JP2001020069A - Film forming device and its method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming device to form a film at high throughput and easily deliver a substrate while minimizing the increase in footprint. SOLUTION: Since deposition-up type ion plating devices 3, 4 to implement the same film forming are provided, the throughput in film forming can be increased. Since an inverted substrate W is transferred to an upper position of one of ion-plating devices 3, 4 by a second carrying device 5, a carrying space S1 to carry in/carry out the substrate W in a sorted manner to both ion plating devices 3, 4 is arranged on the upper side of a treatment space S2, and the foot space for the whole film forming device can be prevented from being increased. In addition, a first carrying device 2 is arranged outside an airtight container 6 to invert the substrate W, the structure of the first carrying device 2 is simplified, and the inverting action is rapid.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術の分野】本発明は、膜材料を蒸発さ
せることによって基板上に膜を形成する成膜装置に関
し、特にプラズマビームを利用したイオンプレーティン
グ装置に関する。The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film on a substrate by evaporating a film material, and more particularly to an ion plating apparatus using a plasma beam.

【０００２】[0002]

【従来の技術】成膜を行うための装置として、例えば特
開平７−１３８７４３号公報には、圧力勾配型のプラズ
マガンからのプラズマビームをハースに導き、ハース上
の蒸発ルツボ中の蒸着物質を蒸発・イオン化し、このよ
うに蒸発・イオン化した蒸着物質をハースと対向して配
置された基板の表面に付着させるイオンプレーティング
装置が開示されている。2. Description of the Related Art As an apparatus for forming a film, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-138743 discloses a method in which a plasma beam from a pressure gradient type plasma gun is guided to a hearth, and a deposition material in an evaporation crucible on the hearth is removed. There is disclosed an ion plating apparatus that evaporates and ionizes, and attaches the evaporated and ionized deposition material to a surface of a substrate disposed opposite to a hearth.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記成膜装置は、比較
的迅速な成膜を可能にするが、さらに成膜処理の迅速化
が求められている。Although the above film forming apparatus enables relatively quick film formation, there is a demand for a more rapid film forming process.

【０００４】また、上記成膜装置は、真空容器中で成膜
を行うので、成膜前後に真空容器内外に基板を搬出入す
る必要があり、減圧等の工程が律速となって十分なスル
ープットが得られないという問題がある。In addition, since the above film forming apparatus performs film formation in a vacuum vessel, it is necessary to carry the substrate in and out of the vacuum vessel before and after the film formation. There is a problem that can not be obtained.

【０００５】また、処理すべき基板は、一般に被処理面
を上側にして搬送されてくるのに対し、上記イオンプレ
ーティング装置は通常デポアップ、すなわち被処理面を
下側にして成膜を行うので、基板を簡易な構造で円滑に
反転させる必要がある。A substrate to be processed is generally conveyed with the surface to be processed facing upward, whereas the ion plating apparatus usually performs deposition up, that is, forms a film with the surface to be treated facing downward. In addition, it is necessary to smoothly turn over the substrate with a simple structure.

【０００６】また、上記のように成膜のスループットを
高くし、基板を簡易に反転させる機構を設けることがで
きても、成膜装置としてのフットプリントがかなり増大
したのでは問題の十分な解決にならない。Further, even if a mechanism for easily reversing the substrate can be provided by increasing the film forming throughput as described above, the problem can be sufficiently solved if the footprint of the film forming apparatus is considerably increased. do not become.

【０００７】そこで、本発明は、フットプリントの増大
を最小限に抑えつつ、高いスループットで成膜が可能で
あるとともに、基板の簡易な受け渡しを可能にする成膜
装置と成膜方法とを提供することを目的とする。Therefore, the present invention provides a film forming apparatus and a film forming method capable of forming a film at a high throughput while minimizing an increase in a footprint and enabling a simple transfer of a substrate. The purpose is to do.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】以上課題を解決するた
め、本発明の成膜装置は、膜形成面を上側にして搬送さ
れてきた基板を反転させて膜形成面を下側にする基板取
扱装置と、デポアップ型の第１成膜ユニットと、デポア
ップ型の第２成膜ユニットと、基板取扱装置によって反
転された基板を第１及び第２成膜ユニットのいずれかの
上方位置に移送する基板移送装置と、第１成膜ユニット
と第２成膜ユニットと基板移送装置とにおいて基板を収
容する気密容器とを備える。In order to solve the above problems, a film forming apparatus according to the present invention is a substrate handling apparatus which reverses a substrate transported with a film forming surface on the upper side and turns the film forming surface on the lower side. An apparatus, a first deposition unit of a deposition type, a second deposition unit of a deposition type, and a substrate for transferring a substrate inverted by a substrate handling device to a position above one of the first and second deposition units A transfer device, an airtight container for accommodating a substrate in the first film formation unit, the second film formation unit, and the substrate transfer device is provided.

【０００９】この場合、デポアップ型の第１成膜ユニッ
トと、デポアップ型の第２成膜ユニットとを備えるの
で、これらに同一の成膜を行わせれば、成膜のスループ
ットを高めることができる。また、反転された基板を基
板移送装置によって第１及び第２成膜ユニットのいずれ
かの上方位置に移送するので、両成膜ユニットに基板を
振り分けて搬出入するための搬送空間によって成膜装置
のフットスペースが増大することを防止できる。さら
に、基板取扱装置を気密容器外に配置して基板を反転さ
せるので、基板取扱装置の構造を簡単にし、かつ、反転
の動作を迅速なものとできる。In this case, since a first deposition unit of a deposition type and a second deposition unit of a deposition type are provided, if the same deposition is performed on these units, the throughput of the deposition can be increased. Further, since the inverted substrate is transferred to a position above one of the first and second film forming units by the substrate transfer device, the film forming device is transported by the transfer space for distributing the substrate into and out of the two film forming units. Can be prevented from increasing in foot space. Further, since the substrate handling device is disposed outside the airtight container and the substrate is inverted, the structure of the substrate handling device can be simplified and the inversion operation can be performed quickly.

【００１０】また、上記装置の好ましい態様では、第１
及び第２成膜ユニットが、隣接して並列に配列される。[0010] In a preferred embodiment of the above device, the first device
And the second film forming unit are arranged adjacently and in parallel.

【００１１】この場合、第１及び第２成膜ユニットが例
えば奥行き方向に細長くても、これらを効率的に収納し
て省スペース化を図ることができる。In this case, even if the first and second film forming units are elongated, for example, in the depth direction, they can be efficiently stored to save space.

【００１２】また、上記装置の好ましい態様では、気密
容器が、基板取扱装置によって反転された基板を気密容
器の気密を保ったままで気密容器内に移す基板受渡装置
をさらに備え、基板取扱装置は、基板受渡装置まで反転
された基板を移送し、基板移送装置は、基板受渡装置か
ら反転された基板を取り出す。In a preferred aspect of the above apparatus, the airtight container further comprises a substrate delivery device for transferring the substrate inverted by the substrate handling device into the airtight container while keeping the airtight container airtight. The inverted substrate is transferred to the substrate delivery device, and the substrate transfer device takes out the inverted substrate from the substrate delivery device.

【００１３】この場合、基板受渡装置によって気密容器
の気密を保ったままで気密容器内に基板を移すので、基
板の搬出入に伴って気密容器内を減圧したり雰囲気を調
節する必要がなくなり、成膜処理のスループットを高め
ることができる。さらに、第１及び第２成膜ユニットで
の成膜処理中に基板受渡装置を動作させれば、基板受渡
装置の動作によってスループットが低下することはな
い。In this case, since the substrate is transferred into the airtight container by the substrate delivery device while keeping the airtightness of the airtight container, there is no need to reduce the pressure in the airtight container or adjust the atmosphere as the substrate is carried in and out. The film processing throughput can be increased. Furthermore, if the substrate delivery device is operated during the film formation processing in the first and second film formation units, the throughput does not decrease due to the operation of the substrate delivery device.

【００１４】また、上記装置の好ましい態様では、基板
受渡装置が、気密容器に形成した搬出入口を外側から封
止する封止位置と、気密容器から離間して搬出入口を開
放する開放位置との間で移動する蓋部材と、この蓋部材
が開放位置にあるとき搬出入口を気密容器の内側から封
止するとともに基板取扱装置によって移送されてきた基
板を受け取って支持し、蓋部材が封止位置にあるとき搬
出入口を介して基板を気密容器内に搬入する支持部材と
を備える。In a preferred aspect of the above-described apparatus, the substrate delivery device has a sealing position for sealing a loading / unloading port formed in the airtight container from the outside and an opening position for separating the loading / unloading port from the airtight container. A lid member that moves between the lid member, and when the lid member is in the open position, seals the loading / unloading port from the inside of the airtight container and receives and supports the substrate transferred by the substrate handling device; And a support member for carrying the substrate into the airtight container via the carry-in / out port.

【００１５】この場合、蓋部材と支持部材がロードロッ
クとしての機能を有し支持部材によって基板の搬出入が
可能となるので、簡易な構造により、気密容器の気密を
保ったまま気密容器内外に基板を移すことができる。In this case, since the lid member and the support member have a function as a load lock, and the substrate can be carried in and out by the support member, the simple structure allows the airtight container to be inserted into and out of the airtight container while keeping the airtight container airtight. The substrate can be transferred.

【００１６】また、上記装置の好ましい態様では、第１
及び第２成膜ユニットの処理空間と、基板移送装置の搬
送空間とが、気密容器内で上下に仕切られており、反転
された基板を搬送空間で基板移送装置から受け取って処
理空間に移動させるとともに、反転された基板を処理空
間に移動させた際に処理空間及び搬送空間を気密に遮断
するゲートバルブとしての機能を有する保持装置をさら
に備える。In a preferred embodiment of the above-mentioned device, the first device
The processing space of the second film forming unit and the transfer space of the substrate transfer device are vertically separated in an airtight container, and the inverted substrate is received from the substrate transfer device in the transfer space and moved to the processing space. In addition, the apparatus further includes a holding device having a function as a gate valve for sealing off the processing space and the transport space when the inverted substrate is moved to the processing space.

【００１７】この場合、処理空間と搬送空間とが上下に
仕切られているので、搬送空間で待機中の基板等が処理
中における処理空間の雰囲気にさらされることを防止で
きる。また、保持装置がゲートバルブとしての機能を有
するので、簡易な構造により、搬送空間と処理空間との
間で基板を往復させることができるとともに処理空間に
基板を配置した際には処理空間を気密を保つことができ
る。In this case, since the processing space and the transfer space are vertically separated, it is possible to prevent the substrate and the like waiting in the transfer space from being exposed to the atmosphere of the processing space during the processing. Further, since the holding device has a function as a gate valve, the substrate can be reciprocated between the transfer space and the processing space with a simple structure, and the processing space is airtight when the substrate is arranged in the processing space. Can be kept.

【００１８】また、上記装置の好ましい態様では、保持
装置が、基板移送装置から受け取った基板の上面に接し
てこの基板の温度を調節する。In a preferred embodiment of the above apparatus, the holding device contacts the upper surface of the substrate received from the substrate transfer device and adjusts the temperature of the substrate.

【００１９】この場合、保持装置によって基板の保持や
移動だけでなく、処理中の基板温度を制御することが可
能になる。In this case, not only the holding and movement of the substrate but also the temperature of the substrate during processing can be controlled by the holding device.

【００２０】また、上記装置の好ましい態様では、第１
及び第２成膜ユニットが、プラズマビームを処理空間中
に供給するプラズマ源と、膜材料を収容可能な材料蒸発
源を有するとともに処理空間中に配置されてプラズマビ
ームを導くハースとをそれぞれ有する。In a preferred embodiment of the above-mentioned device, the first device
And a second film forming unit includes a plasma source for supplying a plasma beam into the processing space, and a hearth having a material evaporation source capable of accommodating the film material and being arranged in the processing space and guiding the plasma beam.

【００２１】この場合、プラズマを用いてイオンプレー
ティングを行う成膜装置において液体状の蒸発物質を使
用することからデポアップ型の成膜を行わなざるを得な
い等の事情があっても、成膜装置全体のフットプリント
の増大を最小限に抑えつつ、成膜のスループット向上を
図り、かつ、外部との間で基板を受け渡す作業を円滑に
することができる。[0021] In this case, even if there is a situation that a deposition-type film must be formed because a liquid evaporating substance is used in a film-forming apparatus for performing ion plating using plasma, the film formation can be performed even if there is a situation. It is possible to improve the throughput of film formation while minimizing the increase in the footprint of the entire film apparatus, and to smooth the operation of transferring the substrate to and from the outside.

【００２２】また、上記装置の好ましい態様では、材料
蒸発源の上方の近接した領域の磁界を制御する磁場制御
部材を更に備える。In a preferred embodiment of the above-mentioned apparatus, the apparatus further comprises a magnetic field control member for controlling a magnetic field in a region near and above the material evaporation source.

【００２３】この場合、ハースに入射するプラズマビー
ムがカスプ状磁場等によって修正されてより均一な厚み
の膜を形成することができる。In this case, the plasma beam incident on the hearth is corrected by a cusp-shaped magnetic field or the like, so that a film having a more uniform thickness can be formed.

【００２４】また、上記装置の好ましい態様では、プラ
ズマ源が、圧力勾配型のプラズマガンである。In a preferred embodiment of the above-mentioned apparatus, the plasma source is a pressure gradient type plasma gun.

【００２５】この場合、プラズマ源が圧力勾配型のプラ
ズマガンであるので、高品質の膜を迅速に形成すること
ができる。In this case, since the plasma source is a pressure gradient type plasma gun, a high quality film can be formed quickly.

【００２６】また、上記装置の好ましい態様では、基板
取扱装置が、カセットに収納された基板を搬出する際に
この基板を下方から支持するとともに、この搬出した基
板の裏面を吸着した状態で基板とともに回転するハンド
を有する。In a preferred embodiment of the above apparatus, the substrate handling device supports the substrate stored in the cassette from below when the substrate is carried out, and the substrate handling device takes the back surface of the taken out substrate together with the substrate in a sucked state. Has a rotating hand.

【００２７】この場合、複数の基板を順次カセットから
取り出して簡易に反転させることができ、基板処理のス
ループット向上に寄与する。In this case, a plurality of substrates can be sequentially taken out of the cassette and easily inverted, which contributes to an improvement in substrate processing throughput.

【００２８】また、本発明の成膜方法は、膜形成面を上
側にして搬送されてきた基板を反転させて膜形成面を下
側にする第１工程と、反転された基板をデポアップ型の
第１及び第２成膜ユニットの上方の気密な搬送空間に搬
入する第２工程と、搬送空間に搬入された基板を第１及
び第２成膜ユニットのいずれかの内部の気密な処理空間
に移送する第３工程とを備える。Further, the film forming method of the present invention comprises a first step of reversing a substrate conveyed with the film forming surface on the upper side and a film forming surface on the lower side, and a step of depositing the reversed substrate on a depos-up type. A second step of loading the airtight transfer space above the first and second film forming units, and transferring the substrate transferred into the transfer space to an airtight processing space inside any of the first and second film forming units. And a third step of transferring.

【００２９】この場合、デポアップ型の第１成膜ユニッ
トと、デポアップ型の第２成膜ユニットとを利用して成
膜を行うので、成膜のスループットを高めることができ
る。また、反転された基板を第１及び第２成膜ユニット
の上方の気密な搬送空間に搬入するので、両成膜ユニッ
トに基板を振り分けて搬出入するための搬送空間によっ
て全体の処理に要するフットスペースが増大することを
防止できる。さらに、気密な搬送空間及び処理空間外で
基板を反転させるので、基板の反転が簡単になり、反転
の動作を迅速なものとできる。In this case, since the film is formed by using the first deposition unit of the deposition type and the second deposition unit of the deposition type, the throughput of the deposition can be increased. Further, since the inverted substrate is carried into the hermetic transport space above the first and second film forming units, a foot required for the entire processing is provided by the transport space for distributing the substrate to both film forming units and carrying in and out. An increase in space can be prevented. Furthermore, since the substrate is inverted outside the hermetic transport space and the processing space, the substrate can be easily inverted, and the operation of the inversion can be performed quickly.

【００３０】また、上記方法の好ましい態様では、第１
及び第２成膜ユニットは、プラズマビームを処理空間中
に供給するプラズマ源と、膜材料を収容可能な材料蒸発
源を有するとともに処理空間中に配置されてプラズマビ
ームを導くハースとをそれぞれ有する。In a preferred embodiment of the above method, the first method
The second film-forming unit has a plasma source for supplying a plasma beam into the processing space, and a hearth having a material evaporation source capable of accommodating the film material and being arranged in the processing space and guiding the plasma beam.

【００３１】この場合、プラズマを用いてイオンプレー
ティングを行う成膜方法において液体状の蒸発物質を使
用することからデポアップ型の成膜を行わなざるを得な
い等の事情があっても、全体の処理に要するフットプリ
ントの増大を最小限に抑えつつ、成膜のスループット向
上を図り、かつ、外部との間で基板を受け渡す作業を円
滑にすることができる。In this case, even if there is a situation that a deposition-type film must be formed because a liquid evaporating substance is used in the film formation method for performing ion plating using plasma, even if there is a situation such as It is possible to improve the film formation throughput while minimizing the increase in the footprint required for the process, and to smooth the operation of transferring the substrate to and from the outside.

【００３２】[0032]

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る一実施形態
の成膜装置であり、図１（ａ）は側面図であり、図１
（ｂ）は平面図である。FIG. 1 shows a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a side view, and FIG.
(B) is a plan view.

【００３３】この成膜装置は、膜形成面を上側にしてカ
セットＣＡに収納された基板Ｗを取り出して反転させ膜
形成面を下側にするための基板取扱装置である第１搬送
装置２と、デポアップ型の第１成膜ユニットである第１
イオンプレーティング装置３と、同様にデポアップ型の
第２成膜ユニットである第２イオンプレーティング装置
４と、第１搬送装置２によって反転された基板Ｗを第１
及び第２成膜ユニットのいずれかの上方位置に移送する
ための基板移送装置である第２搬送装置５とを備える。This film forming apparatus has a first transfer device 2 as a substrate handling device for taking out and reversing the substrate W stored in the cassette CA with the film forming surface on the upper side and turning the film forming surface on the lower side. , A first deposition unit of a deposit-up type
A second ion plating apparatus 4, which is also a second deposition unit of a deposition-up type, and a substrate W inverted by the first transfer apparatus 2 are placed in the first
And a second transfer device 5 which is a substrate transfer device for transferring the wafer to a position above any of the second film forming units.

【００３４】ここで、第１及び第２イオンプレーティン
グ装置３、４と、第２搬送装置５とは、気密容器６内の
真空雰囲気中に複数の基板Ｗを収容してそれらの搬送や
処理を行う。気密容器６は上下に仕切られており、上側
が基板Ｗを搬送するための搬送空間Ｓ1となっており、
下側が基板Ｗの表面に成膜を行う処理空間Ｓ2となって
いる。後者の処理空間Ｓ2はさらに隔壁６ｗによって水
平方向に仕切られており、それぞれが第１及び第２イオ
ンプレーティング装置３、４用の処理空間Ｓ21、Ｓ22と
なっている。つまり、搬送空間Ｓ1の下方に配置された
処理空間Ｓ2は、水平方向に並置された処理空間Ｓ21、
Ｓ22からなり、両イオンプレーティング装置３、４は、
両処理空間Ｓ21、Ｓ22の雰囲気を個別に制御することが
できる。Here, the first and second ion plating devices 3 and 4 and the second transfer device 5 store a plurality of substrates W in a vacuum atmosphere in an airtight container 6 and transfer and process them. I do. The airtight container 6 is partitioned into upper and lower parts, and the upper part is a transfer space S1 for transferring the substrate W,
The lower side is a processing space S2 for forming a film on the surface of the substrate W. The latter processing space S2 is further partitioned in the horizontal direction by a partition wall 6w, and serves as processing spaces S21 and S22 for the first and second ion plating devices 3 and 4, respectively. That is, the processing space S2 disposed below the transport space S1 is the processing space S21 arranged side by side in the horizontal direction.
S22, both ion plating devices 3 and 4
The atmosphere in both processing spaces S21 and S22 can be individually controlled.

【００３５】第１搬送装置２で反転された基板Ｗは、ロ
ードロックタイプの一対の基板受渡装置７を経て搬送空
間Ｓ1内に導入され、第２搬送装置５に渡される。各基
板受渡装置７は、第１搬送装置２から受け取った複数の
基板Ｗを搬送空間Ｓ1の気密を保ったままで気密容器６
外から搬送空間Ｓ1内に移すとともに、第２搬送装置５
から受け取った基板Ｗを搬送空間Ｓ1の気密を保ったま
まで搬送空間Ｓ1外すなわち気密容器６外に移す。The substrate W inverted by the first transfer device 2 is introduced into the transfer space S 1 through a pair of load lock type substrate transfer devices 7, and transferred to the second transfer device 5. Each substrate delivery device 7 transfers the plurality of substrates W received from the first transport device 2 to the airtight container 6 while keeping the transport space S1 airtight.
While moving from outside into the transport space S1, the second transport device 5
Is transferred out of the transport space S1, that is, outside the airtight container 6, while keeping the airtightness of the transport space S1.

【００３６】第２搬送装置５に渡された基板Ｗは、保持
装置であるゲートバルブタイプのホルダ８を経て処理空
間Ｓ2内に導入され、所定の成膜が行われる。具体的に
説明すると、ホルダ８は、搬送空間Ｓ1で第２搬送装置
５から基板Ｗを受け取った後、気密容器６に形成した開
口６ａを介して処理空間Ｓ2上部に基板Ｗを移動させる
とともに、処理空間Ｓ2上部に基板Ｗを保持した状態で
搬送空間Ｓ1と処理空間Ｓ2とを遮断する。The substrate W transferred to the second transfer device 5 is introduced into the processing space S2 via a gate valve type holder 8 as a holding device, and a predetermined film is formed. More specifically, after receiving the substrate W from the second transport device 5 in the transport space S1, the holder 8 moves the substrate W to the upper portion of the processing space S2 via the opening 6a formed in the airtight container 6, The transport space S1 and the processing space S2 are shut off while the substrate W is held above the processing space S2.

【００３７】なお、気密容器６のうち搬送空間Ｓ1側に
は、高真空排気用ポンプ９を設けており、ホルダ８が待
避して開放された開口６ａ等から漏れてくるガス等を適
宜排気して搬送空間Ｓ1を真空状態に維持する。A high vacuum pump 9 is provided on the side of the transport space S1 in the airtight container 6, and the holder 8 is evacuated to appropriately exhaust gas leaking from the opened opening 6a and the like. To maintain the transfer space S1 in a vacuum state.

【００３８】第１イオンプレーティング装置３は、処理
空間Ｓ2中の下方に、融液状の蒸発物質を収容する凹部
を有する蒸発物質源でありかつ陽極であるハース３１ａ
と、このハース３１ａを中心としてその周囲に環状に配
置される環状補助陽極３１ｂとからなる陽極部材３１を
備える。また、第１イオンプレーティング装置３は、磁
場制御部材として環状補助陽極３１ｂの直下に配置され
る環状磁石３２を備える。処理空間Ｓ2を囲む側壁の一
側面には、陽極部材３１を臨むようにプラズマ源である
プラズマガン３３が設けられている。このプラズマガン
３３は、特開平８−２３２０６０号公報等に開示されて
いる圧力勾配型のプラズマガンであり、モリブデン製の
外筒とキャリアガスを導入するタンタル製の内パイプと
からなる２重円筒の一端を円盤状の陰極で固定し他端に
ＬａＢ₆製の円盤を配置することによって形成したガン
本体３３ａと、ガン本体３３ａから出射するプラズマビ
ームを収束させる環状の磁石コイル部３３ｂと、磁石コ
イル部３３ｂを側壁に連結する筒状部３３ｃとを備え
る。また、プラズマガン３３は、筒状部３３ｃの周囲に
プラズマビームを処理空間Ｓ2に導くための環状のステ
アリングコイル３３ｄを有している。The first ion plating apparatus 3 is a hearth 31a which is an evaporating substance source having a concave portion for accommodating a molten evaporating substance and serving as an anode below the processing space S2.
And an anode member 31 composed of an annular auxiliary anode 31b arranged annularly around the hearth 31a. Further, the first ion plating device 3 includes an annular magnet 32 disposed immediately below the annular auxiliary anode 31b as a magnetic field control member. On one side surface of the side wall surrounding the processing space S2, a plasma gun 33 as a plasma source is provided so as to face the anode member 31. The plasma gun 33 is a pressure-gradient type plasma gun disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-232060, etc., and has a double cylinder comprising an outer cylinder made of molybdenum and an inner pipe made of tantalum for introducing a carrier gas. , One end of which is fixed with a disk-shaped cathode and the other end is provided with a LaB ₆ disk, an annular magnet coil portion 33b for converging a plasma beam emitted from the gun body 33a, and a magnet. A cylindrical portion 33c for connecting the coil portion 33b to the side wall. The plasma gun 33 has an annular steering coil 33d around the cylindrical portion 33c for guiding the plasma beam to the processing space S2.

【００３９】プラズマガン３３の上方には、処理空間Ｓ
2を適当な真空度に維持する排気系３５が設けられてい
る。この排気系３５は、排気室３５ａと、高真空排気用
のクライオポンプ３５ｂ及びモレキュラターボポンプ３
５ｃとを備える。なお、図示を省略しているが、排気室
３５ａとクライオポンプ３５ｂ、さらに排気室３５ａと
モレキュラターボポンプ３５ｃの間には、それぞれゲー
トバルブを設けている。Above the plasma gun 33, a processing space S
An evacuation system 35 is provided for maintaining 2 at an appropriate degree of vacuum. The exhaust system 35 includes an exhaust chamber 35a, a cryopump 35b for high vacuum exhaust, and a molecular turbo pump 3
5c. Although not shown, gate valves are provided between the exhaust chamber 35a and the cryopump 35b, and between the exhaust chamber 35a and the molecular turbo pump 35c.

【００４０】図２及び図３は、第１搬送装置２や基板受
渡装置７の構造を説明するためのもので、図２は側面図
であり、図３は平面図である。FIGS. 2 and 3 are views for explaining the structure of the first transfer device 2 and the substrate transfer device 7, and FIG. 2 is a side view and FIG. 3 is a plan view.

【００４１】カセットＣＡは、カセットステージ１０上
に載置されている。カセットステージ１０は、図示を省
略する機構によってＡＢ方向に往復移動して第１搬送装
置２の正面にいずれか一方のカセットＣＡを移動させ
る。カセットＣＡ中には、膜形成面を上側にした未処理
の基板Ｗや成膜後の膜面を上にした処理済の基板Ｗが水
平方向に等間隔で収容されている。The cassette CA is mounted on the cassette stage 10. The cassette stage 10 is reciprocated in the AB direction by a mechanism (not shown) to move one of the cassettes CA to the front of the first transfer device 2. In the cassette CA, an unprocessed substrate W having a film forming surface facing upward and a processed substrate W having a film surface facing upward after film formation are accommodated at equal intervals in the horizontal direction.

【００４２】第１搬送装置２は、多関節型のハンドリン
グ装置を備え、伸縮するとともに中心軸ＣＸの回りに回
転可能であるアーム２１と、アーム２１の先端に取り付
けたヘッド２２と、ヘッド２２から延びて基板Ｗを吸着
支持するハンド２３とを備える。ハンド２３は、基板Ｗ
を吸着した状態でアーム２１に送られる。すなわち、ハ
ンド２３は、周囲のカセットＣＡや基板受渡装置７に対
して基板Ｗの高さ位置を調整し、これらに対して基板Ｗ
を進退させることができる。また、ヘッド２２には、図
示を省略するギヤ付きモータ等を設けてあり、ハンド２
３とこれに吸着された基板Ｗとを水平に延びる軸方向の
回りに１８０゜回転させる。これにより、基板Ｗの位置
をほぼそのままにして基板Ｗを反転させることができ、
基板Ｗの膜形成面を適当なタイミングで上下入れ替える
ことができる。The first transfer device 2 is provided with an articulated type handling device, and includes an arm 21 which expands and contracts and is rotatable around a central axis CX, a head 22 attached to the tip of the arm 21, and a head 22. A hand 23 that extends and suction-supports the substrate W; The hand 23 holds the substrate W
Is sent to the arm 21 in a state of being sucked. That is, the hand 23 adjusts the height position of the substrate W with respect to the surrounding cassette CA and the substrate delivery device 7, and
Can move forward and backward. The head 22 is provided with a geared motor or the like (not shown).
3 and the substrate W adsorbed thereon are rotated by 180 ° around an axial direction extending horizontally. As a result, the substrate W can be inverted while the position of the substrate W remains almost unchanged,
The film formation surface of the substrate W can be switched up and down at an appropriate timing.

【００４３】基板受渡装置７は、気密容器６に形成した
生成した搬出入口６ｂを外側から封止するための蓋部材
７１と、搬出入口６ｂを介して搬送空間Ｓ1内外に基板
Ｗを搬送する支持部材７２とを備える。前者の蓋部材７
１は、気密容器６外に設けた第１昇降装置７３によって
上下に駆動され、搬出入口６ｂを外側から封止する封止
位置と、搬出入口６ｂを開放する開放位置との間で移動
する。また、後者の支持部材７２は、第２昇降装置７４
によって搬送空間Ｓ1中で上下に駆動され、蓋部材７１
が開放位置にあるとき、上側に移動して搬出入口６ｂを
気密容器６の内側から封止し、蓋部材７１が封止位置に
あるとき、下側に移動して基板Ｗを搬出入口６ｂを介し
て気密容器６内に搬入する。The substrate transfer device 7 includes a cover member 71 for sealing the generated carry-in / out port 6b formed in the airtight container 6 from the outside, and a support for carrying the substrate W into and out of the carrying space S1 via the carry-in / out port 6b. And a member 72. The former lid member 7
1 is driven up and down by a first lifting / lowering device 73 provided outside the hermetic container 6, and moves between a sealing position for sealing the carry-in / out port 6b from the outside and an open position for opening the carry-in / out port 6b. Further, the latter support member 72 is provided with a second elevating device 74.
Is moved up and down in the transport space S1 by the lid member 71.
Is in the open position, it is moved upward to seal the loading / unloading port 6b from the inside of the airtight container 6, and when the lid member 71 is in the sealing position, it is moved downward to transfer the substrate W to the loading / unloading port 6b. And is carried into the airtight container 6 through the airtight container 6.

【００４４】支持部材７２の上面には、３本の支柱７２
ａが立設されており、３点支持によって上下２枚の基板
Ｗを離間した状態で重ねて支持できるようになってい
る。これにより、支持部材７２が上側に移動して気密容
器６を封止した際には、第１搬送装置２によって搬送さ
れてきた基板Ｗを支持部材７２で受け取ることができ
る。また、蓋部材７１を封止位置に移動させて搬送空間
Ｓ1を気密を確保すると、支持部材７２が下側に移動し
て支柱７２ａに支持された基板Ｗが搬送空間Ｓ1内に移
送される。On the upper surface of the support member 72, three columns 72 are provided.
a is provided upright, and two upper and lower substrates W can be overlapped and supported in a state of being separated by three-point support. Thus, when the support member 72 moves upward and seals the airtight container 6, the substrate W transferred by the first transfer device 2 can be received by the support member 72. When the cover member 71 is moved to the sealing position to secure the airtightness of the transport space S1, the support member 72 is moved downward, and the substrate W supported by the column 72a is transported into the transport space S1.

【００４５】なお、蓋部材７１の開閉動作に際しては、
高真空排気用ポンプ７５を動作させて、外気が搬出入口
６ｂを介して搬送空間Ｓ1内に進入するのを防止する。When opening and closing the lid member 71,
The high vacuum pump 75 is operated to prevent outside air from entering the transfer space S1 via the carry-in / out port 6b.

【００４６】図４は、支持部材７２に設けた支柱７２ａ
の構造を説明する図である。各支柱７２ａには、同時に
２枚の基板Ｗを支持できるように、２つの水平方向に延
びる突起７２ｃが形成されている。両突起７２ｃは支持
方向に向いてテーパ状になっており、基板Ｗの下面すな
わち膜形成面に接することなく端部を支持する。FIG. 4 shows a support 72 a provided on the support member 72.
FIG. 3 is a diagram illustrating the structure of FIG. Each pillar 72a is formed with two horizontally extending projections 72c so as to support two substrates W at the same time. Both projections 72c are tapered in the supporting direction, and support the ends without contacting the lower surface of the substrate W, that is, the film forming surface.

【００４７】図５及び図６は、第２搬送装置５やホルダ
８の構造を説明するためのもので、図５は側面図であ
り、図６は平面図である。FIGS. 5 and 6 are views for explaining the structure of the second transfer device 5 and the holder 8, and FIG. 5 is a side view and FIG. 6 is a plan view.

【００４８】第２搬送装置５は、多関節型のハンドリン
グ装置を備え、伸縮するとともに中心軸ＣＸの回りに回
転可能であるアーム５１と、アーム５１から延びて基板
Ｗを支持するハンド５３とを備える。アーム５１やハン
ド５３は、搬送空間Ｓ1内に収容されている。ハンド５
３は、基板Ｗを支持した状態でアーム５１に送られて、
周囲の支持部材７２やホルダ８側に基板Ｗを進退させる
ことができる。The second transfer device 5 has an articulated type handling device, and includes an arm 51 which expands and contracts and is rotatable around a central axis CX, and a hand 53 extending from the arm 51 and supporting the substrate W. Prepare. The arm 51 and the hand 53 are accommodated in the transport space S1. Hand 5
3 is sent to the arm 51 while supporting the substrate W,
The substrate W can be advanced and retracted to the surrounding support member 72 and the holder 8 side.

【００４９】ホルダ８は、伸縮するベローズ８１の下端
に取り付けられて上下に往復する。ベローズ８１の伸縮
は、気密容器６外に設けた駆動装置８２によって調節さ
れる。また、ホルダ８内部には、発熱体や冷却水用の配
管が設けられており、基板Ｗの上面（裏面）に接して基
板Ｗの温度を調節することができる。The holder 8 is attached to the lower end of the bellows 81 which expands and contracts and reciprocates up and down. The expansion and contraction of the bellows 81 is adjusted by a driving device 82 provided outside the airtight container 6. Further, a heating element and a pipe for cooling water are provided inside the holder 8, and the temperature of the substrate W can be adjusted by contacting the upper surface (back surface) of the substrate W.

【００５０】図７は、ホルダ８による基板Ｗの保持を説
明する図である。図７（ａ）は保持前の状態を示し、図
７（ｂ）は保持後の状態を示す。ホルダ８は、円柱状の
外形を有し、外周のほぼ中央に鍔状部８ａを有する。鍔
状部８ａの下側には、円周の３箇所に上下に摺動する保
持爪８ｂが形成されている（図面では１つのみ示す）。
なお、第２搬送装置５との間で基板Ｗを受け渡す際の干
渉を防止するため、第２搬送装置５側には保持爪８ｂを
設けていない。つまり、第２搬送装置５から最も離れた
位置と、これから９０゜ずれた２箇所とに保持爪８ｂを
設けている。保持爪８ｂの下端は鈎状となっており、こ
の鈎状部の支持面ＳＳによって基板Ｗの縁を下側から支
持する。保持爪８ｂの上端からは弾性体８ｃが延びてい
る。弾性体８ｃの上端は、ホルダ８に固定されている。FIG. 7 is a view for explaining the holding of the substrate W by the holder 8. FIG. 7A shows a state before holding, and FIG. 7B shows a state after holding. The holder 8 has a columnar outer shape, and has a flange 8a substantially at the center of the outer periphery. Below the flange 8a, holding claws 8b that slide vertically are formed at three locations on the circumference (only one is shown in the drawing).
Note that, in order to prevent interference when transferring the substrate W to and from the second transport device 5, the holding claws 8b are not provided on the second transport device 5 side. That is, the holding claws 8b are provided at a position farthest from the second transporting device 5 and at two positions shifted by 90 ° therefrom. The lower end of the holding claw 8b has a hook shape, and the edge of the substrate W is supported from below by the support surface SS of the hook portion. An elastic body 8c extends from the upper end of the holding claw 8b. The upper end of the elastic body 8c is fixed to the holder 8.

【００５１】図７（ａ）のように、ホルダ８が上側に移
動しているとき、保持爪８ｂはバネの長さの調節等によ
って支持面ＳＳの位置がホルダ８の下端面よりも基板Ｗ
の厚さ以上に下側になるようにしてある。この状態で
は、第２搬送装置５のハンド５３によって搬送されてき
た基板Ｗがホルダ８の下面と支持面ＳＳとの間に挿入可
能となるので、この間に挿入された基板Ｗを支持面ＳＳ
で支持することができる。As shown in FIG. 7A, when the holder 8 is moving upward, the position of the supporting surface SS of the holding claw 8b is lower than that of the lower surface of the holder 8 by adjusting the length of the spring.
It is made to be on the lower side more than the thickness of. In this state, the substrate W transferred by the hand 53 of the second transfer device 5 can be inserted between the lower surface of the holder 8 and the support surface SS.
Can be supported.

【００５２】図７（ｂ）のように、ホルダ８が下側に移
動すると、ホルダ８の下部が、気密容器６に形成した開
口６ａにはまる。そして、鍔状部８ａが開口６ａの周囲
の段差部分に当接して開口６ａがシールされる。この
際、保持爪８ｂは、開口６ａの周囲の突起６ｆに当接
し、弾性体８ｃのバネ力に抗してホルダ８に対して相対
的に上側に移動する。これにより、基板Ｗがホルダ８の
下面側に押し付けられ、基板Ｗの裏面がホルダ８の下面
にほぼ密着して基板Ｗの温度調節が可能になる。When the holder 8 moves downward as shown in FIG. 7B, the lower part of the holder 8 fits into the opening 6a formed in the airtight container 6. Then, the flange portion 8a comes into contact with a step portion around the opening 6a to seal the opening 6a. At this time, the holding claw 8b abuts on the protrusion 6f around the opening 6a and moves relatively upward with respect to the holder 8 against the spring force of the elastic body 8c. As a result, the substrate W is pressed against the lower surface of the holder 8, and the rear surface of the substrate W substantially adheres to the lower surface of the holder 8, so that the temperature of the substrate W can be adjusted.

【００５３】以下、図１〜図７に示す成膜装置の動作に
ついて説明する。装置外から搬送されてきたカセットＣ
Ａは、カセットステージ１０上に配置される。カセット
ＣＡ中には、膜形成面を上側にした未処理の基板Ｗが積
層して収納されている。カセットステージ１０は、図３
に示すＡＢ方向に適宜移動して、目的のカセットＣＡを
第１搬送装置２の正面に移動させる（ステップＳ１）。Hereinafter, the operation of the film forming apparatus shown in FIGS. 1 to 7 will be described. Cassette C transported from outside the device
A is arranged on the cassette stage 10. In the cassette CA, unprocessed substrates W with the film forming surface facing upward are stacked and stored. The cassette stage 10 is shown in FIG.
Then, the target cassette CA is moved to the front of the first transporting device 2 by appropriately moving in the AB direction shown in (1) (step S1).

【００５４】次に、第１搬送装置２は、カセットＣＡに
収納した未処理の基板Ｗの直下にハンド２３を進入させ
これを僅かに上昇させて後退させることにより、基板Ｗ
をカセットＣＡ外に取り出す。さらに、第１搬送装置２
は、ハンド２３に基板Ｗ裏面を吸着させた後に１８０°
反転させて膜形成面を下側にする（ステップＳ２）。Next, the first transfer device 2 moves the hand 23 immediately below the unprocessed substrate W stored in the cassette CA, slightly raises it, and retreats it.
Out of the cassette CA. Further, the first transport device 2
Is 180 ° after the back surface of the substrate W is adsorbed by the hand 23.
The film is turned upside down so that the film formation surface is on the lower side (step S2).

【００５５】この間に、支持部材７２を上側に移動させ
て搬出入口６ｂを封止し、蓋部材７１を上昇させて開放
位置とする。この状態では、蓋部材７１の下方において
３本の支柱７２ａが搬出入口６ｂの外部に突出する（ス
テップＳ３）。During this time, the support member 72 is moved upward to seal the carry-in / out entrance 6b, and the cover member 71 is raised to the open position. In this state, the three columns 72a protrude outside the loading / unloading port 6b below the lid member 71 (step S3).

【００５６】次に、第１搬送装置２は、ハンド２３に保
持した基板Ｗを３本の支柱７２ａの間に挿入して図４に
示す突起６ｆの僅か上方に基板Ｗを移動させる。その
後、基板Ｗの吸着を解除すれば、３本の支柱７２ａにそ
れぞれ設けた突起６ｆによって、すなわち支持部材７２
によって、基板Ｗを支持させることができる（ステップ
Ｓ４）。Next, the first transfer device 2 inserts the substrate W held by the hand 23 between the three columns 72a and moves the substrate W slightly above the projection 6f shown in FIG. Thereafter, when the suction of the substrate W is released, the protrusions 6f provided on the three columns 72a, ie, the support members 72a
Thereby, the substrate W can be supported (Step S4).

【００５７】以上のステップＳ１〜Ｓ４を再度繰り返す
ことにより、支持部材７２に２枚の基板Ｗを上下に重ね
て支持させることができる（ステップＳ５）。By repeating the above steps S1 to S4 again, the two substrates W can be supported on the support member 72 in a vertically stacked manner (step S5).

【００５８】次に、蓋部材７１を降下させて封止位置と
し、搬出入口６ｂを外側から封止するとともに、高真空
排気用ポンプ７５を動作させて蓋部材７１内部を減圧す
る。その後、支持部材７２を下側に移動させると、支柱
７２ａに支持された２枚の未処理の基板Ｗを搬送空間Ｓ
1に導入することになる（ステップＳ６）。Next, the cover member 71 is lowered to the sealing position, the carry-in / out port 6b is sealed from the outside, and the inside of the cover member 71 is depressurized by operating the high vacuum pump 75. Thereafter, when the support member 72 is moved downward, the two unprocessed substrates W supported by the columns 72a are transferred to the transfer space S.
1 (step S6).

【００５９】次に、第２搬送装置５が、支持部材７２に
支持された未処理の基板Ｗの直下にハンド２３を進入さ
せこれを僅かに上昇させて基板Ｗの縁部分を支持する。
この状態で、基板Ｗを第１イオンプレーティング装置３
側のホルダ８の直下に移動させる。この際、基板Ｗをホ
ルダ８の下面と保持爪８ｂの支持面ＳＳとの間に挿入
し、ハンド２３を僅かに降下させて保持爪８ｂに基板Ｗ
を渡す。その後、ハンド２３をホルダ８の下方から後退
させる（ステップＳ７）。Next, the second transporting device 5 moves the hand 23 directly below the unprocessed substrate W supported by the support member 72 and raises it slightly to support the edge portion of the substrate W.
In this state, the substrate W is placed in the first ion plating apparatus 3.
Is moved directly below the side holder 8. At this time, the substrate W is inserted between the lower surface of the holder 8 and the support surface SS of the holding claw 8b, and the hand 23 is slightly lowered to place the substrate W on the holding claw 8b.
give. Thereafter, the hand 23 is retracted from below the holder 8 (step S7).

【００６０】次に、ホルダ８を基板Ｗとともに降下さ
せ、基板Ｗを搬送空間Ｓ1から開口６ａを介して第１イ
オンプレーティング装置３側の処理空間Ｓ2に移送す
る。この際、保持爪８ｂが開口６ａの周囲の突起６ｆに
当接し、基板Ｗがホルダ８の下面側に押し付けられ、基
板Ｗの裏面がホルダ８の下面に密着する（ステップＳ
８）。Next, the holder 8 is lowered together with the substrate W, and the substrate W is transferred from the transfer space S1 to the processing space S2 on the first ion plating apparatus 3 side through the opening 6a. At this time, the holding claws 8b come into contact with the protrusions 6f around the opening 6a, the substrate W is pressed against the lower surface of the holder 8, and the rear surface of the substrate W adheres to the lower surface of the holder 8 (Step S).
8).

【００６１】以上のステップＳ７、Ｓ８と同様の動作を
再度繰り返すことにより、支持部材７２に支持された他
の基板Ｗを第２イオンプレーティング装置４側のホルダ
８に支持して第２イオンプレーティング装置４側の処理
空間Ｓ2に移送することができる。（ステップＳ９）。By repeating the same operations as in steps S7 and S8 again, another substrate W supported by the support member 72 is supported by the holder 8 of the second ion plating apparatus 4 and the second ion plating is performed. Can be transferred to the processing space S2 on the side of the marking device 4. (Step S9).

【００６２】次に、第１及び第２イオンプレーティング
装置３、４で基板Ｗの下面に成膜を行う（ステップＳ１
０）。イオンプレーティングによる成膜は、イオンプレ
ーティングによる成膜はこのように膜形成面を下向きと
し所望の温度に調節された状態の基板Ｗに対して行われ
る。具体的な成膜について説明すると、ハース３１ａの
凹部には、Ｃｕ等の蒸発物質金属が加熱され溶融状態で
溜まっている。この状態で、プラズマガン３３からのプ
ラズマビームを環状補助陽極３１ｂに入射させている待
機状態からハース３１ａに入射させる成膜状態にスイッ
チする。これにより、基板Ｗの下面すなわち膜形成面に
金属被膜が形成され成長する。基板Ｗの膜形成面に形成
された膜が所定の膜厚になった段階で、プラズマビーム
を環状補助陽極３１ｂに入射さる待機状態にスイッチす
る。以上により、基板Ｗの膜形成面への薄膜形成処理は
終了する。なお、本実施形態のプラズマガン３３を用い
ることにより、強力なプラズマビームを連続的に安定し
て供給することができ、基板Ｗ上に高品質の膜が迅速に
形成されることになる。また、環状磁石３２によってハ
ース３１ａの上方にカスプ磁場を形成しハース３１ａに
入射するプラズマビームを修正するので、基板Ｗ上によ
り均一な厚さの膜が形成されることになる。また、以上
のイオンプレーティングによれば、金属膜の形成前に下
地の表面をクリーニングするセルフサーフェスクリーニ
ング効果があるので、配向性が良い膜を形成することが
できる。特に金属配線用の膜の場合、導電性が高くエレ
クトロマイグレーション耐性がある膜となる。Next, a film is formed on the lower surface of the substrate W by the first and second ion plating devices 3 and 4 (step S1).
0). The film formation by ion plating is performed on the substrate W in a state where the film formation surface faces downward and the temperature is adjusted to a desired temperature. Describing a specific film formation, the evaporation substance metal such as Cu is accumulated in the recess of the hearth 31a in a heated and molten state. In this state, the state is switched from the standby state in which the plasma beam from the plasma gun 33 is incident on the annular auxiliary anode 31b to the film formation state in which the plasma beam is incident on the hearth 31a. As a result, a metal film is formed and grown on the lower surface of the substrate W, that is, the film forming surface. When the film formed on the film forming surface of the substrate W has a predetermined thickness, the plasma beam is switched to a standby state in which the plasma beam is incident on the annular auxiliary anode 31b. Thus, the process of forming a thin film on the film formation surface of the substrate W is completed. By using the plasma gun 33 of the present embodiment, a strong plasma beam can be continuously and stably supplied, and a high-quality film is quickly formed on the substrate W. Further, since a cusp magnetic field is formed above the hearth 31a by the annular magnet 32 and the plasma beam incident on the hearth 31a is corrected, a film having a more uniform thickness is formed on the substrate W. Further, according to the above-described ion plating, there is a self-surface cleaning effect of cleaning the surface of the base before forming the metal film, so that a film having good orientation can be formed. In particular, in the case of a film for metal wiring, the film has high conductivity and has electromigration resistance.

【００６３】次に、ホルダ８を基板Ｗとともに上昇さ
せ、第１イオンプレーティング装置３側の処理空間Ｓ2
から搬送空間Ｓ1に基板Ｗを移送する（ステップＳ１
１）。Next, the holder 8 is raised together with the substrate W, and the processing space S 2 on the first ion plating apparatus 3 side is processed.
Transfer the substrate W from the substrate to the transfer space S1 (step S1).
1).

【００６４】次に、第２搬送装置５が、第１イオンプレ
ーティング装置３側のホルダ８に保持された基板Ｗを取
り出して支持部材７２に移載する（ステップＳ１２）。
この際の支持部材７２は、未処理の基板Ｗを搬送空間Ｓ
1に搬入した場合と同じものとしてもよく異なるものと
してもよい。Next, the second transport device 5 takes out the substrate W held by the holder 8 on the first ion plating device 3 side and transfers it to the support member 72 (step S12).
At this time, the support member 72 transfers the unprocessed substrate W to the transfer space S.
It may be the same as the case where it is carried in 1 or may be different.

【００６５】以上のステップＳ１１、Ｓ１２と同様の動
作を再度繰り返すことにより、第２イオンプレーティン
グ装置４側のホルダ８に保持された基板Ｗを取り出して
支持部材７２に移載する（ステップＳ１３）。By repeating the same operations as steps S11 and S12 again, the substrate W held in the holder 8 on the second ion plating apparatus 4 is taken out and transferred to the support member 72 (step S13). .

【００６６】次に、支持部材７２を上昇させ、支柱７２
ａに支持された２枚の処理済の基板Ｗを搬出入口６ｂを
介して蓋部材７１の内側に移動させ、窒素をベントして
大気圧に戻した後、蓋部材７１を開放位置とする。これ
により、処理済の基板Ｗが気密容器６外に搬出される
（ステップＳ１４）。Next, the support member 72 is raised, and
The two processed substrates W supported by a are moved to the inside of the lid member 71 via the carry-in / out port 6b, and nitrogen is vented to the atmospheric pressure, and then the lid member 71 is set to the open position. Thereby, the processed substrate W is carried out of the airtight container 6 (Step S14).

【００６７】次に、第１搬送装置２が、ハンド２３を支
柱７２ａに保持したいずれかの基板Ｗを取り出し、吸着
後に反転させる。吸着によって反転した基板Ｗは、カセ
ットＣＡに挿入される（ステップＳ１５）。Next, the first transfer device 2 takes out one of the substrates W holding the hand 23 on the support column 72a, and turns over after suction. The substrate W inverted by the suction is inserted into the cassette CA (Step S15).

【００６８】以上のステップＳ１５を再度繰り返すこと
により、支持部材７２に支持された２枚の処理済みの基
板ＷをカセットＣＡに収納することができる（ステップ
Ｓ１６）。By repeating the above step S15 again, the two processed substrates W supported by the support member 72 can be stored in the cassette CA (step S16).

【００６９】以上、実施形態に即してこの発明を説明し
たが、この発明は上記実施形態に限定されるものではな
い。上記実施形態では、例えばカセットステージ１０を
移動させて第１搬送装置２の正面にカセットＣＡを移動
させたが、第１搬送装置２を移動させてカセットＣＡの
正面に配置することもできる。As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments. In the above-described embodiment, for example, the cassette CA is moved to the front of the first transport device 2 by moving the cassette stage 10. However, the first transport device 2 may be moved to be disposed in front of the cassette CA.

【００７０】また、第１搬送装置２を単一とする必要は
なく、第１搬送装置２が律速となっている場合、これを
複数設けることもできる。It is not necessary to use a single first transfer device 2, and if the first transfer device 2 is rate-determining, a plurality of first transfer devices 2 may be provided.

【００７１】また、基板受渡装置７も、３つ以上設ける
ことができる。或いは、支持部材７２に支持する基板Ｗ
を３枚以上、例えば４枚以上設けることができる。Also, three or more substrate delivery devices 7 can be provided. Alternatively, the substrate W supported by the support member 72
, Three or more, for example, four or more.

【００７２】さらに、第２搬送装置５も、各イオンプレ
ーティング装置３、４ごとに設けることができ、さらに
３つ以上設けることもできる。Further, the second transport device 5 can be provided for each of the ion plating devices 3 and 4, and three or more second transport devices can be provided.

【００７３】[0073]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の成膜装置によれば、デポアップ型の第１成膜ユニット
と、デポアップ型の第２成膜ユニットとを備えるので、
これらに同一の成膜を行わせれば、成膜のスループット
を高めることができる。また、反転された基板を基板移
送装置によって第１及び第２成膜ユニットのいずれかの
上方位置に移送するので、両成膜ユニットに基板を振り
分けて搬出入するための搬送空間によって成膜装置のフ
ットスペースが増大することを防止できる。さらに、基
板取扱装置を気密容器外に配置して基板を反転させるの
で、基板取扱装置の構造を簡単にし、かつ、反転の動作
を迅速なものとできる。As is apparent from the above description, according to the film forming apparatus of the present invention, the first film forming unit of the deposition type and the second film forming unit of the deposition type are provided.
If the same film formation is performed on these, the film formation throughput can be increased. Further, since the inverted substrate is transferred to a position above one of the first and second film forming units by the substrate transfer device, the film forming device is transported by the transfer space for distributing the substrate into and out of the two film forming units. Can be prevented from increasing in foot space. Further, since the substrate handling device is disposed outside the airtight container and the substrate is inverted, the structure of the substrate handling device can be simplified and the inversion operation can be performed quickly.

【００７４】また、本発明の成膜方法によれば、デポア
ップ型の第１成膜ユニットと、デポアップ型の第２成膜
ユニットとを利用して成膜を行うので、成膜のスループ
ットを高めることができる。また、反転された基板を第
１及び第２成膜ユニットの上方の気密な搬送空間に搬入
するので、両成膜ユニットに基板を振り分けて搬出入す
るための搬送空間によって全体の処理に要するフットス
ペースが増大することを防止できる。さらに、気密な搬
送空間及び処理空間外で基板を反転させるので、基板の
反転が簡単になり、反転の動作を迅速なものとできる。Further, according to the film forming method of the present invention, the film is formed using the first film forming unit of the deposit-up type and the second film forming unit of the second type, so that the throughput of the film formation is improved. be able to. Further, since the inverted substrate is carried into the hermetic transport space above the first and second film forming units, a foot required for the entire processing is provided by the transport space for distributing the substrate to both film forming units and carrying in and out. An increase in space can be prevented. Furthermore, since the substrate is inverted outside the hermetic transport space and the processing space, the substrate can be easily inverted, and the operation of the inversion can be performed quickly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】実施形態の成膜装置の構造を説明する図であ
り、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は平面図である。1A and 1B are diagrams illustrating a structure of a film forming apparatus according to an embodiment, wherein FIG. 1A is a side view and FIG. 1B is a plan view.

【図２】図１の装置の出入口側の側面図である。FIG. 2 is a side view of an entrance / exit side of the apparatus of FIG.

【図３】図１の装置の出入口側の平面図である。FIG. 3 is a plan view of an entrance / exit side of the apparatus of FIG. 1;

【図４】基板受渡装置による基板の支持を説明する図で
ある。FIG. 4 is a diagram illustrating support of a substrate by a substrate delivery device.

【図５】図１の装置の本体側の要部側面図である。FIG. 5 is a side view of a main part of the main body of the apparatus of FIG. 1;

【図６】図１の装置の本体側の要部平面図である。FIG. 6 is a plan view of a main part of the main body of the apparatus of FIG. 1;

【図７】（ａ）、（ｂ）はホルダの動作を説明する図で
ある。FIGS. 7A and 7B are diagrams illustrating the operation of a holder.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２ 第１搬送装置 ３ 第１イオンプレーティング装置 ４ 第２イオンプレーティング装置 ５ 第２搬送装置 ６ 気密容器 ６ａ 開口 ６ｂ 搬出入口 ７ 基板受渡装置 ８ ホルダ ８ｂ 保持爪 ９ 高真空排気用ポンプ １０ カセットステージ ３１ 陽極部材 ３１ａ ハース ３１ｂ 環状補助陽極 ３２ 環状磁石 ３３ プラズマガン ＣＡ カセット Ｓ1 搬送空間 Ｓ2 処理空間 Ｗ 基板 Reference Signs List 2 1st transfer device 3 1st ion plating device 4 2nd ion plating device 5 2nd transfer device 6 Hermetic container 6a Opening 6b Carry-in / out port 7 Substrate delivery device 8 Holder 8b Holding claw 9 High vacuum pump 10 Cassette stage Reference Signs List 31 anode member 31a hearth 31b annular auxiliary anode 32 annular magnet 33 plasma gun CA cassette S1 transfer space S2 processing space W substrate

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 膜形成面を上側にして搬送されてきた基
板を反転させて前記膜形成面を下側にする基板取扱装置
と、 デポアップ型の第１成膜ユニットと、 デポアップ型の第２成膜ユニットと、 前記基板取扱装置によって反転された基板を前記第１及
び第２成膜ユニットのいずれかの上方位置に移送する基
板移送装置と、 前記第１成膜ユニットと前記第２成膜ユニットと前記基
板移送装置とにおいて基板を収容する気密容器とを備え
る成膜装置。1. A substrate handling apparatus for reversing a substrate conveyed with a film forming surface on the upper side and setting the film forming surface on a lower side, a first film forming unit of a deposit-up type, and a second film-forming unit of a deposit-up type. A film forming unit, a substrate transfer device for transferring the substrate inverted by the substrate handling device to a position above any of the first and second film forming units, the first film forming unit and the second film forming A film forming apparatus comprising: a unit and an airtight container that stores a substrate in the substrate transfer device. 【請求項２】 前記第１及び第２成膜ユニットは、隣接
して並列に配列されることを特徴とする請求項１記載の
成膜装置。2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the first and second film forming units are arranged adjacently and in parallel. 【請求項３】 前記気密容器は、前記基板取扱装置によ
って反転された基板を前記気密容器の気密を保ったまま
で前記気密容器内に移す基板受渡装置をさらに備え、前
記基板取扱装置は、前記基板受渡装置まで前記反転され
た基板を移送し、前記基板移送装置は、前記基板受渡装
置から前記反転された基板を取り出すことを特徴とする
請求項１記載の成膜装置。3. The airtight container further includes a substrate delivery device that transfers the substrate inverted by the substrate handling device into the airtight container while maintaining the airtightness of the airtight container. 2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the inverted substrate is transferred to a delivery device, and the substrate transfer device takes out the inverted substrate from the substrate delivery device. 3. 【請求項４】 前記基板受渡装置は、前記気密容器に形
成した搬出入口を外側から封止する封止位置と、前記気
密容器から離間して前記搬出入口を開放する開放位置と
の間で移動する蓋部材と、当該蓋部材が開放位置にある
とき前記搬出入口を前記気密容器の内側から封止すると
ともに前記基板取扱装置によって移送されてきた基板を
受け取って支持し、前記蓋部材が封止位置にあるとき前
記搬出入口を介して基板を前記気密容器内に搬入する支
持部材とを備えることを特徴とする請求項３記載の成膜
装置。4. The substrate delivery device moves between a sealing position for sealing a carry-in / out port formed in the hermetic container from the outside and an open position for opening the carry-in / out port away from the hermetic container. A lid member that seals the loading / unloading port from the inside of the hermetic container when the lid member is in the open position and receives and supports the substrate transferred by the substrate handling device, and the lid member is sealed. 4. The film forming apparatus according to claim 3, further comprising: a supporting member that carries the substrate into the hermetic container through the carrying-in / out port when the substrate is at the position. 【請求項５】 前記第１及び第２成膜ユニットの処理空
間と、前記基板移送装置の搬送空間とは、前記気密容器
内で上下に仕切られており、前記反転された基板を前記
搬送空間で前記基板移送装置から受け取って前記処理空
間に移動させるとともに、前記反転された基板を前記処
理空間に移動させた際に前記処理空間及び前記搬送空間
を気密に遮断するゲートバルブとしての機能を有する保
持装置をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の
成膜装置。5. The processing space of the first and second film forming units and the transfer space of the substrate transfer device are vertically separated in the airtight container, and the inverted substrate is transferred to the transfer space. And has a function as a gate valve that shuts off the processing space and the transfer space in an airtight manner when the inverted substrate is moved to the processing space while being received from the substrate transfer device and moved to the processing space. The film forming apparatus according to claim 1, further comprising a holding device. 【請求項６】 前記保持装置は、前記基板移送装置から
受け取った基板の上面に接して当該基板の温度を調節す
ることを特徴とする請求項５記載の成膜装置。6. The film forming apparatus according to claim 5, wherein the holding device is in contact with an upper surface of the substrate received from the substrate transfer device and adjusts a temperature of the substrate. 【請求項７】 前記第１及び第２成膜ユニットは、プラ
ズマビームを処理空間中に供給するプラズマ源と、膜材
料を収容可能な材料蒸発源を有するとともに前記処理空
間中に配置されて前記プラズマビームを導くハースとを
それぞれ有することを特徴とする請求項１記載の成膜装
置。7. The first and second film forming units each include a plasma source for supplying a plasma beam into a processing space, and a material evaporation source capable of storing a film material, and are disposed in the processing space. 2. The film forming apparatus according to claim 1, further comprising a hearth for guiding a plasma beam. 【請求項８】 前記材料蒸発源の上方の近接した領域の
磁界を制御する磁場制御部材を更に備えることを特徴と
する請求項７記載の成膜装置。8. The film forming apparatus according to claim 7, further comprising a magnetic field control member for controlling a magnetic field in a region near and above the material evaporation source. 【請求項９】 前記プラズマ源は、圧力勾配型のプラズ
マガンであることを特徴とする請求項７記載の成膜装
置。9. The film forming apparatus according to claim 7, wherein the plasma source is a pressure gradient type plasma gun. 【請求項１０】 前記基板取扱装置は、カセットに収納
された基板を搬出する際に当該基板を下方から支持する
とともに、当該搬出した基板の裏面を吸着した状態で基
板とともに回転するハンドを有することを特徴とする請
求項１記載の成膜装置。10. The substrate handling apparatus has a hand that supports the substrate from below when unloading a substrate stored in a cassette, and that rotates with the substrate in a state where the back surface of the unloaded substrate is sucked. The film forming apparatus according to claim 1, wherein: 【請求項１１】 膜形成面を上側にして搬送されてきた
基板を反転させて前記膜形成面を下側にする第１工程
と、 反転された基板をデポアップ型の第１及び第２成膜ユニ
ットの上方の気密な搬送空間に搬入する第２工程と、 前記搬送空間に搬入された基板を前記第１及び第２成膜
ユニットのいずれかの内部の気密な処理空間に移送する
第３工程とを備える成膜方法。11. A first step of reversing a substrate conveyed with a film forming surface on the upper side and lowering the film forming surface on the lower side, and depositing the reversed substrate on a first and second deposition films of a deposit type. A second step of loading the substrate into the airtight transfer space above the unit; and a third step of transferring the substrate loaded into the transfer space to an airtight processing space inside one of the first and second film forming units. A film forming method comprising: 【請求項１２】 前記第１及び第２成膜ユニットは、プ
ラズマビームを成膜室中に供給するプラズマ源と、膜材
料を収容可能な材料蒸発源を有するとともに前記成膜室
中に配置されて前記プラズマビームを導くハースとをそ
れぞれ有することを特徴とする請求項１１記載の成膜方
法。12. The first and second film forming units have a plasma source for supplying a plasma beam into a film forming chamber and a material evaporation source capable of storing a film material, and are disposed in the film forming chamber. 12. The film forming method according to claim 11, further comprising a hearth for guiding the plasma beam by using a laser beam.