JP2001024225A

JP2001024225A - 自己走査型発光装置の配線材料および配線構造

Info

Publication number: JP2001024225A
Application number: JP19851199A
Authority: JP
Inventors: Shunsuke Otsuka; 俊介大塚; Yukihisa Kusuda; 幸久楠田; Takashi Tagami; 高志田上
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1999-07-13
Filing date: 1999-07-13
Publication date: 2001-01-26

Abstract

(57)【要約】【課題】自己走査型発光装置のボンディングパッドは
素子内の配線よりも大面積になるため、内部応力が大き
くなり剥がれやすいという問題を解決した自己走査型発
光装置の配線材料を提供する。【解決手段】配線の材料として、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｕを
主成分とした合金，Ｐｔを主成分とした合金よりなる群
から選ばれた１種を用い、配線に含まれるボンディング
パッドは、そのパッド縁に応力の集中しない形状とす
る。そのためには、ボンディングパッドのパッド縁は、
丸みをもたせた角部を有するようにする。あるいは、ボ
ンディングパッドのパッド縁は、３つ以上の直線で縁ど
りした角部を有するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自己走査型発光装
置の配線材料および配線構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】発光サイリスタを用いた自己走査型発光
装置は、本出願人に係る特開平２−１４５８４号公報に
開示されており、図１に発光サイリスタの基本構造を示
す。

【０００３】図１において、１０はＰ形のＧａＡｓ基板
であり、この基板上に、Ｐ形ＡｌＧａＡｓ層１２，Ｎ形
ＡｌＧａＡｓ層１４，Ｐ形ＡｌＧａＡｓ層１６，Ｎ形Ａ
ｌＧａＡｓ層１８が順次積層され、Ｎ形ＡｌＧａＡｓ層
１８上には、カソード電極２０とのオーミック接触をと
るためＮ形ＧａＡｓ層２２が形成されている。図中、２
４はＰ形ＡｌＧａＡｓ層１６上に設けられたゲート電
極、２６はＧａＡｓ基板１０の下面に設けられたアノー
ド電極である。

【０００４】この例では、Ｐ形ＧａＡｓ基板上にＰ形
層，Ｎ形層，Ｐ形層，Ｎ形層の順で積層されているが、
Ｎ形ＧａＡｓ基板上に、Ｎ形層，Ｐ形層，Ｎ形層，Ｐ形
層の順で積層される場合には、最上層の電極はアノード
電極、最下部の電極はカソード電極となる。このような
発光サイリスタでは、ゲート層で発光した光は最上部層
を経て出射する。

【０００５】本発明者らは、このような構造の発光サイ
リスタをアレイ状に配列し、これらの発光サイリスタア
レイ間に、適当な相互作用をもたせることによって、発
光光の自己走査機能が実現できることを上記公開公報に
おいて開示し、光プリンタ用光源として実装上簡便とな
ること、発光素子の配列ピッチが細かくできること、コ
ンパクトな自己走査型発光装置を作製できること等を示
した。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の自己走
査型発光装置では、配線材料としてＡｌを使用している
が、以下のような問題がある。（１）Ａｌは高温高湿状態に放置しておくだけで腐食が
進む。（２）通電時におけるエレクトロマイグレーションによ
る腐食が起こる。（３）Ａｌ配線自身に内在する局所応力により局所電池
が形成され腐食が起こる（ストレスマイグレーショ
ン）。（４）Ａｕなどの電極材料との接合部において、異種金
属接触電池が形成され、腐食が起こる（エレクトロマイ
グレーション）。（５）上記腐食により、デバイスの寿命が短くなる（信
頼性に劣る）。

【０００７】このため、長期信頼性確保（腐食防止）の
ため、ＳｉＯ₂などの保護膜を必要とした。

【０００８】従来のＬＥＤ（発光ダイオード）アレイで
は、Ａｌ配線に代えてＡｕ配線が用いられているが、こ
れは上述したようなＡｌの腐食による影響を考慮したこ
とによる。

【０００９】自己走査型発光装置の配線材料として同様
にＡｕを用いることが考えられるが、自己走査型発光装
置の場合、特にワイヤボンディングを実施するボンディ
ングパッド（配線の一部）は素子内の配線よりも大面積
になるため、内部応力が大きくなり剥がれやすいという
問題がある。

【００１０】本発明の目的は、上述のような問題点を解
決した自己走査型発光装置の配線材料および構造を提供
することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、配線材
料の腐食を防止すること、下地材料への配線材料の付着
力を向上させること、配線材料の付着力を向上させる材
料自体の腐食を防止することを実現する。

【００１２】このためには、Ａｌよりも腐食の少ない配
線材料（Ａｕ，Ｐｔ，Ａｕを主成分とした合金、Ｐｔを
主成分とした合金）を用いる。これら配線材料はＡｌと
比較して下地材料（ＳｉＯ₂，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ）に対
して付着力が劣るため、配線形成時あるいは形成後に剥
がれ欠陥を発生しやすい。特に大面積で配線の内部応力
が大きくなるボンディングパッドで顕著である。ボンデ
ィングパッドは応力が集中しない構造とすることで付着
力向上を実現する。

【００１３】さらには、配線材料と下地材料の間に、配
線材料および下地材料との密着性に優れた層間材料（Ｎ
ｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｔａ）を挟んだ構造とすること
により、配線材料の更なる付着力向上を実現することが
できる。また、この層間材料の腐食を抑制するために、
層間材料を配線材料で完全に被覆する構造とするのが好
適である。

【００１４】

【発明の実施の形態】まず、自己走査型発光装置の３つ
の基本構造について説明する。

【００１５】図２は、自己走査型発光装置の第１の基本
構造の等価回路図である。発光素子として、発光サイリ
スタＴ（−２）〜Ｔ（＋２）を用い、発光サイリスタＴ
（−２）〜Ｔ（＋２）には、各々ゲート電極Ｇ_-2〜Ｇ₊₂
が設けられている。各々のゲート電極には、負荷抵抗Ｒ
_Lを介して電源電圧Ｖ_GKが印加される。また、各々のゲ
ート電極Ｇ_-2〜Ｇ₊₂は、相互作用を作るために抵抗Ｒ_I
を介して電気的に接続されている。また、各単体発光サ
イリスタのアノード電極に、３本の転送クロックライン
（φ1 ，φ2 ，φ3 ）が、それぞれ３素子おきに（繰り
返されるように）接続される。

【００１６】動作を説明すると、まず転送クロックφ₃
がハイレベルとなり、発光サイリスタＴ（０）がオンし
ているとする。このとき３端子サイリスタの特性から、
ゲート電極Ｇ₀は零ボルト近くまで引き下げられる。電
源電圧Ｖ_GKを仮に５ボルトとすると、負荷抵抗Ｒ_L、相
互作用抵抗Ｒ_Iのネットワークから各発光サイリスタの
ゲート電圧が決まる。そして、発光サイリスタＴ（０）
に近い素子のゲート電圧が最も低下し、以降順にＴ
（０）から離れるにしたがいゲート電圧は上昇してい
く。これは次のように表せる。

【００１７】Ｖ_G0＜Ｖ_G1＝Ｖ_G-1＜Ｖ_G2＝Ｖ_G-2 （１）これらの電圧の差は、負荷抵抗Ｒ_L，相互作用抵抗Ｒ_I
の値を適当に選択することにより設定することができ
る。

【００１８】３端子サイリスタのアノード側のターンオ
ン電圧Ｖ_ONは、ゲート電圧より拡散電位Ｖ_difだけ高い
電圧となることが知られている。

【００１９】Ｖ_ON≒Ｖ_G＋Ｖ_dif （２）したがって、アノードにかける電圧をこのターンオン電
圧Ｖ_ONより高く設定すれば、その発光サイリスタはオン
することになる。

【００２０】さてこの発光サイリスタＴ（０）がオンし
ている状態で、次の転送クロックパルスφ₁にハイレベ
ル電圧Ｖ_Hを印加する。このクロックパルスφ₁は発光
サイリスタＴ（＋１）とＴ（―２）に同時に加わるが、
ハイレベル電圧Ｖ_Hの値を次の範囲に設定すると、発光
サイリスタＴ（＋１）のみをオンさせることができる。

【００２１】Ｖ_G-2＋Ｖ_dif＞Ｖ_H＞Ｖ_G+1＋Ｖ_dif （３）これで発光サイリスタＴ（０），Ｔ（＋１）が同時にオ
ンしていることになる。そしてクロックパルスφ₃のハ
イレベル電圧を切ると、発光サイリスタＴ（０）がオフ
となりオン状態の転送ができたことになる。

【００２２】このように、自己走査型発光装置では抵抗
ネットワークで各発光サイリスタのゲート電極間を結ぶ
ことにより、発光サイリスタに転送機能をもたせること
が可能となる。上に述べたような原理から、転送クロッ
クφ₁，φ₂，φ₃のハイレベル電圧を順番に互いに少
しずつ重なるように設定すれば、発光サイリスタのオン
状態は順次転送されていく。すなわち、発光点が順次転
送され、自己走査型発光素子アレイを実現することがで
きる。

【００２３】図３は、自己走査型発光装置の第２の基本
構造の等価回路図である。この自己走査型発光装置は、
発光サイリスタのゲート電極間の電気的接続の方法とし
てダイオードを用いている。発光サイリスタＴ（−２）
〜Ｔ（＋２）は、一列に並べられた構成となっている。
Ｇ_-2〜Ｇ₊₂は、発光サイリスタＴ（−２）〜Ｔ（＋２）
のそれぞれのゲート電極を表す。Ｒ_Lはゲート電極の負
荷抵抗を表し、Ｄ_-2〜Ｄ₊₂は電気的相互作用を行うダイ
オードを表す。またＶ_GKは電源電圧を表す。各単体発光
サイリスタのアノード電極に、２本の転送クロックライ
ン（φ1 ，φ2）がそれぞれ１素子おきに接続される。

【００２４】動作を説明する。まず転送クロックφ₂が
ハイレベルとなり、発光サイリスタＴ（０）がオンして
いるとする。このとき３端子サイリスタの特性からゲー
ト電極Ｇ₀は零ボルト近くまで引き下げられる。電源電
圧Ｖ_GKを仮に５ボルトとすると、抵抗Ｒ_L，ダイオード
Ｄ_-2〜Ｄ₊₂のネットワークから各発光サイリスタのゲー
ト電圧が決まる。そして発光サイリスタＴ（０）に近い
素子のゲート電圧が最も低下し、以降順にＴ（０）から
離れるにしたがいゲート電圧は上昇していく。

【００２５】しかしながら、ダイオード特性の一方向
性，非対称性から、電圧を下げる効果は、Ｔ（０）の右
方向にしか働かない。すなわちゲート電極Ｇ₁はＧ₀に
対し、ダイオードの順方向立ち上がり電圧Ｖ_difだけ高
い電圧に設定され、ゲート電極Ｇ₂はＧ₁に対し、さら
にダイオードの順方向立ち上がり電圧Ｖ_difだけ高い電
圧に設定される。一方、Ｔ（０）の左側のゲート電極Ｇ
_-1はダイオードＤ_-1が逆バイアスになっているため電流
が流れず、したがって電源電圧Ｖ_GKと同電位となる。

【００２６】次の転送クロックパルスφ₁は、最近接の
発光サイリスタＴ（１），Ｔ（−１）、そしてＴ（３）
およびＴ（−３）等に印加されるが、これらのなかで、
最もターンオン電圧の最も低い素子はＴ（１）であり、
Ｔ（１）のターンオン電圧は約Ｇ₁のゲート電圧＋Ｖ
_difであるが、これはＶ_difの約２倍である。次にター
ン電圧の低い素子はＴ（３）であり、Ｖ_difの約４倍で
ある。Ｔ（−１）とＴ（−３）のオン電圧は、約Ｖ_GK＋
Ｖ_difとなる。

【００２７】以上から、転送クロックパルスのハイレベ
ル電圧をＶ_difの約２倍からＶ_difの約４倍の間に設定
しておけば、発光サイリスタＴ（１）のみをオンさせる
ことができ、転送動作を行うことができる。

【００２８】図４は、自己走査型発光装置の第３の基本
構造の等価回路図である。この自己走査型発光装置は、
スイッチ素子Ｔ（−１）〜Ｔ（２）、書き込み用発光素
子Ｌ（−１）〜Ｌ（２）からなる。スイッチ素子部分の
構成は、ダイオード接続を用いた例を示している。スイ
ッチ素子のゲート電極Ｇ_-1〜Ｇ₁は、書き込み用発光素
子のゲートにも接続される。書き込み用発光素子のアノ
ードには、書き込み信号Ｓ_inが加えられている。

【００２９】以下に、この自己走査型発光装置の動作を
説明する。いま、転送素子Ｔ（０）がオン状態にあると
すると、ゲート電極Ｇ₀の電圧は、Ｖ_GK（ここでは５ボ
ルトと想定する）より低下し、ほぼ零ボルトとなる。し
たがって、書き込み信号Ｓ_inの電圧が、ＰＮ接合の拡散
電位（約１ボルト）以上であれば、発光素子Ｌ（０）を
発光状態とすることができる。

【００３０】これに対し、ゲート電極Ｇ_-1は約５ボルト
であり、ゲート電極Ｇ₁は約１ボルトとなる。したがっ
て、発光素子Ｌ（−１）の書き込み電圧は約６ボルト、
発光素子Ｌ（１）の書き込み電圧は約２ボルトとなる。
これから、発光素子Ｌ（０）のみに書き込める書き込み
信号Ｓ_inの電圧は、約１〜２ボルトの範囲となる。発光
素子Ｌ（０）がオン、すなわち発光状態に入ると、書き
込み信号Ｓ_inラインの電圧は約１ボルトに固定されてし
まうので、他の発光素子が選択されてしまう、というエ
ラーは防ぐことができる。

【００３１】発光強度は書き込み信号Ｓ_inに流す電流量
で決められ、任意の強度にて画像書き込みが可能とな
る。また、発光状態を次の素子に転送するためには、書
き込み信号Ｓ_inラインの電圧を一度零ボルトまでおと
し、発光している素子をいったんオフにしておく必要が
ある。

【００３２】このような自己走査型発光装置の面発光素
子に発光サイリスタを用いて構成した自己走査型発光装
置は、光プリントヘッドなどに応用可能である。光プリ
ントヘッドなどに応用する場合、ある一定数のスイッチ
素子および発光素子を集積した１つの発光チップを構成
し、この発光チップを例えば一列に配列し、所定のサイ
ズの線状光源を形成する。

【００３３】図４の自己走査型発光装置に関する１つの
発光チップの全体像を図５に示す。１チップの中には、
１２８個のスイッチ素子アレイＴ（１）〜Ｔ（１２８）
と、１２８個の発光素子アレイＬ（１）〜Ｌ（１２８）
とが配列され、スイッチ素子アレイ中に、φ_s，φ₁，
φ₂，Ｖ_GK，Ｓ_in用のボンディングパッドが配列されて
いる。

【００３４】図６は、発光チップの具体的な配線パター
ンのレイアウト図を示す。図中、２８はボンディングパ
ッドを示す。

【００３５】以上の構成の自己走査型発光装置におい
て、各実施例を詳細に説明する。

【００３６】

【実施例１】本発明では、上記配線パターンの配線材料
としてＡｌより腐食の少ない配線材料を用いる。このよ
うな配線材料として、Ａｕ以外にさらに、Ｐｔ，または
Ａｕを主成分とした合金，またはＰｔを主成分とした合
金を用いるものとする。

【００３７】これら配線材料のうちの１種を用いて図６
の配線パターンを形成するが、特にボンディングパッド
２８の部分は、その形状を次のようにする。

【００３８】図７は、従来のボンディングパッドと本発
明のボンディングパッドの形状の２つの例を示す。図７
（Ａ）は、比較のために示す従来のボンディングパッド
２８である。この従来のボンディングパッド２８では、
角部３０，３２に応力が集中するので、角部の剥がれ
や、角部を起点としたパッド全体の剥がれが発生しやす
い。

【００３９】本発明では、応力の集中を避けるため、パ
ッド縁の角部に応力が集中しない構造とする。

【００４０】図７（Ｂ）は、角部を丸めた形状のボンデ
ィングパッド３２を示す。図７（Ａ）の角部３０，３２
に対応する角部を丸める、すなわちＲをつける。Ｒは、
Ｒ＝０．５〜６０μｍとするのが好適である。このよう
にすることにより、角部への応力の集中がなくなり、角
部の剥がれが生じにくくなる。

【００４１】図７（Ｃ）は、角部を３辺の直線で縁どり
した形状のボンディングパッド３６を示す。具体的に
は、図７（Ａ）の角部３０，３２の形状を、直交する２
辺に対し斜めの辺３７，３８を設けて３辺で縁どりした
形状とした。角部を縁どる辺の数は４辺以上でもよい。
多くすれば、図７（Ｂ）の角部の丸み形状に近づくこと
になる。

【００４２】図７（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の各ボンディ
ングパッドについて密着力の比較実験を行った。発光チ
ップをウェハからダイシングするときの切削水の流量
（リットル／分）を変えて、ボンディングパッドが完全
に剥がれた数を調べた（検査ボンディングパッド数は４
０）。結果を表１に示す。

【００４３】

【表１】

【００４４】この実験結果によれば、本発明のボンディ
ングパッドでは、切削水流量を４リットル／分以上にし
たとき、わずか１〜２個の剥がれが観察されただけで、
従来のボンディングパッドに比べて効果があることがわ
かる。

【００４５】同じ条件で実験を行い、ボンディングパッ
ドの剥がれ面積が１／４以上のものについて調べた。結
果を表２に示す。

【００４６】

【表２】

【００４７】本発明のボンディングパッドは従来のボン
ディングパッドに比べて剥がれにくいことは明らかであ
る。

【００４８】以上のボンディングパッドの形状では、配
線の大面積部でも密着力向上に極めて有効に働くが、微
細配線の端部，屈折部，交差部に適用することでも密着
力向上に有効である。

【００４９】図８（Ａ）は、微細配線４０の端部４２，
屈折部４４，交差部４６を示す。図８（Ｂ）は、端部，
屈折部，交差部の角部に丸みをもたせた実施例を示す図
であり、図８（Ｃ）は端部，屈折部，交差部の角部を３
辺の直線で縁どりした実施例を示す図である。これらの
形状により、角部には応力の集中がなくなり、付着力が
向上する。

【００５０】

【実施例２】本発明では、前述したように、配線材料と
してＡｕ，Ｐｔ，Ａｕを主成分とした合金，Ｐｔを主成
分とした合金を使用する。これら配線材料はＡｌと比較
して下地材料との密着性が悪い。そこで本実施例では、
図９に示すように、配線材料５０と下地材料（Ｓｉ
Ｏ₂，ＳｉＮ，ＳｉＯＮなど）５２との間に、Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ｔｉ，ＡｌまたはＴａよりなる層間材料５４を挟ん
だ構造とする。層間材料５４の膜厚最適範囲は、材料に
よらず、０．０１〜１μｍである。

【００５１】このように層間材料を挟むことによって、
配線材料の更なる付着力向上を実現できる。

【００５２】

【実施例３】実施例２で示したように層間材料を挿入す
ることで、配線材料の密着性が改善されるが、一方で層
間材料の腐食がＡｌ配線時と同様の理由で、外気と触れ
る側壁部分から進行する。層間材料の膜厚が薄いので、
腐食進行度はＡｌ配線よりも遅く、信頼性はＡｌ配線よ
りも改善される。層間材料の腐食を抑制して信頼性をさ
らに改善させるために、層間材料を大気と接触させない
ように、図１０に示すように配線材料５０で層間材料５
４を完全に被覆した構造とする。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、配線材料としてＡｌを
用いた場合の腐食の問題が解決される。

【００５４】また、配線材料としてＡｕ，Ｐｔ，Ａｕを
主成分とした合金、Ｐｔを主成分とした合金を使用する
ことで下地材料との密着性が悪化することを抑制でき
る。

【００５５】さらには、長期信頼性確保（腐食防止）の
ため、ＳｉＯ₂などの保護膜を必要としないため、工程
が簡易化されコストダウンが可能となり、これにより安
価なデバイスが提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発光サイリスタの概略断面図である。

【図２】自己走査型発光装置の第１の基本構造の等価回
路図である。

【図３】自己走査型発光装置の第２の基本構造の等価回
路図である。

【図４】自己走査型発光装置の第３の基本構造の等価回
路図である。

【図５】発光チップの全体像を示す図である。

【図６】発光チップの配線パターンを示す図である。

【図７】ボンディングパッドの形状を示す図である。

【図８】配線の角部の形状を示す図である。

【図９】配線材料と下地材料との間に層間材料を挟んだ
構造を示す図である。

【図１０】配線材料で層間材料を完全に被覆した構造を
示す図である。

【符号の説明】

２８，３４，３６ボンディングパッド４０配線５０配線材料５２下地材料５４層間材料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田上高志大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内Ｆターム(参考） 5F041 AA43 AA44 BB22 BB25 BB34 CA35 CA36 CA83 CA84 CA85 CA92 CA93 CA98

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】しきい電圧またはしきい電流の制御電極を
有する発光素子を複数個配列し、各発光素子の前記制御
電極をその近傍に位置する少なくとも１つの発光素子の
制御電極に、電気抵抗または電気的に一方向性を有する
電気素子を介して接続し、各発光素子の発光を制御する
電極に、外部から電圧あるいは電流を印加する複数本の
配線を接続させた自己走査型発光装置の配線材料におい
て、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｕを主成分とした合金，Ｐｔを主成分と
した合金よりなる群から選ばれた１種であることを特徴
とする自己走査型発光装置の配線材料。
【請求項２】しきい電圧またはしきい電流の制御電極を
有する発光素子を複数個配列し、各発光素子の前記制御
電極をその近傍に位置する少なくとも１つの発光素子の
制御電極に、電気抵抗または電気的に一方向性を有する
電気素子を介して接続し、各発光素子の発光を制御する
電極に、外部から電圧あるいは電流を印加する複数本の
配線を接続させた自己走査型発光装置の配線構造におい
て、前記配線の材料として、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｕを主成分とし
た合金，Ｐｔを主成分とした合金よりなる群から選ばれ
た１種を用い、前記配線に含まれるボンディングパッドは、そのパッド
縁に応力の集中しない形状としたことを特徴とする自己
走査型発光装置の配線構造。
【請求項３】前記ボンディングパッドのパッド縁は、丸
みをもたせた角部を有することを特徴とする請求項２に
記載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項４】前記ボンディングパッドのパッド縁は、３
つ以上の直線で縁どりした角部を有することを特徴とす
る請求項２に記載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項５】しきい電圧またはしきい電流の制御電極を
有する発光素子を複数個配列し、各発光素子の前記制御
電極をその近傍に位置する少なくとも１つの発光素子の
制御電極に、電気抵抗または電気的に一方向性を有する
電気素子を介して接続し、各発光素子の発光を制御する
電極に、外部から電圧あるいは電流を印加する複数本の
配線を接続させた自己走査型発光装置の配線構造におい
て、前記配線の材料として、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｕを主成分とし
た合金，Ｐｔを主成分とした合金よりなる群から選ばれ
た１種を用い、前記配線の端部，交差部，屈折部は、応力の集中しない
形状としたことを特徴とする自己走査型発光装置の配線
構造。
【請求項６】前記配線の端部，交差部，屈折部は、丸み
をもたせた角部を有することを特徴とする請求項５に記
載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項７】前記配線の端部，交差部，屈折部は、３つ
以上の直線で縁どりした角部を有することを特徴とする
請求項５に記載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項８】しきい電圧またはしきい電流の制御電極を
有する発光素子を複数個配列し、各発光素子の前記制御
電極をその近傍に位置する少なくとも１つの発光素子の
制御電極に、電気抵抗または電気的に一方向性を有する
電気素子を介して接続し、各発光素子の発光を制御する
電極に、外部から電圧あるいは電流を印加する複数本の
配線を接続させた自己走査型発光装置の配線構造におい
て、前記配線の材料として、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｕを主成分とし
た合金，Ｐｔを主成分とした合金よりなる群から選ばれ
た１種を用い、前記配線材料と下地材料との間に層間材料を挟んで、前
記配線材料と前記下地材料との密着性を高めたことを特
徴とする自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項９】前記配線材料は、前記層間材料を大気と接
触させないように、完全に被覆したことを特徴とする請
求項８に記載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項１０】前記層間材料は、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａ
ｌ，Ｔａよりなる群から選ばれた１種であることを特徴
とする請求項８または９に記載の自己走査型発光装置の
配線構造。
【請求項１１】前記層間材料の厚さは、０．０１〜１μ
ｍであることを特徴とする請求項８，９，または１０に
記載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項１２】スイッチング動作のためのしきい電圧ま
たはしきい電流の制御電極を有するスイッチ素子を複数
個配列し、各スイッチ素子の前記制御電極をその近傍に
位置する少なくとも１つのスイッチ素子の制御電極に、
電気抵抗または電気的に一方向性を有する電気素子を介
して接続するとともに、各スイッチ素子に電源ラインを
電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子にクロ
ックラインを接続して形成した自己走査スイッチ素子ア
レイと、しきい電圧またはしきい電流の制御電極を有す
る発光素子を複数個配列した発光素子アレイとからな
り、前記発光素子アレイの各制御電極を前記スイッチ素
子の制御電極と電気的手段にて接続し、各発光素子に発
光のための電流を印加するラインを設けた自己走査型発
光装置の配線材料において、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｕを主成分とした合金，Ｐｔを主成分と
した合金よりなる群から選ばれた１種であることを特徴
とする自己走査型発光装置の配線材料。
【請求項１３】スイッチング動作のためのしきい電圧ま
たはしきい電流の制御電極を有するスイッチ素子を複数
個配列し、各スイッチ素子の前記制御電極をその近傍に
位置する少なくとも１つのスイッチ素子の制御電極に、
電気抵抗または電気的に一方向性を有する電気素子を介
して接続するとともに、各スイッチ素子に電源ラインを
電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子にクロ
ックラインを接続して形成した自己走査スイッチ素子ア
レイと、しきい電圧またはしきい電流の制御電極を有す
る発光素子を複数個配列した発光素子アレイとからな
り、前記発光素子アレイの各制御電極を前記スイッチ素
子の制御電極と電気的手段にて接続し、各発光素子に発
光のための電流を印加するラインを設けた自己走査型発
光装置の配線構造において、前記配線に含まれるボンディングパッドは、そのパッド
縁に応力の集中しない形状としたことを特徴とする自己
走査型発光装置の配線構造。
【請求項１４】前記ボンディングパッドのパッド縁は、
丸みをもたせた角部を有することを特徴とする請求項１
３に記載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項１５】前記ボンディングパッドのパッド縁は、
３つ以上の直線で縁どりした角部を有することを特徴と
する請求項１３に記載の自己走査型発光装置の配線構
造。
【請求項１６】スイッチング動作のためのしきい電圧ま
たはしきい電流の制御電極を有するスイッチ素子を複数
個配列し、各スイッチ素子の前記制御電極をその近傍に
位置する少なくとも１つのスイッチ素子の制御電極に、
電気抵抗または電気的に一方向性を有する電気素子を介
して接続するとともに、各スイッチ素子に電源ラインを
電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子にクロ
ックラインを接続して形成した自己走査スイッチ素子ア
レイと、しきい電圧またはしきい電流の制御電極を有す
る発光素子を複数個配列した発光素子アレイとからな
り、前記発光素子アレイの各制御電極を前記スイッチ素
子の制御電極と電気的手段にて接続し、各発光素子に発
光のための電流を印加するラインを設けた自己走査型発
光装置の配線構造において、前記配線の材料として、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｕを主成分とし
た合金，Ｐｔを主成分とした合金よりなる群から選ばれ
た１種を用い、前記配線の端部，交差部，屈折部は、応力の集中しない
形状としたことを特徴とする自己走査型発光装置の配線
構造。
【請求項１７】前記配線の端部，交差部，屈折部は、丸
みをもたせた角部を有することを特徴とする請求項１６
に記載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項１８】前記配線の端部，交差部，屈折部は、３
つ以上の直線で縁どりした角部を有することを特徴とす
る請求項１６に記載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項１９】スイッチング動作のためのしきい電圧ま
たはしきい電流の制御電極を有するスイッチ素子を複数
個配列し、各スイッチ素子の前記制御電極をその近傍に
位置する少なくとも１つのスイッチ素子の制御電極に、
電気抵抗または電気的に一方向性を有する電気素子を介
して接続するとともに、各スイッチ素子に電源ラインを
電気的手段を用いて接続し、かつ各スイッチ素子にクロ
ックラインを接続して形成した自己走査スイッチ素子ア
レイと、しきい電圧またはしきい電流の制御電極を有す
る発光素子を複数個配列した発光素子アレイとからな
り、前記発光素子アレイの各制御電極を前記スイッチ素
子の制御電極と電気的手段にて接続し、各発光素子に発
光のための電流を印加するラインを設けた自己走査型発
光装置の配線構造において、前記配線の材料として、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｕを主成分とし
た合金，Ｐｔを主成分とした合金よりなる群から選ばれ
た１種を用い、前記配線材料と下地材料との間に層間材料を挟んで、前
記配線材料と前記下地材料との密着性を高めたことを特
徴とする自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項２０】前記配線材料は、前記層間材料を大気と
接触させないように、完全に被覆したことを特徴とする
請求項１９に記載の自己走査型発光装置の配線構造。
【請求項２１】前記層間材料は、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａ
ｌ，Ｔａよりなる群から選ばれた１種であることを特徴
とする請求項１９または２０に記載の自己走査型発光装
置の配線構造。
【請求項２２】前記層間材料の厚さは、０．０１〜１μ
ｍであることを特徴とする請求項１９，２０，または２
１に記載の自己走査型発光装置の配線構造。