JP2000345333A - Ａｌ膜の作成方法とその装置 - Google Patents
Ａｌ膜の作成方法とその装置Info
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- JP2000345333A JP2000345333A JP11113107A JP11310799A JP2000345333A JP 2000345333 A JP2000345333 A JP 2000345333A JP 11113107 A JP11113107 A JP 11113107A JP 11310799 A JP11310799 A JP 11310799A JP 2000345333 A JP2000345333 A JP 2000345333A
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- substrate
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ膜の作成方法とその装置に関し、特にヒ
ロックのないＡｌ膜を成膜するのに使用するＡｌ膜の作
成方法とその装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 真空チャンバ内に設けられ複数のＡｌタ
ーゲットと、該真空チャンバ内でＡｌターゲットに対し
て対向配置した複数の基板にＡｌ膜を成膜するＡｌ膜の
作成方法において、Ａｌターゲットへのスパッタ電源と
基板へのバイアス電源とをパルスで行い、間欠的なスパ
ッタでＡｌ膜の成膜を行うことを特徴とし、具体的に
は、スパッタ電源とバイアス電源とをパルスで行う際、
ＯＮはスパッタ電源とバイアス電源とを同時に行い、Ｏ
ＦＦはスパッタ電源に僅かな時間差をもってバイアス電
源をＯＦＦにすることである。
ロックのないＡｌ膜を成膜するのに使用するＡｌ膜の作
成方法とその装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 真空チャンバ内に設けられ複数のＡｌタ
ーゲットと、該真空チャンバ内でＡｌターゲットに対し
て対向配置した複数の基板にＡｌ膜を成膜するＡｌ膜の
作成方法において、Ａｌターゲットへのスパッタ電源と
基板へのバイアス電源とをパルスで行い、間欠的なスパ
ッタでＡｌ膜の成膜を行うことを特徴とし、具体的に
は、スパッタ電源とバイアス電源とをパルスで行う際、
ＯＮはスパッタ電源とバイアス電源とを同時に行い、Ｏ
ＦＦはスパッタ電源に僅かな時間差をもってバイアス電
源をＯＦＦにすることである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ａｌ膜の作成方法
とその装置に関し、特にヒロックのないＡｌ膜を成膜す
るのに使用するＡｌ膜の作成方法とその装置に関する。
とその装置に関し、特にヒロックのないＡｌ膜を成膜す
るのに使用するＡｌ膜の作成方法とその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ａｌ膜をスパッタにより成膜する
場合は、成膜速度、膜厚分布等が重要な要素である。そ
のため、スパッタ装置は、スパッタガスの流量・圧力、
ターゲット側の入射電力、基板側の電圧等の成膜条件を
制御して行われる。この際、使用される装置としては、
真空チャンバ内に設けられＡｌターゲットと、Ａｌター
ゲットへ電力を供給するスパッタ電源と、Ａｌターゲッ
トに対して固定した状態で対向配置され基板ホルダー
と、基板へのバイアス電源とからなる装置が使用され
る。
場合は、成膜速度、膜厚分布等が重要な要素である。そ
のため、スパッタ装置は、スパッタガスの流量・圧力、
ターゲット側の入射電力、基板側の電圧等の成膜条件を
制御して行われる。この際、使用される装置としては、
真空チャンバ内に設けられＡｌターゲットと、Ａｌター
ゲットへ電力を供給するスパッタ電源と、Ａｌターゲッ
トに対して固定した状態で対向配置され基板ホルダー
と、基板へのバイアス電源とからなる装置が使用され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の装置では、基板が固定されているために、スパッ
タされたＡｌの粒子は連続して基板に入射して一度に成
膜することとなり、膜に強い応力が発生することとな
る。また、基板はＡｌターゲットに対して対向配置して
いるために、同一方向よりスパッタされたＡｌの粒子が
入射して、膜のダメージを受けやすい。従って、Ａｌ中
に不純物が混入したり、ヒロックが発生する等、緻密で
良質の膜を得ることができないという問題点があった。
従来の装置では、基板が固定されているために、スパッ
タされたＡｌの粒子は連続して基板に入射して一度に成
膜することとなり、膜に強い応力が発生することとな
る。また、基板はＡｌターゲットに対して対向配置して
いるために、同一方向よりスパッタされたＡｌの粒子が
入射して、膜のダメージを受けやすい。従って、Ａｌ中
に不純物が混入したり、ヒロックが発生する等、緻密で
良質の膜を得ることができないという問題点があった。
【０００４】さらに、近年需要の多い大型の基板に対し
ては、上記装置では、特にヒロックが発生し易いという
欠点があった。
ては、上記装置では、特にヒロックが発生し易いという
欠点があった。
【０００５】そこで、本発明は、上記の問題を解決する
ためになされたもので、大型の基板であってもヒロック
の発生しない緻密で良質なＡｌ膜を成膜することのでき
るＡｌ膜の作成方法とその装置を提供することを目的と
する。
ためになされたもので、大型の基板であってもヒロック
の発生しない緻密で良質なＡｌ膜を成膜することのでき
るＡｌ膜の作成方法とその装置を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は請求項１で、真空チャンバ内に設けられ複
数のＡｌターゲットと、該真空チャンバ内でＡｌターゲ
ットに対して対向配置した複数の基板にＡｌ膜を成膜す
るＡｌ膜の作成方法において、Ａｌターゲットへのスパ
ッタ電源と基板へのバイアス電源とをパルスで行い、間
欠的なスパッタでＡｌ膜の成膜を行うことを特徴とす
る。
め、本発明は請求項１で、真空チャンバ内に設けられ複
数のＡｌターゲットと、該真空チャンバ内でＡｌターゲ
ットに対して対向配置した複数の基板にＡｌ膜を成膜す
るＡｌ膜の作成方法において、Ａｌターゲットへのスパ
ッタ電源と基板へのバイアス電源とをパルスで行い、間
欠的なスパッタでＡｌ膜の成膜を行うことを特徴とす
る。
【０００７】また、スパッタ電源とバイアス電源とをパ
ルスで行う際、ＯＮはスパッタ電源とバイアス電源とを
同時に行い、ＯＦＦはスパッタ電源に僅かな時間差をも
ってバイアス電源をＯＦＦにすることである。
ルスで行う際、ＯＮはスパッタ電源とバイアス電源とを
同時に行い、ＯＦＦはスパッタ電源に僅かな時間差をも
ってバイアス電源をＯＦＦにすることである。
【０００８】さらに、Ａｌ膜を成膜する際、基板を回転
駆動して基板に対して１８０度角内のランダムな方向よ
りスパッタされたＡｌ粒子を入射してＡｌ膜を積層状態
で成膜することである。
駆動して基板に対して１８０度角内のランダムな方向よ
りスパッタされたＡｌ粒子を入射してＡｌ膜を積層状態
で成膜することである。
【０００９】装置としては、請求項４で、真空チャンバ
内に設けられ複数のＡｌターゲットと、該真空チャンバ
内でＡｌターゲットに対して対向配置され、且つ複数の
基板ホルダーに設けられた基板とからなるＡｌ膜の作成
装置において、Ａｌターゲットが真空チャンバ側壁の縦
方向に沿って複数設けられ、且つ基板ホルダーがＡｌタ
ーゲットに対応して縦方向に複数設けられ、しかも、基
板ホルダーは回転駆動すべく構成され、且つ、各Ａｌタ
ーゲットにはそれぞれ位相の制御されたスパッタ電源が
接続され、各基板にはバイアス電源が接続されているこ
とを特徴とする。
内に設けられ複数のＡｌターゲットと、該真空チャンバ
内でＡｌターゲットに対して対向配置され、且つ複数の
基板ホルダーに設けられた基板とからなるＡｌ膜の作成
装置において、Ａｌターゲットが真空チャンバ側壁の縦
方向に沿って複数設けられ、且つ基板ホルダーがＡｌタ
ーゲットに対応して縦方向に複数設けられ、しかも、基
板ホルダーは回転駆動すべく構成され、且つ、各Ａｌタ
ーゲットにはそれぞれ位相の制御されたスパッタ電源が
接続され、各基板にはバイアス電源が接続されているこ
とを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明のＡｌ膜の作成方法、真空チャンバ内に
設けられ複数のＡｌターゲットに接続されたスパッタ電
源よりターゲットに印加する電力と、該真空チャンバ内
でＡｌターゲットに対して対向配置した複数の基板に接
続されたバイアス電源より基板に印加する電力とをパル
スで行なうことにより、間欠的なスパッタが行われるこ
ととなり、スパッタされたＡｌの粒子が間欠的に基板に
付着してＡｌ膜の成膜を行うことが可能となる。
設けられ複数のＡｌターゲットに接続されたスパッタ電
源よりターゲットに印加する電力と、該真空チャンバ内
でＡｌターゲットに対して対向配置した複数の基板に接
続されたバイアス電源より基板に印加する電力とをパル
スで行なうことにより、間欠的なスパッタが行われるこ
ととなり、スパッタされたＡｌの粒子が間欠的に基板に
付着してＡｌ膜の成膜を行うことが可能となる。
【００１１】また、スパッタ電源とバイアス電源とをパ
ルスで行う際、ＯＮはスパッタ電源とバイアス電源とを
同時に行い、スパッタされたＡｌの粒子を基板表面に入
射させ、ＯＦＦはスパッタ電源に僅かな時間差をもって
バイアス電源をＯＦＦにすることで、入射したＡｌ粒子
のマイグレーションを少なくして安定させて、次のスパ
ッタ時にＡｌの粒子をその上に積層状態で成膜する。
ルスで行う際、ＯＮはスパッタ電源とバイアス電源とを
同時に行い、スパッタされたＡｌの粒子を基板表面に入
射させ、ＯＦＦはスパッタ電源に僅かな時間差をもって
バイアス電源をＯＦＦにすることで、入射したＡｌ粒子
のマイグレーションを少なくして安定させて、次のスパ
ッタ時にＡｌの粒子をその上に積層状態で成膜する。
【００１２】さらに、Ａｌ膜を成膜する際、基板を回転
駆動することで、基板はターゲットに対して１８０度角
内のあらゆる方向よりランダムにスパッタされたＡｌ粒
子の入射を受けることとなり、大型の基板であっても均
一な膜厚を得ることが可能となる。
駆動することで、基板はターゲットに対して１８０度角
内のあらゆる方向よりランダムにスパッタされたＡｌ粒
子の入射を受けることとなり、大型の基板であっても均
一な膜厚を得ることが可能となる。
【００１３】装置としては、真空チャンバ側壁の縦方向
に沿って複数設けられ複数のＡｌターゲットそれぞれに
位相の制御されたスパッタ電源が接続されているため
に、常に同一の状態でスパッタが行われることとなり、
また、真空チャンバ内を回転駆動する基板ホルダーもＡ
ｌターゲットに対応して縦方向に複数設けられているた
めにそれぞれのターゲットに対応して同一条件でスパッ
タ粒子を入射することができ、各基板にはバイアス電源
が接続されているために、同一の状態で電力を印加する
ことができ、同質のＡｌ膜を基板上に成膜することがで
きる。
に沿って複数設けられ複数のＡｌターゲットそれぞれに
位相の制御されたスパッタ電源が接続されているため
に、常に同一の状態でスパッタが行われることとなり、
また、真空チャンバ内を回転駆動する基板ホルダーもＡ
ｌターゲットに対応して縦方向に複数設けられているた
めにそれぞれのターゲットに対応して同一条件でスパッ
タ粒子を入射することができ、各基板にはバイアス電源
が接続されているために、同一の状態で電力を印加する
ことができ、同質のＡｌ膜を基板上に成膜することがで
きる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１は本成膜方法の実施
の形態に適用されるＡｌ膜の作成装置の要部を示す概略
構成図である。
実施の形態について説明する。図１は本成膜方法の実施
の形態に適用されるＡｌ膜の作成装置の要部を示す概略
構成図である。
【００１５】真空チャンバ１７には、この真空チャンバ
１７内を所定の真空度とする真空ポンプ（図示せず）が
設置されている。この真空チャンバ１７側壁には、スパ
ッタユニット１０…１０が、上下方向に複数個設置され
ている。このスパッタユニット１０には、真空チャンバ
１７内方にそのスパッタ面を向けた状態で設置されてい
るＡｌターゲット２が設けられている。さらに、このＡ
ｌターゲット２にはそれぞれスパッタ電源３がパルスユ
ニット４を介して接続されている。また、真空チャンバ
１７内には、薄膜を形成すべきガラス基板１…１がその
薄膜形成面をＡｌターゲット２に対向させた状態で基板
ホルダ１２に保持されている。この基板ホルダ１２は、
モータ（図示せず）によって真空チャンバ１７内を回転
駆動する回転テーブル（図示せず）上に上下方向で設置
されている。基板ホルダー１２には基板１を加熱すべく
バイアス電源５がパルスユニット４を介して接続されて
いる。
１７内を所定の真空度とする真空ポンプ（図示せず）が
設置されている。この真空チャンバ１７側壁には、スパ
ッタユニット１０…１０が、上下方向に複数個設置され
ている。このスパッタユニット１０には、真空チャンバ
１７内方にそのスパッタ面を向けた状態で設置されてい
るＡｌターゲット２が設けられている。さらに、このＡ
ｌターゲット２にはそれぞれスパッタ電源３がパルスユ
ニット４を介して接続されている。また、真空チャンバ
１７内には、薄膜を形成すべきガラス基板１…１がその
薄膜形成面をＡｌターゲット２に対向させた状態で基板
ホルダ１２に保持されている。この基板ホルダ１２は、
モータ（図示せず）によって真空チャンバ１７内を回転
駆動する回転テーブル（図示せず）上に上下方向で設置
されている。基板ホルダー１２には基板１を加熱すべく
バイアス電源５がパルスユニット４を介して接続されて
いる。
【００１６】次に、以上の構成のＡｌ膜の形成装置を用
いて、ガラス基板１表面にＡｌ膜を形成する方法を説明
する。
いて、ガラス基板１表面にＡｌ膜を形成する方法を説明
する。
【００１７】まず、真空チャンバ１７内を真空ポンプに
より所定の真空度とした後、真空チャンバ１７の搬入口
（図示せず）より、薄膜を形成すべき基板１…１を搬入
し、基板ホルダ１２に装着する。
より所定の真空度とした後、真空チャンバ１７の搬入口
（図示せず）より、薄膜を形成すべき基板１…１を搬入
し、基板ホルダ１２に装着する。
【００１８】次に、ガス導入管を介してＡｒを導入する
とともに、図２に示すように、Ａｌターゲット２にスパ
ッタ電源３より印加する電力と、基板１にバイアス電源
５より印加する電力とをパルスで行う。この際、ＯＮは
スパッタ電源とバイアス電源との電力の印加を同時に行
い、スパッタされたＡｌの粒子を加熱された基板１表面
に入射させる。ＯＦＦはスパッタ電源に僅かな時間差を
もってバイアス電源をＯＦＦにすることで、入射したＡ
ｌ粒子のマイグレーションが十分に行えることとなる。
とともに、図２に示すように、Ａｌターゲット２にスパ
ッタ電源３より印加する電力と、基板１にバイアス電源
５より印加する電力とをパルスで行う。この際、ＯＮは
スパッタ電源とバイアス電源との電力の印加を同時に行
い、スパッタされたＡｌの粒子を加熱された基板１表面
に入射させる。ＯＦＦはスパッタ電源に僅かな時間差を
もってバイアス電源をＯＦＦにすることで、入射したＡ
ｌ粒子のマイグレーションが十分に行えることとなる。
【００１９】さらに、基板１は基板ホルダ１２の回転駆
動により真空チャンバ１７内を回転駆動し、Ａｌターゲ
ット２に対して１８０°の角度の間でランダムにＡｌ粒
子の入射を受けることとなる。しかも、基板１は回転し
ているために、図４に示すように、第１層のＡｌ膜（２
０Å〜２００Å位）がＡｌターゲット２近傍で成膜した
後、加熱され、マイグレーション（膜が落ちつく過
程）、再度回転移動してＡｌターゲット２近傍に来た時
点で第１層と同じ膜厚の第２層のＡｌ膜が成膜される。
この工程（成膜−加熱−マイグレーション）を繰り返す
（１００〜１０回転）ことで、積層状態のＡｌ膜（２０
００Å）を作成することができる。尚、Ａｌ膜の第１回
の膜厚は、上記に限定するものでなく、３０００Åな
ら、第１回のＡｌ膜の膜厚を２０Å〜２００Å位で、１
５０〜１５回転することで作成することも可能である
し、さらに、各回毎の膜厚を変更することも可能であ
る。
動により真空チャンバ１７内を回転駆動し、Ａｌターゲ
ット２に対して１８０°の角度の間でランダムにＡｌ粒
子の入射を受けることとなる。しかも、基板１は回転し
ているために、図４に示すように、第１層のＡｌ膜（２
０Å〜２００Å位）がＡｌターゲット２近傍で成膜した
後、加熱され、マイグレーション（膜が落ちつく過
程）、再度回転移動してＡｌターゲット２近傍に来た時
点で第１層と同じ膜厚の第２層のＡｌ膜が成膜される。
この工程（成膜−加熱−マイグレーション）を繰り返す
（１００〜１０回転）ことで、積層状態のＡｌ膜（２０
００Å）を作成することができる。尚、Ａｌ膜の第１回
の膜厚は、上記に限定するものでなく、３０００Åな
ら、第１回のＡｌ膜の膜厚を２０Å〜２００Å位で、１
５０〜１５回転することで作成することも可能である
し、さらに、各回毎の膜厚を変更することも可能であ
る。
【００２０】これにより、Ａｌ粒子の衝撃が少なく膜ダ
メージの少なく、Ａｌ膜の応力を緩和することができる
ので、図３（ロ）に示すようなヒロックのない良質の膜
を得ることができる。即ち、図３はＡｌのＸ線回折パタ
ーンを示し、（ロ）は（イ）に比しＡｌ（１１１）の強
度に対してＡｌ（２００）（２２０）も配向が強くなっ
ており、このことによりＡｌ膜の成膜時のＡｌ粒子の基
板１への入射方向がランダムであることと、成膜工程が
成膜−加熱−マイグレーションを繰り返すした多層膜で
あることを示す。（イ）のように、Ａｌ（１１１）のみ
が強く配向することは、ヒロックが発生している膜であ
ので、（ロ）は、ヒロックの発生してない膜質であるこ
とを示す。従って、大型の基板１であっても均一な膜が
成膜することが容易にできることとなる。
メージの少なく、Ａｌ膜の応力を緩和することができる
ので、図３（ロ）に示すようなヒロックのない良質の膜
を得ることができる。即ち、図３はＡｌのＸ線回折パタ
ーンを示し、（ロ）は（イ）に比しＡｌ（１１１）の強
度に対してＡｌ（２００）（２２０）も配向が強くなっ
ており、このことによりＡｌ膜の成膜時のＡｌ粒子の基
板１への入射方向がランダムであることと、成膜工程が
成膜−加熱−マイグレーションを繰り返すした多層膜で
あることを示す。（イ）のように、Ａｌ（１１１）のみ
が強く配向することは、ヒロックが発生している膜であ
ので、（ロ）は、ヒロックの発生してない膜質であるこ
とを示す。従って、大型の基板１であっても均一な膜が
成膜することが容易にできることとなる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＡｌ膜の
作成方法は、Ａｌターゲットに接続されたスパッタ電源
よりターゲットに印加する電力と、基板に接続されたバ
イアス電源より基板に印加する電力とをパルスで行なう
ことにより、間欠的なスパッタが行われることとなり、
スパッタされたＡｌの粒子が間欠的に基板に付着して膜
ダメージの少なく、応力の緩和され、ヒロックのない良
質の膜を得ることができるという大きな利点を得た。
作成方法は、Ａｌターゲットに接続されたスパッタ電源
よりターゲットに印加する電力と、基板に接続されたバ
イアス電源より基板に印加する電力とをパルスで行なう
ことにより、間欠的なスパッタが行われることとなり、
スパッタされたＡｌの粒子が間欠的に基板に付着して膜
ダメージの少なく、応力の緩和され、ヒロックのない良
質の膜を得ることができるという大きな利点を得た。
【００２２】また、ＯＦＦはスパッタ電源に僅かな時間
差をもってバイアス電源をＯＦＦにすることで、入射し
たＡｌ粒子のマイグレーションが十分に行えることで安
定した膜を作成することができる。
差をもってバイアス電源をＯＦＦにすることで、入射し
たＡｌ粒子のマイグレーションが十分に行えることで安
定した膜を作成することができる。
【００２３】さらに、Ａｌ膜を成膜する際、基板を回転
駆動することで、基板はターゲットに対して１８０度角
度内でランダムにスパッタされたＡｌ粒子の入射を受け
ることとなり、大型の基板に対しても均一な膜厚を得る
ことが可能となる。従って、、大型の基板であっても量
産することが可能となる。
駆動することで、基板はターゲットに対して１８０度角
度内でランダムにスパッタされたＡｌ粒子の入射を受け
ることとなり、大型の基板に対しても均一な膜厚を得る
ことが可能となる。従って、、大型の基板であっても量
産することが可能となる。
【図１】本発明のＡｌ膜の作成装置を示す概略構成図。
【図２】スパッタ電源とバイアス電源とをパルスで行う
状態を示す波形図。
状態を示す波形図。
【図３】Ａｌ膜のＸ線回折パターン図を示し、（イ）は
ヒロックのある従来の膜、（ロ）は本発明によるヒロッ
クのない状態を示す。
ヒロックのある従来の膜、（ロ）は本発明によるヒロッ
クのない状態を示す。
【図４】積層状態の膜厚を示す概略図。
１…基板 ２…ターゲット １７…真空チャンバ 粉体 板状体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 BA03 BB02 CA05 CA13 DC03 DC16 DC35 EA00 4M104 BB02 DD37 HH03 5F103 AA08 BB38 BB42 BB56 DD28 NN10 RR06
Claims (4)
- 【請求項１】 真空チャンバ内に設けられ複数のＡｌタ
ーゲットと、該真空チャンバ内でＡｌターゲットに対し
て対向配置した複数の基板にＡｌ膜を成膜するＡｌ膜の
作成方法において、Ａｌターゲットへのスパッタ電源と
基板へのバイアス電源とをパルスで行い、間欠的なスパ
ッタでＡｌ膜の成膜を行うことを特徴とするＡｌ膜の作
成方法。 - 【請求項２】 スパッタ電源とバイアス電源とをパルス
で行う際、ＯＮはスパッタ電源とバイアス電源とを同時
に行い、ＯＦＦはスパッタ電源に僅かな時間差をもって
バイアス電源をＯＦＦにする請求項１記載のＡｌ膜の作
成方法。 - 【請求項３】 Ａｌ膜を成膜する際、基板を回転駆動し
て基板に対して１８０度角内のランダムな方向よりスパ
ッタされたＡｌ粒子を入射してＡｌ膜を積層状態で成膜
する請求項１又は２記載のＡｌ膜の作成方法。 - 【請求項４】 真空チャンバ内に設けられ複数のＡｌタ
ーゲットと、該真空チャンバ内でＡｌターゲットに対し
て対向配置され、且つ複数の基板ホルダーに設けられた
基板とからなるＡｌ膜の作成装置において、Ａｌターゲ
ットが真空チャンバ側壁の縦方向に沿って複数設けら
れ、且つ基板ホルダーがＡｌターゲットに対応して縦方
向に複数設けられ、しかも、基板ホルダーは回転駆動す
べく構成され、且つ、各Ａｌターゲットにはそれぞれ位
相の制御されたスパッタ電源が接続され、各基板にはバ
イアス電源が接続されていることを特徴とするＡｌ膜の
作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113107A JP2000345333A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-21 | Ａｌ膜の作成方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-96054 | 1999-04-02 | ||
| JP9605499 | 1999-04-02 | ||
| JP11113107A JP2000345333A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-21 | Ａｌ膜の作成方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000345333A true JP2000345333A (ja) | 2000-12-12 |
Family
ID=26437299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11113107A Pending JP2000345333A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-21 | Ａｌ膜の作成方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000345333A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008243872A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子 |
| US20090183984A1 (en) * | 2006-01-31 | 2009-07-23 | Takashi Sakuma | Seed Film Forming Method, Plasma-Assisted Film Forming System and Storage Medium |
-
1999
- 1999-04-21 JP JP11113107A patent/JP2000345333A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090183984A1 (en) * | 2006-01-31 | 2009-07-23 | Takashi Sakuma | Seed Film Forming Method, Plasma-Assisted Film Forming System and Storage Medium |
| JP2008243872A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子 |
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