JP2001041837A - 半導体センサおよびその製造方法 - Google Patents
半導体センサおよびその製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】接合強度および生産性が高く高精度化が可能な
半導体センサおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】ガラス基板３０’と支持用のシリコンウェ
ハ４０’とを重ね合わせる（図１（ａ））。その後、ガ
ラス基板３０’とシリコンウェハ４０’とを陽極接合す
る（図１（ｂ））。ガラス基板３０’の主表面上の析出
層３１を除去した後、ガラス基板３０’を研磨して厚み
を調整する。その後、圧力センシング用のデバイスを形
成したシリコンウェハ１’とガラス基板３０’とを陽極
接合する。次に、ダイシング工程にて個々のチップに切
り出す。センサチップＣは、図１（ｃ）中に一点鎖線で
示した位置で分割され、同図中の１はシリコンウェハ
１’から切り出された第１の基板を示し、３０はガラス
基板３０’から切り出されたガラス板を示し、４０はシ
リコンウェハ４０’から切り出された第２の基板を示
す。
半導体センサおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】ガラス基板３０’と支持用のシリコンウェ
ハ４０’とを重ね合わせる（図１（ａ））。その後、ガ
ラス基板３０’とシリコンウェハ４０’とを陽極接合す
る（図１（ｂ））。ガラス基板３０’の主表面上の析出
層３１を除去した後、ガラス基板３０’を研磨して厚み
を調整する。その後、圧力センシング用のデバイスを形
成したシリコンウェハ１’とガラス基板３０’とを陽極
接合する。次に、ダイシング工程にて個々のチップに切
り出す。センサチップＣは、図１（ｃ）中に一点鎖線で
示した位置で分割され、同図中の１はシリコンウェハ
１’から切り出された第１の基板を示し、３０はガラス
基板３０’から切り出されたガラス板を示し、４０はシ
リコンウェハ４０’から切り出された第２の基板を示
す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力や加速度など
の力学量を検出する半導体センサおよびその製造方法に
関するものである。
の力学量を検出する半導体センサおよびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、産業上の様々な分野において、圧
力や加速度などの力学量を検出する半導体センサが多岐
にわたって用いられるようになっている。なかでも、信
頼性、コスト、小型軽量化の点から、車載関係や家電製
品などにおけるこの種の半導体センサの使用が急増して
いる。
力や加速度などの力学量を検出する半導体センサが多岐
にわたって用いられるようになっている。なかでも、信
頼性、コスト、小型軽量化の点から、車載関係や家電製
品などにおけるこの種の半導体センサの使用が急増して
いる。
【０００３】この種の半導体センサとして、例えば、半
導体圧力センサが知られているが、半導体圧力センサは
パッケージなどからの外部応力を緩和するための台座を
有するセンサチップを備えている。以下、半導体圧力セ
ンサのセンサチップの製造方法について説明する。
導体圧力センサが知られているが、半導体圧力センサは
パッケージなどからの外部応力を緩和するための台座を
有するセンサチップを備えている。以下、半導体圧力セ
ンサのセンサチップの製造方法について説明する。
【０００４】図２９に示す製造方法では、まず、図２９
（ａ）に示すように圧力センシング用のデバイスを形成
したシリコンウェハ１’の裏面側（下面側）に、厚み方
向（図２９（ａ）における上下方向）に貫通した圧力導
入孔１１があらかじめ形成されたガラス基板よりなる支
持基板１０’を、圧力導入孔１１の位置とシリコンウェ
ハ１’に形成されているダイアフラム部８の位置とが合
うように（つまり、圧力導入孔１１とシリコンウェハ
１’にダイアフラム部８を形成するために設けられた凹
所１ａとが連通するように）重ね合わせて、陽極接合を
行う。その後、ダイシング工程にて個々のチップに切断
することにより図２９（ｂ）に示すようなセンサチップ
Ｃ’が得られる。なお、図２９（ｂ）中の１はシリコン
ウェハ１’から切り出されたシリコン基板を示し、１０
は支持基板１０’から切り出された台座を示す。ここに
おいて、上述のシリコンウェハ１’では、上記凹所１ａ
を設けることによりダイアフラム部８が形成されてお
り、ダイアフラム部８の変形を検出するゲージ抵抗（図
示せず）などが適宜位置に形成されている。
（ａ）に示すように圧力センシング用のデバイスを形成
したシリコンウェハ１’の裏面側（下面側）に、厚み方
向（図２９（ａ）における上下方向）に貫通した圧力導
入孔１１があらかじめ形成されたガラス基板よりなる支
持基板１０’を、圧力導入孔１１の位置とシリコンウェ
ハ１’に形成されているダイアフラム部８の位置とが合
うように（つまり、圧力導入孔１１とシリコンウェハ
１’にダイアフラム部８を形成するために設けられた凹
所１ａとが連通するように）重ね合わせて、陽極接合を
行う。その後、ダイシング工程にて個々のチップに切断
することにより図２９（ｂ）に示すようなセンサチップ
Ｃ’が得られる。なお、図２９（ｂ）中の１はシリコン
ウェハ１’から切り出されたシリコン基板を示し、１０
は支持基板１０’から切り出された台座を示す。ここに
おいて、上述のシリコンウェハ１’では、上記凹所１ａ
を設けることによりダイアフラム部８が形成されてお
り、ダイアフラム部８の変形を検出するゲージ抵抗（図
示せず）などが適宜位置に形成されている。
【０００５】上述の製造方法に対して、図３０に示す製
造方法では、圧力センシング用のデバイスを形成したシ
リコンウェハ１’（図２９（ａ）参照）の裏面側および
圧力導入孔１１（図３０（ａ）参照）を形成した支持用
のシリコンウェハよりなる支持基板の一表面それぞれに
蒸着またはスパッタリングにより金薄膜よりなる接合用
膜１２（図３０（ａ）参照）を形成した後、ダイシング
工程にて上記シリコンウェハ１’および支持基板をそれ
ぞれ切断することにより、図３０（ａ）に示すような半
導体チップＢと台座１０とを得る。その後、図３０
（ｂ）に示すように、半導体チップＢの裏面側の接合用
膜１２と台座１０の一面側の接合用膜１２とを重ね合わ
せた後、３６０℃〜３７０℃で熱処理することによっ
て、金とシリコンとの共晶反応層１３が形成されて半導
体チップＢと台座１０とが接合されセンサチップＣ’が
得られる。なお、接合用膜１２の材料としては、金に限
らず、錫やゲルマニウムなどを用いている場合もある。
造方法では、圧力センシング用のデバイスを形成したシ
リコンウェハ１’（図２９（ａ）参照）の裏面側および
圧力導入孔１１（図３０（ａ）参照）を形成した支持用
のシリコンウェハよりなる支持基板の一表面それぞれに
蒸着またはスパッタリングにより金薄膜よりなる接合用
膜１２（図３０（ａ）参照）を形成した後、ダイシング
工程にて上記シリコンウェハ１’および支持基板をそれ
ぞれ切断することにより、図３０（ａ）に示すような半
導体チップＢと台座１０とを得る。その後、図３０
（ｂ）に示すように、半導体チップＢの裏面側の接合用
膜１２と台座１０の一面側の接合用膜１２とを重ね合わ
せた後、３６０℃〜３７０℃で熱処理することによっ
て、金とシリコンとの共晶反応層１３が形成されて半導
体チップＢと台座１０とが接合されセンサチップＣ’が
得られる。なお、接合用膜１２の材料としては、金に限
らず、錫やゲルマニウムなどを用いている場合もある。
【０００６】また、図３１に示す製造方法では、圧力導
入孔１１を形成した支持用のシリコンウェハよりなる支
持基板１０’上にスパッタリング法により低融点ガラス
膜１４を形成した後、図３１（ａ）に示すように、圧力
センシング用のデバイスを形成したシリコンウェハ１’
と上記低融点ガラス膜１４が形成された支持基板１０’
とを対向させる。そして、まず、図３１（ｂ）に示すよ
うに圧力センシング用のデバイスを形成したシリコンウ
ェハ１’の裏面側に、支持基板１０’を圧力導入孔１１
の位置とダイアフラム部８の位置とが合うように重ね合
わせて、陽極接合を行う。その後、ダイシング工程にて
個々のチップに切断する。
入孔１１を形成した支持用のシリコンウェハよりなる支
持基板１０’上にスパッタリング法により低融点ガラス
膜１４を形成した後、図３１（ａ）に示すように、圧力
センシング用のデバイスを形成したシリコンウェハ１’
と上記低融点ガラス膜１４が形成された支持基板１０’
とを対向させる。そして、まず、図３１（ｂ）に示すよ
うに圧力センシング用のデバイスを形成したシリコンウ
ェハ１’の裏面側に、支持基板１０’を圧力導入孔１１
の位置とダイアフラム部８の位置とが合うように重ね合
わせて、陽極接合を行う。その後、ダイシング工程にて
個々のチップに切断する。
【０００７】また、図３２に示す製造方法では、圧力セ
ンシング用のデバイスを形成したシリコンウェハ１’
（図２９（ａ）参照）および圧力導入孔１１（図３２
（ａ）参照）を形成した支持用のシリコンウェハよりな
る支持基板をそれぞれダイシング工程にて切断すること
により、図３２（ａ）に示すような半導体チップＢと台
座１０とを得て、台座１０の一表面にガラス半田１５を
設ける。その後、上記ガラス半田１５にて半導体チップ
Ｂと台座１０とを接合することにより、図３２（ｂ）に
示すセンサチップＣ’が得られる。
ンシング用のデバイスを形成したシリコンウェハ１’
（図２９（ａ）参照）および圧力導入孔１１（図３２
（ａ）参照）を形成した支持用のシリコンウェハよりな
る支持基板をそれぞれダイシング工程にて切断すること
により、図３２（ａ）に示すような半導体チップＢと台
座１０とを得て、台座１０の一表面にガラス半田１５を
設ける。その後、上記ガラス半田１５にて半導体チップ
Ｂと台座１０とを接合することにより、図３２（ｂ）に
示すセンサチップＣ’が得られる。
【０００８】次に、加速度を検出する半導体センサ（以
下、半導体加速度センサと称す）について説明する。こ
の種の半導体加速度センサとしては、例えば図３３に示
すように、いわゆる片持ち梁式であって、支持部２３に
薄肉のビーム２１を介して揺動自在に支持された重り部
２２を有し、ビーム２１にビーム２１の変形を検出する
センシング部たるゲージ抵抗２４が形成され、ゲージ抵
抗２４から支持部２３にわたって拡散層配線２５が形成
されたシリコン基板１を備えたセンサチップＣ’を有す
るものが提案されている。ここにおいて、重り部２２
と、ビーム２１と、支持部２３とはシリコン基板１をエ
ッチング加工することで一体に形成されている。
下、半導体加速度センサと称す）について説明する。こ
の種の半導体加速度センサとしては、例えば図３３に示
すように、いわゆる片持ち梁式であって、支持部２３に
薄肉のビーム２１を介して揺動自在に支持された重り部
２２を有し、ビーム２１にビーム２１の変形を検出する
センシング部たるゲージ抵抗２４が形成され、ゲージ抵
抗２４から支持部２３にわたって拡散層配線２５が形成
されたシリコン基板１を備えたセンサチップＣ’を有す
るものが提案されている。ここにおいて、重り部２２
と、ビーム２１と、支持部２３とはシリコン基板１をエ
ッチング加工することで一体に形成されている。
【０００９】また、シリコン基板１の主表面上には、シ
リコン酸化膜２ａが形成され、該シリコン酸化膜２ａ上
にはシリコン窒化膜６ａが形成されている。さらに、こ
のセンサチップＣ’は、シリコン窒化膜６ａおよびシリ
コン酸化膜２ａに開孔されたコンタクトホール（図示せ
ず）を通して拡散層配線２５に接続されたワイヤボンデ
ィング用のパッド２６を有している。
リコン酸化膜２ａが形成され、該シリコン酸化膜２ａ上
にはシリコン窒化膜６ａが形成されている。さらに、こ
のセンサチップＣ’は、シリコン窒化膜６ａおよびシリ
コン酸化膜２ａに開孔されたコンタクトホール（図示せ
ず）を通して拡散層配線２５に接続されたワイヤボンデ
ィング用のパッド２６を有している。
【００１０】センサチップＣ’は、シリコン基板１の主
表面側（図３３（ｂ）における上面側）および裏面側
（図３３（ｂ）における下面側）にそれぞれ陽極接合に
より接合されたガラスからなる上部キャップ７０および
下部キャップ８０を備えている。ここにおいて、上部キ
ャップ７０は、上記シリコン窒化膜６ａ上に形成された
接合用金属層２７を介して接合されている。また、上部
キャップ７０および下部キャップ８０は、それぞれ重り
部２２との対向面に重り部２２の揺動空間（重り部２２
との間のギャップ）を確保し空気（エア）によるダンピ
ング効果（いわゆるエアダンピング効果）を得るための
凹所７０ａ，８０ａが形成されている。なお、センサチ
ップＣ’は、下部キャップ７０の裏面が図示しないパッ
ケージ（基板）に接着される。
表面側（図３３（ｂ）における上面側）および裏面側
（図３３（ｂ）における下面側）にそれぞれ陽極接合に
より接合されたガラスからなる上部キャップ７０および
下部キャップ８０を備えている。ここにおいて、上部キ
ャップ７０は、上記シリコン窒化膜６ａ上に形成された
接合用金属層２７を介して接合されている。また、上部
キャップ７０および下部キャップ８０は、それぞれ重り
部２２との対向面に重り部２２の揺動空間（重り部２２
との間のギャップ）を確保し空気（エア）によるダンピ
ング効果（いわゆるエアダンピング効果）を得るための
凹所７０ａ，８０ａが形成されている。なお、センサチ
ップＣ’は、下部キャップ７０の裏面が図示しないパッ
ケージ（基板）に接着される。
【００１１】以下、図３３の半導体加速度センサの製造
方法について図３４を参照しながら説明する。
方法について図３４を参照しながら説明する。
【００１２】まず、ｎ形のシリコンウェハ１’の主表面
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図３４（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗２４（図３３（ａ）参照）およ
び拡散層配線２５（図３３（ａ）参照）を形成するため
に該フォトレジスト層をパターニングする。その後、該
パターニングされたフォトレジスト層をマスクとして、
シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン酸化膜２ａを
エッチングする。次に、フォトレジスト層を除去し、そ
の後、シリコン酸化膜２ａをマスクとしてイオン注入に
よってシリコンウェハ１’の主表面側に例えばボロンな
どのｐ形不純物３のプレデポジションを行うことによ
り、図３４（ａ）に示す構造が得られる。
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図３４（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗２４（図３３（ａ）参照）およ
び拡散層配線２５（図３３（ａ）参照）を形成するため
に該フォトレジスト層をパターニングする。その後、該
パターニングされたフォトレジスト層をマスクとして、
シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン酸化膜２ａを
エッチングする。次に、フォトレジスト層を除去し、そ
の後、シリコン酸化膜２ａをマスクとしてイオン注入に
よってシリコンウェハ１’の主表面側に例えばボロンな
どのｐ形不純物３のプレデポジションを行うことによ
り、図３４（ａ）に示す構造が得られる。
【００１３】その後、シリコンウェハ１’の露出した主
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗２４および拡散層配線２５を形成することにより、図
３４（ｂ）に示す構造が得られる。要するに、シリコン
ウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシ
リコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗２４と拡散層配線２５とを同時に形成し
ているが、別々に形成してもよい。
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗２４および拡散層配線２５を形成することにより、図
３４（ｂ）に示す構造が得られる。要するに、シリコン
ウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシ
リコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗２４と拡散層配線２５とを同時に形成し
ているが、別々に形成してもよい。
【００１４】次に、シリコンウェハ１’の主表面側およ
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図３４（ｃ）参照）を例えばＣＶＤ法により形成し、
シリコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上
（図３４（ｃ）における下）にフォトレジスト層７を塗
布形成し、凹所２０ａ（図３４（ｄ）参照）およびビー
ム２１および重り部２２および支持部２３を形成するた
めに該フォトレジスト層７をパターニングすることによ
り、図３４（ｃ）に示す構造が得られる。
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図３４（ｃ）参照）を例えばＣＶＤ法により形成し、
シリコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上
（図３４（ｃ）における下）にフォトレジスト層７を塗
布形成し、凹所２０ａ（図３４（ｄ）参照）およびビー
ム２１および重り部２２および支持部２３を形成するた
めに該フォトレジスト層７をパターニングすることによ
り、図３４（ｃ）に示す構造が得られる。
【００１５】続いて、該パターニングされたフォトレジ
スト層７をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側
のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例え
ばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などのドライエッ
チング技術によってエッチングする。そして、上記フォ
トレジスト層７を除去した後、シリコン窒化膜６ｂをマ
スクとして、８０℃程度の水酸化カリウム溶液を用いて
シリコンウェハ１’を異方性エッチングすることにより
凹所２０ａおよびビーム２１および重り部２２および支
持部２３を形成する。ここにおいて、凹所２０ａは重り
部２２を囲むように形成されている。次に、シリコンウ
ェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン
酸化膜２ｂを除去するとともに、シリコンウェハ１’の
主表面側にてパッド２６を拡散層配線２５に接続するた
めのコンタクトホール（図示せず）を形成する。その
後、シリコンウェハ１’の主表面側の全面にコンタクト
ホールが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる金属
層を堆積させ、該金属層をパターニングすることによ
り、パッド２６および接合用金属層２７（図３４（ｄ）
参照）を形成する。さらにその後、シリコンウェハ１’
に形成された薄肉のビーム２１のうちゲージ抵抗２４お
よび拡散層配線２５が形成された部位の近傍を残して他
の部分をドライエッチング技術によってエッチングして
いわゆる片持ち梁構造を形成する。次に、シリコンウェ
ハ１’の裏面側に、あらかじめ凹所８０ａが形成された
ガラス基板８０’を陽極接合することにより、図３４
（ｄ）に示す構造が得られる。
スト層７をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側
のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例え
ばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などのドライエッ
チング技術によってエッチングする。そして、上記フォ
トレジスト層７を除去した後、シリコン窒化膜６ｂをマ
スクとして、８０℃程度の水酸化カリウム溶液を用いて
シリコンウェハ１’を異方性エッチングすることにより
凹所２０ａおよびビーム２１および重り部２２および支
持部２３を形成する。ここにおいて、凹所２０ａは重り
部２２を囲むように形成されている。次に、シリコンウ
ェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン
酸化膜２ｂを除去するとともに、シリコンウェハ１’の
主表面側にてパッド２６を拡散層配線２５に接続するた
めのコンタクトホール（図示せず）を形成する。その
後、シリコンウェハ１’の主表面側の全面にコンタクト
ホールが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる金属
層を堆積させ、該金属層をパターニングすることによ
り、パッド２６および接合用金属層２７（図３４（ｄ）
参照）を形成する。さらにその後、シリコンウェハ１’
に形成された薄肉のビーム２１のうちゲージ抵抗２４お
よび拡散層配線２５が形成された部位の近傍を残して他
の部分をドライエッチング技術によってエッチングして
いわゆる片持ち梁構造を形成する。次に、シリコンウェ
ハ１’の裏面側に、あらかじめ凹所８０ａが形成された
ガラス基板８０’を陽極接合することにより、図３４
（ｄ）に示す構造が得られる。
【００１６】その後、シリコンウェハ１’の主表面側
に、凹所７０ａが形成されたガラス基板７０’を接合用
金属層２７を介して陽極接合することにより、図３４
（ｅ）に示す構造が得られる。なお、ガラス基板７０’
には、パッド２６を露出させるための開孔部が設けられ
ている。
に、凹所７０ａが形成されたガラス基板７０’を接合用
金属層２７を介して陽極接合することにより、図３４
（ｅ）に示す構造が得られる。なお、ガラス基板７０’
には、パッド２６を露出させるための開孔部が設けられ
ている。
【００１７】さらにその後、ダイシング工程にて個々の
チップを切り出すことにより図３３に示した構造のセン
サチップＣ’が得られる。ここに、図３３（ｂ）中の７
０はガラス基板７０’から切り出された上部キャップを
示し、８０はガラス基板８０’から切り出された下部キ
ャップを示す。
チップを切り出すことにより図３３に示した構造のセン
サチップＣ’が得られる。ここに、図３３（ｂ）中の７
０はガラス基板７０’から切り出された上部キャップを
示し、８０はガラス基板８０’から切り出された下部キ
ャップを示す。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の図３
１を参照しながら説明した半導体センサの製造方法で
は、シリコンウェハ１’と支持用のシリコンウェハより
なる支持基板１０’とを陽極接合するために、支持基板
１０’の主表面上へ低融点ガラス膜１４を形成している
ので、低融点ガラス膜１４の膜質が接合品質に大きな影
響を与えるから、低融点ガラス膜１４の品質管理が重要
となり、工程管理が面倒になる。例えば、低融点ガラス
膜１４をスパッタリング法で形成する場合、スパッタ装
置内部の真空度やスパッタリングレート、温度、支持基
板１０’における低融点ガラス膜１４の被着面の前処理
などの設定が適切でないと、低融点ガラス膜１４の膜質
が劣化し、ボイドの発生による接合強度の低下を招くこ
とになる。しかも、スパッタリングレートが小さいため
に、生産性も高くない。
１を参照しながら説明した半導体センサの製造方法で
は、シリコンウェハ１’と支持用のシリコンウェハより
なる支持基板１０’とを陽極接合するために、支持基板
１０’の主表面上へ低融点ガラス膜１４を形成している
ので、低融点ガラス膜１４の膜質が接合品質に大きな影
響を与えるから、低融点ガラス膜１４の品質管理が重要
となり、工程管理が面倒になる。例えば、低融点ガラス
膜１４をスパッタリング法で形成する場合、スパッタ装
置内部の真空度やスパッタリングレート、温度、支持基
板１０’における低融点ガラス膜１４の被着面の前処理
などの設定が適切でないと、低融点ガラス膜１４の膜質
が劣化し、ボイドの発生による接合強度の低下を招くこ
とになる。しかも、スパッタリングレートが小さいため
に、生産性も高くない。
【００１９】また、上述の図３０を参照しながら説明し
た半導体センサの製造方法では、接合用膜１２の材料と
して金を用いた場合、コスト的に不利である。また、こ
の製造方法は、接合用膜１２とシリコンとの共晶反応を
利用して接合を行なうものであるから、ウェハサイズで
の接合を行なうとボイドが発生してしまい接合品質に問
題がある。このため、チップサイズで接合する必要があ
るので、生産性が低いという問題があった。
た半導体センサの製造方法では、接合用膜１２の材料と
して金を用いた場合、コスト的に不利である。また、こ
の製造方法は、接合用膜１２とシリコンとの共晶反応を
利用して接合を行なうものであるから、ウェハサイズで
の接合を行なうとボイドが発生してしまい接合品質に問
題がある。このため、チップサイズで接合する必要があ
るので、生産性が低いという問題があった。
【００２０】また、上述の図３２を参照しながら説明し
た半導体センサの製造方法においても、チップサイズで
接合する必要があるので、生産性が低いという問題があ
った。
た半導体センサの製造方法においても、チップサイズで
接合する必要があるので、生産性が低いという問題があ
った。
【００２１】これらの製造方法に対し、図２９および図
３４を参照しながら説明した半導体センサの製造方法で
は、センシング用のデバイスを形成したシリコンウェハ
１’とガラス基板（図２９においては支持基板１０’、
図３４においてはガラス基板７０’）とを陽極接合して
いるので、接合強度、気密性、および量産性に優れてい
るが、シリコンとガラスとの物性値（例えば、熱膨張係
数など）の違いにより、シリコンウェハ１’に反りが発
生したり、デバイスの温度特性に影響がでることから、
高精度化には不利である。
３４を参照しながら説明した半導体センサの製造方法で
は、センシング用のデバイスを形成したシリコンウェハ
１’とガラス基板（図２９においては支持基板１０’、
図３４においてはガラス基板７０’）とを陽極接合して
いるので、接合強度、気密性、および量産性に優れてい
るが、シリコンとガラスとの物性値（例えば、熱膨張係
数など）の違いにより、シリコンウェハ１’に反りが発
生したり、デバイスの温度特性に影響がでることから、
高精度化には不利である。
【００２２】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、接合強度および生産性が高く高精度
化が可能な半導体センサおよびその製造方法を提供する
ことにある。
あり、その目的は、接合強度および生産性が高く高精度
化が可能な半導体センサおよびその製造方法を提供する
ことにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、センシング用のデバイスを形成
したシリコンウェハより分割された第１の基板と、第１
の基板の裏面側に一面側が陽極接合され且つガラス基板
より分割されたガラス板と、ガラス板の他面側に陽極接
合され且つ支持用のシリコンウェハより分割された第２
の基板とを備えることを特徴とするものであり、ガラス
基板と各シリコンウェハとを陽極接合しているので、セ
ンシング用のデバイスを形成した第１の基板とガラス板
との接合強度を高めることができるとともに、生産性を
高めることができ、しかも、ガラス板の他面側にシリコ
ンウェハより分割された第２の基板が接合されているの
で、ガラス板が互いにシリコンウェハより分割された第
１の基板と第２の基板とで挟まれた形となるから第１の
基板に生じる応力を低減することができて温度特性が改
善され、高精度化を図ることができる。
目的を達成するために、センシング用のデバイスを形成
したシリコンウェハより分割された第１の基板と、第１
の基板の裏面側に一面側が陽極接合され且つガラス基板
より分割されたガラス板と、ガラス板の他面側に陽極接
合され且つ支持用のシリコンウェハより分割された第２
の基板とを備えることを特徴とするものであり、ガラス
基板と各シリコンウェハとを陽極接合しているので、セ
ンシング用のデバイスを形成した第１の基板とガラス板
との接合強度を高めることができるとともに、生産性を
高めることができ、しかも、ガラス板の他面側にシリコ
ンウェハより分割された第２の基板が接合されているの
で、ガラス板が互いにシリコンウェハより分割された第
１の基板と第２の基板とで挟まれた形となるから第１の
基板に生じる応力を低減することができて温度特性が改
善され、高精度化を図ることができる。
【００２４】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、上記第２の基板の裏面に、ダイボンディング用の金
属膜が設けられているので、パッケージやリードフレー
ムなどへダイボンディングすることができ、例えば高圧
測定用の半導体圧力センサを実現することが可能にな
る。
て、上記第２の基板の裏面に、ダイボンディング用の金
属膜が設けられているので、パッケージやリードフレー
ムなどへダイボンディングすることができ、例えば高圧
測定用の半導体圧力センサを実現することが可能にな
る。
【００２５】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、上記デバイスが圧力センシング用のデバイスであっ
て、上記ガラス基板および上記支持用のシリコンウェハ
それぞれには、サンドブラスト法若しくは超音波加工法
により、上記デバイスを形成したシリコンウェハの所定
部位に対応させる圧力導入孔が形成されているので、ゲ
ージ圧測定用の半導体圧力センサを実現することができ
る。
て、上記デバイスが圧力センシング用のデバイスであっ
て、上記ガラス基板および上記支持用のシリコンウェハ
それぞれには、サンドブラスト法若しくは超音波加工法
により、上記デバイスを形成したシリコンウェハの所定
部位に対応させる圧力導入孔が形成されているので、ゲ
ージ圧測定用の半導体圧力センサを実現することができ
る。
【００２６】請求項４の発明は、請求項１の発明におい
て、上記第１の基板の主表面側に一面側が陽極接合され
且つガラス基板より分割されたスペーサ用ガラス板と、
スペーサ用ガラス板の他面側に陽極接合され且つストッ
パ用のシリコンウェハより分割されたストッパ部材とを
備え、上記第１の基板は、該第１の基板の一部よりなる
枠状の支持部の内側にビームを介して揺動自在に支持さ
れた重り部を有し、上記ガラス板およびスペーサ用ガラ
ス板は、それぞれ支持部の全周にわたって接合され、少
なくとも重り部およびビームに対向する部位に開孔部が
形成されているので、上記ガラス板およびスペーサ用ガ
ラス板の厚みを利用したエアダンピング効果によってビ
ームの破壊を防止した半導体加速度センサを実現するこ
とができる。
て、上記第１の基板の主表面側に一面側が陽極接合され
且つガラス基板より分割されたスペーサ用ガラス板と、
スペーサ用ガラス板の他面側に陽極接合され且つストッ
パ用のシリコンウェハより分割されたストッパ部材とを
備え、上記第１の基板は、該第１の基板の一部よりなる
枠状の支持部の内側にビームを介して揺動自在に支持さ
れた重り部を有し、上記ガラス板およびスペーサ用ガラ
ス板は、それぞれ支持部の全周にわたって接合され、少
なくとも重り部およびビームに対向する部位に開孔部が
形成されているので、上記ガラス板およびスペーサ用ガ
ラス板の厚みを利用したエアダンピング効果によってビ
ームの破壊を防止した半導体加速度センサを実現するこ
とができる。
【００２７】請求項５の発明は、請求項４の発明におい
て、上記第２の基板および上記ストッパ部材には、少な
くとも重り部に対向する部位に凹所が形成されているの
で、重り部と上記第２の基板における重り部に対向する
部位との間の空間の容積、重り部と上記ストッパ部材に
おける重り部に対向する部位との間の空間の容積をそれ
ぞれ大きくすることができてエアダンピング効果をより
高めることができ、ビームの破損を防止することがで
き、また、上記空間にオイルを充填しておくことによ
り、オイルによるダンピング効果を得ることも可能にな
る。
て、上記第２の基板および上記ストッパ部材には、少な
くとも重り部に対向する部位に凹所が形成されているの
で、重り部と上記第２の基板における重り部に対向する
部位との間の空間の容積、重り部と上記ストッパ部材に
おける重り部に対向する部位との間の空間の容積をそれ
ぞれ大きくすることができてエアダンピング効果をより
高めることができ、ビームの破損を防止することがで
き、また、上記空間にオイルを充填しておくことによ
り、オイルによるダンピング効果を得ることも可能にな
る。
【００２８】請求項６の発明は、請求項１の発明におい
て、上記支持用のシリコンウェハの裏面に、該シリコン
ウェハに陽極接合され該シリコンウェハと上記ガラス基
板との陽極接合に伴う反りを低減する反り調整用ガラス
基板が設けられているので、センシング用のデバイスを
形成した第１の基板の反りを低減することができ、温度
特性がより一層改善され、高精度化を図ることができ
る。
て、上記支持用のシリコンウェハの裏面に、該シリコン
ウェハに陽極接合され該シリコンウェハと上記ガラス基
板との陽極接合に伴う反りを低減する反り調整用ガラス
基板が設けられているので、センシング用のデバイスを
形成した第１の基板の反りを低減することができ、温度
特性がより一層改善され、高精度化を図ることができ
る。
【００２９】請求項７の発明は、請求項１の発明におい
て、上記支持用のシリコンウェハの裏面に、上記陽極接
合に伴う反りを低減するシリコン酸化膜若しくはシリコ
ン酸化膜とシリコン窒化膜とが積層された二層膜が設け
られているので、センシング用のデバイスを形成した第
１の基板の反りを低減することができ、温度特性がより
一層改善され、高精度化を図ることができる。
て、上記支持用のシリコンウェハの裏面に、上記陽極接
合に伴う反りを低減するシリコン酸化膜若しくはシリコ
ン酸化膜とシリコン窒化膜とが積層された二層膜が設け
られているので、センシング用のデバイスを形成した第
１の基板の反りを低減することができ、温度特性がより
一層改善され、高精度化を図ることができる。
【００３０】請求項８の発明は、請求項１の発明におい
て、上記第２の基板は、上記ガラス板との接合面に、接
合に伴う応力を緩和する窪みが形成されているので、セ
ンシング用のデバイスを形成した第１の基板の反りを低
減することができ、温度特性がより一層改善され、高精
度化を図ることができる。
て、上記第２の基板は、上記ガラス板との接合面に、接
合に伴う応力を緩和する窪みが形成されているので、セ
ンシング用のデバイスを形成した第１の基板の反りを低
減することができ、温度特性がより一層改善され、高精
度化を図ることができる。
【００３１】請求項９の発明は、請求項１の発明におい
て、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることによ
り形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の変
形を検出するセンシング部を有し、上記ガラス板は、上
記凹所に連通する圧力導入孔が貫設され、圧力導入孔の
開口周辺に他の部位よりも上記ダイアフラム部側へ突出
したストッパ部を有するので、ダイアフラム部へ過大な
圧力が印加されたときにダイアフラム部の変形量がスト
ッパ部により規制されるから、ダイアフラム部の破損を
防止することができる。
て、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることによ
り形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の変
形を検出するセンシング部を有し、上記ガラス板は、上
記凹所に連通する圧力導入孔が貫設され、圧力導入孔の
開口周辺に他の部位よりも上記ダイアフラム部側へ突出
したストッパ部を有するので、ダイアフラム部へ過大な
圧力が印加されたときにダイアフラム部の変形量がスト
ッパ部により規制されるから、ダイアフラム部の破損を
防止することができる。
【００３２】請求項１０の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記第１の基板と上記第２の基板との互いの対向
面に静電容量形成用の電極がそれぞれ形成され、上記第
２の基板は、該第２の基板に形成された上記静電容量形
成用の電極に拡散層配線を介して接続されたパッドを有
するので、上記ガラス板の厚みにより上記両電極間の距
離を設定することができ、高精度な静電容量型の半導体
圧力センサを実現することができる。
いて、上記第１の基板と上記第２の基板との互いの対向
面に静電容量形成用の電極がそれぞれ形成され、上記第
２の基板は、該第２の基板に形成された上記静電容量形
成用の電極に拡散層配線を介して接続されたパッドを有
するので、上記ガラス板の厚みにより上記両電極間の距
離を設定することができ、高精度な静電容量型の半導体
圧力センサを実現することができる。
【００３３】請求項１１の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記支持用のシリコンウェハには、上記ガラス基
板との接合面側の所定部位に凹所が形成され、上記ガラ
ス基板には、上記凹所に連通する孔が貫設されているの
で、上記デバイスを形成したシリコンウェハとガラス基
板と上記支持用のシリコンウェハとを重ね合わせた際に
内部に形成される空間の体積を大きくすることができ、
陽極接合時に発生する酸素の分圧を低下させることがで
きる。
いて、上記支持用のシリコンウェハには、上記ガラス基
板との接合面側の所定部位に凹所が形成され、上記ガラ
ス基板には、上記凹所に連通する孔が貫設されているの
で、上記デバイスを形成したシリコンウェハとガラス基
板と上記支持用のシリコンウェハとを重ね合わせた際に
内部に形成される空間の体積を大きくすることができ、
陽極接合時に発生する酸素の分圧を低下させることがで
きる。
【００３４】請求項１２の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることに
より形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の
変形を検出するセンシング部を有し、上記第１の基板の
主表面側に一面側が陽極接合され且つガラス基板より分
割されたスペーサ用ガラス板と、スペーサ用ガラス板の
他面側に陽極接合され且つシリコンウェハより分割され
た第３の基板とを備え、上記ガラス板、上記第２の基
板、上記スペーサ用ガラス板、上記第３の基板にはそれ
ぞれ、上記ダイアフラム部に対応する部位に圧力導入孔
が形成されているので、高精度な差圧測定用の半導体圧
力センサを実現することができる。
いて、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることに
より形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の
変形を検出するセンシング部を有し、上記第１の基板の
主表面側に一面側が陽極接合され且つガラス基板より分
割されたスペーサ用ガラス板と、スペーサ用ガラス板の
他面側に陽極接合され且つシリコンウェハより分割され
た第３の基板とを備え、上記ガラス板、上記第２の基
板、上記スペーサ用ガラス板、上記第３の基板にはそれ
ぞれ、上記ダイアフラム部に対応する部位に圧力導入孔
が形成されているので、高精度な差圧測定用の半導体圧
力センサを実現することができる。
【００３５】請求項１３の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることに
より形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の
変形を検出するセンシング部を有し、上記第２の基板に
は上記ダイアフラム部に対応する部位に圧力導入孔が形
成され、上記ガラス板は、上記圧力導入孔と上記凹所と
を連通させる孔が形成され、上記第１の基板および上記
第２の基板に比べて外形が小さく上記圧力導入孔の開口
周辺において上記第１の基板および上記第２の基板に接
合されているので、上記第２の基板に伝達される外部応
力が上記第１の基板に与える影響を少なくすることがで
き、高精度化を図ることができる。
いて、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることに
より形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の
変形を検出するセンシング部を有し、上記第２の基板に
は上記ダイアフラム部に対応する部位に圧力導入孔が形
成され、上記ガラス板は、上記圧力導入孔と上記凹所と
を連通させる孔が形成され、上記第１の基板および上記
第２の基板に比べて外形が小さく上記圧力導入孔の開口
周辺において上記第１の基板および上記第２の基板に接
合されているので、上記第２の基板に伝達される外部応
力が上記第１の基板に与える影響を少なくすることがで
き、高精度化を図ることができる。
【００３６】請求項１４の発明は、請求項１記載の半導
体センサの製造方法であって、上記ガラス基板として上
記各シリコンウェハよりも外形の大きなものを用い、上
記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラス基板
と上記支持用のシリコンウェハとを重ね合わせて加熱し
て、上記各シリコンウェハと上記ガラス基板との間にそ
れぞれ直流電圧を印加することにより上記各シリコンウ
ェハと上記ガラス基板との陽極接合を同時に行うことを
特徴とし、上記第１の基板および上記第２の基板それぞ
れと上記ガラス板との接合強度が高く高精度化が可能な
半導体センサを低コストで生産性良く製造することがで
きる。
体センサの製造方法であって、上記ガラス基板として上
記各シリコンウェハよりも外形の大きなものを用い、上
記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラス基板
と上記支持用のシリコンウェハとを重ね合わせて加熱し
て、上記各シリコンウェハと上記ガラス基板との間にそ
れぞれ直流電圧を印加することにより上記各シリコンウ
ェハと上記ガラス基板との陽極接合を同時に行うことを
特徴とし、上記第１の基板および上記第２の基板それぞ
れと上記ガラス板との接合強度が高く高精度化が可能な
半導体センサを低コストで生産性良く製造することがで
きる。
【００３７】請求項１５の発明は、請求項１記載の半導
体センサの製造方法であって、上記ガラス基板と上記第
１の基板の所定部位へ圧力を導入するための圧力導入孔
を形成した支持用のシリコンウェハとを陽極接合した
後、圧力導入孔よりフッ酸水溶液を注入して上記ガラス
基板へ上記圧力導入孔に連通する孔を形成し、その後、
上記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラス基
板とを陽極接合すること特徴とし、上記ガラス板の圧力
導入孔と上記第２の基板の圧力導入孔との位置合わせ精
度が向上し、上記第１の基板および上記第２の基板それ
ぞれとガラス板との接合強度が高く高精度化が可能な半
導体センサを低コストで生産性良く製造することができ
る。
体センサの製造方法であって、上記ガラス基板と上記第
１の基板の所定部位へ圧力を導入するための圧力導入孔
を形成した支持用のシリコンウェハとを陽極接合した
後、圧力導入孔よりフッ酸水溶液を注入して上記ガラス
基板へ上記圧力導入孔に連通する孔を形成し、その後、
上記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラス基
板とを陽極接合すること特徴とし、上記ガラス板の圧力
導入孔と上記第２の基板の圧力導入孔との位置合わせ精
度が向上し、上記第１の基板および上記第２の基板それ
ぞれとガラス板との接合強度が高く高精度化が可能な半
導体センサを低コストで生産性良く製造することができ
る。
【００３８】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本実施形態では、
絶対圧測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造
方法について図１を参照しながら説明する。
絶対圧測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造
方法について図１を参照しながら説明する。
【００３９】図１（ａ）に示すように厚み方向に直交す
る両面（図１（ａ）における上面および下面）に研磨処
理を施したガラス基板３０’と主表面が鏡面加工処理さ
れた支持用のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせる。
る両面（図１（ａ）における上面および下面）に研磨処
理を施したガラス基板３０’と主表面が鏡面加工処理さ
れた支持用のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせる。
【００４０】なお、ガラス基板３０’としては、熱膨張
係数がシリコンと略等しいほう珪酸ガラス基板（例え
ば、旭テクノグラス社製のＳＷ−３）、アルミノ珪酸ガ
ラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製のＳＤ２）、結晶性ガ
ラス基板などを用いればよいが、マイクロシートなどの
薄いガラス基板を用いてもよい。
係数がシリコンと略等しいほう珪酸ガラス基板（例え
ば、旭テクノグラス社製のＳＷ−３）、アルミノ珪酸ガ
ラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製のＳＤ２）、結晶性ガ
ラス基板などを用いればよいが、マイクロシートなどの
薄いガラス基板を用いてもよい。
【００４１】ガラス基板３０’とシリコンウェハ４０’
とを重ね合わせた後、真空中にて約４００℃に加熱した
状態で、シリコンウェハ４０’を正極、ガラス基板３
０’を負極として例えば６００Ｖの直流電圧を１０分間
だけ印加することによりガラス基板３０’とシリコンウ
ェハ４０’との陽極接合を行ない、その後、室温まで冷
却することにより、図１（ｂ）に示す構造が得られる。
なお、図１（ｂ）における３１はガラス基板３０’の主
表面上に析出したナトリウムとナトリウム化合物とから
なる析出層を示す。
とを重ね合わせた後、真空中にて約４００℃に加熱した
状態で、シリコンウェハ４０’を正極、ガラス基板３
０’を負極として例えば６００Ｖの直流電圧を１０分間
だけ印加することによりガラス基板３０’とシリコンウ
ェハ４０’との陽極接合を行ない、その後、室温まで冷
却することにより、図１（ｂ）に示す構造が得られる。
なお、図１（ｂ）における３１はガラス基板３０’の主
表面上に析出したナトリウムとナトリウム化合物とから
なる析出層を示す。
【００４２】次に、上記陽極接合によりガラス基板３
０’の主表面上に析出した析出層３１を流水中での洗浄
により除去した後、ガラス基板３０’の主表面側を研磨
することにより、ガラス基板３０’の厚みを調整する。
なお、図１（ｂ）中の破線は、該研磨後のガラス基板３
０’の主表面の位置を示す。
０’の主表面上に析出した析出層３１を流水中での洗浄
により除去した後、ガラス基板３０’の主表面側を研磨
することにより、ガラス基板３０’の厚みを調整する。
なお、図１（ｂ）中の破線は、該研磨後のガラス基板３
０’の主表面の位置を示す。
【００４３】次に、図１（ｃ）に示すように圧力センシ
ング用のデバイスを形成したシリコンウェハ１’とガラ
ス基板３０’とを重ね合わせ後、真空中にて約４００℃
に加熱した状態で、シリコンウェハ１’を正極、ガラス
基板３０’を負極として例えば６００Ｖの直流電圧を１
０分間だけ印加することによりシリコンウェハ１’とガ
ラス基板３０’との陽極接合を行ない、その後、室温ま
で冷却する。ここにおいて、シリコンウェハ１’には、
ガラス基板３０’と重ね合わせる以前に、該シリコンウ
ェハ１’の裏面側に凹所１ａを設けることによりダイア
フラム部８が形成されるとともに、主表面側にダイアフ
ラム部８の変形を検出するセンシング部などが形成され
ている。
ング用のデバイスを形成したシリコンウェハ１’とガラ
ス基板３０’とを重ね合わせ後、真空中にて約４００℃
に加熱した状態で、シリコンウェハ１’を正極、ガラス
基板３０’を負極として例えば６００Ｖの直流電圧を１
０分間だけ印加することによりシリコンウェハ１’とガ
ラス基板３０’との陽極接合を行ない、その後、室温ま
で冷却する。ここにおいて、シリコンウェハ１’には、
ガラス基板３０’と重ね合わせる以前に、該シリコンウ
ェハ１’の裏面側に凹所１ａを設けることによりダイア
フラム部８が形成されるとともに、主表面側にダイアフ
ラム部８の変形を検出するセンシング部などが形成され
ている。
【００４４】その後、ダイシング工程にて個々のチップ
に切り出すことにより複数のセンサチップＣが得られ
る。ここに、センサチップＣは、図１（ｃ）中に一点鎖
線で示した位置で分割され、同図中の１はシリコンウェ
ハ１’から切り出された第１の基板を示し、３０はガラ
ス基板３０’から切り出されたガラス板を示し、４０は
シリコンウェハ４０’から切り出された第２の基板を示
す。なお、このセンサチップＣは、パッケージなどに収
納される際に第２の基板４０の裏面がパッケージ側の所
定部位に接合される。
に切り出すことにより複数のセンサチップＣが得られ
る。ここに、センサチップＣは、図１（ｃ）中に一点鎖
線で示した位置で分割され、同図中の１はシリコンウェ
ハ１’から切り出された第１の基板を示し、３０はガラ
ス基板３０’から切り出されたガラス板を示し、４０は
シリコンウェハ４０’から切り出された第２の基板を示
す。なお、このセンサチップＣは、パッケージなどに収
納される際に第２の基板４０の裏面がパッケージ側の所
定部位に接合される。
【００４５】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’と各シリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合して
いるので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１
の基板１とガラス板３０との接合強度を高めることがで
きるとともに、生産性を高めることができ、しかも、ガ
ラス板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’よ
り分割された第２の基板４０が接合されているので、ガ
ラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分
割された第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形
となるから第１の基板１に生じる応力を低減することが
できて、第１の基板１に形成された圧力センシング用の
デバイスの温度特性が改善され、高精度化を図ることが
できる。また、パッケージ（図示せず）からの第１の基
板１への応力を緩和することができる。なお、本実施形
態では、ガラス板３０と第２の基板４０とで台座を構成
している。
０’と各シリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合して
いるので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１
の基板１とガラス板３０との接合強度を高めることがで
きるとともに、生産性を高めることができ、しかも、ガ
ラス板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’よ
り分割された第２の基板４０が接合されているので、ガ
ラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分
割された第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形
となるから第１の基板１に生じる応力を低減することが
できて、第１の基板１に形成された圧力センシング用の
デバイスの温度特性が改善され、高精度化を図ることが
できる。また、パッケージ（図示せず）からの第１の基
板１への応力を緩和することができる。なお、本実施形
態では、ガラス板３０と第２の基板４０とで台座を構成
している。
【００４６】ところで、上述の製造方法では、ガラス基
板３０’と支持用のシリコンウェハ４０’とを陽極接合
した後に、圧力センシング用のデバイスを形成したシリ
コンウェハ１’とガラス基板３０’とを陽極接合してい
るが、図２（ａ）に示すように、ガラス基板３０’とし
て各シリコンウェハ１’，４０’よりも外形の大きなも
のを用い、あらかじめ圧力センシング用のデバイスを形
成したシリコンウェハ１’と該ガラス基板３０’と支持
用のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせて、ガラス基
板３０’と両シリコンウェハ１’，４０’との陽極接合
を同時に行なってもよい。この陽極接合の際には、ガラ
ス基板３０’を負極、両シリコンウェハ１’，４０’を
それぞれ正極として、上記直流電圧を印加すればよい。
このような方法で陽極接合を行なうことにより、陽極接
合の際に発生する析出層３１はガラス基板３０’におい
て両シリコンウェハ１’，４０’と重複していない露出
部位３２の表面上に集中して発生するので、ガラス基板
３０’の不要部分を後でダイシングにより除去すればよ
い。
板３０’と支持用のシリコンウェハ４０’とを陽極接合
した後に、圧力センシング用のデバイスを形成したシリ
コンウェハ１’とガラス基板３０’とを陽極接合してい
るが、図２（ａ）に示すように、ガラス基板３０’とし
て各シリコンウェハ１’，４０’よりも外形の大きなも
のを用い、あらかじめ圧力センシング用のデバイスを形
成したシリコンウェハ１’と該ガラス基板３０’と支持
用のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせて、ガラス基
板３０’と両シリコンウェハ１’，４０’との陽極接合
を同時に行なってもよい。この陽極接合の際には、ガラ
ス基板３０’を負極、両シリコンウェハ１’，４０’を
それぞれ正極として、上記直流電圧を印加すればよい。
このような方法で陽極接合を行なうことにより、陽極接
合の際に発生する析出層３１はガラス基板３０’におい
て両シリコンウェハ１’，４０’と重複していない露出
部位３２の表面上に集中して発生するので、ガラス基板
３０’の不要部分を後でダイシングにより除去すればよ
い。
【００４７】また、図２（ａ）に示すようにあらかじめ
圧力センシング用のデバイスを形成したシリコンウェハ
１’と該ガラス基板３０’と支持用のシリコンウェハ４
０’とを重ね合わせて陽極接合を行なった後に、図２
（ｂ）に示すように支持用のシリコンウェハ４０’の裏
面にダイボンディング用の金属膜４５をメタライゼーシ
ョンしてもよい。このようなダイボンディング用の金属
膜４５をセンサチップＣの裏面側（つまり、第２の基板
４０の裏面）に設けることにより、高圧用の半導体圧力
センサを実現することができる。
圧力センシング用のデバイスを形成したシリコンウェハ
１’と該ガラス基板３０’と支持用のシリコンウェハ４
０’とを重ね合わせて陽極接合を行なった後に、図２
（ｂ）に示すように支持用のシリコンウェハ４０’の裏
面にダイボンディング用の金属膜４５をメタライゼーシ
ョンしてもよい。このようなダイボンディング用の金属
膜４５をセンサチップＣの裏面側（つまり、第２の基板
４０の裏面）に設けることにより、高圧用の半導体圧力
センサを実現することができる。
【００４８】（実施形態２）本実施形態では、半導体加
速度センサのセンサチップの製造方法について図３およ
び図４を参照しながら説明する。
速度センサのセンサチップの製造方法について図３およ
び図４を参照しながら説明する。
【００４９】まず、ｎ形のシリコンウェハ１’の主表面
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図３（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシリ
コン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を塗
布形成し、センシング部たるゲージ抵抗２４（上述の図
３３（ａ）参照）および拡散層配線２５（上述の図３３
（ａ）参照）を形成するために該フォトレジスト層をパ
ターニングする。その後、該パターニングされたフォト
レジスト層をマスクとして、シリコンウェハ１’の主表
面側のシリコン酸化膜２ａをエッチングする。次に、上
記フォトレジスト層を除去した後、シリコン酸化膜２ａ
をマスクとしてイオン注入によってシリコンウェハ１’
の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純物３のプレデ
ポジションを行うことにより、図３（ａ）に示す構造が
得られる。
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図３（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシリ
コン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を塗
布形成し、センシング部たるゲージ抵抗２４（上述の図
３３（ａ）参照）および拡散層配線２５（上述の図３３
（ａ）参照）を形成するために該フォトレジスト層をパ
ターニングする。その後、該パターニングされたフォト
レジスト層をマスクとして、シリコンウェハ１’の主表
面側のシリコン酸化膜２ａをエッチングする。次に、上
記フォトレジスト層を除去した後、シリコン酸化膜２ａ
をマスクとしてイオン注入によってシリコンウェハ１’
の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純物３のプレデ
ポジションを行うことにより、図３（ａ）に示す構造が
得られる。
【００５０】その後、シリコンウェハ１’の露出した主
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗２４および拡散層配線２５を形成することにより、図
３（ｂ）に示す構造が得られる。要するに、シリコンウ
ェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシリ
コン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここでは、
ゲージ抵抗２４と拡散層配線２５とを同時に形成してい
るが、別々に形成してもよい。
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗２４および拡散層配線２５を形成することにより、図
３（ｂ）に示す構造が得られる。要するに、シリコンウ
ェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシリ
コン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここでは、
ゲージ抵抗２４と拡散層配線２５とを同時に形成してい
るが、別々に形成してもよい。
【００５１】次に、シリコンウェハ１’の主表面側およ
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図３（ｃ）参照）を例えばＣＶＤ法により形成し、シ
リコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図
３（ｃ）における下）にフォトレジスト層７を塗布形成
し、凹所２０ａ（図３（ｄ）参照）およびビーム２１お
よび重り部２２および支持部２３を形成するために該フ
ォトレジスト層７をパターニングすることにより、図３
（ｃ）に示す構造が得られる。
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図３（ｃ）参照）を例えばＣＶＤ法により形成し、シ
リコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図
３（ｃ）における下）にフォトレジスト層７を塗布形成
し、凹所２０ａ（図３（ｄ）参照）およびビーム２１お
よび重り部２２および支持部２３を形成するために該フ
ォトレジスト層７をパターニングすることにより、図３
（ｃ）に示す構造が得られる。
【００５２】続いて、フォトレジスト層７をマスクとし
て、シリコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ
およびシリコン酸化膜２ｂを例えばＲＩＥなどのドライ
エッチング技術によってエッチングする。そして、上記
フォトレジスト層７を除去した後、シリコン窒化膜６ｂ
をマスクとして、８０℃程度の水酸化カリウム溶液を用
いてシリコンウェハ１’を異方性エッチングすることに
より凹所２０ａおよびビーム２１および重り部２２およ
び支持部２３を形成する。ここにおいて、凹所２０ａは
重り部２２を囲むように形成されている。次に、シリコ
ンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリ
コン酸化膜２ｂを除去するとともに、シリコンウェハ
１’の主表面側にてパッド２６を拡散層配線２５に接続
するためのコンタクトホール（図示せず）を形成する。
その後、シリコンウェハ１’の主表面側の全面にコンタ
クトホールが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる
金属層を堆積させ、該金属層をパターニングすることに
より、パッド２６および接合用金属層２７（図３（ｄ）
参照）を形成する。さらにその後、シリコンウェハ１’
に形成された薄肉のビーム２１のうちゲージ抵抗２４お
よび拡散層配線２５が形成された部位の近傍を残して他
の部分をドライエッチング技術によってエッチングして
シリコンウェハ１’の主表面から上記凹所２０ａの底面
にわたって開孔された貫通孔２０ｂを設けることでいわ
ゆる片持ち梁構造を形成する。次に、ストッパ用のシリ
コンウェハ６０’が陽極接合されたガラス基板５０’
と、支持用のシリコンウェハ４０’が陽極接合されたガ
ラス基板３０’とをそれぞれ、シリコンウェハ１’の上
下（図３（ｄ）における上下）に陽極接合することによ
り、図３（ｄ）に示す構造が得られる。ここにおいて、
ガラス基板３０’としては両面研磨したものが用いられ
ており、該ガラス基板３０’の一表面上にフォトレジス
ト層を塗布形成して該フォトレジスト層をパターニング
し、該フォトレジスト層をマスクとして例えばサンドブ
ラスト法若しくは超音波加工法によって厚み方向に貫通
する開孔部３０ａを形成した後で図４に示すように支持
用のシリコンウェハ４０’へ重ね合わせて該シリコンウ
ェハ４０’と陽極接合されている。また、ガラス基板５
０’もガラス基板３０’と同様にして、シリコンウェハ
６０’と陽極接合されている。
て、シリコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ
およびシリコン酸化膜２ｂを例えばＲＩＥなどのドライ
エッチング技術によってエッチングする。そして、上記
フォトレジスト層７を除去した後、シリコン窒化膜６ｂ
をマスクとして、８０℃程度の水酸化カリウム溶液を用
いてシリコンウェハ１’を異方性エッチングすることに
より凹所２０ａおよびビーム２１および重り部２２およ
び支持部２３を形成する。ここにおいて、凹所２０ａは
重り部２２を囲むように形成されている。次に、シリコ
ンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリ
コン酸化膜２ｂを除去するとともに、シリコンウェハ
１’の主表面側にてパッド２６を拡散層配線２５に接続
するためのコンタクトホール（図示せず）を形成する。
その後、シリコンウェハ１’の主表面側の全面にコンタ
クトホールが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる
金属層を堆積させ、該金属層をパターニングすることに
より、パッド２６および接合用金属層２７（図３（ｄ）
参照）を形成する。さらにその後、シリコンウェハ１’
に形成された薄肉のビーム２１のうちゲージ抵抗２４お
よび拡散層配線２５が形成された部位の近傍を残して他
の部分をドライエッチング技術によってエッチングして
シリコンウェハ１’の主表面から上記凹所２０ａの底面
にわたって開孔された貫通孔２０ｂを設けることでいわ
ゆる片持ち梁構造を形成する。次に、ストッパ用のシリ
コンウェハ６０’が陽極接合されたガラス基板５０’
と、支持用のシリコンウェハ４０’が陽極接合されたガ
ラス基板３０’とをそれぞれ、シリコンウェハ１’の上
下（図３（ｄ）における上下）に陽極接合することによ
り、図３（ｄ）に示す構造が得られる。ここにおいて、
ガラス基板３０’としては両面研磨したものが用いられ
ており、該ガラス基板３０’の一表面上にフォトレジス
ト層を塗布形成して該フォトレジスト層をパターニング
し、該フォトレジスト層をマスクとして例えばサンドブ
ラスト法若しくは超音波加工法によって厚み方向に貫通
する開孔部３０ａを形成した後で図４に示すように支持
用のシリコンウェハ４０’へ重ね合わせて該シリコンウ
ェハ４０’と陽極接合されている。また、ガラス基板５
０’もガラス基板３０’と同様にして、シリコンウェハ
６０’と陽極接合されている。
【００５３】なお、ガラス基板５０’は接合用金属層２
７を介してシリコンウェハ１’と陽極接合される。ま
た、ガラス基板５０’およびシリコンウェハ６０’に
は、パッド２６を露出させるための開孔部が設けられて
いる。
７を介してシリコンウェハ１’と陽極接合される。ま
た、ガラス基板５０’およびシリコンウェハ６０’に
は、パッド２６を露出させるための開孔部が設けられて
いる。
【００５４】図３（ｄ）に示す構造が得られた後、ダイ
シング工程にて個々のチップを切り出すことによりセン
サチップＣ（図３（ｄ）参照）が得られる。ここに、図
３（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り出された
第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’から切り出
されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ４０’か
ら切り出された第２の基板を示し、５０はガラス基板５
０’から切り出されたスペーサ用ガラス板を示し、６０
はストッパ用のシリコンウェハ６０から切り出された上
部キャップ（ストッパ部材）を示す。なお、このセンサ
チップＣは、パッケージなどに収納される際に第２の基
板４０の裏面がパッケージ側の所定部位に接合される。
シング工程にて個々のチップを切り出すことによりセン
サチップＣ（図３（ｄ）参照）が得られる。ここに、図
３（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り出された
第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’から切り出
されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ４０’か
ら切り出された第２の基板を示し、５０はガラス基板５
０’から切り出されたスペーサ用ガラス板を示し、６０
はストッパ用のシリコンウェハ６０から切り出された上
部キャップ（ストッパ部材）を示す。なお、このセンサ
チップＣは、パッケージなどに収納される際に第２の基
板４０の裏面がパッケージ側の所定部位に接合される。
【００５５】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合すると
ともに、ガラス基板５０’とシリコンウェハ１’，６
０’とを陽極接合しているので、加速度センシング用の
デバイスを形成した第１の基板１とガラス板３０、スペ
ーサ用ガラス板５０それぞれとの接合強度を高めること
ができるとともに、生産性を高めることができ、しか
も、ガラス板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４
０’より分割された第２の基板４０が接合されているの
で、ガラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’
より分割された第１の基板１と第２の基板４０とで挟ま
れた形となるから第１の基板１に生じる応力を低減する
ことができて、第１の基板１に形成された加速度センシ
ング用のデバイスの温度特性が改善され、高精度化を図
ることができる。また、パッケージ（図示せず）から第
１の基板１への応力を緩和することができる。
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合すると
ともに、ガラス基板５０’とシリコンウェハ１’，６
０’とを陽極接合しているので、加速度センシング用の
デバイスを形成した第１の基板１とガラス板３０、スペ
ーサ用ガラス板５０それぞれとの接合強度を高めること
ができるとともに、生産性を高めることができ、しか
も、ガラス板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４
０’より分割された第２の基板４０が接合されているの
で、ガラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’
より分割された第１の基板１と第２の基板４０とで挟ま
れた形となるから第１の基板１に生じる応力を低減する
ことができて、第１の基板１に形成された加速度センシ
ング用のデバイスの温度特性が改善され、高精度化を図
ることができる。また、パッケージ（図示せず）から第
１の基板１への応力を緩和することができる。
【００５６】また、本実施形態のセンサチップＣでは、
第２の基板４０と上部キャップ６０（第３の基板）とが
それぞれ重り部２２のストッパ部材としても機能するこ
とになる。すなわち、ガラス板３０およびスペーサ用ガ
ラス板５０それぞれにおいて重り部２２に対向する部位
に開孔部３０ａ，５０ａを形成しておくことにより、ガ
ラス板３０およびスペーサ用ガラス板５０それぞれの厚
みを利用して重り部２２の揺動空間を確保できてエアダ
ンピング効果が得られ、重り部２２の移動が第２の基板
４０および上部キャップ６０により規制されるので、過
大な加速度が印加されたときにビーム２１が破壊するの
を防ぐことができる。
第２の基板４０と上部キャップ６０（第３の基板）とが
それぞれ重り部２２のストッパ部材としても機能するこ
とになる。すなわち、ガラス板３０およびスペーサ用ガ
ラス板５０それぞれにおいて重り部２２に対向する部位
に開孔部３０ａ，５０ａを形成しておくことにより、ガ
ラス板３０およびスペーサ用ガラス板５０それぞれの厚
みを利用して重り部２２の揺動空間を確保できてエアダ
ンピング効果が得られ、重り部２２の移動が第２の基板
４０および上部キャップ６０により規制されるので、過
大な加速度が印加されたときにビーム２１が破壊するの
を防ぐことができる。
【００５７】ところで、図５に示すようにあらかじめ支
持用のシリコンウェハ４０’において上記開孔部３０ａ
に連通する凹所４０ａを形成しておくとともに、シリコ
ンウェハ６０’において上記開孔部５０ａに連通する凹
所６０ａ（図６参照）を形成しておき、図６に示すよう
なセンサチップＣを構成し、センサチップ１内部にオイ
ル８２を充填しておけばオイル８２によるダンピング効
果を得ることができる。
持用のシリコンウェハ４０’において上記開孔部３０ａ
に連通する凹所４０ａを形成しておくとともに、シリコ
ンウェハ６０’において上記開孔部５０ａに連通する凹
所６０ａ（図６参照）を形成しておき、図６に示すよう
なセンサチップＣを構成し、センサチップ１内部にオイ
ル８２を充填しておけばオイル８２によるダンピング効
果を得ることができる。
【００５８】（実施形態３）本実施形態では、ゲージ圧
測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法に
ついて図７および図８を参照しながら説明する。
測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法に
ついて図７および図８を参照しながら説明する。
【００５９】まず、ｎ形のシリコンウェハ１’の主表面
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図７（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシリ
コン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を塗
布形成し、センシング部たるゲージ抵抗４（図７（ｂ）
参照）および配線抵抗（拡散層配線）５（図７（ｂ）参
照）を形成するために該フォトレジスト層をパターニン
グする。その後、該パターニングされたフォトレジスト
層をマスクとして、シリコンウェハ１’の主表面側のシ
リコン酸化膜２ａをドライエッチング技術によりパター
ニングする。次に、上記フォトレジスト層を除去した
後、シリコン酸化膜２ａをマスクとしてイオン注入によ
ってシリコンウェハ１’の主表面側に例えばボロンなど
のｐ形不純物３のプレデポジションを行うことにより、
図７（ａ）に示す構造が得られる。
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図７（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシリ
コン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を塗
布形成し、センシング部たるゲージ抵抗４（図７（ｂ）
参照）および配線抵抗（拡散層配線）５（図７（ｂ）参
照）を形成するために該フォトレジスト層をパターニン
グする。その後、該パターニングされたフォトレジスト
層をマスクとして、シリコンウェハ１’の主表面側のシ
リコン酸化膜２ａをドライエッチング技術によりパター
ニングする。次に、上記フォトレジスト層を除去した
後、シリコン酸化膜２ａをマスクとしてイオン注入によ
ってシリコンウェハ１’の主表面側に例えばボロンなど
のｐ形不純物３のプレデポジションを行うことにより、
図７（ａ）に示す構造が得られる。
【００６０】その後、シリコンウェハ１’の露出した主
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗４および配線抵抗５を形成する。要するに、シリコン
ウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシ
リコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗４と配線抵抗５とを同時に形成している
が、シリコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパター
ニング、エッチングの工程を繰り返すことにより別々に
形成してもよい。
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗４および配線抵抗５を形成する。要するに、シリコン
ウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシ
リコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗４と配線抵抗５とを同時に形成している
が、シリコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパター
ニング、エッチングの工程を繰り返すことにより別々に
形成してもよい。
【００６１】次に、シリコンウェハ１’の主表面側およ
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図７（ｂ）参照）を形成し、シリコンウェハ１’の裏
面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図７（ｂ）における下）
にフォトレジスト層７を塗布形成し、ダイアフラム部８
（図７（ｃ）参照）を形成するために該フォトレジスト
層７をパターニングする。続いて、フォトレジスト層７
をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側のシリコ
ン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えばＲＩＥ
などのドライエッチング技術によってパターニングする
ことにより、図７（ｂ）に示す構造が得られる。
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図７（ｂ）参照）を形成し、シリコンウェハ１’の裏
面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図７（ｂ）における下）
にフォトレジスト層７を塗布形成し、ダイアフラム部８
（図７（ｃ）参照）を形成するために該フォトレジスト
層７をパターニングする。続いて、フォトレジスト層７
をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側のシリコ
ン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えばＲＩＥ
などのドライエッチング技術によってパターニングする
ことにより、図７（ｂ）に示す構造が得られる。
【００６２】そして、該フォトレジスト層７を除去した
後、シリコン窒化膜６ｂをマスクとして、８０℃程度の
水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ１’を異
方性エッチングして凹所１ａを設けることによりダイア
フラム部８を形成する。その後、シリコンウェハ１’の
裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂ
を除去する。次に、シリコンウェハ１’の主表面側にて
後に形成される電極９（図７（ｃ）参照）を配線抵抗５
に接続するためのコンタクトホールを形成する。次に、
シリコンウェハ１’の主表面側の全面にコンタクトホー
ルが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる金属層を
堆積させ、該金属層をパターニングすることによって電
極９を形成することにより、図７（ｃ）に示す構造が得
られる。
後、シリコン窒化膜６ｂをマスクとして、８０℃程度の
水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ１’を異
方性エッチングして凹所１ａを設けることによりダイア
フラム部８を形成する。その後、シリコンウェハ１’の
裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂ
を除去する。次に、シリコンウェハ１’の主表面側にて
後に形成される電極９（図７（ｃ）参照）を配線抵抗５
に接続するためのコンタクトホールを形成する。次に、
シリコンウェハ１’の主表面側の全面にコンタクトホー
ルが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる金属層を
堆積させ、該金属層をパターニングすることによって電
極９を形成することにより、図７（ｃ）に示す構造が得
られる。
【００６３】次に、シリコンウェハ１’の裏面側に、支
持用のシリコンウェハ４０’が陽極接合されたガラス基
板３０’を陽極接合することにより、図７（ｄ）に示す
構造が得られる。ここにおいて、ガラス基板３０’とし
ては両面研磨したものが用いられており、該ガラス基板
３０’の一表面上にフォトレジスト層を塗布形成して該
フォトレジスト層をパターニングし、該フォトレジスト
層をマスクとして例えばサンドブラスト法若しくは超音
波加工法によって厚み方向に貫通する開孔部３０ａを形
成した後で、図８に示すように圧力導入孔４０ｂが形成
されガラス基板３０’との対向面が鏡面処理された支持
用のシリコンウェハ４０’へ重ね合わせて該シリコンウ
ェハ４０’と陽極接合されている。また、該陽極接合の
後、支持用シリコンウェハ４０’の裏面側には、圧力導
入孔４２ｂが形成され且つシリコンウェハ４０’との対
向面が鏡面研磨処理された反り調整用ガラス基板４２’
を、各圧力導入孔３０ｂ，４０ｂ，４２ｂの位置が合う
ように重ね合わせた後に、陽極接合されている。また、
調整用ガラス基板４２’の裏面には、該裏面を粗面化処
理した後に、ダイボンディング用の金属膜４５をメタラ
イゼーションしてある。
持用のシリコンウェハ４０’が陽極接合されたガラス基
板３０’を陽極接合することにより、図７（ｄ）に示す
構造が得られる。ここにおいて、ガラス基板３０’とし
ては両面研磨したものが用いられており、該ガラス基板
３０’の一表面上にフォトレジスト層を塗布形成して該
フォトレジスト層をパターニングし、該フォトレジスト
層をマスクとして例えばサンドブラスト法若しくは超音
波加工法によって厚み方向に貫通する開孔部３０ａを形
成した後で、図８に示すように圧力導入孔４０ｂが形成
されガラス基板３０’との対向面が鏡面処理された支持
用のシリコンウェハ４０’へ重ね合わせて該シリコンウ
ェハ４０’と陽極接合されている。また、該陽極接合の
後、支持用シリコンウェハ４０’の裏面側には、圧力導
入孔４２ｂが形成され且つシリコンウェハ４０’との対
向面が鏡面研磨処理された反り調整用ガラス基板４２’
を、各圧力導入孔３０ｂ，４０ｂ，４２ｂの位置が合う
ように重ね合わせた後に、陽極接合されている。また、
調整用ガラス基板４２’の裏面には、該裏面を粗面化処
理した後に、ダイボンディング用の金属膜４５をメタラ
イゼーションしてある。
【００６４】図７（ｄ）に示す構造が得られた後、ダイ
シング工程にて個々のチップを切り出すことによりセン
サチップＣ（図７（ｄ）参照）が得られる。ここに、図
７（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り出された
第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’から切り出
されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ４０’か
ら切り出された第２の基板を示し、４２は反り調整用ガ
ラス基板５０’から切り出された反り調整用ガラス板を
示す。なお、このセンサチップＣは、裏面にダイボンデ
ィング用の金属膜４５が設けられているので、高圧用の
半導体圧力センサを実現することができる。
シング工程にて個々のチップを切り出すことによりセン
サチップＣ（図７（ｄ）参照）が得られる。ここに、図
７（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り出された
第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’から切り出
されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ４０’か
ら切り出された第２の基板を示し、４２は反り調整用ガ
ラス基板５０’から切り出された反り調整用ガラス板を
示す。なお、このセンサチップＣは、裏面にダイボンデ
ィング用の金属膜４５が設けられているので、高圧用の
半導体圧力センサを実現することができる。
【００６５】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１とガラス板３０の接合強度を高めることができる
とともに、生産性を高めることができ、しかも、ガラス
板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’より分
割された第２の基板４０が接合されているので、ガラス
板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分割さ
れた第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形とな
るから第１の基板１に生じる応力を低減することができ
て、第１の基板１に形成された圧力センシング用のデバ
イスの温度特性が改善され、高精度化を図ることができ
る。また、第２の基板４０の裏面には、反り調整用ガラ
ス板４２が陽極接合されているので、第１の基板１の反
りを低減することができ、第１の基板１に歪みが生じる
のを防ぐことができて、温度特性がより一層改善され、
高精度化を図ることができる。また、パッケージ（図示
せず）から第１の基板１への応力を緩和することができ
る。なお、本実施形態では、ガラス板３０と第２の基板
４０と反り調整用ガラス板４２と金属膜４５とで台座を
構成している。
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１とガラス板３０の接合強度を高めることができる
とともに、生産性を高めることができ、しかも、ガラス
板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’より分
割された第２の基板４０が接合されているので、ガラス
板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分割さ
れた第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形とな
るから第１の基板１に生じる応力を低減することができ
て、第１の基板１に形成された圧力センシング用のデバ
イスの温度特性が改善され、高精度化を図ることができ
る。また、第２の基板４０の裏面には、反り調整用ガラ
ス板４２が陽極接合されているので、第１の基板１の反
りを低減することができ、第１の基板１に歪みが生じる
のを防ぐことができて、温度特性がより一層改善され、
高精度化を図ることができる。また、パッケージ（図示
せず）から第１の基板１への応力を緩和することができ
る。なお、本実施形態では、ガラス板３０と第２の基板
４０と反り調整用ガラス板４２と金属膜４５とで台座を
構成している。
【００６６】ところで、上述の製造方法では、シリコン
ウェハ４０’とガラス基板３０’との陽極接合およびシ
リコンウェハ４０’と反り調整用ガラス基板４２との陽
極接合を別々に行なっているが、３枚を重ね合わせて、
ガラス基板３０’および反り調整ガラス基板４２を負極
とし、シリコンウェハ４０’を正極として、同時に陽極
接合してもよい。
ウェハ４０’とガラス基板３０’との陽極接合およびシ
リコンウェハ４０’と反り調整用ガラス基板４２との陽
極接合を別々に行なっているが、３枚を重ね合わせて、
ガラス基板３０’および反り調整ガラス基板４２を負極
とし、シリコンウェハ４０’を正極として、同時に陽極
接合してもよい。
【００６７】また、上述の製造方法では、シリコンウェ
ハ４０’の裏面に反り調整用ガラス基板４２’を陽極接
合していたが、反り調整用ガラス基板４２’を陽極接合
する代わりに、図９に示すようにシリコンウェハ４０’
の裏面側にシリコン酸化膜４３ｂを形成し、さらにシリ
コン窒化膜４４ｂを形成した後に、図１０に示すように
シリコンウェハ１’とガラス基板３０’とを陽極接合し
てもよい。この場合には、シリコン酸化膜４３ｂとシリ
コン窒化膜４４ｂとが積層された二層膜が設けられてい
ることにより、第１の基板１の反りを低減することがで
き、第１の基板１に歪みが生じるのを防ぐことができ
て、温度特性がより一層改善され、高精度化を図ること
ができる。なお、シリコン窒化膜４４ｂを設けずに、シ
リコン酸化膜４３ｂだけを設けるようにしてもよい。
ハ４０’の裏面に反り調整用ガラス基板４２’を陽極接
合していたが、反り調整用ガラス基板４２’を陽極接合
する代わりに、図９に示すようにシリコンウェハ４０’
の裏面側にシリコン酸化膜４３ｂを形成し、さらにシリ
コン窒化膜４４ｂを形成した後に、図１０に示すように
シリコンウェハ１’とガラス基板３０’とを陽極接合し
てもよい。この場合には、シリコン酸化膜４３ｂとシリ
コン窒化膜４４ｂとが積層された二層膜が設けられてい
ることにより、第１の基板１の反りを低減することがで
き、第１の基板１に歪みが生じるのを防ぐことができ
て、温度特性がより一層改善され、高精度化を図ること
ができる。なお、シリコン窒化膜４４ｂを設けずに、シ
リコン酸化膜４３ｂだけを設けるようにしてもよい。
【００６８】（実施形態４）本実施形態では、ゲージ圧
測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法に
ついて図１１および図１２を参照しながら説明する。
測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法に
ついて図１１および図１２を参照しながら説明する。
【００６９】まず、ｎ形のシリコンウェハ１’の主表面
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図１１（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗４（図１１（ｂ）参照）および
配線抵抗（拡散層配線）５（図１１（ｂ）参照）を形成
するために該フォトレジスト層をパターニングする。そ
の後、該パターニングされたフォトレジスト層をマスク
として、シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン酸化
膜２ａをドライエッチング技術によりパターニングす
る。次に、上記フォトレジスト層を除去した後、シリコ
ン酸化膜２ａをマスクとしてイオン注入によってシリコ
ンウェハ１’の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純
物３のプレデポジションを行うことにより、図１１
（ａ）に示す構造が得られる。
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図１１（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗４（図１１（ｂ）参照）および
配線抵抗（拡散層配線）５（図１１（ｂ）参照）を形成
するために該フォトレジスト層をパターニングする。そ
の後、該パターニングされたフォトレジスト層をマスク
として、シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン酸化
膜２ａをドライエッチング技術によりパターニングす
る。次に、上記フォトレジスト層を除去した後、シリコ
ン酸化膜２ａをマスクとしてイオン注入によってシリコ
ンウェハ１’の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純
物３のプレデポジションを行うことにより、図１１
（ａ）に示す構造が得られる。
【００７０】その後、シリコンウェハ１’の露出した主
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中でｐ形不純物３のド
ライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵抗４
および配線抵抗５を形成する。要するに、シリコンウェ
ハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシリコ
ン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここでは、ゲ
ージ抵抗４と配線抵抗５とを同時に形成しているが、シ
リコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパターニン
グ、エッチングの工程を繰り返すことにより別々に形成
してもよい。次に、シリコンウェハ１’の主表面側およ
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図１１（ｂ）参照）を形成し、シリコンウェハ１’の
裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図１１（ｂ）における
下）にフォトレジスト層７を塗布形成し、ダイアフラム
部８（図１１（ｃ）参照）を形成するために該フォトレ
ジスト層７をパターニングする。続いて、フォトレジス
ト層７をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側の
シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えば
ＲＩＥなどのドライエッチング技術によってパターニン
グすることにより、図１１（ｂ）に示す構造が得られ
る。
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中でｐ形不純物３のド
ライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵抗４
および配線抵抗５を形成する。要するに、シリコンウェ
ハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシリコ
ン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここでは、ゲ
ージ抵抗４と配線抵抗５とを同時に形成しているが、シ
リコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパターニン
グ、エッチングの工程を繰り返すことにより別々に形成
してもよい。次に、シリコンウェハ１’の主表面側およ
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図１１（ｂ）参照）を形成し、シリコンウェハ１’の
裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図１１（ｂ）における
下）にフォトレジスト層７を塗布形成し、ダイアフラム
部８（図１１（ｃ）参照）を形成するために該フォトレ
ジスト層７をパターニングする。続いて、フォトレジス
ト層７をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側の
シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えば
ＲＩＥなどのドライエッチング技術によってパターニン
グすることにより、図１１（ｂ）に示す構造が得られ
る。
【００７１】そして、上記フォトレジスト層７を除去し
た後、該パターニングされたシリコン窒化膜６ｂをマス
クとして、８０℃程度の水酸化カリウム水溶液を用いて
シリコンウェハ１’を異方性エッチングして凹所１ａを
設けることによりダイアフラム部８を形成する。その
後、シリコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ
およびシリコン酸化膜２ｂを除去する。次に、シリコン
ウェハ１’の主表面側にて後に形成される電極９（図１
１（ｃ）参照）を配線抵抗５に接続するためのコンタク
トホールを形成する。次に、シリコンウェハ１’の主表
面側の全面にコンタクトホールが埋め込まれるようにア
ルミニウムよりなる金属層を堆積させ、該金属層をパタ
ーニングすることによって電極９を形成することによ
り、図１１（ｃ）に示す構造が得られる。
た後、該パターニングされたシリコン窒化膜６ｂをマス
クとして、８０℃程度の水酸化カリウム水溶液を用いて
シリコンウェハ１’を異方性エッチングして凹所１ａを
設けることによりダイアフラム部８を形成する。その
後、シリコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ
およびシリコン酸化膜２ｂを除去する。次に、シリコン
ウェハ１’の主表面側にて後に形成される電極９（図１
１（ｃ）参照）を配線抵抗５に接続するためのコンタク
トホールを形成する。次に、シリコンウェハ１’の主表
面側の全面にコンタクトホールが埋め込まれるようにア
ルミニウムよりなる金属層を堆積させ、該金属層をパタ
ーニングすることによって電極９を形成することによ
り、図１１（ｃ）に示す構造が得られる。
【００７２】そして、シリコンウェハ１’とガラス基板
３０’と支持用のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせ
て、ガラス基板３０’を負極、各シリコンウェハ１’，
４０’それぞれを正極として陽極接合を行なうことによ
り、図１１（ｄ）に示す構造が得られる。
３０’と支持用のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせ
て、ガラス基板３０’を負極、各シリコンウェハ１’，
４０’それぞれを正極として陽極接合を行なうことによ
り、図１１（ｄ）に示す構造が得られる。
【００７３】ここにおいて、ガラス基板３０’としては
両面研磨したものが用いられており、該ガラス基板３
０’の一表面上にフォトレジスト層を塗布形成して該フ
ォトレジスト層をパターニングし、該フォトレジスト層
をマスクとして例えばサンドブラスト法若しくは超音波
加工法によって厚み方向に貫通する圧力導入孔３０ｂを
形成してある。また、支持用のシリコンウェハ４０’
は、図１２（ａ）に示すように、主表面側および裏面側
それぞれの全面にシリコン酸化膜４３ａ，４３ｂを形成
し、さらにシリコン窒化膜４４ａ，４４ｂを形成した
後、主表面側のシリコン窒化膜４４ａ上にフォトレジス
ト層４７を塗布形成し、シリコンウェハ４０’の主表面
に窪み４１（図１２（ｂ）および図１１（ｄ）参照）を
形成するために該フォトレジスト層４７をパターニング
し、フォトレジスト層４７をマスクとして、シリコンウ
ェハ４０’の主表面側のシリコン窒化膜４４ａおよびシ
リコン酸化膜４３ａを例えばＲＩＥなどのドライエッチ
ング技術によってエッチングする。そして、フォトレジ
スト層４７を除去した後、８０℃程度の水酸化カリウム
水溶液中で該シリコンウェハ４０’を異方性エッチング
することにより、窪み４１を形成し、その後、シリコン
ウェハ４０’の主表面上にフォトレジスト層を塗布形成
して該フォトレジスト層をパターニングし、該フォトレ
ジスト層をマスクとして例えばサンドブラスト法若しく
は超音波加工法によって厚み方向に貫通する圧力導入孔
４０ｂを形成し、さらにその後、シリコンウェハ４０’
の裏面側にダイボンディング用の金属膜４５をメタライ
ゼーションすることにより、図１２（ｂ）に示す構造を
得ている。
両面研磨したものが用いられており、該ガラス基板３
０’の一表面上にフォトレジスト層を塗布形成して該フ
ォトレジスト層をパターニングし、該フォトレジスト層
をマスクとして例えばサンドブラスト法若しくは超音波
加工法によって厚み方向に貫通する圧力導入孔３０ｂを
形成してある。また、支持用のシリコンウェハ４０’
は、図１２（ａ）に示すように、主表面側および裏面側
それぞれの全面にシリコン酸化膜４３ａ，４３ｂを形成
し、さらにシリコン窒化膜４４ａ，４４ｂを形成した
後、主表面側のシリコン窒化膜４４ａ上にフォトレジス
ト層４７を塗布形成し、シリコンウェハ４０’の主表面
に窪み４１（図１２（ｂ）および図１１（ｄ）参照）を
形成するために該フォトレジスト層４７をパターニング
し、フォトレジスト層４７をマスクとして、シリコンウ
ェハ４０’の主表面側のシリコン窒化膜４４ａおよびシ
リコン酸化膜４３ａを例えばＲＩＥなどのドライエッチ
ング技術によってエッチングする。そして、フォトレジ
スト層４７を除去した後、８０℃程度の水酸化カリウム
水溶液中で該シリコンウェハ４０’を異方性エッチング
することにより、窪み４１を形成し、その後、シリコン
ウェハ４０’の主表面上にフォトレジスト層を塗布形成
して該フォトレジスト層をパターニングし、該フォトレ
ジスト層をマスクとして例えばサンドブラスト法若しく
は超音波加工法によって厚み方向に貫通する圧力導入孔
４０ｂを形成し、さらにその後、シリコンウェハ４０’
の裏面側にダイボンディング用の金属膜４５をメタライ
ゼーションすることにより、図１２（ｂ）に示す構造を
得ている。
【００７４】図１１（ｄ）に示す構造が得られた後、ダ
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図１１（ｄ）参照）が得られる。ここ
に、図１１（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示す。なお、この
センサチップＣは、裏面にダイボンディング用の金属膜
４５が設けられているので、高圧用の半導体圧力センサ
を実現することができる。
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図１１（ｄ）参照）が得られる。ここ
に、図１１（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示す。なお、この
センサチップＣは、裏面にダイボンディング用の金属膜
４５が設けられているので、高圧用の半導体圧力センサ
を実現することができる。
【００７５】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１とガラス板３０の接合強度を高めることができる
とともに、生産性を高めることができ、しかも、ガラス
板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’より分
割された第２の基板４０が接合されているので、ガラス
板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分割さ
れた第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形とな
るから第１の基板１に生じる応力を低減することができ
て、第１の基板１に形成された圧力センシング用のデバ
イスの温度特性が改善され、高精度化を図ることができ
る。また、パッケージ（図示せず）からの第１の基板１
への応力を緩和することができる。また、第２の基板４
０におけるガラス板３０との接合面に、接合に伴う応力
を緩和する窪み４１が形成されているので、第１の基板
１の反りを低減することができ、第１の基板１に歪みが
生じるのを防ぐことができて、温度特性がより一層改善
され、高精度化を図ることができる。
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１とガラス板３０の接合強度を高めることができる
とともに、生産性を高めることができ、しかも、ガラス
板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’より分
割された第２の基板４０が接合されているので、ガラス
板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分割さ
れた第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形とな
るから第１の基板１に生じる応力を低減することができ
て、第１の基板１に形成された圧力センシング用のデバ
イスの温度特性が改善され、高精度化を図ることができ
る。また、パッケージ（図示せず）からの第１の基板１
への応力を緩和することができる。また、第２の基板４
０におけるガラス板３０との接合面に、接合に伴う応力
を緩和する窪み４１が形成されているので、第１の基板
１の反りを低減することができ、第１の基板１に歪みが
生じるのを防ぐことができて、温度特性がより一層改善
され、高精度化を図ることができる。
【００７６】（実施形態５）本実施形態では、半導体圧
力センサのセンサチップの製造方法について図１３およ
び図１４を参照しながら説明する。
力センサのセンサチップの製造方法について図１３およ
び図１４を参照しながら説明する。
【００７７】まず、ｎ形のシリコンウェハ１’の主表面
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図１３（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗４（図１３（ｂ）参照）および
配線抵抗（拡散層配線）５（図１３（ｂ）参照）を形成
するために該フォトレジスト層をパターニングする。そ
の後、該パターニングされたフォトレジスト層をマスク
として、シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン酸化
膜２ａをドライエッチング技術によりパターニングす
る。次に、上記フォトレジスト層を除去した後、シリコ
ン酸化膜２ａをマスクとしてイオン注入によってシリコ
ンウェハ１’の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純
物３のプレデポジションを行うことにより、図１３
（ａ）に示す構造が得られる。
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図１３（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗４（図１３（ｂ）参照）および
配線抵抗（拡散層配線）５（図１３（ｂ）参照）を形成
するために該フォトレジスト層をパターニングする。そ
の後、該パターニングされたフォトレジスト層をマスク
として、シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン酸化
膜２ａをドライエッチング技術によりパターニングす
る。次に、上記フォトレジスト層を除去した後、シリコ
ン酸化膜２ａをマスクとしてイオン注入によってシリコ
ンウェハ１’の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純
物３のプレデポジションを行うことにより、図１３
（ａ）に示す構造が得られる。
【００７８】その後、シリコンウェハ１’の露出した主
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗４および配線抵抗５を形成する。要するに、シリコン
ウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシ
リコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗４と配線抵抗５とを同時に形成している
が、シリコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパター
ニング、エッチングの工程を繰り返すことにより別々に
形成してもよい。
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗４および配線抵抗５を形成する。要するに、シリコン
ウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａとシ
リコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗４と配線抵抗５とを同時に形成している
が、シリコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパター
ニング、エッチングの工程を繰り返すことにより別々に
形成してもよい。
【００７９】次に、シリコンウェハ１’の主表面側およ
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図１３（ｂ）参照）を形成し、シリコンウェハ１’の
裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図１３（ｂ）における
下）にフォトレジスト層７を塗布形成し、ダイアフラム
部８（図１３（ｃ）参照）を形成するために該フォトレ
ジスト層７をパターニングする。続いて、フォトレジス
ト層７をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側の
シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えば
ＲＩＥなどのドライエッチング技術によってパターニン
グすることにより、図１３（ｂ）に示す構造が得られ
る。
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図１３（ｂ）参照）を形成し、シリコンウェハ１’の
裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図１３（ｂ）における
下）にフォトレジスト層７を塗布形成し、ダイアフラム
部８（図１３（ｃ）参照）を形成するために該フォトレ
ジスト層７をパターニングする。続いて、フォトレジス
ト層７をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側の
シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えば
ＲＩＥなどのドライエッチング技術によってパターニン
グすることにより、図１３（ｂ）に示す構造が得られ
る。
【００８０】そして、上記フォトレジスト層７を除去し
た後、シリコン窒化膜６ｂをマスクとして、８０℃程度
の水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ１’を
異方性エッチングして凹所１ａを設けることによりダイ
アフラム部８を形成する。その後、シリコンウェハ１’
の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２
ｂを除去する。次に、シリコンウェハ１’の主表面側に
て後に形成される電極９（図１３（ｃ）参照）を配線抵
抗５に接続するためのコンタクトホールを形成する。次
に、シリコンウェハ１’の主表面側の全面にコンタクト
ホールが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる金属
層を堆積させ、該金属層をパターニングすることによっ
て電極９を形成することにより、図１３（ｃ）に示す構
造が得られる。
た後、シリコン窒化膜６ｂをマスクとして、８０℃程度
の水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ１’を
異方性エッチングして凹所１ａを設けることによりダイ
アフラム部８を形成する。その後、シリコンウェハ１’
の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２
ｂを除去する。次に、シリコンウェハ１’の主表面側に
て後に形成される電極９（図１３（ｃ）参照）を配線抵
抗５に接続するためのコンタクトホールを形成する。次
に、シリコンウェハ１’の主表面側の全面にコンタクト
ホールが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる金属
層を堆積させ、該金属層をパターニングすることによっ
て電極９を形成することにより、図１３（ｃ）に示す構
造が得られる。
【００８１】そして、シリコンウェハ１’とガラス基板
３０’と支持用のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせ
て、ガラス基板３０’を負極、各シリコンウェハ１’，
４０’それぞれを正極として陽極接合を行なうことによ
り、図１３（ｄ）に示す構造が得られる。ここにおい
て、ガラス基板３０’は、圧力導入孔３０ｂが貫設さ
れ、圧力導入孔３０ｂの開口周辺にダイアフラム部８側
へ突出したストッパ部３３を有している。この開孔部３
０ｂおよびストッパ部３３を形成するには、まず、図１
４（ａ）に示すように、両面研磨されたガラス基板３
０’の一表面上にフォトレジスト層３５を塗布形成し、
ストッパ部３３を形成するために該フォトレジスト層３
５をパターニングする。その後、該パターニングされた
フォトレジスト層３５をマスクとして、サンドブラスト
法で加工（ざぐり加工）を行なうことによりストッパ部
３３を形成した後、上記フォトレジスト層３５を除去
し、ガラス基板３０’のストッパ部３３が形成された側
の面上にフォトレジスト層３６を塗布形成し、圧力導入
孔３０ｂを形成するために該フォトレジスト層３６をパ
ターニングすることにより、図１４（ｂ）に示す構造が
得られる。その後、該パターニングされたフォトレジス
ト層３６をマスクとしてサンドブラスト法によって圧力
導入孔３０ｂを形成し、続いて、フォトレジスト層３６
を除去することにより、図１４（ｃ）に示す構造が得ら
れる。一方、支持用のシリコンウェハ４０’は、圧力導
入孔４０ｂが形成され、裏面にはダイボンディング用の
金属膜４５が形成されている。
３０’と支持用のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせ
て、ガラス基板３０’を負極、各シリコンウェハ１’，
４０’それぞれを正極として陽極接合を行なうことによ
り、図１３（ｄ）に示す構造が得られる。ここにおい
て、ガラス基板３０’は、圧力導入孔３０ｂが貫設さ
れ、圧力導入孔３０ｂの開口周辺にダイアフラム部８側
へ突出したストッパ部３３を有している。この開孔部３
０ｂおよびストッパ部３３を形成するには、まず、図１
４（ａ）に示すように、両面研磨されたガラス基板３
０’の一表面上にフォトレジスト層３５を塗布形成し、
ストッパ部３３を形成するために該フォトレジスト層３
５をパターニングする。その後、該パターニングされた
フォトレジスト層３５をマスクとして、サンドブラスト
法で加工（ざぐり加工）を行なうことによりストッパ部
３３を形成した後、上記フォトレジスト層３５を除去
し、ガラス基板３０’のストッパ部３３が形成された側
の面上にフォトレジスト層３６を塗布形成し、圧力導入
孔３０ｂを形成するために該フォトレジスト層３６をパ
ターニングすることにより、図１４（ｂ）に示す構造が
得られる。その後、該パターニングされたフォトレジス
ト層３６をマスクとしてサンドブラスト法によって圧力
導入孔３０ｂを形成し、続いて、フォトレジスト層３６
を除去することにより、図１４（ｃ）に示す構造が得ら
れる。一方、支持用のシリコンウェハ４０’は、圧力導
入孔４０ｂが形成され、裏面にはダイボンディング用の
金属膜４５が形成されている。
【００８２】図１３（ｄ）に示す構造が得られた後、ダ
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図１３（ｄ）参照）が得られる。ここ
に、図１３（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示す。なお、この
センサチップＣは、裏面にダイボンディング用の金属膜
４５が設けられているので、高圧用の半導体圧力センサ
を実現することができる。
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図１３（ｄ）参照）が得られる。ここ
に、図１３（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示す。なお、この
センサチップＣは、裏面にダイボンディング用の金属膜
４５が設けられているので、高圧用の半導体圧力センサ
を実現することができる。
【００８３】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１とガラス板３０の接合強度を高めることができる
とともに、生産性を高めることができ、しかも、ガラス
板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’より分
割された第２の基板４０が接合されているので、ガラス
板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分割さ
れた第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形とな
るから第１の基板１に生じる応力を低減することができ
て、第１の基板１に形成された圧力センシング用のデバ
イスの温度特性が改善され、高精度化を図ることができ
る。また、パッケージ（図示せず）から第１の基板１へ
の応力を緩和することができる。また、ガラス板３０’
にはダイアフラム部８側へ突出したストッパ部３３が形
成されているので、ダイアフラム部８へ過大な圧力が印
加されたときにダイアフラム部８の変形量がストッパ部
３３により規制されるから、ダイアフラム部８の破損を
防止することができる。
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１とガラス板３０の接合強度を高めることができる
とともに、生産性を高めることができ、しかも、ガラス
板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’より分
割された第２の基板４０が接合されているので、ガラス
板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分割さ
れた第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形とな
るから第１の基板１に生じる応力を低減することができ
て、第１の基板１に形成された圧力センシング用のデバ
イスの温度特性が改善され、高精度化を図ることができ
る。また、パッケージ（図示せず）から第１の基板１へ
の応力を緩和することができる。また、ガラス板３０’
にはダイアフラム部８側へ突出したストッパ部３３が形
成されているので、ダイアフラム部８へ過大な圧力が印
加されたときにダイアフラム部８の変形量がストッパ部
３３により規制されるから、ダイアフラム部８の破損を
防止することができる。
【００８４】（実施形態６）本実施形態では、静電容量
出力型の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法に
ついて図１５ないし図１７を参照しながら説明する。
出力型の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法に
ついて図１５ないし図１７を参照しながら説明する。
【００８５】まず、ｎ形のシリコンウェハ１’の主表面
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図１５（ａ）参照）を形成し、その後、シリコンウェ
ハ１’の主表面側および裏面側それぞれの全面にシリコ
ン窒化膜６ａ，６ｂ（図１５（ａ）参照）を形成し、シ
リコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図
１５（ａ）における下）にフォトレジスト層７を塗布形
成し、ダイアフラム部５１（図１５（ｂ）参照）を形成
するために該フォトレジスト層７をパターニングする。
続いて、フォトレジスト層７をマスクとして、シリコン
ウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコ
ン酸化膜２ｂを例えばＲＩＥなどのドライエッチング技
術によってパターニングすることにより、図１５（ａ）
に示す構造が得られる。
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図１５（ａ）参照）を形成し、その後、シリコンウェ
ハ１’の主表面側および裏面側それぞれの全面にシリコ
ン窒化膜６ａ，６ｂ（図１５（ａ）参照）を形成し、シ
リコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図
１５（ａ）における下）にフォトレジスト層７を塗布形
成し、ダイアフラム部５１（図１５（ｂ）参照）を形成
するために該フォトレジスト層７をパターニングする。
続いて、フォトレジスト層７をマスクとして、シリコン
ウェハ１’の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコ
ン酸化膜２ｂを例えばＲＩＥなどのドライエッチング技
術によってパターニングすることにより、図１５（ａ）
に示す構造が得られる。
【００８６】そして、該フォトレジスト層７を除去した
後、シリコン窒化膜６ｂをマスクとして、８０℃程度の
水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ１’を異
方性エッチングして凹所５４を設けることによりダイア
フラム部５１、重り部５２、ダイアフラム部５１を介し
て重り部５２を支持する支持部５３を形成する。その
後、シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン窒化膜６
ａ上にフォトレジスト層４８を塗布形成し、ダイアフラ
ム部５１の一部へ拡散層配線５５（図１５（ｃ）参照）
を形成するために該フォトレジスト層４８をパターニン
グする。その後、フォトレジスト層４８をマスクとし
て、シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン窒化膜６
ａおよびシリコン酸化膜２ａをドライエッチング技術に
よりパターニングし、続いて、イオン注入によってシリ
コンウェハ１’の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不
純物３のプレデポジションを行うことにより、図１５
（ｂ）に示す構造が得られる。
後、シリコン窒化膜６ｂをマスクとして、８０℃程度の
水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ１’を異
方性エッチングして凹所５４を設けることによりダイア
フラム部５１、重り部５２、ダイアフラム部５１を介し
て重り部５２を支持する支持部５３を形成する。その
後、シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン窒化膜６
ａ上にフォトレジスト層４８を塗布形成し、ダイアフラ
ム部５１の一部へ拡散層配線５５（図１５（ｃ）参照）
を形成するために該フォトレジスト層４８をパターニン
グする。その後、フォトレジスト層４８をマスクとし
て、シリコンウェハ１’の主表面側のシリコン窒化膜６
ａおよびシリコン酸化膜２ａをドライエッチング技術に
よりパターニングし、続いて、イオン注入によってシリ
コンウェハ１’の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不
純物３のプレデポジションを行うことにより、図１５
（ｂ）に示す構造が得られる。
【００８７】その後、フォトレジスト層４８を除去し、
さらに、シリコンウェハ１’に形成されていたシリコン
酸化膜２ａ，２ｂおよびシリコン窒化膜６ａ，６ｂを除
去する。次に、シリコンウェハ１’の主表面側および裏
面側の全面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜５６ａ，
５６ｂをＯ２雰囲気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で
上記ｐ形不純物３のドライブ（活性化処理）を行うこと
によって拡散層配線５５を形成することにより、図１５
（ｃ）に示す構造が得られる。なお、拡散層配線５５は
シリコンウェハ１’のダイアフラム部５１の主表面から
裏面にわたって形成されている。
さらに、シリコンウェハ１’に形成されていたシリコン
酸化膜２ａ，２ｂおよびシリコン窒化膜６ａ，６ｂを除
去する。次に、シリコンウェハ１’の主表面側および裏
面側の全面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜５６ａ，
５６ｂをＯ２雰囲気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で
上記ｐ形不純物３のドライブ（活性化処理）を行うこと
によって拡散層配線５５を形成することにより、図１５
（ｃ）に示す構造が得られる。なお、拡散層配線５５は
シリコンウェハ１’のダイアフラム部５１の主表面から
裏面にわたって形成されている。
【００８８】その後、シリコンウェハ１’の裏面側にフ
ォトレジスト層５７を塗布形成し、拡散層配線５５へ後
に形成される電極５８ａ（図１６（ａ）参照）を接続す
るためのコンタクトホール５６ｃを形成するために該フ
ォトレジスト層５７をパターニングすることにより、図
１５（ｄ）に示す構造が得られる。
ォトレジスト層５７を塗布形成し、拡散層配線５５へ後
に形成される電極５８ａ（図１６（ａ）参照）を接続す
るためのコンタクトホール５６ｃを形成するために該フ
ォトレジスト層５７をパターニングすることにより、図
１５（ｄ）に示す構造が得られる。
【００８９】次に、該パターニングされたフォトレジス
ト層５７をマスクとして、ダイアフラム部５１の裏面側
に形成されたシリコン酸化膜５６ｂをエッチングするこ
とによりコンタクトホール５６ｃを形成する。次に、フ
ォトレジスト層５７を除去した後、シリコンウェハ１’
の裏面側の全面にコンタクトホール５６ｃが埋め込まれ
るようにアルミニウムよりなる金属層５８を堆積させ、
さらにシリコンウェハ１’の裏面側にフォトレジスト層
５９を塗布形成し、金属層５８の一部よりなる上記電極
５８ａを形成するために該フォトレジスト層５９をパタ
ーニングすることにより、図１５（ｅ）に示す構造が得
られる。
ト層５７をマスクとして、ダイアフラム部５１の裏面側
に形成されたシリコン酸化膜５６ｂをエッチングするこ
とによりコンタクトホール５６ｃを形成する。次に、フ
ォトレジスト層５７を除去した後、シリコンウェハ１’
の裏面側の全面にコンタクトホール５６ｃが埋め込まれ
るようにアルミニウムよりなる金属層５８を堆積させ、
さらにシリコンウェハ１’の裏面側にフォトレジスト層
５９を塗布形成し、金属層５８の一部よりなる上記電極
５８ａを形成するために該フォトレジスト層５９をパタ
ーニングすることにより、図１５（ｅ）に示す構造が得
られる。
【００９０】その後、フォトレジスト層５９をマスクと
して、金属層５８をエッチングして上記電極５８ａおよ
び電極５８ａと拡散層配線５５との間を接続する金属配
線５８ｂを形成し、続いて、フォトレジスト層５９を除
去することにより、図１６（ａ）に示す構造が得られ
る。
して、金属層５８をエッチングして上記電極５８ａおよ
び電極５８ａと拡散層配線５５との間を接続する金属配
線５８ｂを形成し、続いて、フォトレジスト層５９を除
去することにより、図１６（ａ）に示す構造が得られ
る。
【００９１】次に、シリコンウェハ１’の主表面側のシ
リコン酸化膜５６ａ上にフォトレジスト層（図示せず）
を塗布形成し、該フォトレジスト層をパターニングする
ことによってアルミニウムよりなるパッド２６（図１６
（ｂ）参照）を拡散層配線５５に接続するためのコンタ
クトホール５６ｄを形成する。次に、シリコンウェハ
１’の主表面側の全面にコンタクトホール５６ｄが埋め
込まれるようにアルミニウムよりなる金属層を堆積さ
せ、該金属層をパターニングすることによってパッド２
６を形成する。さらにその後、シリコンウェハ１’と、
重り部５２およびダイアフラム部５１に対応する部位に
開孔部３０ａが形成されたガラス基板３０’と、上記電
極５８に対向配置される電極６７ａが形成された支持用
のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせて、ガラス基板
３０’を負極、各シリコンウェハ１’，４０’それぞれ
を正極として陽極接合を行なうことにより、図１６
（ｂ）に示す構造が得られる。
リコン酸化膜５６ａ上にフォトレジスト層（図示せず）
を塗布形成し、該フォトレジスト層をパターニングする
ことによってアルミニウムよりなるパッド２６（図１６
（ｂ）参照）を拡散層配線５５に接続するためのコンタ
クトホール５６ｄを形成する。次に、シリコンウェハ
１’の主表面側の全面にコンタクトホール５６ｄが埋め
込まれるようにアルミニウムよりなる金属層を堆積さ
せ、該金属層をパターニングすることによってパッド２
６を形成する。さらにその後、シリコンウェハ１’と、
重り部５２およびダイアフラム部５１に対応する部位に
開孔部３０ａが形成されたガラス基板３０’と、上記電
極５８に対向配置される電極６７ａが形成された支持用
のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせて、ガラス基板
３０’を負極、各シリコンウェハ１’，４０’それぞれ
を正極として陽極接合を行なうことにより、図１６
（ｂ）に示す構造が得られる。
【００９２】ここで、陽極接合以前のシリコンウェハ４
０’のプロセスについて説明する。
０’のプロセスについて説明する。
【００９３】まず、ｎ形のシリコンウェハ４０’の主表
面および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜６２ａ，
６２ｂ（図１７（ａ）参照）を形成し、その後、シリコ
ンウェハ１’の主表面側のシリコン酸化膜６２ａ上にフ
ォトレジスト層６３を塗布形成し、後に形成される電極
６７ａに接続される拡散層配線６５（図１７（ｂ）参
照）を形成するためにフォトレジスト層６３をパターニ
ングし、続いて、イオン注入によってシリコンウェハ４
０’の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純物３のプ
レデポジションを行うことにより、図１７（ａ）に示す
構造が得られる。
面および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜６２ａ，
６２ｂ（図１７（ａ）参照）を形成し、その後、シリコ
ンウェハ１’の主表面側のシリコン酸化膜６２ａ上にフ
ォトレジスト層６３を塗布形成し、後に形成される電極
６７ａに接続される拡散層配線６５（図１７（ｂ）参
照）を形成するためにフォトレジスト層６３をパターニ
ングし、続いて、イオン注入によってシリコンウェハ４
０’の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純物３のプ
レデポジションを行うことにより、図１７（ａ）に示す
構造が得られる。
【００９４】その後、フォトレジスト層６３を除去し、
シリコンウェハ４０’の露出した主表面に熱酸化膜より
なるシリコン酸化膜６２ｃをＯ２雰囲気中で形成し、続
いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３のドライブ（活性
化処理）を行うことによって配線抵抗６５を形成するこ
とにより、図１７（ｂ）に示す構造が得られる。
シリコンウェハ４０’の露出した主表面に熱酸化膜より
なるシリコン酸化膜６２ｃをＯ２雰囲気中で形成し、続
いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３のドライブ（活性
化処理）を行うことによって配線抵抗６５を形成するこ
とにより、図１７（ｂ）に示す構造が得られる。
【００９５】次に、シリコンウェハ４０’の主表面側お
よび裏面側のシリコン酸化膜６２ａ，６２ｂをエッチン
グした後、シリコンウェハ４０’の主表面側にシリコン
酸化膜６４を形成する。その後、シリコン酸化膜６４上
にフォトレジスト層６５を塗布形成し、続いて、後述の
コンタクトホール６４ｃ，６４ｄ（図１７（ｄ）参照）
を設けるために該フォトレジスト層６５をパターニング
することにより、図１７（ｃ）に示す構造が得られる。
よび裏面側のシリコン酸化膜６２ａ，６２ｂをエッチン
グした後、シリコンウェハ４０’の主表面側にシリコン
酸化膜６４を形成する。その後、シリコン酸化膜６４上
にフォトレジスト層６５を塗布形成し、続いて、後述の
コンタクトホール６４ｃ，６４ｄ（図１７（ｄ）参照）
を設けるために該フォトレジスト層６５をパターニング
することにより、図１７（ｃ）に示す構造が得られる。
【００９６】さらにその後、フォトレジスト層６５をマ
スクとして、シリコン酸化膜６４をＲＩＥなどによって
エッチングすることによりコンタクトホール６４ｃ，６
４ｄを形成する。次に、上記フォトレジスト層６５を除
去した後、シリコンウェハ４０’の主表面側の全面にコ
ンタクトホール６４ｃ，６４ｄが埋め込まれるようにア
ルミニウムよりなる金属層６７を堆積させ、さらにシリ
コンウェハ４０’の主表面側にフォトレジスト層６８を
塗布形成し、それぞれ金属層６７の一部よりなる上記電
極６７ａ（図１７（ｅ）参照）およびパッド６７ｂ（図
１７（ｅ）参照）を形成するために該フォトレジスト層
６８をパターニングすることにより、図１７（ｄ）に示
す構造が得られる。
スクとして、シリコン酸化膜６４をＲＩＥなどによって
エッチングすることによりコンタクトホール６４ｃ，６
４ｄを形成する。次に、上記フォトレジスト層６５を除
去した後、シリコンウェハ４０’の主表面側の全面にコ
ンタクトホール６４ｃ，６４ｄが埋め込まれるようにア
ルミニウムよりなる金属層６７を堆積させ、さらにシリ
コンウェハ４０’の主表面側にフォトレジスト層６８を
塗布形成し、それぞれ金属層６７の一部よりなる上記電
極６７ａ（図１７（ｅ）参照）およびパッド６７ｂ（図
１７（ｅ）参照）を形成するために該フォトレジスト層
６８をパターニングすることにより、図１７（ｄ）に示
す構造が得られる。
【００９７】その後、フォトレジスト層６８をマスクと
して、金属層６７をエッチングし、続いて、フォトレジ
スト層６８を除去することにより、図１７（ｅ）に示す
構造が得られる。ここにおいて、電極６７ａおよびパッ
ド６７ｂは拡散層配線６５に接続されている。
して、金属層６７をエッチングし、続いて、フォトレジ
スト層６８を除去することにより、図１７（ｅ）に示す
構造が得られる。ここにおいて、電極６７ａおよびパッ
ド６７ｂは拡散層配線６５に接続されている。
【００９８】図１６（ｂ）に示す構造が得られた後、ダ
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図１６（ｂ）参照）が得られる。ここ
に、図１６（ｂ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示す。
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図１６（ｂ）参照）が得られる。ここ
に、図１６（ｂ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示す。
【００９９】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１および第２の基板４０とガラス板３０との接合強
度を高めることができるとともに、生産性を高めること
ができ、ガラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４
０’より分割された第１の基板１と第２の基板４０とで
挟まれた形となるから第１の基板１に生じる応力を低減
することができて、第１の基板１に形成されたデバイス
の温度特性が改善され、高精度化を図ることができる。
また、パッケージ（図示せず）から第１の基板１への応
力を緩和することができる。また、本実施形態では、ガ
ラス板３０の厚みによって、互いに対向する電極５８
ａ，６７ａとの間の距離を設定することができ、高精度
な静電容量型の半導体圧力センサを実現することができ
る。
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１および第２の基板４０とガラス板３０との接合強
度を高めることができるとともに、生産性を高めること
ができ、ガラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４
０’より分割された第１の基板１と第２の基板４０とで
挟まれた形となるから第１の基板１に生じる応力を低減
することができて、第１の基板１に形成されたデバイス
の温度特性が改善され、高精度化を図ることができる。
また、パッケージ（図示せず）から第１の基板１への応
力を緩和することができる。また、本実施形態では、ガ
ラス板３０の厚みによって、互いに対向する電極５８
ａ，６７ａとの間の距離を設定することができ、高精度
な静電容量型の半導体圧力センサを実現することができ
る。
【０１００】（実施形態７）本実施形態では、ゲージ圧
測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法に
ついて図１８および図１９を参照しながら説明する。
測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法に
ついて図１８および図１９を参照しながら説明する。
【０１０１】まず、支持用のシリコンウェハ４０’の鏡
面研磨処理された主表面上にフォトレジスト層４９を塗
布形成し、圧力導入孔４０ｂ（図１９参照）を形成する
ために該フォトレジスト層４９をパターニングすること
により、図１８（ａ）に示す構造が得られる。
面研磨処理された主表面上にフォトレジスト層４９を塗
布形成し、圧力導入孔４０ｂ（図１９参照）を形成する
ために該フォトレジスト層４９をパターニングすること
により、図１８（ａ）に示す構造が得られる。
【０１０２】その後、フォトレジスト層４９をマスクと
して、サンドブラスト法によってシリコンウェハ４０’
に圧力導入孔４０ｂを形成し、続いて、フォトレジスト
層４９を除去することにより、図１８（ｂ）に示す構造
が得られる。
して、サンドブラスト法によってシリコンウェハ４０’
に圧力導入孔４０ｂを形成し、続いて、フォトレジスト
層４９を除去することにより、図１８（ｂ）に示す構造
が得られる。
【０１０３】次に、両面研磨処理されたガラス基板３
０’と上述の圧力導入孔４０ｂを形成したシリコンウェ
ハ４０’とを重ね合わせ陽極接合することにより、図１
８（ｃ）に示す構造が得られる。
０’と上述の圧力導入孔４０ｂを形成したシリコンウェ
ハ４０’とを重ね合わせ陽極接合することにより、図１
８（ｃ）に示す構造が得られる。
【０１０４】さらにその後、図１８（ｄ）に示すよう
に、支持用冶具３７ａ，３７ｂを用いてシリコンウェハ
４０’がガラス基板３０’の上に位置するように支持
し、シリコンウェハ４０’に形成した上記圧力導入孔４
０ｂへ上方からエッチング液（例えばフッ化水素水溶
液）を流し込んでガラス基板３０’を選択的に（つま
り、ガラス基板３０’のエッチングレートは、シリコン
ウェハ４０’のエッチングレートよりも十分大きい）エ
ッチングすることによりガラス基板３０’へ圧力導入孔
３０ｂ（図１８（ｅ）参照）を形成する。言い換えれ
ば、シリコンウェハ４０’をマスクとして、圧力導入孔
３０ｂを形成している。したがって、ガラス基板３０’
に形成された圧力導入孔３０ｂとシリコンウェハ４０’
に形成された圧力導入孔４０ｂとの位置合わせ精度が向
上するので、生産性が向上するとともに低コスト化を図
ることができる。
に、支持用冶具３７ａ，３７ｂを用いてシリコンウェハ
４０’がガラス基板３０’の上に位置するように支持
し、シリコンウェハ４０’に形成した上記圧力導入孔４
０ｂへ上方からエッチング液（例えばフッ化水素水溶
液）を流し込んでガラス基板３０’を選択的に（つま
り、ガラス基板３０’のエッチングレートは、シリコン
ウェハ４０’のエッチングレートよりも十分大きい）エ
ッチングすることによりガラス基板３０’へ圧力導入孔
３０ｂ（図１８（ｅ）参照）を形成する。言い換えれ
ば、シリコンウェハ４０’をマスクとして、圧力導入孔
３０ｂを形成している。したがって、ガラス基板３０’
に形成された圧力導入孔３０ｂとシリコンウェハ４０’
に形成された圧力導入孔４０ｂとの位置合わせ精度が向
上するので、生産性が向上するとともに低コスト化を図
ることができる。
【０１０５】上述の圧力導入孔３０ｂを形成した後、支
持用冶具３７ａ，３７ｂから取り外し、ガラス基板３
０’がシリコンウェハ４０’の上に位置するように向き
を変えることにより、図１８（ｅ）に示す構造が得られ
る。
持用冶具３７ａ，３７ｂから取り外し、ガラス基板３
０’がシリコンウェハ４０’の上に位置するように向き
を変えることにより、図１８（ｅ）に示す構造が得られ
る。
【０１０６】次に、実施形態５における図１３（ａ）〜
（ｃ）の工程が終了したシリコンウェハ１’に形成され
た凹所１ａと上記ガラス基板３０’の圧力導入孔３０ｂ
との位置が合うように、シリコンウェハ１’とガラス基
板３０’とを重ね合わせ、シリコンウェハ１’とガラス
基板３０’とを陽極接合することにより、図１９に示す
構造が得られる。なお、実施形態５と同じ構成要素には
同一の符号を付してある。
（ｃ）の工程が終了したシリコンウェハ１’に形成され
た凹所１ａと上記ガラス基板３０’の圧力導入孔３０ｂ
との位置が合うように、シリコンウェハ１’とガラス基
板３０’とを重ね合わせ、シリコンウェハ１’とガラス
基板３０’とを陽極接合することにより、図１９に示す
構造が得られる。なお、実施形態５と同じ構成要素には
同一の符号を付してある。
【０１０７】図１９に示す構造が得られた後、ダイシン
グ工程にて個々のチップを切り出すことによりセンサチ
ップＣ（図１９参照）が得られる。ここに、図１９中の
１はシリコンウェハ１’から切り出された第１の基板を
示し、３０はガラス基板３０’から切り出されたガラス
板を示し、４０はシリコンウェハ４０’から切り出され
た第２の基板を示す。
グ工程にて個々のチップを切り出すことによりセンサチ
ップＣ（図１９参照）が得られる。ここに、図１９中の
１はシリコンウェハ１’から切り出された第１の基板を
示し、３０はガラス基板３０’から切り出されたガラス
板を示し、４０はシリコンウェハ４０’から切り出され
た第２の基板を示す。
【０１０８】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１および第２の基板４０とガラス板３０との接合強
度を高めることができるとともに、生産性を高めること
ができ、ガラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４
０’より分割された第１の基板１と第２の基板４０とで
挟まれた形となるから第１の基板１に生じる応力を低減
することができて、第１の基板１に形成された圧力セン
シング用のデバイスの温度特性が改善され、高精度化を
図ることができる。また、パッケージ（図示せず）から
第１の基板１への応力を緩和することができる。
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１および第２の基板４０とガラス板３０との接合強
度を高めることができるとともに、生産性を高めること
ができ、ガラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４
０’より分割された第１の基板１と第２の基板４０とで
挟まれた形となるから第１の基板１に生じる応力を低減
することができて、第１の基板１に形成された圧力セン
シング用のデバイスの温度特性が改善され、高精度化を
図ることができる。また、パッケージ（図示せず）から
第１の基板１への応力を緩和することができる。
【０１０９】（実施形態８）本実施形態では、半導体圧
力センサのセンサチップの製造方法について図２０ない
し図２２を参照しながら説明する。
力センサのセンサチップの製造方法について図２０ない
し図２２を参照しながら説明する。
【０１１０】まず、鏡面研磨処理した支持用のシリコン
ウェハ４０’の主表面および裏面それぞれの全面にシリ
コン酸化膜７２ａ，７２ｂ（図２０（ａ）参照）を形成
し、その後、シリコンウェハ４０’の主表面側および裏
面側それぞれの全面にシリコン窒化膜７３ａ，７３ｂを
形成することにより、図２０（ａ）に示す構造が得られ
る。
ウェハ４０’の主表面および裏面それぞれの全面にシリ
コン酸化膜７２ａ，７２ｂ（図２０（ａ）参照）を形成
し、その後、シリコンウェハ４０’の主表面側および裏
面側それぞれの全面にシリコン窒化膜７３ａ，７３ｂを
形成することにより、図２０（ａ）に示す構造が得られ
る。
【０１１１】その後、シリコンウェハ４０’の主表面側
のシリコン窒化膜７３ａ上にフォトレジスト層７４を塗
布形成し、シリコンウェハ４０’の主表面側に凹所４６
（図２２参照）を形成するために該フォトレジスト層７
４をパターニングする。続いて、該パターニングされた
フォトレジスト層７４をマスクとして、シリコンウェハ
４０’の主表面側のシリコン窒化膜７３ａおよびシリコ
ン酸化膜７２ａを例えばＲＩＥなどのドライエッチング
技術によってパターニングすることにより、図２０
（ｂ）に示す構造が得られる。
のシリコン窒化膜７３ａ上にフォトレジスト層７４を塗
布形成し、シリコンウェハ４０’の主表面側に凹所４６
（図２２参照）を形成するために該フォトレジスト層７
４をパターニングする。続いて、該パターニングされた
フォトレジスト層７４をマスクとして、シリコンウェハ
４０’の主表面側のシリコン窒化膜７３ａおよびシリコ
ン酸化膜７２ａを例えばＲＩＥなどのドライエッチング
技術によってパターニングすることにより、図２０
（ｂ）に示す構造が得られる。
【０１１２】そして、該フォトレジスト層７４を除去し
た後、シリコン窒化膜７３ａをマスクとして、８０℃程
度の水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ４
０’を異方性エッチングして上記凹所４６を形成するこ
とにより、図２０（ｃ）に示す構造が得られる。
た後、シリコン窒化膜７３ａをマスクとして、８０℃程
度の水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ４
０’を異方性エッチングして上記凹所４６を形成するこ
とにより、図２０（ｃ）に示す構造が得られる。
【０１１３】さらにその後、シリコンウェハ４０’に形
成されていたシリコン酸化膜７２ａ，７２ｂおよびシリ
コン窒化膜７３ａ，７３ｂを除去することにより、図２
０（ｄ）に示す構造が得られる。
成されていたシリコン酸化膜７２ａ，７２ｂおよびシリ
コン窒化膜７３ａ，７３ｂを除去することにより、図２
０（ｄ）に示す構造が得られる。
【０１１４】次に、上記凹所４６に対応する部位に開孔
部３０ａが形成されたガラス基板３０’と上記シリコン
ウェハ４０’とを、開孔部３０ａと凹所４６との位置が
合うように重ね合わせた後、陽極接合することにより、
図２０（ｅ）に示す構造が得られる。ここにおいて、ガ
ラス基板３０’は、ガラス基板３０’上にフォトレジス
ト層７５（図２１参照）を塗布形成した後、上記開孔部
３０ａを形成するために該フォトレジスト層７５をパタ
ーニングし、その後、フォトレジスト層７５をマスクと
してサンドブラスト法により開孔部３０ａを形成するこ
とにより、図２１に示す構造を得て、続いて、フォトレ
ジスト層７５を除去している。
部３０ａが形成されたガラス基板３０’と上記シリコン
ウェハ４０’とを、開孔部３０ａと凹所４６との位置が
合うように重ね合わせた後、陽極接合することにより、
図２０（ｅ）に示す構造が得られる。ここにおいて、ガ
ラス基板３０’は、ガラス基板３０’上にフォトレジス
ト層７５（図２１参照）を塗布形成した後、上記開孔部
３０ａを形成するために該フォトレジスト層７５をパタ
ーニングし、その後、フォトレジスト層７５をマスクと
してサンドブラスト法により開孔部３０ａを形成するこ
とにより、図２１に示す構造を得て、続いて、フォトレ
ジスト層７５を除去している。
【０１１５】図２０（ｅ）に示す構造が得られた後、実
施形態５における図１３（ａ）〜（ｃ）の工程が終了し
たシリコンウェハ１’に形成された凹所１ａとガラス基
板３０’の開孔部３０ａとの位置が合うように、シリコ
ンウェハ１’とガラス基板３０’とを重ね合わせた後、
シリコンウェハ１’とガラス基板３０’とを陽極接合す
ることにより、図２２に示す構造が得られる。なお、実
施形態５と同じ構成要素には同一の符号を付してある。
施形態５における図１３（ａ）〜（ｃ）の工程が終了し
たシリコンウェハ１’に形成された凹所１ａとガラス基
板３０’の開孔部３０ａとの位置が合うように、シリコ
ンウェハ１’とガラス基板３０’とを重ね合わせた後、
シリコンウェハ１’とガラス基板３０’とを陽極接合す
ることにより、図２２に示す構造が得られる。なお、実
施形態５と同じ構成要素には同一の符号を付してある。
【０１１６】図２２に示す構造が得られた後、ダイシン
グ工程にて個々のチップを切り出すことによりセンサチ
ップＣ（図２２参照）が得られる。ここに、図２２中の
１はシリコンウェハ１’から切り出された第１の基板を
示し、３０はガラス基板３０’から切り出されたガラス
板を示し、４０はシリコンウェハ４０’から切り出され
た第２の基板を示す。
グ工程にて個々のチップを切り出すことによりセンサチ
ップＣ（図２２参照）が得られる。ここに、図２２中の
１はシリコンウェハ１’から切り出された第１の基板を
示し、３０はガラス基板３０’から切り出されたガラス
板を示し、４０はシリコンウェハ４０’から切り出され
た第２の基板を示す。
【０１１７】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１および第２の基板４０とガラス板３０との接合強
度を高めることができるとともに、生産性を高めること
ができ、ガラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４
０’より分割された第１の基板１と第２の基板４０とで
挟まれた形となるから第１の基板１に生じる応力を低減
することができて、第１の基板１に形成されている圧力
センシング用のデバイスの温度特性が改善され、高精度
化を図ることができる。また、パッケージ（図示せず）
から第１の基板１への応力を緩和することができる。ま
た、上記支持用のシリコンウェハ４０’には、ガラス基
板３０’との接合面側に凹所４６が形成され、ガラス基
板３０’には、シリコンウェハ１’に形成された凹所１
ａおよびシリコンウェハ４０’に形成された凹所４６の
両方に連通する開孔部３０ａが貫設されているので、シ
リコンウェハ１’とガラス基板３０’とシリコンウェハ
４０’とを重ね合わせた際に内部に形成される空間の体
積を大きくすることができ、陽極接合時に発生する酸素
の分圧を低下させることができる。
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１および第２の基板４０とガラス板３０との接合強
度を高めることができるとともに、生産性を高めること
ができ、ガラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４
０’より分割された第１の基板１と第２の基板４０とで
挟まれた形となるから第１の基板１に生じる応力を低減
することができて、第１の基板１に形成されている圧力
センシング用のデバイスの温度特性が改善され、高精度
化を図ることができる。また、パッケージ（図示せず）
から第１の基板１への応力を緩和することができる。ま
た、上記支持用のシリコンウェハ４０’には、ガラス基
板３０’との接合面側に凹所４６が形成され、ガラス基
板３０’には、シリコンウェハ１’に形成された凹所１
ａおよびシリコンウェハ４０’に形成された凹所４６の
両方に連通する開孔部３０ａが貫設されているので、シ
リコンウェハ１’とガラス基板３０’とシリコンウェハ
４０’とを重ね合わせた際に内部に形成される空間の体
積を大きくすることができ、陽極接合時に発生する酸素
の分圧を低下させることができる。
【０１１８】（実施形態９）本実施形態では、差圧測定
用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法につい
て図２３ないし図２５を参照しながら説明する。
用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法につい
て図２３ないし図２５を参照しながら説明する。
【０１１９】まず、ｎ形のシリコンウェハ１’の主表面
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図２３（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗４（図２３（ｂ）参照）および
拡散層配線５（図２３（ｂ）参照）を形成するために該
フォトレジスト層をパターニングする。その後、上記フ
ォトレジスト層をマスクとして、シリコンウェハ１’の
主表面側のシリコン酸化膜２ａをドライエッチング技術
によりパターニングする。次に、フォトレジスト層を除
去し、その後、パターニングされたシリコン酸化膜２ａ
をマスクとしてイオン注入によってシリコンウェハ１’
の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純物３のプレデ
ポジションを行うことにより、図２３（ａ）に示す構造
が得られる。
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図２３（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗４（図２３（ｂ）参照）および
拡散層配線５（図２３（ｂ）参照）を形成するために該
フォトレジスト層をパターニングする。その後、上記フ
ォトレジスト層をマスクとして、シリコンウェハ１’の
主表面側のシリコン酸化膜２ａをドライエッチング技術
によりパターニングする。次に、フォトレジスト層を除
去し、その後、パターニングされたシリコン酸化膜２ａ
をマスクとしてイオン注入によってシリコンウェハ１’
の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純物３のプレデ
ポジションを行うことにより、図２３（ａ）に示す構造
が得られる。
【０１２０】その後、シリコンウェハ１’の露出した主
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗４および拡散層配線５を形成する。要するに、シリコ
ンウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａと
シリコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗４と拡散層配線５とを同時に形成してい
るが、シリコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパタ
ーニング、エッチングの工程を繰り返すことにより別々
に形成してもよい。
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗４および拡散層配線５を形成する。要するに、シリコ
ンウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａと
シリコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗４と拡散層配線５とを同時に形成してい
るが、シリコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパタ
ーニング、エッチングの工程を繰り返すことにより別々
に形成してもよい。
【０１２１】次に、シリコンウェハ１’の主表面側およ
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図２３（ｂ）参照）を形成することにより、図２３
（ｂ）に示す構造が得られる。
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図２３（ｂ）参照）を形成することにより、図２３
（ｂ）に示す構造が得られる。
【０１２２】次に、シリコンウェハ１’の裏面側のシリ
コン窒化膜６ｂ上（図２３（ｂ）における下）にフォト
レジスト層（図示せず）を塗布形成し、ダイアフラム部
８（図２３（ｃ）参照）を形成するために該フォトレジ
スト層をパターニングする。続いて、上記フォトレジス
ト層をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側のシ
リコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えばＲ
ＩＥなどのドライエッチング技術によってパターニング
し、該フォトレジスト層を除去した後、シリコン窒化膜
６ｂをマスクとして、８０℃程度の水酸化カリウム水溶
液を用いてシリコンウェハ１’を異方性エッチングして
凹所１ａを設けることによりダイアフラム部８を形成す
る。その後、シリコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒
化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを除去する。次に、
シリコンウェハ１’の主表面側にてアルミニウムよりな
る電極９（図２３（ｃ）参照）を拡散層配線５に接続す
るためのコンタクトホールを形成する。次に、シリコン
ウェハ１’の主表面側の全面にコンタクトホールが埋め
込まれるようにアルミニウムよりなる金属層を堆積さ
せ、該金属層をパターニングすることによって電極９お
よび接合用金属層２７を形成することにより、図２３
（ｃ）に示す構造が得られる。
コン窒化膜６ｂ上（図２３（ｂ）における下）にフォト
レジスト層（図示せず）を塗布形成し、ダイアフラム部
８（図２３（ｃ）参照）を形成するために該フォトレジ
スト層をパターニングする。続いて、上記フォトレジス
ト層をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側のシ
リコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えばＲ
ＩＥなどのドライエッチング技術によってパターニング
し、該フォトレジスト層を除去した後、シリコン窒化膜
６ｂをマスクとして、８０℃程度の水酸化カリウム水溶
液を用いてシリコンウェハ１’を異方性エッチングして
凹所１ａを設けることによりダイアフラム部８を形成す
る。その後、シリコンウェハ１’の裏面側のシリコン窒
化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを除去する。次に、
シリコンウェハ１’の主表面側にてアルミニウムよりな
る電極９（図２３（ｃ）参照）を拡散層配線５に接続す
るためのコンタクトホールを形成する。次に、シリコン
ウェハ１’の主表面側の全面にコンタクトホールが埋め
込まれるようにアルミニウムよりなる金属層を堆積さ
せ、該金属層をパターニングすることによって電極９お
よび接合用金属層２７を形成することにより、図２３
（ｃ）に示す構造が得られる。
【０１２３】そして、あらかじめシリコンウェハ４０’
が陽極接合されたガラス基板３０’と、シリコンウェハ
１’と、あらかじめシリコンウェハ６０’が陽極接合さ
れたガラス基板５０’とを重ね合わせて、各ガラス基板
３０’，５０’を負極、シリコンウェハ１’を正極とし
て陽極接合を行なうことにより、図２３（ｄ）に示す構
造が得られる。ここにおいて、ガラス基板３０’は、図
２４（ａ）に示すように、両面研磨されたガラス基板３
０’の一表面上にフォトレジスト層７６を塗布形成し、
圧力導入孔３０ｂを形成するために該フォトレジスト層
７６をパターニングする。その後、該パターニングされ
たフォトレジスト層７６をマスクとして、サンドブラス
ト法でガラス基板３０’に圧力導入孔３０ｂを形成し、
続いて、フォトレジスト層７６を除去することにより、
図２４（ｂ）に示す構造が得られる。ガラス基板５０’
についても同様にして圧力導入孔５０ｂ（図２３（ｄ）
参照）を形成している。また、支持用のシリコンウェハ
４０’は、図２５（ａ）に示すように、シリコンウェハ
４０’の一表面上にフォトレジスト層４９を塗布形成
し、圧力導入孔４０ｂを形成するために該フォトレジス
ト層４９をパターニングする。その後、該パターニング
されたフォトレジスト層４９をマスクとして、サンドブ
ラスト法でシリコンウェハ４０’に圧力導入孔４０ｂを
形成し、続いて、フォトレジスト層４９を除去すること
により、図２５（ｂ）に示す構造を得て、その後、圧力
導入孔４０ｂとガラス基板３０’の圧力導入孔３０ｂと
の位置が合うようにシリコンウェハ４０’とガラス基板
３０’とを重ね合わせた後、陽極接合することにより、
図２５（ｃ）に示す構造が得られる。なお、シリコンウ
ェハ６０’についてもシリコンウェハ４０’と同様にし
て圧力導入孔６０ｂ（図２３（ｄ）参照）が形成され、
ガラス基板５０’と陽極接合される。
が陽極接合されたガラス基板３０’と、シリコンウェハ
１’と、あらかじめシリコンウェハ６０’が陽極接合さ
れたガラス基板５０’とを重ね合わせて、各ガラス基板
３０’，５０’を負極、シリコンウェハ１’を正極とし
て陽極接合を行なうことにより、図２３（ｄ）に示す構
造が得られる。ここにおいて、ガラス基板３０’は、図
２４（ａ）に示すように、両面研磨されたガラス基板３
０’の一表面上にフォトレジスト層７６を塗布形成し、
圧力導入孔３０ｂを形成するために該フォトレジスト層
７６をパターニングする。その後、該パターニングされ
たフォトレジスト層７６をマスクとして、サンドブラス
ト法でガラス基板３０’に圧力導入孔３０ｂを形成し、
続いて、フォトレジスト層７６を除去することにより、
図２４（ｂ）に示す構造が得られる。ガラス基板５０’
についても同様にして圧力導入孔５０ｂ（図２３（ｄ）
参照）を形成している。また、支持用のシリコンウェハ
４０’は、図２５（ａ）に示すように、シリコンウェハ
４０’の一表面上にフォトレジスト層４９を塗布形成
し、圧力導入孔４０ｂを形成するために該フォトレジス
ト層４９をパターニングする。その後、該パターニング
されたフォトレジスト層４９をマスクとして、サンドブ
ラスト法でシリコンウェハ４０’に圧力導入孔４０ｂを
形成し、続いて、フォトレジスト層４９を除去すること
により、図２５（ｂ）に示す構造を得て、その後、圧力
導入孔４０ｂとガラス基板３０’の圧力導入孔３０ｂと
の位置が合うようにシリコンウェハ４０’とガラス基板
３０’とを重ね合わせた後、陽極接合することにより、
図２５（ｃ）に示す構造が得られる。なお、シリコンウ
ェハ６０’についてもシリコンウェハ４０’と同様にし
て圧力導入孔６０ｂ（図２３（ｄ）参照）が形成され、
ガラス基板５０’と陽極接合される。
【０１２４】図２３（ｄ）に示す構造が得られた後、ダ
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図２３（ｄ）参照）が得られる。ここ
に、図２３（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示し、５０はガラ
ス基板５０’から切り出されたスペーサ用ガラス板を示
し、６０はシリコンウェハ６０’から切り出された第３
の基板を示す。要するに、このセンサチップＣを用いて
差圧測定用の半導体圧力センサを実現することができ
る。
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図２３（ｄ）参照）が得られる。ここ
に、図２３（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示し、５０はガラ
ス基板５０’から切り出されたスペーサ用ガラス板を示
し、６０はシリコンウェハ６０’から切り出された第３
の基板を示す。要するに、このセンサチップＣを用いて
差圧測定用の半導体圧力センサを実現することができ
る。
【０１２５】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合すると
ともに、ガラス基板５０’とシリコンウェハ１’，６
０’とを陽極接合しているので、圧力センシング用のデ
バイスを形成した第１の基板１とガラス板３０およびガ
ラス板５０との接合強度を高めることができるととも
に、第１の基板１に形成されている圧力センシング用の
デバイスの温度特性を改善でき、さらに生産性を高める
ことができる。また、パッケージ（図示せず）から第１
の基板１への応力を緩和することができる。
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合すると
ともに、ガラス基板５０’とシリコンウェハ１’，６
０’とを陽極接合しているので、圧力センシング用のデ
バイスを形成した第１の基板１とガラス板３０およびガ
ラス板５０との接合強度を高めることができるととも
に、第１の基板１に形成されている圧力センシング用の
デバイスの温度特性を改善でき、さらに生産性を高める
ことができる。また、パッケージ（図示せず）から第１
の基板１への応力を緩和することができる。
【０１２６】（実施形態１０）本実施形態では、ゲージ
圧測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法
について図２６ないし図２８を参照しながら説明する。
圧測定用の半導体圧力センサのセンサチップの製造方法
について図２６ないし図２８を参照しながら説明する。
【０１２７】まず、ｎ形のシリコンウェハ１’の主表面
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図２６（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗４（図２６（ｂ）参照）および
拡散層配線５（図２６（ｂ）参照）を形成するために該
フォトレジスト層をパターニングする。その後、上記フ
ォトレジスト層をマスクとして、シリコンウェハ１’の
主表面側のシリコン酸化膜２ａをドライエッチング技術
によりパターニングする。次に、フォトレジスト層を除
去し、その後、パターニングされたシリコン酸化膜２ａ
をマスクとしてイオン注入によってシリコンウェハ１’
の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純物３のプレデ
ポジションを行うことにより、図２６（ａ）に示す構造
が得られる。
および裏面それぞれの全面にシリコン酸化膜２ａ，２ｂ
（図２６（ａ）参照）を形成し、その後、主表面側のシ
リコン酸化膜２ａ上にフォトレジスト層（図示せず）を
塗布形成し、ゲージ抵抗４（図２６（ｂ）参照）および
拡散層配線５（図２６（ｂ）参照）を形成するために該
フォトレジスト層をパターニングする。その後、上記フ
ォトレジスト層をマスクとして、シリコンウェハ１’の
主表面側のシリコン酸化膜２ａをドライエッチング技術
によりパターニングする。次に、フォトレジスト層を除
去し、その後、パターニングされたシリコン酸化膜２ａ
をマスクとしてイオン注入によってシリコンウェハ１’
の主表面側に例えばボロンなどのｐ形不純物３のプレデ
ポジションを行うことにより、図２６（ａ）に示す構造
が得られる。
【０１２８】その後、シリコンウェハ１’の露出した主
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗４および拡散層配線５を形成する。要するに、シリコ
ンウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａと
シリコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗４と拡散層配線５とを同時に形成してい
るが、シリコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパタ
ーニング、エッチングの工程を繰り返すことにより別々
に形成してもよい。
表面に熱酸化膜よりなるシリコン酸化膜２ｃをＯ２雰囲
気中で形成し、続いてＮ２雰囲気中で上記ｐ形不純物３
のドライブ（活性化処理）を行うことによってゲージ抵
抗４および拡散層配線５を形成する。要するに、シリコ
ンウェハ１’の主表面側は全面がシリコン酸化膜２ａと
シリコン酸化膜２ｃとによって覆われる。なお、ここで
は、ゲージ抵抗４と拡散層配線５とを同時に形成してい
るが、シリコン酸化膜の形成とフォトレジスト層のパタ
ーニング、エッチングの工程を繰り返すことにより別々
に形成してもよい。
【０１２９】次に、シリコンウェハ１’の主表面側およ
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図２６（ｂ）参照）を形成し、シリコンウェハ１’の
裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図２６（ｂ）における
下）にフォトレジスト層７を塗布形成し、ダイアフラム
部８（図２６（ｃ）参照）を形成するために該フォトレ
ジスト層７をパターニングする。続いて、フォトレジス
ト層７をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側の
シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えば
ＲＩＥなどのドライエッチング技術によってパターニン
グすることにより、図２６（ｂ）に示す構造が得られ
る。
び裏面側それぞれの全面にシリコン窒化膜６ａ，６ｂ
（図２６（ｂ）参照）を形成し、シリコンウェハ１’の
裏面側のシリコン窒化膜６ｂ上（図２６（ｂ）における
下）にフォトレジスト層７を塗布形成し、ダイアフラム
部８（図２６（ｃ）参照）を形成するために該フォトレ
ジスト層７をパターニングする。続いて、フォトレジス
ト層７をマスクとして、シリコンウェハ１’の裏面側の
シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２ｂを例えば
ＲＩＥなどのドライエッチング技術によってパターニン
グすることにより、図２６（ｂ）に示す構造が得られ
る。
【０１３０】そして、上記フォトレジスト層７を除去し
た後、シリコン窒化膜６ｂをマスクとして、８０℃程度
の水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ１’を
異方性エッチングして凹所１ａを設けることによりダイ
アフラム部８を形成する。その後、シリコンウェハ１’
の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２
ｂを除去する。次に、シリコンウェハ１’の主表面側に
て後に形成される電極９（図２６（ｃ）参照）を配線抵
抗５に接続するためのコンタクトホールを形成する。次
に、シリコンウェハ１’の主表面側の全面に上記コンタ
クトホールが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる
金属層を堆積させ、該金属層をパターニングすることに
よって電極９を形成することにより、図２６（ｃ）に示
す構造が得られる。
た後、シリコン窒化膜６ｂをマスクとして、８０℃程度
の水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ１’を
異方性エッチングして凹所１ａを設けることによりダイ
アフラム部８を形成する。その後、シリコンウェハ１’
の裏面側のシリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜２
ｂを除去する。次に、シリコンウェハ１’の主表面側に
て後に形成される電極９（図２６（ｃ）参照）を配線抵
抗５に接続するためのコンタクトホールを形成する。次
に、シリコンウェハ１’の主表面側の全面に上記コンタ
クトホールが埋め込まれるようにアルミニウムよりなる
金属層を堆積させ、該金属層をパターニングすることに
よって電極９を形成することにより、図２６（ｃ）に示
す構造が得られる。
【０１３１】そして、支持用のシリコンウェハ４０’が
一表面側に陽極接合されたガラス基板３０’の他面側と
シリコンウェハ１’とを重ね合わせて、ガラス基板３
０’を負極、シリコンウェハ１’を正極として陽極接合
を行なうことにより、図２６（ｄ）に示す構造が得られ
る。ここにおいて、ガラス基板３０’は、図２７（ａ）
に示すように、両面研磨されたガラス基板３０’の一表
面上にフォトレジスト層７７を塗布形成し、圧力導入孔
３０ｂを形成するためおよびガラス板３０（図２６
（ｄ）参照）の外形を第１の基板１（図２６（ｄ）参
照）および第２の基板４０（図２６（ｄ）参照）に比べ
て小さくするために該フォトレジスト層７７をパターニ
ングする。その後、フォトレジスト層７７をマスクとし
て、サンドブラスト法でガラス基板３０’に圧力導入孔
３０ｂを形成し、続いて、フォトレジスト層７７を除去
することにより、図２７（ｂ）に示す構造が得られる。
また、支持用のシリコンウェハ４０’は、図２８（ａ）
に示すように、シリコンウェハ４０’の一表面上にフォ
トレジスト層４９を塗布形成し、圧力導入孔４０ｂを形
成するために該フォトレジスト層４９をパターニングす
る。その後、フォトレジスト層４９をマスクとして、サ
ンドブラスト法でシリコンウェハ４０’に圧力導入孔４
０ｂを形成し、続いて、フォトレジスト層４９を除去す
ることにより、図２８（ｂ）に示す構造を得て、その
後、圧力導入孔４０ｂとガラス基板３０’の圧力導入孔
３０ｂとの位置が合うようにシリコンウェハ４０’とガ
ラス基板３０’とを重ね合わせた後、陽極接合してい
る。
一表面側に陽極接合されたガラス基板３０’の他面側と
シリコンウェハ１’とを重ね合わせて、ガラス基板３
０’を負極、シリコンウェハ１’を正極として陽極接合
を行なうことにより、図２６（ｄ）に示す構造が得られ
る。ここにおいて、ガラス基板３０’は、図２７（ａ）
に示すように、両面研磨されたガラス基板３０’の一表
面上にフォトレジスト層７７を塗布形成し、圧力導入孔
３０ｂを形成するためおよびガラス板３０（図２６
（ｄ）参照）の外形を第１の基板１（図２６（ｄ）参
照）および第２の基板４０（図２６（ｄ）参照）に比べ
て小さくするために該フォトレジスト層７７をパターニ
ングする。その後、フォトレジスト層７７をマスクとし
て、サンドブラスト法でガラス基板３０’に圧力導入孔
３０ｂを形成し、続いて、フォトレジスト層７７を除去
することにより、図２７（ｂ）に示す構造が得られる。
また、支持用のシリコンウェハ４０’は、図２８（ａ）
に示すように、シリコンウェハ４０’の一表面上にフォ
トレジスト層４９を塗布形成し、圧力導入孔４０ｂを形
成するために該フォトレジスト層４９をパターニングす
る。その後、フォトレジスト層４９をマスクとして、サ
ンドブラスト法でシリコンウェハ４０’に圧力導入孔４
０ｂを形成し、続いて、フォトレジスト層４９を除去す
ることにより、図２８（ｂ）に示す構造を得て、その
後、圧力導入孔４０ｂとガラス基板３０’の圧力導入孔
３０ｂとの位置が合うようにシリコンウェハ４０’とガ
ラス基板３０’とを重ね合わせた後、陽極接合してい
る。
【０１３２】図２６（ｄ）に示す構造が得られた後、ダ
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図２６（ｄ）参照）が得られる。ここ
に、図２６（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示す。
イシング工程にて個々のチップを切り出すことによりセ
ンサチップＣ（図２６（ｄ）参照）が得られる。ここ
に、図２６（ｄ）中の１はシリコンウェハ１’から切り
出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’か
ら切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ
４０’から切り出された第２の基板を示す。
【０１３３】しかして、本実施形態では、ガラス基板３
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１とガラス板３０との接合強度を高めることができ
るとともに、生産性を高めることができる。しかも、ガ
ラス板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’よ
り分割された第２の基板４０が接合されているので、ガ
ラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分
割された第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形
となるから第１の基板１に生じる応力を低減することが
できて、第１の基板１に形成された圧力センシング用の
デバイスの温度特性が改善され、高精度化を図ることが
できる。また、上記ガラス板３０は、第１の基板１およ
び第２の基板４０に比べて外形が小さく圧力導入孔３０
ｂの開口周辺において第１の基板１および第２の基板４
０に接合されているので、パッケージ（図示せず）など
から第２の基板４０に伝達される外部応力が第１の基板
１に与える影響を少なくすることができ、第１の基板１
に形成された圧力センシング用のデバイスの高精度化を
図ることができる。
０’とシリコンウェハ１’，４０’とを陽極接合してい
るので、圧力センシング用のデバイスを形成した第１の
基板１とガラス板３０との接合強度を高めることができ
るとともに、生産性を高めることができる。しかも、ガ
ラス板３０の他面側に支持用のシリコンウェハ４０’よ
り分割された第２の基板４０が接合されているので、ガ
ラス板３０が互いにシリコンウェハ１’，４０’より分
割された第１の基板１と第２の基板４０とで挟まれた形
となるから第１の基板１に生じる応力を低減することが
できて、第１の基板１に形成された圧力センシング用の
デバイスの温度特性が改善され、高精度化を図ることが
できる。また、上記ガラス板３０は、第１の基板１およ
び第２の基板４０に比べて外形が小さく圧力導入孔３０
ｂの開口周辺において第１の基板１および第２の基板４
０に接合されているので、パッケージ（図示せず）など
から第２の基板４０に伝達される外部応力が第１の基板
１に与える影響を少なくすることができ、第１の基板１
に形成された圧力センシング用のデバイスの高精度化を
図ることができる。
【０１３４】
【発明の効果】請求項１の発明は、センシング用のデバ
イスを形成したシリコンウェハより分割された第１の基
板と、第１の基板の裏面側に一面側が陽極接合され且つ
ガラス基板より分割されたガラス板と、ガラス板の他面
側に陽極接合され且つ支持用のシリコンウェハより分割
された第２の基板とを備えたものであり、ガラス基板と
各シリコンウェハとを陽極接合しているので、センシン
グ用のデバイスを形成した第１の基板とガラス板との接
合強度を高めることができるとともに、生産性を高める
ことができ、しかも、ガラス板の他面側にシリコンウェ
ハより分割された第２の基板が接合されているので、ガ
ラス板が互いにシリコンウェハより分割された第１の基
板と第２の基板とで挟まれた形となるから第１の基板に
生じる応力を低減することができて温度特性が改善さ
れ、高精度化を図ることができるという効果がある。
イスを形成したシリコンウェハより分割された第１の基
板と、第１の基板の裏面側に一面側が陽極接合され且つ
ガラス基板より分割されたガラス板と、ガラス板の他面
側に陽極接合され且つ支持用のシリコンウェハより分割
された第２の基板とを備えたものであり、ガラス基板と
各シリコンウェハとを陽極接合しているので、センシン
グ用のデバイスを形成した第１の基板とガラス板との接
合強度を高めることができるとともに、生産性を高める
ことができ、しかも、ガラス板の他面側にシリコンウェ
ハより分割された第２の基板が接合されているので、ガ
ラス板が互いにシリコンウェハより分割された第１の基
板と第２の基板とで挟まれた形となるから第１の基板に
生じる応力を低減することができて温度特性が改善さ
れ、高精度化を図ることができるという効果がある。
【０１３５】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、上記第２の基板の裏面に、ダイボンディング用の金
属膜が設けられているので、パッケージやリードフレー
ムなどへダイボンディングすることができ、例えば高圧
測定用の半導体圧力センサを実現することが可能になる
という効果がある。
て、上記第２の基板の裏面に、ダイボンディング用の金
属膜が設けられているので、パッケージやリードフレー
ムなどへダイボンディングすることができ、例えば高圧
測定用の半導体圧力センサを実現することが可能になる
という効果がある。
【０１３６】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、上記デバイスが圧力センシング用のデバイスであっ
て、上記ガラス基板および上記支持用のシリコンウェハ
それぞれには、サンドブラスト法若しくは超音波加工法
により、上記デバイスを形成したシリコンウェハの所定
部位に対応させる圧力導入孔が形成されているので、ゲ
ージ圧測定用の半導体圧力センサを実現することができ
るという効果がある。
て、上記デバイスが圧力センシング用のデバイスであっ
て、上記ガラス基板および上記支持用のシリコンウェハ
それぞれには、サンドブラスト法若しくは超音波加工法
により、上記デバイスを形成したシリコンウェハの所定
部位に対応させる圧力導入孔が形成されているので、ゲ
ージ圧測定用の半導体圧力センサを実現することができ
るという効果がある。
【０１３７】請求項４の発明は、請求項１の発明におい
て、上記第１の基板の主表面側に一面側が陽極接合され
且つガラス基板より分割されたスペーサ用ガラス板と、
スペーサ用ガラス板の他面側に陽極接合され且つストッ
パ用のシリコンウェハより分割されたストッパ部材とを
備え、上記第１の基板は、該第１の基板の一部よりなる
枠状の支持部の内側にビームを介して揺動自在に支持さ
れた重り部を有し、上記ガラス板およびスペーサ用ガラ
ス板は、それぞれ支持部の全周にわたって接合され、少
なくとも重り部およびビームに対向する部位に開孔部が
形成されているので、上記ガラス板およびスペーサ用ガ
ラス板の厚みを利用したエアダンピング効果によってビ
ームの破壊を防止した半導体加速度センサを実現するこ
とができるという効果がある。
て、上記第１の基板の主表面側に一面側が陽極接合され
且つガラス基板より分割されたスペーサ用ガラス板と、
スペーサ用ガラス板の他面側に陽極接合され且つストッ
パ用のシリコンウェハより分割されたストッパ部材とを
備え、上記第１の基板は、該第１の基板の一部よりなる
枠状の支持部の内側にビームを介して揺動自在に支持さ
れた重り部を有し、上記ガラス板およびスペーサ用ガラ
ス板は、それぞれ支持部の全周にわたって接合され、少
なくとも重り部およびビームに対向する部位に開孔部が
形成されているので、上記ガラス板およびスペーサ用ガ
ラス板の厚みを利用したエアダンピング効果によってビ
ームの破壊を防止した半導体加速度センサを実現するこ
とができるという効果がある。
【０１３８】請求項５の発明は、請求項４の発明におい
て、上記第２の基板および上記ストッパ部材には、少な
くとも重り部に対向する部位に凹所が形成されているの
で、重り部と上記第２の基板における重り部に対向する
部位との間の空間の容積、重り部と上記ストッパ部材に
おける重り部に対向する部位との間の空間の容積をそれ
ぞれ大きくすることができてエアダンピング効果をより
高めることができ、ビームの破損を防止することがで
き、また、上記空間にオイルを充填しておくことによ
り、オイルによるダンピング効果を得ることも可能にな
るという効果がある。
て、上記第２の基板および上記ストッパ部材には、少な
くとも重り部に対向する部位に凹所が形成されているの
で、重り部と上記第２の基板における重り部に対向する
部位との間の空間の容積、重り部と上記ストッパ部材に
おける重り部に対向する部位との間の空間の容積をそれ
ぞれ大きくすることができてエアダンピング効果をより
高めることができ、ビームの破損を防止することがで
き、また、上記空間にオイルを充填しておくことによ
り、オイルによるダンピング効果を得ることも可能にな
るという効果がある。
【０１３９】請求項６の発明は、請求項１の発明におい
て、上記支持用のシリコンウェハの裏面に、該シリコン
ウェハに陽極接合され該シリコンウェハと上記ガラス基
板との陽極接合に伴う反りを低減する反り調整用ガラス
基板が設けられているので、センシング用のデバイスを
形成した第１の基板の反りを低減することができ、温度
特性がより一層改善され、高精度化を図ることができる
という効果がある。
て、上記支持用のシリコンウェハの裏面に、該シリコン
ウェハに陽極接合され該シリコンウェハと上記ガラス基
板との陽極接合に伴う反りを低減する反り調整用ガラス
基板が設けられているので、センシング用のデバイスを
形成した第１の基板の反りを低減することができ、温度
特性がより一層改善され、高精度化を図ることができる
という効果がある。
【０１４０】請求項７の発明は、請求項１の発明におい
て、上記支持用のシリコンウェハの裏面に、上記陽極接
合に伴う反りを低減するシリコン酸化膜若しくはシリコ
ン酸化膜とシリコン窒化膜とが積層された二層膜が設け
られているので、センシング用のデバイスを形成した第
１の基板の反りを低減することができ、温度特性がより
一層改善され、高精度化を図ることができるという効果
がある。
て、上記支持用のシリコンウェハの裏面に、上記陽極接
合に伴う反りを低減するシリコン酸化膜若しくはシリコ
ン酸化膜とシリコン窒化膜とが積層された二層膜が設け
られているので、センシング用のデバイスを形成した第
１の基板の反りを低減することができ、温度特性がより
一層改善され、高精度化を図ることができるという効果
がある。
【０１４１】請求項８の発明は、請求項１の発明におい
て、上記第２の基板は、上記ガラス板との接合面に、接
合に伴う応力を緩和する窪みが形成されているので、セ
ンシング用のデバイスを形成した第１の基板の反りを低
減することができ、温度特性がより一層改善され、高精
度化を図ることができるという効果がある。
て、上記第２の基板は、上記ガラス板との接合面に、接
合に伴う応力を緩和する窪みが形成されているので、セ
ンシング用のデバイスを形成した第１の基板の反りを低
減することができ、温度特性がより一層改善され、高精
度化を図ることができるという効果がある。
【０１４２】請求項９の発明は、請求項１の発明におい
て、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることによ
り形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の変
形を検出するセンシング部を有し、上記ガラス板は、上
記凹所に連通する圧力導入孔が貫設され、圧力導入孔の
開口周辺に他の部位よりも上記ダイアフラム部側へ突出
したストッパ部を有するので、ダイアフラム部へ過大な
圧力が印加されたときにダイアフラム部の変形量がスト
ッパ部により規制されるから、ダイアフラム部の破損を
防止することができるという効果がある。
て、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることによ
り形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の変
形を検出するセンシング部を有し、上記ガラス板は、上
記凹所に連通する圧力導入孔が貫設され、圧力導入孔の
開口周辺に他の部位よりも上記ダイアフラム部側へ突出
したストッパ部を有するので、ダイアフラム部へ過大な
圧力が印加されたときにダイアフラム部の変形量がスト
ッパ部により規制されるから、ダイアフラム部の破損を
防止することができるという効果がある。
【０１４３】請求項１０の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記第１の基板と上記第２の基板との互いの対向
面に静電容量形成用の電極がそれぞれ形成され、上記第
２の基板は、該第２の基板に形成された上記静電容量形
成用の電極に拡散層配線を介して接続されたパッドを有
するので、上記ガラス板の厚みにより上記両電極間の距
離を設定することができ、高精度な静電容量型の半導体
圧力センサを実現することができるという効果がある。
いて、上記第１の基板と上記第２の基板との互いの対向
面に静電容量形成用の電極がそれぞれ形成され、上記第
２の基板は、該第２の基板に形成された上記静電容量形
成用の電極に拡散層配線を介して接続されたパッドを有
するので、上記ガラス板の厚みにより上記両電極間の距
離を設定することができ、高精度な静電容量型の半導体
圧力センサを実現することができるという効果がある。
【０１４４】請求項１１の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記支持用のシリコンウェハには、上記ガラス基
板との接合面側の所定部位に凹所が形成され、上記ガラ
ス基板には、上記凹所に連通する孔が貫設されているの
で、上記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラ
ス基板と上記支持用のシリコンウェハとを重ね合わせた
際に内部に形成される空間の体積を大きくすることがで
き、陽極接合時に発生する酸素の分圧を低下させること
ができるという効果がある。
いて、上記支持用のシリコンウェハには、上記ガラス基
板との接合面側の所定部位に凹所が形成され、上記ガラ
ス基板には、上記凹所に連通する孔が貫設されているの
で、上記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラ
ス基板と上記支持用のシリコンウェハとを重ね合わせた
際に内部に形成される空間の体積を大きくすることがで
き、陽極接合時に発生する酸素の分圧を低下させること
ができるという効果がある。
【０１４５】請求項１２の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることに
より形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の
変形を検出するセンシング部を有し、上記第１の基板の
主表面側に一面側が陽極接合され且つガラス基板より分
割されたスペーサ用ガラス板と、スペーサ用ガラス板の
他面側に陽極接合され且つシリコンウェハより分割され
た第３の基板とを備え、上記ガラス板、上記第２の基
板、上記スペーサ用ガラス板、上記第３の基板にはそれ
ぞれ、上記ダイアフラム部に対応する部位に圧力導入孔
が形成されているので、高精度な差圧測定用の半導体圧
力センサを実現することができるという効果がある。
いて、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることに
より形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の
変形を検出するセンシング部を有し、上記第１の基板の
主表面側に一面側が陽極接合され且つガラス基板より分
割されたスペーサ用ガラス板と、スペーサ用ガラス板の
他面側に陽極接合され且つシリコンウェハより分割され
た第３の基板とを備え、上記ガラス板、上記第２の基
板、上記スペーサ用ガラス板、上記第３の基板にはそれ
ぞれ、上記ダイアフラム部に対応する部位に圧力導入孔
が形成されているので、高精度な差圧測定用の半導体圧
力センサを実現することができるという効果がある。
【０１４６】請求項１３の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることに
より形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の
変形を検出するセンシング部を有し、上記第２の基板に
は上記ダイアフラム部に対応する部位に圧力導入孔が形
成され、上記ガラス板は、上記圧力導入孔と上記凹所と
を連通させる孔が形成され、上記第１の基板および上記
第２の基板に比べて外形が小さく上記圧力導入孔の開口
周辺において上記第１の基板および上記第２の基板に接
合されているので、上記第２の基板に伝達される外部応
力が上記第１の基板に与える影響を少なくすることがで
き、高精度化を図ることができるという効果がある。
いて、上記第１の基板は、裏面側に凹所を設けることに
より形成されたダイアフラム部およびダイアフラム部の
変形を検出するセンシング部を有し、上記第２の基板に
は上記ダイアフラム部に対応する部位に圧力導入孔が形
成され、上記ガラス板は、上記圧力導入孔と上記凹所と
を連通させる孔が形成され、上記第１の基板および上記
第２の基板に比べて外形が小さく上記圧力導入孔の開口
周辺において上記第１の基板および上記第２の基板に接
合されているので、上記第２の基板に伝達される外部応
力が上記第１の基板に与える影響を少なくすることがで
き、高精度化を図ることができるという効果がある。
【０１４７】請求項１４の発明は、請求項１記載の半導
体センサの製造方法であって、上記ガラス基板として上
記各シリコンウェハよりも外形の大きなものを用い、上
記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラス基板
と上記支持用のシリコンウェハとを重ね合わせて加熱し
て、上記各シリコンウェハと上記ガラス基板との間にそ
れぞれ直流電圧を印加することにより上記各シリコンウ
ェハと上記ガラス基板との陽極接合を同時に行うので、
上記第１の基板および上記第２の基板それぞれと上記ガ
ラス板との接合強度が高く高精度化が可能な半導体セン
サを低コストで生産性良く製造することができるという
効果がある。
体センサの製造方法であって、上記ガラス基板として上
記各シリコンウェハよりも外形の大きなものを用い、上
記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラス基板
と上記支持用のシリコンウェハとを重ね合わせて加熱し
て、上記各シリコンウェハと上記ガラス基板との間にそ
れぞれ直流電圧を印加することにより上記各シリコンウ
ェハと上記ガラス基板との陽極接合を同時に行うので、
上記第１の基板および上記第２の基板それぞれと上記ガ
ラス板との接合強度が高く高精度化が可能な半導体セン
サを低コストで生産性良く製造することができるという
効果がある。
【０１４８】請求項１５の発明は、請求項１記載の半導
体センサの製造方法であって、上記ガラス基板と上記第
１の基板の所定部位へ圧力を導入するための圧力導入孔
を形成した支持用のシリコンウェハとを陽極接合した
後、圧力導入孔よりフッ酸水溶液を注入して上記ガラス
基板へ上記圧力導入孔に連通する孔を形成し、その後、
上記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラス基
板とを陽極接合するので、上記ガラス板の圧力導入孔と
上記第２の基板の圧力導入孔との位置合わせ精度が向上
し、上記第１の基板および上記第２の基板それぞれと上
記ガラス板との接合強度が高く高精度化が可能な半導体
センサを低コストで生産性良く製造することができると
いう効果がある。
体センサの製造方法であって、上記ガラス基板と上記第
１の基板の所定部位へ圧力を導入するための圧力導入孔
を形成した支持用のシリコンウェハとを陽極接合した
後、圧力導入孔よりフッ酸水溶液を注入して上記ガラス
基板へ上記圧力導入孔に連通する孔を形成し、その後、
上記デバイスを形成したシリコンウェハと上記ガラス基
板とを陽極接合するので、上記ガラス板の圧力導入孔と
上記第２の基板の圧力導入孔との位置合わせ精度が向上
し、上記第１の基板および上記第２の基板それぞれと上
記ガラス板との接合強度が高く高精度化が可能な半導体
センサを低コストで生産性良く製造することができると
いう効果がある。
【図１】実施形態１の製造方法を説明するための主要工
程断面図である。
程断面図である。
【図２】同上の他の製造方法を説明するための主要工程
断面図である。
断面図である。
【図３】実施形態２の製造方法を説明するための主要工
程断面図である。
程断面図である。
【図４】同上の製造方法を説明するための主要工程断面
図である。
図である。
【図５】同上の他の構成例の製造方法を説明するための
主要工程断面図である。
主要工程断面図である。
【図６】同上の他の構成例の製造方法を説明するための
主要工程断面図である。
主要工程断面図である。
【図７】実施形態３の製造方法を説明するための主要工
程断面図である。
程断面図である。
【図８】同上の製造方法を説明するための主要工程断面
図である。
図である。
【図９】同上の他の構成例の製造方法を説明するための
主要工程断面図である。
主要工程断面図である。
【図１０】同上の他の構成例の製造方法を説明するため
の主要工程断面図である。
の主要工程断面図である。
【図１１】実施形態４の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図１２】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図１３】実施形態５の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図１４】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図１５】実施形態６の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図１６】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図１７】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図１８】実施形態７の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図１９】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図２０】実施形態８の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２１】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図２２】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図２３】実施形態９の製造方法を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図２４】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図２５】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図２６】実施形態１０の製造方法を説明するための主
要工程断面図である。
要工程断面図である。
【図２７】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図２８】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
【図２９】従来の製造方法の一例を説明するための主要
工程断面図である。
工程断面図である。
【図３０】従来の製造方法の他の一例を説明するための
主要工程断面図である。
主要工程断面図である。
【図３１】従来の製造方法のさらに他の一例を説明する
ための主要工程断面図である。
ための主要工程断面図である。
【図３２】従来の製造方法の別の一例を説明するための
主要工程断面図である。
主要工程断面図である。
【図３３】従来例を示し、（ａ）は要部概略平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図３４】同上の製造方法を説明するための主要工程断
面図である。
面図である。
１ 第１の基板 １’ シリコンウェハ ３０ ガラス板 ３０’ ガラス基板 ３１ 析出層 ４０ 第２の基板 ４０’ シリコンウェハ Ｃ センサチップ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年９月１３日（１９９９．９．１
３）
３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】なお、ガラス基板３０’としては、熱膨張
係数がシリコンと略等しいほう珪酸ガラス基板、アルミ
ノ珪酸ガラス基板、結晶性ガラス基板などを用いればよ
いが、マイクロシートなどの薄いガラス基板を用いても
よい。
係数がシリコンと略等しいほう珪酸ガラス基板、アルミ
ノ珪酸ガラス基板、結晶性ガラス基板などを用いればよ
いが、マイクロシートなどの薄いガラス基板を用いても
よい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｐ 15/125 Ｇ０１Ｐ 15/125 Ｈ０１Ｌ 41/09 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｕ (72)発明者 高倉 信之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 毛野 拓治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB01 BB03 CC02 DD05 DD07 EE14 EE25 FF43 GG01 GG13
Claims (15)
- 【請求項１】 センシング用のデバイスを形成したシリ
コンウェハより分割された第１の基板と、第１の基板の
裏面側に一面側が陽極接合され且つガラス基板より分割
されたガラス板と、ガラス板の他面側に陽極接合され且
つ支持用のシリコンウェハより分割された第２の基板と
を備えることを特徴とする半導体センサ。 - 【請求項２】 上記第２の基板の裏面に、ダイボンディ
ング用の金属膜が設けられてなることを特徴とする請求
項１記載の半導体センサ。 - 【請求項３】 上記デバイスが圧力センシング用のデバ
イスであって、上記ガラス基板および上記支持用のシリ
コンウェハそれぞれには、サンドブラスト法若しくは超
音波加工法により、上記デバイスを形成したシリコンウ
ェハの所定部位に対応させる圧力導入孔が形成されてな
ることを特徴とする請求項１記載の半導体センサ。 - 【請求項４】 上記第１の基板の主表面側に一面側が陽
極接合され且つガラス基板より分割されたスペーサ用ガ
ラス板と、スペーサ用ガラス板の他面側に陽極接合され
且つストッパ用のシリコンウェハより分割されたストッ
パ部材とを備え、上記第１の基板は、該第１の基板の一
部よりなる枠状の支持部の内側にビームを介して揺動自
在に支持された重り部を有し、上記ガラス板およびスペ
ーサ用ガラス板は、それぞれ支持部の全周にわたって接
合され、少なくとも重り部およびビームに対向する部位
に開孔部が形成されてなることを特徴とする請求項１記
載の半導体センサ。 - 【請求項５】 上記第２の基板および上記ストッパ部材
には、少なくとも重り部に対向する部位に凹所が形成さ
れてなることを特徴とする請求項４記載の半導体セン
サ。 - 【請求項６】 上記支持用のシリコンウェハの裏面に、
該シリコンウェハに陽極接合され該シリコンウェハと上
記ガラス基板との陽極接合に伴う反りを低減する反り調
整用ガラス基板が設けられてなることを特徴とする請求
項１記載の半導体センサ。 - 【請求項７】 上記支持用のシリコンウェハの裏面に、
上記陽極接合に伴う反りを低減するシリコン酸化膜若し
くはシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが積層された二
層膜が設けられてなることを特徴とする請求項１記載の
半導体センサ。 - 【請求項８】 上記第２の基板は、上記ガラス板との接
合面に、接合に伴う応力を緩和する窪みが形成されてな
ることを特徴とする請求項１記載の半導体センサ。 - 【請求項９】 上記第１の基板は、裏面側に凹所を設け
ることにより形成されたダイアフラム部およびダイアフ
ラム部の変形を検出するセンシング部を有し、上記ガラ
ス板は、上記凹所に連通する圧力導入孔が貫設され、圧
力導入孔の開口周辺に他の部位よりも上記ダイアフラム
部側へ突出したストッパ部を有することを特徴とする請
求項１記載の半導体センサ。 - 【請求項１０】 上記第１の基板と上記第２の基板との
互いの対向面に静電容量形成用の電極がそれぞれ形成さ
れ、上記第２の基板は、該第２の基板に形成された上記
静電容量形成用の電極に拡散層配線を介して接続された
パッドを有することを特徴とする請求項１記載の半導体
センサ。 - 【請求項１１】 上記支持用のシリコンウェハには、上
記ガラス基板との接合面側の所定部位に凹所が形成さ
れ、上記ガラス基板には、上記凹所に連通する孔が貫設
されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体セン
サ。 - 【請求項１２】 上記第１の基板は、裏面側に凹所を設
けることにより形成されたダイアフラム部およびダイア
フラム部の変形を検出するセンシング部を有し、上記第
１の基板の主表面側に一面側が陽極接合され且つガラス
基板より分割されたスペーサ用ガラス板と、スペーサ用
ガラス板の他面側に陽極接合され且つシリコンウェハよ
り分割された第３の基板とを備え、上記ガラス板、上記
第２の基板、上記スペーサ用ガラス板、上記第３の基板
にはそれぞれ、上記ダイアフラム部に対応する部位に圧
力導入孔が形成されてなることを特徴とする請求項１記
載の半導体センサ。 - 【請求項１３】 上記第１の基板は、裏面側に凹所を設
けることにより形成されたダイアフラム部およびダイア
フラム部の変形を検出するセンシング部を有し、上記第
２の基板には上記ダイアフラム部に対応する部位に圧力
導入孔が形成され、上記ガラス板は、上記圧力導入孔と
上記凹所とを連通させる孔が形成され、上記第１の基板
および上記第２の基板に比べて外形が小さく上記圧力導
入孔の開口周辺において上記第１の基板および上記第２
の基板に接合されてなることを特徴とする請求項１記載
の半導体センサ。 - 【請求項１４】 請求項１記載の半導体センサの製造方
法であって、上記ガラス基板として上記各シリコンウェ
ハよりも外形の大きなものを用い、上記デバイスを形成
したシリコンウェハと上記ガラス基板と上記支持用のシ
リコンウェハとを重ね合わせて加熱して、上記各シリコ
ンウェハと上記ガラス基板との間にそれぞれ直流電圧を
印加することにより上記各シリコンウェハと上記ガラス
基板との陽極接合を同時に行うことを特徴とする半導体
センサの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１記載の半導体センサの製造方
法であって、上記ガラス基板と上記第１の基板の所定部
位へ圧力を導入するための圧力導入孔を形成した支持用
のシリコンウェハとを陽極接合した後、圧力導入孔より
フッ酸水溶液を注入して上記ガラス基板へ上記圧力導入
孔に連通する孔を形成し、その後、上記デバイスを形成
したシリコンウェハと上記ガラス基板とを陽極接合する
こと特徴とする半導体センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11212875A JP2001041837A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 半導体センサおよびその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11212875A JP2001041837A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 半導体センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001041837A true JP2001041837A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=16629720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11212875A Withdrawn JP2001041837A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 半導体センサおよびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001041837A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-07-27 JP JP11212875A patent/JP2001041837A/ja not_active Withdrawn
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