JP2001024140A - リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
に発生するノイズを低減し、半導体装置の高集積化及び
高密度実装化を安価に実現したリードフレームを提供す
る。 【解決手段】 半導体チップ2の電極部に電気的に接続
するリード部4が、導電用リード部5を中心としてその
表面に絶縁樹脂層6が被覆され、該絶縁樹脂層6の表面
に導体層7が被覆されてなることを特徴とする。
Description
その製造方法並びに樹脂封止タイプの半導体装置及びそ
の製造方法に関する。
の際に半導体装置のリード部と外部接続回路との特性イ
ンピーダンスが整合していないと信号波形が変形し易
く、信号用リード部の容量成分や誘導成分等の影響によ
りインダクタンスノイズやクロストークノイズ等が発生
し、信号の伝送特性を損なうおそれがある。
に示すように、半導体チップの高周波信号用電極に接続
する信号用リード部に、予め設定された特性インピーダ
ンスを有する同軸リードを有する信号入出力端子を備え
た半導体パッケージが提案されている。この同軸リード
は、中心導体の回りを誘電体と外部導体とで被覆してい
る。また、特開平5−121632号公報に示すよう
に、コプレナー構造によりインピーダンス整合を図るた
め、信号用リード間に接地リードを配設した樹脂封止タ
イプの半導体装置が提案されている。これはリードフレ
ームの信号用リード間に、接地リードを挿入することに
より信号用リード間のクロストークノイズを低減させる
ものである。或いは、特開平7−297351号公報に
示すように、コプレナー構造によりインピーダンス整合
を図った半導体装置として、LOC(Lead On
Chip)構造を有する半導体装置が提案されている。
これは半導体チップの中央部に配設したパッドに向かっ
て両側より延出する信号用の第1のリードフレームと、
この第1のリードフレームのリード先端側を回避して横
切るバスバーリードを配設し、第1の信号用リードが、
隣接する他の信号用リードよりノイズ等の影響を受け難
くしたものである。
5号公報のように、半導体チップの電極端子に同軸リー
ドを接続する構造では、中心導体の回りを誘電体と外部
導体とで被覆しているがその製造方法は不明であり、こ
のような同軸リードを有するリードフレームを製造する
とすれば、専用の製造装置や製造工程を要するため製造
コストが増大する。また、半導体装置の高集積化及び高
密度実装化に伴い、半導体チップと電気的に接続する信
号用リード部もファインピッチ化している。よって、信
号用リード部に同軸リードを用いたとすると、リード径
が大きくなり易いため高密度配線や半導体装置の小型化
を図る上では限界がある。
すように、コプレナー構造によってインピーダンス整合
を図る場合にも、信号用リードがファインピッチ化する
にしたがって接地リードもファインピッチ化する必要が
あるため、平面上に限られたスペースで半導体装置の高
密度配線化を図る上では限界があった。また、特開平7
−297351号公報に示すLOC構造を有する半導体
装置においては、信号用の第1のリードフレームのリー
ド間に配設された固定電位用の第2のリードフレーム
は、半導体パッケージの側面や裏面側に配設された信号
用リード間には配設されていないため、必ずしも信号用
リード間のクロストークノイズを有効に低減させている
とは言えない。
決し、高周波信号用の半導体装置の信号用リード部に発
生するノイズを低減し、半導体装置の高集積化及び高密
度実装化を安価に実現したリードフレーム及びその製造
方法並びに半導体装置及びその製造方法を提供すること
にある。
め、本発明は次の構成を備える。即ち、リードフレーム
においては、半導体チップの電極部に電気的に接続する
導電ラインとして使用するリード部が、該リード部を中
心としてその表面に絶縁樹脂層が被覆され、該絶縁樹脂
層の表面に導体層が被覆されてなることを特徴とする。
また、リードフレームの製造方法においては、半導体チ
ップの電極部に電気的に接続する導電ラインとして使用
するリード部を形成する工程と、リード部を中心として
その表面に有機絶縁樹脂材をコーティングして絶縁樹脂
層を被覆形成する工程と、絶縁樹脂層の表面にめっきに
より接地ライン又は電源ラインとして使用する導体層を
被覆形成する工程とを有することを特徴とする。この場
合、絶縁樹脂層は、リードフレームのリード部の所要部
位にマスクをしてリード部に有機絶縁樹脂材を所要の厚
さにコーティングして形成するのが好ましい。
使用するリード部を中心としてその表面に絶縁樹脂層が
被覆され、該絶縁樹脂層の表面に導体層が被覆されてな
るリード部のインナーリード部と半導体チップの電極部
とが電気的に接続され、半導体チップ及びインナーリー
ド部が樹脂封止されてなることを特徴とする。この場
合、導体層どうしが電気的に接続され、該導体層と接地
ライン又は電源ラインとして使用するリード部とが電気
的に接続されていても良い。また、半導体装置の製造方
法においては、導電ラインとして使用するリード部を中
心としてその表面に有機絶縁樹脂材をコーティングして
絶縁樹脂層を被覆形成し、該絶縁樹脂層の表面にめっき
により接地ライン又は電源ラインとして使用する導体層
を被覆形成してなるリード部を有するリードフレームを
用い、該リードフレームのインナーリードと半導体チッ
プの電極部とを電気的に接続した後、半導体チップ及び
インナーリード部を樹脂封止してなることを特徴とす
る。また、半導体チップ及びインナーリード部を樹脂封
止する前に、導体層どうしをワイヤボンディングにより
電気的に接続しても良い。
インとして使用する信号用リード部の両側に接地ライン
又は電源ラインとして使用する固定電位用リード部を隣
接して配設したリード部のインナーリード部と半導体チ
ップの電極部とが電気的に接続され、半導体チップ及び
インナーリード部が樹脂封止されてなる半導体装置にお
いて、信号用リード部の両側に配設した固定電位用リー
ド部どうしが信号用リード部の電極部側に臨む先端を回
避して連絡して信号用リード部を囲む配線パターンに形
成されていても良い。また、隣接した固定電位用リード
部どうしが信号用リード部を跨いで電気的に接続されて
いたり、或いは半導体チップの電極部の両側に対向して
配置された固定電位用リード部どうしが電極部を跨いで
電気的に接続されていてもよく、これらの半導体装置に
おいては、信号用リード部及び固定電位用リード部に代
えて、信号ラインとして使用する信号用リード部を中心
としてその表面に絶縁樹脂層を介して接地ライン又は電
源ラインとして使用する固定電位用リード部として導体
層が配設されていても良い。
について添付図面と共に詳述する。 〔第1実施例〕本実施例では、樹脂封止型の半導体装置
及びその製造方法についてリードフレームの構成及びそ
の製造方法と併せて説明するものとする。図1は半導体
装置の要部構成を示す部分断面図、図2はインナーリー
ド部の先端側の拡大説明図、図3はインナーリード部ど
うしの配線構造を示す説明図である。
する。図1において、1は半導体装置であり、以下の構
成を有する。半導体チップ2はダイパッド部3に搭載さ
れており、該半導体チップ2と外部接続端子となるリー
ド部4とが電気的に接続されている。リード部4は半導
体チップ2の電極部に接続するインナーリード部4a及
び外部接続回路に接続するアウターリード部4bを有す
る。ここでリード部4の構成について説明すると、5は
導電ライン(各種信号ライン、電源ライン、接地ライン
を含む)として使用する導電用リード部であり、該導電
用リード部5を中心としてその表面は絶縁樹脂層6に被
覆されている。この絶縁樹脂層6の表面には接地ライン
又は電源ラインとして使用する導体層7が積層されてい
る。リード部4は、リードフレームの製造工程におい
て、帯状金属板材にプレス加工を施して導電用リード部
5を形成した後、該導電用リード部5を中心としてその
表面に絶縁樹脂層6が被覆され、該絶縁樹脂層6の表面
に導体層7が被覆形成される。半導体装置1は、インナ
ーリード部4aと半導体チップ2の電極部とがワイヤボ
ンディングされてワイヤ8aにより接続され、半導体チ
ップ2及びインナーリード部4aを封止樹脂9に樹脂封
止されてなる。尚、8bは接地ライン又は電源ラインと
して使用する導電用リード部5と導体層7とを電気的に
接続するワイヤである。これによって、導体層7が接地
電位又は所定電源電位等の固定電位となる。
の先端側を拡大して示す。リード部4は、各導電用リー
ド部5を中心としてその表面に絶縁樹脂層6が被覆さ
れ、該絶縁樹脂層6の表面に導体層7が被覆されてい
る。また、インナーリード部4a及びアウターリード部
4bの先端側は、信号用リード部5、絶縁樹脂層6及び
導体層7が階段状に露出するように形成されている。本
実施例では、各導電用リード部5が絶縁樹脂層6を介し
て固定電位となっている導体層7に覆われているのでク
ロストークノイズ等の発生や電磁波の放射を防止でき
る。また、リード部4は、導電用リード部5を中心とし
て積層して被覆される絶縁樹脂層6及び導体層7の厚さ
をコントロールすることにより、可能な限りリード部4
のファインピッチ化を図ることができる。
の配線構造を示す。図3において、導体層7どうしをワ
イヤ8cにより電気的に接続し、導体層7と接地ライン
又は電源ラインとして使用する固定電位用リード部5と
がワイヤ8b(図1参照)により電気的に接続されてい
ても良い。これによって、各導電用リード部5を固定電
位となった導体層7により遮蔽した状態と等価になる。
また、このように、導体層7を接地ライン又は電源ライ
ンに利用することによって、接地ライン又は電源ライン
を信号ライン間に平面的に増設する必要がなく、導電用
リード部5の配置スペースを広くとることができる。従
って、可能な限りリードピッチのファインピッチ化を図
りつつ、半導体装置1の高周波電気特性を向上させるこ
とができる。
明する。先ず、帯状金属板材にプレス加工を施して導電
用リード部5を形成する。次に導電用リード部5の所要
部位をマスキングして導電用リード部5の表面に有機絶
縁樹脂材をコーティングして絶縁樹脂層6を被覆形成す
る。有機絶縁樹脂材のコーティングは、例えばリードフ
レームを液状の有機絶縁樹脂中にディップして被覆する
方法や有機絶縁樹脂材をスプレーする方法等による。こ
の後、エッチングにより有機絶縁樹脂層を所要の厚さに
除去し、リード断面が導電用リード部5を中心として柱
状に絶縁樹脂層6により被覆形成される。次に、絶縁樹
脂層6の表面に金属めっきにより導体層7を形成する。
金属めっきとしては、例えば絶縁樹脂層6の表面に無電
解銅めっきを施し、更に電解銅めっきを施す。このよう
にして形成したリードフレームのダイパッド部3に半導
体チップ2を搭載し、インナーリード部4aと半導体チ
ップ2の電極部とをワイヤボンディングして接続する。
また、接地電位とする導体層7どうしをワイヤ8cによ
りワイヤボンディングして接続する。最後に半導体チッ
プ2及びインナーリード部4aを樹脂封止して半導体装
置1が製造される。
1は、導電用リード部5を中心としてその表面に絶縁樹
脂層6を被覆し、該絶縁樹脂層6の表面に導体層7を被
覆してなるリード部4を有するリードフレーム2を使用
したので、クロストークノイズ等の発生や電磁波の放射
を防止でき、半導体装置1と外部接続回路との特性イン
ピーダンスが良好に整合され、高周波電気特性を向上さ
せることができる。また、導体層7を接地ライン又は電
源ラインに利用することによって、信号ライン間に接地
ライン又は電源ラインを平面的に増設する必要がなく、
導電用リード部5の配置スペースを広くとることができ
る。よって、可能な限りリードピッチのファインピッチ
化を図ることができる。また、リード部4は、導電用リ
ード部5を中心としてその表面に有機絶縁樹脂材をディ
ップ或いはスプレーなどによりコーティングして絶縁樹
脂層6を被覆した後、該絶縁樹脂層6の表面にめっきに
より導体層7を被覆して所望の厚さで柱状に形成できる
ので、既存の設備で半導体装置1を安価に製造できる。
従って、高集積化及び高密度実装化した信頼性の高い半
導体装置を安価に提供できる。
を有する半導体装置及びその製造方法についてリードフ
レームの構成及びその製造方法と併せて説明するものと
する。図4は半導体装置内部のリード部の配線構造を示
す部分平面図、図5は半導体装置の断面説明図、図6は
他例に係る半導体装置内部のリード部の配線構造を示す
平面図、図7及び図8は図6のリード部の配線構造を示
す部分断面図である。LOC構造を有する半導体装置の
概略構成について図4及び図5を参照して説明する。半
導体チップ11には中央部の長手方向に電極部12が形
成されている。また、半導体チップ11の電極形成面1
3には、電極部12の両側にリード部14が形成されて
いる。リード部14は半導体チップ11上に接着剤15
を介して接着されており、該リード部14の先端部と電
極部12とがワイヤボンディングされてワイヤ16によ
り電気的に接続されている。半導体装置17は、半導体
チップ11及びリード部14のうちインナーリード部2
0として配置された領域を封止樹脂21により樹脂封止
されてなる。
は、信号ラインとして使用する信号用リード部14aの
両側に接地ライン又は電源ラインとして使用する固定電
位用リード部14bを隣接して配設したコプレナー構造
を採用している。また、リード部14は、図4に示すよ
うに、信号用リード部14aの両側に隣接した固定電位
用リード部14bどうしが信号用リード部14aの電極
部12側に臨む先端を回避して連絡して信号用リード部
14aを囲む配線パターンに形成されている。この固定
電位用リード部14bは、アウターリード部22から電
極部12近傍のインナーリード部20に至るまで信号用
リード部14aを囲んで形成されているので、隣接する
信号用リード部14a間のクロストークノイズ等の発生
を有効に防止できる。
置17において、リード部14の他の配線構造について
説明する。図6及び図7において、信号用リード部14
aを介して隣接した固定電位用リード部14bどうしが
信号用リード部14aを跨いでワイヤボンディングされ
てワイヤ18により電気的に接続しても良い。或いは、
図6及び図8において、半導体チップ11の電極部12
の両側に対向して配置された固定電位用リード部14b
どうしが、該電極部12を跨いでワイヤボンディングさ
れてワイヤ19により電気的に接続しても良い。上記い
ずれの場合も、リード部14がコプレナー構造を有する
半導体装置17において、信号用リード部14aの周囲
を固定電位用リード部14bにより囲んだ状態と等価に
なるため、簡易な構成でクロストークノイズ等の発生を
有効に防止でき、製造コストも削減できる。また、固定
電位用リード部14bと接続する半導体チップ11の電
極部12を共有して該接続部数を省略できるので、リー
ドピッチのファインピッチ化を図ることができる。尚、
図7及び図8に示すLOC構造を有するリード部14
は、信号用リード部及び固定電位用リード部に代えて、
信号ラインとして使用する信号用リード部を中心として
その表面に絶縁樹脂層を介して接地ライン又は電源ライ
ンとして使用する固定電位用リード部として導体層が配
設された構成であっても良い。
述べてきたが、本発明は上述した各実施例に限定される
のものではなく、例えば接地ライン又は電源ラインどう
しを接続するワイヤの接続態様や信号ラインや電極部を
跨いで接地ライン又は電源ラインどうしを接続するワイ
ヤの接続態様は任意に形成可能である等、発明の精神を
逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはもちろんで
ある。
法を用いると、導電ラインとして使用する導電用リード
部を中心としてその表面に絶縁樹脂層を積層し、該絶縁
樹脂層の表面に接地ライン又は電源ラインとして利用す
る導体層を積層してなるリード部を有するリードフレー
ムを用いて半導体装置を形成したので、クロストークノ
イズ等の発生や電磁波の放射を防止でき、半導体装置と
外部接続回路との特性インピーダンスが良好に整合さ
れ、高周波電気特性を向上させることができる。また、
導体層を接地ライン又は電源ラインに利用することによ
って、信号ライン間に接地ライン又は電源ラインを平面
的に増設する必要がなく、導電用リード部の配置スペー
スを広くとることができる。よって、可能な限りリード
ピッチのファインピッチ化を図ることができる。また、
リード部は、導電用リード部を中心としてその表面に有
機絶縁樹脂材をディップ或いはスプレーなどによりコー
ティングして絶縁樹脂層を被覆した後、該絶縁樹脂層の
表面にめっきにより導体層を被覆して所望の厚さで柱状
に形成できるので、既存の設備で半導体装置を安価に製
造できる。従って、高集積化及び高密度実装化した信頼
性の高い半導体装置を安価に提供できる。
半導体装置において、信号用リード部の両側に配設した
固定電位用リード部どうしが信号用リード部の電極部側
に臨む先端を回避して連絡して信号用リード部を囲む配
線パターンに形成されている場合には、隣接する信号用
リード部間のクロストークノイズ等の発生を有効に防止
できる。また、隣接した固定電位用リード部どうしが信
号用リード部を跨いでワイヤにより電気的に接続されて
いたり、或いは半導体チップの電極部の両側に対向して
配置された固定電位用リード部どうしが該電極部を跨い
でワイヤにより電気的に接続されていた場合には、簡易
な構成で信号ラインの周囲を接地ライン又は電源ライン
により囲んだ状態と等価になるため、クロストークノイ
ズ等の発生を有効に防止でき、製造コストも削減でき
る。また、接地ライン又は電源ラインと接続する半導体
チップの電極部を共有して該接続部数を省略できるの
で、リードピッチのファインピッチ化を図ることができ
る。
部分断面図である。
る。
図である。
配線構造を示す部分平面図である。
造を示す平面図である。
ある。
ある。
Claims (11)
- 【請求項1】 半導体チップの電極部に電気的に接続す
る導電ラインとして使用するリード部が、該リード部を
中心としてその表面に絶縁樹脂層が被覆され、該絶縁樹
脂層の表面に導体層が被覆されてなることを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項2】 半導体チップの電極部に電気的に接続す
る導電ラインとして使用するリード部を形成する工程
と、 前記リード部を中心としてその表面に有機絶縁樹脂材を
コーティングして絶縁樹脂層を被覆形成する工程と、 前記絶縁樹脂層の表面にめっきにより接地ライン又は電
源ラインとして使用する導体層を被覆形成する工程とを
有することを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項3】 前記絶縁樹脂層は、前記リードフレーム
のリード部の所要部位にマスクをして前記リード部に有
機絶縁樹脂材を所要の厚さにコーティングして形成する
ことを特徴とする請求項2記載のリードフレームの製造
方法。 - 【請求項4】 導電ラインとして使用するリード部を中
心としてその表面に絶縁樹脂層が被覆され、該絶縁樹脂
層の表面に導体層が被覆されてなるリード部のインナー
リード部と半導体チップの電極部とが電気的に接続さ
れ、前記半導体チップ及び前記インナーリード部が樹脂
封止されてなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】 前記導体層どうしがワイヤボンディング
により電気的に接続され、該導体層と接地ライン又は電
源ラインとして使用するリード部とがワイヤボンディン
グにより電気的に接続されていることを特徴とする請求
項4記載の半導体装置。 - 【請求項6】 導電ラインとして使用するリード部を中
心としてその表面に有機絶縁樹脂材をコーティングして
絶縁樹脂層を被覆形成し、該絶縁樹脂層の表面にめっき
により接地ライン又は電源ラインとして使用する導体層
を被覆形成してなるリード部を有するリードフレームを
用い、該リードフレームのインナーリード部と前記半導
体チップの電極部とを電気的に接続した後、前記半導体
チップ及びインナーリード部を樹脂封止してなることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 前記半導体チップ及びインナーリード部
を樹脂封止する前に、前記導体層どうしを電気的に接続
することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項8】 信号ラインとして使用する信号用リード
部の両側に接地ライン又は電源ラインとして使用する固
定電位用リード部を隣接して配設したリード部のインナ
ーリード部と半導体チップの電極部とが電気的に接続さ
れ、前記半導体チップ及びインナーリード部が樹脂封止
されてなる半導体装置において、 前記信号用リード部の両側に配設した前記固定電位用リ
ード部どうしが前記信号用リード部の前記電極部側に臨
む先端を回避して連絡して前記信号用リード部を囲む配
線パターンに形成されていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項9】 信号ラインとして使用する信号用リード
部の両側に接地ライン又は電源ラインとして使用する固
定電位用リード部を隣接して配設したリード部のインナ
ーリード部と半導体チップの電極部とが電気的に接続さ
れ、前記半導体チップ及びインナーリード部が樹脂封止
されてなる半導体装置において、 隣接した前記固定電位用リード部どうしが前記信号用リ
ード部を跨いで電気的に接続されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項10】 信号ラインとして使用する信号用リー
ド部の両側に接地ライン又は電源ラインとして使用する
固定電位用リード部を隣接して配設したリード部のイン
ナーリード部と半導体チップの電極部とが電気的に接続
され、前記半導体チップ及びインナーリード部が樹脂封
止されてなる半導体装置において、 前記半導体チップの電極部の両側に対向して配置された
前記固定電位用リード部どうしが前記電極部を跨いで電
気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項11】 前記信号用リード部及び固定電位用リ
ード部に代えて、信号ラインとして使用する信号用リー
ド部を中心としてその表面に絶縁樹脂層を介して接地ラ
イン又は電源ラインとして使用する固定電位用リード部
として導体層が配設されてなることを特徴とする請求項
9又は請求項10記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11195492A JP2001024140A (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11195492A JP2001024140A (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001024140A true JP2001024140A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16341998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11195492A Pending JP2001024140A (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001024140A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100814433B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2008-03-18 | 삼성전자주식회사 | 리드 프레임 유닛, 이를 갖는 반도체 패키지 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 반도체 스택 패키지 및 이의 제조방법 |
JP2010153579A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Denso Corp | リードフレーム |
US8193091B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-06-05 | Panasonic Corporation | Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2019192760A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | モレックス エルエルシー | 電子部品 |
-
1999
- 1999-07-09 JP JP11195492A patent/JP2001024140A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8193091B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-06-05 | Panasonic Corporation | Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR100814433B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2008-03-18 | 삼성전자주식회사 | 리드 프레임 유닛, 이를 갖는 반도체 패키지 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 반도체 스택 패키지 및 이의 제조방법 |
US7791178B2 (en) | 2006-11-22 | 2010-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead frame unit, semiconductor package having a lead frame unit, stacked semiconductor package having a semiconductor package and methods of manufacturing the same |
JP2010153579A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Denso Corp | リードフレーム |
JP2019192760A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | モレックス エルエルシー | 電子部品 |
JP7059091B2 (ja) | 2018-04-24 | 2022-04-25 | モレックス エルエルシー | 電子部品 |
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