JP2000344722A - ４−ヒドロキシメチル−１−アミノシクロペント−２−エン誘導体の製造方法 - Google Patents
４−ヒドロキシメチル−１−アミノシクロペント−２−エン誘導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ４−ヒドロキシメチル−１−アミノシクロペ
ント−２−エン誘導体を高収率、高純度で、かつ安全、
経済的に製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ１は置換基を有していてもよいアルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはア
ラルキルオキシ基を表し、Ｒ２は置換基を有していても
よいアルキル基またはアリール基を表す。）で示される
カルボン酸エステル化合物を、メタノールの存在下に金
属水素化ホウ素錯化合物と反応させることを特徴とする
一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ１は前記定義のとおりである。）で示される
４−ヒドロキシメチル−１−アミノシクロペント−２−
エン誘導体の製造方法。
ント−２−エン誘導体を高収率、高純度で、かつ安全、
経済的に製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ１は置換基を有していてもよいアルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはア
ラルキルオキシ基を表し、Ｒ２は置換基を有していても
よいアルキル基またはアリール基を表す。）で示される
カルボン酸エステル化合物を、メタノールの存在下に金
属水素化ホウ素錯化合物と反応させることを特徴とする
一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ１は前記定義のとおりである。）で示される
４−ヒドロキシメチル−１−アミノシクロペント−２−
エン誘導体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は４−ヒドロキシメチル−
１−アミノシクロペント−２−エン誘導体の製造方法に
関する。本発明により得られる４−ヒドロキシメチル−
１−アミノシクロペント−２−エン誘導体は、抗ウイル
ス剤などの医薬品として用いられるカルボサイクリック
ヌクレオシド誘導体を合成するための中間体などとして
有用である。
１−アミノシクロペント−２−エン誘導体の製造方法に
関する。本発明により得られる４−ヒドロキシメチル−
１−アミノシクロペント−２−エン誘導体は、抗ウイル
ス剤などの医薬品として用いられるカルボサイクリック
ヌクレオシド誘導体を合成するための中間体などとして
有用である。
【０００２】
【従来の技術】従来、４−ヒドロキシメチル−１−アミ
ノシクロペント−２−エン誘導体の製造方法としては、
４−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２−シクロペ
ント−１−カルボン酸エステルをテトラヒドロフラン溶
媒中でトリエチル水素化ホウ素リチウムにより還元する
方法（テトラヘドロンアシメトリー（Ｔｅｔｒａｈｅｄ
ｒｏｎ Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ）、第３巻、４３１−４３
６頁（１９９２年）参照）；４−アセチルアミノ−２
−シクロペント−１−カルボン酸メチルをテトラヒドロ
フラン溶媒中で水素化ホウ素カルシウムにより還元する
方法（テトラヘドロンレターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏ
ｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第３５巻、３００５−３００８
頁（１９９４年）参照）；４−アミノ−２−シクロペ
ント−１−カルボン酸メチルをテトラヒドロフラン溶媒
中でトリエチル水素化ホウ素リチウムにより還元する方
法（ジャーナルオブ オーガニック ケミストリー（Ｊ．
Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第４６巻、３２６８−３２７２
頁（１９８１年）参照）のように、４−アミノ−２−シ
クロペンテン−１−カルボン酸エステルを特定の還元剤
を用いて還元する方法が知られている。
ノシクロペント−２−エン誘導体の製造方法としては、
４−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２−シクロペ
ント−１−カルボン酸エステルをテトラヒドロフラン溶
媒中でトリエチル水素化ホウ素リチウムにより還元する
方法（テトラヘドロンアシメトリー（Ｔｅｔｒａｈｅｄ
ｒｏｎ Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ）、第３巻、４３１−４３
６頁（１９９２年）参照）；４−アセチルアミノ−２
−シクロペント−１−カルボン酸メチルをテトラヒドロ
フラン溶媒中で水素化ホウ素カルシウムにより還元する
方法（テトラヘドロンレターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏ
ｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第３５巻、３００５−３００８
頁（１９９４年）参照）；４−アミノ−２−シクロペ
ント−１−カルボン酸メチルをテトラヒドロフラン溶媒
中でトリエチル水素化ホウ素リチウムにより還元する方
法（ジャーナルオブ オーガニック ケミストリー（Ｊ．
Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第４６巻、３２６８−３２７２
頁（１９８１年）参照）のように、４−アミノ−２−シ
クロペンテン−１−カルボン酸エステルを特定の還元剤
を用いて還元する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した方法はいずれ
も、工業的規模で入手しにくく、かつ安全性や操作性の
観点から扱いにくい還元剤を使用すること、反応のスケ
ールを大きくすると選択性が低下する場合があることな
どの問題点を有しており、４−ヒドロキシメチル−１−
アミノシクロペント−２−エン誘導体を工業的規模で有
利に製造し得る方法とは言い難い。しかして、本発明の
目的は、４−アミノ−２−シクロペンテン−１−カルボ
ン酸エステルを還元して４−ヒドロキシメチル−１−ア
ミノシクロペント−２−エン誘導体を合成する際に見ら
れる上記課題を解決し、４−ヒドロキシメチル−１−ア
ミノシクロペント−２−エン誘導体を高収率、高純度
で、かつ安全、経済的に製造できる方法を提供すること
にある。
も、工業的規模で入手しにくく、かつ安全性や操作性の
観点から扱いにくい還元剤を使用すること、反応のスケ
ールを大きくすると選択性が低下する場合があることな
どの問題点を有しており、４−ヒドロキシメチル−１−
アミノシクロペント−２−エン誘導体を工業的規模で有
利に製造し得る方法とは言い難い。しかして、本発明の
目的は、４−アミノ−２−シクロペンテン−１−カルボ
ン酸エステルを還元して４−ヒドロキシメチル−１−ア
ミノシクロペント−２−エン誘導体を合成する際に見ら
れる上記課題を解決し、４−ヒドロキシメチル−１−ア
ミノシクロペント−２−エン誘導体を高収率、高純度
で、かつ安全、経済的に製造できる方法を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目的は、一般式（Ｉ）
目的は、一般式（Ｉ）
【０００５】
【化３】
【０００６】（式中、Ｒ１は置換基を有していてもよい
アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル
基、アリールオキシ基またはアラルキルオキシ基を表
し、Ｒ２は置換基を有していてもよいアルキル基または
アリール基を表す。）で示されるカルボン酸エステル化
合物（以下、カルボン酸エステル（Ｉ）と略称する）
を、メタノールの存在下に、金属水素化ホウ素錯化合物
と反応させることを特徴とする一般式（ＩＩ）
アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル
基、アリールオキシ基またはアラルキルオキシ基を表
し、Ｒ２は置換基を有していてもよいアルキル基または
アリール基を表す。）で示されるカルボン酸エステル化
合物（以下、カルボン酸エステル（Ｉ）と略称する）
を、メタノールの存在下に、金属水素化ホウ素錯化合物
と反応させることを特徴とする一般式（ＩＩ）
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中、Ｒ１は前記定義のとおりであ
る。）で示される４−ヒドロキシメチル−１−アミノシ
クロペント−２−エン誘導体の製造方法を提供すること
により達成される。
る。）で示される４−ヒドロキシメチル−１−アミノシ
クロペント−２−エン誘導体の製造方法を提供すること
により達成される。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記一般式中、Ｒ１およびＲ２が
表すアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル
基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。こ
れらのアルキル基は置換基を有していてもよく、かかる
置換基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基などのアルコキシル基；塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などのハロゲン原子；ニトロ基などが挙げられる。
表すアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル
基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。こ
れらのアルキル基は置換基を有していてもよく、かかる
置換基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基などのアルコキシル基；塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などのハロゲン原子；ニトロ基などが挙げられる。
【００１０】Ｒ１およびＲ２が表すアリール基として
は、例えばフェニル基、トリル基、ナフチル基などが挙
げられる。これらのアリール基は置換基を有していても
よく、かかる置換基としては、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基などのアルキル基；フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基などのアリール基；メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ
ル基；塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン
原子；ニトロ基などが挙げられる。
は、例えばフェニル基、トリル基、ナフチル基などが挙
げられる。これらのアリール基は置換基を有していても
よく、かかる置換基としては、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基などのアルキル基；フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基などのアリール基；メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ
ル基；塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン
原子；ニトロ基などが挙げられる。
【００１１】Ｒ１およびＲ２が表すアラルキル基として
は、例えばベンジル基、フェニルエチル基などが挙げら
れる。これらのアラルキル基は置換基を有していてもよ
く、かかる置換基としては、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基などのアルキル基；フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基などのアリール基；メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ
ル基；塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン
原子；ニトロ基などが挙げられる。
は、例えばベンジル基、フェニルエチル基などが挙げら
れる。これらのアラルキル基は置換基を有していてもよ
く、かかる置換基としては、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基などのアルキル基；フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基などのアリール基；メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシ
ル基；塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン
原子；ニトロ基などが挙げられる。
【００１２】Ｒ１が表すアルコキシル基としては、例え
ばｔ−ブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが
挙げられ、アリールオキシ基としては、例えばフェニル
オキシ基、トリルオキシ基などが挙げられ、アラルキル
オキシ基としては、例えばベンジルオキシ基などが挙げ
られる。これらのアルコキシル基、アリールオキシ基お
よびアラルキルオキシ基は置換基を有していてもよく、
かかる置換基としては、例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基などのアルキル基；フェニル
基、トリル基、ナフチル基などのアリール基；メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシル基；
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；
ニトロ基などが挙げられる。
ばｔ−ブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが
挙げられ、アリールオキシ基としては、例えばフェニル
オキシ基、トリルオキシ基などが挙げられ、アラルキル
オキシ基としては、例えばベンジルオキシ基などが挙げ
られる。これらのアルコキシル基、アリールオキシ基お
よびアラルキルオキシ基は置換基を有していてもよく、
かかる置換基としては、例えばメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基などのアルキル基；フェニル
基、トリル基、ナフチル基などのアリール基；メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基などのアルコキシル基；
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；
ニトロ基などが挙げられる。
【００１３】本発明の方法は、メタノールの存在下に、
還元剤として金属水素化ホウ素錯化合物を用いることに
特徴を有する。かかる金属水素化ホウ素錯化合物として
は、例えば水素化ホウ素ナトリウム、トリメトキシ水素
化ホウ素ナトリウム、ジメトキシ水素化ホウ素ナトリウ
ム、モノメトキシ水素化ホウ素ナトリウム、トリエトキ
シ水素化ホウ素ナトリウム、トリイソプロピルオキシ水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、トリメ
トキシ水素化ホウ素リチウム、ジメトキシ水素化ホウ素
リチウム、モノメトキシ水素化ホウ素リチウム、トリエ
トキシ水素化ホウ素リチウム、トリイソプロピルオキシ
水素化ホウ素リチウムなどが挙げられる。これらの中で
も、金属水素化ホウ素錯化合物として水素化ホウ素ナト
リウム、トリメトキシ水素化ホウ素ナトリウム、ジメト
キシ水素化ホウ素ナトリウム、モノメトキシ水素化ホウ
素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、トリメトキシ水
素化ホウ素リチウム、ジメトキシ水素化ホウ素リチウ
ム、モノメトキシ水素化ホウ素リチウムを用いるのが好
ましく、経済性および工業的に入手の容易な観点から水
素化ホウ素ナトリウムを用いるのが特に好ましい。な
お、これらの金属水素化ホウ素錯化合物は１種類を単独
で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。
金属水素化ホウ素錯化合物は、カルボン酸エステル
（Ｉ）１モルに対して１〜１０モル倍の範囲で用いるの
が好ましく、経済性および後処理の容易さの観点からは
１〜３モル倍の範囲で用いるのがより好ましい。
還元剤として金属水素化ホウ素錯化合物を用いることに
特徴を有する。かかる金属水素化ホウ素錯化合物として
は、例えば水素化ホウ素ナトリウム、トリメトキシ水素
化ホウ素ナトリウム、ジメトキシ水素化ホウ素ナトリウ
ム、モノメトキシ水素化ホウ素ナトリウム、トリエトキ
シ水素化ホウ素ナトリウム、トリイソプロピルオキシ水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、トリメ
トキシ水素化ホウ素リチウム、ジメトキシ水素化ホウ素
リチウム、モノメトキシ水素化ホウ素リチウム、トリエ
トキシ水素化ホウ素リチウム、トリイソプロピルオキシ
水素化ホウ素リチウムなどが挙げられる。これらの中で
も、金属水素化ホウ素錯化合物として水素化ホウ素ナト
リウム、トリメトキシ水素化ホウ素ナトリウム、ジメト
キシ水素化ホウ素ナトリウム、モノメトキシ水素化ホウ
素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、トリメトキシ水
素化ホウ素リチウム、ジメトキシ水素化ホウ素リチウ
ム、モノメトキシ水素化ホウ素リチウムを用いるのが好
ましく、経済性および工業的に入手の容易な観点から水
素化ホウ素ナトリウムを用いるのが特に好ましい。な
お、これらの金属水素化ホウ素錯化合物は１種類を単独
で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。
金属水素化ホウ素錯化合物は、カルボン酸エステル
（Ｉ）１モルに対して１〜１０モル倍の範囲で用いるの
が好ましく、経済性および後処理の容易さの観点からは
１〜３モル倍の範囲で用いるのがより好ましい。
【００１４】メタノールの使用量に特別な制限はない
が、通常は金属水素化ホウ素錯化合物に対し０．５〜２
００モル倍の範囲であるのが好ましく、経済性および後
処理の容易さの観点からは０．５〜５０モル倍の範囲で
あるのがより好ましい。
が、通常は金属水素化ホウ素錯化合物に対し０．５〜２
００モル倍の範囲であるのが好ましく、経済性および後
処理の容易さの観点からは０．５〜５０モル倍の範囲で
あるのがより好ましい。
【００１５】本発明の方法では溶媒の存在は必須ではな
いが、反応に悪影響を与えない溶媒を共存させてもよ
い。かかる溶媒としては、例えばトルエン、ベンゼン、
キシレンなどの芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン、
オクタンなどの脂肪族炭化水素；ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、メチルターシャルブチルエーテ
ルなどのエーテルなどが挙げられる。また、メタノール
自身を反応溶媒として用いてもよい。溶媒を共存させる
場合、その使用量に特に制限はないが、通常はカルボン
酸エステル（Ｉ）に対して１〜１００重量倍の範囲であ
るのが好ましい。
いが、反応に悪影響を与えない溶媒を共存させてもよ
い。かかる溶媒としては、例えばトルエン、ベンゼン、
キシレンなどの芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン、
オクタンなどの脂肪族炭化水素；ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、メチルターシャルブチルエーテ
ルなどのエーテルなどが挙げられる。また、メタノール
自身を反応溶媒として用いてもよい。溶媒を共存させる
場合、その使用量に特に制限はないが、通常はカルボン
酸エステル（Ｉ）に対して１〜１００重量倍の範囲であ
るのが好ましい。
【００１６】反応温度は、−５〜５０℃の範囲が好まし
く、選択性の観点からは−５〜３０℃の範囲がより好ま
しい。
く、選択性の観点からは−５〜３０℃の範囲がより好ま
しい。
【００１７】反応時間は、温度、金属水素化ホウ素錯化
合物の使用量、カルボン酸エステル（Ｉ）の種類によっ
て変動するが、概ね１０分から２４時間の範囲である。
合物の使用量、カルボン酸エステル（Ｉ）の種類によっ
て変動するが、概ね１０分から２４時間の範囲である。
【００１８】反応は、カルボン酸エステル（Ｉ）、メタ
ノールおよび必要に応じて溶媒を混合した溶液に金属水
素化ホウ素錯化合物を添加する方法、金属水素化ホウ素
錯化合物とメタノールおよび必要に応じて溶媒を混合し
た溶液にカルボン酸エステル（Ｉ）を添加する方法、メ
タノールおよび必要に応じて溶媒を混合した溶液にカル
ボン酸エステル（Ｉ）と金属水素化ホウ素錯化合物を同
時に添加する方法のいずれの方法でも行うことができ
る。
ノールおよび必要に応じて溶媒を混合した溶液に金属水
素化ホウ素錯化合物を添加する方法、金属水素化ホウ素
錯化合物とメタノールおよび必要に応じて溶媒を混合し
た溶液にカルボン酸エステル（Ｉ）を添加する方法、メ
タノールおよび必要に応じて溶媒を混合した溶液にカル
ボン酸エステル（Ｉ）と金属水素化ホウ素錯化合物を同
時に添加する方法のいずれの方法でも行うことができ
る。
【００１９】このようにして得られた４−ヒドロキシメ
チル−１−アミノシクロペント−２−エン誘導体は、通
常の有機化合物の単離・精製に用いられる方法により単
離・精製することができる。例えば、反応混合物に塩
酸、硫酸などの酸を加えて反応を停止した後、反応混合
物を塩化メチレン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素
または酢酸エチル、酢酸プロピルなどの酢酸エステルを
用いて抽出し、抽出液を濃縮して得られる粗生成物を必
要に応じて蒸留、昇華、再結晶、クロマトグラフィなど
により精製する。また、粗生成物を精製せず、次工程の
抗ウイルス剤中間体の合成にそのまま使用してもよい。
チル−１−アミノシクロペント−２−エン誘導体は、通
常の有機化合物の単離・精製に用いられる方法により単
離・精製することができる。例えば、反応混合物に塩
酸、硫酸などの酸を加えて反応を停止した後、反応混合
物を塩化メチレン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素
または酢酸エチル、酢酸プロピルなどの酢酸エステルを
用いて抽出し、抽出液を濃縮して得られる粗生成物を必
要に応じて蒸留、昇華、再結晶、クロマトグラフィなど
により精製する。また、粗生成物を精製せず、次工程の
抗ウイルス剤中間体の合成にそのまま使用してもよい。
【００２０】なお、本発明の方法で原料として使用する
カルボン酸エステル（Ｉ）は、例えば２−アザビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−３−オンを塩酸など
の酸の存在下で加水分解して得られる４−アミノシクロ
ペント−２−エン−１−カルボン酸のカルボン酸基をメ
タノールを用いてメチルエステル化し、次いでアミノ基
部分を無水酢酸によりアセチル化することにより容易に
製造できる（ジャーナル オブ オーガニック ケミス
トリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第４３巻、２３１
１−２３２０頁（１９７８年）参照）。
カルボン酸エステル（Ｉ）は、例えば２−アザビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−３−オンを塩酸など
の酸の存在下で加水分解して得られる４−アミノシクロ
ペント−２−エン−１−カルボン酸のカルボン酸基をメ
タノールを用いてメチルエステル化し、次いでアミノ基
部分を無水酢酸によりアセチル化することにより容易に
製造できる（ジャーナル オブ オーガニック ケミス
トリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第４３巻、２３１
１−２３２０頁（１９７８年）参照）。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例により限定されるもので
はない。
るが、本発明はこれらの実施例により限定されるもので
はない。
【００２２】実施例１ 温度計、滴下ロートおよび窒素導入管を付けた容量１０
０ｍｌの四つ口フラスコにメタノール１０ｇを入れて５
℃に冷却し、水素化ホウ素ナトリウム２．６ｇ（７０．
０ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を撹拌しながら、内
温を５〜８℃に保ちつつ、４−ベンゾイルアミノ−２−
シクロペンテン−１−カルボン酸メチル１０ｇ（４１．
０ｍｍｏｌ）をメタノール３０ｇに溶解させて得られた
溶液を滴下ロートより１時間かけて滴下し、その後５〜
８℃で３時間攪拌した。反応混合物に１３％−塩酸２３
ｇを少しずつ滴下し、メタノールを減圧下に留去した
後、残留物を酢酸エチル１００ｇで２回抽出した。抽出
液を濃縮することで、淡黄色固体として、下記の物性を
有する４−ヒドロキシメチル−１−ベンゾイルアミノシ
クロペント−２−エン８．４ｇ（３９ｍｍｏｌ）を得た
（収率９５．１％、純度９８．３％（高速液体クロマト
グラフィー（ＨＰＬＣ）により分析））。
０ｍｌの四つ口フラスコにメタノール１０ｇを入れて５
℃に冷却し、水素化ホウ素ナトリウム２．６ｇ（７０．
０ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を撹拌しながら、内
温を５〜８℃に保ちつつ、４−ベンゾイルアミノ−２−
シクロペンテン−１−カルボン酸メチル１０ｇ（４１．
０ｍｍｏｌ）をメタノール３０ｇに溶解させて得られた
溶液を滴下ロートより１時間かけて滴下し、その後５〜
８℃で３時間攪拌した。反応混合物に１３％−塩酸２３
ｇを少しずつ滴下し、メタノールを減圧下に留去した
後、残留物を酢酸エチル１００ｇで２回抽出した。抽出
液を濃縮することで、淡黄色固体として、下記の物性を
有する４−ヒドロキシメチル−１−ベンゾイルアミノシ
クロペント−２−エン８．４ｇ（３９ｍｍｏｌ）を得た
（収率９５．１％、純度９８．３％（高速液体クロマト
グラフィー（ＨＰＬＣ）により分析））。
【００２３】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ３，ＴＭＳ，ｐｐｍ） δ：７．７４（２Ｈ，ｍ）、
７．４８−７．３４（３Ｈ，ｍ）、６．９８（１Ｈ，ｂ
ｒ）、５．９１（１Ｈ，ｍ）、５．８２（１Ｈ，ｍ）、
５．１９（１Ｈ，ｔ）、３．７４（１Ｈ，ｍ）、３．６
４（１Ｈ，ｍ）、２．９１（１Ｈ，ｍ）、２．５４（１
Ｈ，ｍ）、２．０８（１Ｈ，ｍ）、１．５８（１Ｈ，
ｍ）
ｌ３，ＴＭＳ，ｐｐｍ） δ：７．７４（２Ｈ，ｍ）、
７．４８−７．３４（３Ｈ，ｍ）、６．９８（１Ｈ，ｂ
ｒ）、５．９１（１Ｈ，ｍ）、５．８２（１Ｈ，ｍ）、
５．１９（１Ｈ，ｔ）、３．７４（１Ｈ，ｍ）、３．６
４（１Ｈ，ｍ）、２．９１（１Ｈ，ｍ）、２．５４（１
Ｈ，ｍ）、２．０８（１Ｈ，ｍ）、１．５８（１Ｈ，
ｍ）
【００２４】実施例２ 実施例１において、４−ベンゾイルアミノ−２−シクロ
ペンテン−１−カルボン酸メチル１０ｇ（４１．０ｍｍ
ｏｌ）の代わりに４−ベンゾイルアミノ−２−シクロペ
ンテン−１−カルボン酸エチル１０．６ｇ（４１．０ｍ
ｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い、
４−ヒドロキシメチル−１−ベンゾイルアミノシクロペ
ント−２−エン８．３ｇ（３８．６ｍｍｏｌ）を得た
（収率９４．１％、純度９８．７％（ＨＰＬＣ分
析））。
ペンテン−１−カルボン酸メチル１０ｇ（４１．０ｍｍ
ｏｌ）の代わりに４−ベンゾイルアミノ−２−シクロペ
ンテン−１−カルボン酸エチル１０．６ｇ（４１．０ｍ
ｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い、
４−ヒドロキシメチル−１−ベンゾイルアミノシクロペ
ント−２−エン８．３ｇ（３８．６ｍｍｏｌ）を得た
（収率９４．１％、純度９８．７％（ＨＰＬＣ分
析））。
【００２５】実施例３ 実施例１において、４−ベンゾイルアミノ−２−シクロ
ペンテン−１−カルボン酸メチル１０ｇ（４１．０ｍｍ
ｏｌ）の代わりに４−アセチルアミノ−２−シクロペン
テン−１−カルボン酸メチル６．４ｇ（４１．０ｍｍｏ
ｌ）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い、下記
の物性を有する４−ヒドロキシメチル−１−アセチルア
ミノシクロペント−２−エン５．９ｇ（３７．７ｍｍｏ
ｌ）を得た（収率９２．０％、純度９８．５％（ＨＰＬ
Ｃ分析））。
ペンテン−１−カルボン酸メチル１０ｇ（４１．０ｍｍ
ｏｌ）の代わりに４−アセチルアミノ−２−シクロペン
テン−１−カルボン酸メチル６．４ｇ（４１．０ｍｍｏ
ｌ）を用いた以外は実施例１と同様の操作を行い、下記
の物性を有する４−ヒドロキシメチル−１−アセチルア
ミノシクロペント−２−エン５．９ｇ（３７．７ｍｍｏ
ｌ）を得た（収率９２．０％、純度９８．５％（ＨＰＬ
Ｃ分析））。
【００２６】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ３，ＴＭＳ，ｐｐｍ） δ：５．８７−６．４０（１
Ｈ，ｂｒ）、５．７０（２Ｈ，ｓ）、４．６０−５．１
０（１Ｈ，ｍ）、３．５３（２Ｈ，ｄ）、２．１５（１
Ｈ，ｂｒ）、１．９７−３．１０（２Ｈ，ｍ）、１．８
７（３Ｈ，ｓ）、１．１０−１．６０（１Ｈ，ｍ）
ｌ３，ＴＭＳ，ｐｐｍ） δ：５．８７−６．４０（１
Ｈ，ｂｒ）、５．７０（２Ｈ，ｓ）、４．６０−５．１
０（１Ｈ，ｍ）、３．５３（２Ｈ，ｄ）、２．１５（１
Ｈ，ｂｒ）、１．９７−３．１０（２Ｈ，ｍ）、１．８
７（３Ｈ，ｓ）、１．１０−１．６０（１Ｈ，ｍ）
【００２７】比較例１ 実施例１において、メタノール１０ｇの代わりにエタノ
ール１０ｇを用い、かつ反応温度を３０℃とする以外は
実施例１と同様の操作を行ったが、複雑な生成物を与え
るのみで、４−ヒドロキシメチル−１−ベンゾイルアミ
ノシクロペント−２−エンを得ることはできなかった。
ール１０ｇを用い、かつ反応温度を３０℃とする以外は
実施例１と同様の操作を行ったが、複雑な生成物を与え
るのみで、４−ヒドロキシメチル−１−ベンゾイルアミ
ノシクロペント−２−エンを得ることはできなかった。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、４−ヒドロキシメチル
−１−アミノシクロペント−２−エン誘導体を高収率、
高純度で、かつ安全、経済的に製造することができる。
−１−アミノシクロペント−２−エン誘導体を高収率、
高純度で、かつ安全、経済的に製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 271/56 Ｃ０７Ｃ 271/56 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ１は置換基を有していてもよいアルキル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリール
オキシ基またはアラルキルオキシ基を表し、Ｒ２は置換
基を有していてもよいアルキル基またはアリール基を表
す。）で示されるカルボン酸エステル化合物を、メタノ
ールの存在下に、金属水素化ホウ素錯化合物と反応させ
ることを特徴とする一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ１は前記定義のとおりである。）で示される
４−ヒドロキシメチル−１−アミノシクロペント−２−
エン誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 金属水素化ホウ素錯化合物は、水素化ホ
ウ素ナトリウム、トリメトキシ水素化ホウ素ナトリウ
ム、ジメトキシ水素化ホウ素ナトリウム、モノメトキシ
水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、トリ
メトキシ水素化ホウ素リチウム、ジメトキシ水素化ホウ
素リチウム、モノメトキシ水素化ホウ素リチウムからな
る群から選択されるものである請求項１記載の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11155911A JP2000344722A (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | ４−ヒドロキシメチル−１−アミノシクロペント−２−エン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11155911A JP2000344722A (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | ４−ヒドロキシメチル−１−アミノシクロペント−２−エン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000344722A true JP2000344722A (ja) | 2000-12-12 |
Family
ID=15616217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11155911A Pending JP2000344722A (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | ４−ヒドロキシメチル−１−アミノシクロペント−２−エン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000344722A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515962A (ja) * | 2004-10-12 | 2008-05-15 | グレンマーク・ファーマシューティカルズ・エスエー | 新規なジペプチジルペプチダーゼｉｖ阻害剤、それらを含む医薬品組成物、およびそれらを調製するためのプロセス |
| WO2015037460A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | 住友化学株式会社 | 光学活性な３－（ビフェニル－４－イル）－２－［（ｔ－ブトキシカルボニル）アミノ］プロパン－１－オールの製造方法 |
| WO2016199688A1 (ja) * | 2015-06-10 | 2016-12-15 | 住友化学株式会社 | カーバメート化合物の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-03 JP JP11155911A patent/JP2000344722A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515962A (ja) * | 2004-10-12 | 2008-05-15 | グレンマーク・ファーマシューティカルズ・エスエー | 新規なジペプチジルペプチダーゼｉｖ阻害剤、それらを含む医薬品組成物、およびそれらを調製するためのプロセス |
| WO2015037460A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | 住友化学株式会社 | 光学活性な３－（ビフェニル－４－イル）－２－［（ｔ－ブトキシカルボニル）アミノ］プロパン－１－オールの製造方法 |
| JPWO2015037460A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2017-03-02 | 住友化学株式会社 | 光学活性な３−（ビフェニル−４−イル）−２−〔（ｔ−ブトキシカルボニル）アミノ〕プロパン−１−オールの製造方法 |
| WO2016199688A1 (ja) * | 2015-06-10 | 2016-12-15 | 住友化学株式会社 | カーバメート化合物の製造方法 |
| CN107635959A (zh) * | 2015-06-10 | 2018-01-26 | 住友化学株式会社 | 氨基甲酸酯化合物的制造方法 |
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