JP2000357960A - 高密度を有するボールグリッドアレイrcネットワーク - Google Patents
高密度を有するボールグリッドアレイrcネットワークInfo
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000011195 cermet Substances 0.000 claims description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 10
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002592 echocardiography Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/24—Terminating devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/30—Auxiliary devices for compensation of, or protection against, temperature or moisture effects ; for improving power handling capability
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0187—Dielectric layers with regions of different dielectrics in the same layer, e.g. in a printed capacitor for locally changing the dielectric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
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- Small-Scale Networks (AREA)
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Abstract
び多数のチャンネルのアナログ伝送ライン終端、並びに
その他の同様の終端に用途を有する波伝送ライン終端器
を提供する。 【解決手段】 抵抗器およびキャパシタを、ボールグリ
ッドアレイ終端と組み合わせて含む厚膜コンポーネント
を使用する。この厚膜抵抗器120は、基板110のキ
ャパシタ180−182,190−192およびボール
グリッドアレイ210,211とは反対側の第1の側に
配置し、そしてこれに対し、前記基板内の導電性のビア
140,160により電気的に接続する。
Description
ラインおよびネットワークに関し、特に伝送ラインの特
性インピーダンスに整合する厚膜タイプの消費終端に関
するものである。
の伝送を収容する多様な電子機器において使用されてい
る。それら信号は、様々な1組の特性を有することがあ
り、これらは、例えば、直流または交流、アナログまた
はデジタルにエンコードされたコンテンツ、広範なタイ
プの内の任意のものの変調を含むことがある。信号のこ
れら特性に拘わらず、理想的な伝送ラインは、その信号
をそのソースから宛先まで、その信号を変化させたりあ
るいは歪ませたりせずに導く。距離は、伝送媒体と通過
する距離の特性となることがある遅延以外は、この理想
的な伝送ラインには取るに足らないことである。
かも直流伝送では、多くの伝送ラインは、非常に長い距
離に渡る場合であっても、これらがほぼ理想的なもので
あるかのように演じる。しかし残念ながら、信号の周波
数が上昇するにつれ、あるいはコンポジットとして作用
するコンポーネント信号の周波数が上昇するにつれ、最
も普通の伝送ラインの特性は減衰し、また信号伝送は、
次第に悪化する。これは、信号が無線周波数レンジに達
するときあるいは伝送ラインが長くなるときに、特に当
てはまる。高い周波数で長い距離の伝送ラインに関する
1つの共通の現象は、その信号の高い周波数コンポーネ
ントの損失と、外部から誘起された妨害する高い周波数
の信号の導入とである。別の共通の現象は、エコーある
いはライン共振であり、これでは、信号は、伝送ライン
の一端から他端へ反射されることがある。このエコー
は、アナログのボイス信号の場合には、反響として一般
に知られており、これは、スピーチが樽内から出ている
ような音が鳴るという効果をもたらす。この樽内の可聴
の反響は、電気信号が伝送ライン内でエコーを生じた後
のサウンドに類似のサウンドを発生する。デジタル・パ
ルスの場合には、この効果は、損傷したデータをもたら
し、それは、元の伝送の1部分ではなかった付加的なパ
ルスを受けることがあるからであり、また反射されたパ
ルスがその後のパルスをキャンセルすることもあるから
である。
り一層高い周波数に対して絶えず増大する性能を有した
新たな回路が開発されてきている。これらより高い周波
数コンポーネントの利点は、データ処理の場合において
は、より高速のコンピュータ処理において実現され、ま
たより多くのボイス信号、より多くのテレビジョンおよ
びラジオ信号および他の信号を同じ通信チャンネルで運
ぶことができるより広い帯域幅において実現される。し
かし、これら通信チャンネルが絶えず増大している周波
数を利用するとき、在来の伝送ラインの制限が強まる。
銅の伝送ラインの場合、信号導体からの放射は、伝送ラ
インの長さと、互いに隣接する信号導体の相対的な近接
度に直接依存する。このため、例えば、ある長い信号ラ
インが別の長い信号ラインに隣接していると、低い周波
数においてさえ問題を生じさせる。元々の電話回線は、
ある特定の方法でツイストさせることにより、別々の電
話回線間の信号カップリングを低減させていた。この信
号カップリングは、当該分野においては、用語“クロス
トーク”で呼ばれることが多いが、それは、ある1つの
電話による通話からの信号が回線を超えて別の異なった
電話回線に入るからであり、これにより、通話がワイヤ
を不適切に渡ることになる。クロストークは、上述のよ
うに、部分的には、互いに隣接する信号ライン間の間隔
に依存している。クロストークを低減させる1つの方法
は、ライン間の間隔を増大させることである。しかし、
残念なことに、エレクトロニクスの分野における別の目
的は、コンポーネントおよびシステムのサイズを減少さ
せることである。上記間隔を単に増大させると、費用が
より高くなり、またシステム全体の動作速度を遅くし、
高い周波数で動作することにより得られたはずである利
益を奪ってしまう。間隔を増大させることによる別の欠
点は、信号放射からくる。銅の伝送ラインを長くする
と、この導体は、放射をし、そしてまたより高い周波数
の周波数エネルギを受け取ることになる。このため、伝
送ラインをより短くし、クロストーク要因により決まっ
てしまう程の長さよりも長くしないことが望ましい。
この伝送ラインを、当該分野においてエネルギ消費終端
(energy dissipating termination)と呼ぶデバイスで
終端することが可能である。この終端は、伝送ラインの
特性インピーダンスに対し、関心のあるできるだけ多く
の周波数に渡って、できるだけそれに緊密に整合するよ
うに設計したインピーダンスを有しなければならない。
伝送ラインは、一般的には、導体ワイヤのインダクタン
ス、他の信号ラインおよびグランド・プレーンあるいは
接地シールドとのキャパシタンス、並びにそのワイヤ中
の固有の抵抗とに基づくあるインピーダンスを有する。
適当な伝送ラインでは、個々のインピーダンス・コンポ
ーネントの和は、一定であり、したがって“特性インピ
ーダンス”として説明されている。伝送ラインの特性イ
ンピーダンスを広い周波数レンジに渡って整合させるに
は、終端もまた、個々のインピーダンス・コンポーネン
トの各々に対処しなければならない。インダクタンスの
効果は、周波数が大きくなるにつれインピーダンスを増
大させる一方で、キャパシタンスは、周波数が大きくな
るにつれインピーダンスを減少させる。固有の抵抗は、
周波数とは独立である。
ラインは代表的には、バスの形態を取っており、これ
は、多くの数の平行の伝送ラインであって、これに沿っ
てデータを伝送することができる。例えば、8ビットの
データ・バスは、少なくとも8本の信号伝送ラインを含
み、これらは、このデータ処理ユニット内の種々のコン
ポーネントを相互接続することになる。このデータ・バ
スは、実際には伝送ラインであって、今日のプロセッサ
速度では、マイクロ波周波数に近づく上側無線周波数バ
ンドにある周波数を収容しなければならない。これら高
い周波数のバスは、特に、不適切な終端並びに伝送ライ
ンのエコーによる影響を非常に受けやすくなる。
より特定されたアプリケーションに対し使用される終端
は、いくつかの目的に作用する。第1の目的は、もちろ
ん、バス上のエコーを低減させることであり、これは、
このバスに沿って伝送されるどのような信号も抵抗的に
消費することにより行う。この第1の目的は、本質的に
はあらゆるアプリケーションにおいても見られるもので
ある。データ・バスあるいはその他の類似の電子回路に
より特有の第2の目的は、当該分野では“プルアップ”
または“プルダウン”抵抗器と呼ばれるものとして機能
することである。この終端抵抗器は、多くの場合、正の
電源ラインあるいは正の電源プレーンのいずれかに直接
接続され、この場合、終端抵抗器は、“プルアップ”抵
抗器であり、あるいはまた、この抵抗器は、負のあるい
はグランドのラインあるいはプレーンのいずれかに接続
されることがあり、この場合、この抵抗器は、“プルダ
ウン”抵抗器と呼ばれる。このライン上に信号が全くな
いときは、この伝送ライン上の電圧は、正電源ラインあ
るいはグランドまたは共通のラインのいずれかに対する
その終端抵抗器の接続によって決まる。このとき、回路
設計者は、この所定のバス電圧から、より高速でより電
源効率のよいコンポーネントまたは回路を設計するよう
取り組むことができる。
り低い動作速度および周波数では適切であった多くの方
法で対処しようと試みてきたが、周波数およびコンポー
ネントのが増大するにつれ十分望ましいものではないこ
とが分かってきた。例えばデータ処理コンピュータにお
いて出会すことのあるようなより高い周波数の信号に対
処するには、より小さく、一層コンパクトな抵抗器が必
要とされる。これら抵抗器は、いくつかの一般的なプロ
セスで形成することができる。1つのそのようなプロセ
スは、薄膜と呼ばれており、これには、蒸着技術、スパ
ッタリング、半導体ウェハ・タイプの処理並びにその他
の同様の技術が含まれる場合がある。薄膜コンポーネン
トの1つの例は、ナガイ外(Nagai et al.)の米国特許
5,216,404に見られる。これら薄膜製作技術は、特別な
真空チャンバを必要とし、これは、シーケンシャルで連
続的な生産を、不可能ではない場合であっても、非常に
困難なものとする。制御された雰囲気を破られる度に、
新たな変数がそのプロセスに導入され、これを制御する
ことは難しい。さらに、薄膜技術により処理するのに利
用可能な材料は、依然として比較的限られている。薄膜
コンポーネントのその形成後の調節は、かなり困難であ
る。材料とプロセスの難問との間で、薄膜製品は、歩留
まりが低下する傾向にあり、そしてその歩留まり並びに
難しい処理要求の故に比較的高価となり、また、温度お
よび湿度のような環境要因に関して変化し得るものであ
る。加えて、薄膜並びにその結果としての小さなかたま
りの薄膜製品の結果として、これらコンポーネントは、
比較的もろく、しかも損傷を受けやすい。静電気のわず
かな放電でさえも、これらパーツの破壊が起こり得る。
性の基板上に堆積させたサーメットあるいは誘電体の材
料から形成するコンポーネントと考えることができる
が、これは、最も一般的にはスクリーン・プリンティン
グ技術から形成される。他のプロセスも、積層かあるい
はエッチングを含む減算的プロセスから厚膜コンポーネ
ントを形成するのに使用することができる。このアプリ
ケーションの目的のためには、厚膜は、特に定式化され
たペーストまたはインクを基板上に定まったパターンお
よびシーケンスで塗布しそして焼くかあるいは焼結する
ことにより個々のコンポーネント(例えば、抵抗器、キ
ャパシタ、または完全な機能回路)の集合を生成すると
き、このときに形成される膜として定義される。ペース
トは、通常はスクリーン・プリンティング法を使用して
塗布し、そして代表的には、0.5−1ミルあるいはそ
れ以上の厚さを有することがあり、これは、当該産業に
おいては周知である。サーメット材料は、セラミック
(ceramic)またはガラスを金属組成物(metal composi
tions)と組み合わせたものから成る材料であり、それ
らの最初の文字であるCERとMETがサーメットとい
う語を形成している。
Coefficient of Resistance)を表し、これは、ある温
度範囲に渡る抵抗の変化量の尺度である。本開示の目的
のためのシート抵抗率は、平方当たりのオームの単位で
測定する。これは、本文では、等しい長さと幅の1ミル
の厚膜の抵抗と考えることにする。
CRの厚膜抵抗器は、容易に製造することができる。こ
れら抵抗器は、平方当たり1オームの数分の1から数百
万オームまで変化するシート抵抗をもつことができ、そ
のTCRは、±100ppm/℃未満である。これら抵
抗器の性能は、優れており、そしてこれらは、パターニ
ングし、そしてレーザ研磨、機械的方法によりあるいは
単にスクリーンのパターンを変更して非常に密なスパイ
ラルを形成することによりトリミングすることができ
る。厚膜材料の多くの優れた特性の結果、これら材料
は、伝送ライン終端に最も望ましく取り入れられてい
る。
ントのサイズを減少させることに対し大きな要求があ
る。例えば、インダクタンスは、長さとともに増大す
る。したがって、終端におけるインダクタンスを最小限
にするには、信号ラインは、可能な限り短くすべきであ
る。さらに、ライン長を短くすると、上述の望ましくな
いクロストークが減少する。ストレー・キャパシタンス
も最小限にすべきであるが、これは、このストレー・キ
ャパシタンスが、通常の誘電体における温度に関係した
変動に起因して、温度と共に変化することがよくあるか
らである。
最初は、大きなサーメット抵抗器を使用して構成してい
て、このサーメット抵抗器は、アルミナ(アルミニウム
酸化物)基板に対する厚膜技術により形成されていた。
これらコンポーネントは、シングル・インライン・パッ
ケージ(SIP)フォーマットで回路ボード中に装着さ
れていた。これらコンポーネントのいくつかの例は、本
願出願人に譲渡されたブラディ外(Brady et al)への
米国特許3,280,378、ブラディ(Brady)への米国特許3,
346,774、ジロラモ外(Di Girolamo et al)への米国特
許3,492,536と、タカヤナギ(Takayanagi)への米国特
許4,654,628および米国特許4,658,234に見ることがで
き、これらは、言及により本開示に含めるものとする。
SIPフォーマットのため、1つの終端導体は、基板か
ら抵抗器まで上方に延在しなければならないが、加え
て、第2の終端は、基板から上方に延在し、そしてその
抵抗器の全長の周りを完全に通り、そして最終的にその
抵抗器の上を延びてそれに終端する。その結果、これら
SIPコンポーネントに見られる有効な導体リード長
は、実際の抵抗器長よりも大きくなければならず、そし
てほとんどの場合、抵抗器長の数倍となる。リード長が
増すにつれ、ライン・インダクタンスも増し、これは、
高い周波数のコンポーネントに対するインピーダンスを
増大させる。このインダクタンスがリード長からあまり
にも大きすぎるとき、終端デバイスは、伝送ラインと整
合することにならず、エコーが上述のように生成され、
これによってデータ伝送を損なうかあるいはアナログ信
号品質を落としてしまう。
ており、これは、当該分野では、“チップ”タイプのコ
ンポーネントと普通呼ばれている。フラットの基板は、
この上にパターニングされた抵抗器と終端部とを有し、
したがってSIPコンフィギュレーションとは異なっ
て、チップ・コンポーネントは、その基板上にフラット
に置かれる。チップ・タイプのコンポーネントの1つの
例は、米国特許5,379,190に示されており、これもま
た、言及により本開示に含めるものとする。そのチップ
は基板上でフラットであるため、チップ・コンポーネン
ト自体は、短いリード長を有している。しかし、これら
チップ・コンポーネントには、いくつかの非常に著しい
欠点がある。第1の欠点は、このコンポーネントが消費
する回路ボードのリアル・エステートの量である。SI
Pコンフィギュレーションのための理由の1つは、回路
ボードのできるだけ小さな表面積しか使用しないことで
あった。回路ボードのリアル・エステートは、2つの理
由で貴重である。第1に、あるコンポーネントがその表
面をより多く使用すると、そのコンポーネントを通り過
ぎるのにワイヤをさらに延ばさなければならない。上述
のように、これは、伝送ライン長がより大きくなって、
輻射並びにクロストークの虞れが高くなることを意味す
る。加えて、回路ボード自体は、単位面積当たりある価
格を有し、これは、そのコンポーネントが取る表面積の
量に等しい量だけ、コンポーネント・コストに付加され
ねばならない。別の深刻な欠点は、チップ・コンポーネ
ントのリード長は短くなるが、実際のライン長は、実際
には、どこをラインがそのチップから回路ボードのパタ
ーン中にルーティングされるかに依存して、短くならな
いことがあるからである。言い換えれば、チップ上の距
離が短くなっても、実際の全体のライン長は短くならな
いことがある。
保持するため、セファニック外(Seffernick et al)の
米国特許5,621,619(これは、本願出願人に譲渡され、
この言及により本文に含めるものとする)は、ハンダ・
ペーストおよび厚膜のサーメット組成物で通常得られる
よりも小さくサイズおよび間隔を小さくした、DIPコ
ンフィギュレーションを開発した。しかし、これよりも
さらに小さくまたより高い周波数の伝送ライン終端に対
する要求が引き続きある。
コンポーネント取り付けの1つの方法は、ボールグリッ
ドアレイ(BGA)パッケージである。このパッケージ
においては、プリント回路ボードとBGAコンポーネン
ト間の接続は、多数のハンダ・ボールの使用によって実
現する。これらボールは、従来技術のチップ抵抗器にお
けるようなデバイスの周辺への配置に制限されず、この
BGAは、そのパッケージ全体に渡ってそのアレイ内に
分散した終端を有している。この結果、プリント回路ボ
ードのリアル・エステートは、接続(BGA)によって
消費されることがあり、これは、このタイプの接続を、
リアル・エステートの経済性において先のSIP設計に
匹敵するものとする。加えて、この回路は、コンポーネ
ント基板からBGAに対し直接接続することができ、こ
れは、リード長がコンポーネント基板の厚さにのみ限定
することができることを意味する。これらのその結果と
して生じるリードは、概して、チップ・コンポーネント
上に見られるリードよりもさらにかなり短いものとな
る。これらBGAタイプの終端の例は、ミネッティ(Mi
netti)の米国特許4,332,341、ブラウン外(Brown et a
l)の米国特許4,945,399、アブラミ外(Abrami et al)
の米国特許5,539,186、バネルジ外(Banerjeeet al)の
米国特許5,557,502、デビッドソン(Davidson)の米国
特許5,661,450に見られる。これら特許の各々は、種々
のタイプのBGAコンポーネントおよびパッケージを示
しており、これらの内容および教示事項は、言及により
本文に含めるものとする。これら特許の各々は、終端抵
抗器アレイを含む種々のコンポーネント並びに別個にデ
カップリング・キャパシタを示しているが、そのいずれ
も、その中に集積した抵抗器およびキャパシタの利点を
有する高密度厚膜タイプの終端ネットワークを示してい
ない。しかし、このようなデバイスは、従来技術におい
ては、多くの異なったタイプの伝送ライン(上述のアナ
ログおよびデジタルのライン(ただし、これらに限定さ
れる訳ではない)を含む)に対し望ましい特性を提供す
るのに必要である。
は、本発明は、電気的に絶縁性の基板から作るエネルギ
消費波伝送ライン終端器である。厚膜抵抗器は、前記基
板の一方側に形成し、厚膜キャパシタは、前記基板の第
2の側に形成する。前記基板を貫通して、電気的接続体
は、前記抵抗器を前記キャパシタに接続し、そして前記
キャパシタに隣接した導電性のボールは、前記終端器の
1つの電気的接続ポイントとして作用する。
ルグリッドアレイ抵抗器キャパシタ・ネットワークであ
り、これは、電気的に絶縁性の基板と、該基板上の電気
的に抵抗性のパターンと、前記基板を貫通しそして前記
抵抗性パターンに接続した第1と第2の電気的な導体
と、前記基板の前記抵抗性パターンとは異なった第2表
面上に担持された第1と第2の導電性の電極であって、
第1の誘電体材料を有し、これにより第1の測定可能の
電気的キャパシタンスを有して第1のキャパシタを形成
し、これにおいて、前記第1と第2の導電性の電極の一
方が前記抵抗性パターンに電気的に接続した、前記の第
1と第2の導電性電極と、前記第1と第2の導電性電極
の内の一方に電気的に接続した第1の導電性ボールと、
から成る。
発明は、基板と、これの上に支持されたキャパシタと抵
抗器とを有する回路モジュールであって、その改良が、
前記キャパシタと前記抵抗器とに取り付けかつ電気的に
接続したボールグリッドアレイから成り、前記キャパシ
タが、前記ボールグリッドアレイに隣接し、前記抵抗器
が、前記基板に対し前記キャパシタおよび前記ボールグ
リッドアレイの反対側にあること、を特徴とする。
第2の側上のボールに直接接続したり、あるいは代替的
に追加のキャパシタを介して他のボールに接続すること
も、考慮している。異なった組成物および異なった用途
のための電気的配列のような、抵抗器のアレイおよびキ
ャパシタのアレイも考慮している。
レイと組み合わせての厚膜の利点を利用する非常に高密
度の厚膜抵抗器/キャパシタ・ネットワークを提供する
ことである。第2の目的は、このネットワークから回路
ボードへの接続インダクタンスを、接続配線をできるだ
け短くすることにより最小限にすることである。別の目
的は、厚膜材料を効果的に使用することにより、その結
果生ずる波伝送ライン終端ができるだけ経済的である一
方で望ましい優秀な高周波性能を依然として提供するこ
とを確保することである。本発明のさらに別の目的は、
コンピュータ・データ・バス、AC信号ライン、ボイス
およびその他のアナログ伝送ライン、並びに本発明の特
徴および利点を必要とするその他の伝送ラインを含む、
広範な伝送ラインに対し、エネルギ消費終端を提供でき
るようにすることである。
図2の回路図から、波伝送ライン終端器100を示して
いる。尚、可能な場合には、参照を簡単にするため、同
じコンポーネントには同様に参照番号を付している。波
伝送ライン終端器100は、基板110を含み、この上
には、厚膜コンポーネントを形成することができ、そし
て厚膜産業において知られているように、好ましくは焼
くかあるいは焼結する。この基板は、代表的には、アル
ミナとするが、ただし、多くの厚膜基板の任意のものを
使用することもできる。基板110の上面には、図示の
ためカバーコート115を部分的に除去した図1に見る
ことができるように、厚膜サーメット抵抗器120−1
27と、導体130−137および150−157との
アレイをパターニングする。導体130−137および
150−157の各々内には、小さなスルーホール導体
140−147および170−177がそれぞれあり、
これらは、図1に可視の基板110の上面111から、
電気的に基板110を通して、図4に可視の底面112
へ電気的に相互接続するように働く。これらスルーホー
ル導体は、種々の既知の技術から製造することができ、
この技術には、市販のサーメット・スルーホール・ペー
スト、ソリッドのピンまたはプラグ、高融点金属化、あ
るいは合金の組成物を含むが、ただしこれらには限定さ
れない。しかし、これらスルーホール導体は、その他の
場合には好ましい実施形態の他の厚膜コンポーネントと
電気的にかつ機械的に両立する材料および製造プロセス
から選択すべきである。
・ボール210−233は、基板110の底面112に
配置しそしてこれを実質上カバーする。これらハンダ・
ボールは、終端器100をマザーボードあるいはその他
のプリント回路またはキャリア基板に電気的に接続する
ように作用する。図3から明かなように、これらハンダ
・ボールは、極めて小さく製造することもでき、実質的
には、生産できる最小のサイズによってのみ制限され
る。これらボールは、1インチの数百分の1または数十
分の1の寸法である従来技術のSIP終端と比較して、
実際には、直径が1インチの数千分の1あるいは数百分
の1の寸法である。底面112全体は、このボールグリ
ッドアレイによってカバーするため、このコンポーネン
トを取り付けるマザーボードのようなキャリア回路ボー
ド上の無駄にされる表面リアル・エステートはない。加
えて、終端器100が相互作用する信号は、基板110
の厚さとハンダ・ボール210−233の直径を通るこ
とだけが必要であり、これにより、リード長を可能な限
り短くしている。
ャパシタ185のようなキャパシタの実際の配置があ
る。図7は、これらキャパシタの配置の1つの実施形態
を示しており、一方、図8は、代替の実施形態を示して
いる。好ましい実施形態においては、キャパシタは、当
該分野において知られた市販の厚膜材料から、電極18
0および190を基板110にスクリーン・プリンティ
ングすることにより形成する。最も好ましくは、どのよ
うな追加のルーティングも回避するため、これら電極
は、ビア140,160上に直接プリントすることによ
り、信頼性のある電気接続を形成する。1つのキャパシ
タは、2つの電極を誘電体材料で隔置したときに形成さ
れる。知られているように、この誘電体材料は、かなり
広範な材料のうちの任意のものとすることができる。し
かし、厚膜領域においては、チタン酸バリウムのような
チタネートは、これらの比較的高い誘電率のため、一般
には好ましい。より低い値のキャパシタが特定のアプリ
ケーションに対して十分であると見なされる場合には、
シリコンの酸化物およびアルミナのような他の誘電体も
十分なものである。図7に示したように、レイヤ181
および191は、チタネート・タイプのような特殊な誘
電体である。この誘電体レイヤの上面には、追加の電極
182,192をパターニングする。本発明の働きには
本質的ではないが、好ましくは追加の導電性ハンダ・バ
リア・レイヤ183,193をパターニングし、これ
は、後に適用されるハンダ・ペースト200,201に
見られるフラックスによる攻撃から、電極182,19
2と誘電体181,191を保護する保護レイヤとして
作用する。誘電体バリア220は、これも高融点誘電体
組成物とすることができるが、これもまた、それら電気
コンポーネントを囲みかつ保護するために形成する。ハ
ンダ・ペースト200,201内には、ハンダ・ボール
またはその他の形状のプリフォーム210,211は、
好ましい実施形態において適用することができる。図示
のボールのようなプリフォームと協働することにより、
それらコンポーネントに対する一貫した寸法制御を実現
することが可能であり、ここで、リフローさせた延長部
は、製造中に制御することはより困難となることがあ
る。そのため、プリフォームは好ましいが、本発明の終
端器およびネットワークへの電気的取り付けポイントを
形成するその他の方法も、そのような終端器が知られて
おりあるいは当業者に明かな範囲で考慮に入れており、
また本文に含まれるものとする。
レイヤ222は、電気コンポーネントのパッシベーショ
ンおよび保護の機能の組み合わさったものとして作用さ
せることができ、そしてまたキャパシタの各々の誘電体
としても作用する。代表的には、このようなコンポーネ
ントは、シリコン、ボロン、アルミニウム、カルシウ
ム、ナトリウム、マグネシウム、リチウムおよび満足な
誘電体レイヤを形成するのに知られているその他の元素
の種々の酸化物の混合物から形成することができるが、
ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。
な構成を横断面で示しているが、種々の変形が可能であ
ることは言うまでもない。1つの普通の変形例は抵抗性
サーメット材料120と導電性材料130,150との
間の相互接続にある。多くの場合、導電性材料130,
150を最初に堆積させ、次にこの上に抵抗性材料12
0をオーバーレイし、そしてこれには、それらの間にあ
る一定の量のオーバーラップを含むことにより、焼結あ
るいは焼いた後に高い品質の電気的相互接続を確保す
る。加えて、図7と図8の両方とも、ビア140,16
0と導電性ボール210,211との間に介在するキャ
パシタを示している。各ビアは、キャパシタで終端する
ことについて特に要求はなく、したがって次に説明する
ように、導電性ボールは、ビア160に対し直接取り付
けることができるレイヤ193のようなハンダ・バリア
・レイヤ上に直接配置することもでき、あるいはまた、
ハンダ・ボール211も、パッド190のような導電性
パッドにあるいはビア160に対し直接取り付けること
も考えられるが、ただし、長期間の性能のためには、こ
れらアプローチは、必ずしも望ましいものとは限らな
い。
の可能な回路構成を示している。抵抗器およびキャパシ
タの8つの異なった組を示しており、これらは、図1に
模式的に示したコンポーネントに直接対応するものと理
解されるべきであるが、本文の目的のためにのみ、1つ
のそのような組合せについて詳細に説明する。さらに、
明らかなように、多くの異なった数のコンポーネントを
任意の所与のアプリケーションに対し本発明の教示内容
にしたがって組み合わせることもでき、また特定の数の
コンポーネントは、好ましい特定のアプリケーションの
内の1つあるいはそのいくつかに対してのみ特別な意味
を与えることもできる。図2から分かるように、抵抗器
120は、導体130を通してビア140に接続してい
る。ビア140は、プリント回路ボードまたはマザーボ
ードのようなキャリア・ボードに直接相互接続するた
め、ハンダ・ボールを有する基板110の反対側に終端
させる。抵抗器120の第2の電気的接続または終端
は、導体150であり、これは、ビア160を通してキ
ャパシタ185に接続する。加えて、導体150は、ビ
ア170に延び、そしてこれは、基板110を貫通して
ハンダ・ボールと直列接続する。これらデバイスのアレ
イを同様に配列し、そして次に各キャパシタを共通ライ
ン300(これは、終端100上にあるいはキャリア回
路ボード内に設けることができる)と接続することによ
り、8個のR−Cローパス・フィルタから成るアレイを
提供する。この構成は、電磁的あるいは無線周波数の妨
害フィルタ処理、並びにローパス信号フィルタ処理のよ
うな用途を有する。
よび図6に示したこの基本のネットワークで行うことが
できる。これにおいては、追加の抵抗器520を設け、
これは、抵抗器120と同様に、ハンダ・ボールに直接
接続した第1の端部と、キャパシタに電気的に接続した
第2の端部とを有している。この特定の配列は、それと
同様の用途をもち、また液晶ディスプレイ・パネル・フ
ィルタにおいて利用性を見い出すことができる。
9に示すように、キャパシタと抵抗器とは、“Y”構成
あるいは星形構成として電気の分野で知られているもの
のように配列する。このタイプの終端は、ACライン終
端として作用するが、それは、キャパシタの直列配列が
DC成分全てをブロックするからである。図示した回路
図は、それと同様の物理的レイアウトとすることができ
る方法で配列し、これにおいて、ハンダ・ボールの3×
3のアレイを、基板110の角あるいは周縁の周りでそ
れらの間の中間に8個の外部ボールを有するように配列
し、その各々が、図7および図8のボール210,21
1と同様にその直下にキャパシタを有する。これらボー
ルおよびキャパシタの反対の表面上には、星形パターン
の抵抗器アレイは、その全てが、1つの共通の中央ビア
に対し共通の終端のために延ばすこともできる。これに
類似の他の構成も可能であり、これは、基板の表面積を
最大限にし、それでもなお本発明の多くの利点を提供す
ることができる。デルタ配列のようなこのようなAC構
成も、当業者には明かな数え切れない他の配列に加え、
特定のニーズに直面したときに本発明の開示を内容を読
めば、考えられるものである。
ると考えるものを詳述したが、特許請求の範囲に記載の
本発明の範囲に対し、材料上の限定を全く意図していな
い。さらに、本開示を読めば当業者には明かな特徴およ
び設計の変更も、本文に含まれるものと考えるべきであ
る。本発明の範囲は、特許請求の範囲に特に記載してい
る。
の代替実施形態を示す。
の代替実施形態を示す。
で示す。
Claims (21)
- 【請求項1】エネルギ消費波伝送ライン終端器であっ
て、 a) 第1の主表面と第2の主表面とこれらの間に厚さ
とを有する概して電気的に絶縁性の基板と、 b) 前記第1主表面上に形成し、第1の終端と第2の
終端と有する第1の厚膜材料抵抗器と、 c) 前記第2主表面上に形成し、前記第2主表面に隣
接した第1の電極と前記第2主表面から遠位の第2電極
とを有する第1の厚膜材料キャパシタと、 d) 前記基板の厚さを貫通して延び、前記第1抵抗器
を前記第1キャパシタに前記第1電極で接続する第1の
電気的接続体と、 e) 前記第1厚膜キャパシタに隣接して配置し、かつ
前記第2電極に電気的に接続した導電性取り付けと、か
ら成るエネルギ消費波伝送ライン終端器。 - 【請求項2】請求項1記載の終端器であって、さらに、
前記第1抵抗器を前記第2終端で前記基板と通して前記
第2主表面に電気的に接続する、前記基板の厚さを貫通
した第2の電気的接続を含むこと、を特徴とするエネル
ギ消費波伝送ライン終端器。 - 【請求項3】請求項1記載の終端器であって、さらに、 前記第1抵抗器を含む厚膜材料抵抗器のアレイを含み、
該アレイの各抵抗器は、第1の第2の終端を有する、前
記の厚膜材料抵抗器のアレイと、 前記第1キャパシタを含む厚膜材料のキャパシタの第1
のアレイであって、該第1アレイの各キャパシタは、前
記第2主表面上に形成し、前記第2主表面に隣接したそ
の第1の電極と、前記第2主表面に対し遠位の第2の電
極とを有する、前記の第1のキャパシタのアレイと、 前記基板を貫通し、前記抵抗器アレイを前記第1終端に
おいて前記第1キャパシタ・アレイに電気的に接続する
第1の電気的接続体のアレイと、を含むこと、を特徴と
するエネルギ消費波伝送ライン終端器。 - 【請求項4】請求項3記載の終端器であって、さらに、
前記基板を貫通し、前記抵抗器アレイを前記基板の前記
第2主表面に接続する第2の電気的接続体のアレイを含
むこと、を特徴とするエネルギ消費波伝送ライン終端
器。 - 【請求項5】請求項4記載の終端器であって、さらに、
前記第2の電気的接続体のアレイにおける第2のキャパ
シタ・アレイを含むこと、を特徴とするエネルギ消費波
伝送ライン終端器。 - 【請求項6】請求項3記載の終端器であって、さらに、
前記第1キャパシタ・アレイに取り付けた導電性の取り
付け体を含むこと、を特徴とするエネルギ消費波伝送ラ
イン終端器。 - 【請求項7】請求項1記載の終端器であって、さらに、
前記第1と第2のキャパシタ電極間にチタネート誘電体
を含むこと、を特徴とするエネルギ消費波伝送ライン終
端器。 - 【請求項8】請求項1記載の終端器であって、さらに、
前記第1と第2のキャパシタ電極間に酸化物誘電体を含
むこと、を特徴とするエネルギ消費波伝送ライン終端
器。 - 【請求項9】請求項4記載の終端器であって、さらに、
前記第2電気的接続体のアレイに電気的に接続しかつそ
れに物理的に隣接した導電性の取り付け体を含むこと、
を特徴とするエネルギ消費波伝送ライン終端器。 - 【請求項10】請求項4記載の終端器において、前記第
1および第2の電気的接続体アレイと、前記第1の抵抗
器アレイと第1のキャパシタ・アレイとは、電気的に相
互接続してacライン終端器として作用すること、を特
徴とするエネルギ消費波伝送ライン終端器。 - 【請求項11】請求項4記載の終端器において、前記第
1および第2の電気的接続体アレイと、前記第1の抵抗
器アレイと第1のキャパシタ・アレイとは、電気的に相
互接続してコンピュータ・バス終端器として作用するこ
と、を特徴とするエネルギ消費波伝送ライン終端器。 - 【請求項12】ボールグリッドアレイ抵抗器キャパシタ
・ネットワークであって、 a) 第1の表面と、第2の表面と、該第1と第2の表
面間に厚さを有する、電気的に絶縁性の基板と、 b) 第1と第2の電気的接続体を有する、前記第1表
面上の電気的に抵抗性のパターンであって、これによ
り、電気エネルギが、前記第1電気的接続体から、前記
電気的に抵抗性のパターンを通して前記第2電気的接続
体へ通過することができ、また、前記電気的エネルギの
第1の部分がそれにおいて消費されるようになった、前
記の電気的に抵抗性のパターンと、 c) 前記厚さを貫通し、前記第1および第2の電気的
接続体にそれぞれ接続した第1と第2の電気的な導体
と、 d) 前記第2表面上に担持された第1と第2の導電性
の電極であって、これらの間に第1の誘電体材料を有
し、これにより、これらの間に第1の測定可能の電気的
キャパシタンスを有してこれにより第1のキャパシタを
形成し、これにおいて、前記第1と第2の導電性の電極
の一方が前記第1電気的接続体に電気的に接続した、前
記の第1と第2の導電性電極と、 e) 前記第1と第2の導電性電極の内の第1のものに
電気的かつ機械的に接続した第1の導電性ボールと、か
ら成るボールグリッドアレイ抵抗器キャパシタ・ネット
ワーク。 - 【請求項13】請求項12記載のネットワークであっ
て、さらに、 前記第2表面上に担持された第3と第4の導電性の電極
であって、これらの間に第2の誘電体材料を有し、これ
により、これらの間に第2の測定可能の電気的キャパシ
タンスを有してこれにより第1のキャパシタを形成し、
これにおいて、前記第3と第4の導電性の電極の一方が
前記第2電気的接続体に電気的に接続した、前記の第3
と第4の導電性電極と、 前記第1と第2の導電性電極の内の前記第1のものとは
異なった第2のものに電気的に接続した第2の導電性ボ
ールと、を含むこと、を特徴とするボールグリッドアレ
イ抵抗器キャパシタ・ネットワーク。 - 【請求項14】請求項12記載のネットワークであっ
て、さらに、前記第2電気的接続体に電気的に接続した
第2の導電性ボールを含むこと、を特徴とするボールグ
リッドアレイ抵抗器キャパシタ・ネットワーク。 - 【請求項15】請求項12記載のネットワークであっ
て、さらに、 a) 前記第1表面上の追加の電気的に抵抗性のパター
ンであって、その各々が、2つの電気的接続体を有し、
前記電気的に抵抗性のパターンの全てが、前記2つの電
気的接続体の内の一方を、1つの共通の電気的導体を通
して共有する、前記の追加の電気的に抵抗性のパターン
と、 b) 前記電気的に抵抗性のパターンと追加の導電性ボ
ールとに電気的に接続した、前記第2表面上の追加のキ
ャパシタと、 c) 前記第1キャパシタと前記追加キャパシタとが、
前記第1抵抗器と前記追加抵抗器を通過するDC電流の
流れをブロックする一方で、同時にAC電流を通過さ
せ、これにより、前記ボールグリッドアレイ抵抗器キャ
パシタ・ネットワークが、AC波伝送ラインを終端でき
るようにすること、を特徴とするボールグリッドアレイ
抵抗器キャパシタ・ネットワーク。 - 【請求項16】請求項12記載のネットワークにおい
て、前記電気的に抵抗性のパターンは、サーメット材料
から成ること、を特徴とするボールグリッドアレイ抵抗
器キャパシタ・ネットワーク。 - 【請求項17】基板と、これの上に支持されたキャパシ
タと抵抗器とを有する回路モジュールであって、その改
良が、前記キャパシタと前記抵抗器とに取り付けかつ電
気的に接続したボールグリッドアレイから成り、前記キ
ャパシタが、前記ボールグリッドアレイに隣接し、前記
抵抗器が、前記基板に対し前記キャパシタおよび前記ボ
ールグリッドアレイの反対側にあること、を特徴とする
回路モジュール。 - 【請求項18】請求項17記載の回路モジュールにおい
て、改良がさらに、前記抵抗器のうちの選択したものを
前記キャパシタのうちの選択したものに接続する電気的
なビアから成ること、を特徴とする回路モジュール。 - 【請求項19】請求項18記載の回路モジュールにおい
て、改良がさらに、前記抵抗器のうちの選択したものを
前記ボールグリッドアレイに直接に接続する電気的なビ
アから成ること、を特徴とする回路モジュール。 - 【請求項20】請求項17記載の回路モジュールにおい
て、前記抵抗器は、厚膜抵抗器であること、を特徴とす
る回路モジュール。 - 【請求項21】請求項17記載の回路モジュールにおい
て、前記キャパシタは、厚膜キャパシタであること、を
特徴とする回路モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/272189 | 1999-03-18 | ||
US09/272,189 US6194979B1 (en) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | Ball grid array R-C network with high density |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000357960A true JP2000357960A (ja) | 2000-12-26 |
JP2000357960A5 JP2000357960A5 (ja) | 2007-05-24 |
Family
ID=23038780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000075699A Pending JP2000357960A (ja) | 1999-03-18 | 2000-03-17 | 高密度を有するボールグリッドアレイrcネットワーク |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6194979B1 (ja) |
EP (1) | EP1039573B1 (ja) |
JP (1) | JP2000357960A (ja) |
DE (1) | DE60032191T2 (ja) |
TW (1) | TW452993B (ja) |
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US11083079B2 (en) | 2016-12-26 | 2021-08-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Terminal device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2000-03-07 TW TW089104035A patent/TW452993B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-17 DE DE60032191T patent/DE60032191T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-17 EP EP00302174A patent/EP1039573B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-17 JP JP2000075699A patent/JP2000357960A/ja active Pending
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---|---|
US6194979B1 (en) | 2001-02-27 |
DE60032191T2 (de) | 2007-10-11 |
TW452993B (en) | 2001-09-01 |
DE60032191D1 (de) | 2007-01-18 |
EP1039573A3 (en) | 2001-05-23 |
EP1039573B1 (en) | 2006-12-06 |
EP1039573A2 (en) | 2000-09-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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