JP2001011286A - Liquid epoxy resin composition and semiconductor device - Google Patents
Liquid epoxy resin composition and semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液状エポキシ樹脂
組成物及びこの液状エポキシ樹脂組成物にて封止されて
なる半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid epoxy resin composition and a semiconductor device sealed with the liquid epoxy resin composition.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＩＣパッケージ等の半導体装置の
分野において、小型薄型化が進む中、リード端子数の増
加に対応するために、ＳＯＰ（ｓｍａｌｌ ｏｕｔｌｉ
ｎｅｐａｃｋａｇｅ）やＱＦＰ（ｑｕａｄ ｆｌａｔ
ｐａｃｋａｇｅ）に代表される周辺実装パッケージ（周
辺端子型パッケージ）から、ＢＧＡ（ｂａｌｌ ｇｒｉ
ｄ ａｒｒａｙ）を代表とするエリア実装パッケージ
（格子端子型パッケージ）に主流が移り変わりつつあ
る。このエリア実装パッケージを製造するにあたって
は、回路形成がなされた基板の片面における所定の箇所
に多数個取りで半導体チップを実装し、この半導体チッ
プを樹脂封止した後、基板を個片に切断する方法が採用
されてきている。このような小型薄型の半導体装置は、
例えばＩＣカード等の実装部品として利用されている。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor devices such as IC packages and the like, with the progress of miniaturization and thinning, in order to cope with an increase in the number of lead terminals, an SOP (small outli) has been developed.
nepackage) or QFP (quad flat)
package) from a peripheral mounting package (peripheral terminal type package) to a BGA (ball grid).
The mainstream is shifting to area mounting packages (lattice terminal type packages) represented by “d array”. In manufacturing this area mounting package, a large number of semiconductor chips are mounted at predetermined positions on one side of a substrate on which a circuit is formed, and the semiconductor chip is sealed with a resin, and then the substrate is cut into individual pieces. Methods have been adopted. Such a small and thin semiconductor device,
For example, it is used as a mounting component such as an IC card.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
な半導体装置の製造方法においては、封止樹脂の封止面
積が大幅に拡大されると共に基板の薄型化が進んでお
り、そのため半導体チップを樹脂封止するにあたり、リ
ードフレームの両面において封止樹脂を成形する周辺実
装パッケージの場合とは異なり、封止後の基板に反りが
発生しやすくなるものであった。この基板の反りは、基
板を個片に切断するにあたって正確な寸法に切断するこ
とが困難となったり、半導体装置をマザーボードに実装
するにあたって半導体装置とマザーボードとの接続信頼
性を確保することが困難になる等といった、後工程にお
ける作業性への悪影響の原因となるものであった。However, in the method of manufacturing a semiconductor device as described above, the sealing area of the sealing resin is greatly increased and the thickness of the substrate is reduced. When resin sealing is used, unlike a peripheral mounting package in which a sealing resin is molded on both sides of a lead frame, the substrate after sealing tends to be warped. This warpage of the board makes it difficult to cut the board into individual pieces when cutting the board into individual pieces, and it is difficult to ensure the connection reliability between the semiconductor device and the motherboard when mounting the semiconductor device on the motherboard This may cause an adverse effect on workability in a post-process, such as becoming.
【０００４】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、硬化成形後の成形体に発生する内部応力が低く、
基板に実装された半導体チップを封止してもこの基板に
反りが発生することを抑制することができる液状エポキ
シ樹脂組成物及びこの液状エポキシ樹脂組成物にて封止
されてなる半導体装置を提供することを目的とするもの
である。The present invention has been made in view of the above points, and has a low internal stress generated in a molded article after cured molding.
Provided is a liquid epoxy resin composition capable of suppressing generation of warpage in a substrate even when a semiconductor chip mounted on the substrate is sealed, and a semiconductor device sealed with the liquid epoxy resin composition. It is intended to do so.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
液状エポキシ樹脂組成物は、ナフタレン骨格型エポキシ
樹脂又はビフェニル骨格型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂
成分全量に対して５〜８０重量％含有すると共に変性シ
リコーンオイル及びシリコーンパウダーからなるシリコ
ーン成分を含有して成ることを特徴とするものである。The liquid epoxy resin composition according to claim 1 of the present invention contains a naphthalene skeleton type epoxy resin or a biphenyl skeleton type epoxy resin in an amount of 5 to 80% by weight based on the total amount of the epoxy resin component. And a silicone component comprising a modified silicone oil and a silicone powder.
【０００６】また本発明の請求項２に係る液状エポキシ
樹脂組成物は、請求項１の構成に加えて、シリコーン成
分の含有量を樹脂成分全量に対して１５〜６０重量％と
して成ることを特徴とするものである。A liquid epoxy resin composition according to a second aspect of the present invention is characterized in that, in addition to the constitution of the first aspect, the content of the silicone component is 15 to 60% by weight based on the total amount of the resin component. It is assumed that.
【０００７】また本発明の請求項３に係る液状エポキシ
樹脂は、請求項１又は２の構成に加えて、硬化成形体の
曲げ弾性率が０．５〜５ＧＰａであり、曲げ強度が２０
〜４０ＭＰａであることを特徴とするものである。The liquid epoxy resin according to a third aspect of the present invention is the same as the first or second aspect, except that the cured molded body has a flexural modulus of 0.5 to 5 GPa and a flexural strength of 20 GPa.
-40 MPa.
【０００８】また本発明の請求項４に係る液状エポキシ
樹脂組成物は、請求項１乃至３のいずれかの構成に加え
て、硬化成形体のガラス転移温度が１２０〜２００℃で
あり、線膨張係数が１．３×１０-5〜１．８×１０-5／
℃であることを特徴とするものである。The liquid epoxy resin composition according to claim 4 of the present invention is characterized in that, in addition to any one of the constitutions of claims 1 to 3, the cured molded article has a glass transition temperature of 120 to 200 ° C. and a linear expansion. The coefficient is 1.3 × 10 −5 to 1.8 × 10 −5 /
° C.
【０００９】また本発明の請求項５に係る液状エポキシ
樹脂組成物は、請求項１乃至４のいずれかの構成に加え
て、硬化助剤としてイミダゾールを樹脂成分全量に対し
て８〜１５重量％含有すると共に、無機充填材の粒径を
０．１〜２０μｍとして成ることを特徴とするものであ
る。The liquid epoxy resin composition according to claim 5 of the present invention is characterized in that, in addition to any one of claims 1 to 4, imidazole is used as a curing aid in an amount of 8 to 15% by weight based on the total amount of the resin component. In addition to the above, the inorganic filler has a particle size of 0.1 to 20 μm.
【００１０】また本発明の請求項６に係る半導体装置
は、請求項１乃至５のいずれかに記載の液状エポキシ樹
脂組成物にて半導体を封止して成ることを特徴とするも
のである。A semiconductor device according to a sixth aspect of the present invention is characterized in that a semiconductor is sealed with the liquid epoxy resin composition according to any one of the first to fifth aspects.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。尚、本明細書中で液状エポキシ樹脂組成物の加熱
硬化成形物のことを硬化成形体ということがある。Embodiments of the present invention will be described below. In this specification, a heat-cured molded product of the liquid epoxy resin composition may be referred to as a cured molded product.
【００１２】本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、変性
シリコーンオイル及びシリコーンパウダーからなるシリ
コーン成分を含有するものであり、そのため液状エポキ
シ樹脂組成物の加熱硬化時及び硬化成形体の冷却時に発
生する内部応力を低減することができる。そのため硬化
成形体を封止樹脂として成形して基板に搭載された半導
体チップを封止することにより半導体装置を作製する場
合、液状エポキシ樹脂組成物の加熱硬化時及び硬化成形
体の冷却時における基板の反りの発生を低減することが
できる。しかもこの液状エポキシ樹脂組成物は低粘度で
硬化成形時の作業性が良好であり、かつ硬化成形体の基
板との接着性が良好なものとなる。The liquid epoxy resin composition of the present invention contains a silicone component composed of a modified silicone oil and silicone powder. Therefore, the liquid epoxy resin composition contains internal components generated when the liquid epoxy resin composition is cured by heating and when the cured molded article is cooled. Stress can be reduced. Therefore, when manufacturing a semiconductor device by molding a cured molded body as a sealing resin and sealing a semiconductor chip mounted on the substrate, the substrate is formed when the liquid epoxy resin composition is cured by heating and when the cured molded body is cooled. Warpage can be reduced. Moreover, this liquid epoxy resin composition has low viscosity, good workability at the time of curing molding, and good adhesion of the cured molding to the substrate.
【００１３】変性シリコーンオイルとしては、例えば
「信越シリコーンＸ２２−２０００」を用いることがで
きる。またシリコーンパウダーとはシリコーンゴム又は
シリコーン樹脂の粉体であり、例えば東レ・ダウコーニ
ング・シリコーン株式会社製の商品名「トレフィスＥ−
５００」を用いることができる。このシリコーン成分の
配合量は、樹脂成分全量に対して１５〜６０重量％とす
ることが、硬化成形体の成形時において発生する内部応
力を効果的に低減することができる点で好ましく、１５
重量％に満たないと硬化成形体の弾性率が高くなって内
部応力を効果的に低減することが困難となり、また６０
重量％を超えると硬化成形体の強度が低下するおそれが
ある。ここで樹脂成分全量とは、液状エポキシ樹脂組成
物中のエポキシ樹脂、硬化剤及び硬化助剤の総量とす
る。またシリコーン成分中における変性シリコーンオイ
ルの割合は、６５〜８５重量％とすることが好ましく、
６５重量％に満たないと液状エポキシ樹脂組成物の粘度
を低減することが困難となる場合があり、また８５重量
％を超えると液状エポキシ樹脂組成物の粘度が低くなり
過ぎて実用上好ましくない場合がある。As the modified silicone oil, for example, "Shin-Etsu Silicone X22-2000" can be used. Silicone powder is a powder of silicone rubber or silicone resin. For example, trade name “Trephis E-” manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.
500 "can be used. The amount of the silicone component is preferably 15 to 60% by weight based on the total amount of the resin component, since the internal stress generated during molding of the cured molded article can be effectively reduced.
If the amount is less than 10% by weight, the elastic modulus of the cured molded body increases, making it difficult to effectively reduce the internal stress.
If the content exceeds 10% by weight, the strength of the cured molded article may be reduced. Here, the total amount of the resin components is the total amount of the epoxy resin, the curing agent, and the curing assistant in the liquid epoxy resin composition. The proportion of the modified silicone oil in the silicone component is preferably 65 to 85% by weight,
If the amount is less than 65% by weight, it may be difficult to reduce the viscosity of the liquid epoxy resin composition, and if it exceeds 85% by weight, the viscosity of the liquid epoxy resin composition becomes too low, which is not preferable for practical use. There is.
【００１４】またエポキシ樹脂成分としてナフタレン骨
格型エポキシ樹脂又はビフェニル骨格型エポキシ樹脂
を、エポキシ樹脂成分全量に対して５〜８０重量％含有
するものである。そのため上記のシリコーン成分を含有
させても、液状エポキシ樹脂組成物の硬化成形体が良好
な耐温度サイクル性や耐吸湿半田性等の耐熱性を有する
ものとなり、更に、基板上に硬化成形体を半導体チップ
の封止樹脂として形成した場合の基板の反りを低減する
ことができる。ここでナフタレン骨格型エポキシ樹脂と
しては、例えば大日本インキ化学工業株式会社製の品番
「ＨＰ４０３２Ｄ」を用いることができる。またビフェ
ニル骨格型エポキシ樹脂としては例えば油化シェルエポ
キシ株式会社製の品番「ＹＸ４０００Ｈ」を用いること
ができる。The epoxy resin component contains a naphthalene skeleton type epoxy resin or a biphenyl skeleton type epoxy resin in an amount of 5 to 80% by weight based on the total amount of the epoxy resin component. Therefore, even if the above-mentioned silicone component is contained, the cured molded article of the liquid epoxy resin composition has good heat resistance such as temperature cycling resistance and moisture absorption solder resistance, and the cured molded article is further formed on a substrate. The warpage of the substrate when formed as a sealing resin for a semiconductor chip can be reduced. Here, as the naphthalene skeleton type epoxy resin, for example, a product number “HP4032D” manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. can be used. As the biphenyl skeleton type epoxy resin, for example, a product number “YX4000H” manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. can be used.
【００１５】また他のエポキシ樹脂成分としては、ビス
フェノールＡ型、Ｆ型、Ｓ型等のビスフェノール型エポ
キシ樹脂を配合することが好ましい。As another epoxy resin component, it is preferable to add a bisphenol type epoxy resin such as bisphenol A type, F type or S type.
【００１６】また、このエポキシ樹脂成分の硬化剤とし
ては、例えばフェノールノボラック樹脂及びその誘導
体、クレゾールノボラック樹脂及びその誘導体、モノま
たはジヒドロキシナフタレンノボラック樹脂及びその誘
導体、フェノール類やナフトール類とｐ−キシレンの縮
合体、ジシクロペンタジエンとフェノールの共重合体等
のフェノール系硬化剤や、アミン系硬化剤や、酸無水物
等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いても、
２種類以上を併用してもよい。尚、フェノールノボラッ
ク樹脂を用いた場合、樹脂硬化物の吸湿率を低下するこ
とができて好ましい。その配合量としては、通常、エポ
キシ樹脂成分に対する当量比で０．１〜１０の範囲で配
合される。Examples of the curing agent for the epoxy resin component include phenol novolak resins and derivatives thereof, cresol novolak resins and derivatives thereof, mono- or dihydroxynaphthalene novolak resins and derivatives thereof, and phenols and naphthols and p-xylene. Examples include a phenol-based curing agent such as a condensate, a copolymer of dicyclopentadiene and phenol, an amine-based curing agent, and an acid anhydride. Even if these curing agents are used alone,
Two or more types may be used in combination. In addition, it is preferable to use a phenol novolak resin because the moisture absorption of the cured resin can be reduced. The compounding amount is usually in the range of 0.1 to 10 in equivalent ratio to the epoxy resin component.
【００１７】また、上記エポキシ樹脂成分の硬化助剤と
しては、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，
０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、ベンジル
ジメチルアミン等の三級アミン化合物、２−メチルイミ
ダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−
フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミ
ダゾール等のイミダゾール、トリフェニルホスフィン、
トリブチルホスフィン等の有機ホスフィン化合物等が挙
げられる。Further, as the curing aid for the epoxy resin component, for example, 1,8-diaza-bicyclo (5,4,
0) Tertiary amine compounds such as undecene-7, triethylenediamine, benzyldimethylamine, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-
Imidazoles such as phenylimidazole and 2-phenyl-4-methylimidazole, triphenylphosphine,
Organic phosphine compounds such as tributylphosphine and the like can be mentioned.
【００１８】また、樹脂成分に含有することができるシ
ランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン等のエポキシシランや、Ｎ−フェ
ニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミ
ノシラン等が挙げられる。Examples of the silane coupling agent that can be contained in the resin component include epoxy silanes such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and aminosilanes such as N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane. Is mentioned.
【００１９】また、樹脂成分に含有することができる離
型剤としては、ステアリン酸、モンタン酸、パルミチン
酸、オレイン酸、リノール酸等の脂肪酸、その脂肪酸の
カルシウム塩、マグネシウム塩、アルミニウム塩、亜鉛
塩等の塩、その脂肪酸のアミド、リン酸エステル、ポリ
エチレン、ビスアマイド、カルボキシル基含有ポリオレ
フィン及び天然カルナバ等が挙げられる。尚、エポキシ
樹脂系の樹脂成分に離型剤を含有すると、封止しようと
する半導体素子やリードフレームとの密着性の高いエポ
キシ樹脂を使用した場合であっても、トランスファー成
形時、樹脂硬化物とプランジャーや金型との離型性が優
れるため作業性が向上し好ましい。Examples of the release agent that can be contained in the resin component include fatty acids such as stearic acid, montanic acid, palmitic acid, oleic acid, and linoleic acid, and calcium, magnesium, aluminum, and zinc salts of the fatty acids. Salts such as salts, amides and phosphates of fatty acids thereof, polyethylene, bisamide, carboxyl group-containing polyolefin, and natural carnauba. When a release agent is contained in the epoxy resin-based resin component, even when an epoxy resin having high adhesion to a semiconductor element or a lead frame to be encapsulated is used, a resin cured product may be obtained during transfer molding. It is preferable because workability is improved because of excellent releasability between the mold and a plunger or a mold.
【００２０】また、樹脂成分に含有することができる着
色剤としては、例えば、カーボンブラック、酸化チタン
等が挙げられる。また、樹脂成分に含有することができ
る界面活性剤としては例えば、ポリエチレングリコール
脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、脂肪酸モ
ノグリセリド等が挙げられる。また、樹脂成分に含有す
ることができる難燃剤としては、例えば、三酸化アンチ
モン、ハロゲン化合物、リン化合物等が挙げられる。The coloring agent that can be contained in the resin component includes, for example, carbon black, titanium oxide and the like. Examples of the surfactant that can be contained in the resin component include polyethylene glycol fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, and fatty acid monoglycerides. In addition, examples of the flame retardant that can be contained in the resin component include antimony trioxide, a halogen compound, and a phosphorus compound.
【００２１】これらの硬化助剤、シランカップリング
剤、離型剤、着色剤、界面活性剤及び難燃剤等は２種類
以上を併用することもできる。Two or more of these curing aids, silane coupling agents, release agents, coloring agents, surfactants, and flame retardants can be used in combination.
【００２２】また、本発明で使用する無機充填材として
は特に限定するものではなく、例えば結晶シリカ、溶融
シリカ、アルミナ、マグネシア、酸化チタン、炭酸カル
シウム、炭酸マグネシウム、窒化ケイ素、タルク、ケイ
酸カルシウム等が挙げられる。上記無機充填材は、単独
で用いても、２種類以上を併用してもよい。尚、無機充
填材として結晶シリカ又は溶融シリカ等のシリカを用い
た場合、樹脂硬化物の線膨張係数が小さくなり、半導体
素子の線膨張係数に近づくため好ましい。尚、無機充填
材を、樹脂成分と無機充填材の合計１００重量部中に、
６０〜９５重量部含有する場合、樹脂硬化物の吸湿量が
低下し、吸湿ハンダ耐熱性が優れ好ましい。The inorganic filler used in the present invention is not particularly limited. For example, crystalline silica, fused silica, alumina, magnesia, titanium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, silicon nitride, talc, calcium silicate And the like. The inorganic filler may be used alone or in combination of two or more. In addition, when silica such as crystalline silica or fused silica is used as the inorganic filler, it is preferable because the linear expansion coefficient of the cured resin becomes small and approaches the linear expansion coefficient of the semiconductor element. In addition, the inorganic filler, in a total of 100 parts by weight of the resin component and the inorganic filler,
When it is contained in an amount of 60 to 95 parts by weight, the amount of moisture absorption of the cured resin is reduced, and the moisture absorption solder heat resistance is excellent.
【００２３】ここで液状エポキシ樹脂組成物中に硬化助
剤としてイミダゾールを樹脂成分全量に対して８〜１５
重量％の配合量で含有させると共に、無機充填材の粒径
を０．１〜２０μｍとなるようにすることが好ましい。
この場合、半導体素子上に液状エポキシ樹脂組成物を薄
膜を容易に形成することができ、この液状エポキシ樹脂
組成物を１００℃以下の温度にて加熱硬化することによ
り薄型の硬化成形体を容易に形成することができるもの
である。例えば１００℃、１時間の加熱条件において充
分な硬化物特性を有する薄型の硬化成形体を得ることが
可能なものであり、この点においても硬化成形体をＩＣ
カードに搭載される半導体装置の封止樹脂として好適に
用いることができる。すなわちＩＣカードに搭載される
半導体装置を製造する場合、ＩＣカードの厚みは一般的
には０．７ｍｍ程度であり、このＩＣカードに搭載され
る半導体装置には、一般的には厚み０．１５ｍｍ以下の
ポリエチレンテレフタレート樹脂やポリイミド樹脂等を
樹脂成分として含む基板が用いられることとなる。その
ため封止樹脂を成形するにあたって高温で長時間加熱す
ると基板に反りやうねりが発生する場合があるが、本発
明においてはこの基板に半導体チップを搭載し樹脂封止
にて封止するにあたって、上記のような液状エポキシ樹
脂組成物にて封止樹脂の厚みを５０μｍ以下に成形する
ことが可能となるものであり、１００℃、１時間程度の
加熱条件で封止樹脂を成形することにより、このような
反りやうねりの発生を抑制することができるものであ
る。Here, imidazole as a curing aid in the liquid epoxy resin composition is added in an amount of from 8 to 15 based on the total amount of the resin components.
It is preferred that the inorganic filler be contained in a blending amount of% by weight and that the particle size of the inorganic filler be 0.1 to 20 μm.
In this case, a thin film of the liquid epoxy resin composition can be easily formed on the semiconductor element, and the liquid epoxy resin composition can be easily heated and cured at a temperature of 100 ° C. or less to easily form a thin cured molded article. It can be formed. For example, it is possible to obtain a thin cured molded product having sufficient cured product characteristics under heating conditions of, for example, 100 ° C. for 1 hour.
It can be suitably used as a sealing resin for a semiconductor device mounted on a card. That is, when manufacturing a semiconductor device mounted on an IC card, the thickness of the IC card is generally about 0.7 mm, and the thickness of the semiconductor device mounted on the IC card is generally 0.15 mm. A substrate containing the following polyethylene terephthalate resin, polyimide resin, or the like as a resin component is used. Therefore, when molding at a high temperature for a long time in molding the sealing resin, the substrate may be warped or undulated, but in the present invention, when mounting a semiconductor chip on this substrate and sealing it with resin sealing, It is possible to mold the thickness of the sealing resin to 50 μm or less with a liquid epoxy resin composition such as that described above. By molding the sealing resin under heating conditions of about 100 ° C. for about 1 hour, It is possible to suppress occurrence of such warpage and undulation.
【００２４】また液状エポキシ樹脂組成物を、その硬化
成形体が、曲げ弾性率が０．５〜５ＧＰａであり、単位
断面積あたりの限界曲げ応力で示される曲げ強度が２０
〜４０ＭＰａであるものとして調製することが好まし
い。このように調製された液状エポキシ樹脂組成物で
は、硬化成形体に応力がかかって膨張されたり収縮され
たりしても、硬化成形体内の内部応力が緩和され、特に
線膨脹係数の小さいセラミック等からなる基板を用いて
半導体装置を作製する場合、その基板の厚みが０．３ｍ
ｍ以下の薄物であっても、封止樹脂の成形にあたっての
加熱・冷却過程において、基板の反りを低減することが
できる。またこのように作製される半導体装置のリフロ
ー工程等の半田付け工程において、封止樹脂にかかる熱
応力によるクラックの発生や封止樹脂と基板との剥離等
が抑制されるものであり、また耐温度サイクル性や耐吸
湿半田性に優れ、耐熱信頼性の高い半導体装置を得るこ
とができる。Further, the cured epoxy resin composition of the liquid epoxy resin composition has a flexural modulus of 0.5 to 5 GPa and a flexural strength represented by a critical flexural stress per unit sectional area of 20.
Preferably, it is prepared as having a pressure of ４０40 MPa. In the liquid epoxy resin composition prepared as described above, even if the cured molded body is expanded or contracted by applying stress, the internal stress in the cured molded body is relaxed, and particularly, from a ceramic or the like having a small linear expansion coefficient. When a semiconductor device is manufactured using a substrate having a thickness of 0.3 m
Even in the case of a thin material having a thickness of not more than m, the warpage of the substrate can be reduced in the heating / cooling process in molding the sealing resin. In addition, in a soldering process such as a reflow process of the semiconductor device manufactured in this manner, generation of cracks due to thermal stress applied to the sealing resin, separation of the sealing resin from the substrate, and the like are suppressed. It is possible to obtain a semiconductor device which is excellent in temperature cycle property and resistance to moisture absorption soldering and has high heat resistance reliability.
【００２５】また液状エポキシ樹脂組成物を、その硬化
成形体が、ガラス転移温度が１２０〜２００℃であり、
線膨張係数が１．３×１０-5〜１．８×１０-5／℃であ
るものとして調製することも好ましい。このように調製
された液状エポキシ樹脂組成物では、特にガラス基材エ
ポキシ樹脂含浸基材（プリプレグ）からなる基板を用い
て半導体装置を作製する場合、硬化成形体からなる封止
樹脂と基板との間の熱的挙動、すなわちガラス転移温度
及び線膨脹係数の差異が小さくなり、基板の厚みが０．
３ｍｍ以下の薄物であっても、封止樹脂の成形にあたっ
ての加熱・冷却過程において、基板の反りを低減するこ
とができる。また耐温度サイクル性や耐吸湿半田性に優
れ、耐熱信頼性の高い半導体装置を得ることができる。The liquid epoxy resin composition may be cured by molding to have a glass transition temperature of 120 to 200 ° C.
It is also preferable to prepare it as having a coefficient of linear expansion of 1.3 × 10 −5 to 1.8 × 10 −5 / ° C. In the liquid epoxy resin composition thus prepared, particularly when a semiconductor device is manufactured using a substrate made of a glass-based epoxy resin-impregnated base material (prepreg), the sealing resin formed of a cured molded body and the substrate are used. The difference between the thermal behavior, ie, the glass transition temperature and the coefficient of linear expansion, is small, and the thickness of the substrate is 0.1 mm.
Even with a thin material of 3 mm or less, warpage of the substrate can be reduced in the heating / cooling process in molding the sealing resin. Further, a semiconductor device which is excellent in temperature cycle resistance and moisture absorption solder resistance and has high heat resistance reliability can be obtained.
【００２６】液状エポキシ樹脂組成物を調製するにあた
っては、上記の各成分を所望の割合で配合したものを溶
解混合し、又は溶融混合した後３本ロール等で溶融混練
して液体状のエポキシ樹脂組成物を得ることができる。In preparing the liquid epoxy resin composition, a mixture of the above components in a desired ratio is dissolved and mixed or melt-mixed and then melt-kneaded with a three roll or the like to form a liquid epoxy resin composition. A composition can be obtained.
【００２７】液状エポキシ樹脂組成物の硬化成形体を封
止樹脂とする半導体装置の製造方法の例を説明する。An example of a method for manufacturing a semiconductor device using a cured molded article of a liquid epoxy resin composition as a sealing resin will be described.
【００２８】基板としては、セラミック、ガラス基材エ
ポキシ樹脂含浸基材（プリプレグ）、ポリエチレンテレ
フタレート製シート等の絶縁層に回路形成がなされた配
線基板が用いられる。このプリント配線基板上にＩＣチ
ップ等の半導体チップをダイボンディングし、ワイヤボ
ンディング法等にて配線基板の回路と導通させる。ここ
で半導体チップは、シリコンウエハー等の基板にアルミ
ニウム等により回路形成し、更に抵抗、トランジスタ等
の回路素子を形成するなどして得られる。次に、配線基
板上の半導体チップ搭載部分に液状エポキシ樹脂組成物
にて封止樹脂を形成し、配線基板上に露出する回路、半
導体チップ、ワイヤ、及びこれらの接合部を電気的、機
械的に外部環境から保護すると共に、ユーザーが使い易
いようにする。封止樹脂の形成にあたっては、液状エポ
キシ樹脂組成物をディスペンサーを用いて塗布し、ある
いはメタルマスク等を用いて印刷したものを、オーブン
にて例えば１００℃で１時間加熱することにり、硬化成
形することができる。またアフターキュアーが必要な場
合は、成形硬化後、例えば１５０℃で３時間加熱するも
のである。また配線基板の外面には半田ボールを形成
し、この半田ボールを、配線基板の回路と導通する外部
接続端子として形成する。As the substrate, a wiring substrate having a circuit formed on an insulating layer such as a ceramic, a glass substrate epoxy resin impregnated substrate (prepreg), a polyethylene terephthalate sheet or the like is used. A semiconductor chip such as an IC chip is die-bonded on the printed wiring board, and is electrically connected to a circuit of the wiring board by a wire bonding method or the like. Here, the semiconductor chip is obtained by forming a circuit on a substrate such as a silicon wafer using aluminum or the like, and further forming circuit elements such as a resistor and a transistor. Next, a sealing resin is formed with a liquid epoxy resin composition on a portion where the semiconductor chip is mounted on the wiring board, and the circuit, the semiconductor chip, the wire, and the joints thereof that are exposed on the wiring board are electrically and mechanically formed. To protect the environment and make it easy for the user to use. In forming the sealing resin, the liquid epoxy resin composition is applied using a dispenser, or printed using a metal mask or the like, and then heated in an oven at, for example, 100 ° C. for 1 hour, and cured. can do. When after-curing is required, after molding and curing, heating is performed, for example, at 150 ° C. for 3 hours. Further, solder balls are formed on the outer surface of the wiring board, and the solder balls are formed as external connection terminals that are electrically connected to the circuit of the wiring board.
【００２９】このようにして作製される半導体装置は、
特にＩＣカードの内装部品として好適に用いられる。The semiconductor device thus manufactured is
Particularly, it is suitably used as an interior part of an IC card.
【００３０】また本発明に係る液状エポキシ樹脂組成物
は、上記のような半導体装置の封止樹脂の成形だけでな
く、液状エポキシ樹脂組成物を注型して種々の部品を作
製することができるものであり、これらの部品の信頼性
も向上することができる。従来は、金型等の注型容器の
容積が、例えば一辺が２０ｍｍ以上と比較的大きい場合
や、注型容器が金属製である場合には、通常作業性を向
上するために、無機充填材の配合量を低減して粘度が低
減された樹脂組成物を用いていたが、この場合は硬化成
形体の線膨脹係数が高くなり、熱収縮が大きくなって注
型容器からの剥離やクラックが発生するものであった。
それに対して本発明に係る液状エポキシ樹脂組成物で
は、無機充填材の配合量を低減しなくても加熱硬化時及
び硬化成形体の冷却時に発生する内部応力が低減されて
いるので、注型容器からの剥離やクラックの発生が抑制
されるものであり、種々の成形部品の作製に好適に用い
ることができるものである。The liquid epoxy resin composition according to the present invention can be used not only for molding the sealing resin of a semiconductor device as described above, but also for producing various parts by casting the liquid epoxy resin composition. Therefore, the reliability of these components can be improved. Conventionally, when the volume of a casting container such as a mold is relatively large, for example, 20 mm or more on one side, or when the casting container is made of metal, usually, an inorganic filler is used to improve workability. However, in this case, the coefficient of linear expansion of the cured molded article increases, the thermal shrinkage increases, and peeling and cracking from the casting container may occur. What happened.
On the other hand, in the liquid epoxy resin composition according to the present invention, since the internal stress generated at the time of heat curing and cooling of the cured molded article is reduced without reducing the blending amount of the inorganic filler, the casting container This suppresses the occurrence of peeling and cracks from the material, and can be suitably used for producing various molded parts.
【００３１】[0031]
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。The present invention will be described below in detail with reference to examples.
【００３２】〔実施例１乃至６、比較例１、２〕各実施
例及び比較例において、表１に示す組成を有する液状エ
ポキシ樹脂組成物を、各成分を混合、撹拌することによ
り調製した。尚、表中の各成分の配合割合は、シリコー
ン成分については樹脂成分全量に対する配合重量割合を
重量％で示し、他の成分に関しては重量部で示した。Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 and 2 In each of Examples and Comparative Examples, a liquid epoxy resin composition having the composition shown in Table 1 was prepared by mixing and stirring each component. In addition, the compounding ratio of each component in the table is shown by weight% for the silicone component with respect to the total amount of the resin component, and is shown by weight for the other components.
【００３３】ここで表１中のビスフェノール型エポキシ
樹脂としては油化シェルエポキシ株式会社製の品番「８
４０Ａ」を、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂としては大
日本化学工業株式会社製の品番「ＨＰ４０３２Ｄ」を、
ビフェニル骨格型エポキシ樹脂としては油化シェルエポ
キシ株式会社製の品番「ＹＸ４０００Ｆ」を用いた。Here, the bisphenol type epoxy resin in Table 1 is a product number “8” manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.
No. "HP4032D" manufactured by Dainippon Chemical Industries, Ltd. as a naphthalene skeleton type epoxy resin.
The product number "YX4000F" manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. was used as the biphenyl skeleton type epoxy resin.
【００３４】また硬化剤としては新日本理化株式会社製
の商品名「リカシッドＨＨ」を、硬化助剤としては四国
化成工業株式会社製のイミダゾールを用いた。The curing agent used was Rikashid HH (trade name, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.), and the curing aid used was imidazole, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.
【００３５】また変性シリコーンオイルとしては「信越
シリコーンＸ２２−２０００」を、シリコーンパウダー
としては東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製
の商品名「トレフィルＥ−５００」を用いた。"Shin-Etsu Silicone X22-2000" was used as the modified silicone oil, and "Trefil E-500" manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd. was used as the silicone powder.
【００３６】また無機充填材としては、実施例１〜５及
び比較例１、２では粒径が０．１〜８０μｍの範囲のシ
リカ粉末を、実施例６においては粒径が０．１〜２０μ
ｍの範囲のシリカ粉末を用いた。In Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2, silica powder having a particle size in the range of 0.1 to 80 μm is used as the inorganic filler. In Example 6, a silica powder having a particle size of 0.1 to 20 μm is used.
m range of silica powder was used.
【００３７】一方、下記の基板ａ〜ｃの３種の基板を用
意し、各実施例及び比較例において、表１に示した、５
０×５０×０．３ｍｍの寸法の基板を用いた。On the other hand, the following three substrates a to c were prepared, and in each of Examples and Comparative Examples, 5 substrates shown in Table 1 were used.
A substrate having a size of 0 × 50 × 0.3 mm was used.
【００３８】・基板ａ：ガラス基材エポキシ樹脂基板、
厚み０．３ｍｍ、線膨脹係数１．３〜１．８×１０-5 ・基板ｂ：アルミナ基板、厚み０．４ｍｍ、線膨脹係数
０．７〜１．１×１０ -5 ・基板ｃ：ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基
板、厚み０．１ｍｍ、ガラス転移温度６５〜８５℃、軟
化点１５０℃ 上記の基板に回路形成を施して配線基板を作製した。Substrate a: glass-based epoxy resin substrate,
0.3mm thickness, linear expansion coefficient 1.3 ~ 1.8 × 10-Five -Substrate b: alumina substrate, thickness 0.4 mm, coefficient of linear expansion
0.7-1.1 × 10 -Five -Substrate c: polyethylene terephthalate (PET) group
Board, thickness 0.1mm, glass transition temperature 65-85 ° C, soft
Deposition point: 150 ° C. A circuit was formed on the above substrate to produce a wiring substrate.
【００３９】この配線基板及び液状エポキシ樹脂組成物
を用い、配線基板上に半導体素子を搭載した後、液状エ
ポキシ樹脂組成物をディスペンサーを用いて塗布したも
のを、オーブンにて１００℃で１時間加熱した後、１５
０℃で３時間３時間加熱することにより硬化成形し、基
板の寸法５０×５０ｍｍ、封止樹脂の寸法４５×４５×
０．５ｍｍの半導体装置を作製した。After the semiconductor element is mounted on the wiring board using the wiring board and the liquid epoxy resin composition, the liquid epoxy resin composition applied using a dispenser is heated in an oven at 100 ° C. for 1 hour. After that, 15
The composition is cured by heating at 0 ° C. for 3 hours and 3 hours, and the dimensions of the substrate are 50 × 50 mm, and the dimensions of the sealing resin are 45 × 45 ×
A 0.5 mm semiconductor device was manufactured.
【００４０】〔評価試験〕 （Ａ）液状エポキシ樹脂組成物の評価 ・粘度：ブルックフィールド社製のＢ型粘度計を用い、
ＮＯ７フローターで２５℃、２０ｒｐｍの条件で測定し
た。[Evaluation Test] (A) Evaluation of Liquid Epoxy Resin Composition Viscosity: Using a Brookfield B-type viscometer.
The measurement was performed using a NO7 floater at 25 ° C. and 20 rpm.
【００４１】（Ｂ）封止樹脂（硬化成形体）の評価 ・曲げ弾性率：ＪＩＳ Ｋ６９１１に準拠して測定し
た。(B) Evaluation of sealing resin (cured molded product) Flexural modulus: Measured according to JIS K6911.
【００４２】・曲げ強度：ＪＩＳ Ｋ６９１１に準拠し
て測定した。Bending strength: Measured according to JIS K6911.
【００４３】・ガラス転移温度：ディラトメーター法に
て測定した。Glass transition temperature: measured by a dilatometer method.
【００４４】・線膨脹係数：ディラトメーター法にて測
定した。Linear expansion coefficient: Measured by a dilatometer method.
【００４５】（Ｃ）半導体装置の評価 ・基板反り：半導体装置の基板の裏面における対角線上
の平坦度を測定し、その最大高低差を基板反りとして評
価した。(C) Evaluation of Semiconductor Device: Substrate Warpage: Diagonal flatness on the back surface of the substrate of the semiconductor device was measured, and the maximum height difference was evaluated as substrate warpage.
【００４６】・耐吸湿半田性：２６０℃の半田浴に３０
秒間浸漬して基板と樹脂の剥離を観察し、剥離したもの
を不良として評価した。尚、通常半田工程を経ないＰＥ
Ｔ基板を用いた実施例６に関しては、この評価を行わな
かった。Solder resistance to moisture absorption: 30 in a solder bath at 260 ° C.
After immersion for 2 seconds, the peeling of the resin from the substrate was observed, and the peeled one was evaluated as defective. In addition, PE which does not normally go through the soldering process
This evaluation was not performed for Example 6 using a T substrate.
【００４７】（Ｄ）総合判定 基板反りが１００以下であり、耐吸湿半田性の不良率が
３０％以下のものを「○」、この条件を満たさないもの
を「×」として評価した。(D) Comprehensive Judgment When the substrate warpage was 100 or less and the defective rate of moisture absorption soldering resistance was 30% or less, "O" was given, and when the condition was not satisfied, "X" was given.
【００４８】以上の結果を表１に示す。Table 1 shows the above results.
【００４９】[0049]
【表１】 [Table 1]
【００５０】表１から明らかなように、実施例１乃至６
では、良好な粘度を有し、かつ比較例１、２の場合より
も基板の反りが低減し、また優れた吸湿半田耐熱性を有
するものであった。As is clear from Table 1, Examples 1 to 6
Had good viscosity, reduced the warpage of the substrate as compared with Comparative Examples 1 and 2, and had excellent moisture absorption solder heat resistance.
【００５１】[0051]
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係る液
状エポキシ樹脂組成物は、ナフタレン骨格型エポキシ樹
脂又はビフェニル骨格型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂成
分全量に対して５〜８０重量％含有すると共に変性シリ
コーンオイル及びシリコーンパウダーからなるシリコー
ン成分を含有するものであり、液状エポキシ樹脂組成物
の加熱硬化時及び硬化成形体の冷却時に発生する内部応
力を低減することができ、硬化成形体を封止樹脂として
成形して基板に搭載された半導体チップを封止すること
により半導体装置を作製する場合に、液状エポキシ樹脂
組成物の加熱硬化時及び硬化成形体の冷却時における基
板の反りの発生を低減することができるものであり、ま
たこの液状エポキシ樹脂組成物の粘度を低減して硬化成
形時の作業性を良好なもとすることができるものであ
り、また硬化成形体の基板との接着性を良好なものとす
ることができるものである。また良好な耐温度サイクル
性や耐吸湿半田性等の耐熱性を有する硬化成形体を得る
ことができ、半導体装置の耐熱信頼性を向上することが
できるものである。As described above, the liquid epoxy resin composition according to the first aspect of the present invention contains a naphthalene skeleton type epoxy resin or a biphenyl skeleton type epoxy resin in an amount of 5 to 80% by weight based on the total amount of the epoxy resin component. It also contains a silicone component consisting of a modified silicone oil and a silicone powder, and can reduce the internal stress generated when the liquid epoxy resin composition is cured by heating and when the cured molded product is cooled. When manufacturing a semiconductor device by molding as a resin and sealing a semiconductor chip mounted on the substrate, the occurrence of warpage of the substrate during heating and curing of the liquid epoxy resin composition and cooling of the cured molded body is reduced. In addition, the viscosity of the liquid epoxy resin composition is reduced to improve the workability during curing molding. Such are those capable of original, also is capable of adhesion to the substrate of the cured molded article excellent. Further, a cured molded article having heat resistance such as good temperature cycle resistance and moisture absorption solder resistance can be obtained, and the heat resistance of the semiconductor device can be improved.
【００５２】また本発明の請求項２に係る液状エポキシ
樹脂組成物は、請求項１の構成に加えて、シリコーン成
分の含有量を樹脂成分全量に対して１５〜６０重量％と
したものであり、液状エポキシ樹脂組成物を薄膜状に塗
布することが容易であり、この液状エポキシ樹脂組成物
を加熱硬化することにより封止樹脂を容易に薄型に成形
することができるものであり、封止樹脂の加熱成形温度
を低減して、薄型の基板上に封止樹脂を成形する場合に
おいての基板の反りの発生を低減することができるもの
である。The liquid epoxy resin composition according to claim 2 of the present invention, in addition to the constitution of claim 1, has a silicone component content of 15 to 60% by weight based on the total amount of the resin component. It is easy to apply the liquid epoxy resin composition in the form of a thin film, and by heating and curing the liquid epoxy resin composition, the sealing resin can be easily formed into a thin shape. In the case where the sealing resin is molded on a thin substrate, the occurrence of the warpage of the substrate can be reduced by reducing the heat molding temperature.
【００５３】また本発明の請求項３に係る液状エポキシ
樹脂は、請求項１又は２の構成に加えて、硬化成形体の
曲げ弾性率が０．５〜５ＧＰａ、曲げ強度が２０〜４０
ＭＰａであり、この液状エポキシ樹脂から得られる硬化
成形体に応力がかかって膨張されたり収縮されたりして
も、硬化成形体内の内部応力が緩和され、特に線膨脹係
数の小さいセラミック等からなる基板を用いて半導体装
置を作製する場合に封止樹脂の成形にあたっての加熱・
冷却過程において、基板の反りを低減することができる
ものである。またこのように作製される半導体装置のリ
フロー工程等の半田付け工程において、封止樹脂にかか
る熱応力によるクラックの発生や封止樹脂と基板との剥
離等を抑制抑制することができ、また耐温度サイクル性
や耐吸湿半田性に優れ、耐熱信頼性の高い半導体装置を
得ることができるものである。The liquid epoxy resin according to the third aspect of the present invention is the same as the first or second aspect, except that the cured molded article has a flexural modulus of 0.5 to 5 GPa and a flexural strength of 20 to 40.
Even if the cured molded body obtained from this liquid epoxy resin is expanded or contracted by applying stress, the internal stress in the cured molded body is relaxed, and a substrate made of ceramic or the like having a small linear expansion coefficient is used. When manufacturing a semiconductor device using
In the cooling process, the warpage of the substrate can be reduced. In addition, in a soldering process such as a reflow process of the semiconductor device manufactured in this manner, generation of cracks due to thermal stress applied to the sealing resin and separation of the sealing resin from the substrate can be suppressed and suppressed. It is possible to obtain a semiconductor device which is excellent in temperature cycleability and soldering resistance to moisture absorption and has high heat resistance reliability.
【００５４】また本発明の請求項４に係る液状エポキシ
樹脂組成物は、請求項１乃至３のいずれかの構成に加え
て、硬化成形体のガラス転移温度が１２０〜２００℃、
線膨張係数が１．３×１０-5〜１．８×１０-5／℃であ
り、特にガラス基材エポキシ樹脂含浸基材からなる基板
を用いて半導体装置を作製する場合、硬化成形体からな
る封止樹脂と基板との間の熱的挙動の差異が小さくな
り、封止樹脂の成形にあたっての加熱・冷却過程におい
て、基板の反りを低減することができるものであり、ま
た耐温度サイクル性や耐吸湿半田性に優れ、耐熱信頼性
の高い半導体装置を得ることができるものである。Further, the liquid epoxy resin composition according to claim 4 of the present invention is characterized in that, in addition to any one of claims 1 to 3, the cured molded article has a glass transition temperature of 120 to 200 ° C.
The coefficient of linear expansion is 1.3 × 10 −5 to 1.8 × 10 −5 / ° C., and particularly when a semiconductor device is manufactured using a substrate made of a glass-based epoxy resin-impregnated base material, The difference in thermal behavior between the encapsulating resin and the substrate is reduced, and the warpage of the substrate can be reduced in the heating / cooling process during molding of the encapsulating resin. It is possible to obtain a semiconductor device having excellent heat resistance and moisture absorption resistance and high heat resistance reliability.
【００５５】また本発明の請求項５に係る液状エポキシ
樹脂組成物は、請求項１乃至４のいずれかの構成に加え
て、硬化助剤としてイミダゾールを樹脂成分全量に対し
て８〜１５重量％含有すると共に、無機充填材の粒径を
０．１〜２０μｍとしたものであり、低反り性を有する
硬化成形体を得ることができ、また硬化成形体を成形す
るにあたっては、液状エポキシ樹脂組成物を低温加熱に
て硬化することにより、短時間で充分な硬化物特性を有
する硬化成形体を得ることができるものである。The liquid epoxy resin composition according to claim 5 of the present invention is characterized in that, in addition to the constitution of any one of claims 1 to 4, imidazole as a curing aid is contained in an amount of 8 to 15% by weight based on the total amount of the resin component. In addition to the above, the inorganic filler has a particle size of 0.1 to 20 μm, so that a cured molded article having low warpage can be obtained. By curing the product by heating at a low temperature, a cured molded product having sufficient cured product properties can be obtained in a short time.
【００５６】また本発明の請求項６に係る半導体装置
は、請求項１乃至５のいずれかに記載の液状エポキシ樹
脂組成物にて半導体を封止したものであり、基板の反り
が低減されると共に耐熱信頼性の高い半導体装置を得る
ことができるものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which a semiconductor is sealed with the liquid epoxy resin composition according to any one of the first to fifth aspects, and warpage of the substrate is reduced. In addition, a semiconductor device with high heat resistance can be obtained.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 長谷川 貴志 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CC033 CD00W CD04W CD05W CP03X DE078 DE138 DE148 DE238 DJ008 DJ018 DJ048 EL136 EN006 EN037 EN067 EU097 EU117 EW017 FD018 FD143 FD146 FD157 GQ05 HA01 4J036 AD07 AD08 AD20 DA01 DA02 DC41 FA01 FB16 JA07 4M109 AA01 BA04 CA05 CA12 EA03 EA10 EB02 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB16 EB19 EC01 EC03 EC04 EC20 GA03 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/31 (72) Inventor Takashi Hasegawa 1048 Odakadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Works F-term (Reference) 4J002 CC033 CD00W CD04W CD05W CP03X DE078 DE138 DE148 DE238 DJ008 DJ018 DJ048 EL136 EN006 EN037 EN067 EU097 EU117 EW017 FD018 FD143 FD146 FD146 EB07 EB08 EB09 EB12 EB16 EB19 EC01 EC03 EC04 EC20 GA03
Claims (6)
ェニル骨格型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂成分全量に対
して５〜８０重量％含有すると共に変性シリコーンオイ
ル及びシリコーンパウダーからなるシリコーン成分を含
有して成ることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物。1. An epoxy resin comprising a naphthalene skeleton type epoxy resin or a biphenyl skeleton type epoxy resin in an amount of 5 to 80% by weight based on the total weight of the epoxy resin component, and a silicone component comprising a modified silicone oil and silicone powder. Liquid epoxy resin composition.
に対して１５〜６０重量％として成ることを特徴とする
請求項１に記載の液状エポキシ樹脂組成物。2. The liquid epoxy resin composition according to claim 1, wherein the content of the silicone component is 15 to 60% by weight based on the total amount of the resin component.
Ｐａであり、曲げ強度が２０〜４０ＭＰａであることを
特徴とする請求項１又は２に記載の液状エポキシ樹脂組
成物。3. The cured molded article has a flexural modulus of 0.5 to 5 G.
3. The liquid epoxy resin composition according to claim 1, wherein the pressure is Pa, and the flexural strength is 20 to 40 MPa. 4.
２００℃であり、線膨張係数が１．３×１０-5〜１．８
×１０-5／℃であることを特徴とする請求項１乃至３の
いずれかに記載の液状エポキシ樹脂組成物。4. A cured molded article having a glass transition temperature of 120 to
200 ° C. and a coefficient of linear expansion of 1.3 × 10 −5 to 1.8.
The liquid epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid epoxy resin composition has a temperature of 10-5 / C.
全量に対して８〜１５重量％含有すると共に、無機充填
材の粒径を０．１〜２０μｍとして成ることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれかに記載の液状エポキシ樹脂
組成物。5. The method according to claim 1, wherein imidazole is contained as a curing aid in an amount of 8 to 15% by weight based on the total amount of the resin component, and the particle size of the inorganic filler is 0.1 to 20 μm. The liquid epoxy resin composition according to any one of the above.
エポキシ樹脂組成物にて半導体を封止して成ることを特
徴とする半導体装置。6. A semiconductor device obtained by sealing a semiconductor with the liquid epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 5.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003012773A (en) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor device |
| JP2004277697A (en) * | 2002-10-07 | 2004-10-07 | General Electric Co <Ge> | Epoxy resin composition, solid element encapsulated with this composition, and method |
| JP2006179732A (en) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor power module |
| JP2007182560A (en) * | 2005-12-08 | 2007-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | Liquid resin composition for electronic component and electronic component device using the same |
| US7289008B2 (en) | 2003-10-08 | 2007-10-30 | Kyocera Corporation | High-frequency module and communication apparatus |
| JP2011054726A (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Kyocera Chemical Corp | Electric double-layer capacitor |
| JP2013064152A (en) * | 2005-12-08 | 2013-04-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Liquid resin composition for electronic component, and electronic component device using the same |
-
1999
- 1999-06-25 JP JP18020499A patent/JP3397176B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003012773A (en) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor device |
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