JP2000351974A - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

Info

Publication number
JP2000351974A
JP2000351974A JP2000111854A JP2000111854A JP2000351974A JP 2000351974 A JP2000351974 A JP 2000351974A JP 2000111854 A JP2000111854 A JP 2000111854A JP 2000111854 A JP2000111854 A JP 2000111854A JP 2000351974 A JP2000351974 A JP 2000351974A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
molecules
ppm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000111854A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4174951B2 (en
JP2000351974A5 (en
Inventor
Hitotsugu Oaku
仁嗣 大阿久
Sukekazu Araya
介和 荒谷
Yasushi Tomioka
冨岡  安
Katsumi Kondo
克己 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2000111854A priority Critical patent/JP4174951B2/en
Publication of JP2000351974A publication Critical patent/JP2000351974A/en
Publication of JP2000351974A5 publication Critical patent/JP2000351974A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4174951B2 publication Critical patent/JP4174951B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a liquid crystal display reducing afterimages in an active matrix type liquid crystal display installing pixel electrodes and common electrodes on a same substrate and applying voltage to them to drive liquid crystal molecules. SOLUTION: In this liquid crystal display 100 provided with a pair of transparent glass substrates 1, 14, liquid crystal 9 located between the substrates 1, 14, electrodes 2, 5 and 6 to apply electric fields 25 almost parallel to the face of the substrate and thin film transistors 16 as active elements formed on the substrate 1, orientation films 8, 10 formed on the faces of the substrates 1, 14 contacting with the liquid crystal 9 and an optical tool 15, the liquid crystal 9 includes a non-liquid crystal molecule capable of reducing absorption of ion to the orientation films.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、同一基板上に形成
された電極に電圧を印加することにより液晶層を動作さ
せるアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device which operates a liquid crystal layer by applying a voltage to electrodes formed on the same substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、一対の基板間に挟持さ
れた液晶層の液晶分子に電界を印加して、液晶の配向方
向を変化させ、それにより生じる液晶層の光学変化を利
用して表示を行う。従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、液晶に印加する電界の方向が液晶を挟持す
る基板面にほぼ垂直な方向に設定され、液晶層の光旋光
性を利用して表示を行うツイステッドネマチック(T
N)表示方式に代表される。
2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device, an electric field is applied to liquid crystal molecules of a liquid crystal layer sandwiched between a pair of substrates to change the orientation of the liquid crystal and to utilize the optical change of the liquid crystal layer caused by the change. Display. In a conventional active matrix type liquid crystal display device, a direction of an electric field applied to the liquid crystal is set to a direction substantially perpendicular to a substrate surface sandwiching the liquid crystal, and a twisted nematic (T.sub.T) display is performed using the optical rotation of the liquid crystal layer.
N) Represented by a display system.

【0003】一方、櫛歯電極を用い、液晶に印加する電
界の方向を基板面にほぼ平行とし、又は基板面に平行な
電界成分を主に利用し、液晶の複屈折性を用いて表示を
行う横電界方式(In-Plane Switching:IPS)の液晶
表示装置が、特公昭63−21907号公報、米国特許
第4345249号、WO91/10936、特開平6
−160878号公報等により提案されている。この横
電界方式はTN方式に比べて広視野角,低負荷容量等の
利点があり、新たなアクティブマトリクス型液晶表示装
置として近年急速に進歩している技術である。かかる横
電界方式においては、TN方式のように用いる電極が透
明である必要はなく、導電性が高く不透明な金属電極が
用いられている。
On the other hand, the direction of the electric field applied to the liquid crystal is made substantially parallel to the substrate surface using a comb-tooth electrode, or an electric field component parallel to the substrate surface is mainly used, and display is performed by using birefringence of the liquid crystal. The in-plane switching (IPS) liquid crystal display device is disclosed in Japanese Patent Publication No. 63-21907, U.S. Pat. No. 4,345,249, WO91 / 10936, and Japanese Unexamined Patent Application Publication No.
It has been proposed by JP-A-160878. The lateral electric field method has advantages such as a wide viewing angle and a low load capacity as compared with the TN method, and is a technology which has been rapidly advanced in recent years as a new active matrix type liquid crystal display device. In such a lateral electric field method, an electrode used as in the TN method does not need to be transparent, and an opaque metal electrode having high conductivity is used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置において
は、直流電圧が重畳された液晶駆動電圧波形が液晶層に
印加された場合、その直流電圧を除いても液晶層中に直
流電圧(直流オフセット電圧)が残留することが知られ
ている。そして、松本正一編著「液晶ディスプレイ技
術」産業図書株式会社発行(1996)の第2章の第7
0頁〜第73頁に論じられているように、アクティブマ
トリクス型液晶表示装置では通常の液晶駆動において
も、直流電圧の重畳された駆動電圧波形が液晶層に印加
されることは液晶表示装置のアクティブ駆動素子の構造
上起こり得て、階調表示を行う場合など、直流電圧の重
畳現象を完全に防止することは困難である。このような
現象は従来のTN方式及び横電界方式の何れにも共通す
る。
In a liquid crystal display device, when a liquid crystal driving voltage waveform on which a DC voltage is superimposed is applied to a liquid crystal layer, a DC voltage (DC offset) is applied to the liquid crystal layer even if the DC voltage is removed. Voltage) is known to remain. Then, "Liquid Crystal Display Technology", edited by Shoichi Matsumoto, published by Sangyo Tosho Co., Ltd. (1996), Chapter 2, Chapter 7
As discussed on pages 0 to 73, in an active matrix type liquid crystal display device, even in a normal liquid crystal drive, a drive voltage waveform on which a DC voltage is superimposed is applied to a liquid crystal layer. It is difficult to completely prevent the DC voltage superposition phenomenon, which may occur due to the structure of the active driving element and performs gradation display, for example. Such a phenomenon is common to both the conventional TN method and the horizontal electric field method.

【0005】この残留した直流電圧はTN方式か横電界
方式かに関わらず、液晶表示装置での輝度に影響し、直
流電圧が印加された部分とされない部分との間、若しく
は印加直流電圧の強度が異なる部分間で輝度差を生じさ
せる。よって、例えば、通常の駆動条件で文字や図形を
長時間表示した場合、表示を消去した後でも、先に表示
した文字や図形がしばらくの間表示されるという現象を
発生させることになる。その結果、表示の均一性は損な
われる。このような現象は液晶表示装置における「残
像」と呼ばれており、発現後時間の経過とともに徐々に
強度は弱くなって最終的には消失するものの、人の目に
見えなくなるまでに30分間以上も時間がかかる場合が
ある。
[0005] The remaining DC voltage affects the brightness of the liquid crystal display device regardless of the TN mode or the lateral electric field mode, and is applied between the portion where the DC voltage is applied and the portion where the DC voltage is not applied or the intensity of the applied DC voltage. Causes a luminance difference between different parts. Therefore, for example, when characters and graphics are displayed for a long time under normal driving conditions, a phenomenon occurs in which the previously displayed characters and graphics are displayed for a while even after the display is erased. As a result, display uniformity is impaired. Such a phenomenon is called “afterimage” in a liquid crystal display device, and the intensity gradually decreases with the passage of time after the occurrence and eventually disappears, but it takes more than 30 minutes before it becomes invisible to human eyes. May also take some time.

【0006】直流電圧が印加された場合に液晶層に直流
のオフセット電圧が残留する機構については、信学技報
EID96−89(1997−01)の第29頁〜第3
4頁により、従来TN方式を例にとって、液晶層中のイ
オンの挙動によって説明するモデルが提案されている。
このモデルによれば、液晶層中に残留する直流電圧の原
因として配向膜に充電された直流電圧と、イオンの液晶
配向用配向膜への吸着を考える。そして、数分程度の直
流電圧の残留は配向膜の充電と緩和に起因し、それ以上
の非常に長い直流電圧の残留はイオンの配向膜への吸着
が原因であると結論している。そして、残留する直流電
圧は吸着イオンの総電気量で決まることが示されてお
り、液晶層中のイオン量が多いほど残留直流電圧は大き
くなることが示唆された。
The mechanism by which a DC offset voltage remains in the liquid crystal layer when a DC voltage is applied is described in IEICE Technical Report EID 96-89 (1997-01), pp. 29-3.
On page 4, a model has been proposed which describes the behavior of ions in the liquid crystal layer, taking the conventional TN mode as an example.
According to this model, the DC voltage remaining in the liquid crystal layer is considered to be caused by the DC voltage charged in the alignment film and the adsorption of ions to the alignment film for liquid crystal alignment. Then, it is concluded that the residual DC voltage of about several minutes is caused by charging and relaxation of the alignment film, and that the DC voltage remaining longer than that is caused by adsorption of ions to the alignment film. It has been shown that the residual DC voltage is determined by the total amount of electricity of the adsorbed ions, suggesting that the larger the amount of ions in the liquid crystal layer, the higher the residual DC voltage.

【0007】なお、上記残留直流電圧のモデルでイオン
が吸着するとされる配向膜については、通常のアクティ
ブマトリクス液晶表示装置ではポリイミドが用いられて
いる。配向膜の充電とその緩和に起因する直流電圧の残
留現象に対しては、特開平7−159786号公報によ
り、配向膜及び液晶の誘電率と比抵抗を最適化すること
によって抑制する方法が提案されている。しかしなが
ら、従来から問題とされるのは30分間にも及ぶことも
ある長時間の残像現象である。上記モデルによれば、長
時間の残留直流電圧はイオンの配向膜への吸着が大きく
影響しており、長時間の残像もイオンの配向膜への吸着
が影響していると推定した。従って、液晶層中のイオン
量を少なくして配向膜への吸着に関与しうるイオンの総
数を少なくすることが吸着起因の残留直流電圧の低下に
は有効であり、残像低減においては高比抵抗の液晶を液
晶表示装置に使用することが望ましい。しかしながら、
横電界方式においては、液晶の高比抵抗化について困難
さを伴う場合がある。かかる問題点について以下に説明
する。
[0007] As for the alignment film in which ions are adsorbed in the model of the residual DC voltage, polyimide is used in a usual active matrix liquid crystal display device. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-159786 proposes a method for suppressing the residual phenomenon of DC voltage caused by charging of the alignment film and its relaxation by optimizing the dielectric constant and specific resistance of the alignment film and the liquid crystal. Have been. However, a problem that has conventionally been a problem is a long-lasting image lag phenomenon that may be as long as 30 minutes. According to the above model, it is estimated that the long-term residual DC voltage is largely affected by the adsorption of ions to the alignment film, and the long-term afterimage is also influenced by the adsorption of ions to the alignment film. Therefore, it is effective to reduce the amount of ions in the liquid crystal layer to reduce the total number of ions that can be involved in the adsorption to the alignment film, in order to reduce the residual DC voltage due to the adsorption, and to reduce the afterimage in order to reduce the residual image. It is desirable to use the liquid crystal in the liquid crystal display device. However,
In the horizontal electric field method, there are cases where it is difficult to increase the specific resistance of the liquid crystal. Such a problem will be described below.

【0008】横電界方式では上記のように金属電極を使
用しており、不透明な電極部分を表示のための光透過領
域にすることはできない。そのため、単位画素当りの光
が透過する面積である開口率を大きくすることが必要と
なる。高開口率化を達成するためには電極間ギャップを
大きくすることが有効であるが、十分な開口率を確保す
るために設定される電極間ギャップは従来TN方式に比
べ大きくなることがある。その場合、考慮する必要があ
るのは液晶表示装置の駆動電圧である。横電界方式にお
ける液晶配向変化のしきい値電圧(V)は、リキッド
クリスタル、1997、Vol.22,No.4,第37
9頁〜第390頁(M.Oh-e and K.Kondo, Liquid Cryst
als,1997, Vol.22, No.4, 379-390.)によれば、次の
〔数1〕に示されるように、電極間ギャップ(L)及び
液晶の誘電率異方性(Δε)等の関数で表される。
In the lateral electric field method, the metal electrode is used as described above, and the opaque electrode portion cannot be used as a light transmitting area for display. Therefore, it is necessary to increase the aperture ratio, which is the area through which light per unit pixel is transmitted. To achieve a high aperture ratio, it is effective to increase the inter-electrode gap. However, the inter-electrode gap set to secure a sufficient aperture ratio may be larger than in the conventional TN system. In that case, what needs to be considered is the drive voltage of the liquid crystal display device. The threshold voltage (V) of the liquid crystal alignment change in the in-plane switching method is the
Crystal, 1997, Vol. 22, No. 4, No. 37
Pages 9 to 390 (M. Oh-e and K. Kondo, Liquid Cryst
als, 1997, Vol. 22, No. 4, 379-390.), as shown in the following [Equation 1], the gap between the electrodes (L) and the dielectric anisotropy (Δε) of the liquid crystal. And so on.

【0009】[0009]

【数1】 V=(π・L/d)/{K2/(ε0・|Δε|)} L :電極間ギャップ d :液晶層の厚み K2 :液晶のツイストの弾性常数 ε0 :真空の誘電率 Δε :液晶の誘電率異方性 よって、電極間ギャップを大きくすることの影響を相殺
し、しきい値電圧の上昇を抑えるためには、例えば、液
晶の誘電率異方性を大きくすること、液晶のツイストの
弾性常数を小さくすることなどが有効である。そして、
アイディーダブリュー‘97 プロスィーディング、第
171頁〜第173頁(Masahito Oh-eet al, IDW ‘97
Proceedings pp171-173.)によれば、高い誘電率異方
性の液晶の使用が特に有効とされる。こうして、従来T
N方式と比べて使用上問題の無い開口率と駆動電圧を維
持しつつ、更に広視野角等の優れた特性を有する横電界
方式液晶表示装置の提供を可能としている。
V = (π · L / d) / {K 2 / (ε 0 · | Δε |)} L: gap between electrodes d: thickness of liquid crystal layer K 2 : twist elastic constant of liquid crystal ε 0 : Vacuum dielectric constant Δε: dielectric anisotropy of the liquid crystal Therefore, in order to cancel the effect of increasing the gap between the electrodes and to suppress the rise in the threshold voltage, for example, the dielectric anisotropy of the liquid crystal must be reduced. It is effective to increase the size and to reduce the elastic constant of the twist of the liquid crystal. And
IDW '97 Proseding, pages 171 to 173 (Masahito Oh-eet al, IDW '97
According to Proceedings pp. 171-173.), The use of a liquid crystal having a high dielectric anisotropy is particularly effective. Thus, the conventional T
It is possible to provide an in-plane switching mode liquid crystal display device having excellent characteristics such as a wide viewing angle while maintaining an aperture ratio and a driving voltage that have no problem in use as compared with the N mode.

【0010】この時、高い誘電率異方性の液晶とは、一
般に所謂高極性の液晶分子を多く含んで構成されてい
る。従って、高い誘電率異方性の液晶と高極性物質であ
るイオンとの相互作用は強い。よって、例えば高極性の
吸着剤へのイオンの吸着を利用した通常の液晶精製方法
により、液晶中から不純物イオンを除くことは難しくな
り、液晶として高比抵抗液晶を使用することは困難にな
る。従って、高い誘電率異方性の液晶は低誘電率異方性
の液晶に比べ比抵抗は低いこと、すなわち液晶層中のイ
オンは多くなってしまう場合が多く、上記のモデルか
ら、直流電圧印加による配向膜へのイオンの吸着量の増
大を引き起こす。その結果、残留する直流電圧の抑制、
ひいては残像の抑制が難しくなる。従って、横電界方式
の液晶表示装置においては、従来TN方式の液晶表示装
置に比べ、残像に対する懸念が大きい。
At this time, the liquid crystal having a high dielectric anisotropy generally includes a large amount of so-called high-polarity liquid crystal molecules. Therefore, the interaction between the liquid crystal having a high dielectric anisotropy and the ion which is a highly polar substance is strong. Therefore, for example, it is difficult to remove impurity ions from the liquid crystal by a normal liquid crystal refining method utilizing the adsorption of ions to a high-polarity adsorbent, and it becomes difficult to use a high resistivity liquid crystal as the liquid crystal. Therefore, a liquid crystal having a high dielectric anisotropy has a lower specific resistance than a liquid crystal having a low dielectric anisotropy, that is, the number of ions in the liquid crystal layer is often increased. Causes an increase in the amount of ions adsorbed on the alignment film. As a result, the suppression of the residual DC voltage,
As a result, it is difficult to suppress the afterimage. Therefore, in the horizontal electric field type liquid crystal display device, there is a greater concern about afterimages than in the conventional TN type liquid crystal display device.

【0011】本発明は、このような横電界方式の液晶表
示装置の問題点を解決した新規な横電界方式液晶表示装
置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a novel in-plane switching mode liquid crystal display device which solves the problems of the in-plane switching mode liquid crystal display device.

【0012】また、本発明の他の目的は、直流電圧の印
加後に残存する表示の不均一な状態、すなわち残像の発
生しにくい横電界方式アクティブマトリクス型液晶表示
装置を提供することである。
Another object of the present invention is to provide an in-plane switching type active matrix type liquid crystal display device in which display remains after application of a DC voltage, that is, the display is not uniform.

【0013】また更に本発明の他の目的は、高開口率と
低電圧駆動特性を両立するとともに残像の発生しにくい
横電界方式アクティブマトリクス型液晶表示装置を提供
することである。
It is still another object of the present invention to provide a lateral electric field type active matrix type liquid crystal display device which has both a high aperture ratio and a low voltage driving characteristic and is hard to generate an afterimage.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
一実施態様によれば、少なくとも一方が透明な一対の基
板と、一対の基板の互いに対向する面上に形成された液
晶配向制御層と、一対の基板間に前記液晶配向制御層に
接触するようにして配置された液晶と、一対の基板の内
の一方に形成された電極及びアクティブ素子と、液晶の
配向状態に応じて光学特性を変える光学手段とを備え、
液晶は、アミン構造,アミド構造,アゾ構造,ジアゾ構
造,アジド構造,ニトリル構造,ニトロソ構造,ニトロ
構造,アルデヒド構造,グリコール構造,エーテル構
造,エステル構造,カルボン酸構造,ケトン構造,キノ
ン構造,チオエーテル構造,チオール構造,スルホン酸
構造,スルフェン酸構造,スルフィン酸構造,スルホキ
シド構造、及び有機リン構造からなる群から選択された
少なくとも一の構造を分子内に有する非液晶性分子を含
有して構成されるというものである。
According to one embodiment of the liquid crystal display device of the present invention, at least one of the pair of substrates is transparent, and the liquid crystal alignment control layer is formed on surfaces of the pair of substrates facing each other. A liquid crystal disposed between a pair of substrates so as to contact the liquid crystal alignment control layer, an electrode and an active element formed on one of the pair of substrates, and an optical characteristic according to an alignment state of the liquid crystal. Optical means for changing the
Liquid crystal has amine structure, amide structure, azo structure, diazo structure, azide structure, nitrile structure, nitroso structure, nitro structure, aldehyde structure, glycol structure, ether structure, ester structure, carboxylic acid structure, ketone structure, quinone structure, thioether It contains non-liquid crystalline molecules having at least one structure selected from the group consisting of a structure, a thiol structure, a sulfonic acid structure, a sulfenic acid structure, a sulfinic acid structure, a sulfoxide structure, and an organic phosphorus structure in a molecule. That is.

【0015】この液晶表示装置によると、液晶中に含有
された前記非液晶性分子が、配向膜上のイオンと相互作
用する部位に吸着してその部位を覆い隠すことが可能と
なり、イオンと配向膜との相互作用をし難くすることが
可能となる。従って、直流電圧を印加したときのイオン
の配向膜への吸着量を減少させることが可能となり、直
流電圧の残留を抑えて、残像の低減された液晶表示装置
の提供が可能となる。
According to this liquid crystal display device, the non-liquid crystal molecules contained in the liquid crystal can be adsorbed on the site on the alignment film that interacts with the ions to cover the site, and the ions and the alignment Interaction with the film can be made difficult. Therefore, the amount of ions adsorbed on the alignment film when a DC voltage is applied can be reduced, and the DC voltage can be suppressed from remaining, thereby providing a liquid crystal display device with reduced afterimage.

【0016】液晶の、非液晶性分子の含有量は重量で1
ppm (1×10-4重量%)以上10000ppm 以下であ
ることが望ましい。液晶に1ppm 以上10000ppm 以
下の前記非液晶性分子を含有させることにより、液晶の
液晶性の低下をアクティブマトリクス型液晶表示装置で
の許容範囲内に抑えつつ、残像の低減が可能となり、優
れた液晶特性を具備し、残像の低減された液晶表示装置
の提供が可能となる。
The content of non-liquid crystal molecules in the liquid crystal is 1 by weight.
It is desirable that the content be not less than ppm (1 × 10 −4 wt%) and not more than 10,000 ppm. By including 1 ppm or more and 10000 ppm or less of the non-liquid crystal molecules in the liquid crystal, it is possible to reduce the afterimage while keeping the liquid crystal property of the liquid crystal within the allowable range of the active matrix type liquid crystal display device. It is possible to provide a liquid crystal display device having characteristics and having reduced afterimage.

【0017】液晶の、非液晶性分子の含有量は重量で1
ppm 以上95ppm 以下であることがより好ましい。液晶
に1ppm 以上95ppm 以下の前記非液晶性分子を含有さ
せることにより、液晶の液晶性を低下させることなく残
像の低減が可能となり、非常に優れた液晶特性を具備
し、残像の低減された液晶表示装置の提供が可能とな
る。
The content of non-liquid crystal molecules in the liquid crystal is 1 by weight.
More preferably, it is not less than ppm and not more than 95 ppm. By including 1 ppm or more and 95 ppm or less of the non-liquid crystal molecules in the liquid crystal, the afterimage can be reduced without deteriorating the liquid crystallinity of the liquid crystal, and a liquid crystal having extremely excellent liquid crystal characteristics and having a reduced afterimage can be provided. A display device can be provided.

【0018】非液晶性分子は、例えばアミン,エーテル
構造を有する分子、あるいはポリエーテル構造を有する
分子とすることができる。アミン,エーテル構造を有す
る非液晶性分子あるいはポリエーテル構造を有する非液
晶性分子は、配向膜への吸着能力が高いため、イオンと
競争してイオンの配向膜への吸着を高効率に抑えること
が可能であり、直流電圧の印加したときのイオンの配向
膜への吸着量を高効率に減少させ、直流電圧の残留を抑
えて、残像の非常に少ない液晶表示装置の提供が可能と
なる。
The non-liquid crystal molecules can be, for example, molecules having an amine or ether structure or molecules having a polyether structure. Non-liquid crystal molecules having an amine or ether structure or non-liquid crystal molecules having a polyether structure have a high adsorption ability to the alignment film, and therefore compete with ions to suppress the adsorption of ions to the alignment film with high efficiency. It is possible to provide a liquid crystal display device having a very low afterimage by reducing the amount of ions adsorbed on the alignment film when a DC voltage is applied, suppressing the DC voltage from remaining, and suppressing the residual voltage.

【0019】液晶は、8以上の誘電率異方性を有する液
晶とすることができる。液晶が8以上の高誘電率異方性
を有することにより高開口率と低駆動電圧特性の両立が
可能となる。従って、高開口率と低駆動電圧特性とを両
立するとともに、直流電圧の残留を抑えて、残像の非常
に少ない液晶表示装置の提供が可能となる。
The liquid crystal can be a liquid crystal having a dielectric anisotropy of 8 or more. When the liquid crystal has a high dielectric anisotropy of 8 or more, it is possible to achieve both high aperture ratio and low driving voltage characteristics. Therefore, it is possible to provide a liquid crystal display device that achieves both a high aperture ratio and low drive voltage characteristics, suppresses residual DC voltage, and has very little afterimage.

【0020】また、液晶はシアノ基を分子構造内に有す
る液晶分子を含有して構成される液晶とすることができ
る。シアノ基を分子構造内に有する液晶分子を含有して
液晶を構成することで容易に8以上の高誘電率を達成で
きる。よって、高開口率と低駆動電圧特性の両立が可能
となる。従って、高開口率と低駆動電圧特性とを容易に
両立するとともに、直流電圧の残留を抑えて、残像の非
常に少ない液晶表示装置の提供が可能となる。
The liquid crystal may be a liquid crystal containing liquid crystal molecules having a cyano group in the molecular structure. By forming a liquid crystal containing a liquid crystal molecule having a cyano group in the molecular structure, a high dielectric constant of 8 or more can be easily achieved. Therefore, both high aperture ratio and low drive voltage characteristics can be achieved. Accordingly, it is possible to easily provide a high aperture ratio and a low driving voltage characteristic, suppress a DC voltage from remaining, and provide a liquid crystal display device with very little afterimage.

【0021】また、本発明の液晶表示装置の別の実施態
様によれば、一対の基板と、一対の基板間に挟持された
液晶層と、一対の基板の少なくとも一方の基板に画素電
極及び共通電極並びにアクティブ素子を配置し、画素電
極及び共通電極間に電圧をかけることにより液晶層の液
晶を制御して表示を行い、液晶は、アミン構造,アミド
構造,アゾ構造,ジアゾ構造,アジド構造,ニトリル構
造,ニトロソ構造,ニトロ構造,アルデヒド構造,グリ
コール構造,エーテル構造,エステル構造,カルボン酸
構造,ケトン構造,キノン構造,チオエーテル構造,チ
オール構造,スルホン酸構造,スルフェン酸構造,スル
フィン酸構造,スルホキシド構造、及び有機リン構造か
らなる群から選択された少なくとも一の構造を分子内に
有する非液晶性分子を含有して構成された液晶であり、
画素電極と前記共通電極の少なくとも一方は、透明導電
膜を用いて構成されるというものである。
According to another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention, a pair of substrates, a liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates, a pixel electrode and a common electrode are provided on at least one of the pair of substrates. An electrode and an active element are arranged, and a voltage is applied between a pixel electrode and a common electrode to control a liquid crystal in a liquid crystal layer to perform display. The liquid crystal has an amine structure, an amide structure, an azo structure, a diazo structure, an azide structure, Nitrile structure, nitroso structure, nitro structure, aldehyde structure, glycol structure, ether structure, ester structure, carboxylic acid structure, ketone structure, quinone structure, thioether structure, thiol structure, sulfonic acid structure, sulfenic acid structure, sulfinic acid structure, sulfoxide A non-liquid crystalline component having at least one structure selected from the group consisting of A liquid crystal which is configured to contain,
At least one of the pixel electrode and the common electrode is configured using a transparent conductive film.

【0022】この液晶表示装置によると、電極部分を光
が透過するため、開口率が増大し、同時に電極間ギャッ
プについても金属電極の場合に比べ小さくすることがで
き、より低い誘電異方性の液晶、即ちより含有イオンの
少ない液晶を使用することができる。しかし、電極間隔
を狭めれば、その分電極近傍に集中する電界強度が加速
度的に増大し、電極近傍でイオンの吸着が起こりやすく
なって、少ないイオンでありながら、強度の高い残像を
発生させてしまう可能性を有している。特に、画素電極
と共通電極とを、少なくとも一部が絶縁膜を介して重畳
され、付加容量を形成する構成とした場合、上記非液晶
性分子を添加することによる液晶比抵抗の低下懸念、ひ
いては液晶表示装置のコントラスト比の低下に繋がる電
荷保持特性の低下懸念に対し、電荷保持率の低下を起こ
り難くする効果を有している。よって、液晶表示装置の
表示品位向上の観点からは望ましい構造であるが、画素
電極と共通電極の間隔は非常に狭く、上層の配置された
電極近傍に集中する電界は非常に大きくなり、イオンの
吸着はとても強く発生し、残像強度は著しく高くなって
しまう。
According to this liquid crystal display device, since light is transmitted through the electrode portion, the aperture ratio is increased, and at the same time, the gap between the electrodes can be reduced as compared with the case of the metal electrode. A liquid crystal, that is, a liquid crystal having less contained ions can be used. However, if the distance between the electrodes is reduced, the electric field intensity concentrated near the electrodes increases accordingly, and the adsorption of ions tends to occur near the electrodes. Have the potential to In particular, when the pixel electrode and the common electrode are at least partially overlapped with each other via an insulating film to form an additional capacitor, there is a fear that the non-liquid crystal molecules are added to lower the liquid crystal specific resistance, and thus, This has the effect of making it difficult to lower the charge retention rate in response to the concern that the charge retention characteristics will lead to a decrease in the contrast ratio of the liquid crystal display device. Therefore, although this is a desirable structure from the viewpoint of improving the display quality of the liquid crystal display device, the distance between the pixel electrode and the common electrode is very narrow, and the electric field concentrated near the upper layer disposed electrode becomes very large. Adsorption occurs very strongly, and the afterimage intensity becomes extremely high.

【0023】そこで、液晶中に含有させた前記非液晶性
分子により、配向膜上のイオンと相互作用する部位に吸
着させ、その部位を覆い隠すことを可能とし、イオンと
配向膜との相互作用をし難くする。こうして、直流電圧
を印加したときのイオンの配向膜への吸着量を減少させ
ることが可能となり、直流電圧の残留を抑えて、残像の
低減された液晶表示装置の提供が可能となる。
Therefore, the non-liquid crystalline molecules contained in the liquid crystal are allowed to be adsorbed on the portion of the alignment film that interacts with the ions, thereby covering and hiding the portion, and the interaction between the ions and the alignment film is enabled. Make it difficult to do. Thus, the amount of ions adsorbed on the alignment film when a DC voltage is applied can be reduced, and the DC voltage can be suppressed from remaining, and a liquid crystal display device with reduced afterimage can be provided.

【0024】液晶の、非液晶性分子の含有量は重量で1
ppm (1×10-4重量%)以上10000ppm 以下であ
ることが望ましい。液晶に1ppm 以上10000ppm 以
下の前記非液晶性分子を含有させることにより、液晶の
液晶性の低下をアクティブマトリクス型液晶表示装置で
の許容範囲内に抑えつつ、残像の低減が可能となり、優
れた液晶特性を具備し、残像の低減された液晶表示装置
の提供が可能となる。
The content of non-liquid crystal molecules in the liquid crystal is 1 by weight.
It is desirable that the content be not less than ppm (1 × 10 −4 wt%) and not more than 10,000 ppm. By including 1 ppm or more and 10000 ppm or less of the non-liquid crystal molecules in the liquid crystal, it is possible to reduce the afterimage while keeping the liquid crystal property of the liquid crystal within the allowable range of the active matrix type liquid crystal display device. It is possible to provide a liquid crystal display device having characteristics and having reduced afterimage.

【0025】液晶の、非液晶性分子の含有量は重量で1
ppm 以上95ppm 以下であることがより好ましい。液晶
に1ppm 以上95ppm 以下の前記非液晶性分子を含有さ
せることにより、液晶の液晶性を低下させることなく残
像の低減が可能となり、非常に優れた液晶特性を具備
し、残像の低減された液晶表示装置の提供が可能とな
る。
The content of non-liquid crystal molecules in the liquid crystal is 1 by weight.
More preferably, it is not less than ppm and not more than 95 ppm. By including 1 ppm or more and 95 ppm or less of the non-liquid crystal molecules in the liquid crystal, the afterimage can be reduced without deteriorating the liquid crystallinity of the liquid crystal, and a liquid crystal having extremely excellent liquid crystal characteristics and having a reduced afterimage can be provided. A display device can be provided.

【0026】非液晶性分子は、例えばアミン,エーテル
構造を有する分子、あるいはポリエーテル構造を有する
分子とすることができる。アミン,エーテル構造を有す
る非液晶性分子あるいはポリエーテル構造を有する非液
晶性分子は、配向膜への吸着能力が高いため、イオンと
競争してイオンの配向膜への吸着を高効率に抑えること
が可能であり、大きな直流電圧を印加したとき、特に、
画素電極と共通電極とを、少なくとも一部が絶縁膜を介
して重畳して付加容量を形成する構成とした場合にイオ
ンの配向膜への吸着量を高効率に減少させ、直流電圧の
残留を抑えて、残像の非常に少ない液晶表示装置の提供
が可能となる。
The non-liquid crystal molecules can be, for example, molecules having an amine or ether structure or molecules having a polyether structure. Non-liquid crystal molecules having an amine or ether structure or non-liquid crystal molecules having a polyether structure have a high adsorption ability to the alignment film, and therefore compete with ions to suppress the adsorption of ions to the alignment film with high efficiency. And when a large DC voltage is applied,
When at least a part of the pixel electrode and the common electrode overlap each other via an insulating film to form an additional capacitor, the amount of ions adsorbed on the alignment film is reduced with high efficiency, and the residual DC voltage is reduced. In addition, it is possible to provide a liquid crystal display device with very little afterimage.

【0027】液晶は負の誘電率異方性を有することによ
り、画素電極と共通電極との間に発生する電界の基板に
平行な成分に対して反応し、配向変化の動作をすること
となる。すなわち、基板に垂直な成分には反応せず、基
板の面内で立ち上がり動作することなく面内での均一な
スイッチング動作をすることができ、一部領域で液晶が
立ち上がることによる液晶セルの光学特性の分布(液晶
のΔnの分布による)は発現せず、均一な、高透過率の
液晶表示装置を提供することが可能となる。
Since the liquid crystal has a negative dielectric anisotropy, the liquid crystal reacts to a component of an electric field generated between the pixel electrode and the common electrode, which is parallel to the substrate, and changes the orientation. . That is, it does not react to the component perpendicular to the substrate, and can perform a uniform switching operation in the plane without rising in the plane of the substrate. The distribution of the characteristics (depending on the distribution of Δn of the liquid crystal) does not appear, and it is possible to provide a uniform, high transmittance liquid crystal display device.

【0028】液晶にシアノ基を分子構造内に有する液晶
分子(シアノ液晶と称する)を含有して構成される液晶
を使用することができる。シアノ液晶は高誘電異方性の
液晶であって、その使用により、液晶表示装置の駆動電
圧を低くすることができるが、一方、極性の高い液晶で
あり、含有しているイオンも多く、またイオンを取り除
くことも困難である。よって、液晶中に含有させた前記
非液晶性分子により、配向膜上のイオンと相互作用する
部位に吸着させ、その部位を覆い隠し、シアノ液晶含有
のイオンと配向膜との相互作用をし難くする。こうし
て、残像の低減された低電圧で駆動できる液晶表示装置
の提供が可能となる。
A liquid crystal containing a liquid crystal molecule having a cyano group in its molecular structure (referred to as cyano liquid crystal) can be used. The cyano liquid crystal is a liquid crystal having a high dielectric anisotropy, and by using the liquid crystal, the driving voltage of the liquid crystal display device can be lowered. On the other hand, the liquid crystal has a high polarity and contains many ions. It is also difficult to remove ions. Therefore, the non-liquid crystal molecules contained in the liquid crystal cause the non-liquid crystal molecules to be adsorbed on the site that interacts with the ions on the alignment film, cover the site, and make it difficult for the ion containing cyano liquid crystal to interact with the alignment film. I do. Thus, it is possible to provide a liquid crystal display device which can be driven at a low voltage with reduced afterimages.

【0029】電極を構成する透明導電膜は、インジウム
−チン−オキサイド(ITO)膜又は酸化インジウム亜
鉛(IZO)膜とすることができる。ITO膜又はIZ
O膜とすることにより、電極の加工が容易となり、所望
の構造の電極を容易に形成することができ、高信頼で高
透過率の液晶表示装置の提供が可能となる。
The transparent conductive film constituting the electrode can be an indium-tin-oxide (ITO) film or an indium zinc oxide (IZO) film. ITO film or IZ
By using the O film, the electrode can be easily processed, an electrode having a desired structure can be easily formed, and a liquid crystal display device with high reliability and high transmittance can be provided.

【0030】本発明の液晶表示装置は、少なくとも一方
が透明な一対の基板の内の一方に液晶配向層(例えば、
ポリイミド膜層)を形成し、他方の基板上に基板面にほ
ぼ平行な電界を形成するための電極とアクティブ素子と
を配設するとともに電極上に液晶配向層(例えば、ポリ
イミド膜層)を形成し、液晶配向層がそれぞれ液晶と触
れるように、アミン構造,アミド構造,アゾ構造,ジア
ゾ構造,アジド構造,ニトリル構造,ニトロソ構造,ニ
トロ構造,アルデヒド構造,グリコール構造,エーテル
構造,エステル構造,カルボン酸構造,ケトン構造,キ
ノン構造,チオエーテル構造,チオール構造,スルホン
酸構造,スルフェン酸構造,スルフィン酸構造,スルホ
キシド構造,有機リン構造からなる群から選択された少
なくとも一の構造を分子内に有する非液晶性分子を含有
して構成された液晶を前記一対の基板間に挟み込み、液
晶の配向状態に応じて光学特性を変える光学手段を設け
ることで製造することができる。
In the liquid crystal display device of the present invention, at least one of the pair of transparent substrates has a liquid crystal alignment layer (for example,
A polyimide film layer is formed, an electrode for forming an electric field substantially parallel to the substrate surface and an active element are arranged on the other substrate, and a liquid crystal alignment layer (for example, a polyimide film layer) is formed on the electrode. Amine structure, amide structure, azo structure, diazo structure, azide structure, nitrile structure, nitroso structure, nitro structure, aldehyde structure, glycol structure, ether structure, ester structure, A non-molecular compound having at least one structure selected from the group consisting of an acid structure, a ketone structure, a quinone structure, a thioether structure, a thiol structure, a sulfonic acid structure, a sulfenic acid structure, a sulfinic acid structure, a sulfoxide structure, and an organic phosphorus structure. A liquid crystal including liquid crystal molecules is sandwiched between the pair of substrates, and the liquid crystal is adapted to the alignment state of the liquid crystal. It can be produced by providing an optical means for changing optical properties Te.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0032】本発明は、上記したイオンの挙動により液
晶層中に直流電圧が残留するモデルの新たな考察に基づ
いてなされた。すなわち、上記モデルに従えば、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置で問題となっている残
像、とくに長時間の残像は、イオンの配向膜への吸着に
起因する。従って、液晶層中のイオン量を減らすことが
残像低減には有効であろうことは上記した通りである。
そして、液晶の高比抵抗化は電荷保持率の維持、ひいて
は表示品位の低下を抑制という観点からアクティブマト
リクス型液晶表示装置において常々検討されてきた課題
である。
The present invention has been made based on a new consideration of a model in which a DC voltage remains in a liquid crystal layer due to the behavior of ions described above. That is, according to the above model, the afterimage, which is a problem in the active matrix type liquid crystal display device, particularly, a long afterimage is caused by adsorption of ions to the alignment film. Therefore, as described above, it is effective to reduce the amount of ions in the liquid crystal layer to reduce the afterimage.
In addition, increasing the specific resistance of the liquid crystal is a subject that has always been studied in an active matrix type liquid crystal display device from the viewpoint of maintaining the charge retention rate and suppressing the deterioration of the display quality.

【0033】本発明者らは、ここで従来の検討とは異な
る新たな方向から液晶表示装置の残像低減について検討
した。すなわち、残像がイオンの吸着に起因するなら
ば、吸着に関与しうるイオンの総量を減らすこと以外
に、イオンの吸着をし難くすること、若しくは配向膜に
イオンが吸着しても素早く解離するようにすることでも
残像は低減できるはずである。かかる新たな考察に従
い、液晶中のイオンを配向膜に吸着し難くすること、若
しくは配向膜に吸着しても素早く解離するようにして残
像を低減することを目的として種々の検討を試みた。
The present inventors have studied the reduction of the afterimage of the liquid crystal display device from a new direction different from the conventional study. In other words, if the afterimage is caused by the adsorption of ions, in addition to reducing the total amount of ions that can be involved in the adsorption, it is difficult to adsorb the ions, or the ions are quickly dissociated even if the ions are adsorbed on the alignment film. Should be able to reduce the afterimage. In accordance with such new considerations, various studies have been made for the purpose of making it difficult for ions in the liquid crystal to be adsorbed on the alignment film, or of dissociating quickly even after being adsorbed on the alignment film to reduce the afterimage.

【0034】その結果、アミン構造,アミド構造,アゾ
構造,ジアゾ構造,アジド構造,ニトリル構造,ニトロ
ソ構造,ニトロ構造,アルデヒド構造,グリコール構
造,エーテル構造,エステル構造,カルボン酸構造,ケ
トン構造,キノン構造,チオエーテル構造,チオール構
造,スルホン酸構造,スルフェン酸構造,スルフィン酸
構造,スルホキシド構造、及び有機リン構造からなる群
から選択された少なくとも一の構造を分子内に有する非
液晶性分子(以下、適宜、単に非液晶性分子と称す
る。)を液晶中に添加し、横電界方式液晶表示装置にお
ける液晶を構成して使用したところ、該液晶表示装置で
は残像が低減されることが分かった。なお、本明細書に
おいて、非液晶性とは液晶性が無いことを言い、液晶性
とは液晶状態を示す事を言う。
As a result, amine structures, amide structures, azo structures, diazo structures, azide structures, nitrile structures, nitroso structures, nitro structures, aldehyde structures, glycol structures, ether structures, ester structures, carboxylic acid structures, ketone structures, quinones Non-liquid crystal molecules having at least one structure selected from the group consisting of a structure, a thioether structure, a thiol structure, a sulfonic acid structure, a sulfenic acid structure, a sulfinic acid structure, a sulfoxide structure, and an organic phosphorus structure (hereinafter, referred to as a “non-liquid crystal molecule”). The liquid crystal in the in-plane switching mode liquid crystal display device was used by adding liquid crystal (which will be simply referred to as a non-liquid crystal molecule) to the liquid crystal display device, and it was found that the afterimage was reduced in the liquid crystal display device. Note that in this specification, non-liquid crystal property means that there is no liquid crystal property, and liquid crystal property means that it shows a liquid crystal state.

【0035】このような残像低減効果の機構について
は、以下のように考えられる。アミン構造,アミド構
造,アゾ構造,ジアゾ構造,アジド構造,ニトリル構
造,ニトロソ構造,ニトロ構造,アルデヒド構造,グリ
コール構造,エーテル構造,エステル構造,カルボン酸
構造,ケトン構造,キノン構造,チオエーテル構造,チ
オール構造,スルホン酸構造,スルフェン酸構造,スル
フィン酸構造,スルホキシド構造、若しくは有機リン構
造を分子内に有する非液晶性分子は、イオンと競争しな
がら、その具備する非共有電子対を介して配向膜を構成
するポリイミドと相互作用して吸着する。この非液晶性
分子は無電荷(電気的に中性)であり、吸着しても直流
電圧の残留は引き起こさない。
The mechanism of such an afterimage reduction effect is considered as follows. Amine structure, amide structure, azo structure, diazo structure, azide structure, nitrile structure, nitroso structure, nitro structure, aldehyde structure, glycol structure, ether structure, ester structure, carboxylic acid structure, ketone structure, quinone structure, thioether structure, thiol structure Non-liquid crystalline molecules having a structure, a sulfonic acid structure, a sulfenic acid structure, a sulfinic acid structure, a sulfoxide structure, or an organic phosphorus structure in a molecule, compete with ions, and form an alignment film through a lone pair of electrons provided in the molecule. Interacts with and absorbs polyimide. These non-liquid crystalline molecules are non-charged (electrically neutral), and do not cause a DC voltage to remain even when adsorbed.

【0036】更に、非液晶性分子が、イオンの吸着しう
るポリイミド配向膜の表面部位を自ら吸着して覆い隠す
結果となり、イオンの吸着可能な部位は減少する。その
結果、イオンは配向膜に吸着できなくなるか、強く相互
作用することが困難となる。従って、直流電圧の印加に
よって、イオンは配向膜上に引き寄せられるものの、そ
のまま配向膜に吸着する量は減少し、残留する直流電圧
が減少して、その消失も速くなる。こうして、残像は低
減される。
Further, the non-liquid crystal molecules adsorb and cover the surface of the polyimide alignment film to which ions can be adsorbed, and the number of sites where ions can be adsorbed is reduced. As a result, the ions cannot be adsorbed on the alignment film or it is difficult to interact strongly. Therefore, although the ions are attracted to the alignment film by the application of the DC voltage, the amount of the ions directly adsorbed on the alignment film is reduced, the remaining DC voltage is reduced, and the elimination thereof is accelerated. Thus, afterimages are reduced.

【0037】従って、イオンと競争して配向膜上に吸着
した場合に、直流電圧が液晶層に残留しないようにする
ためには、上記非液晶性分子が無電荷であることが望ま
しい。そして、非液晶性分子は配向膜上のイオンが吸着
しうる部位と強く相互作用したまま安定に存在すること
が望ましい。この時、液晶との相互作用が強いと液晶中
に溶解してしまい、配向膜上での安定な吸着状態は保た
れ難くなる。よって、非液晶性分子における非液晶性の
特性は、配向膜上での安定な吸着状態を保つことを可能
にする。
Therefore, in order to prevent the direct current voltage from remaining in the liquid crystal layer when it is adsorbed on the alignment film in competition with the ions, it is desirable that the non-liquid crystalline molecules have no charge. It is desirable that the non-liquid crystal molecules are stably present while strongly interacting with the site on the alignment film where ions can be adsorbed. At this time, if the interaction with the liquid crystal is strong, the liquid crystal is dissolved in the liquid crystal, and it is difficult to maintain a stable adsorption state on the alignment film. Therefore, the non-liquid crystalline property of the non-liquid crystalline molecules enables a stable adsorption state on the alignment film to be maintained.

【0038】また、上記非液晶性分子が無電荷であると
すると、配向膜に吸着する能力はイオンと比べて劣る。
よって、配向膜への吸着において上記非液晶性分子がイ
オンと競争するためには、液晶層中にイオンと比べ大量
に存在することが必要である。従って、液晶中に含まれ
る量は1ppm 以上が望ましく、これより少ない場合、直
流電圧の残留を抑え、残像を低減する効果が十分な程度
とはならない。そして、非液晶性分子を含有することに
よる液晶の液晶性の低下(例えば、液晶状態を示す温度
範囲の縮小など)を、アクティブマトリクス型液晶表示
装置における使用を前提として許容範囲内に抑えるため
に、液晶に含まれる量は10000ppm以下が望まし
い。さらに、非液晶性分子を含有することによる液晶の
液晶性の低下を軽微なものとして、液晶の特性に与える
影響をより小さく抑えるためには、液晶に含まれる量を
95ppm 以下とすることが望ましい。
When the non-liquid crystal molecules are assumed to be non-charged, their ability to adsorb to the alignment film is inferior to ions.
Therefore, in order for the above-mentioned non-liquid crystalline molecules to compete with ions in the adsorption on the alignment film, it is necessary that the non-liquid crystalline molecules be present in a larger amount than the ions in the liquid crystal layer. Therefore, the amount contained in the liquid crystal is desirably 1 ppm or more. If the amount is less than 1 ppm, the effect of suppressing the residual DC voltage and reducing the afterimage is not sufficient. In order to suppress a decrease in liquid crystallinity of the liquid crystal due to the inclusion of non-liquid crystal molecules (for example, a reduction in a temperature range indicating a liquid crystal state) within an allowable range on the assumption that the liquid crystal display device is used in an active matrix type liquid crystal display device. The amount contained in the liquid crystal is desirably 10,000 ppm or less. Further, in order to make the decrease in the liquid crystallinity of the liquid crystal due to the inclusion of non-liquid crystal molecules small and to further suppress the influence on the characteristics of the liquid crystal, it is desirable that the amount contained in the liquid crystal be 95 ppm or less. .

【0039】アミン構造等の上記構造を分子内に有する
非液晶性分子としては、具体的にはアミン,アミド,ア
ゾ化合物,ジアゾ化合物,アジド,ニトリル,ニトロソ
化合物,ニトロ化合物,アルデヒド,グリコール,エー
テル,エステル,カルボン酸、ケトン,キノン,チオエ
ーテル,チオール,スルホン酸,スルフェン酸,スルフ
ィン酸,スルホキシド、若しくは有機リン化合物、更に
はそれらの誘導体が使用可能である。
Examples of the non-liquid crystal molecules having the above structure such as an amine structure in the molecule include amines, amides, azo compounds, diazo compounds, azides, nitriles, nitroso compounds, nitro compounds, aldehydes, glycols, ethers. , Esters, carboxylic acids, ketones, quinones, thioethers, thiols, sulfonic acids, sulfenic acids, sulfinic acids, sulfoxides, organic phosphorus compounds, and derivatives thereof.

【0040】特にアミンは、強い求核的性質を有し、配
向膜への吸着能力が高いと考えられ、イオンと競争して
イオンの配向膜への吸着を高効率に抑えるため好まし
い。具体的には、メチルアミン,エチルアミン,t−ブ
チルアミン,n−ペンチルアミン,ジエチルアミン,ト
リエチルアミン,トリ−n−ブチルアミン,ピリジン,
シクロヘキシルアミン,アニリン,トリフェニルアミ
ン,エチレンジアミン、若しくはそれらの誘導体が使用
可能である。
In particular, amines are considered to have strong nucleophilic properties and high adsorption ability to the alignment film, and are preferred because they compete with ions and suppress the adsorption of ions to the alignment film with high efficiency. Specifically, methylamine, ethylamine, t-butylamine, n-pentylamine, diethylamine, triethylamine, tri-n-butylamine, pyridine,
Cyclohexylamine, aniline, triphenylamine, ethylenediamine, or derivatives thereof can be used.

【0041】また、エーテル構造を分子構造内に有する
分子、例えばエーテルについても、アミンと同様の効果
を示し得て、イオンと競争してイオンの配向膜への吸着
を高効率に抑えるため好ましい分子である。特に、クラ
ウンエーテルなどを含む環状及び直鎖状のポリエーテル
は、エーテル構造を数多く有することにより、イオンと
競争してイオンの配向膜への吸着を抑える能力がより強
く、非常に好ましい分子である。更に、クリプタンド等
のエーテル構造部分を分子内に有するアミンのように、
アミン構造等の上記構造部分を2種以上分子構造内に持
つ分子についても、具備する2種以上の上記構造部分が
それぞれ配向膜との間で相互作用を示すため、一つの分
子内で配向膜との間の強い相互作用が示されることにな
り、好ましい分子である。
Also, a molecule having an ether structure in its molecular structure, for example, an ether, can exhibit the same effect as an amine, and is preferably a molecule which competes with ions and suppresses adsorption of ions to an alignment film with high efficiency. It is. In particular, cyclic and straight-chain polyethers including crown ethers, etc., having a large number of ether structures, have a stronger ability to compete with ions and suppress the adsorption of ions to the alignment film, and are very preferable molecules. . Furthermore, like amines having an ether structure part such as cryptand in the molecule,
As for molecules having two or more kinds of the above structural parts such as an amine structure in the molecular structure, the two or more kinds of the above structural parts each show an interaction with the alignment film. And a preferred interaction will be shown.

【0042】また、ハロゲン原子を分子内に有するアミ
ン,アミド,アゾ化合物,ジアゾ化合物,アジド,ニト
リル,ニトロソ化合物,ニトロ化合物,アルデヒド,グ
リコール,エーテル,エステル,カルボン酸,ケトン,
キノン,チオエーテル,チオール,スルホン酸,スルフ
ェン酸,スルフィン酸,スルホキシド、若しくは有機リ
ン化合物などもハロゲン原子の効果とハロゲン原子以外
の構造部分の効果が現れて、イオンと競争してイオンの
配向膜への吸着を抑える能力がより強くなり、使用可能
である。
Further, amines, amides, azo compounds, diazo compounds, azides, nitriles, nitroso compounds, nitro compounds, aldehydes, glycols, ethers, esters, carboxylic acids, ketones having a halogen atom in the molecule,
Quinones, thioethers, thiols, sulfonic acids, sulfenic acids, sulfinic acids, sulfoxides, and organic phosphorus compounds also exhibit the effect of halogen atoms and the effect of structural parts other than halogen atoms, and compete with ions to form an ion alignment film. The ability to suppress the adsorption of water is stronger and usable.

【0043】非液晶性分子について分子量の限定はな
く、高分子化合物であっても使用可能である。すなわ
ち、高分子のポリエーテル,カルボン酸及びグリコー
ル、並びに環状及び直鎖状ポリアミンなども使用可能で
ある。更に、液晶表示装置を構成する液晶中にアミン構
造等の上記構造を分子内に有する非液晶性分子を2種以
上含有することも可能である。すなわち、液晶中に含有
されるイオンが複数種ある場合、その種類や特性にした
がって、それぞれと配向膜への吸着を競争しうるよう2
種以上の非液晶性分子を含有することが、イオンの配向
膜へのイオンの吸着を効率良く抑える点から好ましい。
The molecular weight of the non-liquid crystal molecules is not limited, and a high molecular compound can be used. That is, polymeric polyethers, carboxylic acids and glycols, and cyclic and linear polyamines can also be used. Further, the liquid crystal constituting the liquid crystal display device may contain two or more non-liquid crystal molecules having the above structure such as an amine structure in the molecule. In other words, when there are a plurality of types of ions contained in the liquid crystal, two or more types of ions are required to compete with each other for adsorption to the alignment film according to the types and characteristics.
It is preferable to contain more than one kind of non-liquid crystal molecules from the viewpoint of efficiently suppressing the adsorption of ions to the alignment film.

【0044】なお、液晶表示装置を構成する液晶中に非
液晶性分子を含有することの効果は、上記したように液
晶の誘電率異方性が高いために液晶層中に含有されるイ
オン量が多く、より大きな直流電圧が残留する場合であ
っても現れる。そして、誘電率異方性が高いためにイオ
ンを多く含む液晶から構成される液晶表示装置の残像は
強く発生し、消失までに長時間かかるため、残像を低減
する上記非液晶性分子を含有する液晶の効果は、低誘電
率異方性の液晶に上記非液晶性分子を含有させた場合に
比べてより顕著に現れる。
The effect of the inclusion of non-liquid crystal molecules in the liquid crystal constituting the liquid crystal display device is due to the high amount of ions contained in the liquid crystal layer due to the high dielectric anisotropy of the liquid crystal as described above. And appear even when a larger DC voltage remains. The afterimage of a liquid crystal display device composed of a liquid crystal containing a large amount of ions due to a high dielectric anisotropy is strongly generated and takes a long time to disappear, and thus contains the non-liquid crystalline molecules for reducing the afterimage. The effect of the liquid crystal appears more remarkably than the case where the above-mentioned non-liquid crystalline molecules are added to the liquid crystal having a low dielectric constant anisotropy.

【0045】一方、上記したように、高誘電率異方性の
液晶の使用は液晶表示装置における高開口率と低駆動電
圧の両立を可能とする。従って、液晶表示装置を構成す
る液晶を非液晶性分子を含み且つ高誘電率異方性の液晶
とすることにより、高開口率,低駆動電圧特性ととも
に、より低い残像特性を同時に満足する液晶表示装置の
提供が可能となる。そして、その場合の液晶の誘電率異
方性については、従来TN方式アクティブマトリクス型
液晶表示装置と比べても実用上問題とならないような開
口率と低駆動電圧を満足するために、具体的には8以上
の誘電率異方性であることが望ましい。
On the other hand, as described above, the use of a liquid crystal having a high dielectric anisotropy makes it possible to achieve both a high aperture ratio and a low driving voltage in a liquid crystal display device. Therefore, by making the liquid crystal constituting the liquid crystal display device a liquid crystal containing non-liquid crystal molecules and having a high dielectric anisotropy, the liquid crystal display simultaneously satisfies a high aperture ratio, a low driving voltage characteristic and a lower afterimage characteristic. The device can be provided. In this case, the dielectric anisotropy of the liquid crystal is specifically determined so as to satisfy an aperture ratio and a low driving voltage which do not cause a practical problem even in comparison with a conventional TN mode active matrix type liquid crystal display device. Preferably has a dielectric anisotropy of 8 or more.

【0046】このとき、8以上の誘電率異方性を有する
液晶は、それを構成する液晶分子について特に制限がな
い。そして、一般に様々な誘電異方性を持つ液晶分子の
組成物である液晶を8以上の高い誘電異方性の液晶とす
るためには、より高い誘電率異方性を有する液晶分子を
含有することが好ましい。従って、8以上の誘電率異方
性を有する液晶は、高誘電異方性の液晶分子である、シ
アノ基を分子構造内に有する液晶分子を含有することが
好ましい。具体的には、パラ−アルキル置換安息香酸の
パラ−シアノフェニルエステル系の液晶分子,シアノ置
換ビフェニル系の液晶分子,シアノ置換ターフェニル系
の液晶分子,シクロヘキサンカルボン酸パラ−シアノフ
ェニルエステル系液晶分子,パラ−(パラ−置換シクロ
ヘキシル)置換ベンゾトリル系液晶分子、若しくは2−
(パラ−シアノ置換フェニル)置換−1,3−ジオキサ
ン系液晶分子等を含んで構成された液晶であることが好
ましい。
At this time, the liquid crystal having a dielectric anisotropy of 8 or more has no particular limitation on the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal. In general, in order to make a liquid crystal, which is a composition of liquid crystal molecules having various dielectric anisotropies, a liquid crystal having a high dielectric anisotropy of 8 or more, liquid crystal molecules having a higher dielectric anisotropy are contained. Is preferred. Therefore, the liquid crystal having a dielectric anisotropy of 8 or more preferably contains a liquid crystal molecule having a high dielectric anisotropy, which has a cyano group in the molecular structure. More specifically, para-cyanophenyl ester-based liquid crystal molecules of para-alkyl-substituted benzoic acid, cyano-substituted biphenyl-based liquid crystal molecules, cyano-substituted terphenyl-based liquid crystal molecules, cyclohexanecarboxylic acid para-cyanophenyl-ester-based liquid crystal molecules , Para- (para-substituted cyclohexyl) -substituted benzotolyl liquid crystal molecules, or 2-
It is preferable that the liquid crystal is composed of (para-cyano-substituted phenyl) -substituted-1,3-dioxane-based liquid crystal molecules and the like.

【0047】また、負の誘電率異方性を有する液晶を使
用する場合も同様に、シアノ基を分子構造内に有する液
晶分子(シアノ液晶と称する)を含有して構成される液
晶を使用することができる。シアノ液晶はとしては、シ
アノシクロヘキサン構造,シアノジオキサン構造,シア
ノベンゼン構造を分子内に有する液晶分子や、2,3−
ジシアノハイドロキノン誘導体などのジシアノベンゼン
構造を分子内に有する液晶分子が使用可能である。
Similarly, when a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is used, a liquid crystal containing a liquid crystal molecule having a cyano group in a molecular structure (referred to as a cyano liquid crystal) is used. be able to. The cyano liquid crystal includes liquid crystal molecules having a cyanocyclohexane structure, a cyanodioxane structure, and a cyanobenzene structure in a molecule, and 2,3-
Liquid crystal molecules having a dicyanobenzene structure such as a dicyanohydroquinone derivative in the molecule can be used.

【0048】更に、特開平7−159786号公報に開
示されるように、横電界方式アクティブマトリクス型液
晶表示装置においては、電極及びアクティブ素子を覆っ
て、これらの短絡を防止するための保護絶縁膜を液晶配
向制御層と基板との間に設けることが知られている。し
かし、このような構成の保護絶縁膜の存在は、液晶に印
加される実効電圧の低下と開口率の低下とを招いてい
る。従って、特開平10−186391号公報に開示さ
れているように、電界を印加するための金属若しくはI
TO(インジウム−チン−オキサイド)電極をこの保護
絶縁膜上に設けて高開口率化と液晶の低電圧駆動化を図
る構成が提案されている。
Further, as disclosed in JP-A-7-159786, in a lateral electric field type active matrix type liquid crystal display device, a protective insulating film for covering electrodes and active elements to prevent short circuit between them. Is provided between the liquid crystal alignment control layer and the substrate. However, the presence of the protective insulating film having such a structure causes a decrease in the effective voltage applied to the liquid crystal and a decrease in the aperture ratio. Therefore, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-186391, a metal or I
There has been proposed a configuration in which a TO (indium-tin-oxide) electrode is provided on this protective insulating film to increase the aperture ratio and drive the liquid crystal at a lower voltage.

【0049】しかしながら、液晶表示装置においてこの
ような構成で電極を配置すると、従来の構成と比較した
場合、電界を印加するための電極上にはそれを覆う保護
絶縁膜が無くなることになる。従って、液晶表示装置の
低電圧駆動化と高開口率化は可能となるものの、通常の
液晶の駆動において問題となる上述の駆動波形に直流電
圧が重畳される現象はより激しいものとなり、残像現象
はより強く現れることになってしまう。そこで、上記非
液晶性分子を含有して構成された液晶を使用する場合、
駆動波形に直流電圧が重畳されたとしても、直流電圧が
残留する現象を抑制することができ、直流電圧の重畳現
象が激しくなっても残像の低減が可能である。
However, when the electrodes are arranged in such a configuration in the liquid crystal display device, there is no protective insulating film covering the electrodes for applying the electric field as compared with the conventional configuration. Therefore, although a low voltage drive and a high aperture ratio of a liquid crystal display device can be achieved, a phenomenon in which a DC voltage is superimposed on the above-described drive waveform, which is a problem in a normal liquid crystal drive, becomes more severe, and an afterimage phenomenon occurs. Will appear stronger. Therefore, when using a liquid crystal configured to contain the non-liquid crystal molecules,
Even when the DC voltage is superimposed on the driving waveform, the phenomenon that the DC voltage remains can be suppressed, and the afterimage can be reduced even when the superimposition phenomenon of the DC voltage becomes severe.

【0050】従って、上記非液晶性分子を含有して構成
された液晶を使用する場合、液晶に電界を印加するため
の金属若しくはITOからなる所謂画素電極及び共通
(コモン)電極を、保護絶縁膜上であって配向膜との間
に設ける構成とした時にも残像を抑えることが可能とな
り、高開口率化及び低電圧駆動化と、残像の低減とを同
時に満足することが可能となる。
Therefore, when using a liquid crystal comprising the above non-liquid crystal molecules, a so-called pixel electrode and a common electrode made of metal or ITO for applying an electric field to the liquid crystal are used as protective insulating films. It is possible to suppress the afterimage even when it is provided above and between the alignment film, and it is possible to simultaneously achieve a high aperture ratio, a low voltage drive, and a reduction in the afterimage.

【0051】以下、本発明にかかる具体的な実施例につ
いて図面を用いて説明する。 (実施例1)図1は本発明による液晶表示装置の実施例
1の画素部分の横断面図、図2はその液晶表示装置の電
極構造を示す平面図、図3はカラーフィルタ基板の構造
を説明する図、図4は液晶表示装置を駆動するシステム
の構成を説明するシステム図である。
Hereinafter, specific embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 is a cross-sectional view of a pixel portion of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing an electrode structure of the liquid crystal display device, and FIG. FIG. 4 is a system diagram for explaining a configuration of a system for driving a liquid crystal display device.

【0052】図1及び図2に示すように、この液晶表示
装置100は、一対の透明なガラス製の基板1,14
と、基板1,14の間に配置された液晶9と、基板1の
上に形成され基板面にほぼ平行な電界(図1中の符号2
5で摸式的に示される)を印加するための共通電極2及
び画素電極5並びに信号電極6及びアクティブ素子であ
る薄膜トランジスタ(TFT)16と、基板1,14上
の液晶9に接触する面上に形成された液晶配向制御層
(以下、配向膜と称する)8と、液晶の配向状態に応じ
て光学特性を変える光学手段の具体例である偏光板15
とを備える。液晶9は、非共有電子対を持つ原子を有す
る非液晶性分子を含有して構成されている。液晶表示装
置100は、薄膜トランジスタ16の作用により共通電
極2と画素電極5との間に電界25を発生させ、液晶9
の液晶分子を電界25に従って基板1とほぼ平行な面内
で回転させることによって画像表示を行う。
As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display device 100 has a pair of transparent glass substrates 1 and 14.
And a liquid crystal 9 disposed between the substrates 1 and 14, and an electric field formed on the substrate 1 and substantially parallel to the substrate surface (reference numeral 2 in FIG. 1).
5, a common electrode 2, a pixel electrode 5, a signal electrode 6, a thin film transistor (TFT) 16 as an active element, and a liquid crystal 9 on the substrates 1 and 14. Liquid crystal alignment control layer (hereinafter referred to as an alignment film) 8 formed on a substrate and a polarizing plate 15 which is a specific example of an optical means for changing optical characteristics according to the alignment state of the liquid crystal.
And The liquid crystal 9 includes a non-liquid crystal molecule having an atom having an unshared electron pair. The liquid crystal display device 100 generates an electric field 25 between the common electrode 2 and the pixel electrode 5 by the action of the thin film transistor 16 and
By rotating the liquid crystal molecules in a plane substantially parallel to the substrate 1 according to the electric field 25, an image is displayed.

【0053】次に、本実施例の液晶表示装置100の製
造方法と構成の詳細について説明する。基板1として
は、厚みが0.7mm で表面を研磨したガラス基板を用い
た。基板1上に、電極2,5,6,17の短絡を防止す
るための絶縁膜4,薄膜トランジスタ16、薄膜トラン
ジスタ16及び電極5,6を保護する保護絶縁膜7を形
成してTFT基板101とした。
Next, the details of the manufacturing method and configuration of the liquid crystal display device 100 of this embodiment will be described. As the substrate 1, a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a polished surface was used. An insulating film 4, a thin film transistor 16 for preventing short-circuiting of the electrodes 2, 5, 6, and 17 and a protective insulating film 7 for protecting the thin film transistors 16 and the electrodes 5 and 6 are formed on the substrate 1 to form a TFT substrate 101. .

【0054】図2は、薄膜トランジスタ16及び電極
2,5,6の構造を示し、図2(a)は平面図、図2
(b)はそのA−A′線に沿った断面図、図2(c)は
そのB−B′線に沿った断面図である。なお、図1は図
2(a)のC−C′線に沿った断面図である。
FIG. 2 shows the structure of the thin film transistor 16 and the electrodes 2, 5, and 6. FIG.
FIG. 2B is a cross-sectional view along the line AA ′, and FIG. 2C is a cross-sectional view along the line BB ′. FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line CC 'of FIG.

【0055】薄膜トランジスタ16は、画素電極5,信
号電極6,走査電極17及びアモルファスシリコン18
から構成される。共通電極2と走査電極17はアルミニ
ウム膜、そして信号電極6と画素電極5はクロム膜をパ
ターニングして形成した。絶縁膜4と保護絶縁膜7は窒
化珪素からなり、膜厚はそれぞれ0.2μm と0.8μ
mとした。容量素子19は、2本の画素電極5の間に結
合する領域において画素電極5と共通電極2で絶縁膜4
を挟む構造として形成した。画素電極5は、図2(a)
において、3本の共通電極2の間に配置されている。画
素数は1024×3(R,G,Bに対応)本の信号電極
6と768本の走査電極17とから構成される1024
×3×768個とした。
The thin film transistor 16 includes a pixel electrode 5, a signal electrode 6, a scan electrode 17, and an amorphous silicon 18
Consists of The common electrode 2 and the scanning electrode 17 were formed by patterning an aluminum film, and the signal electrode 6 and the pixel electrode 5 were formed by patterning a chromium film. The insulating film 4 and the protective insulating film 7 are made of silicon nitride and have a thickness of 0.2 μm and 0.8 μm, respectively.
m. The capacitive element 19 includes an insulating film 4 formed by the pixel electrode 5 and the common electrode 2 in a region coupled between the two pixel electrodes 5.
Was formed as a structure sandwiching the. The pixel electrode 5 is shown in FIG.
, Are arranged between the three common electrodes 2. The number of pixels is 1024 composed of 1024 × 3 (corresponding to R, G, B) signal electrodes 6 and 768 scanning electrodes 17.
× 3 × 768 pieces.

【0056】次に、TFT基板101の上に配向膜8を
80nmの膜厚で形成し、その表面に液晶を配向させる
ためのラビング処理を施した。基板14上にはブラック
マトリクス付きカラーフィルター12を形成し、対向カ
ラーフィルタ基板102とした。
Next, an alignment film 8 having a thickness of 80 nm was formed on the TFT substrate 101, and the surface thereof was subjected to a rubbing treatment for aligning the liquid crystal. A color filter 12 with a black matrix was formed on a substrate 14 to form a counter color filter substrate 102.

【0057】図3は、カラーフィルタ基板の構造を説明
する図である。図3(a)は、カラーフィルタ基板の平
面図であり、図3(b)は図3(a)のA−A′線に沿
った横断面図であり、図3(c)は図3(a)のB−
B′線に沿った横断面図である。
FIG. 3 is a view for explaining the structure of the color filter substrate. 3A is a plan view of the color filter substrate, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3A, and FIG. (A) B-
FIG. 4 is a cross-sectional view along the line B ′.

【0058】格子状のブラックマトリクス13、R,
G,Bの3色からなるカラーフィルタ12,カラーフィ
ルター保護膜11が形成されている。カラーフィルター
保護膜11の上にはTFT基板101と同様の配向膜1
0を80nmの膜厚で形成し、ラビング処理を施した。
The lattice black matrix 13, R,
A color filter 12 of three colors of G and B and a color filter protective film 11 are formed. An alignment film 1 similar to the TFT substrate 101 is formed on the color filter protective film 11.
0 was formed with a thickness of 80 nm, and rubbing treatment was performed.

【0059】TFT基板101及びカラーフィルタ基板
102における配向膜8,10のラビング方向は互いに
ほぼ平行とし、かつ印加電界25の方向とのなす角度を
75度とした。これらの基板間に平均粒径が4.0μm
の高分子ビーズをスペーサとして分散し、TFT基板1
01とカラーフィルター基板102との間に液晶9を挟
み込んだ。
The rubbing directions of the alignment films 8 and 10 on the TFT substrate 101 and the color filter substrate 102 were substantially parallel to each other, and the angle formed by the direction of the applied electric field 25 was 75 degrees. The average particle size between these substrates is 4.0 μm.
Polymer beads are dispersed as spacers, and the TFT substrate 1
The liquid crystal 9 was interposed between the liquid crystal 9 and the color filter substrate 102.

【0060】液晶9は、シアノベンゼン構造を分子構造
中に有する液晶分子を含有して誘電率異方性が+10.
1であり、屈折率異方性が0.076(589nm,2
0℃)であるネマチック液晶をベース液晶として、次式
(I)のフェノチアジンを50ppm の濃度となるように
添加して調合された液晶を用いた。この時、液晶の比抵
抗は3.1×1012Ω・cmであった。
The liquid crystal 9 contains liquid crystal molecules having a cyanobenzene structure in the molecular structure and has a dielectric anisotropy of +10.
1 and a refractive index anisotropy of 0.076 (589 nm, 2
A liquid crystal prepared by adding a phenothiazine of the following formula (I) to a concentration of 50 ppm using a nematic liquid crystal (0 ° C.) as a base liquid crystal. At this time, the specific resistance of the liquid crystal was 3.1 × 10 12 Ω · cm.

【0061】[0061]

【化1】 Embedded image

【0062】TFT基板101とカラーフィルター基板
102とを挟む2枚の偏光板15はクロスニコルに配置
した。そして、本実施例1の液晶表示装置においては、
低電圧で暗状態,高電圧で明状態をとるノーマリークロ
ーズ特性を採用した。こうして高開口率と低電圧駆動を
両立する液晶表示装置を得た。
The two polarizing plates 15 sandwiching the TFT substrate 101 and the color filter substrate 102 were arranged in crossed Nicols. Then, in the liquid crystal display device of the first embodiment,
A normally closed characteristic that takes a dark state at low voltage and a bright state at high voltage is adopted. Thus, a liquid crystal display device having both a high aperture ratio and low voltage driving was obtained.

【0063】液晶表示装置100には、図4に示すよう
に駆動LSIが接続され、TFT基板101の上に走査
電極駆動用回路20,信号電極駆動用回路21,共通電
極駆動用回路22を接続し、電源回路及びコントロール
回路23から走査信号電圧,映像信号電圧,タイミング
信号を供給し、アクティブマトリクス駆動を行った。な
お、図4においては、薄膜トランジスタ16の負荷とし
て液晶(CLC)と容量素子(CS)が接続される様子を
各画素毎に示している。
A drive LSI is connected to the liquid crystal display device 100 as shown in FIG. 4, and a scan electrode drive circuit 20, a signal electrode drive circuit 21, and a common electrode drive circuit 22 are connected on a TFT substrate 101. Then, a scanning signal voltage, a video signal voltage, and a timing signal were supplied from the power supply circuit and the control circuit 23 to perform active matrix driving. FIG. 4 shows a state where the liquid crystal (C LC ) and the capacitor (C S ) are connected as a load of the thin film transistor 16 for each pixel.

【0064】次に、本実施例にかかる液晶表示装置の残
像を評価した。6mm角の正方形パターンを60分間表示
し、その後、正方形パターンを消去し、現れる残像が時
間とともに徐々に強度を弱めて消失し、輝度が回復する
様子を目視にて観測した。そして、残像が消失するまで
の時間を測定し、残像緩和時間として定義した。本実施
例における残像緩和時間は10秒であった。 (比較例1)用いた液晶が異なる以外は実施例1と同じ
構成の液晶表示装置を作製し、比較例1とした。液晶表
示装置の装置構成は実施例1と同様であるので、その詳
細な説明を省略する。
Next, the afterimage of the liquid crystal display device according to this example was evaluated. A square pattern of 6 mm square was displayed for 60 minutes, and thereafter, the square pattern was erased, and the appearance of the afterimage gradually disappeared with the intensity being reduced with time, and the manner in which the luminance was recovered was visually observed. Then, the time until the afterimage disappeared was measured and defined as an afterimage relaxation time. The afterimage relaxation time in this embodiment was 10 seconds. (Comparative Example 1) A liquid crystal display device having the same configuration as that of Example 1 except that the liquid crystal used was different from that of Example 1, was manufactured as Comparative Example 1. Since the device configuration of the liquid crystal display device is the same as that of the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

【0065】比較例1の液晶表示装置を構成する液晶
は、実施例1の液晶用に用いたベース液晶をそのまま使
用した。従って、シアノベンゼン構造を分子構造中に有
する液晶分子を含有して誘電率異方性が+10.1であ
り、屈折率異方性が0.076(589nm,20℃)の
ネマチック液晶である。比抵抗は4.4×1012Ω・cm
であった。
As the liquid crystal constituting the liquid crystal display device of Comparative Example 1, the base liquid crystal used for the liquid crystal of Example 1 was used as it was. Therefore, it is a nematic liquid crystal containing liquid crystal molecules having a cyanobenzene structure in the molecular structure, having a dielectric anisotropy of +10.1 and a refractive index anisotropy of 0.076 (589 nm, 20 ° C.). Specific resistance is 4.4 × 10 12 Ωcm
Met.

【0066】この比較例1の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、比
較例1の液晶表示装置の残像緩和時間は9分3秒であっ
た。 (実施例2)実施例2の液晶表示装置は、用いた液晶が
異なる以外は実施例1と同じ装置構成である。従って、
装置構成の詳細な説明は省略する。
Using the liquid crystal display device of Comparative Example 1, an afterimage was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Comparative Example 1 was 9 minutes and 3 seconds. (Embodiment 2) The liquid crystal display device of Embodiment 2 has the same configuration as that of Embodiment 1 except that the liquid crystal used is different. Therefore,
Detailed description of the device configuration is omitted.

【0067】本実施例の液晶表示装置を構成する液晶
は、実施例1の液晶用に用いたベース液晶をそのまま使
用し、フェノチアジンを10ppm の濃度となるように添
加して調合された液晶である。液晶の比抵抗は3.5×
1012Ω・cmであった。
The liquid crystal constituting the liquid crystal display device of this embodiment is a liquid crystal prepared by using the base liquid crystal used for the liquid crystal of Embodiment 1 as it is and adding phenothiazine to a concentration of 10 ppm. . The specific resistance of the liquid crystal is 3.5 ×
It was 10 12 Ω · cm.

【0068】この実施例2の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、実
施例2の液晶表示装置の残像緩和時間は2分24秒であ
った。 (実施例3)実施例3の液晶表示装置は、用いた液晶が
異なる以外は実施例1と同じ装置構成である。従って、
装置構成の詳細な説明は省略する。
Using the liquid crystal display device of the second embodiment, an afterimage was evaluated in the same manner as in the first embodiment. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Example 2 was 2 minutes and 24 seconds. (Embodiment 3) The liquid crystal display of Embodiment 3 has the same configuration as that of Embodiment 1 except that the liquid crystal used is different. Therefore,
Detailed description of the device configuration is omitted.

【0069】本実施例の液晶表示装置を構成する液晶
は、実施例1の液晶用に用いたベース液晶をそのまま使
用し、フェノチアジンを100ppm の濃度となるように
添加して調合された液晶である。液晶の比抵抗は1.3
×1011Ω・cmであった。
The liquid crystal constituting the liquid crystal display device of the present embodiment is a liquid crystal prepared by using the base liquid crystal used for the liquid crystal of Embodiment 1 as it is and adding phenothiazine to a concentration of 100 ppm. . The specific resistance of the liquid crystal is 1.3
× 10 11 Ω · cm.

【0070】この実施例3の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、実
施例3の液晶表示装置の残像緩和時間は9秒であった。 (比較例2)比較例2の液晶表示装置は、用いた液晶が
異なる以外は実施例1と同じ装置構成である。従って、
装置構成の詳細な説明は省略する。
Using the liquid crystal display device of the third embodiment, an afterimage was evaluated in the same manner as in the first embodiment. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Example 3 was 9 seconds. Comparative Example 2 The liquid crystal display device of Comparative Example 2 has the same configuration as that of Example 1 except that the liquid crystal used is different. Therefore,
Detailed description of the device configuration is omitted.

【0071】比較例2の液晶表示装置を構成する液晶
は、実施例1の液晶に用いたベース液晶に比べ、シアノ
ベンゼン構造を分子構造中に有する液晶分子を2%多く
含有している。そして、シアノベンゼン構造を分子構造
中に有していない他の構成液晶分子の構造と各含有率は
実施例1の液晶に用いたベース液晶とほぼ同一である。
比較例2の液晶は、上述の非液晶性分子は含有していな
い。この時、液晶誘電率異方性は+10.1であり、屈
折率異方性は0.078(589nm,20℃)であっ
た。比抵抗は4.6×1011Ω・cmであった。
The liquid crystal constituting the liquid crystal display device of Comparative Example 2 contains 2% more liquid crystal molecules having a cyanobenzene structure in the molecular structure than the base liquid crystal used for the liquid crystal of Example 1. The structure and the content of each of the other constituent liquid crystal molecules having no cyanobenzene structure in the molecular structure are almost the same as those of the base liquid crystal used in the liquid crystal of Example 1.
The liquid crystal of Comparative Example 2 does not contain the above-mentioned non-liquid crystalline molecules. At this time, the liquid crystal dielectric anisotropy was +10.1 and the refractive index anisotropy was 0.078 (589 nm, 20 ° C.). The specific resistance was 4.6 × 10 11 Ω · cm.

【0072】この比較例2の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、比
較例2の液晶表示装置の残像緩和時間は15分29秒で
あった。 (比較例3)比較例3の液晶表示装置は、用いた液晶が
異なる以外は実施例1と同じ装置構成である。従って、
装置構成の詳細な説明は省略する。
Using the liquid crystal display device of Comparative Example 2, an afterimage was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Comparative Example 2 was 15 minutes and 29 seconds. Comparative Example 3 The liquid crystal display device of Comparative Example 3 has the same configuration as that of Example 1 except that the liquid crystal used is different. Therefore,
Detailed description of the device configuration is omitted.

【0073】比較例3の液晶表示装置を構成する液晶
は、シアノベンゼン構造を分子構造中に有する液晶分子
を含有しているものの、実施例1の液晶に用いたベース
液晶と異なる液晶分子から構成されている。上述の非液
晶性分子は含有していない。比較例3の液晶の液晶誘電
率異方性は+10.2であり、屈折率異方性は0.075
(589nm,20℃)であった。比抵抗は2.1×1
12Ω・cmであった。
The liquid crystal constituting the liquid crystal display of Comparative Example 3 contains liquid crystal molecules having a cyanobenzene structure in the molecular structure, but is composed of liquid crystal molecules different from the base liquid crystal used in the liquid crystal of Example 1. Have been. The non-liquid crystal molecules described above are not contained. The liquid crystal dielectric anisotropy of the liquid crystal of Comparative Example 3 was +10.2 and the refractive index anisotropy was 0.075.
(589 nm, 20 ° C.). Specific resistance is 2.1 × 1
It was 0 12 Ω · cm.

【0074】この比較例3の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、比
較例3の液晶表示装置の残像緩和時間は8分12秒であ
った。
Using the liquid crystal display device of Comparative Example 3, an afterimage was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Comparative Example 3 was 8 minutes and 12 seconds.

【0075】以上、実施例1,実施例2,実施例3,比
較例1,比較例2及び比較例3の液晶表示装置による残
像の評価結果から、上述の非液晶性分子の一例であるフ
ェノチアジンを含有して構成された液晶を用いた横電界
方式アクティブマトリクス型液晶表示装置では、非液晶
性分子を含有しないで構成された液晶を使用した従来の
横電界方式アクティブマトリクス型液晶表示装置と比較
して残像が低減されていることが分かった。 (実施例4)図5は、実施例4の液晶表示装置の構成を
説明する画素部分の横断面図である。この実施例4の液
晶表示装置200は、図1に示す実施例1の液晶表示装
置100と比較して、基板面にほぼ平行な電界25を印
加するための電極2,5がITOからなり、保護絶縁膜
7上であって配向膜8との間に設けられていることを除
いては同一の構成を有している。従って、構成の詳細な
説明は省略する。なお、図5において、実施例1の液晶
表示装置100と同一の構成部分については同一の符号
を使用した。
From the evaluation results of the afterimages by the liquid crystal display devices of Example 1, Example 2, Example 3, Comparative Example 1, Comparative Example 2, and Comparative Example 3, the phenothiazine, which is an example of the above-mentioned non-liquid crystalline molecules, was obtained. -Field active-matrix liquid crystal display using liquid crystal composed of liquid crystal compared with conventional in-plane active-matrix liquid crystal display using liquid crystal composed of non-liquid crystal molecules As a result, it was found that the afterimage was reduced. (Embodiment 4) FIG. 5 is a cross-sectional view of a pixel portion for explaining the structure of a liquid crystal display device of Embodiment 4. The liquid crystal display device 200 according to the fourth embodiment is different from the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment shown in FIG. 1 in that the electrodes 2 and 5 for applying an electric field 25 substantially parallel to the substrate surface are made of ITO. It has the same configuration except that it is provided on the protective insulating film 7 and between the protective film 7 and the alignment film 8. Therefore, a detailed description of the configuration is omitted. In FIG. 5, the same components as those of the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

【0076】実施例4の液晶表示装置200を構成する
液晶についても、実施例1の液晶表示素子100の液晶
と同一の液晶である。
The liquid crystal constituting the liquid crystal display device 200 of the fourth embodiment is the same as the liquid crystal of the liquid crystal display element 100 of the first embodiment.

【0077】この実施例4の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、実
施例4の液晶表示装置200の残像緩和時間は20秒で
あった。 (比較例4)比較例4の液晶表示装置は、用いた液晶が
異なる以外は実施例4と同じ装置構成である。従って、
装置構成の詳細な説明は省略する。
Using the liquid crystal display device of the fourth embodiment, an afterimage was evaluated in the same manner as in the first embodiment. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device 200 of Example 4 was 20 seconds. Comparative Example 4 The liquid crystal display device of Comparative Example 4 has the same configuration as that of Example 4 except that the liquid crystal used is different. Therefore,
Detailed description of the device configuration is omitted.

【0078】比較例4の液晶表示装置を構成する液晶
は、実施例4の液晶用に用いたフェノチアジン未添加の
ベース液晶(すなわち、実施例1の液晶用に用いたベー
ス液晶と同一)をそのまま使用した。従って、シアノベ
ンゼン構造を分子構造中に有する液晶分子を含有して、
誘電率異方性が+10.1であり、屈折率異方性が0.076
(589nm,20℃)のネマチック液晶である。比抵抗
は4.4×1012Ω・cmである。
The liquid crystal constituting the liquid crystal display device of Comparative Example 4 is the same as the base liquid crystal without phenothiazine used for the liquid crystal of Example 4 (ie, the same as the base liquid crystal used for the liquid crystal of Example 1). used. Therefore, containing a liquid crystal molecule having a cyanobenzene structure in the molecular structure,
Dielectric anisotropy is +10.1 and refractive index anisotropy is 0.076
(589 nm, 20 ° C.) nematic liquid crystal. The specific resistance is 4.4 × 10 12 Ω · cm.

【0079】この比較例4の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、比
較例4の液晶表示装置の残像緩和時間は18分であっ
た。
Using the liquid crystal display device of Comparative Example 4, an afterimage was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Comparative Example 4 was 18 minutes.

【0080】以上、実施例4及び比較例4の液晶表示装
置による残像の評価結果から、上述の非液晶性分子の一
例であるフェノチアジンを含有して構成された液晶を用
い、液晶に電界を印加するための画素電極及び共通電極
を保護絶縁膜上であって配向膜との間に設ける構成とし
た横電界方式アクティブマトリクス型液晶表示装置で
は、非液晶性分子を含有しないで構成された液晶を使用
した同様の構成の横電界方式アクティブマトリクス型液
晶表示装置と比較して残像が低減されていることが分か
った。 (実施例5)実施例5の液晶表示装置は、用いた液晶が
異なる以外は実施例1と同じ装置構成である。従って、
装置構成の詳細な説明は省略する。
As described above, based on the evaluation results of the afterimages by the liquid crystal display devices of Example 4 and Comparative Example 4, an electric field was applied to the liquid crystal using the liquid crystal containing phenothiazine which is an example of the above-mentioned non-liquid crystal molecule. In an in-plane switching type active matrix type liquid crystal display device in which a pixel electrode and a common electrode are provided on a protective insulating film and between an alignment film, a liquid crystal configured without containing non-liquid crystal molecules is used. It was found that the afterimage was reduced as compared with the in-plane switching type active matrix liquid crystal display device of the same configuration used. (Embodiment 5) The liquid crystal display of Embodiment 5 has the same configuration as that of Embodiment 1 except that the liquid crystal used is different. Therefore,
Detailed description of the device configuration is omitted.

【0081】本実施例の液晶表示装置を構成する液晶
は、実施例1の液晶用に用いたベース液晶に、下式(I
I)に示すトリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチ
ル}アミンを10ppm の濃度となるように添加して調合
された液晶である。液晶の比抵抗は1.6×1011Ω・c
mであった。
The liquid crystal constituting the liquid crystal display device of this embodiment is different from the base liquid crystal used for the liquid crystal of Embodiment 1 in the following formula (I)
It is a liquid crystal prepared by adding tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine shown in I) to a concentration of 10 ppm. The specific resistance of the liquid crystal is 1.6 × 10 11 Ω · c
m.

【0082】[0082]

【化2】 Embedded image

【0083】この実施例5の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、実
施例5の液晶表示装置の残像緩和時間は4分であった。
Using the liquid crystal display device of Example 5, an afterimage was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Example 5 was 4 minutes.

【0084】以上、実施例4,比較例1,比較例2及び
比較例3の液晶表示装置による残像の評価結果から、上
述の非液晶性分子の一例であるトリス{2−(2−メト
キシエトキシ)エチル}アミンを含有して構成された液
晶を用いた横電界方式アクティブマトリクス型液晶表示
装置では、非液晶性分子を含有しないで構成された液晶
を使用した従来横電界方式アクティブマトリクス型液晶
表示装置と比較して残像が低減されていることが分かっ
た。 (実施例6)以下、第6実施例について図6及び図7を
用いて説明する。
As described above, based on the evaluation results of the afterimages by the liquid crystal display devices of Example 4, Comparative Example 1, Comparative Example 2 and Comparative Example 3, it was found that tris @ 2- (2-methoxyethoxy) which is an example of the above-mentioned non-liquid crystalline molecule. In a lateral electric field type active matrix type liquid crystal display device using a liquid crystal composed of ethyl peramine, a conventional lateral electric field type active matrix type liquid crystal display using a liquid crystal composed of no non-liquid crystal molecules is used. It was found that the afterimage was reduced as compared with the apparatus. Embodiment 6 Hereinafter, a sixth embodiment will be described with reference to FIGS.

【0085】本発明にかかる実施例6である液晶表示装
置150の製造において、基板131としては、厚みが0.
7mm で表面を研磨したガラス基板を用いる。基板13
1上には電極132,105,106,117の短絡を
防止するための絶縁膜104,薄膜トランジスタ11
6,薄膜トランジスタ116及び電極105,106を
保護する保護絶縁膜107を形成してTFT基板151
とする。
In the manufacture of the liquid crystal display device 150 according to the sixth embodiment of the present invention, the thickness of the substrate 131 is set to a value of 0.1 mm.
A glass substrate whose surface is polished at 7 mm is used. Substrate 13
An insulating film 104 for preventing a short circuit between the electrodes 132, 105, 106, and 117 and a thin film transistor 11
6, forming a protective insulating film 107 for protecting the thin film transistor 116 and the electrodes 105 and 106 to form a TFT substrate 151;
And

【0086】図7は、薄膜トランジスタ116及び電極
132,105,106の構造を示し、図7(a)は平
面図、図7(b)はA−A′線に沿った断面図、図4
(c)はB−B′線に沿った断面図である。尚、図6は
図7(a)のC−C′線に沿った断面図である。
FIG. 7 shows the structure of the thin film transistor 116 and the electrodes 132, 105 and 106. FIG. 7 (a) is a plan view, FIG. 7 (b) is a sectional view taken along line AA ', and FIG.
(C) is a cross-sectional view along the line BB '. FIG. 6 is a sectional view taken along the line CC 'of FIG. 7A.

【0087】薄膜トランジスタ116は画素電極10
5,信号電極106,走査電極117及びアモルファス
シリコン118から構成される。走査電極117はアル
ミニウム膜をパターニングし、信号電極106はクロム
膜をパターニングし、そして共通電極132と画素電極
105とはITO膜をパターニングして形成する。
The thin film transistor 116 is connected to the pixel electrode 10
5, composed of the signal electrode 106, the scanning electrode 117 and the amorphous silicon 118. The scanning electrode 117 is formed by patterning an aluminum film, the signal electrode 106 is formed by patterning a chromium film, and the common electrode 132 and the pixel electrode 105 are formed by patterning an ITO film.

【0088】絶縁膜104と保護絶縁膜107は窒化珪
素からなり、膜厚はそれぞれ0.2μmと0.8μm と
した。容量素子119は2本の画素電極105の間に結
合する領域及び開口部領域において画素電極105と共
通電極132で絶縁膜104を挟む構造として形成す
る。画素電極105は図7(a)において、3本の共通
電極132の間に配置されている。尚、本実施例におい
ては共通電極を3本としているが、画素電極間の櫛歯状
部分の間隔を狭めて櫛歯部分の本数を増やし、それに対
応して共通電極の本数を増加させることも可能である。
画素数は1024×3(R,G,Bに対応)本の信号電
極106と768本の走査電極117とから構成される
1024×3×768個とする。
The insulating film 104 and the protective insulating film 107 are made of silicon nitride, and have a thickness of 0.2 μm and 0.8 μm, respectively. The capacitor 119 is formed to have a structure in which the insulating film 104 is sandwiched between the pixel electrode 105 and the common electrode 132 in a region coupled between the two pixel electrodes 105 and an opening region. The pixel electrode 105 is arranged between the three common electrodes 132 in FIG. In this embodiment, three common electrodes are used. However, the number of comb-teeth portions may be increased by narrowing the interval between the comb-teeth portions between the pixel electrodes, and the number of common electrodes may be correspondingly increased. It is possible.
The number of pixels is 1024 × 3 × 768, which is composed of 1024 × 3 (corresponding to R, G, B) signal electrodes 106 and 768 scanning electrodes 117.

【0089】次に、TFT基板151の上にはポリイミ
ド配向膜108を80nmの膜厚で形成し、その表面に
は液晶を配向させるためのラビング処理を施す。
Next, a polyimide alignment film 108 having a thickness of 80 nm is formed on the TFT substrate 151, and its surface is subjected to a rubbing treatment for aligning the liquid crystal.

【0090】基板114上には、本発明にかかる第一実
施例である液晶表示装置100と同様の構成のブラック
マトリクス113付きカラーフィルター112を形成
し、対向カラーフィルター基板152とした。カラーフ
ィルター保護膜111の上にはTFT基板131と同様
の配向膜110を80nmの膜厚で形成し、ラビング処
理を施す。
A color filter 112 with a black matrix 113 having the same configuration as that of the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment of the present invention is formed on a substrate 114, and is used as a counter color filter substrate 152. On the color filter protective film 111, an alignment film 110 similar to the TFT substrate 131 is formed with a thickness of 80 nm and subjected to a rubbing process.

【0091】TFT基板151及びカラーフィルター基
板152における配向膜108,110のラビング方向
は互いにほぼ平行とし、かつ印加電界125の方向との
なす角度を15度とした。これらの基板間に平均粒径が
3μmの高分子ビーズをスペーサとして分散し、TFT
基板151とカラーフィルター基板152との間に液晶
109を挟み込んだ。
The rubbing directions of the alignment films 108 and 110 on the TFT substrate 151 and the color filter substrate 152 were substantially parallel to each other, and the angle between the rubbing directions and the direction of the applied electric field 125 was 15 degrees. Polymer beads having an average particle size of 3 μm are dispersed as spacers between these substrates to form a TFT.
The liquid crystal 109 was interposed between the substrate 151 and the color filter substrate 152.

【0092】液晶109は、化学式(III)に示すシアノ
構造を分子内に有する液晶分子を含有して誘電異方性が
−4、屈折率異方性が0.1 であるネマチック液晶をベ
ース液晶として、フェノチアジンを1000ppm の濃度
となるように添加して調合された液晶を用いた。
The liquid crystal 109 contains a liquid crystal molecule having a cyano structure represented by the chemical formula (III) in the molecule, a nematic liquid crystal having a dielectric anisotropy of -4 and a refractive index anisotropy of 0.1 as a base liquid crystal. A liquid crystal prepared by adding phenothiazine to a concentration of 1000 ppm was used.

【0093】[0093]

【化3】 Embedded image

【0094】TFT基板151とカラーフィルター基板
152とを挟む2枚の偏光板115はクロスニコルに配
置した。そして、実施例6である液晶表示装置150に
おいては、低電圧で暗状態,高電圧で明状態をとるノー
マリークローズ特性を採用した。
The two polarizing plates 115 sandwiching the TFT substrate 151 and the color filter substrate 152 were arranged in crossed Nicols. The liquid crystal display device 150 of the sixth embodiment employs a normally-closed characteristic in which a dark state occurs at a low voltage and a bright state occurs at a high voltage.

【0095】そして、実施例6である液晶表示装置15
0を駆動するシステムの構成は実施例1と同様であるの
で、構成の詳細は省略する。
The liquid crystal display device 15 of the sixth embodiment
Since the configuration of the system for driving 0 is the same as that of the first embodiment, the details of the configuration are omitted.

【0096】次に、実施例6の液晶表示装置を用いて、
実施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、
実施例6の液晶表示装置の残像緩和時間は1分20秒で
あった。 (比較例5)用いた液晶が異なる以外は実施例6と同じ
構成の液晶表示装置を作製し、比較例5とした。液晶表
示装置の装置構成は実施例6と同様であるので、その詳
細の説明を省略する。
Next, using the liquid crystal display device of the sixth embodiment,
An afterimage was evaluated in the same manner as in Example 1. as a result,
The afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Example 6 was 1 minute and 20 seconds. (Comparative Example 5) A liquid crystal display device having the same configuration as that of Example 6 except that the liquid crystal used was different from that of Example 6, was manufactured as Comparative Example 5. Since the device configuration of the liquid crystal display device is the same as that of the sixth embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

【0097】比較例5の液晶表示装置を構成する液晶
は、実施例6の液晶用に用いたベース液晶をそのまま使
用した。従って、液晶は、化学式(III)に示すシアノ構
造を分子内に有する液晶分子を含有して誘電異方性が−
4、屈折率異方性が0.1 であるネマチック液晶であ
る。
As the liquid crystal constituting the liquid crystal display device of Comparative Example 5, the base liquid crystal used for the liquid crystal of Example 6 was used as it was. Therefore, the liquid crystal contains liquid crystal molecules having a cyano structure represented by the chemical formula (III) in the molecule and has a dielectric anisotropy of −
4. Nematic liquid crystal having a refractive index anisotropy of 0.1.

【0098】この比較例5の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、比
較例5の液晶表示装置の残像緩和時間は3分1秒であっ
た。 (実施例7)実施例7の液晶表示装置は、用いた液晶が
異なる以外は実施例6と同じ装置構成である。従って、
装置構成の詳細な説明は省略する。
Using the liquid crystal display device of Comparative Example 5, an afterimage was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Comparative Example 5 was 3 minutes and 1 second. (Embodiment 7) The liquid crystal display device of Embodiment 7 has the same configuration as that of Embodiment 6 except that the liquid crystal used is different. Therefore,
Detailed description of the device configuration is omitted.

【0099】実施例7の液晶表示装置を構成する液晶
は、実施例6の液晶用に用いたベース液晶に、式(II)
に示すトリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}
アミンを50ppm の濃度となるように添加して調合され
た液晶である。
The liquid crystal constituting the liquid crystal display device of the seventh embodiment is obtained by adding the formula (II) to the base liquid crystal used for the liquid crystal of the sixth embodiment.
Tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl}
A liquid crystal prepared by adding an amine to a concentration of 50 ppm.

【0100】この実施例7の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、実
施例7の液晶表示装置の残像緩和時間は1分5秒であっ
た。 (実施例8)以下、実施例8について図8及び図9を用
いて説明する。
Using the liquid crystal display device of the seventh embodiment, an afterimage was evaluated in the same manner as in the first embodiment. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Example 7 was 1 minute and 5 seconds. Embodiment 8 Hereinafter, Embodiment 8 will be described with reference to FIGS.

【0101】本発明にかかる実施例8である液晶表示装
置250の製造において、基板201としては、厚みが0.
7mm で表面を研磨したガラス基板を用いる。基板20
1上には電極202,205,206,217の短絡を
防止するための絶縁膜204,薄膜トランジスタ21
6,薄膜トランジスタ216及び電極205,206を
保護する保護絶縁膜207を形成してTFT基板251
とする。
In the manufacture of the liquid crystal display device 250 according to the eighth embodiment of the present invention, the thickness of the substrate 201 was set to 0.1 mm.
A glass substrate whose surface is polished at 7 mm is used. Substrate 20
An insulating film 204 for preventing short-circuiting of the electrodes 202, 205, 206, and 217 and a thin film transistor 21
6, forming a protective insulating film 207 for protecting the thin film transistor 216 and the electrodes 205 and 206 to form a TFT substrate 251;
And

【0102】図9は、薄膜トランジスタ216及び電極
202,205,206の構造を示す。
FIG. 9 shows the structure of the thin film transistor 216 and the electrodes 202, 205, and 206.

【0103】薄膜トランジスタ216は画素電極20
5,信号電極206,走査電極217及びアモルファス
シリコン218から構成される。走査電極217はアル
ミニウム膜をパターニングし、信号電極206はクロム
膜をパターニングし、そして共通電極202と画素電極
205とはITOをパターニングして形成する。
The thin film transistor 216 is connected to the pixel electrode 20
5, composed of signal electrodes 206, scanning electrodes 217 and amorphous silicon 218. The scan electrode 217 is formed by patterning an aluminum film, the signal electrode 206 is formed by patterning a chromium film, and the common electrode 202 and the pixel electrode 205 are formed by patterning ITO.

【0104】絶縁膜204と保護絶縁膜207は窒化珪
素からなり、膜厚はそれぞれ0.2μmと0.8μm と
した。容量素子226は画素電極205と共通電極20
2で絶縁膜204,207を挟む構造として形成する。
The insulating film 204 and the protective insulating film 207 are made of silicon nitride, and have a thickness of 0.2 μm and 0.8 μm, respectively. The capacitor 226 is formed by the pixel electrode 205 and the common electrode 20.
2 form a structure sandwiching the insulating films 204 and 207.

【0105】画素電極205は、ベタ形状の共通電極2
02の上層に重畳する形で配置されている。画素数は1
024×3(R,G,Bに対応)本の信号電極206と7
68本の走査電極217とから構成される1024×3
×768個とする。
The pixel electrode 205 is a solid common electrode 2
02 so as to be superimposed on the upper layer 02. 1 pixel
024 × 3 (corresponding to R, G, B) signal electrodes 206 and 7
1024 × 3 composed of 68 scanning electrodes 217
× 768.

【0106】このとき、共通電極202をベタ形状とす
ることにより、上層に配置される画素電極205との間
の位置合せが容易となり、また形成される容量素子22
6の容量にばらつきが無く、面内で均一な表示特性を有
する液晶表示装置の製造が容易となった。
At this time, since the common electrode 202 is formed in a solid shape, the alignment with the pixel electrode 205 arranged in the upper layer is facilitated, and the capacitance element 22 is formed.
6 has no variation in capacitance, and it is easy to manufacture a liquid crystal display device having uniform display characteristics in a plane.

【0107】次に、TFT基板251の上にはポリイミ
ド配向膜208を80nmの膜厚で形成し、その表面に
は液晶を配向させるためのラビング処理を施す。
Next, a polyimide alignment film 208 having a thickness of 80 nm is formed on the TFT substrate 251 and its surface is subjected to a rubbing treatment for aligning the liquid crystal.

【0108】基板214上には、本発明にかかる第一実
施例である液晶表示装置100と同様の構成のブラック
マトリクス213付きカラーフィルター212を形成
し、対向カラーフィルター基板252とした。カラーフ
ィルター保護膜211の上にはTFT基板251と同様
の配向膜210を80nmの膜厚で形成し、ラビング処
理を施す。
On the substrate 214, a color filter 212 with a black matrix 213 having the same configuration as that of the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment of the present invention was formed, and a counter color filter substrate 252 was formed. On the color filter protective film 211, an alignment film 210 similar to the TFT substrate 251 is formed with a thickness of 80 nm and subjected to a rubbing process.

【0109】TFT基板251及びカラーフィルター基
板252における配向膜208,210のラビング方向
は互いにほぼ平行とし、かつ印加電界225の方向との
なす角度を15度とした。これらの基板間に平均粒径が
3μmの高分子ビーズをスペーサとして分散し、TFT
基板251とカラーフィルター基板252との間に液晶
209を挟み込んだ。
The rubbing directions of the alignment films 208 and 210 on the TFT substrate 251 and the color filter substrate 252 were substantially parallel to each other, and the angle formed by the direction of the applied electric field 225 was 15 degrees. Polymer beads having an average particle size of 3 μm are dispersed as spacers between these substrates to form a TFT.
The liquid crystal 209 was interposed between the substrate 251 and the color filter substrate 252.

【0110】液晶209は、実施例6で使用した液晶と
同一であり、化学式(III)に示すシアノ構造を分子内に
有する液晶分子を含有して誘電異方性は−4、屈折率異
方性(Δn)が0.1 であるネマチック液晶をベースと
して、フェノチアジンを1000ppm の濃度となるように添
加して調合された液晶を用いた。
The liquid crystal 209 is the same as the liquid crystal used in Example 6, contains liquid crystal molecules having a cyano structure represented by the chemical formula (III) in the molecule, has a dielectric anisotropy of -4, and a refractive index anisotropy. A liquid crystal prepared by adding phenothiazine to a concentration of 1000 ppm based on a nematic liquid crystal having a property (Δn) of 0.1 was used.

【0111】TFT基板251とカラーフィルター基板
252とを挟む2枚の偏光板215はクロスニコルに配
置した。そして、第七実施例である液晶表示装置250
においては、低電圧で暗状態,高電圧で明状態をとるノ
ーマリークローズ特性を採用した。
The two polarizing plates 215 sandwiching the TFT substrate 251 and the color filter substrate 252 were arranged in a cross Nicol state. The liquid crystal display device 250 of the seventh embodiment
Adopted normally-closed characteristics, which take a dark state at low voltage and a bright state at high voltage.

【0112】そして、実施例8である液晶表示装置25
0を駆動するシステムの構成は実施例1と同様であるの
で、構成の詳細は省略する。
Then, the liquid crystal display device 25 of the eighth embodiment
Since the configuration of the system for driving 0 is the same as that of the first embodiment, the details of the configuration are omitted.

【0113】次に、実施例8の液晶表示装置を用いて、
実施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、
実施例8の液晶表示装置の残像緩和時間は1分16秒で
あった。 (比較例6)用いた液晶が異なる以外は実施例8と同じ
構成の液晶表示装置を作製し、比較例6とした。液晶表
示装置の装置構成は実施例8と同様であるので、その詳
細の説明を省略する。
Next, using the liquid crystal display device of the eighth embodiment,
An afterimage was evaluated in the same manner as in Example 1. as a result,
The afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Example 8 was 1 minute and 16 seconds. (Comparative Example 6) A liquid crystal display device having the same configuration as that of Example 8 except that the liquid crystal used was different from that of Example 8 was manufactured, and Comparative Example 6 was performed. Since the device configuration of the liquid crystal display device is the same as that of the eighth embodiment, detailed description thereof will be omitted.

【0114】比較例6の液晶表示装置を構成する液晶
は、実施例8の液晶用に用いたベース液晶をそのまま使
用した。従って、液晶は、化学式(III)に示すシア
ノ構造を分子内に有する液晶分子を含有して誘電異方性
が−4、屈折率異方性が0.1であるネマチック液晶で
ある。
As the liquid crystal constituting the liquid crystal display device of Comparative Example 6, the base liquid crystal used for the liquid crystal of Example 8 was used as it was. Therefore, the liquid crystal is a nematic liquid crystal containing a liquid crystal molecule having a cyano structure represented by the chemical formula (III) in the molecule and having a dielectric anisotropy of -4 and a refractive index anisotropy of 0.1.

【0115】この比較例6の液晶表示装置を用いて、実
施例1と同様の方法で残像評価を行った。その結果、比
較例6の液晶表示装置の残像緩和時間は5分22秒であ
った。
Using the liquid crystal display device of Comparative Example 6, an afterimage was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, the afterimage relaxation time of the liquid crystal display device of Comparative Example 6 was 5 minutes and 22 seconds.

【0116】[0116]

【発明の効果】本発明によると、直流電圧の印加後に残
存する表示の不均一な状態、すなわち残像の発生しにく
いアクティブマトリクス型液晶表示装置を得ることがで
きる。また、高開口率と低電圧駆動特性を両立するとと
もに残像の発生しにくいアクティブマトリクス型液晶表
示装置を得ることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain an active matrix type liquid crystal display device in which the display remains non-uniformly after the application of the DC voltage, that is, in which the afterimage hardly occurs. Further, it is possible to obtain an active matrix type liquid crystal display device which has both a high aperture ratio and a low voltage driving characteristic and in which an afterimage is hardly generated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】液晶表示装置の構成の一例を説明する画素部分
の横断面図。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a pixel portion illustrating an example of a configuration of a liquid crystal display device.

【図2】液晶表示装置の電極構造を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing an electrode structure of a liquid crystal display device.

【図3】カラーフィルタ基板の構造を説明する図。FIG. 3 illustrates a structure of a color filter substrate.

【図4】液晶表示装置を駆動するシステムの構成を説明
するシステム図。
FIG. 4 is a system diagram illustrating a configuration of a system for driving a liquid crystal display device.

【図5】液晶表示装置の構成の他の例を説明する画素部
分の横断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a pixel portion illustrating another example of the configuration of the liquid crystal display device.

【図6】液晶表示装置の構成の更に他の例を説明する画
素部分の横断面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a pixel portion illustrating still another example of the configuration of the liquid crystal display device.

【図7】液晶表示装置の電極構造を示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing an electrode structure of a liquid crystal display device.

【図8】液晶表示装置の構成の更に他の例を説明する画
素部分の横断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a pixel portion illustrating still another example of the configuration of the liquid crystal display device.

【図9】液晶表示装置の電極構造を示す平面図。FIG. 9 is a plan view showing an electrode structure of a liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,14,131,201,214…基板、2,13
2,202…共通電極、4,104,204…絶縁膜、
5,105,205…画素電極、6,106,206…
信号電極、7,107…保護絶縁膜、8,10,10
8,110,208,210…配向膜、9,109,20
9…液晶、11,111,211…カラーフィルター保
護膜、12,112,212…カラーフィルター、1
3,113,213…ブラックマトリクス、15,11
5,215…偏光板、16,116,216…薄膜トラ
ンジスタ、17,117,217…走査電極、18,1
18,218…アモルファスシリコン、19,119,
226…容量素子、20…走査電極駆動用回路、21…
信号電極駆動用回路、22…共通電極駆動用回路、23
…コントロール回路、25,125,225…電界、1
00,150,200,250…液晶表示装置、10
1,151,251…TFT基板、102,152,2
52…カラーフィルター基板。
1,14,131,201,214 ... substrate, 2,13
2,202 common electrode, 4,104,204 insulating film,
5, 105, 205 ... pixel electrode, 6, 106, 206 ...
Signal electrode, 7, 107 ... protective insulating film, 8, 10, 10
8,110,208,210 ... Orientation film, 9,109,20
9: liquid crystal, 11, 111, 211: color filter protective film, 12, 112, 212: color filter, 1
3, 113, 213: black matrix, 15, 11
5,215: polarizing plate, 16, 116, 216: thin film transistor, 17, 117, 217: scanning electrode, 18, 1
18,218 ... amorphous silicon, 19,119,
226: Capacitance element, 20: Scan electrode driving circuit, 21:
Signal electrode driving circuit, 22... Common electrode driving circuit, 23
... Control circuit, 25, 125, 225 ... electric field, 1
00, 150, 200, 250 ... liquid crystal display device, 10
1,151,251 ... TFT substrate, 102,152,2
52 ... Color filter substrate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 冨岡 安 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 近藤 克己 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yasushi Tomioka 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside the Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Katsumi Kondo 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture No. 1 Inside the Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも一方が透明な一対の基板と、 前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶
配向制御層と、 前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するよう
にして配置された液晶と、 前記一対の基板の内の一方の基板に形成された電極及び
アクティブ素子と、 前記液晶の配向状態に応じて光学特性を変える光学手段
とを備える液晶表示装置において、 前記液晶は、アミン構造,アミド構造,アゾ構造,ジア
ゾ構造,アジド構造,ニトリル構造,ニトロソ構造,ニ
トロ構造,アルデヒド構造,グリコール構造,エーテル
構造,エステル構造,カルボン酸構造,ケトン構造,キ
ノン構造,チオエーテル構造,チオール構造,スルホン
酸構造,スルフェン酸構造,スルフィン酸構造,スルホ
キシド構造、及び有機リン構造からなる群から選択され
た少なくとも一の構造を分子内に有する非液晶性分子を
含有して構成されたことを特徴とする液晶表示装置。
1. A pair of substrates, at least one of which is transparent; a liquid crystal alignment control layer formed on surfaces of the pair of substrates facing each other; and a contact between the pair of substrates so as to contact the liquid crystal alignment control layer. A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal arranged in the following manner: an electrode and an active element formed on one of the pair of substrates; and an optical unit that changes optical characteristics according to an alignment state of the liquid crystal. The liquid crystal has an amine structure, amide structure, azo structure, diazo structure, azide structure, nitrile structure, nitroso structure, nitro structure, aldehyde structure, glycol structure, ether structure, ester structure, carboxylic acid structure, ketone structure, quinone structure, Thioether structure, thiol structure, sulfonic acid structure, sulfenic acid structure, sulfinic acid structure, sulfoxide structure, and organic phosphorus structure The at least one structure selected from the group consisting constructed containing a non-liquid crystalline molecules having in the molecule a liquid crystal display device according to claim.
【請求項2】請求項1記載の液晶表示装置において、前
記液晶の、前記非液晶性分子の含有量は1ppm 以上10
000ppm 以下であることを特徴とする液晶表示装置。
2. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein the content of said non-liquid crystal molecules in said liquid crystal is 1 ppm or more and 10 ppm or less.
A liquid crystal display device having a concentration of 000 ppm or less.
【請求項3】請求項1記載の液晶表示装置において、前
記液晶の、前記非液晶性分子の含有量は1ppm 以上95
ppm 以下であることを特徴とする液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the content of said non-liquid crystal molecules in said liquid crystal is 1 ppm or more and 95 ppm or less.
A liquid crystal display device characterized by being at most ppm.
【請求項4】請求項1,2又は3記載の液晶表示装置に
おいて、前記非液晶性分子はアミンであることを特徴と
する液晶表示装置。
4. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein said non-liquid crystal molecules are amines.
【請求項5】請求項1〜4のいずれか1項記載の液晶表
示装置において、前記非液晶性分子はポリエーテル構造
を有する分子であることを特徴とする液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the non-liquid crystal molecules are molecules having a polyether structure.
【請求項6】請求項1〜5のいずれか1項記載の液晶表
示装置において、前記液晶は8以上の誘電率異方性を有
する液晶であることを特徴とする液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said liquid crystal is a liquid crystal having a dielectric anisotropy of 8 or more.
【請求項7】請求項1〜6のいずれか1項記載の液晶表
示装置において、前記液晶はシアノ基を分子構造内に有
する液晶分子を含有して構成される液晶であることを特
徴とする液晶表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal is a liquid crystal containing liquid crystal molecules having a cyano group in a molecular structure. Liquid crystal display.
【請求項8】一対の基板と、該一対の基板間に挟持され
た液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に
画素電極及び共通電極並びにアクティブ素子を配置し、
前記画素電極及び前記共通電極間に電圧をかけることに
より前記液晶層の液晶を制御して表示を行う液晶表示装
置において、 前記液晶は、アミン構造,アミド構造,アゾ構造,ジア
ゾ構造,アジド構造,ニトリル構造,ニトロソ構造,ニ
トロ構造,アルデヒド構造,グリコール構造,エーテル
構造,エステル構造,カルボン酸構造,ケトン構造,キ
ノン構造,チオエーテル構造,チオール構造,スルホン
酸構造,スルフェン酸構造,スルフィン酸構造,スルホ
キシド構造、及び有機リン構造からなる群から選択され
た少なくとも一の構造を分子内に有する非液晶性分子を
含有して構成された液晶であり、 前記画素電極と前記共通電極の少なくとも一方は、透明
導電膜を用いて構成されたものであることを特徴とする
液晶表示装置。
8. A pair of substrates, a liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates, and a pixel electrode, a common electrode, and an active element disposed on at least one of the pair of substrates.
In a liquid crystal display device which performs display by controlling a liquid crystal of the liquid crystal layer by applying a voltage between the pixel electrode and the common electrode, the liquid crystal has an amine structure, an amide structure, an azo structure, a diazo structure, an azide structure, Nitrile structure, nitroso structure, nitro structure, aldehyde structure, glycol structure, ether structure, ester structure, carboxylic acid structure, ketone structure, quinone structure, thioether structure, thiol structure, sulfonic acid structure, sulfenic acid structure, sulfinic acid structure, sulfoxide structure A non-liquid crystal molecule having at least one structure selected from the group consisting of a structure and an organic phosphorus structure in the molecule, and at least one of the pixel electrode and the common electrode is transparent. A liquid crystal display device comprising a conductive film.
【請求項9】請求項8記載の液晶表示装置において、前
記液晶の、前記非液晶性分子の含有量は1ppm 以上10
000ppm 以下であることを特徴とする液晶表示装置。
9. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein the content of the non-liquid crystal molecules in the liquid crystal is 1 ppm or more and 10 ppm or less.
A liquid crystal display device having a concentration of 000 ppm or less.
【請求項10】請求項8記載の液晶表示装置において、
前記液晶の、前記非液晶性分子の含有量は1ppm 以上9
5ppm 以下であることを特徴とする液晶表示装置。
10. A liquid crystal display device according to claim 8,
The content of the non-liquid crystal molecules in the liquid crystal is 1 ppm or more and 9% or more.
A liquid crystal display device having a concentration of 5 ppm or less.
【請求項11】請求項8,9又は10記載の液晶表示装
置において、前記非液晶性分子はアミンであることを特
徴とする液晶表示装置。
11. A liquid crystal display device according to claim 8, wherein said non-liquid crystal molecules are amines.
【請求項12】請求項8〜11のいずれか1項記載の液
晶表示装置において、前記非液晶性分子はポリエーテル
構造を有する分子であることを特徴とする液晶表示装
置。
12. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein said non-liquid crystal molecules are molecules having a polyether structure.
【請求項13】請求項8〜12のいずれか1項記載の液
晶表示装置において、前記液晶は負の誘電率異方性を有
する液晶であることを特徴とする液晶表示装置。
13. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein said liquid crystal is a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy.
【請求項14】請求項8〜13のいずれか1項記載の液
晶表示装置において、前記液晶はシアノ基を分子構造内
に有する液晶分子を含有して構成される液晶であること
を特徴とする液晶表示装置。
14. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein the liquid crystal is a liquid crystal containing liquid crystal molecules having a cyano group in a molecular structure. Liquid crystal display.
【請求項15】請求項8〜14のいずれか1項記載の液
晶表示装置において、前記画素電極と前記共通電極は、
少なくとも一部が絶縁膜を介して重畳され、付加容量を
形成する構成とされたことを特徴とする液晶表示装置。
15. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein said pixel electrode and said common electrode are:
A liquid crystal display device having a structure in which at least a part thereof is overlapped with an insulating film therebetween to form an additional capacitor.
【請求項16】請求項8〜15のいずれか1項記載の液
晶表示装置において、前記透明導電膜は、インジウム−
チン−オキサイド(ITO)膜又は酸化インジウム亜鉛
(IZO)膜であることを特徴とする液晶表示装置。
16. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein said transparent conductive film is made of indium.
Tin-oxide (ITO) film or indium zinc oxide
A liquid crystal display device comprising an (IZO) film.
JP2000111854A 1999-04-07 2000-04-07 Liquid crystal display Expired - Fee Related JP4174951B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000111854A JP4174951B2 (en) 1999-04-07 2000-04-07 Liquid crystal display

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10007299 1999-04-07
JP11-100072 1999-04-07
JP2000111854A JP4174951B2 (en) 1999-04-07 2000-04-07 Liquid crystal display

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000351974A true JP2000351974A (en) 2000-12-19
JP2000351974A5 JP2000351974A5 (en) 2004-12-09
JP4174951B2 JP4174951B2 (en) 2008-11-05

Family

ID=26441160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000111854A Expired - Fee Related JP4174951B2 (en) 1999-04-07 2000-04-07 Liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4174951B2 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002268074A (en) * 2001-03-07 2002-09-18 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
US7005164B2 (en) 2002-06-14 2006-02-28 International Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal material, electro-optical device, liquid crystal display cell, and liquid crystal display
WO2007141935A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-13 Sharp Kabushiki Kaisha Residual dc voltage evaluating method and evaluation device therefor
JP2007334317A (en) * 2006-05-16 2007-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device and semiconductor device
JP2010243894A (en) * 2009-04-08 2010-10-28 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device
JP2011505445A (en) * 2007-11-23 2011-02-24 エルジー・ケム・リミテッド Polymerizable liquid crystal composition, vertical alignment liquid crystal film using the same, and method for producing the same
US8338865B2 (en) 2006-05-16 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US9207504B2 (en) 2006-04-06 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
CN114594634A (en) * 2022-03-28 2022-06-07 北京京东方显示技术有限公司 Display substrate and display panel

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002268074A (en) * 2001-03-07 2002-09-18 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
US7005164B2 (en) 2002-06-14 2006-02-28 International Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal material, electro-optical device, liquid crystal display cell, and liquid crystal display
US9207504B2 (en) 2006-04-06 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US11921382B2 (en) 2006-04-06 2024-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US11644720B2 (en) 2006-04-06 2023-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US11442317B2 (en) 2006-04-06 2022-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US11073729B2 (en) 2006-04-06 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US10684517B2 (en) 2006-04-06 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US9958736B2 (en) 2006-04-06 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US9213206B2 (en) 2006-04-06 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US11106096B2 (en) 2006-05-16 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US11061285B2 (en) 2006-05-16 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a dogleg-like shaped pixel electrode in a plane view having a plurality of dogleg-like shaped openings and semiconductor device
US9268188B2 (en) 2006-05-16 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US9709861B2 (en) 2006-05-16 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
TWI617869B (en) * 2006-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 Liquid crystal display device and semiconductor device
US8841671B2 (en) 2006-05-16 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US10001678B2 (en) 2006-05-16 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US10509271B2 (en) 2006-05-16 2019-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a semiconductor film having a channel formation region overlapping with a conductive film in a floating state
US11726371B2 (en) 2006-05-16 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. FFS-mode liquid crystal display device comprising a top-gate transistor and an auxiliary wiring connected to a common electrode in a pixel portion
US8872182B2 (en) 2006-05-16 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US8338865B2 (en) 2006-05-16 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
JP2007334317A (en) * 2006-05-16 2007-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device and semiconductor device
US11435626B2 (en) 2006-05-16 2022-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
WO2007141935A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-13 Sharp Kabushiki Kaisha Residual dc voltage evaluating method and evaluation device therefor
JP2011505445A (en) * 2007-11-23 2011-02-24 エルジー・ケム・リミテッド Polymerizable liquid crystal composition, vertical alignment liquid crystal film using the same, and method for producing the same
JP2010243894A (en) * 2009-04-08 2010-10-28 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device
US8411241B2 (en) 2009-04-08 2013-04-02 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
CN114594634A (en) * 2022-03-28 2022-06-07 北京京东方显示技术有限公司 Display substrate and display panel

Also Published As

Publication number Publication date
JP4174951B2 (en) 2008-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100431910B1 (en) Active Matrix Type Liquid Crystal Display Device and Liquid Crystal Composition Materials
JP3296426B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7405796B2 (en) Electrode array structures of fringe fields switching mode LCDs
EP3070521B1 (en) Liquid-crystal display element
JPH07181439A (en) Active matrix liquid crystal display device
JPH07306417A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP6414723B2 (en) Liquid crystal display element
Yadav et al. Electro-optical behavior of dye doped nematic liquid crystal
JP4174951B2 (en) Liquid crystal display
US5559619A (en) Liquid crystal electro-optical device and manufacturing method for the same
US20050260359A1 (en) Liquid crystal display device
JPH06266316A (en) Liquid crystal display device and driving method for the same
JP3985399B2 (en) Liquid crystal display
JPH10186391A (en) Liquid crystal display device
JPH0854629A (en) Liquid crystal display element and its production
JP4728479B2 (en) Monostable ferroelectric active matrix display
JP2006301466A (en) Liquid crystal display device
JP2002357801A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP3730320B2 (en) LCD panel
JP2009185175A (en) Liquid crystal display
JPH0540281A (en) Tn type liquid crystal display element
JP2000066210A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP3176079B2 (en) Optical modulator
JPH08152654A (en) Liquid crystal device
JPH11223816A (en) Liquid crystal device and its manufacturing method and orientation layer or its composition

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060417

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070306

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070507

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070507

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080422

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080521

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080707

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080729

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080811

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees