JP2000348684A - マイクロ波放電ランプ装置 - Google Patents
マイクロ波放電ランプ装置Info
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- JP2000348684A JP2000348684A JP15361699A JP15361699A JP2000348684A JP 2000348684 A JP2000348684 A JP 2000348684A JP 15361699 A JP15361699 A JP 15361699A JP 15361699 A JP15361699 A JP 15361699A JP 2000348684 A JP2000348684 A JP 2000348684A
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- coaxial resonator
- inner conductor
- coaxial
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発生したマイクロ波電磁界を効率良くランプ
の発光エネルギーに変換させることのできるマイクロ波
放電ランプ装置を提供する。 【解決手段】 マイクロ波発生器1と、同軸共振器41
と、同軸共振器41内に位置するランプ51と、一端が
マイクロ波発生器1に接続され、他端がマイクロ波結合
器3によって同軸共振器に接続された同軸伝送線21d
とを備え、ランプ51の形状が、同軸共振器41の内導
体41dを取り囲むドーナツ形状である。
の発光エネルギーに変換させることのできるマイクロ波
放電ランプ装置を提供する。 【解決手段】 マイクロ波発生器1と、同軸共振器41
と、同軸共振器41内に位置するランプ51と、一端が
マイクロ波発生器1に接続され、他端がマイクロ波結合
器3によって同軸共振器に接続された同軸伝送線21d
とを備え、ランプ51の形状が、同軸共振器41の内導
体41dを取り囲むドーナツ形状である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波電磁界
により放電発光するマイクロ波放電ランプ装置に関す
る。
により放電発光するマイクロ波放電ランプ装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のマイクロ波放電ランプ装置は、米
国特許3,993,927号等に開示されているような
構成となっており、これを図4に示す。図4において、
1はマイクロ波発生器を、2はマイクロ波発生器1から
発生したマイクロ波を伝導する同軸伝送線を、3は同軸
伝送線2に設けられたマイクロ波結合器を、4はマイク
ロ波結合器3を介して同軸伝送線2に接続された半同軸
共振器を、5は半同軸共振器4内に配置され、かつ内部
に発光物質と始動用ガスとが封入されたランプを、それ
ぞれ示す。また、必要に応じて、ランプ5において発光
した光を外部に取り出すためのリフレクタを備える場合
もある。
国特許3,993,927号等に開示されているような
構成となっており、これを図4に示す。図4において、
1はマイクロ波発生器を、2はマイクロ波発生器1から
発生したマイクロ波を伝導する同軸伝送線を、3は同軸
伝送線2に設けられたマイクロ波結合器を、4はマイク
ロ波結合器3を介して同軸伝送線2に接続された半同軸
共振器を、5は半同軸共振器4内に配置され、かつ内部
に発光物質と始動用ガスとが封入されたランプを、それ
ぞれ示す。また、必要に応じて、ランプ5において発光
した光を外部に取り出すためのリフレクタを備える場合
もある。
【0003】同軸伝送線2は、例えば円形の断面を有す
る外導体2b及び内導体2dによって構成されている。
かかる同軸伝送線2の一端部側にはマイクロ波発生器1
が接続され、他端部側にはマイクロ波結合器3が設けら
れている。このマイクロ波結合器3によって同軸伝送線
2と半同軸共振器4とが結合されている。
る外導体2b及び内導体2dによって構成されている。
かかる同軸伝送線2の一端部側にはマイクロ波発生器1
が接続され、他端部側にはマイクロ波結合器3が設けら
れている。このマイクロ波結合器3によって同軸伝送線
2と半同軸共振器4とが結合されている。
【0004】半同軸共振器4は、例えば円筒形状を有し
ており、マイクロ波結合器3と対峙する半同軸共振器4
の第1の端面4a及び側面4bは導電性物質からなるメ
ッシュ板により構成されている。半同軸共振器4の第2
の端面4cは同軸伝送線2の表面のうちマイクロ波結合
器3を取り囲む部分で構成されている。また、その中心
部に同軸伝送線2と結合する形で内導体42dが設けら
れており、かかる内導体42dによってマイクロ波電磁
界が形成される。
ており、マイクロ波結合器3と対峙する半同軸共振器4
の第1の端面4a及び側面4bは導電性物質からなるメ
ッシュ板により構成されている。半同軸共振器4の第2
の端面4cは同軸伝送線2の表面のうちマイクロ波結合
器3を取り囲む部分で構成されている。また、その中心
部に同軸伝送線2と結合する形で内導体42dが設けら
れており、かかる内導体42dによってマイクロ波電磁
界が形成される。
【0005】すなわち、図4において、マイクロ波発生
器1において発生したマイクロ波が同軸伝送線2、マイ
クロ波結合器3を経て半同軸共振器4に入射すると、半
同軸共振器4の内部空間に内導体42dの先端部を起点
とした所定のマイクロ波電磁界が形成される。このマイ
クロ波電磁界によって、ランプ5内の発光物質が励起さ
れ、ランプ5が発光する。発生した光は半同軸共振器4
の外壁のメッシュ板を経て、外部に取り出される。
器1において発生したマイクロ波が同軸伝送線2、マイ
クロ波結合器3を経て半同軸共振器4に入射すると、半
同軸共振器4の内部空間に内導体42dの先端部を起点
とした所定のマイクロ波電磁界が形成される。このマイ
クロ波電磁界によって、ランプ5内の発光物質が励起さ
れ、ランプ5が発光する。発生した光は半同軸共振器4
の外壁のメッシュ板を経て、外部に取り出される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のマイ
クロ波放電ランプ装置において、ランプ5は製造の容易
さもあり、そのほとんどがほぼ球形のランプが用いられ
ている。しかし、共振器内のマイクロ波電磁界分布に必
ずしも対応した形状とは言えない。すなわち、半同軸共
振器4の内部空間に形成されたマイクロ波電磁界は、同
軸伝送線2の内導体2dの先端以遠においては均質では
なく、電磁界の強さも先端から離れるほど弱まってい
る。したがって、球状のランプ5において、同軸伝送線
2の内導体2dの先端に近い部分ほど活発に発光物質が
励起されることになり、ランプ5全体にわたって均質に
発光物質が励起されず、発生したマイクロ波電磁界を効
率良くランプの発光エネルギーに変換できないという問
題点があった。
クロ波放電ランプ装置において、ランプ5は製造の容易
さもあり、そのほとんどがほぼ球形のランプが用いられ
ている。しかし、共振器内のマイクロ波電磁界分布に必
ずしも対応した形状とは言えない。すなわち、半同軸共
振器4の内部空間に形成されたマイクロ波電磁界は、同
軸伝送線2の内導体2dの先端以遠においては均質では
なく、電磁界の強さも先端から離れるほど弱まってい
る。したがって、球状のランプ5において、同軸伝送線
2の内導体2dの先端に近い部分ほど活発に発光物質が
励起されることになり、ランプ5全体にわたって均質に
発光物質が励起されず、発生したマイクロ波電磁界を効
率良くランプの発光エネルギーに変換できないという問
題点があった。
【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するべ
く、発生したマイクロ波電磁界を効率良くランプの発光
エネルギーに変換させることのできるマイクロ波放電ラ
ンプ装置を提供することを目的とする。
く、発生したマイクロ波電磁界を効率良くランプの発光
エネルギーに変換させることのできるマイクロ波放電ラ
ンプ装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明にかかるマイクロ波放電ランプ装置は、マイク
ロ波発生器と、内導体と外導体とからなる同軸共振器
と、外導体内に位置し、内導体を取り囲むドーナツ形状
のランプとを備えたことを特徴とする。
に本発明にかかるマイクロ波放電ランプ装置は、マイク
ロ波発生器と、内導体と外導体とからなる同軸共振器
と、外導体内に位置し、内導体を取り囲むドーナツ形状
のランプとを備えたことを特徴とする。
【0009】また、本発明にかかるマイクロ波放電ラン
プ装置は、一端がマイクロ波発生器に接続され、他端が
マイクロ波結合器によって同軸共振器に接続された導波
手段を備えることが好ましい。
プ装置は、一端がマイクロ波発生器に接続され、他端が
マイクロ波結合器によって同軸共振器に接続された導波
手段を備えることが好ましい。
【0010】かかる構成により、同軸共振器内のマイク
ロ波エネルギーを有効にランプ発光エネルギーに変換さ
せることができ、ランプ全体としてのシステム効率を高
くすることができる。
ロ波エネルギーを有効にランプ発光エネルギーに変換さ
せることができ、ランプ全体としてのシステム効率を高
くすることができる。
【0011】また、本発明にかかるマイクロ波放電ラン
プ装置は、同軸共振器の内導体の表面が鏡面仕上げされ
ていることが好ましい。ランプで発生し、内導体に入射
した光を損失することなく反射することができるので、
システム効率を高めることが可能となるからである。
プ装置は、同軸共振器の内導体の表面が鏡面仕上げされ
ていることが好ましい。ランプで発生し、内導体に入射
した光を損失することなく反射することができるので、
システム効率を高めることが可能となるからである。
【0012】さらに、同軸共振器の代わりに内導体と外
導体とからなる半同軸共振器を備え、外導体内に位置
し、内導体の先端部と対向し、かつ先端部の側周部を取
り囲むよう湾曲した形状のランプを備えることが好まし
い。内導体の先端に集中的に存在するマイクロ波エネル
ギーを有効にランプ発光エネルギーに変換することがで
き、マイクロ波放電ランプ装置のシステム効率を高くす
ることができるからである。
導体とからなる半同軸共振器を備え、外導体内に位置
し、内導体の先端部と対向し、かつ先端部の側周部を取
り囲むよう湾曲した形状のランプを備えることが好まし
い。内導体の先端に集中的に存在するマイクロ波エネル
ギーを有効にランプ発光エネルギーに変換することがで
き、マイクロ波放電ランプ装置のシステム効率を高くす
ることができるからである。
【0013】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、本発明の
実施の形態1にかかるマイクロ波放電ランプ装置につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実
施の形態1にかかるマイクロ波放電ランプ装置の側断面
図である。
実施の形態1にかかるマイクロ波放電ランプ装置につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実
施の形態1にかかるマイクロ波放電ランプ装置の側断面
図である。
【0014】図1に示すように、本実施の形態1にかか
るマイクロ波放電ランプ装置においては、外導体21b
及び内導体21dで構成される同軸伝送線21の一端部
にマイクロ波発生器1が、他端部にはアンテナ等のマイ
クロ波結合器3がそれぞれ設けられ、このマイクロ波結
合器3を介して同軸伝送線21に結合された同軸共振器
41が設けられている。同軸共振器41は、マイクロ波
結合器3と対峙する第1の端面部41a、側面部41
b、及びマイクロ波結合器3が設けられた第2の端面部
41cからなる外導体と、内導体41dとで構成され、
内側にランプ51が設置されている。
るマイクロ波放電ランプ装置においては、外導体21b
及び内導体21dで構成される同軸伝送線21の一端部
にマイクロ波発生器1が、他端部にはアンテナ等のマイ
クロ波結合器3がそれぞれ設けられ、このマイクロ波結
合器3を介して同軸伝送線21に結合された同軸共振器
41が設けられている。同軸共振器41は、マイクロ波
結合器3と対峙する第1の端面部41a、側面部41
b、及びマイクロ波結合器3が設けられた第2の端面部
41cからなる外導体と、内導体41dとで構成され、
内側にランプ51が設置されている。
【0015】ここで、同軸伝送線21の内導体21dの
直径をa(mm)、外導体21bの直径をb(mm)、
駆動に用いるマイクロ波の波長をx(mm)としたと
き、 x>1.470×(a+b) を満たすようにすれば、同軸伝送線21内にはTEM波
(Transverse-Electro-Magnetic wave)しか存在し得な
いので、マイクロ波エネルギーは内導体21dを軸とし
て軸対称に分布することになる。これは、同軸共振器4
1についても同様であり、同軸共振器41の内導体41
dを軸としてマイクロ波エネルギーが軸対称に分布する
ことになる。したがって、遮断波長が存在せず、マイク
ロ波放電ランプ装置の小型化が可能となる。さらに、同
軸共振器の長さをx(mm)の半分のほぼ整数倍にする
ことにより、共振点でのマイクロ波電磁界が大きくなる
ので、ランプの始動がより容易になることが期待でき
る。
直径をa(mm)、外導体21bの直径をb(mm)、
駆動に用いるマイクロ波の波長をx(mm)としたと
き、 x>1.470×(a+b) を満たすようにすれば、同軸伝送線21内にはTEM波
(Transverse-Electro-Magnetic wave)しか存在し得な
いので、マイクロ波エネルギーは内導体21dを軸とし
て軸対称に分布することになる。これは、同軸共振器4
1についても同様であり、同軸共振器41の内導体41
dを軸としてマイクロ波エネルギーが軸対称に分布する
ことになる。したがって、遮断波長が存在せず、マイク
ロ波放電ランプ装置の小型化が可能となる。さらに、同
軸共振器の長さをx(mm)の半分のほぼ整数倍にする
ことにより、共振点でのマイクロ波電磁界が大きくなる
ので、ランプの始動がより容易になることが期待でき
る。
【0016】同軸共振器41の第1の端面部41aおよ
び側面部41bは、ランプ51からの発光を外部に取り
出すために、銅などの金属をメッシュ状に形成した金属
メッシュ部材で構成されており、ランプ51で発生した
光を透過する。第2の端面部41cは、光の損失をなく
すために鏡面研磨されている。ここで、図1では同軸伝
送線21の端部表面を鏡面研磨し、鏡面研磨した領域上
に第1の端面部41a及び側面部41bからなる金属メ
ッシュ部材を配設し、この金属メッシュ部材と鏡面研磨
した領域の同軸伝送線端部表面とにより同軸共振器41
を構成している。同軸共振器41の内導体41dは銅な
どの金属製の棒又は中空管で、図1の場合は一端がマイ
クロ波結合器に接続されている。さらに、同軸共振器4
1の内導体41dの表面を鏡面研磨するなどして、反射
率を上げることにより、同軸共振器41の内導体41d
に入射する光の損失をなくすことができる。
び側面部41bは、ランプ51からの発光を外部に取り
出すために、銅などの金属をメッシュ状に形成した金属
メッシュ部材で構成されており、ランプ51で発生した
光を透過する。第2の端面部41cは、光の損失をなく
すために鏡面研磨されている。ここで、図1では同軸伝
送線21の端部表面を鏡面研磨し、鏡面研磨した領域上
に第1の端面部41a及び側面部41bからなる金属メ
ッシュ部材を配設し、この金属メッシュ部材と鏡面研磨
した領域の同軸伝送線端部表面とにより同軸共振器41
を構成している。同軸共振器41の内導体41dは銅な
どの金属製の棒又は中空管で、図1の場合は一端がマイ
クロ波結合器に接続されている。さらに、同軸共振器4
1の内導体41dの表面を鏡面研磨するなどして、反射
率を上げることにより、同軸共振器41の内導体41d
に入射する光の損失をなくすことができる。
【0017】ランプ51のバルブ材料は、例えば石英ガ
ラスや透光性セラミックスが適している。ランプ51内
には発光物質と始動用ガスが封入されており、発光物質
としてはバルブ材料と反応しない物質であればどんな発
光物質でも用いることができるが、例えば特開平9−1
20800号公報に記載されているように、インジウム
(In)ハロゲン化物を用いることにより白色の連続発
光を得ることができる。また、始動用ガスとしてはアル
ゴン(Ar)、クリプトン(Kr)またはキセノン(X
e)等を用いる。ランプ51の形状は、同軸共振器41
の内導体41dを取り囲むドーナツ形状をしている。そ
の断面形状は、例えば円形がよい。このような形状とす
ることで、同軸共振器41内に内導体41dを軸として
軸対称に分布するマイクロ波エネルギーを確実に発光エ
ネルギーに変換することができ、発光も軸対称となる。
ラスや透光性セラミックスが適している。ランプ51内
には発光物質と始動用ガスが封入されており、発光物質
としてはバルブ材料と反応しない物質であればどんな発
光物質でも用いることができるが、例えば特開平9−1
20800号公報に記載されているように、インジウム
(In)ハロゲン化物を用いることにより白色の連続発
光を得ることができる。また、始動用ガスとしてはアル
ゴン(Ar)、クリプトン(Kr)またはキセノン(X
e)等を用いる。ランプ51の形状は、同軸共振器41
の内導体41dを取り囲むドーナツ形状をしている。そ
の断面形状は、例えば円形がよい。このような形状とす
ることで、同軸共振器41内に内導体41dを軸として
軸対称に分布するマイクロ波エネルギーを確実に発光エ
ネルギーに変換することができ、発光も軸対称となる。
【0018】図1においては、マイクロ波発生器1で発
生したマイクロ波が同軸伝送線21からマイクロ波結合
器3を経て同軸共振器41内に入射すると、同軸共振器
41内に所定のマイクロ波電磁界が形成される。このマ
イクロ波電磁界により、ランプ51の内部に封入された
始動用ガスが放電を開始する。この放電によりランプ5
1の管壁の温度が上昇するとランプ51内の発光物質の
蒸気圧が上昇し、発光物質が放電発光を開始する。発生
した光は、直接、又は、同軸共振器41の第2の端面部
41c又は内導体41dで大きな損失をすることなく反
射した後、同軸共振器41の第1の端面部41a又は側
面部41bを透過して外部に発せられる。
生したマイクロ波が同軸伝送線21からマイクロ波結合
器3を経て同軸共振器41内に入射すると、同軸共振器
41内に所定のマイクロ波電磁界が形成される。このマ
イクロ波電磁界により、ランプ51の内部に封入された
始動用ガスが放電を開始する。この放電によりランプ5
1の管壁の温度が上昇するとランプ51内の発光物質の
蒸気圧が上昇し、発光物質が放電発光を開始する。発生
した光は、直接、又は、同軸共振器41の第2の端面部
41c又は内導体41dで大きな損失をすることなく反
射した後、同軸共振器41の第1の端面部41a又は側
面部41bを透過して外部に発せられる。
【0019】図2には、2.45GHzのマイクロ波発
生装置を適用した場合の本発明の一実施例にかかるマイ
クロ波放電ランプ装置における同軸共振器41及びラン
プ51の寸法の一例を示す。単位はすべて(mm)(ミ
リメートル)である。
生装置を適用した場合の本発明の一実施例にかかるマイ
クロ波放電ランプ装置における同軸共振器41及びラン
プ51の寸法の一例を示す。単位はすべて(mm)(ミ
リメートル)である。
【0020】以上のように本実施の形態1によれば、遮
断波長が存在しない同軸伝送線21、同軸共振器41を
用いているため、マイクロ波放電ランプ装置を小型化で
き、かつ、ランプ51をドーナツ形状にすることで同軸
共振器41内に軸対称に分布するマイクロ波エネルギー
を効率よく発光エネルギーに変換できる。また、同軸共
振器41の内導体41dの表面に鏡面加工を施すことに
より、システム効率を向上させることができる。
断波長が存在しない同軸伝送線21、同軸共振器41を
用いているため、マイクロ波放電ランプ装置を小型化で
き、かつ、ランプ51をドーナツ形状にすることで同軸
共振器41内に軸対称に分布するマイクロ波エネルギー
を効率よく発光エネルギーに変換できる。また、同軸共
振器41の内導体41dの表面に鏡面加工を施すことに
より、システム効率を向上させることができる。
【0021】また、同軸共振器41の内導体41dと同
軸伝送線21の内導体21dとが別体に設けられている
場合について説明したが、内導体21dと内導体41d
とは一体形成されていても良い。
軸伝送線21の内導体21dとが別体に設けられている
場合について説明したが、内導体21dと内導体41d
とは一体形成されていても良い。
【0022】(実施の形態2)以下、本発明の実施の形
態2にかかるマイクロ波放電ランプ装置について、図面
を参照しながら説明する。図3は、本発明の実施の形態
2にかかるマイクロ波放電ランプ装置の側断面図であ
る。
態2にかかるマイクロ波放電ランプ装置について、図面
を参照しながら説明する。図3は、本発明の実施の形態
2にかかるマイクロ波放電ランプ装置の側断面図であ
る。
【0023】図3に示すように、本実施の形態2にかか
るマイクロ波放電ランプ装置において、実施の形態1に
かかるマイクロ波放電ランプ装置における同軸共振器4
1を半同軸共振器42に置き換え、それに伴いランプ5
2の形状を図3に示すように変えている。
るマイクロ波放電ランプ装置において、実施の形態1に
かかるマイクロ波放電ランプ装置における同軸共振器4
1を半同軸共振器42に置き換え、それに伴いランプ5
2の形状を図3に示すように変えている。
【0024】半同軸共振器42の内導体42d、側面部
42bの直径は前述した実施の形態1のものと同じであ
る。半同軸共振器42の内導体42dの長さL(mm)
は、駆動に用いるマイクロ波の波長をx(mm)、nを
1以上の整数としたとき、 x/2×n<L<x/4+x/2×n を満たすように設定する。ランプ52の形状は半同軸共
振器42の内導体42dの先端を取り囲む形状となる。
42bの直径は前述した実施の形態1のものと同じであ
る。半同軸共振器42の内導体42dの長さL(mm)
は、駆動に用いるマイクロ波の波長をx(mm)、nを
1以上の整数としたとき、 x/2×n<L<x/4+x/2×n を満たすように設定する。ランプ52の形状は半同軸共
振器42の内導体42dの先端を取り囲む形状となる。
【0025】図3において、マイクロ波発生器1で発生
したマイクロ波が同軸伝送線21からマイクロ波結合器
3を経て半同軸共振器42内に入射すると、半同軸共振
器42内に、内導体42dの先端部に集中するようにマ
イクロ波電磁界が形成される。かかるマイクロ波電磁界
は、内導体42dの先端部から放射状に発生するので、
内導体42dの先端部を取り囲むように湾曲した形状の
ランプ52においては、このマイクロ波電磁界によって
発光物質が効率良く励起され、均質に発光することが可
能となる。その他の動作は上述した本発明の実施の形態
1と同じであるので説明を省略する。
したマイクロ波が同軸伝送線21からマイクロ波結合器
3を経て半同軸共振器42内に入射すると、半同軸共振
器42内に、内導体42dの先端部に集中するようにマ
イクロ波電磁界が形成される。かかるマイクロ波電磁界
は、内導体42dの先端部から放射状に発生するので、
内導体42dの先端部を取り囲むように湾曲した形状の
ランプ52においては、このマイクロ波電磁界によって
発光物質が効率良く励起され、均質に発光することが可
能となる。その他の動作は上述した本発明の実施の形態
1と同じであるので説明を省略する。
【0026】以上のように、実施の形態2によれば、遮
断波長が存在しない同軸伝送線21、半同軸共振器42
を用いているため、マイクロ波放電ランプ装置を小型化
できる。また、ランプ52を半同軸共振器42の内導体
42dの先端を取り囲むような形状とすることで、内導
体42dの先端に集中して存在するマイクロ波エネルギ
ーを効率良く発光エネルギーに変換できる。
断波長が存在しない同軸伝送線21、半同軸共振器42
を用いているため、マイクロ波放電ランプ装置を小型化
できる。また、ランプ52を半同軸共振器42の内導体
42dの先端を取り囲むような形状とすることで、内導
体42dの先端に集中して存在するマイクロ波エネルギ
ーを効率良く発光エネルギーに変換できる。
【0027】また、半同軸共振器42の内導体42dと
同軸伝送線21の内導体21dとが別体に設けられてい
る場合について説明したが、内導体21dと内導体42
dとは一体形成されていても良い。
同軸伝送線21の内導体21dとが別体に設けられてい
る場合について説明したが、内導体21dと内導体42
dとは一体形成されていても良い。
【0028】なお、以上の実施の形態においては、同軸
伝送線を使用した例について説明したが、同軸伝送線の
代わりに導波管を用いることにより同様の効果を得るこ
とができる。また、マイクロ波発生器1と同軸共振器4
1又は半同軸共振器42のインピーダンスの整合がとれ
る場合は、導波管や同軸伝送線等の導波手段を用いる必
要はない。
伝送線を使用した例について説明したが、同軸伝送線の
代わりに導波管を用いることにより同様の効果を得るこ
とができる。また、マイクロ波発生器1と同軸共振器4
1又は半同軸共振器42のインピーダンスの整合がとれ
る場合は、導波管や同軸伝送線等の導波手段を用いる必
要はない。
【0029】
【発明の効果】以上のように本発明にかかるマイクロ波
放電ランプ装置によれば、内導体を鏡面仕上げした同軸
共振器と同軸共振器の内導体を取り囲むドーナツ形状の
ランプを設置、または、半同軸共振器と半同軸共振器の
内導体先端を取り囲む形状のランプを設置することによ
り、マイクロ波エネルギーを効率よく発光エネルギーに
変換できる。
放電ランプ装置によれば、内導体を鏡面仕上げした同軸
共振器と同軸共振器の内導体を取り囲むドーナツ形状の
ランプを設置、または、半同軸共振器と半同軸共振器の
内導体先端を取り囲む形状のランプを設置することによ
り、マイクロ波エネルギーを効率よく発光エネルギーに
変換できる。
【図1】 本発明の実施の形態1にかかるマイクロ波放
電ランプ装置の断面図
電ランプ装置の断面図
【図2】 本発明の実施の形態1にかかるマイクロ波放
電ランプ装置の部分断面図
電ランプ装置の部分断面図
【図3】 本発明の実施の形態2にかかるマイクロ波放
電ランプ装置の断面図
電ランプ装置の断面図
【図4】 従来のマイクロ波放電ランプ装置の断面図
1 マイクロ波発生器 2 同軸伝送線 3 マイクロ波結合器 4 半同軸共振器 5、51、52 ランプ 21 同軸伝送線 41 同軸共振器 42 半同軸共振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 一番ヶ瀬 剛 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工業 株式会社内 Fターム(参考) 5C039 PP02 PP04
Claims (4)
- 【請求項1】 マイクロ波発生器と、内導体と外導体と
からなる同軸共振器と、前記外導体内に位置し、前記内
導体を取り囲むドーナツ形状のランプとを備えたことを
特徴としたマイクロ波放電ランプ装置。 - 【請求項2】 一端が前記マイクロ波発生器に接続さ
れ、他端がマイクロ波結合器によって前記同軸共振器に
接続された導波手段を備えた請求項1記載のマイクロ波
放電ランプ装置。 - 【請求項3】 前記同軸共振器の内導体の表面が鏡面仕
上げされている請求項1又は2記載のマイクロ波放電ラ
ンプ装置。 - 【請求項4】 前記同軸共振器の代わりに内導体と外導
体とからなる半同軸共振器を備え、前記外導体内に位置
し、前記内導体の先端部と対向し、かつ前記先端部の側
周部を取り囲むよう湾曲した形状のランプを備えた請求
項1から3のいずれか一項に記載のマイクロ波放電ラン
プ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15361699A JP2000348684A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | マイクロ波放電ランプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15361699A JP2000348684A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | マイクロ波放電ランプ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000348684A true JP2000348684A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15566394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15361699A Pending JP2000348684A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | マイクロ波放電ランプ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000348684A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120068849A (ko) * | 2009-08-05 | 2012-06-27 | 세라비젼 리미티드 | 광원 |
JP2014523846A (ja) * | 2011-07-01 | 2014-09-18 | セラビジョン・リミテッド | ガラス管 |
-
1999
- 1999-06-01 JP JP15361699A patent/JP2000348684A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120068849A (ko) * | 2009-08-05 | 2012-06-27 | 세라비젼 리미티드 | 광원 |
JP2013501335A (ja) * | 2009-08-05 | 2013-01-10 | セラビジョン・リミテッド | 光源 |
EP2486585B1 (en) * | 2009-08-05 | 2017-01-04 | Ceravision Limited | Light source |
KR101707041B1 (ko) * | 2009-08-05 | 2017-02-15 | 세라비젼 리미티드 | 광원 |
JP2014523846A (ja) * | 2011-07-01 | 2014-09-18 | セラビジョン・リミテッド | ガラス管 |
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