JP2000351970A - Liquid crystal composition and liquid crystal device using the same - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a liquid crystal composition having small temperature dependence on tilt angle of a liquid crystal exhibiting V type response characteristic capable of realizing a display free from nonuniformity of contrast by adding a specific smectic C liquid crystal to a chiral smectic liquid crystal exhibiting V type response characteristic. SOLUTION: In this composition, preferably >=10 wt.% of one or more kind of smectic C liquid crystal compound (e.g. a compound of formula II, etc.), having smaller temperature dependence on tilt angle than a chiral smectic liquid crystal (e.g. a compound of formula I, etc.), which exhibits V type response characteristic is added to the chiral smectic liquid crystal. The smectic C liquid crystal compound preferably satisfies (tilt angle of 20 deg.C lower than the upper limit of the smectic C phase)/(tilt angle of 25 deg.C lower than the upper limit of the smectic C phase)<=1.2. This composition is useful for a liquid crystal display element used for flat panel display, projection display, printer, etc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
ー等に使用される液晶素子及び該素子に用いる液晶組成
物に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device used for a flat panel display, a projection display, a printer, and the like, and a liquid crystal composition used for the device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来から最も広範に用いられてきている
ディスプレイとしては、ＣＲＴが知られている。ＣＲＴ
はテレビやＶＴＲなどの動画出力、或いはパーソナルコ
ンピュータ等のモニターとして広く用いられている。し
かしながら、ＣＲＴはその特性上、静止画像に対しては
フリッカや解像度不足による走査縞等が視認性を低下さ
せたり、焼き付きによる蛍光体の劣化が起こったりす
る。また、最近ではＣＲＴが発生する電磁波が人体に悪
影響を与えることがわかり、ＶＤＴ作業者の健康を害す
ることが懸念されている。そして、ＣＲＴはその構造
上、画面後方に広く体積を有することが必須であること
から、情報機器の利便性を著しく阻害し、オフィス、家
庭の省スペース化を阻害している。2. Description of the Related Art A CRT is known as the most widely used display. CRT
Is widely used as a moving image output for televisions and VTRs, or as a monitor for personal computers and the like. However, due to the characteristics of the CRT, flicker and scanning fringes due to insufficient resolution lower the visibility of a still image, and the phosphor deteriorates due to burn-in. Also, recently, it has been found that the electromagnetic waves generated by the CRT have an adverse effect on the human body, and there is a concern that the health of a VDT worker may be impaired. Since the CRT is required to have a large volume behind the screen due to its structure, the convenience of information devices is significantly impaired, and the space saving of offices and homes is impeded.

【０００３】上記のようなＣＲＴの欠点を解決するもの
として、液晶表示素子がある。例えば、Ｍ．シャット
（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とＷ．ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌ
ｆｒｉｃｈ）著、アプライド・フィジックス・レターズ
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）第１２
７頁〜１２８頁において示されたツイステッドネマチッ
ク（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたも
のが知られている。近年、このタイプの液晶を用いてＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたアクティブマトリク
スタイプ（いわゆるＴＦＴタイプ）の液晶素子の開発、
製品化が行われている。このタイプの液晶素子は、一つ
一つの画素にトランジスタを作製するものであり、クロ
ストークの問題がなく、また、近年の急速な生産技術の
進歩によって、１０〜１２インチクラスのディスプレイ
がよい生産性で作られつつある。しかしながら、動画を
問題なく再現するための応答速度の点で問題が存在して
いる。As a solution to the above-mentioned drawbacks of the CRT, there is a liquid crystal display device. For example, M. M. Schadt and W.S. Hellrich (W. Hell)
Frich), Applied Physics Letters
Volume 18, Number 4 (issued February 15, 1971) Issue 12
One using a twisted nematic liquid crystal shown on pages 7 to 128 is known. In recent years, using this type of liquid crystal,
Development of active matrix type (so-called TFT type) liquid crystal devices using FT (thin film transistor),
It is being commercialized. This type of liquid crystal element is one in which a transistor is formed for each pixel, has no problem of crosstalk, and has recently been able to produce a 10-12 inch class display with rapid progress in production technology. It is being made with sex. However, there is a problem in response speed for reproducing a moving image without any problem.

【０００４】また、最近では新しいモードを利用した液
晶素子が開発されている。例えば、日経エレクトロニク
スにおいて示された日立製作所社によるプレインモー
ド、セイコーエプソン社によるＢＴＮモードがある。特
に後者は速いスイッチングスピードと双安定性を有する
ため、単純マトリクス方式による大画面素子の提案がな
されている。Recently, a liquid crystal device utilizing a new mode has been developed. For example, there is a plain mode by Hitachi, Ltd. and a BTN mode by Seiko Epson shown in Nikkei Electronics. In particular, since the latter has a high switching speed and bistability, a large-screen element using a simple matrix method has been proposed.

【０００５】一方、双安定性を有する液晶素子として、
クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウェル（Ｌａｇｅｒｗ
ａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０７２
１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書）カイ
ラルスメクチック液晶素子がある。この素子には双安定
性を示す液晶として、一般にカイラルスメクチックＣ相
或いはカイラルスメクチックＨ相を有する強誘電性液晶
が用いられている。この強誘電性液晶を用いた液晶素子
は、自発分極により反転スイッチングを行うため、非常
に速い応答速度からなる上にメモリー性のある双安定状
態を発現させることができる。さらに、視野角特性も優
れていることから、高速、高精細、大面積の単純マトリ
クス表示素子或いはライトバルブとして適していると考
えられる。On the other hand, as a liquid crystal element having bistability,
Clark and Lagerwell
all) (JP-A-56-1072).
No. 16, US Pat. No. 4,367,924) There is a chiral smectic liquid crystal element. In this device, a ferroelectric liquid crystal having a chiral smectic C phase or a chiral smectic H phase is generally used as a liquid crystal exhibiting bistability. Since the liquid crystal element using the ferroelectric liquid crystal performs inversion switching by spontaneous polarization, it has a very fast response speed and can exhibit a bistable state with memory properties. Further, since the viewing angle characteristics are excellent, it is considered that they are suitable as a high-speed, high-definition, large-area simple matrix display element or a light valve.

【０００６】また、最近ではチャンダニ、竹添らにより
３つの安定状態を有するカイラルスメクチック反強誘電
性液晶素子も提案されている（ジャパニーズ・ジャーナ
ル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓ
ｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ）第２７巻、１９８８年、Ｌ７２９頁）。そして、
最近この反強誘電性液晶材料のうち、ヒステリシスが小
さく、階調表示に有利な特性を有するＶ字型応答特性が
発見された（例えば、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス、第３６巻、１９９７年、
３５８６頁）。これをアクティブマトリクスタイプの液
晶素子とし、高速のディスプレイを実現しようという提
案もなされている（特開平９−５００４９号公報）。Recently, a chiral smectic antiferroelectric liquid crystal device having three stable states has been proposed by Chandani, Takezoe et al. (Japanese Journal of Applied Physics (Japanese)).
e Journal of Applied Physi
cs) Vol. 27, 1988, L729). And
Recently, among these antiferroelectric liquid crystal materials, a V-shaped response characteristic having small hysteresis and advantageous characteristics for gradation display has been discovered (for example, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 36, 1997,
3586). It has been proposed to use this as an active matrix type liquid crystal element to realize a high-speed display (Japanese Patent Laid-Open No. 9-50049).

【０００７】また、一般にメモリー性のある双安定型液
晶の屈折率を利用した液晶素子の場合、直交ニコル下に
おける透過率は下記［１］式で表される。In general, in the case of a liquid crystal element utilizing the refractive index of a bistable liquid crystal having a memory property, the transmittance under crossed Nicols is expressed by the following equation [1].

【０００８】 Ｉ／Ｉ₀＝ｓｉｎ²４θｓｉｎ²Δｎｄπ／λ ［１］ Ｉ₀：入射光強度、Ｉ：透過光強度、θ：チルト角、Δ
ｎ：屈折率異方性、ｄ：液晶層の膜厚、λ：入射光の波
長[0008] ^{_{I / I 0 = sin 2 4θsin}} 2 Δndπ / λ [1] I 0: incident light intensity, I: transmitted light intensity, theta: tilt angle, delta
n: refractive index anisotropy, d: film thickness of liquid crystal layer, λ: wavelength of incident light

【０００９】上記［１］式によれば、チルト角θが２
２．５°の場合に液晶素子の透過率が最大となる。しか
しながら、Ｖ字型応答特性を利用した液晶素子の場合、
利用できるチルト角が半分になるために、最大の透過率
を得るためにはチルト角θは４５°であることが望まし
い。According to the above equation (1), when the tilt angle θ is 2
When the angle is 2.5 °, the transmittance of the liquid crystal element becomes maximum. However, in the case of a liquid crystal element utilizing the V-shaped response characteristic,
Since the available tilt angle is halved, the tilt angle θ is desirably 45 ° in order to obtain the maximum transmittance.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】一般に高温側におい
て、温度変化によるチルト角の変化は大きく、このよう
なチルト角の温度依存性は透過率の温度依存性となり、
表示上はコントラストのむらとなって画質低下の原因と
なっている。Generally, on the high temperature side, the change in the tilt angle due to the temperature change is large, and the temperature dependency of such a tilt angle becomes the temperature dependency of the transmittance.
The contrast is uneven on the display, which causes the image quality to deteriorate.

【００１１】本発明の目的は、チルト角の温度依存性が
小さいカイラルスメクチック液晶を提供し、Ｖ字型応答
特性を示す液晶素子において、コントラストのむらのな
い表示を実現することにある。An object of the present invention is to provide a chiral smectic liquid crystal having a small temperature dependence of a tilt angle, and to realize a display without unevenness of contrast in a liquid crystal element exhibiting a V-shaped response characteristic.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶組成物は、
Ｖ字型応答特性を示すカイラルスメクチック液晶に、該
液晶よりもチルト角の温度依存性が小さいスメクチック
Ｃ液晶化合物を少なくとも１種添加してなることを特徴
とする。Means for Solving the Problems The liquid crystal composition of the present invention comprises:
A chiral smectic liquid crystal exhibiting a V-shaped response characteristic is characterized by adding at least one smectic C liquid crystal compound having a smaller tilt angle temperature dependence than the liquid crystal.

【００１３】また本発明の液晶素子は、一対の基板と、
該基板間に狭持されたカイラルスメクチック液晶と、該
液晶を駆動するための電極を備え、Ｖ字型応答特性を有
する液晶素子であって、上記カイラルスメクチック液晶
として上記本発明の液晶組成物を用いたことを特徴とす
る。Further, the liquid crystal element of the present invention comprises: a pair of substrates;
A chiral smectic liquid crystal sandwiched between the substrates, and an electrode for driving the liquid crystal, a liquid crystal element having a V-shaped response characteristic, wherein the chiral smectic liquid crystal comprises the liquid crystal composition of the present invention. It is characterized by using.

【００１４】本発明においては、Ｖ字型応答特性の液晶
素子において、液晶としてチルト角の温度依存性の小さ
いスメクチックＣ液晶化合物を添加した液晶組成物を用
いることにより、Ｖ字型応答特性を示すカイラルスメク
チック液晶を単独で用いた場合に比較して、特に高温側
におけるチルト角の温度依存性が改善され、温度変化に
よる影響が低減されるのである。In the present invention, in a liquid crystal device having a V-shaped response characteristic, a V-shaped response characteristic is exhibited by using a liquid crystal composition to which a smectic C liquid crystal compound having a small temperature dependence of a tilt angle is added as a liquid crystal. Compared to the case where chiral smectic liquid crystal is used alone, the temperature dependence of the tilt angle, especially on the high temperature side, is improved, and the influence of a temperature change is reduced.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】本発明の液晶組成物は、Ｖ字型応
答特性を示すカイラルスメクチック液晶に、チルト角の
温度依存性が小さいスメクチックＣ液晶化合物を添加し
てなる。本発明において、上記スメクチックＣ液晶化合
物をより少ない添加量でその効果を得るには、該化合物
のスメクチックＣ相の上限温度Ｔｃから２０℃低い温度
Ｔｃ−２０℃でのチルト角をΘ_Tc-20、５℃低い温度Ｔ
ｃ−５℃でのチルト角をΘ_Tc-5とし、Ｔｃ−２０℃〜Ｔ
ｃ−５℃におけるチルト角の温度依存性をΘ_Tc-20／Θ
_Tc-5とした時、Θ_Tc-20／Θ_Tc-5≦１．２であることが
好ましい。また、スメクチックＣ液晶化合物の添加効果
を十分に得るためには、本発明の液晶組成物中に１０重
量％以上含有させることが好ましい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The liquid crystal composition of the present invention comprises a chiral smectic liquid crystal having a V-shaped response characteristic and a smectic C liquid crystal compound having a small temperature dependence of a tilt angle. In the present invention, in order to obtain the effect with a smaller addition amount of the smectic C liquid crystal compound, the tilt angle at a temperature Tc-20 ° C. lower by 20 ° C. than the upper limit temperature Tc of the smectic C phase of the compound is Δ _Tc-20. 5 ℃ lower temperature T
The tilt angle at c-5 ° C. is defined as ΔTc _-5, and Tc−20 ° C. to T
The temperature dependence of the tilt angle at c-5 ° C is expressed as ΘTc _-20 / Θ
_{When Tc-5} is satisfied, it is preferable that ΘTc _-20 / ΘTc _-5 ≦ 1.2. In addition, in order to sufficiently obtain the effect of adding the smectic C liquid crystal compound, it is preferable that the content is 10% by weight or more in the liquid crystal composition of the present invention.

【００１６】上記スメクチックＣ液晶化合物の具体例と
しては、例えば下記構造式で示される化合物が挙げられ
る。Specific examples of the smectic C liquid crystal compound include, for example, compounds represented by the following structural formula.

【００１７】[0017]

【化１】 Embedded image

【００１８】また、本発明の液晶組成物においては、Ｖ
字相の上限温度Ｔｖから２０℃低い温度Ｔｖ−２０℃で
のチルト角をΘ_Tv-20、５℃低い温度Ｔｖ−５℃でのチ
ルト角をΘ_Tv-5とし、Ｔｖ−２０℃〜Ｔｖ−５℃におけ
るチルト角の温度依存性をΘ_Tv-20／Θ_Tv-5とした時、
Θ_Tv-20／Θ_Tv-5≦１．５であることが好ましい。In the liquid crystal composition of the present invention, V
The tilt angle at the tilt angle Θ _Tv-20, 5 ℃ low temperature Tv-5 ° C. at 20 ° C. lower temperature Tv-20 ° C. from the upper limit temperature Tv of shaped phase and _{Θ Tv-5, Tv-20} ℃ ~Tv When the temperature dependence of the tilt angle at -5 ° C is _ΘTv-20 / _ΘTv-5 ,
It is preferable that _ΘTv-20 / _ΘTv-5 ≦ 1.5.

【００１９】本発明の液晶組成物を用いて高画質の液晶
素子を得るためには、チルト角の温度依存性が大きい高
温側において、Ｔｖ−２０℃〜Ｔｖ−５℃の温度変化に
よるコントラストの差が２５以下のものが好ましい。そ
のような液晶素子を得るために、本発明で用いられるＶ
字型応答特性を有するカイラルスメクチック液晶とは、
それぞれ厚さ７０ｎｍのＩＴＯ膜を有する一対の基板を
該ＩＴＯ膜を対向面としてギャップ２．４μｍで対向さ
せてなるテストセル内に狭持され、等方相から徐冷した
際にスメクチックＡ相を示す温度領域でシアリング処理
がなされた場合、さらに該セル内でカイラルスメクチッ
ク相を示す温度領域でにまで徐冷された場合、のいずれ
においても双安定配向状態を示し、一方、ポリイミド配
向膜を設けたセル内において、電界無印加時には液晶分
子が、平均一軸配向処理軸及び／または電界印加によっ
て該液晶がとりうる２つの最大チルトの中心軸から、該
最大チルトの角度以下の２以上の角度で液晶分子の分子
軸を傾け、且つ、該液晶分子の平均分子軸が平均一軸配
向処理軸及び／または電界印加によって該液晶がとりう
る２つの最大チルトの中心軸と実質的に一致する配向状
態を示し、電界印加時には、該液晶の見かけのチルト角
及び透過光強度が連続的に変化する特性を有する液晶を
意味する。In order to obtain a high quality liquid crystal device using the liquid crystal composition of the present invention, it is necessary to improve the contrast by changing the temperature from Tv-20 ° C. to Tv-5 ° C. on the high temperature side where the temperature dependence of the tilt angle is large. Those having a difference of 25 or less are preferred. In order to obtain such a liquid crystal element, V
A chiral smectic liquid crystal having a character-like response characteristic
A pair of substrates each having an ITO film having a thickness of 70 nm is sandwiched in a test cell in which the ITO film is opposed to each other with a gap of 2.4 μm, and the smectic A phase is gradually cooled from the isotropic phase. In the case where the shearing treatment is performed in the temperature range shown, and further when the cell is gradually cooled in the temperature range showing the chiral smectic phase, the bistable alignment state is shown in any case, and the polyimide alignment film is provided. In the cell where no electric field is applied, the liquid crystal molecules are at two or more angles equal to or less than the angle of the maximum tilt from the average uniaxial alignment processing axis and / or the central axis of the two maximum tilts that the liquid crystal can take by applying the electric field. The molecular axes of the liquid crystal molecules are tilted, and the average molecular axis of the liquid crystal molecules is the average uniaxial alignment processing axis and / or the two maximum chills that the liquid crystal can take by applying an electric field Shows an alignment state that matches the central axis of the substantially when an electric field is applied means a liquid that has the property of tilt angle and the transmitted light intensity of the liquid crystal of the apparent changes continuously.

【００２０】本発明に用いる、Ｖ字型応答特性を示すカ
イラルスメクチック液晶の具体例としては、特開平６−
３２９５９１号公報（特に表１〜１５に記載の化合
物）、特開平７−３１６５５５号公報（特に表１−１〜
１８に記載の化合物）、特開昭６３−２７４５１号公報
（特に表１に記載の化合物）、特開平２−１４２７５３
号公報（特に表１に記載の化合物）、ＷＯ９６／３３２
５（特にＴａｂｌｅ １に記載の化合物）に記載される
ものが挙げられる。A specific example of a chiral smectic liquid crystal having a V-shaped response characteristic used in the present invention is disclosed in
No. 329591 (particularly the compounds described in Tables 1 to 15) and JP-A-7-316555 (particularly Tables 1-1 to 1).
18), JP-A-63-27451 (especially the compounds described in Table 1) and JP-A-2-142755.
Publication (especially the compounds described in Table 1), WO96 / 332
5 (especially the compounds described in Table 1).

【００２１】上記した本発明の液晶組成物を用いてなる
本発明の液晶素子はＶ字型応答特性を示す。即ち、本発
明の液晶素子においては、電圧無印加で液晶が第一の透
過率を示し、該液晶に所定の電圧値±Ｖ₀を印加した際
に第二の透過率を示し、印加電圧に応じて第一の透過率
と第二の透過率との間で連続的に透過率が変化する。従
って、例えば、上記第一の透過率を最暗状態、第二の透
過率を最明状態となるように偏光板を適宜設置すれば、
印加電圧に応じた階調表示を行うことができる。The liquid crystal device of the present invention using the above liquid crystal composition of the present invention exhibits a V-shaped response characteristic. That is, in the liquid crystal element of the present invention, the liquid crystal exhibits the first transmittance when no voltage is applied, and exhibits the second transmittance when a predetermined voltage value ± V ₀ is applied to the liquid crystal. Accordingly, the transmittance continuously changes between the first transmittance and the second transmittance. Therefore, for example, if the first transmittance is the darkest state, if the polarizing plate is appropriately installed so that the second transmittance is the brightest state,
It is possible to perform a gradation display according to the applied voltage.

【００２２】図１に本発明の液晶素子の基本構成の一例
の断面模式図を示す。図中、１１，１２は基板、１３，
１４は電極、１５，１６は配向制御層、１７は液晶層、
１８はスペーサーである。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the basic structure of the liquid crystal element of the present invention. In the figure, 11 and 12 are substrates, and 13 and
14 is an electrode, 15 and 16 are alignment control layers, 17 is a liquid crystal layer,
18 is a spacer.

【００２３】液晶層１７は本発明の液晶組成物からな
り、通常、強誘電相の安定性を実現させるため、層厚は
５μｍ以下が好ましい。The liquid crystal layer 17 is made of the liquid crystal composition of the present invention, and usually has a thickness of preferably 5 μm or less in order to realize the stability of the ferroelectric phase.

【００２４】基板１１，１２は通常ガラスやプラスチッ
ク等の透明基板が用いられるが、反射型の液晶素子を構
成する場合には、一方の基板をシリコン基板等で構成す
る場合もある。As the substrates 11 and 12, a transparent substrate such as glass or plastic is usually used. However, when a reflection type liquid crystal element is formed, one of the substrates may be formed of a silicon substrate or the like.

【００２５】電極１３、１４は通常ＩＴＯ等の透明導電
材で形成されるが、反射型の液晶素子を構成する場合に
は、一方の電極を反射能の高い金属で構成したり、或い
は一方の電極の上または下に反射部材を設ける場合があ
る。The electrodes 13 and 14 are usually formed of a transparent conductive material such as ITO. When a reflective liquid crystal element is formed, one of the electrodes 13 and 14 may be formed of a metal having high reflectivity, or one of the electrodes may be formed of a metal having high reflectivity. A reflective member may be provided above or below the electrode.

【００２６】本発明において好ましくは配向制御層１
５，１６の少なくとも一方を設け、さらに好ましくは一
軸配向制御層とする。一軸配向制御層の形成方法として
は、例えば基板上に溶液塗工または蒸着、或いはスパッ
タリング等により、一酸化珪素、二酸化珪素、酸化アル
ミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリ
ウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭化
物、ホウ素窒化物などの無機物や、ポリビニルアルコー
ル、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレン、ポ
リカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリビニルク
ロライド、ポリスチレン、ポリシロキサン、セルロース
樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂などの
有機物を用いて被膜形成した後、表面をビロード、布或
いは紙等の繊維状のもので摺擦（ラビング）することに
より得られる。また、ＳｉＯ等の酸化物或いは窒化物な
どを基板の斜方から蒸着する、斜方蒸着法なども用いら
れ得る。また、この他にショート防止層を設けることも
可能である。In the present invention, the orientation control layer 1 is preferably used.
At least one of Nos. 5 and 16 is provided, and more preferably a uniaxial orientation control layer. As a method of forming the uniaxial orientation control layer, for example, solution coating or vapor deposition on a substrate, or sputtering or the like, silicon monoxide, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride Substances, silicon carbide, inorganic substances such as boron nitride, polyvinyl alcohol, polyimide, polyimide amide, polyester, polyamide, polyester imide, polyparaxylene, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polystyrene, polysiloxane, cellulose resin, melamine resin After a film is formed using an organic substance such as urea resin or acrylic resin, the surface is rubbed with a fibrous material such as velvet, cloth or paper. Also, an oblique evaporation method or the like in which an oxide or a nitride such as SiO is evaporated from an oblique direction of the substrate may be used. In addition, it is also possible to provide a short prevention layer.

【００２７】特に、より良好な一軸配向性を得るため
に、ポリイミドラビング膜を一軸配向制御層として用い
ることが好ましい。また、通常ポリイミドはポリアミッ
ク酸の形で塗膜し、焼成することで得られる。ポリアミ
ック酸は溶剤に易溶解性であるため、生産性に優れる。
最近では、溶剤に可溶なポリイミドも生産されており、
そういった技術の進歩の上からもポリイミドはより良好
な一軸配向性を得られ、高い生産性を有する点で好まし
く用いられる。In particular, in order to obtain better uniaxial orientation, it is preferable to use a polyimide rubbing film as the uniaxial orientation control layer. Usually, polyimide is obtained by coating a film in the form of polyamic acid and baking it. Polyamic acid is excellent in productivity because it is easily soluble in a solvent.
Recently, polyimides soluble in solvents have also been produced,
From the viewpoint of such technological progress, polyimide is preferably used because it can obtain better uniaxial orientation and has high productivity.

【００２８】両基板は、スペーサー１８を介して対向し
ている。かかるスペーサー１８は、基板間の距離（セル
ギャップ）を決定するものであり、通常シリカビーズ等
が用いられる。The two substrates face each other with a spacer 18 interposed therebetween. The spacer 18 determines a distance (cell gap) between the substrates, and is usually made of silica beads or the like.

【００２９】また、図２に本発明の好ましい形態であ
る、図１の構成を１画素としたアクティブマトリクスタ
イプの液晶素子の一実施形態の断面模式図を示す。ま
た、図３に当該液晶素子に周辺駆動回路を組み込んだ場
合のアクティブマトリクス基板の平面模式図を示す。図
中、２１，２２は基板、２３は画素電極、２４はＴＦ
Ｔ、２５は共通電極、２６，２７は配向制御層、１７は
本発明の液晶組成物からなる液晶層、１８はスペーサ
ー、２８はシール材、３１は走査信号線ドライバ、３２
は情報信号線ドライバ、３３は走査信号線、３４は走査
信号線端部、３５は情報信号線、３６は情報信号線端部
である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of an active matrix type liquid crystal element having one pixel in the configuration of FIG. 1, which is a preferred embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic plan view of an active matrix substrate when a peripheral driving circuit is incorporated in the liquid crystal element. In the figure, 21 and 22 are substrates, 23 is a pixel electrode, and 24 is TF
T and 25 are common electrodes, 26 and 27 are alignment control layers, 17 is a liquid crystal layer made of the liquid crystal composition of the present invention, 18 is a spacer, 28 is a sealing material, 31 is a scanning signal line driver, 32
Is an information signal line driver, 33 is a scanning signal line, 34 is a scanning signal line end, 35 is an information signal line, and 36 is an information signal line end.

【００３０】基板２１側はアクティブマトリクス基板で
あり、基板２２側は対向基板である。基板２１，２２は
通常ガラスやプラスチック等の透明基板が用いられる
が、反射型の液晶素子を構成する場合には、基板２１を
シリコン基板等で構成する場合もある。The substrate 21 is an active matrix substrate, and the substrate 22 is a counter substrate. Transparent substrates such as glass and plastic are usually used for the substrates 21 and 22. However, when a reflective liquid crystal element is formed, the substrate 21 may be formed of a silicon substrate or the like.

【００３１】基板２１上には、画素電極２３と該画素電
極２３に接続されたアクティブ素子とがマトリクス状に
形成されている。本実施形態においてはアクティブ素子
としてＴＦＴ２４が用いられている。アクティブ素子と
して好適なトランジスタとしては、アモルファスシリコ
ンベース、ポリシリコンタイプ、或いはマイクロクリス
タルシリコンベース、単結晶シリコン等の半導体が用い
られる。ＴＦＴは通常、基板上に形成されたゲート電極
と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁
膜の上に形成された半導体層と、該半導体層の上に形成
されたソース電極及びドレイン電極とから構成される。
アクティブ素子としてはトランジスタ以外にも、ＭＩＭ
等が好ましく使用できる。On the substrate 21, pixel electrodes 23 and active elements connected to the pixel electrodes 23 are formed in a matrix. In the present embodiment, a TFT 24 is used as an active element. As a transistor suitable as an active element, a semiconductor such as an amorphous silicon base, a polysilicon type, a microcrystal silicon base, or single crystal silicon is used. A TFT generally has a gate electrode formed over a substrate, a gate insulating film covering the gate electrode, a semiconductor layer formed over the gate insulating film, a source electrode formed over the semiconductor layer, And a drain electrode.
Active elements other than transistors include MIM
Etc. can be preferably used.

【００３２】図３に示すように、画素電極２３の行間に
走査信号線（ゲート線）３３が配線され、列間に情報信
号線（ソース線）３５が配線されている。各ＴＦＴ２４
のゲート電極は、対応する走査信号線３３に接続され、
ドレイン電極は対応する情報信号線３５に接続されてい
る。そして、走査信号線３３は端部３４を介して走査信
号線ドライバ３１に接続され、情報信号線３５は端部３
６を介して情報信号線ドライバ３２に接続される。走査
信号線ドライバ３１は走査信号線３３を順次選択してゲ
ートオン信号を印加し、これと同期して情報信号線ドラ
イバ３２からは各情報信号線３５に表示データに対応す
る情報信号を印加する。走査信号線３３は端部３４を除
いてＴＦＴ２４のゲート絶縁膜で覆われており、情報信
号線３５は該ゲート絶縁膜の上に形成されている。画素
電極２３は該ゲート絶縁膜の上に形成され、その一端部
においてＴＦＴ２４のソース電極に接続されている。As shown in FIG. 3, scanning signal lines (gate lines) 33 are arranged between rows of the pixel electrodes 23, and information signal lines (source lines) 35 are arranged between columns. Each TFT 24
Are connected to the corresponding scanning signal lines 33,
The drain electrodes are connected to corresponding information signal lines 35. The scanning signal line 33 is connected to the scanning signal line driver 31 via the end 34, and the information signal line 35 is connected to the end 3
6, and is connected to the information signal line driver 32. The scanning signal line driver 31 sequentially selects the scanning signal lines 33 and applies a gate-on signal. In synchronization with this, the information signal line driver 32 applies an information signal corresponding to display data to each information signal line 35. The scanning signal line 33 is covered with the gate insulating film of the TFT 24 except for the end 34, and the information signal line 35 is formed on the gate insulating film. The pixel electrode 23 is formed on the gate insulating film and has one end connected to the source electrode of the TFT 24.

【００３３】また、基板２２には、画素電極２３と対向
する共通電極２５が形成されている。共通電極２５は、
表示領域全体にわたる面積の１枚の電極から構成され、
基準電圧が印加される。その結果、液晶層１７には情報
信号電圧に応じた電圧が印加され、透過率が変化し、階
調表現を行うことができる。また、画素毎に補助容量と
なるコンデンサが配置されることもある。Further, a common electrode 25 facing the pixel electrode 23 is formed on the substrate 22. The common electrode 25
It consists of a single electrode with an area that covers the entire display area,
A reference voltage is applied. As a result, a voltage corresponding to the information signal voltage is applied to the liquid crystal layer 17, the transmittance changes, and gradation expression can be performed. Further, a capacitor serving as an auxiliary capacitance may be arranged for each pixel.

【００３４】画素電極２３及び共通電極２５は通常ＩＴ
Ｏ等の透明導電材で形成されるが、反射型の液晶素子を
構成する場合には、画素電極２３を反射能の高い金属で
構成したり、或いは画素電極２３の上または下に反射部
材を設ける場合がある。The pixel electrode 23 and the common electrode 25 are usually
Although formed of a transparent conductive material such as O, when a reflective liquid crystal element is formed, the pixel electrode 23 is formed of a metal having high reflectivity, or a reflective member is provided above or below the pixel electrode 23. May be provided.

【００３５】配向制御層２６，２７については、図１の
実施形態における配向制御層１５，１６と同様である。
また、スペーサー１８及び液晶層１７についても図１の
素子と同様である。The orientation control layers 26 and 27 are the same as the orientation control layers 15 and 16 in the embodiment of FIG.
The same applies to the spacer 18 and the liquid crystal layer 17 as in the device shown in FIG.

【００３６】本発明にかかる液晶素子を組み込んで、種
々の機能を持った液晶装置を構成することができるが、
その例が該素子を表示パネル部に使用し、図５に示した
走査線アドレス情報を持つ画像情報からなるデータフォ
ーマット及びＳＹＮ信号による通信同期手段をとること
により、図４の液晶表示装置を実現するものである。図
中の符号はそれぞれ以下の通りである。A liquid crystal device having various functions can be constructed by incorporating the liquid crystal element according to the present invention.
In this example, the liquid crystal display device shown in FIG. 4 is realized by using the element in a display panel section and employing a data format including image information having scanning line address information shown in FIG. 5 and a communication synchronization means using a SYN signal. Is what you do. The reference numerals in the figure are as follows.

【００３７】１０１は液晶表示装置、１０２はグラフィ
ックコントローラ、１０３は表示パネル、１０４は走査
信号線駆動回路、１０５は情報信号線駆動回路、１０６
はデコーダ、１０７は走査信号発生回路、１０８はシフ
トレジスタ、１０９はラインメモリ、１１０は情報信号
発生回路、１１１は駆動制御回路、１１２はＧＣＰＵ、
１１３はホストＣＰＵ、１１４はＶＲＡＭである。101 is a liquid crystal display device, 102 is a graphic controller, 103 is a display panel, 104 is a scanning signal line driving circuit, 105 is an information signal line driving circuit, 106
Is a decoder, 107 is a scanning signal generation circuit, 108 is a shift register, 109 is a line memory, 110 is an information signal generation circuit, 111 is a drive control circuit, 112 is a GCPU,
Reference numeral 113 denotes a host CPU, and 114 denotes a VRAM.

【００３８】画像情報の発生は本体装置のグラフィック
コントローラ１０２にて行われ、図３に示した信号伝達
手段に従って表示パネル１０３へと転送される。グラフ
ィックコントローラ１０２はＧＣＰＵ１１２（中央演算
装置）及びＶＲＡＭ１１４（画像情報格納用メモリ）を
核にホストＣＰＵ１１３と液晶表示装置１０１間の画像
情報の管理や通信を司っている。尚、該表示パネルの裏
面には、光源が配置されている。The generation of the image information is performed by the graphic controller 102 of the main unit, and is transferred to the display panel 103 in accordance with the signal transmission means shown in FIG. The graphic controller 102 manages and communicates image information between the host CPU 113 and the liquid crystal display device 101 using a GCPU 112 (central processing unit) and a VRAM 114 (image information storage memory) as cores. Note that a light source is disposed on the back surface of the display panel.

【００３９】[0039]

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明がこ
れら実施例に限定されるものではない。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

【００４０】（実施例１）下記のＶ字型応答特性を示す
液晶Ａ−１とスメクチックＣ液晶化合物Ｂ−１の相転移
温度とチルト角を示す。Example 1 The phase transition temperature and the tilt angle of the liquid crystal A-1 and the smectic C liquid crystal compound B-1 exhibiting the following V-shaped response characteristics are shown.

【００４１】[0041]

【化２】 Ｃｒｙ：結晶相、ＳｍＶ^*：Ｖ字相、ＳｍＡ：スメクチ
ックＡ相、Ｉｓｏ：等方相 Embedded image Cry: crystalline phase, SmV ^* : V-shaped phase, SmA: smectic A phase, Iso: isotropic phase

【００４２】[0042]

【化３】 ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ^*：カイラルス
メクチックＣ相 Embedded image SmX: Higher order smectic phase, SmC ^* : Chiral smectic C phase

【００４３】上記液晶Ａ−１とスメクチックＣ液晶化合
物Ｂ−１とを下記の割合で混合し、液晶組成物Ｍ−１を
調整した。The above liquid crystal A-1 and smectic C liquid crystal compound B-1 were mixed at the following ratio to prepare a liquid crystal composition M-1.

【００４４】Ａ−１／Ｂ−１＝９５重量％／５重量％ 得られた液晶組成物Ｍ−１の相転移温度及びチルト角を
以下に示す。A-1 / B-1 = 95% by weight / 5% by weight The phase transition temperature and the tilt angle of the obtained liquid crystal composition M-1 are shown below.

【００４５】[0045]

【化４】 Embedded image

【００４６】次に、厚さ１．１ｍｍのガラス基板２枚に
それぞれ、透明電極として厚さ約７０ｎｍのＩＴＯ膜を
形成し、その上に下記繰り返し単位を有するポリイミド
前駆体のポリアミック酸の０．７５重量％溶液を１回目
は５００ｒｐｍで５秒間、２回目は１５００ｒｐｍで３
０秒間の条件で回転塗布した。Next, an ITO film having a thickness of about 70 nm was formed as a transparent electrode on each of two glass substrates having a thickness of 1.1 mm, and a 0.1% polyamic acid of a polyimide precursor having the following repeating unit was formed thereon. A 75% by weight solution was first applied at 500 rpm for 5 seconds and the second was applied at 1500 rpm for 3 seconds.
Spin coating was performed under the condition of 0 second.

【００４７】[0047]

【化５】 Embedded image

【００４８】その後、８０℃で５分間の前乾燥を行った
後、２００℃で１時間加熱焼成を施した。この時の膜厚
は１０ｎｍであった。両基板のポリイミド膜に対して、
一軸配向処理としてナイロン布によるラビング処理を施
した。After that, pre-drying was carried out at 80 ° C. for 5 minutes, followed by heating and firing at 200 ° C. for 1 hour. At this time, the film thickness was 10 nm. For the polyimide film on both substrates,
Rubbing treatment with a nylon cloth was performed as a uniaxial orientation treatment.

【００４９】次に、一方の基板の表面に平均粒径が１．
３μｍのシリカビーズを０．０１重量％で分散させたＩ
ＰＡ（イソプロパノール）溶液を１５００ｒｐｍ、１０
秒間の条件でスピン塗布し、分散密度１００／ｍｍ²程
度のビーズスペーサを散布した。この基板上に、熱硬化
型の液状接着剤を印刷法により塗工した。この基板に他
方の基板を対向して貼り合わせ、１５０℃のオーブンで
９０分間加熱して上記接着剤を硬化させ、セルを得た。
尚、この時のラビング方向は、上下基板で平行方向とな
るように貼り合わせた。Next, the average particle size of 1.sub.
3 μm silica beads dispersed at 0.01% by weight
PA (isopropanol) solution at 1500 rpm, 10 rpm
Spin coating was performed under the condition of seconds, and a bead spacer having a dispersion density of about 100 / mm ² was sprayed. On this substrate, a thermosetting liquid adhesive was applied by a printing method. The other substrate was bonded to this substrate so as to face each other, and heated in an oven at 150 ° C. for 90 minutes to cure the adhesive, thereby obtaining a cell.
The rubbing directions at this time were bonded so that the upper and lower substrates were parallel.

【００５０】上記セルに前記液晶組成物Ｍ−１を等方性
液体状態で注入し、等方相から２０℃／ｈｒで２５℃ま
で徐冷することにより、液晶素子を作製した。このセル
のセル厚をベレック位相板によって測定したところ、約
１．３μｍであった。この液晶素子に、０．１Ｈｚ、ピ
ーク電圧２０Ｖの三角波を印加し、８３℃及び６８℃に
おける透過光量を測定し、コントラストを算出したとこ
ろ、それぞれ７１、９５であり、温度変化によるコント
ラストの差は２４であった。The liquid crystal composition M-1 was injected into the above-mentioned cell in an isotropic liquid state, and was gradually cooled from the isotropic phase to 25 ° C. at 20 ° C./hr to produce a liquid crystal element. When the cell thickness of this cell was measured with a Berek phase plate, it was about 1.3 μm. A triangular wave of 0.1 Hz and a peak voltage of 20 V was applied to this liquid crystal element, and the amount of transmitted light at 83 ° C. and 68 ° C. was measured. The contrast was calculated to be 71 and 95, respectively. 24.

【００５１】（実施例２）実施例１で用いた液晶Ａ−１
と液晶化合物Ｂ−１とを下記の割合で混合し、液晶組成
物Ｍ−２を調整した。(Example 2) Liquid crystal A-1 used in Example 1
And liquid crystal compound B-1 were mixed at the following ratio to prepare a liquid crystal composition M-2.

【００５２】得られた液晶組成物Ｍ−２の相転移温度及
びチルト角を以下に示す。The phase transition temperature and the tilt angle of the obtained liquid crystal composition M-2 are shown below.

【００５３】[0053]

【化６】 Embedded image

【００５４】実施例１と同じセルを作製し、液晶組成物
Ｍ−１の変わりに上記Ｍ−２を用いる以外は実施例１と
同様にして液晶素子を作製した。得られた液晶素子に
０．１Ｈｚ、ピーク電圧２０Ｖの三角波を印加し、８５
℃及び７０℃における透過光量を測定し、コントラスト
を算出したところ、それぞれ８６、１０５であり、温度
変化によるコントラストの差は１９であった。The same cell as in Example 1 was prepared, and a liquid crystal element was prepared in the same manner as in Example 1 except that the liquid crystal composition M-1 was replaced with the liquid crystal composition M-1. A triangular wave of 0.1 Hz and a peak voltage of 20 V was applied to the obtained liquid crystal element, and 85
The transmitted light amount at 70 ° C. and 70 ° C. was measured and the contrast was calculated. The contrast was 86 and 105, respectively, and the contrast difference due to the temperature change was 19.

【００５５】（比較例１）実施例１で用いた液晶Ａ−１
と下記に示すスメクチックＣ液晶化合物Ｃ−１とを下記
の割合で混合して、液晶組成物Ｍ−３を調整した。(Comparative Example 1) Liquid crystal A-1 used in Example 1
And a smectic C liquid crystal compound C-1 shown below were mixed at the following ratio to prepare a liquid crystal composition M-3.

【００５６】[0056]

【化７】 Embedded image

【００５７】液晶組成物Ｍ−３ Ａ−１／Ｃ−１＝９０重量％／１０重量％ 得られた液晶組成物Ｍ−３の相転移温度及びチルト角を
以下に示す。Liquid crystal composition M-3 A-1 / C-1 = 90% by weight / 10% by weight The phase transition temperature and tilt angle of the obtained liquid crystal composition M-3 are shown below.

【００５８】[0058]

【化８】 Embedded image

【００５９】実施例１と同じセルを作製し、液晶組成物
Ｍ−１の変わりに上記Ｍ−３を用いる以外は実施例１と
同様にして液晶素子を作製した。得られた液晶素子に
０．１Ｈｚ、ピーク電圧２０Ｖの三角波を印加し、８５
℃及び７０℃における透過光量を測定し、コントラスト
を算出したところ、それぞれ５１、８３であり、温度変
化によるコントラストの差は３２であった。A cell was prepared in the same manner as in Example 1, and a liquid crystal device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the liquid crystal composition M-1 was replaced with the liquid crystal composition M-1. A triangular wave of 0.1 Hz and a peak voltage of 20 V was applied to the obtained liquid crystal element, and 85
The amount of transmitted light at 70 ° C. and 70 ° C. was measured and the contrast was calculated. The contrast was 51 and 83, respectively, and the difference in contrast due to the temperature change was 32.

【００６０】[0060]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｖ字型応答特性を示す液晶素子において、高温領域にお
けるチルト角の温度依存性が低減され、温度変化や温度
分布によるコントラストむらが改善され、より良好な表
示画像が得られる。As described above, according to the present invention,
In a liquid crystal element exhibiting a V-shaped response characteristic, the temperature dependence of the tilt angle in a high-temperature region is reduced, uneven contrast due to temperature change and temperature distribution is improved, and a better display image is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の液晶素子を単純マトリクスタイプとし
た一実施形態の断面模式図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an embodiment in which a liquid crystal element of the present invention is a simple matrix type.

【図２】本発明の液晶素子をアクティブマトリクスタイ
プとした一実施形態の断面模式図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an embodiment in which the liquid crystal element of the present invention is an active matrix type.

【図３】図２の液晶素子に周辺駆動回路を組み込んだ状
態のアクティブマトリクス基板の平面模式図である。FIG. 3 is a schematic plan view of an active matrix substrate in which a peripheral driving circuit is incorporated in the liquid crystal element of FIG. 2;

【図４】本発明にかかる液晶素子を表示パネルとして用
いた液晶表示装置とグラフィックコントローラを示すブ
ロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a liquid crystal display device using a liquid crystal element according to the present invention as a display panel and a graphic controller.

【図５】図３の液晶表示装置とグラフィックコントロー
ラとの間の画像情報通信タイミングチャートを示す図で
ある。5 is a diagram showing a timing chart of image information communication between the liquid crystal display device of FIG. 3 and a graphic controller.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１，１２ 基板 １３，１４ 電極 １５，１６ 配向制御層 １７ 液晶層 １８ スペーサー ２１，２２ 基板 ２３ 画素電極 ２４ ＴＦＴ ２５ 共通電極 ２６，２７ 配向制御層 ２８ シール材 ３１ 走査信号線ドライバ ３２ 情報信号線ドライバ ３３ 走査信号線 ３４ 走査信号線端部 ３５ 情報信号線 ３６ 情報信号先端部 １０１ 液晶表示装置 １０２ グラフィックコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査信号線駆動回路 １０５ 情報信号線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11, 12 Substrate 13, 14 Electrode 15, 16 Alignment control layer 17 Liquid crystal layer 18 Spacer 21, 22 Substrate 23 Pixel electrode 24 TFT 25 Common electrode 26, 27 Alignment control layer 28 Seal material 31 Scan signal line driver 32 Information signal line driver 33 scanning signal line 34 scanning signal line end 35 information signal line 36 information signal tip 101 liquid crystal display device 102 graphic controller 103 display panel 104 scanning signal line driving circuit 105 information signal line driving circuit 106 decoder 107 scanning signal generating circuit 108 shift Register 109 Line memory 110 Information signal generation circuit 111 Drive control circuit 112 GCPU 113 Host CPU 114 VRAM

フロントページの続き (72)発明者 佐藤 公一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 羽生 由紀夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 野口 幸治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 清水 康志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 GA04 HA03 HA08 KA14 KA20 MA02 MA04 2H090 HB08Y KA14 LA01 MA02 MB01 4H027 BA06 BC04 BD18 BD20 BD23 BE02 BE03 CF07 DK08 Continuing on the front page (72) Inventor Koichi Sato 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Yukio Hanyu 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Koji Noguchi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Within Canon Inc. (72) Inventor Yasushi Shimizu 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term (Canon Inc.) Reference) 2H088 GA04 HA03 HA08 KA14 KA20 MA02 MA04 2H090 HB08Y KA14 LA01 MA02 MB01 4H027 BA06 BC04 BD18 BD20 BD23 BE02 BE03 CF07 DK08

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 Ｖ字型応答特性を示すカイラルスメクチ
ック液晶に、該液晶よりもチルト角の温度依存性が小さ
いスメクチックＣ液晶化合物を少なくとも１種添加して
なることを特徴とする液晶組成物。1. A liquid crystal composition comprising a chiral smectic liquid crystal exhibiting a V-shaped response characteristic and at least one smectic C liquid crystal compound having a smaller tilt angle temperature dependence than the liquid crystal. 【請求項２】 上記スメクチックＣ液晶化合物の、スメ
クチックＣ相の上限温度から２０℃低い温度Ｔｃ−２０
℃でのチルト角をΘ_Tc-20、５℃低い温度Ｔｃ−５℃で
のチルト角をΘ_Tc-5とすると、Ｔｃ−２０℃〜Ｔｃ−５
℃におけるチルト角の温度依存性Θ_Tc-20／Θ_Tc-5≦
１．２である請求項１記載の液晶組成物。2. The temperature Tc-20 of the smectic C liquid crystal compound, which is lower by 20 ° C. than the upper limit temperature of the smectic C phase.
If the tilt angle at ℃ is Θ _Tc-20 and the tilt angle at 5 ° C. lower temperature Tc-5 ° C. is Θ _Tc-5 , Tc-20 ° C. to Tc-5
Temperature dependence of tilt angle at ℃ Θ _Tc-20 / Θ _Tc-5 ≤
2. The liquid crystal composition according to claim 1, which is 1.2. 【請求項３】 上記スメクチックＣ液晶化合物の含有量
が１０重量％以上である請求項１または２に記載の液晶
組成物。3. The liquid crystal composition according to claim 1, wherein the content of the smectic C liquid crystal compound is 10% by weight or more. 【請求項４】 上記液晶組成物の、Ｖ字相の上限温度か
ら２０℃低い温度Ｔｖ−２０℃でのチルト角を
Θ_Tv-20、５℃低い温度Ｔｖ−５℃でのチルト角をΘ
_Tv-5とすると、Ｔｖ−２０℃〜Ｔｖ−５℃におけるチル
ト角の温度依存性Θ_Tv-20／Θ_Tv-5≦１．５である請求
項１〜３のいずれかに記載の液晶組成物。According to claim 4 wherein said liquid crystal composition, the tilt angle at the tilt angle Θ _Tv-20, 5 ℃ low temperature Tv-5 ° C. at 20 ° C. lower temperature Tv-20 ° C. from the upper limit temperature of the V-phase theta
The liquid crystal composition according to any one of claims 1 to 3, wherein, assuming _Tv-5 , the temperature dependence of the tilt angle at Tv-20 ° C to Tv-5 ° C is ΘTv _-20 / ΘTv _-5 ≦ 1.5. object. 【請求項５】 一対の基板と、該基板間に狭持されたカ
イラルスメクチック液晶と、該液晶を駆動するための電
極を備え、Ｖ字型応答特性を有する液晶素子であって、
上記カイラルスメクチック液晶として請求項１〜４のい
ずれかに記載の液晶組成物を用いたことを特徴とする液
晶素子。5. A liquid crystal device comprising a pair of substrates, a chiral smectic liquid crystal sandwiched between the substrates, and an electrode for driving the liquid crystal, and having a V-shaped response characteristic,
A liquid crystal device using the liquid crystal composition according to claim 1 as the chiral smectic liquid crystal. 【請求項６】 上記基板のカイラルスメクチック液晶と
接する側の界面に配向制御層を有する請求項５記載の液
晶素子。6. The liquid crystal device according to claim 5, wherein an alignment control layer is provided at an interface of the substrate in contact with the chiral smectic liquid crystal. 【請求項７】 上記配向制御層がラビング処理を施され
ている請求項６記載の液晶素子。7. The liquid crystal device according to claim 6, wherein the alignment control layer has been subjected to a rubbing treatment. 【請求項８】 画素毎にアクティブ素子を備え、該アク
ティブ素子を介してカイラルスメクチック液晶をマトリ
クス駆動する請求項５〜７のいずれかに記載の液晶素
子。8. The liquid crystal device according to claim 5, further comprising an active element for each pixel, and driving a chiral smectic liquid crystal in a matrix via the active element.