JP2001021304A - 変位測定装置 - Google Patents

変位測定装置

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JP2001021304A
JP2001021304A JP11195985A JP19598599A JP2001021304A JP 2001021304 A JP2001021304 A JP 2001021304A JP 11195985 A JP11195985 A JP 11195985A JP 19598599 A JP19598599 A JP 19598599A JP 2001021304 A JP2001021304 A JP 2001021304A
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孝 野田
Makoto Sato
佐藤  誠
Takahiro Morosawa
孝浩 茂呂澤
Shinji Yokomizo
信次 横溝
Tetsuo Kimura
哲郎 木村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 周囲の温度環境が変化しても、常に高精度な
測定を可能にする。 【解決手段】 測定空間内に配置されたワーク19の変
位を、その変位の方向に沿うように支持部材に支持され
たX,Y,Z軸スケールで読み取ることにより測定する
変位測定装置において、各軸スケールは、それ自身及び
支持部材の熱膨張による測定位置での誤差が最も少なく
なる特定の部位で支持部材に固定され、その他の部位は
支持部材に対して変位の方向に移動可能に支持されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、三次元測定機な
どの変位測定装置に関し、特に三次元測定空間の各軸方
向の熱的な変化による誤差を極力少なくするようにした
変位測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】三次元測定機では、三次元測定空間を構
成する各軸に沿って配置されたスケールを基準とするス
ケール座標系の中で、種々の測定子が使用されて測定が
行われる。この種の三次元測定機では、測定子の交換前
後の測定子間の偏差量による測定誤差が生じないよう
に、スケール座標系の中に機械座標系を構築する。図1
1は、この様子を示す図である。三次元測定機の測定機
座標系Xs,Ys,Zsには、マスターボール100が配
置されており、このマスターボール100の先端球の中
心位置が機械座標系Xm,Ym,Zmの基準原点Omとして
定義される。各測定子による測定に先立って、その測定
子によりマスターボール100を球測定してその中心座
標Omを求める。そして、測定機座標系の原点Osと機械
座標系の原点Omとの間のオフセット量Vsm(ベクト
ル)を記憶して、スケールの読み取り座標値からオフセ
ット量を補正することによって測定子の交換前後の偏差
量による測定誤差を取り除く。
【0003】実際の測定においては、機械座標系Xm,
Ym,Zmの中に、更に測定物(ワーク101)の設計図
面情報に対応させて測定物座標系Xw,Yw,Zwが構築
される。以下、これら機械座標系、測定物座標系を合わ
せて「測定座標系」と呼ぶことにする。測定物座標系を
構築することにより、機械座標系の原点Omと測定物座
標系の原点Owとのオフセット量Vmw(ベクトル)につ
いても補正され、測定物座標系に基づく測定値が求めら
れる。いま、図11における測定物座標系(Xw,Yw,
Zw)を基準として得られる測定点Pの座標Vwp(ベク
トル)は、下記数1のように表すことができる。
【0004】
【数1】
【0005】従来の三次元測定機では、精密な三次元測
定を可能にするために、例えば20℃に正確に制御され
た測定室で測定作業を行うのが一般的であるため、一度
設定された機械座標系及び測定物座標系による測定は、
温度変化がないことが前提となっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
より高精度の加工を可能にするため、製造ラインの中で
加工された製品を逐次測定して、その測定値を加工条件
の補正値にフィードバックしていくような、いわゆるイ
ンライン型の計測システム等が採用されるに至り、従来
のような理想的な温度条件の中での測定が困難になりつ
つある。このため、測定環境の温度変化が、高精度測定
において無視できない測定誤差を招来し、測定精度の低
下につながるという問題が生じるようになってきた。
【0007】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、周囲の温度環境が変化しても、常に高精度な測定
を行うことができる変位測定装置を提供することを目的
とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る第1の変
位測定測定装置は、所定の測定空間内に配置された測定
対象の変位を、その変位の方向に沿うように支持部材に
支持されたスケールで読み取ることにより測定する変位
測定装置において、前記スケールは、それ自身及び前記
支持部材の熱膨張による測定位置での誤差が最も少なく
なる特定の部位で前記支持部材に固定され、その他の部
位は前記支持部材に対して前記変位の方向に移動可能に
支持されていることを特徴とする。
【0009】本発明によれば、測定対象の変位を読み取
るスケールと、これを支持する支持手段の熱膨張による
測定位置の変動が最も少なくなるように、スケールが固
定手段に固定される。具体的には、スケールの特定の部
位のみが固定手段に固定される。これにより、熱による
影響を効果的な排除することができる。
【0010】この発明に係る第2の変位測定装置は、互
いに直交するX軸、Y軸及びZ軸からなる三次元測定空
間が設定され、ベース面がX軸及びY軸と平行な水平面
と一致するように配置された、測定対象を載置するベー
ス部材と、このベース部材に対してX軸方向に延びるビ
ーム部材と、このビーム部材を前記ベース部材に対して
Y軸方向に相対的に移動させるY軸駆動機構と、前記ビ
ーム部材に支持されてX軸方向に移動するコラム部材
と、このコラム部材に支持されてZ軸方向に移動するス
ピンドル部材と、このスピンドル部材に取り付けられて
前記測定対象の測定個所を指示する測定子と、前記ビー
ム部材にX軸方向に沿って一部のみが固定されるように
取り付けられて前記ビーム部材に対する前記コラム部材
のX軸方向の変位を検出するX軸スケールと、前記ベー
ス部材にY軸方向に沿って一部のみが固定されるように
取り付けられて前記ベース部材に対する前記ビーム部材
のY軸方向の変位を検出するY軸スケールと、前記コラ
ム部材又はスピンドル部材にZ軸に沿って一部のみが固
定されるように取り付けられて前記コラム部材に対する
前記スピンドル部材のZ軸方向の変位を検出するZ軸ス
ケールとを備えた変位測定装置において、前記X軸スケ
ール、Y軸スケール及びZ軸スケールが、熱膨張による
測定個所での誤差が最も少なくなる特定の部位で固定さ
れていることを特徴とする。
【0011】例えば、前記ビームの熱膨張係数をα、前
記X軸スケールの熱膨張係数をβ、前記ベース部材の熱
膨張係数をγとし、α>β、γであるとき、前記X軸ス
ケールは、前記ビーム部材の前記ベース部材における支
持位置に近い方の端部で前記ビーム部材に固定される。
【0012】また、例えば前記ビームの熱膨張係数を
α、前記X軸スケールの熱膨張係数をβ、前記ベース部
材の熱膨張係数をγとし、α=β=γであるとき、前記
X軸スケールは、前記ビーム部材の任意の位置で固定さ
れていれば良い。
【0013】同様に、前記Y軸スケールは、例えば、前
記ベース部材の中心に近い位置で前記ベース部材に固定
される。
【0014】また、前記Y軸スケールの熱膨張係数を
β、前記ベース部材の熱膨張係数をγとし、β=γであ
るとき、前記Y軸スケールは、前記ベース部材の任意の
位置で固定されていれば良い。
【0015】前記コラム又はスピンドルの熱膨張係数を
α、前記Z軸スケールの熱膨張係数をβとし、α>2β
であるとき、前記Z軸スケールは、前記コラム又はスピ
ンドルの下端部に近い位置で固定されるようにすればよ
い。
【0016】また、前記コラム又はスピンドルの熱膨張
係数をα、前記Z軸スケールの熱膨張係数をβとし、α
≦2βであるとき、前記Z軸スケールは、前記コラム又
はスピンドルの上端部に近い位置で固定されるようにす
ればよい。
【0017】この発明によれば、各軸スケールの取付形
態や熱膨張係数に応じた各スケールの適切な取付形態を
選択することにより、測定誤差を抑制して高精度の測定
が可能になる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の好ましい実施の形態について説明する。図1は、この
発明の一実施例に係るCNC(Computerized Numerical
Control)三次元測定システムの構成を示すブロック図
である。このCNC三次元測定システムは、三次元測定
機1と、この三次元測定機1を駆動制御すると共に三次
元測定機1から必要な測定値を取り込むためのコントロ
ーラ2と、このコントローラ2を介して取り込まれた測
定値を処理するホストコンピュータ3と、三次元測定機
1の測定環境の温度を測定して、その温度データをコン
トローラ2に供給する一又は複数の温度センサ4とによ
り構成されている。
【0019】三次元測定機1は、例えば図2に示すよう
に構成されている。除振台11の上には、定盤12がそ
の上面をベース面として水平面と一致するように載置さ
れ、この定盤12の両側端から立設されたビーム支持体
13a,13bの上端でX軸方向に延びるビーム14を
支持している。ビーム支持体13aは、その下端がY軸
駆動機構15によってY軸方向に駆動される。また、ビ
ーム支持体13bは、その下端がエアーベアリングによ
って定盤12にY軸方向に移動可能に支持されている。
ビーム14は、垂直方向(Z軸方向)に延びるコラム1
6を支持する。コラム16は、ビーム14に沿ってX軸
方向に駆動される。コラム16には、スピンドル17が
コラム16に沿ってZ軸方向に駆動されるように設けら
れている。スピンドル17の下端には、接触式のプロー
ブ18が装着されている。このプローブ18が、定盤1
2上に載置されたワーク19に接触したときに、プロー
ブ18からコントローラ2にタッチ信号が出力され、そ
のときのXYZ座標値をコントローラ2が取り込むよう
になっている。また、定盤12上の所定位置には、後述
する機械座標系を構築するためのマスターボール20が
装着されている。
【0020】図3、図4及び図5は、上記三次元測定機
1の各軸のスケールを示す図である。図3〜図5におい
て、ビーム14の下面、定盤12の左縁部及びスピンド
ル17の前面には、それぞれX軸方向、Y軸方向及びZ
軸方向の変位を測定するためのX軸スケール21、Y軸
スケール22及びZ軸スケール23が配置されている。
温度センサ4は、ビーム14、定盤12、各軸スケール
21,22,23、ワーク19などに配置される。各ス
ケール21,22,23は、それが取り付けられる固定
要素との間の熱膨脹差による熱応力や歪みの発生を防止
するため、その一部のみを固定し、他の部分は固定要素
に対してフリー状態となるように装着される。
【0021】スケール21〜23のこのような装着方法
は、例えば図6に示すような構成によって実現できる。
即ち、スケール21(22,23)は、その複数個所
で、ビーム14(定盤12,スピンドル17)のような
固定要素に固定された挟持部31によって支持される。
挟持部31には、針状又は球状のコロ軸受(ニードル・
ローラー・ベアリング)32が配置されており、これに
よりスケール21(22,23)は、挟持部31に対し
てその長手方向の移動に対する摩擦係数の低減を図った
状態で支持される。そして、スケール21(22,2
3)の一端は、固定部材33によって固定される。
【0022】次に、このように構成された、このシステ
ムの動作について説明する。図7は、コントローラ2に
よって実現される測定処理のフローチャートである。ま
ず、測定に先立って、機械座標系の設定処理が実行され
る(S1)。機械座標系の設定は、プローブ18によっ
てマスターボール20を球測定することによって行う。
マスターボール20の中心位置が機械座標系の原点にな
る。次に、測定物座標系の設定を行う(S2)。測定物
座標系は、プローブ18によってワーク19の基準位置
を測定し、ワーク19の設計図面に対応させることによ
り設定する。測定座標系の設定後、座標系設定フラグを
0にリセットする(S2)。次に割り込みタスクで使用
するデータTPn,T1,H1を初期化して、割り込み
タスクを起動する(S3)。
【0023】続いて、測定が開始される。パートプログ
ラムの1ラインに対応した測定コマンドの実行(S4)
毎に、測定終了のチェックをする(S5)。測定終了で
ない場合には、座標系設定フラグをチェックし(S
6)、座標系設定フラグが1でなければ、次の測定コマ
ンドを実行する。座標系設定フラグは、温度変化有りの
場合、後述する割り込み処理によってセットされる。し
たがって、この座標系設定フラグが1になっていれば、
測定座標系の再設定を行うべく、プローブ18を現在位
置から座標系再設定の安全位置、即ち機械座標系設定及
び測定物座標系設定を行ってもプローブ18がワーク1
9と干渉しないと思われる安全な位置まで退避し(S
7)、機械座標系の設定(S8)と、測定物座標系の設
定(S9)とを行って、割り込みを禁止してから(S1
0)、座標系設定フラグを0にリセットし(S11)、
温度データT1と時間データH1とを更新する(S1
2,S13)。そして、これら2つの座標系設定フラグ
のリセットとデータの更新が終了したら割り込みを許可
して(S14)、次の測定を継続する。
【0024】次に、割り込みタスクである座標系設定フ
ラグの設定処理を図8に基づき説明する。まず、温度セ
ンサ4からの温度測定値を監視して、温度勾配Gを算出
する(S21)。具体的には、tを割込みタスクの周期
時間としたときに、nタスク前の温度TPnと現在の温
度TCより、温度勾配Gを次式により求める(S2
1)。
【0025】
【数2】G=|TPn−TC|/n*t
【0026】次に、現在の温度TCと前回座標系変更時
の温度T1とにより、温度変化ΔTを下記のように求め
る(S22)。
【0027】
【数3】ΔT=|TC−T1|
【0028】また、現在の時刻HCと前回座標系変更時
の時刻H1とにより、時間経過ΔHを下記のように求め
る(S23)。
【0029】
【数4】ΔH=HC−H1
【0030】そして、温度勾配として、例えば3℃/h
(0.05℃/m)未満であれば「温度変化小」とし、
それ以外であれば「温度変化大」とする(S24)。も
し、温度変化が小であれば、前回座標系変更時との温度
変換ΔTが、例えば0.1℃以上であれば、温度が変化
したものとする(S25)。また、温度変化大のとき
は、前回座標系変更時との時間経過ΔHが、例えば5分
以上経過した場合に「座費用変更が必要」とする(S2
6)。以上のように、温度変化有りの条件が満たされた
場合には、座標系設定フラグが0であるかどうかを判定
する(S27)。座標系設定フラグが1であれば、座標
系設定中であるため割り込み処理を終了するが、座標系
設定フラグが0であれば、座標系設定フラグを1にセッ
トする(S28)。
【0031】上記の割り込みタスクによる座標系の再設
定処理によれば、監視中の温度勾配が例えば3℃/h未
満のようになだらかな場合、指定された温度変化(例え
ば0.1℃の変化)が観測された時に割り込み座標系再
設定処理が行われる。また、温度勾配が例えば3℃/h
以上と急な場合には、指定された間隔(例えば、5分)
を待って割り込み座標系再設定を行う。これにより、温
度勾配がなだらかな場合には、所定の温度変化が観測さ
れた時点で測定座標系の再設定がなされ、温度勾配が激
しい場合には5分毎に座標系設定フラグが1になって測
定座標系の再設定がなされることになる。
【0032】以上のシステムによれば、測定環境におい
て温度変化が生じたときに、測定座標系の再設定を行う
ので、温度変化による影響は、スケール21,22,2
3とワーク19の熱的な寸法変化のみになる。そこで、
温度変化に対するスケール21〜23及びワーク19の
指示精度の変化を予め求めて関数化しておいて、測定値
を補正することにより、温度変化が激しい環境にあって
も、極めて高精度の測定が可能になる。
【0033】また、上述したようなスケールの支持構成
を採用しない一般的な場合では、スケール、その支持部
材、測定物等の複数の要素の熱的特性を全て勘案した上
で、各温度におけるスケール21,22,23の位置や
指示精度等を予め求めておいて、これをテーブル化して
おいて、補正値として使用すれば良い。
【0034】監視する温度としては、測定空間内の任意
の位置における温度、測定空間内の10〜20個所の位
置における温度の平均値、機械の温度、測定物の温度等
で最も有効なものを予め決めておけばよい。
【0035】なお、測定座標系の再設定処理は、マスタ
ーボール20に対する測定を含む実際の測定による測定
座標値の再設定処理の他に、温度に応じてスケール2
1,22,23の取付位置変化や寸法変化を考慮した補
正値VX,VY,VZを算出し、演算処理によって測定
座標値を再設定するようにしても良い。
【0036】以下、この補正値VX,VY,VZとこれ
を最小化するスケール21,22,23の好ましい固定
位置と、各部材の好ましい熱膨張係数について説明す
る。いま、マスターボール20の取付位置が任意である
とした場合、スケール21,22,23の固定位置とし
て最も合理的な位置を考慮すると、次のようになる。
【0037】(1)X軸スケール21 図3に示すように、測定機座標系のX軸方向の基準位置
x0からX軸スケール21の固定位置x1までの距離をL
1、固定位置x1から実際の測定位置x2までの距離をL
Xとし、ビーム14の熱膨張係数をα、スケール21の
熱膨張係数をβ、定盤12の熱膨張係数をγとし、基準
温度(20℃)と現在の温度との温度差をΔTととする
と、温度差ΔTのときのX軸方向の寸法補正値VXは、
下記数5のように表すことができる。
【0038】
【数5】VX=(ΔT・α・L1)+(ΔT・β・LX)−[Δ
T・γ・(L1+LX)]
【0039】上記数5において、ビーム14はステンレ
ス、スケール21はガラス、定盤12は花崗岩で構成さ
れるものとすれば、それらの熱膨張係数α、β、γは、
それぞれ、
【0040】
【数6】α=23.4×10-6/℃ β= 8.0×10-6/℃ γ= 8.0×10-6/℃
【0041】となるので、αがβ、γの約3倍近くにな
る。従って、温度補正値VXを小さくするためには、測
定機座標系の基準位置x0からスケール21の固定位置
x1までの距離L1ができるだけ短い方がよい。つま
り、X軸スケール21に関しては、図中左端部をビーム
14に対する固定部24とし、その他の部分は、ビーム
14に対して移動可能とするのが望ましい。但し、もし
三次元測定機1の各部の材料の選定によってα=β=γ
とすることができるのであれば、X軸スケール21の取
付位置に拘わらず、VX=0となるので、固定部24
は、X軸スケール21に対して任意の位置とすることが
できる。
【0042】(2)Y軸スケール22 また、図4に示すように、測定機座標系のY軸方向の基
準位置y0から実際の測定位置y1までの距離をLYとす
ると、Y軸方向の寸法補正値VYは、下記数7のように
表すことができる。
【0043】
【数7】VY=(ΔT・β・LY)−(ΔT・γ・LY)
【0044】ワーク19は定盤12のどの位置に載置さ
れるか不明であるが、通常は中心に配置されるものと思
われるので、上記数7より、温度補正値VYを小さくす
るためには、スケール22の固定位置は定盤12の中央
部とした方が良い。つまり、Y軸スケール22に関して
は、その中央部を固定部25とし、その他の部分は定盤
12に対して移動可能とするのが望ましい。但し、もし
三次元測定機1の各部の材料の選定によってβ=γとす
ることができるのであれば、Y軸スケール22の取付位
置に拘わらず、VY=0となるので、固定部25は、Y
軸スケール22に対して任意の位置とすることができ
る。
【0045】(3)Z軸スケール23 また、図5に示すように、測定機座標系のZ軸方向の基
準位置(定盤12の上面位置)z0からビーム14の位
置z1までの長さをL5、ビーム位置z1からZ軸スケー
ル23の0点(上端)位置z2までの長さをLZ、Z軸
スケール23の0点位置z2からZ軸スケール23の下
端位置z3までのスケール長さをLS、Z軸スケール2
3の下端位置z3から実際の測定位置z4までの距離をL
6、測定機座標系の基準位置z0からマスターボール2
0の中心までの距離をL7とし、更にビーム支持体13
a,13b及びスピンドル17の熱膨張率をビーム14
の熱膨張率と等しいαとし、プローブ18及びマスター
ボール20の熱膨張率をδとすると、Z軸方向の寸法補
正値VZは、次のように表すことができる。
【0046】
【数8】 Z軸スケール23を下端で固定とした場合 VZ=W+P ここで、 W=(ΔT・α・L5)−(ΔT・δ・L6)+(ΔT・δ・L7) P=−[ΔT・α・(LS−LZ)]+[ΔT・β・(LS−LZ)] =−ΔT・(α−β)・(LS−LZ)
【0047】この場合、Wは、Z軸スケール23の固定
位置には関係しない値であり、Pは、スケール23が下
端で固定された場合に特有の値である。そこで、Pに着
目すると、LZ=0のときにPの最小値−ΔT・(α−
β)・LSが得られ、LZ=LSのときに、最大値0が得
られる。ここで、ΔT=1℃とし、LSを400mm程度
として前述した数6の数値を用いてPの取りうる範囲を
求めると、次のようになる。
【0048】
【数9】−6.16≦P≦0
【0049】
【数10】 Z軸スケール23を上端で固定とした場合 VZ=W+Q ここで、 Q=(ΔT・α・LZ)−(ΔT・β・LZ)−[ΔT・α・(LS−LZ)] =[ΔT・(α−β)・LZ]−[ΔT・α・(LS−LZ)]
【0050】Qに着目すると、LZ=0のときにQの最
小値−ΔT・α・LSが得られ、LZ=LSのときに、最
大値ΔT・(α−β)・LSが得られる。そこで、前述と同
様にQの取りうる範囲を求めると、
【0051】
【数11】−9.36≦Q≦6.16
【0052】
【数12】 Z軸スケール23を中央部で固定とした場合 (a)LZ≦LS/2のとき VZ=W+R1 ここで、 R1=−[ΔT・α・(LS/2−LZ)]+[ΔT・β・(LS/2−LZ)] −(ΔT・α・LS/2) =−[ΔT・(α−β)・(LS/2−LZ)]−(ΔT・α・LS/2)
【0053】R1に着目すると、LZ=0のときにR1
の最小値−ΔT・α・LS+ΔT・β・LS/2が得られ、
LZ=LS/2のときに、最大値−ΔT・(α−β)・LS
/2が得られる。前述と同様にR1の取りうる範囲を求
めると、
【0054】
【数13】−7.76≦R1≦−4.68
【0055】
【数14】 (b)LZ≧LS/2のとき VZ=W+R2 ここで、 R2=[ΔT・α・(LZ−LS/2)]−[ΔT・β・(LZ−LS/2)] −[ΔT・α・(LS−LZ)] =[ΔT・(α−β)・(LZ−LS/2)]−[(ΔT・α・(LS−LZ)]
【0056】R2に着目すると、LZ=LS/2のとき
にR2の最小値−ΔT・α・LS/2が得られ、LZ=L
Sのときに、最大値ΔT・(α−β)・LS/2が得られ
る。前述と同様にR1の取りうる範囲を求めると、
【0057】
【数15】−4.68≦R1≦3.08
【0058】よって、全体としては、下記数16のよう
になる。
【0059】
【数16】−7.76≦R≦3.08
【0060】ここで、L5=695mm、L6=400m
m、LS=400mm、L7=190mm、α=23.4×
10-6/℃、δ=11.0×10-6/℃として、Wを求
めると、
【0061】
【数17】 W=(1×23.4×695−1×11×400+1×11×190)×10-6 =13.953μm
【0062】となる。従って、この場合のように、α≒
2δであれば、P,Q又はRが最小のときにVZも最小
になる。また、仮にα=δ=23.4×10-6/℃であ
るとした場合でも、W=11.349μmとなるので、
P,Q又はRが最小のときにVZも最小になる。
【0063】数値代入時のP,Q,Rを図示すると、図
9のようになる。図の交点のLZは、βLS/α≒13
7(mm)であり、LSの約1/3であるので、この場合
には、下固定の場合が最も有利である。ちなみに、Pと
Qを比較すると、
【0064】
【数18】 P−Q=−[ΔT・(α−β)・(LS−LZ)]−[ΔT・(α−β)・LZ] +[ΔT・α・(LS−LZ)] =ΔT・(βLS−αLZ)
【0065】となる。上記のWと対応させて、ΔT=1
℃とし考えると、α>βで且つLZ≦βLS/αのとき
P≧Q、LZ>βLS/αのときP<Qであり、図9と
も一致する。以上の点から、 ・α>2βならばLZの大半でP<Q(下固定有利)で
ある。 ・β<α<2βならばLZの大半でP≧Q(上固定有
利)である。 ・α≦βならば常にP≧Q(上固定有利)である。
【0066】これをまとめると、一般的に次のことが言
える。 ・α>2βならば下固定が有利である。 ・α≦2βならば上固定が有利である。
【0067】従って、もしα=βであれば、Z軸スケー
ル23は、上固定とした方が有利であり、そのときに
は、
【0068】
【数19】 VZ=ΔT・α・L5−[ΔT・δ・(L6−L7)]−[ΔT・α・(LS−LZ)] =ΔT・α・(L5−LS)−[ΔT・δ・(L6−L7)]+ΔT・α・LZ
【0069】となる。上式の右辺第3項のΔT・α・LZ
は、LZが0〜LSと変化するときに、0〜ΔT・α・L
Sと変化するので、第1項と第2項の和を−ΔT・α・L
S/2とするのが、Z軸の全範囲を使用する場合に有利
である。このとき、
【0070】
【数20】δ/α=(L5−LS/2)/(L6−L7)
【0071】となるδを持つ材料を選定するのが望まし
い。
【0072】なお、以上は、CNC三次元測定システム
にこの発明を適用した例について説明したが、図10
は、マニュアル型の三次元測定システムにこの発明を適
用した例を示している。この場合、三次元測定機1から
マニュアル操作によって得られたXYZの各方向の変位
情報と温度センサ4からの温度情報とがカウンタ5を介
してホストコンピュータ3に取り込まれる。ホストコン
ピュータ3は、測定環境内に設置した温度センサ4によ
り温度を監視し、温度が変化したと判定された場合に、
オペレータに警告音又は警告表示を与える。そして必要
に応じて測定中断処理を実行する。オペレータは、警告
音又は警告表示がなされたときに、測定を中断して割り
込みの座標系再設定のタスクを起動して、測定座標系の
再設定を行う。以後、設定された新たな座標系により測
定が行われる。このような方法によっても高精度の測定
が可能である。
【0073】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
測定対象の変位を読み取るスケールと、これを支持する
支持手段の熱膨張による測定位置の変動が最も少なくな
るように、スケールが固定手段に固定され、或いは最適
な熱膨張係数の材料が選定されるので、 測定環境内の温度が変動しても、測定誤差を抑制する
ことができ、常に精度の良い測定結果を得ることができ
る、 測定途中で温度変化が大きい実際の測定環境でも、高
精度測定が可能である、 という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係るCNC三次元測定シ
ステムを示すブロック図である。
【図2】 同システムにおける三次元測定機の外観斜視
図である。
【図3】 同三次元測定機のX軸スケールを示す正面図
である。
【図4】 同三次元測定機のY軸スケールを示す上面図
である。
【図5】 同三次元測定機のZ軸スケールを示す正面図
である。
【図6】 同スケールの支持構造の一例を示す側面図及
び平面図である。
【図7】 同システムの測定処理を示すフローチャート
である。
【図8】 同システムの割り込み座標軸設定タスクを示
すフローチャートである。
【図9】 Z軸スケールの固定位置とZ軸補正値との関
係を示すグラフである。
【図10】 本発明の他の実施例に係るマニュアル型三
次元測定システムを示すブロック図である。
【図11】 三次元測定機における測定座標系の設定処
理を説明する為の図である。
【符号の説明】
1…三次元測定機、2…コントローラ、3…ホストコン
ピュータ、4…温度センサ、5…カウンタ、12…定
盤、14…ビーム、16…コラム、17…スピンドル、
18…プローブ、19…ワーク、20…マスターボー
ル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茂呂澤 孝浩 栃木県宇都宮市下栗町2200番地 株式会社 ミツトヨ内 (72)発明者 横溝 信次 栃木県宇都宮市下栗町2200番地 株式会社 ミツトヨ内 (72)発明者 木村 哲郎 栃木県宇都宮市下栗町2200番地 株式会社 ミツトヨ内 Fターム(参考) 2F062 AA04 CC03 DD02 DD33 DD36 EE01 EE62 FF05 HH01 HH02 2F069 AA04 AA06 EE02 EE24 EE26 GG01 GG12 GG62 HH01 HH02 HH30 JJ08

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の測定空間内に配置された測定対象
    の変位を、その変位の方向に沿うように支持部材に支持
    されたスケールで読み取ることにより測定する変位測定
    装置において、 前記スケールは、それ自身及び前記支持部材の熱膨張に
    よる測定位置での誤差が最も少なくなる特定の部位で前
    記支持部材に固定され、その他の部位は前記支持部材に
    対して前記変位の方向に移動可能に支持されていること
    を特徴とする変位測定装置。
  2. 【請求項2】 互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸から
    なる三次元測定空間が設定され、 ベース面がX軸及びY軸と平行な水平面と一致するよう
    に配置された、測定対象を載置するベース部材と、 このベース部材に対してX軸方向に延びるビーム部材
    と、 このビーム部材を前記ベース部材に対してY軸方向に相
    対的に移動させるY軸駆動機構と、 前記ビーム部材に支持されてX軸方向に移動するコラム
    部材と、 このコラム部材に支持されてZ軸方向に移動するスピン
    ドル部材と、 このスピンドル部材に取り付けられて前記測定対象の測
    定個所を指示する測定子と、 前記ビーム部材にX軸方向に沿って一部のみが固定され
    るように取り付けられて前記ビーム部材に対する前記コ
    ラム部材のX軸方向の変位を検出するX軸スケールと、 前記ベース部材にY軸方向に沿って一部のみが固定され
    るように取り付けられて前記ベース部材に対する前記ビ
    ーム部材のY軸方向の変位を検出するY軸スケールと、 前記コラム部材又はスピンドル部材にZ軸に沿って一部
    のみが固定されるように取り付けられて前記コラム部材
    に対する前記スピンドル部材のZ軸方向の変位を検出す
    るZ軸スケールとを備えた変位測定装置において、 前記X軸スケール、Y軸スケール及びZ軸スケールは、
    熱膨張による測定個所での誤差が最も少なくなる特定の
    部位で固定されていることを特徴とする変位測定装置。
  3. 【請求項3】 前記ビームの熱膨張係数をα、前記X軸
    スケールの熱膨張係数をβ、前記ベース部材の熱膨張係
    数をγとし、α>β、γであるとき、 前記X軸スケールは、前記ビーム部材の前記ベース部材
    における支持位置に近い方の端部で前記ビーム部材に固
    定されていることを特徴とする請求項2記載の変位測定
    装置。
  4. 【請求項4】 前記ビームの熱膨張係数をα、前記X軸
    スケールの熱膨張係数をβ、前記ベース部材の熱膨張係
    数をγとし、α=β=γであるとき、 前記X軸スケールは、前記ビーム部材の任意の位置で固
    定されていることを特徴とする請求項2記載の変位測定
    装置。
  5. 【請求項5】 前記Y軸スケールは、前記ベース部材の
    中心に近い位置で前記ベース部材に固定されていること
    を特徴とする請求項2〜4のいずれか1項記載の変位測
    定装置。
  6. 【請求項6】 前記Y軸スケールの熱膨張係数をβ、前
    記ベース部材の熱膨張係数をγとし、β=γであると
    き、 前記Y軸スケールは、前記ベース部材の任意の位置で固
    定されていることを特徴とする請求項2又は4記載の変
    位測定装置。
  7. 【請求項7】 前記コラム又はスピンドルの熱膨張係数
    をα、前記Z軸スケールの熱膨張係数をβとし、α>2
    βであるとき、 前記Z軸スケールは、前記コラム又はスピンドルの下端
    部に近い位置で固定されていることを特徴とする請求項
    2又は3記載の変位測定装置。
  8. 【請求項8】 前記コラム又はスピンドルの熱膨張係数
    をα、前記Z軸スケールの熱膨張係数をβとし、α≦2
    βであるとき、 前記Z軸スケールは、前記コラム又はスピンドルの上端
    部に近い位置で固定されていることを特徴とする請求項
    2又は4記載の変位測定装置。
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