト角未満の角度である場合、該
部材の端を覆う第１配向膜４５の壁面近傍の液晶分子の
配向はリバースティルトにならない。一般的にプレティ
ルト角は１度〜９度であるので、部材のテーパ角はプレ
ティルト角以上になっている。所定の段差を有する配向
膜壁面においては、該壁面が覆う部材端のテーパ角が小
さいほど、ディスクリネーションが発生しにくくなる。

【００８６】本件出願人は、第１の実施の形態の液晶表
示素子３３を備えた両用型ＬＣＤと、第１従来技術の液
晶表示素子を備えた両用型ＬＣＤとをそれぞれ製造し
て、両者の両用型ＬＣＤの表示状態を観察した。第１の
実施の形態の両用型ＬＣＤの詳細構成は、上述した製造
工程で説明された構成である。第１従来技術の両用型Ｌ
ＣＤの詳細構成は、調整層および画素電極の平面形状だ
けが第１の実施の形態の両用型ＬＣＤと異なり、他の構
成は第１の実施の形態の両用型ＬＣＤと等しい。第１従
来技術の両用型ＬＣＤを前面側から光学顕微鏡を用いて
観察したところ、逆ラビング方向に対向する配向膜壁面
が存在する箇所近傍に、ディスクリネーションラインの
発生が確認された。第１の実施の形態の両用型ＬＣＤを
前面側から光学顕微鏡を用いて観察したところ、ディス
クリネーションラインは発生していなかった。

【００８７】本件出願人は、さらに、第１従来技術の両
用型ＬＣＤのコントラストと、第１の実施の形態の両用
型ＬＣＤのコントラストとをそれぞれ測定し、比較し
た。この結果、第１の実施の形態の両用型ＬＣＤのコン
トラストは、第１従来技術の両用型ＬＣＤのコントラス
トよりも、１０％〜２０％向上していた。これは以下の
理由に基づく。ディスクリネーションラインは、画素を
黒表示する際に画素からの光漏れを発生させるので、両
用型ＬＣＤのコントラスト低下の原因になる。第１の実
施の形態の両用型ＬＣＤにはディスクリネーションライ
ンが発生していないので、ディスクリネーションライン
に起因する光漏れがなくなったため、第１の実施の形態
の両用型ＬＣＤコントラストが向上している。

【００８８】このように、第１の実施の形態の液晶表示
素子３３を備えた両用型ＬＣＤにおいては、第１従来技
術の液晶表示素子を備えた両用型ＬＣＤよりも、表示品
位が向上している。第１の実施の形態の液晶表示素子３
３と第１従来技術の液晶表示素子の構成とは、調整層４
９および画素電極４７の平面形状だけが異なる。したが
って、従来技術の液晶表示素子の構成および製造工程に
微小な変更を加えるだけで、第１の実施の形態の液晶表
示素子３３の設計および製造工程の設計が可能なので、
第１の実施の形態の液晶表示素子３３の実現は容易であ
る。

【００８９】なお第１の実施の形態では、第１配向膜４
５に平行配向処理が施されている。これに限らず、第１
配向膜４５には、垂直配向処理が施されてもよい。垂直
配向処理を伴う第１配向膜４５の形成手法は、たとえば
以下のとおりである。まず最初に、垂直配向膜の材料か
らなり膜厚が８０ｎｍである薄膜が、画素電極４７形成
後の第１基板４１上に印刷技術を用いて成膜される。垂
直配向膜の材料は、たとえば日本合成ゴム（株）製のＪ
ＡＬＳ２００４である。成膜後の薄膜は１８０度で２時
間焼成される。焼成後の薄膜の表面が、レーヨン製の布
を巻き付けたラビングローラによって、ラビング方向５
３にラビングされる。ラビング処理時のラビングローラ
の回転数は１００ｒｐｍであり、ローラに対する基板の
移動速度は１分あたり１００ｍｍ（１００ｍｍ／ｍｉ
ｍ）である。これによって垂直配向処理が施された第１
配向膜４５が完成する。第１配向膜４５に垂直配向処理
が施される場合でも、平行配向処理が施された場合と同
様に、両用型ＬＣＤ３１の表示品位は向上される。

【００９０】図５は、本発明の第２の実施の形態である
液晶表示素子が有する主基板部１０１の２画素分の領域
およびその周囲の簡略化された拡大部分平面図である。
図６は、図５の主基板部１０１のＥ−Ｅ断面図である。
図５と図６とを合わせて説明する。なお第２の実施の形
態の液晶表示素子は、第１の実施の形態の液晶表示素子
３３の主基板部３３Ａを図５の主基板部１０１に置換え
た構成になっている。図５の主基板部１０１の部品のう
ち、図１の主基板部３３Ａの部品と同じ機能を有する部
品には、同じ参照符を付して説明は省略する。なお図５
および図６を用いた説明において、「上側画素電極４７
Ａ」「上側画素領域５２」「下側画素電極４７Ｂ」「下
側画素領域５２Ｂ」「上端」「下端」「右」「左」の定
義は、図３および図４の説明における定義と等しい。図
５の２画素分の領域には２つの画素電極４７が配置され
ており、該２つの画素電極は、ラビング方向５３に略平
行に並んで隣合っている。Ｅ−Ｅ断面は、第１配向膜４
５のラビング方向５３と平行であり、かつ画素電極透過
部５８を通っている。さらに図５の平面図では、第１配
向４５の一部分の記載が省略されており、反射境界領域
および透過境界領域に斜線が付してある。

【００９１】図５の主基板部１０１は、図１の主基板部
３３Ａの各画素領域５２に、付加容量部１０３のための
付加容量配線１０３を追加した構成になっている。付加
容量配線１０３が層間絶縁膜６３を介して画素電極４７
に重畳している部分が、付加容量部１０４として機能す
る。付加容量配線１０３は、本実施の形態では、付加容
量配線１０３は、画素領域５２の中央部を通り、かつ長
手方向がラビング方向５３と直交する方向と平行になる
ように、層間絶縁膜６３と第１基板４１との間に配置さ
れている。第１基板４１の法線方向から見て付加容量配
線１０３と重なる位置では、画素電極透過部５８の延在
部と画素電極反射部５７とが調整層４９を介して重なり
合っている。反射部５７と透過部５８延在部との間の調
整層４９にはコンタクトホール１０５が設けられてお
り、画素電極透過部５８の延在部と画素電極反射部５７
とはコンタクトホール１０５を介して接続されている。
このような主基板部１０１を備えた第２の実施の形態の
両用型の液晶表示素子を有する両用型ＬＣＤは、第１の
実施の形態の両用型ＬＣＤ３１の液晶表示素子３３を、
第２の実施の形態の液晶表示素子に置換えた構成になっ
ている。

【００９２】付加容量配線１０３は一般的に遮光性を有
する導電性材料から形成されるので、付加容量配線１０
３が配置された領域を透過領域７２として用いることは
難しい。このために第２の実施の形態では、画素電極反
射部５７が「Ｈ」状に形成されており、付加容量配線１
０３が配置された領域は反射領域７１に含まれている。
この結果単一の画素領域５２において、透過領域７２
は、上端が画素領域５２の上端７３と重なっている第１
領域１１１と、一端が画素領域５２の下端７４と重なっ
ている第２領域１１２との２つに分断されている。

【００９３】調整層４９は、第１配向膜４５にある逆ラ
ビング方向５５に対向する壁面の数をできるだけ減少さ
せるために、ラビング方向５３に略平行に並んで隣合う
２つの画素電極４７Ａ，４７Ｂが配置された領域１１３
において、第１配向膜４５表面の第１基板４１表面から
の高さが等しい部分が連続するように、調整層４９は形
成される。このために調整層４９の開口部５０は、ラビ
ング方向に略平行に並んで隣合う２つの画素電極４７
Ａ，４７Ｂにまたがっている。

【００９４】図５の構成では、具体的には、下側画素領
域５２Ｂの第１領域１１１と上側画素領域５２Ａの第２
領域１１２とが、該２つの画素領域５２Ａ，５２Ｂ間に
ある透過境界領域７６とそれぞれ接しているので、これ
ら３つの領域１１１，１１２，７６が連続し単一領域を
形成している。調整層４９の開口部５０は、第１基板４
１の法線方向から見て、これら３つの領域１１１，１１
２，７６から形成される単一領域と重なっている。これ
によって、上側および下側画素電極５２Ａ，５２Ｂが配
置された領域１１３内の第１配向膜４５表面内の第１基
板４１酔う面からの高さが等しい部分は、画素領域５２
を越えて相互に連続するので、ラビング方向５３に略平
行に並んで隣合う２つの画素領域５２の間の領域および
その近傍には、逆ラビング方向５５に対向する壁面が存
在しない。この結果第１配向膜５２の単一の画素領域５
２内にある部分の表面において、逆ラビング方向５５に
対向する壁面１０７およびラビング方向５３に対向する
壁面１０８は、調整層４９の付加容量配線１０３と重な
る部分の端にだけ起因して生じる。

【００９５】図５および図６に示す第２の実施の形態の
液晶表示素子の主基板部１０１と、図９および図１０に
示す第２従来技術の液晶表示素子の主基板部１３とを比
較すると、以下の構成に違いがある。第２従来技術の主
基板部１３では、反射領域の平面形状は「８」の字型な
ので、調整層９は、反射領域７だけでなく、画素領域の
四方周囲全体に配置される。この結果第２従来技術の主
基板部１３の配向膜１１の単一画素領域８内にある部分
の表面には、逆ラビング方向５３に対向する壁面が２カ
所存在する。第２の実施の形態の主基板部１０１では、
反射領域７１の平面形状は「Ｈ」型であり、かつ透過領
域７２だけでなく透過境界領域７６からも調整層４９が
除かれている。この結果第２の実施の形態の主基板部１
０１の配向膜４５の単一画素領域５２内にある部分の表
面には、逆ラビング方向５３に対向する壁面が付加容量
配線１０３上に１カ所だけ存在する。

【００９６】このように第２の実施の形態の主基板部１
０１における逆ラビング方向５３に対向する配向膜壁面
の数は、第２従来技術の主基板部１３における逆ラビン
グ方向５３に対向する配向膜壁面の数の半分になってい
る。これによってこのように第２の実施の形態の主基板
部１０１を有する液晶表示素子におけるディスクリネー
ションラインが発生する可能性のある箇所は、第２従来
技術の主基板部１３を有する液晶表示素子におけるディ
スクリネーションラインが発生する可能性のある箇所よ
りも半減するので、第２の実施の形態の液晶表示素子の
表示品位は第２従来技術の液晶表示素子の表示品位より
も向上する。このように第２の実施の形態の液晶表示素
子は、画素電極反射部の面積を従来技術から殆ど変える
ことなく、画素領域周縁部におけるリバースチルトを防
止することができる。

【００９７】なお第２の実施の形態の主基板部１０１の
第１配向膜４５には、走査線６１の端および画素電極透
過部５８の端と第１配向膜４５とが重なる領域に、逆ラ
ビング方向５５に対向する壁面やラビング方向５３に対
向する壁面が残っている。これら残っている壁面の段差
は高々０．１μｍ以上０．３μｍ以下の高さであり、液
晶層２３の透過部の層厚ｄｔが５．０μｍであるので、
第１の実施の形態で説明した理由に基づき、残っている
段差に起因してリバースチルトドメインが発生すること
はないことが分かっているので、これら段差に起因した
表示品位の低下は起こらない。

【００９８】第１および第２の実施の形態の液晶表示素
子は、本発明の液晶表示素子の例示であり、主要な構成
が等しければ、他の様々な構成で実現することができ
る。特に液晶表示素子の各構成部品の詳細な構成は、同
じ効果が得られるならば、上述の構成に限らず他の構成
によって実現されてもよい。

【００９９】たとえば、両用型の液晶表示素子の構成部
品のうち、調整層４９が反射領域７１および反射境界領
域７６だけに配置されて透過領域７２および透過境界領
域７６から除かれている構成になっていれば、他の部品
の構成は第１および第２の実施の形態で説明した構成に
限らず、他の構成であってもよい。これによって両用型
の液晶表示素子の主基板部の第１配向膜４５は逆ラビン
グ方向５５に対向する壁面ができるだけ少なくなるよう
に形成されるので、ディスクリネーションラインおよび
リバースチルトドメインに起因する両用型ＬＣＤの表示
品位の低下が抑えられる。

【０１００】また第１および第２の実施の形態の液晶表
示素子がＴＮ型またはＳＴＮ型になっているので、両用
型ＬＣＤが偏光板を用いた構成になっているが、液晶表
示素子はこれに限らず、他の構成、たとえばＧＨ型であ
ってもよい。両用型ＬＣＤが偏光板を用いない構成であ
っても、第１および第２の実施の形態の両用型ＬＣＤと
同様に、液晶層透過部の実効的な層厚と液晶層反射部の
実効的な層厚とを一致させることが好ましい。すなわち
液晶層透過部の第１光路Ｌ３通過前後の光の位相差が、
液晶層反射部の第２光路Ｌ４通過前後の光の位相差と一
致するように、液晶層反射部の層厚ｄｒを調整層４９を
用いて調整することが好ましい。たとえば液晶表示素子
がＧＨ型である場合、液晶層透過部の実効的な層厚が液
晶層反射部の実効的な層厚と一致しているならば、液晶
層透過部における二色比と液晶層反射層部における二色
比とを合わせることができる。

【０１０１】また配向膜４５表面の逆ラビング方向５５
に対向する壁面ができるだけ少なくなるように形成され
た液晶表示素子は、配向処理としてラビング処理が施さ
れた配向膜を有する液晶表示素子であれば、両用型液晶
表示素子に限らず、他の型の液晶表示素子、たとえば投
射型液晶表示素子であってもよい。さらに除去対象とな
る配向膜壁面は、調整層４９の端を覆う壁面に限らず、
配向膜と基板との間のどのような部材の端を覆っていて
も良い。さらに第１および第２の実施の形態では、段差
を除去する対象の配向膜は主基板部３３Ａ，１０１の第
１配向膜４５を段差除去対象の配向膜としているが、対
向基板部３３Ｂの第２配向膜４６に、液晶層の画素領域
５２に対向する部分の最大層厚ｄｔの１割以上の段差を
有し逆ラビング方向に対向する壁面が対向基板部３３Ｂ
の第２配向膜４６に生じるならば、主基板部３３Ａ，１
０１からの壁面除去手法と同様の手法で、対向基板部３
３Ｂから壁面を除去してもよい。

【０１０２】第１基板４１の法線方向から見て、ラビン
グ方向に略平行に並んで隣合う２つの画素電極４７Ａ，
４７Ｂの透過領域７２が単一の調整層開口部５０と重な
る場合、上側画素領域５２Ａの透過領域７２の左右の側
端から、下側画素領域５２Ｂの透過領域７２の左右の側
端の延長線までの、ラビング方向５３の直交方向の距離
は、左右それぞれにおいて、できるだけ短いことが好ま
しい。これは以下の理由に基づく。上側画素領域５２Ａ
の透過領域７２の左右の側端が下側画素領域５２Ｂの透
過領域７２の左右の側端の延長線からずれている場合、
開口部５０の左右の側端に逆ラビング方向５５に対向す
る部分が存在し、該部分は、配向膜表面に逆ラビング方
向５５に対向する壁面が生じる原因になる。上側画素領
域５２Ａの透過領域７２の左右の側端から下側画素領域
５２Ｂの透過領域７２の左右の側端延長線までの左右方
向の距離が小さいほど、開口部５０の左右の側端の逆ラ
ビング方向５５に対向する部分が小さくなるので、逆ラ
ビング方向５５に対向する配向膜壁面が小さくなり、液
晶分子の配向に与える影響が小さくなる。

【０１０３】第１および第２の実施の形態の液晶表示素
子において、調整層４９の開口部５０の左右の側端のう
ちの少なくとも一方は、ラビング方向５３と略平行にな
っていることが最も好ましい。調整層４９の開口部５０
の左右の側端をラビング方向５３と略平行にするには、
上側画素領域５２Ａの透過領域７２の左右の側端から下
側画素領域５２Ｂの透過領域７２の左右の側端延長線ま
での左右方向の距離を０にすればよい。これによって、
ラビング方向に平行に並んで隣合う２つの画素電極の間
に、ラビング方向の反対方向と対向する配向膜壁面が存
在しない。したがって液晶表示素子は、ディスクリネー
ションに起因する表示品位の低下を、さらに確実に防止
することができる。

【０１０４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、液晶表示
素子において、第１基板と第１配向膜との間に、開口部
を有する層間膜と画素電極とが配置される。層間膜の開
口部は、第１配向膜にラビング方向と反対方向に対向す
る壁面が存在しないように、形成される。これによって
液晶表示素子の表示品位の低下が防止される。また本発
明によれば、液晶表示素子において、第１基板側の第１
配向膜に、層間膜に起因しかつラビング方向およびラビ
ング方向の反対方向に対向する壁面の両方が存在しな
い。これによって前記反対方向に対向する壁面の原因に
なる層間膜の端を、容易かつ完全に無くすことができ
る。

【０１０５】また以上のように本発明によれば、液晶表
示素子において、ラビング方向に平行に並んで隣合う２
つの各画素電極が配置された領域内にある前記第１配向
膜の基板表面から高さが等しい部分が連続するように、
層間膜の開口部は設けられている。このように液晶表示
装置は、ラビング方向の反対方向に対向する壁面をでき
るだけ減らすように構成されているので、液晶表示素子
は、表示品位の低下を確実に防止することができる。

【０１０６】さらにまた以上のように本発明によれば、
液晶表示素子において、層間膜の開口部は、ラビング方
向に略平行に並んで隣合う２つの画素電極にまたがるよ
うに形成されている。これによって画素電極と層間膜と
が重ならない領域が画素毎に独立しないで連続している
ので、液晶表示素子はラビング方向の反対方向に対向す
る壁面をできるだけ減らすように構成されている。ゆえ
に液晶表示素子の表示品位の低下が確実に防止される。

【０１０７】また本発明によれば、層間膜の開口部は、
前記ラビング方向に略平行に並んで隣合う２つの画素電
極のうちのラビング方向側にある一方画素電極のラビン
グ方向側の端から、該２つの画素電極のうちの該反対方
向側にある他方画素電極の該反対方向側の端に至ってい
る。これによって液晶表示素子は、表示品位の低下をさ
らに防止することができる。さらにまた本発明によれ
ば、液晶表示素子において、層間膜の開口部のラビング
方向に直交する方向側の端は、ラビング方向に略平行に
なっている。これによって液晶表示素子は、表示品位の
低下を、さらに確実に防止することができる。また本発
明によれば、液晶表示素子において、第１基板側の第１
配向膜のラビング方向の反対方向に対して対向している
壁面の段差は、０より大きく、かつ液晶層の画素電極に
対向する部分の最大層厚の１割未満の値になっている。
これによって液晶表示素子は、表示品位の低下を確実に
防止することができる。

【０１０８】さらにまた本発明によれば、液晶表示素子
は透過反射両用型であり、層間膜は、表示に用いる光の
光路の通過前後の光の位相差の整合に用いられている。
層間膜に起因しラビング方向の反対方向に対向する壁面
の発生ができるだけ抑えられているので、両用型の液晶
表示素子は表示品位の低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態である液晶表示素子
３３が有する主基板部３３Ａの１画素分の領域およびそ
の周囲の拡大部分平面図である。

【図２】図１の液晶表示素子３３を備えた両用型ＬＣＤ
３１の部分拡大断面図である。

【図３】図１の液晶表示素子３３の主基板部３３Ａの２
画素分の領域およびその周囲の簡略化された拡大部分平
面図である。

【図４】図３の液晶表示素子３３の主基板部３３Ａの１
画素分の領域のＤ−Ｄ断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態である液晶表示素子
が有する主基板部１０１の２画素分の領域およびその周
囲の簡略化された拡大部分平面図である。

【図６】図５の液晶表示素子の主基板部１０１の１画素
分の領域のＥ−Ｅ断面図である。

【図７】第１従来技術の液晶表示素子が有する主基板部
１の２画素分の領域およびその周囲の簡略化された拡大
部分平面図である。

【図８】図７の液晶表示素子の主基板部１の１画素分の
領域のＡ−Ａ断面図である。

【図９】第２従来技術の液晶表示素子が有する主基板部
１３の２画素分の領域およびその周囲の簡略化された拡
大部分平面図である。

【図１０】図９の液晶表示素子の主基板部１３の１画素
分の領域のＢ−Ｂ断面図である。

【符号の説明】

４１ 第１基板 ４２ 第２基板 ４３ 液晶層 ４５ 第１配向膜 ４６ 第２配向膜 ４７ 画素電極 ４８ 対向電極 ４９ 調整層 ５０ 調整層の開口部 ５２ 画素領域 ５３ ラビング方向 ５５ ラビング方向の反対方向 ５４ 第１配向膜の端面 ５７ 画素電極の反射部 ５８ 画素電極の透過部 ７１ 画素領域の反射領域 ７２ 画素領域の透過領域 ７５ 反射境界領域 ７６ 透過境界領域 ｄｔ 液晶層の画素電極に対向する部分の最大層厚

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HA05 HA07 HA08 HB13X HC05 HC11 HC15 HD06 HD14 JA03 JC03 LA04 LA08 LA20 MA01 MA02 MA07 MB01 2H091 FA03Y FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA16Y FB08 FC02 FD04 FD05 FD09 FD10 GA06 GA07 GA13 JA03 LA16 LA17 2H092 JA24 JB04 JB05 JB08 JB56 KA05 KB13 MA05 MA07 NA04 PA08 PA10 PA11 PA12 5G435 AA00 BB12 BB15 BB16 CC09 EE27 EE33 FF03 FF05 FF08 FF13 GG12 HH02 KK05 LL03 LL07 LL08 LL09 LL12 LL14

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 間隔を空けて相互に対向する第１基板お
   よび第２基板と、 第１基板と第２基板との間に配置される液晶層と、 第１基板と液晶層との間に配置される第１配向膜と、 第１基板と第１配向膜との間に配置される複数の画素電
   極と、 第２基板と液晶層との間に配置されて各画素電極と対向
   する対向電極と、第１基板と第１配向膜との間に配置さ
   れ、かつ開口部を有する層間膜とを含み、 第１配向膜は、第１基板の表面に配置された画素電極お
   よび層間膜に重ねて薄膜を成膜する工程と、予め定める
   １方向であるラビング方向に薄膜をラビングする工程と
   によって製造され、 層間膜の開口部の一部分は、画素電極に重なり、 前記第１配向膜の段差が生じている部分の表面である壁
   面は、ラビング方向の反対方向以外の方向に対して対向
   していることを特徴とする液晶表示素子。
2. 【請求項２】 前記第１配向膜の壁面は、前記ラビング
   方向の反対方向およびラビング方向以外の方向に対して
   対向していることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
   素子。
3. 【請求項３】 間隔を空けて相互に対向する第１基板お
   よび第２基板と、 第１基板と第２基板との間に配置される液晶層と、 第１基板と液晶層との間に配置される第１配向膜と、 第１基板と第１配向膜との間に配置される複数の画素電
   極と、 第２基板と液晶層との間に配置されて各画素電極と対向
   する対向電極と、第１基板と第１配向膜との間に配置さ
   れ、かつ開口部を有する層間膜とを含み、 第１配向膜は、第１基板の表面に配置された画素電極お
   よび層間膜に重ねて薄膜を成膜する工程と、予め定める
   １方向であるラビング方向に薄膜をラビングする工程と
   によって製造され、 層間膜の開口部の一部分は、画素電極に重なり、 ラビング方向に略平行に並んで隣合う２つの画素電極が
   配置された領域内にある第１配向膜表面の第１基板表面
   からの高さが等しい部分は、連続していることを特徴と
   する液晶表示素子。
4. 【請求項４】 間隔を空けて相互に対向する第１基板お
   よび第２基板と、 第１基板と第２基板との間に配置される液晶層と、 第１基板と液晶層との間に配置される第１配向膜と、 第１基板と第１配向膜との間に配置される複数の画素電
   極と、 第２基板と液晶層との間に配置されて各画素電極と対向
   する対向電極と、第１基板と第１配向膜との間に配置さ
   れ、かつ開口部を有する層間膜とを含み、 第１配向膜は、第１基板の表面に配置された画素電極お
   よび層間膜に重ねて薄膜を成膜する工程と、予め定める
   １方向であるラビング方向に薄膜をラビングする工程と
   によって製造され、 前記層間膜の開口部は、ラビング方向に略平行に並んで
   隣合う２つの画素電極にまたがって重なっていることを
   特徴とする液晶表示素子。
5. 【請求項５】 前記層間膜の開口部は、前記ラビング方
   向に略平行に並んで隣合う２つの画素電極のうちのラビ
   ング方向側にある一方画素電極のラビング方向側の端か
   ら、該２つの画素電極のうちの該反対方向側にある他方
   画素電極の該反対方向側の端に至っていることを特徴と
   する請求項４記載の液晶表示素子。
6. 【請求項６】 前記層間膜の開口部のラビング方向に直
   交する方向側の端は、ラビング方向と略平行であること
   を特徴とする請求項４記載の液晶表示素子。
7. 【請求項７】 前記第１配向膜の段差が生じている部分
   の表面である壁面のうち、前記ラビング方向に対して対
   向している壁面の段差は、前記液晶層の前記画素電極に
   対向する部分の最大層厚の１割未満であることを特徴と
   する請求項４記載の液晶表示素子。
8. 【請求項８】 前記画素電極は、光を透過する透過部
   と、前記液晶層側から到来する光を反射する反射部とか
   ら構成され、 前記層間膜は、前記画素電極の反射部と前記第１基板と
   の間に配置され、 前記層間膜の開口部は、前記画素電極の透過部と重な
   り、 前記第１基板と前記画素電極透過部と前記液晶層と前記
   対向電極と前記第２基板とを順次通過する第１光路を通
   過した光、および前記第２基板と前記対向電極と前記液
   晶層とを通過し前記画素電極反射部で反射されて前記液
   晶層と前記対向電極と前記第２基板とを再通過する第２
   光路を通過した光のうちの少なくとも一方が、表示に用
   いられ、 第１光路の通過前後の光の位相差と第２光路の通過前後
   の光の位相差とが一致するように、前記層間膜の膜厚が
   設定されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれ
   かに記載の液晶表示素子。