JP2001006129A - Wrapping guide for mr element and method for measuring stripe height - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To exactly measure stripe height without being affected by the distribution of the film thickness of a wafer or the distribution of a volume resistance rate in a simple structure regardless of the element constitution of the head. SOLUTION: Plural MR elements are formed in parallel on a wafer, and patterns for detecting the volume resistance rate of each element are formed at the both edges of the element working part so that a wrapping guide can be constituted. The pattern is constituted of at least three leads 21 formed with different intervals on an MR element detecting part 22 formed in the same process as each element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はＭＲ素子のラッピン
グガイド及びストライプハイト測定方法に関する。より
詳しくは、ウェーハ上にＭＲ素子と同一プロセスで形成
したリードの抵抗を検出してストライプハイトを求める
ラッピングガイドおよびストライプハイト測定方法に関
するものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a lapping guide and a stripe height measuring method for an MR element. More specifically, the present invention relates to a lapping guide for detecting a resistance of a lead formed on a wafer in the same process as an MR element and obtaining a stripe height, and a method for measuring a stripe height.

【０００２】[0002]

【従来の技術】薄膜ＭＲ（Magnetoresistive）素子は、
情報再生用の磁気抵抗効果型ヘッドとして用いられる。
この薄膜ＭＲ素子は、その特性に大きく影響する要素と
して磁気ヘッドのギャップデプスに対応したストライプ
ハイトを有する。2. Description of the Related Art Thin film MR (Magnetoresistive) elements
Used as a magnetoresistive head for information reproduction.
This thin-film MR element has a stripe height corresponding to the gap depth of the magnetic head as an element greatly affecting its characteristics.

【０００３】ＭＲヘッドの電磁変換特性を管理するため
にこのＭＲ素子のストライプハイトの精密な制御は重要
である。このためストライプハイトを検出して管理する
ためのラッピングガイドが様々な形態で提案されてい
る。その中の１つにストライプ状の抵抗体とそこから引
出されたリードからなるラッピングガイドがある。これ
は、ラッピングガイドの抵抗値からＭＲ素子のストライ
プ幅を推定する手法で、再生ＭＲヘッドと同様なストラ
イプ状にパターニングされたラッピングガイドのストラ
イプ幅が加工、研磨により減少するに伴い、ラッピング
ガイド自体の抵抗が反比例的に上昇することを利用した
ものである。このとき、ラッピングガイドを形成する抵
抗体の体積抵抗率を正確に求める必要があるが、この抵
抗体は製法上の簡便さからＭＲ素子と同じレイヤーを使
用するのが一般的である。It is important to precisely control the stripe height of the MR element in order to manage the electromagnetic conversion characteristics of the MR head. For this reason, wrapping guides for detecting and managing the stripe height have been proposed in various forms. One of them is a wrapping guide consisting of a striped resistor and a lead drawn from the resistor. This is a method of estimating the stripe width of the MR element from the resistance value of the lapping guide. As the stripe width of the lapping guide patterned in a stripe shape similar to the reproduction MR head is reduced by processing and polishing, the lapping guide itself is used. The fact that the resistance increases inversely proportionally. At this time, it is necessary to accurately determine the volume resistivity of the resistor forming the lapping guide. However, this resistor generally uses the same layer as the MR element from the viewpoint of simplicity in the manufacturing method.

【０００４】しかしながら、ＭＲ素子は複数の膜により
構成されるため、全体の体積抵抗率を正確に求めること
は困難である。しかも薄膜の場合、体積抵抗率は、その
表面や界面の状態あるいは不純物の存在などの成膜条件
により異なる。また、この体積抵抗率を予め求めること
ができたとしても、ウェーハ内の膜厚の分布により同一
のパターンであっても抵抗が異なる場合がある。このよ
うな場合には、膜厚の分布を予め把握しておく必要があ
る。However, since the MR element is composed of a plurality of films, it is difficult to accurately determine the entire volume resistivity. In addition, in the case of a thin film, the volume resistivity varies depending on the film forming conditions such as the state of the surface or interface or the presence of impurities. Even if the volume resistivity can be obtained in advance, the resistance may be different even for the same pattern due to the distribution of the film thickness in the wafer. In such a case, it is necessary to grasp the distribution of the film thickness in advance.

【０００５】こうした問題をなくすために、実際の素子
のデプス研削前の初期抵抗の値の差からＭＲ素子部の体
積抵抗率を求める方法が考えられている。これは、トラ
ック幅のみ異なる略同一の２つの素子の初期抵抗の差を
計測し、トラック幅の差に相当する部分の抵抗から体積
抵抗率を求める方法である。In order to eliminate such a problem, there has been proposed a method of obtaining the volume resistivity of the MR element from the difference in the initial resistance of the actual element before depth grinding. This is a method in which the difference in initial resistance between two substantially identical elements that differ only in track width is measured, and the volume resistivity is determined from the resistance of a portion corresponding to the difference in track width.

【０００６】この従来方法を行うための２つのトラック
幅の異なるＭＲ素子を図４に示す。２つの異なるＭＲ素
子は、例えばこの図にあるように、テープ系の薄膜ＭＲ
ヘッドで通常のフォーマット用のデータヘッドと後方互
換用のトラック幅の広い互換ヘッドなどのように、トラ
ック幅の異なる２種類のＭＲヘッドを搭載している場合
や、サーボ専用ヘッドのトラック幅がデータトラック用
ヘッドのトラック幅と異なるような場合などである。FIG. 4 shows two MR elements having different track widths for performing this conventional method. The two different MR elements are, for example, as shown in this figure, a tape-based thin film MR.
When two types of MR heads with different track widths are mounted, such as a compatible data head for a normal format and a compatible head with a wide track width for backward compatibility, or when the track width of a servo dedicated head is This is the case where the track width is different from the track width of the track head.

【０００７】図４において、トラック幅の大きいＭＲヘ
ッド（図の左側）の抵抗をＲ１、トラック幅の小さいＭ
Ｒヘッド（図の右側）の抵抗をＲ２とすると、各ヘッド
はそれぞれ以下のような合成抵抗で表わされる。In FIG. 4, the resistance of an MR head having a large track width (left side in the figure) is R1, and the resistance of an MR head having a small track width is M
Assuming that the resistance of the R head (right side in the figure) is R2, each head is represented by the following combined resistance.

【０００８】Ｒ１＝ＲMR1＋ＲJCT10＋ＲHARD1＋ＲJTC11
＋ＲLEAD1＋その他 Ｒ２＝ＲMR2＋ＲJCT20＋ＲHARD2＋ＲJTC21＋ＲLEAD2＋
その他 プロセスおよびパターンが同じであれば、上の２式にお
いて、ＲMR1，ＲMR2以外の対応する項の抵抗は同じであ
ると見なせるので、両者の差をとると以下のような式と
なる。R1 = RMR1 + RJCT10 + RHARD1 + RJTC11
+ RLEAD1 + other R2 = RMR2 + RJCT20 + RHARD2 + RJTC21 + RLEAD2 +
Others If the process and the pattern are the same, in the above two equations, the resistances of the corresponding terms other than RMR1 and RMR2 can be considered to be the same, and the difference between them becomes the following equation.

【０００９】Ｒ１−Ｒ２＝ＲMR1−ＲMR2 この抵抗の差はＭＲ素子部のトラック幅の差に相当する
部分の抵抗の値である。したがって、この値からＭＲ素
子の体積抵抗率を求めることができる。R1-R2 = RMR1-RMR2 The resistance difference is a resistance value of a portion corresponding to the track width difference of the MR element. Therefore, the volume resistivity of the MR element can be obtained from this value.

【００１０】このような方法においては、近接した素子
間の初期抵抗の差を利用するため、膜全体の体積抵抗率
を求める必要がない。また、膜厚のばらつきに関して
も、体積抵抗率の算出に使用する素子が互いに近接して
いるため、膜厚の分布もほぼ無視できる。In such a method, since the difference in the initial resistance between adjacent elements is used, it is not necessary to determine the volume resistivity of the entire film. Also, regarding the variation in the film thickness, the elements used for calculating the volume resistivity are close to each other, so that the distribution of the film thickness can be almost ignored.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来方法では、トラック幅だけが異なる素子が２つ以上近
接して存在しなくてはならないという条件がある。ま
た、トラック幅の異なる素子の少なくとも一方に抵抗異
常値をもたらすような欠陥がある場合には、体積抵抗率
の計算結果の信頼性が著しく損われる。さらに高記録密
度化のためにトラック幅自体が小さくなってくると、Ｒ
１−Ｒ２の値自体が小さくなり、測定誤差に対する要求
が厳しくなる。However, in the above-mentioned conventional method, there is a condition that two or more elements differing only in track width must exist close to each other. If at least one of the elements having different track widths has a defect that causes an abnormal resistance value, the reliability of the calculation result of the volume resistivity is significantly impaired. When the track width itself becomes smaller due to higher recording density, R
The value of 1-R2 itself becomes small, and the requirement for the measurement error becomes severe.

【００１２】前述のように、ＭＲヘッドの特性を制御す
る上でＭＲ素子のストライプハイトを設計値どおりに加
工することは重要なことである。また、安価に大量のＭ
Ｒヘッドを生産する上で複数個のヘッドを同時に加工す
る必要性もある。このため、研削、研磨加工するブロッ
クには複数のヘッドがあり、ブロック全体を均一に加工
するために少なくとも２つ以上のラッピングガイドをＭ
Ｒ素子と同じレイヤーに形成することが一般的である
（図５参照）。As described above, it is important to process the stripe height of the MR element as designed in order to control the characteristics of the MR head. In addition, a large amount of M
In producing the R head, there is also a need to simultaneously process a plurality of heads. For this reason, a block to be ground or polished has a plurality of heads, and at least two or more lapping guides are used to uniformly process the entire block.
It is common to form them on the same layer as the R element (see FIG. 5).

【００１３】図５は、従来のＭＲヘッド構成用のブロッ
クを示す。このブロック１はウェーハ（図示しない）上
に形成される素子加工部であり、薄膜形成プロセス終了
後にストライプハイトを制御しながらテープ摺接面がラ
ッピング加工される。ブロック１には、各素子形成部７
に対応してコイル２が形成され、各コイル２から記録用
２本および再生用２本のリードパターン３を介して電極
パッド４が形成される。また、コイル２の上部には内部
に形成されたＭＲ素子のシールド５が形成される。この
ような複数の素子形成部７の両側にラッピングガイド６
が形成される。通常ＭＲヘッドは図６に示すように、Ｍ
Ｒ素子部８と、磁区安定化のためのハード膜部９と、電
極引出しのためのリード部１０とから構成される。これ
に対応して図７のようなラッピングガイド６はＭＲヘッ
ドのトラック幅よりも充分に長いラッピングガイド素子
部（ＭＲ素子検出部）１１と抵抗検出のための引き出し
のリード部１２から構成される。ウェーハの工程を簡略
にするためＭＲ素子部８とラッピングガイド素子部１
１、リード部１０とリード部１２は同一の膜で形成され
る。このラッピングガイド６によるストライプハイトの
制御にはさまざまな方法が考えられる。FIG. 5 shows a block for a conventional MR head configuration. This block 1 is an element processing section formed on a wafer (not shown), and after the thin film forming process, the tape sliding contact surface is lapping processed while controlling the stripe height. In block 1, each element forming portion 7
The coil 2 is formed correspondingly, and the electrode pad 4 is formed from each coil 2 via two lead patterns 3 for recording and two for reproduction. Further, a shield 5 of the MR element formed inside is formed above the coil 2. Lapping guides 6 are provided on both sides of the plurality of element forming portions 7.
Is formed. Normally, an MR head has an M head as shown in FIG.
It comprises an R element section 8, a hard film section 9 for stabilizing a magnetic domain, and a lead section 10 for extracting an electrode. Correspondingly, the lapping guide 6 as shown in FIG. 7 is composed of a lapping guide element portion (MR element detecting portion) 11 sufficiently longer than the track width of the MR head and a lead portion 12 of a lead for detecting resistance. . MR element 8 and lapping guide element 1 to simplify the wafer process
1. The lead part 10 and the lead part 12 are formed of the same film. Various methods can be considered for controlling the stripe height by the wrapping guide 6.

【００１４】ここではあらかじめストライプハイトとラ
ッピングガイドの全抵抗の関係を求めておくことにより
研削、研磨中の抵抗値を測定しストライプハイトをリア
ルタイムに算出するという方法に限定する。そのためラ
ッピングガイド素子部のトラック幅は所定の膜厚、スト
ライプハイトで大きな抵抗値を示すように比較的大きく
設計される。この時、抵抗値とストライプハイトの関係
を導き出すためにはリード部分の抵抗、ラッピングガイ
ド素子部の体積抵抗率、その他ジャンクション抵抗など
が必要であるが、所定のストライプハイトにおいてはラ
ッピングガイド素子部の抵抗が全抵抗のほとんどを占め
るためにラッピングガイド素子部すなわちＭＲ素子部の
体積抵抗率を正確に求めることが必要である。Here, the method is limited to a method in which the relationship between the stripe height and the total resistance of the lapping guide is determined in advance, and the resistance value during grinding and polishing is measured to calculate the stripe height in real time. Therefore, the track width of the lapping guide element is designed to be relatively large so as to exhibit a large resistance value at a predetermined film thickness and stripe height. At this time, in order to derive the relationship between the resistance value and the stripe height, the resistance of the lead portion, the volume resistivity of the lapping guide element portion, and other junction resistances are required. Since the resistance occupies most of the total resistance, it is necessary to accurately determine the volume resistivity of the lapping guide element, that is, the MR element.

【００１５】このラッピングガイド素子部の体積抵抗を
求める方法については、前述の従来案にあるようにトラ
ック幅のみが異なる略同一形状の素子の初期抵抗の差か
ら単位体積当たりの抵抗を求め体積抵抗率を求める方法
や薄膜のシート抵抗の値から体積抵抗率を求める方法な
どがある。こうした従来案の欠点については前述したと
おりである。As for the method of determining the volume resistance of the lapping guide element portion, the resistance per unit volume is determined from the difference in the initial resistance of elements having substantially the same shape but differing only in track width, as in the above-mentioned prior art. There are a method of obtaining the resistivity and a method of obtaining the volume resistivity from the value of the sheet resistance of the thin film. The disadvantages of such a conventional scheme are as described above.

【００１６】本発明は上記従来技術を考慮したものであ
って、ヘッドの素子構成にかかわらず、簡単な構造で、
ウェーハ内の膜厚分布や体積抵抗率の分布に影響されず
正確にストライプハイトを測定可能なラッピングガイド
およびストライプハイト測定方法の提供を目的とする。The present invention has been made in consideration of the above-mentioned prior art, and has a simple structure irrespective of the element structure of the head.
An object of the present invention is to provide a lapping guide and a stripe height measuring method capable of accurately measuring a stripe height without being affected by a film thickness distribution or a volume resistivity distribution in a wafer.

【００１７】[0017]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、ウェーハ上で複数のＭＲ素子を並列し
て素子加工部を形成し、この素子加工部の両端に形成さ
れた各素子の体積抵抗率検出用パターンからなるラッピ
ングガイドにおいて、前記パターンは、各素子と同一プ
ロセスで形成したＭＲ素子検出部上に間隔を異ならせて
形成した少なくとも３本のリードからなることを特徴と
するＭＲ素子のラッピングガイドを提供する。In order to achieve the above object, according to the present invention, a plurality of MR elements are formed in parallel on a wafer to form an element processing section, and each element formed at both ends of the element processing section is formed. In the lapping guide comprising a pattern for detecting a volume resistivity, the pattern comprises at least three leads formed at different intervals on an MR element detecting portion formed by the same process as each element. A wrapping guide for an MR element is provided.

【００１８】この構成によれば、３本のリードという簡
単な構造で、各リード間の抵抗を測定することによりそ
の差から、抵抗値がＭＲ素子のストライプ幅に反比例し
て変化することを利用して、ウェーハ内の膜厚分布や体
積抵抗率の分布に影響されずに正確にストライプハイト
を計測することができる。According to this configuration, a simple structure of three leads is used. By measuring the resistance between the leads, the difference is used to take advantage of the fact that the resistance value changes in inverse proportion to the stripe width of the MR element. Thus, the stripe height can be accurately measured without being affected by the film thickness distribution and the volume resistivity distribution in the wafer.

【００１９】好ましい構成例では、前記リードが前記Ｍ
Ｒ素子検出部との重なり合う部分は、この重なり合う部
分の面積がストライプハイトの減少とともに小さくなっ
た場合に、その部分の抵抗が所定の抵抗検出に影響しな
い程度に厚く形成されたことを特徴としている。In a preferred embodiment, the lead is the M
The overlapping portion with the R element detecting section is characterized by being formed so thick that the resistance of the overlapping portion does not affect the predetermined resistance detection when the area of the overlapping portion decreases as the stripe height decreases. .

【００２０】この構成によれば、ＭＲ素子検出部に対し
てオーバーラップするリード部が、その部分の面積が小
さくなっても抵抗値がリード間検出抵抗値に影響を与え
ない程度に充分厚く形成され、測定の信頼性が高められ
る。According to this structure, the lead portion overlapping the MR element detecting portion is formed thick enough so that the resistance value does not affect the inter-lead detection resistance value even if the area of the portion is reduced. And the reliability of the measurement is increased.

【００２１】さらに本発明では、このようなラッピング
ガイドを用いたストライプハイト測定方法として、ウェ
ーハ上で複数のＭＲ素子を並列して素子加工部を形成
し、この素子加工部の両端に各素子の体積抵抗率検出用
パターンを形成し、このパターンの体積抵抗率からスト
ライプハイトを求めるＭＲ素子のストライプハイト測定
方法において、前記パターンは、各素子と同一プロセス
で形成したＭＲ素子検出部上に間隔を異ならせて形成し
た少なくとも３本のリードからなり、異なる２つの組合
せの２本のリード間の抵抗を検出してその差に基づいて
ＭＲ素子のストライプハイトを求めることを特徴とする
ＭＲ素子のストライプハイト測定方法を提供する。Further, in the present invention, as a stripe height measuring method using such a lapping guide, a plurality of MR elements are formed in parallel on a wafer to form an element processing portion, and each element is formed at both ends of the element processing portion. In a method for measuring a stripe height of an MR element in which a volume resistivity detection pattern is formed and a stripe height is obtained from the volume resistivity of the pattern, the pattern is provided with an interval on an MR element detection unit formed in the same process as each element. A stripe of an MR element, comprising at least three leads formed differently, wherein a resistance between two leads in two different combinations is detected and a stripe height of the MR element is obtained based on the difference. Provide a height measurement method.

【００２２】この構成によれば、前述の本発明のラッピ
ングガイドを用いて、前述のように、３本のリードとい
う簡単な構造で、各リード間の抵抗を測定することによ
りその差から、抵抗値がＭＲ素子のストライプ幅に反比
例して変化することを利用して、ウェーハ内の膜厚分布
や体積抵抗率の分布に影響されずに正確にストライプハ
イトを計測することができる。According to this configuration, as described above, the resistance between each of the leads is measured using the wrapping guide of the present invention with a simple structure of three leads as described above. By utilizing the fact that the value changes in inverse proportion to the stripe width of the MR element, the stripe height can be accurately measured without being affected by the film thickness distribution and the volume resistivity distribution in the wafer.

【００２３】[0023]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。図１は本発明の実施の形態に
係るラッピングガイドのパターン形状の例を示す図であ
る。本発明はラッピングガイド単体でＭＲ素子の体積抵
抗率を求めるものである。本実施形態では、図１に示す
ように、ラッピングガイド２０は電極引出しのための３
本のリード部２１をもち、その形状はほぼ同一である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an example of a pattern shape of a lapping guide according to an embodiment of the present invention. According to the present invention, the volume resistivity of an MR element is obtained by using a lapping guide alone. In the present embodiment, as shown in FIG.
It has a book lead 21 and its shape is almost the same.

【００２４】ここで、電極引出しのためのリード部２１
は、ＭＲ素子検出部２２との重なり合う部分２３の面積
が小さくなってもリード部２１の抵抗値が大きく変化し
ないようにＭＲ素子検出部２２の上に厚くオーバーレイ
ド構造で形成されることが望ましい。例えば、電極パッ
ド形成時の銅メッキなどと同等のレイヤーで形成すれば
厚さも数ミクロンあり、オーバーラップ部分の抵抗はほ
とんど無視できる。Here, the lead portion 21 for extracting the electrode is provided.
Is preferably formed in a thick and overlaid structure on the MR element detecting section 22 so that the resistance value of the lead section 21 does not largely change even if the area of the overlapping portion 23 with the MR element detecting section 22 is reduced. . For example, if it is formed of a layer equivalent to copper plating when forming an electrode pad, the thickness is several microns, and the resistance of the overlap portion can be almost ignored.

【００２５】図２は、本発明のラッピングガイドを両端
にもつ加工研磨ブロックの例を示す斜視図である。この
ブロック２４は、例えばＡｌ，Ｔｉ，Ｃからなるセラミ
クスウェーハ（図示しない）上に形成されるものであ
り、薄膜形成プロセス終了後にストライプハイトを制御
しながらテープ摺接面がラッピング加工される。このブ
ロック２４には、各素子形成部７に対応してコイル２が
形成され、各コイル２から記録用２本および再生用２本
のリードパターン３を介して電極パッド４が形成され
る。また、コイル２の上部には内部に形成されたＭＲ素
子のシールド５が形成される。このような複数の素子形
成部７の両側に本発明のラッピングガイド２０が形成さ
れる。FIG. 2 is a perspective view showing an example of a processing and polishing block having the lapping guide of the present invention at both ends. The block 24 is formed on a ceramics wafer (not shown) made of, for example, Al, Ti, and C. After the thin film forming process, the tape sliding surface is subjected to lapping while controlling the stripe height. In this block 24, the coils 2 are formed corresponding to the respective element forming portions 7, and the electrode pads 4 are formed from the respective coils 2 via two lead patterns 3 for recording and two for reproduction. Further, a shield 5 of the MR element formed inside is formed above the coil 2. The lapping guides 20 of the present invention are formed on both sides of the plurality of element forming portions 7.

【００２６】このブロック２４の両端の最外側（点線部
分）は切断部２５であり、ウェーハからの切出し時に除
去される。この切断部２５にラッピングガイド２０の外
側のリード部２１が形成される。The outermost portions (dotted portions) at both ends of the block 24 are cutting portions 25, which are removed when cutting out from the wafer. The lead portion 21 outside the lapping guide 20 is formed in the cut portion 25.

【００２７】図１において、右から２つの電極間（リー
ド部間）の抵抗Ｒ２を測定すれば、その値はリード部２
１の抵抗２本分、ＭＲ素子検出部２２の抵抗（長さＬ
２、初期ストライプハイトｄ、膜厚ｔ）およびジャンク
ション抵抗などの和で表わされる。In FIG. 1, when the resistance R2 between the two electrodes (between the leads) is measured from the right, the value is obtained as follows.
1 and the resistance of the MR element detection unit 22 (length L
2, represented by the sum of initial stripe height d, film thickness t) and junction resistance.

【００２８】Ｒ２＝（ＭＲ素子部抵抗長さＬ２）＋（リ
ード抵抗）＋（ジャンクション抵抗）＋（その他） また、左から２つの電極間の抵抗Ｒ１を測定するとその
値はリード抵抗２本分、ＭＲ素子部の抵抗（長さＬ１、
初期ストライプハイトｄ、膜厚ｔ）、ジャンクション抵
抗などの和で表わされる。R2 = (resistance length L2 of MR element portion) + (lead resistance) + (junction resistance) + (others) Also, when the resistance R1 between the two electrodes from the left is measured, the value is equal to two lead resistances. , The resistance of the MR element (length L1,
It is represented by the sum of the initial stripe height d, film thickness t), junction resistance, and the like.

【００２９】Ｒ１＝（ＭＲ素子部抵抗長さＬ１）＋（リ
ード抵抗）＋（ジャンクション抵抗）＋（その他） ここで前者と後者のリード部分は形状が略同一で膜も同
じ材質、しかも隣接しているために膜厚もほとんど同じ
であるから抵抗値も同じ値となる。ジャンクション抵抗
についても同じ形状、同じプロセスであるためほぼ同じ
抵抗と考えてよい。したがって前者から後者を引けば長
さＬ２−Ｌ１、初期ストライプハイトｄ、膜厚ｔのＭＲ
素子部の抵抗（Ｒ２−Ｒ１）が求められる。ここで膜
厚、幅、長さが既知のため体積抵抗率が計算により以下
のように求められる。R1 = (resistance length L1 of MR element portion) + (lead resistance) + (junction resistance) + (others) Here, the former and latter lead portions have substantially the same shape, the same film material, and are adjacent to each other. Therefore, since the film thicknesses are almost the same, the resistance value also becomes the same value. Since the junction resistance has the same shape and the same process, it can be considered that the resistance is almost the same. Therefore, if the latter is subtracted from the former, the MR of the length L2-L1, the initial stripe height d, and the film thickness t is obtained.
The resistance (R2-R1) of the element section is determined. Here, since the film thickness, width, and length are known, the volume resistivity can be obtained by calculation as follows.

【００３０】体積抵抗率＝（Ｒ２−Ｒ１）×（ｄ×ｔ）
／（Ｌ２−Ｌ１） 体積抵抗率が求められるとリード抵抗、ジャンクション
抵抗、その他の抵抗など、ストライプハイトに依存しな
い抵抗値の固有部分が求められる。Volume resistivity = (R2−R1) × (d × t)
/ (L2-L1) When the volume resistivity is determined, a unique part of a resistance value that does not depend on the stripe height, such as a lead resistance, a junction resistance, and other resistances, is determined.

【００３１】 抵抗値固有部分＝Ｒ２−体積抵抗率×Ｌ２／（ｄ×ｔ） ＝Ｒ２−（Ｒ２−Ｒ１）×Ｌ２／（Ｌ２−Ｌ１） また、ＭＲ素子部の抵抗はストライプハイトと反比例の
関係にあるため、ラッピングガイドの全抵抗はストライ
プハイトに対し、図３のような関係にある。このグラフ
から明らかなように目標とするストライプハイトの加工
精度を高めるためにはラッピングガイドの全抵抗の値が
大きければ良いが、高抵抗の領域ではストライプハイト
の変化に対する抵抗変化が大きくなるために加工装置の
制御系の追従速度との兼ね合いで最適な抵抗値が決定さ
れる。Resistance-specific part = R2-volume resistivity × L2 / (d × t) = R2- (R2-R1) × L2 / (L2-L1) The resistance of the MR element is inversely proportional to the stripe height. Due to the relationship, the total resistance of the lapping guide has a relationship as shown in FIG. 3 with respect to the stripe height. As is clear from this graph, in order to increase the processing accuracy of the target stripe height, the total resistance value of the wrapping guide should be large, but in the high resistance region, the resistance change with respect to the stripe height change becomes large. The optimum resistance value is determined in consideration of the following speed of the control system of the processing apparatus.

【００３２】このような方法では例えばブロックの両脇
にラッピングガイドがあるような場合、左右の電極が各
１個増えることになるが、ウェーハ上でブロックとブロ
ックの間にある切断のためのスペース（図２の切断部２
５）にＭＲ素子を配置すれば電極の数を増やすことなく
上述の手法に基づきＭＲ素子の体積抵抗率を求めること
が可能である。切断ライン上の素子は当然ブロックに切
断する時に消失するが、必要なデータはウェーハの状態
での初期抵抗であるためウェーハ状態で抵抗を測定すれ
ば加工時に必要な電極は左右に２つずつでよい。In such a method, for example, when there are lapping guides on both sides of the block, the number of left and right electrodes is increased by one each. However, a space for cutting between the blocks on the wafer is provided. (Cut 2 in FIG. 2
If the MR element is arranged in 5), the volume resistivity of the MR element can be obtained based on the above-mentioned method without increasing the number of electrodes. The elements on the cutting line are naturally lost when cutting into blocks, but the necessary data is the initial resistance in the wafer state, so if you measure the resistance in the wafer state, you will need two electrodes on the left and right for processing. Good.

【００３３】引きだしのリード２１が４本以上の場合で
も任意の２本を選択し同様にラッピングガイドの抵抗と
ＭＲ素子部のストライプハイトの関係を正確に求められ
る。この場合には引き出しのための端子の数が多くな
る。これにより、ＭＲ素子やリード部の欠陥などによる
抵抗値異常があった場合でも任意のリードの選択により
抵抗異常をキャンセルできる。Even when the number of leads 21 is four or more, any two can be selected and the relationship between the resistance of the lapping guide and the stripe height of the MR element can be accurately obtained. In this case, the number of terminals for drawing out increases. Thus, even if there is a resistance value abnormality due to a defect of the MR element or the lead portion, the resistance abnormality can be canceled by selecting an arbitrary lead.

【００３４】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、複数
個のＭＲ素子をブロック状態でまとめて研削、研磨加工
する場合においてＭＲ素子部のストライプハイトを所定
の寸法に正確に加工するためのラッピングガイドのＭＲ
素子部の体積抵抗率を精度よく求めることができる。ラ
ッピングガイドのＭＲ素子部の体積抵抗率は、略同一形
状の３個以上の引出しリード部を持つことによりラッピ
ングガイド単体で求めることができる。。このため膜厚
のウェーハ内の分布などに影響されない。As described above, according to the present invention, when a plurality of MR elements are collectively ground and polished in a block state, the stripe height of the MR element portion is accurately processed to a predetermined size. Wrapping guide MR
The volume resistivity of the element portion can be accurately obtained. The volume resistivity of the MR element portion of the lapping guide can be obtained by using the wrapping guide alone by having three or more lead-out portions of substantially the same shape. . Therefore, it is not affected by the distribution of the film thickness in the wafer.

【００３５】また、ラッピングガイドからの引き出しの
リードの数を増やすことにより、ＭＲ素子部やリード部
の欠陥などによる抵抗値異常の影響を回避できる。ラッ
ピングガイドのＭＲ素子部とリードのオーバーラップす
る部分を厚いリード膜でオーバーレィド構造にすること
によりＭＲのストライプハイトが少なくなったときでも
オーバーラップ部分の抵抗増加を極力抑えることができ
る。Further, by increasing the number of leads drawn out from the lapping guide, it is possible to avoid the influence of abnormal resistance due to defects in the MR element and the lead. By making the overlapping portion between the MR element portion of the lapping guide and the lead an overlaid structure with a thick lead film, even when the stripe height of the MR is reduced, the increase in the resistance of the overlapping portion can be suppressed as much as possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の実施の形態に係るラッピングガイド
の形状図。FIG. 1 is a shape diagram of a wrapping guide according to an embodiment of the present invention.

【図２】 本発明に係るヘッド形成用の加工ブロックの
斜視図。FIG. 2 is a perspective view of a processing block for forming a head according to the present invention.

【図３】 ストライプハイトとラッピングガイド全抵抗
との関係のグラフ。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the stripe height and the total resistance of the wrapping guide.

【図４】 トラック幅の異なるＭＲ素子の説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram of MR elements having different track widths.

【図５】 従来のヘッド形成用ブロックの斜視図。FIG. 5 is a perspective view of a conventional head forming block.

【図６】 ＭＲ素子のパターン形状例を示す図。FIG. 6 is a view showing an example of a pattern shape of an MR element.

【図７】 従来のラッピングガイドの形状図。FIG. 7 is a shape diagram of a conventional wrapping guide.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１：ブロック、２：コイル、３：リードパターン、４：
電極パッド、５：シールド、６：ラッピングガイド、
７：素子形成部、８：ＭＲ素子部、９：ハード膜部、１
０：リード部、１１：ラッピングガイド素子部（ＭＲ素
子検出部）、１２：リード部、２０：ラッピングガイ
ド、２１：リード部、２２：ＭＲ素子検出部、２３：重
なり合う部分、２４：ブロック、２５：切断部。1: block, 2: coil, 3: lead pattern, 4:
Electrode pad, 5: shield, 6: wrapping guide,
7: element formation part, 8: MR element part, 9: hard film part, 1
0: Lead part, 11: Lapping guide element part (MR element detection part), 12: Lead part, 20: Lapping guide, 21: Lead part, 22: MR element detection part, 23: Overlapping part, 24: Block, 25 : Cutting part.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】ウェーハ上で複数のＭＲ素子を並列して素
子加工部を形成し、この素子加工部の両端に形成された
各素子の体積抵抗率検出用パターンからなるラッピング
ガイドにおいて、 前記パターンは、各素子と同一プロセスで形成したＭＲ
素子検出部上に間隔を異ならせて形成した少なくとも３
本のリードからなることを特徴とするＭＲ素子のラッピ
ングガイド。1. A lapping guide comprising a plurality of MR elements formed in parallel on a wafer to form an element processing portion, and a volume resistivity detection pattern formed at both ends of the element processing portion for detecting the volume resistivity of each element. Is an MR formed by the same process as each element.
At least 3 formed at different intervals on the element detecting section
A wrapping guide for an MR element, comprising a book lead. 【請求項２】前記リードが前記ＭＲ素子検出部と重なり
合う部分は、この重なり合う部分の面積がストライプハ
イトの減少とともに小さくなった場合に、その部分の抵
抗が所定の抵抗検出に影響しない程度に厚く形成された
ことを特徴とする請求項１に記載のＭＲ素子のラッピン
グガイド。2. A portion where the lead overlaps with the MR element detecting portion is so thick that the resistance of the overlapping portion does not affect a predetermined resistance detection when the area of the overlapping portion decreases as the stripe height decreases. The wrapping guide for an MR element according to claim 1, wherein the wrapping guide is formed. 【請求項３】ウェーハ上で複数のＭＲ素子を並列して素
子加工部を形成し、 この素子加工部の両端に各素子の体積抵抗率検出用パタ
ーンを形成し、 このパターンの体積抵抗率からストライプハイトを求め
るＭＲ素子のストライプハイト測定方法において、 前記パターンは、各素子と同一プロセスで形成したＭＲ
素子検出部上に間隔を異ならせて形成した少なくとも３
本のリードからなり、 異なる２つの組合せの２本のリード間の抵抗を検出して
その差に基づいてＭＲ素子のストライプハイトを求める
ことを特徴とするＭＲ素子のストライプハイト測定方
法。3. A plurality of MR elements are formed in parallel on a wafer to form an element processing part, and a pattern for detecting a volume resistivity of each element is formed at both ends of the element processing part. In the method of measuring a stripe height of an MR element for obtaining a stripe height, the pattern is formed by using an MR formed by the same process as each element.
At least 3 formed at different intervals on the element detecting section
A method for measuring the stripe height of an MR element, comprising detecting a resistance between two leads of two different combinations and determining a stripe height of the MR element based on a difference between the two leads.