JP2001011420A - 半導体用接着剤フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
半導体用接着剤フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】切断性に優れた、切断時にバリや切り屑が発生
しない半導体用接着剤フィルム、このフィルムを用いた
リードフレーム及び半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体用接着剤フィルムにおいて、接着層
に対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でダイマー酸が共重合
されたポリアミドイミド樹脂層を用いる。
しない半導体用接着剤フィルム、このフィルムを用いた
リードフレーム及び半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体用接着剤フィルムにおいて、接着層
に対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でダイマー酸が共重合
されたポリアミドイミド樹脂層を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用接着剤フ
ィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置に
関する。
ィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来技術】現在、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ ｏｎ Ｃｈｉ
ｐ）やＣＯＬ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｌｅａｄ）構造の半導
体パッケージ、枠ブタ構造の半導体パッケージ等におい
て、リードフレームとチップの接着にはフィルム状の接
着剤が用いられている。フィルム状の接着剤としては基
材フィルムの片面、又は両面にエポキシ樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ポリエーテルアミドイミド樹脂等の接着剤を
コーテイングした構造のものが主に用いられている。通
常これらのフィルム状接着剤は、シアーカット、レーザ
ーカット等のスリット方法で細幅にスリットされた後、
所定の形状に切り抜かれてリードフレームの所定部分に
貼り付けられ使用されるが、スリット時にフィルム状接
着剤端部に切断バリや切り屑が多発し、接着剤フィルム
付きリードフレーム製造において歩留まりが低下すると
いう問題がある。
ｐ）やＣＯＬ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｌｅａｄ）構造の半導
体パッケージ、枠ブタ構造の半導体パッケージ等におい
て、リードフレームとチップの接着にはフィルム状の接
着剤が用いられている。フィルム状の接着剤としては基
材フィルムの片面、又は両面にエポキシ樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ポリエーテルアミドイミド樹脂等の接着剤を
コーテイングした構造のものが主に用いられている。通
常これらのフィルム状接着剤は、シアーカット、レーザ
ーカット等のスリット方法で細幅にスリットされた後、
所定の形状に切り抜かれてリードフレームの所定部分に
貼り付けられ使用されるが、スリット時にフィルム状接
着剤端部に切断バリや切り屑が多発し、接着剤フィルム
付きリードフレーム製造において歩留まりが低下すると
いう問題がある。
【０００３】現在、これらの切断時の問題は、フィルム
をスリットする刃の材質や形状、及び上刃と下刃のクリ
ヤランスを調節することによって一部解決している。し
かし、これらの方法では、クリヤランスの調節に時間が
かかり、しかも、テープ材の種類によっては、クリヤラ
ンス調節後短時間でバリが発生し、再度クリヤランスの
調節が必要になり、生産性が低下するといった問題点が
あり、切断性に優れた接着テープの開発が求められてい
る。
をスリットする刃の材質や形状、及び上刃と下刃のクリ
ヤランスを調節することによって一部解決している。し
かし、これらの方法では、クリヤランスの調節に時間が
かかり、しかも、テープ材の種類によっては、クリヤラ
ンス調節後短時間でバリが発生し、再度クリヤランスの
調節が必要になり、生産性が低下するといった問題点が
あり、切断性に優れた接着テープの開発が求められてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の問題
を改良し、切断性に優れた、切断時にバリや切り屑が発
生しない半導体用接着剤フィルム、このフィルムを用い
たリードフレーム及び半導体装置を提供する。
を改良し、切断性に優れた、切断時にバリや切り屑が発
生しない半導体用接着剤フィルム、このフィルムを用い
たリードフレーム及び半導体装置を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、切断時に発
生するバリと接着剤フィルムの特性との関係について鋭
意研究した結果、特定組成のポリアミドイミド樹脂を接
着剤層に用いることにより信頼性を損なわずに切断時の
バリの発生を押さえることができることを見いだし、こ
の知見に基づき本発明を完成させた。即ち、本発明は、
支持体フィルムの片面または両面に、接着剤層として対
数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でダイマー酸が共重合され
たポリアミドイミド樹脂層を有する半導体用接着剤フィ
ルムに関する。本発明の好ましい態様は、該ダイマー酸
の該ポリアミドイミド樹脂中の共重合量が１重量％以上
である。また、該ポリアミドイミド樹脂が、酸成分中に
シクロヘキサンジカルボン酸を有する。さらに、該ポリ
アミドイミド樹脂が、アミン残基として、ジシクロヘキ
シルメタン基及び／又はイソホロン基を含有する。そし
て、支持体フィルムがポリイミドフィルム又はポリエス
テルフィルムである。
生するバリと接着剤フィルムの特性との関係について鋭
意研究した結果、特定組成のポリアミドイミド樹脂を接
着剤層に用いることにより信頼性を損なわずに切断時の
バリの発生を押さえることができることを見いだし、こ
の知見に基づき本発明を完成させた。即ち、本発明は、
支持体フィルムの片面または両面に、接着剤層として対
数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でダイマー酸が共重合され
たポリアミドイミド樹脂層を有する半導体用接着剤フィ
ルムに関する。本発明の好ましい態様は、該ダイマー酸
の該ポリアミドイミド樹脂中の共重合量が１重量％以上
である。また、該ポリアミドイミド樹脂が、酸成分中に
シクロヘキサンジカルボン酸を有する。さらに、該ポリ
アミドイミド樹脂が、アミン残基として、ジシクロヘキ
シルメタン基及び／又はイソホロン基を含有する。そし
て、支持体フィルムがポリイミドフィルム又はポリエス
テルフィルムである。
【０００６】また、本発明は、前記記載の半導体用接着
剤フィルムを貼り付けたリードフレームに関する。ま
た、本発明はリードフレームと半導体素子を前記の半導
体用接着剤フィルムを介して接着させてなる半導体装置
に関する。
剤フィルムを貼り付けたリードフレームに関する。ま
た、本発明はリードフレームと半導体素子を前記の半導
体用接着剤フィルムを介して接着させてなる半導体装置
に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の半導体用接着剤フ
ィルムについて詳しく説明する。本発明に用いられる支
持体フィルムとしてはポリアミド、ポリイミド、ポリエ
ステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエー
テルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リサルフォン等が用いられるが、耐熱性、絶縁性、価格
などからポリイミド又はポリエステルが好ましい。支持
体フィルムの厚さは５〜２００μｍが好ましく、２０〜
７５μｍがさらに好ましい。支持体フィルムは通常その
まま用いられるが、接着剤層との接着性を改良するため
に表面処理をしたものを用いてもよい。支持体フィルム
の表面処理としてはサンドマット加工やコロナ処理など
の物理加工やシランカップリング剤やポリエステル樹
脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂等の溶液を塗布す
る化学処理がありいずれの方法を用いてもかまわない。
ィルムについて詳しく説明する。本発明に用いられる支
持体フィルムとしてはポリアミド、ポリイミド、ポリエ
ステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエー
テルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リサルフォン等が用いられるが、耐熱性、絶縁性、価格
などからポリイミド又はポリエステルが好ましい。支持
体フィルムの厚さは５〜２００μｍが好ましく、２０〜
７５μｍがさらに好ましい。支持体フィルムは通常その
まま用いられるが、接着剤層との接着性を改良するため
に表面処理をしたものを用いてもよい。支持体フィルム
の表面処理としてはサンドマット加工やコロナ処理など
の物理加工やシランカップリング剤やポリエステル樹
脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂等の溶液を塗布す
る化学処理がありいずれの方法を用いてもかまわない。
【０００８】本発明の半導体用接着剤フィルムの接着剤
層にはダイマー酸を共重合したポリアミドイミド樹脂が
用いられる。特開平１０−１５８５９９に記載されるよ
うに通常のポリアミドイミド樹脂でも半導体用接着剤フ
ィルムの接着剤層として使用できる可能性はあるが、貼
り合わせ温度が３００℃を超え、且つスリット時のバリ
発生が激しいという問題があった。本発明ではダイマー
酸をポリアミドイミド樹脂に共重合させることによっ
て、ガラス転移温度を下げて貼り合わせ温度を低下さ
せ、また弾性率を低下させること及び支持体フィルムへ
の接着性を向上させることによってスリット時のバリの
発生を抑えることができた。
層にはダイマー酸を共重合したポリアミドイミド樹脂が
用いられる。特開平１０−１５８５９９に記載されるよ
うに通常のポリアミドイミド樹脂でも半導体用接着剤フ
ィルムの接着剤層として使用できる可能性はあるが、貼
り合わせ温度が３００℃を超え、且つスリット時のバリ
発生が激しいという問題があった。本発明ではダイマー
酸をポリアミドイミド樹脂に共重合させることによっ
て、ガラス転移温度を下げて貼り合わせ温度を低下さ
せ、また弾性率を低下させること及び支持体フィルムへ
の接着性を向上させることによってスリット時のバリの
発生を抑えることができた。
【０００９】本発明のダイマー酸を共重合したポリアミ
ドイミド樹脂は、トリメリット酸無水物（酸塩化物）と
ジアミン或いはジイソシアネート及びダイマー酸とを重
合溶剤に溶解して加熱攪拌することで容易に製造するこ
とができる。
ドイミド樹脂は、トリメリット酸無水物（酸塩化物）と
ジアミン或いはジイソシアネート及びダイマー酸とを重
合溶剤に溶解して加熱攪拌することで容易に製造するこ
とができる。
【００１０】重合温度は、通常５０℃〜２２０℃、好ま
しくは８０℃〜２００℃の範囲で行われる。
しくは８０℃〜２００℃の範囲で行われる。
【００１１】ジイソシアネート法で合成する場合、イソ
シアネートと酸成分中の活性水素との反応を促進するた
めに、トリエチルアミンやルチジン、ピコリン、トリエ
チレンジアミン等のアミン類、リチウムメトキサイド、
ナトリウムメトキサイド、カリウムブトキサイド、フッ
化カリウム、フッ化ナトリウムなどのアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属化合物、或いはコバルト、チタニウム、
スズ、亜鉛などの金属、半金族化合物の触媒の存在下に
行ってもよい。
シアネートと酸成分中の活性水素との反応を促進するた
めに、トリエチルアミンやルチジン、ピコリン、トリエ
チレンジアミン等のアミン類、リチウムメトキサイド、
ナトリウムメトキサイド、カリウムブトキサイド、フッ
化カリウム、フッ化ナトリウムなどのアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属化合物、或いはコバルト、チタニウム、
スズ、亜鉛などの金属、半金族化合物の触媒の存在下に
行ってもよい。
【００１２】本発明のダイマー酸を共重合したポリアミ
ドイミドの合成に用いられる酸成分としてはトリメリッ
ト酸無水物が用いられるが、その一部を他の多価カルボ
ン酸及びそれらの無水物に置き換えることができる。多
価カルボン酸無水物としては、ピロメリット酸無水物、
ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、３、３’、
４、４’ジフェニルスルホンテトラカルボン酸無水物、
３、３’、４、４’ジフェニルテトラカルボン酸無水
物、４、４’オキシジフタル酸無水物、エチレングリコ
ールビスアンヒドロトリメリテート、プロピレングリコ
ールビスアンヒドロトリメリテート、１、４ブタンジオ
ールビスアンヒドロトリメリテート、ヘキサメチレング
リコールビスアンヒドロトリメリテート、ポリエチレン
グリコールビスアンヒドロトリメリテート、ポリプロピ
レングリコールビスアンヒドロトリメリテート等が挙げ
られるが、これらの中ではピロメリット酸無水物及びエ
チレングリコールビスアンヒドロトリメリテートが可と
う性、密着性、重合性及びコストの点から好ましい。
ドイミドの合成に用いられる酸成分としてはトリメリッ
ト酸無水物が用いられるが、その一部を他の多価カルボ
ン酸及びそれらの無水物に置き換えることができる。多
価カルボン酸無水物としては、ピロメリット酸無水物、
ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、３、３’、
４、４’ジフェニルスルホンテトラカルボン酸無水物、
３、３’、４、４’ジフェニルテトラカルボン酸無水
物、４、４’オキシジフタル酸無水物、エチレングリコ
ールビスアンヒドロトリメリテート、プロピレングリコ
ールビスアンヒドロトリメリテート、１、４ブタンジオ
ールビスアンヒドロトリメリテート、ヘキサメチレング
リコールビスアンヒドロトリメリテート、ポリエチレン
グリコールビスアンヒドロトリメリテート、ポリプロピ
レングリコールビスアンヒドロトリメリテート等が挙げ
られるが、これらの中ではピロメリット酸無水物及びエ
チレングリコールビスアンヒドロトリメリテートが可と
う性、密着性、重合性及びコストの点から好ましい。
【００１３】脂肪族及び脂環族ジカルボン酸としては、
シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン
酸、ビメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン
酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、
シクロヘキサンジカルボン酸及びこれらの酸塩化物など
が挙げられ、これらの中では、重合性や溶解性、透明
性、耐熱性、耐薬品性の点からシクロヘキサンジカルボ
ン酸が好ましい。
シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン
酸、ビメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン
酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、
シクロヘキサンジカルボン酸及びこれらの酸塩化物など
が挙げられ、これらの中では、重合性や溶解性、透明
性、耐熱性、耐薬品性の点からシクロヘキサンジカルボ
ン酸が好ましい。
【００１４】芳香族ジカルボン酸としては、イソフタル
酸、５ーｔｅｒｔーブチルー１、３ーベンゼンジカルボ
ン酸、テレフタル酸、ジフェニルメタンー４、４’ジカ
ルボン酸、ジフェニルメタンー２、４ージカルボン酸、
ジフェニルメタンー３、４ージカルボン酸、ジフェニル
メタンー３、３’ージカルボン酸、１、２ージフェニル
エタンー４、４’ジカルボン酸、ジフェニルエタンー
２、４ージカルボン酸、ジフェニルエタンー３、４ージ
カルボン酸、ジフェニルエタンー３、３’ージカルボン
酸、２、２’ービスー（４ーカルボキシフェニル）プロ
パン、２ー（２ーカルボキシフェニル）ー２ー（４ーカ
ルボキシフェニル）プロパン、２ー（３ーカルボキシフ
ェニル）ー２ー（４ーカルボキシフェニル）プロパン、
ジフェニルエーテルー４、４’ージカルボン酸、ジフェ
ニルエーテルー２、４ージカルボン酸、ジフェニルエー
テルー３、４ージカルボン酸、ジフェニルエーテルー
３、３’ージカルボン酸、ジフェニルスルホン４、４’
ジカルボン酸、ジフェニルスルホンー２、４ージカルボ
ン酸、ジフェニルスルホンー３、４ージカルボン酸、ジ
フェニルスルホンー３、３’ジカルボン酸、ベンゾフェ
ノンー４、４’ージカルボン酸、ベンゾフェノンー、３
３’ージカルボン酸、ピリジンー２、６ージカルボン
酸、ナフタレンジカルボン酸、ビスー［（４ーカルボキ
シ）フタルイミド］ー４、４’ージフェニルエーテル、
ビスー［（４ーカルボキシ）フタルイミド］ーα、α’
ーメタキシレン等及びこれらの酸塩化物が挙げられ、好
ましくはイソフタル酸、テレフタル酸である。
酸、５ーｔｅｒｔーブチルー１、３ーベンゼンジカルボ
ン酸、テレフタル酸、ジフェニルメタンー４、４’ジカ
ルボン酸、ジフェニルメタンー２、４ージカルボン酸、
ジフェニルメタンー３、４ージカルボン酸、ジフェニル
メタンー３、３’ージカルボン酸、１、２ージフェニル
エタンー４、４’ジカルボン酸、ジフェニルエタンー
２、４ージカルボン酸、ジフェニルエタンー３、４ージ
カルボン酸、ジフェニルエタンー３、３’ージカルボン
酸、２、２’ービスー（４ーカルボキシフェニル）プロ
パン、２ー（２ーカルボキシフェニル）ー２ー（４ーカ
ルボキシフェニル）プロパン、２ー（３ーカルボキシフ
ェニル）ー２ー（４ーカルボキシフェニル）プロパン、
ジフェニルエーテルー４、４’ージカルボン酸、ジフェ
ニルエーテルー２、４ージカルボン酸、ジフェニルエー
テルー３、４ージカルボン酸、ジフェニルエーテルー
３、３’ージカルボン酸、ジフェニルスルホン４、４’
ジカルボン酸、ジフェニルスルホンー２、４ージカルボ
ン酸、ジフェニルスルホンー３、４ージカルボン酸、ジ
フェニルスルホンー３、３’ジカルボン酸、ベンゾフェ
ノンー４、４’ージカルボン酸、ベンゾフェノンー、３
３’ージカルボン酸、ピリジンー２、６ージカルボン
酸、ナフタレンジカルボン酸、ビスー［（４ーカルボキ
シ）フタルイミド］ー４、４’ージフェニルエーテル、
ビスー［（４ーカルボキシ）フタルイミド］ーα、α’
ーメタキシレン等及びこれらの酸塩化物が挙げられ、好
ましくはイソフタル酸、テレフタル酸である。
【００１５】トリカルボン酸としては、ブタンー１、
２、４ートリカルボン酸、ナフタレン１、２、４ートリ
カルボン酸、トリメリット酸などが挙げられ、また、こ
れらの酸塩化物が挙げられる。
２、４ートリカルボン酸、ナフタレン１、２、４ートリ
カルボン酸、トリメリット酸などが挙げられ、また、こ
れらの酸塩化物が挙げられる。
【００１６】テトラカルボン酸としては、ブタンー１、
２、３、４ーテトラカルボン酸、ピロメリット酸、ベン
ゾフェノン３、３’、４、４’ーテトラカルボン酸、ジ
フェニルエーテルー３、３’、４、４’ーテトラカルボ
ン酸、ジフェニルエーテルー３、３’、４、４’ーテト
ラカルボン酸、ビフェニルー３、３’、４、４’テトラ
カルボン酸、ナフタレンー２、３、６、７ーテトラカル
ボン酸、ナフタレンー１、２、４、５ーテトラカルボン
酸、ナフタレンー１、４、５、８ーテトラカルボン酸等
が挙げられる。
２、３、４ーテトラカルボン酸、ピロメリット酸、ベン
ゾフェノン３、３’、４、４’ーテトラカルボン酸、ジ
フェニルエーテルー３、３’、４、４’ーテトラカルボ
ン酸、ジフェニルエーテルー３、３’、４、４’ーテト
ラカルボン酸、ビフェニルー３、３’、４、４’テトラ
カルボン酸、ナフタレンー２、３、６、７ーテトラカル
ボン酸、ナフタレンー１、２、４、５ーテトラカルボン
酸、ナフタレンー１、４、５、８ーテトラカルボン酸等
が挙げられる。
【００１７】これらの酸成分は一種でも二種以上の混合
物としても、トリメリット酸無水物と共に用いることが
できる。
物としても、トリメリット酸無水物と共に用いることが
できる。
【００１８】一方、アミン成分としてはジアミンおよび
ジイソシアネートが挙げられ、本発明では特に制限はな
いが、具体的には、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、オキシジアニリン、メチレンジアミ
ン、ヘキサフルオロイソプロピリデンジアミン、ジアミ
ノｍ−キシリレン、ジアミノーｐ−キシリレン、１、４
ーナフタレンジアミン、１、５ナフタレンジアミン、
２、６ーナフタレンジアミン、２、７ーナフタレンジア
ミン、２、２’ービスー（４ーアミノフェニル）プロパ
ン、２、２’ービスー（４ーアミノフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、４、４’ージアミノジフェニルスルホ
ン、４、４’ージアミノジフェニルエーテル、３、３’
ジアミノジフェニルスルホン、３、３’ジアミノジフェ
ニルエーテル、３、４ージアミノビフェニル、４、４’
ジアミノベンゾフェノン、３、４ージアミノジフェニル
エーテル、イソプロピリデンジアニリン、３、３’ジア
ミノベンゾフェノン、ｏ−トリジン、２、４ートリレン
ジアミン、１、３ービスー（３ーアミノフェノキシ）ベ
ンゼン、１、４ービスー（４ーアミノフェノキシ）ベン
ゼン、１、３ービスー（４ーアミノフェノキシ）ベンゼ
ン、２、２ービスー［４ー（４ーアミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、ビスー［４ー（４ーアミノフェノキ
シ）フェニル］スルホン、ビスー［４ー（３ーアミノフ
ェノキシ）フェニル］スルホン、４、４’ービスー（４
ーアミノフェノキシ）ビフェニル、２、２’ービスー
［４ー（４ーアミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、４、４’ージアミノジフェニルスルフィ
ド、３、３’ージアミノジフェニルスルフィド等の芳香
族ジアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、
テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、等
の脂肪族ジアミン、イソホロンジアミン、４、４’ジア
ミノジシクロヘキシルメタン等の脂環族ジアミン等が挙
げられる。また、上記ジアミンのアミノ基をーＮ＝Ｃ＝
Ｏ基で置き換えたイソシアネートが挙げられる。これら
の中では、４、４’ジアミノジフェニルメタン（４、
４’ジフェニルメタンジイソシアネート）と４、４’ジ
アミノジシクロヘキシルメタン（４、４’ジシクロヘキ
シルメタンジイソシアネート）及び／又はイソホロンジ
アミン（イソホロンジイソシアネート）の単独又は混合
物が反応性、コスト、溶解性、柔軟性の点から好まし
い。上記アミン成分は、単独で使用してもよいし、二種
以上を混合して用いてもよい。
ジイソシアネートが挙げられ、本発明では特に制限はな
いが、具体的には、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、オキシジアニリン、メチレンジアミ
ン、ヘキサフルオロイソプロピリデンジアミン、ジアミ
ノｍ−キシリレン、ジアミノーｐ−キシリレン、１、４
ーナフタレンジアミン、１、５ナフタレンジアミン、
２、６ーナフタレンジアミン、２、７ーナフタレンジア
ミン、２、２’ービスー（４ーアミノフェニル）プロパ
ン、２、２’ービスー（４ーアミノフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、４、４’ージアミノジフェニルスルホ
ン、４、４’ージアミノジフェニルエーテル、３、３’
ジアミノジフェニルスルホン、３、３’ジアミノジフェ
ニルエーテル、３、４ージアミノビフェニル、４、４’
ジアミノベンゾフェノン、３、４ージアミノジフェニル
エーテル、イソプロピリデンジアニリン、３、３’ジア
ミノベンゾフェノン、ｏ−トリジン、２、４ートリレン
ジアミン、１、３ービスー（３ーアミノフェノキシ）ベ
ンゼン、１、４ービスー（４ーアミノフェノキシ）ベン
ゼン、１、３ービスー（４ーアミノフェノキシ）ベンゼ
ン、２、２ービスー［４ー（４ーアミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、ビスー［４ー（４ーアミノフェノキ
シ）フェニル］スルホン、ビスー［４ー（３ーアミノフ
ェノキシ）フェニル］スルホン、４、４’ービスー（４
ーアミノフェノキシ）ビフェニル、２、２’ービスー
［４ー（４ーアミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフル
オロプロパン、４、４’ージアミノジフェニルスルフィ
ド、３、３’ージアミノジフェニルスルフィド等の芳香
族ジアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、
テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、等
の脂肪族ジアミン、イソホロンジアミン、４、４’ジア
ミノジシクロヘキシルメタン等の脂環族ジアミン等が挙
げられる。また、上記ジアミンのアミノ基をーＮ＝Ｃ＝
Ｏ基で置き換えたイソシアネートが挙げられる。これら
の中では、４、４’ジアミノジフェニルメタン（４、
４’ジフェニルメタンジイソシアネート）と４、４’ジ
アミノジシクロヘキシルメタン（４、４’ジシクロヘキ
シルメタンジイソシアネート）及び／又はイソホロンジ
アミン（イソホロンジイソシアネート）の単独又は混合
物が反応性、コスト、溶解性、柔軟性の点から好まし
い。上記アミン成分は、単独で使用してもよいし、二種
以上を混合して用いてもよい。
【００１９】上記酸成分及びアミン成分は、通常、等モ
ル混合で合成されるが、必要に応じて、一方の成分を多
少増減させることもできる。
ル混合で合成されるが、必要に応じて、一方の成分を多
少増減させることもできる。
【００２０】本発明では、ポリアミドイミド樹脂の柔軟
性や接着性を更に改良してスリット時のバリの発生を抑
える目的で、酸成分の一部をダイマー酸に置き換えるこ
とを特徴としている。
性や接着性を更に改良してスリット時のバリの発生を抑
える目的で、酸成分の一部をダイマー酸に置き換えるこ
とを特徴としている。
【００２１】ダイマー酸は本来、不飽和基を含有する複
数成分の混合物であり、中には不飽和基を含まないもの
もある。ダイマー酸はその成分及びその構成からいくつ
かの種類が市販されているが、本発明では特に限定しな
い。ダイマー酸の共重合量は１重量％以上、好ましくは
５重量％以上である。共重合量が１重量％以下では本発
明の目的である柔軟性や接着性、スリット時のバリの発
生が十分改良されない。
数成分の混合物であり、中には不飽和基を含まないもの
もある。ダイマー酸はその成分及びその構成からいくつ
かの種類が市販されているが、本発明では特に限定しな
い。ダイマー酸の共重合量は１重量％以上、好ましくは
５重量％以上である。共重合量が１重量％以下では本発
明の目的である柔軟性や接着性、スリット時のバリの発
生が十分改良されない。
【００２２】本発明のポリアミドイミド樹脂の重合に使
用される溶剤としては、Ｎーメチルー２ーピロリドン、
Ｎ，Ｎ’ージメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’ージメチル
ホルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン等のアミド系
溶剤、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄系溶
剤、ニトロメタン、ニトロエタン等のニトロ系溶剤、ジ
グライム、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、シ
クロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶
剤、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系
溶剤の他、γーブチロラクトンやテトラメチルウレア等
の比較的誘電率の高い溶剤などが挙げられ、これらの中
では、重合性の点から、Ｎーメチルー２ーピロリドン、
ジメチルイミダゾリジノン、γブチロラクトンが好まし
い。これらは、単独でも、混合溶剤としても使用でき、
さらにキシレン、トルエン等の比較的誘電率の低い溶剤
を混合して用いても構わない。
用される溶剤としては、Ｎーメチルー２ーピロリドン、
Ｎ，Ｎ’ージメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’ージメチル
ホルムアミド、ジメチルイミダゾリジノン等のアミド系
溶剤、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄系溶
剤、ニトロメタン、ニトロエタン等のニトロ系溶剤、ジ
グライム、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、シ
クロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶
剤、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系
溶剤の他、γーブチロラクトンやテトラメチルウレア等
の比較的誘電率の高い溶剤などが挙げられ、これらの中
では、重合性の点から、Ｎーメチルー２ーピロリドン、
ジメチルイミダゾリジノン、γブチロラクトンが好まし
い。これらは、単独でも、混合溶剤としても使用でき、
さらにキシレン、トルエン等の比較的誘電率の低い溶剤
を混合して用いても構わない。
【００２３】このようにして得られたポリアミドイミド
樹脂の対数粘度は、強靭性、屈曲性等の点から０．１ｄ
ｌ／ｇ以上、好ましくは０．２ｄｌ／ｇ以上が必要であ
る。当該対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以下であると、柔軟
であっても樹脂は脆くなるため本発明の目的を達成でき
ない。
樹脂の対数粘度は、強靭性、屈曲性等の点から０．１ｄ
ｌ／ｇ以上、好ましくは０．２ｄｌ／ｇ以上が必要であ
る。当該対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以下であると、柔軟
であっても樹脂は脆くなるため本発明の目的を達成でき
ない。
【００２４】本発明の、ダイマー酸を共重合したポリア
ミドイミド樹脂は重合溶液をそのまま支持体フィルムへ
コーテイングする事も可能であるが、汎用で沸点の低
い、乾燥が容易な溶剤に置換して用いることもできる。
ミドイミド樹脂は重合溶液をそのまま支持体フィルムへ
コーテイングする事も可能であるが、汎用で沸点の低
い、乾燥が容易な溶剤に置換して用いることもできる。
【００２５】溶剤置換を行う方法は特に限定されず、乾
式紡糸や湿式紡糸など、公知の技術を応用すればよい。
例えば，湿式法の場合、本発明のポリアミドイミド樹脂
の非溶剤で上記の重合溶剤と混和する溶剤、好ましくは
水からなる凝固浴中に概ポリアミドイミド樹脂溶液をノ
ズルから押し出して、凝固、脱溶剤した後、乾燥して、
低沸点汎用溶剤に再溶解すればよい。
式紡糸や湿式紡糸など、公知の技術を応用すればよい。
例えば，湿式法の場合、本発明のポリアミドイミド樹脂
の非溶剤で上記の重合溶剤と混和する溶剤、好ましくは
水からなる凝固浴中に概ポリアミドイミド樹脂溶液をノ
ズルから押し出して、凝固、脱溶剤した後、乾燥して、
低沸点汎用溶剤に再溶解すればよい。
【００２６】低沸点汎用溶剤としては、ポリマー組成に
よって異なってくるが、シクロヘキサノン、シクロペン
タノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
等のケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソ
プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類の一
種又は二種以上の混合溶剤が挙げられ、目的によっても
選択することができるが、価格や溶解性、安全性などの
点から最も好ましいのは、上記アルコール類と炭化水素
系の混合溶剤である。
よって異なってくるが、シクロヘキサノン、シクロペン
タノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン
等のケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソ
プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール
類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類の一
種又は二種以上の混合溶剤が挙げられ、目的によっても
選択することができるが、価格や溶解性、安全性などの
点から最も好ましいのは、上記アルコール類と炭化水素
系の混合溶剤である。
【００２７】本発明のダイマー酸を共重合したポリアミ
ドイミド樹脂はそのまま使用しても優れた耐熱性、接着
性、耐薬品性、柔軟性等を発揮して、半導体用接着フィ
ルムに好適であるが必要に応じてアクリル系樹脂やポリ
エステル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、多官能イ
ソシアネート化合物、炭素粒子や酸化チタン、酸化珪
素、炭酸カルシウムなどの無機フィラー、染料、顔料、
界面活性剤などの帯電防止剤などをポリアミドイミド樹
脂本来の性能を損なわない範囲で配合してもかまわな
い。
ドイミド樹脂はそのまま使用しても優れた耐熱性、接着
性、耐薬品性、柔軟性等を発揮して、半導体用接着フィ
ルムに好適であるが必要に応じてアクリル系樹脂やポリ
エステル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、多官能イ
ソシアネート化合物、炭素粒子や酸化チタン、酸化珪
素、炭酸カルシウムなどの無機フィラー、染料、顔料、
界面活性剤などの帯電防止剤などをポリアミドイミド樹
脂本来の性能を損なわない範囲で配合してもかまわな
い。
【００２８】本発明の半導体用接着フィルムの製造方法
としては、前記ダイマー酸を共重合したポリアミドイミ
ド樹脂溶液をポリイミド又はポリエステル支持体フィル
ムにコーテイング、乾燥して２層又は３層のフィルム状
接着剤にする。
としては、前記ダイマー酸を共重合したポリアミドイミ
ド樹脂溶液をポリイミド又はポリエステル支持体フィル
ムにコーテイング、乾燥して２層又は３層のフィルム状
接着剤にする。
【００２９】コーテイング方法には特に制限はないが、
例えば、リバースロールコーター、グラビアロールコー
ター、コンマコーター、スリットダイコーター、バーコ
ーター等が用いられる。コーテイング後溶剤を乾燥除去
して接着剤層を形成させる。接着剤層の厚みは１〜７５
μｍが好ましく、１０〜３０μｍが更に好ましい。この
ようにして得られたフィルムは図１のような構成にな
る。このフィルムは、半導体用の接着フィルムとして使
用することができる。図１において１は支持体フィル
ム、２は接着剤層である。
例えば、リバースロールコーター、グラビアロールコー
ター、コンマコーター、スリットダイコーター、バーコ
ーター等が用いられる。コーテイング後溶剤を乾燥除去
して接着剤層を形成させる。接着剤層の厚みは１〜７５
μｍが好ましく、１０〜３０μｍが更に好ましい。この
ようにして得られたフィルムは図１のような構成にな
る。このフィルムは、半導体用の接着フィルムとして使
用することができる。図１において１は支持体フィル
ム、２は接着剤層である。
【００３０】また、本発明の半導体用接着剤フィルムを
用いると、信頼性に優れた接着剤付きリードフレームを
作業性、歩留まりよく簡便に製造することができる。例
えば、前期フィルムを所定の大きさに打ち抜くか切り取
ったものを、リードフィルに１５０℃〜３００℃、５〜
１００Ｋｇ／ｃｍ2で１秒〜５分圧着する方法がある。
用いると、信頼性に優れた接着剤付きリードフレームを
作業性、歩留まりよく簡便に製造することができる。例
えば、前期フィルムを所定の大きさに打ち抜くか切り取
ったものを、リードフィルに１５０℃〜３００℃、５〜
１００Ｋｇ／ｃｍ2で１秒〜５分圧着する方法がある。
【００３１】また、本発明のフィルムを用いると信頼性
に優れた高容量の半導体を作業性、歩留まりよく簡便に
製造することができる。例えば、前期フィルムを所定の
大きさに打ち抜くか、切り取ったものを、リードフレー
ムと半導体素子との間に挟み１５０℃〜３００℃、５〜
１００ｋｇ／ｃｍ2で１秒〜５分間加熱、圧着した後リ
ードフレームと半導体素子を金線などで接合しエポキシ
樹脂などの成形材料でトランスファ成形して封止する事
により半導体装置を製造することができる。
に優れた高容量の半導体を作業性、歩留まりよく簡便に
製造することができる。例えば、前期フィルムを所定の
大きさに打ち抜くか、切り取ったものを、リードフレー
ムと半導体素子との間に挟み１５０℃〜３００℃、５〜
１００ｋｇ／ｃｍ2で１秒〜５分間加熱、圧着した後リ
ードフレームと半導体素子を金線などで接合しエポキシ
樹脂などの成形材料でトランスファ成形して封止する事
により半導体装置を製造することができる。
【００３２】
【実施例】以下に、実施例を示し、本発明を更に詳しく
説明するが、本発明はこれらの実施例によって制限され
るものではない。尚、実施例中のポリマーの特性は以下
の方法で測定した。
説明するが、本発明はこれらの実施例によって制限され
るものではない。尚、実施例中のポリマーの特性は以下
の方法で測定した。
【００３３】１．対数粘度；ポリマー０．５ｇを１００
ｍｌのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、ウベロー
デ粘度管によって測定した。
ｍｌのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解し、ウベロー
デ粘度管によって測定した。
【００３４】（実施例１〜４）反応容器に、トリメリッ
ト酸無水物（ＴＭＡ）、ジフェニルメタンジイソシアネ
ート（ＭＤＩ）、ダイマー酸（プリポール１０３０：）
を表１に示す処方で仕込み、更にＮ−メチルー２ーピロ
リドン（ＮＭＰ）をポリマー濃度が４０％となるように
仕込んで、１２０℃で約１時間反応させた後、１８０℃
に昇温して５時間反応させた。冷却しながら更にＮ−メ
チル２−ピロリドンを加えて、固形分濃度が２０％のポ
リマー溶液を得た。このポリマーの物性を表１に示す。
これらのポリマー溶液を５０μのポリイミドフィルム
（宇部興産製ユーピレックスＳ）の両面に乾燥膜厚が２
５μとなるように塗布、１００℃で１０分乾燥後、２５
０℃で１時間加熱を順次行い図１に示す構成の接着フィ
ルムを得た。得られた接着フィルムを５ｍｍ幅にスリッ
トして端部を顕微鏡で観察した結果いずれもバリはな
く、切断性は良好であった。さらにこのフィルムを短冊
状に打ち抜き、厚さが０．２ｍｍの鉄ーニッケル合金製
のリードフレームの上に０．２ｍｍ間隔、０．２ｍｍ幅
のインナーリードが当たるように乗せて２５０℃で５０
Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で５秒間加圧して圧着したところ、
バリがないために接着フィルムとインナーリード間にバ
リが入り込むことなく良好な接着状態が得られた。ま
た、このリードフレームの接着剤層面に半導体素子を３
００℃、３０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で５秒間熱圧着し、そ
の後リードフレームと半導体素子を金線でワイヤボンデ
イングしてエポキシ樹脂成形材料でトランスファ成形し
モールドした。この半導体装置は接着フィルムとインナ
ーリード間、接着フィルムと半導体素子間にバリによる
接着不良はなく、ワイヤボンデイング性も良好であっ
た。
ト酸無水物（ＴＭＡ）、ジフェニルメタンジイソシアネ
ート（ＭＤＩ）、ダイマー酸（プリポール１０３０：）
を表１に示す処方で仕込み、更にＮ−メチルー２ーピロ
リドン（ＮＭＰ）をポリマー濃度が４０％となるように
仕込んで、１２０℃で約１時間反応させた後、１８０℃
に昇温して５時間反応させた。冷却しながら更にＮ−メ
チル２−ピロリドンを加えて、固形分濃度が２０％のポ
リマー溶液を得た。このポリマーの物性を表１に示す。
これらのポリマー溶液を５０μのポリイミドフィルム
（宇部興産製ユーピレックスＳ）の両面に乾燥膜厚が２
５μとなるように塗布、１００℃で１０分乾燥後、２５
０℃で１時間加熱を順次行い図１に示す構成の接着フィ
ルムを得た。得られた接着フィルムを５ｍｍ幅にスリッ
トして端部を顕微鏡で観察した結果いずれもバリはな
く、切断性は良好であった。さらにこのフィルムを短冊
状に打ち抜き、厚さが０．２ｍｍの鉄ーニッケル合金製
のリードフレームの上に０．２ｍｍ間隔、０．２ｍｍ幅
のインナーリードが当たるように乗せて２５０℃で５０
Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で５秒間加圧して圧着したところ、
バリがないために接着フィルムとインナーリード間にバ
リが入り込むことなく良好な接着状態が得られた。ま
た、このリードフレームの接着剤層面に半導体素子を３
００℃、３０Ｋｇ／ｃｍ2の圧力で５秒間熱圧着し、そ
の後リードフレームと半導体素子を金線でワイヤボンデ
イングしてエポキシ樹脂成形材料でトランスファ成形し
モールドした。この半導体装置は接着フィルムとインナ
ーリード間、接着フィルムと半導体素子間にバリによる
接着不良はなく、ワイヤボンデイング性も良好であっ
た。
【００３５】（実施例５）実施例３のトリメリット酸無
水物の量を１．２倍にした以外は実施例３と同じ原料組
成で重合を行った。このポリマーの物性を表１に示す。
又このポリマーを用い実施例１と同じ方法で半導体用接
着フィルム及びこれを用いたリードフレーム、半導体装
置を作成した結果支持体フィルムや半導体素子に対する
接着性が良好でスリット時のバリの発生もなくワイヤボ
ンデイング性も良好であった。
水物の量を１．２倍にした以外は実施例３と同じ原料組
成で重合を行った。このポリマーの物性を表１に示す。
又このポリマーを用い実施例１と同じ方法で半導体用接
着フィルム及びこれを用いたリードフレーム、半導体装
置を作成した結果支持体フィルムや半導体素子に対する
接着性が良好でスリット時のバリの発生もなくワイヤボ
ンデイング性も良好であった。
【００３６】（比較例１）反応容器に、トリメリット酸
無水物１９２ｇ、ジフェニルメタンジイソシアネート２
５０ｇ、Ｎーメチルー２ーピロリドン５３１ｇを仕込
み、実施例１と同じ条件で反応させた後、８８５ｇのＮ
ーメチルー２ーピロリドンを加えて、固形分濃度が２０
％のポリマー溶液を得た。このポリマーの物性を表１に
示す。このポリマーを用いて実施例１と同じ方法で半導
体用接着フィルム及びこれを用いたリードフレーム、半
導体装置を作成したが支持体フィルムや半導体素子への
接着性が不十分で接着フィルムのスリット時にバリが発
生した。
無水物１９２ｇ、ジフェニルメタンジイソシアネート２
５０ｇ、Ｎーメチルー２ーピロリドン５３１ｇを仕込
み、実施例１と同じ条件で反応させた後、８８５ｇのＮ
ーメチルー２ーピロリドンを加えて、固形分濃度が２０
％のポリマー溶液を得た。このポリマーの物性を表１に
示す。このポリマーを用いて実施例１と同じ方法で半導
体用接着フィルム及びこれを用いたリードフレーム、半
導体装置を作成したが支持体フィルムや半導体素子への
接着性が不十分で接着フィルムのスリット時にバリが発
生した。
【００３７】（比較例２）反応容器に、実施例３と同じ
処方で原料を仕込み、８０℃で約１時間反応させた後ｎ
−ブタノール／Ｎ−メチルー２ーピロリドン（１０／９
０重量％）の混合溶液９７０ｇを加えて反応を停止させ
た固形分濃度が２０％のポリマー溶液を得た。このポリ
マーの物性を表１に示す。このポリマー溶液を用いて実
施例１と同じ方法で半導体用接着フィルム作成したがこ
のポリマーの分子量が低いため脆く、支持体フィルムへ
の接着性が不十分で接着フィルムのスリット時にバリが
発生した。
処方で原料を仕込み、８０℃で約１時間反応させた後ｎ
−ブタノール／Ｎ−メチルー２ーピロリドン（１０／９
０重量％）の混合溶液９７０ｇを加えて反応を停止させ
た固形分濃度が２０％のポリマー溶液を得た。このポリ
マーの物性を表１に示す。このポリマー溶液を用いて実
施例１と同じ方法で半導体用接着フィルム作成したがこ
のポリマーの分子量が低いため脆く、支持体フィルムへ
の接着性が不十分で接着フィルムのスリット時にバリが
発生した。
【００３８】（実施例６）反応容器に、ＴＭＡ５８ｇ、
１，４−シクロヘキサンジカルボン酸５２ｇ、イソホロ
ンジイソシアネート２２９ｇ、フッ化カリウム１．１６
ｇ、プリポール１０３０を２３０ｇ、γーブチロラクト
ン４８１ｇを仕込み、１２０℃で１．５時間反応させた
後、１８０℃に昇温して約３時間反応させた。冷却しな
がら６４１ｇのＮＭＰを加えて固形分濃度３０％のポリ
マー溶液を得た。このポリマー溶液を大量の水中に投入
して凝固させ、十分水洗した後乾燥した。この乾燥ポリ
マー中のダイマー酸の含有量は４８重量％、対数粘度は
０．５３ｄｌ／ｇであった。この乾燥ポリマーをエタノ
ール／トルエン（５０／５０重量比）の混合溶剤に固形
分濃度が２５％となるように溶解した。このポリマー溶
液を用いて実施例１と同じ方法で接着剤フィルム及びこ
の接着剤フィルムを用いたリードフレーム、半導体装置
を作成した。得られた接着剤フィルムはスリット性が良
好で半導体素子との接着性、ワイヤボンデイング性も良
好であった。
１，４−シクロヘキサンジカルボン酸５２ｇ、イソホロ
ンジイソシアネート２２９ｇ、フッ化カリウム１．１６
ｇ、プリポール１０３０を２３０ｇ、γーブチロラクト
ン４８１ｇを仕込み、１２０℃で１．５時間反応させた
後、１８０℃に昇温して約３時間反応させた。冷却しな
がら６４１ｇのＮＭＰを加えて固形分濃度３０％のポリ
マー溶液を得た。このポリマー溶液を大量の水中に投入
して凝固させ、十分水洗した後乾燥した。この乾燥ポリ
マー中のダイマー酸の含有量は４８重量％、対数粘度は
０．５３ｄｌ／ｇであった。この乾燥ポリマーをエタノ
ール／トルエン（５０／５０重量比）の混合溶剤に固形
分濃度が２５％となるように溶解した。このポリマー溶
液を用いて実施例１と同じ方法で接着剤フィルム及びこ
の接着剤フィルムを用いたリードフレーム、半導体装置
を作成した。得られた接着剤フィルムはスリット性が良
好で半導体素子との接着性、ワイヤボンデイング性も良
好であった。
【００３９】（実施例７）実施例６で用いたダイマー酸
共重合ポリアミドイミド樹脂のエタノール／トルエン溶
液をポリエステルフィルム（東洋紡製Ａ−４１００）の
両面に乾燥膜厚が２５μとなるように塗布、１００℃で
１０分乾燥を行い図１に示す構成の接着フィルムを作成
した。この接着フィルムのスリット性、及びこの接着フ
ィルムを用いたリードフレーム、半導体装置の製造を実
施例１と同じ方法で行ったところ接着フィルムとインナ
ーリード間及び半導体素子間の接着性は良好でワイヤボ
ンデイングに耐える耐熱性を示した。
共重合ポリアミドイミド樹脂のエタノール／トルエン溶
液をポリエステルフィルム（東洋紡製Ａ−４１００）の
両面に乾燥膜厚が２５μとなるように塗布、１００℃で
１０分乾燥を行い図１に示す構成の接着フィルムを作成
した。この接着フィルムのスリット性、及びこの接着フ
ィルムを用いたリードフレーム、半導体装置の製造を実
施例１と同じ方法で行ったところ接着フィルムとインナ
ーリード間及び半導体素子間の接着性は良好でワイヤボ
ンデイングに耐える耐熱性を示した。
【００４０】（比較例３）反応容器に、トリメリット酸
無水物を９６ｇ、シクロヘキサンジカルボン酸を８６
ｇ、イソホロンジイソシアネートを２２９ｇ、フッ化カ
リウム１．１６ｇとγーブチロラクトン３２３ｇを仕込
み実施例６と同じ条件でポリアミドイミド樹脂を合成、
水中で凝固、洗浄、乾燥し、エタノール／トルエン（５
０／５０重量％）に２５％となるように溶解した。この
ポリマー溶液を用いて実施例７と同様の条件で接着フィ
ルムを作成しようとしたがこのポリマーはポリエステル
フィルムに接着しないためスリット時に簡単に剥離して
しまった。
無水物を９６ｇ、シクロヘキサンジカルボン酸を８６
ｇ、イソホロンジイソシアネートを２２９ｇ、フッ化カ
リウム１．１６ｇとγーブチロラクトン３２３ｇを仕込
み実施例６と同じ条件でポリアミドイミド樹脂を合成、
水中で凝固、洗浄、乾燥し、エタノール／トルエン（５
０／５０重量％）に２５％となるように溶解した。この
ポリマー溶液を用いて実施例７と同様の条件で接着フィ
ルムを作成しようとしたがこのポリマーはポリエステル
フィルムに接着しないためスリット時に簡単に剥離して
しまった。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【発明の効果】本発明のダイマー酸を共重合したポリア
ミドイミド樹脂は耐熱性、支持対フィルムへの接着性に
優れ、バリの発生がないため歩留まりよく半導体用接着
フィルムを製造することができ、このフィルムを用いる
ことにより信頼性の高いリードフレーム及び半導体装置
を製造することができる。
ミドイミド樹脂は耐熱性、支持対フィルムへの接着性に
優れ、バリの発生がないため歩留まりよく半導体用接着
フィルムを製造することができ、このフィルムを用いる
ことにより信頼性の高いリードフレーム及び半導体装置
を製造することができる。
【図１】本発明に係る半導体用接着剤フィルムの１例の
構成図である。
構成図である。
１ 接着剤層 ２ 支持体フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J040 EH031 JA09 LA01 NA20 4J043 PA02 PA04 QB15 QB23 QB26 QB31 QB32 QB33 QB58 RA05 RA06 RA34 RA35 RA39 SA06 SA11 SB01 SB02 TA11 TA12 TA13 TA21 TA22 TA25 TA26 TB01 TB02 UA041 UA042 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA261 UA262 UA362 UA432 UA662 UA672 UA761 UA762 UA772 UB011 UB012 UB021 UB022 UB061 UB082 UB121 UB122 UB131 UB152 UB172 UB281 UB301 UB302 UB401 UB402 VA011 VA012 VA021 VA022 VA031 VA041 VA042 VA051 VA052 VA061 VA062 VA071 VA072 VA081 VA082 VA091 VA092 WA05 WA23 XA03 XA14 XA15 XA16 XA18 XA19 XB12 XB17 XB19 XB20 XB21 ZA02 ZB01 ZB11
Claims (7)
- 【請求項１】 支持体フィルムの片面または両面に、接
着剤層として対数粘度が０．１ｄｌ／ｇ以上でダイマー
酸が共重合されたポリアミドイミド樹脂層を有する半導
体用接着剤フィルム。 - 【請求項２】 該ダイマー酸の該ポリアミドイミド樹脂
中の共重合量が１重量％以上である請求項１に記載の半
導体用接着剤フィルム。 - 【請求項３】 該ポリアミドイミド樹脂が、酸成分中に
シクロヘキサンジカルボン酸を有することを特徴とする
請求項１又は２に記載の半導体用接着剤フィルム。 - 【請求項４】 該ポリアミドイミド樹脂が、アミン残基
として、ジシクロヘキシルメタン基及び／又はイソホロ
ン基を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載の半導体用接着剤フィルム。 - 【請求項５】 支持体フィルムがポリイミドフィルム又
はポリエステルフィルムであることを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の半導体用接着剤フィルム。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体
用接着剤フィルムを貼り付けたリードフレーム。 - 【請求項７】 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体
用接着剤フィルムを介してリードフレームと半導体素子
を接着させてなる半導体装置。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006051687A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着層付き金属箔及び金属張積層板 |
| JP2008254261A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Toyobo Co Ltd | 金属化高分子フィルム及びそのロール |
| JP2009132929A (ja) * | 2003-05-21 | 2009-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | プライマ、樹脂付き導体箔、積層板並びに積層板の製造方法 |
| JP2011042730A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 |
| WO2020158360A1 (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 東洋紡株式会社 | ダイマージオール共重合ポリイミドウレタン樹脂を含む接着剤組成物 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0598232A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 耐熱性接着剤用組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフイルム、印刷回路用基板及び半導体装置 |
| JPH06220406A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-09 | Toray Ind Inc | 粘着フイルム |
| JPH0892543A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 耐熱性ホットメルト接着剤組成物 |
| JPH10168204A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
| JPH1121454A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Toyobo Co Ltd | ポリアミドイミド樹脂組成物およびそれを用いた非水電解質二次電池および回路基板 |
-
1999
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0598232A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 耐熱性接着剤用組成物、耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフイルム、印刷回路用基板及び半導体装置 |
| JPH06220406A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-09 | Toray Ind Inc | 粘着フイルム |
| JPH0892543A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 耐熱性ホットメルト接着剤組成物 |
| JPH10168204A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置 |
| JPH1121454A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-26 | Toyobo Co Ltd | ポリアミドイミド樹脂組成物およびそれを用いた非水電解質二次電池および回路基板 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009132929A (ja) * | 2003-05-21 | 2009-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | プライマ、樹脂付き導体箔、積層板並びに積層板の製造方法 |
| JP2009221480A (ja) * | 2003-05-21 | 2009-10-01 | Hitachi Chem Co Ltd | プライマ、樹脂付き導体箔、積層板並びに積層板の製造方法 |
| US8507100B2 (en) | 2003-05-21 | 2013-08-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Primer, conductor foil with resin, laminated sheet and method of manufacturing laminated sheet |
| JP2006051687A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着層付き金属箔及び金属張積層板 |
| JP2008254261A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Toyobo Co Ltd | 金属化高分子フィルム及びそのロール |
| JP2011042730A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 |
| WO2020158360A1 (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 東洋紡株式会社 | ダイマージオール共重合ポリイミドウレタン樹脂を含む接着剤組成物 |
| JPWO2020158360A1 (ja) * | 2019-01-29 | 2021-02-18 | 東洋紡株式会社 | ダイマージオール共重合ポリイミドウレタン樹脂を含む接着剤組成物 |
| CN113286835A (zh) * | 2019-01-29 | 2021-08-20 | 东洋纺株式会社 | 含二聚醇共聚的聚酰亚胺聚氨酯树脂的粘合剂组合物 |
| JP7014296B2 (ja) | 2019-01-29 | 2022-02-01 | 東洋紡株式会社 | ダイマージオール共重合ポリイミドウレタン樹脂を含む接着剤組成物 |
| CN113286835B (zh) * | 2019-01-29 | 2023-09-29 | 东洋纺Mc株式会社 | 含二聚醇共聚的聚酰亚胺聚氨酯树脂的粘合剂组合物 |
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